JP2019175678A - Differential signal transmission cable, multicore cable, and method for manufacturing differential signal transmission cable - Google Patents
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Abstract
Description
本開示は差動信号伝送用ケーブル、多芯ケーブル、及び差動信号伝送用ケーブルの製造方法に関する。 The present disclosure relates to a differential signal transmission cable, a multicore cable, and a method for manufacturing a differential signal transmission cable.
従来、電子機器間の信号伝送、又は、電子機器内の基板間の信号伝送に、差動信号伝送用ケーブルが用いられる。電子機器として、例えば、数Gbps以上の高速信号を扱うサーバ、ルータ、ストレージ製品等が挙げられる。差動信号伝送用ケーブルは一対の信号線を備える(特許文献1参照)。 Conventionally, a differential signal transmission cable is used for signal transmission between electronic devices or signal transmission between substrates in an electronic device. Examples of electronic devices include servers, routers, and storage products that handle high-speed signals of several Gbps or more. The differential signal transmission cable includes a pair of signal lines (see Patent Document 1).
差動信号伝送用ケーブルを用いて、受信側に対し、差動信号による信号伝送を行うことができる。差動信号による信号伝送では、差動信号伝送用ケーブルが備える一対の信号線に、互いに逆位相の信号を入力する。受信側は、互いに逆位相の信号の差分を合成して出力を得る。 Using the differential signal transmission cable, signal transmission using a differential signal can be performed on the receiving side. In signal transmission using differential signals, signals having opposite phases are input to a pair of signal lines provided in the differential signal transmission cable. The receiving side obtains an output by synthesizing the difference between the signals having opposite phases.
従来の差動信号伝送用ケーブルは、それぞれの信号線の周囲を被覆する絶縁体層と、その絶縁体層の外周面にスパイラル状に巻き付けられた金属箔テープとを備える。金属箔テープの緩み等により、絶縁体層の外周面と金属箔テープとの間に空隙が発生することがある。この空隙が発生すると、一対の信号線の間で伝播時間に差が生じる。この現象は対内スキューと呼ばれる。対内スキューが生じると、一対の信号線により伝送される信号の差動成分が同相成分へ変換されるため、受信側で得られる出力の波形劣化が顕著になる。 A conventional differential signal transmission cable includes an insulator layer covering the periphery of each signal line, and a metal foil tape wound around the outer peripheral surface of the insulator layer in a spiral shape. Due to the looseness of the metal foil tape, a gap may be generated between the outer peripheral surface of the insulator layer and the metal foil tape. When this gap is generated, there is a difference in propagation time between the pair of signal lines. This phenomenon is called inward skew. When the inward skew occurs, the differential component of the signal transmitted through the pair of signal lines is converted into the in-phase component, so that the output waveform obtained on the receiving side is significantly degraded.
また、スパイラル状に巻き付けられたに金属箔テープは、金属箔テープの巻きピッチを周期とする周期構造を有する。そのため、周期構造に起因する微小なサックアウトが発生する。 In addition, the metal foil tape wound in a spiral shape has a periodic structure in which the winding pitch of the metal foil tape is a period. Therefore, a minute suckout due to the periodic structure occurs.
本開示の一局面は、差動同相変換量及びサックアウトを抑制することができる差動信号伝送用ケーブル、多芯ケーブル、及び差動信号伝送用ケーブルの製造方法提供することを目的とする。 An object of one aspect of the present disclosure is to provide a differential signal transmission cable, a multicore cable, and a method for manufacturing a differential signal transmission cable that can suppress a differential common-mode conversion amount and suckout.
本開示の一局面は、一対の信号線と、前記信号線の周囲を被覆する絶縁体層と、前記絶縁体層を被覆するめっき層と、前記めっき層の外周面に巻かれ、前記めっき層と電気的に接続した金属箔テープと、を備える差動信号伝送用ケーブルである。 One aspect of the present disclosure includes a pair of signal lines, an insulator layer that covers the periphery of the signal line, a plating layer that covers the insulator layer, and an outer peripheral surface of the plating layer, and the plating layer And a metal foil tape electrically connected to the differential signal transmission cable.
本開示の一局面である差動信号伝送用ケーブルによれば、差動同相変換量及びサックアウトを低減できる。
本開示の別の局面は、複数本の差動信号伝送用ケーブルと、前記複数本の差動信号伝送用ケーブルを一括して被覆する導体層と、前記導体層を被覆するジャケットと、を備える多芯ケーブルであって、前記複数本の差動信号伝送用ケーブルのそれぞれは、本開示の一局面である差動信号伝送用ケーブルと、前記金属箔テープを被覆する外側絶縁層とにより構成される多芯ケーブルである。
According to the differential signal transmission cable which is one aspect of the present disclosure, the differential common-mode conversion amount and the suckout can be reduced.
Another aspect of the present disclosure includes a plurality of differential signal transmission cables, a conductor layer that collectively covers the plurality of differential signal transmission cables, and a jacket that covers the conductor layer. Each of the plurality of differential signal transmission cables is a multi-core cable, and is configured by a differential signal transmission cable that is one aspect of the present disclosure and an outer insulating layer that covers the metal foil tape. This is a multicore cable.
本開示の別の局面である多芯ケーブルによれば、差動同相変換量及びサックアウトを低減できる。
本開示の別の局面は、差動信号伝送用ケーブルの製造方法であって、一対の信号線の周囲を絶縁体層で被覆し、前記絶縁体層の外周面をめっき層で被覆し、前記めっき層の外周面に金属箔テープを巻く差動信号伝送用ケーブルの製造方法である。
According to the multicore cable which is another aspect of the present disclosure, it is possible to reduce the differential common-mode conversion amount and the suckout.
Another aspect of the present disclosure is a method for manufacturing a differential signal transmission cable, in which a pair of signal lines are covered with an insulator layer, and an outer peripheral surface of the insulator layer is covered with a plating layer, This is a method for manufacturing a differential signal transmission cable in which a metal foil tape is wound around the outer peripheral surface of a plating layer.
本開示の別の局面である差動信号伝送用ケーブルの製造方法によれば、差動同相変換量及びサックアウトが小さい差動信号伝送用ケーブルを製造できる。 According to the method for manufacturing a differential signal transmission cable according to another aspect of the present disclosure, a differential signal transmission cable with a small differential in-phase conversion amount and a suck-out can be manufactured.
本開示の例示的な実施形態を、図面を参照しながら説明する。
1.差動信号伝送用ケーブル
(1−1)差動信号伝送用ケーブルの基本的な構成
本開示の差動信号伝送用ケーブルは、一対の信号線と、前記信号線の周囲を被覆する絶縁体層と、前記絶縁体層を被覆するめっき層とを備える。
Exemplary embodiments of the present disclosure will be described with reference to the drawings.
1. Differential Signal Transmission Cable (1-1) Basic Configuration of Differential Signal Transmission Cable A differential signal transmission cable according to the present disclosure includes a pair of signal lines and an insulator layer covering the periphery of the signal lines And a plating layer that covers the insulator layer.
本開示の差動信号伝送用ケーブルは、例えば、図1に示す構成を有する。図1示すように、差動信号伝送用ケーブル1は、一対の信号線3と、絶縁体層5と、めっき層7と、を備える。絶縁体層5は信号線3の周囲を被覆する。図1に示す例では、絶縁体層5は、一対の信号線3を一括して被覆する。信号線3は、例えば、素線により構成される。信号線3は、例えば、複数の素線を撚って形成された撚線であってもよい。撚線である場合、信号線3の屈曲性が向上する。 The differential signal transmission cable of the present disclosure has, for example, the configuration illustrated in FIG. As shown in FIG. 1, the differential signal transmission cable 1 includes a pair of signal lines 3, an insulator layer 5, and a plating layer 7. The insulator layer 5 covers the periphery of the signal line 3. In the example shown in FIG. 1, the insulator layer 5 covers a pair of signal lines 3 in a lump. The signal line 3 is composed of, for example, a strand. For example, the signal line 3 may be a stranded wire formed by twisting a plurality of strands. In the case of a stranded wire, the flexibility of the signal line 3 is improved.
本開示の差動信号伝送用ケーブル1は、例えば、図24に示すように、一対の信号線3、絶縁体層5、及びめっき層7に加えて、金属箔テープ9をさらに備えていてもよい。金属箔テープ9は、めっき層7の外周面に巻かれている。めっき層7と金属箔テープ9とは電気的に接続している。めっき層7と金属箔テープ9とが電気的に接続していることにより、サックアウトを抑制できる。めっき層7及び金属箔テープ9はそれぞれシールド層として機能する。金属箔テープ9の巻き方として、例えば、図24に示すように、スパイラル状に巻く方法がある。 The differential signal transmission cable 1 according to the present disclosure may further include a metal foil tape 9 in addition to the pair of signal lines 3, the insulator layer 5, and the plating layer 7, for example, as illustrated in FIG. 24. Good. The metal foil tape 9 is wound around the outer peripheral surface of the plating layer 7. The plating layer 7 and the metal foil tape 9 are electrically connected. Since the plating layer 7 and the metal foil tape 9 are electrically connected, suck-out can be suppressed. The plating layer 7 and the metal foil tape 9 each function as a shield layer. As a method of winding the metal foil tape 9, for example, there is a method of winding in a spiral shape as shown in FIG.
本開示の差動信号伝送用ケーブルは、50GHz以下の周波数帯域において、差動同相変換量の最大値が−26dB以下であることが好ましい。差動同相変換量の測定は、差動信号伝送用ケーブルをドラム等に巻く前に行う。本開示の差動信号伝送用ケーブルにおいて、めっき層と絶縁体層との間に隙間が生じにくい。そのため、本開示の差動信号伝送用ケーブルは差動同相変換量を抑制することができる。 The differential signal transmission cable according to the present disclosure preferably has a maximum differential common-mode conversion amount of −26 dB or less in a frequency band of 50 GHz or less. The differential in-phase conversion amount is measured before winding the differential signal transmission cable around a drum or the like. In the differential signal transmission cable according to the present disclosure, a gap is hardly generated between the plating layer and the insulator layer. Therefore, the differential signal transmission cable of the present disclosure can suppress the differential common-mode conversion amount.
本開示の差動信号伝送用ケーブルは、例えば、電子機器間の信号伝送、又は、電子機器内の基板間の信号伝送等に使用することができる。電子機器として、例えば、数Gbps以上の高速信号を扱うサーバ、ルータ、ストレージ製品等が挙げられる。また、本開示の差動信号伝送用ケーブルは、例えば、音響用ケーブルとして使用することができる。本開示の差動信号伝送用ケーブルは、例えば、25GHz以上の高速信号を伝送するケーブルである。 The differential signal transmission cable of the present disclosure can be used, for example, for signal transmission between electronic devices or signal transmission between substrates in the electronic device. Examples of electronic devices include servers, routers, and storage products that handle high-speed signals of several Gbps or more. Moreover, the differential signal transmission cable of the present disclosure can be used as an acoustic cable, for example. The differential signal transmission cable of the present disclosure is, for example, a cable that transmits a high-speed signal of 25 GHz or more.
(1−2)絶縁体層
絶縁体層は、一対の信号線を一括して被覆することが好ましい。一括して被覆するとは、一体である絶縁層により、一対の信号線の両方を被覆することを意味する。絶縁体層が一対の信号線を一括して被覆する場合、個々の信号線ごとに被覆する場合のように、絶縁体層同士の間の隙間が生じない。そのため、差動信号伝送用ケーブルの長手方向における誘電率のばらつきを抑制できる。その結果、差動同相変換量を一層抑制することができる。
(1-2) Insulator layer The insulator layer preferably covers a pair of signal lines in a lump. Covering collectively means that both of a pair of signal lines are covered by an integral insulating layer. When the insulator layer covers a pair of signal lines at once, there is no gap between the insulator layers as in the case of covering each signal line. Therefore, variation in the dielectric constant in the longitudinal direction of the differential signal transmission cable can be suppressed. As a result, the differential common-mode conversion amount can be further suppressed.
また、絶縁体層が一対の信号線を一括して被覆する場合、絶縁体層の外周面上にめっき層を一層均一に形成することができる。また、一対の信号線のうちの一方の信号線を被覆する絶縁体層と、他方の信号線を被覆する絶縁体層とは、別体であってもよい。 Further, when the insulator layer covers the pair of signal lines at once, the plating layer can be formed more uniformly on the outer peripheral surface of the insulator layer. Further, the insulator layer that covers one signal line of the pair of signal lines and the insulator layer that covers the other signal line may be separate.
一対の信号線の延在方向に直交する断面において、絶縁体層の外縁の形状が、長円形又は楕円形であることが好ましい。この場合、絶縁体層の外周面における全体にわたって均一にめっき層を形成することが容易になる。また、絶縁体層の外周面における全体にわたって均一に表面粗化及び表面改質を行うことが容易になる。長円形とは、対向する平行な2本の直線と、その直線の端部同士を接続する円弧から成る形状である。 In the cross section orthogonal to the extending direction of the pair of signal lines, the shape of the outer edge of the insulator layer is preferably an oval or an ellipse. In this case, it becomes easy to form a plating layer uniformly over the entire outer peripheral surface of the insulator layer. Moreover, it becomes easy to perform surface roughening and surface modification uniformly over the entire outer peripheral surface of the insulator layer. An oval is a shape composed of two opposing parallel straight lines and an arc connecting ends of the straight lines.
絶縁体層の外周面における算術平均粗さRaは、0.6μm以上であることが好ましい。この場合、めっき層と絶縁体層との密着性が高く、めっき層が絶縁体層からはがれ難い。また、算術平均粗さRaが0.6μm以上である場合、絶縁体層とめっき層との密着性が向上し、絶縁体層とめっき層との間に空隙が生じ難い。そのため、差動同相変換量を一層抑制することができる。 The arithmetic average roughness Ra on the outer peripheral surface of the insulator layer is preferably 0.6 μm or more. In this case, the adhesion between the plating layer and the insulator layer is high, and the plating layer is difficult to peel off from the insulator layer. Moreover, when arithmetic average roughness Ra is 0.6 micrometer or more, the adhesiveness of an insulator layer and a plating layer improves, and it is hard to produce a space | gap between an insulator layer and a plating layer. Therefore, the differential common-mode conversion amount can be further suppressed.
絶縁体層の外周面における算術平均粗さRaを0.6μm以上とする方法として、例えば、ブラスト処理、酸性又はアルカリ性溶液浸漬、クロム酸溶液浸漬、キレート溶液浸漬等の表面粗化処理を行う方法がある。 As a method of setting the arithmetic average roughness Ra on the outer peripheral surface of the insulator layer to 0.6 μm or more, for example, a method of performing surface roughening treatment such as blast treatment, acidic or alkaline solution immersion, chromic acid solution immersion, chelate solution immersion, etc. There is.
ブラスト処理において処理対象物に吹き付ける粉体として、例えば、ドライアイス、金属粒子、カーボン粒子、酸化物粒子、炭化物粒子、窒化物粒子等から成る粉体が挙げられる。ドライアイスから成る粉体は、ブラスト処理後に絶縁体層の中に残留し難いため好ましい。 Examples of the powder to be sprayed on the object to be treated in the blasting process include a powder composed of dry ice, metal particles, carbon particles, oxide particles, carbide particles, nitride particles, and the like. Dry ice powder is preferable because it hardly remains in the insulator layer after blasting.
ブラスト処理において、粉体を噴出するときの速度を高くするほど、絶縁体層の外周面における算術平均粗さRaを大きくすることができる。ブラスト処理の時間を長くするほど、絶縁体層の外周面における算術平均粗さRaを大きくすることができる。粉体を噴き出すノズルの先端と絶縁体層の外周面との距離を小さくするほど、絶縁体層の外周面における算術平均粗さRaを大きくすることができる。 In the blast treatment, the arithmetic average roughness Ra on the outer peripheral surface of the insulator layer can be increased as the speed at which the powder is ejected is increased. The longer the time for blasting, the greater the arithmetic average roughness Ra on the outer peripheral surface of the insulator layer. The arithmetic mean roughness Ra on the outer peripheral surface of the insulator layer can be increased as the distance between the tip of the nozzle that ejects the powder and the outer peripheral surface of the insulator layer is decreased.
