JP2019220633A - Processing method for work piece - Google Patents

Processing method for work piece

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Abstract

To enable recognition of the crystal orientation of a wafer even when the outer periphery of the wafer (plate-like work) is trimmed.SOLUTION: A processing method for a work piece, according to the present invention comprises: an individual identification number printing step in which, from a front surface 2a of a wafer 1, an individual identification number 21 is printed to a depth D equal to or greater than finish thickness To of a chip; and a rear surface polishing step in which a rear surface 2b of the wafer 1 is polished with a grind stone to give the wafer 1 the finish thickness To of the chip and the individual identification number 21 of the wafer 1 passes through the work piece. The individual identification number 21 is used to identify the crystal orientation of the wafer 1. By printing the individual identification number 21 to the depth D equal to or greater than the finish thickness To of the chip, the individual identification number 21 passes through the wafer 1 in the rear surface polishing step. Accordingly, the crystal orientation of the wafer 1 can be recognized by the individual identification number 21 from both the front surface side and the rear surface side of the wafer 1.SELECTED DRAWING: Figure 3

Description

本発明は、被加工物の加工方法に関する。   The present invention relates to a method for processing a workpiece.

ウェーハなどの板状ワークには、外周に、表面から裏面に至る面取りが形成されているものがある。このような板状ワークを半分の厚み以下に薄化すると、いわゆるシャープエッジが外周に形成され、板状ワークが破損する可能性がある。これを防ぐため、板状ワークの外周をトリミングして面取りを除去してから、板状ワークを薄化する技術が知られている(たとえば、特許文献１参照)。   Some plate-shaped works such as wafers have chamfers formed on the outer periphery from the front surface to the back surface. When such a plate-like work is thinned to half or less, a so-called sharp edge is formed on the outer periphery, and the plate-like work may be damaged. In order to prevent this, there is known a technique of trimming the outer periphery of a plate-shaped work to remove a chamfer and then thinning the plate-shaped work (for example, see Patent Document 1).

また、板状ワークには、結晶方位を示すノッチが形成されたものがある。ノッチは、たとえば、板状ワークをデバイスに分割する際の目印として利用される(たとえば、特許文献２)。ノッチ形状は、たとえば、業界標準規格であるSEMI規格によって定められている。ノッチが形成された板状ワークについても、その外周をトリミングして面取りを除去してから薄化が行われている。   In addition, some plate-shaped works have notches that indicate the crystal orientation. The notch is used, for example, as a mark when dividing a plate-shaped work into devices (for example, Patent Document 2). The notch shape is determined, for example, by the SEMI standard, which is an industry standard. The notch-formed plate-shaped work is also thinned after trimming its outer periphery and removing chamfers.

特開２０００−１７３９６１号公報JP 2000-173961 A 特開２００４−１９８２６４号公報JP 2004-198264 A

しかし、トリミングを実施した板状ワークでは、薄化後に、ノッチが小さくなる、もしくは消失することになる。このため、その後の工程で、板状ワークの結晶方位を正しく検出することが困難になる。   However, in a trimmed plate-like work, the notch becomes small or disappears after thinning. For this reason, it is difficult to correctly detect the crystal orientation of the plate-like work in a subsequent step.

本発明は、このような問題に鑑みてなされたもので、板状ワークの外周をトリミングしても、板状ワークの結晶方位を認識できるようにすることを目的とする。   The present invention has been made in view of such a problem, and it is an object of the present invention to be able to recognize the crystal orientation of a plate-shaped work even if the outer periphery of the plate-shaped work is trimmed.

