JP2019140304A - Tunable laser device, and wavelength control method of tunable laser device - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、波長可変レーザ装置、及び波長可変レーザ装置の波長制御方法に関する。 The present invention relates to a wavelength tunable laser device and a wavelength control method for the wavelength tunable laser device.
従来、波長可変レーザ装置において、入射する光の波長に対して周期的な透過特性を有する光フィルタを用いて、出力するレーザ光の波長を制御する技術が知られている(例えば、特許文献1参照)。
特許文献1に記載の波長可変レーザ装置は、出力するレーザ光の波長を可変とする波長可変光源部と、波長可変光源部から出力されたレーザ光の強度を取得する第1の受光素子と、エタロン等の光フィルタと、光フィルタを透過したレーザ光の強度を取得する第2の受光素子と、波長可変光源部の動作を制御する制御装置(演算回路)とを備える。
ここで、制御装置は、第1,第2の受光素子がそれぞれ取得したレーザ光の強度に基づいて、レーザ光の波長を制御するためのモニタ値を算出する。また、制御装置は、光フィルタにおける所定の温度(以下、基準温度と記載)での透過特性を用いて、レーザ光の目標波長に対応し、当該モニタ値の目標となる制御目標値を設定する。そして、制御装置は、モニタ値が制御目標値に合致するように、波長可変光源部の動作を制御する。
2. Description of the Related Art Conventionally, in a wavelength tunable laser apparatus, a technique for controlling the wavelength of laser light to be output using an optical filter having periodic transmission characteristics with respect to the wavelength of incident light is known (for example, Patent Document 1) reference).
The wavelength tunable laser device described in
Here, the control device calculates a monitor value for controlling the wavelength of the laser light based on the intensity of the laser light acquired by the first and second light receiving elements. In addition, the control device sets a control target value that is a target of the monitor value corresponding to the target wavelength of the laser light, using transmission characteristics at a predetermined temperature (hereinafter referred to as a reference temperature) in the optical filter. . Then, the control device controls the operation of the variable wavelength light source unit so that the monitor value matches the control target value.
ところで、光フィルタの透過特性は、当該光フィルタの温度が基準温度からずれると、波長軸上で全体がシフトするものである。すなわち、光フィルタの温度が基準温度からずれているにも拘らず、当該基準温度での透過特性を用いて、レーザ光の目標波長に対応する制御目標値を設定した場合には、光フィルタの透過特性が基準温度での透過特性からシフトしているため、当該制御目標値は、レーザ光の目標波長に対応した値とはならない。このため、モニタ値が当該制御目標値に合致するように波長可変光源部の動作を制御すると、レーザ光の波長は、目標波長からずれた波長に制御されてしまう。
そこで、特許文献1に記載の波長可変レーザ装置では、温度制御装置によって、光フィルタの温度を一定に制御している。しかしながら、光フィルタの温度を一定に制御していても、波長可変レーザ装置内部の温度バラつきや、波長可変レーザ装置の外部の温度等の環境により外部からの熱流入等が発生し、意図せずに光フィルタの温度が基準温度からずれてしまう場合がある。すなわち、レーザ光の波長を精度良く目標波長に制御することが難しい、という問題がある。
By the way, the transmission characteristics of the optical filter are such that when the temperature of the optical filter deviates from the reference temperature, the whole is shifted on the wavelength axis. That is, when the control target value corresponding to the target wavelength of the laser beam is set using the transmission characteristics at the reference temperature even though the temperature of the optical filter is deviated from the reference temperature, Since the transmission characteristic is shifted from the transmission characteristic at the reference temperature, the control target value is not a value corresponding to the target wavelength of the laser beam. For this reason, if the operation of the wavelength tunable light source unit is controlled so that the monitor value matches the control target value, the wavelength of the laser light is controlled to a wavelength shifted from the target wavelength.
