JP2019153581A - 走査透過荷電粒子顕微鏡における識別撮像技術 - Google Patents
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Abstract
Description
−試料を試料ホルダ上に提供するステップと、
−光源から照明器を介して向けられる荷電粒子のビームを提供して、試料を照射するステップと、
−試料を横切る荷電粒子束を検出するためのセグメント化された検出器を提供することであって、束が、該検出器上にビームフットプリントを形成する、提供するステップと、
−ビームを試料の表面を横切って走査させ、検出器の異なるセグメントからの信号を組み合わせて、各々の走査位置で検出器からベクトル出力を生成し、このデータをコンパイルして撮像ベクトル場を発生させるステップと、
−撮像ベクトル場に2次元積分演算を施すことによって数学的に処理して、それによって試料の積分ベクトル場画像を生成するステップと、を含む、方法に関する。
−SEMでは、走査電子ビームを試料に照射すると、試料から、例えば2次電子、後方散乱電子、X線、ならびに陰極線蛍光(赤外線光子、可視光子、および/または紫外線光子)の形態の「補助」放射線の放出が開始され、次に、この放出される放射線の1種類以上の放射線成分が、検出され、画像を蓄積するために使用される。
−TEMでは、試料に照射するために使用される電子ビームは、試料に貫通するために十分高いエネルギーとなるように選択され(試料は、この目的のために、一般的に、SEM試料の場合よりも薄くなる)、次に、試料から放出される透過電子を使用して画像を生成することができる。このようなTEMを走査モードで動作させると(STEMになる)、照射される電子ビームの走査動作中に問題の画像が蓄積される。
https://en.wikipedia.org/wiki/Focused_ion_beam
http://en.wikipedia.org/wiki/Scanning_Helium_Ion_Microscope
−W.H.Escovitz,T.R.Fox and R.Levi−Setti,「Scanning Transmission Ion Microscope with a Field Ion Source」、Proc.Nat.Acad.Sci.USA 72(5),pp.1826−1828(1975).
http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/22472444
−例えば、電子の場合のWソースもしくはLaB6ソース、ショットキーガンもしくはコールドフィールドエミッションガン(CFEG)のような粒子ソース、またはイオンの場合の液体金属イオンソース(LMIS)もしくはナノアパーチャイオンソース(NAIS)。
−ソースからの「素の」放射線ビームを操作し、集束させる、収差を低減する、トリミングする(ダイアフラムで)、フィルタリングするなどのように、放射線ビームに対して特定の操作を行うように機能する照明器(照明システム、照明用粒子光学カラム)。それは、一般的に1つ以上の(荷電粒子)レンズを備え、他の種類の(粒子)光学構成要素も備えることができる。所望される場合、照明器には、偏向システムを設けることができ、偏向システムを駆動して、偏向システムの出射ビームが走査運動を調査対象の試料に対して行うことができる。
−調査対象の試料を保持および位置決めする(例えば、傾斜させる、回転させる)ことができる、試料ホルダ。所望される場合、このホルダを移動させて、試料がビームに対して走査運動を行うようにすることができる。一般に、このような試料ホルダは、位置決めシステムに接続される。極低温試料を保持するように設計される場合、試料ホルダは、前記試料を極低温に、例えば適切に接続される極低温槽を使用して維持するための手段を備えることができる。
−本質的に単体とするか、または複合/分散させることができ、かつ検出対象の放射線によって異なる多くの形態を採ることができる検出器(照射対象の試料から放出される放射線を検出する)。例として、フォトダイオード、CMOS検出器、CCD検出器、光起電力セル、X線検出器(シリコンドリフト検出器およびSi(Li)検出器など)などを挙げることができる。一般に、CPMは、いくつかの異なる種類の検出器を含むことができ、検出器の選択は、異なる状況において行うことができる。本発明の文脈において、使用される検出器は、例えば象限検出器、画素化検出器(カメラセンサ)、位置敏感検出器(PSD)などの場合、セグメント化される(細分化された検出表面を有する)。
