JP2019159077A - 光変調器 - Google Patents

Abstract

【課題】光変調器を小型化する。【解決手段】主信号光とモニタ光を出力するＩＱ変調器１１，１２を備える基板１０と、ＩＱ変調器１１からの主信号光の光路上に設けられた半波長板５０と、半波長板５０を透過したＩＱ変調器１１からの主信号光とＩＱ変調器１２からの主信号光とを偏波合成する偏波合波器３００と、ＩＱ変調器１１，１２からの２つのモニタ光をそれぞれ受光する受光素子４１，４２と、を備え、偏波合波器３００は、２つのモニタ光を反射して、２つのモニタ光を受光素子４１，４２のそれぞれに導光する反射面３０２を備える。【選択図】図３

Description

本発明は、光信号を伝送するために用いる光変調器に関し、特に異なる複数の変調光を偏波合成して出力することができる光変調器に関する。

光ネットワークの伝送容量を向上させるため、複数の変調光を偏波合成して伝送する偏波多重方式や、１シンボルで複数ビットに相当するデータを伝送する多値変調方式といった、様々な技術が開発されている。偏波多重方式と多値変調方式を組合せた方式の１つに、偏波多重−四値位相偏移（Polarization Division Multiplexed - Quadrature Phase Shift Keying：ＰＤＭ−ＱＰＳＫ）方式がある。

図１は、特許文献１に開示されている、ＰＤＭ−ＱＰＳＫ方式に対応した従来の光変調器の構成例を説明する図である。図１の従来の光変調器１は、１つの入力ポートと４つの出力ポートとを有する基板１０、４つの出力ポートに対応する４つの光学レンズ２１〜２４、２つの受光素子４１，４２、半波長板５０および偏波合波器３０とを有する。

基板１０は、入力ポートに接続された１入力２出力の分波器１７と、分波器１７の出力のそれぞれに接続された２つのＩＱ変調器（直交変調器）１１，１２を有する。ＩＱ変調器１１，１２のそれぞれは、Ｉチャネル用のマッハツェンダ（Mach-Zehnder：ＭＺ）変調器１３及びＱチャネル用のＭＺ変調器１４が並列に集積されたものである。ＭＺ変調器１３，１４それぞれの出力に調整用電極１５と２入力２出力の合波器１６が接続される。ＩＱ変調器１１，１２それぞれの合波器１６の出力は４つの出力ポートに接続される。

入力ポートから入力したＴＥ波は分波器１７により分岐され、ＩＱ変調器１１，１２のそれぞれで変調される。ＩＱ変調器１１から出力された光のうちの主信号光は、光学レンズ２２を介し、半波長板５０においてＴＥ波からＴＭ波に変換されて、偏波合波器３０に入射される。ＩＱ変調器１１から出力された光のうちの主信号光の逆相成分のモニタ光は、主信号光の出力強度をモニタするために、光学レンズ２１を介して受光素子４１に入力される。ＩＱ変調器１２からの主信号光は、光学レンズ２３を介し、ＴＥ波のまま偏波合波器３０に入射される。ＩＱ変調器１２から出力された光のうちの主信号光の逆相成分のモニタ光は、主信号光の出力強度をモニタするために、光学レンズ２４を介して受光素子４２に入力される。各ＩＱ変調器１１，１２からの２つの主信号光は、偏波合波器３０において偏波多重合成される。

基板１０の材料としては、これまで、大きな電気光学効果を有する酸化物結晶であるニオブ酸リチウム（LiNbO₃、LNとも言う。）が用いられていた。近年では、光変調器の小型化、低消費電力化を実現するため、基板１０の材料にリン化インジウム（InP）などの化合物半導体を用いた光変調器が注目されている。

特開２０１６−０４５２５６号公報

光変調器を小型化しようとする場合、基板１０のサイズも小型化する必要がある。基板１０の小型化に伴い、基板１０における隣接する出力ポート間隔も狭められる。その結果、基板１０から出力された４つの出力光（２つの主信号光および２つのモニタ光）を受光するデバイス（半波長板５０、偏波合波器３０および受光素子４１，４２）の配置、特に基板１０における出力ポートの配列と平行な方向（以下、この方向を「基板幅方向」と言う。）における配置に制限が生じる。