Therefore, in the wavelength tunable laser device described in
本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、レーザ光の波長を精度良く目標波長に制御することができる波長可変レーザ装置、及び波長可変レーザ装置の波長制御方法を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above, and an object of the present invention is to provide a wavelength tunable laser device capable of accurately controlling the wavelength of laser light to a target wavelength, and a wavelength control method for the wavelength tunable laser device. And
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明に係る波長可変レーザ装置は、出力するレーザ光の波長を可変とする波長可変光源部と、前記波長可変光源部から出力されたレーザ光の強度を取得する第1の受光素子と、入射する光の波長に対して周期的に特性が変化する第1の透過特性を有する第1の光フィルタと、前記第1の光フィルタを透過したレーザ光の強度を取得する第2の受光素子と、入射する光の波長に対して周期的に特性が変化する第2の透過特性を有する第2の光フィルタと、前記第2の光フィルタを透過したレーザ光の強度を取得する第3の受光素子と、前記波長可変光源部の動作を制御する制御装置とを備え、前記制御装置は、前記第1の光フィルタ及び前記第2の光フィルタのフィルタ温度を推定する温度推定部と、前記第1の受光素子及び前記第2の受光素子が取得したレーザ光の強度に基づいて第1のモニタ値を算出するとともに、前記第1の受光素子及び前記第3の受光素子が取得したレーザ光の強度に基づいて第2のモニタ値を算出するモニタ値算出部と、前記フィルタ温度に基づいて、レーザ光の目標波長に対応するとともに前記第1のモニタ値の目標となる第1の制御目標値を補正して第1の補正制御目標値を生成するとともに、前記目標波長に対応するとともに前記第2のモニタ値の目標となる第2の制御目標値を補正して第2の補正制御目標値を生成する目標値補正部と、前記第1の補正制御目標値と前記第2の補正制御目標値とのいずれか一方の補正制御目標値を選択する目標値選択部と、前記目標値選択部にて選択された補正制御目標値と、前記第1のモニタ値及び前記第2のモニタ値のうち当該補正制御目標値を目標値とするモニタ値とに基づいて、前記波長可変光源部から出力されるレーザ光の波長を前記目標波長に制御する動作制御部とを備えることを特徴とする。 In order to solve the above-described problems and achieve the object, a wavelength tunable laser device according to the present invention includes a wavelength tunable light source unit that varies the wavelength of output laser light, and a laser output from the wavelength tunable light source unit. A first light receiving element for acquiring the intensity of light, a first optical filter having a first transmission characteristic whose characteristic periodically changes with respect to a wavelength of incident light, and the first optical filter that transmits the light. A second light receiving element for obtaining the intensity of the laser light, a second optical filter having a second transmission characteristic whose characteristics periodically change with respect to the wavelength of the incident light, and the second optical filter. A third light receiving element that acquires the intensity of the laser light that has passed through the light source, and a control device that controls the operation of the wavelength tunable light source unit. The control device includes the first optical filter and the second light. Estimate the filter temperature of the filter And a first monitor value based on the intensity of the laser beam acquired by the first light receiving element and the second light receiving element, and the first light receiving element and the third light receiving element A monitor value calculation unit that calculates a second monitor value based on the acquired intensity of the laser beam, and a first value that corresponds to the target wavelength of the laser beam and that is the target of the first monitor value based on the filter temperature. The first control target value is corrected to generate a first corrected control target value, and the second control target value corresponding to the target wavelength and serving as the target of the second monitor value is corrected to a second value. A target value correction unit that generates a correction control target value of the first correction control target value, a target value selection unit that selects one of the first correction control target value and the second correction control target value; Correction selected by the target value selection unit The wavelength of the laser light output from the wavelength tunable light source unit based on a target value and a monitor value having the correction control target value as a target value among the first monitor value and the second monitor value And an operation control unit for controlling the wavelength to the target wavelength.
また、本発明に係る波長可変レーザ装置では、上記発明において、前記制御装置は、複数の温度毎に設けられた目標値補正情報を記憶する記憶部をさらに備え、前記目標値補正情報は、複数の波長と複数の補正値とがそれぞれ関連付けられた情報であり、前記目標値補正部は、前記複数の目標値補正情報のうち前記フィルタ温度に対応する目標値補正情報を参照し、当該目標値補正情報における前記複数の補正値のうち前記目標波長が関連付けられた補正値を用いて、前記第1の制御目標値及び前記第2の制御目標値を補正することを特徴とする。 In the wavelength tunable laser device according to the present invention, in the above invention, the control device further includes a storage unit that stores target value correction information provided for each of a plurality of temperatures, and the target value correction information includes a plurality of target value correction information. And the target value correction unit refers to target value correction information corresponding to the filter temperature among the plurality of target value correction information, and the target value The first control target value and the second control target value are corrected using a correction value associated with the target wavelength among the plurality of correction values in the correction information.
また、本発明に係る波長可変レーザ装置では、上記発明において、前記目標値補正部は、前記複数の目標値補正情報における前記目標波長が関連付けられた複数の補正値から補間により補正値を生成し、当該生成した補正値を用いて、前記第1の制御目標値及び前記第2の制御目標値を補正することを特徴とする。 In the wavelength tunable laser device according to the present invention, in the above invention, the target value correction unit generates a correction value by interpolation from a plurality of correction values associated with the target wavelengths in the plurality of target value correction information. The correction value thus generated is used to correct the first control target value and the second control target value.
また、本発明に係る波長可変レーザ装置では、上記発明において、前記制御装置は、前記第1の光フィルタ及び前記第2の光フィルタにおける温度特性を示す温度特性情報と、前記第1の透過特性及び前記第2の透過特性を示すスロープ情報とを記憶する記憶部をさらに備え、前記温度特性情報は、単位温度当たりの波長のずれ量を示す情報であり、前記スロープ情報は、前記第1の光フィルタ及び前記第2の光フィルタに入射する光の波長の変動量に対する前記第1のモニタ値及び前記第2のモニタ値の変動量の比率を示す情報であり、前記目標値補正部は、前記フィルタ温度及び基準温度の温度差と、前記温度特性情報と、前記スロープ情報とに基づいて補正値を生成し、当該生成した補正値を用いて、前記第1の制御目標値及び前記第2の制御目標値を補正することを特徴とする。 In the wavelength tunable laser device according to the present invention, in the above invention, the control device includes temperature characteristic information indicating temperature characteristics in the first optical filter and the second optical filter, and the first transmission characteristic. And a storage unit for storing slope information indicating the second transmission characteristic, the temperature characteristic information is information indicating a wavelength shift amount per unit temperature, and the slope information is the first slope information. The information indicating the ratio of the fluctuation amount of the first monitor value and the second monitor value to the fluctuation amount of the wavelength of light incident on the optical filter and the second optical filter, the target value correction unit, A correction value is generated based on the temperature difference between the filter temperature and the reference temperature, the temperature characteristic information, and the slope information, and the first control target value and the first value are generated using the generated correction value. And correcting the control target value of.
