JP2019168885A - 接触検知装置、接触検知方法及びプログラム - Google Patents

Abstract

【課題】事前準備等の手間をかけることなく、電気伝導度が標準の指の皮膚よりも低い導電性を有する所定の対象物を用いて静電容量方式のタッチセンサにタッチ操作を認識させる。【解決手段】接触検知装置は、接触を検出する静電容量方式のタッチセンサ４０と、自装置に設置されたタッチセンサとは異なるセンサ５１，２３１，２３２と、センサにより、前記タッチセンサへのタッチ入力を行う所定の対象物によるタッチセンサへの動作を検出する動作検出手段１１１〜１１３と、動作検出手段によりタッチセンサへの動作が検出された場合に、タッチセンサのタッチ入力を検知するための静電容量の閾値を、予め定められた標準値よりも小さい所定の値に変更する制御を行う変更制御手段１１４と、を備えている。【選択図】図２

Description

本発明は、接触を検知する技術に関する。

静電容量方式のタッチセンサが普及している。静電容量方式のタッチセンサにおいて、爪等のような電気伝導度が標準の指の皮膚よりも低い導電性を有するものでタッチ操作を行った場合にはタッチ操作が認識されない。これを解決するために、電気伝導度が高い付け爪又は電気伝導度が高いマニキュアを利用する技術が提案されている（例えば、特許文献１参照）。

特許第５０８５７６０号公報

しかしながら、特許文献１の技術は、爪に細工を施すものであるため手間がかかるという問題があった。

本発明は、このような問題に鑑みてなされたものであり、事前準備等の手間をかけることなく、電気伝導度が標準の指の皮膚よりも低い導電性を有する所定の対象物を用いて静電容量方式のタッチセンサにタッチ操作を認識させることを目的とする。

前記目的を達成するため、本発明に係る接触検知装置の一様態は、
接触を検出する静電容量方式のタッチセンサと、
自装置に設置された前記タッチセンサとは異なるセンサと、
前記センサにより、前記タッチセンサへのタッチ入力を行う所定の対象物による前記タッチセンサへの動作を検出する動作検出手段と、
前記動作検出手段により前記タッチセンサへの前記動作が検出された場合に、前記タッチセンサの前記タッチ入力を検知するための静電容量の閾値を、予め定められた標準値よりも小さい所定の値に変更する制御を行う変更制御手段と、
を備える、
ことを特徴とする。

前記目的を達成するため、本発明に係る接触検知方法の一様態は、
接触を検出する静電容量方式のタッチセンサと、接触検知装置に設置された前記タッチセンサとは異なるセンサと、を備える前記接触検知装置による接触検知方法であって、
前記センサにより、前記タッチセンサへのタッチ入力を行う所定の対象物による前記タッチセンサへの動作を検出する動作検出工程と、
前記動作検出工程において前記タッチセンサへの前記動作が検出された場合に、前記タッチセンサの前記タッチ入力を検知するための静電容量の閾値を、予め定められた標準値よりも小さい所定の値に変更する制御を行う変更制御工程と、
を含む、
ことを特徴とする。

また、前記目的を達成するため、本発明に係るプログラムの一様態は、
接触を検出する静電容量方式のタッチセンサと、接触検知装置に設置された前記タッチセンサとは異なるセンサと、を備える前記接触検知装置のコンピュータを、
前記センサにより、前記タッチセンサへのタッチ入力を行う所定の対象物による前記タッチセンサへの動作を検出する動作検出手段、
前記動作検出手段により前記タッチセンサへの前記動作が検出された場合に、前記タッチセンサの前記タッチ入力を検知するための静電容量の閾値を、予め定められた標準値よりも小さい所定の値に変更する制御を行う変更制御手段、
として機能させる、
ことを特徴とする。

本発明によれば、事前準備の手間をかけることなく、電気伝導度が標準の指の皮膚よりも低い導電性を有する所定の対象物を用いて静電容量方式のタッチセンサにタッチ操作を認識させることが可能になる。

本発明の接触検知装置が適用された電子機器の斜視図である。 電子機器の機能構成を示すブロック図である。 電子機器をＸ方向から見た側面図である。 図４（Ａ）は指の先端部がタッチパネルに接触して操作を行っている状態を示す説明図、図４（Ｂ）は指が接触している間のタッチパネルの静電容量の変化を示す線図である。 図５（Ａ）は爪の先端部がタッチパネルに接触して操作を行っている状態を示す説明図、図５（Ｂ）はタッチペンの先端部がタッチパネルに接触して操作を行っている状態を示す説明図、図５（Ｃ）は低伝導度対象物が接触している間のタッチパネルの静電容量の変化を示す線図である。 低伝導度対象物がタッチパネルに接触したときに加速度センサに加わる加速度の大きさを示した電子機器の側面図である 低伝導度対象物がタッチパネルに接触したときに圧力センサに加わる圧力の大きさを示した電子機器の側面図である 図８（Ａ）は爪の先端部でタップ操作を行っている状態を示す説明図、図８（Ｂ）はタップ操作の際のＺ方向の検出加速度の変化を示す線図である。 図９（Ａ）は爪の先端部でスワイプ操作を行っている状態を示す説明図、図９（Ｂ）はスワイプ操作の際のＺ方向の検出加速度の変化を示す線図である。 図１０（Ａ）は加振操作を行っている状態を示す説明図、図１０（Ｂ）は加振操作の際のＸ、Ｙ方向の検出加速度の変化の変化を示す線図である。 タッチパネルの感度切り替え制御を示すフローチャートである。 判定手段が実行する各種操作の入力判定処理を示すフローチャートである。

［発明の実施形態の概要］
以下に、本発明について、図面を用いて具体的な態様を説明する。ただし、発明の範囲は、図示例に限定されない。

図１は、本発明の接触検知装置が適用された電子機器１００の斜視図、図２はその機能構成を示すブロック図である。
電子機器１００は、いわゆるスマートフォンやタブレットのような可搬性を備えた情報処理端末である。
電子機器１００は、マイコンからなる制御装置１０と、通信部２１及びアンテナＡ１と、ＲＯＭ２２（Read Only Memory）と、計測部２３と、タッチパネル４０と、電力供給部３０と、撮像部５０と、などを備える。

制御装置１０は、電子機器１００が実行する各種動作に係る処理を行う。
制御装置１０は、電子機器１００の全体動作を統括制御するプロセッサである。制御装置１０は、ＣＰＵ１１（Central Processing Unit）と、ＲＡＭ１２（Random Access Memory）と、などを備える。