光変調器を製造する際、これらデバイスをハンドリングして実装するためには、デバイス自身にある程度のサイズが必要となる。そのため、図１に示したように偏波合波器３０および受光素子４１，４２を基板幅方向に直列に配置することが困難になる。実際には、図２に示したように、偏波合波器３０と受光素子４１，４２とを、基板１０から出力光が出射される方向（以下、この方向を「基板長さ方向」と言う。）にオフセットさせて配置させる必要がある。そうすると、光変調器は基板長さ方向に拡張せざるを得なくなるため、光変調器の小型化を妨げていた。

本発明は、上記に鑑みてなされたものであり、光変調器を小型化することを目的とする。

本発明に係る光変調器は、第１変調光及び前記第１変調光の出力強度をモニタするための第１モニタ光を出力する第１光変調部と、第２変調光及び前記第２変調光の出力強度をモニタするための第２モニタ光を出力する第２光変調部とを備える光変調器基板と、前記第１変調光の光路上に設けられた偏光素子と、前記偏光素子を透過した前記第１変調光と前記第２変調光とを偏波合成する偏波合波器と、前記第１モニタ光を受光する第１受光素子と、前記第２モニタ光を受光する第２受光素子と、を備え、前記偏波合波器は、前記第１モニタ光及び前記第２モニタ光を反射して、前記第１モニタ光を前記第１受光素子へ導光し、前記第２モニタ光を前記第２受光素子へ導光する反射部を備えることを特徴とする。

本発明に係る光変調器は、光変調基板から出力される２つの第１、第２モニタ光の光路が、偏波合波器に設けた反射面で偏向されるように構成される。この構成により、第１、第２モニタ光を受光する第１、第２受光素子の配置位置を比較的自由に決められるので、光変調器を基板長さ方向に拡張ないし延伸させる必要がなくなり、光変調器を小型化することができる。

ＰＤＭ−ＱＰＳＫ方式に対応した従来の光変調器の構成例を説明する図である。 従来の光変調器において受光素子を偏波合波器の後方に配置した構成例を説明する図である。 第１の実施形態に係る光変調器の構成例を説明する図である。 第１の実施形態の変形例１に係る光変調器の構成例を説明する図である。 第１の実施形態の変形例２に係る光変調器の構成例を説明する図である。 第２の実施形態に係る光変調器の構成例を説明する図である。 第２の実施形態に係る光変調器の別の構成例を説明する図である。 第３の実施形態に係る光変調器の構成例を説明する図である。

（第１の実施形態）
図３は、第１の実施形態に係る光変調器１００の構成例を説明する図である。第１の実施形態の光変調器１００は、図１の従来の光変調器１と比べて、偏波合波器３００の構成が異なる。

第１の実施形態の光変調器１００は、１つの入力ポートと４つの出力ポートとを有する基板１０、４つの出力ポートに対応する４つの光学レンズ２１〜２４、２つの受光素子４１，４２、半波長板５０および偏波合波器３００を有する。

基板１０は、入力ポートに接続された１入力２出力の分波器１７と、分波器１７の出力のそれぞれに接続された２つのＩＱ変調器１１，１２を有する。ＩＱ変調器１１，１２のそれぞれは、Ｉチャネル用のＭＺ変調器１３及びＱチャネル用のＭＺ変調器１４が並列に集積されたものである。ＭＺ変調器１３，１４それぞれの出力に調整用電極１５と２入力２出力の合波器１６が接続される。ＩＱ変調器１１，１２それぞれの合波器１６の出力は４つの出力ポートに接続される。図３の構成例の基板１０は、図１の従来の光変調器１と同じである。

入力ポートから入力した直線偏光の光信号（ＴＥ波）は分波器１７により分岐され、ＩＱ変調器１１，１２のそれぞれで変調されて、中央の隣り合う２つの出力ポートのそれぞれからＩＱ変調器１１，１２それぞれの主信号光が出力され、外側の２つの出力ポートのそれぞれからＩＱ変調器１１，１２それぞれのモニタ光が出力される。モニタ光は主信号光の出力強度をモニタするための光信号である。２つの主信号光および２つのモニタ光は、光学レンズ２１〜２４を介して偏波合波器３００に入射される。図３の構成例では、光学レンズ２１，２４により、２つのモニタ光の光路を基板幅方向に偏向させてから偏波合波器３００に入射させている。