また、本発明に係る波長可変レーザ装置では、上記発明において、前記制御装置は、前記第1の透過特性を示す第1の基準値情報と、前記第2の透過特性を示す第2の基準値情報とを記憶する記憶部をさらに備え、前記第1の基準値情報は、前記第1の光フィルタに入射する光の波長を前記第1の透過特性における1周期分変動させた際での前記第1のモニタ値の第1の平均値を示す情報であり、前記第2の基準値情報は、前記第2の光フィルタに入射する光の波長を前記第2の透過特性における1周期分変動させた際での前記第2のモニタ値の第2の平均値を示す情報であり、前記目標値選択部は、前記第1の補正制御目標値及び前記第1の平均値の差分と前記第2の補正制御目標値及び前記第2の平均値の差分とのうち、当該差分が小さい補正制御目標値を選択することを特徴とする。 In the wavelength tunable laser device according to the present invention, in the above invention, the control device includes a first reference value information indicating the first transmission characteristic and a second reference value indicating the second transmission characteristic. The first reference value information is obtained by changing the wavelength of light incident on the first optical filter by one period in the first transmission characteristic. It is information indicating a first average value of the first monitor values, and the second reference value information varies the wavelength of light incident on the second optical filter by one period in the second transmission characteristic. Information indicating a second average value of the second monitor value at the time when the target value is selected, and the target value selection unit includes a difference between the first correction control target value and the first average value and the first average value. The difference between the correction control target value 2 and the difference between the second average values is small. And selects the correction control target value.
また、本発明に係る波長可変レーザ装置では、上記発明において、前記記憶部は、変動範囲を示す変動範囲情報をさらに記憶し、前記目標値選択部は、直前に選択した補正制御目標値を中心とする前記変動範囲内に当該直前に選択された補正制御目標値に対応するとともに前記目標値補正部にて新たに生成された補正制御目標値が入った場合には、当該新たに生成された補正制御目標値とは別の補正制御目標値の方が前記平均値に近い場合であっても、当該新たに生成された補正制御目標値を選択することを特徴とする。 In the wavelength tunable laser device according to the present invention, in the above invention, the storage unit further stores variation range information indicating a variation range, and the target value selection unit focuses on the correction control target value selected immediately before. When the correction control target value newly generated by the target value correction unit and corresponding to the correction control target value selected immediately before is included in the fluctuation range, the newly generated Even when a correction control target value different from the correction control target value is closer to the average value, the newly generated correction control target value is selected.
また、本発明に係る波長可変レーザ装置では、上記発明において、前記制御装置は、前記第1の光フィルタに第1の波長のレーザ光を入力した場合に、当該第1の波長に対応するとともに前記第1のモニタ値として期待される期待モニタ値を示す期待モニタ値情報を記憶する記憶部をさらに備え、前記温度推定部は、前記第1の光フィルタに前記第1の波長のレーザ光を入力した場合での前記第1のモニタ値と前記期待モニタ値との差分に基づいて、前記フィルタ温度を推定することを特徴とする。 In the wavelength tunable laser device according to the present invention, in the above invention, the control device corresponds to the first wavelength when laser light having the first wavelength is input to the first optical filter. A storage unit that stores expected monitor value information indicating an expected monitor value expected as the first monitor value, wherein the temperature estimation unit applies the laser light of the first wavelength to the first optical filter; The filter temperature is estimated based on a difference between the first monitor value and the expected monitor value when input.
また、本発明に係る波長可変レーザ装置では、上記発明において、当該波長可変レーザ装置の周囲温度を検出する温度センサをさらに備え、前記温度推定部は、前記周囲温度に基づいて、前記フィルタ温度を推定することを特徴とする。 The wavelength tunable laser device according to the present invention may further include a temperature sensor that detects an ambient temperature of the wavelength tunable laser device according to the above invention, and the temperature estimation unit may calculate the filter temperature based on the ambient temperature. It is characterized by estimating.