本発明の被加工物の加工方法は、格子状に形成された複数の分割予定ラインによって区画された領域にデバイスが形成された表面を有する被加工物の加工方法であって、該被加工物の表面から、チップの仕上がり厚さ以上の深さを有し、該被加工物の結晶方位の判別に供する個体識別番号を印字する個体識別番号印字ステップと、該被加工物の裏面を保持テーブルで保持して該被加工物の表面を露出させる保持ステップと、該保持ステップを実施した後、切削ブレードを該被加工物の外周縁に切り込ませ、該保持テーブルを回転させることにより、該被加工物の外周縁を除去する外周縁除去ステップと、該外周縁除去ステップを実施した後、該被加工物の表面の該デバイスが形成された領域を表面保護部材で覆う表面保護ステップと、該表面保護ステップを実施した後、該被加工物の裏面を研削砥石で研削して被加工物をチップの仕上がり厚さに形成するとともに、該被加工物の該個体識別番号が被加工物を貫通する裏面研削ステップと、を備え、チップの仕上がり厚さ以上の深さを有する該個体識別番号を印字することで、裏面研削ステップにて該個体識別番号が被加工物を貫通し、該固体識別番号によって被加工物の結晶方位を認識可能とすることを特徴とする。   The method for processing a workpiece according to the present invention is a method for processing a workpiece having a surface on which a device is formed in a region defined by a plurality of planned dividing lines formed in a grid pattern, An individual identification number printing step of printing an individual identification number having a depth equal to or greater than the finished thickness of the chip from the front surface of the chip and used for determining the crystal orientation of the workpiece; and a table holding the back surface of the workpiece. A holding step of exposing the surface of the workpiece by holding the workpiece, and after performing the holding step, cutting a cutting blade into an outer peripheral edge of the workpiece, and rotating the holding table, An outer peripheral edge removing step of removing an outer peripheral edge of the workpiece, and after performing the outer peripheral edge removing step, a surface protection step of covering a region on the surface of the workpiece where the device is formed with a surface protection member, The surface After performing the protection step, the back surface of the workpiece is ground with a grinding wheel to form the workpiece to a finished thickness of the chip, and the individual identification number of the workpiece penetrates the workpiece. Back surface grinding step, and by printing the individual identification number having a depth equal to or greater than the finished thickness of the chip, the individual identification number penetrates the workpiece in the back surface grinding step, and the solid identification number Thus, the crystal orientation of the workpiece can be recognized.

本発明の加工方法では、被加工物に個体識別番号が印字される。個体識別番号は、被加工物の結晶方位の判別の用に供するものである。このため、個体識別番号に基づいて、被加工物の結晶方位を判別することが可能である。   In the processing method of the present invention, the individual identification number is printed on the workpiece. The individual identification number is used to determine the crystal orientation of the workpiece. Therefore, it is possible to determine the crystal orientation of the workpiece based on the individual identification number.

ここで、被加工物に印字された個体識別番号は、チップの仕上がり厚さ以上の深さを有している。したがって、外周縁除去（トリミング）のなされた被加工物が、チップの仕上がり厚さを有するまで裏面研削された場合、外周縁に形成されていたノッチは消失するものの、個体識別番号が被加工物を貫通する。すなわち、被加工物の表面側および裏面側の双方から、個体識別番号を認識することが可能となる。このため、裏面研削ステップの後に実施されるステップにおいても、被加工物の表面側および裏面側の双方から、個体識別番号を用いて、被加工物の結晶方位を明確に認識することが可能となる。   Here, the individual identification number printed on the workpiece has a depth equal to or greater than the finished thickness of the chip. Therefore, when the workpiece whose outer peripheral edge has been removed (trimmed) is back-ground until it has the finished thickness of the chip, the notch formed on the outer peripheral edge disappears, but the individual identification number does not match the workpiece identification number. Through. That is, the individual identification number can be recognized from both the front side and the back side of the workpiece. Therefore, even in the step performed after the back surface grinding step, it is possible to clearly recognize the crystal orientation of the work using the individual identification number from both the front side and the back side of the work. Become.

本実施形態にかかる被加工物の一例であるウェーハを示す斜視図である。FIG. 2 is a perspective view showing a wafer as an example of a workpiece according to the embodiment. 図１に示したウェーハの断面図である。It is sectional drawing of the wafer shown in FIG. 個体識別番号の形成されたウェーハの断面図であるIt is sectional drawing of the wafer in which the individual identification number was formed. 保持テーブルによって保持され、トリミングが施されているウェーハを示す斜視図である。FIG. 4 is a perspective view showing a wafer held by a holding table and subjected to trimming. 外周縁除去ステップ後のウェーハを示す斜視図である。FIG. 4 is a perspective view showing a wafer after an outer peripheral edge removing step. 外周縁除去ステップ後のウェーハを示す断面図である。It is sectional drawing which shows the wafer after an outer periphery removal step. 表面保護テープによって表面が覆われたウェーハを示す断面図である。It is sectional drawing which shows the wafer whose surface was covered with the surface protection tape. 裏面研削ステップの実施態様を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows embodiment of a back surface grinding step. 裏面研削ステップ後のウェーハの表面を示す斜視図である。FIG. 4 is a perspective view showing a front surface of a wafer after a back surface grinding step. 裏面研削ステップ後のウェーハの裏面を示す斜視図である。It is a perspective view showing the back of a wafer after a back grinding step.

