JP2019185597A - Memory control device, memory device, image forming apparatus, and program - Google Patents

Memory control device, memory device, image forming apparatus, and program Download PDF

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Abstract

To provide a memory control device capable of increasing power-saving efficiency, while prolonging a service life of a non-volatile memory and to provide a memory device, an image forming apparatus, and a program.SOLUTION: A memory control device 16A includes a control part 40 for performing control for selecting a first mode for holding data written in a cache area of a volatile memory 12C from a non-volatile memory 12B, when a previously set power-saving mode transition condition is satisfied and a value about a service life of the non-volatile memory 12B exceeds a reference value and selecting a second mode for rewriting the data written in the cache area from the non-volatile memory 12B to the non-volatile memory 12B, when the power-saving mode transition condition is satisfied and the value about the service life of the non-volatile memory 12B is the reference value or less.SELECTED DRAWING: Figure 3

Description

本発明は、メモリ制御装置、メモリ装置、画像形成装置、及びプログラムに関する。   The present invention relates to a memory control device, a memory device, an image forming apparatus, and a program.

例えば、特許文献1には、第1の電力状態で動作し、第1の電力状態よりも低消費電力の第2の電力状態で停止するHDD(Hard Disk Drive)を備えた画像形成装置が記載されている。この画像形成装置は、所定条件を満たした場合に第1の電力状態から第2の電力状態に移行させ、第2の電力状態で人を検出した場合に、第2の電力状態から第1の電力状態に復帰させる制御を行う。また、この画像形成装置は、第2の電力状態から第1の電力状態に移行した回数を計数して不揮発性メモリに記憶させ、自装置の設置期間に対する上記回数とHDDの寿命情報との比較結果に応じて、第2の電力状態から第1の電力状態に復帰させる頻度を低減する。   For example, Patent Document 1 describes an image forming apparatus including an HDD (Hard Disk Drive) that operates in a first power state and stops in a second power state that consumes less power than the first power state. Has been. The image forming apparatus shifts from the first power state to the second power state when a predetermined condition is satisfied, and when the person is detected in the second power state, the first power state starts from the second power state. Control to return to the power state. In addition, the image forming apparatus counts the number of times of transition from the second power state to the first power state and stores the number of times in the nonvolatile memory, and compares the number of times with respect to the installation period of the own device with the lifetime information of the HDD. Depending on the result, the frequency of returning from the second power state to the first power state is reduced.

特開2015−208909号公報JP2015-208909A

ところで、近年、画像形成装置等の電子機器においては、NAND型フラッシュメモリ等の不揮発性メモリが幅広く採用されている。HDDの場合、電源のオン及びオフの回数が寿命に大きく影響することが知られているが、不揮発性メモリの場合、一般的に、電源のオン及びオフではなく、読み出し(リード)及び書き込み(ライト)のアクセス回数が寿命に大きく影響する。そこで、不揮発性メモリの長寿命化を図るために、不揮発性メモリに記憶されているデータを揮発性メモリのキャッシュ領域に書き込み、当該キャッシュ領域に対してアクセスすることが行われている。   Incidentally, in recent years, non-volatile memories such as NAND flash memories have been widely used in electronic devices such as image forming apparatuses. In the case of HDDs, it is known that the number of times power is turned on and off greatly affects the lifetime, but in the case of nonvolatile memories, in general, reading (reading) and writing (rather than turning on and off power) The number of accesses to (write) greatly affects the service life. Therefore, in order to extend the life of the nonvolatile memory, data stored in the nonvolatile memory is written to the cache area of the volatile memory and accessed.

一方、揮発性メモリの中には、メモリ単独で自動的に定期的なリフレッシュ動作を行うセルフリフレッシュモードを備えたものがある。このセルフリフレッシュモードでは、電子機器が省電力モードに移行した場合に、セルフリフレッシュ動作が実行される。この場合、上記キャッシュ領域に書き込まれたデータは、不揮発性メモリの寿命が十分残されている場合であっても常にキャッシュ領域に保持されるために相応の電力が消費され、節電効率の観点からは改善の余地があった。これらより、不揮発性メモリの長寿命化を図りつつ、節電効率を向上させることが望まれている。   On the other hand, some volatile memories have a self-refresh mode in which the memory itself automatically performs a periodic refresh operation. In the self-refresh mode, a self-refresh operation is executed when the electronic device shifts to the power saving mode. In this case, since the data written in the cache area is always held in the cache area even when the lifetime of the nonvolatile memory is sufficiently long, corresponding power is consumed. There was room for improvement. From these, it is desired to improve the power saving efficiency while extending the life of the nonvolatile memory.

本発明は、不揮発性メモリの長寿命化を図りつつ、節電効率を向上させることができるメモリ制御装置、メモリ装置、画像形成装置、及びプログラムを提供することを目的とする。   An object of the present invention is to provide a memory control device, a memory device, an image forming apparatus, and a program capable of improving power saving efficiency while extending the life of a nonvolatile memory.

上記目的を達成するために、請求項1に記載のメモリ制御装置は、予め定められた省電力モード移行条件を満たし、かつ、不揮発性メモリの寿命に関する値が基準値を超える場合に、前記不揮発性メモリから揮発性メモリのキャッシュ領域に書き込まれたデータを保持する第1モードを選択し、前記省電力モード移行条件を満たし、かつ、前記不揮発性メモリの寿命に関する値が前記基準値以下である場合に、前記不揮発性メモリから前記キャッシュ領域に書き込まれた前記データを前記不揮発性メモリに書き戻す第2モードを選択する制御を行う制御部を備えている。   In order to achieve the above object, the memory control device according to claim 1, wherein the non-volatile memory device satisfies the predetermined power saving mode transition condition and the nonvolatile memory has a value regarding a lifetime exceeding a reference value. The first mode for holding data written from the volatile memory to the cache area of the volatile memory is selected, the power saving mode transition condition is satisfied, and the value related to the lifetime of the nonvolatile memory is equal to or less than the reference value A control unit that performs control to select a second mode in which the data written from the nonvolatile memory to the cache area is written back to the nonvolatile memory.

また、請求項2に記載のメモリ制御装置は、請求項1に記載の発明において、前記不揮発性メモリの寿命に関する値が、前記不揮発性メモリを搭載した電子機器について予め定められた使用可能期間が経過した場合に予測される前記不揮発性メモリにおけるアクセス予測回数とされ、前記基準値が、前記不揮発性メモリについて予め定められた許容可能なアクセス回数とされている。   According to a second aspect of the present invention, there is provided the memory control device according to the first aspect of the present invention, wherein the value relating to the lifetime of the nonvolatile memory has a predetermined usable period for an electronic device in which the nonvolatile memory is mounted. The estimated number of accesses in the nonvolatile memory predicted when the nonvolatile memory has passed is used, and the reference value is an allowable number of accesses determined in advance for the nonvolatile memory.

また、請求項3に記載のメモリ制御装置は、請求項2に記載の発明において、前記電子機器が動作した時間の累積を示す累積動作時間、及び、前記電子機器の動作中に累積して計測される前記不揮発性メモリにおけるアクセス計測回数を記憶する第2不揮発性メモリを更に備え、前記制御部が、前記使用可能期間、前記累積動作時間、及び前記アクセス計測回数に基づいて、前記アクセス予測回数を導出する。   According to a third aspect of the present invention, there is provided the memory control device according to the second aspect of the present invention, wherein in the second aspect of the invention, the accumulated operation time indicating the accumulation of the operation time of the electronic device and the accumulated operation time during the operation of the electronic device are measured. A second non-volatile memory that stores the number of access measurements in the non-volatile memory to be performed, and the control unit is configured to calculate the estimated access count based on the usable period, the accumulated operation time, and the access measurement count. Is derived.

また、請求項4に記載のメモリ制御装置は、請求項1に記載の発明において、前記不揮発性メモリの寿命に関する値が、前記不揮発性メモリについて予め定められた寿命に対する消耗度とされ、前記基準値が、前記不揮発性メモリを搭載した電子機器について予め定められた使用可能期間に対する、前記電子機器が動作した時間の累積を示す累積動作時間の第1割合とされている。   According to a fourth aspect of the present invention, there is provided the memory control device according to the first aspect, wherein the value related to the lifetime of the nonvolatile memory is a consumption level with respect to a predetermined lifetime for the nonvolatile memory, and the reference The value is the first ratio of the accumulated operation time that indicates the accumulation of the operation time of the electronic device with respect to the predetermined usable period for the electronic device equipped with the nonvolatile memory.

また、請求項5に記載のメモリ制御装置は、請求項1に記載の発明において、前記不揮発性メモリの寿命に関する値が、前記不揮発性メモリについて予め定められたアクセス可能回数に対する、アクセスが行われた累積回数の割合を示す消耗度とされ、前記基準値が、前記不揮発性メモリを搭載した電子機器について予め定められた使用可能期間に対する、前記電子機器が動作した時間の累積を示す累積動作時間の第1割合とされている。   According to a fifth aspect of the present invention, in the memory control device according to the first aspect of the present invention, the value related to the lifetime of the nonvolatile memory is accessed with respect to the number of accessible times determined in advance for the nonvolatile memory. The cumulative operation time indicating the cumulative operation time of the electronic device with respect to the predetermined usable period for the electronic device in which the nonvolatile memory is mounted. The first ratio.

また、請求項6に記載のメモリ制御装置は、請求項4又は5に記載の発明において、前記制御部が、前記消耗度を、前記不揮発性メモリに設けられた特定のレジスタフィールドから取得する。   According to a sixth aspect of the present invention, in the memory control device according to the fourth or fifth aspect, the control unit obtains the consumption level from a specific register field provided in the nonvolatile memory.

また、請求項7に記載のメモリ制御装置は、請求項4〜6のいずれか1項に記載の発明において、前記基準値が、前記第1割合と、前記電子機器を構成する部品について予め定められた使用可能回数に対する、前記電子機器の動作中に累積して計測される前記部品の累積使用回数の第2割合とに基づいて決定される値とされている。   According to a seventh aspect of the present invention, in the memory control device according to any one of the fourth to sixth aspects, the reference value is determined in advance for the first ratio and the components constituting the electronic device. The value is determined based on the second ratio of the cumulative number of times of use of the component that is cumulatively measured during the operation of the electronic device with respect to the number of times that the electronic device can be used.

また、請求項8に記載のメモリ制御装置は、請求項7に記載の発明において、前記電子機器が、複数の種類の異なる部品で構成されており、前記基準値が、前記第1割合と、前記複数の種類の異なる部品の各々について得られる前記第2割合の各々とに基づいて決定される値とされている。   According to an eighth aspect of the present invention, there is provided the memory control device according to the seventh aspect, wherein the electronic device is composed of a plurality of different types of components, and the reference value is the first ratio, The value is determined based on each of the second ratios obtained for each of the plurality of different types of parts.

また、請求項9に記載のメモリ制御装置は、請求項8に記載の発明において、前記基準値が、前記第1割合、及び、前記第2割合の各々のうちの最大値とされている。   In the memory control device according to claim 9, in the invention according to claim 8, the reference value is a maximum value of each of the first ratio and the second ratio.

また、請求項10に記載のメモリ制御装置は、請求項8又は9に記載の発明において、前記電子機器が、画像形成部及び原稿読取部を含む画像形成装置とされ、前記複数の種類の異なる部品が、前記画像形成部及び前記原稿読取部とされている。   According to a tenth aspect of the present invention, there is provided the memory control device according to the eighth or ninth aspect, wherein the electronic device is an image forming device including an image forming unit and a document reading unit, and the plurality of types are different. The parts are the image forming unit and the document reading unit.

