JP2019211573A - Varnish for photo-alignment film and liquid crystal display device - Google Patents

Varnish for photo-alignment film and liquid crystal display device Download PDF

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Abstract

To provide a varnish for forming a photo-alignment film that can prevent or suppress a DC afterimage and flickers in low-frequency driving in a liquid crystal display device.SOLUTION: A varnish for a photo-alignment film comprises a first polyamide acid-based compound and a second polyamide acid-based compound having higher polarity than that of the first polyamide acid-based compound in an organic solvent. The second polyamide acid-based compound is present in a larger amount than the first polyamide acid-based compound. The first polyamide acid-based compound contains: a skeleton derived from a tetracarboxylic acid compound having a cyclobutane skeleton, by 50 mol% or more; and a skeleton derived from a diamine compound having a primary amino group, a secondary amino group or a nitro group, by 10 mol% or less. The second polyamide acid-based compound contains: a skeleton derived from a tetracarboxylic acid compound having a cyclobutane skeleton, by 20 mol% or less; a skeleton derived from a pyromellitic acid dianhydride, by 10 mol% or less; and a skeleton derived from a diamine compound having a primary amino group, a secondary amino group or a nitro group, by 10 mol% or less.SELECTED DRAWING: None

Description

本発明は、光配向膜用ワニス及び液晶表示装置に関する。   The present invention relates to a varnish for a photo-alignment film and a liquid crystal display device.

液晶表示装置は、画素電極、薄膜トランジスタ(TFT)等がマトリクス状に形成された第1基板と、第1基板と離間対向して配置された、カラーフィルタ等が形成された第2基板を備える。第1基板と第2基板の間には、液晶が封入されている。液晶は、第1基板及び第2基板にそれぞれ設けられた配向膜により配向される。   The liquid crystal display device includes a first substrate on which pixel electrodes, thin film transistors (TFTs) and the like are formed in a matrix, and a second substrate on which a color filter and the like are disposed so as to be spaced apart from the first substrate. Liquid crystal is sealed between the first substrate and the second substrate. The liquid crystal is aligned by alignment films provided on the first substrate and the second substrate, respectively.

配向膜には、ポリイミド膜が使用されることが多い。このポリイミド膜を配向処理する方法として、近時、ラビング処理に加えて、ポリイミド膜に非接触で配向制御能を付与する光配向処理が採用されている(例えば、特許文献1参照)。光配向処理は、ラビング処理と比較して、静電気の発生、基板表面の凹凸による不均一性等の問題が生じない。   A polyimide film is often used for the alignment film. As a method for aligning the polyimide film, recently, in addition to the rubbing process, a photo-alignment process that imparts alignment control ability to the polyimide film in a non-contact manner is employed (for example, see Patent Document 1). Compared with the rubbing process, the photo-alignment process does not cause problems such as generation of static electricity and unevenness due to unevenness of the substrate surface.

光配向処理は、例えば、254nmから365nm領域の偏光紫外線をポリイミド膜に照射して、ポリイミド膜分子を偏光方向と平行な方向で切断することによって、ポリイミド膜に一軸異方性を付与する。液晶分子は、一軸異方性を付与されたポリイミド膜(配向膜)によって初期配向される。   The photo-alignment treatment imparts uniaxial anisotropy to the polyimide film by, for example, irradiating the polyimide film with polarized ultraviolet rays in the region of 254 nm to 365 nm and cutting the polyimide film molecules in a direction parallel to the polarization direction. The liquid crystal molecules are initially aligned by a polyimide film (alignment film) imparted with uniaxial anisotropy.

特開2004−206091号公報JP 2004-206091 A

光配向処理したポリイミド膜(光配向膜)を備える液晶表示装置を長時間駆動させた場合に、駆動時間の経過につれて液晶表示装置に焼付きが生じることがある。液晶表示装置の焼付きの1つとして、光配向膜にDC電荷が蓄積することによって生じる残像(DC残像)がある。液晶表示装置のDC残像の発生は、光配向膜の抵抗率を低下させ、光配向膜のDC電荷の蓄積を抑制することによって、抑制又は防止できることが知られている。   When a liquid crystal display device including a photo-aligned polyimide film (photo-alignment film) is driven for a long time, image sticking may occur in the liquid crystal display device as the drive time elapses. One of the image sticking of the liquid crystal display device is an afterimage (DC afterimage) generated by the accumulation of DC charges in the photo-alignment film. It is known that the occurrence of a DC afterimage in a liquid crystal display device can be suppressed or prevented by reducing the resistivity of the photoalignment film and suppressing the accumulation of DC charge in the photoalignment film.

しかしながら、このような抵抗率を低下させた光配向膜を備える液晶表示装置を低周波駆動(例えば、30Hz以下で駆動)させると、光配向膜の保持電荷減少により輝度が低下して、ちらつき、すなわちフリッカが生じる虞がある。   However, when a liquid crystal display device including a photo-alignment film having such a reduced resistivity is driven at a low frequency (for example, driven at 30 Hz or less), the luminance decreases due to a decrease in the retained charge of the photo-alignment film, and flickers. That is, there is a risk of flicker.

本発明の課題は、液晶表示装置にDC残像及び低周波駆動時のフリッカを生じさせない、又は抑制し得る光配向膜を形成するためのワニスを提供することである。
本発明の他の課題は、上記光配向膜を備える液晶表示装置を提供することである。
An object of the present invention is to provide a varnish for forming a photo-alignment film that does not cause or suppress a DC afterimage and flicker during low-frequency driving in a liquid crystal display device.
The other subject of this invention is providing a liquid crystal display device provided with the said photo-alignment film.

本発明の実施形態によれば、有機溶媒中に、ポリアミド酸又はポリアミド酸エステルである第1ポリアミド酸系化合物と、前記第1ポリアミド酸系化合物よりも高い極性を有する、ポリアミド酸又はポリアミド酸エステルである第2ポリアミド酸系化合物とを含有し、前記第2ポリアミド酸系化合物は、前記第1ポリアミド酸系化合物よりも多量に存在する。   According to an embodiment of the present invention, a polyamic acid or a polyamic acid ester having a higher polarity than the first polyamic acid-based compound and a first polyamic acid-based compound that is a polyamic acid or a polyamic acid ester in an organic solvent. And the second polyamic acid compound is present in a larger amount than the first polyamic acid compound.

前記第1ポリアミド酸系化合物において、前記第1ポリアミド酸系化合物中のテトラカルボン酸化合物由来の骨格のモル百分率を100モル%としたときに、当該第1ポリアミド酸系化合物中の下記式(1):   In the first polyamic acid compound, when the molar percentage of the skeleton derived from the tetracarboxylic acid compound in the first polyamic acid compound is 100 mol%, the following formula (1 ):

Figure 2019211573

(式(1)中、R及びRは、それぞれ独立に、−COOH又はCOOR(ここで、Rは、アルキル基である)であり、Rは、それぞれ、水素又はアルキル基である)で表されるシクロブタン骨格を有するテトラカルボン酸化合物由来の骨格のモル百分率は、50モル%以上、及び前記第1ポリアミド酸系化合物中のジアミン化合物由来の骨格のモル百分率を100モル%としたときに、当該第1ポリアミド酸系化合物中の下記式(2):
Figure 2019211573

(In Formula (1), R 1 and R 2 are each independently —COOH or COOR (where R is an alkyl group), and R a is hydrogen or an alkyl group, respectively) The molar percentage of the skeleton derived from the tetracarboxylic acid compound having a cyclobutane skeleton represented by the formula is 50 mol% or more, and the molar percentage of the skeleton derived from the diamine compound in the first polyamic acid compound is 100 mol%. And the following formula (2) in the first polyamic acid-based compound:

Figure 2019211573

(式(2)中、Jは、Ar、又はAr−K−Arであり、Ar、Ar及びArは、それぞれ独立に、第一級アミノ基、第二級アミノ基又はニトロ基を含有する芳香族基であり、Kは、第一級アミノ基又は第二級アミノ基を含有する有機基である)で表されるジアミン化合物由来の骨格のモル百分率は、10モル%以下である。
Figure 2019211573

(In the formula (2), J is Ar 1, or a Ar 2 -K-Ar 3, Ar 1, Ar 2 and Ar 3 each independently, a primary amino group, secondary amino group, or A nitro group-containing aromatic group, and K is an organic group containing a primary amino group or a secondary amino group). It is as follows.

前記第2ポリアミド酸系化合物において、前記第2ポリアミド酸系化合物中のテトラカルボン酸化合物由来の骨格のモル百分率を100モル%としたときに、当該第2ポリアミド酸系化合物中の下記式(3−1):   In the second polyamic acid compound, when the molar percentage of the skeleton derived from the tetracarboxylic acid compound in the second polyamic acid compound is 100 mol%, the following formula (3 -1):

Figure 2019211573

(式(3−1)中、R及びRは、それぞれ独立に、−COOH又はCOOR(ここで、Rは、アルキル基である)であり、Rは、それぞれ、水素又はアルキル基である)で表されるシクロブタン骨格を有するテトラカルボン酸化合物由来の骨格のモル百分率は、20モル%以下、及び当該第2ポリアミド酸系化合物中の下記式(3−2):
Figure 2019211573

(In Formula (3-1), R 1 and R 2 are each independently —COOH or COOR (where R is an alkyl group), and R a is hydrogen or an alkyl group, respectively. The molar percentage of the skeleton derived from the tetracarboxylic acid compound having a cyclobutane skeleton represented by the formula (2) is 20 mol% or less, and the following formula (3-2) in the second polyamic acid-based compound:

Figure 2019211573

(式(3−2)中、R及びRは、それぞれ独立に、−COOH又はCOOR(ここで、Rは、アルキル基である)である)で表されるピロメリット酸二無水物由来の骨格のモル百分率は、10モル%以下、並びに前記第2ポリアミド酸系化合物中のジアミン化合物由来の骨格のモル百分率を100モル%としたときに、当該第2ポリアミド酸系化合物中の下記式(4):
Figure 2019211573

(In formula (3-2), R 1 and R 2 are each independently derived from pyromellitic dianhydride represented by —COOH or COOR (where R is an alkyl group)). The molar percentage of the skeleton is 10 mol% or less, and when the molar percentage of the skeleton derived from the diamine compound in the second polyamic acid compound is 100 mol%, the following formula in the second polyamic acid compound (4):

Figure 2019211573

(式(4)中、Jは、Ar、又はAr−K−Arであり、Ar、Ar及びArは、それぞれ独立に、第一級アミノ基、第二級アミノ基又はニトロ基を含有する芳香族基であり、Kは、第一級アミノ基又は第二級アミノ基を含有する有機基である)で表されるジアミン化合物由来の骨格のモル百分率は、10モル%以下である光配向膜用ワニスが提供される。
Figure 2019211573

(In the formula (4), J is Ar 1, or a Ar 2 -K-Ar 3, Ar 1, Ar 2 and Ar 3 each independently, a primary amino group, secondary amino group, or A nitro group-containing aromatic group, and K is an organic group containing a primary amino group or a secondary amino group). The following varnish for photo-alignment films is provided.

本発明の他の実施形態によれば、配向膜がある第1基板と、前記第1基板の前記配向膜側に対向して配置された第2基板と、前記第1基板と前記第2基板との間に配置された液晶層とを備え、前記配向膜は上述した光配向膜用ワニスのイミド化物を含む液晶表示装置が提供される。   According to another embodiment of the present invention, a first substrate having an alignment film, a second substrate disposed facing the alignment film side of the first substrate, the first substrate, and the second substrate A liquid crystal display device is provided, wherein the alignment film includes the imidized product of the varnish for a photo alignment film described above.

実施形態に係る液晶表示装置の概略平面図である。1 is a schematic plan view of a liquid crystal display device according to an embodiment. 図1のii−ii線に沿った一部破断概略断面を拡大して示す図である。It is a figure which expands and shows the partially broken schematic cross section along the ii-ii line of FIG. 実施形態に係る二層構造の光配向膜の構成を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the structure of the photo-alignment film | membrane of the two-layer structure concerning embodiment.

本発明者らは、低い抵抗率の光配向膜を備える単純液晶セルについて、フリッカが最小となる共通電圧(Vcom)を設定し(初期値)、そのVcomの下でバックライト光を連続点灯させるとフリッカが増大することを確認した。その時点で、フリッカが最小となるVcomを測定するとその値が初期値と異なっていた(Vcomのドリフト)。このことは、DC電荷が液晶セルに蓄積していたことを示すものである。   The present inventors set a common voltage (Vcom) that minimizes flicker for a simple liquid crystal cell having a low-resistivity photo-alignment film (initial value), and continuously illuminates backlight light under the Vcom. It was confirmed that flicker increased. At that time, when Vcom at which the flicker was minimized was measured, the value was different from the initial value (Vcom drift). This indicates that DC charges were accumulated in the liquid crystal cell.

さらに、上述した液晶セルは、単純液晶セルであるためDC電荷は駆動由来ではなく、電極近傍の光配向膜に発生する光電荷に起因すると本発明者らは推察し、この光電荷の発生量が、主に特定のアミン成分の量に依存することを究明した。この特定のアミン成分の量に依存して、偏光紫外線をポリイミド膜に照射した際にラジカル等が発生し、他の配向膜構造又は配向膜特性に影響を与えていると推察している。加えて、光配向膜全体が比較的高い抵抗率を示すことによって、低周波駆動時のフリッカが防止できることを見出した。   Furthermore, since the liquid crystal cell described above is a simple liquid crystal cell, the present inventors infer that the DC charge is not derived from driving but is caused by the photocharge generated in the photo-alignment film near the electrode. Has been found to depend mainly on the amount of specific amine components. Depending on the amount of the specific amine component, it is presumed that radicals and the like are generated when the polarized ultraviolet ray is irradiated to the polyimide film, which affects other alignment film structures or alignment film characteristics. In addition, it has been found that flicker during low-frequency driving can be prevented by the fact that the entire photo-alignment film exhibits a relatively high resistivity.

以下、いくつかの実施形態について、図面を参照しながら説明する。なお、図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べて、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、先行する図に関して説明したものと同一又は類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する詳細な説明を適宜省略することがある。   Hereinafter, some embodiments will be described with reference to the drawings. In addition, although the drawings may be schematically represented with respect to the width, thickness, shape, and the like of each part as compared with the actual mode for clarity of explanation, they are merely examples, and The interpretation is not limited. In addition, in the present specification and each drawing, components that perform the same or similar functions as those described with respect to the preceding drawings are denoted by the same reference numerals, and repeated detailed description may be omitted as appropriate. .

<液晶表示装置>
まず、実施形態に係る液晶表示装置DSPを、図1及び図2を参照して説明する。図1は、液晶表示装置DSPの概略平面図、図2は、図1のii−ii線に沿った一部破断概略断面を拡大して示す図である。
<Liquid crystal display device>
First, a liquid crystal display device DSP according to an embodiment will be described with reference to FIGS. FIG. 1 is a schematic plan view of a liquid crystal display device DSP, and FIG. 2 is an enlarged view showing a partially broken schematic cross section along the line ii-ii in FIG.

本実施形態においては、液晶表示装置DSPの短辺に平行な方向を第1方向Xとし、液晶表示装置DSPの長辺に平行な方向を第2方向Yとし、第1方向X及び第2方向Yに垂直な方向を第3方向Zとしている。第1方向X及び第2方向Yは、本実施形態では互いに直交しているが、90度以外の角度で交差していてもよい。
また、本実施形態においては、第3方向Zの正の向きを上又は上方と定義し、第3方向Zの負の向きを下又は下方と定義する。さらに、液晶表示装置DSPを上方から見ることを平面視と定義する。平面視での液晶表示装置DSPは、平面図(図1)に見られる。
In this embodiment, the direction parallel to the short side of the liquid crystal display device DSP is the first direction X, the direction parallel to the long side of the liquid crystal display device DSP is the second direction Y, and the first direction X and the second direction. A direction perpendicular to Y is a third direction Z. The first direction X and the second direction Y are orthogonal to each other in the present embodiment, but may intersect at an angle other than 90 degrees.
In the present embodiment, the positive direction in the third direction Z is defined as up or above, and the negative direction in the third direction Z is defined as down or down. Further, viewing the liquid crystal display device DSP from above is defined as a plan view. The liquid crystal display device DSP in plan view can be seen in the plan view (FIG. 1).

図1に示すように、液晶表示装置DSPは、表示パネルPNLと、フレキシブルプリント回路基板1と、ICチップ2と、回路基板3とを備えている。表示パネルPNLは、液晶表示パネルであり、第1基板SUB1と、第2基板SUB2と、後述する液晶層LCと、シールSEと、遮光層LSと、スペーサSP1〜SP4とを備えている。   As shown in FIG. 1, the liquid crystal display device DSP includes a display panel PNL, a flexible printed circuit board 1, an IC chip 2, and a circuit board 3. The display panel PNL is a liquid crystal display panel, and includes a first substrate SUB1, a second substrate SUB2, a liquid crystal layer LC described later, a seal SE, a light shielding layer LS, and spacers SP1 to SP4.

第1基板SUB1及び第2基板SUB2は、互いに離間対向して配置されている。第1基板SUB1は、第2基板SUB2と対向する領域と、第2基板SUB2よりも第2方向Yに延出した実装部MAとを有する。言い換えると、第1基板SUB1の実装部MAは、第2基板SUB2の端縁よりも外側に延出している。   The first substrate SUB1 and the second substrate SUB2 are disposed so as to face each other. The first substrate SUB1 includes a region facing the second substrate SUB2 and a mounting part MA extending in the second direction Y from the second substrate SUB2. In other words, the mounting part MA of the first substrate SUB1 extends outward from the edge of the second substrate SUB2.

フレキシブルプリント回路基板1は、第1基板SUB1の実装部MAに実装されている。ICチップ2は、フレキシブルプリント回路基板1に電気的に接続されている。なお、ICチップ2は、実装部MAに実装されてもよい。ICチップ2は、画像を表示する表示モードにおいて画像表示に必要な信号を出力するディスプレイドライバDDを内蔵している。また、図示した例では、ICチップ2は、表示装置DSPへの物体の接近又は接触を検出するタッチセンシングモードを制御するタッチコントローラTCを内蔵している。図中において、ICチップ2は一点鎖線で示し、ディスプレイドライバDD及びタッチコントローラTCは点線で示している。回路基板3は、フレキシブルプリント回路基板1の第2方向Yの後半部に、電気的に接続され、フレキシブルプリント回路基板1を通して第1基板SUB1に駆動信号を伝送する。   The flexible printed circuit board 1 is mounted on the mounting part MA of the first substrate SUB1. The IC chip 2 is electrically connected to the flexible printed circuit board 1. The IC chip 2 may be mounted on the mounting part MA. The IC chip 2 includes a display driver DD that outputs a signal necessary for image display in a display mode for displaying an image. In the illustrated example, the IC chip 2 includes a touch controller TC that controls a touch sensing mode for detecting approach or contact of an object to the display device DSP. In the figure, the IC chip 2 is indicated by a one-dot chain line, and the display driver DD and the touch controller TC are indicated by a dotted line. The circuit board 3 is electrically connected to the second half of the flexible printed circuit board 1 in the second direction Y, and transmits a drive signal through the flexible printed circuit board 1 to the first board SUB1.