まず、本実施形態にかかる被加工物の加工方法（本加工方法）における被加工物について、簡単に説明する。   First, the workpiece in the method for processing the workpiece according to the present embodiment (the present processing method) will be briefly described.

図１に示すように、本実施形態にかかる被加工物の一例であるウェーハ１は、たとえば、円板状を有するシリコン基板である。ウェーハ１の表面２ａには、デバイス領域５および外周余剰領域６が形成されている。デバイス領域５では、格子状の分割予定ライン３によって区画された領域のそれぞれに、デバイス４が形成されている。外周余剰領域６は、デバイス領域５を取り囲んでいる。   As shown in FIG. 1, a wafer 1, which is an example of a workpiece according to the present embodiment, is, for example, a silicon substrate having a disk shape. On the surface 2a of the wafer 1, a device region 5 and an outer peripheral surplus region 6 are formed. In the device region 5, devices 4 are formed in each of the regions partitioned by the grid-shaped scheduled dividing lines 3. The outer peripheral surplus area 6 surrounds the device area 5.

図２に示すように、ウェーハ１の裏面２ｂは、デバイス４を有しておらず、研削砥石などによって研削される被研削面となっている。ウェーハ１の周囲は、表面２ａから裏面２ｂにかけて、円弧状に面取りが形成されている。なお、この図２のように、添付図面では、ウェーハ１の表面２ａに設けられているデバイス４を省略して示す場合がある。   As shown in FIG. 2, the back surface 2b of the wafer 1 does not have the device 4 and is a surface to be ground which is ground by a grinding wheel or the like. The periphery of the wafer 1 is chamfered in an arc from the front surface 2a to the back surface 2b. 2, the device 4 provided on the front surface 2a of the wafer 1 may be omitted in the accompanying drawings.

さらに、図１に示すように、ウェーハ１の外周縁７には、ノッチ９が設けられている。ノッチ９は、ウェーハ１の結晶方位を示すマークである。すなわち、本実施形態のウェーハ１は、半導体単結晶を含んでいる。そして、ウェーハ１の結晶方位を示すために、ウェーハ１の外周縁７にノッチ９が設けられている。ノッチ９は、たとえば、ウェーハ１を半導体チップに分割する際のウェーハ１の方向合わせのための目印として利用される。ノッチ９の形状は、たとえば、業界標準規格であるSEMI規格によって定められている。ノッチ９は、たとえば、ウェーハ１の外周縁７に設けられた、略三角形状の切り欠き部である。   Further, as shown in FIG. 1, a notch 9 is provided on the outer peripheral edge 7 of the wafer 1. The notch 9 is a mark indicating the crystal orientation of the wafer 1. That is, the wafer 1 of the present embodiment includes a semiconductor single crystal. In order to indicate the crystal orientation of the wafer 1, a notch 9 is provided on the outer peripheral edge 7 of the wafer 1. The notch 9 is used, for example, as a mark for aligning the wafer 1 when dividing the wafer 1 into semiconductor chips. The shape of the notch 9 is determined, for example, by the SEMI standard which is an industry standard. The notch 9 is, for example, a substantially triangular cutout provided on the outer peripheral edge 7 of the wafer 1.

次に、本加工方法に含まれるステップについて説明する。   Next, steps included in the present processing method will be described.

（１）個体識別番号印字ステップ（結晶方位情報印字ステップ）
本加工方法では、まず、ウェーハ１に、個体識別番号を刻印（印字）する。すなわち、ウェーハ１をレーザー加工装置（図示せず）にセットし、ウェーハ１の表面２ａにむけてレーザー光線を照射する。このレーザー光線により、ウェーハ１の表面２ａに穴を穿つことにより、図１に示すように、ウェーハ１に、個体識別番号２１が印字される。なお、個体識別番号２１は、結晶方位情報の一例である。個体識別番号２１の印字位置は、ウェーハ１における外周縁７の端部から３〜４ｍｍ離れた位置であり、外周縁７よりも内側である。 (1) Individual identification number printing step (crystal orientation information printing step)
In this processing method, first, an individual identification number is stamped (printed) on the wafer 1. That is, the wafer 1 is set in a laser processing device (not shown), and a laser beam is irradiated toward the surface 2a of the wafer 1. By drilling a hole in the surface 2a of the wafer 1 with this laser beam, the individual identification number 21 is printed on the wafer 1 as shown in FIG. The individual identification number 21 is an example of crystal orientation information. The printing position of the individual identification number 21 is a position 3 to 4 mm away from the end of the outer peripheral edge 7 on the wafer 1 and is inside the outer peripheral edge 7.

