JP2019141117A - Pulse wave sensor - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、脈波センサに関する。 The present invention relates to a pulse wave sensor.
従来、この種の脈波センサとしては、圧力検出素子を有するセンサチップと、センサチップが固定される基板と、基板及びセンサチップを保護する保護カバーと、を備えるものが提案されている（例えば、特許文献１参照）。このセンサでは、保護カバーの外周面は、センサチップの検出面に垂直な方向において圧力検出素子よりも上方に配置されかつ検出面に平行な頂面を有するように形成されている。これにより、長時間の装着を行う場合の耐久性を十分に確保し、製造コストを抑えている。 Conventionally, this type of pulse wave sensor has been proposed that includes a sensor chip having a pressure detection element, a substrate to which the sensor chip is fixed, and a protective cover for protecting the substrate and the sensor chip (for example, , See Patent Document 1). In this sensor, the outer peripheral surface of the protective cover is formed to have a top surface that is disposed above the pressure detection element in a direction perpendicular to the detection surface of the sensor chip and is parallel to the detection surface. This ensures sufficient durability when mounting for a long time, and suppresses manufacturing costs.
しかしながら、上述の脈波センサでは、長時間の装着を行なう場合の耐久性を確保することができるが、装着時に圧迫感などの違和感を与える場合がある。こうした違和感を与えないようにするには、脈波センサを小型で精度の高いものとする必要がある。 However, although the above-described pulse wave sensor can ensure durability when wearing for a long time, it may give an uncomfortable feeling such as a feeling of pressure at the time of wearing. In order not to give such a sense of incongruity, it is necessary to make the pulse wave sensor small and highly accurate.
本発明の脈波センサは、小型で精度の高いセンサを提供することを主目的とする。 The main object of the pulse wave sensor of the present invention is to provide a small and highly accurate sensor.
本発明の脈波センサは、上述の主目的を達成するために以下の手段を採った。 The pulse wave sensor of the present invention employs the following means in order to achieve the main object described above.
本発明の脈波センサは、
測定対象の脈波を検出する脈波センサであって、
剛性の高い材料により第１空間を形成する第１空間形成部と、
前記第１空間と連通孔により連通する第２空間を形成し、前記第１空間形成部に対して対向する部位の少なくとも一部が測定対象との当接部として可撓性材料により形成され、前記当接部以外の部位については剛性の高い材料により形成された第２空間形成部と、
前記連通孔に若干の隙間をもって前記連通孔を塞ぐように取り付けられた梁状のセンサ部と、
を備えることを要旨とする。
The pulse wave sensor of the present invention is
A pulse wave sensor for detecting a pulse wave to be measured,
A first space forming portion that forms the first space with a highly rigid material;
Forming a second space that communicates with the first space by a communication hole, and at least a part of a portion facing the first space forming portion is formed of a flexible material as a contact portion with a measurement target; For the portion other than the contact portion, a second space forming portion formed of a highly rigid material,
A beam-shaped sensor portion attached to the communication hole so as to close the communication hole with a slight gap;
It is a summary to provide.
