JP2019149478A - Sensor system and tilt detecting method - Google Patents

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Shinji Ueno
晋司 上野
博 栗林
Hiroshi Kuribayashi
博 栗林
山下 吉弘
Yoshihiro Yamashita
吉弘 山下
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Yukitaka Muraki
志高 村木
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Abstract

To specify detailed information on a tilt of a wafer from whether the wafer tilts.SOLUTION: A sensor system (1) comprises a PLC (2) which specifies a tilt direction of a wafer (10) as an object of detection based upon change in quantity of light in a period in which a photoelectric sensor (6) is detecting the wafer (10).SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明は、光電センサを用いて、ウェハカセットに収納されたウェハの傾きを検出するセンサシステムなどに関する。   The present invention relates to a sensor system that detects an inclination of a wafer stored in a wafer cassette using a photoelectric sensor.

光電センサを移動させながらウェハに検出光を投光し、受光した検出光の光量に基づいて、ウェハカセットに収納されたウェハの傾きを検出する技術が従来技術として知られている。下記特許文献1には、ウェハカセットにおけるウェハ収納部の近傍の範囲外に、所定の閾値を超える受光量のピークがあるか否かを判断し、該ピークがあると判断した場合、ウェハの斜め挿入などの異常が生じていると判断する技術が開示されている。   A technique for projecting detection light onto a wafer while moving a photoelectric sensor and detecting the tilt of a wafer stored in a wafer cassette based on the amount of received detection light is known as a prior art. In Patent Document 1 below, it is determined whether or not there is a peak of the amount of light received that exceeds a predetermined threshold value outside the vicinity of the wafer storage unit in the wafer cassette. A technique for determining that an abnormality such as insertion has occurred is disclosed.

特開2000−150624号公報(2000年5月30日公開)JP 2000-150624 A (published on May 30, 2000)

しかしながら、特許文献1に開示された技術では、ウェハが傾いているか否かを判断することしかできない。換言すれば、該技術では、傾きの詳細な情報をユーザが知ることができない。   However, the technique disclosed in Patent Document 1 can only determine whether or not the wafer is tilted. In other words, with this technique, the user cannot know detailed information about the tilt.

上記の課題を鑑み、本発明の一態様は、ウェハの傾きに関し、傾きの有無より詳細な情報を特定するセンサシステムなどを実現することを目的とする。   In view of the above problems, an object of one embodiment of the present invention is to realize a sensor system or the like that specifies more detailed information on the tilt of a wafer than the presence or absence of the tilt.

上記の課題を解決するために、本発明の一態様に係るセンサシステムは、ウェハカセットに収納されたウェハの傾きを検出するセンサシステムであって、検出光を投光する投光部、および、前記投光部によって投光された前記検出光を受光する受光部を有する光電センサと、前記検出光の進行方向が、正常に収納されている前記ウェハの平面に平行となる状態で、前記光電センサを、前記検出光の進行方向に垂直な方向に移動させる移動制御装置と、前記光電センサの移動中に、前記受光部が受光した光量を取得する取得装置と、前記光電センサが、検出対象のウェハを検出している期間の前記光量の変化に基づき、前記ウェハの傾きの方向を特定する特定装置と、を備える。   In order to solve the above problems, a sensor system according to an aspect of the present invention is a sensor system that detects the tilt of a wafer stored in a wafer cassette, and a light projecting unit that projects detection light, and The photoelectric sensor having a light receiving unit that receives the detection light projected by the light projecting unit, and a direction in which the detection light travels parallel to a plane of the wafer that is normally stored, A movement control device that moves the sensor in a direction perpendicular to the traveling direction of the detection light, an acquisition device that acquires the amount of light received by the light receiving unit during the movement of the photoelectric sensor, and the photoelectric sensor And a specifying device for specifying the direction of tilt of the wafer based on the change in the amount of light during the period in which the wafer is detected.

上記の構成によれば、光電センサが検出対象のウェハを検出している期間に、受光部が受光した光量の変化に基づき、ウェハの傾きの方向を特定する。これにより、上記センサシステムは、傾きの有無より詳細な情報を特定することができる。   According to said structure, the direction of the inclination of a wafer is specified based on the change of the light quantity which the light-receiving part received during the period which the photoelectric sensor is detecting the detection object wafer. Thereby, the sensor system can specify more detailed information than the presence or absence of tilt.

なお、「傾きの方向」としては、ウェハの外周を形成する各点のうち、水平面を基準として最も上にある点から最も下にある点への方向を規定すればよい。   As the “inclination direction”, a direction from the uppermost point to the lowermost point with respect to the horizontal plane may be defined among the points forming the outer periphery of the wafer.

上記一態様に係るセンサシステムにおいて、前記特定装置は、さらに、前記光量の変化に基づき、前記ウェハの傾きの角度を特定してもよい。   In the sensor system according to the above aspect, the specifying device may further specify an inclination angle of the wafer based on the change in the light amount.

上記の構成によれば、ウェハの傾きの方向に加え、傾きの角度を特定する。これにより、上記センサシステムは、ウェハの傾きに関し、さらに詳細な情報を特定することができる。   According to the above configuration, the angle of inclination is specified in addition to the direction of inclination of the wafer. Thereby, the sensor system can specify more detailed information regarding the tilt of the wafer.

上記一態様に係るセンサシステムにおいて、前記ウェハを搬送する搬送装置であって、前記ウェハを前記ウェハカセットから取り出すためのチャックを備えた搬送装置をさらに備え、前記特定装置は、特定した前記ウェハの傾きおよび角度に応じて、前記チャックの傾きを制御してもよい。   In the sensor system according to the above aspect, the apparatus further includes a transfer device for transferring the wafer, the transfer device including a chuck for taking out the wafer from the wafer cassette, and the specifying device is configured to transfer the specified wafer. The inclination of the chuck may be controlled according to the inclination and angle.

上記の構成によれば、特定装置が特定したウェハの傾きおよび角度に応じて、チャックの傾きを制御するので、ウェハが傾いていたとしても、ウェハを傷つけることなくウェハカセットから取り出すことができる。よって、ウェハが傾いていた場合であっても、搬送を継続することができる。   According to the above configuration, since the tilt of the chuck is controlled according to the tilt and angle of the wafer specified by the specific device, the wafer can be taken out from the wafer cassette without being damaged even if the wafer is tilted. Therefore, even if the wafer is tilted, the conveyance can be continued.

上記一態様に係るセンサシステムにおいて、前記移動制御装置は、前記搬送装置であり、前記光電センサは、前記チャックの先端に設けられていてもよい。   In the sensor system according to the above aspect, the movement control device may be the transport device, and the photoelectric sensor may be provided at a tip of the chuck.

上記の構成によれば、光電センサがチャックの先端に設けられるので、光電センサを移動させながらウェハへ検出光を投光させる処理を、搬送装置が行うこととなる。よって、ウェハが傾いていない場合は、該ウェハのウェハカセットからの取り出し、およびウェハの搬送を、傾き検出の後にスムーズに行うことができる。   According to the above configuration, since the photoelectric sensor is provided at the tip of the chuck, the transfer device performs a process of projecting detection light onto the wafer while moving the photoelectric sensor. Therefore, when the wafer is not tilted, it is possible to smoothly remove the wafer from the wafer cassette and carry the wafer after detecting the tilt.

上記一態様に係るセンサシステムにおいて、前記検出光に対して垂直であり、かつ、前記移動制御装置による前記光電センサの移動方向に対して垂直である軸方向に、複数の前記光電センサを有してもよい。   The sensor system according to the one aspect includes a plurality of the photoelectric sensors in an axial direction that is perpendicular to the detection light and perpendicular to a movement direction of the photoelectric sensor by the movement control device. May be.

上述のように規定される傾きの方向が、検出光および光電センサの移動方向に対して垂直である方向である場合、光電センサが1つのみでは特定することができない。これに対して上記の構成によれば、検出光および光電センサの移動方向に対して垂直な軸方向に、複数の光電センサを有するので、このような傾きの方向を特定することができる。   When the direction of the inclination defined as described above is a direction perpendicular to the detection light and the moving direction of the photoelectric sensor, it cannot be specified by only one photoelectric sensor. On the other hand, according to the above configuration, since the plurality of photoelectric sensors are provided in the axial direction perpendicular to the moving direction of the detection light and the photoelectric sensor, the direction of such inclination can be specified.

また、上記の課題を解決するために、本発明の一態様に係る傾き検出方法は、ウェハカセットに収納されたウェハの傾きを検出するセンサシステムを用いた傾き検出方法であって、前記センサシステムは、検出光を投光する投光部、および、前記投光部によって投光された前記検出光を受光する受光部を有する光電センサを備え、前記検出光の進行方向が、正常に収納されている前記ウェハの平面に平行となる状態で、前記光電センサを、前記検出光の進行方向に垂直な方向に移動させる移動ステップと、前記移動ステップ中に、前記受光部が受光した光量を取得する取得ステップと、前記光電センサが、検出対象のウェハを検出している期間の前記光量の変化に基づき、前記ウェハの傾きの方向を特定する特定ステップと、を含む。   In order to solve the above problems, an inclination detection method according to an aspect of the present invention is an inclination detection method using a sensor system that detects an inclination of a wafer stored in a wafer cassette, and the sensor system Is provided with a photoelectric sensor having a light projecting unit that projects detection light and a light receiving unit that receives the detection light projected by the light projecting unit, and the traveling direction of the detection light is stored normally. A moving step of moving the photoelectric sensor in a direction perpendicular to the traveling direction of the detection light in a state parallel to the plane of the wafer, and acquiring the amount of light received by the light receiving unit during the moving step And an identifying step for identifying a direction of tilt of the wafer based on a change in the amount of light during a period in which the photoelectric sensor is detecting a detection target wafer.

上記の構成によれば、本発明の一態様に係るセンサシステムと同様の作用効果を奏する。   According to said structure, there exists an effect similar to the sensor system which concerns on 1 aspect of this invention.

本発明の一態様によれば、ウェハの傾きに関し、傾きの有無より詳細な情報を特定することができる。   According to one embodiment of the present invention, more detailed information can be specified regarding the tilt of a wafer than the presence or absence of the tilt.