ＣＰＵ１１は、ＲＯＭ２２に格納された各種のプログラム２２１に基づいて各種の機能を実現する。これらの各種の機能については後述する。
ＲＡＭ１２は、ＣＰＵ１１に作業用のメモリ空間を提供し、一時データを記憶する。ＲＡＭ１２は、制御装置１０に対して外付けされてもよい。このＲＡＭ１２には、ＤＲＡＭに加えて書き換え可能な不揮発性メモリが含まれていてもよい。

ＲＯＭ２２は、制御装置１０が制御動作を実行するためのプログラム２２１を格納するコンピュータ読取可能な記憶媒体である。ＲＯＭ２２としては、マスクＲＯＭに加えて又は代えてデータの書き換え更新が可能なフラッシュメモリなどの不揮発性メモリを有していてもよい。ＲＯＭ２２は、スロットなどの取り付け部に対して着脱可能であってもよい。

通信部２１は、例えば、変復調回路、信号処理回路等により構成されており、外部の通信ネットワークに接続することができる。これにより、電子機器１００は、通信ネットワークに接続されている基地局やアクセスポイント等と情報の送受信を行い、通信ネットワーク上の外部の他の機器との通信を行うことができる。

計測部２３は、センサにより各種物理量を計測して、計測値や計測結果に基づく判定データなどを制御装置１０に出力する。計測部２３は、ここでは、加速度センサ２３１と、圧力センサ２３２と、などを有する。

図１に示すように、電子機器１００は長方形の平板状であり、一方の平板面（正面とする）に長方形状のタッチパネル（タッチセンサ）４０が設けられている。そして、タッチパネル４０の表面に垂直な方向（電子機器１００の厚み方向）をＺ方向とし、タッチパネル４０に平行であってその長辺に沿った方向をＹ方向、タッチパネル４０に平行であってその短辺に沿った方向をＸ方向とする。
加速度センサ２３１は、三軸、即ち、Ｘ方向，Ｙ方向及びＺ方向のそれぞれの方向の加速度を計測して制御装置１０に出力する。

圧力センサ２３２は、タッチパネル４０の裏側に内蔵され、タッチパネル４０に対するＺ方向の加圧力を検出する。また、この圧力センサ２３２としては、電子機器１００のケーシングに設けられた歪みゲージで構成し、タッチパネル４０に対するＺ方向の加圧力をケーシングに生じる歪みから検出する構成としても良い。

タッチパネル４０は、例えば投影型静電容量方式のタッチパネルである。
このタッチパネル４０は、表示部４１と透明電極パターン層４２とを有している。
表示部４１は、制御装置１０の制御に基づいて各種情報の表示を行う。表示部４１は、例えば、液晶ディスプレイや有機ＥＬディスプレイ等からなる。

透明電極パターン層４２は、表示部４１の表示画面の上に重ねて設けられている。透明電極パターン層４２は、ガラスやプラスチックなどの基板上に、縦方向及び横方向に延びる多数のモザイク状の透明電極パターンが形成されており、その上に絶縁体フィルムが形成されている。
そして、透明電極パターン層４２は、絶縁体フィルムの上に所定の対象物、例えば、人の指が接触または接近することで生じる絶縁体フィルムの静電容量の変化を、透明電極パターンの電極が検出する。また、このとき、透明電極パターン層４２のいずれの電極が静電容量の変化を検出したかによって、タッチパネル４０表面に接触又は接近した指の位置を特定することができる。

撮像部５０は、カメラ５１と画像処理部５２とを備えている。図３は電子機器１００をＸ方向から見た側面図である。図３に示すように、撮像部５０は、タッチパネル４０と同様に電子機器１００の正面側に設けられ、電子機器１００の正面からＺ方向に向かって撮像を行う。

カメラ５１は、光学系と、画像を撮像する撮像センサ（センサ）と、を備えている。撮像センサは、例えば、ＣＭＯＳ（Complementary Metal Oxide Semiconductor）やＣＣＤ（Charge Coupled Device）等のイメージセンサから構成され、光学系を通過した光学像を２次元の画像信号に変換する。
光学系は、超広角レンズ又は魚眼レンズを使用しており、図３に示すように、Ｚ方向に沿った光軸を中心としてその周囲を９０°に近い範囲まで撮像することができる。このため、撮像部５０は、タッチパネル４０に接近又は接触して操作を行う所定の対象物（ここでは、ユーザの指Ｆ及び爪Ｎを例示）を撮像することができる。

画像処理部５２は、カメラ５１から転送されたフレーム画像のアナログ値の信号に対してＲＧＢの色成分毎に適宜ゲイン調整した後に、サンプルホールド回路（図示略）でサンプルホールドしてＡ／Ｄ変換器（図示略）でデジタルデータに変換し、カラープロセス回路（図示略）で画素補間処理及びγ補正処理を含むカラープロセス処理を行った後、デジタル値の輝度信号Ｙ及び色差信号Ｃｂ，Ｃｒ（ＹＵＶデータ）を生成する。
また、画像処理部５２は、生成した画像データをＲＡＭ１２やメモリ５５に転送する。

メモリ５５は、読み書き可能な不揮発性のメモリであり、例えば、フラッシュメモリやＥＥＰＲＯＭ（Electrically Erasable and Programmable Read Only Memory）である。このメモリ５５は、前述したように、撮像部５０で生成された画像データ等が格納される。

電力供給部３０は、電子機器１００の各部に所定の駆動電圧でバッテリ３１から電力供給を行う。電子機器１００は、ここでは、バッテリ３１として外部電源と接続されて充電が可能な充電池などを備えるが、着脱交換可能な乾電池や充電池などが用いられてもよい。

［ユーザからの操作入力を受け付けるための各種機能］
前述したように、ＣＰＵ１１は、ＲＯＭ２２に格納された各種のプログラム２２１を実行することにより、操作入力検出手段１１０、第１〜第３の動作検出手段１１１〜１１３、変更制御手段１１４、判定手段１１５として機能する。これらは、いずれも、電子機器１００に対するユーザからの入力受け付けに関する機能である。
なお、前記各手段１１０〜１１５は、例えば、所定のロジック回路から構成しても良い。
これらの各種の機能について、以下に説明する。

