JP2019220644A

JP2019220644A - Substrate processing apparatus

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Publication number: JP2019220644A
Application number: JP2018118858A
Authority: JP
Inventors: 陽藤田; Hiromi Fujita; 伸一郎下村; Shinichiro Shimomura; 元洋岡村; Motohiro Okamura
Original assignee: Tokyo Electron Ltd
Current assignee: Tokyo Electron Ltd
Priority date: 2018-06-22
Filing date: 2018-06-22
Publication date: 2019-12-26
Anticipated expiration: 2038-06-22
Also published as: JP7144982B2

Abstract

To provide a substrate processing apparatus capable of restraining adhesion of droplet to a cover member due to liquid splash from a substrate.SOLUTION: A substrate processing apparatus comprises a holding part configured to rotate a substrate while holding it, a process liquid supply section configured to supply process liquid from a nozzle to the substrate, a cover part placed above the substrate, and a control section. The cover part includes a cover member extending in an arc or ring along the perimeter of the substrate held in the holding part so as to face the perimeter. The cover member includes a notch opening to the center side of the substrate so as to constitute a space capable of receiving the nozzle. The control section controls the cover part so as to change the clearance between the discharge opening of the nozzle and the opening end of the notch in the hoop direction of the substrate.SELECTED DRAWING: Figure 3

Description

本開示の例示的実施形態は、基板処理装置に関する。 An exemplary embodiment of the present disclosure relates to a substrate processing apparatus.

特許文献１は、基板保持部に保持された基板の周縁部と対向するように配置されたリング状のカバー部材と、カバー部材を加熱するためのヒータとを備える基板処理装置を開示している。ヒータがカバー部材を加熱することにより、カバー部材に付着した液滴が気化するので、パーティクルの発生が抑制される。 Patent Literature 1 discloses a substrate processing apparatus including a ring-shaped cover member arranged to face a peripheral edge of a substrate held by a substrate holding unit, and a heater for heating the cover member. . When the heater heats the cover member, the droplets attached to the cover member are vaporized, so that generation of particles is suppressed.

特開２０１５−２１６２２４号公報JP 2015-216224 A

本開示は、基板からの液跳ねによるカバー部材への液滴の付着を抑制することが可能な基板処理装置を説明する。 The present disclosure describes a substrate processing apparatus capable of suppressing adhesion of droplets to a cover member due to liquid splash from a substrate.

一つの例示的実施形態に係る基板処理装置は、基板を保持しつつ回転させるように構成された保持部と、基板に処理液をノズルから供給するように構成された処理液供給部と、基板の上方に配置されたカバー部と、制御部とを備える。カバー部は、保持部に保持されている基板の周縁部と対向するように当該周縁部に沿って弧状又は環状に延びるカバー部材を含む。カバー部材は、ノズルを収容可能な空間を構成するように基板の中心側に開放して切り欠かれた切欠部を含む。制御部は、ノズルの吐出口と切欠部の開口端との間の基板の周方向における離間距離を変化させるようにカバー部を制御する処理を実行する。 A substrate processing apparatus according to one exemplary embodiment includes a holding unit configured to rotate while holding a substrate, a processing liquid supply unit configured to supply a processing liquid to the substrate from a nozzle, and a substrate. And a control unit disposed above the cover unit. The cover portion includes a cover member extending in an arc shape or an annular shape along the peripheral portion so as to face the peripheral portion of the substrate held by the holding portion. The cover member includes a notch that is opened and cut out toward the center of the substrate so as to form a space that can accommodate the nozzle. The control unit performs a process of controlling the cover unit so as to change a circumferential separation distance between the discharge port of the nozzle and the opening end of the cutout in the substrate.

一つの例示的実施形態に係る基板処理装置によれば、基板からの液跳ねによるカバー部材への液滴の付着を抑制することが可能となる。 According to the substrate processing apparatus according to one exemplary embodiment, it is possible to suppress adhesion of droplets to a cover member due to splashing of liquid from a substrate.

図１は、基板処理システム示す平面図である。FIG. 1 is a plan view showing a substrate processing system. 図２は、基板処理装置を概略的に示すブロック図である。FIG. 2 is a block diagram schematically illustrating the substrate processing apparatus. 図３は、処理ユニットの一例を示す上面図である。FIG. 3 is a top view illustrating an example of the processing unit. 図４は、図３のＩＶ−ＩＶ線断面図である。FIG. 4 is a sectional view taken along line IV-IV of FIG. 図５は、カバー部材の一例を下方から見た斜視図である。FIG. 5 is a perspective view of an example of the cover member as viewed from below. 図６は、カバー部材の一例を内側から見た様子を示す図である。FIG. 6 is a diagram illustrating an example of the cover member viewed from the inside. 図７は、カバー部材の動作を説明するための図である。FIG. 7 is a diagram for explaining the operation of the cover member. 図８は、カバー部材の洗浄処理を説明するための図である。FIG. 8 is a diagram for explaining the cleaning process of the cover member. 図９は、処理ユニットの他の例を示す上面図である。FIG. 9 is a top view illustrating another example of the processing unit. 図１０は、カバー部材の他の例を内側から見た様子を示す図である。FIG. 10 is a diagram showing another example of the cover member viewed from the inside. 図１１は、カバー部材の他の例を内側から見た様子を示す図である。FIG. 11 is a diagram illustrating a state where another example of the cover member is viewed from the inside. 図１２は、処理ユニットの他の例を、図４と同様に切断したときの断面図である。FIG. 12 is a cross-sectional view when another example of the processing unit is cut similarly to FIG.

以下に、種々の例示的実施形態について、図面を参照しつつより詳細に説明する。以下の説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には同一符号を用いることとし、重複する説明は省略する。 Hereinafter, various exemplary embodiments will be described in more detail with reference to the drawings. In the following description, the same elements or elements having the same functions will be denoted by the same reference symbols, without redundant description.

［基板処理システムの構成］
図１は、本実施形態に係る基板処理システムの概略構成を示す図である。以下では、位置関係を明確にするために、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸を規定し、Ｚ軸正方向を鉛直上向き方向とする。 [Configuration of substrate processing system]
FIG. 1 is a diagram illustrating a schematic configuration of a substrate processing system according to the present embodiment. Hereinafter, in order to clarify the positional relationship, an X axis, a Y axis, and a Z axis that are orthogonal to each other are defined, and the positive direction of the Z axis is defined as a vertically upward direction.

図１に示すように、基板処理システム１は、搬入出ステーション２と、処理ステーション３とを備える。搬入出ステーション２と処理ステーション３とは隣接して設けられる。 As shown in FIG. 1, the substrate processing system 1 includes a loading / unloading station 2 and a processing station 3. The loading / unloading station 2 and the processing station 3 are provided adjacent to each other.

搬入出ステーション２は、キャリア載置部１１と、搬送部１２とを備える。キャリア載置部１１には、複数枚の基板、本実施形態では半導体ウエハ（以下、ウエハＷ）を水平状態で収容する複数のキャリアＣが載置される。 The loading / unloading station 2 includes a carrier mounting section 11 and a transport section 12. A plurality of substrates, in this embodiment, a plurality of carriers C that accommodates a semiconductor wafer (hereinafter, wafer W) in a horizontal state are mounted on the carrier mounting portion 11.

搬送部１２は、キャリア載置部１１に隣接して設けられ、内部に基板搬送装置１３と、受渡部１４とを備える。基板搬送装置１３は、ウエハＷを保持するウエハ保持機構を備える。また、基板搬送装置１３は、水平方向および鉛直方向への移動ならびに鉛直軸を中心とする旋回が可能であり、ウエハ保持機構を用いてキャリアＣと受渡部１４との間でウエハＷの搬送を行う。 The transport unit 12 is provided adjacent to the carrier mounting unit 11 and includes a substrate transport device 13 and a transfer unit 14 therein. The substrate transfer device 13 includes a wafer holding mechanism that holds the wafer W. Further, the substrate transfer device 13 is capable of moving in the horizontal direction and the vertical direction and turning around the vertical axis, and transfers the wafer W between the carrier C and the transfer unit 14 using the wafer holding mechanism. Do.

処理ステーション３は、搬送部１２に隣接して設けられる。処理ステーション３は、搬送部１５と、複数の処理ユニット１６とを備える。複数の処理ユニット１６は、搬送部１５の両側に並べて設けられる。 The processing station 3 is provided adjacent to the transport unit 12. The processing station 3 includes a transport unit 15 and a plurality of processing units 16. The plurality of processing units 16 are provided side by side on the transport unit 15.

搬送部１５は、内部に基板搬送装置１７を備える。基板搬送装置１７は、ウエハＷを保持するウエハ保持機構を備える。また、基板搬送装置１７は、水平方向および鉛直方向への移動ならびに鉛直軸を中心とする旋回が可能であり、ウエハ保持機構を用いて受渡部１４と処理ユニット１６との間でウエハＷの搬送を行う。 The transfer section 15 includes a substrate transfer device 17 inside. The substrate transfer device 17 includes a wafer holding mechanism that holds the wafer W. Further, the substrate transfer device 17 is capable of moving in the horizontal direction and the vertical direction and turning around the vertical axis, and transfers the wafer W between the transfer unit 14 and the processing unit 16 using the wafer holding mechanism. I do.

処理ユニット１６は、基板搬送装置１７によって搬送されるウエハＷに対して所定の基板処理を行う。 The processing unit 16 performs a predetermined substrate processing on the wafer W transferred by the substrate transfer device 17.