偏波合波器３００は、２つの主信号光および２つのモニタ光のすべてが入射される入射面３０１、少なくとも２つのモニタ光をともに反射するように構成された反射面３０２、ＴＭ波を反射し、ＴＥ波を透過させる偏波合成面３０３、偏波合成されたＴＭ波およびＴＥ波が出射される出射面３０４を備える。偏波合成面３０３は、ガラス基材の一の面に形成された誘電体多層膜を用いるようにしてもよい。

偏波合波器３００の入射面３０１の一部には、ＩＱ変調器１１からの主信号光のみが透過する位置に半波長板５０が配置される。なお、図３の構成例では、半波長板５０は偏波合波器３００と接して配置されているが、必ずしもこの配置に限定されるものではない。半波長板５０は偏波合波器３００とは間隙を設けて配置するようにしてもよい。また、ＩＱ変調器１２からの主信号光のみが透過する位置に半波長板５０を配置してもよい。

図３の構成例では、ＩＱ変調器１１からの主信号光（ＴＥ波）は、半波長板５０を透過してＴＭ波に偏光された後、偏波合波器３００に入射される。一方、ＩＱ変調器１２からの主信号光（ＴＥ波）は、半波長板５０を透過することなく、ＴＥ波のまま偏波合波器３００に入射される。必要に応じてＴＥ波とＴＭ波との間の光路長差を補償するための媒質を配置してもよい。この場合、媒質は、半波長板５０と同様に偏波合波器３００と接して配置してもよく、間隙を設けて配置してもよい。

偏波合波器３００に入射したＩＱ変調器１１の主信号光（ＴＭ波）は、反射面３０２および偏波合成面３０３で反射される。偏波合波器３００に入射したＩＱ変調器１２の主信号光（ＴＥ波）は、偏波合成面３０３を透過し、ＩＱ変調器１１の主信号光（ＴＭ波）と偏波合成される。偏波合成された２つの主信号光（ＴＭ波＋ＴＥ波）は、出射面３０４から出射される。

ＩＱ変調器１１，１２のそれぞれから出力された２つのモニタ光は、反射面３０２で反射され、受光素子４１，４２で受光される。両モニタ光はＴＥ波であるため、偏波合成面３０３を透過する。受光素子４１，４２は、偏波合波器３００から基板幅方向に向かった位置に配置される。

偏波合波器３００は、例えば、以下のようにして製造することができる。三角柱あるいは五角柱（図３の例では五角柱）の形状を有するＢＫ−７などのガラス基材を２つ用意する。一方のガラス基材の一の面に、偏波合成面３０３となる誘電体多層膜を形成する。一方のガラス基材の誘電体多層膜を形成した面と、他方のガラス基材の一の面とを接合し、２つのガラス基材を組合せたときの形状が四角柱となる接合ガラス基材を作製する。接合ガラス基材の一部を研磨等により切削し、接合ガラス基材に反射面３０２を形成する。ガラス基材及び接合ガラス基材のサイズ、反射面３０２及び偏波合成面３０３の角度は、２つの主信号光が適切に偏波合成されるよう、かつ、２つのモニタ光が受光素子４１，４２にそれぞれ受光されるよう、適切な設計を施せばよい。

以上説明したように、本実施形態によれば、ＩＱ変調器１１，１２それぞれからのモニタ光を、偏波合波器３００に設けた反射面３０２で反射させることにより、受光素子４１，４２を偏波合波器３００から基板幅方向に向かった位置に配置でき、光変調器１００を基板長さ方向に拡張ないし延伸させる必要がなくなるため、光変調器を小型化することができるようになる。

受光素子４１, ４２を、偏波合波器３００から基板幅方向に向かった位置に配置した場合、光変調器１００のサイズが基板幅方向に広がる可能性がある。しかし、受光素子４１，４２の受光面に垂直な方向の厚さ（図３では図面上下方向）は、一般的に受光面のサイズに比べて小さいため、受光素子４１, ４２を図３に記載の位置に配置したとしても、基板幅方向へのサイズ拡張に寄与しない。また、光変調器１００は、基板１０から基板幅方向に向かった位置に、ＩＱ変調器１１，１２が有する各電極に電気信号（データ信号、バイアス電圧）を印加するための配線基板（不図示）を配置するスペースを確保する必要がある。したがって、受光素子４１，４２を図３に記載の位置に配置したとしても、基板幅方向へのサイズ拡張をもたらすことはない。