本発明の一実施形態に係るセンサシステムに含まれる各装置のハードウェア構成の一例を模式的に例示する図である。It is a figure which illustrates typically an example of the hardware constitutions of each apparatus contained in the sensor system concerning one embodiment of the present invention. (a)は、ウェハの一例を示す図であり、(b)は、ウェハの傾きの検出のための、ウェハへの検出光の照射の一例を示す図であり、(c)は、検出光の光量の経時変化の一例を示す図である。(A) is a figure which shows an example of a wafer, (b) is a figure which shows an example of irradiation of the detection light to a wafer for the detection of the inclination of a wafer, (c) is a figure which shows detection light It is a figure which shows an example of a time-dependent change of the light quantity. 図1に示す搬送ロボットによる、ウェハカセットからウェハを取り出す動作の一例を示す図である。It is a figure which shows an example of the operation | movement which takes out a wafer from a wafer cassette by the conveyance robot shown in FIG. ウェハの傾き検出における、ウェハと、図1および図3に示すチャックとの位置関係の一例を示す図である。It is a figure which shows an example of the positional relationship of a wafer and the chuck | zipper shown in FIG. 1 and FIG. 3 in the inclination detection of a wafer. 図1に示すPLCの機能構成の一例を模式的に例示する図である。FIG. 2 is a diagram schematically illustrating an example of a functional configuration of a PLC illustrated in FIG. 1. 図1に示すPLCが実行する処理の手順の一例を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows an example of the procedure of the process which PLC shown in FIG. 1 performs. (a)は、ウェハへの検出光の照射の一例を示す図であり、ウェハが投光部に近い側を下にして傾いている場合を示す図である。(b)は、ウェハが(a)に示すように傾いている場合の検出光の光量の経時変化の一例を示す図である。(A) is a figure which shows an example of irradiation of the detection light to a wafer, and is a figure which shows the case where a wafer inclines with the side close | similar to a light projection part down. (B) is a figure which shows an example of the time-dependent change of the light quantity of the detection light in case a wafer inclines as shown to (a). (a)は、ウェハへの検出光の照射の一例を示す図であり、ウェハが、受光部に近い側を下にして傾いている場合を示す図である。(b)は、ウェハが(a)に示すように傾いている場合の検出光の光量の経時変化の一例を示す図である。(A) is a figure which shows an example of irradiation of the detection light to a wafer, and is a figure which shows the case where a wafer inclines with the side near a light-receiving part down. (B) is a figure which shows an example of the time-dependent change of the light quantity of the detection light in case a wafer inclines as shown to (a). (a)および(b)は、ウェハへの検出光の照射の一例を示す図であり、ウェハが、光電センサに近い側を下にして傾いている場合を示す図である。(c)は、ウェハが(a)および(b)に示すように傾いている場合の検出光の光量の経時変化の一例を示す図である。(A) And (b) is a figure which shows an example of irradiation of the detection light to a wafer, and is a figure which shows the case where the wafer inclines with the side close | similar to a photoelectric sensor facing down. (C) is a figure which shows an example of the time-dependent change of the light quantity of the detection light when a wafer inclines as shown to (a) and (b). (a)および(b)は、ウェハへの検出光の照射の一例を示す図であり、ウェハが、光電センサに遠い側を下にして傾いている場合を示す図である。(c)は、ウェハが(a)および(b)に示すように傾いている場合の検出光の光量の経時変化の一例を示す図である。(A) And (b) is a figure which shows an example of irradiation of the detection light to a wafer, and is a figure which shows the case where a wafer inclines with the side far from a photoelectric sensor facing down. (C) is a figure which shows an example of the time-dependent change of the light quantity of the detection light when a wafer inclines as shown to (a) and (b). 本発明の一変形例に係るセンサシステムに含まれる各装置のハードウェア構成の一例を模式的に例示する図である。It is a figure which illustrates typically an example of the hardware constitutions of each apparatus contained in the sensor system concerning one modification of the present invention.

以下、本発明の一側面に係る実施の形態(以下、「本実施形態」とも表記する)を、図面に基づいて説明する。   Hereinafter, an embodiment according to an aspect of the present invention (hereinafter, also referred to as “this embodiment”) will be described with reference to the drawings.

§1 適用例
まず、図1および図2を用いて、本発明が適用される場面の一例について説明する。図1は、本実施形態に係るセンサシステム1に含まれる各装置のハードウェア構成の一例を模式的に例示する図である。センサシステム1は、ウェハカセットに収納されたウェハの傾きを検出するセンサシステムである。
§1 Application Example First, an example of a scene where the present invention is applied will be described with reference to FIGS. 1 and 2. FIG. 1 is a diagram schematically illustrating an example of a hardware configuration of each device included in the sensor system 1 according to the present embodiment. The sensor system 1 is a sensor system that detects the tilt of a wafer stored in a wafer cassette.

図1に示されるとおり、センサシステム1は、PLC(programmable logic controller)2、センサユニット3、搬送ロボット4、チャック5、および光電センサ6を含んでいる。PLC2、センサユニット3、搬送ロボット4、およびチャック5の詳細は後述する。光電センサ6は、図1に示されるとおり、投光部61および受光部62を備え、一例としてファイバセンサで実現される。投光部61は検出光を投光する。受光部62は該検出光を受光する。   As shown in FIG. 1, the sensor system 1 includes a programmable logic controller (PLC) 2, a sensor unit 3, a transfer robot 4, a chuck 5, and a photoelectric sensor 6. Details of the PLC 2, the sensor unit 3, the transfer robot 4, and the chuck 5 will be described later. As shown in FIG. 1, the photoelectric sensor 6 includes a light projecting unit 61 and a light receiving unit 62, and is realized by a fiber sensor as an example. The light projecting unit 61 projects detection light. The light receiving unit 62 receives the detection light.

図2の(a)は、ウェハの一例を示す図であり、(b)は、ウェハの傾きの検出のための、ウェハへの検出光の照射の一例を示す図であり、(c)は、検出光の光量の経時変化の一例を示す図である。図2の(a)に示されるウェハ10は、円柱形状を有している。具体的には、ウェハ10は、図2の(a)に示すとおり、ウェハ面101(ウェハの平面)および外周面102を有している。   2A is a diagram illustrating an example of a wafer, FIG. 2B is a diagram illustrating an example of irradiation of detection light onto the wafer for detecting the tilt of the wafer, and FIG. It is a figure which shows an example of the time-dependent change of the light quantity of a detection light. A wafer 10 shown in FIG. 2A has a cylindrical shape. Specifically, the wafer 10 has a wafer surface 101 (wafer plane) and an outer peripheral surface 102 as shown in FIG.

図2の(b)に示されるとおり、投光部61および受光部62は、ウェハ10を挟むように配置される。すなわち、本実施形態に係る光電センサ6は、透過光検出タイプの光電センサで実現される。   As shown in FIG. 2B, the light projecting unit 61 and the light receiving unit 62 are arranged so as to sandwich the wafer 10. That is, the photoelectric sensor 6 according to the present embodiment is realized by a transmitted light detection type photoelectric sensor.

センサシステム1は、図2の(b)に示されるとおり、検出光60の進行方向が、正常に収納されているウェハ10のウェハ面101に平行となる状態で、光電センサ6、すなわち、投光部61および受光部62を、検出光60の進行方向に垂直な方向に移動させる。なお、図示の例では、図2の上から下へ向かって光電センサ6を移動させているが、移動方向は図2の(b)に示される例と逆方向であってもよい。また、センサシステム1は、図2の(b)に示されるとおり、光電センサ6を制御して、光電センサ6の移動中に、投光部61に検出光60を継続して投光させ、受光部62に該検出光60を受光させる。なお、以降、光電センサ6を移動させながら検出光60の投光および受光を行うことを、「スキャン」とも表記する。   As shown in FIG. 2B, the sensor system 1 operates in the state where the traveling direction of the detection light 60 is parallel to the wafer surface 101 of the wafer 10 that is normally stored, that is, The light unit 61 and the light receiving unit 62 are moved in a direction perpendicular to the traveling direction of the detection light 60. In the illustrated example, the photoelectric sensor 6 is moved from the top to the bottom in FIG. 2, but the moving direction may be opposite to the example shown in FIG. Further, as shown in FIG. 2B, the sensor system 1 controls the photoelectric sensor 6 so that the light projecting unit 61 continuously projects the detection light 60 while the photoelectric sensor 6 is moving. The light receiving unit 62 receives the detection light 60. Hereinafter, projecting and receiving the detection light 60 while moving the photoelectric sensor 6 is also referred to as “scan”.

受光部62が受光した検出光60の光量の経時変化は、例えば図2の(c)に示される軌跡となる。ポイントP1以前において、検出光はウェハ面101に到達していないため、受光部62が受光した検出光60の光量は最大となっている。ポイントP1〜P2間において、検出光60が図2における上側のウェハ面101に到達することにより、検出光60はウェハ10によって遮光される。このため、上記光量は減少し、ポイントP2で最小値となる。ポイントP2〜P3間において、図2における下側のウェハ面101に到達することにより、該光量は増加し、ポイントP3で最大値に戻る。   The temporal change in the amount of the detection light 60 received by the light receiving unit 62 becomes, for example, a locus shown in FIG. Before the point P1, since the detection light does not reach the wafer surface 101, the light amount of the detection light 60 received by the light receiving unit 62 is maximum. The detection light 60 is blocked by the wafer 10 when the detection light 60 reaches the upper wafer surface 101 in FIG. 2 between the points P1 and P2. For this reason, the amount of light decreases and reaches a minimum value at the point P2. By reaching the lower wafer surface 101 in FIG. 2 between the points P2 to P3, the amount of light increases and returns to the maximum value at the point P3.

図2の(b)に示すように、水平面(換言すれば、検出光60)に対してウェハ面101が平行、すなわち、ウェハ10が傾いていない場合、検出光60の光量の経時変化を示す軌跡は、図2の(c)に示す軌跡となる。一方、水平面に対してウェハ面101が平行でない、すなわち、ウェハ10が傾いている場合、上記軌跡は、図2の(c)に示す軌跡と異なる。該異なる軌跡の詳細については後述する。   As shown in FIG. 2B, when the wafer surface 101 is parallel to the horizontal plane (in other words, the detection light 60), that is, when the wafer 10 is not tilted, the change in the amount of light of the detection light 60 with time is shown. The trajectory is the trajectory shown in FIG. On the other hand, when the wafer surface 101 is not parallel to the horizontal plane, that is, when the wafer 10 is inclined, the trajectory is different from the trajectory shown in FIG. Details of the different trajectories will be described later.

センサシステム1は、光量の経時変化に基づき、ウェハ10が傾いているか否か、および、傾いている場合は傾きの方向および角度を特定する。これにより、センサシステム1は、ウェハ10の傾きについて、傾きの有無より詳細な情報を特定することができる。   The sensor system 1 specifies whether or not the wafer 10 is tilted and, if tilted, the direction and angle of tilt based on the change in the amount of light over time. Thereby, the sensor system 1 can specify more detailed information about the tilt of the wafer 10 than the presence or absence of the tilt.

なお、傾きの方向としては、例えば、ウェハ面101の外周を形成する各点のうち、水平面を基準として最も上にある点から最も下にある点への方向を規定すればよい。また、傾きの角度としては、例えば、水平面に対するウェハ面101の角度を規定すればよい。   As the direction of inclination, for example, among the points forming the outer periphery of the wafer surface 101, the direction from the uppermost point to the lowermost point with respect to the horizontal plane may be defined. Further, as the inclination angle, for example, the angle of the wafer surface 101 with respect to the horizontal plane may be defined.

§2 構成例
[ハードウェア構成]
<PLC>
次に、図1を用いて、本実施形態に係るPLC2のハードウェア構成の一例について説明する。PLC2は、センサシステム1に含まれるセンサユニット3および搬送ロボット4を制御する制御装置である。
§2 Configuration example [Hardware configuration]
<PLC>
Next, an example of the hardware configuration of the PLC 2 according to the present embodiment will be described with reference to FIG. The PLC 2 is a control device that controls the sensor unit 3 and the transfer robot 4 included in the sensor system 1.

図1の例では、PLC2は、制御部21、記憶部22、および通信インタフェース23を備える。PLC2が備えるこれらの構成は、通信バスによって互いに電気的に接続される。本実施形態に係るPLC2は、本発明の「特定装置」に相当する。   In the example of FIG. 1, the PLC 2 includes a control unit 21, a storage unit 22, and a communication interface 23. These components included in the PLC 2 are electrically connected to each other via a communication bus. The PLC 2 according to the present embodiment corresponds to a “specific device” of the present invention.

