JP2019152719A - Display - Google Patents

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秀樹 椎名
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Abstract

To provide a display that can prevent a deterioration in display quality.SOLUTION: A display comprises: a scan line extending in a first direction; and a switching element including a semiconductor layer overlapping at least part of the scan line and a drain electrode connected to the semiconductor layer. The drain electrode has a first portion in connection with the semiconductor layer and a second portion between the scan line and the first portion. The first portion projects from the second portion in a second direction intersecting the first direction.SELECTED DRAWING: Figure 5

Description

本発明の実施形態は、表示装置に関する。   Embodiments described herein relate generally to a display device.

近年、タッチセンサを内蔵した表示装置が種々提案されている。一例では、表示パネルに形成された複数の電極がタッチセンシングモードである場合にセンサ電極の役割を果たし、表示モードである場合に共通電極の役割を果たす表示装置が開示されている。タッチセンシング方式としては、相互容量方式及び自己容量方式のいずれかが適用される。タッチセンシングモードでは、タッチ駆動電圧が信号ラインを通じてセンサ電極に印加されることにより、センシングが行われるものである。   In recent years, various display devices incorporating a touch sensor have been proposed. In one example, a display device is disclosed that serves as a sensor electrode when a plurality of electrodes formed on a display panel are in a touch sensing mode, and serves as a common electrode when in a display mode. As the touch sensing method, either a mutual capacitance method or a self-capacitance method is applied. In the touch sensing mode, sensing is performed by applying a touch drive voltage to the sensor electrode through a signal line.

特開2015−122057号公報JP 2015-122057 A

本実施形態の目的は、表示品位の低下を抑制することが可能な表示装置を提供することにある。   An object of the present embodiment is to provide a display device capable of suppressing deterioration in display quality.

本実施形態によれば、第1方向に延出した走査線と、前記走査線の少なくとも一部と重なる半導体層と、前記半導体層と接続されたドレイン電極と、を備えるスイッチング素子と、を備え、前記ドレイン電極は、前記半導体層と接する第1部分と、前記走査線と前記第1部分との間に第2部分と、を有し、前記第1部分は、前記第2部分から前記第1方向と交差する第2方向へ突出している、表示装置が提供される。   According to this embodiment, the switching element includes: a scanning line extending in the first direction; a semiconductor layer overlapping at least a part of the scanning line; and a drain electrode connected to the semiconductor layer. The drain electrode includes a first portion in contact with the semiconductor layer, and a second portion between the scan line and the first portion, and the first portion is formed from the second portion to the first portion. A display device is provided that protrudes in a second direction that intersects one direction.

図1は、本実施形態に係る表示装置の構成を示す斜視図である。FIG. 1 is a perspective view showing a configuration of a display device according to the present embodiment. 図2は、図1に示した表示装置に備えられるタッチセンサの構成例を示す平面図である。2 is a plan view illustrating a configuration example of a touch sensor provided in the display device illustrated in FIG. 図3は、図1に示した表示パネルの等価回路を示す図である。FIG. 3 is a diagram showing an equivalent circuit of the display panel shown in FIG. 図4は、画素レイアウトの一例を示す平面図である。FIG. 4 is a plan view showing an example of a pixel layout. 図5は、図4に示した画素の一例を示す平面図である。FIG. 5 is a plan view showing an example of the pixel shown in FIG. 図6は、図5に示したA−B線に沿った第1基板の断面図である。FIG. 6 is a cross-sectional view of the first substrate along the line AB shown in FIG. 図7は、ドレイン電極及び遮光層の比較例の構成を示す平面図である。FIG. 7 is a plan view showing a configuration of a comparative example of the drain electrode and the light shielding layer. 図8は、本実施形態のドレイン電極及び遮光層の構成を示す平面図である。FIG. 8 is a plan view showing the configuration of the drain electrode and the light shielding layer of the present embodiment. 図9は、図8に示したC−D線に沿った表示装置の断面図である。FIG. 9 is a cross-sectional view of the display device taken along the line CD shown in FIG. 図10は、図8に示したE−F線に沿った表示装置の断面図である。FIG. 10 is a cross-sectional view of the display device taken along line EF shown in FIG. 図11は、本実施形態の遮光層、メインスペーサ、及び、サブスペーサの構成を示す平面図である。FIG. 11 is a plan view showing the configuration of the light shielding layer, the main spacer, and the sub-spacer of the present embodiment. 図12は、本実施形態のドレイン電極の変形例を示す平面図である。FIG. 12 is a plan view showing a modification of the drain electrode of this embodiment.

以下、本実施形態について、図面を参照しながら説明する。なお、開示はあくまで一例に過ぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べて、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同一又は類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する詳細な説明を適宜省略することがある。   Hereinafter, the present embodiment will be described with reference to the drawings. It should be noted that the disclosure is merely an example, and those skilled in the art can easily conceive of appropriate changes while maintaining the gist of the invention are naturally included in the scope of the present invention. In addition, for the sake of clarity, the drawings may be schematically represented with respect to the width, thickness, shape, etc. of each part as compared to actual aspects, but are merely examples, and The interpretation is not limited. In addition, in the present specification and each drawing, components that perform the same or similar functions as those described above with reference to the previous drawings are denoted by the same reference numerals, and repeated detailed description may be omitted as appropriate. .

本実施形態においては、表示装置DSPの一例として、液晶表示装置について説明する。なお、本実施形態にて開示する主要な構成は、有機エレクトロルミネッセンス表示素子等を有する自発光型の表示装置、電気泳動素子等を有する電子ペーパ型の表示装置、MEMS(Micro Electro Mechanical Systems)を応用した表示装置、或いはエレクトロクロミズムを応用した表示装置などにも適用可能である。   In the present embodiment, a liquid crystal display device will be described as an example of the display device DSP. Note that the main configuration disclosed in this embodiment includes a self-luminous display device having an organic electroluminescence display element, an electronic paper display device having an electrophoretic element, and a micro electro mechanical systems (MEMS). The present invention can also be applied to a display device to which application is applied or a display device to which electrochromism is applied.

図1は、本実施形態に係る表示装置DSPの構成を示す斜視図である。
図1は、第1方向Xと、第1方向Xに垂直な第2方向Yと、第1方向X及び第2方向Yに垂直な第3方向Zと、によって規定される三次元空間を示している。一例では、第1方向X、第2方向Y、及び、第3方向Zは、互いに直交しているが、90度以外の角度で交差していてもよい。第1方向X及び第2方向Yは、表示装置DSPを構成する基板の主面と平行な方向に相当し、第3方向Zは、表示装置DSPの厚さ方向に相当する。本明細書において、第3方向Zを示す矢印の先端に向かう方向を上方(あるいは、単に上)と称し、矢印の先端から逆に向かう方向を下方(あるいは、単に下)と称する。また、第3方向Zを示す矢印の先端側に表示装置DSPを観察する観察位置があるものとし、この観察位置から、第1方向X及び第2方向Yで規定されるX−Y平面に向かって見ることを平面視という。
FIG. 1 is a perspective view showing the configuration of the display device DSP according to the present embodiment.
FIG. 1 shows a three-dimensional space defined by a first direction X, a second direction Y perpendicular to the first direction X, and a third direction Z perpendicular to the first direction X and the second direction Y. ing. In one example, the first direction X, the second direction Y, and the third direction Z are orthogonal to each other, but may intersect at an angle other than 90 degrees. The first direction X and the second direction Y correspond to the direction parallel to the main surface of the substrate constituting the display device DSP, and the third direction Z corresponds to the thickness direction of the display device DSP. In this specification, a direction toward the tip of the arrow indicating the third direction Z is referred to as upward (or simply upward), and a direction opposite from the tip of the arrow is referred to as downward (or simply downward). In addition, it is assumed that there is an observation position for observing the display device DSP on the tip side of the arrow indicating the third direction Z, and from this observation position, the XY plane defined by the first direction X and the second direction Y is directed. This is called planar view.