なお、基板１０の入力ポートからＴＥ波を入力する例で説明したが、入力ポートからＴＭ波を入力してもよい。

（第１の実施形態の変形例１）
図４は、第１の実施形態の変形例１に係る光変調器の構成例を説明する図である。図４の光変調器１１０は、図３の光変調器１００と比べて、主信号光およびモニタ光の出力ポートの位置が異なる。図３の光変調器１００は、ＩＱ変調器１１の主信号光とＩＱ変調器１２の主信号光とが隣り合って出力されるように構成されていた。図３の光変調器１００では、１つの反射面３０２で２つのモニタ光を反射させようとすると、モニタ光のうち少なくとも一方の光路は、基板１０から出射した後、基板幅方向に偏向させてから偏波合波器３００に入射させる必要がある。

図４の光変調器１１０は、ＩＱ変調器１１のモニタ光とＩＱ変調器１２のモニタ光とが隣り合う出力ポートから出力されるように構成される。このような構成にすることで、光変調器１１０から出力される２つの主信号光および２つのモニタ光のいずれもが、基板１０から出射された方向と同じ方向（すなわち、基板長さ方向）に進行して偏波合波器３１０に入射するよう、光軸を設定することができる。

偏波合波器３１０は、図３の偏波合波器３００と同様に、２つの主信号光および２つのモニタ光のすべてが入射される入射面３１１、少なくとも２つのモニタ光をともに反射するように構成された反射面３１２、ＴＭ波を反射し、ＴＥ波を透過させる偏波合成面３１３、偏波合成されたＴＭ波およびＴＥ波が出射される出射面３１４を備える。偏波合波器３１０の入射面３１１の一部には、ＩＱ変調器１１あるいはＩＱ変調器１２のどちらか一方の主信号光のみを透過するように半波長板５０が配置される。

（第１の実施形態の変形例２）
図５は、第１の実施形態の変形例２に係る光変調器の構成例を説明する図である。図３，４の光変調器１００，１１０は、２つのガラス基材を組み合わせて偏波合成面３０３，３１３を形成した偏波合波器３００，３１０を用いていた。図５の光変調器１２０は、図３，４の光変調器１００，１１０と比べて、偏波合波器３２０が複屈折性を有する結晶を基材として用いた点で異なる。

偏波合波器３２０は、２つの主信号光および２つのモニタ光のすべてが入射される入射面３２１、２つのモニタ光をともに反射するように構成された反射面３２２、偏波合成されたＴＭ波およびＴＥ波が出射される出射面３２４を備える。偏波合波器３２０は、複屈折性を有する結晶、例えばＹＶＯ_４（イットリウム・四酸化バナジウム）を基材として用い、基材の一部を研磨等により切削して作製される。

偏波合波器３２０の入射面３２１の一部には、ＩＱ変調器１１あるいはＩＱ変調器１２のどちらか一方の主信号光のみが透過する位置に半波長板５０が配置される。

図５の構成例では、ＩＱ変調器１２からの主信号光（ＴＥ波）は、半波長板５０を透過してＴＭ波に偏光された後、偏波合波器３２０に入射する。一方、ＩＱ変調器１１からの主信号光（ＴＥ波）は、半波長板５０を透過することなく、ＴＥ波のまま偏波合波器３２０に入射する。

偏波合波器３２０に入射したＩＱ変調器１２の主信号光（ＴＭ波）およびＩＱ変調器１１の主信号光（ＴＥ波）は偏波合波器３２０の基材中を伝搬するが、偏波合波器３２０の基材は複屈折性を有するため、ＴＭ波とＴＥ波とで基材中での伝搬角度が異なる。偏波合波器３２０への２つの主信号光の入射角度および偏波合波器３２０の基材の長さを適切に設計することで、ＩＱ変調器１２の主信号光（ＴＭ波）とＩＱ変調器１１の主信号光（ＴＥ波）は、偏波合波器３２０の出射面３２４で偏波合成される。偏波合成された２つの主信号光（ＴＭ波＋ＴＥ波）は、出射面３２４から出射される。