個体識別番号２１は、たとえば、各ウェーハ１に固有のＩＤ情報であってもよく、機能、製品番号、あるいはロット番号等を示す文字列(記号列）であってもよい。個体識別番号２１は、たとえば、ノッチ９の延びる方向に略直交する方向に沿って延びる文字列を有している。したがって、個体識別番号２１の文字列の延び方向は、ウェーハ１の結晶方位を示しているか、又は、ウェーハ１の結晶方位に対して所定角度を有する向きとなっている（ウェーハ１の結晶方位に対応している）。このため、ウェーハ１では、個体識別番号２１に基づいて、ウェーハ１の結晶方位を判別することが可能となっている。   The individual identification number 21 may be, for example, ID information unique to each wafer 1 or a character string (symbol string) indicating a function, a product number, a lot number, or the like. The individual identification number 21 has, for example, a character string extending in a direction substantially perpendicular to the direction in which the notch 9 extends. Therefore, the direction in which the character string of the individual identification number 21 extends indicates the crystal orientation of the wafer 1 or has a predetermined angle with respect to the crystal orientation of the wafer 1 (to the crystal orientation of the wafer 1). Yes). For this reason, in the wafer 1, the crystal orientation of the wafer 1 can be determined based on the individual identification number 21.

図３に示すように、ウェーハ１における個体識別番号２１の深さ（個体識別番号２１を形成する穴の、ウェーハ１の表面２ａからの深さ（印字の深さ））Ｄは、チップの仕上がり厚さＴｏ以上の深さに設定されている。すなわち、個体識別番号２１の深さＤは、裏面研削ステップの後に、ウェーハ１の表面２ａから裏面２ｂに個体識別番号２１が貫通する程度に設定されている。   As shown in FIG. 3, the depth D of the individual identification number 21 in the wafer 1 (the depth (printing depth) of the hole forming the individual identification number 21 from the front surface 2a of the wafer 1) is the finished chip. The depth is set to be equal to or greater than the thickness To. That is, the depth D of the individual identification number 21 is set such that the individual identification number 21 penetrates from the front surface 2a to the back surface 2b of the wafer 1 after the back surface grinding step.

（２）保持ステップ
個体識別番号印字ステップの後、図４に示すように、保持テーブル１０１により、ウェーハ１の裏面２ｂを吸引保持する。これにより、ウェーハ１の表面２ａが露出する。 (2) Holding Step After the individual identification number printing step, the back surface 2b of the wafer 1 is suction-held by the holding table 101 as shown in FIG. Thereby, the surface 2a of the wafer 1 is exposed.

（３）外周縁除去ステップ
保持ステップを実施した後、回転する切削ブレード１０３を、ウェーハ１の表面２ａにおける外周縁７に切り込ませ、保持テーブル１０１を回転させる。これにより、ウェーハ１の外周縁７の表面２ａ側を除去（トリミング）する。すなわち、ウェーハ１の表面２ａの外周縁７に、エッジトリミングを行う。使用される切削ブレード１０３は、フラットな刃先を有する。 (3) Outer edge removal step After the holding step is performed, the rotating cutting blade 103 is cut into the outer edge 7 on the front surface 2a of the wafer 1, and the holding table 101 is rotated. As a result, the surface 2a side of the outer peripheral edge 7 of the wafer 1 is removed (trimmed). That is, edge trimming is performed on the outer peripheral edge 7 of the front surface 2a of the wafer 1. The cutting blade 103 used has a flat cutting edge.

