JP2019204810A - Light-emitting device and method of manufacturing light-emitting device - Google Patents

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平沢　明
Akira Hirasawa
明 平沢
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Abstract

To suppress a drive voltage of an organic light-emitting diode (OLED) while preventing failure of the OLED.SOLUTION: A light-emitting device 10 includes a substrate 100, a first electrode 110, a first layer 122, a second layer 124, an organic light-emitting layer 126, and a second electrode 130. The first electrode 110 is located on the substrate 100. The first layer 122 is located on the first electrode 110. The first layer 122 is a coating layer containing a first organic material. The second layer 124 is located on the first layer 122. The second layer 124 contains a second organic material and a metal oxide. The metal oxide is doped with the second organic material. The organic light-emitting layer 126 is located on the second layer 124. The second electrode 130 is located on the organic light-emitting layer 126.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明は、発光装置及び発光装置の製造方法に関する。   The present invention relates to a light emitting device and a method for manufacturing the light emitting device.

近年、発光装置として、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）が開発されている。ＯＬＥＤは、基板、第１電極、有機層及び第２電極を含んでいる。有機層は、第１電極と第２電極の間の電圧によって有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）により発光可能な発光層（ＥＭＬ）を含んでいる。有機層は、正孔注入層（ＨＩＬ）、正孔輸送層（ＨＴＬ）、電子輸送層（ＥＴＬ）及び電子注入層（ＥＩＬ）を適宜含んでいてもよい。ＯＬＥＤの製造プロセスにおいては、有機層の各層が順次積層される。   In recent years, organic light emitting diodes (OLEDs) have been developed as light emitting devices. The OLED includes a substrate, a first electrode, an organic layer, and a second electrode. The organic layer includes a light emitting layer (EML) capable of emitting light by organic electroluminescence (EL) by a voltage between the first electrode and the second electrode. The organic layer may appropriately include a hole injection layer (HIL), a hole transport layer (HTL), an electron transport layer (ETL), and an electron injection layer (EIL). In the OLED manufacturing process, the organic layers are sequentially stacked.

特許文献１に記載されているように、ＯＬＥＤの製造プロセスにおいては、第１電極上に異物が存在すると、第１電極上に堆積された層が異物の周辺において分断され、様々な不具合（例えば、異物の近傍における電界集中又は異物の近傍における短絡）が引き起こされ得る。特許文献１では、基板をこの層のガラス転移点以上融点以下に加熱して、この層が異物を埋め込むようにしている。   As described in Patent Document 1, in the OLED manufacturing process, when foreign matter exists on the first electrode, the layer deposited on the first electrode is divided around the foreign matter, and various problems (for example, , Electric field concentration in the vicinity of the foreign matter or short circuit in the vicinity of the foreign matter). In Patent Document 1, the substrate is heated to the melting point or more and the melting point or less of this layer so that this layer embeds foreign matter.

特許文献２には、第１電極、正孔輸送性を有する第１層及び正孔輸送性を有する第２層を順に含むＯＬＥＤが記載されている。第１層は、酸化物半導体及び金属酸化物の中から選ばれた１つの化合物を含んでいる。第２層は、芳香族アミン系の化合物を含んでいる。   Patent Document 2 describes an OLED including a first electrode, a first layer having hole transportability, and a second layer having hole transportability in this order. The first layer includes one compound selected from an oxide semiconductor and a metal oxide. The second layer contains an aromatic amine compound.

特開２０００−９１０６７号公報JP 2000-91067 A 特開２００６−１１４５２１号公報JP 2006-114521 A

特許文献１に記載されているように、第１電極上の異物によるＯＬＥＤの不具合を抑えるべく、第１電極上の特定の層の加熱を実施することがある。本発明者は、この加熱によってＯＬＥＤの駆動電圧が高くなり得ることを新規に見出した。   As described in Patent Document 1, heating of a specific layer on the first electrode may be performed in order to suppress problems of the OLED due to foreign matters on the first electrode. The present inventor has newly found that the driving voltage of the OLED can be increased by this heating.

本発明が解決しようとする課題としては、ＯＬＥＤの不具合を抑えつつＯＬＥＤの駆動電圧を抑えることが一例として挙げられる。   An example of a problem to be solved by the present invention is to suppress the driving voltage of the OLED while suppressing problems of the OLED.

請求項１に記載の発明は、
基板と、
前記基板上に位置する第１電極と、
前記第１電極上に位置し、第１有機材料を含む塗布層である第１層と、
前記第１層上に位置し、第２有機材料と、前記第２有機材料にドープされた金属酸化物と、を含む第２層と、
前記第２層上に位置する有機発光層と、
前記有機発光層上に位置する第２電極と、
を含む発光装置である。 The invention described in claim 1
A substrate,
A first electrode located on the substrate;
A first layer located on the first electrode and being a coating layer containing a first organic material;
A second layer located on the first layer and comprising a second organic material and a metal oxide doped in the second organic material;
An organic light emitting layer located on the second layer;
A second electrode located on the organic light emitting layer;
Is a light emitting device.

請求項７に記載の発明は、
基板上に第１電極を形成する工程と、
第１有機材料を前記第１電極上に塗布して、前記第１有機材料を含む第１層を前記第１電極上に形成する工程と、
第２有機材料と、前記第２有機材料にドープされた金属酸化物と、を含む第２層を前記第１層上に形成する工程と、
前記第２層を前記第２有機材料のガラス転移点以上融点未満の第１温度に加熱する工程と、
前記第２層上に有機発光層を形成する工程と、
前記有機発光層上に第２電極を形成する工程と、
を含む、発光装置の製造方法である。 The invention described in claim 7
Forming a first electrode on a substrate;
Applying a first organic material on the first electrode, and forming a first layer containing the first organic material on the first electrode;
Forming a second layer on the first layer, the second layer including a second organic material and a metal oxide doped in the second organic material;
Heating the second layer to a first temperature not lower than the melting point and not lower than the glass transition point of the second organic material;
Forming an organic light emitting layer on the second layer;
Forming a second electrode on the organic light emitting layer;
Is a method for manufacturing a light emitting device.

