JP2019212690A - Molding device, molding method and manufacturing method for article - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、成形装置、成形方法及び物品の製造方法に関する。 The present invention relates to a molding apparatus, a molding method, and an article manufacturing method.
半導体デバイスやMEMSなどの微細化の要求が進み、基板上のインプリント材(組成物)を型(モールド)で成形することで、基板上にインプリント材のパターンを形成するインプリント技術が注目されている。インプリント技術は、基板上にナノメートルオーダーの微細なパターン(構造体)を形成することができる。 The demand for miniaturization of semiconductor devices, MEMS, etc. has progressed, and imprint technology that forms an imprint material pattern on a substrate by forming the imprint material (composition) on the substrate with a mold is drawing attention. Has been. The imprint technique can form a fine pattern (structure) on the order of nanometers on a substrate.
インプリント技術において、インプリント材の硬化法の1つとして光硬化法がある。光硬化法を採用したインプリント装置では、まず、基板上に未硬化のインプリント材を供給し、基板上のインプリント材と型とを接触させる。次いで、基板上のインプリント材と型とを接触させた状態で光(紫外線)を照射してインプリント材を硬化させ、硬化したインプリント材から型を引き離すことで基板上にインプリント材のパターンを形成する。 In the imprint technique, there is a photocuring method as one of the methods for curing an imprint material. In an imprint apparatus employing a photocuring method, first, an uncured imprint material is supplied onto a substrate, and the imprint material on the substrate is brought into contact with the mold. Next, the imprint material is irradiated with light (ultraviolet rays) in a state where the imprint material on the substrate is in contact with the mold, and the imprint material is cured. Form a pattern.
インプリント装置では、位置合わせ精度、スループット(処理速度)、パターン欠陥などの指標で装置性能が評価されるため、これらの指標を改善するための技術が提案されている(特許文献1参照)。特許文献1には、インプリント材が硬化する波長で弱い強度の光をインプリント材に照射してインプリント材の粘弾性を増加させ、装置振動を減衰させることで位置合わせ精度を向上させる技術が開示されている。
In the imprint apparatus, the apparatus performance is evaluated by indices such as alignment accuracy, throughput (processing speed), and pattern defects. Therefore, a technique for improving these indices has been proposed (see Patent Document 1).
しかしながら、特許文献1には、基板上のインプリント材に照射される光の量、即ち、インプリント材に与える積算照射量(露光量)の制御に関する記載がない。インプリント材に与える最適な積算照射量は、インプリント材の特性、基板へのインプリント材の供給量、基板上に残存させるインプリント材の厚さなどから決まっている。最適な積算照射量をインプリント材に与えることで、インプリント材は所期の硬化プロセスを経ることができる。一方、インプリント材に対して、弱い強度の光であっても最適な積算照射量を超えて過剰に照射されると、基板上に形成されるパターンの欠陥数を増加させてしまう。
However,
本発明は、このような従来技術の課題に鑑みてなされ、基板上の組成物に照射する光の積算照射量を制御するのに有利な成形装置を提供することを例示的目的とする。 The present invention has been made in view of such problems of the prior art, and an object of the present invention is to provide a molding apparatus that is advantageous for controlling the cumulative amount of light irradiated to the composition on the substrate.
上記目的を達成するために、本発明の一側面としての成形装置は、型を用いて基板上の組成物を成形する成形装置であって、前記組成物を硬化させるための光を照射する照射部と、前記組成物と前記型とが接触した状態において、前記組成物の粘度を高めるように前記光を前記組成物に照射する第1処理と、前記第1処理の後に前記組成物を硬化させるように前記光を前記組成物に照射する第2処理と、を行うように、前記照射部を制御する制御部と、を有し、前記制御部は、前記第1処理のみによって前記組成物上に生じる前記光の積算照射量の分布よりも、前記第1処理及び前記第2処理の両者によって前記組成物上に生じる前記光の積算照射量の分布の方が、均一に近くなるように、前記照射部を制御することを特徴とする。 In order to achieve the above object, a molding apparatus according to one aspect of the present invention is a molding apparatus that molds a composition on a substrate using a mold, and irradiates light for curing the composition. Part, a first treatment of irradiating the composition with light so as to increase the viscosity of the composition in a state where the composition and the mold are in contact, and curing the composition after the first treatment And a second process for irradiating the composition with the light, and a control unit for controlling the irradiation unit to perform the second process, and the control unit is configured to perform the composition only by the first process. The distribution of the integrated dose of light produced on the composition by both the first treatment and the second treatment is more uniform than the distribution of the cumulative dose of light generated above. The irradiation unit is controlled.
本発明の更なる目的又はその他の側面は、以下、添付図面を参照して説明される好ましい実施形態によって明らかにされるであろう。 Further objects or other aspects of the present invention will become apparent from the preferred embodiments described below with reference to the accompanying drawings.
本発明によれば、例えば、基板上の組成物に照射する光の積算照射量を制御するのに有利な成形装置を提供することができる。 ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the shaping | molding apparatus advantageous in controlling the integrated irradiation amount of the light irradiated to the composition on a board | substrate can be provided, for example.
以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施の形態について説明する。なお、各図において、同一の部材については同一の参照番号を付し、重複する説明は省略する。 DESCRIPTION OF EXEMPLARY EMBODIMENTS Hereinafter, preferred embodiments of the invention will be described with reference to the accompanying drawings. In addition, in each figure, the same reference number is attached | subjected about the same member and the overlapping description is abbreviate | omitted.
図1は、本発明の一側面としてのインプリント装置100の構成を示す概略図である。インプリント装置100は、半導体デバイスや液晶表示素子の製造工程であるリソグラフィ工程に採用され、基板にパターンを形成するリソグラフィ装置である。インプリント装置100は、型(モールド、テンプレート)を用いて基板上の組成物を成形する成形処理を行う成形装置として機能する。本実施形態では、インプリント装置100は、基板上に供給されたインプリント材と型とを接触させ、インプリント材に硬化用のエネルギーを与えることにより、型の凹凸パターンが転写された硬化物のパターンを形成する。
FIG. 1 is a schematic diagram showing a configuration of an
インプリント材には、硬化用のエネルギーが与えられることによって硬化する硬化性組成物(未硬化状態の樹脂と呼ぶこともある)が用いられる。硬化用のエネルギーとしては、電磁波などが用いられる。電磁波としては、例えば、その波長が10nm以上1mm以下の範囲から選択される、赤外線、可視光線、紫外線などの光を用いる。 As the imprint material, a curable composition (also referred to as an uncured resin) that is cured when energy for curing is applied is used. As the energy for curing, electromagnetic waves or the like are used. As the electromagnetic wave, for example, light such as infrared rays, visible rays, and ultraviolet rays, whose wavelength is selected from a range of 10 nm to 1 mm is used.