−試料(平面)内を透過する荷電粒子を本質的に捕捉し、かつ検出/撮像デバイス、分光装置(例えば、EELSデバイス:EELS=電子エネルギー損失分析器)などのような検出装置にそれらを誘導する(集束させる)撮像システム。上に言及した照明器の場合と同様に、撮像システムは、収差緩和、トリミング、フィルタリングなどのような他の機能を行うこともでき、撮像システムは、一般的に、1つ以上の荷電粒子レンズおよび/または他の種類の粒子光学構成要素を備える。
−該ビームフットプリントの限定されたサブ領域を使用して該ベクトル出力、ならびにそれに付随する撮像ベクトル場および積分ベクトル場画像を生成することによって特徴付けられる、方法において達成される。
−比較的低いZの成分は、透過したビーム粒子を検出器上のビームフットプリントの中央領域に向かって優先的に散乱させる傾向があること、
−比較的高いZの成分は、透過したビーム粒子を検出器上のビームフットプリントの外周領域に向かって優先的に散乱させる傾向があることが見出された。
−使用された検出器は、画素のアレイを含む画素化検出器として具現化され、
−該ベクトル出力は、
●画素値を比較して、検出器上のビームフットプリントの該サブ領域の強度重心の位置を決定することと、
●該重心の座標位置を検出器上に表現することと、によってコンパイルされる。
−使用される検出器は、実質的に等しい面積の複数のセクタに細分された環状検出表面を含むように構成され、
−該ベクトル出力は、異なるセクタからの加重信号を決定することによってコンパイルされる。
−例えば、ダイアフラムのような調節可能なマスキングデバイス、または一組のレチクルマスキングブレードに似たXYセレクタであり、および/または
−カルーセル、ロボットアームなどの交換機構を使用して、該束(ビーム経路)に出入りすることができる。所望すれば、異なる開口板の選択は、ライブラリ/ラック内に格納することができ、好適な開口板を選択し、それを試料と検出器との間に適切に位置決めすることによって、異なるサイズ/形状/位置のものを選択することを可能にする。
−調査中の試料は、ある範囲の異なる原子番号(Z)を有する様々な元素成分を含み、
−ビームフットプリントの選択されたサブ領域は、原子番号の小範囲を識別可能に記録するように選択される。
−ビームフットプリントの第2の異なるサブ領域を使用して取得されたiVF画像、
−全ビームフットプリントを使用して取得されたiVF画像、
−試料の環状暗視野画像、のうちの少なくとも1つと組み合わされる。
図1(寸法通りではない)は、本発明を実装することができる透過荷電粒子顕微鏡(STCPM)Mの1つの実施形態のかなり大まかな概略図であり、より詳細には、図1は、STEMを示している(しかし、本発明の文脈では、それは、一例を挙げると、イオン型顕微鏡と同じであることが明らかである)。図において、真空筐体2内では、電子ソース4は、電子−光軸B”に沿って伝搬し、電子光学照明器6を横断する電子ビームBを生成して、電子を試料Sの選択部分に向ける/集束させるように機能する(それは、例えば(局所的に)薄くする/平板状にすることができる)。さらに図示されるのはデフレクタシステム8であり、これは(とりわけ)、ビームBの走査運動を行うために使用することができる。
−TEMカメラ30。カメラ30の位置に、電子束は、静止画像(または、フーリエ変換図形)を形成することができ、静止画像は、コントローラ/プロセッサ20により処理することができ、例えばフラットパネルディスプレイのような表示デバイス(図示せず)に表示することができる。必要ではない場合、カメラ30は、後退させて/引き込み(矢印30’で概略に示すように)、カメラを軸線B”から外れるようにすることができる。
−STEMカメラ/検出器32。カメラ32の出力は、試料S上のビームBの(X、Y)走査位置の関数として記録することができ、カメラ32の出力の「マップ(map)」である画像は、X、Yの関数として作成することができる。カメラ32は、カメラ30に特徴的に含まれる画素行列とは異なり、例えば直径が20mmの1個の画素を含むことができる。さらに、カメラ32は一般的に、カメラ30(例えば、102画像/秒)よりもはるかに高い取得レート(例えば、106ポイント/秒)を有する。この場合も同じく、必要でない場合、カメラ32は、後退させて/引き込み(矢印32’で概略に示すように)、カメラを軸線B”から外れるようにすることができる(このような後退は、例えばドーナツ形の環状暗視野カメラ(ADF)32の場合には必要とされず、このようなカメラでは、中心孔により、カメラが使用されていなかった場合に電子束を通過させることができる)。