このステップでは、たとえば、保持テーブル１０１を切削ブレード１０３の下方に配置し、切削ブレード１０３を矢印Ｂ方向に回転させながら、切削ブレード１０３をウェーハ１の表面２ａに接近する方向に降下させて、切削ブレード１０３の刃先を外周縁７に切り込ませる。次いで、保持テーブル１０１を、矢印Ａ方向に回転させる。そうすると、切削ブレード１０３が降下するにつれて、外周縁７が徐々に削られていく。これにより、外周縁７が、リング状にエッジトリミングされる。   In this step, for example, the holding table 101 is arranged below the cutting blade 103, and the cutting blade 103 is lowered in the direction approaching the surface 2a of the wafer 1 while rotating the cutting blade 103 in the arrow B direction. The cutting edge of the blade 103 is cut into the outer peripheral edge 7. Next, the holding table 101 is rotated in the direction of arrow A. Then, as the cutting blade 103 descends, the outer peripheral edge 7 is gradually cut. Thereby, the outer peripheral edge 7 is edge-trimmed in a ring shape.

図５に示すように、外周縁除去ステップにより、ウェーハ１の外周縁７の一部分（表面２ａ側）が除去されて、外周切削部８が形成される。その結果、ウェーハ１の表面２ａでは、ノッチ９が消失する。   As shown in FIG. 5, in the outer peripheral edge removing step, a part of the outer peripheral edge 7 (the surface 2 a side) of the wafer 1 is removed, and the outer peripheral cutting portion 8 is formed. As a result, the notch 9 disappears on the surface 2a of the wafer 1.

外周切削部８は、ウェーハ１の外周部に形成され、所定の幅及び所定の深さを有する環状の溝である。図６に示すように、本実施形態では、外周切削部８における所定の深さは、ウェーハ１の表面２ａからチップの仕上がり厚さＴｏを超える深さ、すなわち、チップの仕上がり厚さＴｏよりも大きい深さを有するように設定されている。   The outer peripheral cutting portion 8 is an annular groove formed on the outer peripheral portion of the wafer 1 and having a predetermined width and a predetermined depth. As shown in FIG. 6, in the present embodiment, the predetermined depth in the outer peripheral cutting portion 8 is a depth exceeding the finished thickness To of the chip from the surface 2a of the wafer 1, that is, the predetermined depth To of the chip. It is set to have a large depth.

（４）表面保護ステップ
外周縁除去ステップを実施した後、ウェーハ１の表面２ａのデバイス４が形成されたデバイス領域５を、表面保護部材としての表面保護テープ１０によって覆う。 (4) Surface Protection Step After the outer peripheral edge removing step is performed, the device region 5 on the surface 2a of the wafer 1 where the devices 4 are formed is covered with a surface protection tape 10 as a surface protection member.

図７に示すように、表面保護テープ１０を、ウェーハ１の表面２ａに貼着する。表面保護テープ１０は、ウェーハ１の表面２ａに形成されたデバイス４を保護する。表面保護テープ１０は、ウェーハ１の表面２ａの全面を覆う面積を有している。   As shown in FIG. 7, the surface protection tape 10 is attached to the front surface 2a of the wafer 1. The surface protection tape 10 protects the devices 4 formed on the surface 2a of the wafer 1. The surface protection tape 10 has an area that covers the entire surface 2 a of the wafer 1.

表面保護テープ１０をウェーハ１に貼着する際には、たとえば、ウェーハ１の表面２ａの全面に対して、接着剤が塗布される。この接着剤を介して、表面保護テープ１０を貼着することで、ウェーハ１の表面２ａの全面を、表面保護テープ１０によって覆うことができる。接着剤は、たとえばシリコンからなるウェーハ１に対して接着力を有する材料（糊）を含んでいる。表面保護テープ１０には、デバイス４による凹凸を吸収しながら、ウェーハ１に密着する。これにより、表面保護テープ１０によって、ウェーハ１の表面２ａの全面が覆われ、デバイス４が保護される。   When attaching the surface protection tape 10 to the wafer 1, for example, an adhesive is applied to the entire surface 2 a of the wafer 1. By attaching the surface protection tape 10 via this adhesive, the entire surface 2a of the wafer 1 can be covered with the surface protection tape 10. The adhesive contains a material (glue) having an adhesive force to the wafer 1 made of, for example, silicon. The surface protection tape 10 is in close contact with the wafer 1 while absorbing irregularities due to the device 4. Thus, the entire surface 2a of the wafer 1 is covered by the surface protection tape 10, and the device 4 is protected.