図1に示すように、表示装置DSPは、表示パネルPNL、フレキシブルプリント回路基板1と、ICチップ2、回路基板3を備えている。   As shown in FIG. 1, the display device DSP includes a display panel PNL, a flexible printed circuit board 1, an IC chip 2, and a circuit board 3.

表示パネルPNLは、第1基板SUB1と、第1基板SUB1に対向配置された第2基板SUB2と、を備えている。また、表示パネルPNLは、画像を表示する表示部DAと、表示部DAを囲む非表示部NDAと、を備えている。表示パネルPNLは、表示部DAにおいて、複数の画素PXを備えている。   The display panel PNL includes a first substrate SUB1 and a second substrate SUB2 disposed to face the first substrate SUB1. The display panel PNL includes a display unit DA that displays an image and a non-display unit NDA that surrounds the display unit DA. The display panel PNL includes a plurality of pixels PX in the display unit DA.

第1基板SUB1は、第2基板SUB2と重なる領域よりも外側に延出した実装部MAを有している。第1基板SUB1の3つの側縁は、第3方向Zにおいて、第2基板SUB2の3つの側縁と揃っている。第1基板SUB1の第1方向Xに平行な側縁の長さは、第2基板SUB2の第1方向Xに平行な側縁の長さと略等しい。また、第1基板SUB1の第2方向Yに平行な側縁の長さは、第2基板SUB2の第2方向Yに平行な側縁の長さより大きい。つまり、第1基板SUB1のX−Y平面に平行な面積は、第2基板SUB2のX−Y平面に平行な面積より大きい。ここで、X−Y平面は、第1方向Xと第2方向Yとで規定される平面である。   The first substrate SUB1 has a mounting portion MA that extends outward from a region overlapping the second substrate SUB2. The three side edges of the first substrate SUB1 are aligned with the three side edges of the second substrate SUB2 in the third direction Z. The length of the side edge parallel to the first direction X of the first substrate SUB1 is substantially equal to the length of the side edge parallel to the first direction X of the second substrate SUB2. Further, the length of the side edge parallel to the second direction Y of the first substrate SUB1 is larger than the length of the side edge parallel to the second direction Y of the second substrate SUB2. That is, the area parallel to the XY plane of the first substrate SUB1 is larger than the area parallel to the XY plane of the second substrate SUB2. Here, the XY plane is a plane defined by the first direction X and the second direction Y.

図示した例では、フレキシブルプリント回路基板1は、非表示部NDAにおいて、実装部MAの上に実装されている。フレキシブルプリント回路基板1は、表示パネルPNLと電気的に接続されている。回路基板3は、フレキシブルプリント回路基板1の下に実装され、フレキシブルプリント回路基板1と電気的に接続されている。ICチップ2は、フレキシブルプリント回路基板1に実装されている。なお、ICチップ2は、実装部MAに実装されてもよい。ICチップ2は、表示パネルPNLを駆動するのに必要な信号を供給する信号供給源等として機能する。   In the illustrated example, the flexible printed circuit board 1 is mounted on the mounting portion MA in the non-display portion NDA. The flexible printed circuit board 1 is electrically connected to the display panel PNL. The circuit board 3 is mounted under the flexible printed circuit board 1 and is electrically connected to the flexible printed circuit board 1. The IC chip 2 is mounted on the flexible printed circuit board 1. The IC chip 2 may be mounted on the mounting part MA. The IC chip 2 functions as a signal supply source that supplies signals necessary for driving the display panel PNL.

本実施形態の表示パネルPNLは、第1基板SUB1の背面側からの光を選択的に透過させることで画像を表示する透過表示機能を備えた透過型、第2基板SUB2の前面側からの光を選択的に反射させることで画像を表示する反射表示機能を備えた反射型、あるいは、透過表示機能及び反射表示機能を備えた半透過型のいずれであってもよい。   The display panel PNL of the present embodiment has a transmissive display function for displaying an image by selectively transmitting light from the back side of the first substrate SUB1, and light from the front side of the second substrate SUB2. May be either a reflective type having a reflective display function for displaying an image by selectively reflecting the light, or a transflective type having a transmissive display function and a reflective display function.

また、表示パネルPNLの詳細な構成について、ここでは説明を省略するが、表示パネルPNLは、基板主面に沿った横電界を利用する表示モード、基板主面の法線に沿った縦電界を利用する表示モード、基板主面に対して斜め方向に傾斜した傾斜電界を利用する表示モード、さらには、上記の横電界、縦電界、及び、傾斜電界を適宜組み合わせて利用する表示モードに対応したいずれの構成を備えていてもよい。ここでの基板主面とは、第1方向X及び第2方向Yで規定されるX−Y平面と平行な面である。   The detailed configuration of the display panel PNL is omitted here, but the display panel PNL has a display mode that uses a horizontal electric field along the main surface of the substrate and a vertical electric field along the normal of the main surface of the substrate. Corresponding to the display mode to be used, the display mode using a gradient electric field inclined in an oblique direction with respect to the main surface of the substrate, and the display mode using an appropriate combination of the above horizontal electric field, vertical electric field, and gradient electric field Any configuration may be provided. Here, the substrate main surface is a surface parallel to the XY plane defined by the first direction X and the second direction Y.

図2は、図1に示した表示装置DSPに備えられるタッチセンサTSの構成例を示す平面図である。ここでは、相互容量方式のタッチセンサTSについて説明するが、タッチセンサTSは自己容量方式であってもよい。   FIG. 2 is a plan view showing a configuration example of the touch sensor TS provided in the display device DSP shown in FIG. Here, a mutual capacitance type touch sensor TS will be described, but the touch sensor TS may be a self-capacitance type.

タッチセンサTSは、駆動電極TX1乃至TXn、検出電極RX1乃至RXm、フレキシブルプリント回路基板4、タッチ検出ICチップ5等を備えている。なお、n及びmは、例えば2以上の整数である。フレキシブルプリント回路基板4は、第2基板SUB2に接続されている。タッチ検出ICチップ5は、フレキシブルプリント回路基板4に実装されている。   The touch sensor TS includes drive electrodes TX1 to TXn, detection electrodes RX1 to RXm, a flexible printed circuit board 4, a touch detection IC chip 5, and the like. Note that n and m are integers of 2 or more, for example. The flexible printed circuit board 4 is connected to the second board SUB2. The touch detection IC chip 5 is mounted on the flexible printed circuit board 4.

