JP2019184461A - Pattern inspection device - Google Patents

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Abstract

To provide an inspection device capable of shortening data processing time when developing an image by using original data of a pattern.SOLUTION: A pattern inspection device includes: an optical image acquisition mechanism 150 for acquiring an optical image from a substrate in which a pattern constituted by a combination of a plurality of first graphics is formed; a magnetic disk device 109 for storing drawing data; a reconstruction processing circuit 140 for reconstructing configuration of a graphic pattern by a combination of a plurality of second graphics different from the combination of the plurality of first graphics by reading the drawing data from the magnetic disk device and rearranging a new graphic within a preset maximum size; a development circuit 111 for selectively developing one of data of the plurality of first graphics before reconstruction and data of the plurality of second graphics after reconstruction; a reference circuit 112 for creating a reference image corresponding to the optical image to be inspected using a development image obtained by developing the image; and a comparison circuit 108 for comparing the optical image with the reference image.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明は、パターン検査装置に関する。例えば、半導体製造に用いる試料となる物体のパターン欠陥を検査するパターン検査技術に関し、半導体素子や液晶ディスプレイ(LCD)を製作するときに使用されるフォトマスク、ウェハ、あるいは液晶基板などの極めて小さなパターンの欠陥を検査する方法に関する。   The present invention relates to a pattern inspection apparatus. For example, with regard to pattern inspection technology for inspecting pattern defects of objects used as samples for semiconductor manufacturing, extremely small patterns such as photomasks, wafers, and liquid crystal substrates used when manufacturing semiconductor elements and liquid crystal displays (LCDs) The present invention relates to a method for inspecting defects.

近年、大規模集積回路(LSI)の高集積化及び大容量化に伴い、半導体素子に要求される回路線幅はますます狭くなってきている。これらの半導体素子は、回路パターンが形成された原画パターン(マスク或いはレチクルともいう。以下、マスクと総称する)を用いて、いわゆるステッパと呼ばれる縮小投影露光装置でウェハ上にパターンを露光転写して回路形成することにより製造される。よって、かかる微細な回路パターンをウェハに転写するためのマスクの製造には、微細な回路パターンを描画することができる電子ビームを用いたパターン描画装置を用いる。かかるパターン描画装置を用いてウェハに直接パターン回路を描画することもある。或いは、電子ビーム以外にもレーザビームを用いて描画するレーザビーム描画装置の開発が試みられている。   In recent years, the circuit line width required for a semiconductor element has been increasingly narrowed as a large scale integrated circuit (LSI) is highly integrated and has a large capacity. These semiconductor elements use an original pattern pattern (also referred to as a mask or a reticle, hereinafter referred to as a mask) on which a circuit pattern is formed, and the pattern is exposed and transferred onto a wafer by a reduction projection exposure apparatus called a stepper. It is manufactured by forming a circuit. Therefore, a pattern drawing apparatus using an electron beam capable of drawing a fine circuit pattern is used for manufacturing a mask for transferring such a fine circuit pattern onto a wafer. A pattern circuit may be directly drawn on a wafer using such a pattern drawing apparatus. Alternatively, development of a laser beam drawing apparatus for drawing using a laser beam in addition to an electron beam has been attempted.

そして、多大な製造コストのかかるLSIの製造にとって、歩留まりの向上は欠かせない。しかし、1ギガビット級のDRAM(ランダムアクセスメモリ)に代表されるように、LSIを構成するパターンは、サブミクロンからナノメータのオーダーになろうとしている。歩留まりを低下させる大きな要因の一つとして、半導体ウェハ上に超微細パターンをフォトリソグラフィ技術で露光、転写する際に使用されるマスクのパターン欠陥があげられる。近年、半導体ウェハ上に形成されるLSIパターン寸法の微細化に伴って、パターン欠陥として検出しなければならない寸法も極めて小さいものとなっている。そのため、LSI製造に使用される転写用マスクの欠陥を検査するパターン検査装置の高精度化が必要とされている。   In addition, improvement in yield is indispensable for manufacturing an LSI that requires a large amount of manufacturing cost. However, as represented by a 1 gigabit class DRAM (Random Access Memory), the pattern constituting an LSI is about to be in the order of submicron to nanometer. One of the major factors that reduce the yield is a pattern defect of a mask used when an ultrafine pattern is exposed and transferred onto a semiconductor wafer by a photolithography technique. In recent years, with the miniaturization of LSI pattern dimensions formed on semiconductor wafers, the dimensions that must be detected as pattern defects have become extremely small. Therefore, it is necessary to improve the accuracy of a pattern inspection apparatus that inspects defects in a transfer mask used in LSI manufacturing.

検査手法としては、拡大光学系を用いてリソグラフィマスク等の試料上に形成されているパターンを所定の倍率で撮像した光学画像と、設計データ、あるいは試料上の同一パターンを撮像した光学画像と比較することにより検査を行う方法が知られている。例えば、パターン検査方法として、同一マスク上の異なる場所の同一パターンを撮像した光学画像データ同士を比較する「die to die(ダイ−ダイ)検査」や、パターン設計されたCADデータをマスクにパターンを描画する時に描画装置が入力するための装置入力フォーマットに変換した描画データ(設計データ)を検査装置に入力して、これをベースに設計画像(参照画像)を生成して、それとパターンを撮像した測定データとなる光学画像とを比較する「die to database(ダイ−データベース)検査」がある。かかる検査装置における検査方法では、試料はステージ上に載置され、ステージが動くことによって光束が試料上を走査し、検査が行われる。試料には、光源及び照明光学系によって光束が照射される。試料を透過あるいは反射した光は光学系を介して、センサ上に結像される。センサで撮像された画像は測定データとして比較回路へ送られる。比較回路では、画像同士の位置合わせの後、測定データと参照データとを適切なアルゴリズムに従って比較し、許容内に入らない場合には、パターン欠陥有りと判定する。   As an inspection method, an optical image obtained by imaging a pattern formed on a sample such as a lithography mask using a magnifying optical system at a predetermined magnification is compared with an optical image obtained by imaging design data or the same pattern on the sample. A method of performing an inspection by doing this is known. For example, as a pattern inspection method, “die to die inspection” in which optical image data obtained by imaging the same pattern at different locations on the same mask is compared, or a pattern is formed using CAD data with a pattern design as a mask. Drawing data (design data) converted into a device input format for the drawing device to input when drawing is input to the inspection device, a design image (reference image) is generated based on this, and a pattern is imaged There is a “die to database (die-database) inspection” that compares an optical image as measurement data. In the inspection method in such an inspection apparatus, the sample is placed on the stage, and the stage is moved so that the light beam scans on the sample and the inspection is performed. The sample is irradiated with a light beam by a light source and an illumination optical system. The light transmitted or reflected by the sample is imaged on the sensor via the optical system. The image picked up by the sensor is sent to the comparison circuit as measurement data. The comparison circuit compares the measured data and the reference data in accordance with an appropriate algorithm after aligning the images, and determines that there is a pattern defect if it does not fall within the allowable range.

ここで、描画データ(設計データ)上のパターンは所定のサイズ以下の複数の要素図形に分割されて定義される。ダイ−データベース検査において、描画データから画像展開する場合に、かかる複数の要素図形を画像展開していくことになるが、データサイズに応じて処理時間が長くかかってしまうといった問題があった。かかる問題に対して、パターンを構成する複数の要素図形を単純に合成して要素図形数を減らす、或いは、非接触のパターン同士を強制的に繋げて元のパターンから外れた近似パターンに変形してから複数の要素図形を合成して要素図形数を減らすといった手法が開示されている(例えば、特許文献1参照)。しかしながら、データ処理機構上、個々の要素図形のサイズに制限があるため、上述した単純合成では、かかる制限を超えてしまう場合が多く、他の手法の確立が必要であった。   Here, the pattern on the drawing data (design data) is defined by being divided into a plurality of element figures having a predetermined size or less. In the die database inspection, when developing an image from drawing data, such a plurality of element figures are developed, but there is a problem that it takes a long processing time depending on the data size. To solve this problem, simply combine multiple element figures that make up a pattern to reduce the number of element figures, or forcibly connect non-contact patterns together to transform them into approximate patterns that deviate from the original pattern. A method of reducing the number of element figures by combining a plurality of element figures has been disclosed (for example, see Patent Document 1). However, since there is a limit on the size of each element graphic in terms of the data processing mechanism, the above-described simple composition often exceeds the limit, and it is necessary to establish another method.

特開2000−105832号公報JP 2000-105832 A

そこで、本発明の一態様は、検査対象基板に形成されるパターンの元データを使って、画像展開する場合に、データ処理時間を短縮可能な検査装置を提供する。   Therefore, one embodiment of the present invention provides an inspection apparatus capable of reducing data processing time when an image is developed using original data of a pattern formed on a substrate to be inspected.

本発明の一態様のパターン検査装置は、
複数の第1の図形の組合せにより構成される図形パターンが定義された描画データに基づいてパターンが形成された基板から光学画像を取得する光学画像取得機構と、
描画データを記憶する記憶装置と、
記憶装置から描画データを読み出し、図形パターンの構成を、予め設定された最大サイズ内の新たな図形を配置し直すことで、複数の第1の図形の組合せとは異なる複数の第2の図形の組合せにより再構成する再構成処理部と、
再構成前の複数の第1の図形のデータと再構成された複数の第2の図形のデータとの一方を選択的に画像展開する展開処理部と、
画像展開された展開画像を用いて、検査対象の光学画像に対応する参照画像を作成する参照画像作成部と、
前記光学画像と前記参照画像とを比較する比較部と、
を備えたことを特徴とする。
The pattern inspection apparatus according to one aspect of the present invention includes:
An optical image acquisition mechanism for acquiring an optical image from a substrate on which a pattern is formed based on drawing data in which a graphic pattern constituted by a combination of a plurality of first graphics is defined;
A storage device for storing drawing data;
The drawing data is read from the storage device, and the configuration of the graphic pattern is rearranged with a new graphic within the preset maximum size, thereby allowing a plurality of second graphics different from the combination of the plurality of first graphics. A reconfiguration processing unit that reconfigures by combination; and
A development processing unit that selectively develops one of the data of the plurality of first graphics before reconstruction and the data of the plurality of second graphics reconstructed;
A reference image creating unit that creates a reference image corresponding to the optical image to be inspected using the developed image that has been developed,
A comparison unit for comparing the optical image with the reference image;
It is provided with.

また、再構成前の複数の第1の図形のデータのデータサイズと再構成後の複数の第2の図形のデータのデータサイズとを比較するデータサイズ比較部をさらに備え、
展開処理部は、複数の第1の図形のデータが複数の第2の図形のデータよりもデータサイズが小さい場合には、複数の第1の図形のデータを画像展開し、複数の第2の図形のデータが複数の第1の図形のデータよりもデータサイズが小さい場合には、複数の第2の図形のデータを画像展開すると好適である。
The data size comparison unit further compares the data size of the data of the plurality of first figures before reconstruction with the data size of the data of the plurality of second figures after reconstruction.
When the data of the plurality of first graphics has a data size smaller than the data of the plurality of second graphics, the development processing unit develops an image of the data of the plurality of first graphics, and the plurality of second graphics. In the case where the data size of the graphic is smaller than the data size of the plurality of first graphics, it is preferable to develop the images of the plurality of second graphics data.

或いは、再構成前の複数の第1の図形のデータの図形数と再構成後の複数の第2の図形のデータの図形数とを比較する図形数比較部をさらに備え、
展開処理部は、複数の第1の図形のデータが複数の第2の図形のデータよりも図形数が少ない場合には、複数の第1の図形のデータを画像展開し、複数の第2の図形のデータが複数の第1の図形のデータよりも図形数が少ない場合には、複数の第2の図形のデータを画像展開すると好適である。
Alternatively, it further includes a figure number comparison unit that compares the figure number of the data of the plurality of first figures before reconstruction with the figure number of the data of the plurality of second figures after reconstruction.
The development processing unit develops an image of the data of the plurality of first graphics when the number of graphics of the plurality of first graphics is smaller than the data of the plurality of second graphics. When the figure data has a smaller number of figures than the plurality of first figure data, it is preferable to develop the plurality of second figure data as images.

また、再構成処理部は、縦横サイズ比が所定の範囲内の第1の矩形を優先適用して複数の第2の図形を作成する第1のタイプと、横サイズが縦サイズよりも所定の範囲を超えて長い第2の矩形を優先適用して複数の第2の図形を作成する第2のタイプと、縦サイズが横サイズよりも所定の範囲を超えて長い第3の矩形を優先適用して複数の第2の図形を作成する第3のタイプと、でそれぞれ複数の第2の図形を作成し、
第1のタイプにより作成された複数の第2の図形のデータのデータサイズと、第2のタイプにより作成された複数の第2の図形のデータのデータサイズと、第3のタイプにより作成された複数の第2の図形のデータのデータサイズと、を比較するタイプ比較部をさらに備え、
展開処理部は、第1〜第3のタイプのうち、データサイズが最小となるタイプにより作成された複数の第2の図形のデータを画像展開すると好適である。
In addition, the reconstruction processing unit preferentially applies the first rectangle having a vertical / horizontal size ratio within a predetermined range to create a plurality of second figures, and the horizontal size is higher than the vertical size. A second type that preferentially applies a second rectangle that is longer than the range and creates a plurality of second figures, and a third rectangle that is longer than the horizontal size by a predetermined length than the horizontal size is preferentially applied And a third type for creating a plurality of second graphics, respectively, and creating a plurality of second graphics,
The data size of the data of the plurality of second graphics created by the first type, the data size of the data of the plurality of second graphics created by the second type, and the data size of the third graphics created by the third type A type comparison unit for comparing the data sizes of the plurality of second graphic data;
It is preferable that the development processing unit develops an image of a plurality of second graphic data created by the type having the smallest data size among the first to third types.