なお、図７では、表面保護テープ１０が、デバイス４による凹凸に対し、空間を空けずに密着している。しかし、表面保護テープ１０は、凹凸の一部に接触するように貼付されてもよい。   In FIG. 7, the surface protection tape 10 is in close contact with the unevenness of the device 4 without leaving any space. However, the surface protection tape 10 may be affixed so as to contact a part of the unevenness.

また、本実施形態では、ウェーハ１のデバイス領域５を保護する表面保護部材として、樹脂が用いられてもよい。すなわち、表面保護ステップは、ウェーハ１の表面２ａを樹脂で覆う樹脂被覆ステップを含んでいてもよい。   In the present embodiment, a resin may be used as a surface protection member for protecting the device region 5 of the wafer 1. That is, the surface protection step may include a resin coating step of covering the surface 2a of the wafer 1 with the resin.

（５）裏面研削ステップ
表面保護ステップを実施した後、ウェーハ１の裏面２ｂを研削砥石で研削する。図８に示すように、ウェーハ１を研削する研削装置１５によって、ウェーハ１を所望の仕上げ厚さ（チップの仕上がり厚さ）を有するように研削する。研削装置１５は、鉛直方向の軸心を有するスピンドル１５０、マウント１５１、及び研削ホイール１５２を備えている。研削ホイール１５２は、スピンドル１５０の下端に、マウント１５１を介して装着されている。研削ホイール１５２の下部の外周縁に、複数の研削砥石１５３が、環状に固着されている。 (5) Back surface grinding step After the front surface protection step is performed, the back surface 2b of the wafer 1 is ground with a grinding wheel. As shown in FIG. 8, the wafer 1 is ground to have a desired finished thickness (finished chip thickness) by a grinding device 15 for grinding the wafer 1. The grinding device 15 includes a spindle 150 having a vertical axis, a mount 151, and a grinding wheel 152. The grinding wheel 152 is mounted on a lower end of the spindle 150 via a mount 151. A plurality of grinding wheels 153 are annularly fixed to an outer peripheral edge of a lower portion of the grinding wheel 152.

ウェーハ１を研削する際には、図８に示すように、図示しない吸引源によって、保持テーブル１０１ａが、表面保護テープ１０を吸引保持する。これにより、ウェーハ１の裏面２ｂが、上向きに露出する。   When grinding the wafer 1, as shown in FIG. 8, the holding table 101a suction-holds the surface protection tape 10 by a suction source (not shown). Thereby, the back surface 2b of the wafer 1 is exposed upward.

その後、保持テーブル１０１ａが、たとえば矢印Ａ方向に回転する。さらに、研削装置１５が、研削ホイール１５２を、矢印Ａ方向に回転させながら降下させる。そして、研削砥石１５３が、ウェーハ１の裏面２ｂを、押圧しながら研削する。この研削では、ウェーハ１の残存している外周縁７が除去されて、研削砥石１５３が外周切削部８に至るまで、ウェーハ１の裏面２ｂが削られる。   Thereafter, the holding table 101a rotates, for example, in the direction of arrow A. Further, the grinding device 15 lowers the grinding wheel 152 while rotating it in the direction of arrow A. Then, the grinding wheel 153 grinds the back surface 2b of the wafer 1 while pressing it. In this grinding, the remaining outer peripheral edge 7 of the wafer 1 is removed, and the back surface 2b of the wafer 1 is ground until the grinding wheel 153 reaches the outer peripheral cutting portion 8.

図９および図１０に示すように、裏面研削ステップでは、ウェーハ１から外周縁７が除去されるため、外周縁７の裏面２ａ側に残存していたノッチ９も消失する。また、裏面研削ステップでは、ウェーハ１の厚さが、チップの仕上がり厚さと同じ厚さに形成される。さらに、上述のように、ウェーハ１の表面２ａに印字（刻印）された個体識別番号２１は、チップの仕上がり厚さＴｏ以上の深さＤを有する（図３参照）。このため、裏面研削ステップにより、図９および図１０に示すように、個体識別番号２１が、ウェーハ１を、表面２ａから裏面２ｂまで貫通する。   As shown in FIGS. 9 and 10, in the back surface grinding step, since the outer peripheral edge 7 is removed from the wafer 1, the notch 9 remaining on the rear surface 2a side of the outer peripheral edge 7 also disappears. In the back surface grinding step, the thickness of the wafer 1 is formed to be the same as the finished thickness of the chips. Further, as described above, the individual identification number 21 printed (engraved) on the front surface 2a of the wafer 1 has a depth D equal to or greater than the finished thickness To of the chip (see FIG. 3). Therefore, as shown in FIGS. 9 and 10, the individual identification number 21 penetrates the wafer 1 from the front surface 2a to the back surface 2b by the back surface grinding step.