実施形態に係る発光装置の断面図である。It is sectional drawing of the light-emitting device which concerns on embodiment. 図１に示した発光装置の製造方法の一例を説明するための図である。It is a figure for demonstrating an example of the manufacturing method of the light-emitting device shown in FIG. 図１に示した発光装置の製造方法の一例を説明するための図である。It is a figure for demonstrating an example of the manufacturing method of the light-emitting device shown in FIG. 図１に示した発光装置の製造方法の一例を説明するための図である。It is a figure for demonstrating an example of the manufacturing method of the light-emitting device shown in FIG. 図２の変形例を示す図である。It is a figure which shows the modification of FIG. 比較例に係る発光装置の断面図である。It is sectional drawing of the light-emitting device which concerns on a comparative example. 第２層の加熱による発光装置の駆動電圧の変化を示すグラフである。It is a graph which shows the change of the drive voltage of the light-emitting device by the heating of the 2nd layer. 第２層を第２有機材料のガラス転移点以上融点未満の温度に加熱する前後の走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）像の第１例を示す図である。It is a figure which shows the 1st example of the scanning electron microscope (SEM) image before and behind heating a 2nd layer to the temperature below the melting point more than the glass transition point of a 2nd organic material. 第２層を第２有機材料のガラス転移点以上融点未満の温度に加熱する前後の走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）像の第２例を示す図である。It is a figure which shows the 2nd example of the scanning electron microscope (SEM) image before and behind heating a 2nd layer to the temperature below the melting point more than the glass transition point of a 2nd organic material. 第２層を第２有機材料のガラス転移点以上融点未満の温度に加熱する前後の走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）像の第３例を示す図である。It is a figure which shows the 3rd example of the scanning electron microscope (SEM) image before and behind heating a 2nd layer to the temperature below the melting point more than the glass transition point of a 2nd organic material.

以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In all the drawings, the same reference numerals are given to the same components, and the description will be omitted as appropriate.

図１は、実施形態に係る発光装置１０の断面図である。   FIG. 1 is a cross-sectional view of a light emitting device 10 according to an embodiment.

図１を用いて、発光装置１０の概要を説明する。発光装置１０は、基板１００、第１電極１１０、第１層１２２、第２層１２４、有機発光層１２６及び第２電極１３０を含んでいる。第１電極１１０は、基板１００上に位置している。第１層１２２は、第１電極１１０上に位置している。第１層１２２は、第１有機材料を含む塗布層である。第２層１２４は、第１層１２２上に位置している。第２層１２４は、第２有機材料及び金属酸化物を含んでいる。金属酸化物は、第２有機材料にドープされている。有機発光層１２６は、第２層１２４上に位置している。第２電極１３０は、有機発光層１２６上に位置している。   An outline of the light emitting device 10 will be described with reference to FIG. The light emitting device 10 includes a substrate 100, a first electrode 110, a first layer 122, a second layer 124, an organic light emitting layer 126, and a second electrode 130. The first electrode 110 is located on the substrate 100. The first layer 122 is located on the first electrode 110. The first layer 122 is a coating layer containing a first organic material. The second layer 124 is located on the first layer 122. The second layer 124 includes a second organic material and a metal oxide. The metal oxide is doped in the second organic material. The organic light emitting layer 126 is located on the second layer 124. The second electrode 130 is located on the organic light emitting layer 126.

上述した構成によれば、発光装置１０の不具合を抑えつつ発光装置１０の駆動電圧を抑えることができる。特に上述した構成によれば、異物による発光装置１０の不具合を抑えることができる。具体的には、上述した構成においては、発光装置１０は、第２層１２４を含んでいる。したがって、第２層１２４を第２有機材料のガラス転移点以上融点未満の温度で加熱することで第１層１２２上の異物を第２層１２４によって埋め込むことができる。したがって、異物による発光装置１０の不具合を抑えることができる。一方、第１電極１１０と第２層１２４の間に第１層１２２を設けないで第２層１２４を加熱すると、発光装置１０の駆動電圧が高くなり得ることを見出した。本発明者は、発光装置１０の駆動電圧を抑える方法を検討し、その結果、第１電極１１０と第２層１２４の間に第１層１２２を設けることで、発光装置１０の駆動電圧が抑えられ得ることを見出した。   According to the configuration described above, it is possible to suppress the driving voltage of the light emitting device 10 while suppressing problems of the light emitting device 10. In particular, according to the above-described configuration, it is possible to suppress problems of the light emitting device 10 due to foreign matter. Specifically, in the configuration described above, the light emitting device 10 includes the second layer 124. Therefore, the foreign material on the first layer 122 can be embedded in the second layer 124 by heating the second layer 124 at a temperature not lower than the melting point of the second organic material and lower than the melting point. Therefore, the malfunction of the light emitting device 10 due to foreign matters can be suppressed. On the other hand, it was found that when the second layer 124 is heated without providing the first layer 122 between the first electrode 110 and the second layer 124, the driving voltage of the light emitting device 10 can be increased. The inventor has studied a method for suppressing the driving voltage of the light emitting device 10, and as a result, by providing the first layer 122 between the first electrode 110 and the second layer 124, the driving voltage of the light emitting device 10 can be suppressed. I found out that it could be done.