或いは、再構成処理部は、予め設定された最大サイズの第1の正方形を優先適用し、次に、最大サイズよりも小さいサイズの第2の正方形を優先適用して、複数の第2の図形を作成するようにしても好適である。   Alternatively, the reconstruction processing unit preferentially applies a first square having a preset maximum size, and then preferentially applies a second square having a size smaller than the maximum size, so that a plurality of second figures It is also preferable to create

本発明の一態様によれば、検査対象基板に形成されるパターンの元データを使って、画像展開する場合に、データ処理時間を短縮できる。よって、その結果、検査時間を短縮できる。   According to one aspect of the present invention, when an image is developed using original data of a pattern formed on a substrate to be inspected, data processing time can be shortened. As a result, the inspection time can be shortened.

実施の形態1におけるパターン検査装置の構成を示す構成図である。1 is a configuration diagram illustrating a configuration of a pattern inspection apparatus according to a first embodiment. 実施の形態1における検査領域を説明するための概念図である。FIG. 3 is a conceptual diagram for explaining an inspection region in the first embodiment. 実施の形態1における検査方法の要部工程を示すフローチャート図である。FIG. 3 is a flowchart showing main steps of the inspection method according to Embodiment 1. 実施の形態1における再構成処理回路の内部構成の一例を示す構成図である。2 is a configuration diagram illustrating an example of an internal configuration of a reconstruction processing circuit according to Embodiment 1. FIG. 実施の形態1におけるデータ比較判定回路の内部構成の一例を示す構成図である。FIG. 3 is a configuration diagram illustrating an example of an internal configuration of a data comparison / determination circuit according to the first embodiment. 実施の形態1における再構成処理工程の内部工程を示すフローチャート図である。FIG. 6 is a flowchart showing an internal process of a reconstruction processing process in the first embodiment. 実施の形態1におけるサンプリング領域を説明するための図である。6 is a diagram for explaining a sampling area in the first embodiment. FIG. 実施の形態1における再構成する要素図形の一例を示す図である。5 is a diagram showing an example of element figures to be reconfigured in the first embodiment. FIG. 実施の形態1におけるパターンデータのフォーマットの一例を示す図である。6 is a diagram showing an example of a format of pattern data in the first embodiment. FIG. 実施の形態1におけるパターンデータのフォーマットの他の一例を示す図である。6 is a diagram showing another example of a format of pattern data in the first embodiment. FIG. 実施の形態1におけるフィルタ処理を説明するための図である。6 is a diagram for describing filter processing according to Embodiment 1. FIG. 実施の形態1における比較回路の内部構成の一例を示す構成図である。3 is a configuration diagram illustrating an example of an internal configuration of a comparison circuit according to Embodiment 1. FIG. 実施の形態2における再構成処理回路の内部構成の一例を示す構成図である。FIG. 10 is a configuration diagram illustrating an example of an internal configuration of a reconstruction processing circuit according to a second embodiment. 実施の形態2における再構成処理工程の内部工程を示すフローチャート図である。FIG. 10 is a flowchart showing an internal process of a reconstruction process process in the second embodiment. 実施の形態2における再構成する要素図形の一例を示す図である。It is a figure which shows an example of the element figure to reconfigure | reconstruct in Embodiment 2. FIG. 実施の形態3における再構成処理工程の内部工程を示すフローチャート図である。FIG. 10 is a flowchart showing internal steps of a reconstruction processing step in the third embodiment. 実施の形態3における再構成する要素図形の一例を示す図である。FIG. 10 is a diagram showing an example of element figures to be reconfigured in the third embodiment.

実施の形態1.
図1は、実施の形態1におけるパターン検査装置の構成を示す構成図である。図1において、検査対象基板、例えばマスクに形成されたパターンの欠陥を検査する検査装置100は、光学画像取得機構150、及び制御系回路160を備えている。
Embodiment 1 FIG.
FIG. 1 is a configuration diagram showing the configuration of the pattern inspection apparatus according to the first embodiment. In FIG. 1, an inspection apparatus 100 that inspects a defect of a pattern formed on a substrate to be inspected, for example, a mask, includes an optical image acquisition mechanism 150 and a control system circuit 160.

光学画像取得機構150は、光源103、照明光学系170、移動可能に配置されたXYθテーブル102、拡大光学系104、フォトダイオードアレイ105(センサの一例)、センサ回路106、ストライプパターンメモリ123、及びレーザ測長システム122を有している。XYθテーブル102上には、基板101が配置されている。基板101として、例えば、ウェハ等の半導体基板にパターンを転写する露光用のフォトマスクが含まれる。また、このフォトマスクには、検査対象となる複数のパターンが形成されている。基板101は、例えば、パターン形成面を下側に向けてXYθテーブル102に配置される。   The optical image acquisition mechanism 150 includes a light source 103, an illumination optical system 170, a movable XYθ table 102, a magnifying optical system 104, a photodiode array 105 (an example of a sensor), a sensor circuit 106, a stripe pattern memory 123, and A laser length measurement system 122 is included. A substrate 101 is arranged on the XYθ table 102. As the substrate 101, for example, an exposure photomask for transferring a pattern to a semiconductor substrate such as a wafer is included. In addition, a plurality of patterns to be inspected are formed on this photomask. For example, the substrate 101 is arranged on the XYθ table 102 with the pattern formation surface facing downward.

制御系回路160では、検査装置100全体を制御する制御計算機110が、バス120を介して、位置回路107、比較回路108、展開回路111、参照回路112、オートローダ制御回路113、テーブル制御回路114、再構成処理回路140、データ比較判定回路142、磁気ディスク装置109、磁気テープ装置115、フレシキブルディスク装置(FD)116、CRT117、パターンモニタ118、及びプリンタ119に接続されている。また、センサ回路106は、ストライプパターンメモリ123に接続され、ストライプパターンメモリ123は、比較回路108に接続されている。また、XYθテーブル102は、X軸モータ、Y軸モータ、θ軸モータにより駆動される。XYθテーブル102は、ステージの一例となる。   In the control system circuit 160, a control computer 110 that controls the entire inspection apparatus 100 is connected via a bus 120 to a position circuit 107, a comparison circuit 108, a development circuit 111, a reference circuit 112, an autoloader control circuit 113, a table control circuit 114, The reconfiguration processing circuit 140, data comparison / determination circuit 142, magnetic disk device 109, magnetic tape device 115, flexible disk device (FD) 116, CRT 117, pattern monitor 118, and printer 119 are connected. The sensor circuit 106 is connected to the stripe pattern memory 123, and the stripe pattern memory 123 is connected to the comparison circuit 108. The XYθ table 102 is driven by an X-axis motor, a Y-axis motor, and a θ-axis motor. The XYθ table 102 is an example of a stage.

なお、位置回路107、比較回路108、展開回路111、参照回路112、オートローダ制御回路113、テーブル制御回路114、再構成処理回路140、及びデータ比較判定回路142といった一連の「〜回路」は、処理回路を有する。かかる処理回路には、電気回路、コンピュータ、プロセッサ、回路基板、量子回路、或いは、半導体装置等が含まれる。また、各「〜回路」は、共通する処理回路(同じ処理回路)を用いてもよい。或いは、異なる処理回路(別々の処理回路)を用いても良い。例えば、位置回路107、比較回路108、展開回路111、参照回路112、オートローダ制御回路113、テーブル制御回路114、再構成処理回路140、及びデータ比較判定回路142といった一連の「〜回路」は、制御計算機110によって構成され、実行されても良い。プロセッサ等を実行させるプログラムは、磁気ディスク装置109、磁気テープ装置115、FD116、或いはROM(リードオンリメモリ)等の記録媒体に記録されればよい。   A series of “˜circuits” such as a position circuit 107, a comparison circuit 108, a development circuit 111, a reference circuit 112, an autoloader control circuit 113, a table control circuit 114, a reconstruction processing circuit 140, and a data comparison determination circuit 142 are processed. It has a circuit. Such processing circuits include electric circuits, computers, processors, circuit boards, quantum circuits, semiconductor devices, and the like. Further, a common processing circuit (the same processing circuit) may be used for each “˜circuit”. Alternatively, different processing circuits (separate processing circuits) may be used. For example, a series of “˜circuits” such as a position circuit 107, a comparison circuit 108, a development circuit 111, a reference circuit 112, an autoloader control circuit 113, a table control circuit 114, a reconstruction processing circuit 140, and a data comparison determination circuit 142 are controlled. The computer 110 may be configured and executed. The program for executing the processor or the like may be recorded on a recording medium such as the magnetic disk device 109, the magnetic tape device 115, the FD 116, or a ROM (read only memory).

検査装置100では、光源103、XYθテーブル102、照明光学系170、拡大光学系104、フォトダイオードアレイ105、及びセンサ回路106により高倍率の検査光学系が構成されている。また、XYθテーブル102は、制御計算機110の制御の下にテーブル制御回路114により駆動される。X方向、Y方向、θ方向に駆動する3軸(X−Y−θ)モータの様な駆動系によって移動可能となっている。これらの、Xモータ、Yモータ、θモータは、例えばステップモータを用いることができる。XYθテーブル102は、XYθ各軸のモータによって水平方向及び回転方向に移動可能である。そして、XYθテーブル102上に配置された基板101の移動位置はレーザ測長システム122により測定され、位置回路107に供給される。   In the inspection apparatus 100, the light source 103, the XYθ table 102, the illumination optical system 170, the magnifying optical system 104, the photodiode array 105, and the sensor circuit 106 constitute a high magnification inspection optical system. The XYθ table 102 is driven by the table control circuit 114 under the control of the control computer 110. It can be moved by a drive system such as a three-axis (XY-θ) motor that drives in the X, Y, and θ directions. For example, step motors can be used as these X motor, Y motor, and θ motor. The XYθ table 102 can be moved in the horizontal direction and the rotation direction by a motor of each axis of XYθ. The moving position of the substrate 101 placed on the XYθ table 102 is measured by the laser length measurement system 122 and supplied to the position circuit 107.

被検査基板101のパターン形成の基となる描画データ(設計データ)が検査装置100の外部から入力され、磁気ディスク装置109に格納される。描画データには、複数の図形パターンが定義され、各図形パターンは、通常、複数の要素図形(第1の図形)の組合せにより構成される。なお、1つの図形で構成される図形パターンがあっても構わない。被検査基板101上には、かかる描画データに定義された各図形パターンに基づいて、それぞれ対応するパターンが形成されている。   Drawing data (design data), which is a basis for pattern formation of the substrate 101 to be inspected, is input from outside the inspection apparatus 100 and stored in the magnetic disk device 109. In the drawing data, a plurality of graphic patterns are defined, and each graphic pattern is usually composed of a combination of a plurality of elemental figures (first figures). There may be a figure pattern composed of one figure. A corresponding pattern is formed on the inspected substrate 101 based on each graphic pattern defined in the drawing data.

ここで、図1では、実施の形態1を説明する上で必要な構成部分について記載している。検査装置100にとって、通常、必要なその他の構成が含まれても構わないことは言うまでもない。   Here, FIG. 1 shows components necessary for explaining the first embodiment. It goes without saying that the inspection apparatus 100 may normally include other necessary configurations.

図2は、実施の形態1における検査領域を説明するための概念図である。基板101の検査領域10(検査領域全体)は、図2に示すように、例えばY方向に向かって、スキャン幅Wの短冊状の複数の検査ストライプ20に仮想的に分割される。そして、検査装置100では、検査ストライプ20毎に画像(ストライプ領域画像)を取得していく。検査ストライプ20の各々に対して、レーザ光を用いて、当該ストライプ領域の長手方向(X方向)に向かって当該ストライプ領域内に配置される図形パターンの画像を撮像する。XYθテーブル102の移動によってフォトダイオードアレイ105が相対的にX方向に連続移動しながら光学画像が取得される。フォトダイオードアレイ105では、図2に示されるようなスキャン幅Wの光学画像を連続的に撮像する。言い換えれば、センサの一例となるフォトダイオードアレイ105は、XYθテーブル102(ステージ)と相対移動しながら、検査光を用いて基板101に形成されたパターンの光学画像を撮像する。実施の形態1では、1つの検査ストライプ20における光学画像を撮像した後、Y方向に次の検査ストライプ20の位置まで移動して今度は逆方向に移動しながら同様にスキャン幅Wの光学画像を連続的に撮像する。すなわち、往路と復路で逆方向に向かうフォワード(FWD)−バックフォワード(BWD)の方向で撮像を繰り返す。   FIG. 2 is a conceptual diagram for explaining an inspection region in the first embodiment. As shown in FIG. 2, the inspection area 10 (entire inspection area) of the substrate 101 is virtually divided into a plurality of strip-shaped inspection stripes 20 having a scan width W, for example, in the Y direction. Then, the inspection apparatus 100 acquires an image (stripe region image) for each inspection stripe 20. For each of the inspection stripes 20, an image of a graphic pattern arranged in the stripe region is taken in the longitudinal direction (X direction) of the stripe region using laser light. As the XYθ table 102 moves, the photodiode array 105 relatively continuously moves in the X direction, and an optical image is acquired. The photodiode array 105 continuously captures optical images having a scan width W as shown in FIG. In other words, the photodiode array 105 as an example of the sensor captures an optical image of the pattern formed on the substrate 101 using inspection light while moving relative to the XYθ table 102 (stage). In the first embodiment, after taking an optical image in one inspection stripe 20, the optical image having the scan width W is similarly moved while moving in the Y direction to the position of the next inspection stripe 20 and moving in the opposite direction. Take images continuously. That is, imaging is repeated in a forward (FWD) -backforward (BWD) direction in the opposite direction on the forward path and the backward path.