硬化性組成物は、光の照射によって硬化する組成物である。光の照射によって硬化する光硬化性組成物は、重合性化合物と光重合開始剤とを少なくとも含有し、必要に応じて、非重合性化合物又は溶剤を含有してもよい。非重合性化合物は、増感剤、水素供与体、内添型離型剤、界面活性剤、酸化防止剤、ポリマー成分などの群から選択される少なくとも一種である。 A curable composition is a composition which hardens | cures by irradiation of light. The photocurable composition that is cured by light irradiation contains at least a polymerizable compound and a photopolymerization initiator, and may contain a non-polymerizable compound or a solvent as necessary. The non-polymerizable compound is at least one selected from the group consisting of a sensitizer, a hydrogen donor, an internal release agent, a surfactant, an antioxidant, and a polymer component.
インプリント材は、スピンコーターやスリットコーターによって基板上に膜状に付与されてもよい。また、インプリント材は、液体噴射ヘッドによって、液滴状、或いは、複数の液滴が繋がって形成された島状又は膜状で基板上に付与されてもよい。インプリント材の粘度(25℃における粘度)は、例えば、1mPa・s以上100mPa・s以下である。 The imprint material may be applied in the form of a film on the substrate by a spin coater or a slit coater. Further, the imprint material may be applied onto the substrate in the form of droplets by the liquid ejecting head, or in the form of islands or films formed by connecting a plurality of droplets. The imprint material has a viscosity (viscosity at 25 ° C.) of, for example, 1 mPa · s or more and 100 mPa · s or less.
基板には、ガラス、セラミックス、金属、半導体、樹脂などが用いられ、必要に応じて、その表面に基板とは別の材料からなる部材が形成されていてもよい。具体的には、基板は、シリコンウエハ、化合物半導体ウエハ、石英ガラスなどを含む。 For the substrate, glass, ceramics, metal, semiconductor, resin, or the like is used, and a member made of a material different from the substrate may be formed on the surface of the substrate, if necessary. Specifically, the substrate includes a silicon wafer, a compound semiconductor wafer, quartz glass, and the like.
インプリント装置100は、図1に示すように、定盤1と、フレーム2と、ダンパ3と、ステージ駆動部4と、基板ステージ5と、インプリントヘッド7と、照射部9と、制御部11と、スコープ15と、ユーザインタフェース20とを有する。また、本実施形態では、基板6の表面に平行な方向をXY平面とするXYZ座標系を用いて方向を示す。XYZ座標系におけるX軸、Y軸及びZ軸のそれぞれに平行な方向をX方向、Y方向及びZ方向とし、X軸周りの回転、Y軸周りの回転及びZ軸周りの回転のそれぞれをθX、θY及びθZとする。
As shown in FIG. 1, the
定盤1には、床からの振動をキャンセルするダンパ3を介して、フレーム2が設けられている。また、定盤1には、リニアモータなどを含むステージ駆動部4を介して、基板ステージ5も設けられている。基板ステージ5は、基板6を保持し、移動可能に構成されている。ステージ駆動部4は、定盤1の上面に沿って、基板ステージ5をX方向及びY方向に駆動する(移動させる)。基板ステージ5の位置は、干渉計やエンコーダなどを含む計測器によって計測され、制御部11を介して、ステージ駆動部4にフィードバックされる。
The
インプリントヘッド7は、フレーム2に設けられ、ヘッド駆動部(不図示)によってZ方向に駆動される(移動する)。インプリントヘッド7は、基板6に対向するように、型8を保持する。
The
照射部9は、基板上のインプリント材を硬化させるための光を照射する。照射部9は、本実施形態では、光源12と、光源12からの光を反射する反射ユニット13と、基板上のインプリント材への光の照射及び非照射を制御するためのシャッタ14とを含む。光源12からの光は、シャッタ14、反射ユニット13、インプリントヘッド7及び型8を介して、基板上のインプリント材に照射される。基板上のインプリント材を硬化させるために、かかるインプリント材に光を照射する処理を複数回行う場合、照射部9は、目的に応じた波長やパワー制御が可能な複数の光源12を含んでいてもよい。
The
型8には、基板6と対向する面に、基板上のインプリント材に転写すべき凹凸のパターンが形成されている。型8は、インプリントヘッド7(ヘッド駆動部)を介して、基板上のインプリント材に押し付けられたり、基板上のインプリント材から引き離されたりする。
In the
スコープ15は、基板上のインプリント材に型8を押し付ける際や基板上のインプリント材と型8とが接触している状態において、型8と基板6との相対位置を計測する。インプリント装置100では、型8と基板6との位置合わせ(アライメント)として、一般的に、ダイバイダイアライメント方式が用いられる。ダイバイダイアライメント方式では、基板上の複数のショット領域のそれぞれに設けられた複数のアライメントマークと、型8に設けられた複数のアライメントマークとを検出することで、型8と基板6との相対位置を計測する。スコープ15は、例えば、アライメントマークの像を検出するセンサと、センサ上にアライメントマークの像を形成する光学系とを含む。
The
インプリント装置100に搬入される基板6に供給されるインプリント材は、インプリント装置100に搬入される前に供給されてもよいし、インプリント装置100に搬入した後に供給されてもよい。基板6をインプリント装置100に搬入した後にインプリント材を供給する場合には、インプリント装置100は、インプリント材を吐出するディスペンサを有し、インプリント処理を行う前に、ディスペンサを介して、基板上にインプリント材が供給される。
The imprint material supplied to the
制御部11は、例えば、CPUやメモリなどを含むコンピュータで構成され、記憶部に記憶されたプログラムに従ってインプリント装置100の全体(動作)を制御する。制御部11は、インプリント装置100の各部を統括的に制御して、基板上のインプリント材と型8とを接触させた状態でインプリント材を硬化させ、硬化したインプリント材から型8を引き離すことで基板上にパターンを形成するインプリント処理を行う。
The
インプリント処理において、インプリント材を硬化させるためにインプリント材に照射すべき光の最適な積算照射量(露光量)は、インプリント材の特性、基板上のインプリント材の供給量、基板上に残存させるインプリント材の厚さなどから決定される。なお、インプリント材の特性は、例えば、固有波長の光に対する反応性、硬化性、吸収係数などを含む。 In the imprint process, the optimum integrated irradiation amount (exposure amount) of light to be applied to the imprint material to cure the imprint material is the characteristics of the imprint material, the supply amount of the imprint material on the substrate, the substrate It is determined from the thickness of the imprint material remaining on the surface. Note that the characteristics of the imprint material include, for example, reactivity to light having a specific wavelength, curability, absorption coefficient, and the like.