第1基板SUB1と第2基板SUB2とは、実装部MAを除く第1基板SUB1の周縁部と第2基板SUB2の周縁部とにおいて、枠状に形成されたシールSEにより接着されている。枠状のシールSEは、第1基板SUB1と第2基板SUB2との間に一定のセルギャップを規定している。シールSEの内側には、液晶が封入され、後述する液晶層LCを形成している。
また、枠状のシールSEは、非表示部NDAを規定している。遮光層LSは、平面視でシールSEと重畳する位置に設けられている。図1において、シールSEが配置された領域と、遮光層LSが配置された領域とでは、互いに異なる斜線で示し、シールSEと遮光層LSとが重畳する領域はクロスハッチングで示している。遮光層LSは、第2基板SUB2に設けられている。
The first substrate SUB1 and the second substrate SUB2 are bonded to each other at the peripheral edge of the first substrate SUB1 and the peripheral edge of the second substrate SUB2 except for the mounting portion MA by a seal SE formed in a frame shape. The frame-shaped seal SE defines a certain cell gap between the first substrate SUB1 and the second substrate SUB2. Liquid crystal is sealed inside the seal SE to form a liquid crystal layer LC described later.
Further, the frame-shaped seal SE defines the non-display portion NDA. The light shielding layer LS is provided at a position overlapping the seal SE in plan view. In FIG. 1, a region where the seal SE is disposed and a region where the light shielding layer LS are disposed are indicated by different oblique lines, and a region where the seal SE and the light shielding layer LS overlap is indicated by cross hatching. The light shielding layer LS is provided on the second substrate SUB2.

スペーサSP1〜SP4は、第1基板SUB1と第2基板SUB2と非表示部NDAにそれぞれ枠状に設けられている。スペーサSP1は、第2基板SUB2の最外周に位置している。スペーサSP2は、スペーサSP1よりも表示部DA側に位置している。スペーサSP1及びSP2は、シールSEと重畳している。スペーサSP3及びSP4は、シールSEよりも表示部DA側に位置している。スペーサSP1〜SP4は、枠状のシールSEとともに第1基板SUB1と第2基板SUB2との間に一定のセルギャップを規定している。スペーサSP1〜SP4は、例えば第2基板SUB2に設けられているが、第1基板SUB1に設けられてもよい。   The spacers SP1 to SP4 are respectively provided in a frame shape on the first substrate SUB1, the second substrate SUB2, and the non-display portion NDA. The spacer SP1 is located on the outermost periphery of the second substrate SUB2. The spacer SP2 is located closer to the display part DA than the spacer SP1. The spacers SP1 and SP2 overlap the seal SE. The spacers SP3 and SP4 are located closer to the display part DA than the seal SE. The spacers SP1 to SP4 define a certain cell gap between the first substrate SUB1 and the second substrate SUB2 together with the frame-shaped seal SE. The spacers SP1 to SP4 are provided on the second substrate SUB2, for example, but may be provided on the first substrate SUB1.

非表示部NDAは、その内側に画像を表示する表示部DAを規定している。表示部DAは、第1方向X及び第2方向Yにマトリクス状に配置された複数の画素PXを備えている。   The non-display portion NDA defines a display portion DA that displays an image inside. The display unit DA includes a plurality of pixels PX arranged in a matrix in the first direction X and the second direction Y.

本実施形態の表示パネルPNLは、第1基板SUB1の背面側からの光を選択的に透過させることで画像を表示する透過表示機能を備えた透過型、第2基板SUB2の前面側からの光を選択的に反射させることで画像を表示する反射表示機能を備えた反射型、あるいは、透過表示機能及び反射表示機能を備えた半透過型のいずれであってもよい。
また、表示パネルPNLの詳細な構成について、ここでは説明を省略するが、表示パネルPNLは、基板主面に沿った横電界を利用する表示モード、基板主面の法線に沿った縦電界を利用する表示モード、基板主面に対して斜め方向に傾斜した傾斜電界を利用する表示モード、さらには、上記の横電界、縦電界、及び傾斜電界を適宜組み合わせて利用する表示モードに対応したいずれの構成を備えていてもよい。ここでの基板主面とは、第1方向X及び第2方向Yで規定されるX−Y平面と平行な面である。
The display panel PNL of the present embodiment has a transmissive display function for displaying an image by selectively transmitting light from the back side of the first substrate SUB1, and light from the front side of the second substrate SUB2. May be either a reflective type having a reflective display function for displaying an image by selectively reflecting the light, or a transflective type having a transmissive display function and a reflective display function.
The detailed configuration of the display panel PNL is omitted here, but the display panel PNL has a display mode that uses a horizontal electric field along the main surface of the substrate and a vertical electric field along the normal of the main surface of the substrate. Display mode to be used, display mode using a gradient electric field inclined in an oblique direction with respect to the main surface of the substrate, and any one corresponding to a display mode using an appropriate combination of the horizontal electric field, vertical electric field, and gradient electric field. You may have the structure of. Here, the substrate main surface is a surface parallel to the XY plane defined by the first direction X and the second direction Y.

図2に示すように、第1基板SUB1は、第1絶縁基板10と、絶縁膜11〜16と、信号線S1及びS2と、金属配線ML1及びML2と、共通電極CEと、画素電極PEを備えている。なお、図2に示す例は、横電界を利用する表示モードの一つであるFFS(Fringe Field Switching)モードが適用された例に相当する。   As shown in FIG. 2, the first substrate SUB1 includes the first insulating substrate 10, the insulating films 11 to 16, the signal lines S1 and S2, the metal wirings ML1 and ML2, the common electrode CE, and the pixel electrode PE. I have. Note that the example shown in FIG. 2 corresponds to an example in which an FFS (Fringe Field Switching) mode, which is one of display modes using a horizontal electric field, is applied.

第1絶縁基板10は、ガラス基板、可撓性の樹脂基板のような光透過性の基板である。第1絶縁基板10の下面には、偏光板PL1を含む光学素子OD1が接着されている。なお、光学素子OD1は、必要に応じて位相差板、散乱層、反射防止層などを備えていてもよい。光学素子OD1の下には、照明装置ILが設けられている。   The first insulating substrate 10 is a light transmissive substrate such as a glass substrate or a flexible resin substrate. An optical element OD1 including a polarizing plate PL1 is bonded to the lower surface of the first insulating substrate 10. The optical element OD1 may include a retardation plate, a scattering layer, an antireflection layer, and the like as necessary. An illumination device IL is provided below the optical element OD1.

絶縁膜11は、第1絶縁基板10の上に配置され、絶縁膜12は、絶縁膜11の上に配置され、絶縁膜13は、絶縁膜12の上に配置されている。絶縁膜11〜13は、シリコン酸化物、シリコン窒化物、シリコン酸窒化物などの絶縁性の無機材料によって形成された無機絶縁膜であり、単層構造であってもよいし、多層構造であってもよい。   The insulating film 11 is disposed on the first insulating substrate 10, the insulating film 12 is disposed on the insulating film 11, and the insulating film 13 is disposed on the insulating film 12. The insulating films 11 to 13 are inorganic insulating films formed of an insulating inorganic material such as silicon oxide, silicon nitride, or silicon oxynitride, and may have a single layer structure or a multilayer structure. May be.

信号線S1及びS2は、同じ絶縁膜13の上に配置されている。これら信号線は、アルミニウム(Al)、チタン(Ti)、銀(Ag)、モリブデン(Mo)、タングステン(W)、銅(Cu)、クロム(Cr)などの金属材料や、上記の金属材料を組み合わせた合金などによってそれぞれ形成され、単層構造であってもよいし、多層構造であってもよい。一例では、信号線S1、S2は、それぞれ、チタン(Ti)を含む層、アルミニウム(Al)を含む層、及びチタン(Ti)を含む層がこの順に積層された積層体である。   The signal lines S1 and S2 are disposed on the same insulating film 13. These signal lines are made of a metal material such as aluminum (Al), titanium (Ti), silver (Ag), molybdenum (Mo), tungsten (W), copper (Cu), chromium (Cr), or the above metal material. Each may be formed of a combined alloy or the like, and may have a single layer structure or a multilayer structure. In one example, each of the signal lines S1 and S2 is a stacked body in which a layer containing titanium (Ti), a layer containing aluminum (Al), and a layer containing titanium (Ti) are stacked in this order.

絶縁膜14は、絶縁膜13、信号線S1及びS2の上に、それらを覆うようにして配置されている。絶縁膜14は、例えば、アクリル樹脂などの絶縁性の有機材料によって形成された有機絶縁膜である。   The insulating film 14 is disposed on the insulating film 13 and the signal lines S1 and S2 so as to cover them. The insulating film 14 is an organic insulating film formed of an insulating organic material such as acrylic resin.

金属配線ML1及びML2は、同じ絶縁膜14の上に配置されている。金属配線ML1及びML2は、上記の金属材料や、上記の金属材料を組み合わせた合金などによって形成され、単層構造であってもよいし、多層構造であってもよい。一例では、金属配線ML1及びML2は、それぞれ、チタン(Ti)を含む層、アルミニウム(Al)を含む層、及びチタン(Ti)を含む層がこの順に積層された積層体、あるいは、モリブデン(Mo)を含む層、アルミニウム(Al)を含む層、及びモリブデン(Mo)を含む層がこの順に積層された積層体である。   The metal wirings ML1 and ML2 are disposed on the same insulating film 14. The metal wirings ML1 and ML2 are formed of the above metal material, an alloy combining the above metal materials, or the like, and may have a single layer structure or a multilayer structure. In one example, each of the metal wirings ML1 and ML2 includes a layered body in which a layer containing titanium (Ti), a layer containing aluminum (Al), and a layer containing titanium (Ti) are stacked in this order, or molybdenum (Mo ), A layer containing aluminum (Al), and a layer containing molybdenum (Mo) are stacked in this order.

絶縁膜15は、絶縁膜14、金属配線ML1及びML2の上に、それらを覆うようにして配置されている。絶縁膜15は、例えば、絶縁膜14と同様に、アクリル樹脂などの絶縁性の有機材料によって形成された有機絶縁膜である。なお、絶縁膜15は、無機絶縁膜であってもよい。   The insulating film 15 is disposed on the insulating film 14 and the metal wirings ML1 and ML2 so as to cover them. The insulating film 15 is an organic insulating film formed of an insulating organic material such as an acrylic resin, for example, like the insulating film 14. The insulating film 15 may be an inorganic insulating film.

共通電極CEは、絶縁膜15の上に配置されている。共通電極CEは、酸化インジウムスズ(ITO)や酸化インジウム亜鉛(IZO)などの透明な導電材料によって形成された透明電極である。   The common electrode CE is disposed on the insulating film 15. The common electrode CE is a transparent electrode formed of a transparent conductive material such as indium tin oxide (ITO) or indium zinc oxide (IZO).

絶縁膜16は、共通電極CEの上に配置されている。絶縁膜16は、絶縁膜11〜13と同様に、シリコン酸化物、シリコン窒化物、シリコン酸窒化物などの絶縁性の無機材料によって形成された無機絶縁膜であり、単層構造であってもよいし、多層構造であってもよい。   The insulating film 16 is disposed on the common electrode CE. The insulating film 16 is an inorganic insulating film formed of an insulating inorganic material such as silicon oxide, silicon nitride, or silicon oxynitride similarly to the insulating films 11 to 13, and has a single layer structure. It may be a multilayer structure.

画素電極PEは、絶縁膜16の上に配置されている。画素電極PEは、ITOやIZOなどの透明な導電材料によって形成された透明電極である。   The pixel electrode PE is disposed on the insulating film 16. The pixel electrode PE is a transparent electrode formed of a transparent conductive material such as ITO or IZO.

画素電極PE及び絶縁膜16の上には、それらを覆うようにして第1配向膜AL1が設けられている。第1配向膜AL1は、9.0×1014Ω・cm以上の抵抗率を有することが好ましい。第1配向膜AL1の詳細な構成については後述する。 On the pixel electrode PE and the insulating film 16, a first alignment film AL1 is provided so as to cover them. The first alignment film AL1 preferably has a resistivity of 9.0 × 10 14 Ω · cm or more. The detailed configuration of the first alignment film AL1 will be described later.

第2基板SUB2は、第2絶縁基板20と、カラーフィルタCFと、遮光膜BMと、オーバーコート層OCとを備えている。   The second substrate SUB2 includes a second insulating substrate 20, a color filter CF, a light shielding film BM, and an overcoat layer OC.

第2絶縁基板20は、第1絶縁基板10と同様に、ガラス基板、可撓性の樹脂基板のような光透過性の基板である。第2絶縁基板20には、偏光板PL2を含む光学素子OD2が接着されている。なお、光学素子OD2は、必要に応じて位相差板、散乱層、反射防止層などを備えていてもよい。   Similar to the first insulating substrate 10, the second insulating substrate 20 is a light-transmitting substrate such as a glass substrate or a flexible resin substrate. An optical element OD2 including a polarizing plate PL2 is bonded to the second insulating substrate 20. The optical element OD2 may include a retardation plate, a scattering layer, an antireflection layer, and the like as necessary.

カラーフィルタCFは、第2絶縁基板20の第1基板SUB1と対向する側に位置している。カラーフィルタCFは、緑色のカラーフィルタセグメントCFGを備え、これに赤色及び青色のカラーフィルタセグメントCFR、CFBが隣接している。カラーフィルタCFは、画素電極PEと対向する位置に配置され、各カラーフィルタセグメント間にそれらの混色を防止する遮光膜BMが配置されている。オーバーコート層OCは、カラーフィルタCFを覆っている。オーバーコート層OCは、透明な樹脂によって形成されている。   The color filter CF is located on the side of the second insulating substrate 20 facing the first substrate SUB1. The color filter CF includes a green color filter segment CFG, which is adjacent to red and blue color filter segments CFR and CFB. The color filter CF is disposed at a position facing the pixel electrode PE, and a light shielding film BM for preventing color mixture between the color filter segments is disposed. The overcoat layer OC covers the color filter CF. The overcoat layer OC is formed of a transparent resin.

オーバーコート層OCの第1基板SUB1と対向する側には、第2配向膜AL2が設けられている。第2配向膜AL2は、9.0×1014Ω・cm以上の抵抗率を有することが好ましい。第2配向膜AL2の詳細な構成については後述する。 A second alignment film AL2 is provided on the side of the overcoat layer OC that faces the first substrate SUB1. The second alignment film AL2 preferably has a resistivity of 9.0 × 10 14 Ω · cm or more. The detailed configuration of the second alignment film AL2 will be described later.

液晶層LCは、第1基板SUB1及び第2基板SUB2の間に位置し、第1配向膜AL1と第2配向膜AL2との間に保持されている。液晶層LCは、液晶分子LMを備えている。液晶層LCは、ポジ型(誘電率異方性が正)の液晶材料、あるいは、ネガ型(誘電率異方性が負)の液晶材料によって構成されている。   The liquid crystal layer LC is located between the first substrate SUB1 and the second substrate SUB2, and is held between the first alignment film AL1 and the second alignment film AL2. The liquid crystal layer LC includes liquid crystal molecules LM. The liquid crystal layer LC is composed of a positive type (positive dielectric anisotropy) liquid crystal material or a negative type (negative dielectric anisotropy) liquid crystal material.

このような表示パネルPNLにおいては、画素電極PEと共通電極CEとの間に電界が形成されていないオフ状態において、液晶分子LMは、第1配向膜AL1及び第2配向膜AL2の間で所定の方向に初期配向している。このようなオフ状態では、照明装置ILから表示パネルPNLに向けて照射された光は、光学素子OD1及び光学素子OD2によって吸収され、暗表示となる。一方、画素電極PEと共通電極CEとの間に電界が形成されたオン状態においては、液晶分子LMは、電界により初期配向方向とは異なる方向に配向し、その配向方向は電界によって制御される。このようなオン状態では、照明装置ILからの光の一部は、光学素子OD1及び光学素子OD2を透過し、明表示となる。   In such a display panel PNL, in an off state where no electric field is formed between the pixel electrode PE and the common electrode CE, the liquid crystal molecules LM are predetermined between the first alignment film AL1 and the second alignment film AL2. The initial orientation is in the direction of. In such an off state, the light emitted from the illumination device IL toward the display panel PNL is absorbed by the optical element OD1 and the optical element OD2, and dark display is performed. On the other hand, in the ON state in which an electric field is formed between the pixel electrode PE and the common electrode CE, the liquid crystal molecules LM are aligned in a direction different from the initial alignment direction by the electric field, and the alignment direction is controlled by the electric field. . In such an on state, a part of the light from the illumination device IL is transmitted through the optical element OD1 and the optical element OD2 and is brightly displayed.

実施形態に係る配向膜(第1配向膜AL1、第2配向膜AL2)は、光配向膜用ワニスを基板(第1基板SUB1、第2基板SUB2)上に塗布し、加熱してポリイミド膜に変換し、そのポリイミド膜に偏光紫外線を照射することにより配向制御能が付与されている。いくつかの実施形態において、第1配向膜AL1及び第2配向膜AL2は、光配向膜用ワニスのイミド化物(光配向膜)である。   The alignment films (first alignment film AL1 and second alignment film AL2) according to the embodiment are obtained by applying a photo-alignment film varnish on a substrate (first substrate SUB1, second substrate SUB2) and heating it to form a polyimide film. The orientation control ability is given by converting and irradiating polarized ultraviolet rays to the polyimide film. In some embodiments, the first alignment film AL1 and the second alignment film AL2 are imidized products (photo-alignment films) of the varnish for the photo-alignment film.