駆動電極TX1乃至TXnは、第1基板SUB1に配置されている。複数の駆動電極TX1乃至TXnは、それぞれ帯状に形成され第2方向Yに延出し、第1方向Xに間隔をおいて並べられている。表示装置DSPへの物体の接近又は接触を検出するタッチセンシングモードにおいては、駆動電極TX1乃至TXnは、タッチ駆動電圧が印加される。また、画像を表示する表示モードにおいては、駆動電極TX1乃至TXnは、コモン電圧(Vcom)が印加された共通電極CEとして機能する。コモン電圧は、例えばICチップ2に含まれる共通電極駆動回路から印加される。   The drive electrodes TX1 to TXn are arranged on the first substrate SUB1. The plurality of drive electrodes TX1 to TXn are each formed in a strip shape, extend in the second direction Y, and are arranged at intervals in the first direction X. In the touch sensing mode for detecting the approach or contact of an object to the display device DSP, a touch drive voltage is applied to the drive electrodes TX1 to TXn. In the display mode for displaying an image, the drive electrodes TX1 to TXn function as a common electrode CE to which a common voltage (Vcom) is applied. The common voltage is applied from, for example, a common electrode driving circuit included in the IC chip 2.

検出電極RX1乃至RXmは、第2基板SUB2上に配置されている。複数の検出電極RX1乃至RXmは、それぞれ帯状に形成され第1方向Xに延出し、第2方向Yに間隔をおいて並べられている。複数の検出電極RX1乃至RXmは、複数の駆動電極TX1乃至TXnと表示部DAにおいて交差している。検出電極RX1乃至RXmは、非表示部NDAに位置するリード線LD及びフレキシブルプリント回路基板4を介してタッチ検出ICチップ5と電気的に接続されている。リード線LDは、検出電極RX1乃至RXmと一対一で電気的に接続されている。リード線LDは、低抵抗化の観点から、金属細線で形成されることが望ましい。   The detection electrodes RX1 to RXm are arranged on the second substrate SUB2. The plurality of detection electrodes RX1 to RXm are each formed in a strip shape, extend in the first direction X, and are arranged at intervals in the second direction Y. The plurality of detection electrodes RX1 to RXm intersect with the plurality of drive electrodes TX1 to TXn in the display unit DA. The detection electrodes RX1 to RXm are electrically connected to the touch detection IC chip 5 via the lead wires LD located in the non-display portion NDA and the flexible printed circuit board 4. The lead wire LD is electrically connected to the detection electrodes RX1 to RXm on a one-to-one basis. The lead wire LD is preferably formed of a thin metal wire from the viewpoint of reducing resistance.

図3は、図1に示した表示パネルPNLの等価回路を示す図である。
複数の画素PXは、第1方向X及び第2方向Yにマトリクス状に配置されている。ここで、画素とは、画素信号に応じて個別に制御することができる最小単位を示し、例えば、後述する走査線と信号線とが交差する位置に配置されたスイッチング素子を含む領域に存在する。
FIG. 3 is a diagram showing an equivalent circuit of the display panel PNL shown in FIG.
The plurality of pixels PX are arranged in a matrix in the first direction X and the second direction Y. Here, the pixel indicates a minimum unit that can be individually controlled in accordance with a pixel signal, and exists, for example, in a region including a switching element arranged at a position where a scanning line and a signal line, which will be described later, intersect. .

表示パネルPNLは、表示部DAにおいて、複数本の走査線G、複数本の信号線S、共通電極CEなどを備えている。走査線Gは、それぞれ第1方向Xに延出し、第2方向Yに並んでいる。信号線Sは、それぞれ第2方向Yに延出し、第1方向Xに並んでいる。なお、走査線G及び信号線Sは、必ずしも直線的に延出していなくても良く、それらの一部が屈曲していてもよい。共通電極CEは、複数の画素PXに亘って配置されている。走査線G、信号線S、及び、共通電極CEは、それぞれ非表示部NDAに引き出されている。非表示部NDAにおいて、走査線Gは走査線駆動回路GDに接続され、信号線Sは信号線駆動回路SDに接続され、共通電極CEは共通電極駆動回路CDに接続されている。信号線駆動回路SD、走査線駆動回路GD、及び、共通電極駆動回路CDは、第1基板上に形成されても良いし、これらの一部或いは全部が図1に示したICチップ2に内蔵されていても良い。   The display panel PNL includes a plurality of scanning lines G, a plurality of signal lines S, a common electrode CE, and the like in the display unit DA. Each scanning line G extends in the first direction X and is aligned in the second direction Y. The signal lines S extend in the second direction Y and are aligned in the first direction X, respectively. Note that the scanning lines G and the signal lines S do not necessarily extend linearly, and some of them may be bent. The common electrode CE is disposed over the plurality of pixels PX. The scanning line G, the signal line S, and the common electrode CE are each drawn out to the non-display portion NDA. In the non-display portion NDA, the scanning line G is connected to the scanning line driving circuit GD, the signal line S is connected to the signal line driving circuit SD, and the common electrode CE is connected to the common electrode driving circuit CD. The signal line driving circuit SD, the scanning line driving circuit GD, and the common electrode driving circuit CD may be formed on the first substrate, or a part or all of them may be built in the IC chip 2 shown in FIG. May be.

各画素PXは、スイッチング素子SW、画素電極PE、共通電極CE、液晶層LC等を備えている。スイッチング素子SWは、例えば薄膜トランジスタ(TFT)によって構成され、走査線G及び信号線Sと電気的に接続されている。より具体的には、スイッチング素子SWは、ゲート電極WG、ソース電極WS、及び、ドレイン電極WDを備えている。ゲート電極WGは、走査線Gと電気的に接続されている。図示した例では、信号線Sと電気的に接続された電極をソース電極WSと称し、画素電極PEと電気的に接続された電極をドレイン電極WDと称する。画素電極PEは、スイッチング素子SWと電気的に接続されている。   Each pixel PX includes a switching element SW, a pixel electrode PE, a common electrode CE, a liquid crystal layer LC, and the like. The switching element SW is composed of, for example, a thin film transistor (TFT) and is electrically connected to the scanning line G and the signal line S. More specifically, the switching element SW includes a gate electrode WG, a source electrode WS, and a drain electrode WD. The gate electrode WG is electrically connected to the scanning line G. In the illustrated example, an electrode electrically connected to the signal line S is referred to as a source electrode WS, and an electrode electrically connected to the pixel electrode PE is referred to as a drain electrode WD. The pixel electrode PE is electrically connected to the switching element SW.

走査線Gは、第1方向Xに並んだ画素PXの各々におけるスイッチング素子SWと接続されている。信号線Sは、第2方向Yに並んだ画素PXの各々におけるスイッチング素子SWと接続されている。画素電極PEの各々は、共通電極CEと対向し、画素電極PEと共通電極CEとの間に生じる電界によって液晶層LCを駆動している。保持容量CSは、例えば、共通電極CEと同電位の電極、及び、画素電極PEと同電位の電極の間に形成される。   The scanning line G is connected to the switching element SW in each of the pixels PX arranged in the first direction X. The signal line S is connected to the switching element SW in each of the pixels PX arranged in the second direction Y. Each pixel electrode PE faces the common electrode CE, and drives the liquid crystal layer LC by an electric field generated between the pixel electrode PE and the common electrode CE. The storage capacitor CS is formed between, for example, an electrode having the same potential as the common electrode CE and an electrode having the same potential as the pixel electrode PE.