このような最適な積算照射量を決定するパラメータは、ユーザのプロセスに依存する。従って、本実施形態のインプリント装置100において、最適な積算照射量は、ユーザインタフェース20を介して、ユーザによって設定される。このように、ユーザインタフェース20は、最適な積算照射量をユーザが設定するための設定部として機能する。但し、ユーザは、最適な積算照射量を設定する代わりに、上述したような最適な積算照射量を決定するパラメータを設定してもよい。ユーザインタフェース20は、インプリント装置100(制御部11)とユーザとの間で情報を共有するためのインタフェースである。ユーザインタフェース20は、例えば、スイッチ、キーボード、ポインティングデバイス、タッチパネルなどを含む入力機器と、ディスプレイ、プリンタ、スピーカなどを含む出力機器とを含む。
Such a parameter for determining the optimum integrated dose depends on the user's process. Therefore, in the
図2を参照して、インプリント装置100におけるインプリント処理を含むジョブの流れを説明する。ジョブが開始されると、S2−1において、制御部11は、ユーザインタフェース20を介して設定された、インプリント材を硬化させるためにインプリント材に照射すべき光の最適な積算照射量を取得する。
With reference to FIG. 2, a job flow including imprint processing in the
次いで、S2−2において、インプリント装置100にマテリアルを搬入する。具体的には、基板6を搬送して基板ステージ5に保持させるとともに、型8を搬送してインプリントヘッド7に保持させる。
Next, in S <b> 2-2, the material is carried into the
インプリント装置100にマテリアルを搬入した後、S2−3において、型8と基板6との位置合わせを行う際の補正値(アライメント補正値)を求める。具体的には、基板ステージ5に対する基板6の位置誤差、インプリントヘッド7に対する型8の位置誤差、基板6や型8の設計誤差などをインプリント装置100で計測し、その計測結果をアライメント補正値とする。
After the material is carried into the
次に、S2−4において、基板上にインプリント材のパターンを形成するインプリント処理を行う。本実施形態におけるインプリント処理については、後で詳細に説明する。 Next, in S2-4, an imprint process for forming an imprint material pattern on the substrate is performed. The imprint process in this embodiment will be described in detail later.
インプリント処理を行った後、S2−5において、インプリント装置100からマテリアルを搬出(回収)する。具体的には、基板ステージ5からインプリント装置外に基板6を搬送するとともに、インプリントヘッド7からインプリント装置外に型8を搬送する。
After performing the imprint process, the material is carried out (collected) from the
図3を参照して、インプリント処理(S2−4)について詳細に説明する。インプリント処理が開始されると、S3−1において、押印処理が開始される。押印処理とは、基板上のインプリント材と型8とを接触させて(即ち、インプリント材を介して型8を基板6に押し付けて)、基板上のインプリント材を型8(のパターンの凹部)に充填する処理である。
The imprint process (S2-4) will be described in detail with reference to FIG. When the imprint process is started, the stamp process is started in S3-1. In the stamping process, the imprint material on the substrate is brought into contact with the mold 8 (that is, the
また、押印処理と並行して、S3−2において、位置合わせ処理が開始される。位置合わせ処理とは、型8と基板6との相対位置をスコープ15で計測し、かかる計測結果に基づいて、インプリントヘッド7や基板ステージ5を駆動して、型8と基板6との位置合わせを行う処理である。本実施形態において、基板ステージ5、インプリントヘッド7及びスコープ15は、型8と基板6との位置合わせを行うための位置合わせ部として機能する。
In parallel with the stamping process, the alignment process is started in S3-2. In the alignment processing, the relative position between the
更に、押印処理や位置合わせ処理と並行して、S3−3において、事前照射処理が開始される。事前照射処理とは、基板上のインプリント材と型8とが接触している状態で、基板上のインプリント材を完全に硬化させることなく、基板上のインプリント材の粘度(硬度)を高めるように、照射部9からインプリント材に光を照射する処理(第1処理)である。事前照射処理は、インプリント材が硬化する光の波長を短時間(若干量)照射してインプリント材の粘度を高め、基板ステージ5などの振動を吸収し、型8と基板6との位置合わせ精度を向上させることを目的としている。
Further, in parallel with the stamp process and the alignment process, the pre-irradiation process is started in S3-3. The pre-irradiation treatment means that the imprint material on the substrate is in contact with the
インプリント材は、上述したように、光重合開始剤を含む。光重合開始剤は、照射された光のエネルギー(積算照射量)がある一定量に達すると活性化し、他の組成物の重合や反応を引き起こす。事前照射処理は、インプリント材に照射する光の積算照射量が一定量に達したときのゲル化点(液体から固体に変化する境界)の状態を利用するものである。 As described above, the imprint material includes a photopolymerization initiator. The photopolymerization initiator is activated when the energy of the irradiated light (integrated irradiation amount) reaches a certain amount, and causes polymerization or reaction of other compositions. The pre-irradiation process uses the state of the gel point (boundary changing from liquid to solid) when the cumulative amount of light irradiated to the imprint material reaches a certain amount.