また、実際の検査にあたって、各検査ストライプ20のストライプ領域画像は、図2に示すように、例えば、スキャン幅で長手方向に向かって複数のフレーム画像30に分割される。そして、フレーム画像30毎に検査を行っていく。各検査ストライプ20のストライプ領域がかかるフレーム画像30のサイズに分割された領域がフレーム領域となる。言い換えれば、各検査ストライプ20のストライプ領域が、図2に示すように、例えば、スキャン幅で長手方向に向かって複数のフレーム領域30に分割される。例えば、1024×1024画素のサイズに分割される。よって、フレーム画像と比較される参照画像も同様にフレーム領域30毎に作成されることになる。   In actual inspection, as shown in FIG. 2, the stripe region image of each inspection stripe 20 is divided into a plurality of frame images 30 in the longitudinal direction with a scan width, for example. Then, the inspection is performed for each frame image 30. A region obtained by dividing the stripe region of each inspection stripe 20 into the size of the frame image 30 is a frame region. In other words, as shown in FIG. 2, the stripe region of each inspection stripe 20 is divided into a plurality of frame regions 30 in the longitudinal direction with a scan width, for example. For example, it is divided into a size of 1024 × 1024 pixels. Therefore, the reference image to be compared with the frame image is similarly created for each frame region 30.

ここで、撮像の方向は、フォワード(FWD)−バックフォワード(BWD)の繰り返しに限るものではない。一方の方向から撮像してもよい。例えば、FWD−FWDの繰り返しでもよい。或いは、BWD−BWDの繰り返しでもよい。   Here, the imaging direction is not limited to repeating forward (FWD) -backforward (BWD). You may image from one direction. For example, FWD-FWD may be repeated. Alternatively, BWD-BWD may be repeated.

図3は、実施の形態1における検査方法の要部工程を示すフローチャート図である。図3において、実施の形態1における検査方法は、ストライプ画像取得工程(S101)と、パターンデータ入力工程(S102)と、再構成処理工程(S104)と、データ比較工程(S106)と、選択工程(S108)と、画像展開工程(S110)と、画像加工工程(S112)と、フレーム分割工程(S114)と、位置合わせ工程(S120)と、比較処理工程(S122)と、いう一連の工程を実施する。   FIG. 3 is a flowchart showing main steps of the inspection method according to the first embodiment. 3, the inspection method according to the first embodiment includes a stripe image acquisition step (S101), a pattern data input step (S102), a reconstruction processing step (S104), a data comparison step (S106), and a selection step. (S108), image development step (S110), image processing step (S112), frame division step (S114), alignment step (S120), and comparison processing step (S122). carry out.

図4は、実施の形態1における再構成処理回路の内部構成の一例を示す構成図である。図4において、再構成処理回路140内には、サンプリング領域抽出部50、タイプA再構成処理部52、タイプB再構成処理部53、タイプC再構成処理部54、タイプ比較部58、選択部59、再構成処理部62、及び磁気ディスク装置等の記憶装置51,55,56,57,60,64が配置される。サンプリング領域抽出部50、タイプA再構成処理部52、タイプB再構成処理部53、タイプC再構成処理部54、タイプ比較部58、選択部59、及び再構成処理部62といった一連の「〜部」は、処理回路を有する。かかる処理回路には、電気回路、コンピュータ、プロセッサ、回路基板、量子回路、或いは、半導体装置等が含まれる。また、各「〜回路」は、共通する処理回路(同じ処理回路)を用いてもよい。或いは、異なる処理回路(別々の処理回路)を用いても良い。サンプリング領域抽出部50、タイプA再構成処理部52、タイプB再構成処理部53、タイプC再構成処理部54、タイプ比較部58、選択部59、及び再構成処理部62に必要な入力データ或いは演算された結果はその都度図示しないメモリに記憶される。   FIG. 4 is a configuration diagram illustrating an example of an internal configuration of the reconstruction processing circuit according to the first embodiment. In FIG. 4, in the reconstruction processing circuit 140, a sampling region extraction unit 50, a type A reconstruction processing unit 52, a type B reconstruction processing unit 53, a type C reconstruction processing unit 54, a type comparison unit 58, a selection unit. 59, a reconstruction processing unit 62, and storage devices 51, 55, 56, 57, 60, 64 such as a magnetic disk device are arranged. A series of “˜” such as a sampling area extraction unit 50, a type A reconstruction processing unit 52, a type B reconstruction processing unit 53, a type C reconstruction processing unit 54, a type comparison unit 58, a selection unit 59, and a reconstruction processing unit 62. The unit "has a processing circuit. Such processing circuits include electric circuits, computers, processors, circuit boards, quantum circuits, semiconductor devices, and the like. Further, a common processing circuit (the same processing circuit) may be used for each “˜circuit”. Alternatively, different processing circuits (separate processing circuits) may be used. Input data required for the sampling area extraction unit 50, the type A reconstruction processing unit 52, the type B reconstruction processing unit 53, the type C reconstruction processing unit 54, the type comparison unit 58, the selection unit 59, and the reconstruction processing unit 62 Alternatively, the calculated result is stored in a memory (not shown) each time.

図5は、実施の形態1におけるデータ比較判定回路の内部構成の一例を示す構成図である。図5において、データ比較判定回路142内には、データサイズ比較部82、選択部84、図形数比較部86、選択部88、及び磁気ディスク装置等の記憶装置80,81,89が配置される。データサイズ比較部82、選択部84、図形数比較部86、及び選択部88といった一連の「〜部」は、処理回路を有する。かかる処理回路には、電気回路、コンピュータ、プロセッサ、回路基板、量子回路、或いは、半導体装置等が含まれる。また、各「〜回路」は、共通する処理回路(同じ処理回路)を用いてもよい。或いは、異なる処理回路(別々の処理回路)を用いても良い。データサイズ比較部82、選択部84、図形数比較部86、及び選択部88に必要な入力データ或いは演算された結果はその都度図示しないメモリに記憶される。なお、データサイズ比較部82と選択部84との組、或いは図形数比較部86と選択部88との組、の一方だけ配置される場合であっても構わない。   FIG. 5 is a block diagram showing an example of the internal configuration of the data comparison / judgment circuit according to the first embodiment. In FIG. 5, a data size comparison unit 82, a selection unit 84, a figure number comparison unit 86, a selection unit 88, and storage devices 80, 81, 89 such as a magnetic disk device are arranged in the data comparison determination circuit 142. . A series of “˜units” such as a data size comparison unit 82, a selection unit 84, a figure number comparison unit 86, and a selection unit 88 have a processing circuit. Such processing circuits include electric circuits, computers, processors, circuit boards, quantum circuits, semiconductor devices, and the like. Further, a common processing circuit (the same processing circuit) may be used for each “˜circuit”. Alternatively, different processing circuits (separate processing circuits) may be used. Input data necessary for the data size comparison unit 82, the selection unit 84, the figure number comparison unit 86, and the selection unit 88 or the calculated result is stored in a memory (not shown) each time. Note that only one of the group of the data size comparison unit 82 and the selection unit 84 or the group of the figure number comparison unit 86 and the selection unit 88 may be arranged.

ストライプ画像取得工程(S101)として、光学画像取得機構150は、検査ストライプ20毎に基板101上に形態された図形パターンの光学画像を取得する。具体的には、以下のように動作する。まず、最初の検査ストライプ20が撮像可能な位置にXYθテーブル102を移動させる。基板101に形成されたパターンには、適切な光源103から、検査光となる紫外域以下の波長のレーザ光(例えば、DUV光)が照明光学系170を介して照射される。基板101を透過した光は拡大光学系104を介して、フォトダイオードアレイ105(センサの一例)に光学像として結像し、入射する。   As a stripe image acquisition step (S101), the optical image acquisition mechanism 150 acquires an optical image of a graphic pattern formed on the substrate 101 for each inspection stripe 20. Specifically, it operates as follows. First, the XYθ table 102 is moved to a position where the first inspection stripe 20 can be imaged. The pattern formed on the substrate 101 is irradiated with laser light (for example, DUV light) having an ultraviolet wavelength or less as inspection light through an illumination optical system 170 from an appropriate light source 103. The light that has passed through the substrate 101 is formed as an optical image on the photodiode array 105 (an example of a sensor) via the magnifying optical system 104 and is incident thereon.

フォトダイオードアレイ105上に結像されたパターンの像は、フォトダイオードアレイ105の各受光素子によって光電変換され、更にセンサ回路106によってA/D(アナログ・デジタル)変換される。そして、ストライプパターンメモリ123に、測定対象の検査ストライプ20の画素データが格納される。かかる画素データ(ストライプ領域画像)を撮像する際、フォトダイオードアレイ105のダイナミックレンジは、例えば、照明光の光量が60%入射する場合を最大階調とするダイナミックレンジを用いる。その後、ストライプ領域画像は、位置回路107から出力されたXYθテーブル102上における基板101の位置を示すデータと共に比較回路108に送られる。測定データ(画素データ)は例えば8ビットの符号なしデータであり、各画素の明るさの階調(光量)を表現している。   The pattern image formed on the photodiode array 105 is photoelectrically converted by each light receiving element of the photodiode array 105, and further A / D (analog / digital) converted by the sensor circuit 106. Then, the pixel data of the inspection stripe 20 to be measured is stored in the stripe pattern memory 123. When capturing such pixel data (stripe region image), the dynamic range of the photodiode array 105 is, for example, a dynamic range having a maximum gradation when the amount of illumination light is 60% incident. Thereafter, the stripe region image is sent to the comparison circuit 108 together with data indicating the position of the substrate 101 on the XYθ table 102 output from the position circuit 107. The measurement data (pixel data) is, for example, 8-bit unsigned data, and represents the brightness gradation (light quantity) of each pixel.

パターンデータ入力工程(S102)として、再構成処理回路140は、検査ストライプ20毎に、磁気ディスク装置109から描画データを入力する。入力された描画データは、記憶装置60に格納される。   In the pattern data input step (S102), the reconstruction processing circuit 140 inputs drawing data from the magnetic disk device 109 for each inspection stripe 20. The input drawing data is stored in the storage device 60.

再構成処理工程(S104)として、再構成処理回路140(再構成処理部)は、記憶装置60から描画データを読み出し、描画データに定義される図形パターン毎に、図形パターンの構成を、予め設定された最大サイズdmax内の新たな図形を配置し直すことで、元の複数の要素図形(第1の図形)の組合せとは異なる複数の要素図形(第2の図形)の組合せにより再構成する。具体的には、以下のように動作する。ここでは、元の複数の要素図形同士を合成するのではなく、元の複数の要素図形(第1の図形)とは、形状および数量を変えた複数の要素図形(第2の図形)に再構成する。   As the reconstruction processing step (S104), the reconstruction processing circuit 140 (reconstruction processing unit) reads the drawing data from the storage device 60 and presets the configuration of the graphic pattern for each graphic pattern defined in the drawing data. By re-arranging a new figure within the maximum size dmax, it is reconfigured by a combination of a plurality of element figures (second figures) different from the combination of the original plurality of element figures (first figure). . Specifically, it operates as follows. Here, instead of combining the plurality of original element figures, the original plurality of element figures (first figure) is changed to a plurality of element figures (second figure) with different shapes and quantities. Constitute.

図6は、実施の形態1における再構成処理工程の内部工程を示すフローチャート図である。図6において、実施の形態1における再構成処理工程(S104)は、その内部工程として、サンプリング領域抽出工程(S201)と、再構成(A)工程(S202)と、再構成(B)工程(S204)と、再構成(C)工程(S206)と、データ比較工程(S220)と、選択工程(S222)と、再構成処理工程(S226)と、いう一連の工程を実施する。   FIG. 6 is a flowchart showing internal steps of the reconstruction processing step in the first embodiment. 6, the reconstruction processing step (S104) in the first embodiment includes, as its internal steps, a sampling region extraction step (S201), a reconstruction (A) step (S202), and a reconstruction (B) step ( A series of steps of S204), reconstruction (C) step (S206), data comparison step (S220), selection step (S222), and reconstruction processing step (S226) are performed.

サンプリング領域抽出工程(S201)として、サンプリング領域抽出部50は、対象検査ストライプ20内からサンプリング領域を抽出する。例えば、数か所のサンプリング領域を抽出する。或いは、フレーム領域30毎に数か所のサンプリング領域を抽出してもよい。或いは、複数の検査ストライプ20から数か所のサンプリング領域を抽出してもよい。或いは、基板101全体の領域から数か所のサンプリング領域を抽出してもよい。基板101には、例えば、1つのチップパターンが形成される場合が多い。かかるチップパターンには、同じ図形パターンが繰り返し配置されることも多い。その場合には、サンプリング領域として、基板101全体の領域から抽出する場合でも、全体の傾向としては同じ結果にできる。或いは、基板101全体が大まかな数個の領域に異なる図形パターン群が配置される場合には、サンプリング領域を、検査ストライプ20、或いは複数の検査ストライプ20から抽出すれば、それぞれの領域の傾向をとらえることができる。さらに、細かく異なる図形パターンが配置される場合には、フレーム領域30毎にサンプリング領域を抽出すればよい。   As a sampling region extraction step (S201), the sampling region extraction unit 50 extracts a sampling region from the target inspection stripe 20. For example, several sampling areas are extracted. Alternatively, several sampling areas may be extracted for each frame area 30. Alternatively, several sampling regions may be extracted from the plurality of inspection stripes 20. Alternatively, several sampling areas may be extracted from the entire area of the substrate 101. In many cases, for example, one chip pattern is formed on the substrate 101. In many cases, the same graphic pattern is repeatedly arranged on the chip pattern. In that case, even when the sampling area is extracted from the entire area of the substrate 101, the same result can be obtained as the overall tendency. Alternatively, in the case where different graphic pattern groups are arranged in several rough areas on the entire substrate 101, if the sampling area is extracted from the inspection stripe 20 or the plurality of inspection stripes 20, the tendency of each area can be determined. Can be captured. Furthermore, if finely different graphic patterns are arranged, a sampling area may be extracted for each frame area 30.