図4は、画素レイアウトの一例を示す平面図である。
図4において、第2方向Yに対して反時計回りに鋭角に交差する方向を方向D1と定義し、第2方向Yに対して時計回りに鋭角に交差する方向を方向D2と定義する。なお、第2方向Yと方向D1とのなす角度θ1は、第2方向Yと方向D2とのなす角度θ2とほぼ同一である。
FIG. 4 is a plan view showing an example of a pixel layout.
In FIG. 4, a direction that intersects the second direction Y at an acute angle counterclockwise is defined as a direction D1, and a direction that intersects the second direction Y at an acute angle clockwise is defined as a direction D2. The angle θ1 formed by the second direction Y and the direction D1 is substantially the same as the angle θ2 formed by the second direction Y and the direction D2.

走査線G1乃至G3は、それぞれ第1方向Xに沿って直線的に延出し、第2方向Yに間隔を置いて並んでいる。信号線S1乃至S3は、それぞれ概ね第2方向Yに沿って延出し、第1方向Xに間隔をおいて並んでいる。   The scanning lines G1 to G3 each extend linearly along the first direction X and are arranged at intervals in the second direction Y. Each of the signal lines S1 to S3 extends substantially along the second direction Y, and is arranged in the first direction X at intervals.

画素電極PE1及びPE2は、走査線G1及びG2の間に配置されている。画素電極PE1及びPE2は、第1方向Xに沿って並んでいる。画素電極PE3及びPE4は、走査線G2及びG3の間に配置されている。画素電極PE3及びPE4は、第1方向Xに沿って並んでいる。画素電極PE1及びPE3は信号線S1及びS2の間に配置され、画素電極PE2及びPE4は信号線S2及びS3の間に配置されている。   The pixel electrodes PE1 and PE2 are disposed between the scanning lines G1 and G2. The pixel electrodes PE1 and PE2 are arranged along the first direction X. The pixel electrodes PE3 and PE4 are disposed between the scanning lines G2 and G3. The pixel electrodes PE3 and PE4 are arranged along the first direction X. The pixel electrodes PE1 and PE3 are disposed between the signal lines S1 and S2, and the pixel electrodes PE2 and PE4 are disposed between the signal lines S2 and S3.

画素電極PE1及びPE2は、それぞれ方向D1に沿って延出した帯電極Pa1及びPa2を有している。画素電極PE3及びPE4は、それぞれ方向D2に沿って延出した帯電極Pa3及びPa4を有している。図示した例では、帯電極Pa1乃至Pa4は、各3本であるが、1本又は2本でもよいし、4本以上であってもよい。なお、図示しない共通電極CEは、画素PX1乃至PX4に亘って配置されている。   The pixel electrodes PE1 and PE2 respectively have band electrodes Pa1 and Pa2 extending along the direction D1. The pixel electrodes PE3 and PE4 have band electrodes Pa3 and Pa4 extending along the direction D2, respectively. In the illustrated example, the number of strip electrodes Pa1 to Pa4 is three, but may be one or two, or may be four or more. Note that the common electrode CE (not shown) is disposed over the pixels PX1 to PX4.

図5は、図4に示した画素の一例を示す平面図である。ここでは、図4に示した走査線G1及びG2と信号線S1及びS2とで囲まれた画素PX1に着目して、主要部について説明する。   FIG. 5 is a plan view showing an example of the pixel shown in FIG. Here, the main part will be described focusing on the pixel PX1 surrounded by the scanning lines G1 and G2 and the signal lines S1 and S2 shown in FIG.

スイッチング素子SWは、走査線G2及び信号線S2と電気的に接続されている。スイッチング素子SWは、半導体層SCと、ドレイン電極WDと、を備えている。   The switching element SW is electrically connected to the scanning line G2 and the signal line S2. The switching element SW includes a semiconductor layer SC and a drain electrode WD.

半導体層SCは、その一部分が信号線S2と重なるように配置され、他の部分が信号線S1及びS2の間に延出し、略U字状に形成されている。また、半導体層SCは、走査線G2の少なくとも一部と重なっている。半導体層SCは、信号線S2と重なる位置において走査線G2と交差し、信号線S1とS2との間においても走査線G2と交差している。走査線G2において、半導体層SCと重畳する領域がそれぞれゲート電極GE1及びGE2として機能する。すなわち、図示した例のスイッチング素子SWは、ダブルゲート構造を有している。半導体層SCは、その一端部SCAにおいて貫通孔CH1を通じて信号線S2と電気的に接続され、その他端部SCBにおいて貫通孔CH2を通じてドレイン電極WDと電気的に接続されている。   The semiconductor layer SC is arranged so that a part thereof overlaps with the signal line S2, and the other part extends between the signal lines S1 and S2 and is formed in a substantially U shape. Further, the semiconductor layer SC overlaps at least a part of the scanning line G2. The semiconductor layer SC intersects the scanning line G2 at a position overlapping the signal line S2, and also intersects the scanning line G2 between the signal lines S1 and S2. In the scanning line G2, regions overlapping with the semiconductor layer SC function as gate electrodes GE1 and GE2, respectively. That is, the switching element SW in the illustrated example has a double gate structure. The semiconductor layer SC is electrically connected to the signal line S2 through the through hole CH1 at one end SCA, and is electrically connected to the drain electrode WD through the through hole CH2 at the other end SCB.

ドレイン電極WDは、島状に形成され、信号線S1と信号線S2との間に配置されている。ドレイン電極WDは、貫通孔CH2と重なる第1部分PT1と、走査線G2と第1部分PT1との間の第2部分PT2と、を有している。図中において、第1部分PT1は、斜線で示されている。第1部分PT1は、第2部分PT2から第2方向Yへ突出している。第1部分PT1は、第1方向Xに幅W1を有し、第2部分PT2は、第1方向Xに幅W2を有している。幅W2は、幅W1より大きい。また、貫通孔CH2は、第1方向Xに幅W3を有している。図示した例では、幅W1は、幅W3と等しい。すなわち、第1部分PT1は、平面視で貫通孔CH2と同等のサイズに形成されている。なお、第1部分PT1は、貫通孔CH2より大きいサイズに形成されていても良く、幅W1は、幅W3より大きくても良い。また、第1部分PT1の第2方向Yの幅は、貫通孔CH2の第2方向Yの幅より大きくてもよいし、等しくてもよいし、小さくてもよい。   The drain electrode WD is formed in an island shape and is disposed between the signal line S1 and the signal line S2. The drain electrode WD has a first part PT1 that overlaps the through hole CH2, and a second part PT2 between the scanning line G2 and the first part PT1. In the drawing, the first portion PT1 is indicated by hatching. The first part PT1 protrudes in the second direction Y from the second part PT2. The first portion PT1 has a width W1 in the first direction X, and the second portion PT2 has a width W2 in the first direction X. The width W2 is larger than the width W1. Further, the through hole CH2 has a width W3 in the first direction X. In the illustrated example, the width W1 is equal to the width W3. That is, the first portion PT1 is formed in a size equivalent to the through hole CH2 in plan view. The first portion PT1 may be formed larger than the through hole CH2, and the width W1 may be larger than the width W3. Further, the width of the first portion PT1 in the second direction Y may be larger than, equal to, or smaller than the width of the through hole CH2 in the second direction Y.