絶縁体層の外周面における算術平均粗さRaは、10μm以下であることが好ましく、5μm以下であることがより好ましい。10μm以下である場合、伝送損失を抑制できる。 The arithmetic average roughness Ra on the outer peripheral surface of the insulator layer is preferably 10 μm or less, and more preferably 5 μm or less. When it is 10 μm or less, transmission loss can be suppressed.
算術平均粗さRaの測定方法は、キーエンス製のレーザ顕微鏡VK8500を使用する測定方法である。具体的な測定条件は以下のとおりである。絶縁体層の外周面のうち、互いに反対側に位置し、平坦又は最も曲率が小さい2箇所(以下では第1測定位置及び第2測定位置とする)を選択する。第1測定位置において、ケーブルの長手方向の長さが150μmであり、ケーブルの周方向の長さが120μmである矩形の測定領域を設定する。その測定領域において、上記のレーザ顕微鏡を用いて算術平均粗さRaを測定する。また、第2測定位置においても、同様に、算術平均粗さRaを測定する。最後に、第1測定位置における算術平均粗さRaと、第2測定位置における算術平均粗さRaとの平均値を算出し、その平均値を絶縁体層の外周面における算術平均粗さRaとする。算術平均粗さRaは、めっき層を形成する前の時点における値である。 The arithmetic average roughness Ra is measured using a Keyence laser microscope VK8500. Specific measurement conditions are as follows. Of the outer peripheral surface of the insulator layer, two locations (hereinafter, referred to as a first measurement position and a second measurement position) that are located on opposite sides and have the smallest curvature are selected. At the first measurement position, a rectangular measurement region in which the length in the longitudinal direction of the cable is 150 μm and the length in the circumferential direction of the cable is 120 μm is set. In the measurement region, the arithmetic average roughness Ra is measured using the laser microscope. Similarly, the arithmetic average roughness Ra is measured at the second measurement position. Finally, an average value of the arithmetic average roughness Ra at the first measurement position and the arithmetic average roughness Ra at the second measurement position is calculated, and the average value is calculated as the arithmetic average roughness Ra on the outer peripheral surface of the insulator layer. To do. The arithmetic average roughness Ra is a value at the time before forming the plating layer.
絶縁体層の外周面における算術平均粗さRaが0.6μm以上である場合に、めっき層が絶縁体層からはがれ難いことを以下の試験(以下では第1の試験とする)により確認した。ポリエチレン製の基板を用意した。この基板は絶縁体層に対応する。基板に対し、ドライアイスを粉体として用いるブラスト処理(以下ではドライアイスブラスト処理とする)を行った。ドライアイスブラスト処理は表面粗化処理に対応する。ドライアイスブラスト処理後における基板の表面の算術平均粗さRaは0.6μm以上であった。その後、基板に対し、表面改質処理としてコロナ放電暴露処理を行った。なお、表面改質処理として、例えば、電子線照射、イオン照射、コロナ放電暴露、プラズマ暴露、紫外線照射、X線照射、γ線照射、オゾン含有液浸漬等の処理を行ってもよい。コロナ放電暴露処理後における基板の表面の付着ぬれ表面自由エネルギーは66mJ/m2以上であり、接触角は95°以上であった。なお、付着ぬれ表面自由エネルギーの測定方法は後述する。 When the arithmetic average roughness Ra on the outer peripheral surface of the insulator layer was 0.6 μm or more, it was confirmed by the following test (hereinafter referred to as the first test) that the plating layer was not easily peeled off from the insulator layer. A polyethylene substrate was prepared. This substrate corresponds to the insulator layer. The substrate was subjected to blasting using dry ice as powder (hereinafter referred to as dry ice blasting). Dry ice blasting corresponds to surface roughening. The arithmetic average roughness Ra of the surface of the substrate after the dry ice blast treatment was 0.6 μm or more. Thereafter, the substrate was subjected to corona discharge exposure treatment as a surface modification treatment. As the surface modification treatment, for example, treatments such as electron beam irradiation, ion irradiation, corona discharge exposure, plasma exposure, ultraviolet irradiation, X-ray irradiation, γ-ray irradiation, and immersion in an ozone-containing liquid may be performed. The surface wetting surface free energy on the surface of the substrate after the corona discharge exposure treatment was 66 mJ / m 2 or more, and the contact angle was 95 ° or more. A method for measuring the adhesion wetting surface free energy will be described later.
コロナ放電暴露処理後、無電解めっき法により、基板の表面に銅めっき層を形成した。次に、銅めっき層に碁盤目状に切り込みを入れた。切り込みは銅めっき層を貫通し、基板まで到達した。次に、銅めっき層に接着テープを貼り付けてから、接着テープを剥がした。そのときの銅めっき層の状態を図2Bに示す。図2Bにおいて181は切り込みを表す。銅めっき層は、どの碁盤の目においても剥離しなかった。すなわち、銅めっき層と基板との密着性は高かった。 After the corona discharge exposure treatment, a copper plating layer was formed on the surface of the substrate by electroless plating. Next, the copper plating layer was cut into a grid pattern. The cut penetrated the copper plating layer and reached the substrate. Next, after affixing the adhesive tape on the copper plating layer, the adhesive tape was peeled off. The state of the copper plating layer at that time is shown in FIG. 2B. In FIG. 2B, 181 represents a notch. The copper plating layer did not peel in any grid. That is, the adhesion between the copper plating layer and the substrate was high.
基本的には同様の方法で、比較例の試験を行った。比較例では、基板に対し表面粗化処理及び表面改質処理は行わなかった。基板の表面の算術平均粗さRaは0.13μmであった。比較例において接着テープを剥がしたときの銅めっき層の状態を図2Aに示す。20個の碁盤目のうち、17個において銅めっき層が剥離し、基板が露出した部分182が生じた。すなわち、比較例では、銅めっき層と基板との密着性が低かった。 The test of the comparative example was basically performed in the same manner. In the comparative example, the surface roughening treatment and the surface modification treatment were not performed on the substrate. The arithmetic average roughness Ra of the surface of the substrate was 0.13 μm. The state of the copper plating layer when the adhesive tape is peeled off in the comparative example is shown in FIG. 2A. Of the 20 grids, 17 had a copper plating layer peeled off, resulting in a portion 182 where the substrate was exposed. That is, in the comparative example, the adhesion between the copper plating layer and the substrate was low.
絶縁体層の外周面における接触角は95°以下であることが好ましい。この場合、めっき層の厚みを均一にすることが容易になる。めっき層の厚みを均一にすると、差動信号伝送用ケーブルの伝送損失を抑制することができる。 The contact angle on the outer peripheral surface of the insulator layer is preferably 95 ° or less. In this case, it becomes easy to make the thickness of the plating layer uniform. If the thickness of the plating layer is made uniform, the transmission loss of the differential signal transmission cable can be suppressed.
絶縁体層の外周面における接触角を95°以下にする方法として、例えば、電子線照射、イオン照射、コロナ放電暴露、プラズマ暴露、紫外線照射、X線照射、γ線照射、オゾン含有液浸漬等の表面改質処理を行う方法が挙げられる。 Examples of methods for setting the contact angle on the outer peripheral surface of the insulator layer to 95 ° or less include electron beam irradiation, ion irradiation, corona discharge exposure, plasma exposure, ultraviolet irradiation, X-ray irradiation, γ-ray irradiation, immersion in an ozone-containing liquid, etc. And a method of performing the surface modification treatment.
いずれの処理においても、処理の強度を高くするほど、接触角を小さくすることができる。また、処理時間を長くするほど、接触角を小さくすることができる。コロナ放電暴露による表面改質効果を高める方法として、例えば、電圧を大きくする方法、コロナ放電暴露の雰囲気における酸素濃度を高くする方法等が挙げられる。接触角の測定方法は、直径1.5mmの水滴を絶縁体層の外周面に滴下して接触角を読み取る方法である。接触角は、めっき層を形成する前の時点における値である。 In any process, the contact angle can be decreased as the intensity of the process is increased. Further, the longer the processing time, the smaller the contact angle. Examples of a method for enhancing the surface modification effect by corona discharge exposure include a method of increasing the voltage and a method of increasing the oxygen concentration in the atmosphere of corona discharge exposure. The measurement method of the contact angle is a method of reading the contact angle by dropping a water droplet having a diameter of 1.5 mm on the outer peripheral surface of the insulator layer. The contact angle is a value at the time before the plating layer is formed.
絶縁体層の外周面における付着ぬれ表面自由エネルギーの絶対値が66mJ/m2以上であることが好ましい。この場合、めっき層の厚みを均一にすることが容易になる。めっき層の厚みを均一にすると、差動信号伝送用ケーブルの伝送損失を抑制することができる。 The absolute value of the adhesion wetting surface free energy on the outer peripheral surface of the insulator layer is preferably 66 mJ / m 2 or more. In this case, it becomes easy to make the thickness of the plating layer uniform. If the thickness of the plating layer is made uniform, the transmission loss of the differential signal transmission cable can be suppressed.
絶縁体層の外周面における付着ぬれ表面自由エネルギーの絶対値を66mJ/m2以上にする方法として、例えば、電子線照射、イオン照射、コロナ放電暴露、プラズマ暴露、紫外線照射、X線照射、γ線照射、オゾン含有液浸漬等の表面改質処理を行う方法が挙げられる。 As a method for setting the absolute value of the surface free energy on the outer surface of the insulator layer to 66 mJ / m 2 or more, for example, electron beam irradiation, ion irradiation, corona discharge exposure, plasma exposure, ultraviolet irradiation, X-ray irradiation, γ Examples of the method include surface modification treatment such as irradiation with a beam and immersion in an ozone-containing liquid.
いずれの処理においても、処理の強度を高くするほど、付着ぬれ表面自由エネルギーの絶対値を大きくすることができる。また、処理時間を長くするほど、付着ぬれ表面自由エネルギーの絶対値を大きくすることができる。 In any treatment, the absolute value of the adhesion wetting surface free energy can be increased as the strength of the treatment is increased. Further, the longer the treatment time, the larger the absolute value of the adhesion wetting surface free energy.
付着ぬれ表面自由エネルギーΔGの絶対値は以下の式(3)により算出される。 The absolute value of the adhesion wetting surface free energy ΔG is calculated by the following equation (3).
絶縁体層の外周面における接触角が95°以下であるか、付着ぬれ表面自由エネルギーの絶対値が66mJ/m2以上である場合に、めっき層を均一に形成できることを以下の試験により確認した。 It was confirmed by the following test that the plating layer can be formed uniformly when the contact angle on the outer peripheral surface of the insulator layer is 95 ° or less or the absolute value of the adhesion wetting surface free energy is 66 mJ / m 2 or more. .
ポリエチレン製の基板を用意した。この基板は絶縁体層に対応する。基板に対し、ドライアイスブラスト処理を行い、その後、コロナ放電暴露処理を行った。ドライアイスブラスト処理は表面粗化処理に対応する。コロナ放電暴露処理は表面改質処理に対応する。コロナ放電暴露処理後における基板の表面の算術平均粗さRaは0.6μm以上であった。また、コロナ放電暴露処理後における基板の表面の付着ぬれ表面自由エネルギーの絶対値は66mJ/m2以上であり、接触角は95°以下であった。次に、電解めっき法により、基板の表面に銅めっき層を形成した。銅めっき層の厚さは、第1の試験において形成した銅めっき層の厚さの3倍とした。形成した銅めっき層を図3Cに示す。銅めっき層は均一に形成されていた。また、銅めっき層と基板との密着性が高く、銅めっき層は剥離していなかった。 A polyethylene substrate was prepared. This substrate corresponds to the insulator layer. The substrate was subjected to dry ice blasting, and then subjected to corona discharge exposure treatment. Dry ice blasting corresponds to surface roughening. Corona discharge exposure treatment corresponds to surface modification treatment. The arithmetic average roughness Ra of the surface of the substrate after the corona discharge exposure treatment was 0.6 μm or more. Further, the absolute value of the surface wetting surface free energy on the surface of the substrate after the corona discharge exposure treatment was 66 mJ / m 2 or more, and the contact angle was 95 ° or less. Next, a copper plating layer was formed on the surface of the substrate by electrolytic plating. The thickness of the copper plating layer was three times the thickness of the copper plating layer formed in the first test. The formed copper plating layer is shown in FIG. 3C. The copper plating layer was uniformly formed. Moreover, the adhesiveness of a copper plating layer and a board | substrate was high, and the copper plating layer was not peeling.
基本的には同様の方法で第1の比較例を作製した。ただし、第1の比較例では、表面粗化処理後における基板の表面の算術平均粗さRaは0.6μm未満であった。また、表面改質処理後における基板の表面の付着ぬれ表面自由エネルギーの絶対値は66mJ/m2以上であり、接触角は95°以下であった。第1の比較例において形成した銅めっき層を図3Aに示す。銅めっき層は顕著に剥離していた。 Basically, the first comparative example was produced by the same method. However, in the first comparative example, the arithmetic average roughness Ra of the surface of the substrate after the surface roughening treatment was less than 0.6 μm. Further, the absolute value of the adhesion wetting surface free energy on the surface of the substrate after the surface modification treatment was 66 mJ / m 2 or more, and the contact angle was 95 ° or less. The copper plating layer formed in the first comparative example is shown in FIG. 3A. The copper plating layer was significantly peeled off.
また、基本的には同様の方法で第2の比較例を作製した。ただし、第2の比較例では、表面粗化処理後における基板の表面の算術平均粗さRaは0.6μm以上であった。また、表面改質処理後における基板の表面の付着ぬれ表面自由エネルギーの絶対値は66mJ/m2未満であり、接触角は95°より大きかった。第2の比較例において形成した銅めっき層を図3Bに示す。銅めっき層の表面にブリスターと呼ばれるめっき不良膨れ191が存在し、不均質なめっき状態となっていた。
絶縁体層の外周面にドライアイスブラスト処理を行い、その後、コロナ放電暴露処理を行う表面改質処理(以下では特定表面改質処理とする)を行うことにより、絶縁体層の外周面における算術平均粗さRaと、接触角又は付着ぬれ表面自由エネルギーの絶対値とを制御することができる。このことを以下の試験により確認した。ドライアイスブラスト処理は表面粗化処理に対応する。コロナ放電暴露処理は表面改質処理に対応する。
Further, a second comparative example was basically produced by the same method. However, in the second comparative example, the arithmetic average roughness Ra of the surface of the substrate after the surface roughening treatment was 0.6 μm or more. Further, the absolute value of the adhesion wetting surface free energy on the surface of the substrate after the surface modification treatment was less than 66 mJ / m 2 , and the contact angle was larger than 95 °. The copper plating layer formed in the second comparative example is shown in FIG. 3B. A defective plating bulge 191 called blister was present on the surface of the copper plating layer, resulting in a heterogeneous plating state.
Arithmetic on the outer peripheral surface of the insulator layer by performing dry ice blasting on the outer peripheral surface of the insulator layer and then performing surface modification treatment (hereinafter referred to as specific surface modification treatment) that performs corona discharge exposure treatment It is possible to control the average roughness Ra and the absolute value of the contact angle or the adhesion wetting surface free energy. This was confirmed by the following test. Dry ice blasting corresponds to surface roughening. Corona discharge exposure treatment corresponds to surface modification treatment.
ポリエチレンから成る基板に、特定表面改質処理を行った。基板は絶縁体層に対応する。特定改質処理の条件は複数存在する。図4に、特定表面改質処理を行った後における算術平均粗さRaと、接触角との相関を示す。特定表面改質処理を行うことにより、算術平均粗さRaを0.6μm以上とし、接触角を95°以下とすることができる。 A specific surface modification treatment was performed on a substrate made of polyethylene. The substrate corresponds to the insulator layer. There are a plurality of conditions for the specific reforming treatment. FIG. 4 shows the correlation between the arithmetic average roughness Ra and the contact angle after the specific surface modification treatment. By performing the specific surface modification treatment, the arithmetic average roughness Ra can be 0.6 μm or more and the contact angle can be 95 ° or less.