<光配向膜用ワニス>
実施形態に係る光配向膜用ワニスは、有機溶媒中に、ポリアミド酸又はポリアミド酸エステルである第1ポリアミド酸系化合物と、前記第1ポリアミド酸系化合物よりも高い極性を有する、ポリアミド酸又はポリアミド酸エステルである第2ポリアミド酸系化合物とを含有し、第2ポリアミド酸系化合物は、第1ポリアミド酸系化合物よりも多量に存在する。
いくつかの実施形態において、光配向膜用ワニスは、第1ポリアミド酸系化合物と第2ポリアミド酸系化合物の重量比が、4:6から2:8までであり、4:6から3:7までであることが好ましい。
ポリアミド酸は、後述するようにテトラカルボン酸化合物(テトラカルボン酸二無水物)とジアミン化合物とを反応させることによって合成することができる。ポリアミド酸エステルは、当該ポリアミド酸をエステル化することによって合成することができる。
そのため、第1及び第2ポリアミド酸系化合物は、それぞれテトラカルボン酸化合物由来の骨格とジアミン化合物由来の骨格とを有する。
<Varnish for photo-alignment film>
The varnish for photo-alignment films according to the embodiment includes a first polyamic acid compound that is a polyamic acid or a polyamic acid ester in an organic solvent, and a polyamic acid or a polyamide having a higher polarity than the first polyamic acid compound. A second polyamic acid compound that is an acid ester, and the second polyamic acid compound is present in a larger amount than the first polyamic acid compound.
In some embodiments, the varnish for a photoalignment film has a weight ratio of the first polyamic acid-based compound to the second polyamic acid-based compound from 4: 6 to 2: 8, and from 4: 6 to 3: 7. It is preferable that
The polyamic acid can be synthesized by reacting a tetracarboxylic acid compound (tetracarboxylic dianhydride) and a diamine compound as described later. The polyamic acid ester can be synthesized by esterifying the polyamic acid.
Therefore, the first and second polyamic acid compounds each have a skeleton derived from a tetracarboxylic acid compound and a skeleton derived from a diamine compound.

<第1ポリアミド酸系化合物>
実施形態に係る第1ポリアミド酸系化合物において、第1ポリアミド酸系化合物中のテトラカルボン酸化合物由来の骨格のモル百分率を100モル%としたときに、当該第1ポリアミド酸系化合物中の下記式(1):
<First polyamic acid compound>
In the first polyamic acid-based compound according to the embodiment, when the molar percentage of the skeleton derived from the tetracarboxylic acid compound in the first polyamic acid-based compound is 100 mol%, the following formula in the first polyamic acid-based compound: (1):

Figure 2019211573

(式(1)中、R及びRは、それぞれ独立に、−COOH又はCOOR(ここで、Rは、アルキル基である)であり、Rは、それぞれ、水素又はアルキル基である)で表されるシクロブタン骨格を有するテトラカルボン酸化合物由来の骨格のモル百分率は、50モル%以上、及び第1ポリアミド酸系化合物中のジアミン化合物由来の骨格のモル百分率を100モル%としたときに、当該第1ポリアミド酸系化合物中の下記式(2):
Figure 2019211573

(In Formula (1), R 1 and R 2 are each independently —COOH or COOR (where R is an alkyl group), and R a is hydrogen or an alkyl group, respectively) The molar percentage of the skeleton derived from the tetracarboxylic acid compound having a cyclobutane skeleton represented by the formula is 50 mol% or more, and the molar percentage of the skeleton derived from the diamine compound in the first polyamic acid compound is 100 mol%. The following formula (2) in the first polyamic acid-based compound:

Figure 2019211573

(式(2)中、Jは、Ar、又はAr−K−Arであり、Ar、Ar及びArは、それぞれ独立に、第一級アミノ基、第二級アミノ基又はニトロ基を含有する芳香族基であり、Kは、第一級アミノ基又は第二級アミノ基を含有する有機基である)で表されるジアミン化合物由来の骨格のモル百分率は、10モル%以下である。
Figure 2019211573

(In the formula (2), J is Ar 1, or a Ar 2 -K-Ar 3, Ar 1, Ar 2 and Ar 3 each independently, a primary amino group, secondary amino group, or A nitro group-containing aromatic group, and K is an organic group containing a primary amino group or a secondary amino group). It is as follows.

実施形態に係る第1ポリアミド酸系化合物において、第1ポリアミド酸系化合物中のテトラカルボン酸化合物由来の骨格のモル百分率を100モル%としたときに、当該第1ポリアミド酸系化合物中の上記式(1)で表されるシクロブタン骨格を有するテトラカルボン酸化合物由来の骨格のモル百分率は、80モル%以上であることが好ましい。
上記式(1)におけるRがアルキル基である場合、Rは、例えば1個〜6個の炭素原子を有するアルキル基である。アルキル基としては、メチル基が特に好ましい。
In the first polyamic acid-based compound according to the embodiment, when the molar percentage of the skeleton derived from the tetracarboxylic acid compound in the first polyamic acid-based compound is 100 mol%, the above formula in the first polyamic acid-based compound The molar percentage of the skeleton derived from the tetracarboxylic acid compound having a cyclobutane skeleton represented by (1) is preferably 80 mol% or more.
When R a in the above formula (1) is an alkyl group, R a is, for example, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms. As the alkyl group, a methyl group is particularly preferable.

いくつかの実施形態において、第1ポリアミド酸系化合物におけるテトラカルボン酸化合物由来の骨格は、上記式(1)で表されるシクロブタン骨格を有するテトラカルボン酸化合物由来の骨格のほか、下記式(1−1):   In some embodiments, the skeleton derived from the tetracarboxylic acid compound in the first polyamic acid compound is a skeleton derived from the tetracarboxylic acid compound having a cyclobutane skeleton represented by the above formula (1), and the following formula (1 -1):

Figure 2019211573

(式(1−1)中、R及びRは、式(1)に関して定義した通りであり、Xは、シクロブタン骨格以外の脂環式骨格、鎖式骨格、又は芳香族基である)で表されるテトラカルボン酸化合物由来の骨格を含み得る(50モル%未満、好ましくは20モル%未満)。
上記式(1−1)において、シクロブタン骨格以外の脂環式骨格は、例えばシクロペンタン骨格、シクロヘキサン骨格、ビシクロ[2,2,1]ヘプタン骨格、2−メチルビシクロ[2,2,1]ヘプタン骨格であり、鎖式骨格は、例えばブチル骨格であり、芳香族基は、例えばベンゼン環である。
Figure 2019211573

(In formula (1-1), R 1 and R 2 are as defined for formula (1), and X 1 is an alicyclic skeleton other than a cyclobutane skeleton, a chain skeleton, or an aromatic group. ) Derived from a tetracarboxylic acid compound (less than 50 mol%, preferably less than 20 mol%).
In the above formula (1-1), examples of the alicyclic skeleton other than the cyclobutane skeleton include a cyclopentane skeleton, a cyclohexane skeleton, a bicyclo [2,2,1] heptane skeleton, and a 2-methylbicyclo [2,2,1] heptane. The skeleton, the chain skeleton is, for example, a butyl skeleton, and the aromatic group is, for example, a benzene ring.

実施形態に係る第1ポリアミド酸系化合物において、第1ポリアミド酸系化合物中のジアミン化合物由来の骨格のモル百分率を100モル%としたときに、当該第1ポリアミド酸系化合物中の上記式(2)で表されるジアミン化合物由来の骨格のモル百分率は、5モル%以下であることが好ましい。なお、上記「10モル%以下」及び「5モル%以下」は、0モル%も含み、当該第1ポリアミド酸系化合物中の上記式(2)で表されるジアミン化合物由来の骨格のモル百分率は、0モル%であることがさらに好ましい。   In the first polyamic acid-based compound according to the embodiment, when the mole percentage of the skeleton derived from the diamine compound in the first polyamic acid-based compound is 100 mol%, the above formula (2 It is preferable that the mole percentage of the skeleton derived from the diamine compound represented by) is 5 mol% or less. The “10 mol% or less” and “5 mol% or less” include 0 mol%, and the molar percentage of the skeleton derived from the diamine compound represented by the above formula (2) in the first polyamic acid compound. Is more preferably 0 mol%.

いくつかの実施形態において、第1ポリアミド酸系化合物におけるジアミン化合物由来の骨格は、下記式(5):   In some embodiments, the skeleton derived from the diamine compound in the first polyamic acid-based compound has the following formula (5):

Figure 2019211573

(式(5)中、Lは、Ar、又はAr−M−Arであり、Ar、Ar及びArは、それぞれ独立に、第一級アミノ基、第二級アミノ基及びニトロ基を含有しない芳香族基であり、Mは、第一級アミノ基及び第二級アミノ基を含有しない有機基である)で表されるジアミン化合物由来の骨格を90モル%以上含み得る(好ましくは100モル%)。
Figure 2019211573

(In Formula (5), L is Ar < 4 > or Ar < 5 > -M-Ar < 6 >, Ar < 4 >, Ar < 5 > and Ar < 6 > are respectively independently a primary amino group, a secondary amino group, and It is an aromatic group that does not contain a nitro group, and M can contain 90 mol% or more of a skeleton derived from a diamine compound represented by a primary amino group and an organic group that does not contain a secondary amino group. Preferably 100 mol%).

いくつかの実施形態において、式(5)におけるAr、Ar及びArは、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、チオール基、リン酸基、又は炭素数1〜20の1価の有機基を有する芳香族基である。Ar、Ar及びArによって表される芳香族基の例は、ベンゼン環又はベンゼン環を含む基である。 In some embodiments, Ar 4 , Ar 5, and Ar 6 in Formula (5) are aromatic having a halogen atom, a hydroxyl group, a thiol group, a phosphate group, or a monovalent organic group having 1 to 20 carbon atoms. It is a family group. Examples of the aromatic group represented by Ar 4 , Ar 5 and Ar 6 are a benzene ring or a group containing a benzene ring.

いくつかの実施形態において、式(5)におけるMは、酸素、窒素、硫黄、炭素及び水素、又はそれら2つ以上の組合せからなる有機基である。   In some embodiments, M in formula (5) is an organic group consisting of oxygen, nitrogen, sulfur, carbon and hydrogen, or a combination of two or more thereof.

上述したように、第1ポリアミド酸系化合物は、上記式(1)、又は上記式(1)及び(1−1)で表されるテトラカルボン酸化合物由来の骨格と、上記式(5)で表されるジアミン化合物由来の骨格とを含み得るため、下記式(6−1)で示す構造単位(繰り返し単位)を有する。   As described above, the first polyamic acid compound includes the skeleton derived from the tetracarboxylic acid compound represented by the above formula (1) or the above formulas (1) and (1-1), and the above formula (5). And a structural unit (repeating unit) represented by the following formula (6-1).

Figure 2019211573

式(6−1)において、Rは、式(1)に関して定義した通りであり、R及びRは、式(1)に関して定義した通りであり、Lは、式(5)に関して定義した通りである。
Figure 2019211573

In formula (6-1), R a is as defined for formula (1), R 1 and R 2 are as defined for formula (1), and L is defined for formula (5). That's right.

別の実施形態において、第1ポリアミド酸系化合物は、上記式(6−1)で示される構造単位に加えて、下記式(6−2)で示す構造単位(繰り返し単位)を有する。   In another embodiment, the first polyamic acid-based compound has a structural unit (repeating unit) represented by the following formula (6-2) in addition to the structural unit represented by the above formula (6-1).

Figure 2019211573

式(6−2)において、Xは、式(1−1)に関して定義した通りであり、R及びRは、式(1)に関して定義した通りであり、Lは、式(5)に関して定義した通りである。
Figure 2019211573

In formula (6-2), X 1 is as defined for formula (1-1), R 1 and R 2 are as defined for formula (1), and L is formula (5) As defined above.

<第1ポリアミド酸系化合物の製造>
第1ポリアミド酸系化合物は、ジアミン化合物とテトラカルボン酸化合物(テトラカルボン酸二無水物)とを常法により反応させることによってポリアミド酸として製造することができる。
ポリアミド酸エステルは、ポリアミド酸に、例えばN,N−ジメチルホルムアミドジアルキルアセタールを反応させることによって製造することができる。あるいは、ポリアミド酸エステルは、特開2000−273172号公報に記載された方法によっても製造することができる。
<Production of first polyamic acid compound>
A 1st polyamic-acid type compound can be manufactured as a polyamic acid by making a diamine compound and a tetracarboxylic acid compound (tetracarboxylic dianhydride) react by a conventional method.
The polyamic acid ester can be produced by reacting, for example, N, N-dimethylformamide dialkyl acetal with polyamic acid. Alternatively, the polyamic acid ester can also be produced by the method described in JP 2000-273172 A.

いくつかの実施形態において、第1ポリアミド酸系化合物の合成に用いるテトラカルボン酸化合物は、下記式(7−1):   In some embodiments, the tetracarboxylic acid compound used for the synthesis of the first polyamic acid-based compound is represented by the following formula (7-1):

Figure 2019211573

(式(7−1)中、Rは、式(1)に関して定義した通りである)で表されるシクロブタン骨格を有するテトラカルボン酸化合物である。
上記式(7−1)で表されるシクロブタン骨格を有するテトラカルボン酸化合物は、第1ポリアミド酸系化合物の合成に用いるテトラカルボン酸化合物の全モル%(100モル%)のうち、50モル%以上であり、80モル%以上であることが好ましい。
Figure 2019211573

(In formula (7-1), R a is as defined for formula (1)) and is a tetracarboxylic acid compound having a cyclobutane skeleton.
The tetracarboxylic acid compound having a cyclobutane skeleton represented by the above formula (7-1) is 50 mol% of the total mol% (100 mol%) of the tetracarboxylic acid compound used for the synthesis of the first polyamic acid compound. It is above, and it is preferable that it is 80 mol% or more.

上記式(7−1)で表されるシクロブタン骨格を有するテトラカルボン酸化合物の例は、1,2,3,4−シクロブタンテトラカルボン酸二無水物、1,2−ジメチル−1,2,3,4−シクロブタンテトラカルボン酸二無水物、1,3−ジメチル−1,2,3,4−シクロブタンテトラカルボン酸二無水物、及び1,2,3,4−テトラメチル−1,2,3,4−シクロブタンテトラカルボン酸二無水物を含む。シクロブタン骨格を有するテトラカルボン酸化合物は、1,2,3,4−シクロブタンテトラカルボン酸二無水物、又は1,3−ジメチル−1,2,3,4−シクロブタンテトラカルボン酸二無水物であることが好ましい。   Examples of the tetracarboxylic acid compound having a cyclobutane skeleton represented by the above formula (7-1) include 1,2,3,4-cyclobutanetetracarboxylic dianhydride, 1,2-dimethyl-1,2,3. , 4-cyclobutanetetracarboxylic dianhydride, 1,3-dimethyl-1,2,3,4-cyclobutanetetracarboxylic dianhydride, and 1,2,3,4-tetramethyl-1,2,3 , 4-cyclobutanetetracarboxylic dianhydride. The tetracarboxylic acid compound having a cyclobutane skeleton is 1,2,3,4-cyclobutanetetracarboxylic dianhydride or 1,3-dimethyl-1,2,3,4-cyclobutanetetracarboxylic dianhydride. It is preferable.

別の実施形態において、第1ポリアミド酸系化合物の合成に用いるテトラカルボン酸化合物は、下記式(7−2):   In another embodiment, the tetracarboxylic acid compound used for the synthesis of the first polyamic acid compound is represented by the following formula (7-2):

Figure 2019211573

(式(7−2)中、Xは、式(1−1)に関して定義した通りである)で表されるテトラカルボン酸化合物であり得る。
上記式(7−2)で表されるテトラカルボン酸化合物は、第1ポリアミド酸系化合物の合成に用いるテトラカルボン酸化合物の全モル%(100モル%)のうち、50モル%未満であり、20モル%未満であることが好ましい。
Figure 2019211573

(In formula (7-2), X 1 is as defined in relation to formula (1-1)).
The tetracarboxylic acid compound represented by the formula (7-2) is less than 50 mol% of the total mol% (100 mol%) of the tetracarboxylic acid compound used for the synthesis of the first polyamic acid compound, It is preferable that it is less than 20 mol%.

上記式(7−2)で表される、Xが、シクロブタン骨格以外の脂環式骨格を有するテトラカルボン酸化合物の例は、1,2,3,4−シクロペンタンテトラカルボン酸二無水物、1,2,3,5−シクロヘキサンテトラカルボン酸二無水物、ビシクロ[2,2,1]ヘプタン−2,3,5,6−テトラカルボン酸2;3,5;6−二無水物、及び3,5,6−トリカルボキシノルボルナン−2−酢酸2,3;5,6−二無水物、3−(カルボキシメチル)−1,2,4−シクロペンタントリカルボン酸1,4:2,3二無水物を含む。 An example of a tetracarboxylic acid compound represented by the above formula (7-2) in which X 1 has an alicyclic skeleton other than the cyclobutane skeleton is 1,2,3,4-cyclopentanetetracarboxylic dianhydride 1,2,3,5-cyclohexanetetracarboxylic dianhydride, bicyclo [2,2,1] heptane-2,3,5,6-tetracarboxylic acid 2; 3,5; 6-dianhydride, And 3,5,6-tricarboxynorbornane-2-acetic acid 2,3; 5,6-dianhydride, 3- (carboxymethyl) -1,2,4-cyclopentanetricarboxylic acid 1,4: 2,3 Contains dianhydrides.

上記式(7−2)で表される、Xが、鎖式骨格を有するテトラカルボン酸化合物は、例えばメソ−ブタン−1,2,3,4−テトラカルボン酸二無水物である。 The tetracarboxylic acid compound in which X 1 represented by the above formula (7-2) has a chain skeleton is, for example, meso-butane-1,2,3,4-tetracarboxylic dianhydride.

上記式(7−2)で表される、Xが、芳香族基を有するテトラカルボン酸化合物は、例えばピロメリット酸二無水物である。 The tetracarboxylic acid compound in which X 1 represented by the above formula (7-2) has an aromatic group is, for example, pyromellitic dianhydride.

第1ポリアミド酸系化合物の合成に用いるジアミン化合物は、下記式(8):   The diamine compound used for the synthesis of the first polyamic acid compound is represented by the following formula (8):

Figure 2019211573

(式(8)中、Jは、式(2)に関して定義した通りである)で表されるジアミン化合物であり得る。しかしながら、上記式(8)で表されるジアミン化合物は、第1ポリアミド酸系化合物の合成に用いるジアミン化合物の全モル%(100モル%)のうち、10モル%以下であり、5モル%以下であることが好ましい。なお、上記「10モル%以下」及び「5モル%以下」は、0モル%も含み、上記式(8)で表されるジアミン化合物は、0モル%であることがさらに好ましい。
Figure 2019211573

(In formula (8), J may be as defined for formula (2)). However, the diamine compound represented by the above formula (8) is 10 mol% or less and 5 mol% or less of the total mol% (100 mol%) of the diamine compound used for the synthesis of the first polyamic acid compound. It is preferable that The “10 mol% or less” and “5 mol% or less” include 0 mol%, and the diamine compound represented by the formula (8) is more preferably 0 mol%.