画素電極PE1は、複数の帯電極Pa1と一体の基部BS1を備えている。基部BS1は、ドレイン電極WDと重畳し、ドレイン電極WDと電気的に接続される。図示した例では、基部BS1は、第2部分PT2と重畳している。画素電極PE1とスイッチング素子SWとを接続する接続部については後述する。   The pixel electrode PE1 includes a base portion BS1 integrated with a plurality of band electrodes Pa1. Base BS1 overlaps with drain electrode WD and is electrically connected to drain electrode WD. In the illustrated example, the base BS1 overlaps with the second portion PT2. A connection part that connects the pixel electrode PE1 and the switching element SW will be described later.

図6は、図5に示したA−B線に沿った第1基板SUB1の断面図である。
第1基板SUB1は、絶縁基板10、絶縁膜11乃至15、半導体層SC、走査線G2、信号線S2、共通電極CE、金属配線ML2、配向膜AL1などを備えている。
FIG. 6 is a cross-sectional view of the first substrate SUB1 along the line AB shown in FIG.
The first substrate SUB1 includes an insulating substrate 10, insulating films 11 to 15, a semiconductor layer SC, a scanning line G2, a signal line S2, a common electrode CE, a metal wiring ML2, an alignment film AL1, and the like.

絶縁基板10は、ガラス基板や可撓性の樹脂基板などの光透過性を有する基板である。絶縁膜11は、絶縁基板10の上に位置している。半導体層SCは、絶縁膜11の上に位置し、絶縁膜12によって覆われている。半導体層SCは、例えば、多結晶シリコンによって形成されているが、アモルファスシリコンや酸化物半導体によって形成されていてもよい。   The insulating substrate 10 is a light transmissive substrate such as a glass substrate or a flexible resin substrate. The insulating film 11 is located on the insulating substrate 10. The semiconductor layer SC is located on the insulating film 11 and is covered with the insulating film 12. The semiconductor layer SC is formed of, for example, polycrystalline silicon, but may be formed of amorphous silicon or an oxide semiconductor.

走査線G2の一部であるゲート電極GE1は、絶縁膜12の上に位置し、絶縁膜13によって覆われている。なお、図示しない他の走査線も、走査線G2と同一層に位置している。走査線G2は、アルミニウム(Al)、チタン(Ti)、銀(Ag)、モリブデン(Mo)、タングステン(W)、銅(Cu)、クロム(Cr)などの金属材料や、これらの金属材料を組み合わせた合金などによって形成され、単層構造であってもよいし、多層構造であってもよい。一例では、走査線G2は、モリブデン−タングステン合金によって形成されている。   The gate electrode GE1, which is a part of the scanning line G2, is located on the insulating film 12 and is covered with the insulating film 13. Other scanning lines (not shown) are also located in the same layer as the scanning line G2. The scanning line G2 is made of metal materials such as aluminum (Al), titanium (Ti), silver (Ag), molybdenum (Mo), tungsten (W), copper (Cu), and chromium (Cr), and these metal materials. It is formed of a combined alloy or the like, and may have a single layer structure or a multilayer structure. In one example, the scanning line G2 is formed of a molybdenum-tungsten alloy.

信号線S2は、絶縁膜13の上に位置し、絶縁膜14によって覆われている。なお、図示しない他の信号線も、信号線S2と同一層に位置している。信号線S2は、上記の金属材料や、上記の金属材料を組み合わせた合金などによって形成され、単層構造であってもよいし、多層構造であってもよい。一例では、信号線S2は、チタン(Ti)を含む第1層、アルミニウム(Al)を含む第2層、及び、チタン(Ti)を含む第3層がこの順に積層された積層体である。信号線S2は、絶縁膜12及び絶縁膜13を貫通する貫通孔CH1を通じて半導体層SCにコンタクトしている。   The signal line S <b> 2 is located on the insulating film 13 and is covered with the insulating film 14. Other signal lines (not shown) are also located in the same layer as the signal line S2. The signal line S2 is formed of the above metal material or an alloy in which the above metal materials are combined, and may have a single layer structure or a multilayer structure. In one example, the signal line S2 is a stacked body in which a first layer containing titanium (Ti), a second layer containing aluminum (Al), and a third layer containing titanium (Ti) are stacked in this order. The signal line S2 is in contact with the semiconductor layer SC through a through hole CH1 that penetrates the insulating film 12 and the insulating film 13.

共通電極CEは、絶縁膜14の上に位置している。共通電極CEは、インジウム・ティン・オキサイド(ITO)やインジウム・ジンク・オキサイド(IZO)などの透明な導電材料によって形成された透明電極である。   The common electrode CE is located on the insulating film 14. The common electrode CE is a transparent electrode formed of a transparent conductive material such as indium tin oxide (ITO) or indium zinc oxide (IZO).

金属配線ML2は、共通電極CEの上に位置し、絶縁膜15によって覆われている。金属配線ML2は、上記の金属材料や、上記の金属材料を組み合わせた合金などによって形成され、単層構造であってもよいし、多層構造であってもよい。一例では、金属配線ML2は、チタン(Ti)を含む第1層、アルミニウム(Al)を含む第2層、及び、チタン(Ti)を含む第3層がこの順に積層された積層体、あるいは、モリブデン(Mo)を含む第1層、アルミニウム(Al)を含む第2層、及び、モリブデン(Mo)を含む第3層がこの順に積層された積層体である。配向膜AL1は、絶縁膜15の上に位置している。   The metal wiring ML2 is located on the common electrode CE and is covered with the insulating film 15. The metal wiring ML2 is formed of the above metal material or an alloy combining the above metal materials, and may have a single layer structure or a multilayer structure. In one example, the metal wiring ML2 is a stacked body in which a first layer including titanium (Ti), a second layer including aluminum (Al), and a third layer including titanium (Ti) are stacked in this order, or A stacked body in which a first layer including molybdenum (Mo), a second layer including aluminum (Al), and a third layer including molybdenum (Mo) are stacked in this order. The alignment film AL1 is located on the insulating film 15.

絶縁膜11乃至13、及び、絶縁膜15は、シリコン酸化物、シリコン窒化物、シリコン酸窒化物などの無機絶縁材料によって形成された無機絶縁膜であり、単層構造であってもよいし、多層構造であってもよい。絶縁膜14は、例えば、アクリル樹脂などの有機絶縁材料によって形成された有機絶縁膜である。   The insulating films 11 to 13 and the insulating film 15 are inorganic insulating films formed of an inorganic insulating material such as silicon oxide, silicon nitride, or silicon oxynitride, and may have a single-layer structure. A multilayer structure may be used. The insulating film 14 is an organic insulating film formed of an organic insulating material such as an acrylic resin, for example.