押印処理、位置合わせ処理及び事前照射処理が終了すると、S3−4において、硬化処理が開始される。硬化処理とは、事前照射処理の後に、基板上のインプリント材と型8とが接触している状態で、基板上のインプリント材を硬化させるように、照射部9からインプリント材に光を照射する処理(第2処理)である。本実施形態では、硬化処理でインプリント材に照射する光の積算照射量が、S2−1で取得した最適な積算照射量から事前照射処理でインプリント材に照射する光の積算照射量を差し引いた値となるように、照射部9を制御する。具体的には、S2−1で取得した最適な積算照射量を、事前照射処理でインプリント材に与える積算照射量と硬化処理でインプリント材に与える積算照射量とに分配する。これにより、事前照射処理でインプリント材に照射される光の積算照射量と、硬化処理でインプリント材に照射される光の積算照射量との和が最適な積算照射量となり、基板上のインプリント材に対して最適な積算照射量を与えることができる。
When the stamping process, the alignment process, and the pre-irradiation process are completed, the curing process is started in S3-4. In the curing process, after the pre-irradiation process, the imprint material on the substrate and the
ここで、本実施形態とは異なり、最適な積算照射量から事前照射処理でインプリント材に照射する光の積算照射量を差し引かずに、硬化処理でインプリント材に照射する光の積算照射量が、最適な積算照射量となるように、照射部9を制御する場合を考える。この場合、ユーザが設定した最適な積算照射量に対して、事前照射処理でインプリント材に照射された光の積算照射量が過剰に照射されることなる。基板上のインプリント材に対して、光が最適な積算照射量を超えて過剰に照射されると、その過剰な照射量に応じて、基板上に形成されるパターンの欠陥数が増加してしまう。これは、基板上のインプリント材に対して過剰な光が照射されることでインプリント材の硬度が所期の硬度よりも高くなるためである。これにより、基板上に形成されるパターンの表面に劣化が生じたり、基板上の硬化したインプリント材から型8を円滑に引き離すことができず、基板上に形成されるパターンが崩れてしまったりする。
Here, unlike this embodiment, the integrated dose of light irradiated to the imprint material in the curing process without subtracting the integrated dose of light irradiated to the imprint material in the preliminary irradiation process from the optimum integrated dose. However, the case where the
硬化処理が終了すると、S3−5において、離型処理が開始される。離型処理とは、基板上の硬化したインプリント材から型8を引き離す処理である。このように、押印処理、位置合わせ処理及び事前照射処理と、硬化処理と、離型処理とを経て、基板上にインプリント材のパターンが形成される。
When the curing process is completed, a mold release process is started in S3-5. The mold release process is a process of separating the
本実施形態では、事前照射処理(S3−3)を行うことで、インプリント装置100のスループットに有利な第1モード、及び、型8と基板6との位置合わせ精度に有利な第2モードのいずれか一方で、位置合わせ処理(S3−2)を行うことができる。ここで、第1モードは、型8と基板6との位置合わせを行うために予め設定された設定時間で位置合わせを行うモードであり、第2モードは、設定時間に事前照射処理を行う時間を加算した時間で位置合わせを行うモードである。
In the present embodiment, by performing the pre-irradiation process (S3-3), the first mode advantageous for the throughput of the
図4を参照して、位置合わせ処理における第1モード及び第2モードについて説明する。ここでは、シャッタ14の開口時間を変更することによって、基板上のインプリント材に照射する光の積算照射量を制御する場合を例に説明する。図4には、インプリント装置100にデフォルトで設定されている位置合わせの処理及び硬化処理のそれぞれの開始タイミング及び終了タイミングも示している。図4を参照するに、第1モードは、デフォルトで設定された硬化処理の終了タイミングを早めるモードであり、第2モードは、デフォルトで設定された位置合わせ処理の終了タイミングを遅らせるモードであるともいえる。
The first mode and the second mode in the alignment process will be described with reference to FIG. Here, a case will be described as an example in which the integrated irradiation amount of light applied to the imprint material on the substrate is controlled by changing the opening time of the
図4において、横軸は、インプリント処理における時間を示している。インプリント処理を行うことを許容する時間は、ユーザによって予め設定されており、かかる時間内で、位置合わせ処理と硬化処理とが行われる。本実施形態では、位置合わせ処理と並行して事前照射処理が行われる場合を例に第1モード及び第2モードを説明するが、事前照射処理を行うタイミングはこれに限定されず、位置合わせ処理が終了するまでに行えばよい。 In FIG. 4, the horizontal axis indicates the time in the imprint process. The time allowed to perform the imprint process is set in advance by the user, and the alignment process and the curing process are performed within this time. In the present embodiment, the first mode and the second mode will be described as an example in which the pre-irradiation process is performed in parallel with the alignment process. However, the timing of performing the pre-irradiation process is not limited to this, and the alignment process is performed. Can be done by the end of.
第1モードでは、図4に示すように、位置合わせの時間は、デフォルトで設定された時間(位置合わせを行うために予め設定された設定時間)とし、硬化処理の開始タイミングを、事前照射処理を行う時間の分だけ早めている。これにより、位置合わせ処理の時間を確保しながら、インプリント処理に要する時間を短縮することができる。従って、基板上のインプリント材に対して最適な積算照射量を与えながら、インプリント装置100のスループット(単位時間あたりの処理性能)を向上させることができる。
In the first mode, as shown in FIG. 4, the alignment time is set as a default time (a preset time that is set in advance for alignment), and the start timing of the curing process is set in advance irradiation processing. The time to do is advanced. Thereby, it is possible to reduce the time required for the imprint process while securing the time for the alignment process. Therefore, it is possible to improve the throughput (processing performance per unit time) of the
一方、第2モードでは、図4に示すように、位置合わせ処理から硬化処理を終了するまでの時間は、デフォルトで設定された時間とし、位置合わせ処理の時間を、デフォルトで設定された時間に事前照射処理を行う時間を加算した時間としている。 On the other hand, in the second mode, as shown in FIG. 4, the time from the alignment process to the end of the curing process is set to the default time, and the alignment process time is set to the default time. The time for performing the pre-irradiation process is added.