図5に、特定表面改質処理を行った後における算術平均粗さRaと、付着ぬれ表面自由エネルギーとの相関を示す。特定表面改質処理を行うことにより、算術平均粗さRaを0.6μm以上とし、付着ぬれ表面自由エネルギーの絶対値を66mJ/m2以上とすることができる。 FIG. 5 shows the correlation between the arithmetic average roughness Ra and the adhesion wetting surface free energy after the specific surface modification treatment. By performing the specific surface modification treatment, the arithmetic average roughness Ra can be 0.6 μm or more, and the absolute value of the adhesion wetting surface free energy can be 66 mJ / m 2 or more.
絶縁体層は、その外周面に凹部を備えることが好ましい。この場合、絶縁体層とめっき層とが剥離しにくい。凹部は、深さ方向における奥側に、凹部における開口部よりも広がった部分を有することが好ましい。この場合、以下の効果を奏する。めっき層を形成するとき、めっき浴が凹部の奥側まで侵入する。凹部の奥側において核生成が起こり、凹部の奥側でもめっき層が成長する。凹部の奥側で成長しためっき層は開口部より大きいため、開口部から抜けにくい。その結果、アンカー効果が生じ、めっき層と絶縁体層とが剥離しにくくなる。 The insulator layer preferably has a recess on its outer peripheral surface. In this case, the insulator layer and the plating layer are difficult to peel off. It is preferable that the recess has a portion that is wider than the opening in the recess on the back side in the depth direction. In this case, the following effects are produced. When forming the plating layer, the plating bath penetrates to the back side of the recess. Nucleation occurs on the back side of the recess, and the plating layer grows on the back side of the recess. Since the plating layer grown on the back side of the recess is larger than the opening, it is difficult to escape from the opening. As a result, an anchor effect occurs and the plating layer and the insulator layer are difficult to peel off.
絶縁体層に凹部を形成する方法として、ブラスト処理を行う方法が挙げられる。ブラスト処理として、例えば、ドライアイスブラスト処理が挙げられる。ドライアイスブラスト処理は表面粗化処理に対応する。ドライアイスブラスト処理によって絶縁体層の外周面に形成された凹部の例を図6に示す。図6は絶縁体層71の外周面72付近の断面図である。外周面72に凹部73が形成されている。凹部73は、深さ方向における奥側に、凹部73における開口部74よりも広がった部分を有する。この凹部73の形態は、たこつぼ様の形態である。図6に示す例において、絶縁体層71の材質はポリエチレンである。 As a method of forming the recess in the insulator layer, a method of performing a blasting process can be given. Examples of the blast treatment include dry ice blast treatment. Dry ice blasting corresponds to surface roughening. An example of a recess formed on the outer peripheral surface of the insulator layer by dry ice blasting is shown in FIG. FIG. 6 is a cross-sectional view of the vicinity of the outer peripheral surface 72 of the insulator layer 71. A recess 73 is formed on the outer peripheral surface 72. The recess 73 has a portion that is wider than the opening 74 in the recess 73 on the back side in the depth direction. The form of the recess 73 is a Takotsubo-like form. In the example shown in FIG. 6, the material of the insulator layer 71 is polyethylene.
絶縁体層の材質として、例えば、ポリテトラフルオロエチレン(PTFE)、パーフロロアルコキシ(PFA)、パーフルオロエチレンプロペンコポリマー(FEP)、エチレン・テトラフルオロエチレンコポリマー(ETFE)、テトラフルオロエチレンーパーフルオロジオキソールコポリマー(TFE/PDD)、ポリフッ化ビニリデン(PVDF)、ポリクロロトリフルオロエチレン(PCTFE)、エチレン-クロロトリフロオロエチレンコポリマー(ECTFE)、ポリフッ化ビニル(PVF)、シリコーン、ポリエチレン(PE)等が挙げられる。 Examples of the material for the insulator layer include polytetrafluoroethylene (PTFE), perfluoroalkoxy (PFA), perfluoroethylene propene copolymer (FEP), ethylene-tetrafluoroethylene copolymer (ETFE), and tetrafluoroethylene-perfluorodiode. Xol copolymer (TFE / PDD), polyvinylidene fluoride (PVDF), polychlorotrifluoroethylene (PCTFE), ethylene-chlorotrifluoroethylene copolymer (ECTFE), polyvinyl fluoride (PVF), silicone, polyethylene (PE) Etc.
絶縁体層の材質は、発泡性樹脂であってもよい。絶縁体層の材質が発泡性樹脂である場合、絶縁体層の誘電率と誘電正接とが小さくなる。発泡性樹脂から成る絶縁体層の製造方法として、例えば、樹脂と発泡剤とを混練しておき、絶縁体層を成型するときに温度や圧力を制御して発泡させる方法がある。また、発泡性樹脂から成る絶縁体層の他の製造方法として、例えば、絶縁体層を高圧成型するときに窒素ガス等を注入しておき、後に減圧して発泡させる方法がある。 The material of the insulator layer may be a foamable resin. When the material of the insulator layer is a foamable resin, the dielectric constant and dielectric loss tangent of the insulator layer are reduced. As a method for producing an insulating layer made of a foamable resin, for example, there is a method in which a resin and a foaming agent are kneaded and foamed by controlling temperature and pressure when molding the insulating layer. In addition, as another method for manufacturing an insulating layer made of a foamable resin, for example, there is a method in which nitrogen gas or the like is injected when the insulating layer is subjected to high pressure molding, and then the pressure is reduced and foamed later.
また、発泡性樹脂から成る絶縁体層を以下のように製造してもよい。押出機に、所望の形状の押出口金を設置する。その押出機を用いて、一対の信号線と、発泡性樹脂とを同時に押し出す。発泡性樹脂が絶縁体層を形成する。 Moreover, you may manufacture the insulator layer which consists of a foamable resin as follows. An extrusion die having a desired shape is installed in the extruder. Using the extruder, the pair of signal lines and the foamable resin are extruded simultaneously. The foamable resin forms the insulator layer.
絶縁体層として、例えば、ポリエチレンから成り、以下の式(1)で表される結晶化度Xcが0.744以上であるものが好ましい。この場合、めっき層の厚みを均一にすることが容易になる。めっき層の厚みを均一にすると、差動信号伝送用ケーブルの伝送損失を抑制することができる。 The insulator layer is preferably made of, for example, polyethylene and having a crystallinity Xc represented by the following formula (1) of 0.744 or more. In this case, it becomes easy to make the thickness of the plating layer uniform. If the thickness of the plating layer is made uniform, the transmission loss of the differential signal transmission cable can be suppressed.
ポリエチレンから成る絶縁体層の結晶化度Xcを0.744以上にする方法として、例えば、電子線照射、イオン照射、コロナ放電暴露、プラズマ暴露、紫外線照射、X線照射、γ線照射、オゾン含有液浸漬等の表面改質処理を行う方法が挙げられる。いずれの処理においても、処理の強度を高くするほど、結晶化度Xcを大きくすることができる。また、処理時間を長くするほど、結晶化度Xcを大きくすることができる。 Examples of a method for setting the crystallinity Xc of the insulator layer made of polyethylene to 0.744 or more include, for example, electron beam irradiation, ion irradiation, corona discharge exposure, plasma exposure, ultraviolet irradiation, X-ray irradiation, γ-ray irradiation, ozone A method of performing a surface modification treatment such as immersion of the containing liquid is exemplified. In any treatment, the crystallinity Xc can be increased as the strength of the treatment is increased. Further, the longer the treatment time, the larger the crystallinity Xc .
式(1)におけるIc、Iaは以下のようにして算出される。リガク社製のX線回折装置であるRINT2500を用いて、絶縁体層の試料のX線回折パターンを取得する。X線回折パターンの例を図7、図8に示す。図7、図8に示すX線回折パターンの横軸は回折角2θである。X線回折パターンにおける回折角2θの範囲は、13〜21°である。 I c and I a in the formula (1) are calculated as follows. An X-ray diffraction pattern of the sample of the insulator layer is obtained using RINT2500, which is an X-ray diffraction apparatus manufactured by Rigaku Corporation. Examples of X-ray diffraction patterns are shown in FIGS. The horizontal axis of the X-ray diffraction patterns shown in FIGS. 7 and 8 is the diffraction angle 2θ. The range of the diffraction angle 2θ in the X-ray diffraction pattern is 13 to 21 °.
X線回折パターンにおいて、16.4〜16.5°近傍が回折ピークとなるブロードなハロー(以下では非晶質ハローとする)は、非晶質成分に対応する。X線回折パターンにおいて、17.7°にピークを有するシャープなスペクトル(以下では結晶成分スペクトルとする)は、結晶成分に対応する。 In the X-ray diffraction pattern, a broad halo (hereinafter referred to as an amorphous halo) having a diffraction peak near 16.4 to 16.5 ° corresponds to an amorphous component. In the X-ray diffraction pattern, a sharp spectrum having a peak at 17.7 ° (hereinafter referred to as a crystal component spectrum) corresponds to a crystal component.
非晶質ハローに対し、ローレンツ関数を用いたスペクトルフィッティング解析を行い、非晶質ハローとよく一致する滑らかな曲線Faを取得する。取得した曲線Faを図7、図8に示す。この曲線Faに基づき、積分強度計算により算出した非晶質ハローの強度をIaとする。 To amorphous halo, it performs a spectrum fitting analysis using Lorentz function, to obtain a smooth curve F a good agreement with the amorphous halo. The acquired curve Fa is shown in FIGS. Based on this curve F a , the intensity of the amorphous halo calculated by integral intensity calculation is defined as I a .
また、結晶成分スペクトルに対し、ローレンツ関数を用いたスペクトルフィッティング解析を行い、結晶成分スペクトルとよく一致する滑らかな曲線Fcを取得する。取得した曲線Fcを図7、図8に示す。この曲線Fcに基づき、積分強度計算により算出した非結晶成分スペクトルの強度をIcとする。結晶化度Xcは、めっき層を形成する前の時点における値である。 Further, with respect to the crystal component spectra, it performs a spectrum fitting analysis using Lorentz function, to obtain a smooth curve F c that matches well with the crystal component spectra. The acquired curve Fc is shown in FIGS. Based on this curve F c, the strength of the non-crystalline component spectrum calculated by integrated intensity calculation and I c. The crystallinity Xc is a value at the time before forming the plating layer.
絶縁体層として、例えば、パーフルオロエチレンプロペンコポリマーから成り、以下の式(1)で表される結晶化度Xcが0.47以下であるものが好ましい。この場合、めっき層の厚みを均一にすることが容易になる。めっき層の厚みを均一にすると、差動信号伝送用ケーブルの伝送損失を抑制することができる。 The insulator layer is preferably made of, for example, a perfluoroethylene propene copolymer and having a crystallinity Xc represented by the following formula (1) of 0.47 or less. In this case, it becomes easy to make the thickness of the plating layer uniform. If the thickness of the plating layer is made uniform, the transmission loss of the differential signal transmission cable can be suppressed.
パーフルオロエチレンプロペンコポリマーから成る絶縁体層の結晶化度Xcを0.47以下にする方法として、例えば、電子線照射、イオン照射、コロナ放電暴露、プラズマ暴露、紫外線照射、X線照射、γ線照射、オゾン含有液浸漬等の表面改質処理を行う方法が挙げられる。いずれの処理においても、処理の強度を高くするほど、結晶化度Xcを大きくすることができる。また、処理時間を長くするほど、結晶化度Xcを大きくすることができる。 As a method for setting the crystallinity Xc of the insulator layer made of perfluoroethylene propene copolymer to 0.47 or less, for example, electron beam irradiation, ion irradiation, corona discharge exposure, plasma exposure, ultraviolet irradiation, X-ray irradiation, γ Examples of the method include surface modification treatment such as irradiation with a beam and immersion in an ozone-containing liquid. In any treatment, the crystallinity Xc can be increased as the strength of the treatment is increased. Further, the longer the treatment time, the larger the crystallinity Xc .
結晶化度Xcは、接触角と相関を有する。このことを以下の試験により確認した。ポリエチレンから成る基板に対し、特定表面改質処理を行った。基板は絶縁体層に対応する。特定表面改質処理の条件は複数存在する。特定表面改質処理後における結晶化度Xcと接触角との相関を図9Aに示す。結晶化度Xcが0.744以上である場合、接触角が顕著に小さくなった。 The crystallinity Xc has a correlation with the contact angle. This was confirmed by the following test. A specific surface modification treatment was performed on a substrate made of polyethylene. The substrate corresponds to the insulator layer. There are multiple conditions for the specific surface modification treatment. FIG. 9A shows the correlation between the crystallinity Xc and the contact angle after the specific surface modification treatment. When the crystallinity Xc was 0.744 or more, the contact angle was remarkably reduced.
また、パーフルオロエチレンプロペンコポリマーから成る基板に対し、特定表面改質処理を行った。基板は絶縁体層に対応する。特定表面改質処理の条件は複数存在する。特定表面改質処理後における結晶化度Xcと接触角との相関を図9Bに示す。結晶化度Xcが0.47以下である場合、接触角が顕著に小さくなった。 Further, a specific surface modification treatment was performed on a substrate made of perfluoroethylene propene copolymer. The substrate corresponds to the insulator layer. There are multiple conditions for the specific surface modification treatment. FIG. 9B shows the correlation between the crystallinity Xc and the contact angle after the specific surface modification treatment. When the crystallinity Xc was 0.47 or less, the contact angle was remarkably reduced.
絶縁体層として、例えば、以下のものが好ましい。絶縁体層はポリエチレンから成る。そのポリエチレンは、三斜晶系の結晶構造、斜方晶系の結晶構造、又はそれらの少なくとも一方が共存した状態を有し、結晶軸のうち二軸以下の特定の軸に優先的に配向している。また、そのポリエチレンは、以下の式(2)で表される(100)結晶配向度O100が0.26以下である。この絶縁体層を、以下では特定配向ポリエチレン絶縁体層とする。 As the insulator layer, for example, the following are preferable. The insulator layer is made of polyethylene. The polyethylene has a triclinic crystal structure, an orthorhombic crystal structure, or a state in which at least one of them coexists, and is preferentially oriented to two or less specific axes of crystal axes. ing. The polyethylene has a (100) crystal orientation degree O 100 represented by the following formula (2) of 0.26 or less. This insulator layer is hereinafter referred to as a specifically oriented polyethylene insulator layer.
絶縁体層が特定配向ポリエチレン絶縁体層である場合、めっき層の厚みを均一にすることが容易になる。めっき層の厚みを均一にすると、差動信号伝送用ケーブルの伝送損失を抑制することができる。 When the insulator layer is a specifically oriented polyethylene insulator layer, it becomes easy to make the thickness of the plating layer uniform. If the thickness of the plating layer is made uniform, the transmission loss of the differential signal transmission cable can be suppressed.
絶縁体層を特定配向ポリエチレン絶縁体層にする方法として、例えば、電子線照射、イオン照射、コロナ放電暴露、プラズマ暴露、紫外線照射、X線照射、γ線照射、オゾン含有液浸漬等の表面改質処理を行う方法が挙げられる。 As a method of making the insulator layer into a specific orientation polyethylene insulator layer, for example, surface modification such as electron beam irradiation, ion irradiation, corona discharge exposure, plasma exposure, ultraviolet irradiation, X-ray irradiation, γ-ray irradiation, immersion of ozone-containing liquid, etc. The method of performing quality processing is mentioned.
いずれの処理においても、処理の強度を高くするほど、結晶配向度O100を小さくすることができる。また、処理時間を長くするほど、結晶配向度O100を小さくすることができる。 In any treatment, the degree of crystal orientation O 100 can be reduced as the strength of the treatment is increased. Further, the longer the processing time, the smaller the crystal orientation degree O 100 can be made.