本発明者は、第１層１２２を設けないで第２層１２４を加熱すると、発光装置１０の駆動電圧が高くなり得る理由を次のように仮説立てた。第２層１２４を第２有機材料のガラス転移点以上融点未満の温度に加熱することで、第２有機材料の線膨張係数が増加する。第２有機材料の線膨張係数と下地（第１電極１１０）の線膨張係数の差に起因して第２層１２４と第１電極１１０の間で層間剥離が生じ得る。層間剥離に起因して発光装置１０の駆動電圧が高くなり得る。   The present inventor hypothesized that the reason why the driving voltage of the light emitting device 10 can be increased by heating the second layer 124 without providing the first layer 122 is as follows. By heating the second layer 124 to a temperature not lower than the melting point and not lower than the glass transition point of the second organic material, the linear expansion coefficient of the second organic material increases. Delamination may occur between the second layer 124 and the first electrode 110 due to the difference between the linear expansion coefficient of the second organic material and the linear expansion coefficient of the base (first electrode 110). The driving voltage of the light emitting device 10 can be increased due to delamination.

本発明者は、第１層１２２を設けることで発光装置１０の駆動電圧が抑えられ得る理由を次のように仮説立てた。一般に、塗布プロセスによって形成された層（塗布層）は、層間密着に優れており、特に、蒸着プロセスによって形成された層（蒸着層）よりも、高い層間密着を有している。したがって、第１層１２２（塗布層）によって、第２層１２４と下地（第１電極１１０）の間の層間密着を向上させ得る。層間密着の向上に起因して発光装置１０の駆動電圧が抑えられ得る。   The inventor hypothesized that the drive voltage of the light emitting device 10 can be suppressed by providing the first layer 122 as follows. In general, a layer (coating layer) formed by a coating process is excellent in interlayer adhesion, and in particular, has a higher interlayer adhesion than a layer (vapor deposition layer) formed by a vapor deposition process. Therefore, the first layer 122 (coating layer) can improve the interlayer adhesion between the second layer 124 and the base (first electrode 110). The driving voltage of the light emitting device 10 can be suppressed due to the improvement of interlayer adhesion.

さらに、本発明者は、第１有機材料のガラス転移点が第２有機材料のガラス転移点より高い場合、発光装置１０の駆動電圧を良好に抑えられ得ることを見出した。第１有機材料のガラス転移点が第２有機材料のガラス転移点より高い場合、第２層１２４の加熱時の温度（第２有機材料のガラス転移点以上融点未満）が第１有機材料のガラス転移点よりも高くならない。したがって、第２層１２４を加熱しても、第１層１２２の変質（例えば、ガラス転移）がほとんど生じない。したがって、発光装置１０の駆動電圧を良好に抑えられ得る。   Furthermore, the inventor has found that when the glass transition point of the first organic material is higher than the glass transition point of the second organic material, the driving voltage of the light emitting device 10 can be satisfactorily suppressed. When the glass transition point of the first organic material is higher than the glass transition point of the second organic material, the temperature at which the second layer 124 is heated (the glass transition point of the second organic material is lower than the melting point) is the glass of the first organic material. It will not be higher than the transition point. Therefore, even when the second layer 124 is heated, the first layer 122 is hardly altered (for example, glass transition). Therefore, the driving voltage of the light emitting device 10 can be suppressed satisfactorily.

図１を用いて、発光装置１０の詳細を説明する。   Details of the light-emitting device 10 will be described with reference to FIG.

発光装置１０は、基板１００、第１電極１１０、有機層１２０及び第２電極１３０を含んでいる。有機層１２０は、第１層１２２、第２層１２４及び有機発光層１２６を含んでいる。   The light emitting device 10 includes a substrate 100, a first electrode 110, an organic layer 120, and a second electrode 130. The organic layer 120 includes a first layer 122, a second layer 124, and an organic light emitting layer 126.

基板１００は、第１面１０２及び第２面１０４を有している。第１電極１１０、有機層１２０及び第２電極１３０は、基板１００の第１面１０２側に位置している。第２面１０４は、第１面１０２の反対側にある。   The substrate 100 has a first surface 102 and a second surface 104. The first electrode 110, the organic layer 120, and the second electrode 130 are located on the first surface 102 side of the substrate 100. The second surface 104 is on the opposite side of the first surface 102.

基板１００は、例えば、ガラス又は樹脂からなっている。基板１００は、可撓性を有していてもよいし、又は有していなくてもよい。基板１００は、透光性を有していてもよいし、又は有していなくてもよい。   The substrate 100 is made of, for example, glass or resin. The substrate 100 may or may not have flexibility. The substrate 100 may or may not have a light-transmitting property.

第１電極１１０は、陽極として機能している。第１電極１１０は、透光性を有していてもよいし、又は透光性を有していなくてもよい。   The first electrode 110 functions as an anode. The first electrode 110 may have a light-transmitting property or may not have a light-transmitting property.

第１層１２２は、正孔注入層（ＨＩＬ）として機能している。第１層１２２は、第１有機材料を含んでいる。第１有機材料は、塗布プロセスが適用可能な有機材料である。一例において、第１有機材料は、ポリ３，４−エチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ）である。   The first layer 122 functions as a hole injection layer (HIL). The first layer 122 includes a first organic material. The first organic material is an organic material to which a coating process can be applied. In one example, the first organic material is poly 3,4-ethylenedioxythiophene (PEDOT).

第２層１２４は、正孔輸送層（ＨＴＬ）として機能している。第２層１２４は、第２有機材料及び金属酸化物を含んでいる。第２有機材料は、正孔輸送材料である。一例において、正孔輸送材料は、４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニル−アミノ］−ビフェニル（α−ＮＰＤ）、４，４’−ビス［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニル−アミノ］−ビフェニル（ＴＰＤ）及び１，３，５−トリス（４−ピリジル）−２，４，６−トリアジン（ＴＰＴ１）からなる群から選択される少なくとも１つである。金属酸化物は、第２有機材料にドープされている。一例において、金属酸化物は、モリブデン酸化物（ＭｏＯｘ）、タングステン酸化物（ＷＯｘ）、バナジウム酸化物（ＶＯｘ）及びルテニウム酸化物（ＲｕＯｘ）からなる群から選択される少なくとも１つである。 The second layer 124 functions as a hole transport layer (HTL). The second layer 124 includes a second organic material and a metal oxide. The second organic material is a hole transport material. In one example, the hole transport material is 4,4′-bis [N- (1-naphthyl) -N-phenyl-amino] -biphenyl (α-NPD), 4,4′-bis [N- (3- At least one selected from the group consisting of (methylphenyl) -N-phenyl-amino] -biphenyl (TPD) and 1,3,5-tris (4-pyridyl) -2,4,6-triazine (TPT1) is there. The metal oxide is doped in the second organic material. In one example, the metal oxide is at least one selected from the group consisting of molybdenum oxide (MoO x ), tungsten oxide (WO x ), vanadium oxide (VO x ), and ruthenium oxide (RuO x ). is there.