また、請求項11に記載のメモリ制御装置は、請求項1〜10のいずれか1項に記載の発明において、前記制御部が、前記第2モードに移行後に予め定められた省電力モード復帰条件を満たした場合に、前記不揮発性メモリから前記キャッシュ領域に前記データを書き込む制御を更に行う。   The memory control device according to an eleventh aspect is the memory control device according to any one of the first to tenth aspects, wherein the control unit sets a predetermined power saving mode return condition after shifting to the second mode. When the above condition is satisfied, control is further performed to write the data from the nonvolatile memory to the cache area.

また、請求項12に記載のメモリ制御装置は、請求項1〜11のいずれか1項に記載の発明において、前記第1モードが、前記揮発性メモリに設けられたリフレッシュ回路を用いたセルフリフレッシュモードとされている。   According to a twelfth aspect of the present invention, there is provided the memory control device according to any one of the first to eleventh aspects, wherein the first mode uses a refresh circuit provided in the volatile memory. It is a mode.

また、請求項13に記載のメモリ制御装置は、請求項12に記載の発明において、前記第2モードが、前記セルフリフレッシュモードのパーシャルアレイセルフリフレッシュ機能を用いたモードとされている。   According to a thirteenth aspect of the present invention, in the memory control device according to the twelfth aspect of the present invention, the second mode is a mode using a partial array self-refresh function of the self-refresh mode.

一方、上記目的を達成するために、請求項14に記載のメモリ装置は、データを記憶する不揮発性メモリと、キャッシュ領域が設けられた揮発性メモリと、請求項1〜13のいずれか1項に記載のメモリ制御装置であって、前記不揮発性メモリから前記キャッシュ領域に前記データを書き込む制御を行うメモリ制御装置と、を備えている。   On the other hand, in order to achieve the above object, a memory device according to claim 14 is a non-volatile memory for storing data, a volatile memory provided with a cache area, and any one of claims 1 to 13. And a memory control device that performs control to write the data from the nonvolatile memory to the cache area.

一方、上記目的を達成するために、請求項15に記載の画像形成装置は、データを記憶する不揮発性メモリと、キャッシュ領域が設けられた揮発性メモリと、請求項1〜13のいずれか1項に記載のメモリ制御装置であって、前記不揮発性メモリから前記キャッシュ領域に前記データを書き込む制御を行うメモリ制御装置と、前記キャッシュ領域に書き込まれた前記データを用いて画像形成を行う画像形成部と、を備えている。   On the other hand, in order to achieve the above object, an image forming apparatus according to claim 15 is a non-volatile memory that stores data, a volatile memory provided with a cache area, and any one of claims 1 to 13. And a memory control device that performs control to write the data from the nonvolatile memory to the cache area, and image formation that performs image formation using the data written to the cache area. And a section.

更に、上記目的を達成するために、請求項16に記載のプログラムは、コンピュータを、請求項1〜13のいずれか1項に記載のメモリ制御装置が備える制御部として機能させる。   In order to achieve the above object, a program according to claim 16 causes a computer to function as a control unit included in the memory control device according to any one of claims 1 to 13.

請求項1、請求項14、請求項15、及び請求項16に係る発明によれば、不揮発性メモリの長寿命化を図りつつ、節電効率を向上させることができる。   According to the inventions according to claims 1, 14, 15, and 16, the power saving efficiency can be improved while extending the life of the nonvolatile memory.

請求項2に係る発明によれば、アクセス予測回数及び許容可能なアクセス回数を用いない場合と比較して、より適切なモードを選択することができる。   According to the invention which concerns on Claim 2, compared with the case where the frequency | count of access prediction and the frequency | count of allowable access are not used, a more suitable mode can be selected.

請求項3に係る発明によれば、累積動作時間及びアクセス計測回数の各実績値を用いない場合と比較して、アクセス予測回数を精度良く導出することができる。   According to the invention which concerns on Claim 3, compared with the case where each performance value of accumulation operation time and access measurement frequency is not used, access prediction frequency can be derived | led-out accurately.

請求項4に係る発明によれば、不揮発性メモリの寿命に対する消耗度、及び、電子機器の使用可能期間に基づく第1割合を用いない場合と比較して、より適切なモードを選択することができる。   According to the invention of claim 4, it is possible to select a more appropriate mode as compared with the case where the first ratio based on the degree of wear with respect to the lifetime of the nonvolatile memory and the usable period of the electronic device is not used. it can.

請求項5に係る発明によれば、不揮発性メモリのアクセス可能回数に基づく消耗度、及び、電子機器の使用可能期間に基づく第1割合を用いない場合と比較して、より適切なモードを選択することができる。   According to the invention according to claim 5, a more appropriate mode is selected as compared with the case where the consumption rate based on the accessible number of times of the nonvolatile memory and the first ratio based on the usable period of the electronic device are not used. can do.

請求項6に係る発明によれば、別構成とされたメモリ等から取得する場合と比較して、装置の構成をより簡易にすることができる。   According to the invention which concerns on Claim 6, compared with the case where it acquires from the memory etc. which were set as another structure, the structure of an apparatus can be simplified more.

請求項7に係る発明によれば、基準値として、電子機器を構成する部品の使用可能回数に基づく第2割合を用いない場合と比較して、より適切なモードを選択することができる。   According to the invention which concerns on Claim 7, compared with the case where the 2nd ratio based on the frequency | count which can use the components which comprise an electronic device is not used as a reference value, a more suitable mode can be selected.

請求項8に係る発明によれば、電子機器を構成する部品の種類を考慮しない場合と比較して、より適切なモードを選択することができる。   According to the invention which concerns on Claim 8, compared with the case where the kind of component which comprises an electronic device is not considered, a more suitable mode can be selected.

請求項9に係る発明によれば、第1割合及び複数の第2割合のうちの最大値を用いない場合と比較して、より適切なモードを選択することができる。   According to the invention which concerns on Claim 9, a more suitable mode can be selected compared with the case where the maximum value of a 1st ratio and several 2nd ratio is not used.

請求項10に係る発明によれば、不揮発性メモリを画像形成装置に搭載した場合に、不揮発性メモリの長寿命化を図りつつ、節電効率を向上させることができる。   According to the tenth aspect of the present invention, when the nonvolatile memory is mounted on the image forming apparatus, it is possible to improve the power saving efficiency while extending the life of the nonvolatile memory.

請求項11に係る発明によれば、省電力モード復帰条件を考慮しない場合と比較して、適切なタイミングでキャッシュ領域にデータを書き込むことができる。   According to the eleventh aspect of the present invention, data can be written to the cache area at an appropriate timing as compared with the case where the power saving mode return condition is not considered.

請求項12に係る発明によれば、揮発性メモリのキャッシュ領域のデータを不揮発性メモリに書き戻す場合と比較して、不揮発性メモリの長寿命化を図ることができる。   According to the twelfth aspect of the present invention, the lifetime of the nonvolatile memory can be extended as compared with the case where the data in the cache area of the volatile memory is written back to the nonvolatile memory.

請求項13に係る発明によれば、セルフリフレッシュモードのパーシャルアレイセルフリフレッシュ機能を用いない場合と比較して、節電効率を向上させることができる。   According to the thirteenth aspect of the present invention, it is possible to improve the power saving efficiency as compared with the case where the partial array self-refresh function in the self-refresh mode is not used.

第1の実施形態に係る画像形成装置の電気的な構成の一例を示すブロック図である。1 is a block diagram illustrating an example of an electrical configuration of an image forming apparatus according to a first embodiment. 第1の実施形態に係るメモリ装置の電気的な構成の一例を示すブロック図である。1 is a block diagram illustrating an example of an electrical configuration of a memory device according to a first embodiment. 第1の実施形態に係るメモリ制御装置の機能的な構成の一例を示すブロック図である。It is a block diagram which shows an example of a functional structure of the memory control apparatus which concerns on 1st Embodiment. 第1の実施形態に係るメモリ制御プログラムによる処理の流れの一例を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows an example of the flow of a process by the memory control program which concerns on 1st Embodiment. 実施形態に係る第1モード選択処理の流れの一例を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows an example of the flow of the 1st mode selection process which concerns on embodiment. 実施形態に係る第2モード選択処理の流れの一例を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows an example of the flow of the 2nd mode selection process which concerns on embodiment. 第2の実施形態に係るメモリ制御装置の機能的な構成の一例を示すブロック図である。It is a block diagram which shows an example of a functional structure of the memory control apparatus which concerns on 2nd Embodiment. 第2の実施形態に係るレジスタフィールドの一例を示す図である。It is a figure which shows an example of the register field which concerns on 2nd Embodiment. 第2の実施形態に係るメモリ制御プログラムによる処理の流れの一例を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows an example of the flow of a process by the memory control program which concerns on 2nd Embodiment. 第3の実施形態に係るメモリ制御装置の機能的な構成の一例を示すブロック図である。It is a block diagram which shows an example of a functional structure of the memory control apparatus which concerns on 3rd Embodiment. 第3の実施形態に係るメモリ制御プログラムによる処理の流れの一例を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows an example of the flow of a process by the memory control program which concerns on 3rd Embodiment.

以下、図面を参照して、本発明を実施するための形態の一例について詳細に説明する。   Hereinafter, an example of an embodiment for carrying out the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

[第1の実施形態]
図1は、第1の実施形態に係る画像形成装置10の電気的な構成の一例を示すブロック図である。
[First Embodiment]
FIG. 1 is a block diagram illustrating an example of an electrical configuration of the image forming apparatus 10 according to the first embodiment.

図1に示すように、本実施形態に係る画像形成装置10は、メイン制御部12Aと、記憶部14と、表示部18と、操作部20と、画像形成部22と、原稿読取部24と、通信部26と、メモリ装置30と、を備えている。また、本実施形態に係るメモリ装置30は、不揮発性メモリ12Bと、揮発性メモリ12Cと、メモリ制御装置16Aと、を備えている。これらの各部は、システムバス28を介して各々接続されている。なお、画像形成装置10は、電子機器の一例である。この電子機器としては、画像形成装置10に限定されず、例えば、パーソナルコンピュータ(PC:Personal Computer)やサーバコンピュータ等の情報処理装置を適用してもよい。   As shown in FIG. 1, the image forming apparatus 10 according to the present embodiment includes a main control unit 12A, a storage unit 14, a display unit 18, an operation unit 20, an image forming unit 22, and a document reading unit 24. The communication unit 26 and the memory device 30 are provided. In addition, the memory device 30 according to the present embodiment includes a nonvolatile memory 12B, a volatile memory 12C, and a memory control device 16A. These units are connected to each other via a system bus 28. The image forming apparatus 10 is an example of an electronic device. The electronic apparatus is not limited to the image forming apparatus 10 and may be an information processing apparatus such as a personal computer (PC) or a server computer.

本実施形態に係る画像形成装置10は、動作モードとして、メイン制御部12Aを動作状態とする通常電力モードと、メイン制御部12Aをスリープ状態とする省電力モードと、を切り替え可能に有している。   The image forming apparatus 10 according to the present embodiment has a switchable operation mode between a normal power mode in which the main control unit 12A is in an operating state and a power saving mode in which the main control unit 12A is in a sleep state. Yes.