いくつかの実施形態において、第1ポリアミド酸系化合物の合成に用いるジアミン化合物は、下記式(9):   In some embodiments, the diamine compound used for the synthesis of the first polyamic acid-based compound is represented by the following formula (9):

Figure 2019211573

(式(9)中、Lは、式(5)に関して定義した通りである)で表されるジアミン化合物であり得る。
上記式(9)で表されるジアミン化合物は、第1ポリアミド酸系化合物の合成に用いるジアミン化合物の全モル%(100モル%)のうち、90モル%以上であり、100モル%であることが好ましい。
Figure 2019211573

(In formula (9), L may be as defined for formula (5)).
The diamine compound represented by the formula (9) is 90 mol% or more and 100 mol% of the total mol% (100 mol%) of the diamine compound used for the synthesis of the first polyamic acid compound. Is preferred.

上記式(9)で表されるジアミン化合物の例は、o−フェニレンジアミン、m−フェニレンジアミン、p−フェニレンジアミン、2,4−ジアミノトルエン、2,5−ジアミノトルエン、3,5−ジアミノトルエン、1,4−ジアミノ−2−メトキシベンゼン、2,5−ジアミノ−p−キシレン、1,3−ジアミノ−4−クロロベンゼン、3,5−ジアミノ安息香酸、1,4−ジアミノ−2,5−ジクロロベンゼン、4,4’−ジアミノ−1,2−ジフェニルエタン、4,4’−ジアミノ−2,2’−ジメチルビベンジル、4,4’−ジアミノジフェニルメタン、3,3’−ジアミノジフェニルメタン、3,4’−ジアミノジフェニルメタン、4,4’−ジアミノ−3,3’―ジメチルジフェニルメタン、2,2’−ジアミノスチルベン、4,4’−ジアミノスチルベン、4,4’−ジアミノジフェニルエーテル、3,4’−ジアミノジフェニルエーテル、4,4’−ジアミノジフェニルスルフィド、4,4’−ジアミノジフェニルスルホン、3,3’−ジアミノジフェニルスルホン、4,4’−ジアミノベンゾフェノン、1,3−ビス(3−アミノフェノキシ)ベンゼン、1,3−ビス(4−アミノフェノキシ)ベンゼン、1,4−ビス(4−アミノフェノキシ)ベンゼン、3,5−ビス(4−アミノフェノキシ)安息香酸、4,4’−ビス(4−アミノフェノキシ)ビベンジル、2,2−ビス[(4−アミノフェノキシ)メチル]プロパン、2,2−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]ヘキサフロロプロパン、2,2−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]プロパン、ビス[4−(3−アミノフェノキシ)フェニル]スルホン、ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]スルホン、1,1−ビス(4−アミノフェニル)シクロヘキサン、α、α’−ビス(4−アミノフェニル)−1,4−ジイソプロピルベンゼン、9,9−ビス(4−アミノフェニル)フルオレン、2,2−ビス(3−アミノフェニル)ヘキサフロロプロパン、2,2−ビス(4−アミノフェニル)ヘキサフロロプロパン、4,4’−ジアミノジフェニルアミン、2,4−ジアミノジフェニルアミン、1,8−ジアミノナフタレン、1,5−ジアミノナフタレン、1,5−ジアミノアントラキノン、1,3−ジアミノピレン、1,6−ジアミノピレン、1,8―ジアミノピレン、2,7−ジアミノフルオレン、1,3−ビス(4−アミノフェニル)テトラメチルジシロキサン、ベンジジン、2,2’−ジメチルベンジジン、1,2−ビス(4−アミノフェニル)エタン、1,3−ビス(4−アミノフェニル)プロパン、1,4−ビス(4−アミノフェニル)ブタン、1,5−ビス(4−アミノフェニル)ペンタン、1,6−ビス(4−アミノフェニル)ヘキサン、1,7−ビス(4−アミノフェニル)ヘプタン、1,8−ビス(4−アミノフェニル)オクタン、1,9−ビス(4−アミノフェニル)ノナン、1,10−ビス(4−アミノフェニル)デカン、1,3−ビス(4−アミノフェノキシ)プロパン、1,4−ビス(4−アミノフェノキシ)ブタン、1,5−ビス(4−アミノフェノキシ)ペンタン、1,6−ビス(4−アミノフェノキシ)ヘキサン、1,7−ビス(4−アミノフェノキシ)ヘプタン、1,8−ビス(4−アミノフェノキシ)オクタン、1,9−ビス(4−アミノフェノキシ)ノナン、1,10−ビス(4−アミノフェノキシ)デカン、ジ(4−アミノフェニル)プロパン−1,3−ジオエート、ジ(4−アミノフェニル)ブタン−1,4−ジオエート、ジ(4−アミノフェニル)ペンタン−1,5−ジオエート、ジ(4−アミノフェニル)ヘキサン−1,6−ジオエート、ジ(4−アミノフェニル)ヘプタン−1,7−ジオエート、ジ(4−アミノフェニル)オクタン−1,8−ジオエート、ジ(4−アミノフェニル)ノナン−1,9−ジオエート、ジ(4−アミノフェニル)デカン−1,10−ジオエート、1,3−ビス〔4−(4−アミノフェノキシ)フェノキシ〕プロパン、1,4−ビス〔4−(4−アミノフェノキシ)フェノキシ〕ブタン、1,5−ビス〔4−(4−アミノフェノキシ)フェノキシ〕ペンタン、1,6−ビス〔4−(4−アミノフェノキシ)フェノキシ〕ヘキサン、1,7−ビス〔4−(4−アミノフェノキシ)フェノキシ〕ヘプタン、1,8−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェノキシ]オクタン、1,9−ビス〔4−(4−アミノフェノキシ)フェノキシ〕ノナン、及び1,10−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェノキシ]デカンを含む。さらに、式(9)で示されるジアミンの例を以下に示す(以下の例において、nは、1〜10の整数である)。   Examples of the diamine compound represented by the above formula (9) are o-phenylenediamine, m-phenylenediamine, p-phenylenediamine, 2,4-diaminotoluene, 2,5-diaminotoluene, 3,5-diaminotoluene. 1,4-diamino-2-methoxybenzene, 2,5-diamino-p-xylene, 1,3-diamino-4-chlorobenzene, 3,5-diaminobenzoic acid, 1,4-diamino-2,5- Dichlorobenzene, 4,4′-diamino-1,2-diphenylethane, 4,4′-diamino-2,2′-dimethylbibenzyl, 4,4′-diaminodiphenylmethane, 3,3′-diaminodiphenylmethane, 3 , 4′-diaminodiphenylmethane, 4,4′-diamino-3,3′-dimethyldiphenylmethane, 2,2′-diaminostilbene, 4, 4'-diaminostilbene, 4,4'-diaminodiphenyl ether, 3,4'-diaminodiphenyl ether, 4,4'-diaminodiphenyl sulfide, 4,4'-diaminodiphenyl sulfone, 3,3'-diaminodiphenyl sulfone, 4 , 4′-diaminobenzophenone, 1,3-bis (3-aminophenoxy) benzene, 1,3-bis (4-aminophenoxy) benzene, 1,4-bis (4-aminophenoxy) benzene, 3,5- Bis (4-aminophenoxy) benzoic acid, 4,4′-bis (4-aminophenoxy) bibenzyl, 2,2-bis [(4-aminophenoxy) methyl] propane, 2,2-bis [4- (4 -Aminophenoxy) phenyl] hexafluoropropane, 2,2-bis [4- (4-aminophenoxy) pheny ] Propane, bis [4- (3-aminophenoxy) phenyl] sulfone, bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] sulfone, 1,1-bis (4-aminophenyl) cyclohexane, α, α′-bis (4-aminophenyl) -1,4-diisopropylbenzene, 9,9-bis (4-aminophenyl) fluorene, 2,2-bis (3-aminophenyl) hexafluoropropane, 2,2-bis (4- Aminophenyl) hexafluoropropane, 4,4′-diaminodiphenylamine, 2,4-diaminodiphenylamine, 1,8-diaminonaphthalene, 1,5-diaminonaphthalene, 1,5-diaminoanthraquinone, 1,3-diaminopyrene, 1,6-diaminopyrene, 1,8-diaminopyrene, 2,7-diaminofluorene, 1,3-bi (4-aminophenyl) tetramethyldisiloxane, benzidine, 2,2′-dimethylbenzidine, 1,2-bis (4-aminophenyl) ethane, 1,3-bis (4-aminophenyl) propane, 1,4 -Bis (4-aminophenyl) butane, 1,5-bis (4-aminophenyl) pentane, 1,6-bis (4-aminophenyl) hexane, 1,7-bis (4-aminophenyl) heptane, , 8-bis (4-aminophenyl) octane, 1,9-bis (4-aminophenyl) nonane, 1,10-bis (4-aminophenyl) decane, 1,3-bis (4-aminophenoxy) propane 1,4-bis (4-aminophenoxy) butane, 1,5-bis (4-aminophenoxy) pentane, 1,6-bis (4-aminophenoxy) hexane, 1, 7-bis (4-aminophenoxy) heptane, 1,8-bis (4-aminophenoxy) octane, 1,9-bis (4-aminophenoxy) nonane, 1,10-bis (4-aminophenoxy) decane, Di (4-aminophenyl) propane-1,3-dioate, di (4-aminophenyl) butane-1,4-dioate, di (4-aminophenyl) pentane-1,5-dioate, di (4-amino) Phenyl) hexane-1,6-dioate, di (4-aminophenyl) heptane-1,7-dioate, di (4-aminophenyl) octane-1,8-dioate, di (4-aminophenyl) nonane-1 , 9-dioate, di (4-aminophenyl) decane-1,10-dioate, 1,3-bis [4- (4-aminophenoxy) phenoxy] propa 1,4-bis [4- (4-aminophenoxy) phenoxy] butane, 1,5-bis [4- (4-aminophenoxy) phenoxy] pentane, 1,6-bis [4- (4-aminophenoxy) ) Phenoxy] hexane, 1,7-bis [4- (4-aminophenoxy) phenoxy] heptane, 1,8-bis [4- (4-aminophenoxy) phenoxy] octane, 1,9-bis [4- ( 4-aminophenoxy) phenoxy] nonane and 1,10-bis [4- (4-aminophenoxy) phenoxy] decane. Furthermore, the example of the diamine shown by Formula (9) is shown below (in the following examples, n is an integer of 1-10).

Figure 2019211573
Figure 2019211573

Figure 2019211573
Figure 2019211573

<第2ポリアミド酸系化合物>
実施形態に係る第2ポリアミド酸系化合物において、第2ポリアミド酸系化合物中のテトラカルボン酸化合物由来の骨格のモル百分率を100モル%としたときに、当該第2ポリアミド酸系化合物中の下記式(3−1):
<Second polyamic acid compound>
In the second polyamic acid compound according to the embodiment, when the molar percentage of the skeleton derived from the tetracarboxylic acid compound in the second polyamic acid compound is 100 mol%, the following formula in the second polyamic acid compound (3-1):

Figure 2019211573

(式(3−1)中、R及びRは、それぞれ独立に、−COOH又はCOOR(ここで、Rは、アルキル基である)であり、Rは、それぞれ、水素又はアルキル基である)で表されるシクロブタン骨格を有するテトラカルボン酸化合物由来の骨格のモル百分率は、20モル%以下、及び当該第2ポリアミド酸系化合物中の下記式(3−2):
Figure 2019211573

(In Formula (3-1), R 1 and R 2 are each independently —COOH or COOR (where R is an alkyl group), and R a is hydrogen or an alkyl group, respectively. The molar percentage of the skeleton derived from the tetracarboxylic acid compound having a cyclobutane skeleton represented by the formula (2) is 20 mol% or less, and the following formula (3-2) in the second polyamic acid-based compound:

Figure 2019211573

(式(3−2)中、R及びRは、それぞれ独立に、−COOH又はCOOR(ここで、Rは、アルキル基である)である)で表されるピロメリット酸二無水物由来の骨格のモル百分率は、10モル%以下、並びに第2ポリアミド酸系化合物中のジアミン化合物由来の骨格のモル百分率を100モル%としたときに、当該第2ポリアミド酸系化合物中の下記式(4):
Figure 2019211573

(In formula (3-2), R 1 and R 2 are each independently derived from pyromellitic dianhydride represented by —COOH or COOR (where R is an alkyl group)). The molar percentage of the skeleton is 10 mol% or less, and when the molar percentage of the skeleton derived from the diamine compound in the second polyamic acid compound is 100 mol%, the following formula ( 4):

Figure 2019211573

(式(4)中、Jは、Ar、又はAr−K−Arであり、Ar、Ar及びArは、それぞれ独立に、第一級アミノ基、第二級アミノ基又はニトロ基を含有する芳香族基であり、Kは、第一級アミノ基又は第二級アミノ基を含有する有機基である)で表されるジアミン化合物由来の骨格のモル百分率は、10モル%以下である。
Figure 2019211573

(In the formula (4), J is Ar 1, or a Ar 2 -K-Ar 3, Ar 1, Ar 2 and Ar 3 each independently, a primary amino group, secondary amino group, or A nitro group-containing aromatic group, and K is an organic group containing a primary amino group or a secondary amino group). It is as follows.

実施形態に係る第2ポリアミド酸系化合物において、第2ポリアミド酸系化合物中のテトラカルボン酸化合物由来の骨格のモル百分率を100モル%としたときに、当該第2ポリアミド酸系化合物中の上記式(3−1)で表されるシクロブタン骨格を有するテトラカルボン酸化合物由来の骨格のモル百分率は、10モル%下であることが好ましい。なお、上記「20モル%以下」及び「10モル%以下」は、0モル%も含み、当該第2ポリアミド酸系化合物中の上記式(3−1)で表されるシクロブタン骨格を有するテトラカルボン酸化合物由来の骨格のモル百分率は、0モル%であることがさらに好ましい。
上記式(3−1)におけるRがアルキル基である場合、Rは、例えば1個〜6個の炭素原子を有するアルキル基である。アルキル基としては、メチル基が特に好ましい。
In the second polyamic acid compound according to the embodiment, when the molar percentage of the skeleton derived from the tetracarboxylic acid compound in the second polyamic acid compound is 100 mol%, the above formula in the second polyamic acid compound is used. The molar percentage of the skeleton derived from the tetracarboxylic acid compound having a cyclobutane skeleton represented by (3-1) is preferably 10 mol% or less. The above “20 mol% or less” and “10 mol% or less” include 0 mol%, and the tetracarboxylic acid having a cyclobutane skeleton represented by the above formula (3-1) in the second polyamic acid compound. The mole percentage of the skeleton derived from the acid compound is more preferably 0 mol%.
When R a in the above formula (3-1) is an alkyl group, R a is, for example, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms. As the alkyl group, a methyl group is particularly preferable.

また、実施形態に係る第2ポリアミド酸系化合物において、第2ポリアミド酸系化合物中のテトラカルボン酸化合物由来の骨格のモル百分率を100モル%としたときに、当該第2ポリアミド酸系化合物中の上記式(3−2)で表されるピロメリット酸二無水物由来の骨格のモル百分率は、5モル%以下であることが好ましい。なお、上記「10モル%以下」及び「5モル%以下」は、0モル%も含み、当該第2ポリアミド酸系化合物中の上記式(3−2)で表されるピロメリット酸二無水物由来の骨格のモル百分率は、0モル%であることがさらに好ましい。   In the second polyamic acid-based compound according to the embodiment, when the molar percentage of the skeleton derived from the tetracarboxylic acid compound in the second polyamic acid-based compound is 100 mol%, The molar percentage of the skeleton derived from pyromellitic dianhydride represented by the above formula (3-2) is preferably 5 mol% or less. The above “10 mol% or less” and “5 mol% or less” include 0 mol%, and pyromellitic dianhydride represented by the above formula (3-2) in the second polyamic acid compound. The mole percentage of the skeleton derived from is more preferably 0 mol%.

いくつかの実施形態において、第2ポリアミド酸系化合物におけるテトラカルボン酸化合物由来の骨格は、上記式(3−1)で表されるシクロブタン骨格を有するテトラカルボン酸化合物由来の骨格及び上記式(3−2)で表されるピロメリット酸二無水物由来の骨格のほか、下記式(10):   In some embodiments, the skeleton derived from a tetracarboxylic acid compound in the second polyamic acid compound is a skeleton derived from a tetracarboxylic acid compound having a cyclobutane skeleton represented by the above formula (3-1) and the above formula (3). -2) In addition to the skeleton derived from pyromellitic dianhydride represented by the following formula (10):

Figure 2019211573

(式(10)中、R及びRは、それぞれ独立に、−COOH又はCOOR(ここで、Rは、アルキル基である)であり、Xは、シクロブタン骨格以外の脂環式骨格、又は鎖式骨格である)で表されるテトラカルボン酸化合物由来の骨格を含み得る(70モル%以上、好ましくは85モル%以上、さらに好ましくは100モル%)。
上記式(10)において、シクロブタン骨格以外の脂環式骨格は、例えばシクロペンタン骨格、シクロヘキサン骨格、ビシクロ[2,2,1]ヘプタン骨格、2−メチルビシクロ[2,2,1]ヘプタン骨格であり、鎖式骨格は、例えばブチル骨格である。
Figure 2019211573

(In Formula (10), R 1 and R 2 are each independently —COOH or COOR (where R is an alkyl group), and X 2 is an alicyclic skeleton other than a cyclobutane skeleton, Or a skeleton derived from a tetracarboxylic acid compound represented by a chain skeleton) (70 mol% or more, preferably 85 mol% or more, more preferably 100 mol%).
In the above formula (10), the alicyclic skeleton other than the cyclobutane skeleton is, for example, a cyclopentane skeleton, a cyclohexane skeleton, a bicyclo [2,2,1] heptane skeleton, or a 2-methylbicyclo [2,2,1] heptane skeleton. The chain skeleton is, for example, a butyl skeleton.

実施形態に係る第2ポリアミド酸系化合物において、第2ポリアミド酸系化合物中のジアミン化合物由来の骨格のモル百分率を100モル%としたときに、当該第2ポリアミド酸系化合物中の上記式(4)で表されるジアミン化合物由来の骨格のモル百分率は、5モル%以下であることが好ましい。なお、上記「10モル%以下」及び「5モル%以下」は、0モル%も含み、当該第2ポリアミド酸系化合物中の上記式(4)で表されるジアミン化合物由来の骨格のモル百分率は、0モル%であることがさらに好ましい。   In the second polyamic acid-based compound according to the embodiment, when the molar percentage of the skeleton derived from the diamine compound in the second polyamic acid-based compound is 100 mol%, the above formula (4) It is preferable that the mole percentage of the skeleton derived from the diamine compound represented by) is 5 mol% or less. The “10 mol% or less” and “5 mol% or less” include 0 mol%, and the molar percentage of the skeleton derived from the diamine compound represented by the above formula (4) in the second polyamic acid compound. Is more preferably 0 mol%.