制御部21は、CPU(Central Processing Unit)、RAM(Random Access Memory)、ROM(Read Only Memory)などを含み、情報処理に応じて各構成要素の制御を行う。記憶部22は、例えば、ハードディスクドライブ、ソリッドステートドライブなどの補助記憶装置である。   The control unit 21 includes a central processing unit (CPU), a random access memory (RAM), a read only memory (ROM), and the like, and controls each component according to information processing. The storage unit 22 is an auxiliary storage device such as a hard disk drive or a solid state drive.

通信インタフェース23は、例えば、有線LAN(Local Area Network)モジュール、無線LANモジュール等であり、ネットワークを介した有線又は無線通信を行うためのインタフェースである。   The communication interface 23 is, for example, a wired LAN (Local Area Network) module, a wireless LAN module, or the like, and is an interface for performing wired or wireless communication via a network.

なお、PLC2の具体的なハードウェア構成に関して、実施形態に応じて、構成要素の省略、置換および追加が可能である。例えば、制御部21は、複数のプロセッサを含んでいてもよい。   In addition, regarding the specific hardware configuration of PLC2, a component can be omitted, replaced, and added according to the embodiment. For example, the control unit 21 may include a plurality of processors.

<搬送ロボット>
次に、図1、図3および図4を用いて、本実施形態に係る搬送ロボット4のハードウェア構成の一例について説明する。図3は、搬送ロボット4によるウェハカセットからウェハ10を取り出す動作の一例を示す図である。図4は、ウェハ10の傾き検出における、ウェハ10とチャック5との位置関係の一例を示す図である。
<Transport robot>
Next, an example of the hardware configuration of the transfer robot 4 according to the present embodiment will be described with reference to FIGS. 1, 3, and 4. FIG. 3 is a diagram illustrating an example of an operation for taking out the wafer 10 from the wafer cassette by the transfer robot 4. FIG. 4 is a diagram illustrating an example of the positional relationship between the wafer 10 and the chuck 5 in detecting the tilt of the wafer 10.

図1の例では、搬送ロボット4は、チャック5を備えている。チャック5は、一例として、図3に示されるとおりU字型(あるいは、Y字型)の部材である。図3では図示していないが、チャック5の根元側は、搬送ロボット4と接続されている。PLC2により搬送ロボット4が制御されることにより、チャック5は、図3に示されるとおり、ウェハカセット20に収納されたウェハ10の下側に挿入され、ウェハ10を持ち上げる。これにより、ウェハ10は、ウェハカセット20に載置された状態から、チャック5に載置された状態となり、ウェハカセット20から取り出される。搬送ロボット4は、PLC2により制御され、チャック5に載置したウェハ10を搬送する。本実施形態に係る搬送ロボット4は、本発明の「搬送装置」に相当する。   In the example of FIG. 1, the transfer robot 4 includes a chuck 5. As an example, the chuck 5 is a U-shaped (or Y-shaped) member as shown in FIG. Although not shown in FIG. 3, the base side of the chuck 5 is connected to the transfer robot 4. When the transfer robot 4 is controlled by the PLC 2, the chuck 5 is inserted below the wafer 10 stored in the wafer cassette 20 as shown in FIG. 3 and lifts the wafer 10. As a result, the wafer 10 is changed from being placed on the wafer cassette 20 to being placed on the chuck 5 and taken out from the wafer cassette 20. The transfer robot 4 is controlled by the PLC 2 and transfers the wafer 10 placed on the chuck 5. The transport robot 4 according to the present embodiment corresponds to a “transport device” of the present invention.

また、図1の例では、チャック5は、光電センサ6、すなわち、投光部61および受光部62を備えている。一例として、投光部61および受光部62は、図4に示されるとおり、チャック5の先端に設けられている。このため、本実施形態では、搬送ロボット4によるチャック5の移動により、光電センサ6の移動が行われる。つまり、本実施形態に係る搬送ロボット4は、本発明の「移動制御装置」にも相当する。   In the example of FIG. 1, the chuck 5 includes a photoelectric sensor 6, that is, a light projecting unit 61 and a light receiving unit 62. As an example, the light projecting unit 61 and the light receiving unit 62 are provided at the tip of the chuck 5 as shown in FIG. For this reason, in this embodiment, the movement of the photoelectric sensor 6 is performed by the movement of the chuck 5 by the transfer robot 4. That is, the transfer robot 4 according to the present embodiment also corresponds to the “movement control device” of the present invention.

なお、以降、チャック5において、投光部61および受光部62が設けられた部分を、「手」とも表記する。図4の例では、チャック5の一方の手に2つの投光部61が設けられ、他方の手に2つの受光部62が設けられている。換言すれば、チャック5には光電センサ6が複数(2つ)設けられている。2つの光電センサ6は、検出光60に対して垂直であり(図4参照)、かつ、光電センサ6の移動方向に対して垂直な(図2の(b)参照)軸方向、すなわち、図4の上下方向に並んでいる。   Hereinafter, the portion of the chuck 5 where the light projecting unit 61 and the light receiving unit 62 are provided is also referred to as “hand”. In the example of FIG. 4, two light projecting units 61 are provided on one hand of the chuck 5, and two light receiving units 62 are provided on the other hand. In other words, the chuck 5 is provided with a plurality (two) of photoelectric sensors 6. The two photoelectric sensors 6 are perpendicular to the detection light 60 (see FIG. 4) and perpendicular to the moving direction of the photoelectric sensors 6 (see FIG. 2B), that is, 4 are arranged in the vertical direction.

なお、以降、チャック5の先端側に設けられた光電センサ6を、第1光電センサ6aとも表記する。第1光電センサ6aの投光部61および受光部62は、図4に示されるとおり、投光部61aおよび受光部62aとも表記する。一方、チャック5の搬送ロボット4側に設けられた光電センサ6を、第2光電センサ6bとも表記する。第2光電センサ6bの投光部61および受光部62は、投光部61bおよび受光部62bとも表記する。   Hereinafter, the photoelectric sensor 6 provided on the tip side of the chuck 5 is also referred to as a first photoelectric sensor 6a. The light projecting unit 61 and the light receiving unit 62 of the first photoelectric sensor 6a are also referred to as a light projecting unit 61a and a light receiving unit 62a, as shown in FIG. On the other hand, the photoelectric sensor 6 provided on the transport robot 4 side of the chuck 5 is also referred to as a second photoelectric sensor 6b. The light projecting unit 61 and the light receiving unit 62 of the second photoelectric sensor 6b are also referred to as a light projecting unit 61b and a light receiving unit 62b.

図4に示される例のように、ウェハ10の直径が200mmの場合、一例として、投光部61aおよび受光部62aは、図4に示されるとおり、ウェハ面101の中心から70mmの位置に検出光60aが照射される、チャック5の位置に設けられる。また、一例として、投光部61bおよび受光部62bは、図4に示されるとおり、ウェハ面101の中心から70mmの位置から、100mmの位置(すなわち、ウェハ面101の外周)までの所定の位置に検出光60bが照射される、チャック5の位置に設けられる。   When the diameter of the wafer 10 is 200 mm as in the example shown in FIG. 4, as an example, the light projecting unit 61 a and the light receiving unit 62 a are detected at a position 70 mm from the center of the wafer surface 101 as shown in FIG. 4. It is provided at the position of the chuck 5 where the light 60a is irradiated. As an example, the light projecting unit 61b and the light receiving unit 62b are, as shown in FIG. 4, a predetermined position from a position 70 mm from the center of the wafer surface 101 to a position 100 mm (that is, the outer periphery of the wafer surface 101). Is provided at the position of the chuck 5 where the detection light 60b is irradiated.

なお、投光部61aおよび受光部62a、並びに、投光部61bおよび受光部62bは、ウェハ10に検出光が照射される、チャック5の位置に設けられていればよく、該位置は、図4に示す位置に限定されない。   The light projecting unit 61a and the light receiving unit 62a, and the light projecting unit 61b and the light receiving unit 62b may be provided at the position of the chuck 5 where the detection light is irradiated to the wafer 10. The position shown in FIG.

また、本実施形態では、図4におけるチャック5の左側の手の先端に投光部61を設け、右側の手の先端に受光部62を設ける例を説明する。ただし、左側の手の先端に受光部62、右側の手の先端に投光部61を設けてもよい。また、第1光電センサ6aの投光部61aと、第2光電センサ6bの投光部61bとのうち、一方を左側の手の先端に設け、他方を右側の手の先端に設けてもよい。このように構成することにより、検出光60aと検出光60bとの進行方向が互いに逆方向となる。これにより、第1光電センサ6aの投光部61aが投光した検出光60aを、第2光電センサ6bの受光部62bが受光してしまうといった状況を防ぐことができる。よって、受光におけるノイズの発生を防ぐことができる。   In the present embodiment, an example in which the light projecting unit 61 is provided at the tip of the left hand of the chuck 5 in FIG. 4 and the light receiving unit 62 is provided at the tip of the right hand will be described. However, the light receiving unit 62 may be provided at the tip of the left hand, and the light projecting unit 61 may be provided at the tip of the right hand. Further, one of the light projecting unit 61a of the first photoelectric sensor 6a and the light projecting unit 61b of the second photoelectric sensor 6b may be provided at the tip of the left hand and the other may be provided at the tip of the right hand. . With this configuration, the traveling directions of the detection light 60a and the detection light 60b are opposite to each other. Thereby, the situation where the light-receiving part 62b of the 2nd photoelectric sensor 6b light-receives the detection light 60a light-projected by the light projection part 61a of the 1st photoelectric sensor 6a can be prevented. Therefore, it is possible to prevent the occurrence of noise during light reception.

<センサユニット3>
センサユニット3は、PLC2により制御され、光電センサ6を制御する。具体的には、センサユニット3は、投光部61からの検出光60の投光の開始および停止を制御する。より具体的には、センサユニット3は、光電センサ6の移動中に、投光部61に検出光60を継続して投光させる。また、センサユニット3は、受光部62が受光した検出光60の光量を取得し、A/D変換により光量データに変換した後にPLC2へ送信する。本実施形態に係るセンサユニット3は、本発明の「取得装置」に相当する。
<Sensor unit 3>
The sensor unit 3 is controlled by the PLC 2 and controls the photoelectric sensor 6. Specifically, the sensor unit 3 controls the start and stop of the projection of the detection light 60 from the light projecting unit 61. More specifically, the sensor unit 3 causes the light projecting unit 61 to continuously project the detection light 60 while the photoelectric sensor 6 is moving. In addition, the sensor unit 3 acquires the light amount of the detection light 60 received by the light receiving unit 62, converts it to light amount data by A / D conversion, and transmits the light amount data to the PLC 2. The sensor unit 3 according to the present embodiment corresponds to an “acquiring device” of the present invention.

[PLCの機能構成]
次に、図5を用いて、本実施形態に係るPLC2の機能構成の一例を説明する。図5は、本実施形態に係るPLC2の機能構成の一例を模式的に例示する図である。
[Functional configuration of PLC]
Next, an example of a functional configuration of the PLC 2 according to the present embodiment will be described with reference to FIG. FIG. 5 is a diagram schematically illustrating an example of a functional configuration of the PLC 2 according to the present embodiment.

本実施形態に係るPLC2の制御部21は、機能構成として、傾き検出部211およびロボット制御部212を備える。また、記憶部22は、一例として、基準データ221を少なくとも記憶している。   The control unit 21 of the PLC 2 according to the present embodiment includes an inclination detection unit 211 and a robot control unit 212 as functional configurations. Moreover, the memory | storage part 22 has memorize | stored the reference | standard data 221 at least as an example.