本実施形態に係るメモリ制御装置16Aは、画像形成装置10が省電力モード移行条件(後述)を満たす場合に、メイン制御部12Aに対して、スリープ状態への移行を指示し、かつ、揮発性メモリ12Cに対して、セルフリフレッシュモードへの移行を指示する。この指示により、画像形成装置10は、省電力モードに移行する。一方、メモリ制御装置16Aは、画像形成装置10が省電力モード復帰条件(後述)を満たす場合に、メイン制御部12Aに対して、スリープ状態から動作状態への復帰を指示し、かつ、揮発性メモリ12Cに対して、セルフリフレッシュモードの解除を指示する。この指示により、画像形成装置10は、省電力モードから通常電力モードに復帰する。また、メモリ制御装置16Aは、画像形成装置10が通常電力モードで動作している場合に、揮発性メモリ12Cに対して、定期的にリフレッシュ命令を送出する。   When the image forming apparatus 10 satisfies a power saving mode transition condition (described later), the memory control device 16A according to the present embodiment instructs the main control unit 12A to enter the sleep state, and is volatile. The memory 12C is instructed to shift to the self-refresh mode. In response to this instruction, the image forming apparatus 10 shifts to the power saving mode. On the other hand, when the image forming apparatus 10 satisfies a power saving mode return condition (described later), the memory control device 16A instructs the main control unit 12A to return from the sleep state to the operation state, and is volatile. The memory 12C is instructed to cancel the self-refresh mode. In response to this instruction, the image forming apparatus 10 returns from the power saving mode to the normal power mode. Further, the memory control device 16A periodically sends a refresh command to the volatile memory 12C when the image forming apparatus 10 is operating in the normal power mode.

メイン制御部12Aは、CPU(Central Processing Unit)を含み、画像形成装置10の全体的な動作を制御する。メイン制御部12Aは、例えば、LSI(Large Scale Integration)等の集積回路又はIC(Integrated Circuit)チップセットが用いられる。なお、メイン制御部12Aの集積化には、LSIに限らず、専用回路又は汎用プロセッサを用いてもよい。   The main control unit 12A includes a CPU (Central Processing Unit) and controls the overall operation of the image forming apparatus 10. For example, an integrated circuit such as an LSI (Large Scale Integration) or an IC (Integrated Circuit) chip set is used as the main control unit 12A. The integration of the main control unit 12A is not limited to an LSI, and a dedicated circuit or a general-purpose processor may be used.

不揮発性メモリ12Bには、ROM(Read Only Memory)の一例であるフラッシュメモリや、EEPROM(Electrically Erasable Programmable ROM)等が用いられる。不揮発性メモリ12Bは、画像形成装置10の主電源がオフになっても、データが保持される記憶媒体であるが、HDD等のデータへのアクセスを機械的に行う記憶媒体は除外される。なお、不揮発性メモリ12Bには、データの一例として、画像形成装置10による画像形成動作の制御に必要な各種のプログラムや設定値等が記憶されている。   As the nonvolatile memory 12B, a flash memory which is an example of a ROM (Read Only Memory), an EEPROM (Electrically Erasable Programmable ROM), or the like is used. The nonvolatile memory 12B is a storage medium that retains data even when the main power of the image forming apparatus 10 is turned off, but excludes a storage medium that mechanically accesses data such as an HDD. The nonvolatile memory 12B stores various programs and set values necessary for controlling the image forming operation by the image forming apparatus 10 as an example of data.

揮発性メモリ12Cには、RAM(Random Access Memory)の一例であるDRAM(Dynamic Random Access Memory)や、SDRAM(Synchronous DRAM)、DDR SDRAM(Double Data Rate SDRAM)、DDR2 SDRAM、DDR3 SDRAM等が用いられる。揮発性メモリ12Cは、作業用メモリとして機能する。揮発性メモリ12Cは、一定時間以上放置していると、保持されているデータが消失する記憶媒体である。このため、揮発性メモリ12Cでは、データを継続して保持するために定期的にリフレッシュ動作を実行する必要がある。揮発性メモリ12Cは、画像形成装置10が通常電力モードで動作している場合、メモリ制御装置16Aから定期的に送出されるリフレッシュ命令に応じてリフレッシュ動作を行い、画像形成装置10が省電力モードに移行した場合、メモリ制御装置16Aからの指示に応じてセルフリフレッシュモードに移行し、セルフリフレッシュ動作を行う。   As the volatile memory 12C, a DRAM (Dynamic Random Access Memory), an SDRAM (Synchronous DRAM), a DDR SDRAM (Double Data Rate SDRAM), a DDR2 SDRAM, a DDR3 SDRAM, or the like is used as an example of a RAM (Random Access Memory). . The volatile memory 12C functions as a working memory. The volatile memory 12C is a storage medium in which stored data is lost if the volatile memory 12C is left for a certain period of time. For this reason, in the volatile memory 12C, it is necessary to periodically perform a refresh operation in order to continuously hold data. When the image forming apparatus 10 is operating in the normal power mode, the volatile memory 12C performs a refresh operation according to a refresh command periodically sent from the memory control device 16A, and the image forming apparatus 10 is in the power saving mode. In the case of shifting to, the shift to the self-refresh mode is performed in accordance with an instruction from the memory control device 16A, and the self-refresh operation is performed.

上記セルフリフレッシュモードでは、揮発性メモリ12C内でリフレッシュ動作が実行されるため、画像形成装置10が省電力モードに移行した場合でも、揮発性メモリ12Cに保持されているデータが消失することはない。揮発性メモリ12Cがセルフリフレッシュモードを備えることで、メモリ制御装置16Aからリフレッシュ命令を送出する必要がなくなり、更に、メイン制御部12Aをスリープ状態に移行できるため、省電力化される。   In the self-refresh mode, since the refresh operation is executed in the volatile memory 12C, even when the image forming apparatus 10 shifts to the power saving mode, data held in the volatile memory 12C is not lost. . Since the volatile memory 12C has the self-refresh mode, it is not necessary to send a refresh command from the memory control device 16A, and the main control unit 12A can be shifted to the sleep state, thereby saving power.

一方、記憶部14としては、例えば、HDDや、SSD(Solid State Drive)等が用いられる。記憶部14には、画像形成に関する各種処理を実行するためのアプリケーション・プログラムや、外部のPC等から受信した印刷データ等が記憶される。   On the other hand, as the storage unit 14, for example, an HDD, an SSD (Solid State Drive), or the like is used. The storage unit 14 stores application programs for executing various processes relating to image formation, print data received from an external PC, and the like.

表示部18には、例えば、液晶ディスプレイ(LCD:Liquid Crystal Display)や有機EL(Electro Luminescence)ディスプレイ等が用いられる。表示部18は、タッチパネルを一体的に有している。操作部20には、テンキーやスタートキー等の各種の操作キーが設けられている。表示部18及び操作部20は、画像形成装置10のユーザから各種の指示を受け付ける。この各種の指示には、例えば、原稿の読み取りを開始させる指示や、原稿の複写(コピー)を開始させる指示等が含まれる。表示部18は、ユーザから受け付けた指示に応じて実行された処理の結果や、処理に対する通知等の各種の情報を表示する。   For the display unit 18, for example, a liquid crystal display (LCD), an organic EL (Electro Luminescence) display, or the like is used. The display unit 18 integrally has a touch panel. The operation unit 20 is provided with various operation keys such as a numeric keypad and a start key. The display unit 18 and the operation unit 20 receive various instructions from the user of the image forming apparatus 10. These various instructions include, for example, an instruction to start reading a document and an instruction to start copying (copying) a document. The display unit 18 displays various types of information such as a result of processing executed in response to an instruction received from the user and a notification for the processing.

原稿読取部24は、画像形成装置10の上部に設けられた図示しない自動原稿送り装置の給紙台に置かれた原稿を1枚ずつ取り込み、取り込んだ原稿を光学的に読み取って画像情報を得る。あるいは、原稿読取部24は、プラテンガラス等の原稿台に置かれた原稿を光学的に読み取って画像情報を得る。   The document reading unit 24 captures documents one by one on a sheet feeding table of an unillustrated automatic document feeder provided at the top of the image forming apparatus 10 and optically reads the captured documents to obtain image information. . Alternatively, the document reading unit 24 optically reads a document placed on a document table such as a platen glass to obtain image information.

画像形成部22は、原稿読取部24による読み取りによって得られた画像情報、又は、ネットワークを介して接続された外部のPC等から得られた画像情報に基づく画像を、紙等の記録媒体に形成する。なお、本実施形態においては、画像を形成する方式として、電子写真方式を例示して説明するが、インクジェット方式等の他の方式を採用してもよい。   The image forming unit 22 forms an image based on image information obtained by reading by the document reading unit 24 or image information obtained from an external PC or the like connected via a network on a recording medium such as paper. To do. In the present embodiment, an electrophotographic method is exemplified and described as a method for forming an image, but other methods such as an ink jet method may be adopted.

画像を形成する方式が電子写真方式の場合、画像形成部22は、感光体ドラム、帯電部、露光部、現像部、転写部、及び定着部を含む。帯電部は、感光体ドラムに電圧を印加して感光体ドラムの表面を帯電させる。露光部は、帯電部で帯電された感光体ドラムを画像情報に応じた光で露光することにより感光体ドラムに静電潜像を形成する。現像部は、感光体ドラムに形成された静電潜像をトナーにより現像することで感光体ドラムにトナー像を形成する。転写部は、感光体ドラムに形成されたトナー像を記録媒体に転写する。定着部は、記録媒体に転写されたトナー像を加熱及び加圧により定着させる。   When the image forming method is an electrophotographic method, the image forming unit 22 includes a photosensitive drum, a charging unit, an exposure unit, a developing unit, a transfer unit, and a fixing unit. The charging unit applies a voltage to the photosensitive drum to charge the surface of the photosensitive drum. The exposure unit forms an electrostatic latent image on the photosensitive drum by exposing the photosensitive drum charged by the charging unit with light according to image information. The developing unit forms a toner image on the photosensitive drum by developing the electrostatic latent image formed on the photosensitive drum with toner. The transfer unit transfers the toner image formed on the photosensitive drum to a recording medium. The fixing unit fixes the toner image transferred to the recording medium by heating and pressing.

通信部26は、ネットワーク(図示省略)に接続されており、外部のPCとの間でネットワークを介して通信が可能とされている。このネットワークには、一例として、インターネットや、LAN(Local Area Network)、WAN(Wide Area Network)等が適用される。   The communication unit 26 is connected to a network (not shown), and can communicate with an external PC via the network. For example, the Internet, a LAN (Local Area Network), a WAN (Wide Area Network), or the like is applied to this network.

次に、図2を参照して、本実施形態に係るメモリ装置30の具体的な構成について説明する。   Next, a specific configuration of the memory device 30 according to the present embodiment will be described with reference to FIG.

図2は、第1の実施形態に係るメモリ装置30の電気的な構成の一例を示すブロック図である。   FIG. 2 is a block diagram illustrating an example of an electrical configuration of the memory device 30 according to the first embodiment.

本実施形態に係る不揮発性メモリ12Bには、上述したように、画像形成動作の制御に必要なデータが記憶されている。   The nonvolatile memory 12B according to the present embodiment stores data necessary for controlling the image forming operation as described above.

本実施形態に係る揮発性メモリ12Cには、キャッシュ領域が設けられ、かつ、上述したセルフリフレッシュモードでのリフレッシュ動作を行うためのリフレッシュ回路が設けられている。また、揮発性メモリ12Cは、セルフリフレッシュモードのパーシャルアレイセルフリフレッシュ(Partial Array Self Refresh、以下、単に「PASR」という。)機能を有している。   The volatile memory 12C according to the present embodiment is provided with a cache area and a refresh circuit for performing the refresh operation in the self-refresh mode described above. The volatile memory 12C has a partial array self refresh (hereinafter referred to simply as “PASR”) function in a self refresh mode.