前記式(2)におけるI200、I110は以下のように算出される。
リガク社製のX線回折装置であるRINT2500を用いて、絶縁体層の試料のX線回折パターンを取得する。X線回折パターンの例を図10、図11に示す。図10、図11に示すX線回折パターンの横軸は回折角2θである。X線回折パターンにおける回折角2θの範囲は、19〜26°である。図10、図11は、斜方晶系の結晶構造を有するポリエチレンから成る絶縁体層の試料のX線回折パターンである。図10は、表面改質処理を行っていないポリエチレンのX線回折パターンである。図11は、表面改質処理としてコロナ放電暴露処理を行ったポリエチレンのX線回折パターンである。
I 200 and I 110 in the formula (2) are calculated as follows.
An X-ray diffraction pattern of the sample of the insulator layer is obtained using RINT2500, which is an X-ray diffraction apparatus manufactured by Rigaku Corporation. Examples of X-ray diffraction patterns are shown in FIGS. The horizontal axis of the X-ray diffraction patterns shown in FIGS. 10 and 11 is the diffraction angle 2θ. The range of the diffraction angle 2θ in the X-ray diffraction pattern is 19 to 26 °. 10 and 11 are X-ray diffraction patterns of a sample of an insulator layer made of polyethylene having an orthorhombic crystal structure. FIG. 10 is an X-ray diffraction pattern of polyethylene not subjected to surface modification treatment. FIG. 11 is an X-ray diffraction pattern of polyethylene subjected to corona discharge exposure treatment as a surface modification treatment.
ピークが約21.5°付近である回折スペクトル(以下では110回折スペクトルとする)はミラー指数110に相当し、(110)格子面の向きを表す。ピークが約23.8°付近の回折スペクトル(以下では200回折スペクトルとする)はミラー指数200に相当し、(100)格子面を表す。 A diffraction spectrum having a peak near about 21.5 ° (hereinafter referred to as 110 diffraction spectrum) corresponds to the Miller index 110 and represents the direction of the (110) lattice plane. A diffraction spectrum having a peak near about 23.8 ° (hereinafter referred to as a 200 diffraction spectrum) corresponds to a Miller index of 200 and represents a (100) lattice plane.
110回折スペクトルに対し、ローレンツ関数を用いたスペクトルフィッティング解析を行い、110回折スペクトルとよく一致する滑らかな曲線F1を取得する。取得した曲線F1を図10、図11に示す。この曲線F1に基づき、積分強度計算により算出した110回折スペクトルの強度をI110とする。 A spectrum fitting analysis using a Lorentz function is performed on the 110 diffraction spectrum, and a smooth curve F 1 that closely matches the 110 diffraction spectrum is obtained. The obtained curves F 1 are shown in FIGS. Based on this curve F 1 , the intensity of the 110 diffraction spectrum calculated by the integral intensity calculation is I 110 .
また、200回折スペクトルに対し、ローレンツ関数を用いたスペクトルフィッティング解析を行い、200回折スペクトルとよく一致する滑らかな曲線F2を取得する。取得した曲線F2を図10、図11に示す。この曲線F2に基づき、積分強度計算により算出した200回折スペクトルの強度をI200とする。 Further, with respect to 200 diffraction spectrum, performs a spectrum fitting analysis using Lorentz function, to obtain a smooth curve F 2 that match well with 200 diffraction spectrum. The obtained curve F 2 are shown in FIGS. Based on this curve F 2 , the intensity of the 200 diffraction spectrum calculated by the integral intensity calculation is defined as I 200 .
なお、多結晶体で構成された物質に含まれる個々の結晶粒子が、ある一定方向に優先配向した状態にある場合、特定の指数面のX線回折強度が他のX線回折強度に対して相対的に高くなる。従って、X線回折強度の強度比により、所定の格子面の配向性を定量化することができる。(100)結晶配向度O100は、X線回折強度の強度比であって、(100)面の優先配向性を表す。 In addition, when individual crystal particles included in a substance composed of a polycrystal are preferentially oriented in a certain direction, the X-ray diffraction intensity of a specific index plane is higher than other X-ray diffraction intensities. Relatively high. Therefore, the orientation of a predetermined lattice plane can be quantified by the intensity ratio of the X-ray diffraction intensity. The (100) crystal orientation degree O 100 is the intensity ratio of the X-ray diffraction intensity and represents the preferential orientation of the (100) plane.
(100)結晶配向度O100は、接触角と相関を有する。このことを以下の試験により確認した。ポリエチレンから成る基板に対し、特定表面改質処理を行った。基板は絶縁体層に対応する。特定表面改質処理の条件は複数存在する。特定表面改質処理後における(100)結晶配向度O100と接触角との相関を図12に示す。(100)結晶配向度O100が0.26以下である場合、接触角が顕著に小さくなった。(100)結晶配向度O100は、めっき層を形成する前の時点における値である。 (100) The degree of crystal orientation O 100 has a correlation with the contact angle. This was confirmed by the following test. A specific surface modification treatment was performed on a substrate made of polyethylene. The substrate corresponds to the insulator layer. There are multiple conditions for the specific surface modification treatment. FIG. 12 shows the correlation between the (100) crystal orientation degree O 100 and the contact angle after the specific surface modification treatment. When the (100) crystal orientation degree O 100 was 0.26 or less, the contact angle was remarkably reduced. (100) The degree of crystal orientation O 100 is a value before the formation of the plating layer.
絶縁体層としては、例えば、以下のものが好ましい。絶縁体層はポリエチレンから成る。そのポリエチレンの結晶成分における結晶子サイズは18nm以上である。絶縁体層が上記のものである場合、めっき層の厚みを均一にすることが容易になる。めっき層の厚みを均一にすると、差動信号伝送用ケーブルの伝送損失を抑制することができる。 As the insulator layer, for example, the following are preferable. The insulator layer is made of polyethylene. The crystallite size in the crystalline component of the polyethylene is 18 nm or more. When the insulator layer is as described above, it becomes easy to make the thickness of the plating layer uniform. If the thickness of the plating layer is made uniform, the transmission loss of the differential signal transmission cable can be suppressed.
絶縁体層を上記のものにする方法として、例えば、電子線照射、イオン照射、コロナ放電暴露、プラズマ暴露、紫外線照射、X線照射、γ線照射、オゾン含有液浸漬等の表面改質処理を行う方法が挙げられる。 As a method of making the insulator layer as described above, for example, surface modification treatment such as electron beam irradiation, ion irradiation, corona discharge exposure, plasma exposure, ultraviolet irradiation, X-ray irradiation, γ-ray irradiation, immersion of ozone-containing liquid, etc. The method of performing is mentioned.
いずれの処理においても、処理の強度を高くするほど、ポリエチレンの結晶成分における結晶子サイズを大きくすることができる。また、処理時間を長くするほど、ポリエチレンの結晶成分における結晶子サイズを大きくすることができる。 In any treatment, the crystallite size in the crystalline component of polyethylene can be increased as the strength of the treatment is increased. In addition, the longer the treatment time, the larger the crystallite size in the polyethylene crystal component.
ポリエチレンの結晶成分における結晶子サイズは、以下の式(4)により表される。 The crystallite size in the crystal component of polyethylene is represented by the following formula (4).
ポリエチレンの結晶成分における結晶子サイズDは、接触角と相関を有する。このことを以下の試験により確認した。ポリエチレンから成る基板に対し、特定表面改質処理を行った。基板は絶縁体層に対応する。特定表面改質処理の条件は複数存在する。特定表面改質処理後におけるポリエチレンの結晶成分における結晶子サイズDと接触角との相関を図13Aに示す。ポリエチレンの結晶成分における結晶子サイズDが18nm以上である場合、接触角が顕著に小さくなった。 The crystallite size D in the crystalline component of polyethylene has a correlation with the contact angle. This was confirmed by the following test. A specific surface modification treatment was performed on a substrate made of polyethylene. The substrate corresponds to the insulator layer. There are multiple conditions for the specific surface modification treatment. FIG. 13A shows the correlation between the crystallite size D and the contact angle in the polyethylene crystal component after the specific surface modification treatment. When the crystallite size D in the crystalline component of polyethylene was 18 nm or more, the contact angle was remarkably reduced.
絶縁体層としては、例えば、以下のものが好ましい。絶縁体層はパーフルオロエチレンプロペンコポリマーから成る。そのパーフルオロエチレンプロペンコポリマーの結晶成分における結晶子サイズは13.6nm以下である。絶縁体層が上記のものである場合、めっき層の厚みを均一にすることが容易になる。めっき層の厚みを均一にすると、差動信号伝送用ケーブルの伝送損失を抑制することができる。 As the insulator layer, for example, the following are preferable. The insulator layer is made of perfluoroethylene propene copolymer. The crystallite size in the crystal component of the perfluoroethylene propene copolymer is 13.6 nm or less. When the insulator layer is as described above, it becomes easy to make the thickness of the plating layer uniform. If the thickness of the plating layer is made uniform, the transmission loss of the differential signal transmission cable can be suppressed.
絶縁体層を上記のものにする方法として、例えば、電子線照射、イオン照射、コロナ放電暴露、プラズマ暴露、紫外線照射、X線照射、γ線照射、オゾン含有液浸漬等の表面改質処理を行う方法が挙げられる。 As a method of making the insulator layer as described above, for example, surface modification treatment such as electron beam irradiation, ion irradiation, corona discharge exposure, plasma exposure, ultraviolet irradiation, X-ray irradiation, γ-ray irradiation, immersion of ozone-containing liquid, etc. The method of performing is mentioned.
いずれの処理においても、処理の強度を高くするほど、パーフルオロエチレンプロペンコポリマーの結晶成分における結晶子サイズを大きくすることができる。また、処理時間を長くするほど、パーフルオロエチレンプロペンコポリマーの結晶成分における結晶子サイズを大きくすることができる。パーフルオロエチレンプロペンコポリマーの結晶成分における結晶子サイズの算出方法は、ポリエチレンの結晶成分における結晶子サイズの算出方法と同様である。結晶子サイズは、めっき層を形成する前の時点における値である。 In any treatment, the crystallite size in the crystal component of the perfluoroethylenepropene copolymer can be increased as the strength of the treatment is increased. In addition, the longer the treatment time, the larger the crystallite size in the crystal component of the perfluoroethylene propene copolymer. The calculation method of the crystallite size in the crystal component of the perfluoroethylene propene copolymer is the same as the calculation method of the crystallite size in the polyethylene crystal component. The crystallite size is a value before the plating layer is formed.
パーフルオロエチレンプロペンコポリマーの結晶成分における結晶子サイズDは、接触角と相関を有する。このことを以下の試験により確認した。パーフルオロエチレンプロペンコポリマーから成る基板に対し、特定表面改質処理を行った。基板は絶縁体層に対応する。特定表面改質処理の条件は複数存在する。特定表面改質処理後におけるパーフルオロエチレンプロペンコポリマーの結晶成分における結晶子サイズDと接触角との相関を図13Bに示す。パーフルオロエチレンプロペンコポリマーの結晶成分における結晶子サイズDが13.6nm以下である場合、接触角が顕著に小さくなった。 The crystallite size D in the crystal component of the perfluoroethylene propene copolymer has a correlation with the contact angle. This was confirmed by the following test. A specific surface modification treatment was performed on a substrate made of perfluoroethylene propene copolymer. The substrate corresponds to the insulator layer. There are multiple conditions for the specific surface modification treatment. FIG. 13B shows the correlation between the crystallite size D and the contact angle in the crystal component of the perfluoroethylenepropene copolymer after the specific surface modification treatment. When the crystallite size D in the crystal component of the perfluoroethylene propene copolymer was 13.6 nm or less, the contact angle was remarkably reduced.
(1−3)めっき層
めっき層の厚みは、1μm以上5μm以下であることが好ましい。めっき層の厚みが1μm以上である場合、対内スキューを一層低減し、差動同相変換量を一層抑制することができる。特に、25GHz以上の信号を伝送する場合に、差動同相変換量を顕著に抑制できる。
(1-3) Plating layer The thickness of the plating layer is preferably 1 μm or more and 5 μm or less. When the thickness of the plating layer is 1 μm or more, the inward skew can be further reduced and the differential common-mode conversion amount can be further suppressed. In particular, when a signal of 25 GHz or higher is transmitted, the differential common-mode conversion amount can be significantly suppressed.
めっき層の厚みが5μm以下である場合、めっき層の形成に要する時間を低減できる。また、めっき層の厚みが5μm以下である場合、差動信号伝送用ケーブルの屈曲性を向上させることができる。また、めっき層の厚みが5μm以下である場合、差動信号伝送用ケーブルの外径が小さくなる。めっき層の厚みは、公知の方法で制御できる。例えば、電解めっき、及び/又は、無電解めっきの時間を長くするほど、めっき層は厚くなる。また、電解めっきにおける電流量を大きくするほど、めっき層は厚くなる。 When the thickness of the plating layer is 5 μm or less, the time required for forming the plating layer can be reduced. Moreover, when the thickness of the plating layer is 5 μm or less, the flexibility of the differential signal transmission cable can be improved. Moreover, when the thickness of the plating layer is 5 μm or less, the outer diameter of the differential signal transmission cable is reduced. The thickness of the plating layer can be controlled by a known method. For example, the longer the electrolytic plating and / or electroless plating time, the thicker the plating layer. Moreover, the plating layer becomes thicker as the amount of current in electrolytic plating is increased.
めっき層の厚みの標準偏差は0.8μm以下であることが好ましい。この場合、差動信号伝送用ケーブルの伝送損失を抑制することができる。また、めっき層の厚みが過度に小さい部分が生じ難いので、ノイズを一層低減することができる。 The standard deviation of the plating layer thickness is preferably 0.8 μm or less. In this case, transmission loss of the differential signal transmission cable can be suppressed. Moreover, since it is hard to produce the part whose thickness of a plating layer is too small, noise can be reduced further.
めっき層の厚みの標準偏差は、以下の方法で算出される。差動信号伝送用ケーブルの長手方向に直交する断面を4箇所において形成する。各断面同士の距離は3mである。各断面において任意の4点を選択する。合計4×4点でそれぞれめっき層の厚みを測定する。測定した全てのめっき層の厚みの標準偏差を、めっき層の厚みの標準偏差として採用する。 The standard deviation of the thickness of the plating layer is calculated by the following method. Cross sections perpendicular to the longitudinal direction of the differential signal transmission cable are formed at four locations. The distance between each cross section is 3 m. Arbitrary four points are selected in each cross section. The thickness of the plating layer is measured at a total of 4 × 4 points. The measured standard deviation of the thickness of all the plating layers is adopted as the standard deviation of the thickness of the plating layer.
例えば、絶縁体層の外周面における接触角を小さくするか、付着ぬれ表面エネルギーの絶対値を大きくすることにより、めっき層の厚みの標準偏差を低減することができる。
絶縁体層に対し、例えば、電子線照射、イオン照射、コロナ放電暴露、プラズマ暴露、紫外線照射、X線照射、γ線照射、オゾン含有液浸漬等の表面改質処理を行うことにより、絶縁体層の外周面における接触角を小さくし、付着ぬれ表面エネルギーの絶対値を大きくすることができる。
For example, the standard deviation of the thickness of the plating layer can be reduced by reducing the contact angle on the outer peripheral surface of the insulator layer or increasing the absolute value of the adhesion wetting surface energy.
Insulator layer is subjected to surface modification treatment such as electron beam irradiation, ion irradiation, corona discharge exposure, plasma exposure, ultraviolet irradiation, X-ray irradiation, γ-ray irradiation, immersion in ozone-containing liquid, etc. The contact angle at the outer peripheral surface of the layer can be reduced, and the absolute value of the wetting surface energy can be increased.