傾き検出部211は、センサユニット3から検出光60の光量データを取得し、光電センサ6が検出対象のウェハ10を検出している期間の光量の変化(経時変化)に基づき、ウェハ10の傾きを特定する。なお、「検出対象のウェハ10を検出している期間」とは、検出光60がウェハ10に照射されている期間(光電センサ6が外周面102を横切っている期間)である。ロボット制御部212は、搬送ロボット4を制御する。具体的には、ロボット制御部212は、傾き検出部211が特定したウェハの傾きに応じて、チャック5の傾きを制御する。   The tilt detection unit 211 acquires the light amount data of the detection light 60 from the sensor unit 3, and the tilt of the wafer 10 is based on a change in light amount (time-dependent change) during a period in which the photoelectric sensor 6 detects the detection target wafer 10. Is identified. The “period in which the detection target wafer 10 is being detected” is a period in which the detection light 60 is irradiated on the wafer 10 (a period in which the photoelectric sensor 6 crosses the outer peripheral surface 102). The robot control unit 212 controls the transfer robot 4. Specifically, the robot control unit 212 controls the tilt of the chuck 5 in accordance with the wafer tilt specified by the tilt detection unit 211.

基準データ221は、傾き検出部211がウェハ10の傾きを特定するときに使用する、ウェハ10の傾きの基準となるデータである。基準データ221は、一例として、ウェハ10が傾いていない場合の光量の経時変化であってもよい。この例の場合、基準データ221は、図2の(c)に示す光量の経時変化であってもよい。   The reference data 221 is data serving as a reference for the tilt of the wafer 10 used when the tilt detection unit 211 specifies the tilt of the wafer 10. As an example, the reference data 221 may be a temporal change in the amount of light when the wafer 10 is not tilted. In the case of this example, the reference data 221 may be a change with time of the light amount shown in FIG.

一例として、制御部21が、適切なプログラムを実行することにより、傾き検出部211およびロボット制御部212として、上記の処理を実行してもよい。該プログラムは、一例として、ROMに記憶されていてもよい。この例の場合、制御部21は、ROMに記憶されたプログラムをRAMに展開する。そして、制御部21は、RAMに展開されたプログラムをCPUにより解釈および実行して、PLC2の各構成要素を制御する。   As an example, the control unit 21 may execute the above process as the inclination detection unit 211 and the robot control unit 212 by executing an appropriate program. The program may be stored in the ROM as an example. In the case of this example, the control unit 21 expands the program stored in the ROM in the RAM. And the control part 21 interprets and executes the program expand | deployed by RAM by CPU, and controls each component of PLC2.

なお、上記プログラムを記憶している記録媒体は、一時的でない有形の媒体であればよく、ROMの他、テープ、ディスク、カード、半導体メモリ、プログラマブルな論理回路などを用いることができる。また、上記プログラムは、該プログラムを伝送可能な任意の伝送媒体(通信ネットワークや放送波等)を介してPLC2に供給されてもよい。なお、本発明の一態様は、上記プログラムが電子的な伝送によって具現化された、搬送波に埋め込まれたデータ信号の形態でも実現され得る。   The recording medium storing the program may be a tangible medium that is not temporary. A tape, a disk, a card, a semiconductor memory, a programmable logic circuit, or the like can be used in addition to the ROM. The program may be supplied to the PLC 2 via any transmission medium (communication network, broadcast wave, etc.) capable of transmitting the program. Note that one embodiment of the present invention can also be realized in the form of a data signal embedded in a carrier wave, in which the program is embodied by electronic transmission.

なお、傾き検出部211およびロボット制御部212が実行する処理の詳細については、後述する動作例で説明する。また、本実施形態では、傾き検出部211およびロボット制御部212が、いずれも汎用のCPUによって実現されるものとして説明している。しかしながら、これらが1または複数の専用のプロセッサにより実現されてもよい。また、PLC2の機能構成に関して、実施形態に応じて、適宜構成の省略、置換および追加が行われてもよい。   Details of processing executed by the inclination detection unit 211 and the robot control unit 212 will be described in an operation example described later. In the present embodiment, the inclination detection unit 211 and the robot control unit 212 are described as being realized by a general-purpose CPU. However, these may be realized by one or more dedicated processors. In addition, regarding the functional configuration of the PLC 2, the configuration may be omitted, replaced, and added as appropriate according to the embodiment.

§3 動作例
次に、図6を用いて、PLC2の動作例を説明する。図6は、PLC2の処理手順の一例を示すフローチャートである。なお、以下で説明する処理手順は一例であり、本実施形態に係るPLC2の処理手順をこの例に限定する意図はない。また、以下で説明する処理手順について、実施の形態に応じて、適宜、ステップの省略、置換および追加が可能である。
§3 Operation Example Next, an operation example of the PLC 2 will be described with reference to FIG. FIG. 6 is a flowchart illustrating an example of the processing procedure of the PLC 2. In addition, the process procedure demonstrated below is an example, and there is no intention which limits the process procedure of PLC2 which concerns on this embodiment to this example. Further, in the processing procedure described below, steps can be omitted, replaced, and added as appropriate according to the embodiment.

ロボット制御部212は、搬送ロボット4に、検出光60の進行方向に対して垂直な方向へのチャック5の移動を開始させる(ステップS1、移動ステップ)。ステップS1の処理は、ロボット制御部212が、通信インタフェース23を介して搬送ロボット4へ制御命令を送信することにより実現される。また、ロボット制御部212は、チャック5の移動を開始させると、その旨を傾き検出部211へ通知する。   The robot control unit 212 causes the transfer robot 4 to start moving the chuck 5 in a direction perpendicular to the traveling direction of the detection light 60 (step S1, moving step). The process of step S <b> 1 is realized by the robot control unit 212 transmitting a control command to the transport robot 4 via the communication interface 23. Further, when the robot control unit 212 starts to move the chuck 5, the robot control unit 212 notifies the tilt detection unit 211 to that effect.

続いて、傾き検出部211は、ロボット制御部212からの通知を受けると、センサユニット3を制御して、各投光部61から検出光60のウェハ10への投光を開始させる(ステップS2、取得ステップ)。本実施形態の例の場合、センサユニット3は、投光部61aに検出光60aを投光させ、投光部61bに検出光60bを投光させる。ステップS2の処理は、傾き検出部211が、通信インタフェース23を介してセンサユニット3へ制御命令を送信することにより実現される。   Subsequently, upon receiving a notification from the robot control unit 212, the tilt detection unit 211 controls the sensor unit 3 to start projecting the detection light 60 from each light projecting unit 61 onto the wafer 10 (step S2). , Acquisition step). In the case of the example of the present embodiment, the sensor unit 3 causes the light projecting unit 61a to project the detection light 60a, and causes the light projecting unit 61b to project the detection light 60b. The process of step S <b> 2 is realized by the tilt detection unit 211 transmitting a control command to the sensor unit 3 via the communication interface 23.

続いて、センサユニット3は、各受光部62が受光した検出光の光量を取得する(ステップS3、取得ステップ)。本実施形態の例の場合、センサユニット3は、受光部62aが受光した検出光60aの光量と、受光部62bが受光した検出光60bの光量とを取得する。センサユニット3は、取得した光量を光量データに変換し、受光部62を識別する受光部識別情報と対応付けて一時的に保存する。そして、センサユニット3は、PLC2から、光量データの送信指示を受領したとき、その時点で取得していたすべての光量データを、受光部識別情報が対応付けられた状態でPLC2へ送信する。   Subsequently, the sensor unit 3 acquires the amount of detection light received by each light receiving unit 62 (step S3, acquisition step). In the case of the example of the present embodiment, the sensor unit 3 acquires the light amount of the detection light 60a received by the light receiving unit 62a and the light amount of the detection light 60b received by the light receiving unit 62b. The sensor unit 3 converts the acquired light amount into light amount data, and temporarily stores the light amount in association with light receiving unit identification information for identifying the light receiving unit 62. When the sensor unit 3 receives a light amount data transmission instruction from the PLC 2, the sensor unit 3 transmits all the light amount data acquired at that time to the PLC 2 in association with the light receiving unit identification information.

続いて、PLC2の傾き検出部211は、受信した光量データを用いて生成される、光量の経時変化と基準データ221とを比較する(ステップS4)。そして、傾き検出部211は、比較結果に基づいてウェハ10が傾いているか否かを判定する(ステップS5)。   Subsequently, the inclination detection unit 211 of the PLC 2 compares the temporal change of the light amount generated using the received light amount data with the reference data 221 (step S4). Then, the inclination detecting unit 211 determines whether or not the wafer 10 is inclined based on the comparison result (step S5).

(傾きの有無の特定)
ここで、図2、図7、および図9を用いて、ウェハ10が傾いているか否かの判定の詳細について、一例を説明する。この例における基準データ221は、上述したように、図2の(c)に示す光量の経時変化である。図7の(a)は、ウェハ10への検出光の照射の一例を示す図であり、ウェハ10が投光部61に近い側を下にして傾いている場合を示す図である。なお、以降、図7の(a)に示すウェハ10の傾きを、「左下がり」とも表記する。図7の(b)は、左下がりの場合の検出光の光量の経時変化の一例を示す図である。
(Identification of tilt)
Here, an example of details of the determination of whether or not the wafer 10 is tilted will be described with reference to FIGS. 2, 7, and 9. As described above, the reference data 221 in this example is a change with time in the amount of light shown in FIG. FIG. 7A is a diagram illustrating an example of irradiation of the detection light onto the wafer 10, and is a diagram illustrating a case where the wafer 10 is inclined with the side close to the light projecting unit 61 facing down. Hereinafter, the inclination of the wafer 10 shown in FIG. 7A is also referred to as “downward left”. FIG. 7B is a diagram illustrating an example of a change with time of the light amount of the detection light in the case of falling to the left.

図9の(a)および(b)は、ウェハ10への検出光の照射の一例を示す図であり、ウェハ10が、光電センサ6に近い側を下にして傾いている場合を示す図である。図9の(c)は、ウェハ10が光電センサ6に近い側を下にして傾いている場合の検出光の光量の経時変化の一例を示す図である。   FIGS. 9A and 9B are diagrams illustrating an example of irradiation of the detection light onto the wafer 10, and a diagram illustrating a case where the wafer 10 is inclined with the side close to the photoelectric sensor 6 facing down. is there. FIG. 9C is a diagram illustrating an example of a change over time in the amount of detection light when the wafer 10 is inclined with the side close to the photoelectric sensor 6 facing down.

なお、以降、ウェハ10が、投光部61側または受光部62側を下にして傾くことを、「左右方向に傾く」とも表記する。また、ウェハ10が、光電センサ6に近い側、または、光電センサ6に遠い側を下にして傾くことを、「前後方向に傾く」とも表記する。   Hereinafter, the fact that the wafer 10 tilts with the light projecting unit 61 side or the light receiving unit 62 side down is also referred to as “tilt in the left-right direction”. In addition, the fact that the wafer 10 is tilted with the side close to the photoelectric sensor 6 or the side far from the photoelectric sensor 6 is also referred to as “tilt in the front-rear direction”.