ＩＱ変調器１１，１２それぞれからの２つのモニタ光は、反射面３２２で反射され、受光素子４１，４２のそれぞれで受光される。

なお、図５の光変調器１２０は、ＩＱ変調器１２からの主信号光のみが半波長板５０を透過するように構成されていたが、これに限定するものではない。例えば、半波長板５０は、ＩＱ変調器１２からの主信号光とモニタ光の双方を透過する構成であってもよい。あるいは、半波長板５０は、ＩＱ変調器１２からの主信号光とモニタ光の双方を透過し、かつ、ＩＱ変調器１１からのモニタ光を透過する構成であってもよい。なお、２つの受光素子４１，４２における受信感度の均一性を考慮すると、２つのモニタ光は同じ偏波状態で受光素子４１，４２に受光される構成が望ましい。すなわち、図５のように２つのモニタ光のいずれも半波長板５０を透過しない構成とするか、あるいは、２つのモニタ光のいずれも半波長板５０を透過する構成とすることが望ましい。

（第２の実施形態）
図６は、第２の実施形態に係る光変調器の構成例を説明する図である。図６の光変調器１３０は、図５の光変調器１２０とは、偏波合波器３３０の反射面３３２の構成が異なる。具体的には、図６の偏波合波器３３０は、基板長さ方向に対する反射面の角度がそれぞれ異なる第１反射面３３２−１と第２反射面３３２−２を有する。

偏波合波器３３０は、２つの主信号光および２つのモニタ光のすべてが入射される入射面３３１、ＩＱ変調器１１から出力されたモニタ光を反射するように構成された第１反射面３３２−１、ＩＱ変調器１２から出力されたモニタ光を反射するように構成された第２反射面３３２−２、偏波合成されたＴＭ波およびＴＥ波が出射される出射面３３４を備える。偏波合波器３３０は、複屈折性を有する結晶を基材として用い、基材の一部を研磨等により切削して作製される。

偏波合波器３３０の入射面３３１の一部には、ＩＱ変調器１１あるいはＩＱ変調器１２のどちらか一方の主信号光のみが透過する位置に半波長板５０が配置される。

図６の構成例では、ＩＱ変調器１２からの主信号光（ＴＥ波）は、半波長板５０を透過してＴＭ波に偏光された後、偏波合波器３３０に入射する。一方、ＩＱ変調器１１からの主信号光（ＴＥ波）は、半波長板５０を透過することなく、ＴＥ波のまま偏波合波器３３０に入射する。

偏波合波器３３０に入射したＩＱ変調器１２の主信号光（ＴＭ波）およびＩＱ変調器１１の主信号光（ＴＥ波）は、図５の偏波合波器３２０と同様に、偏波合波器３３０において偏波合成され、偏波合成された２つの主信号光（ＴＭ波＋ＴＥ波）は、出射面３３４から出射される。

ＩＱ変調器１１からのモニタ光は、第１反射面３３２−１で反射され、受光素子４１で受光される。ＩＱ変調器１２からのモニタ光は、第２反射面３３２−２で反射され、受光素子４２で受光される。

図６の偏波合波器３３０は、第１反射面３３２−１と第２反射面３３２−２とが接するように構成されているが、これに限定するものではなく、第１反射面３３２−１と第２反射面３３２−２とが離間して設けられた構成であってもよい。

なお、図６の偏波合波器３３０は、その断面形状が略凸型となるよう第１反射面３３２−１と第２反射面３３２−２が設けられた構成とされているが、図７の別の偏波合波器３３０に示すように、その断面形状が略凹型となるよう第１反射面３３２−１と第２反射面３３２−２を設けるようにしてもよい。

以上説明したように、本実施形態によれば、角度が異なる第１反射面３３２−１および第２反射面３３２−２を有する偏波合波器３３０を用いることにより、２つのモニタ光の反射角度をそれぞれ独立して設定できるようになるため、受光素子４１，４２の配置に対する自由度を増加させることができる。

また、第１反射面３３２−１および第２反射面３３２−２を適切に設定することにより、２つのモニタ光の偏波合波器３３０からの出射位置をより離間させることができるようになるため、ＩＱ変調器１１のモニタ光の受光素子４２への漏れ込みおよびＩＱ変調器１２のモニタ光の受光素子４１への漏れ込みを抑制できるようになる。

（第３の実施形態）
図８は、第３の実施形態に係る光変調器の構成例を説明する図である。図８の光変調器１４０は、図６の光変調器１３０とは、反射面が曲面である点で異なる。