−カメラ30または32を使用して撮像を行うことの代替として、例えばEELSモジュールとすることができる分光装置34を駆動することもできる。
−使用される検出器32(図1参照)は、例えば象限センサ、画素化CMOS/CCD/SSPM検出器、またはPSDを含むことができるセグメント化された検出器として具現化される。そのような検出器の特定の実施形態は、図2A/2Bおよび図3A/3Bにおいて平面図で概略的に示されており、以下に論じられる。
−粒子−光軸B’ ’に沿って伝播するビームBが試料内で散乱/偏向を受けることなく試料Sを横切る場合、それは検出器32の中心/原点Oに(実質的に)対称的に当たり、「null」の読みを与える。この状況は、点Oを原点とする座標軸X、Yを示す図2Aおよび2Bにさらに詳細に示されており、点Oは、強度重心C’で(ゴースト)荷電粒子ビームBの衝突フットプリントF’を概略的に表す破線円の中心にあり、その結果、
●図2Aでは、このフットプリントF’は、検出象限(電極)Q1、Q2、Q3、Q4上に対称的に重なっている。これらの象限からの検出信号(電流)がそれぞれS1、S2、S3、S4で示される場合、この状況は、対向する象限の対の間にゼロ差信号S1〜S3およびS2〜S4を生じる。
●(例えばCMOS検出器内の、あるいは、オーバーレイシンチレーション層を有する)検出画素pの直交行列を示す図2Bでは、該画素行列の選択された原点Oと強度重心C’との間にゼロ偏差がある。
−一方、荷電粒子ビームBが試料S内でいくらかの散乱/偏向を受けると、それは、原点Oからずれた位置で検出器32に着地、および/またはその断面内の強度分布は、変化する(参考のため、図5A、5Bを参照)。この文脈において、図2Aおよび2Bは、もはやOを中心としない強度重心Cを有するビームフットプリントFを示す。Oに対する点Cの位置は、関連する大きさ(長さ)および方向(例えばX軸に対する指向角)を有するベクトルVを定義する。このベクトルVは、点Cの座標(XC、YC)で表すことができ、これは以下のように抽出することができる。
●図2Aでは、次の式を使用してXC、YCの(初歩的な)推定量を導出できる。
●図2Bでは、様々な画素pからの出力信号を調べることによってXC、YCの値を導出することができ、なぜなら、ビームフットプリントFが当たる画素pは、フットプリントFの外側の画素pに異なる出力信号(例えば、電気抵抗、電圧または電流)を与えるからである。次に、極値信号を生じる特定の画素の座標に注目することによってCの位置を直接推定することができ、あるいはBが当たる画素クラスタpの強度重心を数学的に計算することによって、または、例えば両方のアプローチを組み合わせたハイブリッド手法を使用して間接的に決定することができる。
−2次元走査経路(領域)を描くようにビームBが試料Sを横切って走査されるとき、前の項目に記載されたアプローチは、該走査経路に沿った各々の座標位置についてVの値を得るために使用され得る。これは、試料S上の走査位置の関数としてのベクトルVの「マップ」のコンパイルを可能にし、それは、数学的場(そしてまた、ベクトルVに(比例)物理的意味を割り当てることができる静電界ベクトルなど物理的場である)に帰することになる。
−(試料S内の静電ポテンシャルのマップを表す)積分ベクトル場(iVF)画像を取得するために、前のステップから得られたベクトル場を2次元的に積分することができる。
−図3Aから開始すると、これは、フットプリントFの(中心に位置する)サブ領域FSを、関連する強度重心CSおよびベクトルVS(原点OをCSに接続する)とともに示す。既に上述したように、フットプリントF(およびサブ領域FS)は、一般に均質/等方性の強度分布を持っていないので、サブ領域FSの重心CSは、一般に、フットプリントFの重心Cと、と一致せず、したがって、ベクトルVSは、一般に図2BのベクトルVと等しくない。サブ領域FSの重心CSは、サブ領域FSの下にある画素の出力の加重和を計算することによって決定することができる。図3Aにおける検出器は、図2Bと本質的に同一であり得−例えば、図間の唯一の違いは、サブ領域FSのサイズ/形状/位置を選択し、その強度重心CSを決定するために使用される選択アルゴリズム(の特定のパラメータ値)に関する。