上記PASR機能とは、セルフリフレッシュモード中に、揮発性メモリ12Cを構成する複数の記憶領域の各々について、データを保持するか否かを選択的に設定する機能である。データを保持する設定である「データ保持」に設定するか、あるいは、データを保持しない設定である「データ非保持」に設定するかは、揮発性メモリ12C内のレジスタの設定により選択される。「データ保持」が設定された記憶領域では、セルフリフレッシュモード中にデータが保持され、「データ非保持」が設定された記憶領域では、セルフリフレッシュモード中にデータが保持されない。つまり、「データ非保持」が設定された記憶領域では、セルフリフレッシュ動作を実行する必要がないため、通常のセルフリフレッシュモードと比較して、更に省電力化される。   The PASR function is a function for selectively setting whether to hold data for each of the plurality of storage areas constituting the volatile memory 12C during the self-refresh mode. Whether to set “data retention”, which is a setting for retaining data, or “data non-retention”, which is a setting for not retaining data, is selected by setting a register in the volatile memory 12C. In the storage area set to “data hold”, data is held during the self-refresh mode, and in the storage area set to “data non-hold”, data is not held during the self-refresh mode. In other words, since it is not necessary to execute the self-refresh operation in the storage area in which “data non-retention” is set, further power saving can be achieved as compared with the normal self-refresh mode.

ところで、不揮発性メモリ12Bの場合、上述したように、読み出し(リード)及び書き込み(ライト)のアクセス回数が寿命に大きく影響する。そこで、不揮発性メモリ12Bの長寿命化を図るために、不揮発性メモリ12Bに記憶されているデータを揮発性メモリ12Cのキャッシュ領域に書き込んで、当該キャッシュ領域に対してアクセスが実行される。これにより、不揮発性メモリ12Bへのアクセス回数が抑制される。一方、セルフリフレッシュモードでは、キャッシュ領域に書き込まれたデータは、不揮発性メモリ12Bの寿命が十分残っている場合であっても常にキャッシュ領域に保持されるため、相応の電力が消費される。これらより、不揮発性メモリ12Bの長寿命化を図りつつ、節電効率の向上が望まれている。   In the case of the nonvolatile memory 12B, as described above, the number of accesses for reading (reading) and writing (writing) greatly affects the life. Therefore, in order to extend the life of the nonvolatile memory 12B, the data stored in the nonvolatile memory 12B is written in the cache area of the volatile memory 12C, and the cache area is accessed. Thereby, the frequency | count of access to the non-volatile memory 12B is suppressed. On the other hand, in the self-refresh mode, data written in the cache area is always held in the cache area even when the lifetime of the nonvolatile memory 12B is sufficient, so that corresponding power is consumed. Accordingly, it is desired to improve the power saving efficiency while extending the life of the nonvolatile memory 12B.

本実施形態に係るメモリ制御装置16Aは、上記PASR機能を用いて、不揮発性メモリ12Bの寿命を優先させる第1モードと、装置全体の節電を優先させる第2モードとを選択的に切り替えて、不揮発性メモリ12Bの長寿命化を図りつつ、節電効率を向上させる。   The memory control device 16A according to the present embodiment uses the PASR function to selectively switch between a first mode that prioritizes the life of the nonvolatile memory 12B and a second mode that prioritizes power saving of the entire device, The power saving efficiency is improved while extending the life of the nonvolatile memory 12B.

本実施形態に係るメモリ制御装置16Aは、CPU32と、RAM34と、ROM36と、第2不揮発性メモリ38と、を備えている。   The memory control device 16A according to the present embodiment includes a CPU 32, a RAM 34, a ROM 36, and a second nonvolatile memory 38.

ROM36には、本実施形態に係るメモリ制御プログラム36Aが記憶されている。メモリ制御プログラム36Aは、例えば、メモリ制御装置16Aに予めインストールされていてもよい。メモリ制御プログラム36Aは、不揮発性の記憶媒体に記憶して、又はネットワークを介して配布して、メモリ制御装置16Aに適宜インストールすることで実現してもよい。なお、不揮発性の記憶媒体の例としては、CD-ROM(Compact Disc Read Only Memory)、光磁気ディスク、HDD、DVD-ROM(Digital Versatile Disc Read Only Memory)、フラッシュメモリ、メモリカード等が想定される。   The ROM 36 stores a memory control program 36A according to the present embodiment. The memory control program 36A may be installed in advance in the memory control device 16A, for example. The memory control program 36A may be realized by being stored in a non-volatile storage medium or distributed via a network and appropriately installed in the memory control device 16A. As examples of nonvolatile storage media, CD-ROM (Compact Disc Read Only Memory), magneto-optical disk, HDD, DVD-ROM (Digital Versatile Disc Read Only Memory), flash memory, memory card, etc. are assumed. The

本実施形態に係るメモリ制御装置16AのCPU32は、ROM36に記憶されているメモリ制御プログラム36AをRAM34に書き込んで実行することにより、図3に示す制御部40として機能する。   The CPU 32 of the memory control device 16A according to the present embodiment functions as the control unit 40 shown in FIG. 3 by writing the memory control program 36A stored in the ROM 36 into the RAM 34 and executing it.

図3は、第1の実施形態に係るメモリ制御装置16Aの機能的な構成の一例を示すブロック図である。
図3に示すように、本実施形態に係るメモリ制御装置16AのCPU32は、制御部40として機能する。
FIG. 3 is a block diagram illustrating an example of a functional configuration of the memory control device 16A according to the first embodiment.
As illustrated in FIG. 3, the CPU 32 of the memory control device 16 </ b> A according to the present embodiment functions as a control unit 40.

本実施形態に係る制御部40は、不揮発性メモリ12Bに記憶されているデータを、揮発性メモリ12Cのキャッシュ領域に書き込む制御を行う。そして、本実施形態に係る制御部40は、予め定められた省電力モード移行条件を満たし、かつ、不揮発性メモリ12Bの寿命に関する値が基準値を超える場合に、第1モードを選択し、省電力モード移行条件を満たし、かつ、不揮発性メモリ12Bの寿命に関する値が基準値以下である場合に、第2モードを選択する制御を行う。   The control unit 40 according to the present embodiment performs control to write data stored in the nonvolatile memory 12B into the cache area of the volatile memory 12C. Then, the control unit 40 according to the present embodiment selects the first mode when the predetermined power saving mode transition condition is satisfied and the value related to the lifetime of the nonvolatile memory 12B exceeds the reference value, thereby saving When the power mode transition condition is satisfied and the value related to the lifetime of the nonvolatile memory 12B is equal to or less than the reference value, control for selecting the second mode is performed.

なお、第1モードとは、上述したように、不揮発性メモリ12Bの寿命を優先させるモードであり、不揮発性メモリ12Bから揮発性メモリ12Cのキャッシュ領域に書き込まれたデータを保持するモードである。具体的には、第1モードは、揮発性メモリ12Cに設けられたリフレッシュ回路を用いたセルフリフレッシュモードである。第1モードでは、揮発性メモリ12Cのキャッシュ領域のデータがそのまま保持され、不揮発性メモリ12Bへの書き戻しは行われない。この場合、不揮発性メモリ12Bへのアクセス回数が抑制され、不揮発性メモリ12Bの長寿命化に寄与する。   As described above, the first mode is a mode that prioritizes the life of the nonvolatile memory 12B, and is a mode that holds data written from the nonvolatile memory 12B to the cache area of the volatile memory 12C. Specifically, the first mode is a self-refresh mode using a refresh circuit provided in the volatile memory 12C. In the first mode, the data in the cache area of the volatile memory 12C is held as it is, and writing back to the nonvolatile memory 12B is not performed. In this case, the number of accesses to the nonvolatile memory 12B is suppressed, which contributes to extending the life of the nonvolatile memory 12B.

一方、第2モードとは、上述したように、装置全体の節電を優先させるモードであり、不揮発性メモリ12Bからキャッシュ領域に書き込まれたデータを不揮発性メモリ12Bに書き戻すモードである。具体的には、第2モードは、セルフリフレッシュモードのPASR機能を用いたモードである。第2モードでは、揮発性メモリ12Cのキャッシュ領域に保持されているデータの不揮発性メモリ12Bへの書き戻しが行われ、PASR機能の設定によりキャッシュ領域にはデータが保持されない。この場合、キャッシュ領域についてセルフリフレッシュ動作を実行する必要がないため、装置全体での節電効率の向上に寄与する。   On the other hand, as described above, the second mode is a mode that prioritizes power saving of the entire apparatus, and is a mode in which data written in the cache area from the nonvolatile memory 12B is written back to the nonvolatile memory 12B. Specifically, the second mode is a mode using the PASR function of the self-refresh mode. In the second mode, data held in the cache area of the volatile memory 12C is written back to the nonvolatile memory 12B, and no data is held in the cache area by setting the PASR function. In this case, it is not necessary to perform a self-refresh operation for the cache area, which contributes to improvement of power saving efficiency in the entire apparatus.

また、省電力モード移行条件とは、画像形成装置10が省電力モードに移行する場合の条件であり、一例として、「ユーザによる操作入力が一定時間以上検出されない場合」や、「外部PCからの印刷データが一定時間以上受信されない場合」等の条件である。   The power saving mode transition condition is a condition when the image forming apparatus 10 shifts to the power saving mode. As an example, “the case where an operation input by the user is not detected for a certain period of time” or “from the external PC” For example, the print data is not received for a certain period of time.

また、不揮発性メモリ12Bの寿命に関する値は、一例として、画像形成装置10について予め定められた使用可能期間が経過した場合に予測される不揮発性メモリ12Bにおけるアクセス予測回数である。この使用可能期間とは、画像形成装置10について予め想定されている寿命を表す期間であり、例えば、メーカ等で実施される寿命試験の結果に基づいて決定される。また、アクセス予測回数は、後述するように、使用可能期間等を用いて制御部40により算出される。一方、基準値は、一例として、不揮発性メモリ12Bについて予め定められた許容可能なアクセス回数(以下、「許容アクセス回数」という。)である。この許容アクセス回数は、不揮発性メモリ12Bについて予め想定される許容可能な読み出し及び書き込みのアクセス回数であり、例えば、メーカ等で実施される寿命試験の結果に基づいて決定される。   In addition, the value related to the lifetime of the nonvolatile memory 12B is, for example, the predicted number of accesses in the nonvolatile memory 12B that is predicted when a predetermined usable period for the image forming apparatus 10 has elapsed. The usable period is a period that represents a life expected in advance for the image forming apparatus 10, and is determined based on, for example, a result of a life test performed by a manufacturer or the like. Further, as will be described later, the predicted access count is calculated by the control unit 40 using a usable period or the like. On the other hand, the reference value is, for example, an allowable number of accesses predetermined for the nonvolatile memory 12B (hereinafter referred to as “allowable access number”). This allowable access count is an allowable read and write access count assumed in advance for the nonvolatile memory 12B, and is determined based on, for example, a result of a life test performed by a manufacturer or the like.

本実施形態に係る第2不揮発性メモリ38は、上記の使用可能期間、許容アクセス回数を記憶すると共に、画像形成装置10が動作した時間の累積を示す累積動作時間、及び、画像形成装置10の動作中に累積して計測される不揮発性メモリ12Bにおけるアクセス計測回数を記憶する。この累積動作時間は、一例として、画像形成装置10が所定の使用場所に設置された後に初めて起動した時点から、この時点、例えば、直近の省電力モード移行時点までに動作した時間の累積として示される。また、このアクセス計測回数は、画像形成装置10が動作中に不揮発性メモリ12Bにおいて実際に読み出し及び書き込みのアクセスが行われた回数の累積として示される。これらの累積動作時間及びアクセス計測回数の各々は、画像形成装置10の停止(主電源がオフ)や再起動を挟んでも継続して計測される。   The second non-volatile memory 38 according to the present embodiment stores the usable period and the allowable access count, the accumulated operation time indicating the accumulated time during which the image forming apparatus 10 is operated, and the image forming apparatus 10. The number of access measurements in the nonvolatile memory 12B that is accumulated and measured during operation is stored. As an example, this accumulated operation time is indicated as the accumulation of the operation time from the time when the image forming apparatus 10 is first started after being installed in a predetermined use place until this time, for example, the most recent power saving mode transition time. It is. The access measurement count is indicated as an accumulation of the number of times that the read / write access is actually performed in the nonvolatile memory 12B while the image forming apparatus 10 is operating. Each of the accumulated operation time and the number of times of access measurement is continuously measured even when the image forming apparatus 10 is stopped (main power is off) or restarted.