ここで、位置合わせ処理と時間との関係について説明する。位置合わせ処理では、型8と基板6との相対位置(ずれ量)をスコープ15で計測し、型8と基板6とのずれ量がゼロとなるように、インプリントヘッド7や基板ステージ5を駆動して型8と基板6との相対位置を調整する。このような処理を、位置合わせ処理を許容する時間内で繰り返し行う。
Here, the relationship between the alignment process and time will be described. In the alignment process, the relative position (deviation amount) between the
位置合わせ処理の時間は、インプリント装置100のスループットに影響するため、スループットの観点では、短時間に設定することが望ましい。但し、型8と基板6との組み合わせなどによっては、位置合わせ処理に長時間を要する場合がある。例えば、インプリントヘッド7に保持された型8と、基板ステージ5に保持された基板6との相対位置が大きくずれている場合である。このような場合、型8と基板6とを位置合わせするために、インプリントヘッド7や基板ステージ5において駆動時間が必要となる。また、基板上に形成されているプロセス膜によっては、スコープ15からの光の波長に対して透過率や反射率が低く、基板6の位置を計測するのに時間がかかる場合もある。
Since the alignment processing time affects the throughput of the
従って、第2モードのように、位置合わせ処理の時間を、事前照射処理を行う時間の分だけ長くすることは、型8と基板6との位置合わせが困難な場合に有利となる。従って、第2モードでは、基板上のインプリント材に対して最適な積算照射量を与えながら、安定した位置合わせ精度を確保することができる。
Therefore, as in the second mode, it is advantageous to make the alignment processing time longer by the time required for the pre-irradiation processing when alignment between the
本実施形態のインプリント装置100において、位置合わせ処理を第1モード及び第2モードのいずれかで行うかは、ユーザインタフェース20を介して、ユーザによって選択される。このように、ユーザインタフェース20は、第1モード又は第2モードをユーザが選択するための選択部としても機能する。位置合わせ処理を第1モードで行うのか、或いは、第2モードで行うかをユーザによって選択可能にすることで、製品に合わせた設定が可能となる。例えば、高速、且つ、大量にインプリント処理を行いたい製品に対しては第1モードを選択し、位置合わせを重視する製品に対しては第2モードを選択することが可能となる。
In the
また、シャッタ14の開口時間の代わりに、光源12の出力を変更することによって、基板上のインプリント材に照射する光の積算照射量を制御することも可能である。例えば、光源12が紫外線(UV)を照射するUVランプである場合、UVランプにかける負荷(ランプ負荷)を変更することによって、UVランプの出力、即ち、UV照度(強度)を調整することができる。従って、ランプ負荷と、そのときのUV照度との関係を示すデータを予め取得しておくことで、所定のUV照度に変更することが可能となる。事前照射処理及び硬化処理のそれぞれで基板上のインプリント材に照射する積算照射量が変更された場合に、上述したデータに基づいて、ランプ負荷を変更することで、それぞれの積算照射量に対応することができる。
In addition, by changing the output of the
また、インプリント装置100において、照射部9は、図5に示すように、照射パターン形成部16を更に含んでいてもよい。光源12からの光は、シャッタ14、反射ユニット13、照射パターン形成部16、インプリントヘッド7及び型8を介して、基板上のインプリント材に照射される。
In the
照射パターン形成部16は、本実施形態では、デジタルミラーデバイスなどの空間光変調素子を含む。照射パターン形成部16は、2次元的(格子状)に配列された複数のミラー素子を含み、制御部11の制御下において、複数のミラー素子のそれぞれで反射された光を選択的に基板上のインプリント材に照射して任意の照射パターン(照度分布)を形成する。なお、照射部9が複数の光源12を含む場合には、光源12と同じ数の照射パターン形成部16を含んでいてもよいし、単一の照射パターン形成部16に対して複数の光源12の光路を共通化してもよい。
In this embodiment, the irradiation
図5に示すインプリント装置100では、事前照射処理(S3−3)や硬化処理(S3−4)において、照射パターン形成部16によって、所定の照度パターンで基板上のインプリント材を照射することができる。換言すれば、型8に接触しているインプリント材の接触領域のうちの一部の領域のみに光が照射されるように、照射パターン形成部16(照射部9)を制御することができる。
In the
ここで、事前照射処理の目的、及び、事前照射処理で照度分布を有する光でインプリント材を照射する目的について説明する。事前照射処理の目的は、上述したように、インプリント材をある一定の粘度まで高めることで、位置合わせ処理時の振動を抑制することである。また、他の目的として、型8に接触しているインプリント材の接触領域のうちの一部の領域のみを位置合わせ処理の前に硬化させることによって、インプリント材に型8を押し付ける際の圧力でインプリント材が型8の外側に漏れ出ることを抑制することもある。
Here, the purpose of the pre-irradiation process and the purpose of irradiating the imprint material with light having an illuminance distribution in the pre-irradiation process will be described. The purpose of the pre-irradiation process is to suppress vibration during the alignment process by increasing the imprint material to a certain viscosity as described above. Further, as another object, when the
但し、事前照射処理を行うことで不都合も発生する。インプリント装置100では、基板上のインプリント材に型8を接触させることによって、インプリント材を型8のパターンの形状に成形する。従って、押印処理を行っている間に事前照射処理が行われた場合、基板上のインプリント材の粘度が高くなるため、押印処理におけるインプリント材の広がりやすさが低下することになる。これは、押印処理において、基板上のインプリント材が型8のパターンの形状に成形されることを阻害する要因となる。
However, inconvenience occurs when the pre-irradiation process is performed. In the
事前照射処理において、型8に接触しているインプリント材の接触領域の全領域に光を照射すると、上述したように、インプリント材の広がりやすさが低下し、型8に対するインプリント材の充填が不十分なまま硬化処理が行われてしまう。この場合、基板上に形成されるパターンに欠陥が発生することになる。従って、事前照射処理では、型8に接触しているインプリント材の接触領域のうちの一部の領域に限定して光を照射したり、基板上のインプリント材を所定の照度パターン(面内で照度分布を有する光)で照射したりするとよい。そして、硬化処理では、事前照射処理でインプリント材に照射された光の照度分布を考慮して、インプリント材に対して最適な積算照射量を与えるように、インプリント材に照射する光の照度分布を制御する。
In the pre-irradiation process, when light is applied to the entire contact area of the imprint material that is in contact with the
例えば、図6に示すように、事前照射処理において、型8に接触しているインプリント材の接触領域CNのうちの一部の領域、具体的には、接触領域CNの外周領域PRに光を照射する場合を考える。また、基板上のインプリント材に照射すべき光の最適積算照射量を60mJ/cm2とする。
For example, as shown in FIG. 6, in the pre-irradiation process, light is applied to a part of the contact area CN of the imprint material that is in contact with the
なお、事前照射処理で基板上のインプリント材に照射する光の積算照射量や照度分布は、上述したように、その目的により様々である。本実施形態では、事前照射処理でインプリント材に照射する光が照度分布を有することを前提とする。そこで、事前照射処理でインプリント材に照射する光の積算露光量や照度分布の決定方法の説明は省略し、事前照射処理でインプリント材に照射する光の照度、照度分布及び照射時間が指定されている場合を例として説明する。 Note that, as described above, the integrated irradiation amount and the illuminance distribution of light applied to the imprint material on the substrate in the pre-irradiation process vary depending on the purpose. In the present embodiment, it is assumed that the light applied to the imprint material in the pre-irradiation process has an illuminance distribution. Therefore, the explanation of the method for determining the integrated exposure amount and illuminance distribution of the light that is applied to the imprint material in the pre-irradiation process is omitted, and the illuminance, illuminance distribution, and irradiation time of the light that is applied to the imprint material in the pre-irradiation process are specified. An example will be described.