また、基板処理システム１は、制御装置４を備える。制御装置４は、たとえばコンピュータであり、制御部１８と記憶部１９とを備える。記憶部１９には、基板処理システム１において実行される各種の処理を制御するプログラムが格納される。制御部１８は、記憶部１９に記憶されたプログラムを読み出して実行することによって基板処理システム１の動作を制御する。 Further, the substrate processing system 1 includes a control device 4. The control device 4 is, for example, a computer, and includes a control unit 18 and a storage unit 19. The storage unit 19 stores programs for controlling various types of processing executed in the substrate processing system 1. The control unit 18 controls the operation of the substrate processing system 1 by reading and executing the program stored in the storage unit 19.

なお、かかるプログラムは、コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体に記録されていたものであって、その記憶媒体から制御装置４の記憶部１９にインストールされたものであってもよい。コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体としては、たとえばハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルディスク（ＭＯ）、メモリカードなどがある。 The program may be recorded on a computer-readable storage medium, and may be installed from the storage medium into the storage unit 19 of the control device 4. Examples of the storage medium readable by a computer include a hard disk (HD), a flexible disk (FD), a compact disk (CD), a magnet optical disk (MO), and a memory card.

上記のように構成された基板処理システム１では、まず、搬入出ステーション２の基板搬送装置１３が、キャリア載置部１１に載置されたキャリアＣからウエハＷを取り出し、取り出したウエハＷを受渡部１４に載置する。受渡部１４に載置されたウエハＷは、処理ステーション３の基板搬送装置１７によって受渡部１４から取り出されて、処理ユニット１６へ搬入される。 In the substrate processing system 1 configured as described above, first, the substrate transfer device 13 of the loading / unloading station 2 takes out the wafer W from the carrier C placed on the carrier placing portion 11 and receives the taken out wafer W. Placed on the transfer unit 14. The wafer W placed on the delivery unit 14 is taken out of the delivery unit 14 by the substrate transfer device 17 of the processing station 3 and carried into the processing unit 16.

処理ユニット１６へ搬入されたウエハＷは、処理ユニット１６によって処理された後、基板搬送装置１７によって処理ユニット１６から搬出されて、受渡部１４に載置される。そして、受渡部１４に載置された処理済のウエハＷは、基板搬送装置１３によってキャリア載置部１１のキャリアＣへ戻される。 The wafer W loaded into the processing unit 16 is processed by the processing unit 16, then unloaded from the processing unit 16 by the substrate transfer device 17, and placed on the delivery unit 14. Then, the processed wafer W mounted on the transfer unit 14 is returned to the carrier C of the carrier mounting unit 11 by the substrate transfer device 13.

［基板処理装置の構成］
続いて、図２〜図６を参照して、基板処理システム１が含む基板処理装置１０の構成を説明する。基板処理装置１０は、例えば、表面Ｗａに膜（図示せず）が形成されたウエハＷ（基板）を処理対象とし、ウエハＷの周縁部Ｗｃ（周縁の近傍部分）から膜を除去する処理を行ってもよい。 [Configuration of substrate processing apparatus]
Subsequently, the configuration of the substrate processing apparatus 10 included in the substrate processing system 1 will be described with reference to FIGS. The substrate processing apparatus 10 performs, for example, a process of removing a film from a peripheral portion Wc (a portion near the peripheral edge) of a wafer W (substrate) having a film (not shown) formed on a front surface Wa. May go.

ウエハＷは、円板状を呈してもよいし、多角形など円形以外の板状を呈していてもよい。ウエハＷは、一部が切り欠かれた切欠部を有していてもよい。切欠部は、例えば、ノッチ（Ｕ字形、Ｖ字形等の溝）であってもよいし、直線状に延びる直線部（いわゆる、オリエンテーション・フラット）であってもよい。ウエハＷは、例えば、半導体基板、ガラス基板、マスク基板、ＦＰＤ（Flat Panel Display）基板その他の各種基板であってもよい。ウエハＷの直径は、例えば２００ｍｍ〜４５０ｍｍ程度であってもよい。膜の具体例としては、例えば、ＴｉＮ膜、Ａｌ膜、タングステン膜、ＳｉＮ膜、ＳｉＯ_２膜、ポリシリコン膜、熱酸化膜（Ｔｈ−Ｏｘ）等が挙げられる。 The wafer W may have a disk shape or a plate shape other than a circle such as a polygon. The wafer W may have a cutout part that is partially cutout. The notch may be, for example, a notch (a U-shaped or V-shaped groove) or a linear portion (a so-called orientation flat) extending linearly. The wafer W may be, for example, a semiconductor substrate, a glass substrate, a mask substrate, an FPD (Flat Panel Display) substrate, or other various substrates. The diameter of the wafer W may be, for example, about 200 mm to 450 mm. Specific examples of the film include, for example, a TiN film, an Al film, a tungsten film, a SiN film, a SiO ₂ film, a polysilicon film, and a thermal oxide film (Th-Ox).

基板処理装置１０は、図２に示されるように、処理ユニット１６と、これを制御する制御装置４とを備える。処理ユニット１６は、回転保持部２１と、送風機Ｂと、液供給部２２〜２５と、カップ２６と、カバー部２７とを含む。 As shown in FIG. 2, the substrate processing apparatus 10 includes a processing unit 16 and a control device 4 for controlling the processing unit. The processing unit 16 includes a rotation holding unit 21, a blower B, liquid supply units 22 to 25, a cup 26, and a cover unit 27.

回転保持部２１（保持部）は、ウエハＷを保持して回転させるように構成されている。具体的には、回転保持部２１は、制御装置４からの動作信号に基づいて動作し、例えば真空吸着等によりウエハＷの中心部を略水平に保持した状態で、鉛直方向に沿って延びる回転軸Ａｘ周りにウエハＷを回転させる。 The rotation holding unit 21 (holding unit) is configured to hold and rotate the wafer W. Specifically, the rotation holding unit 21 operates based on an operation signal from the control device 4, and rotates in a vertical direction while holding the center of the wafer W substantially horizontally by, for example, vacuum suction. The wafer W is rotated around the axis Ax.

送風機Ｂ（気流形成部）は、制御装置４からの動作信号に基づいて動作し、処理ユニット１６内にダウンフローを形成するように構成されている。 The blower B (airflow forming unit) operates based on an operation signal from the control device 4 and is configured to form a downflow in the processing unit 16.

液供給部２２（処理液供給部）は、所定の処理位置（図２において回転保持部２１よりも左側で且つウエハＷの周縁部Ｗｃの上方）において、ウエハＷの周縁部Ｗｃに表面Ｗａ側から薬液（処理液）及びリンス液（処理液）を供給するように構成されている。液供給部２２は、薬液源２２ａと、リンス液源２２ｂと、ノズルＮ１，Ｎ２を保持するノズルユニット２２ｃと、駆動機構２２ｄとを含む。 The liquid supply unit 22 (processing liquid supply unit) is positioned at a predetermined processing position (on the left side of the rotation holding unit 21 and above the peripheral edge Wc of the wafer W in FIG. 2) on the peripheral edge Wc of the wafer W on the front surface Wa side. And a rinsing liquid (processing liquid). The liquid supply unit 22 includes a chemical liquid source 22a, a rinsing liquid source 22b, a nozzle unit 22c that holds the nozzles N1 and N2, and a driving mechanism 22d.

薬液源２２ａは、制御装置４からの動作信号に基づいて動作し、膜を溶解させるための薬液をノズルＮ１に供給する。ノズルＮ１の吐出口からは、薬液がウエハＷの表面Ｗａで且つ周縁部Ｗｃに向けて吐出される。より詳しくは、図４及び図６に示されるように、ノズルＮ１の吐出口は、ウエハＷの周縁側に向いていてもよいし、ウエハＷの周方向に向いていてもよい。薬液源２２ａは、例えば、図示しない薬液タンクと、薬液タンクから薬液を圧送するポンプと、薬液の流通のＯＮ／ＯＦＦを制御するバルブとを含んでもよい。 The chemical solution source 22a operates based on an operation signal from the control device 4, and supplies a chemical solution for dissolving the film to the nozzle N1. From the discharge port of the nozzle N1, a chemical solution is discharged toward the front surface Wa of the wafer W and toward the peripheral portion Wc. More specifically, as shown in FIGS. 4 and 6, the discharge port of the nozzle N1 may face the peripheral edge of the wafer W, or may face the peripheral direction of the wafer W. The chemical source 22a may include, for example, a chemical tank (not shown), a pump for pumping the chemical from the chemical tank, and a valve for controlling ON / OFF of the flow of the chemical.

薬液としては、例えば、アルカリ性の薬液、酸性の薬液等が挙げられる。アルカリ性の薬液としては、例えば、ＳＣ−１液（アンモニア、過酸化水素及び純水の混合液）、過酸化水素水等が挙げられる。酸性の薬液としては、例えば、ＳＣ−２液（塩酸、過酸化水素及び純水の混合液）、ＨＦ液（フッ酸）、ＤＨＦ液（希フッ酸）、ＨＮＯ_３＋ＨＦ液（硝酸及びフッ酸の混合液）等が挙げられる。 Examples of the chemical include an alkaline chemical and an acidic chemical. Examples of the alkaline chemical solution include SC-1 solution (a mixed solution of ammonia, hydrogen peroxide and pure water), and hydrogen peroxide solution. Examples of the acidic chemical liquid include SC-2 liquid (a mixture of hydrochloric acid, hydrogen peroxide and pure water), HF liquid (hydrofluoric acid), DHF liquid (dilute hydrofluoric acid), and HNO ₃ + HF liquid (nitric acid and hydrofluoric acid). And the like).