［操作入力検出手段］
電子機器１００は、基本的に、タッチパネル４０を通じてユーザからの各種の操作入力（タッチ入力）を受け付ける。
図４（Ａ）に示すように、標準の指Ｆの皮膚の先端部がタッチパネル４０に接触して操作を行う場合には、図４（Ｂ）に示すように、指Ｆが接触している間、タッチパネル４０の透明電極パターン層４２の絶縁体フィルムの静電容量は上昇する。
操作入力検出手段１１０は、標準的な静電容量の閾値Ｃａが設定されており、指Ｆの接触による一般的な静電容量の値Ｃ０が閾値Ｃａよりも高くなる。
従って、操作入力検出手段１１０は、タッチパネル４０のいずれかの位置において、静電容量の閾値Ｃａよりも高い静電容量値の上昇が検出された場合に、ユーザからの入力があったものとして、その入力位置を検出する。
標準の指Ｆの皮膚とは、標準的又は平均的な生身の手の指先の表面（通常よりも乾燥していない状態）を意味する。

［変更制御手段］
タッチパネル４０の透明電極パターン層４２の絶縁体フィルムの静電容量は、タッチパネル４０に接触する物の電気伝導度に応じて増減する。例えば、図５（Ａ）のように、指Ｆの皮膚よりも電気伝導度が低い爪Ｎがタッチパネル４０に接触した場合や、図５（Ｂ）のように指Ｆの皮膚よりも電気伝導度が低いタッチペンＴがタッチパネル４０に接触した場合には、図５（Ｃ）に示すように、静電容量の上昇は指Ｆの皮膚が接触した場合よりも小さくなり、その値Ｃ１は前述した検出の閾値Ｃａを下回る。
このため、爪ＮやタッチペンＴのような電気伝導度が標準の指Ｆの皮膚よりも低い対象物（以下、「低伝導度対象物」とする）でタッチパネル４０の操作入力が行われると、操作入力検出手段１１０では検出することができない。
なお、指Ｆが通常よりも乾燥している場合にも電気伝導度が低下するので、このような乾燥した指も前記低伝導度対象物に含まれる。

後述する第１〜第３の動作検出手段１１１〜１１３は、タッチパネル４０が標準感度、即ち、静電容量の標準の閾値Ｃａでユーザからの入力を検出している場合において、前記標準感度では検出することができない低伝導度対象物によるタッチパネル４０への入力の動作を検出するためのものである。
そして、変更制御手段１１４は、第１〜第３の動作検出手段１１１〜１１３のいずれかによって、タッチパネル４０への操作入力の動作が検出され、標準感度のタッチパネル４０からは操作入力が検出されない場合に、タッチパネル４０の操作入力を検知するための静電容量の閾値を、標準の閾値Ｃａよりも小さい所定の値に変更して、タッチパネル４０を高感度にする制御を行う。
具体的には、図５（Ｃ）に示すように、変更制御手段１１４は、静電容量の閾値を標準の閾値Ｃａからより低い値の閾値Ｃｂに切り替える制御を行う。これにより、タッチパネル４０に接触したときの静電容量が指Ｆよりも低い低伝導度対象物を検出することができる。
前記閾値Ｃｂは、少なくとも爪Ｎの接触時の静電容量Ｃ１よりも小さい値であることが望ましい。但し、閾値Ｃｂを過剰に小さい値とすると、タッチパネル４０は操作入力以外の要因での誤検出が増加するので、この誤検出の発生確率を考慮して適切な値とすることが望ましい。

また、前述した通り、静電容量の閾値を小さくすると、誤検出の発生確率が増加するので、高感度の閾値Ｃｂを適正に設定した場合でも、ある程度の誤検出の発生確率の増加は生じる可能性がある。
従って、変更制御手段１１４は、静電容量の閾値を高感度の閾値Ｃｂに変更した後に、所定の条件が満たされると、標準の閾値Ｃａに戻す制御を行う。
具体的には、変更制御手段１１４は、標準の閾値Ｃａから高感度の閾値Ｃｂに切り替えてからの経過時間を計測し、予め定められた設定時間（高感度期間とする）が経過すると、高感度の閾値Ｃｂから標準の閾値Ｃａに戻す制御を実行する。

［第１の動作検出手段］
図６は低伝導度対象物がタッチパネル４０に接触したときに加速度センサ２３１に加わる加速度の大きさを示した電子機器１００の側面図である（図６中では爪Ｎを例示）。
前述したように、加速度センサ２３１は、Ｘ方向，Ｙ方向及びＺ方向のそれぞれの方向の加速度を検出することができる。
低伝導度対象物がタッチパネル４０に接触すると、図６の矢印に示すように、加速度センサ２３１は、Ｘ方向及びＹ方向に比べて、低伝導度対象物がタッチパネル４０に接触する際の移動方向であるＺ方向について大きな加速度を検出する（Ｘ方向の加速度の矢印は図示を省略）。

従って、第１の動作検出手段１１１は、加速度センサ２３１によって検出された加速度について、Ｚ方向に沿った検出加速度Ｆｚが第１の加速度閾値Ｆ１（第１の値）以上であるとともにＸ方向及びＹ方向に沿った検出加速度が第２の加速度閾値Ｆ２（第２の値）未満である場合に、タッチパネルへの操作入力の動作があったものと認識し、前記動作の検出を変更制御手段１１４に通知する。
この場合、第１の加速度閾値Ｆ１と第２の加速度閾値Ｆ２とは、爪Ｎ等の低伝導度対象物がタッチパネル４０に当接した時の値を実際に計測する等して適正な値を予め設定することが望ましい。
また、第１の加速度閾値Ｆ１と第２の加速度閾値Ｆ２は同じ値を設定しても良いが、第１の加速度閾値Ｆ１を第２の加速度閾値Ｆ２よりも大きく設定することが望ましい。

［第２の動作検出手段］
図７は低伝導度対象物がタッチパネル４０に接触したときに圧力センサ２３２に加わる圧力の大きさを示した電子機器１００の側面図である（図７中では爪Ｎを例示）。
前述したように、圧力センサ２３２は、タッチパネル４０に対するＺ方向の加圧力を検出することができる。
低伝導度対象物がタッチパネル４０に接触すると、図７の矢印に示すように、圧力センサ２３２は、低伝導度対象物が接触圧を生じる方向であるＺ方向について圧力変化を検出する。

従って、第２の動作検出手段１１２は、圧力センサ２３２によって検出されたＺ方向に沿った圧力Ｐが第１の圧力閾値Ｐａ以上である場合に、タッチパネル４０への操作入力の動作があったものと認識し、前記動作の検出を変更制御手段１１４に通知する。
この場合、第１の圧力閾値Ｐａは、低伝導度対象物がタッチパネル４０に当接した時の圧力値を実際に計測する等して適正な値を予め設定することが望ましい。

［第３の動作検出手段］
前述したように、撮像センサを備えるカメラ５１は、Ｚ方向に沿った光軸を中心としてその周囲を９０°近い範囲まで撮像することができるので、撮像部５０は、タッチパネル４０に接近又は接触して操作を行うユーザの指Ｆ及び低伝導度対象物を撮像することができる（図３参照）。