また、本発明に係る波長可変レーザ装置は、出力するレーザ光の波長を可変とする波長可変光源部と、前記波長可変光源部から出力されたレーザ光の強度を取得する第1の受光素子と、入射する光の波長に対して周期的に特性が変化する第1の透過特性を有する第1の光フィルタと、前記第1の光フィルタを透過したレーザ光の強度を取得する第2の受光素子と、入射する光の波長に対して周期的に特性が変化する第2の透過特性を有する第2の光フィルタと、前記第2の光フィルタを透過したレーザ光の強度を取得する第3の受光素子と、前記波長可変光源部の動作を制御する制御装置とを備え、前記制御装置は、前記第1の光フィルタ及び前記第2の光フィルタのフィルタ温度を推定する温度推定部と、前記第1の受光素子及び前記第2の受光素子が取得したレーザ光の強度に基づいて第1のモニタ値を算出するとともに、前記第1の受光素子及び前記第3の受光素子が取得したレーザ光の強度に基づいて第2のモニタ値を算出するモニタ値算出部と、レーザ光の目標波長に対応するとともに前記第1のモニタ値の目標となる第1の制御目標値と、前記目標波長に対応するとともに前記第2のモニタ値の目標となる第2の制御目標値とのいずれか一方の制御目標値を選択する目標値選択部と、前記フィルタ温度に基づいて、前記目標値選択部にて選択された制御目標値を補正し、補正制御目標値を生成する目標値補正部と、前記補正制御目標値と、前記第1のモニタ値及び前記第2のモニタ値のうち当該補正制御目標値を目標値とするモニタ値とに基づいて、前記波長可変光源部から出力されるレーザ光の波長を前記目標波長に制御する動作制御部とを備えることを特徴とする。 Further, the wavelength tunable laser device according to the present invention includes a wavelength tunable light source unit that makes the wavelength of the laser beam to be output variable, and a first light receiving element that acquires the intensity of the laser beam output from the wavelength tunable light source unit. A first optical filter having a first transmission characteristic whose characteristics periodically change with respect to the wavelength of the incident light, and a second light receiving unit for acquiring the intensity of the laser light transmitted through the first optical filter. An element, a second optical filter having a second transmission characteristic whose characteristics periodically change with respect to the wavelength of incident light, and a third for acquiring the intensity of the laser light transmitted through the second optical filter. The light receiving element and a control device that controls the operation of the wavelength tunable light source unit, and the control device estimates a filter temperature of the first optical filter and the second optical filter, and The first light receiving element and the second light receiving element A first monitor value is calculated based on the intensity of the laser light acquired by the light receiving element, and a second monitor value is calculated based on the intensity of the laser light acquired by the first light receiving element and the third light receiving element. A monitor value calculation unit for calculating the first monitor target value corresponding to the target wavelength of the laser beam and the target of the first monitor value, and the second monitor value corresponding to the target wavelength. A target value selection unit that selects any one of the target control target values and a control target value selected by the target value selection unit based on the filter temperature. A target value correction unit that generates a correction control target value, the correction control target value, and a monitor value that uses the correction control target value as a target value among the first monitor value and the second monitor value. Based on the tunable light source The wavelength of the laser beam output from, characterized in that it comprises an operation control unit for controlling the target wavelength.
本発明に係る波長可変レーザ装置の波長制御方法は、出力するレーザ光の波長を可変とする波長可変光源部と、前記波長可変光源部から出力されたレーザ光の強度を取得する第1の受光素子と、入射する光の波長に対して周期的に特性が変化する第1の透過特性を有する第1の光フィルタと、前記第1の光フィルタを透過したレーザ光の強度を取得する第2の受光素子と、入射する光の波長に対して周期的に特性が変化する第2の透過特性を有する第2の光フィルタと、前記第2の光フィルタを透過したレーザ光の強度を取得する第3の受光素子とを備えた波長可変レーザ装置の波長制御方法であって、前記第1の光フィルタ及び前記第2の光フィルタのフィルタ温度を推定する温度推定ステップと、前記第1の受光素子及び前記第2の受光素子が取得したレーザ光の強度に基づいて第1のモニタ値を算出するとともに、前記第1の受光素子及び前記第3の受光素子が取得したレーザ光の強度に基づいて第2のモニタ値を算出するモニタ値算出ステップと、前記フィルタ温度に基づいて、レーザ光の目標波長に対応するとともに前記第1のモニタ値の目標となる第1の制御目標値を補正して第1の補正制御目標値を生成するとともに、前記目標波長に対応するとともに前記第2のモニタ値の目標となる第2の制御目標値を補正して第2の補正制御目標値を生成する目標値補正ステップと、前記第1の補正制御目標値と前記第2の補正制御目標値とのいずれか一方の補正制御目標値を選択する目標値選択ステップと、前記目標値選択ステップにて選択した補正制御目標値と、前記第1のモニタ値及び前記第2のモニタ値のうち当該補正制御目標値を目標値とするモニタ値とに基づいて、前記波長可変光源部から出力されるレーザ光の波長を前記目標波長に制御する動作制御ステップとを備えることを特徴とする。 A wavelength control method for a wavelength tunable laser device according to the present invention includes a wavelength tunable light source unit that varies a wavelength of laser light to be output, and a first light receiving unit that acquires the intensity of the laser light output from the wavelength tunable light source unit. An element, a first optical filter having a first transmission characteristic whose characteristics periodically change with respect to the wavelength of incident light, and a second for acquiring the intensity of laser light transmitted through the first optical filter. Light receiving elements, a second optical filter having a second transmission characteristic whose characteristics periodically change with respect to the wavelength of incident light, and the intensity of the laser light transmitted through the second optical filter. A wavelength control method for a wavelength tunable laser device comprising a third light receiving element, the temperature estimating step for estimating filter temperatures of the first optical filter and the second optical filter, and the first light receiving Element and second light receiving element The first monitor value is calculated based on the intensity of the laser beam acquired by the child, and the second monitor value is calculated based on the intensity of the laser beam acquired by the first light receiving element and the third light receiving element. Based on the monitor value calculation step to be calculated and the filter temperature, the first control target value corresponding to the target wavelength of the laser beam and correcting the first control target value that is the target of the first monitor value is corrected. A target value correcting step for generating a value and correcting a second control target value corresponding to the target wavelength and serving as a target of the second monitor value to generate a second corrected control target value; A target value selection step for selecting one of the first correction control target value and the second correction control target value; a correction control target value selected in the target value selection step; The first Operation control for controlling the wavelength of the laser light output from the wavelength tunable light source unit to the target wavelength based on the monitor value and the monitor value having the correction control target value as the target value among the monitor value and the second monitor value And a step.