−図3Bは、図2Aの検出器のアーキテクチャの修正を概略的に示す。より詳細には、図3Bは、入れ子状の同心配置の個々に選択可能な環状検出表面の組R1、R2、R3を示し、各々の環状検出表面Riは、実質的に等しい面積の複数のセクタ{Si1、Si2、Si3、…}内に細分化される(これは必ずしもそうである必要はないが)。この入れ子状の配置の真ん中には、4つの象限状のセクタS01、S02、S03、S04を有するパイ形状の検出表面R0があり、これは図2Aの構成と同様であり、R0は、事実上内半径0の環であるので、4つの検出器ゾーンR0、R1、R2、R3の全てをここでは環と呼ぶことができる。1つ以上の環R0、R1、R2、R3を任意に選択して検出表面として作用させることができ、所与の環Ri内で、構成セクタ{Sij}からの出力を個々に読み出すことができる。現在のアーキテクチャでは、
●環R0、R1の各々は、4つのセクタを有する。
●環R2は、6つのセクタを有する。
●環R3は、8つのセクタがあること、に留意する必要があるが、
これは、必ずしもそうである必要はなく、他の選択も可能である(例えば、各々の環の選択された内側/外側半径値に依存する)。また、様々な環が必ずしも同じ半径方向拡がり(外側半径から内側半径)を有する必要はないことにも留意されたい。
図4A、図4B、図4Cおよび図4Dは、SrTiO3(チタン酸ストロンチウム)結晶の様々なSTCPM画像を示し、本発明の実施形態の様々な態様を示す。SrTiO3は、いわゆるペロブスカイト構造を有し、その様々な成分の原子番号(Z)は、Sr=38、Ti=22およびO=8である。すなわち:
−図4Aは、ビームフットプリントの特定のサブ領域に集中することなく作製された「標準の」iVF画像を示しており、ここでは半径roを有すると解釈されるであろう(これは、例えば、フットプリント強度が所与の閾値、例えば明暗差値の10%を下回る半径値として定義され得る)。低いZ酸素原子(たとえば白い四角を参照)は比較的かすかであるが、高いZ Sr/Ti原子(たとえば白い丸を参照)は比較的明るい。この画像では、SrとTiの間に明確な区別はない。
−図4Bは、ビームフットプリントのサブ領域に集中由来の本発明に従って作製されたiVF画像を示しており、この場合の中央ディスクの半径は、0.3r0である。低いZ酸素原子(白四角など)は、比較的明るいが、高いZ Sr/Ti原子(白丸など)は比較的暗くなる。この画像でも、SrとTiの間に明確な区別はない。
−図4Cは、例えば、ADF検出器として図1の検出器30を具現することによって、r>r0で作製された環状暗視野(ADF)画像を示す。この画像は、図4Aおよび4Bの画像よりも「深さ」が少ないが、Sr原子とTi原子との間の区別をより明確に示している(例えば、白い五角形/六角形を参照)。
−図4Dは、図4A、図4Bおよび図4Cの画像を組み合わせる(例えば対応する画素値を合計する)ことによって取得される合成画像である。結晶中の3種類の原子−Sr、Ti、O−は、このカラー画像では明確に区別できる。
図5Aおよび図5Bは、2つの異なる試料に対するCBEDディスク(ビームフットプリント)を示し、内部強度の不均一性を明確に示している。どちらのディスクもGaN[110]に関連しているが、図5Aの試料の厚さは2.4nm、図5Bの試料の厚さは、7.5nmであり、両方の場合において、一次(入ってくる)電子ビームは、2nmの表面下の深さに集束された。これらの図は、ディスク内の強度「縞」を明確に示しており、各々のディスクの異なるサブ領域を考慮すると、どのように/なぜ異なる強度重心を取得するのかを明確にしている。
Claims (12)
- 走査透過荷電粒子顕微鏡において試料を撮像する方法であって、
−前記試料を試料ホルダに提供するステップと、
−前記試料を照射するために、光源から照明器を介して向けられる荷電粒子のビームを提供するステップと、
−前記試料を横切る荷電粒子の束を検出するためのセグメント化された検出器を提供することであって、前記束が、前記検出器上にビームフットプリントを形成する、提供するステップと、