リンス液源２２ｂは、図２に示されるように、制御装置４からの動作信号に基づいて動作し、薬液及び膜の溶解成分を洗い流すためのリンス液をノズルＮ２に供給する。ノズルＮ２の吐出口からは、リンス液がウエハＷの表面Ｗａで且つ周縁部Ｗｃに向けて吐出される。より詳しくは、図４及び図６に示されるように、ノズルＮ２の吐出口は、ウエハＷの周縁側に向いていてもよいし、ウエハＷの周方向に向いていてもよい。リンス液源２２ｂは、例えば、図示しないリンス液タンクと、リンス液タンクからリンス液を圧送するポンプと、リンス液の流通のＯＮ／ＯＦＦを制御するバルブとを含んでもよい。 As shown in FIG. 2, the rinsing liquid source 22b operates based on the operation signal from the control device 4, and supplies the nozzle N2 with a rinsing liquid for washing away the chemical solution and the dissolved components of the film. The rinsing liquid is discharged from the discharge port of the nozzle N2 on the front surface Wa of the wafer W and toward the peripheral edge Wc. More specifically, as shown in FIGS. 4 and 6, the discharge port of the nozzle N2 may face the peripheral side of the wafer W, or may face the peripheral direction of the wafer W. The rinse liquid source 22b may include, for example, a rinse liquid tank (not shown), a pump for pumping the rinse liquid from the rinse liquid tank, and a valve for controlling ON / OFF of the flow of the rinse liquid.

リンス液としては、例えば純水（DIW：deionized water）等が挙げられる。 Examples of the rinse liquid include pure water (DIW: deionized water).

駆動機構２２ｄは、図２に示されるように、制御装置４からの動作信号に基づいて動作し、ノズルユニット２２ｃを水平方向（ウエハＷの径方向）に移動させる。 The drive mechanism 22d operates based on an operation signal from the control device 4, and moves the nozzle unit 22c in the horizontal direction (radial direction of the wafer W), as shown in FIG.

液供給部２３は、所定の処理位置（図２において回転保持部２１よりも右側で且つウエハＷの周縁部Ｗｃの上方）において、ウエハＷの周縁部Ｗｃに表面Ｗａ側から薬液及びリンス液を供給するように構成されている。液供給部２３は、薬液源２３ａと、リンス液源２３ｂと、ノズルＮ３，Ｎ４を保持するノズルユニット２３ｃと、駆動機構２３ｄとを含む。これらの構成は、液供給部２２と同様であるので、説明を省略する。 At a predetermined processing position (on the right side of the rotation holding unit 21 and above the peripheral edge Wc of the wafer W in FIG. 2), the liquid supply unit 23 applies the chemical solution and the rinsing liquid to the peripheral edge Wc of the wafer W from the front surface Wa side. It is configured to supply. The liquid supply unit 23 includes a chemical liquid source 23a, a rinse liquid source 23b, a nozzle unit 23c that holds the nozzles N3 and N4, and a drive mechanism 23d. These configurations are the same as those of the liquid supply unit 22, and thus description thereof is omitted.

液供給部２４は、所定の処理位置（図２において回転保持部２１よりも左側で且つウエハＷの周縁部Ｗｃの下方）において、ウエハＷの周縁部Ｗｃに裏面Ｗｂ側から薬液及びリンス液を供給するように構成されている。液供給部２４は、薬液源２４ａと、リンス液源２４ｂと、ノズルＮ５，Ｎ６とを含む。 At a predetermined processing position (on the left side of the rotation holding unit 21 and below the peripheral edge Wc of the wafer W in FIG. 2), the liquid supply unit 24 supplies a chemical solution and a rinsing liquid to the peripheral edge Wc of the wafer W from the back surface Wb side. It is configured to supply. The liquid supply unit 24 includes a chemical liquid source 24a, a rinsing liquid source 24b, and nozzles N5 and N6.

薬液源２４ａは、制御装置４からの動作信号に基づいて動作し、膜を溶解させるための薬液をノズルＮ５（薬液ノズル）に供給する。そのため、ノズルＮ５からは薬液がウエハＷの裏面Ｗｂ側に吐出される。より詳しくは、図３及び図４に示されるように、ノズルＮ３の吐出口は、鉛直上方に向いていてもよい。薬液源２４ａは、例えば、図示しない薬液タンクと、薬液タンクから薬液を圧送するポンプと、薬液の流通のＯＮ／ＯＦＦを制御するバルブとを含んでもよい。 The chemical solution source 24a operates based on an operation signal from the control device 4, and supplies a chemical solution for dissolving the film to the nozzle N5 (chemical solution nozzle). Therefore, the chemical liquid is discharged from the nozzle N5 to the back surface Wb side of the wafer W. More specifically, as shown in FIGS. 3 and 4, the discharge port of the nozzle N3 may be directed vertically upward. The chemical source 24a may include, for example, a chemical tank (not shown), a pump for pumping the chemical from the chemical tank, and a valve for controlling ON / OFF of the flow of the chemical.

リンス液源２４ｂ（リンス液供給部）は、図２に示されるように、制御装置４からの動作信号に基づいて動作し、薬液及び膜の溶解成分を洗い流すためのリンス液をノズルＮ６（リンス液供給部）に供給する。そのため、ノズルＮ６からはリンス液がウエハＷの裏面Ｗｂ側に吐出される。より詳しくは、図３及び図４に示されるように、ノズルＮ４の吐出口は、鉛直上方に向いていてもよい。リンス液源２４ｂは、例えば、図示しないリンス液タンクと、リンス液タンクからリンス液を圧送するポンプと、リンス液の流通のＯＮ／ＯＦＦを制御するバルブとを含んでもよい。 As shown in FIG. 2, the rinsing liquid source 24b (rinse liquid supply unit) operates based on an operation signal from the control device 4, and supplies the nozzle N6 (rinse) with a rinsing liquid for washing away the chemical liquid and the dissolved components of the film. Liquid supply unit). Therefore, the rinsing liquid is discharged from the nozzle N6 toward the back surface Wb of the wafer W. More specifically, as shown in FIG. 3 and FIG. 4, the discharge port of the nozzle N4 may be directed vertically upward. The rinse liquid source 24b may include, for example, a rinse liquid tank (not shown), a pump for pumping the rinse liquid from the rinse liquid tank, and a valve for controlling ON / OFF of the flow of the rinse liquid.

液供給部２５は、所定の処理位置（図２において回転保持部２１よりも右側で且つウエハＷの周縁部Ｗｃの下方）において、ウエハＷの周縁部Ｗｃに裏面Ｗｂ側から薬液及びリンス液を供給するように構成されている。液供給部２５は、薬液源２５ａと、リンス液源２５ｂ（リンス液供給部）と、ノズルＮ７と、ノズルＮ８（リンス液供給部）とを含む。これらの構成は、液供給部２４と同様であるので、説明を省略する。 At a predetermined processing position (on the right side of the rotation holding unit 21 and below the peripheral edge Wc of the wafer W in FIG. 2), the liquid supply unit 25 applies the chemical solution and the rinsing liquid to the peripheral edge Wc of the wafer W from the back surface Wb side. It is configured to supply. Liquid supply unit 25 includes a chemical liquid source 25a, a rinse liquid source 25b (rinse liquid supply unit), a nozzle N7, and a nozzle N8 (rinse liquid supply unit). Since these configurations are the same as those of the liquid supply unit 24, the description will be omitted.

カップ２６は、液供給部２２〜２５（ノズルＮ１〜Ｎ８）から供給された薬液及びリンス液を受ける機能を有する。カップ２６の底壁にはそれぞれ排液管及び排気管が接続されている。カップ２６によって受け止められた液体は、排液管から処理ユニット１６の外部に排出される。一方、送風機Ｂによって形成されたダウンフローは、ウエハＷの表面Ｗａに当たるとウエハＷの中央部から周縁部Ｗｃに向けて流れ、カップ２６内に至り、排気管から処理ユニット１６の外部に排出される。 The cup 26 has a function of receiving the chemical liquid and the rinsing liquid supplied from the liquid supply units 22 to 25 (nozzles N1 to N8). A drain pipe and an exhaust pipe are connected to the bottom wall of the cup 26, respectively. The liquid received by the cup 26 is discharged to the outside of the processing unit 16 from a drain pipe. On the other hand, when the down flow formed by the blower B hits the surface Wa of the wafer W, it flows from the center of the wafer W toward the peripheral edge Wc, reaches the inside of the cup 26, and is discharged from the exhaust pipe to the outside of the processing unit 16. You.

カバー部２７は、図２〜図６に示されるように、回転保持部２１に保持されているウエハＷの上方に配置される。カバー部２７は、全体として環状（例えば円環状）又は弧状（例えば円弧状）を呈している。カバー部２７は、送風機Ｂによって形成されたダウンフローがウエハＷの中心部から周縁部Ｗｃに向けて流れるように整流する機能を有する。カバー部２７は、図４に示されるように、支持体２７ａと、カバー部材２７ｂと、スラスト軸受２７ｃと、駆動機構２７ｄとを含む。 The cover unit 27 is disposed above the wafer W held by the rotation holding unit 21 as shown in FIGS. The cover part 27 has an annular shape (for example, an annular shape) or an arc shape (for example, an arc shape) as a whole. The cover 27 has a function of rectifying the downflow formed by the blower B so that the downflow flows from the center of the wafer W toward the peripheral edge Wc. The cover 27 includes a support 27a, a cover member 27b, a thrust bearing 27c, and a drive mechanism 27d, as shown in FIG.

支持体２７ａは、カバー部材２７ｂの外周部を下方から支持するように構成されている。支持体２７ａには、図示しない昇降機構が接続されており、回転保持部２１に対するウエハＷの搬入出の際にカバー部２７全体が上下動するように構成されていてもよい。 The support 27a is configured to support the outer peripheral portion of the cover member 27b from below. An unillustrated elevating mechanism is connected to the support 27a, and the entire cover 27 may be configured to move up and down when the wafer W is loaded into and unloaded from the rotation holding unit 21.