この本発明の脈波センサでは、剛性の高い材料により形成された第１空間形成部により第１空間を形成すると共に、第２空間形成部により第１空間と連通孔により連通する第２空間を形成する。第２空間形成部は、第１空間形成部に対して対向する部位の少なくとも一部が測定対象との当接部として可撓性材料により形成されており、この当接部以外の部位については剛性の高い材料により形成されている。第１空間と第２空間とを連通する連通孔には、若干の隙間をもって連通孔を塞ぐように梁状のセンサ部が取り付けられている。測定対象に当接部を当接すると、測定対象の脈によって当接部が振動し、第２空間の圧力を変化させる。この第２空間の圧力の変化により、第１空間と第２空間とに圧力差が生じ、その連通孔に取り付けられたセンサ部に撓みが生じる。このセンサ部の撓みを検出することにより、脈波を検出することができる。この脈波センサは、シンプルな構造であるから、半導体技術を用いれば、極めて小型なものとすることができる。精度の高いものとすることができる。これらの結果、小型で精度の高いセンサとすることができる。 In the pulse wave sensor according to the present invention, the first space is formed by the first space forming portion formed of a highly rigid material, and the second space communicating with the first space by the communication hole is formed by the second space forming portion. Form. In the second space forming portion, at least a part of the portion facing the first space forming portion is formed of a flexible material as a contact portion with the measurement object. It is made of a highly rigid material. A beam-shaped sensor portion is attached to the communication hole that communicates the first space and the second space so as to close the communication hole with a slight gap. When the contact portion comes into contact with the measurement target, the contact portion vibrates due to the pulse of the measurement target, and changes the pressure in the second space. Due to the change in the pressure in the second space, a pressure difference is generated between the first space and the second space, and the sensor unit attached to the communication hole is bent. A pulse wave can be detected by detecting the deflection of the sensor portion. Since this pulse wave sensor has a simple structure, it can be made extremely small by using semiconductor technology. It can be made highly accurate. As a result, the sensor can be small and highly accurate.
本発明の脈波センサにおいて、前記センサ部は、少なくとも梁の１つの支持部近傍は変形に応じて抵抗値が変化する材料により形成されているものとしてもよい。こうすれば、センサ部の撓みに応じた抵抗値を検出することができ、より高精度なセンサとすることができる。 In the pulse wave sensor of the present invention, the sensor portion may be formed of a material whose resistance value changes according to deformation at least in the vicinity of one support portion of the beam. If it carries out like this, the resistance value according to the bending of a sensor part can be detected, and it can be set as a more highly accurate sensor.
本発明の脈波センサにおいて、前記第２空間形成部は、円錐状または角錐状に形成されており、前記円錐状または前記角錐状の底面が前記当接部として構成されているものとしてもよい。こうすれば、脈波に対する感度を高くすることができる。 In the pulse wave sensor of the present invention, the second space forming portion may be formed in a conical shape or a pyramid shape, and a bottom surface of the conical shape or the pyramid shape may be configured as the contact portion. . In this way, the sensitivity to pulse waves can be increased.
次に、本発明を実施するための形態について説明する。図１は、実施形態の脈波センサ２０の構成の概略を示す構成図である。図２は、図１のＡ−Ａ断面により実施形態の脈波センサ２０を示す説明図である。なお、図１は、図２のＢ−Ｂ断面により実施形態の脈波センサ２０を示す説明図となる。 Next, the form for implementing this invention is demonstrated. FIG. 1 is a configuration diagram showing an outline of the configuration of the pulse wave sensor 20 of the embodiment. FIG. 2 is an explanatory diagram illustrating the pulse wave sensor 20 according to the embodiment along the AA cross section of FIG. 1. FIG. 1 is an explanatory diagram showing the pulse wave sensor 20 of the embodiment by a BB cross section of FIG.
実施形態の脈波センサ２０は、図示するように、第１筐体部材２２と、第２筐体部材２４と、膜部材２８と、センサチップ４０と、ケーブル４８ａ，４８ｂと、により構成されており、図１中下端（膜部材２８の下面）を測定対象に当接して脈波を検出する。 As shown in the figure, the pulse wave sensor 20 according to the embodiment includes a first housing member 22, a second housing member 24, a membrane member 28, a sensor chip 40, and cables 48a and 48b. In FIG. 1, the lower end (the lower surface of the membrane member 28) is brought into contact with the measurement object to detect the pulse wave.