まず、ウェハ10が左右方向に傾いているか否かの判定について説明する。なお、以下に記載する方法は一例であり、左右方向に傾いているか否かの判定方法を、以下に記載する方法に限定する意図はない。ウェハ10が左右方向に傾いていない場合、PLC2が受信した光量の経時変化は、光電センサ6が検出対象のウェハ10を検出している期間において、図2の(c)に示す経時変化とほぼ一致する。換言すれば、生成した光量の経時変化と、基準データ221とのずれは小さい。   First, determination of whether or not the wafer 10 is tilted in the left-right direction will be described. Note that the method described below is merely an example, and there is no intention to limit the method of determining whether or not it is tilted in the left-right direction to the method described below. When the wafer 10 is not tilted in the left-right direction, the temporal change in the amount of light received by the PLC 2 is substantially the same as the temporal change shown in FIG. 2C during the period in which the photoelectric sensor 6 is detecting the detection target wafer 10. Match. In other words, the difference between the generated light amount with time and the reference data 221 is small.

一方、図7の(a)に示すように、ウェハ10が左右方向に傾いている場合、PLC2が生成した光量の経時変化は、上記期間において、図7の(b)に示すように、図2の(c)に示す経時変化と異なる。換言すれば、生成した光量の経時変化と、基準データ221とのずれが大きい。   On the other hand, as shown in FIG. 7A, when the wafer 10 is tilted in the left-right direction, the temporal change in the amount of light generated by the PLC 2 is as shown in FIG. This is different from the time-dependent change shown in 2 (c). In other words, there is a large difference between the change in the amount of light generated with time and the reference data 221.

このため、傾き検出部211は、上記期間において、生成した光量の経時変化と、基準データ221とのずれが所定値以上であるか否かを判定する。所定値以上であると判定した場合、傾き検出部211は、ウェハ10が左右方向に傾いていると判定する。一方、所定値未満であると判定した場合、傾き検出部211は、ウェハ10が左右方向に傾いていないと判定する。   For this reason, the inclination detection unit 211 determines whether or not the difference between the generated light amount with time and the reference data 221 is greater than or equal to a predetermined value during the period. If it is determined that the value is equal to or greater than the predetermined value, the tilt detection unit 211 determines that the wafer 10 is tilted in the left-right direction. On the other hand, when it is determined that the value is less than the predetermined value, the inclination detection unit 211 determines that the wafer 10 is not inclined in the left-right direction.

具体的には、傾き検出部211は、生成した光量の経時変化と、基準データ221とを重畳させたときの一致率を算出し、該一致率が所定値以上であるか否かを判定してもよい。この所定値としては、ウェハ10をウェハカセット20から取り出すときにチャック5がウェハ10に接触するおそれがある程度にウェハ10が傾いている場合の一致率を予め算出しておき、該一致率を用いればよい。   Specifically, the inclination detection unit 211 calculates a coincidence rate when the change over time of the generated light amount and the reference data 221 are superimposed, and determines whether the coincidence rate is equal to or greater than a predetermined value. May be. As this predetermined value, a coincidence rate when the wafer 10 is tilted to a certain extent that the chuck 5 may come into contact with the wafer 10 when the wafer 10 is taken out from the wafer cassette 20 is calculated in advance, and the coincidence rate is used. That's fine.

なお、上述したように、ウェハ10が左右方向に傾いているか否かの判定方法は、この例に限定されない。例えば、傾き検出部211は、上記期間における経時変化が、時間軸に垂直、かつ、光量の最小値の点を通る直線において線対称であるか否かを判定してもよい。図2の(c)に示すように、ウェハ10が左右方向に傾いていない場合、上記期間における経時変化は上記直線において線対称となる。一方、図7の(b)に示すように、ウェハ10が左右方向に傾いている場合、上記直線において線対称とはならない。このため、傾き検出部211は、線対称とならない場合にウェハ10が左右方向に傾いていると判定する。一方、線対称となる場合にウェハ10が左右方向に傾いていないと判定する。   As described above, the method for determining whether or not the wafer 10 is tilted in the left-right direction is not limited to this example. For example, the inclination detection unit 211 may determine whether or not the change with time in the above period is line-symmetric with respect to a straight line that is perpendicular to the time axis and passes through the point of the minimum light amount. As shown in FIG. 2C, when the wafer 10 is not tilted in the left-right direction, the change over time in the period is axisymmetric in the straight line. On the other hand, as shown in FIG. 7B, when the wafer 10 is inclined in the left-right direction, the line is not line symmetric. For this reason, the inclination detection unit 211 determines that the wafer 10 is inclined in the left-right direction when the line is not symmetrical. On the other hand, when it becomes line symmetrical, it determines with the wafer 10 not inclining in the left-right direction.

このような判定方法を用いることにより、基準データ221を予め記憶しておく必要が無くなる。なお、傾き検出部211は、完全に線対称であるか否かを判定する構成でなくてもよい。すなわち、傾き検出部211は、上記直線で経時変化を折り曲げたとき、光量の最大値から最小値までの減少部分と、最小値から最大値までの増加部分との一致率が所定値以上である場合に、線対称であると判定してもよい。該所定値は、ウェハ10が傾いていない場合の一致率の最小値を用いればよい。   By using such a determination method, it is not necessary to store the reference data 221 in advance. In addition, the inclination detection part 211 does not need to be a structure which determines whether it is completely line symmetrical. That is, when the change with the passage of time is bent along the straight line, the inclination detection unit 211 has a coincidence rate between a decrease part of the light amount from the maximum value to the minimum value and an increase part from the minimum value to the maximum value is a predetermined value or more. In some cases, it may be determined that the line is symmetrical. The predetermined value may be the minimum value of the matching rate when the wafer 10 is not tilted.

次に、ウェハ10が前後方向に傾いているか否かの判定について説明する。なお、以下に記載する方法は一例であり、前後方向に傾いているか否かの判定方法を、以下に記載する方法に限定する意図はない。また、ウェハ10が前後方向に傾いている場合、図9の(a)および(b)に示すように、検出光60aおよび検出光60bのいずれか一方が、ウェハ10のウェハ面101に先に到達する。このため、図9の(c)に示すように、第1光電センサ6aにおける光量の経時変化と、第2光電センサ6bにおける光量の経時変化とのうち、一方が先に減少し始める。   Next, determination of whether or not the wafer 10 is tilted in the front-rear direction will be described. Note that the method described below is merely an example, and there is no intention to limit the method of determining whether or not the vehicle is tilted in the front-rear direction to the method described below. When the wafer 10 is tilted in the front-rear direction, as shown in FIGS. 9A and 9B, one of the detection light 60 a and the detection light 60 b is first applied to the wafer surface 101 of the wafer 10. To reach. For this reason, as shown in FIG. 9C, one of the temporal change of the light amount in the first photoelectric sensor 6a and the temporal change of the light amount in the second photoelectric sensor 6b starts to decrease first.

一方、図示してはいないが、ウェハ10が前後方向に傾いていない場合、検出光60aおよび検出光60bは同時にウェハ面101に到達する。このため、第1光電センサ6aにおける光量の経時変化と、第2光電センサ6bにおける光量の経時変化とは、同じタイミングで減少し始める。   On the other hand, although not shown, when the wafer 10 is not tilted in the front-rear direction, the detection light 60 a and the detection light 60 b reach the wafer surface 101 at the same time. For this reason, the temporal change in the amount of light in the first photoelectric sensor 6a and the temporal change in the amount of light in the second photoelectric sensor 6b begin to decrease at the same timing.

このため、傾き検出部211は、第1光電センサ6aにおける光量の経時変化と、第2光電センサ6bにおける光量の経時変化とが同時に減少し始めているか否かを判定する。同時に減少し始めていないと判定した場合、傾き検出部211は、ウェハ10が前後方向に傾いていると判定する。一方、同時に減少し始めていると判定した場合、傾き検出部211は、ウェハ10が前後方向に傾いていないと判定する。   For this reason, the inclination detection unit 211 determines whether or not the temporal change of the light amount in the first photoelectric sensor 6a and the temporal change of the light amount in the second photoelectric sensor 6b are starting to decrease simultaneously. If it is determined that it has not started to decrease at the same time, the inclination detector 211 determines that the wafer 10 is inclined in the front-rear direction. On the other hand, when it is determined that the decrease starts simultaneously, the inclination detection unit 211 determines that the wafer 10 is not inclined in the front-rear direction.

傾き検出部211は、ウェハ10が左右方向および前後方向のいずれか一方に傾いていると判定した場合、ウェハ10が傾いていると判定する。   If the tilt detection unit 211 determines that the wafer 10 is tilted in either the left-right direction or the front-rear direction, the tilt detection unit 211 determines that the wafer 10 is tilted.

再び図6を参照し、動作例の説明に戻る。傾き検出部211は、ウェハ10が傾いていると判定した場合(ステップS5でYES)、ウェハ10の傾きの方向、および、角度を特定する(ステップS6、S7、特定ステップ)。   Returning to the description of the operation example with reference to FIG. 6 again. When it is determined that the wafer 10 is tilted (YES in step S5), the tilt detection unit 211 identifies the tilt direction and angle of the wafer 10 (steps S6 and S7, identifying step).

(傾きの方向の特定)
ここで、図7〜図10を用いて、ウェハ10の傾きの方向特定の詳細について、一例を説明する。図8の(a)は、ウェハ10への検出光の照射の一例を示す図であり、ウェハ10が、図7の(a)とは逆方向に傾いている場合を示す図である。なお、以降、図8の(a)に示すウェハ10の傾きを、「右下がり」とも表記する。図8の(b)は、右下がりの場合の検出光の光量の経時変化の一例を示す図である。
(Identify the direction of tilt)
Here, an example of the details of specifying the tilt direction of the wafer 10 will be described with reference to FIGS. FIG. 8A is a diagram illustrating an example of irradiation of the detection light onto the wafer 10, and is a diagram illustrating a case where the wafer 10 is tilted in the opposite direction to FIG. 7A. Hereinafter, the inclination of the wafer 10 shown in FIG. 8A is also expressed as “downward to the right”. FIG. 8B is a diagram illustrating an example of a change with time of the light amount of the detection light in the case of the lower right.

なお、図7の(a)に示すウェハ10は、左方向に傾いていると表現することもでき、図8の(a)に示すウェハ10は、右方向に傾いていると表現することもできる。   Note that the wafer 10 shown in FIG. 7A can also be expressed as being tilted leftward, and the wafer 10 shown in FIG. 8A can be expressed as being tilted rightward. it can.

図10の(a)および(b)は、ウェハ10への検出光の照射の一例を示す図であり、ウェハ10が、光電センサ6に遠い側を下にして傾いている場合を示す図である。図10の(c)は、ウェハ10が光電センサ6に遠い側を下にして傾いている場合の検出光の光量の経時変化の一例を示す図である。   FIGS. 10A and 10B are diagrams illustrating an example of irradiation of the detection light onto the wafer 10, and a diagram illustrating a case where the wafer 10 is inclined with the side far from the photoelectric sensor 6 facing down. is there. FIG. 10C is a diagram illustrating an example of a change over time in the amount of detection light when the wafer 10 is inclined with the side far from the photoelectric sensor 6 facing down.

なお、図9の(a)および(b)に示すウェハ10は、前方向に傾いていると表現することもでき、図10の(a)および(b)に示すウェハ10は、後方向に傾いていると表現することもできる。   Note that the wafer 10 shown in FIGS. 9A and 9B can be expressed as being tilted forward, and the wafer 10 shown in FIGS. 10A and 10B is backward. It can also be expressed as tilted.