図7は、ドレイン電極WD及び遮光層BMの比較例の構成を示す平面図である。
遮光層BMは、第1方向Xに延出した第1遮光層BM11と、第2方向Yに延出した第2遮光層BM21及びBM22と、を有している。第1遮光層BM11は、ドレイン電極WDに重畳している。第2遮光層BM21は、信号線S1に重畳している。第2遮光層BM22は、信号線S2に重畳している。
FIG. 7 is a plan view showing a configuration of a comparative example of the drain electrode WD and the light shielding layer BM.
The light shielding layer BM includes a first light shielding layer BM11 extending in the first direction X, and second light shielding layers BM21 and BM22 extending in the second direction Y. The first light shielding layer BM11 overlaps the drain electrode WD. The second light shielding layer BM21 is superimposed on the signal line S1. The second light shielding layer BM22 overlaps with the signal line S2.

図7に示す比較例においては、ドレイン電極WDは、貫通孔CH2が形成された位置においても、幅W2を有している。すなわち、本実施形態と比較して、ドレイン電極WDは第2方向Yに突出した第1部分を有していない。また、ドレイン電極WDは、第1遮光層BM11と重なる領域の外まで延在したコーナー部CN1及びCN2を有している。そのため、コーナー部CN1及びCN2で反射された光が第1遮光層BM11から漏れて表示装置のコントラストが低下する恐れがある。また、第1遮光層BM11の幅W11を大きくしてコーナー部CN1及びCN2を覆うと開口率が低下してしまう。   In the comparative example shown in FIG. 7, the drain electrode WD has a width W2 even at the position where the through hole CH2 is formed. That is, as compared with the present embodiment, the drain electrode WD does not have the first portion protruding in the second direction Y. Further, the drain electrode WD has corner portions CN1 and CN2 that extend to the outside of the region overlapping the first light shielding layer BM11. Therefore, the light reflected by the corner portions CN1 and CN2 may leak from the first light shielding layer BM11 and the contrast of the display device may be lowered. Further, when the width W11 of the first light shielding layer BM11 is increased to cover the corner portions CN1 and CN2, the aperture ratio is reduced.

図8は、本実施形態のドレイン電極WD及び遮光層BMの構成を示す平面図である。
図8に示す本実施形態は、図7に示した比較例に対して、ドレイン電極WDのコーナー部CN1及びCN2が形成されていない点で相違している。また、第1遮光層BM11は、第1部分PT1と重なる突出部PRを有している。突出部PRは、第2方向Yに突出している。第1遮光層BM11の幅W12は、図7に示した比較例の第1遮光層BM1の幅W11より小さい。
FIG. 8 is a plan view showing the configuration of the drain electrode WD and the light shielding layer BM of the present embodiment.
The present embodiment shown in FIG. 8 is different from the comparative example shown in FIG. 7 in that the corner portions CN1 and CN2 of the drain electrode WD are not formed. Further, the first light shielding layer BM11 has a protrusion PR that overlaps the first portion PT1. The protrusion PR protrudes in the second direction Y. The width W12 of the first light shielding layer BM11 is smaller than the width W11 of the first light shielding layer BM1 of the comparative example shown in FIG.

本実施形態によれば、ドレイン電極WDは、第2部分PT2から突出した第1部分PT1を有している。すなわち、貫通孔CH2と重なる領域である第1部分PT1を残し、コンタクトに不要なコーナー部CN1及びCN2を削除することができる。よって、コーナー部CN1及びCN2からの光漏れを抑制することができる。したがって、表示装置のコントラストの低下を抑制することができる。   According to the present embodiment, the drain electrode WD has the first portion PT1 protruding from the second portion PT2. That is, it is possible to leave the first portion PT1, which is a region overlapping with the through hole CH2, and to delete the corner portions CN1 and CN2 unnecessary for the contact. Accordingly, light leakage from the corner portions CN1 and CN2 can be suppressed. Accordingly, it is possible to suppress a decrease in contrast of the display device.

また、第1遮光層BM11は突出部PRを有している。すなわち、第1遮光層BM11の形状をドレイン電極WDの形状に沿った形状とすることで、第1遮光層BM11の幅W12を小さくすることができる。よって、遮光層BMの面積を削減することができ、比較例と比べて開口率を向上することができる。   Further, the first light shielding layer BM11 has a protruding portion PR. That is, by making the shape of the first light shielding layer BM11 along the shape of the drain electrode WD, the width W12 of the first light shielding layer BM11 can be reduced. Therefore, the area of the light shielding layer BM can be reduced, and the aperture ratio can be improved as compared with the comparative example.

図9は、図8に示したC−D線に沿った表示装置DSPの断面図である。図示した例は、横電界を利用する表示モードの一つであるFFS(Fringe Field Switching)モードが適用された例に相当する。   FIG. 9 is a cross-sectional view of the display device DSP along the line CD shown in FIG. The illustrated example corresponds to an example in which an FFS (Fringe Field Switching) mode, which is one of display modes using a horizontal electric field, is applied.

第1基板SUB1において、信号線S1及びS2、ドレイン電極WDは、絶縁膜13の上に位置し、絶縁膜14によって覆われている。第1部分PT1は、絶縁膜12及び13を貫通する貫通孔CH2において半導体層SCと接している。絶縁膜12及び13は、ドレイン電極WDと半導体層SCとの間の絶縁膜に相当する。金属配線ML1及びML2は、それぞれ信号線S1及びS2の直上に位置している。画素電極PE1は、絶縁膜15の上に位置し、配向膜AL1によって覆われている。画素電極PE1は、ITOやIZOなどの透明な導電材料によって形成された透明電極である。   In the first substrate SUB1, the signal lines S1 and S2 and the drain electrode WD are located on the insulating film 13 and covered with the insulating film 14. The first portion PT1 is in contact with the semiconductor layer SC in the through hole CH2 that penetrates the insulating films 12 and 13. The insulating films 12 and 13 correspond to an insulating film between the drain electrode WD and the semiconductor layer SC. The metal wirings ML1 and ML2 are located immediately above the signal lines S1 and S2, respectively. The pixel electrode PE1 is located on the insulating film 15 and is covered with the alignment film AL1. The pixel electrode PE1 is a transparent electrode formed of a transparent conductive material such as ITO or IZO.

第2基板SUB2は、絶縁基板20、遮光層BM、カラーフィルタCF、オーバーコート層OC、配向膜AL2などを備えている。
絶縁基板20は、絶縁基板10と同様に、ガラス基板や樹脂基板などの光透過性を有する基板である。遮光層BM及びカラーフィルタCFは、絶縁基板20の第1基板SUB1と対向する側に位置している。カラーフィルタCFは、画素電極PE1と対向する位置に配置され、その一部が遮光層BMに重なっている。オーバーコート層OCは、カラーフィルタCFを覆っている。オーバーコート層OCは、透明な樹脂によって形成されている。配向膜AL2は、オーバーコート層OCを覆っている。配向膜AL1及び配向膜AL2は、例えば、水平配向性を呈する材料によって形成されている。
The second substrate SUB2 includes an insulating substrate 20, a light shielding layer BM, a color filter CF, an overcoat layer OC, an alignment film AL2, and the like.
The insulating substrate 20 is a substrate having optical transparency such as a glass substrate or a resin substrate, like the insulating substrate 10. The light shielding layer BM and the color filter CF are located on the side of the insulating substrate 20 facing the first substrate SUB1. The color filter CF is disposed at a position facing the pixel electrode PE1, and a part of the color filter CF overlaps the light shielding layer BM. The overcoat layer OC covers the color filter CF. The overcoat layer OC is formed of a transparent resin. The alignment film AL2 covers the overcoat layer OC. The alignment film AL1 and the alignment film AL2 are made of, for example, a material exhibiting horizontal alignment.