第２層１２４は、第１層１２２に接触している。言い換えると、第１層１２２と第２層１２４の間には、第１層１２２及び第２層１２４以外の層が設けられていない。   The second layer 124 is in contact with the first layer 122. In other words, no layers other than the first layer 122 and the second layer 124 are provided between the first layer 122 and the second layer 124.

第２層１２４には、三酸化モリブデン（ＭｏＯ３）がドープされていてもよい。一例において、第２層１２４における三酸化モリブデンのドープ濃度（三酸化モリブデン及び他の材料の合計に対する三酸化モリブデンの割合）は、１％以上２０％以下にすることができる。当該ドープ濃度が１％以上であることで、発光装置１０の駆動電圧を抑えることができ、当該ドープ濃度が２０％以下であることで、逆方向のリーク電流を抑えることができる。 The second layer 124 may be doped with molybdenum trioxide (MoO 3 ). In one example, the doping concentration of molybdenum trioxide in the second layer 124 (the ratio of molybdenum trioxide to the total of molybdenum trioxide and other materials) can be 1% or more and 20% or less. When the doping concentration is 1% or more, the driving voltage of the light emitting device 10 can be suppressed, and when the doping concentration is 20% or less, the reverse leakage current can be suppressed.

有機発光層１２６は、発光層（ＥＭＬ）として機能している。有機発光層１２６は、発光材料を含んでいる。一例において、発光材料は、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（Ａｌｑ３）、クマリン６、Ｉｒ（ｐｐｙ）３、ＦＩｒＰｉｃ、ＤＣＪＴＢ、Ｉｒ（ｂｔｐ）２（ａｃａｃ）である。 The organic light emitting layer 126 functions as a light emitting layer (EML). The organic light emitting layer 126 includes a light emitting material. In one example, the luminescent material is tris (8-quinolinolato) aluminum (Alq 3 ), coumarin 6, Ir (ppy) 3 , FIrPic, DCJTB, Ir (btp) 2 (acac).

一例において、有機層１２０は、有機発光層１２６と第２電極１３０の間に、電子輸送層（ＨＴＬ）及び電子注入層（ＥＩＬ）の少なくとも一方を適宜含んでいてもよい。他の例において、有機層１２０は、有機発光層１２６と第２電極１３０の間に電荷発生層（ＣＧＬ）をさらに含んでいてもよく、ＣＧＬと第２電極１３０の間に、有機発光層１２６とは異なる発光層をさらに含んでいてもよい。   In one example, the organic layer 120 may appropriately include at least one of an electron transport layer (HTL) and an electron injection layer (EIL) between the organic light emitting layer 126 and the second electrode 130. In another example, the organic layer 120 may further include a charge generation layer (CGL) between the organic light emitting layer 126 and the second electrode 130, and the organic light emitting layer 126 is interposed between the CGL and the second electrode 130. It may further include a light emitting layer different from the above.

第２電極１３０は、陰極として機能している。第２電極１３０は、透光性を有していてもよいし、又は透光性を有していなくてもよい。   The second electrode 130 functions as a cathode. The second electrode 130 may have a light-transmitting property or may not have a light-transmitting property.

一例において、第１電極１１０が透光性を有し、第２電極１３０が遮光性、特に光反射性を有していてもよい。この例において、有機層１２０から発せられた光は、第１電極１１０及び基板１００を透過して基板１００の第２面１０４から出射される。   In one example, the first electrode 110 may have a light-transmitting property, and the second electrode 130 may have a light-blocking property, particularly a light reflecting property. In this example, light emitted from the organic layer 120 passes through the first electrode 110 and the substrate 100 and is emitted from the second surface 104 of the substrate 100.

他の例において、第１電極１１０が遮光性を有し、第２電極１３０が透光性、特に光反射性を有していてもよい。この例において、有機層１２０から発せられた光は、第２電極１３０を透過して基板１００の第２面１０４の反対側から出射される。   In another example, the first electrode 110 may have a light shielding property, and the second electrode 130 may have a light transmitting property, particularly a light reflecting property. In this example, the light emitted from the organic layer 120 passes through the second electrode 130 and is emitted from the opposite side of the second surface 104 of the substrate 100.

さらに他の例において、第１電極１１０及び第２電極１３０の双方が透光性を有していてもよい。この例において、有機層１２０から発せられた光の一部は、第１電極１１０及び基板１００を透過して基板１００の第２面１０４から出射され、有機層１２０から発せられた光の他の一部は、第２電極１３０を透過して基板１００の第２面１０４の反対側から出射される。   In still another example, both the first electrode 110 and the second electrode 130 may be translucent. In this example, a part of the light emitted from the organic layer 120 passes through the first electrode 110 and the substrate 100 and is emitted from the second surface 104 of the substrate 100, and other light emitted from the organic layer 120. A part of the light passes through the second electrode 130 and is emitted from the opposite side of the second surface 104 of the substrate 100.