第１筐体部材２２は、剛性の高い材料（例えば、強化プラスチックなど）により、一端（図１中の上端）が閉口され他端（図１中下端）が開口された円筒状に形成されている。第２筐体部材２４は、第１筐体部材２２と同様に剛性の高い材料（例えば、強化プラスチックなど）により、中央に連通孔２５を有し、下端（図１中下端）がすり鉢状（円錐状）に形成された円盤状部材として形成されている。第１筐体部材２２と第２筐体部材２４とにより、第１空間２６を形成する。 The first housing member 22 is formed in a cylindrical shape with one end (upper end in FIG. 1) closed and the other end (lower end in FIG. 1) opened by a highly rigid material (for example, reinforced plastic). Yes. The second housing member 24 is made of a highly rigid material (for example, reinforced plastic) as in the first housing member 22 and has a communication hole 25 in the center, and the lower end (lower end in FIG. 1) has a mortar shape ( It is formed as a disk-shaped member formed in a conical shape. A first space 26 is formed by the first housing member 22 and the second housing member 24.
膜部材２８は、膜を形成したときに膜として可撓性を有する材料（例えば、ポリイミドなどの樹脂）により薄膜として形成されている。膜部材２８と第２筐体部材２４とにより、第２空間３０を形成する。第１空間２６と第２空間３０は、第２筐体部材２４に形成された連通孔２５によって連通しており、全体としては密閉されている。上述したように、膜部材２８の下面を測定対象に当接して脈波を検出するから、膜部材２８は当接部を構成する。 The film member 28 is formed as a thin film of a material (for example, resin such as polyimide) having flexibility as a film when the film is formed. A second space 30 is formed by the film member 28 and the second housing member 24. The first space 26 and the second space 30 communicate with each other through a communication hole 25 formed in the second housing member 24 and are sealed as a whole. As described above, since the pulse wave is detected by bringing the lower surface of the membrane member 28 into contact with the measurement object, the membrane member 28 forms a contact portion.
センサチップ４０は、基本的にはケイ素により薄板状の基板として形成されており、略矩形の頭部４４ａと頭部４４ａを支持する２つの脚部４４ｂとからなる片持ち梁状のセンサレバー４２が形成されている。図２に示すように、センサレバー４２の境界部には、２つのコ字状の僅かな隙間４６ａ，４６ｂが形成されており、この隙間４６ａ，４６ｂで第１空間２６と第２空間３０は連通する。センサレバー４２の２つの脚部４４ｂは、変形に対して抵抗値が変化するピエゾ抵抗により形成されている。例えば、２つの脚部４４ｂは、ケイ素層にピエゾ抵抗層を積層することにより構成することができる。センサレバー４２は、第１空間２６と第２空間３０との間に圧力差が生じると、圧力が小さい方に撓む。このとき、２つの脚部４４ｂの撓みの程度が変化し、これにより２つの脚部４４ｂのピエゾ抵抗層の抵抗値が変化するから、この抵抗値の変化を検出信号として出力する。信号検出は、例えば、センサレバー４２の２つの脚部４４ｂを抵抗の１つとして構成されるホイーストンブリッジを用いることができる。こうしたセンサレバー４２は、半導体製造技術を用いることにより、極めて精度良く製造することができる。 The sensor chip 40 is basically formed as a thin plate substrate made of silicon, and has a cantilever sensor lever 42 including a substantially rectangular head portion 44a and two leg portions 44b that support the head portion 44a. Is formed. As shown in FIG. 2, two U-shaped slight gaps 46a and 46b are formed at the boundary portion of the sensor lever 42, and the first space 26 and the second space 30 are formed by the gaps 46a and 46b. Communicate. The two legs 44b of the sensor lever 42 are formed by piezoresistors whose resistance values change with respect to deformation. For example, the two legs 44b can be configured by laminating a piezoresistive layer on a silicon layer. When a pressure difference is generated between the first space 26 and the second space 30, the sensor lever 42 bends in a smaller pressure direction. At this time, the degree of bending of the two leg portions 44b changes, and thereby the resistance value of the piezoresistive layer of the two leg portions 44b changes. Therefore, the change in resistance value is output as a detection signal. For the signal detection, for example, a Wheatstone bridge configured with the two legs 44b of the sensor lever 42 as one of the resistors can be used. Such a sensor lever 42 can be manufactured with extremely high accuracy by using a semiconductor manufacturing technique.