本実施形態に係る制御部40は、上記の累積動作時間及びアクセス計測回数を計測し、計測した計測値を第2不揮発性メモリ38に記憶する。また、制御部40は、使用可能期間、累積動作時間、及びアクセス計測回数に基づいて、アクセス予測回数を導出する。具体的には、使用可能期間をT、累積動作時間をT、アクセス計測回数をNとした場合に、アクセス予測回数Nは、下記に示す式(1)により求められる。 The control unit 40 according to the present embodiment measures the accumulated operation time and the number of times of access measurement, and stores the measured value in the second nonvolatile memory 38. Further, the control unit 40 derives the access prediction number based on the usable period, the accumulated operation time, and the access measurement number. Specifically, the usable period T L, the accumulated operation time T A, the access number of measurements in the case of the N M, access prediction number N P is calculated by equation (1) shown below.

=(T/T)×N ・・・(1) N P = (T L / T A ) × N M (1)

上記式(1)を用いた場合、本実施形態に係る制御部40は、省電力モード移行条件を満たし、かつ、アクセス予測回数Nが許容アクセス回数を超える場合に、第1モードを選択し、省電力モード移行条件を満たし、かつ、アクセス予測回数Nが許容アクセス回数以下である場合に、第2モードを選択する制御を行う。なお、式(1)に代えて、予め作成されたデータテーブルを用いて、アクセス予測回数Nを導出してもよい。このモードを選択する制御により、不揮発性メモリ12Bの長寿命化を図りつつ、節電効率を向上させる。 When using the above equation (1), the control unit 40 according to the present embodiment, satisfies the power saving mode transition condition, and, if the access prediction count N P exceeds the allowable number of accesses, the first mode is selected satisfies the power saving mode transition condition, and, if the access prediction count N P is equal to or less than the allowable number of accesses, it performs control to select the second mode. In place of the equation (1), using a previously created data tables, it may derive access prediction count N P. By controlling the selection of this mode, the power saving efficiency is improved while extending the life of the nonvolatile memory 12B.

なお、制御部40は、第2モードに移行後に予め定められた省電力モード復帰条件を満たした場合に、不揮発性メモリ12Bからキャッシュ領域にデータを書き込む制御を更に行う。この省電力モード復帰条件とは、画像形成装置10が省電力モードから復帰する場合の条件であり、一例として、「ユーザによる操作入力が検出された場合」や、「外部PCから印刷データが受信された場合」等の条件である。   Note that the control unit 40 further performs control of writing data from the nonvolatile memory 12B to the cache area when a predetermined power saving mode return condition is satisfied after the transition to the second mode. The power saving mode return condition is a condition when the image forming apparatus 10 returns from the power saving mode. As an example, “when a user operation input is detected” or “print data is received from an external PC”. And the like.

次に、図4を参照して、第1の実施形態に係るメモリ制御装置16Aの作用を説明する。なお、図4は、第1の実施形態に係るメモリ制御プログラム36Aによる処理の流れの一例を示すフローチャートである。   Next, the operation of the memory control device 16A according to the first embodiment will be described with reference to FIG. FIG. 4 is a flowchart showing an example of the flow of processing by the memory control program 36A according to the first embodiment.

まず、画像形成装置10の主電源がオンされると、メモリ制御プログラム36Aが起動され、以下の各ステップを実行する。   First, when the main power supply of the image forming apparatus 10 is turned on, the memory control program 36A is started and the following steps are executed.

図4のステップ100では、制御部40が、画像形成装置10の累積動作時間、及び、不揮発性メモリ12Bにおけるアクセス計測回数の計測を開始する。このとき得られた計測値は、第2不揮発性メモリ38に記憶される。なお、制御部40は、第2不揮発性メモリ38に前回までの計測値が記憶されている場合には、前回までの計測値から継続してカウントする。   In step 100 of FIG. 4, the control unit 40 starts measuring the cumulative operation time of the image forming apparatus 10 and the number of access measurements in the nonvolatile memory 12B. The measured value obtained at this time is stored in the second nonvolatile memory 38. In addition, when the measurement value until the last time is memorize | stored in the 2nd non-volatile memory 38, the control part 40 continues counting from the measurement value until the last time.

ステップ102では、制御部40が、不揮発性メモリ12Bに記憶されているデータを、揮発性メモリ12Cのキャッシュ領域に書き込む。なお、この場合、不揮発性メモリ12Bからデータを読み出すため、この読み出し分もアクセス計測回数としてカウントする。   In step 102, the control unit 40 writes the data stored in the nonvolatile memory 12B to the cache area of the volatile memory 12C. In this case, since data is read from the nonvolatile memory 12B, this read is also counted as the number of times of access measurement.

ステップ104では、制御部40が、メイン制御部12Aを動作状態とし、画像形成装置10を通常電力モードとする。この通常電力モードでは、揮発性メモリ12Cのキャッシュ領域に対してアクセスがなされる。例えば、画像形成装置10が備える画像形成部22は、このキャッシュ領域に書き込まれたデータを用いて画像形成を行う。但し、一部の重要データを書き込む場合には、不揮発性メモリ12Bに対して直接書き込みが行われることがある。このときの書き込み分もアクセス計測回数としてカウントする。また、この通常電力モードでは、上述したように、メモリ制御装置16Aから揮発性メモリ12Cに対して定期的に送出されるリフレッシュ命令に応じて、揮発性メモリ12Cのリフレッシュ動作が実行される。   In step 104, the control unit 40 puts the main control unit 12A into an operating state and puts the image forming apparatus 10 into the normal power mode. In this normal power mode, the cache area of the volatile memory 12C is accessed. For example, the image forming unit 22 included in the image forming apparatus 10 forms an image using data written in the cache area. However, when writing some important data, direct writing may be performed on the nonvolatile memory 12B. The writing at this time is also counted as the number of times of access measurement. In this normal power mode, as described above, the refresh operation of the volatile memory 12C is executed in response to the refresh command periodically sent from the memory control device 16A to the volatile memory 12C.

ステップ106では、制御部40が、画像形成装置10が省電力モード移行条件を満たすか否かを判定する。省電力モード移行条件を満たすと判定した場合(肯定判定の場合)、ステップ108に移行し、省電力モード移行条件を満たさないと判定した場合(否定判定の場合)、ステップ118に移行する。なお、この省電力モード移行条件とは、一例として、上述したように、「ユーザによる操作入力が一定時間以上検出されない場合」等の条件である。   In step 106, the control unit 40 determines whether or not the image forming apparatus 10 satisfies the power saving mode transition condition. If it is determined that the power saving mode transition condition is satisfied (in the case of an affirmative determination), the process proceeds to step 108. If it is determined that the power saving mode transition condition is not satisfied (in the case of a negative determination), the process proceeds to step 118. The power saving mode transition condition is, for example, a condition such as “when an operation input by the user is not detected for a certain period of time” as described above.

ステップ108では、制御部40が、第2不揮発性メモリ38に記憶されている使用可能期間、累積動作時間、及びアクセス計測回数を、上述した式(1)に適用し、アクセス予測回数を算出する。   In step 108, the control unit 40 applies the usable period, the accumulated operation time, and the access measurement count stored in the second nonvolatile memory 38 to the above-described equation (1), and calculates the access prediction count. .

ステップ110では、制御部40が、上記ステップ108で算出したアクセス予測回数が許容アクセス回数を超えるか否かを判定する。アクセス予測回数が許容アクセス回数を超えると判定した場合(肯定判定の場合)、ステップ112に移行し、図5に示す第1モード選択処理を実行する。一方、アクセス予測回数が許容アクセス回数以下であると判定した場合(否定判定の場合)、ステップ114に移行し、図6に示す第2モード選択処理を実行する。なお、この許容アクセス回数は、第2不揮発性メモリ38に記憶されている。   In step 110, the control unit 40 determines whether or not the predicted access count calculated in step 108 exceeds the allowable access count. When it is determined that the predicted access count exceeds the allowable access count (in the case of an affirmative determination), the process proceeds to step 112 and the first mode selection process shown in FIG. 5 is executed. On the other hand, when it is determined that the predicted access count is equal to or less than the allowable access count (in the case of negative determination), the process proceeds to step 114 and the second mode selection process shown in FIG. 6 is executed. The allowable access count is stored in the second nonvolatile memory 38.

図5は、本実施形態に係る第1モード選択処理の流れの一例を示すフローチャートである。   FIG. 5 is a flowchart showing an example of the flow of the first mode selection process according to the present embodiment.

図5のステップ120では、制御部40が、揮発性メモリ12Cに対して、キャッシュ領域のデータを保持したままセルフリフレッシュモードへの移行を指示する。このとき、制御部40は、メイン制御部12Aに対して、スリープ状態への移行を指示し、画像形成装置10を省電力モードに移行させる。   In step 120 of FIG. 5, the control unit 40 instructs the volatile memory 12C to shift to the self-refresh mode while retaining the data in the cache area. At this time, the control unit 40 instructs the main control unit 12A to shift to the sleep state, and shifts the image forming apparatus 10 to the power saving mode.

ステップ122では、制御部40が、画像形成装置10が省電力モード復帰条件を満たすか否かを判定する。省電力モード復帰条件を満たすと判定した場合(肯定判定の場合)、ステップ124に移行し、省電力モード復帰条件を満たさないと判定した場合(否定判定の場合)、ステップ122で待機となる。なお、この省電力モード復帰条件とは、一例として、上述したように、「ユーザによる操作入力が検出された場合」等の条件である。   In step 122, the control unit 40 determines whether or not the image forming apparatus 10 satisfies the power saving mode return condition. When it is determined that the power saving mode return condition is satisfied (in the case of an affirmative determination), the process proceeds to step 124. When it is determined that the power saving mode return condition is not satisfied (in the case of a negative determination), the process waits in step 122. The power saving mode return condition is, for example, a condition such as “when an operation input by the user is detected” as described above.

ステップ124では、制御部40が、揮発性メモリ12Cに対して、セルフリフレッシュモードの解除を指示し、図4のステップ116にリターンする。   In step 124, the control unit 40 instructs the volatile memory 12C to cancel the self-refresh mode, and returns to step 116 in FIG.

図6は、本実施形態に係る第2モード選択処理の流れの一例を示すフローチャートである。   FIG. 6 is a flowchart showing an example of the flow of the second mode selection process according to the present embodiment.

図6のステップ130では、制御部40が、揮発性メモリ12Cのキャッシュ領域に保持しているデータを不揮発性メモリ12Bに書き戻す。なお、この場合、不揮発性メモリ12Bにデータを書き込むため、この書き込み分もアクセス計測回数としてカウントする。   In step 130 of FIG. 6, the control unit 40 writes the data held in the cache area of the volatile memory 12C back to the nonvolatile memory 12B. In this case, since data is written to the non-volatile memory 12B, this writing is also counted as the number of times of access measurement.

ステップ132では、制御部40が、揮発性メモリ12CのPASR機能を用いて、キャッシュ領域を「データ非保持」に設定し、キャッシュ領域のデータを保持しないようにする。   In step 132, the control unit 40 uses the PASR function of the volatile memory 12C to set the cache area to “data not held” so as not to hold the data in the cache area.

ステップ134では、制御部40が、揮発性メモリ12Cに対して、セルフリフレッシュモードへの移行を指示する。このとき、制御部40は、メイン制御部12Aに対して、スリープ状態への移行を指示し、画像形成装置10を省電力モードに移行させる。   In step 134, the control unit 40 instructs the volatile memory 12C to shift to the self-refresh mode. At this time, the control unit 40 instructs the main control unit 12A to shift to the sleep state, and shifts the image forming apparatus 10 to the power saving mode.