カバー部材２７ｂは、支持体２７ａに支持される外周部２７ｂ_１と、外周部２７ｂ_１よりも下方に突出する内周部２７ｂ_２とを含む。カバー部２７が降下してカバー部材２７ｂがウエハＷに近接した場合、内周部２７ｂ_２はウエハＷの周縁部Ｗｃに面する。内周部２７ｂ_２の下面ＳとウエハＷの表面Ｗａとの隙間Ｇは、例えば、０．５ｍｍ〜３ｍｍ程度に設定されていてもよい。 The cover member 27b includes an outer peripheral portion 27b ₁ supported by the support member 27a, and an inner peripheral portion 27b ₂ projecting downward from the outer peripheral portion 27b _1. When the cover portion 27 is covering member 27b by drop close to the wafer W, the inner peripheral portion 27b ₂ faces the peripheral portion Wc of the wafer W. The gap G between the surface Wa of the lower surface S and the wafer W of the inner peripheral portion 27b ₂ may, for example, may be set to approximately 0.5 mm to 3 mm.

ここで、隙間Ｇが小さいほど、隙間Ｇを通ってウエハＷの周縁側に向かう気流（ダウンフロー）の流速が早くなる傾向にある。当該流速が早いほど、ウエハＷに吐出された液は、気流に随伴してウエハＷの周縁の外側に向かいやすくなる。 Here, the smaller the gap G, the faster the flow velocity of the airflow (downflow) passing through the gap G toward the peripheral edge of the wafer W. As the flow velocity is higher, the liquid discharged onto the wafer W is more likely to move to the outside of the periphery of the wafer W with the airflow.

図３〜図６に示されるように、カバー部材２７ｂには、切欠部２７ｅ，２７ｆが設けられている。切欠部２７ｅ，２７ｆは、上方から見てウエハＷの中心部側に向けて開放するように内周部２７ｂ_２が切り欠かれて構成されている。切欠部２７ｅの内側には、ノズルユニット２２ｃが配置されている。すなわち、切欠部２７ｅは、ノズルユニット２２ｃ（ノズルＮ１，Ｎ２）を収容可能な空間を構成している。同様に、切欠部２７ｆの内側には、ノズルユニット２３ｃが配置されている。すなわち、切欠部２７ｆは、ノズルユニット２３ｃ（ノズルＮ３，Ｎ４）を収容可能な空間を構成している。 As shown in FIGS. 3 to 6, the cover member 27b is provided with cutouts 27e and 27f. Notch 27e, 27f are, the inner peripheral portion 27b ₂ to open toward the central portion of the wafer W is formed by cutting when viewed from above. The nozzle unit 22c is arranged inside the notch 27e. That is, the notch 27e forms a space that can accommodate the nozzle unit 22c (nozzles N1 and N2). Similarly, a nozzle unit 23c is arranged inside the notch 27f. That is, the cutout portion 27f forms a space that can accommodate the nozzle unit 23c (nozzles N3 and N4).

図３、図５及び図６に示されるように、ウエハＷの周方向において、ノズルユニット２２ｃ（ノズルＮ１，Ｎ２）と切欠部２７ｅの開口端Ｅ１との間は離間距離Ｄ１をもって離間している。離間距離Ｄ１は、後述するように適宜設定することができるが、例えば、５ｍｍ〜５０ｍｍ程度に設定されていてもよい。なお、離間距離Ｄ１は、ノズルユニット２２ｃと、ノズルユニット２２ｃよりもウエハＷの回転方向下流側における切欠部２７ｅの開口端Ｅ１との間の、ウエハＷの周方向における距離であってもよい。 As shown in FIGS. 3, 5 and 6, in the circumferential direction of the wafer W, the nozzle unit 22c (the nozzles N1 and N2) and the opening end E1 of the notch 27e are separated by a separation distance D1. . The separation distance D1 can be appropriately set as described later, but may be set to, for example, about 5 mm to 50 mm. Note that the separation distance D1 may be a distance in the circumferential direction of the wafer W between the nozzle unit 22c and the opening end E1 of the notch 27e downstream of the nozzle unit 22c in the rotation direction of the wafer W.

同様に、ウエハＷの周方向において、ノズルユニット２３ｃ（ノズルＮ３，Ｎ４）と切欠部２７ｆの開口端Ｅ２との間は離間距離Ｄ２をもって離間している。離間距離Ｄ２は、後述するように適宜設定することができるが、例えば、５ｍｍ〜５０ｍｍ程度に設定されていてもよい。なお、離間距離Ｄ２は、ノズルユニット２３ｃと、ノズルユニット２３ｃよりもウエハＷの回転方向下流側における切欠部２７ｆの開口端Ｅ２との間の、ウエハＷの周方向における距離であってもよい。 Similarly, in the circumferential direction of the wafer W, the nozzle unit 23c (the nozzles N3 and N4) and the opening end E2 of the notch 27f are separated by a separation distance D2. The separation distance D2 can be appropriately set as described later, but may be set to, for example, about 5 mm to 50 mm. Note that the separation distance D2 may be a distance in the circumferential direction of the wafer W between the nozzle unit 23c and the opening end E2 of the notch 27f downstream of the nozzle unit 23c in the rotation direction of the wafer W.

スラスト軸受２７ｃは、図４に示されるように、支持体２７ａとカバー部材２７ｂの外周部２７ｂ_１との間に配置されている。スラスト軸受２７ｃは、カバー部材２７ｂを支持体２７ａに対して回転軸Ａｘ周りに回転可能に支持している。スラスト軸受２７ｃは、玉軸受であってもよいし、ころ軸受であってもよいし、すべり軸受であってもよいし、流体軸受であってもよい。 The thrust bearing 27c, as shown in FIG. 4, is disposed between the outer peripheral portion 27b ₁ of the support 27a and the cover member 27b. The thrust bearing 27c supports the cover member 27b so as to be rotatable around the rotation axis Ax with respect to the support 27a. The thrust bearing 27c may be a ball bearing, a roller bearing, a slide bearing, or a fluid bearing.

駆動機構２７ｄは、制御装置４からの動作信号に基づいて動作し、カバー部材２７ｂを回転駆動させるように構成されている（図５の矢印Ａｒ１，Ａｒ２参照）。駆動機構２７ｄは、例えば、歯車を介してアクチュエータ（モータ等）の回転力をカバー部材２７ｂに伝達するものであってもよい。駆動機構２７ｄは、例えば、リンク機構を介してアクチュエータ（ピストン等）の往復動作を回転力に変換しつつ、当該回転力をカバー部材２７ｂに伝達するものであってもよい。駆動機構２７ｄは、例えば、磁力によってカバー部材２７ｂに回転を生じさせるものであってもよい。 The drive mechanism 27d operates based on an operation signal from the control device 4, and is configured to rotationally drive the cover member 27b (see arrows Ar1 and Ar2 in FIG. 5). The drive mechanism 27d may transmit the rotational force of an actuator (such as a motor) to the cover member 27b via a gear, for example. The drive mechanism 27d may transmit the rotational force to the cover member 27b while converting the reciprocating operation of the actuator (such as a piston) into a rotational force via a link mechanism. The drive mechanism 27d may, for example, cause the cover member 27b to rotate by magnetic force.

［制御部の構成］
制御部１８は、図２に示されるように、機能モジュールとして、処理部１８ａ及び指示部１８ｂを含む。処理部１８ａは、各種データを処理する。処理部１８ａは、例えば、記録媒体ＲＭから読み取られることにより記憶部１９に記憶されているプログラムに基づいて、処理ユニット１６の各部を動作させるための動作信号を生成する。指示部１８ｂは、処理部１８ａにおいて生成された動作信号を当該各部に送信する。本明細書において、コンピュータ読み取り可能な記録媒体には、一時的でない有形の媒体（non-transitory computer recording medium）（例えば、各種の主記憶装置又は補助記憶装置）や、伝播信号（transitory computer recording medium）（例えば、ネットワークを介して提供可能なデータ信号）が含まれる。 [Configuration of control unit]
As shown in FIG. 2, the control unit 18 includes a processing unit 18a and an instruction unit 18b as functional modules. The processing unit 18a processes various data. The processing unit 18a generates an operation signal for operating each unit of the processing unit 16 based on, for example, a program read from the recording medium RM and stored in the storage unit 19. The instruction unit 18b transmits the operation signal generated by the processing unit 18a to each unit. In the present specification, a computer-readable recording medium includes a non-transitory tangible medium (for example, various main storage devices or auxiliary storage devices) and a propagation signal (transitory computer recording medium). ) (Eg, data signals that can be provided via a network).

本実施形態では、基板処理装置１０は、一つの制御装置４を備えているが、複数の制御装置４で構成されるコントローラ群（制御部）を備えていてもよい。基板処理装置１０がコントローラ群を備えている場合には、上記の機能モジュールがそれぞれ、一つの制御装置４によって実現されていてもよいし、２個以上の制御装置４の組み合わせによって実現されていてもよい。制御装置４が複数のコンピュータ（回路）で構成されている場合には、上記の機能モジュールがそれぞれ、一つのコンピュータ（回路）によって実現されていてもよいし、２つ以上のコンピュータ（回路）の組み合わせによって実現されていてもよい。制御装置４は、複数のプロセッサを有していてもよい。この場合、上記の機能モジュールがそれぞれ、一つのプロセッサによって実現されていてもよいし、２つ以上のプロセッサの組み合わせによって実現されていてもよい。 In the present embodiment, the substrate processing apparatus 10 includes one control device 4, but may include a controller group (control unit) including a plurality of control devices 4. When the substrate processing apparatus 10 includes a controller group, each of the functional modules described above may be realized by one control device 4 or may be realized by a combination of two or more control devices 4. Is also good. When the control device 4 is composed of a plurality of computers (circuits), each of the above functional modules may be realized by one computer (circuit), or may be implemented by two or more computers (circuits). It may be realized by a combination. The control device 4 may have a plurality of processors. In this case, each of the above functional modules may be realized by one processor, or may be realized by a combination of two or more processors.