一例において、第１電極１１０が透光性導電材料を含む場合、第１電極１１０は、透光性を有することができる。透明導電材料は、例えば、金属酸化物（例えば、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）、ＩＷＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｕｎｇｓｔｅｎ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）、ＺｎＯ（Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ））又はＩＧＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｇａｌｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）、カーボンナノチューブ又は導電性高分子である。他の例において、第１電極１１０が金属薄膜（例えば、Ａｇ）又は合金薄膜（例えば、ＡｇＭｇ）からなる場合、第１電極１１０は、透光性を有することができる。第２電極１３０についても同様である。   In one example, when the first electrode 110 includes a light-transmitting conductive material, the first electrode 110 can have a light-transmitting property. The transparent conductive material is, for example, a metal oxide (for example, Indium Tin Oxide (ITO), Indium Zinc Oxide (IZO), Indium Tungsten Zinc Oxide (IWZO), ZnO (Zinc Oxide)) or IGZO (Indium Galium Zinc Oxide). Carbon nanotubes or conductive polymers. In another example, when the first electrode 110 is formed of a metal thin film (for example, Ag) or an alloy thin film (for example, AgMg), the first electrode 110 may have a light transmitting property. The same applies to the second electrode 130.

一例において、第１電極１１０が遮光性導電材料、特に光反射性導電材料を含む場合、第１電極１１０は、遮光性、特に光反射性を有することができる。一例において、遮光性導電材料は、金属又は合金であり、より具体的には、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｍｇ、Ｓｎ、Ｚｎ及びＩｎからなる群の中から選択される少なくとも１つの金属又はこの群から選択される金属の合金である。第２電極１３０についても同様である。   In one example, when the first electrode 110 includes a light-blocking conductive material, particularly a light-reflective conductive material, the first electrode 110 can have a light-blocking property, particularly a light-reflecting property. In one example, the light-shielding conductive material is a metal or an alloy, and more specifically, at least one metal selected from the group consisting of Al, Au, Ag, Pt, Mg, Sn, Zn, and In or An alloy of metals selected from this group. The same applies to the second electrode 130.

図２から図４は、図１に示した発光装置１０の製造方法の一例を説明するための図である。この例において、発光装置１０は、以下のようにして製造される。   2-4 is a figure for demonstrating an example of the manufacturing method of the light-emitting device 10 shown in FIG. In this example, the light emitting device 10 is manufactured as follows.

まず、図２に示すように、基板１００の第１面１０２上に第１電極１１０を形成する。次いで、第１電極１１０上に第１層１２２を形成する。第１層１２２は、塗布プロセスにより形成される。塗布プロセスは、第１有機材料を第１電極１１０上に塗布することを含んでいる。一例において、溶媒及び第１有機材料を含む溶液を第１電極１１０上に塗布し、この溶媒を乾燥させることで、第１層１２２を形成することができる。塗布プロセスは、例えば窒素環境下や大気下で行われる。したがって、後述する図３に示すように、第１層１２２には、例えば大気内に存在する異物が付着することがある。   First, as shown in FIG. 2, the first electrode 110 is formed on the first surface 102 of the substrate 100. Next, the first layer 122 is formed on the first electrode 110. The first layer 122 is formed by a coating process. The application process includes applying a first organic material onto the first electrode 110. In one example, the first layer 122 can be formed by applying a solution containing a solvent and a first organic material on the first electrode 110 and drying the solvent. The coating process is performed in, for example, a nitrogen environment or the atmosphere. Therefore, as shown in FIG. 3 to be described later, for example, foreign substances present in the atmosphere may adhere to the first layer 122.

次いで、図３に示すように、第１層１２２上に第２層１２４を形成する。図３に示す例では、第２層１２４を形成する前に第１層１２２を大気に曝しており、大気内に存在した異物Ｐが第１層１２２に付着している。第２層１２４は、蒸着プロセスによって形成される。一例において、第２有機材料及び金属酸化物は、真空内において共蒸着させることができる。この例において、第２有機材料及び金属酸化物は、抵抗加熱によって加熱させることができる。   Next, as shown in FIG. 3, the second layer 124 is formed on the first layer 122. In the example shown in FIG. 3, the first layer 122 is exposed to the atmosphere before the second layer 124 is formed, and the foreign matter P that exists in the atmosphere adheres to the first layer 122. The second layer 124 is formed by a vapor deposition process. In one example, the second organic material and the metal oxide can be co-evaporated in a vacuum. In this example, the second organic material and the metal oxide can be heated by resistance heating.

第２有機材料及び金属酸化物を用いて第２層１２４を形成する方法は、共蒸着に限定されない。例えば、第２有機材料及び金属酸化物の混合物を真空蒸着させてもよい。さらに、第２層１２４は、蒸着プロセスとは異なる方法によって形成されてもよく、例えば、第２有機材料及び金属酸化物の混合物を含む膜を転写してもよい。   The method for forming the second layer 124 using the second organic material and the metal oxide is not limited to co-evaporation. For example, a mixture of the second organic material and the metal oxide may be vacuum deposited. Further, the second layer 124 may be formed by a method different from the vapor deposition process, for example, a film containing a mixture of the second organic material and the metal oxide may be transferred.

一般に、蒸着プロセスによって形成された層は、段差被覆性にあまり優れていない。したがって、図３に示すように、第２層１２４は、異物Ｐから異物Ｐの周囲にかけて連続的に形成されず、異物Ｐの周辺において分断されることがある。第２層１２４が分断されたまま第２層１２４上に層（例えば、有機発光層１２６及び第２電極１３０）を形成すると、発光装置１０に様々な不具合（例えば、異物Ｐの近傍における電界集中又は異物Ｐの近傍における短絡）が引き起こされ得る。したがって、後述する図４に示すように、第２層１２４を加熱する必要がある。   In general, a layer formed by a vapor deposition process is not very excellent in step coverage. Therefore, as shown in FIG. 3, the second layer 124 may not be continuously formed from the foreign matter P to the periphery of the foreign matter P, and may be divided around the foreign matter P. If a layer (for example, the organic light emitting layer 126 and the second electrode 130) is formed on the second layer 124 while the second layer 124 is divided, various defects (for example, electric field concentration in the vicinity of the foreign matter P) may occur in the light emitting device 10. Or a short circuit in the vicinity of the foreign matter P) may be caused. Therefore, it is necessary to heat the second layer 124 as shown in FIG.