本発明に係る波長可変レーザ装置の波長制御方法は、出力するレーザ光の波長を可変とする波長可変光源部と、前記波長可変光源部から出力されたレーザ光の強度を取得する第1の受光素子と、入射する光の波長に対して周期的に特性が変化する第1の透過特性を有する第1の光フィルタと、前記第1の光フィルタを透過したレーザ光の強度を取得する第2の受光素子と、入射する光の波長に対して周期的に特性が変化する第2の透過特性を有する第2の光フィルタと、前記第2の光フィルタを透過したレーザ光の強度を取得する第3の受光素子とを備えた波長可変レーザ装置の波長制御方法であって、前記第1の光フィルタ及び前記第2の光フィルタのフィルタ温度を推定する温度推定ステップと、前記第1の受光素子及び前記第2の受光素子が取得したレーザ光の強度に基づいて第1のモニタ値を算出するとともに、前記第1の受光素子及び前記第3の受光素子が取得したレーザ光の強度に基づいて第2のモニタ値を算出するモニタ値算出ステップと、レーザ光の目標波長に対応するとともに前記第1のモニタ値の目標となる第1の制御目標値と、前記目標波長に対応するとともに前記第2のモニタ値の目標となる第2の制御目標値とのいずれか一方の制御目標値を選択する目標値選択ステップと、前記フィルタ温度に基づいて、前記目標値選択ステップにて選択した制御目標値を補正し、補正制御目標値を生成する目標値補正ステップと、前記補正制御目標値と、前記第1のモニタ値及び前記第2のモニタ値のうち当該補正制御目標値を目標値とするモニタ値とに基づいて、前記波長可変光源部から出力されるレーザ光の波長を前記目標波長に制御する動作制御部とを備えることを特徴とする。 A wavelength control method for a wavelength tunable laser device according to the present invention includes a wavelength tunable light source unit that varies a wavelength of laser light to be output, and a first light receiving unit that acquires the intensity of the laser light output from the wavelength tunable light source unit. An element, a first optical filter having a first transmission characteristic whose characteristics periodically change with respect to the wavelength of incident light, and a second for acquiring the intensity of laser light transmitted through the first optical filter. Light receiving elements, a second optical filter having a second transmission characteristic whose characteristics periodically change with respect to the wavelength of incident light, and the intensity of the laser light transmitted through the second optical filter. A wavelength control method for a wavelength tunable laser device comprising a third light receiving element, the temperature estimating step for estimating filter temperatures of the first optical filter and the second optical filter, and the first light receiving Element and second light receiving element The first monitor value is calculated based on the intensity of the laser beam acquired by the child, and the second monitor value is calculated based on the intensity of the laser beam acquired by the first light receiving element and the third light receiving element. A monitor value calculating step to calculate; a first control target value corresponding to the target wavelength of the laser beam and serving as a target of the first monitor value; and a target of the second monitor value corresponding to the target wavelength. A target value selection step for selecting any one of the second control target values to be corrected, and the control target value selected in the target value selection step is corrected based on the filter temperature. Based on a target value correcting step for generating a control target value, the corrected control target value, and a monitor value that uses the corrected control target value as a target value among the first monitor value and the second monitor value. , The wavelength of the laser beam output from the serial wavelength tunable light source unit characterized in that it comprises an operation control unit for controlling the target wavelength.
本発明に係る波長可変レーザ装置、及び波長可変レーザ装置の波長制御方法によれば、レーザ光の波長を精度良く目標波長に制御することができる、という効果を奏する。 According to the wavelength tunable laser device and the wavelength control method of the wavelength tunable laser device according to the present invention, there is an effect that the wavelength of the laser light can be controlled to the target wavelength with high accuracy.
以下に、図面を参照して、本発明を実施するための形態(以下、実施の形態)について説明する。なお、以下に説明する実施の形態によって本発明が限定されるものではない。さらに、図面の記載において、同一の部分には同一の符号を付している。また、図面は模式的なものであり、各要素の寸法の関係、各要素の比率等は、現実と異なる場合がある。さらに、図面の相互間においても、互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれている場合がある。また、図中で適宜xyz座標軸を示し、これにより方向を説明する。 DESCRIPTION OF EMBODIMENTS Hereinafter, modes for carrying out the present invention (hereinafter, embodiments) will be described with reference to the drawings. The present invention is not limited to the embodiments described below. Furthermore, the same code | symbol is attached | subjected to the same part in description of drawing. Further, the drawings are schematic, and the dimensional relationship of each element, the ratio of each element, and the like may be different from the actual ones. Furthermore, there are cases in which parts having different dimensional relationships and ratios are included between the drawings. In addition, xyz coordinate axes are appropriately shown in the drawing, and directions will be described.
(実施の形態1)
〔波長可変レーザ装置の概略構成〕
図1は、本実施の形態1に係る波長可変レーザ装置1の構成を示す図である。
波長可変レーザ装置1は、モジュール化された波長可変レーザモジュール2と、当該波長可変レーザモジュール2の動作を制御する制御装置3と、温度センサ8とを備える。
なお、図1では、波長可変レーザモジュール2と制御装置3とを別体で構成しているが、当該各部材2,3を一体にモジュール化しても構わない。
(Embodiment 1)
[Schematic configuration of wavelength tunable laser device]
FIG. 1 is a diagram showing a configuration of a wavelength
The wavelength
In FIG. 1, the wavelength tunable laser module 2 and the control device 3 are configured separately, but the members 2 and 3 may be integrated into a module.