図7は、実施の形態1におけるサンプリング領域を説明するための図である。図7において、サンプリング領域32は、フレーム領域30よりも小さい領域に設定される。例えば、少なくとも1つの図形パターンが配置可能なサイズであればよい。図7の例では、抽出されるサンプリング領域32内に、設計上(描画データ上)、1つの図形パターン40が配置される場合を示している。かかる図形パターン40は、複数の要素図形41によって構成される。図7の例における複数の要素図形41には、例えば、6個の横長の矩形、及び6個の縦長の矩形等が含まれる。描画データ上の図形パターン40を構成する例えば12個の要素図形41についても、図示しない描画装置に入力される前の段階で、上述した最大サイズdmaxの制限のもと作成されている。言い換えれば、最大サイズdmaxは、描画データのデータ処理上の処理可能なサイズの上限として設定される値となる。   FIG. 7 is a diagram for explaining a sampling region in the first embodiment. In FIG. 7, the sampling area 32 is set to an area smaller than the frame area 30. For example, the size may be any size as long as at least one graphic pattern can be arranged. In the example of FIG. 7, a case is shown in which one graphic pattern 40 is arranged in design (on drawing data) in the sampling region 32 to be extracted. Such a graphic pattern 40 is composed of a plurality of element graphics 41. The plurality of element figures 41 in the example of FIG. 7 include, for example, six horizontally long rectangles and six vertically long rectangles. For example, twelve element figures 41 constituting the figure pattern 40 on the drawing data are also created based on the above-described limit of the maximum size dmax before being input to a drawing apparatus (not shown). In other words, the maximum size dmax is a value set as the upper limit of the processable size in the data processing of the drawing data.

再構成(A)工程(S202)として、タイプA再構成処理部52は、縦横サイズ比(x,yサイズ比)が所定の範囲内の矩形(第1の矩形)を優先適用して複数の要素図形(第2の図形)を作成するタイプA(第1のタイプ)に沿って、描画データに定義される図形パターン40を構成する組の複数の要素図形(第2の図形)を作成する。タイプAでは、略正方形を優先適用する。   As the reconstruction (A) step (S202), the type A reconstruction processing unit 52 preferentially applies a rectangle (first rectangle) in which the vertical / horizontal size ratio (x, y size ratio) is within a predetermined range, Along a type A (first type) for creating an element figure (second figure), a plurality of element figures (second figures) constituting a figure pattern 40 defined in the drawing data are created. . In Type A, a substantially square shape is preferentially applied.

図8は、実施の形態1における再構成する要素図形の一例を示す図である。図8(b)では、図8(a)に示す描画データ上の図形パターン40を構成する複数の要素図形を、タイプAに沿って再構成した場合の図形パターン40を構成する複数の要素図形の一例を示している。図8(a)に示す描画データ上の図形パターン40を構成する例えば12個の要素図形は、図7に示す図形パターン40を構成する複数の要素図形と同様である。タイプAでは、所定の範囲として、例えば、要素図形のx方法サイズdxが、y方向サイズdyに対して、以下の式(1)を満たすように作成される。
(1) dy×0.5<dx<dy×1.5
FIG. 8 is a diagram showing an example of element figures to be reconfigured in the first embodiment. In FIG. 8B, a plurality of element figures constituting the figure pattern 40 when the plurality of element figures constituting the figure pattern 40 on the drawing data shown in FIG. An example is shown. For example, twelve element figures constituting the figure pattern 40 on the drawing data shown in FIG. 8A are the same as the plurality of element figures constituting the figure pattern 40 shown in FIG. In type A, as a predetermined range, for example, the x method size dx of the element figure is created so as to satisfy the following expression (1) with respect to the y-direction size dy.
(1) dy × 0.5 <dx <dy × 1.5

なお、式(1)の係数0.5及び係数1.5の値は、適宜変更しても構わない。タイプAでは、後述するタイプB,Cに比べて、正方形に近い要素図形を優先適用することを意図している。図8(b)の例では、図形パターン40に、まず、最大サイズdmaxの正方形a1を配置する。次に、一辺が最大サイズdmaxで他辺dが最大サイズdmax未満でかつ式(1)を満たす略正方形a2を配置する。次に、両辺が最大サイズdmax未満でかつ式(1)を満たす2つの略正方形a3を配置する。そして、残りの領域に最大サイズdmax未満のサイズの領域の矩形a4を配置する。これにより、図8(b)の例では、図形パターン40を5つの略正方形の要素図形によって再構成する。タイプAで再構成されたサンプリング領域32の図形パターン40のパターンデータ(2A)は、記憶装置55に格納される。   Note that the values of the coefficient 0.5 and the coefficient 1.5 in Equation (1) may be changed as appropriate. In type A, it is intended to preferentially apply an element figure close to a square as compared to types B and C described later. In the example of FIG. 8B, a square a1 having the maximum size dmax is first arranged in the graphic pattern 40. Next, a substantially square a2 that has one side of the maximum size dmax and the other side d less than the maximum size dmax and satisfying the formula (1) is arranged. Next, two substantially squares a3 having both sides smaller than the maximum size dmax and satisfying the formula (1) are arranged. Then, a rectangle a4 having a size smaller than the maximum size dmax is arranged in the remaining region. Thereby, in the example of FIG.8 (b), the figure pattern 40 is reconfigure | reconstructed by five substantially square element figures. The pattern data (2A) of the graphic pattern 40 in the sampling area 32 reconstructed by the type A is stored in the storage device 55.

再構成(B)工程(S204)として、タイプB再構成処理部53は、横サイズ(xサイズ)が縦サイズ(yサイズ)よりも上述した所定の範囲以上に長い矩形(第2の矩形)を優先適用して複数の要素図形(第2の図形)を作成するタイプB(第2のタイプ)に沿って、描画データに定義される図形パターン40を構成する組の複数の要素図形(第2の図形)を作成する。タイプBでは、x方向に長い長方形を優先適用する。図8(c)では、図8(a)に示す描画データ上の図形パターン40を構成する複数の要素図形を、タイプBに沿って再構成した場合の図形パターン40を構成する複数の要素図形の一例を示している。タイプBでは、所定の範囲として、例えば、要素図形のx方法サイズdxが、y方向サイズdyに対して、以下の式(2)を満たすように作成される。
(2) dx≧dy×1.5
As a reconstruction (B) step (S204), the type B reconstruction processing unit 53 has a rectangle (second rectangle) whose horizontal size (x size) is longer than the predetermined range described above than the vertical size (y size). Is applied preferentially to create a plurality of element figures (second figure), along type B (second type), a plurality of element figures (first figure) constituting the figure pattern 40 defined in the drawing data 2). In Type B, a rectangle that is long in the x direction is preferentially applied. In FIG. 8C, a plurality of element figures constituting the figure pattern 40 when the plurality of element figures constituting the figure pattern 40 on the drawing data shown in FIG. An example is shown. In type B, for example, the x method size dx of the element graphic is created so as to satisfy the following expression (2) with respect to the y direction size dy as the predetermined range.
(2) dx ≧ dy × 1.5

なお、式(2)の係数1.5の値は、式(1)と連動させながら適宜変更しても構わない。タイプBでは、タイプAに比べて、横方向(x方向)に延びた長方形の要素図形を優先適用することを意図している。図8(c)の例では、図形パターン40に、まず、x方向サイズが最大サイズdmaxで、y方向サイズが式(2)を満たす3つの長方形b1を配置する。次に、x方向サイズが最大サイズdmaxで、y方向サイズが式(2)を満たし、かつ長方形b1よりも小さい辺をもつ1つの長方形b2を配置する。次に、x方向サイズとy方法サイズが共に最大サイズdmax未満で、かつ式(2)を満たす4つの長方形b3を配置する。そして、残りの領域に最大サイズdmax未満のサイズの領域の矩形b4を配置する。これにより、図8(c)の例では、図形パターン40を9個の横長の長方形の要素図形によって再構成する。長方形の短辺は、できるだけ長辺に対して式(2)を満たす最大値を適用すると好適である。タイプBで再構成されたサンプリング領域32の図形パターン40のパターンデータ(2B)は、記憶装置56に格納される。   Note that the value of the coefficient 1.5 in equation (2) may be changed as appropriate in conjunction with equation (1). In Type B, it is intended to preferentially apply a rectangular element figure extending in the horizontal direction (x direction) compared to Type A. In the example of FIG. 8C, first, three rectangles b1 whose x-direction size is the maximum size dmax and whose y-direction size satisfies Expression (2) are arranged in the graphic pattern 40. Next, one rectangle b2 whose x-direction size is the maximum size dmax, whose y-direction size satisfies Equation (2), and which has a side smaller than the rectangle b1 is arranged. Next, four rectangles b3 that have both the x-direction size and the y-method size less than the maximum size dmax and satisfy Equation (2) are arranged. Then, a rectangle b4 having a size smaller than the maximum size dmax is arranged in the remaining region. Thus, in the example of FIG. 8C, the graphic pattern 40 is reconstructed with nine horizontally long rectangular element figures. For the short side of the rectangle, it is preferable to apply the maximum value satisfying the formula (2) for the long side as much as possible. The pattern data (2B) of the graphic pattern 40 in the sampling area 32 reconstructed with the type B is stored in the storage device 56.

再構成(C)工程(S206)として、タイプC再構成処理部54は、縦サイズ(yサイズ)が横サイズ(xサイズ)よりも上述した所定の範囲以上に長い矩形(第3の矩形)を優先適用して複数の要素図形(第2の図形)を作成するタイプC(第3のタイプ)に沿って、描画データに定義される図形パターン40を構成する組の複数の要素図形(第2の図形)を作成する。タイプCでは、y方向に長い長方形を優先適用する。図8(d)では、図8(a)に示す描画データ上の図形パターン40を構成する複数の要素図形を、タイプCに沿って再構成した場合の図形パターン40を構成する複数の要素図形の一例を示している。タイプCでは、所定の範囲として、例えば、要素図形のy方法サイズdyが、x方向サイズdxに対して、以下の式(3)を満たすように作成される。
(3) dy≧dx×1.5
In the reconstruction (C) step (S206), the type C reconstruction processing unit 54 has a rectangle (third rectangle) whose vertical size (y size) is longer than the predetermined range described above than the horizontal size (x size). Is applied preferentially to create a plurality of element figures (second figure), along type C (third type), a plurality of element figures (first figure) constituting the figure pattern 40 defined in the drawing data 2). In type C, a rectangle that is long in the y direction is preferentially applied. In FIG. 8D, a plurality of element figures constituting the figure pattern 40 when a plurality of element figures constituting the figure pattern 40 on the drawing data shown in FIG. An example is shown. In type C, as a predetermined range, for example, the y method size dy of the element figure is created so as to satisfy the following expression (3) with respect to the x direction size dx.
(3) dy ≧ dx × 1.5

なお、式(3)の係数1.5の値は、式(1)と連動させながら適宜変更しても構わない。タイプCでは、タイプAに比べて、縦方向(y方向)に延びた長方形の要素図形を優先適用することを意図している。図8(d)の例では、図形パターン40に、まず、y方向サイズが最大サイズdmaxで、x方向サイズが式(3)を満たす3つの長方形c1を配置する。次に、y方向サイズが最大サイズdmaxで、x方向サイズが式(3)を満たし、かつ長方形c1よりも小さい辺をもつ1つの長方形c2を配置する。次に、y方向サイズとx方法サイズが共に最大サイズdmax未満で、かつ式(3)を満たす4つの長方形c3を配置する。そして、残りの領域に最大サイズdmax未満のサイズの領域の矩形c4を配置する。これにより、図8(d)の例では、図形パターン40を9個の縦長の長方形の要素図形によって再構成する。長方形の短辺は、長辺に対して式(2)を満たす最大値を適用すると好適である。長方形の短辺は、できるだけ長辺に対して式(2)を満たす最大値を適用すると好適である。タイプCで再構成されたサンプリング領域32の図形パターン40のパターンデータ(2C)は、記憶装置55に格納される。   Note that the value of the coefficient 1.5 in equation (3) may be changed as appropriate in conjunction with equation (1). In Type C, it is intended to preferentially apply a rectangular element figure extending in the vertical direction (y direction) compared to Type A. In the example of FIG. 8D, first, three rectangles c1 whose y-direction size is the maximum size dmax and whose x-direction size satisfies Expression (3) are arranged in the graphic pattern 40. Next, one rectangle c2 whose y-direction size is the maximum size dmax, whose x-direction size satisfies Equation (3), and which has a side smaller than the rectangle c1 is arranged. Next, four rectangles c3 having both the y-direction size and the x-method size being less than the maximum size dmax and satisfying Expression (3) are arranged. Then, a rectangle c4 having a size smaller than the maximum size dmax is arranged in the remaining region. Thus, in the example of FIG. 8D, the graphic pattern 40 is reconstructed with nine vertically long rectangular element figures. For the short side of the rectangle, it is preferable to apply the maximum value satisfying the expression (2) for the long side. For the short side of the rectangle, it is preferable to apply the maximum value satisfying the formula (2) for the long side as much as possible. The pattern data (2C) of the graphic pattern 40 in the sampling area 32 reconstructed with the type C is stored in the storage device 55.

データ比較工程(S220)として、タイプ比較部58は、タイプAにより作成された複数の要素図形(第2の図形)のデータのデータサイズと、タイプBにより作成された複数の要素図形(第2の図形)のデータのデータサイズと、タイプCにより作成された複数の要素図形(第2の図形)のデータのデータサイズと、を比較する。   As the data comparison step (S220), the type comparison unit 58 uses the data size of the data of the plurality of element figures (second figure) created by type A and the plurality of element figures (second figure) created by type B. And the data size of the data of a plurality of element figures (second figures) created by type C are compared.