図３は、実施形態の脈波センサ２０により計測した実験例の一例を示す説明図である。この実験例では、図４に示すように、実施形態の脈波センサ２０を左手の手首と人差し指の先端に取り付けている。この実験に用いた脈波センサ２０は、第１筐体部材２２については、外径を１２ｍｍ、内径を１０ｍｍ、長さを１．５ｍｍ、内側の高さを１ｍｍとした。第２筐体部材２４については、直径を１２ｍｍ、連通孔２５の直径を１．５ｍｍ、連通孔の長さを０．５ｍｍ、すり鉢状の底部の直径を８ｍｍとした。センサチップ４０については、縦横の長さを１．５ｍｍ、厚みを０．３ｍｍとした。センサレバー４２としては、頭部４４ａの幅を１００μｍ、２つの脚部４４ｂの付け根から頭部４４ａの端部までの長さを１２５μｍ、厚みを０．３μｍとした。なお、第１筐体部材２２と第２筐体部材２４については、３ＤプリンタによってFull cure 720により形成した。図３では、縦軸を抵抗歪み（抵抗値Ｒに対する抵抗値の変化量ΔＲ：ΔＲ／Ｒ）である。図３中、実線は手首に取り付けた脈波センサ２０により検出された信号であり、一点鎖線は人差し指の先端に取り付けた脈波センサ２０により検出された信号である。また、ΔＴは、２つの信号のピークにおける時間差である。図示するように、人差し指の先端に取り付けた脈波センサ２０からの信号は、手首に取り付けた脈波センサ２０からの信号に対して時間差ΔＴの遅れと信号の減衰が見られる。図５は、時間差ΔＴの時間変化の一例を示すグラフである。図示するように、時間の経過（状態の変化）により時間差ΔＴが若干変動するのが解る。 FIG. 3 is an explanatory diagram illustrating an example of an experiment measured by the pulse wave sensor 20 according to the embodiment. In this experimental example, as shown in FIG. 4, the pulse wave sensor 20 of the embodiment is attached to the wrist of the left hand and the tip of the index finger. In the pulse wave sensor 20 used in this experiment, the first housing member 22 has an outer diameter of 12 mm, an inner diameter of 10 mm, a length of 1.5 mm, and an inner height of 1 mm. Regarding the second housing member 24, the diameter was 12 mm, the diameter of the communication hole 25 was 1.5 mm, the length of the communication hole was 0.5 mm, and the diameter of the bottom of the mortar shape was 8 mm. About the sensor chip 40, the length of length and width was 1.5 mm, and thickness was 0.3 mm. As the sensor lever 42, the width of the head 44a is 100 μm, the length from the base of the two legs 44b to the end of the head 44a is 125 μm, and the thickness is 0.3 μm. The first housing member 22 and the second housing member 24 were formed by Full cure 720 using a 3D printer. In FIG. 3, the vertical axis represents resistance strain (resistance value change amount ΔR: ΔR / R with respect to the resistance value R). In FIG. 3, the solid line is a signal detected by the pulse wave sensor 20 attached to the wrist, and the alternate long and short dash line is a signal detected by the pulse wave sensor 20 attached to the tip of the index finger. ΔT is the time difference between the peaks of the two signals. As shown in the figure, the signal from the pulse wave sensor 20 attached to the tip of the index finger shows a delay of the time difference ΔT and the signal attenuation with respect to the signal from the pulse wave sensor 20 attached to the wrist. FIG. 5 is a graph showing an example of the time change of the time difference ΔT. As shown in the figure, it can be seen that the time difference ΔT slightly varies with the passage of time (change in state).