〔波長可変レーザモジュールの構成〕
波長可変レーザモジュール2は、制御装置3による制御の下、出力するレーザ光の波長を複数の波長のうちいずれか一波長のレーザ光に可変とし、当該一波長のレーザ光を出力する。この波長可変レーザモジュール2は、波長可変光源部4と、半導体光増幅器(Semiconductor Optical Amplifier:SOA)5と、平面光波回路(Planar Lightwave Circuit:PLC)6と、光検出部7と、温度調節器9とを備える。
[Configuration of tunable laser module]
The wavelength tunable laser module 2 changes the wavelength of the laser beam to be output to one of a plurality of wavelengths under the control of the control device 3, and outputs the laser beam having the one wavelength. The wavelength tunable laser module 2 includes a wavelength tunable light source section 4, a semiconductor optical amplifier (SOA) 5, a planar lightwave circuit (PLC) 6, a
図2は、波長可変光源部4の構成を示す図である。
波長可変光源部4は、例えばバーニア効果を利用した波長可変レーザであり、制御装置3による制御の下、レーザ光L1を出力する。この波長可変光源部4は、出力するレーザ光L1の波長を可変とする光源部41と、制御装置3から供給される電力に応じて発熱する3つのマイクロヒータ421〜423を有し、光源部41を局所的に加熱することで、光源部41から出力されるレーザ光L1の波長を変更する波長可変部42とを備える。
FIG. 2 is a diagram illustrating a configuration of the wavelength tunable light source unit 4.
The wavelength tunable light source unit 4 is a wavelength tunable laser using, for example, a vernier effect, and outputs laser light L1 under the control of the control device 3. The wavelength tunable light source unit 4 includes a
光源部41は、共通の基部B1上にそれぞれ形成された第1,第2の導波路部43,44を備える。ここで、基部B1は、例えばn型InPからなる。そして、基部B1の裏面には、例えばAuGeNiを含んで構成され、当該基部B1とオーミック接触するn側電極45が形成されている。
The
第1の導波路部43は、埋め込み導波路構造を有している。この第1の導波路部43は、導波路部431と、半導体積層部432と、p側電極433とを備える。
導波路部431は、半導体積層部432内にz方向に延伸するように形成されている。
また、第1の導波路部43内には、利得部431aと、DBR(Distributed Bragg Reflector)型の回折格子層431bとが配置されている。
ここで、利得部431aは、InGaAsPからなる多重量子井戸構造と光閉じ込め層とを有する活性層である。また、回折格子層431bは、InGaAsPとInPとからなる標本化回折格子で構成されている。
The
The
In the
Here, the
半導体積層部432は、InP系半導体層が積層して構成されており、導波路部431に対してクラッド部の機能等を備える。
p側電極433は、半導体積層部432上において、利得部431aに沿うように配置されている。なお、半導体積層部432上には、SiN保護膜(図示略)が形成されている。そして、p側電極433は、当該SiN保護膜に形成された開口部(図示略)を介して半導体積層部432に接触している。
ここで、マイクロヒータ421は、半導体積層部432のSiN保護膜上において、回折格子層431bに沿うように配置されている。そして、マイクロヒータ421は、制御装置3から供給される電力に応じて発熱し、回折格子層431bを加熱する。また、制御装置3がマイクロヒータ421に供給する電力を制御することによって回折格子層431bの温度が変化し、その屈折率が変化する。
The semiconductor laminated
The p-
Here, the
第2の導波路部44は、2分岐部441と、2つのアーム部442,443と、リング状導波路444とを備える。
2分岐部441は、1×2型の多モード干渉型(MMI)導波路441aを含む1×2型の分岐型導波路で構成され、2ポート側が2つのアーム部442,443のそれぞれに接続されるとともに1ポート側が第1の導波路部43側に接続されている。すなわち、2分岐部441により、2つのアーム部442,443は、その一端が統合され、回折格子層431bと光学的に結合される。
The
The two-
アーム部442,443は、いずれもz方向に延伸し、リング状導波路444を挟むように配置されている。これらアーム部442,443は、リング状導波路444といずれも同一の結合係数κでリング状導波路444と光学的に結合している。κの値は、例えば0.2である。そして、アーム部442,443とリング状導波路444とは、リング共振器フィルタRF1を構成している。また、リング共振器フィルタRF1と2分岐部441とは、反射ミラーM1を構成している。
ここで、マイクロヒータ422は、リング状であり、リング状導波路444を覆うように形成されたSiN保護膜(図示略)上に配置されている。そして、マイクロヒータ422は、制御装置3から供給される電力に応じて発熱し、リング状導波路444を加熱する。また、制御装置3がマイクロヒータ422に供給する電力を制御することによってリング状導波路444の温度が変化し、その屈折率が変化する。
Each of the
Here, the
上述した2分岐部441、アーム部442,443、及びリング状導波路444は、いずれも、InGaAsPからなる光導波層44aがInPからなるクラッド層によって挟まれたハイメサ導波路構造を有している。
ここで、マイクロヒータ423は、アーム部443の一部のSiN保護膜(図示略)上に配置されている。当該アーム部443のうちマイクロヒータ423の下方の領域は、光の位相を変化させる位相調整部445として機能する。そして、マイクロヒータ423は、制御装置3から供給される電力に応じて発熱し、位相調整部445を加熱する。また、制御装置3がマイクロヒータ423に供給する電力を制御することによって位相調整部445の温度が変化し、その屈折率が変化する。
The above-described