［ウエハ処理方法］
続いて、上記の処理ユニット１６によってウエハＷを処理する方法について、図７及び図８を参照して説明する。まず、制御装置４は、回転保持部２１を制御して、ウエハＷを回転保持部２１に保持させる。 [Wafer processing method]
Next, a method of processing the wafer W by the processing unit 16 will be described with reference to FIGS. First, the control device 4 controls the rotation holding unit 21 to cause the rotation holding unit 21 to hold the wafer W.

次に、制御装置４は、回転保持部２１を制御して、所定の回転数で且つ上方から見て時計回り（図３の矢印ＣＷ１参照）にウエハＷを回転させる。この状態で、制御装置４は、液供給部２２，２４を制御して、ノズルＮ１からウエハＷの表面Ｗａで且つ周縁部Ｗｃに薬液を供給させると共に、ノズルＮ５からウエハＷの裏面Ｗｂで且つ周縁部Ｗｃに薬液を供給させる。次に、制御装置４は、液供給部２２，２４を制御して、ノズルＮ２からウエハＷの表面Ｗａで且つ周縁部Ｗｃにリンス液を供給させると共に、ノズルＮ６からウエハＷの裏面Ｗｂで且つ周縁部Ｗｃにリンス液を供給させる。 Next, the control device 4 controls the rotation holding unit 21 to rotate the wafer W at a predetermined rotation speed and clockwise as viewed from above (see an arrow CW1 in FIG. 3). In this state, the control device 4 controls the liquid supply units 22 and 24 to supply the chemical liquid from the nozzle N1 to the front surface Wa of the wafer W and to the peripheral edge Wc, and to control the liquid supply units 22 and 24 from the nozzle N5 to the back surface Wb of the wafer W and The chemical liquid is supplied to the peripheral portion Wc. Next, the control device 4 controls the liquid supply units 22 and 24 to supply the rinsing liquid from the nozzle N2 to the front surface Wa of the wafer W and the peripheral portion Wc, and to supply the rinsing liquid from the nozzle N6 to the back surface Wb of the wafer W and The rinsing liquid is supplied to the peripheral portion Wc.

これらの薬液及びリンス液の供給の際、制御装置４は、駆動機構２７ｄを制御して、図７（ａ）に示されるように、離間距離Ｄ１が相対的に広くなり且つ離間距離Ｄ２が相対的に狭くなるようにカバー部材２７ｂを回転させてもよい。この場合、ノズルＮ１，Ｎ２から吐出された液体がウエハＷの表面Ｗａで液跳ねしたとしても、ノズルＮ１，Ｎ２の下流側に位置する切欠部２７ｅの開口端Ｅ１がノズルＮ１，Ｎ２から離れているので、カバー部材２７ｂに液が付着し難い。 When supplying these chemicals and rinsing liquid, the control device 4 controls the driving mechanism 27d so that the separation distance D1 becomes relatively large and the separation distance D2 becomes relatively large as shown in FIG. The cover member 27b may be rotated so as to be narrower. In this case, even if the liquid discharged from the nozzles N1 and N2 splashes on the surface Wa of the wafer W, the opening end E1 of the notch 27e located downstream of the nozzles N1 and N2 is separated from the nozzles N1 and N2. Therefore, the liquid hardly adheres to the cover member 27b.

制御装置４は、回転保持部２１を制御して、所定の回転数で且つ上方から見て反時計回り（図３の矢印ＣＷ２参照）にウエハＷを回転させる。この状態で、制御装置４は、液供給部２３，２５を制御して、ノズルＮ３からウエハＷの表面Ｗａで且つ周縁部Ｗｃに薬液を供給させると共に、ノズルＮ７からウエハＷの裏面Ｗｂで且つ周縁部Ｗｃに薬液を供給させる。次に、制御装置４は、液供給部２３，２５を制御して、ノズルＮ４からウエハＷの表面Ｗａで且つ周縁部Ｗｃにリンス液を供給させると共に、ノズルＮ８からウエハＷの裏面Ｗｂで且つ周縁部Ｗｃにリンス液を供給させる。 The control device 4 controls the rotation holding unit 21 to rotate the wafer W at a predetermined rotation speed and counterclockwise as viewed from above (see the arrow CW2 in FIG. 3). In this state, the control device 4 controls the liquid supply units 23 and 25 to supply the chemical liquid from the nozzle N3 to the front surface Wa of the wafer W and to the peripheral edge Wc, and to control the liquid supply units 23 and 25 from the nozzle N7 to the back surface Wb of the wafer W and The chemical liquid is supplied to the peripheral portion Wc. Next, the control device 4 controls the liquid supply units 23 and 25 to supply the rinsing liquid from the nozzle N4 to the front surface Wa of the wafer W and to the peripheral portion Wc, and also to supply the rinsing liquid from the nozzle N8 to the back surface Wb of the wafer W and The rinsing liquid is supplied to the peripheral portion Wc.

これらの薬液及びリンス液の供給の際、制御装置４は、駆動機構２７ｄを制御して、図７（ｂ）に示されるように、離間距離Ｄ２が相対的に広くなり且つ離間距離Ｄ１が相対的に狭くなるようにカバー部材２７ｂを回転させてもよい。この場合、ノズルＮ３，Ｎ４から吐出された液体がウエハＷの表面Ｗａで液跳ねしたとしても、ノズルＮ３，Ｎ４の下流側に位置する切欠部２７ｆの開口端Ｅ２がノズルＮ３，Ｎ４から離れているので、カバー部材２７ｂに液が付着し難い。 When supplying these chemicals and rinsing liquid, the control device 4 controls the driving mechanism 27d so that the distance D2 becomes relatively large and the distance D1 becomes relatively large as shown in FIG. 7B. The cover member 27b may be rotated so as to be narrower. In this case, even if the liquid ejected from the nozzles N3 and N4 splashes on the surface Wa of the wafer W, the opening end E2 of the notch 27f located downstream of the nozzles N3 and N4 is separated from the nozzles N3 and N4. Therefore, the liquid hardly adheres to the cover member 27b.

その後、制御装置４は、カバー部材２７ｂにリンス液を供給させる処理を実行してもよい。具体的には、制御装置４は、ウエハＷが搬出された後に、駆動機構２７ｄを制御して、カバー部材２７ｂを回転させる。この状態で、制御装置４は、液供給部２４，２５を制御して、ノズルＮ６，Ｎ８からリンス液をカバー部材２７ｂの下部に向けて供給させてもよい。このとき、ノズルユニット２２ｃ，２３ｃにリンス液が吐出されないよう、ノズルユニット２２ｃ，２３ｃを切欠部２７ｅ，２７ｆの外側に移動させてもよい。例えば、制御装置４は、駆動機構２２ｄを制御して、ノズルユニット２２ｃが切欠部２７ｅよりも回転保持部２１側に位置するように、径方向内側にノズルユニット２２ｃを移動させてもよい（図８参照）。同様に、制御装置４は、駆動機構２３ｄを制御して、ノズルユニット２３ｃが切欠部２７ｆよりも回転保持部２１側に位置するように、径方向内側にノズルユニット２３ｃを移動させてもよい。 Thereafter, the control device 4 may execute a process of supplying a rinsing liquid to the cover member 27b. Specifically, after the wafer W is unloaded, the control device 4 controls the driving mechanism 27d to rotate the cover member 27b. In this state, the control device 4 may control the liquid supply units 24 and 25 to supply the rinse liquid from the nozzles N6 and N8 toward the lower part of the cover member 27b. At this time, the nozzle units 22c and 23c may be moved outside the notches 27e and 27f so that the rinsing liquid is not discharged to the nozzle units 22c and 23c. For example, the control device 4 may control the driving mechanism 22d to move the nozzle unit 22c radially inward such that the nozzle unit 22c is positioned closer to the rotation holding unit 21 than the notch 27e (see FIG. 8). Similarly, the control device 4 may control the driving mechanism 23d to move the nozzle unit 23c radially inward so that the nozzle unit 23c is positioned closer to the rotation holding unit 21 than the notch 27f.

［作用］
以上の実施形態では、離間距離Ｄ１，Ｄ２が任意に変更可能である。そのため、液の種類、ウエハＷの種類等によって種々に変化する液跳ねの状況に応じて、離間距離Ｄ１，Ｄ２を適切な大きさとすることで、ウエハＷから跳ねた液がカバー部材２７ｂに付着し難くなる。従って、ウエハＷからの液跳ねによるカバー部材２７ｂへの液滴の付着を抑制することが可能となる。 [Action]
In the above embodiment, the separation distances D1 and D2 can be arbitrarily changed. Therefore, the liquids splashing from the wafer W adhere to the cover member 27b by appropriately setting the separation distances D1 and D2 in accordance with the state of the liquid splash that varies depending on the type of the liquid, the type of the wafer W, and the like. It becomes difficult to do. Therefore, it is possible to prevent the droplets from adhering to the cover member 27b due to the splash of the liquid from the wafer W.

以上の実施形態では、制御装置４からの指示に基づき、カバー部材２７ｂが支持体２７ａに対して回転することにより、離間距離Ｄ１，Ｄ２が任意に変更される。そのため、簡易な構成で離間距離Ｄ１，Ｄ２を変化させることが可能となる。 In the above embodiment, the separation distances D1 and D2 are arbitrarily changed by rotating the cover member 27b with respect to the support 27a based on an instruction from the control device 4. Therefore, the separation distances D1 and D2 can be changed with a simple configuration.