いくつかの実施形態において、第2ポリアミド酸系化合物におけるジアミン化合物由来の骨格は、下記式(11−1):   In some embodiments, the skeleton derived from the diamine compound in the second polyamic acid-based compound has the following formula (11-1):

Figure 2019211573

(式(11−1)中、Lは、Ar、又はAr−M−Arであり、Ar、Ar及びArは、それぞれ独立に、第一級アミノ基、第二級アミノ基及びニトロ基を含有しない芳香族基であり、Mは、第一級アミノ基及び第二級アミノ基を含有しない有機基である)で表されるジアミン化合物由来の骨格を90モル%以上含み得る(好ましくは100モル%)。
Figure 2019211573

(In formula (11-1), L is Ar 4 or Ar 5 -M-Ar 6 , and Ar 4 , Ar 5 and Ar 6 are each independently a primary amino group or a secondary amino group. A diamine compound-derived skeleton represented by the following formula: M is an aromatic group containing no nitro group or nitro group, and M is an organic group containing no primary amino group or secondary amino group) To obtain (preferably 100 mol%).

いくつかの実施形態において、式(11−1)におけるAr、Ar及びArは、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、チオール基、リン酸基、又は炭素数1〜20の1価の有機基を有する芳香族基である。Ar、Ar及びArによって表される芳香族基の例は、ベンゼン環又はベンゼン環を含む基である。 In some embodiments, Ar 4 , Ar 5 and Ar 6 in formula (11-1) each represent a halogen atom, a hydroxyl group, a thiol group, a phosphate group, or a monovalent organic group having 1 to 20 carbon atoms. It is an aromatic group. Examples of the aromatic group represented by Ar 4 , Ar 5 and Ar 6 are a benzene ring or a group containing a benzene ring.

いくつかの実施形態において、式(11−1)におけるMは、酸素、窒素、硫黄、炭素及び水素、又はそれら2つ以上の組合せからなる有機基である。   In some embodiments, M in formula (11-1) is an organic group consisting of oxygen, nitrogen, sulfur, carbon and hydrogen, or a combination of two or more thereof.

別の実施形態において、第2ポリアミド酸系化合物におけるジアミン化合物由来の骨格は、下記式(11−2):   In another embodiment, the skeleton derived from the diamine compound in the second polyamic acid compound has the following formula (11-2):

Figure 2019211573

(式(11−2)中、Lは、酸素及び/又はフッ素を含有する有機基である)で表されるジアミン化合物由来の骨格を含み得る。
Figure 2019211573

(In Formula (11-2), L 1 is an organic group containing oxygen and / or fluorine) and may contain a skeleton derived from a diamine compound.

実施形態に係る第2ポリアミド酸系化合物において、第2ポリアミド酸系化合物中のジアミン化合物由来の骨格のモル百分率を100モル%としたときに、当該第2ポリアミド酸系化合物中の上記式(11−1)及び/又は(11−2)で表されるジアミン化合物由来の骨格のモル百分率の合計は、90モル%以上であることが好ましく、100モル%であることがさらに好ましい。   In the second polyamic acid-based compound according to the embodiment, when the molar percentage of the skeleton derived from the diamine compound in the second polyamic acid-based compound is 100 mol%, the above formula (11 The sum of the mole percentages of the skeleton derived from the diamine compound represented by -1) and / or (11-2) is preferably 90 mol% or more, and more preferably 100 mol%.

上述したように、第2ポリアミド酸系化合物は、上記式(10)で表されるテトラカルボン酸化合物由来の骨格と、上記式(11−1)及び/又は(11−2)で表されるジアミン化合物由来の骨格とを含み得るため、下記式(12−1)で示す構造単位(繰り返し単位)を有する。   As described above, the second polyamic acid-based compound is represented by the skeleton derived from the tetracarboxylic acid compound represented by the above formula (10) and the above formula (11-1) and / or (11-2). Since it may contain a skeleton derived from a diamine compound, it has a structural unit (repeating unit) represented by the following formula (12-1).

Figure 2019211573

式(12−1)において、Xは、式(10)に関して定義した通りであり、R及びRは、式(10)に関して定義した通りであり、Lは、式(11−1)に関して定義した通りである。
Figure 2019211573

In formula (12-1), X 2 is as defined for formula (10), R 1 and R 2 are as defined for formula (10), and L is formula (11-1) As defined above.

別の実施形態において、第2ポリアミド酸系化合物は、上記式(12−1)で示される構造単位に加えて、下記式(12−2)で示す構造単位(繰り返し単位)を有する。   In another embodiment, the second polyamic acid compound has a structural unit (repeating unit) represented by the following formula (12-2) in addition to the structural unit represented by the above formula (12-1).

Figure 2019211573

式(12−2)において、Xは、式(10)に関して定義した通りであり、R及びRは、式(10)に関して定義した通りであり、Lは、式(11−2)に関して定義した通りである。
Figure 2019211573

In Formula (12-2), X 2 is as defined for Formula (10), R 1 and R 2 are as defined for Formula (10), and L 1 is Formula (11-2). ) As defined above.

第2ポリアミド酸系化合物は、第1ポリアミド酸系化合物よりも高い極性を有する。いくつかの実施形態において、第2ポリアミド酸系化合物は、上記式(11−1)で示される構造単位に加えて、上記式(11−2)で示す構造単位(繰り返し単位)を有するため、第1ポリアミド酸系化合物よりも高い極性、すなわち大きな表面エネルギーを有するようになる。
ポリアミド酸エステルとポリアミド酸が共存する場合、ポリアミド酸がポリアミド酸エステルよりも大きな表面エネルギーを有する。すなわち、第1ポリアミド酸系化合物がポリアミド酸エステル、第2ポリアミド酸系化合物がポリアミド酸である場合、第2ポリアミド酸系化合物は、第1ポリアミド酸系化合物よりも大きな表面エネルギーを有する。
The second polyamic acid-based compound has a higher polarity than the first polyamic acid-based compound. In some embodiments, the second polyamic acid-based compound has a structural unit (repeating unit) represented by the above formula (11-2) in addition to the structural unit represented by the above formula (11-1). It has higher polarity than the first polyamic acid-based compound, that is, has a larger surface energy.
When the polyamic acid ester and the polyamic acid coexist, the polyamic acid has a larger surface energy than the polyamic acid ester. That is, when the first polyamic acid compound is a polyamic acid ester and the second polyamic acid compound is a polyamic acid, the second polyamic acid compound has a larger surface energy than the first polyamic acid compound.

<第2ポリアミド酸系化合物の製造>
第2ポリアミド酸系化合物は、ジアミン化合物とテトラカルボン酸化合物(テトラカルボン酸二無水物)とを常法により反応させることによってポリアミド酸として製造することができる。
ポリアミド酸エステルは、第1ポリアミド酸系化合物に関して記載した製造方法に準じて、製造することができる。
<Production of Second Polyamic Acid Compound>
A 2nd polyamic-acid type compound can be manufactured as a polyamic acid by making a diamine compound and a tetracarboxylic acid compound (tetracarboxylic dianhydride) react by a conventional method.
The polyamic acid ester can be produced according to the production method described for the first polyamic acid-based compound.

第2ポリアミド酸系化合物の合成に用いるテトラカルボン酸化合物は、上記式(7−1)で表されるシクロブタン骨格を有するテトラカルボン酸化合物、及びピロメリット酸二無水物であり得る。
しかしながら、上記式(7−1)で表されるシクロブタン骨格を有するテトラカルボン酸化合物は、第2ポリアミド酸系化合物の合成に用いるテトラカルボン酸化合物の全モル%(100モル%)のうち、20モル%以下であり、10モル%以下であることが好ましく、0モル%であることがさらに好ましい。
また、ピロメリット酸二無水物は、第2ポリアミド酸系化合物の合成に用いるテトラカルボン酸化合物の全モル%(100モル%)のうち、10モル%以下であり、5モル%以下であることが好ましく、0モル%であることがさらに好ましい。
The tetracarboxylic acid compound used for the synthesis of the second polyamic acid compound may be a tetracarboxylic acid compound having a cyclobutane skeleton represented by the above formula (7-1) and pyromellitic dianhydride.
However, the tetracarboxylic acid compound having a cyclobutane skeleton represented by the above formula (7-1) is 20% of the total mol% (100 mol%) of the tetracarboxylic acid compound used for the synthesis of the second polyamic acid compound. It is preferably at most 10 mol%, more preferably at most 0 mol%.
In addition, pyromellitic dianhydride is 10 mol% or less and 5 mol% or less of the total mol% (100 mol%) of the tetracarboxylic acid compound used for the synthesis of the second polyamic acid compound. Is preferable, and it is further more preferable that it is 0 mol%.

いくつかの実施形態において、第2ポリアミド酸系化合物の合成に用いるテトラカルボン酸化合物は、下記式(13):   In some embodiments, the tetracarboxylic acid compound used in the synthesis of the second polyamic acid-based compound is represented by the following formula (13):

Figure 2019211573

(式(13)中、Xは、式(10)に関して定義した通りである)で表されるテトラカルボン酸化合物であり得る。
上記式(13)で表されるテトラカルボン酸化合物は、第2ポリアミド酸系化合物の合成に用いるテトラカルボン酸化合物の全モル%(100モル%)のうち、90モル%以上であり、100モル%であることが好ましい。
Figure 2019211573

(In formula (13), X 2 is as defined for formula (10)).
The tetracarboxylic acid compound represented by the above formula (13) is 90 mol% or more and 100 mol of the total mol% (100 mol%) of the tetracarboxylic acid compound used for the synthesis of the second polyamic acid compound. % Is preferred.

上記式(13)で表されるテトラカルボン酸二無水物としては、シクロブタン骨格以外の脂環式骨格、又は鎖式骨格を有するテトラカルボン酸二無水物を用いることができる。
第2ポリアミド酸系化合物の合成に用いる、シクロブタン骨格以外の脂環式骨格、又は鎖式骨格を有するテトラカルボン酸化合物としては、第1ポリアミド酸系化合物の合成に用いる、シクロブタン骨格以外の脂環式骨格、又は鎖式骨格を有するテトラカルボン酸化合物を用いることができる。
As the tetracarboxylic dianhydride represented by the above formula (13), a tetracarboxylic dianhydride having an alicyclic skeleton other than a cyclobutane skeleton or a chain skeleton can be used.
The tetracarboxylic acid compound having an alicyclic skeleton other than the cyclobutane skeleton or the chain skeleton used for the synthesis of the second polyamic acid-based compound includes an alicyclic other than the cyclobutane skeleton used for the synthesis of the first polyamic acid-based compound. A tetracarboxylic acid compound having a formula skeleton or a chain skeleton can be used.

第2ポリアミド酸系化合物の合成に用いるジアミン化合物は、上記式(8)で表されるジアミン化合物であり得る。しかしながら、上記式(8)で表されるジアミン化合物は、第2ポリアミド酸系化合物の合成に用いるジアミン化合物の全モル%(100モル%)のうち、10モル%以下であり、5モル%以下であることが好ましい。なお、上記「10モル%以下」及び「5モル%以下」は、0モル%も含み、上記式(8)で表されるジアミン化合物は、0モル%であることがさらに好ましい。   The diamine compound used for the synthesis of the second polyamic acid-based compound may be a diamine compound represented by the above formula (8). However, the diamine compound represented by the above formula (8) is 10 mol% or less and 5 mol% or less of the total mol% (100 mol%) of the diamine compound used for the synthesis of the second polyamic acid compound. It is preferable that The “10 mol% or less” and “5 mol% or less” include 0 mol%, and the diamine compound represented by the formula (8) is more preferably 0 mol%.

いくつかの実施形態において、第2ポリアミド酸系化合物の合成に用いるジアミン化合物は、上記式(9)で表されるジアミン化合物、及び下記式(14):   In some embodiments, the diamine compound used for the synthesis of the second polyamic acid compound is a diamine compound represented by the above formula (9) and the following formula (14):

Figure 2019211573

(式(14)中、Lは、式(11−2)に関して定義した通りである)で表されるジアミン化合物であり得る。
上記式(9)及び上記式(14)で表されるジアミン化合物は、第1ポリアミド酸系化合物の合成に用いるジアミン化合物の全モル%(100モル%)のうち、合計して90モル%以上であり、合計して100モル%であることが好ましい。
Figure 2019211573

(In formula (14), L 1 is as defined in relation to formula (11-2)).
The diamine compound represented by the above formula (9) and the above formula (14) is 90 mol% or more in total in the total mol% (100 mol%) of the diamine compound used for the synthesis of the first polyamic acid compound. It is preferable that it is 100 mol% in total.

第2ポリアミド酸系化合物の合成に用いる、上記式(9)で表されるジアミン化合物としては、第1ポリアミド酸系化合物の合成に用いる、上記式(9)で表されるジアミン化合物を用いることができる。
第2ポリアミド酸系化合物の合成に用いる、上記式(14)で表されるジアミン化合物としては、上記式(9)で表されるジアミン化合物において酸素を含有する有機基を有するジアミン化合物、又は上記式(9)で表されるジアミン化合物中の芳香族基にフッ素を含有する有機基(フルオロ基など)を導入したジアミン化合物を用いることができる。
As the diamine compound represented by the above formula (9) used for the synthesis of the second polyamic acid compound, the diamine compound represented by the above formula (9) used for the synthesis of the first polyamic acid compound is used. Can do.
As the diamine compound represented by the above formula (14) used for the synthesis of the second polyamic acid compound, the diamine compound having an organic group containing oxygen in the diamine compound represented by the above formula (9), or the above The diamine compound which introduce | transduced the organic group (fluoro group etc.) containing a fluorine into the aromatic group in the diamine compound represented by Formula (9) can be used.

<有機溶媒>
第1及び第2ポリアミド酸系化合物を溶解又は分散させる有機溶媒として、N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、N−メチル−2−ピロリドン、N−メチルカプロラクタム、2−ピロリドン、N−エチルピロリドン、N−ビニルピロリドン、ジメチルスルホキシド、テトラメチル尿素、ピリジン、ジメチルスルホン、ヘキサメチルスルホキシド、γ−ブチロラクトン、1,3−ジメチル−イミダゾリジノン、エチルアミルケトン、メチルノニルケトン、メチルエチルケトン、メチルイソアミルケトン、メチルイソプロピルケトン、シクロヘキサノン、エチレンカーボネート、プロピレンカーボネート、ジグライム、及び4−ヒドロキシ−4−メチル−2−ペンタノン、及びブチルセロソルブが使用できる。
<Organic solvent>
As an organic solvent for dissolving or dispersing the first and second polyamic acid compounds, N, N-dimethylformamide, N, N-dimethylacetamide, N-methyl-2-pyrrolidone, N-methylcaprolactam, 2-pyrrolidone, N -Ethyl pyrrolidone, N-vinyl pyrrolidone, dimethyl sulfoxide, tetramethyl urea, pyridine, dimethyl sulfone, hexamethyl sulfoxide, γ-butyrolactone, 1,3-dimethyl-imidazolidinone, ethyl amyl ketone, methyl nonyl ketone, methyl ethyl ketone, methyl Isoamyl ketone, methyl isopropyl ketone, cyclohexanone, ethylene carbonate, propylene carbonate, diglyme, and 4-hydroxy-4-methyl-2-pentanone, and butyl cellosolve can be used.

<配向膜>
実施形態に係る光配向膜用ワニスは、第2ポリアミド酸系化合物が、第1ポリアミド酸系化合物よりも高い極性、すなわち大きな表面エネルギーを有するので、第1ポリアミド酸系化合物と第2ポリアミド酸系化合物は相分離する。
図2を参照すると、このような第1及び第2ポリアミド酸系化合物を含有する光配向膜用ワニスを第1基板SUB1の画素電極PE及び絶縁膜16の上に塗布すると、第2ポリアミド酸系化合物の方が、画素電極PEを形成するITOやIZOと、絶縁膜16を形成するシリコン酸化物、シリコン窒化物、シリコン酸窒化物などの無機絶縁材料との親和性が高いので、第2ポリアミド酸系化合物が下層となり、第1ポリアミド酸系化合物が上層を構成して液晶層LCと接するようになる。
<Alignment film>
In the varnish for photo-alignment film according to the embodiment, since the second polyamic acid-based compound has a higher polarity than the first polyamic acid-based compound, that is, a larger surface energy, the first polyamic acid-based compound and the second polyamic acid-based compound The compound phase separates.
Referring to FIG. 2, when the photo-alignment film varnish containing the first and second polyamic acid-based compounds is applied on the pixel electrode PE and the insulating film 16 of the first substrate SUB1, the second polyamic acid-based varnish is applied. Since the compound has higher affinity between ITO or IZO for forming the pixel electrode PE and inorganic insulating material such as silicon oxide, silicon nitride, or silicon oxynitride for forming the insulating film 16, the second polyamide is used. The acid compound becomes the lower layer, and the first polyamic acid compound forms the upper layer and comes into contact with the liquid crystal layer LC.

また、光配向膜用ワニスを第2基板SUB2のオーバーコート層OCの上に塗布すると、第2ポリアミド酸系化合物の方が、有機樹脂を用いたオーバーコート層OCとの親和性が高いので、第2ポリアミド酸系化合物が下層を構成してオーバーコート層OCと接し、第1ポリアミド酸系化合物は、上層を形成して液晶層LCと接するようになる。   Also, when the photo-alignment film varnish is applied on the overcoat layer OC of the second substrate SUB2, the second polyamic acid compound has higher affinity with the overcoat layer OC using an organic resin. The second polyamic acid-based compound forms a lower layer and comes into contact with the overcoat layer OC, and the first polyamic acid-based compound forms an upper layer and comes into contact with the liquid crystal layer LC.

塗布対象に塗布し、二相に分離した光配向膜用ワニスを200℃程度の温度で加熱することによってイミド化し、イミド化後の二層膜に光配向処理を行って配向膜、すなわち光配向膜を提供する。光配向処理は、波長254nmから365nm領域の偏光紫外線をイミド化膜に照射することによって行うことができる。光配向処理したイミド化膜を備える第1基板SUB1及び第2基板SUB2は、さらに200℃程度の温度で加熱してもよい。   The varnish for the photo-alignment film, which is applied to the coating object and separated into two phases, is imidized by heating at a temperature of about 200 ° C., and the bilayer film after imidization is subjected to photo-alignment treatment, that is, the alignment film, that is, photo-alignment Providing a membrane. The photo-alignment treatment can be performed by irradiating the imidized film with polarized ultraviolet rays having a wavelength of 254 nm to 365 nm. The first substrate SUB1 and the second substrate SUB2 including the imidized film subjected to the photo-alignment treatment may be further heated at a temperature of about 200 ° C.