Here, the
以上説明した第1,第2の導波路部43,44は、互いに光学的に接続された回折格子層431bと反射ミラーM1とにより構成される光共振器C1を構成している。また、利得部431aと位相調整部445とは、光共振器C1内に配置される。
The first and
回折格子層431bは、略所定の波長間隔で略周期的な反射特性を有する第1の櫛状反射スペクトルを生成する。一方、リング共振器フィルタRF1は、略所定の波長間隔で略周期的な反射特性を有する第2の櫛状反射スペクトルを生成する。
ここで、第2の櫛状反射スペクトルは、第1の櫛状反射スペクトルのピークの半値全幅よりも狭い半値全幅のピークを有し、第1の櫛状反射スペクトルの波長間隔とは異なる波長間隔で略周期的な反射特性を有する。但し、屈折率の波長分散を考慮すると、スペクトル成分は厳密には等波長間隔になっていないことに注意が必要である。
The
Here, the second comb-like reflection spectrum has a peak with a full width at half maximum narrower than the full width at half maximum of the peak of the first comb-like reflection spectrum, and a wavelength interval different from the wavelength interval of the first comb-like reflection spectrum. And has a substantially periodic reflection characteristic. However, in consideration of the wavelength dispersion of the refractive index, it should be noted that the spectral components are not strictly equal wavelength intervals.
各櫛状反射スペクトルの特性について例示すると、第1の櫛状反射スペクトルのピーク間の波長間隔(自由スペクトル領域:FSR)は、光の周波数で表すと373GHzである。また、各ピークの半値全幅は、光の周波数で表すと43GHzである。一方、第2の櫛状反射スペクトルのピーク間の波長間隔(FSR)は、光の周波数で表すと400GHzである。また、各ピークの半値全幅は、光の周波数で表すと25GHzである。すなわち、第2の櫛状反射スペクトルの各ピークの半値全幅(25GHz)は、第1の櫛状反射スペクトルの各ピークの半値全幅(43GHz)より狭い。 Illustrating the characteristics of each comb-like reflection spectrum, the wavelength interval (free spectral region: FSR) between the peaks of the first comb-like reflection spectrum is 373 GHz in terms of the frequency of light. The full width at half maximum of each peak is 43 GHz in terms of the frequency of light. On the other hand, the wavelength interval (FSR) between peaks of the second comb-like reflection spectrum is 400 GHz in terms of the frequency of light. The full width at half maximum of each peak is 25 GHz in terms of light frequency. That is, the full width at half maximum (25 GHz) of each peak of the second comb-like reflection spectrum is narrower than the full width at half maximum (43 GHz) of each peak of the first comb-like reflection spectrum.
波長可変光源部4では、レーザ発振を実現するために、第1の櫛状反射スペクトルのピークの一つと第2の櫛状反射スペクトルのピークの一つとを波長軸上で重ね合わせ可能に構成されている。このような重ね合わせは、マイクロヒータ421,422の少なくとも一つを用いて、マイクロヒータ421により回折格子層431bを加熱して熱光学効果によりその屈折率を変化させて第1の櫛状反射スペクトルを波長軸上で全体的に移動させて変化させる、及び、マイクロヒータ422によりリング状導波路444を加熱してその屈折率を変化させて第2の櫛状反射スペクトルを波長軸上で全体的に移動させて変化させる、の少なくともいずれか一つを行うことにより、実現することができる。
The tunable light source unit 4 is configured to be able to superimpose one of the peaks of the first comb-like reflection spectrum and one of the peaks of the second comb-like reflection spectrum on the wavelength axis in order to realize laser oscillation. ing. In such superposition, at least one of the
一方、波長可変光源部4において、光共振器C1による共振器モードが存在する。そして、波長可変光源部4において、共振器モードの間隔(縦モード間隔)は、25GHz以下となるように光共振器C1の共振器長が設定されている。この設定の場合、光共振器C1の共振器長は、1800μm以上となり、発振するレーザ光の狭線幅化を期待することができる。なお、光共振器C1の共振器モードの波長は、マイクロヒータ423を用いて位相調整部445を加熱してその屈折率を変化させて共振器モードの波長を波長軸上で全体的に移動させることにより微調整することができる。すなわち、位相調整部445は、光共振器C1の光路長を能動的に制御するための部分である。