以上説明した実施形態の脈波センサ２０では、第１空間２６と第２空間３０との連通孔２５を塞ぐようにセンサチップ４０を取り付け、センサチップ４０に変形に対して抵抗値が変化する２つの脚部４４ｂと頭部４４ａとからなり、第１空間２６と第２空間３０との間に圧力差に応じて撓むるセンサレバー４２を形成する。第２空間３０を構成すると共に測定対象に当接する当接部を構成する膜部材２８は可撓性を有するから、脈波によって膜部材２８が変位し、第２空間３０の圧力を変化させ、第１空間２６と第２空間３０とに圧力差を生じさせる。この圧力差によりセンサレバー４２が撓み、２つの脚部４４ｂの抵抗値が変化し、これを検出することにより、脈波を検出することができる。センサレバー４２は、半導体製造技術を用いて形成することができるから、検出の精度を極めて高くすることができ、小型化を図ることができる。これらの結果、小型で精度の高いセンサとすることができる。しかも、第２筐体部材２４の底部をすり鉢状（円錐状）に形成したので、僅かな脈波でも感度良く検出することができる。 In the pulse wave sensor 20 of the embodiment described above, the sensor chip 40 is attached so as to close the communication hole 25 between the first space 26 and the second space 30, and the resistance value of the sensor chip 40 changes with respect to deformation 2. The sensor lever 42 which consists of the one leg part 44b and the head part 44a, and bends according to a pressure difference between the 1st space 26 and the 2nd space 30 is formed. Since the membrane member 28 that constitutes the second space 30 and constitutes the abutting portion that abuts the measurement object has flexibility, the membrane member 28 is displaced by the pulse wave, and the pressure of the second space 30 is changed, A pressure difference is generated between the first space 26 and the second space 30. The sensor lever 42 is bent by this pressure difference, and the resistance values of the two leg portions 44b are changed. By detecting this, the pulse wave can be detected. Since the sensor lever 42 can be formed using a semiconductor manufacturing technique, the detection accuracy can be extremely increased, and the size can be reduced. As a result, the sensor can be small and highly accurate. Moreover, since the bottom of the second housing member 24 is formed in a mortar shape (conical shape), even a slight pulse wave can be detected with high sensitivity.
実施形態の脈波センサ２０では、略矩形の頭部４４ａと頭部４４ａを支持する２つの脚部４４ｂとからなる片持ち梁状のセンサレバー４２を用いるものとしたが、略矩形の頭部とこの頭部を挟持する２つの脚部とからなる両持ち梁状のセンサ部としてもよい。この場合、２つの脚部の一方または双方を変形に対して抵抗値が変化するピエゾ抵抗により形成すればよい。 In the pulse wave sensor 20 of the embodiment, the cantilever-shaped sensor lever 42 including the substantially rectangular head 44a and the two legs 44b that support the head 44a is used. And it is good also as a double-supported beam-like sensor part which consists of two leg parts which pinch | interpose this head. In this case, one or both of the two legs may be formed by a piezoresistor whose resistance value changes with deformation.
実施形態の脈波センサ２０では、第２筐体部材２４の底部をすり鉢状（円錐状）に形成するものとした。しかし、図６の変形例の脈波センサ１２０の第２筐体部材１２４に示すように、底部から内側を円筒状に刳り抜いた形状としてもよい。 In the pulse wave sensor 20 of the embodiment, the bottom of the second housing member 24 is formed in a mortar shape (conical shape). However, as shown in the second housing member 124 of the pulse wave sensor 120 of the modified example of FIG. 6, the inside may be hollowed out in a cylindrical shape from the bottom.
実施形態の脈波センサ２０では、第２筐体部材２４の底部をすり鉢状（円錐状）に形成するものとした。しかし、図７の変形例の脈波センサ２２０に示すように、すり鉢状（円錐状）の部分を有しないものとしてもよい。この場合、第１筐体部材２２２や第２筐体部材２２４を連通孔を形成する程度の大きさに形成するものとすれば、第１空間２２６も第２空間２３０も小さくなり、センサ全体を極めて小さくすることができる。 In the pulse wave sensor 20 of the embodiment, the bottom of the second housing member 24 is formed in a mortar shape (conical shape). However, as shown in the pulse wave sensor 220 of the modification of FIG. 7, it may not have a mortar-shaped (conical) portion. In this case, if the first housing member 222 and the second housing member 224 are formed to have a size enough to form the communication hole, both the first space 226 and the second space 230 are reduced, and the entire sensor is It can be made extremely small.