ステップ136では、制御部40が、画像形成装置10が省電力モード復帰条件を満たすか否かを判定する。省電力モード復帰条件を満たすと判定した場合(肯定判定の場合)、ステップ138に移行し、省電力モード復帰条件を満たさないと判定した場合(否定判定の場合)、ステップ136で待機となる。   In step 136, the control unit 40 determines whether or not the image forming apparatus 10 satisfies the power saving mode return condition. If it is determined that the power saving mode return condition is satisfied (in the case of an affirmative determination), the process proceeds to step 138. If it is determined that the power saving mode return condition is not satisfied (in the case of a negative determination), the process stands by in step 136.

ステップ138では、制御部40が、揮発性メモリ12Cに対して、セルフリフレッシュモードの解除を指示する。   In step 138, the control unit 40 instructs the volatile memory 12C to cancel the self-refresh mode.

ステップ140では、制御部40が、揮発性メモリ12CのPASR機能を用いて、キャッシュ領域を「データ保持」に設定し、キャッシュ領域にデータを保持可能とする。   In step 140, the control unit 40 sets the cache area to “data hold” by using the PASR function of the volatile memory 12C, and makes it possible to hold data in the cache area.

ステップ142では、制御部40が、不揮発性メモリ12Bに記憶されているデータを揮発性メモリ12Cのキャッシュ領域に書き込み、図4のステップ116にリターンする。なお、この場合、不揮発性メモリ12Bからデータを読み出すため、この読み出し分もアクセス計測回数としてカウントする。   In step 142, the control unit 40 writes the data stored in the nonvolatile memory 12B to the cache area of the volatile memory 12C, and returns to step 116 in FIG. In this case, since data is read from the nonvolatile memory 12B, this read is also counted as the number of times of access measurement.

次に、図4のステップ116では、制御部40が、メイン制御部12Aに対して、動作状態への移行を指示し、画像形成装置10を通常電力モードに復帰させる。   Next, in step 116 in FIG. 4, the control unit 40 instructs the main control unit 12 </ b> A to shift to the operation state and returns the image forming apparatus 10 to the normal power mode.

ステップ118では、制御部40が、画像形成装置10の主電源がオフされたか否かを判定する。主電源がオフされていないと判定した場合(否定判定の場合)、ステップ106に戻り、主電源がオフされたと判定した場合(肯定判定の場合)、本メモリ制御プログラム36Aによる一連の処理を終了する。   In step 118, the control unit 40 determines whether or not the main power supply of the image forming apparatus 10 is turned off. When it is determined that the main power supply is not turned off (in the case of negative determination), the process returns to step 106, and when it is determined that the main power supply is turned off (in the case of positive determination), a series of processing by the memory control program 36A is terminated. To do.

以上をまとめると、不揮発性メモリ12Bの寿命を優先する第1モードでは、画像形成装置10の省電力モード移行時に、揮発性メモリ12Cのキャッシュ領域に保持されているデータの不揮発性メモリ12Bへの書き戻しは行わずに、揮発性メモリ12Cをセルフリフレッシュモードに移行させる。そして、画像形成装置10の省電力モード復帰時に、揮発性メモリ12Cをセルフリフレッシュモードから復帰させる。この場合、揮発性メモリ12Cのキャッシュ領域にデータが保持されているため、不揮発性メモリ12Bからデータの読み出しは行わない。   In summary, in the first mode in which the life of the nonvolatile memory 12B is prioritized, the data held in the cache area of the volatile memory 12C is transferred to the nonvolatile memory 12B when the image forming apparatus 10 shifts to the power saving mode. Without writing back, the volatile memory 12C is shifted to the self-refresh mode. When the image forming apparatus 10 returns to the power saving mode, the volatile memory 12C is returned from the self-refresh mode. In this case, data is not read from the nonvolatile memory 12B because the data is held in the cache area of the volatile memory 12C.

一方、装置全体の節電を優先する第2モードでは、画像形成装置10の省電力モード移行時に、揮発性メモリ12Cのキャッシュ領域に保持されているデータの不揮発性メモリ12Bへの書き戻しを行い、PASR機能の設定によりキャッシュ領域にはデータを保持せずに、揮発性メモリ12Cをセルフリフレッシュモードに移行させる。そして、画像形成装置10の省電力モード復帰時に、揮発性メモリ12Cをセルフリフレッシュモードから復帰させる。この場合、揮発性メモリ12Cのキャッシュ領域にはデータが保持されていないため、不揮発性メモリ12Bからデータを読み出し、キャッシュ領域に書き込む。   On the other hand, in the second mode in which power saving of the entire apparatus is prioritized, when the image forming apparatus 10 shifts to the power saving mode, data stored in the cache area of the volatile memory 12C is written back to the nonvolatile memory 12B. By setting the PASR function, the volatile memory 12C is shifted to the self-refresh mode without holding data in the cache area. When the image forming apparatus 10 returns to the power saving mode, the volatile memory 12C is returned from the self-refresh mode. In this case, since data is not held in the cache area of the volatile memory 12C, data is read from the nonvolatile memory 12B and written to the cache area.

このように本実施形態によれば、不揮発性メモリ12Bの長寿命化を図りつつ、装置全体の節電効率が向上する。   As described above, according to the present embodiment, the power saving efficiency of the entire apparatus is improved while extending the life of the nonvolatile memory 12B.

[第2の実施形態]
上記第1の実施形態では、アクセス予測回数と許容アクセス回数とを比較した結果に基づいて、第1モード及び第2モードのいずれかを選択する形態について説明した。本実施形態では、不揮発性メモリ12Bから得られる消耗度と、画像形成装置10の使用可能期間に対する累積動作時間の第1割合とを比較した結果に基づいて、第1モード及び第2モードのいずれかを選択する形態について説明する。
[Second Embodiment]
In the first embodiment, the mode in which one of the first mode and the second mode is selected based on the result of comparing the predicted access count and the allowable access count has been described. In the present embodiment, either the first mode or the second mode is based on the result of comparing the degree of wear obtained from the nonvolatile memory 12B and the first ratio of the cumulative operation time with respect to the usable period of the image forming apparatus 10. A mode for selecting the above will be described.

図7は、第2の実施形態に係るメモリ制御装置16Bの機能的な構成の一例を示すブロック図である。
図7に示すように、本実施形態に係るメモリ制御装置16Bは、制御部42を備えている。なお、第1の実施形態に示すメモリ制御装置16Aと同一の機能を有する構成要素には同一の符号を付し、繰り返しの説明は省略する。
FIG. 7 is a block diagram illustrating an example of a functional configuration of the memory control device 16B according to the second embodiment.
As shown in FIG. 7, the memory control device 16 </ b> B according to the present embodiment includes a control unit 42. In addition, the same code | symbol is attached | subjected to the component which has the same function as 16 A of memory control apparatuses shown in 1st Embodiment, and repeated description is abbreviate | omitted.

本実施形態に係る不揮発性メモリ12Bには、特定のレジスタフィールドが設けられている。このレジスタフィールドには、不揮発性メモリ12Bについて予め定められた寿命に対する、不揮発性メモリ12Bの消耗度が格納されている。   The nonvolatile memory 12B according to the present embodiment is provided with a specific register field. In this register field, the degree of wear of the nonvolatile memory 12B with respect to a predetermined lifetime for the nonvolatile memory 12B is stored.

例えば、特定の用途に特化した組み込み機器等で広く利用されている不揮発性メモリ12Bの一種であるeMMC(embedded Multi Media Card)には、上記消耗度を格納したレジスタフィールドが設けられている。具体的には、一例として、図8に示すように、Extended CSD(Card-Specific Data)レジスタの「DEVICE_LIFE_TIME_EST_TYP_Aフィールド」等が挙げられる。この消耗度は、アクセスが行われた回数に応じてeMMCの内部で更新される。   For example, an eMMC (embedded Multi Media Card), which is a kind of nonvolatile memory 12B widely used in embedded devices specialized for a specific application, is provided with a register field that stores the degree of wear. Specifically, as an example, as shown in FIG. 8, “DEVICE_LIFE_TIME_EST_TYP_A field” of an extended CSD (Card-Specific Data) register and the like can be mentioned. This consumption level is updated inside the eMMC according to the number of accesses.

本実施形態に係る制御部42は、一例として、図8に示すように、不揮発性メモリ12Bに関する消耗度を、不揮発性メモリ12Bに設けられた特定のレジスタフィールドから取得する。   As an example, as illustrated in FIG. 8, the control unit 42 according to the present embodiment obtains the degree of consumption related to the nonvolatile memory 12B from a specific register field provided in the nonvolatile memory 12B.

一方、本実施形態に係る第2不揮発性メモリ38には、画像形成装置10について予め定められた使用可能期間と、画像形成装置10が動作した時間の累積を示す累積動作時間とが記憶されている。この場合、基準値となる第1割合は、使用可能期間に対する累積動作時間の割合として示される。例えば、使用可能期間をT、累積動作時間をTとした場合、第1割合は、T/Tとなる。 On the other hand, the second non-volatile memory 38 according to the present embodiment stores a usable period predetermined for the image forming apparatus 10 and an accumulated operation time indicating an accumulated time during which the image forming apparatus 10 is operated. Yes. In this case, the first ratio serving as the reference value is indicated as a ratio of the accumulated operation time to the usable period. For example, when the usable period is T L and the cumulative operation time is T A , the first ratio is T A / T L.

本実施形態に係る制御部42は、不揮発性メモリ12Bに設けられた特定のレジスタフィールドから取得した消耗度が第1割合を超える場合には、不揮発性メモリ12Bの寿命を優先する第1モードを選択し、当該消耗度が第1割合以下である場合には、装置全体の節電を優先する第2モードを選択する。   The control unit 42 according to the present embodiment selects the first mode in which priority is given to the lifetime of the nonvolatile memory 12B when the wear level acquired from the specific register field provided in the nonvolatile memory 12B exceeds the first ratio. If the consumption level is less than or equal to the first rate, the second mode that gives priority to power saving of the entire apparatus is selected.

具体的には、一例として、使用可能期間Tが87600時間(約10年)、累積動作時間Tが50000時間(約5.7年)である場合、第1割合は、T/T=50000/87600≒0.57と算出される。このときの消耗度が一例として0.3である場合、消耗度「0.3」は、第1割合「0.57」以下であるため、節電優先の第2モードが選択される。 Specifically, as an example, usable period T L is 87600 hours (about 10 years), when the cumulative operation time T A is 50000 hours (about 5.7 years), the first ratio, T A / T L = 50000 / 87600≈0.57 is calculated. When the wear level at this time is 0.3 as an example, the wear level “0.3” is equal to or less than the first ratio “0.57”, and thus the second mode with power saving priority is selected.

なお、上記では、不揮発性メモリ12Bのレジスタフィールドに、予め定められた寿命に対する消耗度が格納されているものを用いたが、不揮発性メモリ12Bについて予め定められたアクセス可能回数に対する、アクセスが行われた累積回数の割合が消耗度として格納されていてもよい。この場合、不揮発性メモリ12Bとして、例えば、アクセスが行われた回数を計測する機能を有するコントローラを備えた不揮発性メモリを用い、アクセス可能回数をN回とした場合に、実際に計測されたアクセス回数がN(≦N)回であれば、消耗度はN/Nとなる。 In the above description, the register field of the non-volatile memory 12B stores a consumption level for a predetermined lifetime, but the non-volatile memory 12B is accessed for a predetermined accessible number of times. The ratio of the accumulated number of times may be stored as the degree of wear. In this case, as a non-volatile memory 12B, for example, a nonvolatile memory having a controller having a function of measuring the number of times access is made, if the accessible number was N X times, the actually measured If the number of accesses is N Y (≦ N X ), the degree of wear is N Y / N X.