上述した第1基板SUB1及び第2基板SUB2は、配向膜AL1及び配向膜AL2が対向するように配置されている。第1基板SUB1及び第2基板SUB2は、所定のセルギャップが形成された状態でシール材によって接着されている。液晶層LCは、第1基板SUB1及び第2基板SUB2の間に位置し、配向膜AL1と配向膜AL2との間に保持されている。液晶層LCは、液晶分子LMを備えている。液晶層LCは、ポジ型(誘電率異方性が正)の液晶材料、あるいは、ネガ型(誘電率異方性が負)の液晶材料によって構成されている。   The first substrate SUB1 and the second substrate SUB2 described above are arranged so that the alignment film AL1 and the alignment film AL2 face each other. The first substrate SUB1 and the second substrate SUB2 are bonded with a sealing material in a state where a predetermined cell gap is formed. The liquid crystal layer LC is located between the first substrate SUB1 and the second substrate SUB2, and is held between the alignment film AL1 and the alignment film AL2. The liquid crystal layer LC includes liquid crystal molecules LM. The liquid crystal layer LC is composed of a positive type (positive dielectric anisotropy) liquid crystal material or a negative type (negative dielectric anisotropy) liquid crystal material.

検出電極RXは、絶縁基板20の上に位置している。検出電極Rxは、金属を含む導電層、ITOやIZO等の透明な導電材料によって形成されていても良いし、金属を含む導電層の上に透明導電層が積層されていても良いし、導電性の有機材料や、微細な導電性物質の分散体などによって形成されていても良い。   The detection electrode RX is located on the insulating substrate 20. The detection electrode Rx may be formed of a conductive layer containing metal, a transparent conductive material such as ITO or IZO, or a transparent conductive layer may be laminated on the conductive layer containing metal, or conductive May be formed of a conductive organic material, a fine conductive material dispersion, or the like.

第1偏光板PL1を含む光学素子OD1は、絶縁基板10と照明装置BLとの間に位置している。第2偏光板PL2を含む光学素子OD2は、検出電極RXの上に位置している。光学素子OD1及び光学素子OD2は、必要に応じて位相差板、散乱層、反射防止層を含んでいても良い。   The optical element OD1 including the first polarizing plate PL1 is located between the insulating substrate 10 and the illumination device BL. The optical element OD2 including the second polarizing plate PL2 is located on the detection electrode RX. The optical element OD1 and the optical element OD2 may include a retardation plate, a scattering layer, and an antireflection layer as necessary.

このような表示パネルPNLにおいては、画素電極PEと共通電極CEとの間に電界が形成されていないオフ状態において、液晶分子LMは、配向膜AL1及び配向膜AL2の間で所定の方向に初期配向している。このようなオフ状態では、照明装置ILから表示パネルPNLに向けて照射された光は、光学素子OD1及び光学素子OD2によって吸収され、暗表示となる。一方、画素電極PEと共通電極CEとの間に電界が形成されたオン状態においては、液晶分子LMは、電界により初期配向方向とは異なる方向に配向し、その配向方向は電界によって制御される。このようなオン状態では、照明装置ILからの光の一部は、光学素子OD1及び光学素子OD2を透過し、明表示となる。   In such a display panel PNL, in an off state in which no electric field is formed between the pixel electrode PE and the common electrode CE, the liquid crystal molecules LM are initially set in a predetermined direction between the alignment film AL1 and the alignment film AL2. Oriented. In such an off state, the light emitted from the illumination device IL toward the display panel PNL is absorbed by the optical element OD1 and the optical element OD2, and dark display is performed. On the other hand, in the ON state in which an electric field is formed between the pixel electrode PE and the common electrode CE, the liquid crystal molecules LM are aligned in a direction different from the initial alignment direction by the electric field, and the alignment direction is controlled by the electric field. . In such an on state, a part of the light from the illumination device IL is transmitted through the optical element OD1 and the optical element OD2, and a bright display is obtained.

図10は、図8に示したE−F線に沿った表示装置DSPの断面図である。
絶縁膜14は、ドレイン電極WDまで貫通する貫通孔CH3を有している。また、絶縁膜15は、貫通孔CH3と繋がる貫通孔CH4を有している。画素電極PE1の基部BS1は、貫通孔CH3及びCH4を介してドレイン電極WDの第2部分PT2と接している。
FIG. 10 is a cross-sectional view of the display device DSP along the line E-F shown in FIG.
The insulating film 14 has a through hole CH3 that penetrates to the drain electrode WD. Further, the insulating film 15 has a through hole CH4 connected to the through hole CH3. The base BS1 of the pixel electrode PE1 is in contact with the second portion PT2 of the drain electrode WD via the through holes CH3 and CH4.

図11は、本実施形態の遮光層BM、メインスペーサMSP、及び、サブスペーサSSPの構成を示す平面図である。
メインスペーサMSPは、第1遮光層BM11と第2遮光層BM23とが交差する位置と重なっている。サブスペーサSSPは、第1遮光層BM11と第2遮光層BM26とが交差する位置と重なっている。図示しないが、メインスペーサMSP及びサブスペーサSSPは、樹脂材料によって形成され、第1基板SUB1及び第2基板SUB2の間に配置されている。メインスペーサMSPとは、第1基板SUB1と第2基板SUB2とのセルギャップを形成するものである。セルギャップは、例えば2〜5μmである。サブスペーサSSPとは、メインスペーサMSPの高さより低い高さを有するものである。
FIG. 11 is a plan view showing the configuration of the light shielding layer BM, the main spacer MSP, and the sub-spacer SSP of the present embodiment.
The main spacer MSP overlaps the position where the first light shielding layer BM11 and the second light shielding layer BM23 intersect. The sub-spacer SSP overlaps the position where the first light shielding layer BM11 and the second light shielding layer BM26 intersect. Although not shown, the main spacer MSP and the sub-spacer SSP are made of a resin material and are disposed between the first substrate SUB1 and the second substrate SUB2. The main spacer MSP forms a cell gap between the first substrate SUB1 and the second substrate SUB2. The cell gap is, for example, 2 to 5 μm. The sub-spacer SSP has a height lower than that of the main spacer MSP.

また、遮光層BMは、第1遮光層BM11と第2遮光層BM23とが交差する位置において、拡張部EX1を有し、第1遮光層BM11と第2遮光層BM26とが交差する位置において、拡張部EX2を有している。拡張部EX1は、メインスペーサMSPと重なり、平面視において、メインスペーサMSPと略同心円状に拡張されている。拡張部EX2は、サブスペーサSSPと重なり、平面視において、サブスペーサSSPと略同心円状に拡張されている。   In addition, the light shielding layer BM has an extended portion EX1 at a position where the first light shielding layer BM11 and the second light shielding layer BM23 intersect, and at a position where the first light shielding layer BM11 and the second light shielding layer BM26 intersect. It has an extension part EX2. The extension part EX1 overlaps with the main spacer MSP, and is extended substantially concentrically with the main spacer MSP in plan view. The extension part EX2 overlaps with the sub-spacer SSP and is extended substantially concentrically with the sub-spacer SSP in plan view.