実施形態の脈波センサ２０では、全体として円筒形に形成するものとした。しかし、全体として角柱形に形成するものとしてもよい。この場合、第２筐体部材の底部を角錐状に形成すればよい。 In the pulse wave sensor 20 of the embodiment, the whole is formed in a cylindrical shape. However, it may be formed in a prismatic shape as a whole. In this case, the bottom of the second housing member may be formed in a pyramid shape.
実施形態の脈波センサ２０では、膜部材２８の下面（当接面）を平坦な形状としたが、図８に例示する変形例の脈波センサ３２０Ａが備える膜部材２８Ａのように下面を全体として滑らかな凸形状としてもよい。また、図９に例示する変形例の脈波センサ３２０Ｂが備える膜部材２８Ｂのように、下面の中央に円筒形状（または矩形形状）のリブ２８ｂが形成されているものとしてもよい。図１０に例示する変形例の脈波センサ３２０Ｃが備える膜部材２８Ｃのように、下面に格子状（または千鳥状）に複数の円筒形状（または矩形形状）のリブ２８ｃが形成されているものとしてもよい。こうした図９や図１０に例示した変形例の脈波センサ３２０Ｂ，３２０Ｃのリブ２８ｂ，２８ｃの形状は、図１１や図１２に例示する変形例の脈波センサ３２０Ｄ，３２０Ｅの膜部材２８Ｄ，２８Ｅに形成されたリブ２８ｄ，２８ｅのように、側面を外側に凸の孤により描かれるように形成するものとしてもよい。 In the pulse wave sensor 20 of the embodiment, the lower surface (contact surface) of the film member 28 is flat, but the entire lower surface is similar to the film member 28A included in the pulse wave sensor 320A of the modified example illustrated in FIG. It is good also as a smooth convex shape. In addition, a cylindrical (or rectangular) rib 28b may be formed at the center of the lower surface as in the film member 28B provided in the pulse wave sensor 320B of the modified example illustrated in FIG. A plurality of cylindrical (or rectangular) ribs 28c are formed in a lattice (or zigzag) pattern on the lower surface as in the film member 28C provided in the pulse wave sensor 320C of the modified example illustrated in FIG. Also good. The shapes of the ribs 28b and 28c of the pulse wave sensors 320B and 320C of the modified example illustrated in FIGS. 9 and 10 are the film members 28D and 28E of the pulse wave sensors 320D and 320E of the modified example illustrated in FIGS. Like the ribs 28d and 28e formed in the above, the side surfaces may be formed so as to be drawn by convex arcs.
以上、本発明を実施するための形態について実施例を用いて説明したが、本発明はこうした実施例に何等限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において、種々なる形態で実施し得ることは勿論である。 As mentioned above, although the form for implementing this invention was demonstrated using the Example, this invention is not limited at all to such an Example, In the range which does not deviate from the summary of this invention, it is with various forms. Of course, it can be implemented.
本発明は、脈波センサの製造産業などに利用可能である。 The present invention is applicable to the pulse wave sensor manufacturing industry.
２０，１２０，２２０，３２０Ａ〜３２０Ｅ 脈波センサ、２２，２２２ 第１筐体部材、２４，１２４，２２４ 第２筐体部材、２５ 連通孔、２６，２２６ 第１空間、２８，２８Ａ〜２８Ｅ 膜部材、２８ｂ〜２８ｅ リブ、３０，２３０ 第２空間、４０ センサチップ、４２ センサレバー、４４ａ 頭部、４４ｂ 脚部、４８ａ，４８ｂ ケーブル。 20, 120, 220, 320A to 320E Pulse wave sensor, 22, 222 First housing member, 24, 124, 224 Second housing member, 25 communication hole, 26, 226 First space, 28, 28A to 28E Membrane Member, 28b-28e rib, 30, 230 2nd space, 40 sensor chip, 42 sensor lever, 44a head, 44b leg, 48a, 48b cable.