従って、第３の動作検出手段１１３は、カメラ５１による撮像画像に対して、指Ｆ又は低伝導度対象物の画像の検出を行い、検出された指Ｆ又は低伝導度対象物の画像がタッチパネル４０に接近している場合に、タッチパネルへの操作入力の動作があったものと認識し、前記動作の検出を変更制御手段１１４に通知する。
即ち、第３の動作検出手段１１３は、指認識用の識別器と爪ＮやタッチペンＴ等の低伝導度対象物用の識別器を備えており、前記識別器を用いて指又は低伝導度対象物画像の検出を実行する。
なお、カメラ５１の光学系は、超広角レンズ又は魚眼レンズによりタッチパネル４０のすぐ近くまでの範囲を撮像可能としているが、これらの広角画像は外側に歪みを生じるので、この歪みを補正する処理を画像処理部５２で行ってから指Ｆ又は低伝導度対象物の画像の検出を行っても良い。

［判定手段］
判定手段１１５は、加速度センサ２３１により検出されたＺ方向の加速度又はＸ，Ｙ方向に沿った加速度から、低伝導度対象物による接触の様態に基づく操作の入力及び電子機器１００に対する所定の操作の入力を判定する。
判定手段１１５は、接触の様態として、タッチパネル４０に対するタップ操作、スワイプ操作の入力の有無を個別に判定すると共に、電子機器１００に対する所定の操作の入力として加振操作（シェイク操作）の入力の有無を判定する。

まず、判定手段１１５によるタップ操作の入力の有無の判定を図８に基づいて説明する。
図８（Ａ）に示すように、タッチパネル４０に対して、低伝導度対象物によりタップ操作が行われると、低伝導度対象物は、タッチパネル４０に対して瞬間的に接触し、すぐに離れる動作が行われるので、図８（Ｂ）に示すように、Ｚ方向の加速度に対して瞬間的な上昇の加速度波形が発生する。
従って、判定手段１１５は、Ｚ方向の加速度の瞬間的な上昇を検出するための加速度の閾値ｆｚと、Ｚ方向の加速度が閾値ｆｚを超えている時間の閾値ｔｚ（第１の判定時間）とを予め記憶している。
そして、Ｚ方向の加速度が閾値ｆｚを超えた場合に、その超えている時間ｔを計測し、計測された時間ｔが前述した閾値ｔｚ未満である場合に、タップ操作有りと判定する。

次に、判定手段１１５によるスワイプ操作の入力の有無の判定を図９に基づいて説明する。
図９（Ａ）に示すように、タッチパネル４０に対して、低伝導度対象物によりスワイプ操作が行われると、低伝導度対象物は、タッチパネル４０に対して一定距離の接触移動が行われるので、図９（Ｂ）に示すように、タッチパネル４０のＺ方向の加速度に対して連続的な上昇が発生する加速度波形となる。
従って、判定手段１１５は、Ｚ方向の加速度の上昇を検出するための加速度の閾値ｆｗｚと、Ｚ方向の加速度が閾値ｆｗｚを超えている時間の閾値ｔｗｚ（第２の判定時間）と、を予め記憶している。
そして、Ｚ方向の加速度が閾値ｆｗｚを超えた場合に、その超えている時間ｔを計測し、計測された時間ｔが前述した閾値ｔｗｚ以上である場合に、スワイプ操作ありと判定する。

次に、判定手段１１５による加振操作（シェイク操作）の入力の有無の判定を図１０に基づいて説明する。
図１０（Ａ）に示すように、電子機器１００に対して、加振操作（シェイク操作）が行われると、図１０（Ｂ）に示すように、タッチパネル４０の平面に沿った方向であるＸ方向又はＹ方向について加速度が増減を繰り返す状態が発生する。
従って、判定手段１１５は、Ｘ方向とＹ方向のそれぞれの加速度の上昇を検出するための加速度の閾値ｆｓｘ，ｆｓｙと、規定時間内でのＸ方向又はＹ方向の加速度が閾値ｆｓｘ，ｆｓｙ（第３の値）を超えた状態の回数の閾値ｋｘｙとを予め記憶している。
そして、Ｘ方向の加速度が閾値ｆｓｘを超えた場合又はＹ方向の加速度が閾値ｆｓｙを超えた場合に、規定時間の間、超えた回数をカウントし、カウントされた回数が閾値ｋｘｙ以上である場合に、加振操作（シェイク操作）ありと判定する。
なお、Ｘ方向の加速度が閾値ｆｓｘを超えた回数が閾値ｋｘｙ以上である場合には、Ｘ方向の加振操作（シェイク操作）あり、Ｙ方向の加速度が閾値ｆｓｙを超えた回数が閾値ｋｘｙ以上である場合には、Ｙ方向の加振操作（シェイク操作）ありと、区別して判定しても良い。
また、回数の閾値ｋｘｙは、Ｘ方向とＹ方向とで共通する場合を例示したが、これらは別々の数値を設定しても良い。

［タッチパネルの感度切り替え制御］
前述した操作入力検出手段１１０、第１〜第３の動作検出手段１１１〜１１３、変更制御手段１１４が実行するタッチパネル４０の感度切り替え制御を図１１のフローチャートに基づいて説明する。
なお、この処理は、ＣＰＵ１１により、短周期的に繰り返し実行される。

まず、操作入力検出手段１１０により、タッチパネル４０のいずれかの位置において、静電容量Ｃが標準感度の閾値Ｃａを超えている状態が発生したか否かが判定され（ステップＳ１）、閾値Ｃａを超えている場合には（ステップＳ１：ＹＥＳ）、ステップＳ１７に処理が進められる。
また、静電容量Ｃが標準感度の閾値Ｃａを超えていない場合には（ステップＳ１：ＮＯ）、第１の動作検出手段１１１により、加速度センサ２３１によるＺ方向の検出加速度Ｆｚが第１の加速度閾値Ｆ１以上であるか否かが判定される（ステップＳ３：動作検出工程）。
このとき、Ｚ方向の検出加速度Ｆｚが第１の加速度閾値Ｆ１未満であれば、ステップＳ１１に処理が進められる（ステップＳ３：ＮＯ）。