図9は、実施の形態1におけるパターンデータのフォーマットの一例を示す図である。図9の例では、要素図形毎に個別にパターンデータが作成される。図9におけるパターンデータのフォーマットは、図形コード、x座標、y座標、xサイズLx、yサイズLy、及び回転方向θによって定義される。1つの項目がmバイトで定義される場合、図9におけるパターンデータのフォーマットでは、1つの要素図形あたり、6mバイトが必要となる。例えば、図8(a)に示す描画データ(設計データ)上の図形パターン40を構成する12個の要素図形のパターンデータ(1)が図9に示すパターンデータのフォーマットで作成された場合、12×6mバイトが必要となる。これを図8(b)に示すタイプAで再構成した場合、再構成後の5つの要素図形のパターンデータ(2A)では5×6mバイトにデータサイズを低減できる。例えば、図8(c)に示すタイプBで再構成した場合、再構成後の9つの要素図形のパターンデータ(2B)では9×6mバイトにデータサイズを低減できる。例えば、図8(d)に示すタイプCで再構成した場合、再構成後の9つの要素図形のパターンデータ(2C)では9×6mバイトにデータサイズを低減できる。
なお、パターンを構成する図形の寸法や数および配置が変わっても、もとのパターン形状を表現できているので、データサイズが小さくなっても、パターンの情報は同じにできる(劣化しない)。
FIG. 9 is a diagram illustrating an example of a format of pattern data in the first embodiment. In the example of FIG. 9, pattern data is created individually for each element graphic. The format of the pattern data in FIG. 9 is defined by a graphic code, x coordinate, y coordinate, x size Lx, y size Ly, and rotation direction θ. When one item is defined by m bytes, the pattern data format in FIG. 9 requires 6 m bytes per element graphic. For example, when the pattern data (1) of 12 element figures constituting the figure pattern 40 on the drawing data (design data) shown in FIG. 8A is created in the pattern data format shown in FIG. * 6m bytes are required. When this is reconfigured with the type A shown in FIG. 8B, the data size can be reduced to 5 × 6 mbytes in the pattern data (2A) of the five element figures after the reconfiguration. For example, when reconstruction is performed using type B shown in FIG. 8C, the data size can be reduced to 9 × 6 mbytes in the pattern data (2B) of nine element figures after reconstruction. For example, when reconstruction is performed using type C shown in FIG. 8D, the data size can be reduced to 9 × 6 mbytes in the pattern data (2C) of nine element figures after reconstruction.
The original pattern shape can be expressed even if the dimensions, number and arrangement of figures constituting the pattern are changed, so that the pattern information can be the same (no deterioration) even if the data size is reduced.

図10は、実施の形態1におけるパターンデータのフォーマットの他の一例を示す図である。図10の例では、繰り返す要素図形については省略可能な要素図形種毎のパターンデータが作成される。図10におけるパターンデータのフォーマットは、図形コード、x座標、y座標、xサイズLx、yサイズLy、回転方向θ、x方向繰り返しピッチPx、y方向繰り返しピッチPy、及び繰り返し数nによって定義される。1つの項目がmバイトで定義される場合、図10におけるパターンデータのフォーマットでは、1つの要素図形あたり、9mバイトが必要となる。図8(a)に示す描画データ(設計データ)上の図形パターン40を構成する12個の要素図形がすべて異なるサイズの場合、かかる12個の要素図形のパターンデータ(1)が図10に示すパターンデータのフォーマットで作成された場合、12×9mバイトが必要となる。これを図8(b)に示すタイプAで再構成した場合、再構成後の5つの要素図形のパターンデータ(2A)では略正方形a3が2つあるので、これを1つのデータにまとめることができるため4×9mバイトにデータサイズを低減できる。例えば、図8(c)に示すタイプBで再構成した場合、再構成後の9つの要素図形のパターンデータ(2B)では長方形b1が3つ、及び長方形b3が4つあるので、これらを1つずつのデータにまとめることができるため4×9mバイトにデータサイズを低減できる。例えば、図8(d)に示すタイプCで再構成した場合、再構成後の9つの要素図形のパターンデータ(2C)では長方形c1が3つ、及び長方形c3が4つあるので、これらを1つずつのデータにまとめることができるため4×9mバイトにデータサイズを低減できる。
なお、パターンを構成する図形の寸法や数および配置が変わっても、もとのパターン形状を表現できているので、データサイズが小さくなっても、パターンの情報は同じにできる(劣化しない)。
FIG. 10 is a diagram illustrating another example of the pattern data format in the first embodiment. In the example of FIG. 10, pattern data for each element graphic type that can be omitted is created for the element graphic to be repeated. The format of the pattern data in FIG. 10 is defined by a graphic code, x coordinate, y coordinate, x size Lx, y size Ly, rotation direction θ, x direction repeat pitch Px, y direction repeat pitch Py, and repeat number n. . When one item is defined by m bytes, the pattern data format in FIG. 10 requires 9 m bytes per element graphic. When the twelve element figures constituting the figure pattern 40 on the drawing data (design data) shown in FIG. 8A are all different sizes, the pattern data (1) of the twelve element figures is shown in FIG. When created in the pattern data format, 12 × 9 m bytes are required. When this is reconstructed with the type A shown in FIG. 8B, there are two approximately squares a3 in the pattern data (2A) of the five element figures after the reconstruction, and this can be combined into one data. Therefore, the data size can be reduced to 4 × 9 mbytes. For example, when reconstruction is performed with the type B shown in FIG. 8C, there are three rectangles b1 and four rectangles b3 in the pattern data (2B) of the nine element figures after reconstruction. Since each data can be collected, the data size can be reduced to 4 × 9 mbytes. For example, when reconstruction is performed with the type C shown in FIG. 8D, there are three rectangles c1 and four rectangles c3 in the pattern data (2C) of nine element figures after reconstruction. Since each data can be collected, the data size can be reduced to 4 × 9 mbytes.
The original pattern shape can be expressed even if the dimensions, number and arrangement of figures constituting the pattern are changed, so that the pattern information can be the same (no deterioration) even if the data size is reduced.

選択工程(S222)として、選択部59は、タイプA〜Cのうち、データサイズが最小となるタイプを選択する。図9に示した個別のパターンデータのフォーマットを用いた場合、タイプAが選択されることになる。図10に示した繰り返す要素図形については省略可能な要素図形種毎のパターンデータのフォーマットを用いた場合、タイプA〜Cのいずれもが同じデータサイズになるので、いずれを選択しても良い。データサイズが同じになった場合にどのタイプを優先するかは、予め設定しておくと良い。ここでは、例えば、タイプBが選択される。どのタイプが適しているかは、元の図形パターン40の形状によって左右されることになる。   As the selection step (S222), the selection unit 59 selects the type having the smallest data size among the types A to C. When the individual pattern data format shown in FIG. 9 is used, type A is selected. When the pattern data format for each element graphic type that can be omitted is used for the repeated element graphic shown in FIG. 10, all of the types A to C have the same data size, and any of them may be selected. It is preferable to set in advance which type is prioritized when the data sizes are the same. Here, for example, type B is selected. Which type is suitable depends on the shape of the original graphic pattern 40.

再構成処理工程(S226)として、再構成処理部62は、対象検査ストライプ20について、選択されたタイプで、描画データに定義される図形パターン毎に、図形パターンの構成を、元の複数の要素図形(第1の図形)の組合せとは異なる複数の要素図形(第2の図形)の組合せにより再構成する。再構成された各図形パターン40のパターンデータ(2)は、記憶装置64に格納される。また、再構成前の元の描画データ上に定義されていた各図形パターン40のパターンデータ(1)と、再構成された各図形パターン40のパターンデータ(2)は、データ比較判定回路142に出力される。   As the reconstruction processing step (S226), the reconstruction processing unit 62 converts the configuration of the graphic pattern into the original plurality of elements for each graphic pattern defined in the drawing data with the selected type for the target inspection stripe 20. Reconfiguration is performed by a combination of a plurality of element figures (second figures) different from the combination of the figures (first figure). The reconstructed pattern data (2) of each graphic pattern 40 is stored in the storage device 64. Also, the pattern data (1) of each graphic pattern 40 defined on the original drawing data before reconstruction and the pattern data (2) of each reconstructed graphic pattern 40 are sent to the data comparison / determination circuit 142. Is output.

データ比較工程(S106)として、データ比較判定回路142は、再構成前の元の描画データ上に定義されていた各図形パターン40のパターンデータ(1)と、再構成された各図形パターン40のパターンデータ(2)についてデータ比較を行う。まず、データ比較判定回路142内に入力された再構成前の元の描画データ上に定義されていた各図形パターン40のパターンデータ(1)は、記憶装置80に記憶される。データ比較判定回路142内に入力された再構成された各図形パターン40のパターンデータ(2)は、記憶装置81に記憶される。そして、データ比較の方法として、データサイズ比較と、図形数比較との一方を用いると好適である。データサイズ比較を用いる場合、以下のように動作する。   As the data comparison step (S106), the data comparison determination circuit 142 sets the pattern data (1) of each graphic pattern 40 defined on the original drawing data before reconstruction, and the reconstructed graphic pattern 40. Data comparison is performed on the pattern data (2). First, the pattern data (1) of each graphic pattern 40 defined on the original drawing data before reconstruction input into the data comparison determination circuit 142 is stored in the storage device 80. The reconstructed pattern data (2) of each graphic pattern 40 input into the data comparison / determination circuit 142 is stored in the storage device 81. As a data comparison method, it is preferable to use one of data size comparison and figure number comparison. When using data size comparison, it operates as follows.

データサイズ比較部82は、再構成前の図形パターン40の複数の要素図形(第1の図形)のデータのデータサイズと再構成後の図形パターン40の複数の要素図形(第2の図形)のデータのデータサイズとを比較する。具体的には以下のように動作する。ここでは、例えば、上述したサンプリング領域32において作成したデータを使って、サンプリング領域32の図形パターン40に対してデータサイズを比較する。或いは、再構成されているすべての図形パターンの合計を比較しても良いし、再構成されているすべての図形パターンの一部の図形パターンをサンプリング図形として、かかるサンプリング図形に対してデータサイズを比較してもよい。   The data size comparison unit 82 stores the data size of the data of the plurality of element figures (first figure) of the figure pattern 40 before reconstruction and the plurality of element figures (second figure) of the figure pattern 40 after reconstruction. Compare the data size of the data. Specifically, it operates as follows. Here, for example, the data size is compared with the graphic pattern 40 in the sampling area 32 using the data created in the sampling area 32 described above. Alternatively, the total of all the reconstructed graphic patterns may be compared, and a part of all reconstructed graphic patterns is used as a sampling graphic, and the data size is set for the sampling graphic. You may compare.

選択工程(S108)として、選択部84は、再構成前の図形パターン40の複数の要素図形(第1の図形)のデータと再構成された図形パターン40の複数の要素図形(第2の図形)のデータとの一方を選択する。ここでは、データサイズが小さい方を選択する。図形パターン40を構成する複数の要素図形(第1の図形)を再構成することで、通常、データサイズは小さくできる。しかしながら、必ずデータサイズが小さくなるとは限らない。その場合に、あえてデータサイズが大きい方を画像展開するのではデータ処理時間の短縮が図れないばかりか、逆に長くなってしまう。そこで、データサイズが小さい方を選択する。   As the selection step (S108), the selection unit 84 performs data of a plurality of element figures (first figure) of the figure pattern 40 before reconstruction and a plurality of element figures (second figure) of the reconstructed figure pattern 40. ) One of the data. Here, the smaller data size is selected. By reconstructing a plurality of element figures (first figures) constituting the figure pattern 40, the data size can usually be reduced. However, the data size is not necessarily reduced. In that case, if the image with the larger data size is developed, the data processing time cannot be shortened, but on the contrary, it becomes longer. Therefore, the smaller data size is selected.

或いは、データ比較工程(S106)のデータ比較の方法として、図形数比較を用いる場合、以下のように動作する。   Alternatively, when the figure number comparison is used as the data comparison method in the data comparison step (S106), the operation is as follows.

データ比較工程(S106)において、図形数比較部86は、再構成前の図形パターン40の複数の要素図形(第1の図形)の要素図形数と再構成後の図形パターン40の複数の要素図形(第2の図形)の要素図形数とを比較する。具体的には以下のように動作する。ここでは、例えば、上述したサンプリング領域32において作成したデータを使って、サンプリング領域32の図形パターン40に対しての要素図形数を比較する。或いは、再構成されているすべての図形パターンの合計を比較しても良いし、再構成されているすべての図形パターンの一部の図形パターンをサンプリング図形として、かかるサンプリング図形に対しての要素図形数を比較してもよい。   In the data comparison step (S106), the figure number comparison unit 86 includes the number of element figures (first figure) of the figure pattern 40 before reconstruction and the plurality of element figures of the figure pattern 40 after reconstruction. The number of element figures of (second figure) is compared. Specifically, it operates as follows. Here, for example, using the data created in the sampling area 32 described above, the number of element figures for the figure pattern 40 in the sampling area 32 is compared. Alternatively, the total of all the reconstructed graphic patterns may be compared, or a part of all reconstructed graphic patterns may be used as sampling figures, and the element figures for such sampling figures The numbers may be compared.

選択工程(S108)において、選択部88は、再構成前の図形パターン40の複数の要素図形(第1の図形)のデータと再構成された図形パターン40の複数の要素図形(第2の図形)のデータとの一方を選択する。ここでは、要素図形数が少ない方を選択する。図形パターン40を構成する複数の要素図形(第1の図形)を再構成することで、通常、要素図形数は少なくできる。しかしながら、必ず要素図形数が少なくなるとは限らない。要素図形数が少ない方が、一般的にはデータサイズを小さくできる。その場合に、あえてデータサイズが大きい方を画像展開するのではデータ処理時間の短縮が図れないばかりか、逆に長くなってしまう。そこで、要素図形数が少ない方を選択する。選択されたパターンデータ(3)は、記憶装置89に格納される。   In the selection step (S108), the selection unit 88 performs data of a plurality of element figures (first figure) of the figure pattern 40 before reconstruction and a plurality of element figures (second figure) of the reconstructed figure pattern 40. ) One of the data. Here, the one with the smaller number of element figures is selected. By reconfiguring a plurality of element figures (first figure) constituting the figure pattern 40, the number of element figures can usually be reduced. However, the number of element figures is not necessarily reduced. The data size can generally be reduced when the number of element figures is small. In that case, if the image with the larger data size is developed, the data processing time cannot be shortened, but on the contrary, it becomes longer. Therefore, the one with the smaller number of element figures is selected. The selected pattern data (3) is stored in the storage device 89.