まず、左右いずれの方向に傾いているかを特定する方法について説明する。なお、以下に記載する方法は一例であり、左右いずれの方向に傾いているかを特定する方法を、以下に記載する方法に限定する意図はない。図7の(b)および図8の(b)に示すように、ウェハ10の傾きの方向が左方向であるか、または右方向であるかによって、光量の経時変化の形状が異なる。傾き検出部211は、この形状の差異を特定することで、ウェハ10が左右いずれの方向に傾いているかを特定する。   First, a method for specifying which of the left and right directions is inclined will be described. In addition, the method described below is an example, and the method for specifying which direction is tilted to the left or right is not intended to be limited to the method described below. As shown in FIGS. 7B and 8B, the shape of the temporal change in the amount of light varies depending on whether the direction of tilt of the wafer 10 is the left direction or the right direction. The inclination detection unit 211 specifies whether the wafer 10 is inclined in the left or right direction by specifying the difference in shape.

具体的には、図7の(b)に示すように、ウェハ10の傾きの方向が左方向である場合、光量の最大値から最小値までの減少部分、すなわち、ポイントP4〜P5間では、光量が急激に減少した後に緩やかに減少する。換言すれば、ポイントP4〜P5間の軌跡は、図7の下方向に凸の曲線となる。一方、光量の最小値から最大値までの増加部分、すなわち、ポイントP5〜P6間では、光量が急激に増加した後に緩やかに増加する。換言すれば、ポイントP5〜P6間の軌跡は、図7の上方向に凸の曲線となる。   Specifically, as shown in FIG. 7B, when the direction of the inclination of the wafer 10 is the left direction, the decreasing portion from the maximum value to the minimum value of the light amount, that is, between the points P4 to P5, After the amount of light decreases rapidly, it decreases gradually. In other words, the locus between the points P4 to P5 becomes a downwardly convex curve in FIG. On the other hand, in the increasing portion from the minimum value to the maximum value of the light amount, that is, between the points P5 to P6, the light amount increases slowly after increasing rapidly. In other words, the trajectory between the points P5 to P6 is a curved line convex upward in FIG.

これは、ウェハ10の傾きの方向が左方向である場合、受光部62に近い位置で検出光60の遮光が開始されるためである。遮光の開始により光の拡散が発生するが、受光部62に近い位置での拡散であるため、拡散した光が受光部62にて受光されにくい。よって、光量は最大値から急激に減少する。一方、光電センサ6の移動が進むにつれて、投光部61に近い位置で光の拡散が発生する。これは、受光部62に遠い位置での拡散であるため、拡散した光が受光部62にて受光されやすい。よって、光量は最小値から急激に増加する。   This is because when the direction of tilt of the wafer 10 is the left direction, the detection light 60 starts to be blocked at a position close to the light receiving unit 62. Although light diffusion occurs due to the start of light shielding, the diffused light is difficult to be received by the light receiving unit 62 because of diffusion at a position close to the light receiving unit 62. Therefore, the amount of light suddenly decreases from the maximum value. On the other hand, as the movement of the photoelectric sensor 6 proceeds, light diffusion occurs at a position close to the light projecting unit 61. Since this is diffusion at a position far from the light receiving unit 62, the diffused light is easily received by the light receiving unit 62. Therefore, the light quantity increases rapidly from the minimum value.

これに対して、図8の(b)に示すように、ウェハ10の傾きの方向が右方向である場合、上記減少部分、すなわち、ポイントP7〜P8間では、光量がゆるやかに減少した後に急激に減少する。換言すれば、ポイントP7〜P8間の軌跡は、図8の上方向に凸の曲線となる。一方、上記増加部分、すなわち、ポイントP8〜P9間では、光量がゆるやかに増加した後に急激に増加する。換言すれば、ポイントP8〜P9間の軌跡は、図8の下方向に凸の曲線となる。   On the other hand, as shown in FIG. 8B, when the direction of the inclination of the wafer 10 is the right direction, the amount of light suddenly decreases after the light amount gradually decreases in the above-described reduced portion, that is, between the points P7 to P8. To decrease. In other words, the trajectory between the points P7 to P8 becomes a curved line convex upward in FIG. On the other hand, in the increased portion, that is, between the points P8 to P9, the light amount increases rapidly after increasing gently. In other words, the locus between the points P8 to P9 is a curved line that protrudes downward in FIG.

これは、ウェハ10の傾きの方向が右方向である場合、投光部61に近い位置で検出光60の遮光が開始されるためである。受光部62に遠い位置での拡散が発生するため、拡散した光が受光部62にて受光されやすい。よって、光量は最大値からゆるやかに減少する。一方、光電センサ6の移動が進むにつれて、受光部62に近い位置で光の拡散が発生する。この光は受光部62にて受光されにくいため、光量は最小値からゆるやかに増加する。   This is because when the wafer 10 is tilted in the right direction, the detection light 60 starts to be blocked at a position close to the light projecting unit 61. Since diffusion at a position far from the light receiving unit 62 occurs, the diffused light is easily received by the light receiving unit 62. Therefore, the amount of light gradually decreases from the maximum value. On the other hand, as the movement of the photoelectric sensor 6 proceeds, light diffusion occurs at a position close to the light receiving unit 62. Since this light is not easily received by the light receiving unit 62, the amount of light gradually increases from the minimum value.

なお、本実施形態の例と異なり、投光部61がチャック5の右側の手に、受光部62がチャック5の左側の手にある場合、ウェハ10の傾きの方向と、変化の大きさとの関係は逆になる。すなわち、ウェハ10の傾きが左方向である場合、減少部分の軌跡は、図7の上方向に凸の曲線となり、増加部分の軌跡は、図7の下方向に凸の曲線となる。一方、ウェハ10の傾きが右方向である場合、減少部分の軌跡は、図8の下方向に凸の曲線となり、増加部分の軌跡は、図8の上方向に凸の曲線となる。   Unlike the example of the present embodiment, when the light projecting unit 61 is in the right hand of the chuck 5 and the light receiving unit 62 is in the left hand of the chuck 5, the inclination direction of the wafer 10 and the magnitude of the change are The relationship is reversed. That is, when the inclination of the wafer 10 is in the left direction, the locus of the decreasing portion is a curved curve convex upward in FIG. 7, and the locus of the increasing portion is a curved curve convex downward in FIG. On the other hand, when the inclination of the wafer 10 is rightward, the locus of the decreased portion is a downward convex curve in FIG. 8, and the locus of the increased portion is an upward convex curve in FIG.

傾き検出部211は、一例として、光量の経時変化の減少部分が下方向に凸であると特定した場合、ウェハ10が左方向に傾いていると特定し、減少部分が上方向に凸であると特定した場合、ウェハ10が右方向に傾いていると特定してもよい。あるいは、傾き検出部211は、光量の経時変化の増加部分が上方向に凸であると特定した場合、ウェハ10が左方向に傾いていると特定し、増加部分が下方向に凸であると特定した場合、ウェハ10が右方向に傾いていると特定してもよい。   For example, when the inclination detecting unit 211 specifies that the decreasing portion of the change in the light amount with time is convex downward, the inclination detecting unit 211 specifies that the wafer 10 is inclined leftward, and the decreasing portion is convex upward. , It may be specified that the wafer 10 is tilted to the right. Alternatively, when the inclination detection unit 211 specifies that the increasing part of the change in the amount of light with time is convex upward, the inclination detecting part 211 specifies that the wafer 10 is inclined leftward, and the increasing part is convex downward. When specified, the wafer 10 may be specified as being tilted to the right.

あるいは、傾き検出部211は、減少部分が下方向に凸であり、かつ、増加部分が上方向に凸である場合、ウェハ10が左方向に傾いていると特定し、減少部分が上方向に凸であり、かつ、増加部分が下方向に凸である場合、ウェハ10が右方向に傾いていると特定してもよい。この例の方法で特定することで、上述した2例の特定方法と比べ、特定の制度が向上する。   Alternatively, the tilt detection unit 211 specifies that the wafer 10 is tilted leftward when the decrease portion is convex downward and the increase portion is convex upward, and the decrease portion is upward. If it is convex and the increased portion is convex downward, it may be specified that the wafer 10 is tilted to the right. By specifying with the method of this example, a specific system improves compared with the specifying method of the two examples mentioned above.

次に、前後いずれの方向に傾いているかを特定する方法について説明する。なお、以下に記載する方法は一例であり、前後いずれの方向に傾いているかを特定する方法を、以下に記載する方法に限定する意図はない。図9の(b)に示すように、ウェハ10の傾きが前方向である場合、投光部61aから投光された検出光60aが、投光部61bから投光された検出光60bより先にウェハ10のウェハ面101に到達する。そのため、図9の(c)に示すように、第1光電センサ6aにおける光量の経時変化が、第2光電センサ6bにおける光量の経時変化より先に減少し始める。   Next, a method for specifying which direction is inclined in the front-rear direction will be described. In addition, the method described below is an example, and the method for specifying which direction is inclined in the front-rear direction is not intended to be limited to the method described below. As shown in FIG. 9B, when the wafer 10 is tilted forward, the detection light 60a projected from the light projecting unit 61a is ahead of the detection light 60b projected from the light projecting unit 61b. The wafer surface 101 of the wafer 10 is reached. For this reason, as shown in FIG. 9C, the temporal change in the light amount in the first photoelectric sensor 6a starts to decrease before the temporal change in the light amount in the second photoelectric sensor 6b.

一方、図10の(b)に示すように、ウェハ10の傾きが後方向である場合、検出光60bが、検出光60aより先にウェハ面101に到達する。そのため、図10の(c)に示すように、第2光電センサ6bにおける光量の経時変化が、第1光電センサ6aにおける光量の経時変化より先に減少し始める。   On the other hand, as shown in FIG. 10B, when the tilt of the wafer 10 is in the backward direction, the detection light 60b reaches the wafer surface 101 before the detection light 60a. For this reason, as shown in FIG. 10C, the temporal change in the amount of light in the second photoelectric sensor 6b starts to decrease before the temporal change in the amount of light in the first photoelectric sensor 6a.

傾き検出部211は、第1光電センサ6aにおける光量の経時変化、および、第2光電センサ6bにおける光量の経時変化のいずれが先に減少し始めるかを特定することで、ウェハ10の傾きが前方向であるか、あるいは後方向であるかを特定する。傾き検出部211は、第1光電センサ6aにおける光量の経時変化が、第2光電センサ6bにおける光量の経時変化より先に減少し始めると特定した場合、ウェハ10の傾きが前方向であると特定する。一方、傾き検出部211は、第2光電センサ6bにおける光量の経時変化が、第1光電センサ6aにおける光量の経時変化より先に減少し始めると特定した場合、ウェハ10の傾きが後方向であると特定する。   The inclination detection unit 211 specifies which of the temporal change of the light quantity in the first photoelectric sensor 6a and the temporal change of the light quantity in the second photoelectric sensor 6b starts to decrease first, so that the inclination of the wafer 10 is increased. Specify whether it is a direction or a backward direction. When the inclination detection unit 211 specifies that the temporal change in the amount of light in the first photoelectric sensor 6a starts to decrease before the temporal change in the amount of light in the second photoelectric sensor 6b, the inclination detection unit 211 specifies that the inclination of the wafer 10 is in the forward direction. To do. On the other hand, when the inclination detection unit 211 determines that the temporal change of the light amount in the second photoelectric sensor 6b starts to decrease before the temporal change of the light amount in the first photoelectric sensor 6a, the inclination of the wafer 10 is backward. Is identified.

(傾きの角度の特定)
続いて、図7〜図10を用いて、ウェハ10の傾きの角度特定の詳細について、一例を説明する。
(Identification of tilt angle)
Next, an example of the details of specifying the tilt angle of the wafer 10 will be described with reference to FIGS.