また、Ｚ方向の検出加速度Ｆｚが第１の加速度閾値Ｆ１以上である場合には（ステップＳ３：ＹＥＳ）、第１の動作検出手段１１１により、加速度センサ２３１によるＸ方向及びＹ方向の検出加速度Ｆｘ、Ｆｙがいずれも第２の加速度閾値Ｆ２未満であるか否かが判定される（ステップＳ５）。
このとき、Ｘ方向又はＹ方向の検出加速度Ｆｘ、Ｆｙのいずれか一方でも、第２の加速度閾値Ｆ２以上であれば、ステップＳ１１に処理が進められる（ステップＳ５：ＮＯ）。

また、Ｘ方向及びＹ方向の検出加速度Ｆｘ、Ｆｙの双方が第２の加速度閾値Ｆ２未満である場合には（ステップＳ５：ＹＥＳ）、低伝導度対象物によってタッチパネル４０に対する操作入力の動作が行われたものと判定され、変更制御手段１１４により、タッチパネル４０の静電容量の閾値を標準の閾値Ｃａから高感度の閾値Ｃｂに切り替える制御が行われる（ステップＳ７：変更制御工程）。
また、変更制御手段１１４は、高感度の閾値Ｃｂの切り替えからの経過時間である高感度期間の計測を開始して（ステップＳ９）、制御を終了する。

一方、ステップＳ１１では、第２の動作検出手段１１２により、圧力センサ２３２によるＺ方向の検出圧力Ｐが第１の圧力閾値Ｐａ以上であるか否かが判定される（ステップＳ１１：動作検出工程）。
このとき、Ｚ方向の検出圧力Ｐが第１の圧力閾値Ｐａ以上であれば（ステップＳ１１：ＹＥＳ）、低伝導度対象物によってタッチパネル４０に対する操作入力の動作が行われたものと判定され、変更制御手段１１４により、タッチパネル４０の静電容量の閾値が高感度の閾値Ｃｂに切り替えられ（ステップＳ７：変更制御工程）、さらに、高感度期間の計測が既に実行中でなければ計測を開始して（ステップＳ９）、制御を終了する。

また、Ｚ方向の検出圧力Ｐが第１の圧力閾値Ｐａ未満である場合には（ステップＳ１１：ＮＯ）、第３の動作検出手段１１３により、カメラ５１による撮像画像から指Ｆ又は低伝導度対象物の画像の検出を行い、検出された指Ｆ又は低伝導度対象物の画像がタッチパネル４０に接近しているか否かが判定される（ステップＳ１３：動作検出工程）。
このとき、検出された指Ｆ又は低伝導度対象物の画像がタッチパネル４０に接近しているのであれば（ステップＳ１３：ＹＥＳ）、低伝導度対象物によってタッチパネル４０に対する操作入力の動作が行われたものと判定され、変更制御手段１１４により、タッチパネル４０の静電容量の閾値が高感度の閾値Ｃｂに切り替えられ（ステップＳ７：変更制御工程）、さらに、高感度期間の計測が既に実行中でなければ計測を開始して（ステップＳ９）、制御を終了する。

また、撮像画像から指Ｆ又は低伝導度対象物の画像が検出されない、又は、検出された指Ｆ又は低伝導度対象物の画像がタッチパネル４０に接近していない場合には（ステップＳ１３：ＮＯ）、低伝導度対象物によってタッチパネル４０に対する操作入力の動作が行われなかったものと判定され、変更制御手段１１４により、現在のタッチパネル４０の感度が標準感度か否か判定される（ステップＳ１５）。

そして、現在のタッチパネル４０の感度が標準感度である場合には（ステップＳ１５：ＹＥＳ）、そのまま制御は終了となり、現在のタッチパネル４０の感度が高感度である場合には（ステップＳ１５：ＮＯ）、高感度期間の経過の有無が判定される（ステップＳ１７）。
その結果、高感度期間が経過していない場合には（ステップＳ１７：ＮＯ）、そのまま制御は終了となり、高感度期間が経過した場合には（ステップＳ１７：ＹＥＳ）、タッチパネル４０の静電容量の閾値を高感度の閾値Ｃｂから標準の閾値Ｃａに戻す制御が行われ（ステップＳ１９）、制御を終了する。

［判定手段による各種操作の入力判定処理］
前述した判定手段１１５が実行する各種操作の入力判定処理を図１２のフローチャートに基づいて説明する。
なお、この処理は、ＣＰＵ１１により、短周期的に繰り返し実行される。

まず、判定手段１１５により、タッチパネル４０のいずれかの位置において、静電容量Ｃが標準感度の閾値Ｃａを超えている状態が発生したか否かが判定され（ステップＳ３１）、超えている場合には処理が終了となる（ステップＳ３１：ＹＥＳ）。
また、静電容量Ｃが標準感度の閾値Ｃａを超えていない場合には（ステップＳ３１：ＮＯ）、加速度センサ２３１によるＺ方向の検出加速度Ｆｚが閾値ｆｚを超えたか、さらに、閾値ｆｚを超えた時間ｔが閾値ｔｚ未満であるかが判定される（ステップＳ３３）。そして、これらの条件が満たされた場合には（ステップＳ３３：ＹＥＳ）、判定手段１１５はタップ操作ありと判定し（ステップＳ３５）、処理を終了する。

また、前述の条件のいずれかが満たされていない場合には（ステップＳ３３：ＮＯ）、判定手段１１５は、加速度センサ２３１によるＺ方向の検出加速度Ｆｚが閾値ｆｗｚを超えたか、更に、閾値ｆｗｚを超えた時間ｔが閾値ｔｗｚ以上であるかが判定される（ステップＳ３７）。
そして、検出加速度Ｆｚが閾値ｆｗｚを超え、その時間ｔが閾値ｔｗｚ以上である場合には（ステップＳ３７：ＹＥＳ）、判定手段１１５はスワイプ操作ありと判定し（ステップＳ３９）、処理を終了する。

また、前述の条件のいずれかが満たされていない場合には（ステップＳ３７：ＮＯ）、判定手段１１５は、加速度センサ２３１によるＸ方向又はＹ方向の検出加速度Ｆｘ又はＦｙが規定時間内に閾値ｆｓｘ又はｆｓｙを超えた回数をカウントし、カウントされた回数が閾値ｋｘｙ以上であるかが判定される（ステップＳ４１）。
そして、カウントされた回数が閾値ｋｘｙ以上である場合には（ステップＳ４１：ＹＥＳ）、判定手段１１５は加振操作（シェイク操作）ありと判定し（ステップＳ４３）、処理を終了する。
なお、Ｘ方向の加振操作とＹ方向の加振操作とを識別する場合には、検出加速度ＦｘとＦｙのいずれが閾値ｆｓｘ又はｆｓｙを繰り返し超えたかに応じて識別する。