Claims (3)
剛性の高い材料により第１空間を形成する第１空間形成部と、
前記第１空間と連通孔により連通する第２空間を形成し、前記第１空間形成部に対して対向する部位の少なくとも一部が測定対象との当接部として可撓性材料により形成され、前記当接部以外の部位については剛性の高い材料により形成された第２空間形成部と、
前記連通孔に若干の隙間をもって前記連通孔を塞ぐように取り付けられた梁状のセンサ部と、
を備える脈波センサ。 A pulse wave sensor for detecting a pulse wave to be measured,
A first space forming portion that forms the first space with a highly rigid material;
Forming a second space that communicates with the first space by a communication hole, and at least a part of a portion facing the first space forming portion is formed of a flexible material as a contact portion with a measurement target; For the portion other than the contact portion, a second space forming portion formed of a highly rigid material,
A beam-shaped sensor portion attached to the communication hole so as to close the communication hole with a slight gap;
A pulse wave sensor.
前記センサ部は、少なくとも梁の１つの支持部近傍は変形に応じて抵抗値が変化する材料により形成されている、
脈波センサ。 The pulse wave sensor according to claim 1,
The sensor part is formed of a material whose resistance value changes according to deformation at least in the vicinity of one support part of the beam.
Pulse wave sensor.
前記第２空間形成部は、円錐状または角錐状に形成されており、前記円錐状または前記角錐状の底面が前記当接部として構成されている、
脈波センサ。 The pulse wave sensor according to claim 1 or 2,
The second space forming portion is formed in a conical shape or a pyramid shape, and the bottom surface of the conical shape or the pyramid shape is configured as the contact portion.
Pulse wave sensor.
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2020049135A (en) * | 2018-09-28 | 2020-04-02 | セイコーインスツル株式会社 | Pulse wave sensor and vibration sensor |
| WO2023167171A1 (en) * | 2022-03-01 | 2023-09-07 | ミネベアミツミ株式会社 | Pulse wave sensor |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005080722A (en) * | 2003-09-05 | 2005-03-31 | Sousei Denshi:Kk | Pulse pressure measuring device |
| US20110000313A1 (en) * | 2008-10-22 | 2011-01-06 | Honeywell International Inc. | Differential force sensor |
| WO2014016985A1 (en) * | 2012-07-24 | 2014-01-30 | パナソニック株式会社 | Flow sensor and air conditioning management systems using same |
| JP2014235095A (en) * | 2013-06-03 | 2014-12-15 | セイコーインスツル株式会社 | Pressure sensor |
| JP2016119981A (en) * | 2014-12-24 | 2016-07-07 | セイコーインスツル株式会社 | Pulse wave measurement apparatus and pulse wave measurement method |
-
2018
- 2018-02-15 JP JP2018025397A patent/JP7113487B2/en active Active
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005080722A (en) * | 2003-09-05 | 2005-03-31 | Sousei Denshi:Kk | Pulse pressure measuring device |
| US20110000313A1 (en) * | 2008-10-22 | 2011-01-06 | Honeywell International Inc. | Differential force sensor |
| WO2014016985A1 (en) * | 2012-07-24 | 2014-01-30 | パナソニック株式会社 | Flow sensor and air conditioning management systems using same |
| JP2014235095A (en) * | 2013-06-03 | 2014-12-15 | セイコーインスツル株式会社 | Pressure sensor |
| JP2016119981A (en) * | 2014-12-24 | 2016-07-07 | セイコーインスツル株式会社 | Pulse wave measurement apparatus and pulse wave measurement method |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2020049135A (en) * | 2018-09-28 | 2020-04-02 | セイコーインスツル株式会社 | Pulse wave sensor and vibration sensor |
| JP7130517B2 (en) | 2018-09-28 | 2022-09-05 | セイコーインスツル株式会社 | Pulse wave sensor and vibration sensor |
| WO2023167171A1 (en) * | 2022-03-01 | 2023-09-07 | ミネベアミツミ株式会社 | Pulse wave sensor |
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| Publication number | Publication date |
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