その後、ウェーハ１は、公知の方法で分割予定ライン３に沿って分断されて、最終製品であるチップが形成される（分断ステップ）。   Thereafter, the wafer 1 is cut along the planned dividing line 3 by a known method, and chips as final products are formed (cutting step).

以上のように、本加工方法では、チップの仕上がり厚さＴｏ以上の深さＤを有する個体識別番号２１が、ウェーハ１に印字される。これにより、裏面研削ステップにて、個体識別番号２１が、ウェーハ１を貫通する。このため、外周縁除去ステップによってノッチが消失しても、個体識別番号２１によってウェーハ１の結晶方位を認識することが可能となる。   As described above, in the present processing method, the individual identification number 21 having the depth D equal to or more than the finished thickness To of the chip is printed on the wafer 1. Thereby, the individual identification number 21 penetrates the wafer 1 in the back surface grinding step. For this reason, even if the notch disappears in the outer peripheral edge removing step, the crystal orientation of the wafer 1 can be recognized by the individual identification number 21.

このように、本加工方法では、ウェーハ１に個体識別番号２１が印字される。個体識別番号２１の文字列の延びる方向は、ウェーハ１の結晶方位と所定の関係にある。このため、個体識別番号２１に基づいて、ウェーハ１の結晶方位を判別することが可能である。
ここで、ウェーハ１に印字された個体識別番号２１は、チップの仕上がり厚さＴｏ以上の深さＤを有している。したがって、外周縁除去（トリミング）のなされたウェーハ１が、チップの仕上がり厚さＴｏを有するまで裏面研削された場合、ウェーハ１の外周縁７に形成されていたノッチ９は消失するものの、個体識別番号２１がウェーハ１を貫通する。すなわち、ウェーハ１の表面側および裏面側の双方から、個体識別番号２１を認識することが可能となる。このため、裏面研削ステップの後に実施されるステップ（たとえば分断ステップ）においても、ウェーハ１の表面側および裏面側の双方から、個体識別番号２１を用いて、ウェーハ１の結晶方位を明確に認識することが可能となる。 Thus, in the present processing method, the individual identification number 21 is printed on the wafer 1. The direction in which the character string of the individual identification number 21 extends has a predetermined relationship with the crystal orientation of the wafer 1. Therefore, it is possible to determine the crystal orientation of the wafer 1 based on the individual identification number 21.
Here, the individual identification number 21 printed on the wafer 1 has a depth D equal to or more than the finished thickness To of the chip. Therefore, when the wafer 1 from which the outer peripheral edge has been removed (trimmed) is back-ground until it has the finished thickness To of the chip, the notch 9 formed on the outer peripheral edge 7 of the wafer 1 disappears, but individual identification is performed. The number 21 penetrates the wafer 1. That is, the individual identification number 21 can be recognized from both the front side and the back side of the wafer 1. For this reason, even in a step (for example, a cutting step) performed after the back surface grinding step, the crystal orientation of the wafer 1 is clearly recognized from both the front surface side and the back surface side of the wafer 1 using the individual identification number 21. It becomes possible.

なお、本実施形態では、ウェーハ１の表面に、ウェーハ１の結晶方位を判別するための情報（結晶方位情報；ノッチ位置検出用の情報）として、個体識別番号２１が印字されている。しかしながら、ウェーハ１に印字される結晶方位情報は、個体識別番号２１に限られない。個体識別番号２１に代えてまたはこれに加えて、他の結晶方位情報を印字してもよい。この結晶方位情報は、ウェーハ１の結晶方位を判別するために用いることが可能なものであれば、どのような情報でもよい。   In the present embodiment, the individual identification number 21 is printed on the surface of the wafer 1 as information for determining the crystal orientation of the wafer 1 (crystal orientation information; information for detecting the notch position). However, the crystal orientation information printed on the wafer 1 is not limited to the individual identification number 21. Instead of or in addition to the individual identification number 21, other crystal orientation information may be printed. This crystal orientation information may be any information that can be used to determine the crystal orientation of the wafer 1.