また、前述の条件のいずれかが満たされていない場合には（ステップＳ４１：ＮＯ）、前記いずれの操作も検出されることなく処理を終了する。

［発明の実施形態の技術的効果］
前記電子機器１００では、タッチパネルで操作入力が検出されない場合であって、加速度センサ２３１、圧力センサ２３２、カメラ５１により、操作入力を行う低伝導度対象物によるタッチパネル４０への動作が検出された場合には、タッチパネル４０の操作入力を検知するための静電容量の閾値を、標準値よりも小さい高感度の閾値に変更する制御を行う変更制御手段１１４を備えている。
このため、人の指Ｆの皮膚よりも電気伝導度の低い爪Ｎや電気伝導度の低いタッチペンＴ等の低伝導度対象物によりタッチパネル４０に対する操作入力を行った場合に、タッチパネル４０が自動的に高感度に切り替えられるので、事前準備等の手間を不要とし、容易に低伝導度対象物により操作入力を行うことが可能となる。

また、変更制御手段１１４は、タッチパネル４０の静電容量の閾値を高感度の閾値Ｃｂに小さく変更した後に、所定の条件が満たされると、標準値Ｃａに戻す制御を行っている。
これにより、タッチパネル４０を高感度とすることで生じる誤認識の発生を必要最小限に抑えることができ、タッチパネル４０からの操作入力の信頼性、安定性を高く維持することが可能となる。
特に、変更制御手段１１４は、標準値Ｃａに戻す所定の条件を所定の時間の経過としているので、時間の経過を監視するだけ静電容量の閾値に戻すことができ、ユーザによる設定作業を不要とすることができる。また、戻し忘れを防止することが可能となる。

また、電子機器１００は、画像を撮像する撮像センサを備えたカメラ５１を備え、第３の動作検出手段１１３は、カメラ５１により撮像された画像から、タッチパネル４０への動作を検出するので、他の要因によるタッチパネル４０の動作の誤認識が少なく、精度良く低伝導度対象物によるタッチパネル４０への動作を検出することが可能となる。
また、電子機器１００がスマートフォンである場合のように、もともとカメラを搭載しているような機器である場合には、既存の構成をタッチパネル４０に対する動作検出の手段として利用することができ、製造コストの低減を図ることが可能となる。

また、電子機器１００は、圧力を検出する圧力センサ２３２を備え、第２の動作検出手段１１２は、圧力センサ２３２により検出された圧力から、タッチパネル４０への動作を検出するので、この場合も、他の要因によるタッチパネル４０の動作の誤認識が少なく、精度良く低伝導度対象物によるタッチパネル４０への動作を検出することが可能となる。
また、電子機器１００が、もともと圧力センサを搭載しているような機器である場合には、既存の構成をタッチパネル４０に対する動作検出の手段として利用することができ、製造コストの低減を図ることが可能となる。

また、電子機器１００は、加速度を検出する加速度センサ２３１を備え、第１の動作検出手段１１１は、加速度センサ２３１により検出された加速度から、タッチパネル４０への動作を検出するので、タッチパネル４０のいずれの位置に対する動作に対しても検出を得られやすく、広く漏れのないかたちで、タッチパネル４０への動作を検出することが可能となる。
また、電子機器１００がスマートフォンである場合のように、もともと加速度センサを搭載しているような機器である場合には、既存の構成をタッチパネル４０に対する動作検出の手段として利用することができ、製造コストの低減を図ることが可能となる。

また、第１の動作検出手段１１１は、加速度センサ２３１により検出されたＺ方向の加速度が閾値Ｆ１以上であってＸ、Ｙ方向の加速度がＦｘ、Ｆｙ未満である場合に、タッチパネル４０への動作ありと検出している。
このため、他の要因によるタッチパネル４０の動作の誤認識をさらに低減し、より精度良くタッチパネル４０への動作を検出することが可能である。

また、電子機器１００の制御装置１０は、加速度センサ２３１により検出されたＺ方向の加速度又はＸ、Ｙ方向に沿った加速度から、所定の対象物による接触の様態を判定する判定手段１１５を備えている。
具体的には、判定手段１１５は、加速度センサ２３１により検出されたＺ方向の加速度が、予め定められた閾値ｔｚより短い時間の加速度波形である場合、低伝導度対象物によるタップ操作と判定するので、タッチパネル４０で低伝導度対象物を検出できない場合でも、低伝導度対象物によるタップ操作を良好に検出することが可能となる。

また、判定手段１１５は、加速度センサ２３１により検出されたＺ方向の加速度Ｆｚが、予め定められた閾値ｔｗｚより長い時間連続した加速度波形である場合、低伝導度対象物によるスワイプ操作と判定するので、タッチパネル４０で低伝導度対象物を検出できない場合でも、低伝導度対象物によるスワイプ操作を良好に検出することが可能となる。

また、判定手段１１５は、加速度センサ２３１により検出されたＸ、Ｙ方向に沿った加速度が閾値ｆｓｘ，ｆｓｙよりも大きい場合であって、それが連続的に繰り返される場合に、自装置の全体への加振操作（シェイク操作）と判定するので、加振操作を良好に検出することが可能となる。

また、電子機器１００において、低伝導度対象物として、標準の指の皮膚よりも電気伝導度が低いもの、具体的には、爪、乾いた指の皮膚又はタッチペンを対象としている。これに対して、電子機器１００の制御装置１０は、例えば、第１〜第３の動作検出手段１１１〜１１３により、これらの低伝導度対象物によるタッチパネル４０への操作入力の動作を好適に検出することが可能である。
また、変更制御手段１１４は、タッチパネル４０の静電容量の高感度の閾値Ｃｂを低伝導度対象物の検出に適した数値としているので、これらの低伝導度対象物によるタッチパネル４０の操作入力を良好に行うことが可能である。

［その他］
前記実施形態では、本発明である接触検知装置をスマートフォンのような電子機器１００に適用した場合を例示しているが、これに限定されず、タッチパネル又はタッチセンサを使用するあらゆる機器に適用することが可能である。例えば、所定の機械又は装置に搭載された操作用又は設定入力用の操作パネルにも、本発明の接触検知装置を適用可能である。

また、本発明に係るプログラム２２１のコンピュータ読み取り可能な媒体としてＲＯＭ２２を使用した例を開示したが、この例に限定されない。その他のコンピュータ読み取り可能な媒体として、不揮発性のメモリであるフラッシュメモリやＥＥＰＲＯＭ、ＨＤＤ（Hard Disk Drive）、ＳＳＤ（Solid State Drive）や、ＣＤ−ＲＯＭ等の可搬型記録媒体を適用することが可能である。
また、本発明に係るプログラムのデータを通信回線を介して提供する媒体として、キャリアウエーブ（搬送波）も本発明に適用される。