図3は、実施形態に係る二層構造の光配向膜(第1配向膜AL1)を示す模式図である。第1配向膜AL1は、絶縁膜16の上に形成され、上層AL1−1と、下層AL1−2から形成されている。ここで、第1配向膜AL1の上層AL1−1と下層AL1−2の境界は明確ではないので、図3では、それらの境界を点線で示している。   FIG. 3 is a schematic diagram illustrating a photo-alignment film (first alignment film AL1) having a two-layer structure according to the embodiment. The first alignment film AL1 is formed on the insulating film 16, and is formed of an upper layer AL1-1 and a lower layer AL1-2. Here, since the boundary between the upper layer AL1-1 and the lower layer AL1-2 of the first alignment film AL1 is not clear, those boundaries are indicated by dotted lines in FIG.

上述したように、実施形態に係る光配向膜用ワニスは、第2ポリアミド酸系化合物が、第1ポリアミド酸系化合物よりも多量に存在するので、二層構造の配向膜のうち下層が占める割合が多くなり、下層が上層よりも厚くなる。
このようにして形成した二層構造の光配向膜は、極性が低い第1ポリアミド酸系化合物のイミド化物が、上層(液晶側)を形成し、極性が高い第2ポリアミド酸系化合物のイミド化物が、下層(絶縁基板側)に形成する。
As described above, in the varnish for photo-alignment film according to the embodiment, since the second polyamic acid-based compound is present in a larger amount than the first polyamic acid-based compound, the proportion of the lower layer in the two-layered alignment film The lower layer becomes thicker than the upper layer.
In the photo-alignment film having the two-layer structure thus formed, the imidized product of the first polyamic acid compound having a low polarity forms the upper layer (liquid crystal side), and the imidized product of the second polyamic acid compound having a high polarity. However, it is formed in the lower layer (insulating substrate side).

いくつかの実施形態において、上層を形成する第1ポリアミド酸系化合物のイミド化物(ポリイミド)は、下記式(15−1)で示す構造単位(繰り返し単位)を有する。   In some embodiments, the imidized product (polyimide) of the first polyamic acid compound forming the upper layer has a structural unit (repeating unit) represented by the following formula (15-1).

Figure 2019211573

式(15−1)において、Rは、式(1)に関して定義した通りであり、Lは、式(5)に関して定義した通りである。
Figure 2019211573

In formula (15-1), R a is as defined for formula (1), and L is as defined for formula (5).

別の実施形態において、第1ポリアミド酸系化合物のイミド化物は、上記式(15−1)で示される構造単位に加えて、下記式(15−2)で示す構造単位(繰り返し単位)を有する。   In another embodiment, the imidized product of the first polyamic acid-based compound has a structural unit (repeating unit) represented by the following formula (15-2) in addition to the structural unit represented by the above formula (15-1). .

Figure 2019211573

式(15−2)において、Xは、式(1−1)に関して定義した通りであり、Lは、式(5)に関して定義した通りである。
Figure 2019211573

In formula (15-2), X 1 is as defined for formula (1-1), and L is as defined for formula (5).

このような第1ポリアミド酸系化合物のイミド化物は、第1ポリアミド酸系化合物を加熱すること(縮合反応)によって得られるため、テトラカルボン酸化合物由来の骨格とジアミン化合物由来の骨格とを有する。
そのため、第1ポリアミド酸系化合物のイミド化物において、イミド化物中のテトラカルボン酸化合物由来の骨格のモル百分率を100モル%としたときに、当該イミド化物中の上記式(7−1)で表されるテトラカルボン酸化合物に由来する骨格のモル百分率は、50モル%以上、及びイミド化物中のジアミン化合物由来の骨格のモル百分率を100モル%としたときに、当該イミド化物中の上記式(8)で表されるジアミン化合物に由来する骨格のモル百分率は、10モル%以下である。
Since such an imidized product of the first polyamic acid compound is obtained by heating the first polyamic acid compound (condensation reaction), it has a skeleton derived from a tetracarboxylic acid compound and a skeleton derived from a diamine compound.
Therefore, in the imidized product of the first polyamic acid-based compound, when the mole percentage of the skeleton derived from the tetracarboxylic acid compound in the imidized product is 100 mol%, the formula (7-1) in the imidized product is represented by the above formula (7-1). The mole percentage of the skeleton derived from the tetracarboxylic acid compound is 50 mol% or more, and when the mole percentage of the skeleton derived from the diamine compound in the imidized product is 100 mol%, the above formula ( The mole percentage of the skeleton derived from the diamine compound represented by 8) is 10 mol% or less.

いくつかの実施形態において、下層を形成する第2ポリアミド酸系化合物のイミド化物(ポリイミド)は、下記式(16−1)で示す構造単位(繰り返し単位)を有する。   In some embodiments, the imidized product (polyimide) of the second polyamic acid compound forming the lower layer has a structural unit (repeating unit) represented by the following formula (16-1).

Figure 2019211573

式(16−1)において、Xは、式(10)に関して定義した通りであり、Lは、式(11−1)に関して定義した通りである。
Figure 2019211573

In Formula (16-1), X 2 is as defined for Formula (10), and L is as defined for Formula (11-1).

別の実施形態において、第2ポリアミド酸系化合物のイミド化物は、上記式(16−1)で示される構造単位に加えて、下記式(16−2)で示す構造単位(繰り返し単位)を有する。   In another embodiment, the imidized product of the second polyamic acid compound has a structural unit (repeating unit) represented by the following formula (16-2) in addition to the structural unit represented by the above formula (16-1). .

Figure 2019211573

式(16−2)において、Xは、式(10)に関して定義した通りであり、Lは、式(11−2)に関して定義した通りである。
Figure 2019211573

In Formula (16-2), X 2 is as defined for Formula (10), and L 1 is as defined for Formula (11-2).

このような第2ポリアミド酸系化合物のイミド化物は、第2ポリアミド酸系化合物を加熱すること(縮合反応)によって得られるため、テトラカルボン酸化合物由来の骨格とジアミン化合物由来の骨格とを有する。
そのため、第2ポリアミド酸系化合物のイミド化物において、イミド化物中のテトラカルボン酸化合物由来の骨格のモル百分率を100モル%としたときに、当該イミド化物中の上記式(7−1)で表されるテトラカルボン酸化合物に由来する骨格のモル百分率は、20モル%以下、及びイミド化物中のピロメリット酸二無水物に由来する骨格のモル百分率は、10モル%以下、並びにイミド化物中のジアミン化合物由来の骨格のモル百分率を100モル%としたときに、当該イミド化物中の上記式(8)で表されるジアミン化合物に由来する骨格のモル百分率は、10モル%以下である。
Since such an imidized product of the second polyamic acid compound is obtained by heating the second polyamic acid compound (condensation reaction), it has a skeleton derived from a tetracarboxylic acid compound and a skeleton derived from a diamine compound.
Therefore, in the imidized product of the second polyamic acid compound, when the molar percentage of the skeleton derived from the tetracarboxylic acid compound in the imidized product is 100 mol%, the formula (7-1) in the imidized product represents The mole percentage of the skeleton derived from the tetracarboxylic acid compound is 20 mol% or less, and the mole percentage of the skeleton derived from pyromellitic dianhydride in the imidized product is 10 mol% or less, and in the imidized product. When the mole percentage of the skeleton derived from the diamine compound is 100 mol%, the mole percentage of the skeleton derived from the diamine compound represented by the formula (8) in the imidized product is 10 mol% or less.

上層を形成する第1ポリアミド酸系化合物のイミド化物は、イミド化物中のジアミン化合物由来の骨格のモル百分率を100モル%としたときに、当該イミド化物中の上記式(8)で表されるジアミン化合物に由来する骨格のモル百分率は、10モル%以下である。そのため、当該イミド化物であるポリイミド膜は、偏光紫外線を照射した際に発生し得るラジカル等の発生が抑制される。
同様に、下層を形成する第1ポリアミド酸系化合物のイミド化物は、イミド化物中のジアミン化合物由来の骨格のモル百分率を100モル%としたときに、当該イミド化物中の上記式(8)で表されるジアミン化合物に由来する骨格のモル百分率は、10モル%以下である。そのため、当該イミド化物であるポリイミド膜は、偏光紫外線を照射した際に発生し得るラジカル等の発生が抑制される。
従って、このような第1及び第2ポリアミド酸系化合物のイミド化物を含む光配向膜は、DC電荷の蓄積を抑制し、DC残像を抑制又は防止し得る。
The imidized product of the first polyamic acid compound forming the upper layer is represented by the above formula (8) in the imidized product when the mole percentage of the skeleton derived from the diamine compound in the imidized product is 100 mol%. The mole percentage of the skeleton derived from the diamine compound is 10 mol% or less. Therefore, the polyimide film which is the imidized product suppresses generation of radicals and the like that can be generated when irradiated with polarized ultraviolet rays.
Similarly, the imidized product of the first polyamic acid compound forming the lower layer is represented by the above formula (8) in the imidized product when the mole percentage of the skeleton derived from the diamine compound in the imidized product is 100 mol%. The mole percentage of the skeleton derived from the represented diamine compound is 10 mol% or less. Therefore, the polyimide film which is the imidized product suppresses generation of radicals and the like that can be generated when irradiated with polarized ultraviolet rays.
Therefore, the photo-alignment film containing the imidized products of the first and second polyamic acid compounds can suppress the accumulation of DC charges and can suppress or prevent the DC afterimage.

また、上層を形成する第1ポリアミド酸系化合物のイミド化物は、イミド化物中のテトラカルボン酸化合物由来の骨格のモル百分率を100モル%としたときに、当該イミド化物中の上記式(7−1)で表されるテトラカルボン酸化合物に由来する骨格のモル百分率は、50モル%以上である。そのため、当該イミド化物であるポリイミド膜は、光配向処理によりシクロブタン骨格が分解し配向制御能が容易に付与される。
従って、このような第1ポリアミド酸系化合物のイミド化物を含む光配向膜は、光配向処理により配向制御能が容易に付与される。
Further, the imidized product of the first polyamic acid compound forming the upper layer has the above formula (7--) in the imidized product when the molar percentage of the skeleton derived from the tetracarboxylic acid compound in the imidized product is 100 mol%. The molar percentage of the skeleton derived from the tetracarboxylic acid compound represented by 1) is 50 mol% or more. Therefore, the polyimide film which is the imidized product is easily imparted with an alignment control ability by the decomposition of the cyclobutane skeleton by the photoalignment treatment.
Therefore, the photo-alignment film containing the imidized product of the first polyamic acid compound is easily imparted with the alignment control ability by the photo-alignment treatment.

さらに、下層を形成する第2ポリアミド酸系化合物のイミド化物は、イミド化物中のテトラカルボン酸化合物由来の骨格のモル百分率を100モル%としたときに、当該イミド化物中のピロメリット酸二無水物に由来する骨格のモル百分率は、10モル%以下である。そのため、当該イミド化物であるポリイミド膜は、比較的高い抵抗率を示す。
従って、このような第2ポリアミド酸系化合物のイミド化物を含む光配向膜は、比較的高い抵抗率を示し、低周波駆動(例えば、30Hz以下で駆動)におけるフリッカを抑制又は防止し得る。
Further, the imidized product of the second polyamic acid compound forming the lower layer is composed of pyromellitic dianhydride in the imidized product when the mole percentage of the skeleton derived from the tetracarboxylic acid compound in the imidized product is 100 mol%. The mole percentage of the skeleton derived from the product is 10 mol% or less. Therefore, the polyimide film which is the imidized product exhibits a relatively high resistivity.
Therefore, the photo-alignment film containing such an imidized product of the second polyamic acid compound exhibits a relatively high resistivity, and can suppress or prevent flicker during low-frequency driving (for example, driving at 30 Hz or less).

さらに、下層を形成する第2ポリアミド酸系化合物のイミド化物は、イミド化物中のテトラカルボン酸化合物由来の骨格のモル百分率を100モル%としたときに、当該イミド化物中の上記式(7−1)で表されるテトラカルボン酸化合物に由来する骨格のモル百分率は、20モル%以下である。そのため、当該イミド化物であるポリイミド膜は、偏光紫外線を照射した際に発生し得るラジカル等の発生が抑制される。
従って、このような第2ポリアミド酸系化合物のイミド化物を含む光配向膜は、DC電荷の蓄積を抑制し、DC残像を抑制又は防止し得る。
Furthermore, the imidized product of the second polyamic acid compound forming the lower layer has the above formula (7-) in the imidized product when the mole percentage of the skeleton derived from the tetracarboxylic acid compound in the imidized product is 100 mol%. The mole percentage of the skeleton derived from the tetracarboxylic acid compound represented by 1) is 20 mol% or less. Therefore, the polyimide film which is the imidized product suppresses generation of radicals and the like that can be generated when irradiated with polarized ultraviolet rays.
Therefore, the photo-alignment film containing such an imidized product of the second polyamic acid compound can suppress the accumulation of DC charges and can suppress or prevent the DC afterimage.

さらに、このような光配向膜は、下層を形成する第2ポリアミド酸系化合物のイミド化物が、上層を形成する第1ポリアミド酸系化合物のイミド化物よりも多量に存在するので、二層構造の光配向膜のうち、光配向処理により分解しやすい第1ポリアミド酸系化合物が占める割合が少なくなるので、偏光紫外線を照射した際に発生し得るラジカル等の発生を抑制し、DC残像を抑制又は防止し得る。   Further, such a photo-alignment film has a two-layer structure because the imidized product of the second polyamic acid compound forming the lower layer is present in a larger amount than the imidized product of the first polyamic acid compound forming the upper layer. Since the proportion of the first polyamic acid-based compound that is easily decomposed by the photo-alignment treatment in the photo-alignment film is reduced, generation of radicals that can be generated when irradiated with polarized ultraviolet rays is suppressed, and DC afterimage is suppressed or Can be prevented.

なお、上記実施形態において、第1配向膜AL1及び第2配向膜AL2が本発明の光配向膜用ワニスから形成されるが、第1配向膜AL1及び第2配向膜AL2の少なくとも一方が、本発明の光配向膜用ワニスから形成されていればよい。   In the above embodiment, the first alignment film AL1 and the second alignment film AL2 are formed from the varnish for optical alignment films of the present invention, but at least one of the first alignment film AL1 and the second alignment film AL2 is the main alignment film AL1. It should just be formed from the varnish for photo-alignment films of the invention.

以下、本発明を実施例により説明するが、初めに、ポリアミド酸系化合物の合成例を記載する。
ポリアミド酸系化合物の合成例
合成例1
ジアミン化合物としてのp−フェニレンジアミン(PDA)100モル部のN−メチル−2−ピロリドン(NMP)溶液と、テトラカルボン酸化合物としての1,3−ジメチル−1,2,3,4−シクロブタンテトラカルボン酸二無水物(CBDA)100モル部のNMP溶液と、有機溶媒としてのブチルセロソルブとを混合し、室温で8時間かけて全てのモノマーを反応させ、ポリアミド酸を生成し、固形分濃度15質量%の所望のポリアミド酸溶液を得た。
EXAMPLES Hereinafter, although an Example demonstrates this invention, the synthesis example of a polyamic-acid type compound is described first.
Synthesis example of polyamic acid compounds
Synthesis example 1
N-methyl-2-pyrrolidone (NMP) solution of 100 mole parts of p-phenylenediamine (PDA) as a diamine compound and 1,3-dimethyl-1,2,3,4-cyclobutanetetra as a tetracarboxylic acid compound Carboxylic dianhydride (CBDA) 100 mol parts NMP solution and butyl cellosolve as organic solvent are mixed and all monomers are reacted at room temperature for 8 hours to produce polyamic acid, solid content concentration 15 mass % Of the desired polyamic acid solution was obtained.

合成例2
ジアミン化合物としての4,4’−ジアミノジフェニルエーテル(DPE)100モル部のNMP溶液と、テトラカルボン酸化合物としてのメソ−ブタン−1,2,3,4−テトラカルボン酸二無水物(BDA)100モル部のNMP溶液と、有機溶媒としてのブチルセロソルブとを混合し、室温で8時間かけて全てのモノマーを反応させ、ポリアミド酸を生成し、固形分濃度15質量%の所望のポリアミド酸溶液を得た。
Synthesis example 2
NMP solution of 100 mol parts of 4,4′-diaminodiphenyl ether (DPE) as a diamine compound and meso-butane-1,2,3,4-tetracarboxylic dianhydride (BDA) 100 as a tetracarboxylic acid compound A molar part NMP solution and butyl cellosolve as an organic solvent are mixed and all monomers are reacted at room temperature for 8 hours to produce polyamic acid, thereby obtaining a desired polyamic acid solution having a solid concentration of 15% by mass. It was.

合成例3
合成例2において、テトラカルボン酸化合物としてのBDA100モル部の代わりに、BDA80モル部及びCBDA20モル部を用いた以外は、合成例2に関して記載した製造方法に準じて、固形分濃度15質量%の所望のポリアミド酸溶液を得た。
Synthesis example 3
In Synthesis Example 2, instead of 100 mol parts of BDA as a tetracarboxylic acid compound, 80 mol parts of BDA and 20 mol parts of CBDA were used, and the solid content concentration was 15% by mass according to the production method described for Synthesis Example 2. The desired polyamic acid solution was obtained.

合成例4
合成例2において、テトラカルボン酸化合物としてのBDA100モル部の代わりに、BDA70モル部及びCBDA30モル部を用いた以外は、合成例2に関して記載した製造方法に準じて、固形分濃度15質量%の所望のポリアミド酸溶液を得た。
Synthesis example 4
In Synthesis Example 2, instead of 100 mol parts of BDA as a tetracarboxylic acid compound, a solid content concentration of 15% by mass was used in accordance with the production method described for Synthesis Example 2 except that 70 mol parts of BDA and 30 mol parts of CBDA were used. The desired polyamic acid solution was obtained.

合成例5
合成例2において、テトラカルボン酸化合物としてのBDA100モル部の代わりに、BDA50モル部及びCBDA50モル部を用いた以外は、合成例2に関して記載した製造方法に準じて、固形分濃度15質量%の所望のポリアミド酸溶液を得た。
Synthesis example 5
In Synthesis Example 2, instead of 100 mol parts of BDA as a tetracarboxylic acid compound, a solid content concentration of 15% by mass was obtained according to the production method described for Synthesis Example 2 except that 50 mol parts of BDA and 50 mol parts of CBDA were used. The desired polyamic acid solution was obtained.

合成例6
ジアミン化合物としてのDPE90モル部及び4,4’−ジアミノジフェニルアミン(APA)10モル部のNMP溶液と、テトラカルボン酸化合物としてのBDA80モル部及びCBDA20モル部のNMP溶液と、有機溶媒としてのブチルセロソルブとを混合し、室温で8時間かけて全てのモノマーを反応させ、ポリアミド酸を生成し、固形分濃度15質量%の所望のポリアミド酸溶液を得た。
Synthesis Example 6
NMP solution of 90 mol parts of DPE as diamine compound and 10 mol parts of 4,4′-diaminodiphenylamine (APA), NMP solution of 80 mol parts of BDA and 20 mol parts of CBDA as tetracarboxylic acid compound, and butyl cellosolve as organic solvent And all the monomers were reacted at room temperature for 8 hours to produce a polyamic acid to obtain a desired polyamic acid solution having a solid concentration of 15% by mass.