以上の実施形態では、ウエハＷの処理ユニット１６からの搬出後に、回転しているカバー部材２７ｂに対してリンス液が供給されうる。この場合、仮にカバー部材２７ｂに液滴が付着したとしても、当該液滴がリンス液によって洗い流される。そのため、カバー部材２７ｂに付着した液滴が不意にウエハＷに滴下してしまうことが抑制される。また、カバー部材２７ｂに付着した液滴が乾燥後に結晶化し、パーティクルとして基板に飛散してしまうことが抑制される。 In the above embodiment, the rinsing liquid can be supplied to the rotating cover member 27b after the wafer W is unloaded from the processing unit 16. In this case, even if the droplets adhere to the cover member 27b, the droplets are washed away by the rinsing liquid. Therefore, it is possible to prevent the droplets attached to the cover member 27b from dropping onto the wafer W unexpectedly. Further, it is suppressed that the droplets attached to the cover member 27b crystallize after drying and are scattered as particles on the substrate.

［変形例］
今回開示された実施形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の請求の範囲及びその主旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。 [Modification]
The embodiments disclosed this time are to be considered in all respects as illustrative and not restrictive. The above embodiments may be omitted, replaced, or modified in various forms without departing from the scope and spirit of the appended claims.

（１）図９及び図１０に示されるように、カバー部２７は、切欠部２７ｅの開口を開閉可能に構成されたシャッタ部２８を含んでいてもよい。図９及び図１０に示されるように、カバー部２７は、切欠部２７ｆの開口を開閉可能に構成されたシャッタ部２８をさらに含んでいてもよい。シャッタ部２８は、例えば、シャッタ部材２８ａと、駆動機構２８ｂとを含んでいてもよい。図９及び図１０に示されるように、カバー部２７は、切欠部２７ｆの開口を開閉可能に構成されたシャッタ部２９をさらに含んでいてもよい。シャッタ部２９は、シャッタ部２８と同様に、シャッタ部材２９ａと、駆動機構２９ｂとを含んでいてもよい。シャッタ部２９の構成は、シャッタ部２８と同様であるので、以下では主としてシャッタ部２８について説明し、シャッタ部２９の説明を省略する。 (1) As shown in FIGS. 9 and 10, the cover 27 may include a shutter 28 configured to open and close the opening of the cutout 27 e. As shown in FIGS. 9 and 10, the cover 27 may further include a shutter 28 configured to be able to open and close the opening of the notch 27f. The shutter section 28 may include, for example, a shutter member 28a and a drive mechanism 28b. 9 and 10, the cover 27 may further include a shutter 29 configured to be able to open and close the opening of the notch 27f. The shutter unit 29 may include a shutter member 29a and a driving mechanism 29b, like the shutter unit 28. Since the configuration of the shutter unit 29 is the same as that of the shutter unit 28, the shutter unit 28 will be mainly described below, and the description of the shutter unit 29 will be omitted.

シャッタ部材２８ａは、切欠部２７ｅの開口の近傍に配置されている。シャッタ部材２８ａは、カバー部材２７ｂの周方向に沿った円弧状を呈している。シャッタ部材２８ａは、図９及び図１０に示されるように、カバー部材２７ｂの内周面側に位置していてもよい。シャッタ部材２８ａは、カバー部材２７ｂの内周部２７ｂ_２に対して入れ子状となるように取り付けられていてもよい。すなわち、シャッタ部材２８ａは、内周部２７ｂ_２に対して伸縮可能に構成されていてもよい。 The shutter member 28a is arranged near the opening of the notch 27e. The shutter member 28a has an arc shape along the circumferential direction of the cover member 27b. The shutter member 28a may be located on the inner peripheral side of the cover member 27b, as shown in FIGS. The shutter members 28a may be mounted so as to be nested with respect to the inner peripheral portion 27b ₂ of the cover member 27b. That is, the shutter member 28a may be telescopically configured for the inner peripheral portion 27b _2.

駆動機構２８ｂは、シャッタ部材２８ａをカバー部材２７ｂの周方向に沿って移動させるように構成されている（図１０の矢印Ａｒ３，Ａｒ４参照）。すなわち、駆動機構２８ｂは、当該開口に対してシャッタ部材２８ａをスライド移動させることにより、切欠部２７ｅ又は切欠部２７ｆの開口を開閉するように構成されている。 The drive mechanism 28b is configured to move the shutter member 28a along the circumferential direction of the cover member 27b (see arrows Ar3 and Ar4 in FIG. 10). That is, the drive mechanism 28b is configured to open and close the opening of the notch 27e or the notch 27f by sliding the shutter member 28a with respect to the opening.

カバー部材２７ｂよりもノズルユニット２２ｃ寄りにシャッタ部材２８ａが位置している場合、すなわち、シャッタ部材２８ａが切欠部２７ｅの少なくとも一部と重なり合っている場合、切欠部２７ｅの開口がシャッタ部材２８ａによって狭められる。そのため、シャッタ部材２８ａのうちノズルユニット２２ｃ寄りの端縁が、切欠部２７ｅの開口端Ｅ１として機能する。一方、シャッタ部材２８ａが切欠部２７ｅと重なり合っていない場合、切欠部２７ｅの開口が、シャッタ部材２８ａによって狭められず、完全に開放される。そのため、切欠部２７ｅ自身の端縁が、切欠部２７ｅの開口端Ｅ１として機能する。 When the shutter member 28a is located closer to the nozzle unit 22c than the cover member 27b, that is, when the shutter member 28a overlaps at least a part of the notch 27e, the opening of the notch 27e is narrowed by the shutter member 28a. Can be Therefore, the edge of the shutter member 28a near the nozzle unit 22c functions as the opening end E1 of the notch 27e. On the other hand, when the shutter member 28a does not overlap the notch 27e, the opening of the notch 27e is completely opened without being narrowed by the shutter member 28a. Therefore, the edge of the notch 27e itself functions as the opening end E1 of the notch 27e.

同様に、カバー部材２７ｂよりもノズルユニット２３ｃ寄りにシャッタ部材２９ａが位置している場合、すなわち、シャッタ部材２９ａが切欠部２７ｆの少なくとも一部と重なり合っている場合、切欠部２７ｆの開口がシャッタ部材２９ａによって狭められる。そのため、シャッタ部材２９ａのうちノズルユニット２３ｃ寄りの端縁が、切欠部２７ｆの開口端Ｅ２として機能する。一方、シャッタ部材２９ａが切欠部２７ｆと重なり合っていない場合、切欠部２７ｆの開口が、シャッタ部材２９ａによって狭められず、完全に開放される。そのため、切欠部２７ｆ自身の端縁が、切欠部２７ｆの開口端Ｅ２として機能する。 Similarly, when the shutter member 29a is located closer to the nozzle unit 23c than the cover member 27b, that is, when the shutter member 29a overlaps at least a part of the notch 27f, the opening of the notch 27f 29a. Therefore, the edge of the shutter member 29a near the nozzle unit 23c functions as the opening end E2 of the notch 27f. On the other hand, when the shutter member 29a does not overlap with the notch 27f, the opening of the notch 27f is completely opened without being narrowed by the shutter member 29a. Therefore, the edge of the notch 27f itself functions as the opening end E2 of the notch 27f.

変形例１によれば、簡易な構成で離間距離Ｄ１，Ｄ２を変化させることが可能となる。 According to the first modification, the separation distances D1 and D2 can be changed with a simple configuration.

（２）図１１に示されるように、駆動機構２８ｂは、シャッタ部材２８ａを上下動させてもよい。すなわち、シャッタ部材２８ａが降下した状態では、切欠部２７ｅの開口がシャッタ部材２８ａによって部分的に又は全体的に閉鎖される。そのため、シャッタ部材２８ａのうちノズルユニット２２ｃ寄りの端縁が、切欠部２７ｅの開口端Ｅ１として機能する。一方、シャッタ部材２８ａが上昇した状態では、シャッタ部材２８ａが切欠部２７ｅと重なり合わない。そのため、切欠部２７ｅの開口が、シャッタ部材２８ａによって狭められず、完全に開放される。従って、切欠部２７ｅ自身の端縁が、切欠部２７ｅの開口端Ｅ１として機能する。 (2) As shown in FIG. 11, the drive mechanism 28b may move the shutter member 28a up and down. That is, when the shutter member 28a is lowered, the opening of the notch 27e is partially or entirely closed by the shutter member 28a. Therefore, the edge of the shutter member 28a near the nozzle unit 22c functions as the opening end E1 of the notch 27e. On the other hand, when the shutter member 28a is raised, the shutter member 28a does not overlap the notch 27e. Therefore, the opening of the notch 27e is completely opened without being narrowed by the shutter member 28a. Therefore, the edge of the notch 27e itself functions as the opening end E1 of the notch 27e.

駆動機構２９ｂも、駆動機構２８ｂと同様に、シャッタ部材２９ａを上下動させてもよい。すなわち、シャッタ部材２９ａが降下した状態では、切欠部２７ｆの開口がシャッタ部材２９ａによって部分的に又は全体的に閉鎖される。そのため、シャッタ部材２９ａのうちノズルユニット２３ｃ寄りの端縁が、切欠部２７ｆの開口端Ｅ２として機能する。一方、シャッタ部材２９ａが上昇した状態では、シャッタ部材２９ａが切欠部２７ｆと重なり合わない。そのため、切欠部２７ｆの開口が、シャッタ部材２９ａによって狭められず、完全に開放される。従って、切欠部２７ｆ自身の端縁が、切欠部２７ｆの開口端Ｅ２として機能する。 The drive mechanism 29b may move the shutter member 29a up and down similarly to the drive mechanism 28b. That is, when the shutter member 29a is lowered, the opening of the notch 27f is partially or entirely closed by the shutter member 29a. Therefore, the edge of the shutter member 29a near the nozzle unit 23c functions as the opening end E2 of the notch 27f. On the other hand, when the shutter member 29a is raised, the shutter member 29a does not overlap the notch 27f. Therefore, the opening of the notch 27f is completely opened without being narrowed by the shutter member 29a. Therefore, the edge of the notch 27f itself functions as the opening end E2 of the notch 27f.