画像展開工程(S110)として、展開回路111(展開処理部)は、再構成前の図形パターン40の複数の要素図形(第1の図形)のデータと再構成された図形パターン40の複数の要素図形(第2の図形)のデータとの一方(パターンデータ(3))を選択的に画像展開する。ここでは、選択工程(S108)において選択されたデータについて画像展開する。言い換えれば、展開回路111(展開処理部)は、元の描画データに定義された図形パターン40の複数の要素図形(第1の図形)のパターンデータ(1)が、再構成された図形パターン40の複数の要素図形(第2の図形)のパターンデータ(2)よりもデータサイズが小さい場合には、元の描画データに定義された図形パターン40の複数の要素図形(第1の図形)のパターンデータ(1)を画像展開し、再構成された図形パターン40の複数の要素図形(第2の図形)のパターンデータ(2)が元の描画データに定義された図形パターン40の複数の要素図形(第1の図形)のパターンデータ(1)よりもデータサイズが小さい場合には、再構成された図形パターン40の複数の要素図形(第2の図形)のパターンデータ(2)を画像展開する。或いは、展開回路111(展開処理部)は、元の描画データに定義された図形パターン40の複数の要素図形(第1の図形)のパターンデータ(1)が、再構成された図形パターン40の複数の要素図形(第2の図形)のパターンデータ(2)よりも図形数が少ない場合には、元の描画データに定義された図形パターン40の複数の要素図形(第1の図形)のパターンデータ(1)を画像展開し、再構成された図形パターン40の複数の要素図形(第2の図形)のパターンデータ(2)が元の描画データに定義された図形パターン40の複数の要素図形(第1の図形)のパターンデータ(1)よりも図形数が少ない場合には、再構成された図形パターン40の複数の要素図形(第2の図形)のパターンデータ(2)を画像展開する。さらに言えば、展開回路111(展開処理部)は、タイプA〜Cのうち、データサイズが最小となるタイプにより作成された図形パターン40の複数の要素図形(第2の図形)のパターンデータ(2)を画像展開する。   As the image development process (S110), the development circuit 111 (development processing unit) performs data of a plurality of element figures (first figures) of the graphic pattern 40 before reconstruction and a plurality of elements of the reconstructed graphic pattern 40. One image (pattern data (3)) with the data of the graphic (second graphic) is selectively developed. Here, the image is developed for the data selected in the selection step (S108). In other words, the development circuit 111 (development processing unit) reconstructs the pattern data (1) of the plurality of element figures (first figures) of the figure pattern 40 defined in the original drawing data. When the data size is smaller than the pattern data (2) of the plurality of element figures (second figure), the plurality of element figures (first figure) of the figure pattern 40 defined in the original drawing data A plurality of elements of the graphic pattern 40 in which the pattern data (2) of the plurality of element figures (second figures) of the reconstructed graphic pattern 40 is defined as the original drawing data by developing the pattern data (1) into an image When the data size is smaller than the pattern data (1) of the figure (first figure), the pattern data (2) of the plurality of element figures (second figures) of the reconstructed figure pattern 40 is converted into an image. To open. Alternatively, the development circuit 111 (development processing unit) is configured so that the pattern data (1) of a plurality of element figures (first figures) of the figure pattern 40 defined in the original drawing data is reconstructed. When the number of figures is smaller than the pattern data (2) of a plurality of element figures (second figures), the patterns of the plurality of element figures (first figures) of the figure pattern 40 defined in the original drawing data A plurality of element figures of the graphic pattern 40 in which the pattern data (2) of the plurality of element figures (second figures) of the reconstructed figure pattern 40 is defined as the original drawing data by developing the image of the data (1) When the number of figures is smaller than the pattern data (1) of (first figure), the pattern data (2) of a plurality of element figures (second figures) of the reconstructed figure pattern 40 is developed as an image. . Furthermore, the development circuit 111 (development processing unit) includes pattern data (a second figure) of a plurality of element figures (second figures) of the figure pattern 40 created by the type having the smallest data size among the types A to C. 2) develop the image.

ここで、描画データ(設計データ)に定義される要素図形は、例えば長方形や三角形を基本図形としたもので、例えば、図形の基準位置における座標(x、y)、及び辺の長さ、長方形や三角形等の図形種を区別する識別子となる図形コードといった情報で各パターン図形の形、大きさ、位置等を定義した要素図形データ(ベクトルデータ)が格納されている。   Here, the element figure defined in the drawing data (design data) is, for example, a rectangle or triangle as a basic figure. For example, the coordinates (x, y) at the reference position of the figure, the length of the side, and the rectangle Element graphic data (vector data) in which the shape, size, position, etc. of each pattern graphic is defined by information such as a graphic code that is an identifier for distinguishing graphic types such as triangles and triangles is stored.

かかる要素図形データとなる設計パターンの情報が展開回路111に入力されると要素図形ごとのデータにまで展開し、その要素図形データの図形形状を示す図形コード、図形寸法などを解釈する。そして、所定の量子化寸法のグリッドを単位とするマス目内に配置されるパターンとして2値ないしは多値の設計画像データを展開し、出力する。言い換えれば、設計データを読み込み、検査領域を所定の寸法を単位とするマス目として仮想分割してできたマス目毎に設計パターンにおける図形が占める占有率を演算し、nビットの占有率データを出力する。例えば、1つのマス目を1画素として設定すると好適である。そして、1画素に1/2(=1/256)の分解能を持たせるとすると、画素内に配置されている図形の領域分だけ1/256の小領域を割り付けて画素内の占有率を演算する。そして、画素毎に8ビットの占有率データの展開画像を作成する。展開画像のデータは、参照回路112に出力される。 When the design pattern information as the element graphic data is input to the expansion circuit 111, the data is expanded to the data for each element graphic, and the graphic code indicating the graphic shape of the element graphic data, the graphic dimension, and the like are interpreted. Then, binary or multivalued design image data is developed and output as a pattern arranged in a grid having a grid with a predetermined quantization dimension as a unit. In other words, the design data is read, the occupancy ratio of the figure in the design pattern is calculated for each grid formed by virtually dividing the inspection area as a grid with a predetermined size as a unit, and the n-bit occupancy data is calculated. Output. For example, it is preferable to set one square as one pixel. If a resolution of 1/2 8 (= 1/256) is given to one pixel, 1/256 small areas are allocated by the figure area arranged in the pixel, and the occupation ratio in the pixel is set. Calculate. Then, a developed image of 8-bit occupation ratio data is created for each pixel. The data of the developed image is output to the reference circuit 112.

画像加工工程(S112)として、参照回路112(参照画像作成部)は、画像展開された展開画像を用いて、検査対象の光学画像に対応する参照画像を作成する。   As the image processing step (S112), the reference circuit 112 (reference image creation unit) creates a reference image corresponding to the optical image to be inspected using the developed image.

図11は、実施の形態1におけるフィルタ処理を説明するための図である。基板101から撮像される光学画像の画素データは、撮像に使用される光学系の解像特性等によってフィルタが作用した状態、言い換えれば連続変化するアナログ状態にあるため、例えば、図11に示すように、画像強度(濃淡値)がデジタル値の後述する展開画像(設計画像)とは異なっている。そのため、参照回路112は、展開画像に画像加工(フィルタ処理)を施して光学画像に近づけた参照画像を作成する。作成された参照画像のデータは、比較回路108に出力される。比較回路108(比較部)は、光学画像と参照画像とを比較する。   FIG. 11 is a diagram for explaining the filter processing in the first embodiment. Since the pixel data of the optical image picked up from the substrate 101 is in a state in which the filter is applied according to the resolution characteristics of the optical system used for image pickup, in other words, in an analog state that continuously changes, for example, as shown in FIG. Furthermore, the image intensity (light / dark value) is different from a developed image (design image) described later, which is a digital value. Therefore, the reference circuit 112 performs image processing (filter processing) on the developed image to create a reference image that is close to the optical image. The generated reference image data is output to the comparison circuit 108. The comparison circuit 108 (comparison unit) compares the optical image with the reference image.

図12は、実施の形態1における比較回路の内部構成の一例を示す構成図である。図12において、比較回路108内には、磁気ディスク装置等の記憶装置70,72,76、フレーム分割部74、位置合わせ部78、及び比較処理部79が配置されている。フレーム分割部74、位置合わせ部78、及び比較処理部79といった一連の「〜部」は、処理回路を有する。かかる処理回路には、電気回路、コンピュータ、プロセッサ、回路基板、量子回路、或いは、半導体装置等が含まれる。また、各「〜回路」は、共通する処理回路(同じ処理回路)を用いてもよい。或いは、異なる処理回路(別々の処理回路)を用いても良い。フレーム分割部74、位置合わせ部78、及び比較処理部79に必要な入力データ或いは演算された結果はその都度図示しないメモリに記憶される。   FIG. 12 is a configuration diagram illustrating an example of an internal configuration of the comparison circuit according to the first embodiment. In FIG. 12, storage devices 70, 72, and 76 such as a magnetic disk device, a frame dividing unit 74, an alignment unit 78, and a comparison processing unit 79 are arranged in the comparison circuit 108. A series of “˜units” such as a frame dividing unit 74, an alignment unit 78, and a comparison processing unit 79 have a processing circuit. Such processing circuits include electric circuits, computers, processors, circuit boards, quantum circuits, semiconductor devices, and the like. Further, a common processing circuit (the same processing circuit) may be used for each “˜circuit”. Alternatively, different processing circuits (separate processing circuits) may be used. Input data required for the frame dividing unit 74, the alignment unit 78, and the comparison processing unit 79 or the calculated result is stored in a memory (not shown) each time.

比較回路108に入力されたストライプデータ(光学画像データ)は記憶装置70に格納される。比較回路108に入力された参照画像データは記憶装置72に格納される。   The stripe data (optical image data) input to the comparison circuit 108 is stored in the storage device 70. The reference image data input to the comparison circuit 108 is stored in the storage device 72.

フレーム分割工程(S114)として、フレーム分割部74は、x方向に所定のサイズ(例えば、スキャン幅Wと同じ幅)でストライプ領域画像を分割する。例えば、1024×1024画素のフレーム画像に分割する。かかる処理により、複数のフレーム領域30に応じた複数のフレーム画像(光学画像)が取得される。複数のフレーム画像は、記憶装置76に格納される。以上により、検査のために比較される一方の画像(測定された画像)データが生成される。   As the frame dividing step (S114), the frame dividing unit 74 divides the stripe region image in a predetermined size (for example, the same width as the scan width W) in the x direction. For example, the image is divided into 1024 × 1024 pixel frame images. With this process, a plurality of frame images (optical images) corresponding to the plurality of frame regions 30 are acquired. The plurality of frame images are stored in the storage device 76. Thus, one image (measured image) data to be compared for inspection is generated.

位置合わせ工程(S120)として、位置合わせ部78は、比較対象となるフレーム画像(光学画像)を記憶装置76から読み出し、同様に比較対象となる参照画像を記憶装置72から読み出す。そして、所定のアルゴリズムで位置合わせを行う。例えば、最小2乗法を用いて位置合わせを行う。   As the alignment step (S120), the alignment unit 78 reads a frame image (optical image) to be compared from the storage device 76, and similarly reads a reference image to be compared from the storage device 72. Then, alignment is performed using a predetermined algorithm. For example, alignment is performed using a least square method.

比較処理工程(S122)として、比較処理部79(比較部)は、フレーム領域(検査単位領域)30毎に、光学画像と参照画像を比較する。言い換えれば、比較処理部79は、複数のフレーム領域30(小領域)のフレーム領域30毎に、当該フレーム領域30のフレーム画像(光学画像)と当該フレーム画像に対応する参照画像とを画素毎に比較して、パターンの欠陥を検査する。比較処理部79は、所定の判定条件に従って画素毎に両者を比較し、例えば形状欠陥といった欠陥の有無を判定する。判定条件としては、例えば、所定のアルゴリズムに従って画素毎に両者を比較し、欠陥の有無を判定する。例えば、画素毎に参照画像の画素値からフレーム画像の画素値を差し引いた差分値を演算し、差分値が閾値Thより大きい場合を欠陥と判定する。そして、比較結果が出力される。比較結果は、磁気ディスク装置109、磁気テープ装置115、フレキシブルディスク装置(FD)116、CRT117、パターンモニタ118に出力される、或いはプリンタ119から出力されればよい。   As a comparison processing step (S122), the comparison processing unit 79 (comparison unit) compares the optical image and the reference image for each frame region (inspection unit region) 30. In other words, for each frame region 30 of the plurality of frame regions 30 (small regions), the comparison processing unit 79 converts the frame image (optical image) of the frame region 30 and the reference image corresponding to the frame image for each pixel. In comparison, pattern defects are inspected. The comparison processing unit 79 compares the two for each pixel according to a predetermined determination condition, and determines the presence / absence of a defect such as a shape defect. As a determination condition, for example, both are compared for each pixel according to a predetermined algorithm, and the presence or absence of a defect is determined. For example, a difference value obtained by subtracting the pixel value of the frame image from the pixel value of the reference image is calculated for each pixel, and a case where the difference value is larger than the threshold value Th is determined as a defect. Then, the comparison result is output. The comparison result may be output to the magnetic disk device 109, the magnetic tape device 115, the flexible disk device (FD) 116, the CRT 117, the pattern monitor 118, or output from the printer 119.

以上のように、実施の形態1では、図形パターン40を構成する要素図形を新たに再構成することで、データサイズを低減できる。よって、検査対象基板101に形成されるパターンの元データを使って、画像展開する場合に、データ処理時間を短縮できる。その結果、検査時間を短縮できる。   As described above, in the first embodiment, the data size can be reduced by newly reconfiguring the elemental figures constituting the figure pattern 40. Therefore, when image development is performed using the original data of the pattern formed on the inspection target substrate 101, the data processing time can be shortened. As a result, the inspection time can be shortened.