めっき層は、複数の層が積層されたものであってもよい。めっき層において積層された層の数は、例えば、2、3、又は、4以上とすることができる。複数の層のうち、一部の層をフェライト等から成る磁性層とし、他の一部の層を、銅等から成る非磁性層とすることができる。この場合、めっき層は、強磁界及び弱磁界に対してシールド効果を奏することができる。また、めっき層は、数十から数百MHzの低周波数帯域のノイズ、及び、数十GHzの高周波数帯域のノイズに対し、シールド効果を奏することができる。 The plating layer may be a laminate of a plurality of layers. The number of layers laminated in the plating layer can be, for example, 2, 3, or 4 or more. Of the plurality of layers, some layers may be magnetic layers made of ferrite or the like, and some other layers may be nonmagnetic layers made of copper or the like. In this case, the plating layer can exhibit a shielding effect against a strong magnetic field and a weak magnetic field. Moreover, the plating layer can exhibit a shielding effect against noise in a low frequency band of several tens to several hundreds of MHz and noise in a high frequency band of several tens of GHz.
例えば、最初に無電解めっきを行い、次に、電解めっきを行う方法で、めっき層を形成することができる。この場合、絶縁体層上に容易にめっき層を形成することができる。また、めっき層の全体を無電解めっきにより形成する方法に比べて、めっき層の形成に要する時間を短縮できる。 For example, the plating layer can be formed by a method in which electroless plating is first performed and then electrolytic plating is performed. In this case, the plating layer can be easily formed on the insulator layer. Further, the time required for forming the plating layer can be shortened as compared with a method in which the entire plating layer is formed by electroless plating.
(1−4)金属箔テープ
本開示の差動信号伝送用ケーブル1がめっき層7及び金属箔テープ9を備える場合、めっき層7のみを備える場合に比べて、シールド効果が一層高い。また、本開示の差動信号伝送用ケーブル1がめっき層7及び金属箔テープ9を備える場合、金属箔テープ9のみを備える場合に比べて、絶縁体層5とシールド層との間に空隙が生じにくい。そのため、対内スキュー及び差動同相変換量を抑制できる。
(1-4) Metal Foil Tape When the differential signal transmission cable 1 according to the present disclosure includes the plating layer 7 and the metal foil tape 9, the shielding effect is higher than when only the plating layer 7 is provided. In addition, when the differential signal transmission cable 1 of the present disclosure includes the plating layer 7 and the metal foil tape 9, there is a gap between the insulator layer 5 and the shield layer as compared to the case where only the metal foil tape 9 is provided. Hard to occur. Therefore, the inward skew and the differential common-mode conversion amount can be suppressed.
また、本開示の差動信号伝送用ケーブル1がめっき層7及び金属箔テープ9を備える場合、金属箔テープ9のみを備える場合に比べて、サックアウトを抑制できる。その理由は、差動信号伝送用ケーブル1の延在方向に沿って連続するめっき層7を備えることにより、金属箔テープ9の巻きピッチを周期とする周期構造の影響が小さくなるためであると推測される。 Moreover, when the differential signal transmission cable 1 of the present disclosure includes the plating layer 7 and the metal foil tape 9, the suck-out can be suppressed as compared with the case where only the metal foil tape 9 is provided. The reason is that the provision of the plating layer 7 continuous along the extending direction of the differential signal transmission cable 1 reduces the influence of the periodic structure having the winding pitch of the metal foil tape 9 as a period. Guessed.
金属箔テープを構成する金属箔の材質は、例えば、銅、銅合金、アルミ、アルミ合金である。金属箔は、例えば、圧延銅箔、電解銅箔である。圧延銅箔は、例えば、軟銅材を10μm以下となるように圧延し、その後に焼きなましを行って内部歪みを除去することにより製造できる。電解銅箔は、例えば、電着ドラムに銅を電着させて箔状としたものである。金属箔の膜厚は、7〜10μmの範囲が好ましい。金属箔の膜厚が7μm以上である場合、電磁波を遮断するシールド効果が一層高い。金属箔の膜厚が10μm以下である場合、許容伸び率が一層高い。許容伸び率とは、破断が生じることなく伸長可能な範囲を表す伸び率である。 The material of the metal foil constituting the metal foil tape is, for example, copper, copper alloy, aluminum, or aluminum alloy. The metal foil is, for example, a rolled copper foil or an electrolytic copper foil. The rolled copper foil can be produced, for example, by rolling an annealed copper material to 10 μm or less, and thereafter annealing to remove internal strain. The electrolytic copper foil is, for example, a foil formed by electrodepositing copper on an electrodeposition drum. The thickness of the metal foil is preferably in the range of 7 to 10 μm. When the film thickness of the metal foil is 7 μm or more, the shielding effect for blocking electromagnetic waves is higher. When the thickness of the metal foil is 10 μm or less, the allowable elongation is even higher. The allowable elongation is an elongation representing a range in which elongation is possible without causing breakage.
本開示の差動信号伝送用ケーブル1は、例えば、図25に示すように、一対の信号線3、絶縁体層5、めっき層7、及び金属箔テープ9に加えて、押さえ巻き用絶縁テープ11をさらに備えていてもよい。押さえ巻き用絶縁テープ11は、金属箔テープ9の外周面に巻かれる。押さえ巻き用絶縁テープ11は、例えば、第1の押さえ巻き用絶縁テープ11Aと、第2の押さえ巻き用絶縁テープ11Bとにより構成されていてもよい。 As shown in FIG. 25, for example, the differential signal transmission cable 1 according to the present disclosure includes a pair of signal lines 3, an insulator layer 5, a plating layer 7, and a metal foil tape 9, and a press-winding insulating tape. 11 may be further provided. The press-winding insulating tape 11 is wound around the outer peripheral surface of the metal foil tape 9. The press-winding insulating tape 11 may be composed of, for example, a first press-winding insulating tape 11A and a second press-winding insulating tape 11B.
めっき層7の外周面に第1の押さえ巻き用絶縁テープ11Aが巻かれる。第1の押さえ巻き用絶縁テープ11Aの外周面に第2の押さえ巻き用絶縁テープ11Bが巻かれる。 The first press-winding insulating tape 11 </ b> A is wound around the outer peripheral surface of the plating layer 7. The second pressing and winding insulating tape 11B is wound around the outer peripheral surface of the first pressing and winding insulating tape 11A.
本開示の差動信号伝送用ケーブル1がめっき層7及び金属箔テープ9を備える場合、図26に示すように、めっき層7は、亀裂13を有していてもよい。亀裂13はめっき層7を厚み方向に貫通する。亀裂13は単数であってもよいし、複数であってもよい。亀裂13の形状は直線状であってもよいし、曲線状であってもよいし、不規則形状であってもよい。複数の亀裂13が存在する場合、亀裂13の配列は、規則的な配列であってもよいし、不規則な配列であってもよい。 When the differential signal transmission cable 1 of the present disclosure includes the plating layer 7 and the metal foil tape 9, the plating layer 7 may have a crack 13 as illustrated in FIG. 26. The crack 13 penetrates the plating layer 7 in the thickness direction. The crack 13 may be singular or plural. The shape of the crack 13 may be a linear shape, a curved shape, or an irregular shape. When there are a plurality of cracks 13, the arrangement of the cracks 13 may be a regular arrangement or an irregular arrangement.
めっき層7が亀裂13を有する場合、サックアウトを一層抑制できる。この理由は以下のように推測される。めっき層7の外周面に巻かれた金属箔テープ9は、単独で見れば、金属箔テープ9の巻きピッチを周期とする電気的な周期性を有する。亀裂13を有するめっき層7と、めっき層7の外周面に巻かれた金属箔テープ9とから成るシールド層は、全体として見れば、電気的な周期性が抑制されている。そのため、サックアウトを抑制することができる。 When the plating layer 7 has the crack 13, the suck-out can be further suppressed. The reason is presumed as follows. When viewed alone, the metal foil tape 9 wound around the outer peripheral surface of the plating layer 7 has an electrical periodicity with the winding pitch of the metal foil tape 9 as a period. The shield layer composed of the plating layer 7 having the crack 13 and the metal foil tape 9 wound around the outer peripheral surface of the plating layer 7 has an electrical periodicity suppressed as a whole. Therefore, sack out can be suppressed.
差動信号伝送用ケーブル1を屈曲した場合、めっき層7に応力がかかる。めっき層7が亀裂13を有する場合、亀裂13により応力が緩和される。そのため、亀裂13はそれ以上伸展しにくい。また、新たな亀裂が生じ難い。その結果、差動信号伝送用ケーブル1を屈曲した場合でも、差動信号伝送用ケーブル1の電気的な特性が劣化しにくい。 When the differential signal transmission cable 1 is bent, the plating layer 7 is stressed. When the plating layer 7 has the crack 13, the stress is relaxed by the crack 13. Therefore, the crack 13 is hard to extend any more. Moreover, it is hard to produce a new crack. As a result, even when the differential signal transmission cable 1 is bent, the electrical characteristics of the differential signal transmission cable 1 are unlikely to deteriorate.
2.差動信号伝送用ケーブルの製造方法
本開示の差動信号伝送用ケーブルは、例えば、以下の方法で製造できる。図14は、差動信号伝送用ケーブルの製造に用いる製造システム101を表す。製造システム101は、脱脂ユニット103と、湿式エッチングユニット105と、第1活性化ユニット107と、第2活性化ユニット109と、無電解めっきユニット111と、電解めっきユニット113と、搬送ユニット115と、を備える。
2. Method for Producing Differential Signal Transmission Cable The differential signal transmission cable of the present disclosure can be produced, for example, by the following method. FIG. 14 shows a manufacturing system 101 used for manufacturing a differential signal transmission cable. The manufacturing system 101 includes a degreasing unit 103, a wet etching unit 105, a first activation unit 107, a second activation unit 109, an electroless plating unit 111, an electrolytic plating unit 113, a transport unit 115, Is provided.
脱脂ユニット103は、脱脂槽117と、脱脂液119とから成る。脱脂液119は脱脂槽117に収容されている。脱脂液119は、例えば、ホウ酸ソーダ、リン酸ソーダ、界面活性剤等のうちの1種以上を含む。脱脂液119の温度は、例えば、40〜60℃である。 The degreasing unit 103 includes a degreasing tank 117 and a degreasing liquid 119. The degreasing liquid 119 is accommodated in the degreasing tank 117. The degreasing liquid 119 includes at least one of sodium borate, sodium phosphate, a surfactant, and the like, for example. The temperature of the degreasing liquid 119 is, for example, 40 to 60 ° C.
表面粗化処理を行うための湿式エッチングユニット105は、エッチング槽121と、エッチング液123とから成る。エッチング液123はエッチング槽121に収容されている。エッチング液123は、例えば、クロム酸、硫酸、オゾン、酸、アルカリ、キレート等のうちの1種以上を含む。エッチング液123の温度は、例えば、65〜70℃である。 The wet etching unit 105 for performing the surface roughening treatment includes an etching tank 121 and an etching solution 123. The etching solution 123 is stored in the etching tank 121. The etching solution 123 includes one or more of chromic acid, sulfuric acid, ozone, acid, alkali, chelate, and the like, for example. The temperature of the etching solution 123 is 65 to 70 ° C., for example.
第1活性化ユニット107は、第1活性化槽125と、第1活性化液127とから成る。第1活性化液127は第1活性化槽125に収容されている。第1活性化液127は、例えば、塩化パラジウム、塩化第一錫、濃塩酸等のうちの1種以上を含む。第1活性化液127の温度は、例えば、30〜40℃である。 The first activation unit 107 includes a first activation tank 125 and a first activation liquid 127. The first activation liquid 127 is accommodated in the first activation tank 125. The first activation liquid 127 includes, for example, one or more of palladium chloride, stannous chloride, concentrated hydrochloric acid, and the like. The temperature of the 1st activation liquid 127 is 30-40 degreeC, for example.
第2活性化ユニット109は、第2活性化槽129と、第2活性化液131とから成る。第2活性化液131は第2活性化槽129に収容されている。第2活性化液131は、例えば、硫酸等を含む。第2活性化液131の温度は、例えば、0〜50℃である。 The second activation unit 109 includes a second activation tank 129 and a second activation liquid 131. The second activation liquid 131 is accommodated in the second activation tank 129. The second activation liquid 131 includes, for example, sulfuric acid. The temperature of the second activation liquid 131 is, for example, 0 to 50 ° C.
無電解めっきユニット111は、無電解めっき槽133と、無電解めっき液135とから成る。無電解めっき液135は無電解めっき槽133に収容されている。無電解めっき液135は、例えば、硫酸銅、ロッシエル塩、ホルムアルデヒド、水酸化ナトリウム等を含む。無電解めっき液135の温度は、例えば、20〜30℃である。 The electroless plating unit 111 includes an electroless plating tank 133 and an electroless plating solution 135. The electroless plating solution 135 is accommodated in the electroless plating tank 133. The electroless plating solution 135 includes, for example, copper sulfate, Rossiel salt, formaldehyde, sodium hydroxide and the like. The temperature of the electroless plating solution 135 is, for example, 20 to 30 ° C.
電解めっきユニット113は、電解めっき槽137と、電解めっき液139と、一対のアノード141と、電源ユニット143と、を備える。電解めっき液139は電解めっき槽137に収容されている。電解めっき液139は、例えば、表1又は表2に示す組成を有する。電解めっき液139の温度は、例えば、20〜25℃である。 The electroplating unit 113 includes an electroplating tank 137, an electroplating solution 139, a pair of anodes 141, and a power supply unit 143. Electrolytic plating solution 139 is accommodated in electrolytic plating tank 137. The electrolytic plating solution 139 has a composition shown in Table 1 or Table 2, for example. The temperature of the electrolytic plating solution 139 is, for example, 20 to 25 ° C.
搬送ユニット115は、複数のボビン145、147、149、151、153、155、157、159、161、163、165、167、169を備える。以下ではこれらをまとめてボビン群と呼ぶこともある。ボビン165、169は導電性を有する。ボビン167は絶縁性を有する。 The transport unit 115 includes a plurality of bobbins 145, 147, 149, 151, 153, 155, 157, 159, 161, 163, 165, 167, and 169. Hereinafter, these may be collectively referred to as a bobbin group. The bobbins 165 and 169 have conductivity. The bobbin 167 has an insulating property.
ボビン群は、基本的に、図14に示す搬送方向Dに沿って直列に配置されている。搬送方向Dは、脱脂ユニット103から、湿式エッチングユニット105、第1活性化ユニット107、第2活性化ユニット109、及び無電解めっきユニット111を順次経て、電解めっきユニット113に向かう方向である。 The bobbin group is basically arranged in series along the conveyance direction D shown in FIG. The transport direction D is a direction from the degreasing unit 103 toward the electrolytic plating unit 113 through the wet etching unit 105, the first activation unit 107, the second activation unit 109, and the electroless plating unit 111 in order.
ボビン147の一部は脱脂液119に浸漬されている。ボビン151の一部はエッチング液123に浸漬されている。ボビン155の一部は第1活性化液127に浸漬されている。ボビン159の一部は第2活性化液131に浸漬されている。ボビン163の一部は無電解めっき液135に浸漬されている。ボビン167の全体は電解めっき液139に浸漬されている。 A part of the bobbin 147 is immersed in the degreasing liquid 119. A part of the bobbin 151 is immersed in the etching solution 123. A part of the bobbin 155 is immersed in the first activation liquid 127. A part of the bobbin 159 is immersed in the second activation liquid 131. A part of the bobbin 163 is immersed in the electroless plating solution 135. The entire bobbin 167 is immersed in the electrolytic plating solution 139.
搬送ユニット115は、ボビン群により、差動信号伝送用ケーブル171を搬送方向Dに沿って連続的に搬送する。搬送される差動信号伝送用ケーブル171は、当初の状態においては、信号線と、絶縁体層とは備えているが、めっき層は未だ形成されてない。絶縁体層は、例えば、公知の押出成形により設けることができる。 The transport unit 115 continuously transports the differential signal transmission cable 171 along the transport direction D by the bobbin group. In the initial state, the differential signal transmission cable 171 to be conveyed is provided with a signal line and an insulator layer, but a plating layer is not yet formed. The insulator layer can be provided by, for example, known extrusion molding.