図6を参照するに、事前照射処理において、型8に接触しているインプリント材の接触領域CNのうち、外周領域PRには、第1照度の光を照射し、外周領域PRを除く中央領域CRには、第2照度の光を照射する。本実施形態では、事前照射処理でインプリント材に光を照射する照射時間を0.2秒とし、第1照度を10mW/cm2、第2照度を50mW/cm2とする。
Referring to FIG. 6, in the pre-irradiation process, out of the contact area CN of the imprint material in contact with the
積算照射量は、照度と照射時間との積によって求められるため、事前露光処理で基板上のインプリント材、即ち、接触領域CNに照射される積算照射量は、外周領域PR及び中央領域CRのそれぞれで以下となる。
事前照射処理で外周領域PRに照射される光の積算照射量:
10(mW/cm2)×0.2(秒)=2(mJ/cm2)
事前照射処理で中央領域CRに照射される光の積算照射量:
50(mW/cm2)×0.2(秒)=10(mJ/cm2)
このように、事前照射処理では、外周領域PRには2mJ/cm2の積算照射量が与えられ、中央領域CRには10mJ/cm2の積算照射量が与えられることになる。
Since the integrated irradiation amount is obtained by the product of the illuminance and the irradiation time, the integrated irradiation amount irradiated to the imprint material on the substrate, that is, the contact region CN in the pre-exposure processing, is determined in the outer peripheral region PR and the central region CR. Each is as follows.
Integrated irradiation amount of light irradiated on the outer peripheral region PR in the pre-irradiation process:
10 (mW / cm 2 ) × 0.2 (seconds) = 2 (mJ / cm 2 )
Integrated irradiation amount of light irradiated to the central region CR in the pre-irradiation process:
50 (mW / cm 2 ) × 0.2 (seconds) = 10 (mJ / cm 2 )
Thus, by pre-irradiation process, the outer peripheral region PR given integrated irradiation dose of 2 mJ / cm 2, it would be given the integrated irradiation dose of 10 mJ / cm 2 in the central region CR.
そこで、硬化処理で外周領域PR及び中央領域CRのそれぞれに照射する光の積算照射量を以下のようにする。本実施形態では、硬化処理でインプリント材に光を照射する照射時間を0.4秒とする。
硬化処理で外周領域PRに照射する光の積算照射量:
(60(mJ/cm2)−2(mJ/cm2))/0.4(秒)=145(mW/cm2)
硬化処理で中心領域CRに照射する光の積算照射量:
(60(mJ/cm2)−10(mJ/cm2))/0.4(秒)=125(mW/cm2)
このように、硬化処理において、外周領域PRには145mW/cm2の積算照射量が与えられ、中央領域CRには125mW/cm2の積算照射量が与えられるように、照射部9を制御する。これにより、ユーザによって設定された最適積算照射量である60mJ/cm2を基板上のインプリント材、即ち、接触領域CNに与えることができる。
Therefore, the integrated irradiation amount of light irradiated to each of the outer peripheral region PR and the central region CR in the curing process is set as follows. In this embodiment, the irradiation time for irradiating the imprint material with light in the curing process is set to 0.4 seconds.
Integrated irradiation amount of light applied to the outer peripheral region PR in the curing process:
(60 (mJ / cm 2 ) -2 (mJ / cm 2 )) / 0.4 (seconds) = 145 (mW / cm 2 )
Integrated irradiation amount of light irradiated to the center region CR in the curing process:
(60 (mJ / cm 2 ) −10 (mJ / cm 2 )) / 0.4 (seconds) = 125 (mW / cm 2 )
Thus, in the curing process, the outer peripheral region PR given integrated irradiation dose of 145 mW / cm 2, so the central region CR is given integrated irradiation dose of 125 mW / cm 2, and controls the
また、本実施形態では、事前照射処理において、外周領域PR及び中央領域CRのそれぞれに光を照射する場合について説明したが、これに限定されるものではない。例えば、事前照射処理において、外周領域RPのみに光を照射し、中央領域CRには光を照射しないようにしてもよい。この場合、硬化処理において、外周領域PRに照射する光の積算照射量が、最適積算照射量から事前照射処理でインプリント材に照射する光の積算照射量を差し引いた値とし、且つ、中央領域CRに照射する光の積算照射量が、最適積算照射量となるようにする。 Moreover, although this embodiment demonstrated the case where light was irradiated to each of the outer periphery area | region PR and the center area | region CR in a prior irradiation process, it is not limited to this. For example, in the pre-irradiation process, only the outer peripheral region RP may be irradiated with light, and the central region CR may not be irradiated with light. In this case, in the curing process, the integrated irradiation amount of light applied to the outer peripheral region PR is a value obtained by subtracting the integrated irradiation amount of light applied to the imprint material in the preliminary irradiation process from the optimal integrated irradiation amount, and the central region. The integrated irradiation amount of light applied to the CR is set to the optimum integrated irradiation amount.
これまでは、硬化処理でインプリント材に照射する光の積算照射量が、最適積算照射量から事前照射処理でインプリント材に照射する光の積算照射量を差し引いた値となるように照射部9を制御する場合について説明した。このような制御は、事前照射処理のみによってインプリント材上(組成物上)に生じる光の積算照射量の分布よりも、事前照射処理及び硬化処理の両者によってインプリント材上に生じる光の積算照射量の分布の方が、均一に近くなるようにしているともいえる。 Until now, the irradiation unit so that the integrated irradiation amount of light applied to the imprint material in the curing process is a value obtained by subtracting the integrated irradiation amount of light applied to the imprint material in the preliminary irradiation process from the optimum integrated irradiation amount. The case where 9 is controlled has been described. Such control is based on the integration of light generated on the imprint material by both the pre-irradiation process and the curing process, rather than the distribution of the integrated irradiation amount of light generated on the imprint material (on the composition) only by the pre-irradiation process. It can also be said that the distribution of the irradiation amount is made closer to uniform.