変形例２においても、簡易な構成で離間距離Ｄ１，Ｄ２を変化させることが可能となる。 In the second modification as well, the separation distances D1 and D2 can be changed with a simple configuration.

（３）ウエハＷの表面状態（例えば、粗さ、親水性など）によっては、液跳ねが生じやすかったり生じ難かったりすることがある。すなわち、ウエハＷの表面粗さ（例えば、算術平均粗さＲａ）が大きいほど、液跳ねが生じやすくなる。ウエハＷの親水性が低いほど（ウエハＷの表面張力が小さいほど）、液跳ねが生じやすくなる。そこで、制御装置４は、ウエハＷの表面状態に応じて離間距離Ｄ１，Ｄ２を変化させるように、駆動機構２８ｂ，２９ｂを制御してもよい。この場合、液跳ねが生じやすいウエハＷが処理される際には、離間距離Ｄ１，Ｄ２が比較的大きく設定されるので、液滴のカバー部材２７ｂへの付着を抑制することが可能となる。一方、液跳ねが生じ難いウエハＷが処理される際には、離間距離Ｄ１，Ｄ２が比較的小さく設定されるので、切欠部２７ｅ，２７ｆの近傍において、隙間Ｇを通ってウエハＷの周縁側に向かう気流（ダウンフロー）の流速が比較的大きくなりやすい。そのため、ウエハＷに吐出された液をウエハＷの外方に効果的に送り出すことが可能となる。 (3) Depending on the surface condition of the wafer W (for example, roughness, hydrophilicity, etc.), liquid splash may or may not easily occur. That is, the larger the surface roughness of the wafer W (for example, the arithmetic average roughness Ra), the more easily the liquid splash occurs. The lower the hydrophilicity of the wafer W (the lower the surface tension of the wafer W), the more easily the liquid splash occurs. Therefore, the control device 4 may control the driving mechanisms 28b and 29b so as to change the separation distances D1 and D2 according to the surface state of the wafer W. In this case, when the wafer W that is likely to cause liquid splash is processed, the separation distances D1 and D2 are set to be relatively large, so that it is possible to suppress the adhesion of the droplets to the cover member 27b. On the other hand, when the wafer W that is unlikely to cause liquid splash is processed, the separation distances D1 and D2 are set to be relatively small, so that the peripheral side of the wafer W passes through the gap G near the notches 27e and 27f. The flow velocity of the airflow (downflow) toward the airflow tends to be relatively large. Therefore, the liquid discharged to the wafer W can be effectively sent out of the wafer W.

（４）制御装置４は、ウエハＷの表面状態に応じて、上方から見たときの、ノズルＮ１〜Ｎ４の吐出口が向かう方向とウエハＷの接線方向とがなす角度を調節してもよい。具体的には、液跳ねが生じやすいウエハＷの表面状態の場合、当該角度が例えば０°〜３０°の範囲内であってもよい。この場合、ノズルＮ１〜Ｎ４からウエハＷに吐出された液がウエハＷの外方に向かいやすくなるので、液跳ねが生じてもカバー部材２７ｂに液が付着し難くなる。一方、液跳ねが生じ難いウエハＷの表面状態の場合、当該角度が例えば０〜９０°の範囲内であってもよい。この場合、ノズルＮ１〜Ｎ４からウエハＷに吐出された液がウエハＷの周方向に沿って流れやすくなるので、液跳ねによる影響を低減しつつ、ウエハＷを効率的に処理することが可能となる。 (4) The controller 4 may adjust the angle between the direction toward the discharge ports of the nozzles N1 to N4 and the tangential direction of the wafer W when viewed from above, according to the surface condition of the wafer W. . Specifically, in the case of the surface state of the wafer W where the liquid splash easily occurs, the angle may be, for example, in a range of 0 ° to 30 °. In this case, since the liquid discharged from the nozzles N1 to N4 to the wafer W tends to go to the outside of the wafer W, the liquid hardly adheres to the cover member 27b even if the liquid splashes. On the other hand, in the case of the surface state of the wafer W in which liquid splash is unlikely to occur, the angle may be, for example, in a range of 0 to 90 °. In this case, since the liquid discharged from the nozzles N1 to N4 to the wafer W easily flows along the circumferential direction of the wafer W, it is possible to efficiently process the wafer W while reducing the influence of the liquid splash. Become.

（５）制御装置４は、離間距離Ｄ１，Ｄ２に応じて送風機Ｂの出力を変化させるように、送風機Ｂを制御してもよい。具体的には、離間距離Ｄ１，Ｄ２が大きいほど送風機Ｂの出力を大きくして、隙間Ｇを流れる気流の流速を早くしてもよい。この場合、切欠部２７ｅ，２７ｆが存在しても、切欠部２７ｅ，２７ｆの近傍の気流の流速が送風機Ｂによって強制的に早められる。そのため、ノズルＮ１〜Ｎ４からウエハＷに吐出された液がウエハＷの外方に向かいやすくなるので、液跳ねが生じてもカバー部材２７ｂに液が付着し難くなる。一方、離間距離Ｄ１，Ｄ２が小さいほど送風機Ｂの出力を小さくして、隙間Ｇを流れる気流の流速を遅くしてもよい。この場合、送風機Ｂの出力が比較的小さくても、切欠部２７ｅ，２７ｆの近傍において、気流が適切な流速で流れる。そのため、液跳ねによる影響を低減しつつ、省エネ化を図ることが可能となる。 (5) The control device 4 may control the blower B so as to change the output of the blower B according to the separation distances D1 and D2. Specifically, the output of the blower B may be increased as the separation distances D1 and D2 are increased, and the flow velocity of the airflow flowing through the gap G may be increased. In this case, even if the notches 27e and 27f are present, the flow velocity of the airflow near the notches 27e and 27f is forcibly advanced by the blower B. For this reason, the liquid discharged from the nozzles N1 to N4 to the wafer W is easily directed to the outside of the wafer W, so that the liquid does not easily adhere to the cover member 27b even if liquid splash occurs. On the other hand, the smaller the distances D1 and D2, the smaller the output of the blower B may be, and the lower the flow velocity of the airflow flowing through the gap G may be. In this case, even if the output of the blower B is relatively small, the airflow flows at an appropriate flow rate in the vicinity of the notches 27e and 27f. Therefore, it is possible to achieve energy saving while reducing the influence of the liquid splash.

（６）上記の実施形態では、カバー部材２７ｂが支持体２７ａに対して回転するように構成されていたが、カバー部２７全体が回転するように構成されていてもよい。 (6) In the above embodiment, the cover member 27b is configured to rotate with respect to the support 27a. However, the cover 27 may be configured to rotate as a whole.

（７）上記の実施形態では、図３に示されるように、切欠部２７ｅ，２７ｆは、内側に開口した凹部として構成されていた。すなわち、カバー部材２７ｂは円環状を呈していた。しかしながら、図９に示されるように、切欠部２７ｅ，２７ｆは、カバー部２７を完全に貫通していてもよい。すなわち、カバー部材２７ｂは円弧状を呈していてもよい。 (7) In the above-described embodiment, as shown in FIG. 3, the cutouts 27e and 27f are configured as recesses that open to the inside. That is, the cover member 27b had an annular shape. However, as shown in FIG. 9, the notches 27e and 27f may completely penetrate the cover 27. That is, the cover member 27b may have an arc shape.

（８）上記の実施形態では、ノズルＮ６，Ｎ８からリンス液をカバー部材２７ｂの下部に向けて供給していた。しかしながら、図１２に示されるように、ノズルユニット２２ｃ，２３ｃは、カバー部材２７ｂの下部に向かい且つ斜め上方に向かう吐出口を有するノズルＮ９を含んでおり、ノズルＮ９からカバー部材２７ｂの下部に向けてリンス液が供給されてもよい。この場合も、カバー部材２７ｂを回転させた状態で、ノズルＮ９からカバー部材２７ｂに下部に向けてリンス液が供給されてもよい。 (8) In the above embodiment, the rinsing liquid is supplied from the nozzles N6 and N8 toward the lower portion of the cover member 27b. However, as shown in FIG. 12, the nozzle units 22c and 23c include a nozzle N9 having a discharge port directed downward and obliquely upward from the cover member 27b, and from the nozzle N9 toward the lower portion of the cover member 27b. A rinsing liquid may be supplied. Also in this case, the rinsing liquid may be supplied downward from the nozzle N9 to the cover member 27b with the cover member 27b rotated.

（９）カバー部材２７ｂの内周部２７ｂ_２の厚さは、比較的肉厚（例えば、１０ｍｍ以上）に構成されていてもよい。この場合、カバー部材２７ｂによってダウンフローをより効果的に整流することが可能となる。 (9) the inner peripheral portion thickness 27b ₂ of the cover member 27b is relatively thick (e.g., 10 mm or more) may be configured to. In this case, the downflow can be more effectively rectified by the cover member 27b.