合成例7
合成例6において、ジアミン化合物としてのDPE90モル部及びAPA10モル部の代わりに、DPE80モル部及びAPA20モル部を用いた以外は、合成例6に関して記載した製造方法に準じて、固形分濃度15質量%の所望のポリアミド酸溶液を得た。
Synthesis example 7
In Synthesis Example 6, in place of 90 mol parts of DPE as a diamine compound and 10 mol parts of APA, 80 mol parts of DPE and 20 mol parts of APA were used, and the solid content concentration was 15 mass according to the production method described for Synthesis Example 6. % Of the desired polyamic acid solution was obtained.

合成例8
合成例6において、ジアミン化合物としてのDPE90モル部及びAPA10モル部の代わりに、DPE50モル部及びAPA50モル部を用いた以外は、合成例6に関して記載した製造方法に準じて、固形分濃度15質量%の所望のポリアミド酸溶液を得た。
Synthesis Example 8
In Synthesis Example 6, a solid content concentration of 15 mass according to the production method described for Synthesis Example 6 except that DPE 50 mol parts and APA 50 mol parts were used instead of DPE 90 mol parts and APA 10 mol parts as the diamine compound. % Of the desired polyamic acid solution was obtained.

合成例9
合成例6において、ジアミン化合物としてのDPE90モル部及びAPA10モル部の代わりに、4,4’−ジアミノジフェニルメタン(DPM)100モル部を用いた以外は、合成例6に関して記載した製造方法に準じて、固形分濃度15質量%の所望のポリアミド酸溶液を得た。
Synthesis Example 9
In Synthesis Example 6, in accordance with the production method described for Synthesis Example 6, except that 100 mol parts of 4,4′-diaminodiphenylmethane (DPM) was used instead of 90 mol parts of DPE and 10 mol parts of APA as the diamine compound. A desired polyamic acid solution having a solid content concentration of 15% by mass was obtained.

合成例10
合成例2において、テトラカルボン酸化合物としてのBDA100モル部の代わりに、BDA90モル部及びピロメリット酸二無水物(PMDA)10モル部を用いた以外は、合成例2に関して記載した製造方法に準じて、固形分濃度15質量%の所望のポリアミド酸溶液を得た。
Synthesis Example 10
In Synthesis Example 2, in place of 100 parts by mole of BDA as the tetracarboxylic acid compound, 90 parts by mole of BDA and 10 parts by mole of pyromellitic dianhydride (PMDA) were used. Thus, a desired polyamic acid solution having a solid concentration of 15% by mass was obtained.

合成例11
合成例2において、テトラカルボン酸化合物としてのBDA100モル部の代わりに、BDA80モル部及びPMDA20モル部を用いた以外は、合成例2に関して記載した製造方法に準じて、固形分濃度15質量%の所望のポリアミド酸溶液を得た。
以上述べた合成例1から合成例11までで合成したポリアミド酸系化合物の合成に用いたテトラカルボン酸化合物及びジアミン化合物を下記表1に記載する。
Synthesis Example 11
In Synthesis Example 2, instead of 100 mol parts of BDA as a tetracarboxylic acid compound, 80 mol parts of BDA and 20 mol parts of PMDA were used, and the solid content concentration was 15% by mass according to the production method described for Synthesis Example 2. The desired polyamic acid solution was obtained.
The tetracarboxylic acid compounds and diamine compounds used in the synthesis of the polyamic acid compounds synthesized in Synthesis Examples 1 to 11 described above are shown in Table 1 below.

Figure 2019211573
Figure 2019211573

例1〜例11
下記表2に示す上層成分及び下層成分を重量比4:6又は6:4の比率で混合し、例1〜例11の塗布液(光配向膜用ワニス)を調製した。
図2に示す構造の液晶表示装置の第1基板SUB1の第1配向膜AL1及び第2基板SUB2の第2配向膜AL2を塗布すべき領域に、例1の塗布液を膜厚が100nmとなるように塗布し、230℃、10分間加熱してイミド化を行なった。イミド化率は、いずれも80%であった。
Examples 1 to 11
The upper layer component and the lower layer component shown in Table 2 below were mixed at a weight ratio of 4: 6 or 6: 4 to prepare coating solutions (varnishes for photo-alignment films) of Examples 1 to 11.
In the liquid crystal display device having the structure shown in FIG. 2, the coating liquid of Example 1 has a film thickness of 100 nm in the region where the first alignment film AL1 of the first substrate SUB1 and the second alignment film AL2 of the second substrate SUB2 are to be applied. Then, imidization was performed by heating at 230 ° C. for 10 minutes. The imidation ratio was 80% in all cases.

各イミド化膜に対し、254nmから365nm領域の偏光紫外線を、電極角に対して80°の方向に照射して光配向処理を行なった。光配向処理には、ショートアーク光源(ウシオ電機製、UXM−5000BY)を使用した。光配向処理における偏光紫外線の照射量は、約1.5J/cmであった。照射量は積算照度計(ウシオ電機製、UVD−S254センサ)での値である。 Each imidized film was subjected to photo-alignment treatment by irradiating polarized ultraviolet rays in the region of 254 nm to 365 nm in a direction of 80 ° with respect to the electrode angle. A short arc light source (UXM-5000BY, manufactured by Ushio Electric) was used for the photo-alignment treatment. The irradiation amount of polarized ultraviolet rays in the photo-alignment treatment was about 1.5 J / cm 2 . The amount of irradiation is a value measured by an integrating illuminometer (manufactured by USHIO INC., UVD-S254 sensor).

光配向処理後のイミド化膜を、230℃、30分間加熱して光配向膜を形成した。こうして形成した光配向膜を第1基板SUB1及び第2基板SUB2を用いて、一方の基板に形成した光配向膜の周縁にシールを設け、液晶材料を滴下し封入するようにして、他方の基板の光配向膜と対向するように張り合わせて、液晶セルを作製した。第1基板SUB1及び第2基板SUB2のギャップは3μmとした。液晶としては、ネガ型の液晶材料(Δn=0.11)を用いた。   The imidized film after the photo-alignment treatment was heated at 230 ° C. for 30 minutes to form a photo-alignment film. The first substrate SUB1 and the second substrate SUB2 are used to form the photo-alignment film thus formed, and a seal is provided on the periphery of the photo-alignment film formed on one substrate so that the liquid crystal material is dropped and sealed, and the other substrate A liquid crystal cell was produced by pasting so as to face the photo-alignment film. The gap between the first substrate SUB1 and the second substrate SUB2 was 3 μm. As the liquid crystal, a negative liquid crystal material (Δn = 0.11) was used.

作製した液晶セルの両面に偏光板をクロス二コルとなるように貼り合わせ、常法により例1の液晶表示装置を製造した。照明装置は、10000cm/cmのYAG(イットリウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体)−LED光源を使用した。駆動電圧は、電圧−輝度特性を取得し、最大輝度の22%となる電圧(2.2V)に設定した。例2〜例11の液晶表示装置を、例1の液晶表示装置の製造方法に準じて製造した。 A polarizing plate was bonded to both surfaces of the produced liquid crystal cell so as to have a crossed Nicol, and the liquid crystal display device of Example 1 was produced by a conventional method. The lighting device used was a YAG (yttrium, aluminum, garnet phosphor) -LED light source of 10,000 cm / cm 2 . The drive voltage was set to a voltage (2.2 V) that acquired voltage-luminance characteristics and was 22% of the maximum luminance. The liquid crystal display devices of Examples 2 to 11 were manufactured according to the manufacturing method of the liquid crystal display device of Example 1.

<評価1:2時間後のVcomドリフト量測定>
例1の液晶表示装置から50cm離れた場所に輝度測定器(トプコムテクノハウス社製、BM−5AS)を設置した。照明装置点灯下、オシロスコープ(テクトロニクス社製)を用いて輝度の連続出力(アナログ出力)を確認し、フリッカが最も少なくなる電圧(初期値のVcom)に設定した。この設定値をオフセットDC電圧とした。
<Evaluation 1: Measurement of Vcom drift after 2 hours>
A luminance measuring device (manufactured by Topcom Techno House Co., Ltd., BM-5AS) was installed at a location 50 cm away from the liquid crystal display device of Example 1. With the lighting device turned on, a continuous output (analog output) of luminance was confirmed using an oscilloscope (manufactured by Tektronix), and the voltage (initial value Vcom) at which the flicker was minimized was set. This set value was set as an offset DC voltage.

外部ファンクションジェネレータを用いて、30Hz矩形波の駆動周波数を例1の液晶表示装置に入力した。10分後に、オシロスコープを用いてフリッカが最も少なくなる電圧(Vcom)を測定し、その後オフセットDC電圧に戻し、例1の液晶表示装置への30Hz矩形波の駆動周波数の入力を再開した。このようなVcom測定を2時間実施し、2時間後のVcomと、初期値のVcomとの差をVcomドリフト量として算出した。例2〜例11の液晶表示装置についても、上述したようにVcomドリフト量を算出した。結果を下記表2に記載する。   Using an external function generator, a driving frequency of 30 Hz rectangular wave was input to the liquid crystal display device of Example 1. Ten minutes later, the voltage (Vcom) at which flicker was minimized was measured using an oscilloscope, and then returned to the offset DC voltage, and the input of the driving frequency of the 30 Hz rectangular wave to the liquid crystal display device of Example 1 was resumed. Such Vcom measurement was performed for 2 hours, and the difference between Vcom after 2 hours and the initial value Vcom was calculated as the Vcom drift amount. For the liquid crystal display devices of Examples 2 to 11, the Vcom drift amount was calculated as described above. The results are listed in Table 2 below.

<評価2:低周波駆動時のフリッカの目視による確認>
1Hzの駆動周波数に設定することを除いて、評価1と同じ測定条件下、オシロスコープを用いてフリッカの状態を目視で判定した。
<Evaluation 2: Visual confirmation of flicker during low frequency driving>
The flicker state was visually determined using an oscilloscope under the same measurement conditions as in Evaluation 1 except that the driving frequency was set to 1 Hz.

<評価3:光配向膜の抵抗率測定>
表層にITO膜が形成された無アルカリガラス基板(表面抵抗≦30Ω/sq、ITO膜厚90nm、ジオマテック製)のITO層上に、例1〜例11の塗布液それぞれを塗布し、各塗布液を膜厚が200nmとなるように塗布し、230℃、10分間加熱してイミド化を行なった。
<Evaluation 3: Resistivity measurement of photo-alignment film>
On the ITO layer of a non-alkali glass substrate (surface resistance ≦ 30Ω / sq, ITO film thickness 90 nm, manufactured by Geomatic) with an ITO film formed on the surface layer, each of the coating liquids of Examples 1 to 11 was applied. Was applied so that the film thickness was 200 nm, and imidization was performed by heating at 230 ° C. for 10 minutes.

各イミド化膜に対し、254nmから365nm領域の偏光紫外線を、光配向処理を行なった。光配向処理には、ショートアーク光源(ウシオ電機製、UXM−5000BY)を使用した。光配向処理における偏光紫外線の際の照射量は、約7J/cmであった。照射量は積算照度計(ウシオ電機製、UVD−S254センサ)での値である。 Each imidized film was subjected to a photo-alignment treatment using polarized ultraviolet rays in the region of 254 nm to 365 nm. A short arc light source (UXM-5000BY, manufactured by Ushio Electric) was used for the photo-alignment treatment. The amount of irradiation with polarized ultraviolet rays in the photo-alignment treatment was about 7 J / cm 2 . The amount of irradiation is a value measured by an integrating illuminometer (manufactured by USHIO INC., UVD-S254 sensor).

光配向処理後のイミド化膜を、230℃、30分間加熱して光配向膜を形成した。
無アルカリガラス基板上に形成された光配向膜上に、直径0.8mmの円形のアルミ電極、及び当該円形の電極の周囲に、離間したC字状のアルミ電極(ガードリング付きアルミ円形電極)を、膜厚0.3μmとなるようにマスク真空蒸着により形成した。
C字状のアルミ電極の外周側にある光配向膜の一部を除去し、ITO層の一部を露出させた。ITO層の一部を露出させた部分に、プローブとの接触を安定させるための銀ペーストを塗布した。この基板を光配向膜の抵抗率測定用の基板とした。
The imidized film after the photo-alignment treatment was heated at 230 ° C. for 30 minutes to form a photo-alignment film.
A circular aluminum electrode having a diameter of 0.8 mm on a photo-alignment film formed on an alkali-free glass substrate, and a C-shaped aluminum electrode spaced apart from the circular electrode (aluminum circular electrode with a guard ring) Was formed by mask vacuum deposition so as to have a film thickness of 0.3 μm.
A part of the photo-alignment film on the outer peripheral side of the C-shaped aluminum electrode was removed, and a part of the ITO layer was exposed. A silver paste for stabilizing the contact with the probe was applied to the exposed part of the ITO layer. This substrate was used as a substrate for measuring the resistivity of the photo-alignment film.

このような抵抗率測定用の基板を、照度10000cd/mのLEDバックライト上に無アルカリガラス基板をバックライト側にして配置し、ハイレジスタンスメータ(アジレント製4339B)の陽極側のプローブを円形のアルミ電極に当て、ハイレジスタンスメータの陰極側のプローブを銀ペースト部分に当て、0.2V〜2Vの電圧を0.2V間隔で10秒おきに印加し、電流値を2端子法で測定した。この測定は、温度25℃、相対湿度60%で行なった。
横軸をV、縦軸をI、プロットの傾きの逆数をRとして、次式により抵抗率ρ[Ωcm]を算出した。
ρ=R・S/d
式中、dは、光配向膜の膜厚(200nm)であり、Sは、電極の面積(2cm)である。結果を下記表2に併記する。
Such a substrate for resistivity measurement is placed on an LED backlight with an illuminance of 10000 cd / m 2 with an alkali-free glass substrate on the backlight side, and a probe on the anode side of a high resistance meter (Agilent 4339B) is circular. The high resistance meter cathode side probe was applied to the silver paste portion, a voltage of 0.2 V to 2 V was applied at intervals of 0.2 V every 10 seconds, and the current value was measured by the two-terminal method. . This measurement was performed at a temperature of 25 ° C. and a relative humidity of 60%.
The resistivity ρ [Ωcm] was calculated by the following equation, where V is the horizontal axis, I is the vertical axis, and R is the reciprocal of the slope of the plot.
ρ = R · S / d
In the formula, d is the film thickness (200 nm) of the photo-alignment film, and S is the area of the electrode (2 cm 2 ). The results are also shown in Table 2 below.

以上、評価1〜3の結果に基づいて、例1〜例11を以下の4段階で評価した。
A:液晶表示装置にDC残像及び低周波駆動時のフリッカのような表示異常が全く見られなかった。
B:液晶表示装置にDC残像及び低周波駆動時のフリッカのような表示異常が問題ない程度に見られなかった。
C:液晶表示装置にDC残像、又は低周波駆動時のフリッカのような表示異常が見られた。
D:液晶表示装置に低周波駆動時のフリッカが視認された。
結果を表2に併記する。
As described above, Examples 1 to 11 were evaluated in the following four stages based on the results of Evaluations 1 to 3.
A: Display abnormality such as DC afterimage and flicker during low frequency driving was not observed at all in the liquid crystal display device.
B: Display anomalies such as DC afterimage and flicker during low-frequency driving were not observed in the liquid crystal display device to the extent that there was no problem.
C: Display abnormality such as DC afterimage or flicker during low frequency driving was observed in the liquid crystal display device.
D: Flicker during low frequency driving was visually recognized on the liquid crystal display device.
The results are also shown in Table 2.

Figure 2019211573
Figure 2019211573

例2、例5〜例7の液晶表示装置の光配向膜を形成するために用いた光配向膜用ワニスにおいて、下層を形成する合成例3、6〜8それぞれのポリアミド酸系化合物中のジアミン化合物由来の骨格のモル百分率を100モル%としたときに、各ポリアミド酸系化合物中の上記式(4)で表されるジアミン化合物由来の骨格のモル百分率は、それぞれ0モル%、10モル%、20モル%、50モル%である。
各ポリアミド酸系化合物中の上記式(4)で表されるジアミン化合物由来の骨格のモル百分率が、それぞれ0モル%、10モル%であるポリアミド酸系化合物を下層成分として含む例2、例5の光配向膜用ワニスから形成された光配向膜を備える液晶表示装置は、各ポリアミド酸系化合物中の上記式(4)で表されるジアミン化合物由来の骨格のモル百分率が、それぞれ20モル%、50モル%であるポリアミド酸系化合物を下層成分として含む例6、例7の光配向膜用ワニスから形成された光配向膜を備える液晶表示装置と比較して、2時間後のVcomドリフト量が低く抑制され、DC残像のような表示異常が抑制又は解消された。
Diamines in the polyamic acid-based compounds of Synthesis Examples 3 and 6 to 8 for forming the lower layer in the varnish for photo-alignment films used for forming the photo-alignment films of the liquid crystal display devices of Examples 2 and 5 to 7. When the molar percentage of the skeleton derived from the compound is 100 mol%, the molar percentage of the skeleton derived from the diamine compound represented by the above formula (4) in each polyamic acid compound is 0 mol% and 10 mol%, respectively. 20 mol% and 50 mol%.
Examples 2 and 5 containing a polyamic acid-based compound in which the molar percentage of the skeleton derived from the diamine compound represented by the above formula (4) in each polyamic acid-based compound is 0 mol% and 10 mol%, respectively, as a lower layer component The liquid crystal display device provided with the photo-alignment film formed from the varnish for photo-alignment film has a mole percentage of the skeleton derived from the diamine compound represented by the above formula (4) in each polyamic acid-based compound of 20 mol%. The amount of Vcom drift after 2 hours as compared with a liquid crystal display device comprising a photo-alignment film formed from the varnish for photo-alignment films of Examples 6 and 7 containing a polyamic acid compound of 50 mol% as a lower layer component Is suppressed to a low level, and display abnormality such as a DC afterimage is suppressed or eliminated.