まず、左右方向の傾きにおける、角度特定の一例について説明する。まず、傾き検出部211は、光量の経時変化における減少部分(図7の(b)および図8の(b)参照)において、最大値の点および最小値の点を通る直線を特定する。そして、減少部分の各点のうち、該直線から最も遠い点を特定し、該直線から特定した点までの距離を特定する。なお、この距離は、特定した直線の垂線であって、かつ、特定した点と、直線上の点とを結ぶ線分の長さと表現することもできる。   First, an example of specifying the angle in the horizontal tilt will be described. First, the inclination detecting unit 211 specifies a straight line passing through the maximum value point and the minimum value point in a decreasing portion of the light amount with time (see FIG. 7B and FIG. 8B). Then, the point farthest from the straight line is specified among the points of the reduced portion, and the distance from the straight line to the specified point is specified. This distance can also be expressed as the length of a line segment that is a perpendicular to the specified straight line and connects the specified point to a point on the straight line.

そして、傾き検出部211は、記憶部22に記憶されている、上記距離とウェハ10の傾きの角度とを対応付けた第1データベース(不図示)を参照し、特定した距離に対応付けられたウェハ10の傾きの角度を特定する。   Then, the inclination detecting unit 211 refers to a first database (not shown) that is stored in the storage unit 22 and associates the distance with the inclination angle of the wafer 10, and is associated with the identified distance. The inclination angle of the wafer 10 is specified.

なお、左右方向の傾きの角度特定の方法は、この例に限定されない。例えば、傾き検出部211は、上記の距離の特定を、減少部分に代えて、あるいは、減少部分とともに増加部分で行い、上記第1データベースを参照することでウェハ10の傾きの角度を特定してもよい。減少部分および増加部分の両方で上記の距離を特定する例において、減少部分における上記の距離から特定された角度と、増加部分における上記の距離から特定された角度とが異なる場合、傾き検出部211は、一例として、2つの角度の平均値を傾きの角度としてもよい。   Note that the method for specifying the angle of inclination in the left-right direction is not limited to this example. For example, the inclination detection unit 211 specifies the inclination angle of the wafer 10 by referring to the first database by performing the distance specification in place of the decrease part or in the increase part together with the decrease part. Also good. In the example in which the distance is specified in both the decrease portion and the increase portion, when the angle specified from the distance in the decrease portion is different from the angle specified from the distance in the increase portion, the inclination detection unit 211. As an example, an average value of two angles may be set as an inclination angle.

また、左右方向の傾きの角度特定の別の方法として、傾き検出部211は、減少部分の開始点である、光量の最大値の点から、増加部分の終了点である、光量の最大値の点までの幅を特定してもよい。該幅は、光電センサ6が検出対象のウェハ10を検出している期間である。この例の場合、傾き検出部211は、記憶部22に記憶されている、上記幅とウェハ10の傾きの角度とを対応付けた第2データベース(不図示)を参照し、特定した幅に対応付けられたウェハ10の傾きの角度を特定する。   Further, as another method for specifying the angle of inclination in the left-right direction, the inclination detection unit 211 determines the maximum amount of light that is the end point of the increasing portion from the point of the maximum amount of light that is the starting point of the decreasing portion. You may specify the width to a point. The width is a period during which the photoelectric sensor 6 detects the detection target wafer 10. In the case of this example, the inclination detection unit 211 refers to a second database (not shown) stored in the storage unit 22 that associates the width with the inclination angle of the wafer 10 and corresponds to the specified width. The inclination angle of the attached wafer 10 is specified.

この別の方法は、上述した、第1データベースを参照してウェハ10の傾きの角度を特定する方法に代えて行ってもよいし、該方法とともに行ってもよい。該方法とともに行う例において、第1データベースを参照して特定された角度と、第2データベースを参照して特定された角度とが異なる場合、傾き検出部211は、一例として、2つの角度の平均値を傾きの角度としてもよい。   This another method may be performed in place of the above-described method of specifying the tilt angle of the wafer 10 with reference to the first database, or may be performed together with this method. In the example performed together with the method, when the angle specified with reference to the first database is different from the angle specified with reference to the second database, the inclination detection unit 211, as an example, calculates the average of the two angles. The value may be an angle of inclination.

次に、前後方向の傾きにおける、角度特定の一例について説明する。まず、傾き検出部211は、2つの光量の経時変化(図9の(c)および図10の(c)参照)において、特定の点のずれ幅を特定する。特定の点は、例えば、光量の最小値を示す点であってもよい。なお、ずれ幅とは、特定の点を結ぶ線分の長さである。   Next, an example of specifying the angle in the tilt in the front-rear direction will be described. First, the inclination detecting unit 211 specifies a deviation width of a specific point in the temporal change of two light quantities (see FIG. 9C and FIG. 10C). The specific point may be a point indicating a minimum value of the light amount, for example. Note that the shift width is the length of a line segment connecting specific points.

そして、傾き検出部211は、記憶部22に記憶されている、上記ずれ幅とウェハ10の傾きの角度とを対応付けた第3データベース(不図示)を参照し、特定したずれ幅に対応付けられたウェハ10の傾きの角度を特定する。   Then, the inclination detecting unit 211 refers to a third database (not shown) in which the deviation width and the inclination angle of the wafer 10 are associated with each other, and is associated with the identified deviation width. The angle of inclination of the wafer 10 is specified.

再び図6を参照し、動作例の説明に戻る。傾き検出部211は、特定したウェハ10の傾きの方向および角度を、ロボット制御部212へ出力する。ロボット制御部212は、取得したウェハ10の傾きの方向および角度に応じて、チャック5の傾きを制御する(ステップS8)。具体的には、ロボット制御部212は、取得したウェハ10の傾きの方向および角度に応じて、チャック5の傾きの方向および角度を決定する。そして、ロボット制御部212は、決定したチャック5の傾きの方向および角度を含む制御命令を、通信インタフェース23を介して搬送ロボット4へ送信する。これにより、搬送ロボット4は、チャック5の傾きの方向および角度を、ウェハ10の傾きの方向および角度に応じて調整することができる。   Returning to the description of the operation example with reference to FIG. 6 again. The tilt detection unit 211 outputs the specified tilt direction and angle of the wafer 10 to the robot control unit 212. The robot control unit 212 controls the tilt of the chuck 5 according to the acquired tilt direction and angle of the wafer 10 (step S8). Specifically, the robot control unit 212 determines the tilt direction and angle of the chuck 5 according to the acquired tilt direction and angle of the wafer 10. Then, the robot control unit 212 transmits a control command including the determined tilt direction and angle of the chuck 5 to the transfer robot 4 via the communication interface 23. Thereby, the transfer robot 4 can adjust the direction and angle of the inclination of the chuck 5 in accordance with the direction and angle of the inclination of the wafer 10.

最後に、搬送ロボット4は、ウェハカセット20からウェハ10を取り出し(ステップS9)、搬送する。ステップS9の処理は、ロボット制御部212が、通信インタフェース23を介して搬送ロボット4へ制御命令を送信することにより実現される。該制御命令は、ステップS8で送信される制御命令とともに搬送ロボット4へ送信されてもよいし、ステップS8で送信される制御命令の後に送信されてもよい。   Finally, the transfer robot 4 takes out the wafer 10 from the wafer cassette 20 (step S9) and transfers it. The processing in step S9 is realized by the robot control unit 212 transmitting a control command to the transfer robot 4 via the communication interface 23. The control command may be transmitted to the transfer robot 4 together with the control command transmitted in step S8, or may be transmitted after the control command transmitted in step S8.

なお、傾き検出部211が、ウェハ10が傾いていないと判定した場合(ステップS5でNO)、ステップS6〜S8は省略される。すなわち、PLC2は、ウェハ10が傾いていないため、チャック5の傾きの方向および角度を調整することなく、搬送ロボット4にウェハ10の取り出しを行わせる(ステップS9)。   Note that if the tilt detection unit 211 determines that the wafer 10 is not tilted (NO in step S5), steps S6 to S8 are omitted. That is, since the wafer 10 is not inclined, the PLC 2 causes the transfer robot 4 to take out the wafer 10 without adjusting the inclination direction and angle of the chuck 5 (step S9).

[作用・効果]
以上のように、本実施形態では、上記ステップS6およびステップS7において、PLC2がウェハ10の傾きの方向および角度を特定する。つまり、PLC2は、ウェハ10の傾きについて、傾きの有無より詳細な情報を特定することができる。
[Action / Effect]
As described above, in the present embodiment, the PLC 2 specifies the direction and angle of the inclination of the wafer 10 in step S6 and step S7. That is, the PLC 2 can specify more detailed information about the tilt of the wafer 10 than the presence or absence of the tilt.

一例として、PLC2は、上記ステップS8において、特定したウェハ10の傾きの方向および角度に基づいて、チャック5の傾きの方向および角度を調整することができる。これにより、ウェハ10が傾いている場合であっても、ウェハ10を傷付けることなくウェハカセット20から取り出すことができる。よって、ウェハ10が傾いている場合であっても、搬送ロボット4によるウェハ10の搬送を継続することができる。なお、ウェハ10が傾いている場合とは、ウェハ10が傾いてウェハカセット20に収納されている場合や、ウェハカセット20自体が傾いている場合を含む。   As an example, the PLC 2 can adjust the tilt direction and angle of the chuck 5 based on the tilt direction and angle of the wafer 10 identified in step S8. Thereby, even if the wafer 10 is inclined, the wafer 10 can be taken out from the wafer cassette 20 without being damaged. Therefore, even if the wafer 10 is tilted, the transfer of the wafer 10 by the transfer robot 4 can be continued. The case where the wafer 10 is tilted includes the case where the wafer 10 is tilted and stored in the wafer cassette 20 or the case where the wafer cassette 20 itself is tilted.

§4 変形例
(変形例1)
上記実施形態では、図5に示されるとおり、PLC2の制御部21が、機能構成として傾き検出部211を備える例を説明した。この構成に代えて、センサユニット3の制御部(不図示)が、機能構成として傾き検出部211を備えてもよい。
§4 Modification (Modification 1)
In the above embodiment, as illustrated in FIG. 5, the example in which the control unit 21 of the PLC 2 includes the inclination detection unit 211 as a functional configuration has been described. Instead of this configuration, the control unit (not shown) of the sensor unit 3 may include an inclination detection unit 211 as a functional configuration.

(変形例2)
上記実施形態では、図1に示されるとおり、センサシステム1が、センサユニット3、搬送ロボット4、チャック5、および光電センサ6の組み合わせを1つのみ有する例を説明した。しかしながら、センサシステム1は、該組み合わせを複数有していてもよい。
(Modification 2)
In the above embodiment, as illustrated in FIG. 1, the example in which the sensor system 1 has only one combination of the sensor unit 3, the transfer robot 4, the chuck 5, and the photoelectric sensor 6 has been described. However, the sensor system 1 may have a plurality of such combinations.

(変形例3)
上記実施形態では、図7から図10などに示されるとおり、センサシステム1が、1枚のウェハ10をスキャンし、該ウェハ10の傾きの方向および角度を特定する例を説明した。この構成に代えて、センサシステム1は、複数枚のウェハ10(例えば、ウェハカセット20に格納されているすべてのウェハ10)をまとめてスキャンし、ウェハ10それぞれの傾きの方向および角度を特定してもよい。
(Modification 3)
In the embodiment described above, as illustrated in FIGS. 7 to 10 and the like, the sensor system 1 scans one wafer 10 and specifies an inclination direction and an angle of the wafer 10. Instead of this configuration, the sensor system 1 scans a plurality of wafers 10 (for example, all the wafers 10 stored in the wafer cassette 20) collectively, and specifies the inclination direction and angle of each wafer 10. May be.