この場合、照射部9を制御する制御部11は、光源12の発光量を制御してもよいし、光源12から基板6に至る光路上の絞り等の光量調整装置を制御してもよいし、光源12からの光の基板6への照射時間を制御してもよい。また、これらを組み合わせてもよい。積算照射量の分布が均一である状態は、基板上のショット領域のいずれの場所においても、同じ積算照射量の光が照射された状態を意味する。特に、規定された積算照射量、即ち、組成物を成形する(固める)のに適した量の光が、基板上のショット領域のいずれの場所においても照射された状態であることが望ましい。但し、ショット領域の90%(好ましくは95%)以上の領域内において、最大の積算照射量の85%(好ましくは90%)以上の積算照射量の光が照射されていれば、本実施形態と同等の効果が得られるものとみなす。
In this case, the
インプリント装置100を用いて形成した硬化物のパターンは、各種物品の少なくとも一部に恒久的に、或いは、各種物品を製造する際に一時的に、用いられる。物品とは、電気回路素子、光学素子、MEMS、記録素子、センサ、或いは、型などである。電気回路素子としては、DRAM、SRAM、フラッシュメモリ、MRAMなどの揮発性又は不揮発性の半導体メモリや、LSI、CCD、イメージセンサ、FPGAなどの半導体素子などが挙げられる。型としては、インプリント用のモールドなどが挙げられる。
The pattern of the cured product formed using the
硬化物のパターンは、上述の物品の少なくとも一部の構成部材として、そのまま用いられるか、或いは、レジストマスクとして一時的に用いられる。基板の加工工程においてエッチング又はイオン注入などが行われた後、レジストマスクは除去される。 The pattern of the cured product is used as it is as a constituent member of at least a part of the above-mentioned article, or temporarily used as a resist mask. After etching or ion implantation is performed in the substrate processing step, the resist mask is removed.
次に、物品の具体的な製造方法について説明する。図7(a)に示すように、絶縁体などの被加工材が表面に形成されたシリコンウエハなどの基板6を用意し、続いて、インクジェット法などにより、被加工材の表面にインプリント材を付与する。ここでは、複数の液滴状になったインプリント材が基板上に付与された様子を示している。
Next, a specific method for manufacturing an article will be described. As shown in FIG. 7A, a
図7(b)に示すように、インプリント用の型8を、その凹凸パターンが形成された側を基板上のインプリント材に向け、対向させる。図7(c)に示すように、インプリント材が付与された基板6と型8とを接触させ、圧力を加える。インプリント材は、型8と被加工材との隙間に充填される。この状態で硬化用のエネルギーを型8を介して照射すると、インプリント材は硬化する。
As shown in FIG. 7B, the
図7(d)に示すように、インプリント材を硬化させた後、型8と基板6を引き離すと、基板上にインプリント材の硬化物のパターンが形成される。この硬化物のパターンは、型8の凹パターンが硬化物の凸部に、型8の凸パターンが硬化物の凹部に対応した形状になっており、即ち、インプリント材に型8の凹凸パターンが転写されたことになる。
As shown in FIG. 7D, after the imprint material is cured, when the
図7(e)に示すように、硬化物のパターンを耐エッチングマスクとしてエッチングを行うと、被加工材の表面のうち、硬化物がない、或いは、薄く残存した部分が除去され、溝となる。図7(f)に示すように、硬化物のパターンを除去すると、被加工材の表面に溝が形成された物品を得ることができる。ここでは、硬化物のパターンを除去したが、加工後も除去せずに、例えば、半導体素子などに含まれる層間絶縁用の膜、即ち、物品の構成部材として利用してもよい。 As shown in FIG. 7E, when etching is performed using the pattern of the cured product as an anti-etching mask, a portion of the surface of the workpiece that has no cured product or remains thin is removed to form a groove. . As shown in FIG. 7 (f), when the pattern of the cured product is removed, an article having grooves formed on the surface of the workpiece can be obtained. Here, the pattern of the cured product is removed, but it may be used as, for example, an interlayer insulating film included in a semiconductor element, that is, a constituent member of an article without being removed after processing.
なお、本実施形態では、型8として、凹凸パターンを設けた回路パターン転写用の型について説明したが、型8は、凹凸パターンがない平面部を有する型(平面テンプレート)であってもよい。平面テンプレートは、平面部によって基板上の組成物を平坦化するように成形する平坦化処理(成形処理)を行う平坦化装置(成形装置)に用いられる。平坦化処理は、基板上に供給された硬化性組成物に平面テンプレートの平面部を接触させた状態で、光の照射によって、或いは、加熱によって硬化性組成物を硬化させる工程を含む。このように、本実施形態は、平面テンプレートを用いて基板上の組成物を成形する成形装置に適用することができる。
In the present embodiment, a circuit pattern transfer mold provided with a concavo-convex pattern has been described as the
基板上の下地パターンは、前工程で形成されたパターンに起因する凹凸プロファイルを有し、特に、近年のメモリ素子の多層構造化に伴い、基板(プロセスウエハ)は、100nm前後の段差を有することもある。基板全体の緩やかなうねりに起因する段差は、フォトリソグラフィ工程で用いられている露光装置(スキャナー)のフォーカス追従機能によって補正可能である。但し、露光装置の露光スリット面積内に収まるピッチの細かい凹凸は、そのまま露光装置の焦点深度(DOF:Depth Of Focus)を消費してしまう。基板の下地パターンを平滑化する従来技術として、SOC(Spin On Carbon)やCMP(Chemical Mechanical Polishing)などの平坦化層を形成する技術が用いられている。しかしながら、従来技術では、図8(a)に示すように、孤立パターン領域Aと繰り返しDense(ライン&スペースパターンの密集)パターン領域Bとの境界部分において、40%〜70%の凹凸抑制率しか得られず、十分な平坦化性能が得られない。また、今後、多層化による下地パターンの凹凸差は更に増加する傾向にある。 The underlying pattern on the substrate has a concavo-convex profile resulting from the pattern formed in the previous process, and in particular, the substrate (process wafer) has a step of about 100 nm with the recent multi-layer structure of memory elements. There is also. The level difference caused by the gentle undulation of the entire substrate can be corrected by the focus tracking function of the exposure apparatus (scanner) used in the photolithography process. However, fine unevenness with a pitch that falls within the exposure slit area of the exposure apparatus consumes the depth of focus (DOF) of the exposure apparatus as it is. As a conventional technique for smoothing a base pattern of a substrate, a technique for forming a planarizing layer such as SOC (Spin On Carbon) or CMP (Chemical Mechanical Polishing) is used. However, in the prior art, as shown in FIG. 8A, at the boundary portion between the isolated pattern region A and the repetitive dense (dense line and space pattern) pattern region B, the unevenness suppression rate is only 40% to 70%. It cannot be obtained, and sufficient planarization performance cannot be obtained. Further, in the future, the unevenness difference of the base pattern due to the multilayering tends to further increase.