以上、本発明の実施形態を説明したが、本発明の範囲は、前述の実施の形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された発明の範囲と均等の範囲とを含む。
以下に、本出願の願書に最初に添付した特許請求の範囲に記載した発明を付記する。付記に記載した請求項の項番は、本出願の願書に最初に添付した特許請求の範囲の通りである。
〔付記〕
＜付記１＞
接触を検出する静電容量方式のタッチセンサと、
自装置に設置された前記タッチセンサとは異なるセンサと、
前記センサにより、前記タッチセンサへのタッチ入力を行う所定の対象物による前記タッチセンサへの動作を検出する動作検出手段と、
前記動作検出手段により前記タッチセンサへの前記動作が検出された場合に、前記タッチセンサの前記タッチ入力を検知するための静電容量の閾値を、予め定められた標準値よりも小さい所定の値に変更する制御を行う変更制御手段と、
を備える、
ことを特徴とする接触検知装置。
＜付記２＞
前記変更制御手段は、前記タッチセンサで前記所定の対象物による前記タッチ入力が検出されていない場合に、前記静電容量の前記閾値を前記所定の値に変更する制御を行う、
ことを特徴とする付記１に記載の接触検知装置。
＜付記３＞
前記変更制御手段は、前記閾値を前記所定の値に小さく変更した後に、所定の条件が満たされると、前記標準値に戻す、
ことを特徴とする付記１又は２に記載の接触検知装置。
＜付記４＞
前記所定の条件は、前記閾値を前記所定の値以下に小さく変更してから所定の時間が経過した場合に満たされる、
ことを特徴とする付記３に記載の接触検知装置。
＜付記５＞
前記センサは、画像を撮像する撮像センサを含み、
前記動作検出手段は、前記撮像センサにより撮像された画像から、前記タッチセンサへの前記動作を検出する、
ことを特徴とする付記１乃至４の何れか１つに記載の接触検知装置。
＜付記６＞
前記センサは、圧力を検出する圧力センサを含み、
前記動作検出手段は、前記圧力センサにより検出された圧力から、前記タッチセンサへの前記動作を検出する、
ことを特徴とする付記１乃至５の何れか１つに記載の接触検知装置。
＜付記７＞
前記センサは、加速度を検出する加速度センサを含み、
前記動作検出手段は、前記加速度センサにより検出された加速度から、前記タッチセンサへの前記動作を検出する、
ことを特徴とする付記１乃至６の何れか１つに記載の接触検知装置。
＜付記８＞
前記動作検出手段は、前記加速度センサにより検出された前記自装置の厚み方向の加速度が第１の値以上であるとともに前記厚み方向と直交する他の方向に沿った加速度が第２の値未満である場合に、前記タッチセンサへの前記動作ありと検出する、
ことを特徴とする付記７に記載の接触検知装置。
＜付記９＞
前記加速度センサにより検出された前記厚み方向の加速度又は前記厚み方向と直交する前記他の方向に沿った加速度から、前記所定の対象物による接触の様態を判定する判定手段を更に備える、
ことを特徴とする付記８に記載の接触検知装置。
＜付記１０＞
前記判定手段は、前記加速度センサにより検出された前記厚み方向の加速度が、予め定められた第１の判定時間よりも短い時間の加速度増加波形である場合、前記所定の対象物によるタップ操作と判定する、
ことを特徴とする付記９に記載の接触検知装置。
＜付記１１＞
前記判定手段は、前記加速度センサにより検出された前記厚み方向の加速度が、予め定められた第２の判定時間よりも長い時間連続した加速度増加波形である場合、前記所定の対象物によるスワイプ操作と判定する、
ことを特徴とする付記９又は１０に記載の接触検知装置。
＜付記１２＞
前記判定手段は、前記加速度センサにより測定された前記厚み方向と直交する前記他の方向に沿った加速度が第３の値よりも大きい場合、前記自装置の全体への加振操作と判定する、
ことを特徴とする付記９乃至１１の何れか１つに記載の接触検知装置。
＜付記１３＞
前記所定の対象物は、標準の指の皮膚よりも電気伝導度が低い導電性を有するものである、
ことを特徴とする付記１乃至１２の何れか一項に記載の接触検知装置。
＜付記１４＞
前記所定の対象物は、爪又は前記標準の指の皮膚よりも乾いた指の皮膚又はタッチペンを含む、ことを特徴とする付記１３に記載の接触検知装置。
＜付記１５＞
接触を検出する静電容量方式のタッチセンサと、接触検知装置に設置された前記タッチセンサとは異なるセンサと、を備える前記接触検知装置による接触検知方法であって、
前記センサにより、前記タッチセンサへのタッチ入力を行う所定の対象物による前記タッチセンサへの動作を検出する動作検出工程と、
前記動作検出工程において前記タッチセンサへの前記動作が検出された場合に、前記タッチセンサの前記タッチ入力を検知するための静電容量の閾値を、予め定められた標準値よりも小さい所定の値に変更する制御を行う変更制御工程と、
を含む、
ことを特徴とする接触検知方法。
＜付記１６＞
前記変更制御工程においては、前記タッチセンサで前記所定の対象物による前記タッチ入力が検出されていない場合に、前記静電容量の前記閾値を前記所定の値に変更する制御を行う、
ことを特徴とする付記１５に記載の接触検知方法。
＜付記１７＞
接触を検出する静電容量方式のタッチセンサと、接触検知装置に設置された前記タッチセンサとは異なるセンサと、を備える前記接触検知装置のコンピュータを、
前記センサにより、前記タッチセンサへのタッチ入力を行う所定の対象物による前記タッチセンサへの動作を検出する動作検出手段、
前記動作検出手段により前記タッチセンサへの前記動作が検出された場合に、前記タッチセンサの前記タッチ入力を検知するための静電容量の閾値を、予め定められた標準値よりも小さい所定の値に変更する制御を行う変更制御手段、
として機能させる、
ことを特徴とするプログラム。
＜付記１８＞
前記変更制御手段は、前記タッチセンサで前記所定の対象物による前記タッチ入力が検出されていない場合に、前記静電容量の前記閾値を前記所定の値に変更する制御を行う、
ことを特徴とする付記１７に記載のプログラム。