−前記ビームを前記試料の表面を横切って走査させ、各々の走査位置で検出器からベクトル出力を生成するために、検出器の異なるセグメントからの信号を組み合わせて、このデータをコンパイルして撮像ベクトル場を発生させるステップと、
−前記撮像ベクトル場に2次元積分演算を施すことによって数学的に処理して、それによって前記試料の積分ベクトル場画像を生成するステップと、を含み、
−前記ベクトル出力、ならびにそれに付随する前記撮像ベクトル場および前記積分ベクトル場画像を生成するために、前記ビームフットプリントの限定されたサブ領域を使用する、方法。 - −前記検出器が、画素のアレイを含む画素化検出器として具現化され、
−前記ベクトル出力が、
前記検出器上の前記ビームフットプリントの前記サブ領域の強度重心の位置を決定するために、画素値を比較することと、
前記強度重心の座標位置を前記検出器上に表現することと、によってコンパイルされる、請求項1に記載の方法。 - −前記検出器が、実質的に等しい面積の複数のセクタに細分された環状検出表面を含むように構成され、
−前記ベクトル出力が、異なるセクタからの加重信号を決定することによってコンパイルされる、請求項1に記載の方法。 - 前記検出器が、入れ子状の同心配置の一組の前記環状検出表面を含むように構成されている、請求項3に記載の方法。
- 前記サブ領域の選択が、前記試料と検出器との間の前記束内で開口板を使用することを含む、請求項1に記載の方法。
- −前記試料が、異なる原子番号の1つの範囲を有する様々な元素成分を含み、
−前記ビームフットプリントの前記サブ領域が、原子番号の小範囲を識別可能に記録するように選択される、請求項1〜5のいずれかに記載の方法。 - −前記ビームフットプリントの前記サブ領域が、前記ビームフットプリントの限定された中央領域であり、
−前記原子番号の小範囲が、比較的低い原子番号を含む、請求項6に記載の方法。 - −前記ビームフットプリントの前記サブ領域が、前記ビームフットプリントの限定された外周領域であり、
−前記原子番号の小範囲が、比較的高い原子番号を含む、請求項6に記載の方法。 - −第1の撮像セッションにおいて、第1のサブ領域が、第1の積分ベクトル場画像を生成するための基礎として使用され、
−第2の撮像セッションにおいて、第2の異なるサブ領域が、第2の積分ベクトル場画像を生成するための基礎として使用される、請求項1〜8のいずれかに記載の方法。 - 前記ビームフットプリントの第1のサブ領域を使用して取得された積分ベクトル場画像が、
−前記ビームフットプリントの第2の異なるサブ領域を使用して取得された積分ベクトル場画像、
−全ビームフットプリントを使用して取得された積分ベクトル場画像、
−前記試料の環状暗視野画像、のうちの少なくとも1つと組み合わされる、請求項1〜9のいずれかに記載の方法。 - 走査透過荷電粒子顕微鏡であって、
−試料平面内に試料を保持するための試料ホルダと、
−光源から前記試料上に荷電粒子のビームを向けるための照明器と、
−前記試料を横切る荷電粒子の束を検出するためのセグメント化された検出器であって、前記束が、前記検出器上にビームフットプリントを形成する、検出器と、
−コントローラであって、
前記試料の表面を横切る前記ビームの走査運動をもたらし、
各々の走査位置で前記検出器からのベクトル出力を生成するために、前記検出器の異なるセグメントからの信号を組み合わせて、撮像ベクトル場を生じさせルためにこのデータをコンパイルして、
これに2次元積分操作を施すことによって前記撮像ベクトル場を数学的に処理して、それによって前記試料の積分ベクトル場画像を生成するように構成されている、コントローラと、を備え、
前記コントローラが、
−前記ビームフットプリントの限定されたサブ領域を使用して前記ベクトル出力、ならびにそれに付随する前記撮像ベクトル場および前記積分ベクトル場画像を生成するように構成されている、顕微鏡。 - 荷電粒子を検出するための検出器アセンブリであって、
−入れ子状の同心配置の個々に選択可能な一組の環状検出表面であって、各々の環状検出表面が、実質的に等しい面積の複数のセクタに細分化されている、環状検出表面と、
−異なるセクタからの加重信号を計算することによってベクトル出力をコンパイルして、それに2次元積分演算を施すことによって前記ベクトルを処理するように構成されたプロセッサと、を備える、検出器アセンブリ。
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