［例示］
例１．本開示の一つの例に係る基板処理装置は、基板を保持しつつ回転させるように構成された保持部と、基板に処理液をノズルから供給するように構成された処理液供給部と、基板の上方に配置されたカバー部と、制御部とを備える。カバー部は、保持部に保持されている基板の周縁部と面するように当該周縁部に沿って弧状又は環状に延びるカバー部材を含む。カバー部材は、ノズルを収容可能な空間を構成するように基板の中心側に開放して切り欠かれた切欠部を含む。制御部は、ノズルの吐出口と切欠部の開口端との間の基板の周方向における離間距離を変化させるようにカバー部を制御する処理を実行する。この場合、当該離間距離を任意に変化させることが可能である。そのため、処理液の種類、基板の種類等によって種々に変化する液跳ねの状況に応じて、当該離間距離を適切な大きさとすることで、基板から跳ねた液がカバー部材に付着し難くなる。従って、基板からの液跳ねによるカバー部材への液滴の付着を抑制することが可能となる。 [Example]
Example 1 A substrate processing apparatus according to an example of the present disclosure includes a holding unit configured to rotate while holding a substrate, a processing liquid supply unit configured to supply a processing liquid to the substrate from a nozzle, and a substrate. And a control unit disposed above the cover unit. The cover section includes a cover member extending in an arc shape or an annular shape along the peripheral edge so as to face the peripheral edge of the substrate held by the holding section. The cover member includes a notch that is opened and cut out toward the center of the substrate so as to form a space that can accommodate the nozzle. The control unit performs a process of controlling the cover unit so as to change a circumferential separation distance between the discharge port of the nozzle and the opening end of the cutout in the substrate. In this case, the separation distance can be arbitrarily changed. For this reason, by setting the separation distance to an appropriate size in accordance with the state of the liquid splash that varies variously depending on the type of the processing liquid, the type of the substrate, and the like, the liquid splashed from the substrate is less likely to adhere to the cover member. Therefore, it is possible to suppress the adhesion of the droplet to the cover member due to the splash of the liquid from the substrate.

例２．例１の装置において、カバー部を制御する処理は、カバー部材を回転させることにより、離間距離を変化させるようにカバー部を制御する処理を含んでいてもよい。この場合、簡易な構成で当該離間距離を変化させることが可能となる。 Example 2. In the apparatus of Example 1, the process of controlling the cover unit may include a process of controlling the cover unit to change the separation distance by rotating the cover member. In this case, the separation distance can be changed with a simple configuration.

例３．例２の装置は、カバー部材に対してリンス液を供給するように構成されたリンス液供給部をさらに備え、制御部は、保持部に基板が保持されていないときに、カバー部材を回転させつつリンス液をトップリングに供給させるようにカバー部及びリンス液供給部を制御する処理をさらに実行してもよい。この場合、仮にカバー部材に液滴が付着したとしても、当該液滴がリンス液によって洗い流される。そのため、カバー部材に付着した液滴が不意に基板に滴下してしまうことが抑制される。また、カバー部材に付着した液滴が乾燥後に結晶化し、パーティクルとして基板に飛散してしまうことが抑制される。 Example 3 The apparatus of Example 2 further includes a rinsing liquid supply unit configured to supply a rinsing liquid to the cover member, and the control unit rotates the cover member when the substrate is not held by the holding unit. A process of controlling the cover unit and the rinsing liquid supply unit so as to supply the rinsing liquid to the top ring while rinsing may be further performed. In this case, even if the droplets adhere to the cover member, the droplets are washed away by the rinsing liquid. Therefore, it is possible to prevent the droplets attached to the cover member from dropping onto the substrate unexpectedly. Further, it is possible to suppress the droplets attached to the cover member from being crystallized after drying and being scattered as particles on the substrate.

例４．例１の装置において、カバー部は、切欠部の開口に対してスライド移動するように構成されたシャッタ部材を含み、カバー部を制御する処理は、シャッタ部材を移動させて切欠部の開口量を変化させることにより、離間距離を変化させるようにカバー部を制御する処理を含んでいてもよい。この場合、簡易な構成で当該離間距離を変化させることが可能となる。 Example 4. In the apparatus of Example 1, the cover unit includes a shutter member configured to slide with respect to the opening of the notch, and the process of controlling the cover unit includes moving the shutter member to reduce the opening amount of the notch. A process for controlling the cover unit so as to change the separation distance by changing the distance may be included. In this case, the separation distance can be changed with a simple configuration.

例５．例１〜例４のいずれかの装置において、カバー部を制御する処理は、基板の表面状態に応じて離間距離を変化させるようにカバー部を制御する処理を含んでいてもよい。基板の表面状態（例えば、粗さ、親水性など）によっては、液跳ねが生じやすかったり生じ難かったりすることがある。しかしながら、例５の場合、基板の表面状態に応じて当該離間距離が変化するので、液跳ねが生じやすい場合であっても、液滴のカバー部材への付着を抑制することが可能となる。 Example 5 In any one of the apparatuses of Examples 1 to 4, the process of controlling the cover unit may include a process of controlling the cover unit to change the separation distance according to the surface state of the substrate. Depending on the surface condition of the substrate (for example, roughness, hydrophilicity, etc.), liquid splash may or may not easily occur. However, in the case of Example 5, since the separation distance changes according to the surface state of the substrate, it is possible to prevent the droplets from adhering to the cover member even when liquid splashing is likely to occur.

例６．例１〜例５のいずれかの装置は、基板とカバー部材との間の隙間を通って基板の周縁に向かう気流を形成するように構成された気流形成部をさらに備え、制御部は、隙間を通る気流の流速を離間距離に応じて変化させるように気流形成部を制御する処理をさらに実行してもよい。ところで、カバー部材の存在により、基板とカバー部材との間の隙間が狭くなり、当該隙間において気流の流速が早くなる。そのため、基板に吐出された処理液は、気流に随伴して基板の周縁の外側に向かいやすくなっている。一方、当該離間距離が大きくなるほど、基板の周縁部における気流の流速が遅くなり、基板の表面で跳ねた液がカバー部材に付着しやすい傾向にある。しかしながら、例６によれば、当該離間距離に応じて隙間を通る気流の流速が変化するので、当該離間距離が比較的大きくなっても、基板の表面で跳ねた液が基板の周縁の外側に向かいやすくなる。従って、液滴のカバー部材への付着をより抑制することが可能となる。 Example 6. The apparatus according to any one of Examples 1 to 5 further includes an airflow forming unit configured to form an airflow toward a peripheral edge of the substrate through a gap between the substrate and the cover member. May be further executed to control the airflow forming unit so as to change the flow velocity of the airflow passing through the airflow according to the separation distance. By the way, due to the presence of the cover member, the gap between the substrate and the cover member is narrowed, and the flow velocity of the air flow is increased in the gap. For this reason, the processing liquid discharged to the substrate is likely to move to the outside of the periphery of the substrate along with the airflow. On the other hand, as the separation distance increases, the flow velocity of the airflow at the peripheral portion of the substrate decreases, and the liquid splashed on the surface of the substrate tends to adhere to the cover member. However, according to Example 6, since the flow velocity of the airflow passing through the gap changes in accordance with the separation distance, even if the separation distance is relatively large, the liquid splashing on the surface of the substrate is outside the periphery of the substrate. It will be easier to go. Therefore, it is possible to further suppress the adhesion of the droplet to the cover member.

１…基板処理システム、４…制御装置、１０…基板処理装置、１６…処理ユニット、１８…制御部、２１…回転保持部（保持部）、２２，２３…液供給部（処理液供給部）、２４ｂ，２５ｂ…リンス液源（リンス液供給部）、２７…カバー部、２７ｂ…カバー部材、２７ｅ，２７ｆ…切欠部、２８，２９…シャッタ部、２８ａ，２９ａ…シャッタ部材、Ｂ…送風機（気流形成部）、Ｄ１，Ｄ２…離間距離、Ｎ１〜Ｎ４…ノズル、Ｎ６，Ｎ８…ノズル（リンス液供給部）、Ｗ…ウエハ（基板）、Ｗｃ…周縁部。 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Substrate processing system, 4 ... Control apparatus, 10 ... Substrate processing apparatus, 16 ... Processing unit, 18 ... Control part, 21 ... Rotation holding part (holding part), 22, 23 ... Liquid supply part (processing liquid supply part) , 24b, 25b: Rinse liquid source (rinse liquid supply unit), 27: Cover part, 27b: Cover member, 27e, 27f: Notch, 28, 29: Shutter part, 28a, 29a: Shutter member, B: Blower ( Airflow forming part), D1, D2: separation distance, N1 to N4: nozzle, N6, N8: nozzle (rinse liquid supply part), W: wafer (substrate), Wc: peripheral part.

Claims

A holding unit configured to rotate while holding the substrate,
A processing liquid supply unit configured to supply a processing liquid to the substrate from a nozzle,
A cover portion disposed above the substrate,
And a control unit,
The cover portion includes a cover member extending in an arc shape or an annular shape along the peripheral portion so as to face the peripheral portion of the substrate held by the holding portion,
The cover member includes a cutout portion that is opened and cut out toward the center of the substrate so as to form a space that can accommodate the nozzle,
The substrate processing apparatus, wherein the control unit executes a process of controlling the cover unit so as to change a circumferential separation distance between the discharge port of the nozzle and an opening end of the notch in the circumferential direction of the substrate.

The apparatus according to claim 1, wherein the process of controlling the cover unit includes a process of controlling the cover unit to change the separation distance by rotating the cover member.

A rinsing liquid supply unit configured to supply a rinsing liquid to the cover member,
The control unit controls the cover unit and the rinsing liquid supply unit to supply the rinsing liquid to the top ring while rotating the cover member when the substrate is not held by the holding unit. 3. The apparatus of claim 2, further comprising:

The cover unit includes a shutter member configured to slide with respect to the opening of the notch,
2. The processing of controlling the cover part according to claim 1, wherein the processing includes controlling the cover part so as to change the separation distance by moving the shutter member to change an opening amount of the notch. 3. The described device.

5. The apparatus according to claim 1, wherein the process of controlling the cover unit includes a process of controlling the cover unit to change the separation distance according to a surface state of the substrate.

Further comprising an airflow forming portion configured to form an airflow toward a peripheral edge of the substrate through a gap between the substrate and the cover member,
The device according to any one of claims 1 to 5, wherein the control unit further executes a process of controlling the airflow forming unit so as to change a flow velocity of the airflow passing through the gap according to the separation distance. .