搬送される差動信号伝送用ケーブル171は、まず、脱脂ユニット103において脱脂液119に3〜5分間浸漬される。このとき、絶縁体層の表面に付着していた油脂が除去される。 The differential signal transmission cable 171 to be conveyed is first immersed in the degreasing liquid 119 in the degreasing unit 103 for 3 to 5 minutes. At this time, the oil and fat adhering to the surface of the insulator layer is removed.
次に、差動信号伝送用ケーブル171は、湿式エッチングユニット105において、エッチング液123に8〜15分間浸漬される。このとき、絶縁体層の外周面に凹凸形状が形成される。また、絶縁体層の外周面にカルボニル基やヒドロキシ基等の官能基が形成される。その結果、絶縁体層の外周面が親水化し、表面ぬれ性が向上する。 Next, the differential signal transmission cable 171 is immersed in the etching solution 123 for 8 to 15 minutes in the wet etching unit 105. At this time, an uneven shape is formed on the outer peripheral surface of the insulator layer. In addition, a functional group such as a carbonyl group or a hydroxy group is formed on the outer peripheral surface of the insulator layer. As a result, the outer peripheral surface of the insulator layer becomes hydrophilic and surface wettability is improved.
次に、差動信号伝送用ケーブル171は、第1活性化ユニット107において、第1活性化液127に1〜3分間浸漬される。このとき、絶縁体層の外周面に触媒層が形成される。 Next, the differential signal transmission cable 171 is immersed in the first activation liquid 127 for 1 to 3 minutes in the first activation unit 107. At this time, a catalyst layer is formed on the outer peripheral surface of the insulator layer.
次に、差動信号伝送用ケーブル171は、第2活性化ユニット109において、第2活性化液131に3〜6分間浸漬される。このとき、触媒層の表面が洗浄される。
次に、差動信号伝送用ケーブル171は、無電解めっきユニット111において、無電解めっき液135に浸漬される。浸漬時間は、例えば、10分間以下である。このとき、絶縁体層の外周面に無電解めっき層が形成される。無電解めっき層はめっき層に対応する。無電解めっき液135中の浸漬時間が長いほど、無電解めっき層の厚みは大きくなる。
Next, the differential signal transmission cable 171 is immersed in the second activation liquid 131 in the second activation unit 109 for 3 to 6 minutes. At this time, the surface of the catalyst layer is washed.
Next, the differential signal transmission cable 171 is immersed in the electroless plating solution 135 in the electroless plating unit 111. The immersion time is, for example, 10 minutes or less. At this time, an electroless plating layer is formed on the outer peripheral surface of the insulator layer. The electroless plating layer corresponds to the plating layer. The longer the immersion time in the electroless plating solution 135, the greater the thickness of the electroless plating layer.
次に、差動信号伝送用ケーブル171は、電解めっきユニット113において、電解めっき液139に浸漬される。浸漬時間は、例えば、3分間以下である。このとき、無電解めっき層の外周面に電解めっき層が形成される。電解めっき層はめっき層に対応する。電解めっき液139中の浸漬時間が長いほど、電解めっき層の厚みは大きくなる。電解めっきユニット113における電解めっきの具体的な条件は表3に示すとおりである。以上の工程により、差動信号伝送用ケーブル171が完成する。 Next, the differential signal transmission cable 171 is immersed in the electrolytic plating solution 139 in the electrolytic plating unit 113. The immersion time is, for example, 3 minutes or less. At this time, an electrolytic plating layer is formed on the outer peripheral surface of the electroless plating layer. The electrolytic plating layer corresponds to the plating layer. The longer the immersion time in the electrolytic plating solution 139, the greater the thickness of the electrolytic plating layer. Specific conditions for electrolytic plating in the electrolytic plating unit 113 are as shown in Table 3. Through the above steps, the differential signal transmission cable 171 is completed.
めっきの工程の後、金属箔テープをめっき層の外周面に巻きつけてもよい。金属箔テープは、例えば、スパイラル状に巻くことができる。例えば、金属箔テープを巻く前に、めっき層に亀裂を形成してもよい。 After the plating step, a metal foil tape may be wound around the outer peripheral surface of the plating layer. The metal foil tape can be wound in a spiral shape, for example. For example, a crack may be formed in the plating layer before winding the metal foil tape.
差動信号伝送用ケーブル171の搬送速度は、適宜調整することができる。搬送の途中で搬送速度を変えてもよいし、一時停止を行ってもよい。
図15に示す製造システム201を用いて差動信号伝送用ケーブルを製造してもよい。製造システム201の構成は、基本的には製造システム101と同様であるが、一部において相違する。以下では相違点を中心に説明する。製造システム201は、脱脂ユニット103と、湿式エッチングユニット105とを備えず、表面改質ユニット203を備える。図16は、表面改質ユニット203の詳細な構成を表す。
The conveyance speed of the differential signal transmission cable 171 can be adjusted as appropriate. The conveyance speed may be changed during the conveyance, or a temporary stop may be performed.
A differential signal transmission cable may be manufactured using the manufacturing system 201 shown in FIG. The configuration of the manufacturing system 201 is basically the same as that of the manufacturing system 101, but is partially different. Below, it demonstrates centering around difference. The manufacturing system 201 does not include the degreasing unit 103 and the wet etching unit 105 but includes the surface modification unit 203. FIG. 16 shows a detailed configuration of the surface modification unit 203.
表面改質ユニット203は、筐体204と、微細形状形成装置205と、親水化処理装置207と、を備える。筐体204は、表面改質ユニット203の各構成を収容する。筐体204は、方向Dにおける上流側に入口204Aを備え、方向Dにおける下流側に出口204Bを備える。 The surface modification unit 203 includes a housing 204, a fine shape forming device 205, and a hydrophilic treatment device 207. The housing 204 accommodates each component of the surface modification unit 203. The housing 204 includes an inlet 204A on the upstream side in the direction D, and an outlet 204B on the downstream side in the direction D.
搬送ユニット115は、筐体204内に4つのボビン209、211、213、215を備える。差動信号伝送用ケーブル171は、ボビン145に案内され、入口204Aから筐体204内に導入される。導入された差動信号伝送用ケーブル171は、ボビン209からボビン211に送られ、再びボビン209に戻る8の字型の経路に沿って搬送される。次に、差動信号伝送用ケーブル171は、ボビン209からボビン213に送られ、さらに、ボビン213からボビン215に送られ、再びボビン213に戻る8の字型の経路に沿って搬送される。次に、差動信号伝送用ケーブル171は、出口204Bから導出され、ボビン153に案内され、第1活性化ユニット107に送られる。 The transport unit 115 includes four bobbins 209, 211, 213, and 215 in the housing 204. The differential signal transmission cable 171 is guided by the bobbin 145 and introduced into the housing 204 from the inlet 204A. The introduced differential signal transmission cable 171 is sent from the bobbin 209 to the bobbin 211 and is conveyed along an 8-shaped path returning to the bobbin 209 again. Next, the differential signal transmission cable 171 is sent from the bobbin 209 to the bobbin 213, further sent from the bobbin 213 to the bobbin 215, and conveyed along an 8-shaped path returning to the bobbin 213 again. Next, the differential signal transmission cable 171 is led out from the outlet 204B, guided to the bobbin 153, and sent to the first activation unit 107.
微細形状形成装置205は、ボビン209とボビン211との間に存在する差動信号伝送用ケーブル171に対し、ノズル205Aからドライアイス粉体を噴射する。噴射の駆動力はエアー圧である。絶縁体層の外周面における算術平均粗さRaは、ドライアイス粉体と衝突することにより大きくなる。よって、微細形状形成装置205はドライアイスブラスト処理を行う。ドライアイスブラスト処理は表面粗化処理に対応する。 The fine shape forming apparatus 205 injects dry ice powder from the nozzle 205 </ b> A onto the differential signal transmission cable 171 existing between the bobbin 209 and the bobbin 211. The driving force for injection is air pressure. The arithmetic average roughness Ra on the outer peripheral surface of the insulator layer is increased by colliding with the dry ice powder. Therefore, the fine shape forming apparatus 205 performs dry ice blasting. Dry ice blasting corresponds to surface roughening.
ボビン209からボビン211に送られるときと、ボビン211からボビン209に戻るときとでは、絶縁体層の外周面のうち、ノズル205Aに対向する面が反対になる。そのため、微細形状形成装置205は、絶縁体層の外周面の全体にわたって算術平均粗さRaを大きくすることができる。 When the bobbin 209 is sent to the bobbin 211 and when it returns from the bobbin 211 to the bobbin 209, the surface of the insulator layer facing the nozzle 205A is opposite. Therefore, the fine shape forming apparatus 205 can increase the arithmetic average roughness Ra over the entire outer peripheral surface of the insulator layer.
ドライアイス粉体の粒径、ノズル205Aの先端から差動信号伝送用ケーブル171までの距離等は、適宜設定することができる。差動信号伝送用ケーブル171の温度は、例えば20℃である。 The particle diameter of the dry ice powder, the distance from the tip of the nozzle 205A to the differential signal transmission cable 171 and the like can be appropriately set. The temperature of the differential signal transmission cable 171 is, for example, 20 ° C.
ドライアイスブラスト処理における条件は、適宜変更することができる。ドライアイスブラスト処理における条件として、例えば、ドライアイス粉体の粒径、ドライアイス流量、エアー圧、ノズル205Aの先端から差動信号伝送用ケーブル171までの距離、差動信号伝送用ケーブル171の搬送速度、差動信号伝送用ケーブル171の温度等が挙げられる。例えば、絶縁体層の材料のガラス転移温度より低い温度でドライアイスブラスト処理を行ってもよい。絶縁体層の材料のガラス転移温度より低い温度として、例えば、−79℃以上、20℃以下の温度が挙げられる。ノズル205Aの位置は固定されていてもよいし、揺動又は走査してもよい。 The conditions in the dry ice blasting process can be changed as appropriate. Conditions for the dry ice blasting include, for example, the particle size of dry ice powder, the flow rate of dry ice, the air pressure, the distance from the tip of the nozzle 205A to the differential signal transmission cable 171 and the conveyance of the differential signal transmission cable 171. The speed, the temperature of the differential signal transmission cable 171 and the like can be mentioned. For example, the dry ice blast treatment may be performed at a temperature lower than the glass transition temperature of the material of the insulator layer. As temperature lower than the glass transition temperature of the material of an insulator layer, the temperature of -79 degreeC or more and 20 degrees C or less is mentioned, for example. The position of the nozzle 205A may be fixed, or may be swung or scanned.
親水化処理装置207はコロナ放電暴露による親水化処理を行う。コロナ放電暴露は表面改質処理に対応する。図16に示すように、親水化処理装置207は、合計4個の平板電極208を備える。一対の平板電極208は、ボビン213からボビン215に送られる差動信号伝送用ケーブル171を挟んで対向する。もう一対の平板電極208は、ボビン215からボビン213に戻る差動信号伝送用ケーブル171を挟んで対向する。対向する平板電極208間に高周波高電圧を印加することにより、コロナ放電が生じる。コロナ放電に暴露されることにより、絶縁体層の外周面は、親水化し、ぬれ性が向上する。縁体層の外周面が親水化し、ぬれ性が向上すると、接触角が小さくなり、付着ぬれ表面自由エネルギーの絶対値が大きくなる。 The hydrophilic treatment device 207 performs a hydrophilic treatment by corona discharge exposure. Corona discharge exposure corresponds to surface modification treatment. As shown in FIG. 16, the hydrophilic treatment apparatus 207 includes a total of four plate electrodes 208. The pair of plate electrodes 208 oppose each other with a differential signal transmission cable 171 sent from the bobbin 213 to the bobbin 215 interposed therebetween. The other pair of plate electrodes 208 oppose each other with the differential signal transmission cable 171 returning from the bobbin 215 to the bobbin 213 interposed therebetween. By applying a high frequency high voltage between the opposing flat plate electrodes 208, corona discharge is generated. By being exposed to corona discharge, the outer peripheral surface of the insulator layer becomes hydrophilic and wettability is improved. When the outer peripheral surface of the edge layer becomes hydrophilic and wettability is improved, the contact angle becomes smaller and the absolute value of the adhesion wetting surface free energy becomes larger.
コロナ放電暴露によって絶縁体層の外周面が親水化し、ぬれ性が向上する理由は以下のとおりであると推測される。コロナ放電暴露で発生する高エネルギー電子は空気中に存在する酸素分子を電離・解離し、酸素ラジカルやオゾン等が発生する。それとともに、絶縁体層の外周面近傍に到達した高エネルギー電子は、絶縁体層に含まれる例えばポリエチレンやパーフルオロエチレンプロペンコポリマー等の主鎖や側鎖を切断し、開裂させる。コロナ放電で発生した上記の酸素ラジカルやオゾン等は、上記のように開裂した主鎖や側鎖と再結合し、ヒドロキシ基やカルボニル基等の極性官能基が絶縁体層の外周面に形成される。その結果、絶縁体層の外周面は、親水化し、ぬれ性が向上する。
コロナ放電暴露における印加電圧は、例えば2〜14kVであり、周波数は15kVである。絶縁体層の外周面と平板電極208との距離は、例えば0.1〜3mmである。筐体204内の雰囲気は、例えば、大気である。
The reason why the outer peripheral surface of the insulator layer is made hydrophilic by the corona discharge exposure and the wettability is improved is as follows. High energy electrons generated by corona discharge exposure ionize and dissociate oxygen molecules present in the air, generating oxygen radicals and ozone. At the same time, the high-energy electrons that have reached the vicinity of the outer peripheral surface of the insulator layer cut the main chain and side chains of the insulator layer, such as polyethylene and perfluoroethylene propene copolymer, and cleave them. The oxygen radicals and ozone generated by corona discharge recombine with the main chain and side chain cleaved as described above, and polar functional groups such as hydroxy groups and carbonyl groups are formed on the outer peripheral surface of the insulator layer. The As a result, the outer peripheral surface of the insulator layer becomes hydrophilic and wettability is improved.
The applied voltage in corona discharge exposure is, for example, 2 to 14 kV, and the frequency is 15 kV. The distance between the outer peripheral surface of the insulator layer and the plate electrode 208 is, for example, 0.1 to 3 mm. The atmosphere in the housing 204 is, for example, air.
コロナ放電暴露における条件は、適宜変更することができる。コロナ放電暴露における条件として、例えば、印加電圧の大きさ、印加電圧の周波数、絶縁体層の外周面と平板電極208との距離、筐体204内の雰囲気等が挙げられる。筐体204内の雰囲気は、酸素、窒素、二酸化炭素、希ガス等を含んでいてもよい。また、絶縁体層の外周面と平板電極208との間にシリコーンゴム等の材料を挟んでもよい。この場合、コロナ放電を行うとき、平板電極208は間接的に絶縁体層に接触し、シリコーンゴムに対して摺動する。 筐体204内の空気を排気する排気機構や、筐体204内を乾燥させる乾燥装置を設けてもよい。この場合、差動信号伝送用ケーブル171の錆を抑制できる。また、筐体204内に徐電機器を設けてもよい。この場合、筐体204内の静電気を抑制できる。 The conditions for corona discharge exposure can be changed as appropriate. Examples of the conditions in corona discharge exposure include the magnitude of the applied voltage, the frequency of the applied voltage, the distance between the outer peripheral surface of the insulator layer and the plate electrode 208, the atmosphere in the housing 204, and the like. The atmosphere in the housing 204 may contain oxygen, nitrogen, carbon dioxide, a rare gas, or the like. Further, a material such as silicone rubber may be sandwiched between the outer peripheral surface of the insulator layer and the flat plate electrode 208. In this case, when performing corona discharge, the plate electrode 208 indirectly contacts the insulator layer and slides against the silicone rubber. An exhaust mechanism that exhausts the air in the housing 204 or a drying device that dries the interior of the housing 204 may be provided. In this case, rust of the differential signal transmission cable 171 can be suppressed. In addition, a slow power device may be provided in the housing 204. In this case, static electricity in the housing 204 can be suppressed.