また、本実施形態では、ウェーハ１の表面２ａから裏面２ｂにかけて、円弧状に面取りが形成され、外周縁７が形成されている。そして、この外周縁７が、リング状にエッジトリミングされる。しかし、トリミングされるべき外周縁７は、面取りによって形成されるものだけではない。たとえば、ウェーハ１の外周縁７に段差が形成されている場合にも、同様に、外周縁７をトリミングすることが好ましい。   In the present embodiment, a chamfer is formed in an arc shape from the front surface 2a to the back surface 2b of the wafer 1, and the outer peripheral edge 7 is formed. Then, the outer peripheral edge 7 is edge-trimmed in a ring shape. However, the outer peripheral edge 7 to be trimmed is not only formed by chamfering. For example, even when a step is formed on the outer peripheral edge 7 of the wafer 1, it is preferable to trim the outer peripheral edge 7 in the same manner.

１：ウェーハ、２ａ：表面、２ｂ：裏面、３：分割予定ライン、４：デバイス、５：デバイス領域、６：外周余剰領域、７：外周縁、８：外周切削部、９：ノッチ、２１：個体識別番号
１０１：保持テーブル、１０３：切削ブレード
１０：表面保護テープ、
１５：研削装置、１０１ａ：保持テーブル、１５０：スピンドル、１５１：マウント、１５２：研削ホイール、１５３：研削砥石 1: wafer, 2a: front surface, 2b: back surface, 3: scheduled dividing line, 4: device, 5: device region, 6: outer peripheral surplus region, 7: outer peripheral edge, 8: outer peripheral cutting portion, 9: notch, 21: Individual identification number 101: holding table, 103: cutting blade 10: surface protection tape,
15: grinding device, 101a: holding table, 150: spindle, 151: mount, 152: grinding wheel, 153: grinding wheel

Claims (1)

格子状に形成された複数の分割予定ラインによって区画された領域にデバイスが形成された表面を有する被加工物の加工方法であって、
該被加工物の表面から、チップの仕上がり厚さ以上の深さを有し、該被加工物の結晶方位の判別に供する個体識別番号を印字する個体識別番号印字ステップと、
該被加工物の裏面を保持テーブルで保持して該被加工物の表面を露出させる保持ステップと、
該保持ステップを実施した後、切削ブレードを該被加工物の外周縁に切り込ませ、該保持テーブルを回転させることにより、該被加工物の外周縁を除去する外周縁除去ステップと、
該外周縁除去ステップを実施した後、該被加工物の表面の該デバイスが形成された領域を表面保護部材で覆う表面保護ステップと、
該表面保護ステップを実施した後、該被加工物の裏面を研削砥石で研削して被加工物をチップの仕上がり厚さに形成するとともに、該被加工物の該個体識別番号が被加工物を貫通する裏面研削ステップと、を備え、
チップの仕上がり厚さ以上の深さを有する該個体識別番号を印字することで、裏面研削ステップにて該個体識別番号が被加工物を貫通し、該固体識別番号によって被加工物の結晶方位を認識可能とすることを特徴とする被加工物の加工方法。 A method for processing a workpiece having a surface on which a device is formed in a region defined by a plurality of scheduled division lines formed in a lattice shape,
From the surface of the workpiece, having a depth equal to or greater than the finished thickness of the chip, an individual identification number printing step of printing an individual identification number for use in determining the crystal orientation of the workpiece,
A holding step of holding the back surface of the workpiece with a holding table to expose the front surface of the workpiece,
After performing the holding step, an outer peripheral edge removing step of removing the outer peripheral edge of the workpiece by cutting a cutting blade into the outer peripheral edge of the workpiece and rotating the holding table,
After performing the outer peripheral edge removing step, a surface protection step of covering a region where the device is formed on the surface of the workpiece with a surface protection member;
After performing the surface protection step, the back surface of the work piece is ground with a grinding wheel to form the work piece to a finished thickness of the chip, and the individual identification number of the work piece corresponds to the work piece. A back grinding step to penetrate,
By printing the individual identification number having a depth equal to or greater than the finished thickness of the chip, the individual identification number penetrates the workpiece in the back surface grinding step, and the crystal orientation of the workpiece is determined by the solid identification number. A method of processing a workpiece, wherein the method is capable of recognizing the workpiece.
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