次に、図9を参照して、第2の実施形態に係るメモリ制御装置16Bの作用を説明する。なお、図9は、第2の実施形態に係るメモリ制御プログラム36Aによる処理の流れの一例を示すフローチャートである。   Next, the operation of the memory control device 16B according to the second embodiment will be described with reference to FIG. FIG. 9 is a flowchart showing an example of the flow of processing by the memory control program 36A according to the second embodiment.

まず、画像形成装置10の主電源がオンされると、メモリ制御プログラム36Aが起動され、以下の各ステップを実行する。なお、ステップ150〜ステップ156、及び、ステップ162〜ステップ168の各処理は、図4に示すステップ100〜ステップ106、及び、ステップ112〜ステップ118の各処理と同様であるため、ここでの繰り返しの説明は省略し、ステップ158及びステップ160についてのみ説明する。   First, when the main power supply of the image forming apparatus 10 is turned on, the memory control program 36A is started and the following steps are executed. Note that the processing of step 150 to step 156 and step 162 to step 168 is the same as the processing of step 100 to step 106 and step 112 to step 118 shown in FIG. Will be omitted, and only step 158 and step 160 will be described.

図9のステップ158では、制御部42が、一例として、図8に示すように、不揮発性メモリ12Bに設けられた特定のレジスタフィールドから消耗度を取得する。   In step 158 of FIG. 9, as an example, the control unit 42 acquires the wear level from a specific register field provided in the nonvolatile memory 12 </ b> B as illustrated in FIG. 8.

ステップ160では、制御部42が、上記ステップ158で取得した消耗度が第1割合を超えるか否かを判定する。消耗度が第1割合を超えると判定した場合(肯定判定の場合)、ステップ162に移行し、消耗度が第1割合以下であると判定した場合(否定判定の場合)、ステップ164に移行する。なお、第1割合は、上述したように、第2不揮発性メモリ38に記憶されている、画像形成装置10についての使用可能期間及び累積動作時間に基づいて算出される。   In step 160, the control unit 42 determines whether or not the degree of wear acquired in step 158 exceeds the first ratio. If it is determined that the degree of wear exceeds the first ratio (in the case of affirmative determination), the process proceeds to step 162. If it is determined that the degree of wear is equal to or less than the first ratio (in the case of negative determination), the process proceeds to step 164. . Note that, as described above, the first ratio is calculated based on the usable period and the accumulated operation time for the image forming apparatus 10 stored in the second nonvolatile memory 38.

このように本実施形態によれば、第1モード及び第2モードのいずれかを選択する場合に、不揮発性メモリ12Bから得られる消耗度、及び、画像形成装置10の使用可能期間に基づく第1割合が用いられる。このため、アクセス予測回数を導出する必要がなく、装置の構成が簡易になる。   As described above, according to the present embodiment, when either the first mode or the second mode is selected, the first is based on the degree of wear obtained from the nonvolatile memory 12B and the usable period of the image forming apparatus 10. Percentage is used. For this reason, it is not necessary to derive the access prediction frequency, and the configuration of the apparatus is simplified.

[第3の実施形態]
上記第2の実施形態では、基準値として、画像形成装置10の使用可能期間に対する累積動作時間の第1割合を用いる形態について説明した。本実施形態では、この第1割合と、更に、画像形成装置10を構成する部品についての使用可能回数に対する累積使用回数の第2割合とを用いて基準値を決定する形態について説明する。
[Third Embodiment]
In the second embodiment, the mode in which the first ratio of the cumulative operation time to the usable period of the image forming apparatus 10 is used as the reference value has been described. In the present embodiment, a description will be given of a mode in which the reference value is determined using the first ratio and the second ratio of the cumulative number of times of use with respect to the number of times that the parts constituting the image forming apparatus 10 are usable.

図10は、第3の実施形態に係るメモリ制御装置16Cの機能的な構成の一例を示すブロック図である。
図10に示すように、本実施形態に係るメモリ制御装置16Cは、制御部44を備えている。なお、第1の実施形態に示すメモリ制御装置16Aと同一の機能を有する構成要素には同一の符号を付し、繰り返しの説明は省略する。
FIG. 10 is a block diagram illustrating an example of a functional configuration of the memory control device 16C according to the third embodiment.
As illustrated in FIG. 10, the memory control device 16 </ b> C according to the present embodiment includes a control unit 44. In addition, the same code | symbol is attached | subjected to the component which has the same function as 16 A of memory control apparatuses shown in 1st Embodiment, and repeated description is abbreviate | omitted.

本実施形態に係る制御部44は、一例として、図8に示すように、不揮発性メモリ12Bに関する消耗度を、不揮発性メモリ12Bに設けられた特定のレジスタフィールドから取得する。   As an example, as shown in FIG. 8, the control unit 44 according to the present embodiment acquires the consumption level related to the nonvolatile memory 12B from a specific register field provided in the nonvolatile memory 12B.

一方、画像形成装置10は、複数の種類の異なる部品によって構成されており、画像形成装置10の使用可能期間のみならず、各部品についても寿命を示す仕様の一例として、使用可能回数が定められている。ここでいう部品には、上述した画像形成部22、原稿読取部24等が含まれる。   On the other hand, the image forming apparatus 10 is configured by a plurality of different types of parts, and the usable number of times is determined as an example of the specification indicating the lifetime of each part as well as the usable period of the image forming apparatus 10. ing. The components here include the image forming unit 22 and the document reading unit 24 described above.

本実施形態に係る第2不揮発性メモリ38には、画像形成装置10の使用可能期間及び累積動作時間に加えて、更に、画像形成装置10を構成する部品について予め定められた使用可能回数と、画像形成装置10の動作中に累積して計測される当該部品の累積使用回数とが記憶されている。本実施形態では、上記部品の一例として、画像形成部22が適用される。画像形成部22の場合、使用可能回数は、予め想定されるプリント可能な回数であり、累積使用回数は、累積して計測されるプリントの回数である。第2割合は、一例として画像形成部22についての使用可能回数に対する累積使用回数の割合として示される。例えば、使用可能回数をN、累積使用回数をNとした場合、第2割合は、N/Nとなる。この場合、基準値は、一例として、第1割合及び第2割合のうちいずれか大きい方に決定される。 In the second nonvolatile memory 38 according to the present embodiment, in addition to the usable period and the accumulated operation time of the image forming apparatus 10, the number of usable times determined in advance for the components constituting the image forming apparatus 10, The cumulative use count of the component that is accumulated and measured during the operation of the image forming apparatus 10 is stored. In the present embodiment, the image forming unit 22 is applied as an example of the component. In the case of the image forming unit 22, the usable number of times is the number of times that printing can be assumed in advance, and the cumulative number of times of use is the number of times of printing that is accumulated and measured. As an example, the second ratio is indicated as a ratio of the cumulative number of times of use to the usable number of times for the image forming unit 22. For example, when the usable count is N L and the cumulative use count is N A , the second ratio is N A / N L. In this case, as an example, the reference value is determined as the larger one of the first ratio and the second ratio.

具体的には、一例として、使用可能期間Tが50000時間、累積動作時間Tが25000時間である場合、第1割合は、T/T=25000/50000=0.5と算出される。一方、使用可能回数Nが20000回、使用累積回数Nが13000回である場合、第2割合は、N/N=13000/20000=0.65と算出される。この場合、基準値は、第1割合「0.5」よりも大きい第2割合「0.65」に決定される。このときの消耗度が一例として0.7である場合、消耗度「0.7」は、第2割合「0.65」を超えるため、寿命優先の第1モードが選択される。 Specifically, as an example, when the usable period T L is 50000 hours and the cumulative operation time T A is 25000 hours, the first ratio is calculated as T A / T L = 25000/50000 = 0.5. The On the other hand, when the usable number N L is 20000 times and the accumulated use number N A is 13000 times, the second ratio is calculated as N A / N L = 13000/20000 = 0.65. In this case, the reference value is determined to be the second ratio “0.65” that is larger than the first ratio “0.5”. When the wear level at this time is 0.7 as an example, the wear level “0.7” exceeds the second ratio “0.65”, so the first mode with priority on life is selected.

なお、上記第2割合を、複数の種類の異なる部品の各々について算出してもよい。この複数の種類の異なる部品の一例として、画像形成部22及び原稿読取部24が適用される。原稿読取部24の場合、使用可能回数は、予め想定されるスキャン可能な回数であり、累積使用回数は、累積して計測されるスキャンの回数である。この場合、基準値は、画像形成装置10についての第1割合、画像形成部22についての第2割合、及び原稿読取部24についての第2割合のうちの最大値に決定される。   The second ratio may be calculated for each of a plurality of different types of parts. The image forming unit 22 and the document reading unit 24 are applied as an example of the plurality of different types of components. In the case of the document reading unit 24, the usable number of times is a number of times that can be scanned in advance, and the cumulative number of times of use is the number of times of scanning that is accumulated and measured. In this case, the reference value is determined as the maximum value among the first ratio for the image forming apparatus 10, the second ratio for the image forming unit 22, and the second ratio for the document reading unit 24.

次に、図11を参照して、第3の実施形態に係るメモリ制御装置16Cの作用を説明する。なお、図11は、第3の実施形態に係るメモリ制御プログラム36Aによる処理の流れの一例を示すフローチャートである。   Next, the operation of the memory control device 16C according to the third embodiment will be described with reference to FIG. FIG. 11 is a flowchart showing an example of the flow of processing by the memory control program 36A according to the third embodiment.

まず、画像形成装置10の主電源がオンされると、メモリ制御プログラム36Aが起動され、以下の各ステップを実行する。なお、ステップ170〜ステップ176、及び、ステップ182〜ステップ188の各処理は、図4に示すステップ100〜ステップ106、及び、ステップ112〜ステップ118の各処理と同様であるため、ここでの繰り返しの説明は省略し、ステップ178及びステップ180についてのみ説明する。   First, when the main power supply of the image forming apparatus 10 is turned on, the memory control program 36A is started and the following steps are executed. Note that the processing of Step 170 to Step 176 and Step 182 to Step 188 is the same as the processing of Step 100 to Step 106 and Step 112 to Step 118 shown in FIG. Will be omitted, and only step 178 and step 180 will be described.

図11のステップ178では、制御部44が、一例として、図8に示すように、不揮発性メモリ12Bに設けられた特定のレジスタフィールドから消耗度を取得する。   In step 178 of FIG. 11, as an example, the control unit 44 acquires the consumption level from a specific register field provided in the nonvolatile memory 12 </ b> B as illustrated in FIG. 8.

ステップ180では、制御部44が、上記ステップ178で取得した消耗度が最大割合を超えるか否かを判定する。消耗度が最大割合を超えると判定した場合(肯定判定の場合)、ステップ182に移行し、消耗度が最大割合以下であると判定した場合(否定判定の場合)、ステップ184に移行する。なお、最大割合とは、第1割合、及び、1以上の第2割合のうちで最大となる割合である。第2割合は、上述したように、第2不揮発性メモリ38に記憶されている、1つ以上の部品についての使用可能回数及び累積使用回数に基づいて算出される。   In step 180, the control unit 44 determines whether or not the wear level acquired in step 178 exceeds the maximum rate. If it is determined that the degree of wear exceeds the maximum ratio (in the case of affirmative determination), the process proceeds to step 182. If it is determined that the degree of wear is equal to or less than the maximum ratio (in the case of negative determination), the process proceeds to step 184. Note that the maximum ratio is a ratio that is the maximum among the first ratio and one or more second ratios. As described above, the second ratio is calculated based on the number of usable times and the cumulative number of times of use for one or more parts stored in the second nonvolatile memory 38.