上記のとおり、製造システム201を用いる差動信号伝送用ケーブルの製造方法では、絶縁体層の外周面にドライアイスブラスト処理を行い、その後、絶縁体層の外周面にコロナ放電暴露処理を行い、その後、過マンガン酸処理を行い、その後、絶縁体層の外周面にめっき層を形成する。ドライアイスブラスト処理は表面粗化処理に対応する。コロナ放電暴露処理は表面改質処理に対応する。過マンガン酸処理を行うことにより、絶縁体層にめっきがつき易くなる。また、過マンガン酸処理を行うことにより、差動信号伝送用ケーブルの伝送特性が向上する。表面粗化処理の後に過マンガン酸処理を行い、その後、コロナ放電暴露処理を行ってもよい。 As described above, in the method for manufacturing a differential signal transmission cable using the manufacturing system 201, the outer peripheral surface of the insulator layer is subjected to dry ice blasting, and then the outer peripheral surface of the insulator layer is subjected to corona discharge exposure processing. Thereafter, a permanganate treatment is performed, and then a plating layer is formed on the outer peripheral surface of the insulator layer. Dry ice blasting corresponds to surface roughening. Corona discharge exposure treatment corresponds to surface modification treatment. By performing the permanganic acid treatment, the insulator layer is easily plated. Further, by performing the permanganate treatment, the transmission characteristics of the differential signal transmission cable are improved. After the surface roughening treatment, permanganic acid treatment may be performed, and then corona discharge exposure treatment may be performed.
また、めっきの工程の後、金属箔テープをめっき層の外周面に巻きつけてもよい。金属箔テープは、例えば、スパイラル状に巻くことができる。例えば、金属箔テープを巻く前に、めっき層に亀裂を形成してもよい。 Moreover, you may wind a metal foil tape around the outer peripheral surface of a plating layer after the process of plating. The metal foil tape can be wound in a spiral shape, for example. For example, a crack may be formed in the plating layer before winding the metal foil tape.
表面改質ユニット203は、図17に示すものであってもよい。この表面改質ユニット203は、円筒形状の親水化処理装置207を備える。親水化処理装置207は軸孔217を備える。ボビン209及びボビン213により搬送される差動信号伝送用ケーブル171は、軸孔217を通過する。親水化処理装置207は軸孔217内でコロナ放電を発生させる。そのコロナ放電に暴露されることにより、絶縁体層の外周面は親水化し、ぬれ性が向上する。縁体層の外周面が親水化し、ぬれ性が向上すると、接触角が小さくなり、付着ぬれ表面自由エネルギーの絶対値が大きくなる。コロナ放電暴露処理は表面改質処理に対応する。 The surface modification unit 203 may be as shown in FIG. The surface modification unit 203 includes a cylindrical hydrophilic treatment apparatus 207. The hydrophilic treatment device 207 includes a shaft hole 217. The differential signal transmission cable 171 conveyed by the bobbin 209 and the bobbin 213 passes through the shaft hole 217. The hydrophilic treatment device 207 generates a corona discharge in the shaft hole 217. By being exposed to the corona discharge, the outer peripheral surface of the insulator layer becomes hydrophilic and wettability is improved. When the outer peripheral surface of the edge layer becomes hydrophilic and wettability is improved, the contact angle becomes smaller and the absolute value of the adhesion wetting surface free energy becomes larger. Corona discharge exposure treatment corresponds to surface modification treatment.
表面改質ユニット203は、図18に示すものであってもよい。親水化処理装置207は、ボビン213、ボビン215に対向する部分に、弧状の電極219を備える。ボビン213、ボビン215はアースに接地されている。親水化処理装置207は、電極219と、ボビン213、ボビン215との間に電圧を印加し、コロナ放電を発生させる。そのコロナ放電に暴露されることにより、絶縁体層の外周面は親水化し、ぬれ性が向上する。縁体層の外周面が親水化し、ぬれ性が向上すると、接触角が小さくなり、付着ぬれ表面自由エネルギーの絶対値が大きくなる。コロナ放電暴露処理は表面改質処理に対応する。 The surface modification unit 203 may be as shown in FIG. The hydrophilization treatment device 207 includes an arc-shaped electrode 219 at a portion facing the bobbin 213 and the bobbin 215. The bobbin 213 and the bobbin 215 are grounded. The hydrophilic treatment device 207 applies a voltage between the electrode 219, the bobbin 213, and the bobbin 215 to generate corona discharge. By being exposed to the corona discharge, the outer peripheral surface of the insulator layer becomes hydrophilic and wettability is improved. When the outer peripheral surface of the edge layer becomes hydrophilic and wettability is improved, the contact angle becomes smaller and the absolute value of the adhesion wetting surface free energy becomes larger. Corona discharge exposure treatment corresponds to surface modification treatment.
3.多芯ケーブル
本開示の多芯ケーブルは、複数本の差動信号伝送用ケーブルと、導体層と、ジャケットとを備える。導体層は、複数本の差動信号伝送用ケーブルを一括して被覆する。ジャケットは、導体層を被覆する。複数本の差動信号伝送用ケーブルのそれぞれは、前記「1.差動信号伝送用ケーブル」の項で説明した差動信号伝送用ケーブルと基本的には同様であって、外側絶縁層をさらに備える。差動信号伝送用ケーブルが金属箔テープを備えない場合、外側絶縁層はめっき層を被覆する。金属箔テープがめっき層の外周面に巻かれている場合、外側絶縁層は金属箔テープを被覆する。
3. Multicore Cable The multicore cable of the present disclosure includes a plurality of differential signal transmission cables, a conductor layer, and a jacket. The conductor layer collectively covers a plurality of differential signal transmission cables. The jacket covers the conductor layer. Each of the plurality of differential signal transmission cables is basically the same as the differential signal transmission cable described in the section “1. Differential signal transmission cable”, and further includes an outer insulating layer. Prepare. When the differential signal transmission cable does not include the metal foil tape, the outer insulating layer covers the plating layer. When the metal foil tape is wound around the outer peripheral surface of the plating layer, the outer insulating layer covers the metal foil tape.
複数本の差動信号伝送用ケーブルは、撚り合わせられていてもよいし、撚り合わせられていなくてもよい。差動信号伝送用ケーブルの本数は特に限定されず、例えば、2本、8本、24本等とすることができる。例えば、複数本の差動信号伝送用ケーブルを2以上のグループに区分し、グループ同士の間に介在を設けてもよい。各グループには、例えば、2本以上の差動信号伝送用ケーブルが含まれる。 The plurality of differential signal transmission cables may be twisted together or may not be twisted together. The number of differential signal transmission cables is not particularly limited, and may be, for example, 2, 8, 24, or the like. For example, a plurality of differential signal transmission cables may be divided into two or more groups, and an intervening space may be provided between the groups. Each group includes, for example, two or more differential signal transmission cables.
導体層は、例えば、シールドテープ導体、編組線等により構成することができる。導体層は、例えば、シールドテープ導体と編組線とを積層したものであってもよい。シールドテープ導体、編組線の材料として、ケーブルに一般的に使用されるものを使用できる。ジャケットの材料として、ケーブルに一般的に使用されるものを使用できる。 A conductor layer can be comprised with a shield tape conductor, a braided wire, etc., for example. For example, the conductor layer may be a laminate of a shield tape conductor and a braided wire. As a material for the shield tape conductor and the braided wire, those generally used for cables can be used. As a material for the jacket, those generally used for cables can be used.
外部絶縁層として、例えば、絶縁テープ、ラミネートテープ、絶縁体をスプレー塗布して形成された膜等が挙げられる。ラミネートテープとして、例えば、フラットケーブル等で一般的に使用されるものを使用できる。外部絶縁層は、常温又は低温で形成可能なものであることが好ましい。この場合、外部絶縁層を形成するときに絶縁体層が熱によって変形することを抑制できる。 Examples of the external insulating layer include an insulating tape, a laminate tape, and a film formed by spraying an insulator. As the laminate tape, for example, a tape generally used for a flat cable or the like can be used. The external insulating layer is preferably one that can be formed at room temperature or low temperature. In this case, it is possible to suppress the insulator layer from being deformed by heat when the external insulating layer is formed.
介在の材料として、例えば、紙、糸、発泡体等が挙げられる。発泡体として、例えば、発泡ポリプロピレン、発泡エチレン等の発泡ポリオレフィンが挙げられる。本開示の多芯ケーブルは、差動同相変換量及びサックアウトを抑制することができる。 Examples of the intervening material include paper, thread, and foam. Examples of the foam include foamed polyolefin such as foamed polypropylene and foamed ethylene. The multi-core cable of the present disclosure can suppress the differential in-phase conversion amount and suck-out.
図19に多芯ケーブル301の例を示す。多芯ケーブル301は、8本の差動信号伝送用ケーブル302と、シールドテープ導体303と、編組線305と、ジャケット307とを備える。シールドテープ導体303及び編組線305は、8本の差動信号伝送用ケーブル302を一括して被覆する。編組線305はシールドテープ導体303の外周側に位置する。ジャケット307は編組線305を被覆する。 FIG. 19 shows an example of the multicore cable 301. The multicore cable 301 includes eight differential signal transmission cables 302, a shield tape conductor 303, a braided wire 305, and a jacket 307. The shield tape conductor 303 and the braided wire 305 collectively cover the eight differential signal transmission cables 302. The braided wire 305 is located on the outer peripheral side of the shield tape conductor 303. Jacket 307 covers braided wire 305.
8本の差動信号伝送用ケーブル1は、中央の2本のグループと、その周囲の6本のグループとに区分されている。2つのグループの間に介在309が設けられている。
8本の差動信号伝送用ケーブル302のそれぞれは、図20に示す構成を有する。差動信号伝送用ケーブル302は、一対の信号線3と、絶縁体層5と、めっき層7と、外側絶縁層311と、を備える。めっき層7の外周面に金属箔テープを巻いてもよい。金属箔テープは、例えば、スパイラル状に巻くことができる。例えば、金属箔テープを巻く前に、めっき層7に亀裂を形成してもよい。
The eight differential signal transmission cables 1 are divided into two groups at the center and six groups around them. An interposition 309 is provided between the two groups.
Each of the eight differential signal transmission cables 302 has the configuration shown in FIG. The differential signal transmission cable 302 includes a pair of signal lines 3, an insulator layer 5, a plating layer 7, and an outer insulating layer 311. A metal foil tape may be wound around the outer peripheral surface of the plating layer 7. The metal foil tape can be wound in a spiral shape, for example. For example, a crack may be formed in the plating layer 7 before winding the metal foil tape.
絶縁体層5は一対の信号線3を一括して被覆する。めっき層7は絶縁体層5を被覆する。差動信号伝送用ケーブル1が金属箔テープを備えない場合、外側絶縁層311はめっき層7を被覆する。金属箔テープがめっき層7の外周面に巻かれている場合、外側絶縁層311は金属箔テープを被覆する。差動信号伝送用ケーブル302は、50GHz以下の周波数帯域において、差動同相変換量の最大値が−26dB以下である。絶縁体層5の外周面における算術平均粗さRaは0.6μm以上10μm以下である。信号線3、絶縁体層5、及びめっき層7の構成は、それぞれ、例えば、前記「1.差動信号伝送用ケーブル」の項で説明したものである。 The insulator layer 5 covers the pair of signal lines 3 at once. The plating layer 7 covers the insulator layer 5. When the differential signal transmission cable 1 does not include a metal foil tape, the outer insulating layer 311 covers the plating layer 7. When the metal foil tape is wound around the outer peripheral surface of the plating layer 7, the outer insulating layer 311 covers the metal foil tape. The differential signal transmission cable 302 has a maximum differential common-mode conversion amount of −26 dB or less in a frequency band of 50 GHz or less. The arithmetic average roughness Ra on the outer peripheral surface of the insulating layer 5 is 0.6 μm or more and 10 μm or less. The configurations of the signal line 3, the insulator layer 5, and the plating layer 7 are respectively those described in the section “1. Cable for differential signal transmission”, for example.
4.実施例
(4−1)実施例1
図1に示す構造を有する、実施例の差動信号伝送用ケーブル1を製造した。絶縁体層5の材質はポリエチレンである。絶縁体層5は一対の信号線3を一括して被覆する。一対の信号線3の延在方向に直交する断面において、絶縁体層5の外縁の形状は楕円形である。めっき層7の厚みは4.56μmである。めっき層7の厚みの標準偏差は0.68μmである。めっき層7の厚みの変動係数は0.15である。
4). Example (4-1) Example 1
A differential signal transmission cable 1 of the example having the structure shown in FIG. 1 was manufactured. The material of the insulator layer 5 is polyethylene. The insulator layer 5 covers the pair of signal lines 3 at once. In the cross section orthogonal to the extending direction of the pair of signal lines 3, the shape of the outer edge of the insulator layer 5 is an ellipse. The thickness of the plating layer 7 is 4.56 μm. The standard deviation of the thickness of the plating layer 7 is 0.68 μm. The variation coefficient of the thickness of the plating layer 7 is 0.15.
図20に示すように、長径方向における絶縁体層5の外径をL1とする。短径方向における絶縁体層5の外径をL2とする。一対の信号線3の中心同士の距離をL3とする。長径方向において、信号線3の中心と、絶縁体層5の外周面との距離をL4とする。短径方向において、信号線3の中心と、絶縁体層5の外周面との距離をL5とする。 As shown in FIG. 20, the outer diameter of the insulator layer 5 in the major axis direction L 1. The outer diameter of the insulator layer 5 in the minor axis and L 2. The distance between the centers of the pair of signal lines 3 and L 3. In the major axis direction, to the center of the signal line 3, the distance between the outer peripheral surface of the insulator layer 5 and L 4. In minor axis, and the center of the signal line 3, the distance between the outer peripheral surface of the insulator layer 5 and L 5.
なお、絶縁体層5の外縁の形状が長円形である場合でも、同様に、L1〜L5を定義することができる。ただし、絶縁体層5の外縁の形状が長円形である場合、長径方向とは、絶縁体層5の外周面を構成する2本の直線に平行な方向である。また、絶縁体層5の外縁の形状が長円形である場合、短径方向とは、上記の2本の直線に直交する方向である。 In addition, even when the shape of the outer edge of the insulator layer 5 is oval, L 1 to L 5 can be defined similarly. However, when the shape of the outer edge of the insulator layer 5 is an oval, the major axis direction is a direction parallel to two straight lines constituting the outer peripheral surface of the insulator layer 5. Moreover, when the shape of the outer edge of the insulator layer 5 is an oval, the minor axis direction is a direction orthogonal to the two straight lines.
実施例1において、L1は2.03mmである。L2は1.04mmである。L3は0.55mmである。L4は0.74mmである。L5は0.52mmである。
絶縁体層5の外周面に対し、表面粗化処理を行った。表面粗化処理はクロム酸エッチングである。めっき層7を形成する前の時点において、絶縁体層5の外周面における算術平均粗さRaは0.6μmである。めっき層7を形成する前の時点において、絶縁体層5の外周面における接触角は95°である。
In Example 1, L 1 is 2.03 mm. L 2 is 1.04mm. L 3 is 0.55mm. L 4 is 0.74mm. L 5 is 0.52mm.
Surface roughening treatment was performed on the outer peripheral surface of the insulator layer 5. The surface roughening treatment is chromic acid etching. At the time before the plating layer 7 is formed, the arithmetic average roughness Ra on the outer peripheral surface of the insulator layer 5 is 0.6 μm. Before the plating layer 7 is formed, the contact angle on the outer peripheral surface of the insulator layer 5 is 95 °.