実施の形態2.
実施の形態1では、複数のタイプA〜Cの中から最適な再構成タイプを選択する場合について説明したが、これに限るものではない。実施の形態2では、予め設定された再構成手法に沿って要素図形を再構成する場合について説明する。実施の形態2における検査装置100の構成は図1と同様である。また、実施の形態2における検査方法の要部工程を示すフローチャート図は、図3と同様である。また、以下、特に説明する点以外の内容は、実施の形態1と同様である。特に、再構成処理工程(S104)以外の各工程の内容は実施の形態1と同様である。
Embodiment 2. FIG.
In the first embodiment, the case where the optimum reconstruction type is selected from the plurality of types A to C has been described. However, the present invention is not limited to this. In the second embodiment, a case will be described in which an element graphic is reconfigured according to a preset reconstruction method. The configuration of the inspection apparatus 100 in the second embodiment is the same as that in FIG. Moreover, the flowchart figure which shows the principal process of the inspection method in Embodiment 2 is the same as that of FIG. Further, the contents other than those specifically described below are the same as those in the first embodiment. In particular, the contents of each step other than the reconstruction processing step (S104) are the same as those in the first embodiment.

図13は、実施の形態2における再構成処理回路の内部構成の一例を示す構成図である。図13において、再構成処理回路140内には、再構成処理部63、及び磁気ディスク装置等の記憶装置60,64が配置される。再構成処理部63は、処理回路を有する。かかる処理回路には、電気回路、コンピュータ、プロセッサ、回路基板、量子回路、或いは、半導体装置等が含まれる。また、再構成処理部63は、例えば、データ比較判定回路142内の「〜部」といった他の「〜部」と共通する処理回路(同じ処理回路)を用いてもよい。或いは、異なる処理回路(別々の処理回路)を用いても良い。再構成処理部63に必要な入力データ或いは演算された結果はその都度図示しないメモリに記憶される。   FIG. 13 is a configuration diagram illustrating an example of an internal configuration of the reconstruction processing circuit according to the second embodiment. In FIG. 13, a reconstruction processing unit 63 and storage devices 60 and 64 such as a magnetic disk device are arranged in the reconstruction processing circuit 140. The reconstruction processing unit 63 has a processing circuit. Such processing circuits include electric circuits, computers, processors, circuit boards, quantum circuits, semiconductor devices, and the like. For example, the reconfiguration processing unit 63 may use a processing circuit (same processing circuit) that is common to other “˜ units” such as “˜ unit” in the data comparison determination circuit 142. Alternatively, different processing circuits (separate processing circuits) may be used. The input data necessary for the reconstruction processing unit 63 or the calculated result is stored in a memory (not shown) each time.

再構成処理工程(S104)として、再構成処理回路140(再構成処理部)は、記憶装置60から描画データを読み出し、描画データに定義される図形パターン毎に、図形パターンの構成を、予め設定された最大サイズdmax内の新たな図形を配置し直すことで、元の複数の要素図形(第1の図形)の組合せとは異なる複数の要素図形(第2の図形)の組合せにより再構成する。具体的には、以下のように動作する。   As the reconstruction processing step (S104), the reconstruction processing circuit 140 (reconstruction processing unit) reads the drawing data from the storage device 60 and presets the configuration of the graphic pattern for each graphic pattern defined in the drawing data. By re-arranging a new figure within the maximum size dmax, it is reconfigured by a combination of a plurality of element figures (second figures) different from the combination of the original plurality of element figures (first figure). . Specifically, it operates as follows.

図14は、実施の形態2における再構成処理工程の内部工程を示すフローチャート図である。図14において、実施の形態2における再構成処理工程(S104)は、その内部工程として、最大サイズ正方形割当工程(S210)と、最大サイズを含む矩形割当工程(S212)と、その他の図形割当工程(S214)と、いう一連の工程を実施する。   FIG. 14 is a flowchart showing an internal process of the reconstruction process in the second embodiment. In FIG. 14, the reconstruction processing step (S104) in the second embodiment includes, as its internal steps, a maximum size square assignment step (S210), a rectangle assignment step including the maximum size (S212), and other graphic assignment steps. A series of steps called (S214) is performed.

最大サイズ正方形割当工程(S210)として、再構成処理部63は、予め設定された最大サイズdmaxの正方形(第1の正方形)を優先適用して複数の要素図形(第2の図形)を作成する。   As the maximum size square allocation step (S210), the reconstruction processing unit 63 preferentially applies a square (first square) having a preset maximum size dmax to create a plurality of element figures (second figures). .

次に、最大サイズを含む矩形割当工程(S212)として、再構成処理部63は、最大サイズを含む矩形を優先適用して複数の要素図形(第2の図形)を作成する。   Next, as a rectangle allocation step including the maximum size (S212), the reconstruction processing unit 63 preferentially applies the rectangle including the maximum size to create a plurality of element graphics (second graphics).

そして、その他の図形割当工程(S214)として、再構成処理部63は、残りの領域にその他の図形(例えば矩形)を割り当てる。   Then, as another graphic assignment step (S214), the reconstruction processing unit 63 assigns another graphic (for example, a rectangle) to the remaining area.

図15は、実施の形態2における再構成する要素図形の一例を示す図である。図15(b)では、図15(a)に示す描画データ上の図形パターン40を構成する複数の要素図形を、最大サイズを含む要素図形を優先適用して再構成した場合の図形パターン40を構成する複数の要素図形の一例を示している。図15(a)に示す描画データ上の図形パターン40を構成する例えば12個の要素図形は、図7に示す図形パターン40を構成する複数の要素図形と同様である。   FIG. 15 is a diagram illustrating an example of element figures to be reconstructed in the second embodiment. 15B shows a graphic pattern 40 when a plurality of element figures constituting the graphic pattern 40 on the drawing data shown in FIG. 15A are reconfigured by preferentially applying the element figure including the maximum size. An example of a plurality of constituent figures is shown. For example, twelve element figures constituting the figure pattern 40 on the drawing data shown in FIG. 15A are the same as the plurality of element figures constituting the figure pattern 40 shown in FIG.

図15(b)の例では、図形パターン40に、まず、最大サイズdmaxの正方形F1を配置する。次に、x方向サイズが最大サイズdmaxでy方向サイズが最大サイズdmax未満のサイズdの長方形F2を配置する。次に、y方向サイズが最大サイズdmaxでx方向サイズが最大サイズdmax未満のサイズdの長方形F3を配置する。そして、残りの領域に最大サイズdmax未満のサイズの領域の矩形F4を配置する。これにより、図15(b)の例では、図形パターン40を4つの要素図形によって再構成する。以上のように、実施の形態2における再構成処理部63は、対象検査ストライプ20について、描画データに定義される図形パターン毎に、図形パターンの構成を、元の複数の要素図形(第1の図形)の組合せとは異なる、最大サイズを含む要素図形を優先適用した複数の要素図形(第2の図形)の組合せにより再構成する。再構成された各図形パターン40のパターンデータ(2)は、記憶装置64に格納される。また、再構成前の元の描画データ上に定義されていた各図形パターン40のパターンデータ(1)と、再構成された各図形パターン40のパターンデータ(2)は、データ比較判定回路142に出力される。   In the example of FIG. 15B, a square F1 having the maximum size dmax is first arranged in the graphic pattern 40. Next, a rectangle F2 having a size d in which the size in the x direction is the maximum size dmax and the size in the y direction is less than the maximum size dmax is arranged. Next, a rectangle F3 having a size d in which the y-direction size is the maximum size dmax and the x-direction size is less than the maximum size dmax is arranged. Then, a rectangle F4 having a size smaller than the maximum size dmax is arranged in the remaining region. Thereby, in the example of FIG.15 (b), the figure pattern 40 is reconfigure | reconstructed by four element figures. As described above, the reconstruction processing unit 63 according to the second embodiment converts the configuration of the graphic pattern for the target inspection stripe 20 for each graphic pattern defined in the drawing data to a plurality of original element graphics (first elements). A combination of a plurality of element figures (second figures) preferentially applied to an element figure including the maximum size, which is different from the combination of figures). The reconstructed pattern data (2) of each graphic pattern 40 is stored in the storage device 64. Also, the pattern data (1) of each graphic pattern 40 defined on the original drawing data before reconstruction and the pattern data (2) of each reconstructed graphic pattern 40 are sent to the data comparison / determination circuit 142. Is output.

例えば、図15(a)に示す描画データ(設計データ)上の図形パターン40を構成する12個の要素図形のパターンデータ(1)が図9に示すパターンデータのフォーマットで作成された場合、12×6mバイトが必要となる。これを図15(b)に示す手法で再構成した場合、再構成後の4つの要素図形のパターンデータ(2)では4×6mバイトにデータサイズを低減できる。   For example, when pattern data (1) of 12 element figures constituting the figure pattern 40 on the drawing data (design data) shown in FIG. 15A is created in the pattern data format shown in FIG. * 6m bytes are required. When this is reconstructed by the method shown in FIG. 15B, the data size can be reduced to 4 × 6 mbytes in the pattern data (2) of the four element figures after reconstruction.

以降の各工程の内容は、実施の形態1と同様である。   The contents of the subsequent steps are the same as those in the first embodiment.

以上のように、実施の形態2では、図形パターン40を構成する要素図形を、最大サイズを含む要素図形を優先適用して新たに再構成することで、データサイズを低減できる。よって、検査対象基板101に形成されるパターンの元データを使って、画像展開する場合に、データ処理時間を短縮できる。その結果、検査時間を短縮できる。   As described above, in the second embodiment, the data size can be reduced by newly reconfiguring the element graphic constituting the graphic pattern 40 by preferentially applying the element graphic including the maximum size. Therefore, when image development is performed using the original data of the pattern formed on the inspection target substrate 101, the data processing time can be shortened. As a result, the inspection time can be shortened.

実施の形態3.
実施の形態3では、実施の形態2とは異なる、予め設定された再構成手法に沿って要素図形を再構成する場合について説明する。実施の形態3における検査装置100の構成は図1と同様である。また、実施の形態3における検査方法の要部工程を示すフローチャート図は、図3と同様である。実施の形態3における再構成処理回路の内部構成は図13と同様である。また、以下、特に説明する点以外の内容は、実施の形態1と同様である。特に、再構成処理工程(S104)以外の各工程の内容は実施の形態1と同様である。
Embodiment 3 FIG.
In the third embodiment, a case will be described in which an element graphic is reconfigured according to a preset reconstruction method, which is different from that of the second embodiment. The configuration of the inspection apparatus 100 in the third embodiment is the same as that in FIG. Moreover, the flowchart figure which shows the principal process of the inspection method in Embodiment 3 is the same as that of FIG. The internal configuration of the reconstruction processing circuit in the third embodiment is the same as that in FIG. Further, the contents other than those specifically described below are the same as those in the first embodiment. In particular, the contents of each step other than the reconstruction processing step (S104) are the same as those in the first embodiment.

再構成処理工程(S104)として、再構成処理回路140(再構成処理部)は、記憶装置60から描画データを読み出し、描画データに定義される図形パターン毎に、図形パターンの構成を、予め設定された最大サイズdmax内の新たな図形を配置し直すことで、元の複数の要素図形(第1の図形)の組合せとは異なる複数の要素図形(第2の図形)の組合せにより再構成する。具体的には、以下のように動作する。   As the reconstruction processing step (S104), the reconstruction processing circuit 140 (reconstruction processing unit) reads the drawing data from the storage device 60 and presets the configuration of the graphic pattern for each graphic pattern defined in the drawing data. By re-arranging a new figure within the maximum size dmax, it is reconfigured by a combination of a plurality of element figures (second figures) different from the combination of the original plurality of element figures (first figure). . Specifically, it operates as follows.

図16は、実施の形態3における再構成処理工程の内部工程を示すフローチャート図である。図16において、実施の形態3における再構成処理工程(S104)は、その内部工程として、最大サイズ正方形割当工程(S220)と、最大サイズ未満の正方形割当工程(S222)と、その他の図形割当工程(S224)と、いう一連の工程を実施する。   FIG. 16 is a flowchart showing the internal process of the reconstruction process in the third embodiment. In FIG. 16, the reconstruction process step (S104) in the third embodiment includes, as its internal processes, a maximum size square assignment step (S220), a square assignment step less than the maximum size (S222), and other graphic assignment steps. A series of steps called (S224) is performed.

最大サイズ正方形割当工程(S220)として、再構成処理部63は、予め設定された最大サイズdmaxの正方形(第1の正方形)を優先適用して複数の要素図形(第2の図形)を作成する。   As the maximum size square assignment step (S220), the reconstruction processing unit 63 preferentially applies a square (first square) having a preset maximum size dmax to create a plurality of element figures (second figures). .

次に、最大サイズ未満の正方形割当工程(S222)として、再構成処理部63は、最大サイズdmaxよりも小さいサイズdの正方形(第2の正方形)を優先適用して複数の要素図形(第2の図形)を作成する。   Next, as a square assignment step (S222) less than the maximum size, the reconstruction processing unit 63 preferentially applies a square having a size d smaller than the maximum size dmax (second square) to a plurality of element figures (second squares). ).

そして、その他の図形割当工程(S224)として、再構成処理部63は、残りの領域にその他の図形(例えば矩形)を割り当てる。   Then, as another graphic assigning step (S224), the reconstruction processing unit 63 assigns another graphic (for example, a rectangle) to the remaining area.

図17は、実施の形態3における再構成する要素図形の一例を示す図である。図17(b)では、図17(a)に示す描画データ上の図形パターン40を構成する複数の要素図形を、最大サイズを含む要素図形を優先適用して再構成した場合の図形パターン40を構成する複数の要素図形の一例を示している。図17(a)に示す描画データ上の図形パターン40を構成する例えば12個の要素図形は、図7に示す図形パターン40を構成する複数の要素図形と同様である。   FIG. 17 is a diagram showing an example of element figures to be reconstructed in the third embodiment. In FIG. 17B, the graphic pattern 40 when the plurality of element figures constituting the graphic pattern 40 on the drawing data shown in FIG. 17A are reconfigured by preferentially applying the element figure including the maximum size. An example of a plurality of constituent figures is shown. For example, twelve element figures constituting the figure pattern 40 on the drawing data shown in FIG. 17A are the same as the plurality of element figures constituting the figure pattern 40 shown in FIG.