偏波合波器３４０は、２つの主信号光および２つのモニタ光のすべてが入射される入射面３４１、２つのモニタ光をともに反射するように構成された反射曲面３４２、偏波合成されたＴＭ波およびＴＥ波が出射される出射面３４４を備える。偏波合波器３４０は、複屈折性を有する結晶を基材として用い、基材の一部を研磨等により切削して作製される。

偏波合波器３４０の入射面３４１の一部には、ＩＱ変調器１１あるはＩＱ変調器１２のどちらか一方の主信号光のみを透過する位置に半波長板５０が配置される。

図８の構成例では、ＩＱ変調器１２からの主信号光（ＴＥ波）は、半波長板５０を透過してＴＭ波に偏光された後、偏波合波器３４０に入射する。一方、ＩＱ変調器１１からの主信号光（ＴＥ波）は、半波長板５０を透過することなく、ＴＥ波のまま偏波合波器３４０に入射する。

偏波合波器３４０に入射したＩＱ変調器１２の主信号光（ＴＭ波）およびＩＱ変調器１１の主信号光（ＴＥ波）は、図５の偏波合波器３２０と同様に、偏波合波器３４０において偏波合成され、偏波合成された２つの信号光（ＴＭ波＋ＴＥ波）は、出射面３４４から出射される。

ＩＱ変調器１１，１２それぞれからの２つのモニタ光は、反射曲面３４２で反射され、受光素子４１，４２で受光される。

図８の偏波合波器３４０は、その断面形状が略凸型となるよう反射曲面３４２が設けられた構成とされているが、その断面形状が略凹型となるよう反射曲面３４２を設けるようにしてもよい。また、偏波合波器３４０の反射曲面３４２は、単一の曲率半径を持つ反射面である必要はない。例えば、ＩＱ変調器１１のモニタ光を反射する面とＩＱ変調器１２のモニタ光を反射する面とで曲率半径が異なるような構成としてもよい。

以上説明したように、本実施形態によれば、反射曲面３４２の曲率半径を適宜設計することで、第２の実施形態と同様に、受光素子４１，４２の配置に対する自由度を増加させることができる。また、受光素子４１，４２への意図しない光の漏れ込みを抑制することができる。

１，１００，１１０，１２０，１３０，１４０…光変調器
１０…基板
１１，１２…ＩＱ変調器
１３，１４…ＭＺ変調器
１５…調整用電極
１６…合波器
１７…分波器
２１〜２４…光学レンズ
３０，３００，３１０，３２０，３３０，３４０…偏波合波器
３０１，３１１，３２１，３３１，３４１…入射面
３０２，３１２，３２２，３３２…反射面
３３２−１…第１反射面
３３２−２…第２反射面
３４２…反射曲面
３０３，３１３…偏波合成面
３０４，３１４，３２４，３３４，３４４…出射面
４１，４２…受光素子
５０…半波長板

Claims (5)

1. 第１変調光及び前記第１変調光の出力強度をモニタするための第１モニタ光を出力する第１光変調部と、第２変調光及び前記第２変調光の出力強度をモニタするための第２モニタ光を出力する第２光変調部とを備える光変調器基板と、
   前記第１変調光の光路上に設けられた偏光素子と、
   前記偏光素子を透過した前記第１変調光と前記第２変調光とを偏波合成する偏波合波器と、
   前記第１モニタ光を受光する第１受光素子と、
   前記第２モニタ光を受光する第２受光素子と、を備え、
   前記偏波合波器は、前記第１モニタ光及び前記第２モニタ光を反射して、前記第１モニタ光を前記第１受光素子へ導光し、前記第２モニタ光を前記第２受光素子へ導光する反射部を備えることを特徴とする光変調器。
2. 前記反射部は、反射面の角度がそれぞれ異なる第１反射面及び第２反射面を備えることを特徴とする請求項１に記載の光変調器。
3. 前記反射部は、反射面の少なくとも一部が曲面であることを特徴とする請求項１に記載の光変調器。
4. 前記偏光素子は、前記第１モニタ光と前記第２モニタ光の光路上に設けられていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の光変調器。
5. 前記偏波合波器は、複屈折性を有する結晶を材料としてなることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の光変調器。

Images