次いで、図４に示すように、第２層１２４を第２有機材料のガラス転移点以上融点未満の第１温度に加熱する。加熱によって第２層１２４が流動状態に遷移し、異物Ｐを第２層１２４に埋め込むことができる。第１層１２２の変質を抑える観点から、第１温度は、第１有機材料のガラス転移点未満であることが好ましい。   Next, as shown in FIG. 4, the second layer 124 is heated to a first temperature that is equal to or higher than the glass transition point of the second organic material and lower than the melting point. By heating, the second layer 124 transitions to a fluid state, and the foreign matter P can be embedded in the second layer 124. From the viewpoint of suppressing deterioration of the first layer 122, the first temperature is preferably less than the glass transition point of the first organic material.

次いで、第２層１２４上に有機発光層１２６を形成する。有機発光層１２６は、蒸着プロセスにより形成されてもよいし、又は塗布プロセスにより形成されてもよい。次いで、有機発光層１２６上に第２電極１３０を形成する。   Next, the organic light emitting layer 126 is formed on the second layer 124. The organic light emitting layer 126 may be formed by a vapor deposition process or a coating process. Next, the second electrode 130 is formed on the organic light emitting layer 126.

このようにして、発光装置１０が製造される。   In this way, the light emitting device 10 is manufactured.

図２から図４に示す例では、発光装置１０は、第２層１２４に埋め込まれた異物（異物Ｐ）を含むことになる。言い換えると、異物Ｐの全周に亘って、第２層１２４が異物Ｐに接触している。当然のことながら、発光装置１０は、異物を含まなくてもよく、第１層１２２を形成した後に異物が第１層１２２に付着しない場合、発光装置１０は、第２層１２４に埋め込まれた異物を含まない。   In the example shown in FIGS. 2 to 4, the light emitting device 10 includes a foreign substance (foreign substance P) embedded in the second layer 124. In other words, the second layer 124 is in contact with the foreign matter P over the entire circumference of the foreign matter P. As a matter of course, the light emitting device 10 may not include foreign matters, and when the foreign matter does not adhere to the first layer 122 after forming the first layer 122, the light emitting device 10 is embedded in the second layer 124. Does not contain foreign material.

図５は、図２の変形例を示す図である。   FIG. 5 is a diagram showing a modification of FIG.

図５に示す例では、第１電極１１０を形成した後第１層１２２を形成する前に第１電極１１０を大気に曝しており、大気内に存在した異物Ｐが第１電極１１０に付着している。一般に、塗布プロセスにより形成された層は、蒸着プロセスにより形成された層よりも、高い段差被覆性を有している。したがって、第１層１２２を第１有機材料のガラス転移点以上に加熱することなく、異物Ｐを第１層１２２（塗布層）に埋め込むことができる。   In the example shown in FIG. 5, the first electrode 110 is exposed to the atmosphere after forming the first electrode 110 and before forming the first layer 122, and the foreign matter P present in the atmosphere adheres to the first electrode 110. ing. In general, a layer formed by a coating process has a higher step coverage than a layer formed by a vapor deposition process. Therefore, the foreign matter P can be embedded in the first layer 122 (coating layer) without heating the first layer 122 to a temperature higher than the glass transition point of the first organic material.

図５に示す例では、発光装置１０は、第１層１２２に埋め込まれた異物（異物Ｐ）を含むことになる。言い換えると、異物Ｐの全周に亘って、第１層１２２が異物Ｐに接触している。当然のことながら、発光装置１０は、異物を含まなくてもよく、第１電極１１０を形成した後に異物が第１電極１１０に付着しない場合、発光装置１０は、第１層１２２に埋め込まれた異物を含まない。   In the example illustrated in FIG. 5, the light emitting device 10 includes a foreign matter (foreign matter P) embedded in the first layer 122. In other words, the first layer 122 is in contact with the foreign matter P over the entire circumference of the foreign matter P. As a matter of course, the light emitting device 10 may not include foreign matters, and when the foreign matter does not adhere to the first electrode 110 after forming the first electrode 110, the light emitting device 10 is embedded in the first layer 122. Does not contain foreign material.

以上、本実施形態によれば、異物による発光装置１０の不具合を抑えつつ発光装置１０の駆動電圧を抑えることができる。   As described above, according to the present embodiment, it is possible to suppress the driving voltage of the light emitting device 10 while suppressing the malfunction of the light emitting device 10 due to the foreign matter.

図１に示した発光装置１０を以下のように製造した。   The light emitting device 10 shown in FIG. 1 was manufactured as follows.

第１層１２２を塗布プロセスにより形成した。第１有機材料は、ＰＥＤＯＴとした。   The first layer 122 was formed by a coating process. The first organic material was PEDOT.

第２層１２４を蒸着プロセスにより形成した。金属酸化物は、三酸化モリブデン（ＭｏＯ３）とした。 The second layer 124 was formed by a vapor deposition process. The metal oxide was molybdenum trioxide (MoO 3 ).

図６は、比較例に係る発光装置１０の断面図である。比較例に係る発光装置１０は、第１層１２２が設けられていない点を除いて、実施例に係る発光装置１０と同様である。   FIG. 6 is a cross-sectional view of the light emitting device 10 according to the comparative example. The light emitting device 10 according to the comparative example is the same as the light emitting device 10 according to the example except that the first layer 122 is not provided.