このように本実施形態によれば、基準値が、画像形成装置10の使用可能期間に基づく第1割合、及び、画像形成装置10を構成する部品の使用可能回数に基づく第2割合を用いて決定される。このため、より適切なモードが選択される。   As described above, according to the present embodiment, the reference value uses the first ratio based on the usable period of the image forming apparatus 10 and the second ratio based on the number of times that the parts constituting the image forming apparatus 10 can be used. It is determined. For this reason, a more appropriate mode is selected.

以上、実施形態として、メモリ制御装置、メモリ装置、及び画像形成装置を例示して説明した。実施形態は、メモリ制御装置が備える各部の機能をコンピュータに実行させるためのプログラムの形態としてもよい。実施形態は、このプログラムを記憶したコンピュータが読み取り可能な記憶媒体の形態としてもよい。   As above, the memory control device, the memory device, and the image forming apparatus have been described as examples. The embodiment may be in the form of a program for causing a computer to execute the functions of the units included in the memory control device. The embodiment may be in the form of a computer-readable storage medium storing this program.

なお、上記実施形態において、メモリ制御装置16A、16B、16Cの各々が行う処理をメイン制御部12Aで行うようにしてもよい。この場合、CPU32、RAM34、及びROM36は不要としてもよい。   In the above embodiment, the processing performed by each of the memory control devices 16A, 16B, and 16C may be performed by the main control unit 12A. In this case, the CPU 32, the RAM 34, and the ROM 36 may be unnecessary.

その他、上記実施形態で説明したメモリ制御装置の構成は、一例であり、主旨を逸脱しない範囲内において状況に応じて変更してもよい。   In addition, the configuration of the memory control device described in the above embodiment is an example, and may be changed according to the situation without departing from the gist.

また、上記実施形態で説明したプログラムの処理の流れも、一例であり、主旨を逸脱しない範囲内において不要なステップを削除したり、新たなステップを追加したり、処理順序を入れ替えたりしてもよい。   Further, the processing flow of the program described in the above embodiment is an example, and unnecessary steps may be deleted, new steps may be added, or the processing order may be changed within a range not departing from the gist. Good.

また、上記実施形態では、プログラムを実行することにより、実施形態に係る処理がコンピュータを利用してソフトウェア構成により実現される場合について説明したが、これに限らない。実施形態は、例えば、ハードウェア構成や、ハードウェア構成とソフトウェア構成との組み合わせによって実現してもよい。   Moreover, although the said embodiment demonstrated the case where the process which concerns on embodiment was implement | achieved by a software structure using a computer by running a program, it is not restricted to this. The embodiment may be realized by, for example, a hardware configuration or a combination of a hardware configuration and a software configuration.

10 画像形成装置
12A メイン制御部
12B 不揮発性メモリ
12C 揮発性メモリ
14 記憶部
16A、16B、16C メモリ制御装置
18 表示部
20 操作部
22 画像形成部
24 原稿読取部
26 通信部
28 システムバス
30 メモリ装置
32 CPU
34 RAM
36 ROM
36A メモリ制御プログラム
38 第2不揮発性メモリ
40、42、44 制御部
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Image forming apparatus 12A Main control part 12B Nonvolatile memory 12C Volatile memory 14 Memory | storage parts 16A, 16B, 16C Memory control apparatus 18 Display part 20 Operation part 22 Image formation part 24 Original reading part 26 Communication part 28 System bus 30 Memory device 32 CPU
34 RAM
36 ROM
36A Memory control program 38 Second nonvolatile memory 40, 42, 44 Control unit

Claims (16)

予め定められた省電力モード移行条件を満たし、かつ、不揮発性メモリの寿命に関する値が基準値を超える場合に、前記不揮発性メモリから揮発性メモリのキャッシュ領域に書き込まれたデータを保持する第1モードを選択し、前記省電力モード移行条件を満たし、かつ、前記不揮発性メモリの寿命に関する値が前記基準値以下である場合に、前記不揮発性メモリから前記キャッシュ領域に書き込まれた前記データを前記不揮発性メモリに書き戻す第2モードを選択する制御を行う制御部を備えたメモリ制御装置。   First data that holds data written from the nonvolatile memory to the cache area of the volatile memory when a predetermined power saving mode transition condition is satisfied and the value related to the lifetime of the nonvolatile memory exceeds a reference value When the mode is selected, the power saving mode transition condition is satisfied, and the value related to the lifetime of the nonvolatile memory is equal to or less than the reference value, the data written from the nonvolatile memory to the cache area is A memory control device including a control unit that performs control for selecting a second mode for writing back to a nonvolatile memory. 前記不揮発性メモリの寿命に関する値は、前記不揮発性メモリを搭載した電子機器について予め定められた使用可能期間が経過した場合に予測される前記不揮発性メモリにおけるアクセス予測回数であり、
前記基準値は、前記不揮発性メモリについて予め定められた許容可能なアクセス回数である請求項1に記載のメモリ制御装置。
The value related to the lifetime of the non-volatile memory is an estimated number of accesses in the non-volatile memory that is predicted when a predetermined usable period has elapsed for an electronic device equipped with the non-volatile memory,
The memory control device according to claim 1, wherein the reference value is an allowable number of accesses that is predetermined for the nonvolatile memory.
前記電子機器が動作した時間の累積を示す累積動作時間、及び、前記電子機器の動作中に累積して計測される前記不揮発性メモリにおけるアクセス計測回数を記憶する第2不揮発性メモリを更に備え、
前記制御部は、前記使用可能期間、前記累積動作時間、及び前記アクセス計測回数に基づいて、前記アクセス予測回数を導出する請求項2に記載のメモリ制御装置。
A second non-volatile memory that stores a cumulative operation time indicating a cumulative time of operation of the electronic device, and a number of access measurements in the non-volatile memory that are accumulated and measured during operation of the electronic device;
The memory control device according to claim 2, wherein the control unit derives the predicted access count based on the usable period, the accumulated operation time, and the access measurement count.
前記不揮発性メモリの寿命に関する値は、前記不揮発性メモリについて予め定められた寿命に対する消耗度であり、
前記基準値は、前記不揮発性メモリを搭載した電子機器について予め定められた使用可能期間に対する、前記電子機器が動作した時間の累積を示す累積動作時間の第1割合である請求項1に記載のメモリ制御装置。
The value related to the lifetime of the nonvolatile memory is a degree of wear with respect to a predetermined lifetime for the nonvolatile memory,
2. The reference value according to claim 1, wherein the reference value is a first ratio of an accumulated operation time indicating an accumulation of an operation time of the electronic device with respect to a predetermined usable period for the electronic device including the nonvolatile memory. Memory controller.
前記不揮発性メモリの寿命に関する値は、前記不揮発性メモリについて予め定められたアクセス可能回数に対する、アクセスが行われた累積回数の割合を示す消耗度であり、
前記基準値は、前記不揮発性メモリを搭載した電子機器について予め定められた使用可能期間に対する、前記電子機器が動作した時間の累積を示す累積動作時間の第1割合である請求項1に記載のメモリ制御装置。
The value related to the lifetime of the nonvolatile memory is a consumption level indicating a ratio of a cumulative number of times access is performed to a predetermined number of accessible times for the nonvolatile memory,
2. The reference value according to claim 1, wherein the reference value is a first ratio of an accumulated operation time indicating an accumulation of an operation time of the electronic device with respect to a predetermined usable period for the electronic device including the nonvolatile memory. Memory controller.
前記制御部は、前記消耗度を、前記不揮発性メモリに設けられた特定のレジスタフィールドから取得する請求項4又は5に記載のメモリ制御装置。   The memory control device according to claim 4, wherein the control unit acquires the consumption level from a specific register field provided in the nonvolatile memory. 前記基準値は、前記第1割合と、前記電子機器を構成する部品について予め定められた使用可能回数に対する、前記電子機器の動作中に累積して計測される前記部品の累積使用回数の第2割合とに基づいて決定される値である請求項4〜6のいずれか1項に記載のメモリ制御装置。   The reference value is a second of the first ratio and the cumulative use count of the component that is cumulatively measured during the operation of the electronic device with respect to a predetermined usable count for the components constituting the electronic device. The memory control device according to claim 4, wherein the memory control device is a value determined based on the ratio. 前記電子機器は、複数の種類の異なる部品で構成されており、
前記基準値は、前記第1割合と、前記複数の種類の異なる部品の各々について得られる前記第2割合の各々とに基づいて決定される値である請求項7に記載のメモリ制御装置。
The electronic device is composed of a plurality of different types of parts,
The memory control device according to claim 7, wherein the reference value is a value determined based on the first ratio and each of the second ratios obtained for each of the plurality of different types of components.
前記基準値は、前記第1割合、及び、前記第2割合の各々のうちの最大値である請求項8に記載のメモリ制御装置。   The memory control device according to claim 8, wherein the reference value is a maximum value of each of the first ratio and the second ratio. 前記電子機器は、画像形成部及び原稿読取部を含む画像形成装置であり、
前記複数の種類の異なる部品は、前記画像形成部及び前記原稿読取部である請求項8又は9に記載のメモリ制御装置。
The electronic device is an image forming apparatus including an image forming unit and a document reading unit,
The memory control device according to claim 8, wherein the plurality of different types of components are the image forming unit and the document reading unit.
前記制御部は、前記第2モードに移行後に予め定められた省電力モード復帰条件を満たした場合に、前記不揮発性メモリから前記キャッシュ領域に前記データを書き込む制御を更に行う請求項1〜10のいずれか1項に記載のメモリ制御装置。   The control unit according to claim 1, further comprising a control for writing the data from the nonvolatile memory to the cache area when a predetermined power saving mode return condition is satisfied after the transition to the second mode. The memory control device according to any one of the above. 前記第1モードは、前記揮発性メモリに設けられたリフレッシュ回路を用いたセルフリフレッシュモードである請求項1〜11のいずれか1項に記載のメモリ制御装置。   The memory control device according to claim 1, wherein the first mode is a self-refresh mode using a refresh circuit provided in the volatile memory. 前記第2モードは、前記セルフリフレッシュモードのパーシャルアレイセルフリフレッシュ機能を用いたモードである請求項12に記載のメモリ制御装置。   The memory control device according to claim 12, wherein the second mode is a mode using a partial array self-refresh function of the self-refresh mode. データを記憶する不揮発性メモリと、
キャッシュ領域が設けられた揮発性メモリと、
請求項1〜13のいずれか1項に記載のメモリ制御装置であって、前記不揮発性メモリから前記キャッシュ領域に前記データを書き込む制御を行うメモリ制御装置と、
を備えたメモリ装置。
Non-volatile memory for storing data;
Volatile memory with a cache area;
The memory control device according to claim 1, wherein the memory control device performs control to write the data from the nonvolatile memory to the cache area;
A memory device.
データを記憶する不揮発性メモリと、
キャッシュ領域が設けられた揮発性メモリと、
請求項1〜13のいずれか1項に記載のメモリ制御装置であって、前記不揮発性メモリから前記キャッシュ領域に前記データを書き込む制御を行うメモリ制御装置と、
前記キャッシュ領域に書き込まれた前記データを用いて画像形成を行う画像形成部と、
を備えた画像形成装置。
Non-volatile memory for storing data;
Volatile memory with a cache area;
The memory control device according to claim 1, wherein the memory control device performs control to write the data from the nonvolatile memory to the cache area;
An image forming unit that forms an image using the data written in the cache area;
An image forming apparatus.
コンピュータを、請求項1〜13のいずれか1項に記載のメモリ制御装置が備える制御部として機能させるためのプログラム。   The program for functioning a computer as a control part with which the memory control apparatus of any one of Claims 1-13 is provided.
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