(変形例4)
上記実施形態では、図4などに示されるとおり、センサシステム1が2つの光電センサ6を備え、ウェハ10の前後方向の傾きの方向および角度を特定する例を説明した。しかしながら、センサシステム1が複数の光電センサ6を備える構成は必須ではない。換言すれば、センサシステム1が備える光電センサは1つのみであってもよい。
(Modification 4)
In the above embodiment, as illustrated in FIG. 4 and the like, the sensor system 1 includes the two photoelectric sensors 6, and the example in which the direction and angle of the front and rear tilt of the wafer 10 are specified has been described. However, the configuration in which the sensor system 1 includes the plurality of photoelectric sensors 6 is not essential. In other words, the sensor system 1 may include only one photoelectric sensor.

(変形例5)
上記実施形態では、図6などに示されるとおり、センサシステム1が、ウェハ10の傾きの方向および角度を特定する例を説明した。しかしながら、センサシステム1がウェハ10の傾きの角度を特定する構成は必須ではない。換言すれば、センサシステム1は、ウェハ10の傾きの方向のみを特定してもよい。
(Modification 5)
In the above-described embodiment, as illustrated in FIG. 6 and the like, an example in which the sensor system 1 specifies the tilt direction and angle of the wafer 10 has been described. However, the configuration in which the sensor system 1 specifies the tilt angle of the wafer 10 is not essential. In other words, the sensor system 1 may specify only the direction of tilt of the wafer 10.

(変形例6)
上記実施形態では、図1、図3などに示されるとおり、光電センサ6がチャック5に設けられ、搬送ロボット4の制御によるチャック5の移動に伴い、光電センサ6が移動する例を説明した。しかしながら、光電センサ6は、チャック5の移動とは異なる方法で移動してもよい。換言すれば、光電センサ6を移動させる移動制御装置は、搬送ロボット4とは別の装置であってもよい。
(Modification 6)
In the above embodiment, as shown in FIGS. 1 and 3, the example in which the photoelectric sensor 6 is provided in the chuck 5 and the photoelectric sensor 6 moves as the chuck 5 moves under the control of the transfer robot 4 has been described. However, the photoelectric sensor 6 may move by a method different from the movement of the chuck 5. In other words, the movement control device that moves the photoelectric sensor 6 may be a device different from the transfer robot 4.

(変形例7)
上記実施形態では、センサシステム1が、特定したウェハ10の傾きの方向および角度に応じて、チャック5の傾きの方向および角度を制御する例を説明した。この構成に代えて、あるいは、この構成に加え、センサシステム1は、特定したウェハ10の傾きの角度が一定以上である場合、その旨をセンサシステム1のユーザに報知する構成を備えていてもよい。
(Modification 7)
In the above embodiment, the example in which the sensor system 1 controls the tilt direction and angle of the chuck 5 according to the specified tilt direction and angle of the wafer 10 has been described. Instead of this configuration, or in addition to this configuration, the sensor system 1 may be configured to notify the user of the sensor system 1 when the specified tilt angle of the wafer 10 is greater than or equal to a certain level. Good.

図11は、変形例7に係るセンサシステム1aに含まれる各装置のハードウェア構成の一例を模式的に例示する図である。センサシステム1aがセンサシステム1と異なる点は、図11に示されるとおり、PLC2に代えてPLC2aを含んでいる点、および、報知装置7を新たに含んでいる点である。   FIG. 11 is a diagram schematically illustrating an example of a hardware configuration of each device included in the sensor system 1a according to Modification 7. The sensor system 1a differs from the sensor system 1 in that a PLC 2a is included instead of the PLC 2 and a notification device 7 is newly included, as shown in FIG.

報知装置7は、センサシステム1のユーザに対する報知を行う装置であり、一例として、表示装置(ディスプレイ)であってもよい。この例の場合、報知装置7は、ウェハ10の傾きの角度が一定以上であることをユーザに報知、換言すれば、ウェハ10をウェハカセット20から取り出す際に、ウェハ10が傷つく可能性があることを警告する画面を表示する。   The notification device 7 is a device that notifies the user of the sensor system 1, and may be a display device (display) as an example. In this example, the notification device 7 notifies the user that the angle of inclination of the wafer 10 is equal to or greater than a certain value, in other words, the wafer 10 may be damaged when the wafer 10 is taken out from the wafer cassette 20. A warning screen is displayed.

PLC2aがPLC2と異なる点は、新たに出力インタフェース24を備えている点である。出力インタフェース24は、PLC2aがデータを出力するためのインタフェースである。本変形例では、PLC2aは、出力インタフェース24を介して、報知装置7に、ユーザに対する報知を行うための情報(例えば、上記画面を表示させるための表示情報)を出力する。   The difference between the PLC 2a and the PLC 2 is that an output interface 24 is newly provided. The output interface 24 is an interface for the PLC 2a to output data. In this modification, the PLC 2a outputs information (for example, display information for displaying the screen) to notify the user to the notification device 7 via the output interface 24.

また、本変形例に係る制御部21は、機能構成として、表示制御部(不図示)を備える。本変形例に係る傾き検出部211は、特定した、ウェハ10の傾きの角度が一定以上であるか否かを判定し、一定以上であった場合、上記表示情報の生成指示を表示制御部に出力する。表示制御部は、上記生成指示を受け、表示情報を生成し、出力インタフェース24を介して報知装置7へ出力する。   Moreover, the control part 21 which concerns on this modification is provided with a display control part (not shown) as a function structure. The tilt detection unit 211 according to this modification determines whether or not the specified tilt angle of the wafer 10 is equal to or greater than a certain value. If the tilt angle is equal to or greater than a certain value, the display control unit is instructed to generate the display information. Output. The display control unit receives the generation instruction, generates display information, and outputs the display information to the notification device 7 via the output interface 24.

これにより、センサシステム1aは、ウェハ10が傷つく可能性があることを、センサシステム1aのユーザ(例えば、オペレータ)に報知することができる。   Thereby, the sensor system 1a can notify the user (for example, operator) of the sensor system 1a that the wafer 10 may be damaged.

本発明は上述した実施形態および変形例に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。   The present invention is not limited to the above-described embodiments and modifications, and various modifications are possible within the scope shown in the claims, and can be obtained by appropriately combining technical means disclosed in different embodiments. Embodiments are also included in the technical scope of the present invention.

1、1a センサシステム
2、2a PLC(特定装置)
3 センサユニット(取得装置、特定装置)
4 搬送ロボット(移動制御装置、搬送装置)
5 チャック
6 光電センサ
10 ウェハ
20 ウェハカセット
60 検出光
61 投光部
62 受光部
101 ウェハ面(ウェハの平面)
S1 移動ステップ
S2、S3 取得ステップ
S6 特定ステップ
1, 1a sensor system 2, 2a PLC (specific device)
3 Sensor unit (acquisition device, specific device)
4 Transfer robot (movement control device, transfer device)
5 Chuck 6 Photoelectric Sensor 10 Wafer 20 Wafer Cassette 60 Detection Light 61 Light Emitting Unit
62 Light-receiving part 101 Wafer surface (plane of wafer)
S1 movement step S2, S3 acquisition step S6 identification step

Claims (6)

ウェハカセットに収納されたウェハの傾きを検出するセンサシステムであって、
検出光を投光する投光部、および、前記投光部によって投光された前記検出光を受光する受光部を有する光電センサと、
前記検出光の進行方向が、正常に収納されている前記ウェハの平面に平行となる状態で、前記光電センサを、前記検出光の進行方向に垂直な方向に移動させる移動制御装置と、
前記光電センサの移動中に、前記受光部が受光した光量を取得する取得装置と、
前記光電センサが、検出対象のウェハを検出している期間の前記光量の変化に基づき、前記ウェハの傾きの方向を特定する特定装置と、
を備える、
センサシステム。
A sensor system for detecting the tilt of a wafer stored in a wafer cassette,
A light projecting unit for projecting detection light, and a photoelectric sensor having a light receiving unit for receiving the detection light projected by the light projecting unit;
A movement control device for moving the photoelectric sensor in a direction perpendicular to the traveling direction of the detection light in a state in which the traveling direction of the detection light is parallel to the plane of the wafer that is normally stored;
An acquisition device that acquires the amount of light received by the light receiving unit during the movement of the photoelectric sensor;
Based on the change in the amount of light during a period in which the photoelectric sensor is detecting a detection target wafer, a specifying device that specifies the direction of tilt of the wafer;
Comprising
Sensor system.
前記特定装置は、さらに、前記光量の変化に基づき、前記ウェハの傾きの角度を特定する、
請求項1に記載のセンサシステム。
The specifying device further specifies an angle of inclination of the wafer based on the change in the light amount;
The sensor system according to claim 1.
前記センサシステムは、前記ウェハを搬送する搬送装置であって、前記ウェハを前記ウェハカセットから取り出すためのチャックを備えた搬送装置をさらに備え、
前記特定装置は、特定した前記ウェハの傾きおよび角度に応じて、前記チャックの傾きを制御する、
請求項2に記載のセンサシステム。
The sensor system is a transfer device for transferring the wafer, further comprising a transfer device including a chuck for taking out the wafer from the wafer cassette,
The specifying device controls the inclination of the chuck according to the specified inclination and angle of the wafer;
The sensor system according to claim 2.
前記移動制御装置は、前記搬送装置であり、
前記光電センサは、前記チャックの先端に設けられている、
請求項3に記載のセンサシステム。
The movement control device is the transport device,
The photoelectric sensor is provided at the tip of the chuck,
The sensor system according to claim 3.
前記検出光に対して垂直であり、かつ、前記移動制御装置による前記光電センサの移動方向に対して垂直である軸方向に、複数の前記光電センサを有する、
請求項1から4のいずれか1項に記載のセンサシステム。
A plurality of the photoelectric sensors in an axial direction perpendicular to the detection light and perpendicular to the movement direction of the photoelectric sensors by the movement control device;
The sensor system according to any one of claims 1 to 4.
ウェハカセットに収納されたウェハの傾きを検出するセンサシステムを用いた傾き検出方法であって、
前記センサシステムは、検出光を投光する投光部、および、前記投光部によって投光された前記検出光を受光する受光部を有する光電センサを備え、
前記検出光の進行方向が、正常に収納されている前記ウェハの平面に平行となる状態で、前記光電センサを、前記検出光の進行方向に垂直な方向に移動させる移動ステップと、
前記移動ステップ中に、前記受光部が受光した光量を取得する取得ステップと、
前記光電センサが、検出対象のウェハを検出している期間の前記光量の変化に基づき、前記ウェハの傾きの方向を特定する特定ステップと、を含む、傾き検出方法。
An inclination detection method using a sensor system for detecting an inclination of a wafer stored in a wafer cassette,
The sensor system includes a photoelectric sensor having a light projecting unit that projects detection light, and a light receiving unit that receives the detection light projected by the light projecting unit,
A moving step of moving the photoelectric sensor in a direction perpendicular to the traveling direction of the detection light in a state where the traveling direction of the detection light is parallel to a plane of the wafer that is normally stored;
An acquisition step of acquiring the amount of light received by the light receiving unit during the moving step;
An inclination detection method comprising: a specifying step of specifying a direction of inclination of the wafer based on a change in the amount of light during a period in which the photoelectric sensor detects a detection target wafer.
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