１０ 制御装置
２３ 計測部
４０ タッチパネル（タッチセンサ）
４１ 表示部
４２ 透明電極パターン層
５０ 撮像部
５１ カメラ（センサ）
５２ 画像処理部
１００ 電子機器（接触検知装置）
１１０ 操作入力検出手段
１１１ 第１の動作検出手段（動作検出手段）
１１２ 第２の動作検出手段（動作検出手段）
１１３ 第３の動作検出手段（動作検出手段）
１１４ 変更制御手段
１１５ 判定手段
２２１ プログラム
２３１ 加速度センサ（センサ）
２３２ 圧力センサ（センサ）
Ｃａ 標準の閾値（標準値）
Ｃｂ 高感度の閾値（所定の値）
Ｆ 指
Ｆ１ 第１の加速度閾値（第１の値）
Ｆ２ 第２の加速度閾値（第２の値）
ｔｚ 閾値（第１の判定時間）
ｔｗｚ 閾値（第２の判定時間）
ｆｓｘ，ｆｓｙ 閾値（第３の値）
Ｎ 爪（所定の対象物）
Ｔ タッチペン（所定の対象物）

Claims (18)

1. 接触を検出する静電容量方式のタッチセンサと、
   自装置に設置された前記タッチセンサとは異なるセンサと、
   前記センサにより、前記タッチセンサへのタッチ入力を行う所定の対象物による前記タッチセンサへの動作を検出する動作検出手段と、
   前記動作検出手段により前記タッチセンサへの前記動作が検出された場合に、前記タッチセンサの前記タッチ入力を検知するための静電容量の閾値を、予め定められた標準値よりも小さい所定の値に変更する制御を行う変更制御手段と、
   を備える、
   ことを特徴とする接触検知装置。
2. 前記変更制御手段は、前記タッチセンサで前記所定の対象物による前記タッチ入力が検出されていない場合に、前記静電容量の前記閾値を前記所定の値に変更する制御を行う、
   ことを特徴とする請求項１に記載の接触検知装置。
3. 前記変更制御手段は、前記閾値を前記所定の値に小さく変更した後に、所定の条件が満たされると、前記標準値に戻す、
   ことを特徴とする請求項１又は２に記載の接触検知装置。
4. 前記所定の条件は、前記閾値を前記所定の値以下に小さく変更してから所定の時間が経過した場合に満たされる、
   ことを特徴とする請求項３に記載の接触検知装置。
5. 前記センサは、画像を撮像する撮像センサを含み、
   前記動作検出手段は、前記撮像センサにより撮像された画像から、前記タッチセンサへの前記動作を検出する、
   ことを特徴とする請求項１乃至４の何れか１項に記載の接触検知装置。
6. 前記センサは、圧力を検出する圧力センサを含み、
   前記動作検出手段は、前記圧力センサにより検出された圧力から、前記タッチセンサへの前記動作を検出する、
   ことを特徴とする請求項１乃至５の何れか１項に記載の接触検知装置。
7. 前記センサは、加速度を検出する加速度センサを含み、
   前記動作検出手段は、前記加速度センサにより検出された加速度から、前記タッチセンサへの前記動作を検出する、
   ことを特徴とする請求項１乃至６の何れか１項に記載の接触検知装置。
8. 前記動作検出手段は、前記加速度センサにより検出された前記自装置の厚み方向の加速度が第１の値以上であるとともに前記厚み方向と直交する他の方向に沿った加速度が第２の値未満である場合に、前記タッチセンサへの前記動作ありと検出する、
   ことを特徴とする請求項７に記載の接触検知装置。
9. 前記加速度センサにより検出された前記厚み方向の加速度又は前記厚み方向と直交する前記他の方向に沿った加速度から、前記所定の対象物による接触の様態を判定する判定手段を更に備える、
   ことを特徴とする請求項８に記載の接触検知装置。
10. 前記判定手段は、前記加速度センサにより検出された前記厚み方向の加速度が、予め定められた第１の判定時間よりも短い時間の加速度増加波形である場合、前記所定の対象物によるタップ操作と判定する、
    ことを特徴とする請求項９に記載の接触検知装置。
11. 前記判定手段は、前記加速度センサにより検出された前記厚み方向の加速度が、予め定められた第２の判定時間よりも長い時間連続した加速度増加波形である場合、前記所定の対象物によるスワイプ操作と判定する、
    ことを特徴とする請求項９又は１０に記載の接触検知装置。
12. 前記判定手段は、前記加速度センサにより測定された前記厚み方向と直交する前記他の方向に沿った加速度が第３の値よりも大きい場合、前記自装置の全体への加振操作と判定する、
    ことを特徴とする請求項９乃至１１の何れか１項に記載の接触検知装置。
13. 前記所定の対象物は、標準の指の皮膚よりも電気伝導度が低い導電性を有するものであることを特徴とする請求項１乃至１２の何れか１項に記載の接触検知装置。
14. 前記所定の対象物は、爪又は前記標準の指の皮膚よりも乾いた指の皮膚又はタッチペンを含む、
    ことを特徴とする請求項１３に記載の接触検知装置。
15. 接触を検出する静電容量方式のタッチセンサと、接触検知装置に設置された前記タッチセンサとは異なるセンサと、を備える前記接触検知装置による接触検知方法であって、
    前記センサにより、前記タッチセンサへのタッチ入力を行う所定の対象物による前記タッチセンサへの動作を検出する動作検出工程と、
    前記動作検出工程において前記タッチセンサへの前記動作が検出された場合に、前記タッチセンサの前記タッチ入力を検知するための静電容量の閾値を、予め定められた標準値よりも小さい所定の値に変更する制御を行う変更制御工程と、
    を含む、
    ことを特徴とする接触検知方法。
16. 前記変更制御工程においては、前記タッチセンサで前記所定の対象物による前記タッチ入力が検出されていない場合に、前記静電容量の前記閾値を前記所定の値に変更する制御を行う、
    ことを特徴とする請求項１５に記載の接触検知方法。
17. 接触を検出する静電容量方式のタッチセンサと、接触検知装置に設置された前記タッチセンサとは異なるセンサと、を備える前記接触検知装置のコンピュータを、
    前記センサにより、前記タッチセンサへのタッチ入力を行う所定の対象物による前記タッチセンサへの動作を検出する動作検出手段、
    前記動作検出手段により前記タッチセンサへの前記動作が検出された場合に、前記タッチセンサの前記タッチ入力を検知するための静電容量の閾値を、予め定められた標準値よりも小さい所定の値に変更する制御を行う変更制御手段、
    として機能させる、
    ことを特徴とするプログラム。
18. 前記変更制御手段は、前記タッチセンサで前記所定の対象物による前記タッチ入力が検出されていない場合に、前記静電容量の前記閾値を前記所定の値に変更する制御を行う、
    ことを特徴とする請求項１７に記載のプログラム。

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