図７は、第２層１２４の加熱による発光装置１０の駆動電圧の変化を示すグラフである。図７の上段のグラフは、比較例に係る発光装置１０の結果を示し、図７の下段のグラフは、実施例に係る発光装置１０の結果を示す。図７において、駆動電圧とは、５ｍＡ／ｃｍ２の電流密度を得るために必要な電圧（グラフの縦軸）を意味する。 FIG. 7 is a graph showing changes in the driving voltage of the light emitting device 10 due to the heating of the second layer 124. The upper graph of FIG. 7 shows the results of the light emitting device 10 according to the comparative example, and the lower graph of FIG. 7 shows the results of the light emitting device 10 according to the example. In FIG. 7, the drive voltage means a voltage (vertical axis in the graph) necessary to obtain a current density of 5 mA / cm 2 .

図７では、第２層１２４を加熱しなかった場合の駆動電圧及び第２層１２４を第２有機材料のガラス転移点以上融点未満の温度に加熱した場合の駆動電圧を測定した。   In FIG. 7, the driving voltage when the second layer 124 was not heated and the driving voltage when the second layer 124 was heated to a temperature not lower than the melting point of the second organic material and lower than the melting point were measured.

図７の上段のグラフに示すように、比較例に係る発光装置１０では、第２層１２４を加熱して駆動電圧が増加している。この結果は、第２有機材料の線膨張係数と下地（第１電極１１０）の線膨張係数の差に起因して第２層１２４と第１電極１１０の間で層間剥離が生じ得ることを示唆する。   As shown in the upper graph of FIG. 7, in the light emitting device 10 according to the comparative example, the driving voltage is increased by heating the second layer 124. This result suggests that delamination may occur between the second layer 124 and the first electrode 110 due to the difference between the linear expansion coefficient of the second organic material and the linear expansion coefficient of the base (first electrode 110). To do.

図７の下段のグラフに示すように、実施例に係る発光装置１０では、第２層１２４を加熱しても駆動電圧が増加していない。この結果は、第１層１２２（塗布層）によって、第２層１２４と下地（第１電極１１０）の間の層間密着を向上させ得ることを示唆する。   As shown in the lower graph of FIG. 7, in the light emitting device 10 according to the example, the driving voltage does not increase even when the second layer 124 is heated. This result suggests that the first layer 122 (coating layer) can improve interlayer adhesion between the second layer 124 and the base (first electrode 110).

図７に示す結果より、実施例に係る発光装置１０では、異物による発光装置１０の不具合を抑えつつ発光装置１０の駆動電圧を抑えることができる。   From the results shown in FIG. 7, in the light emitting device 10 according to the example, it is possible to suppress the drive voltage of the light emitting device 10 while suppressing the malfunction of the light emitting device 10 due to foreign matter.

図８は、第２層１２４を第２有機材料のガラス転移点以上融点未満の温度に加熱する前後の走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）像の第１例を示す図である。図８の左側は、加熱前のＳＥＭ像を示しており、図８の右側は、加熱後のＳＥＭ像を示している。図８の左側のＳＥＭ像と図８の右側のＳＥＭ像の比較より、図８に示す例では、第２層１２４を第２有機材料のガラス転移点以上融点未満の温度に加熱することで、第１電極１１０の側面に沿った傾斜部分の表面の凹凸が平滑化されているといえる。   FIG. 8 is a view showing a first example of a scanning electron microscope (SEM) image before and after heating the second layer 124 to a temperature not lower than the glass transition point and lower than the melting point of the second organic material. The left side of FIG. 8 shows an SEM image before heating, and the right side of FIG. 8 shows an SEM image after heating. From the comparison of the SEM image on the left side of FIG. 8 and the SEM image on the right side of FIG. 8, in the example shown in FIG. 8, by heating the second layer 124 to a temperature not lower than the melting point of the glass transition point of the second organic material, It can be said that the unevenness of the surface of the inclined portion along the side surface of the first electrode 110 is smoothed.

図９は、第２層１２４を第２有機材料のガラス転移点以上融点未満の温度に加熱する前後の走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）像の第２例を示す図である。図９の左側は、加熱前のＳＥＭ像を示しており、図９の右側は、加熱後のＳＥＭ像を示している。図９の左側のＳＥＭ像と図９の右側のＳＥＭ像の比較より、図９に示す例では、第２層１２４を第２有機材料のガラス転移点以上融点未満の温度に加熱することで、第１電極１１０の側面に沿った傾斜部分の表面の凹凸が平滑化されているといえる。   FIG. 9 is a diagram showing a second example of a scanning electron microscope (SEM) image before and after heating the second layer 124 to a temperature not lower than the glass transition point and lower than the melting point of the second organic material. The left side of FIG. 9 shows the SEM image before heating, and the right side of FIG. 9 shows the SEM image after heating. From the comparison of the SEM image on the left side of FIG. 9 and the SEM image on the right side of FIG. 9, in the example shown in FIG. 9, by heating the second layer 124 to a temperature not lower than the melting point of the second organic material, It can be said that the unevenness of the surface of the inclined portion along the side surface of the first electrode 110 is smoothed.

図１０は、第２層１２４を第２有機材料のガラス転移点以上融点未満の温度に加熱する前後の走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）像の第３例を示す図である。図１０の左側は、加熱前のＳＥＭ像を示しており、図１０の右側は、加熱後のＳＥＭ像を示している。図１０の左側のＳＥＭ像と図１０の右側のＳＥＭ像の比較より、図１０に示す例では、第２層１２４を第２有機材料のガラス転移点以上融点未満の温度に加熱することで、第１電極１１０の側面に沿った傾斜部分の表面の凹凸が平滑化されているといえる。   FIG. 10 is a diagram showing a third example of a scanning electron microscope (SEM) image before and after heating the second layer 124 to a temperature not lower than the glass transition point and lower than the melting point of the second organic material. The left side of FIG. 10 shows the SEM image before heating, and the right side of FIG. 10 shows the SEM image after heating. From the comparison between the SEM image on the left side of FIG. 10 and the SEM image on the right side of FIG. 10, in the example shown in FIG. 10, by heating the second layer 124 to a temperature not lower than the melting point and lower than the glass transition point of the second organic material, It can be said that the unevenness of the surface of the inclined portion along the side surface of the first electrode 110 is smoothed.