図17(b)の例では、図形パターン40に、まず、最大サイズdmaxの正方形G1を配置する。次に、最大サイズdmaxよりも小さいサイズdの3つの正方形G2を配置する。そして、残りの領域に最大サイズdmax未満のサイズの領域の矩形G4と矩形G4を配置する。これにより、図17(b)の例では、図形パターン40を6つの要素図形によって再構成する。以上のように、実施の形態3における再構成処理部63は、対象検査ストライプ20について、描画データに定義される図形パターン毎に、図形パターンの構成を、元の複数の要素図形(第1の図形)の組合せとは異なる、最大サイズdmax以内のできるだけ大きい正方形の要素図形を優先適用した複数の要素図形(第2の図形)の組合せにより再構成する。再構成された各図形パターン40のパターンデータ(2)は、記憶装置64に格納される。また、再構成前の元の描画データ上に定義されていた各図形パターン40のパターンデータ(1)と、再構成された各図形パターン40のパターンデータ(2)は、データ比較判定回路142に出力される。   In the example of FIG. 17B, a square G1 having the maximum size dmax is first arranged in the graphic pattern 40. Next, three squares G2 having a size d smaller than the maximum size dmax are arranged. Then, a rectangle G4 and a rectangle G4 having a size smaller than the maximum size dmax are arranged in the remaining region. As a result, in the example of FIG. 17B, the graphic pattern 40 is reconstructed with six element figures. As described above, the reconstruction processing unit 63 according to the third embodiment converts the configuration of the graphic pattern for the target inspection stripe 20 for each graphic pattern defined in the drawing data to a plurality of original element graphics (first elements). A combination of a plurality of element figures (second figures) preferentially applied to a square element figure as large as possible within the maximum size dmax, which is different from the combination of figures). The reconstructed pattern data (2) of each graphic pattern 40 is stored in the storage device 64. Also, the pattern data (1) of each graphic pattern 40 defined on the original drawing data before reconstruction and the pattern data (2) of each reconstructed graphic pattern 40 are sent to the data comparison / determination circuit 142. Is output.

例えば、図17(a)に示す描画データ(設計データ)上の図形パターン40を構成する12個の要素図形のパターンデータ(1)が図9に示すパターンデータのフォーマットで作成された場合、12×6mバイトが必要となる。これを図17(b)に示す手法で再構成した場合、再構成後の4つの要素図形のパターンデータ(2)では6×6mバイトにデータサイズを低減できる。   For example, when the pattern data (1) of 12 element figures constituting the figure pattern 40 on the drawing data (design data) shown in FIG. 17A is created in the pattern data format shown in FIG. * 6m bytes are required. When this is reconstructed by the method shown in FIG. 17B, the data size can be reduced to 6 × 6 mbytes in the pattern data (2) of the four element figures after reconstruction.

以降の各工程の内容は、実施の形態1と同様である。   The contents of the subsequent steps are the same as those in the first embodiment.

以上のように、実施の形態3では、図形パターン40を構成する要素図形を、最大サイズdmax以内のできるだけ大きい正方形の要素図形を優先適用して新たに再構成することで、データサイズを低減できる。よって、検査対象基板101に形成されるパターンの元データを使って、画像展開する場合に、データ処理時間を短縮できる。その結果、検査時間を短縮できる。   As described above, in the third embodiment, the data size can be reduced by reconfiguring the element figures constituting the figure pattern 40 by preferentially applying as large a square element figure as possible within the maximum size dmax. . Therefore, when image development is performed using the original data of the pattern formed on the inspection target substrate 101, the data processing time can be shortened. As a result, the inspection time can be shortened.

以上、具体例を参照しつつ実施の形態について説明した。しかし、本発明は、これらの具体例に限定されるものではない。例えば、実施の形態では、照明光学系170として、透過光を用いた透過照明光学系を示したが、これに限るものではない。例えば、反射光を用いた反射照明光学系であってもよい。或いは、透過照明光学系と反射照明光学系とを組み合わせて、透過光と反射光を同時に用いてもよい。
また、光源103は、紫外線(光)の光源に限るものではなく、電子ビームの放出源であっても良い。ただし、電子ビームを検査光として用いる場合は、反射画像のみのDB検査を行う。
The embodiments have been described above with reference to specific examples. However, the present invention is not limited to these specific examples. For example, in the embodiment, a transmission illumination optical system using transmitted light is shown as the illumination optical system 170, but the present invention is not limited to this. For example, a reflective illumination optical system using reflected light may be used. Alternatively, the transmitted light and the reflected light may be used simultaneously by combining the transmitted illumination optical system and the reflected illumination optical system.
The light source 103 is not limited to an ultraviolet (light) light source, and may be an electron beam emission source. However, when an electron beam is used as inspection light, DB inspection of only the reflected image is performed.

また、装置構成や制御手法等、本発明の説明に直接必要しない部分等については記載を省略したが、必要とされる装置構成や制御手法を適宜選択して用いることができる。例えば、検査装置100を制御する制御部構成については、記載を省略したが、必要とされる制御部構成を適宜選択して用いることは言うまでもない。   In addition, although descriptions are omitted for parts and the like that are not directly required for the description of the present invention, such as a device configuration and a control method, a required device configuration and a control method can be appropriately selected and used. For example, although the description of the configuration of the control unit that controls the inspection apparatus 100 is omitted, it goes without saying that the required control unit configuration is appropriately selected and used.

その他、本発明の要素を具備し、当業者が適宜設計変更しうる全てのパターン検査装置及びパターン検査方法は、本発明の範囲に包含される。   In addition, all pattern inspection apparatuses and pattern inspection methods that include elements of the present invention and that can be appropriately modified by those skilled in the art are included in the scope of the present invention.

10 検査領域
20 検査ストライプ
30 フレーム領域
32 サンプリング領域
40 図形パターン
41 要素図形
50 サンプリング領域抽出部
51,55,56,57,60,64 記憶装置
52 タイプA再構成処理部
53 タイプB再構成処理部
54 タイプC再構成処理部
58 タイプ比較部
59 選択部
62,63 再構成処理部
70,72,76 記憶装置
74 フレーム分割部
78 位置合わせ部
79 比較処理部
82 データサイズ比較部
84 選択部
86 図形数比較部
88 選択部
80,81,89 記憶装置
100 検査装置
101 基板
102 XYθテーブル
103 光源
104 拡大光学系
105 フォトダイオードアレイ
106 センサ回路
107 位置回路
108 比較回路
109 磁気ディスク装置
110 制御計算機
111 展開回路
112 参照回路
113 オートローダ制御回路
114 テーブル制御回路
115 磁気テープ装置
116 FD
117 CRT
118 パターンモニタ
119 プリンタ
120 バス
122 レーザ測長システム
123 ストライプパターンメモリ
140 再構成処理回路
142 データ比較判定回路
150 光学画像取得機構
160 制御系回路
170 照明光学系
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Inspection area 20 Inspection stripe 30 Frame area 32 Sampling area 40 Graphic pattern 41 Element figure 50 Sampling area extraction part 51,55,56,57,60,64 Storage device 52 Type A reconstruction process part 53 Type B reconstruction process part 54 type C reconstruction processing unit 58 type comparison unit 59 selection unit 62, 63 reconstruction processing unit 70, 72, 76 storage device 74 frame division unit 78 alignment unit 79 comparison processing unit 82 data size comparison unit 84 selection unit 86 figure Number comparison unit 88 Selection unit 80, 81, 89 Storage device 100 Inspection device 101 Substrate 102 XYθ table 103 Light source 104 Magnifying optical system 105 Photodiode array 106 Sensor circuit 107 Position circuit 108 Comparison circuit 109 Magnetic disk device 110 Control computer 111 Expansion circuit 112 Reference times 113 Autoloader control circuit 114 table control circuit 115 the magnetic tape device 116 FD
117 CRT
118 Pattern Monitor 119 Printer 120 Bus 122 Laser Length Measuring System 123 Stripe Pattern Memory 140 Reconstruction Processing Circuit 142 Data Comparison Judgment Circuit 150 Optical Image Acquisition Mechanism 160 Control System Circuit 170 Illumination Optical System

Claims (5)

複数の第1の図形の組合せにより構成される図形パターンが定義された描画データに基づいてパターンが形成された基板から光学画像を取得する光学画像取得機構と、
前記描画データを記憶する記憶装置と、
前記記憶装置から前記描画データを読み出し、前記図形パターンの構成を、予め設定された最大サイズ内の新たな図形を配置し直すことで、前記複数の第1の図形の組合せとは異なる複数の第2の図形の組合せにより再構成する再構成処理部と、
再構成前の前記複数の第1の図形のデータと再構成された前記複数の第2の図形のデータとの一方を選択的に画像展開する展開処理部と、
画像展開された展開画像を用いて、検査対象の光学画像に対応する参照画像を作成する参照画像作成部と、
前記光学画像と前記参照画像とを比較する比較部と、
を備えたことを特徴とするパターン検査装置。
An optical image acquisition mechanism for acquiring an optical image from a substrate on which a pattern is formed based on drawing data in which a graphic pattern constituted by a combination of a plurality of first graphics is defined;
A storage device for storing the drawing data;
The drawing data is read from the storage device, and the graphic pattern configuration is rearranged with a new graphic within a preset maximum size, thereby allowing a plurality of first graphics different from the plurality of first graphic combinations. A reconfiguration processing unit that reconfigures by combining two figures;
A development processing unit that selectively develops one of the data of the plurality of first graphics before reconstruction and the data of the plurality of second graphics reconstructed;
A reference image creating unit that creates a reference image corresponding to the optical image to be inspected using the developed image that has been developed,
A comparison unit for comparing the optical image with the reference image;
A pattern inspection apparatus comprising:
再構成前の前記複数の第1の図形のデータのデータサイズと再構成後の前記複数の第2の図形のデータのデータサイズとを比較するデータサイズ比較部をさらに備え、
前記展開処理部は、前記複数の第1の図形のデータが前記複数の第2の図形のデータよりもデータサイズが小さい場合には、前記複数の第1の図形のデータを画像展開し、前記複数の第2の図形のデータが前記複数の第1の図形のデータよりもデータサイズが小さい場合には、前記複数の第2の図形のデータを画像展開することを特徴とする請求項1記載のパターン検査装置。
A data size comparison unit that compares the data size of the data of the plurality of first graphics before reconstruction with the data size of the data of the plurality of second graphics after reconstruction;
When the data of the plurality of first graphics has a data size smaller than the data of the plurality of second graphics, the development processing unit develops an image of the data of the plurality of first graphics, and 2. The data of the plurality of second graphics is developed when the data size of the plurality of second graphics is smaller than the data of the plurality of first graphics. Pattern inspection equipment.
再構成前の前記複数の第1の図形のデータの図形数と再構成後の前記複数の第2の図形のデータの図形数とを比較する図形数比較部をさらに備え、
前記展開処理部は、前記複数の第1の図形のデータが前記複数の第2の図形のデータよりも図形数が少ない場合には、前記複数の第1の図形のデータを画像展開し、前記複数の第2の図形のデータが前記複数の第1の図形のデータよりも図形数が少ない場合には、前記複数の第2の図形のデータを画像展開することを特徴とする請求項1記載のパターン検査装置。
A graphic number comparison unit that compares the graphic number of the data of the plurality of first graphics before reconstruction with the graphic number of the data of the plurality of second graphics after reconstruction;
The development processing unit develops an image of the data of the plurality of first graphics when the number of graphics of the plurality of first graphics is smaller than the number of data of the plurality of second graphics, 2. The data of the plurality of second graphics is developed when the number of graphics of the plurality of second graphics is smaller than the number of data of the plurality of first graphics. Pattern inspection equipment.
前記再構成処理部は、縦横サイズ比が所定の範囲内の第1の矩形を優先適用して前記複数の第2の図形を作成する第1のタイプと、横サイズが縦サイズよりも前記所定の範囲を超えて長い第2の矩形を優先適用して前記複数の第2の図形を作成する第2のタイプと、縦サイズが横サイズよりも前記所定の範囲を超えて長い第3の矩形を優先適用して前記複数の第2の図形を作成する第3のタイプと、でそれぞれ前記複数の第2の図形を作成し、
前記第1のタイプにより作成された前記複数の第2の図形のデータのデータサイズと、前記第2のタイプにより作成された前記複数の第2の図形のデータのデータサイズと、前記第3のタイプにより作成された前記複数の第2の図形のデータのデータサイズと、を比較するタイプ比較部をさらに備え、
前記展開処理部は、前記第1〜第3のタイプのうち、データサイズが最小となるタイプにより作成された前記複数の第2の図形のデータを画像展開することを特徴とする請求項1又は2記載のパターン検査装置。
The reconstruction processing unit preferentially applies a first rectangle having a vertical / horizontal size ratio within a predetermined range to create the plurality of second figures, and the horizontal size is the predetermined size rather than the vertical size. A second type that preferentially applies a second rectangle that is longer than the range and creates the plurality of second figures, and a third rectangle whose vertical size is longer than the predetermined range and longer than the predetermined range And a third type for creating the plurality of second graphics by preferentially applying the plurality of second graphics,
A data size of the data of the plurality of second graphics created by the first type, a data size of the data of the plurality of second graphics created by the second type, and the third A type comparison unit that compares data sizes of the data of the plurality of second graphics created by type;
2. The image processing apparatus according to claim 1, wherein the expansion processing unit expands an image of the data of the plurality of second graphics created by a type having a minimum data size among the first to third types. 2. The pattern inspection apparatus according to 2.
前記再構成処理部は、予め設定された最大サイズの第1の正方形を優先適用し、次に、前記最大サイズよりも小さいサイズの第2の正方形を優先適用して、前記複数の第2の図形を作成することを特徴とする請求項1〜3いずれか記載のパターン検査装置。   The reconfiguration processing unit preferentially applies a first square having a preset maximum size, and then preferentially applies a second square having a size smaller than the maximum size, so that the plurality of second squares The pattern inspection apparatus according to claim 1, wherein a pattern is created.
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