図示した例では、ドレイン電極WD1及びWD2は、拡張部EX1と重なっている。第1遮光層BM11は、ドレイン電極WD3と重なる位置に突出部PRを有している。ドレイン電極WD4の第2遮光層BM26側は、拡張部EX2と重なっている。また、ドレイン電極WD5の第2遮光層BM26側は、拡張部EX2と重なっている。遮光層BMの突出部PRは、拡張部EX1及びEX2と重なる位置に配置されていない。すなわち、拡張部EX1及びEX2は、突出部PRより優先的に形成されている。   In the illustrated example, the drain electrodes WD1 and WD2 overlap the extended portion EX1. The first light shielding layer BM11 has a protruding portion PR at a position overlapping the drain electrode WD3. The second light shielding layer BM26 side of the drain electrode WD4 overlaps with the extension part EX2. In addition, the second light shielding layer BM26 side of the drain electrode WD5 overlaps the extended portion EX2. The projecting part PR of the light shielding layer BM is not arranged at a position overlapping the extended parts EX1 and EX2. That is, the extended portions EX1 and EX2 are formed with priority over the projecting portion PR.

図12は、本実施形態のドレイン電極WDの変形例を示す平面図である。例えばドレイン電極WDの形状については、図12に記載の形状であっても良い。
図12の(a)、図12の(b)、図12の(c)に示すように、ドレイン電極WDの第1部分PT1及び第2部分PT2は、丸みを帯びた部分を有していても良く、矩形状に限らず円形状であっても良い。
このような変形例においても上記したのと同様の効果を得ることができる。
FIG. 12 is a plan view showing a modification of the drain electrode WD of the present embodiment. For example, the shape of the drain electrode WD may be the shape shown in FIG.
As shown in FIG. 12A, FIG. 12B, and FIG. 12C, the first portion PT1 and the second portion PT2 of the drain electrode WD have rounded portions. The shape is not limited to a rectangular shape, and may be a circular shape.
In such a modification, the same effect as described above can be obtained.

以上説明したように、本実施形態によれば、表示品位の低下を抑制することが可能な表示装置を得ることができる。   As described above, according to the present embodiment, it is possible to obtain a display device capable of suppressing a reduction in display quality.

なお、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これらの新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これらの実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。   In addition, although some embodiment of this invention was described, these embodiment is shown as an example and is not intending limiting the range of invention. These novel embodiments can be implemented in various other forms, and various omissions, replacements, and changes can be made without departing from the spirit of the invention. These embodiments and modifications thereof are included in the scope and gist of the invention, and are included in the invention described in the claims and the equivalents thereof.

DSP…表示装置、G…走査線、SW…スイッチング素子、SC…半導体層、
WD…ドレイン電極、PT1…第1部分、PT2…第2部分、
W1、W2、W3、W11、W12…幅、Ch2…貫通孔、12、13…絶縁膜、
BM…遮光層、BM11…第1遮光層、BM21〜BM26…第2遮光層、
PR…突出部、MSP…メインスペーサ、SSP…サブスペーサ、
EX1、EX2…拡張部、RX…検出電極、TX…駆動電極、PE…画素電極。
DSP ... display device, G ... scanning line, SW ... switching element, SC ... semiconductor layer,
WD ... drain electrode, PT1 ... first part, PT2 ... second part,
W1, W2, W3, W11, W12 ... width, Ch2 ... through hole, 12, 13 ... insulating film,
BM ... light shielding layer, BM11 ... first light shielding layer, BM21 to BM26 ... second light shielding layer,
PR ... protrusion, MSP ... main spacer, SSP ... sub-spacer,
EX1, EX2 ... extended portion, RX ... detection electrode, TX ... drive electrode, PE ... pixel electrode.

Claims (6)

第1方向に延出した走査線と、
前記走査線の少なくとも一部と重なる半導体層と、前記半導体層と接続されたドレイン電極と、を備えるスイッチング素子と、を備え、
前記ドレイン電極は、前記半導体層と接する第1部分と、前記走査線と前記第1部分との間に第2部分と、を有し、
前記第1部分は、前記第2部分から前記第1方向と交差する第2方向へ突出している、表示装置。
A scanning line extending in a first direction;
A switching element comprising: a semiconductor layer overlapping at least a part of the scanning line; and a drain electrode connected to the semiconductor layer,
The drain electrode has a first portion in contact with the semiconductor layer, and a second portion between the scanning line and the first portion,
The display device, wherein the first portion protrudes from the second portion in a second direction intersecting the first direction.
さらに、前記半導体層と前記ドレイン電極との間の絶縁膜を備え、
前記第2部分の前記第1方向の幅は、前記第1部分の前記第1方向の幅より大きく、
前記第1部分は、前記絶縁膜を貫通する前記貫通孔において前記半導体層に接し、
前記第1部分の前記第1方向の幅は、前記貫通孔の前記第1方向の幅と等しい、請求項1に記載の表示装置。
Furthermore, an insulating film between the semiconductor layer and the drain electrode is provided,
The width of the second portion in the first direction is greater than the width of the first portion in the first direction,
The first portion is in contact with the semiconductor layer in the through hole that penetrates the insulating film,
The display device according to claim 1, wherein a width of the first portion in the first direction is equal to a width of the through hole in the first direction.
さらに、前記第1方向に延出し前記ドレイン電極と重なる第1遮光層と、前記第2方向に延出した第2遮光層と、を有する遮光層を備え、
前記第1遮光層は、前記第1部分と重なる突出部を有する、請求項1又は2に記載の表示装置。
And a light-shielding layer having a first light-shielding layer extending in the first direction and overlapping the drain electrode, and a second light-shielding layer extending in the second direction,
The display device according to claim 1, wherein the first light-shielding layer has a protruding portion that overlaps the first portion.
前記第1遮光層と前記第2遮光層とが交差する位置と重なるスペーサを備え、
前記遮光層は、前記第1遮光層と前記第2遮光層とが交差する位置に拡張部を有し、
前記遮光層の前記突出部は、前記拡張部と重なる位置に配置されない、請求項3に記載の表示装置。
A spacer that overlaps with a position where the first light shielding layer and the second light shielding layer intersect;
The light shielding layer has an extended portion at a position where the first light shielding layer and the second light shielding layer intersect,
The display device according to claim 3, wherein the protruding portion of the light shielding layer is not disposed at a position overlapping the extension portion.
さらに、前記第1方向に延出し前記第2方向に並んだ複数の検出電極と、前記第2方向に延出し前記第1方向に並んだ複数の駆動電極と、を備える、請求項1乃至4の何れか1項に記載の表示装置。   5. The apparatus according to claim 1, further comprising: a plurality of detection electrodes extending in the first direction and arranged in the second direction; and a plurality of drive electrodes extending in the second direction and arranged in the first direction. The display device according to any one of the above. さらに、前記スイッチング素子と電気的に接続された画素電極を備え、
前記画素電極は、前記第2部分と接する、請求項1乃至5の何れか1項に記載の表示装置。
And a pixel electrode electrically connected to the switching element,
The display device according to claim 1, wherein the pixel electrode is in contact with the second portion.
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