図８から図１０を用いて説明したように第１電極１１０の側面に沿った傾斜部分の表面の凹凸が平滑化されている場合、この傾斜部分に沿った有機膜（第１層１２２及び第２層１２４）の厚さが局所的に薄くならないようにすることができる。したがって、この傾斜部分における第１電極１１０と第２電極１３０の短絡を防止することができる。   As described with reference to FIGS. 8 to 10, when the unevenness of the surface of the inclined portion along the side surface of the first electrode 110 is smoothed, the organic film (the first layer 122 and the first layer 122 along the inclined portion) is smoothed. It can be ensured that the thickness of the two layers 124) is not locally reduced. Therefore, a short circuit between the first electrode 110 and the second electrode 130 in the inclined portion can be prevented.

以上、図面を参照して実施形態及び実施例について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。   As mentioned above, although embodiment and the Example were described with reference to drawings, these are illustrations of this invention and can also employ | adopt various structures other than the above.

１０ 発光装置
１００ 基板
１０２ 第１面
１０４ 第２面
１１０ 第１電極
１２０ 有機層
１２２ 第１層
１２４ 第２層
１２６ 有機発光層
１３０ 第２電極 10 light emitting device 100 substrate 102 first surface 104 second surface 110 first electrode 120 organic layer 122 first layer 124 second layer 126 organic light emitting layer 130 second electrode

Claims (10)

基板と、
前記基板上に位置する第１電極と、
前記第１電極上に位置し、第１有機材料を含む塗布層である第１層と、
前記第１層上に位置し、第２有機材料と、前記第２有機材料にドープされた金属酸化物と、を含む第２層と、
前記第２層上に位置する有機発光層と、
前記有機発光層上に位置する第２電極と、
を含む発光装置。 A substrate,
A first electrode located on the substrate;
A first layer located on the first electrode and being a coating layer containing a first organic material;
A second layer located on the first layer and comprising a second organic material and a metal oxide doped in the second organic material;
An organic light emitting layer located on the second layer;
A second electrode located on the organic light emitting layer;
A light emitting device comprising: 請求項１に記載の発光装置において、
前記第１有機材料のガラス転移点は、前記第２有機材料のガラス転移点より高い、発光装置。 The light-emitting device according to claim 1.
The glass transition point of the first organic material is a light emitting device higher than the glass transition point of the second organic material. 請求項１又は２に記載の発光装置において、
前記第１電極上に存在し、前記第２層に埋め込まれた異物をさらに含む発光装置。 The light-emitting device according to claim 1 or 2,
A light-emitting device further comprising a foreign substance that is present on the first electrode and embedded in the second layer. 請求項１から３までのいずれか一項に記載の発光装置において、
前記第１電極上に存在し、前記第１層に埋め込まれた異物をさらに含む発光装置。 The light emitting device according to any one of claims 1 to 3,
A light emitting device further comprising a foreign substance that is present on the first electrode and embedded in the first layer. 請求項１から４までのいずれか一項に記載の発光装置において、
前記第２層は、前記第２層を前記第２有機材料のガラス転移点以上融点未満の第１温度に加熱することを経ている、発光装置。 In the light-emitting device as described in any one of Claim 1 to 4,
The second layer is a light emitting device through which the second layer is heated to a first temperature not lower than the melting point and not lower than the glass transition point of the second organic material. 請求項５に記載の発光装置において、
前記第１温度は、前記第１有機材料のガラス転移点未満である、発光装置。 The light emitting device according to claim 5.
The light emitting device, wherein the first temperature is lower than a glass transition point of the first organic material. 基板上に第１電極を形成する工程と、
第１有機材料を前記第１電極上に塗布して、前記第１有機材料を含む第１層を前記第１電極上に形成する工程と、
第２有機材料と、前記第２有機材料にドープされた金属酸化物と、を含む第２層を前記第１層上に形成する工程と、
前記第２層を前記第２有機材料のガラス転移点以上融点未満の第１温度に加熱する工程と、
前記第２層上に有機発光層を形成する工程と、
前記有機発光層上に第２電極を形成する工程と、
を含む、発光装置の製造方法。 Forming a first electrode on a substrate;
Applying a first organic material on the first electrode, and forming a first layer containing the first organic material on the first electrode;
Forming a second layer on the first layer, the second layer including a second organic material and a metal oxide doped in the second organic material;
Heating the second layer to a first temperature not lower than the melting point and not lower than the glass transition point of the second organic material;
Forming an organic light emitting layer on the second layer;
Forming a second electrode on the organic light emitting layer;
A method for manufacturing a light emitting device, comprising: 請求項７に記載の発光装置の製造方法において、
前記第１有機材料のガラス転移点は、前記第２有機材料のガラス転移点より高い、発光装置の製造方法。 In the manufacturing method of the light-emitting device according to claim 7,
The glass transition point of the first organic material is higher than the glass transition point of the second organic material. 請求項７又は８に記載の発光装置の製造方法において、
前記第１温度は、前記第１有機材料のガラス転移点未満である、発光装置の製造方法。 In the manufacturing method of the light-emitting device according to claim 7 or 8,
The method for manufacturing a light emitting device, wherein the first temperature is lower than a glass transition point of the first organic material. 請求項７から９までのいずれか一項に記載の発光装置の製造方法において、
前記第２層を形成する前に前記第１層を大気に曝す工程をさらに含む、発光装置の製造方法。 In the manufacturing method of the light-emitting device as described in any one of Claim 7-9,
A method for manufacturing a light emitting device, further comprising the step of exposing the first layer to the atmosphere before forming the second layer.
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