この差動信号伝送用ケーブル1の差動同相変換量を測定した。差動同相変換量の測定は、差動信号伝送用ケーブルをドラム等に巻く前に行った。測定結果を図21に「131」として示す。図21における横軸は対数目盛で表した周波数である。縦軸は差動同相変換量であって、単位はdBである。縦軸の差動同相変換量は、ミックスト・モードSパラメータのScd21に対応する。縦軸の値が大きいほど(すなわち、負の測定値の絶対値が小さいほど)、差動同相変換量におけるノイズ量が大きいことを表しており、伝送信号の品質低下が著しいことを示している。 The differential common-mode conversion amount of the differential signal transmission cable 1 was measured. The differential common-mode conversion amount was measured before the differential signal transmission cable was wound around a drum or the like. The measurement result is shown as “131” in FIG. The horizontal axis in FIG. 21 is the frequency expressed on a logarithmic scale. The vertical axis represents the differential in-phase conversion amount, and the unit is dB. The differential in-phase conversion amount on the vertical axis corresponds to the mixed mode S parameter Scd21. The larger the value on the vertical axis (that is, the smaller the absolute value of the negative measurement value), the greater the amount of noise in the differential common-mode conversion amount, indicating that the quality of the transmitted signal is significantly degraded. .
また、比較例の差動信号伝送用ケーブルRについても、差動同相変換量を測定した。測定結果を図21に「132」として示す。比較例の差動信号伝送用ケーブルRでは、絶縁体層の外周面に対し、表面粗化処理を行っていない。そのため、絶縁体層の外周面における算術平均粗さRaは0.13μmであり、絶縁体層の外周面における接触角は82°である。また、比較例の差動信号伝送用ケーブルRは、めっき層を備えず、金属製テープを巻きつけた導体層を備える。 Further, the differential common-mode conversion amount was also measured for the differential signal transmission cable R of the comparative example. The measurement result is shown as “132” in FIG. In the differential signal transmission cable R of the comparative example, the surface roughening treatment is not performed on the outer peripheral surface of the insulator layer. Therefore, the arithmetic average roughness Ra on the outer peripheral surface of the insulator layer is 0.13 μm, and the contact angle on the outer peripheral surface of the insulator layer is 82 °. Moreover, the differential signal transmission cable R of the comparative example does not include a plating layer but includes a conductor layer wound with a metal tape.
実施例の差動信号伝送用ケーブル1では、比較例の差動信号伝送用ケーブルRに比べて、差動同相変換量が小さかった。特に、高周波数の領域において、比較例の差動信号伝送用ケーブルRとの差が顕著であった。 In the differential signal transmission cable 1 of the example, the differential common-mode conversion amount was smaller than that of the differential signal transmission cable R of the comparative example. In particular, in the high frequency region, the difference from the differential signal transmission cable R of the comparative example was significant.
また、実施例の差動信号伝送用ケーブル1と、比較例の差動信号伝送用ケーブルRとについて、伝送特性を測定した。伝送特性の測定は、差動信号伝送用ケーブルをドラム等に巻く前に行った。実施例の差動信号伝送用ケーブル1の測定結果を図22に「51」として示し、比較例の差動信号伝送用ケーブルRの測定結果を「52」として示す。図22における横軸は伝送信号の周波数である。縦軸は伝送信号損失をdBの単位で示している。縦軸の伝送損失は、ミックスト・モードSパラメータのSdd21に対応する。縦軸の値が小さいほど(すなわち、負の測定値の絶対値が大きいほど)、伝送信号の減衰量が大きく、発信信号の伝送に伴う劣化が大きく、伝送損失が顕著であることを示している。 Further, the transmission characteristics of the differential signal transmission cable 1 of the example and the differential signal transmission cable R of the comparative example were measured. The transmission characteristics were measured before winding the differential signal transmission cable around a drum or the like. The measurement result of the differential signal transmission cable 1 of the example is shown as “51” in FIG. 22, and the measurement result of the differential signal transmission cable R of the comparative example is shown as “52”. The horizontal axis in FIG. 22 represents the frequency of the transmission signal. The vertical axis indicates transmission signal loss in dB. The transmission loss on the vertical axis corresponds to the mixed mode S parameter Sdd21. The smaller the value on the vertical axis (that is, the larger the absolute value of the negative measurement value), the greater the attenuation of the transmission signal, the greater the degradation associated with transmission of the outgoing signal, and the greater the transmission loss. Yes.
実施例の差動信号伝送用ケーブル1では、比較例の差動信号伝送用ケーブルRに比べて、伝送損失が小さかった。また、実施例の差動信号伝送用ケーブル1では、サックアウトが発生しなかった。図22には示していないが、30GHz以上、50GHz以下の領域でもサックアウトは発生しなかった。なお、サックアウトとは、伝送信号の急激な減衰を意味する。 In the differential signal transmission cable 1 of the example, the transmission loss was smaller than that of the differential signal transmission cable R of the comparative example. Further, no suck-out occurred in the differential signal transmission cable 1 of the example. Although not shown in FIG. 22, no suck-out occurred even in the region of 30 GHz or more and 50 GHz or less. Note that “suck out” means a rapid attenuation of a transmission signal.
それに対し、比較例の差動信号伝送用ケーブルRではサックアウトが発生した。実施例の差動信号伝送用ケーブル1においてサックアウトが発生しない理由は、差動信号伝送用ケーブル1の全体にわたって連続的にめっき層が形成され、金属製テープを巻きつけた導体層のような重ね合わせや継ぎ目が存在しないためであると推測される。
(4−2)実施例2
表4に示す条件で差動信号伝送用ケーブルS1〜S7を製造した。
On the other hand, sack out occurred in the differential signal transmission cable R of the comparative example. The reason why no sac-out occurs in the differential signal transmission cable 1 of the embodiment is that a plating layer is continuously formed over the entire differential signal transmission cable 1, such as a conductor layer wound with a metal tape. This is presumably because there is no overlap or seam.
(4-2) Example 2
Differential signal transmission cables S1 to S7 were manufactured under the conditions shown in Table 4.
S1〜S6は、めっき層から成る導電層を備える。S7は、Cuテープを横巻きすることで導電層を形成した。S1〜S5では、絶縁体層の外周面に、ドライアイスブラスト処理を行い、その後、コロナ放電暴露処理を行った。ドライアイスブラスト処理は表面粗化処理に対応し、コロナ放電暴露処理は表面改質処理に対応する。S1〜S3では、コロナ放電暴露処理の後、過マンガン酸処理を行った。S4〜S5では、コロナ放電暴露処理の後、過マンガン酸処理を行わなかった。S6では、絶縁体層の外周面にクロム酸処理を行った。S7では、Cuテープを巻く前の処理は行わなかった。 S1 to S6 include a conductive layer made of a plating layer. In S7, a conductive layer was formed by horizontally winding a Cu tape. In S1 to S5, a dry ice blast process was performed on the outer peripheral surface of the insulator layer, and then a corona discharge exposure process was performed. The dry ice blast treatment corresponds to the surface roughening treatment, and the corona discharge exposure treatment corresponds to the surface modification treatment. In S1 to S3, permanganic acid treatment was performed after corona discharge exposure treatment. In S4 to S5, the permanganate treatment was not performed after the corona discharge exposure treatment. In S6, chromic acid treatment was performed on the outer peripheral surface of the insulator layer. In S7, the process before winding a Cu tape was not performed.
S1〜S7について、算術平均粗さRaと、伝送損失Sdd21と、を測定した。その結果を上記表4に示す。表1における「第1Ra」は第1測定位置での算術平均粗さRaを表し、「第2Ra」は第2測定位置での算術平均粗さRaを表し、「平均Ra」はそれらの平均値を表す。また、算術平均粗さRaと、伝送損失Sdd21との関係を図23に示す。算術平均粗さRaが小さいほど、伝送損失Sdd21は小さかった。過マンガン酸処理を行ったS1〜S3は、過マンガン酸処理を行わなかったS4〜S5に比べて、伝送損失が小さかった。 About S1-S7, arithmetic mean roughness Ra and transmission loss Sdd21 were measured. The results are shown in Table 4 above. In Table 1, “first Ra” represents the arithmetic average roughness Ra at the first measurement position, “second Ra” represents the arithmetic average roughness Ra at the second measurement position, and “average Ra” is the average value thereof. Represents. FIG. 23 shows the relationship between the arithmetic average roughness Ra and the transmission loss Sdd21. The smaller the arithmetic average roughness Ra, the smaller the transmission loss Sdd21. S1-S3 which performed the permanganic acid process had a small transmission loss compared with S4-S5 which did not perform the permanganate process.
5.他の実施形態
以上、本開示の実施形態について説明したが、本開示は上述の実施形態に限定されることなく、種々変形して実施することができる。
5. Other Embodiments Although the embodiment of the present disclosure has been described above, the present disclosure is not limited to the above-described embodiment, and various modifications can be made.
(1)実施例1、2において、差動信号伝送用ケーブルは、信号線3、絶縁体層5、及びめっき層7に加えて、金属箔テープをさらに備えるものであってもよい。金属箔テープはめっき層7の外周面に巻かれる。金属箔テープは、例えば、スパイラル状に巻くことができる。例えば、金属箔テープを巻く前に、めっき層に亀裂を形成してもよい。 (1) In the first and second embodiments, the differential signal transmission cable may further include a metal foil tape in addition to the signal line 3, the insulator layer 5, and the plating layer 7. The metal foil tape is wound around the outer peripheral surface of the plating layer 7. The metal foil tape can be wound in a spiral shape, for example. For example, a crack may be formed in the plating layer before winding the metal foil tape.
差動信号伝送用ケーブルが金属箔テープを備える場合も、実施例1、2で示した効果を奏する。さらに、差動信号伝送用ケーブルが金属箔テープを備える場合、シールド効果が一層高くなる。 Even when the differential signal transmission cable includes a metal foil tape, the effects described in the first and second embodiments are exhibited. Furthermore, when the differential signal transmission cable includes a metal foil tape, the shielding effect is further enhanced.
(2)上記各実施形態における1つの構成要素が有する機能を複数の構成要素に分担させたり、複数の構成要素が有する機能を1つの構成要素に発揮させたりしてもよい。また、上記各実施形態の構成の一部を省略してもよい。また、上記各実施形態の構成の少なくとも一部を、他の上記実施形態の構成に対して付加、置換等してもよい。なお、特許請求の範囲に記載の文言から特定される技術思想に含まれるあらゆる態様が本開示の実施形態である。 (2) A function of one component in each of the above embodiments may be shared by a plurality of components, or a function of a plurality of components may be exhibited by one component. Moreover, you may abbreviate | omit a part of structure of each said embodiment. In addition, at least a part of the configuration of each of the above embodiments may be added to or replaced with the configuration of the other above embodiments. In addition, all the aspects included in the technical idea specified from the wording described in the claims are embodiments of the present disclosure.
(3)上述した差動信号伝送用ケーブル又は多芯ケーブルの他、それらの少なくとも一方を構成要素とするシステム、多芯ケーブルの製造方法、差動信号伝送用ケーブルを用いた信号送受信方法等、種々の形態で本開示を実現することもできる。 (3) In addition to the above-described differential signal transmission cable or multicore cable, a system including at least one of them as a constituent element, a multicore cable manufacturing method, a signal transmission / reception method using a differential signal transmission cable, etc. The present disclosure can also be realized in various forms.
1…差動信号伝送用ケーブル、3…信号線、5…絶縁体層、7…めっき層、9…金属箔テープ、11…押さえ巻き用絶縁テープ、13…亀裂、71…絶縁体層、72…外周面、73…凹部、101、201…製造システム、103…脱脂ユニット、105…湿式エッチングユニット、107…第1活性化ユニット、109…第2活性化ユニット、111…無電解めっきユニット、113…電解めっきユニット、115…搬送ユニット、117…脱脂槽、119…脱脂液、121…エッチング槽、123…エッチング液、125…第1活性化槽、127…第1活性化液、129…第2活性化槽、131…第2活性化液、133…無電解めっき槽、135…無電解めっき液、137…電解めっき槽、139…電解めっき液、141…アノード、143…電源ユニット、145、147、149、151、153、155、157、159、161、163、165、167、169、209、211、213、215…ボビン、171…差動信号伝送用ケーブル、203…表面改質ユニット、204…筐体、204A…入口、204B…出口、205…微細形状形成装置、205A…ノズル、207…親水化処理装置、208…平板電極、217…軸孔、219…電極、301…多芯ケーブル、302…差動信号伝送用ケーブル、303…シールドテープ導体、305…編組線、307…ジャケット、309…介在、311…外側絶縁層 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Cable for differential signal transmission, 3 ... Signal wire, 5 ... Insulator layer, 7 ... Plating layer, 9 ... Metal foil tape, 11 ... Insulating tape for press winding, 13 ... Crack, 71 ... Insulator layer, 72 DESCRIPTION OF SYMBOLS ... Outer peripheral surface, 73 ... Recessed part, 101, 201 ... Manufacturing system, 103 ... Degreasing unit, 105 ... Wet etching unit, 107 ... First activation unit, 109 ... Second activation unit, 111 ... Electroless plating unit, 113 ... Electrolytic plating unit, 115 ... conveying unit, 117 ... degreasing tank, 119 ... degreasing liquid, 121 ... etching tank, 123 ... etching liquid, 125 ... first activation tank, 127 ... first activation liquid, 129 ... second Activation tank, 131 ... second activation liquid, 133 ... electroless plating tank, 135 ... electroless plating liquid, 137 ... electrolytic plating tank, 139 ... electrolytic plating liquid, 141 ... anode, 1 3 ... power supply unit, 145, 147, 149, 151, 153, 155, 157, 159, 161, 163, 165, 167, 169, 209, 211, 213, 215 ... bobbin, 171 ... differential signal transmission cable, DESCRIPTION OF SYMBOLS 203 ... Surface modification unit, 204 ... Housing, 204A ... Inlet, 204B ... Outlet, 205 ... Fine shape forming device, 205A ... Nozzle, 207 ... Hydrophilization device, 208 ... Flat plate electrode, 217 ... Shaft hole, 219 ... Electrode 301 ... multi-core cable 302 ... differential signal transmission cable 303 ... shield tape conductor 305 ... braided wire 307 ... jacket 309 ... interposition 311 ... outer insulating layer
Claims (5)
前記信号線の周囲を被覆する絶縁体層と、
前記絶縁体層を被覆するめっき層と、
前記めっき層の外周面に巻かれ、前記めっき層と電気的に接続した金属箔テープと、
を備える差動信号伝送用ケーブル。 A pair of signal lines;
An insulator layer covering the periphery of the signal line;
A plating layer covering the insulator layer;
A metal foil tape wound around the outer peripheral surface of the plating layer and electrically connected to the plating layer;
A differential signal transmission cable comprising:
前記金属箔テープはスパイラル状に巻かれた差動信号伝送用ケーブル。 The differential signal transmission cable according to claim 1,
The metal foil tape is a differential signal transmission cable wound in a spiral shape.
前記めっき層は亀裂を有する差動信号伝送用ケーブル。 The differential signal transmission cable according to claim 1 or 2,
The plating layer has a crack for differential signal transmission.
前記複数本の差動信号伝送用ケーブルを一括して被覆する導体層と、
前記導体層を被覆するジャケットと、
を備える多芯ケーブルであって、
前記複数本の差動信号伝送用ケーブルのそれぞれは、請求項1〜3のいずれか1項に記載の差動信号伝送用ケーブルと、前記金属箔テープを被覆する外側絶縁層とにより構成される多芯ケーブル。 A plurality of differential signal transmission cables;
A conductor layer that collectively covers the plurality of differential signal transmission cables;
A jacket covering the conductor layer;
A multicore cable comprising:
Each of the plurality of differential signal transmission cables includes the differential signal transmission cable according to any one of claims 1 to 3 and an outer insulating layer covering the metal foil tape. Multi-core cable.
一対の信号線の周囲を絶縁体層で被覆し、
前記絶縁体層の外周面をめっき層で被覆し、
前記めっき層の外周面に金属箔テープを巻く差動信号伝送用ケーブルの製造方法。
A method of manufacturing a differential signal transmission cable,
Cover the periphery of a pair of signal lines with an insulator layer,
Coating the outer peripheral surface of the insulator layer with a plating layer;
A method of manufacturing a differential signal transmission cable in which a metal foil tape is wound around an outer peripheral surface of the plating layer.
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