例1〜例4の液晶表示装置の光配向膜を形成するために用いた光配向膜用ワニスにおいて、下層を形成する合成例2〜5それぞれのポリアミド酸系化合物中のテトラカルボン酸化合物由来の骨格のモル百分率を100モル%としたときに、各ポリアミド酸系化合物中の上記式(3−1)で表されるシクロブタン骨格を有するテトラカルボン酸化合物由来の骨格のモル百分率は、それぞれ0モル%、20モル%、30モル%、50モル%である。
各ポリアミド酸系化合物中の上記式(3−1)で表されるシクロブタン骨格を有するテトラカルボン酸化合物由来の骨格のモル百分率が、それぞれ0モル%、20モル%であるポリアミド酸系化合物を下層成分として含む例2、例3の光配向膜用ワニスから形成された光配向膜を備える液晶表示装置は、各ポリアミド酸系化合物中の上記式(3−1)で表されるシクロブタン骨格を有するテトラカルボン酸化合物由来の骨格のモル百分率が、それぞれ30モル%、50モル%であるポリアミド酸系化合物を下層成分として含む例4、例5の光配向膜用ワニスから形成された光配向膜を備える液晶表示装置と比較して、2時間後のVcomドリフト量が低く抑制され、DC残像のような表示異常が抑制又は解消された。
In the varnish for photo-alignment films used for forming the photo-alignment film of the liquid crystal display device of Examples 1 to 4, derived from the tetracarboxylic acid compound in each of the polyamic acid compounds in Synthesis Examples 2 to 5 for forming the lower layer When the molar percentage of the skeleton is 100 mol%, the molar percentage of the skeleton derived from the tetracarboxylic acid compound having the cyclobutane skeleton represented by the above formula (3-1) in each polyamic acid compound is 0 mol. %, 20 mol%, 30 mol%, and 50 mol%.
In each polyamic acid compound, the polyamic acid compound in which the molar percentage of the skeleton derived from the tetracarboxylic acid compound having the cyclobutane skeleton represented by the above formula (3-1) is 0 mol% and 20 mol%, respectively, is the lower layer. The liquid crystal display device provided with the photo-alignment film formed from the varnish for photo-alignment films of Examples 2 and 3 including as components has a cyclobutane skeleton represented by the above formula (3-1) in each polyamic acid compound. A photo-alignment film formed from the varnish for photo-alignment films of Examples 4 and 5 containing, as a lower layer component, a polyamic acid compound in which the molar percentage of the skeleton derived from the tetracarboxylic acid compound is 30 mol% and 50 mol%, respectively. Compared with the liquid crystal display device provided, the Vcom drift amount after 2 hours was suppressed to be low, and display abnormality such as a DC afterimage was suppressed or eliminated.

例1、例10、例11の液晶表示装置の光配向膜を形成するために用いた光配向膜用ワニスにおいて、下層を形成する合成例2、10、11それぞれのポリアミド酸系化合物中のテトラカルボン酸化合物由来の骨格のモル百分率を100モル%としたときに、各ポリアミド酸系化合物中の上記式(3−2)で表されるピロメリット酸二無水物由来の骨格のモル百分率は、それぞれ0モル%、10モル%、20モル%である。
各ポリアミド酸系化合物中の上記式(3−2)で表されるピロメリット酸二無水物由来の骨格のモル百分率が、それぞれ0モル%、10モル%であるポリアミド酸系化合物を下層成分として含む例1、例10の光配向膜用ワニスから形成された光配向膜を備える液晶表示装置は、ポリアミド酸系化合物中の上記式(3−2)で表されるピロメリット酸二無水物由来の骨格のモル百分率が20モル%であるポリアミド酸系化合物を下層成分として含む例11の光配向膜用ワニスから形成された光配向膜を備える液晶表示装置と比較して、光配向膜の抵抗率が高いので、低周波駆動時のフリッカのような表示異常が抑制又は解消された。
In the varnish for photo-alignment film used to form the photo-alignment film of the liquid crystal display device of Example 1, Example 10, Example 11, tetra in each polyamic acid compound of Synthesis Examples 2, 10, 11 for forming the lower layer When the mole percentage of the skeleton derived from the carboxylic acid compound is 100 mol%, the mole percentage of the skeleton derived from pyromellitic dianhydride represented by the above formula (3-2) in each polyamic acid compound is as follows: They are 0 mol%, 10 mol%, and 20 mol%, respectively.
A polyamic acid compound in which the molar percentage of the skeleton derived from pyromellitic dianhydride represented by the above formula (3-2) in each polyamic acid compound is 0 mol% and 10 mol%, respectively, is used as a lower layer component. The liquid crystal display device provided with the photo-alignment film formed from the varnish for photo-alignment films of Examples 1 and 10 is derived from pyromellitic dianhydride represented by the above formula (3-2) in the polyamic acid compound. The resistance of the photo-alignment film as compared with a liquid crystal display device comprising a photo-alignment film formed from the varnish for the photo-alignment film of Example 11 containing a polyamic acid compound having a skeleton percentage of 20 mol% as a lower layer component Since the rate is high, display anomalies such as flicker during low frequency driving are suppressed or eliminated.

例2、例9の液晶表示装置の光配向膜を形成するために用いた光配向膜用ワニスは、下層を形成するポリアミド酸系化合物を、それぞれ60重量%、40重量%含む。
当該下層を形成するポリアミド酸系化合物を60重量%含む例2の光配向膜用ワニスから形成された光配向膜を備える液晶表示装置は、当該下層を形成するポリアミド酸系化合物を40重量%含む例9の光配向膜用ワニスから形成された光配向膜を備える液晶表示装置と比較して、光配向処理により分解しやすいポリアミド酸系化合物のイミド化物(上層)が占める割合が少なくなるので、DC残像のような表示異常が抑制された。
The varnish for photo-alignment film used for forming the photo-alignment film of the liquid crystal display devices of Examples 2 and 9 contains 60% by weight and 40% by weight of the polyamic acid compound forming the lower layer, respectively.
A liquid crystal display device comprising a photo-alignment film formed from the varnish for photo-alignment film of Example 2 containing 60% by weight of the polyamic acid-based compound forming the lower layer includes 40% by weight of the polyamic acid-based compound forming the lower layer. Compared with a liquid crystal display device comprising a photo-alignment film formed from the photo-alignment film varnish of Example 9, the proportion of the imidized polyamic acid compound (upper layer) that is easily decomposed by the photo-alignment treatment is reduced. Display abnormality such as DC afterimage was suppressed.

以上、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これらの新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これらの実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。   As mentioned above, although some embodiment of this invention was described, these embodiment was shown as an example and is not intending limiting the range of invention. These novel embodiments can be implemented in various other forms, and various omissions, replacements, and changes can be made without departing from the spirit of the invention. These embodiments and modifications thereof are included in the scope and gist of the invention, and are included in the invention described in the claims and the equivalents thereof.

DSP…液晶表示装置 PNL…表示パネル 1…フレキシブルプリント回路基板 2…ICチップ 3…回路基板 SUB1…第1基板 SUB2…第2基板 MA…実装部 LC…液晶層 LM…液晶分子 SE…シール LS…遮光層 SP1〜SP4…スペーサ DA…表示部 NDA…非表示部 PX…画素 IL…照明装置 第1偏光板…PL1 第2偏光板…PL2 第1光学素子…OD1 第2光学素子…OD2 10…第1絶縁基板 11〜16…絶縁膜 20…第2絶縁基板 BM…遮光膜 AL1…第1配向膜 AL2…第2配向膜 ML1、ML2…金属配線 S1、S2…信号線 CF…カラーフィルタ OC…オーバーコート層 CE…共通電極 PE…画素電極 上層…AL1−1 下層…AL1−2   DSP ... Liquid crystal display device PNL ... Display panel 1 ... Flexible printed circuit board 2 ... IC chip 3 ... Circuit board SUB1 ... First substrate SUB2 ... Second substrate MA ... Mounting part LC ... Liquid crystal layer LM ... Liquid crystal molecule SE ... Seal LS ... Light shielding layer SP1 to SP4 ... Spacer DA ... Display part NDA ... Non-display part PX ... Pixel IL ... Illumination device First polarizing plate ... PL1 Second polarizing plate ... PL2 First optical element ... OD1 Second optical element ... OD2 10 ... First DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Insulating substrate 11-16 ... Insulating film 20 ... 2nd insulating substrate BM ... Light shielding film AL1 ... 1st orientation film AL2 ... 2nd orientation film ML1, ML2 ... Metal wiring S1, S2 ... Signal line CF ... Color filter OC ... Over Coat layer CE ... Common electrode PE ... Pixel electrode Upper layer ... AL1-1 Lower layer ... AL1-2

Claims (9)

有機溶媒中に、ポリアミド酸又はポリアミド酸エステルである第1ポリアミド酸系化合物と、前記第1ポリアミド酸系化合物よりも高い極性を有する、ポリアミド酸又はポリアミド酸エステルである第2ポリアミド酸系化合物とを含有し、
前記第2ポリアミド酸系化合物は、前記第1ポリアミド酸系化合物よりも多量に存在し、
前記第1ポリアミド酸系化合物において、
前記第1ポリアミド酸系化合物中のテトラカルボン酸化合物由来の骨格のモル百分率を100モル%としたときに、当該第1ポリアミド酸系化合物中の下記式(1):
Figure 2019211573

(式(1)中、R及びRは、それぞれ独立に、−COOH又はCOOR(ここで、Rは、アルキル基である)であり、Rは、それぞれ、水素又はアルキル基である)で表されるシクロブタン骨格を有するテトラカルボン酸化合物由来の骨格のモル百分率は、50モル%以上、及び
前記第1ポリアミド酸系化合物中のジアミン化合物由来の骨格のモル百分率を100モル%としたときに、当該第1ポリアミド酸系化合物中の下記式(2):
Figure 2019211573

(式(2)中、Jは、Ar、又はAr−K−Arであり、Ar、Ar及びArは、それぞれ独立に、第一級アミノ基、第二級アミノ基又はニトロ基を含有する芳香族基であり、Kは、第一級アミノ基又は第二級アミノ基を含有する有機基である)で表されるジアミン化合物由来の骨格のモル百分率は、10モル%以下であり、
前記第2ポリアミド酸系化合物において、
前記第2ポリアミド酸系化合物中のテトラカルボン酸化合物由来の骨格のモル百分率を100モル%としたときに、当該第2ポリアミド酸系化合物中の下記式(3−1):
Figure 2019211573

(式(3−1)中、R及びRは、それぞれ独立に、−COOH又はCOOR(ここで、Rは、アルキル基である)であり、Rは、それぞれ、水素又はアルキル基である)で表されるシクロブタン骨格を有するテトラカルボン酸化合物由来の骨格のモル百分率は、20モル%以下、及び当該第2ポリアミド酸系化合物中の下記式(3−2):
Figure 2019211573

(式(3−2)中、R及びRは、それぞれ独立に、−COOH又はCOOR(ここで、Rは、アルキル基である)である)で表されるピロメリット酸二無水物由来の骨格のモル百分率は、10モル%以下、並びに
前記第2ポリアミド酸系化合物中のジアミン化合物由来の骨格のモル百分率を100モル%としたときに、当該第2ポリアミド酸系化合物中の下記式(4):
Figure 2019211573

(式(4)中、Jは、Ar、又はAr−K−Arであり、Ar、Ar及びArは、それぞれ独立に、第一級アミノ基、第二級アミノ基又はニトロ基を含有する芳香族基であり、Kは、第一級アミノ基又は第二級アミノ基を含有する有機基である)で表されるジアミン化合物由来の骨格のモル百分率は、10モル%以下である光配向膜用ワニス。
A first polyamic acid-based compound that is a polyamic acid or a polyamic acid ester in an organic solvent, and a second polyamic acid-based compound that is a polyamic acid or a polyamic acid ester having a higher polarity than the first polyamic acid-based compound; Containing
The second polyamic acid compound is present in a larger amount than the first polyamic acid compound,
In the first polyamic acid compound,
When the molar percentage of the skeleton derived from the tetracarboxylic acid compound in the first polyamic acid compound is 100 mol%, the following formula (1) in the first polyamic acid compound:
Figure 2019211573

(In Formula (1), R 1 and R 2 are each independently —COOH or COOR (where R is an alkyl group), and R a is hydrogen or an alkyl group, respectively) The molar percentage of the skeleton derived from the tetracarboxylic acid compound having a cyclobutane skeleton represented by the formula is 50 mol% or more, and the molar percentage of the skeleton derived from the diamine compound in the first polyamic acid compound is 100 mol%. And the following formula (2) in the first polyamic acid-based compound:
Figure 2019211573

(In the formula (2), J is Ar 1, or a Ar 2 -K-Ar 3, Ar 1, Ar 2 and Ar 3 each independently, a primary amino group, secondary amino group, or The mole percentage of the skeleton derived from the diamine compound is 10 mol%, which is an aromatic group containing a nitro group, and K is an organic group containing a primary amino group or a secondary amino group. And
In the second polyamic acid compound,
When the molar percentage of the skeleton derived from the tetracarboxylic acid compound in the second polyamic acid compound is 100 mol%, the following formula (3-1) in the second polyamic acid compound:
Figure 2019211573

(In Formula (3-1), R 1 and R 2 are each independently —COOH or COOR (where R is an alkyl group), and R a is hydrogen or an alkyl group, respectively. The molar percentage of the skeleton derived from the tetracarboxylic acid compound having a cyclobutane skeleton represented by the formula (2) is 20 mol% or less, and the following formula (3-2) in the second polyamic acid-based compound:
Figure 2019211573

(In formula (3-2), R 1 and R 2 are each independently derived from pyromellitic dianhydride represented by —COOH or COOR (where R is an alkyl group)). The molar percentage of the skeleton is 10 mol% or less, and when the molar percentage of the skeleton derived from the diamine compound in the second polyamic acid compound is 100 mol%, the following formula in the second polyamic acid compound (4):
Figure 2019211573

(In the formula (4), J is Ar 1, or a Ar 2 -K-Ar 3, Ar 1, Ar 2 and Ar 3 each independently, a primary amino group, secondary amino group, or The mole percentage of the skeleton derived from the diamine compound is 10 mol%, which is an aromatic group containing a nitro group, and K is an organic group containing a primary amino group or a secondary amino group. The varnish for photo-alignment films which is the following.
前記第2ポリアミド酸系化合物は、下記式(10):
Figure 2019211573

(式(10)中、Xは、シクロブタン骨格以外の脂環式骨格、又は鎖式骨格であり、R及びRは、それぞれ独立に、−COOH又はCOOR(ここで、Rは、アルキル基である)である)で表されるテトラカルボン酸化合物由来の骨格を含む請求項1に記載の光配向膜用ワニス。
The second polyamic acid-based compound has the following formula (10):
Figure 2019211573

(In Formula (10), X 2 is an alicyclic skeleton other than a cyclobutane skeleton, or a chain skeleton, and R 1 and R 2 are each independently —COOH or COOR (where R is an alkyl The varnish for a photoalignment film according to claim 1, comprising a skeleton derived from a tetracarboxylic acid compound represented by:
前記第1ポリアミド酸系化合物は、下記式(5):
Figure 2019211573

(式(5)中、Lは、Ar、又はAr−M−Arであり、Ar、Ar及びArは、それぞれ独立に、第一級アミノ基、第二級アミノ基及びニトロ基を含有しない芳香族基であり、Mは、第一級アミノ基及び第二級アミノ基を含有しない有機基である)で表されるジアミン化合物由来の骨格を含み、
前記第2ポリアミド酸系化合物は、下記式(11−1):
Figure 2019211573

(式(11−1)中、Lは、Ar、又はAr−M−Arであり、Ar、Ar及びArは、それぞれ独立に、第一級アミノ基、第二級アミノ基及びニトロ基を含有しない芳香族基であり、Mは、第一級アミノ基及び第二級アミノ基を含有しない有機基である)で表されるジアミン化合物由来の骨格を含む請求項1又は2に記載の光配向膜用ワニス。
The first polyamic acid-based compound has the following formula (5):
Figure 2019211573

(In Formula (5), L is Ar < 4 > or Ar < 5 > -M-Ar < 6 >, Ar < 4 >, Ar < 5 > and Ar < 6 > are respectively independently a primary amino group, a secondary amino group, and An aromatic group not containing a nitro group, and M is an organic group not containing a primary amino group and a secondary amino group).
The second polyamic acid-based compound has the following formula (11-1):
Figure 2019211573

(In Formula (11-1), L is Ar 4 or Ar 5 -M-Ar 6 , and Ar 4 , Ar 5 and Ar 6 are each independently a primary amino group or a secondary amino group. Or an aromatic group containing no nitro group, and M is an organic group containing no primary amino group and no secondary amino group). 2. A varnish for a photo-alignment film according to 2.
前記式(5)におけるM及び前記式(11−1)におけるMは、それぞれ独立に、酸素、窒素、硫黄、炭素、水素又はそれら2つ以上の組合せからなる有機基である請求項3に記載の光配向膜用ワニス。   The M in the formula (5) and the M in the formula (11-1) are each independently an organic group composed of oxygen, nitrogen, sulfur, carbon, hydrogen, or a combination of two or more thereof. Varnish for photo-alignment film. 前記第2ポリアミド酸系化合物は、下記式(11−2):
Figure 2019211573

(式(11−2)中、Lは、酸素及び/又はフッ素を含有する有機基である)で表されるジアミン化合物由来の骨格を含む請求項1〜4のいずれか一項に記載の光配向膜用ワニス。
The second polyamic acid-based compound has the following formula (11-2):
Figure 2019211573

(In the formula (11-2), L 1 is oxygen and / or an organic group containing fluorine) according to claim 1 comprising a backbone derived from a diamine compound represented by Varnish for photo-alignment film.
配向膜がある第1基板と、
前記第1基板の前記配向膜側に対向して配置された第2基板と、
前記第1基板と前記第2基板との間に配置された液晶層と
を備え、
前記配向膜は請求項1〜5のいずれか一項に記載の光配向膜用ワニスのイミド化物を含む液晶表示装置。
A first substrate having an alignment film;
A second substrate disposed opposite to the alignment film side of the first substrate;
A liquid crystal layer disposed between the first substrate and the second substrate;
The said alignment film is a liquid crystal display device containing the imidized material of the varnish for optical alignment films as described in any one of Claims 1-5.
前記配向膜は上層と下層とを含み、当該上層が前記第1ポリアミド酸系化合物のイミド化物を含み、当該下層が前記第2ポリアミド酸系化合物のイミド化物を含む請求項6に記載の液晶表示装置。   The liquid crystal display according to claim 6, wherein the alignment film includes an upper layer and a lower layer, the upper layer includes an imidized product of the first polyamic acid-based compound, and the lower layer includes an imidized product of the second polyamic acid-based compound. apparatus. 前記下層は、前記上層よりも厚い請求項7に記載の液晶表示装置。   The liquid crystal display device according to claim 7, wherein the lower layer is thicker than the upper layer. 前記配向膜は、9.0×1014Ω・cm以上の抵抗率を有する請求項6〜8のいずれか一項に記載の液晶表示装置。 The liquid crystal display device according to claim 6, wherein the alignment film has a resistivity of 9.0 × 10 14 Ω · cm or more.
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