この問題に対する解決策として、米国特許第9415418号には、平坦化層となるレジストのインクジェットディスペンサによる塗布と平面テンプレートによる押印で連続膜を形成する技術が提案されている。また、米国特許第8394282号には、基板側のトポグラフィ計測結果をインクジェットディスペンサによって塗布指示する位置ごとの濃淡情報に反映する技術が提案されている。インプリント装置100は、特に、予め塗布された未硬化のレジストに対して、型8の代わりに平面テンプレートを押し当てて基板面内の局所平面化を行う平坦加工(平坦化)装置として適用することができる。
As a solution to this problem, US Pat. No. 9,415,418 proposes a technique for forming a continuous film by applying a resist to be a flattening layer with an ink jet dispenser and imprinting with a flat template. Further, US Pat. No. 8,394,282 proposes a technique for reflecting the topography measurement result on the substrate side in the light and shade information for each position where application is instructed by an ink jet dispenser. In particular, the
図8(a)は、平坦化加工を行う前の基板を示している。孤立パターン領域Aは、パターン凸部分の面積が少ない。繰り返しDenseパターン領域Bにおいて、パターン凸部分の占める面積と、パターン凹部分の占める面積とは、1:1である。孤立パターン領域Aと繰り返しDenseパターン領域Bの平均の高さは、パターン凸部分の占める割合で異なった値となる。 FIG. 8A shows the substrate before flattening. In the isolated pattern region A, the area of the pattern convex portion is small. In the repeated dense pattern region B, the area occupied by the pattern convex portion and the area occupied by the pattern concave portion are 1: 1. The average height of the isolated pattern area A and the repeated dense pattern area B has different values depending on the ratio of the pattern convex portions.
図8(b)は、基板に対して平坦化層を形成するレジストを塗布した状態を示している。図8(b)には、米国特許第9415418号に提案された技術に基づいてインクジェットディスペンサによってレジストを塗布した状態を示しているが、レジストの塗布には、スピンコーターを用いてもよい。換言すれば、予め塗布された未硬化のレジストに対して平面テンプレートを押し付けて平坦化する工程を含んでいれば、インプリント装置100が適用可能である。
FIG. 8B shows a state in which a resist for forming a planarization layer is applied to the substrate. FIG. 8B shows a state in which a resist is applied by an ink jet dispenser based on the technique proposed in US Pat. No. 9,415,418. A spin coater may be used for applying the resist. In other words, the
図8(c)に示すように、平面テンプレートは、紫外線を透過するガラス又は石英で構成され、光源からの紫外線の照射によってレジストが硬化する。平面テンプレートは、基板全体のなだらかな凹凸に対しては基板表面のプロファイルに倣う。そして、レジストが硬化した後、図8(d)に示すように、レジストから平面テンプレートを引き離す。 As shown in FIG. 8C, the planar template is made of glass or quartz that transmits ultraviolet rays, and the resist is cured by irradiation of ultraviolet rays from a light source. The planar template follows the profile of the substrate surface for the gentle irregularities of the entire substrate. Then, after the resist is cured, the planar template is pulled away from the resist as shown in FIG.
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されないことはいうまでもなく、その要旨の範囲内で種々の変形及び変更が可能である。 As mentioned above, although preferable embodiment of this invention was described, it cannot be overemphasized that this invention is not limited to these embodiment, A various deformation | transformation and change are possible within the range of the summary.
100:インプリント装置 6:基板 8:型 9:照射部 11:制御部 100: Imprint device 6: Substrate 8: Mold 9: Irradiation unit 11: Control unit
Claims (16)
前記組成物を硬化させるための光を照射する照射部と、
前記組成物と前記型とが接触した状態において、前記組成物の粘度を高めるように前記光を前記組成物に照射する第1処理と、前記第1処理の後に前記組成物を硬化させるように前記光を前記組成物に照射する第2処理と、を行うように、前記照射部を制御する制御部と、
を有し、
前記制御部は、前記第1処理のみによって前記組成物上に生じる前記光の積算照射量の分布よりも、前記第1処理及び前記第2処理の両者によって前記組成物上に生じる前記光の積算照射量の分布の方が、均一に近くなるように、前記照射部を制御することを特徴とする成形装置。 A molding apparatus for molding a composition on a substrate using a mold,
An irradiation unit for irradiating with light for curing the composition;
In a state where the composition and the mold are in contact, a first treatment for irradiating the composition with the light so as to increase the viscosity of the composition, and the composition is cured after the first treatment. A control unit that controls the irradiation unit to perform a second process of irradiating the composition with the light;
Have
The control unit integrates the light generated on the composition by both the first process and the second process, rather than the distribution of the integrated dose of the light generated on the composition only by the first process. A molding apparatus, wherein the irradiation unit is controlled so that a distribution of an irradiation amount becomes closer to uniform.
前記制御部は、
前記第1処理と並行して前記位置合わせが行われるように、前記位置合わせ部を制御し、
前記位置合わせの後に前記第2処理が行われるように、前記照射部を制御することを特徴とする請求項1又は2に記載の成形装置。 An alignment unit for aligning the mold and the substrate;
The controller is
Controlling the alignment unit so that the alignment is performed in parallel with the first process;
The molding apparatus according to claim 1, wherein the irradiation unit is controlled such that the second process is performed after the alignment.
前記制御部は、前記シャッタによって前記第2処理を開始するタイミングを制御することを特徴とする請求項4又は5に記載の成形装置。 The irradiation unit includes a shutter for controlling irradiation and non-irradiation of the light to the composition,
The molding apparatus according to claim 4, wherein the control unit controls a timing at which the second process is started by the shutter.
前記組成物と前記型とが接触した状態において、前記組成物の粘度を高めるように光を前記組成物に照射する第1処理を行う工程と、
前記第1処理の後に前記組成物を硬化させるように光を前記組成物に照射する第2処理を行う工程と、
を有し、
前記第1処理のみによって前記組成物上に生じる前記光の積算照射量の分布よりも、前記第1処理及び前記第2処理の両者によって前記組成物上に生じる前記光の積算照射量の分布の方が、均一に近くなるように、前記第1処理及び前記第2処理を制御することを特徴とする成形方法。 A molding method for molding a composition on a substrate using a mold,
Performing a first treatment of irradiating the composition with light so as to increase the viscosity of the composition in a state where the composition and the mold are in contact with each other;
Performing a second treatment of irradiating the composition with light so as to cure the composition after the first treatment;
Have
Rather than the distribution of the integrated dose of light produced on the composition by only the first treatment, the distribution of the cumulative dose of light produced on the composition by both the first treatment and the second treatment. The molding method is characterized in that the first process and the second process are controlled so that the directions are substantially uniform.
前記工程で前記パターンが形成された前記基板を処理する工程と、
処理された前記基板から物品を製造する工程と、
を有することを特徴とする物品の製造方法。 Forming a pattern on a substrate using the molding apparatus according to claim 13;
Processing the substrate on which the pattern is formed in the step;
Producing an article from the treated substrate;
A method for producing an article comprising:
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