On the other hand, in the wavelength tunable light source unit 4, there is a resonator mode by the optical resonator C1. In the wavelength tunable light source unit 4, the resonator length of the optical resonator C1 is set so that the resonator mode interval (longitudinal mode interval) is 25 GHz or less. In the case of this setting, the resonator length of the optical resonator C1 is 1800 μm or more, and a narrow linewidth of the oscillating laser light can be expected. Note that the wavelength of the resonator mode of the optical resonator C1 is moved entirely on the wavelength axis by heating the
波長可変光源部4は、制御装置3により、n側電極45及びp側電極433から利得部431aへ電流を注入し、利得部431aを発光させると、第1の櫛状反射スペクトルのスペクトル成分のピーク、第2の櫛状反射スペクトルのスペクトル成分のピーク、及び光共振器C1の共振器モードの一つが一致した波長、例えば1550nmでレーザ発振し、レーザ光L1を出力するように構成されている。
また、波長可変光源部4では、バーニア効果を利用してレーザ光L1の波長を変化させることができる。例えば、回折格子層431bをマイクロヒータ421で加熱すると、熱光学効果により回折格子層431bの屈折率が上昇し、回折格子層431bの第1の櫛状反射スペクトルは、全体的に長波側にシフトする。その結果、1550nm付近における第1の櫛状反射スペクトルのピークは、リング共振器フィルタRF1の第2の櫛状反射スペクトルのピークとの重なりが解かれ、長波側に存在する第2の櫛状反射スペクトルの別のピーク(例えば1556nm付近)に重なる。さらに、位相調整部445をチューニングして共振器モードを微調し、共振器モードの一つを二つの櫛状反射スペクトルに重ねることで、1556nm付近でのレーザ発振を実現することができる。すなわち、波長可変光源部4では、回折格子層431bに対するマイクロヒータ421とリング共振器フィルタRF1に対するマイクロヒータ422とにより第1,第2の櫛状反射スペクトルをそれぞれチューニングすることで粗調、位相調整部445に対するマイクロヒータ423により共振器長をチューニングすることで微調を行う波長可変動作が実現される。
When the control device 3 injects current from the n-
In addition, the wavelength tunable light source unit 4 can change the wavelength of the laser light L1 using the vernier effect. For example, when the
半導体光増幅器5は、具体的な図示は省略したが、第1の導波路部43と同様の材料及び構造からなる活性コア層を備える埋め込み導波路構造を有する。但し、回折格子層431bは設けられていない。この半導体光増幅器5は、空間結合光学系(図示略)により波長可変光源部4に対して光学的に結合している。そして、波長可変光源部4から出力されたレーザ光L1は、半導体光増幅器5に入力される。また、半導体光増幅器5は、レーザ光L1を増幅してレーザ光L2として出力する。なお、半導体光増幅器5は、基部B1上に、波長可変光源部4とモノリシックに構成されていてもよい。
Although not specifically shown, the semiconductor optical amplifier 5 has a buried waveguide structure including an active core layer made of the same material and structure as that of the
平面光波回路6は、空間結合光学系(図示略)によりアーム部442に光学的に結合している。そして、レーザ光L1と同様に波長可変光源部4におけるレーザ発振により発生したレーザ光L3の一部は、アーム部442を介して平面光波回路6に入力される。なお、レーザ光L3は、レーザ光L1の波長と同一の波長を有する。この平面光波回路6は、図1に示すように、光分岐部61と、光導波路62と、リング共振器型光フィルタ63aを有する光導波路63と、リング共振器型光フィルタ64aを有する光導波路64とを備える。
The
光分岐部61は、入力したレーザ光L3を3つのレーザ光L4〜L6に分岐する。
そして、光導波路62は、レーザ光L4を光検出部7における後述するPD(Photo Diode)71に導波する。また、光導波路63は、レーザ光L5を光検出部7における後述するPD72に導波する。さらに、光導波路64は、レーザ光L6を光検出部7における後述するPD73に導波する。
ここで、リング共振器型光フィルタ63a,64aは、入射する光の波長に対して周期的な透過特性をそれぞれ有し、当該透過特性に応じた透過率でレーザ光L5,L6をそれぞれ選択的に透過する。そして、リング共振器型光フィルタ63a,64aを透過したレーザ光L5,L6は、PD72,73にそれぞれ入力する。すなわち、リング共振器型光フィルタ63a,64aは、本発明に係る第1,第2の光フィルタに相当する。以下では、説明の便宜上、リング共振器型光フィルタ63aを第1の光フィルタ63aと記載し、リング共振器型光フィルタ64aを第2の光フィルタ64aと記載する。
なお、第1,第2の光フィルタ63a,64aは、例えば、1周期の1/3〜1/5の範囲で互いに位相が異なる透過特性を有する。すなわち、第1の光フィルタ63aにおける透過特性(本発明に係る第1の透過特性に相当)と第2の光フィルタ64aにおける透過特性(本発明に係る第2の透過特性に相当)とは互いに位相が異なるのみである。
The
The
Here, the ring resonator type
The first and second
光検出部7は、図1に示すように、PD71〜73を備える。
PD71は、レーザ光L4(波長可変光源部4から出力されたレーザ光L1と同一)を受光し、当該レーザ光L4の強度に応じた電気信号を制御装置3に出力する。すなわち、PD71は、本発明に係る第1の受光素子に相当する。
PD72は、第1の光フィルタ63aを透過したレーザ光L5を受光し、当該レーザ光L5の強度に応じた電気信号を制御装置3に出力する。すなわち、PD72は、本発明に係る第2の受光素子に相当する。
PD73は、第2の光フィルタ64aを透過したレーザ光L6を受光し、当該レーザ光L6の強度に応じた電気信号を制御装置3に出力する。すなわち、PD73は、本発明に係る第3の受光素子に相当する。
そして、PD71〜73からそれぞれ出力された電気信号は、制御装置3による波長ロック制御(波長可変光源部4から出力されるレーザ光L1を目標波長にするための制御)に用いられる。
As shown in FIG. 1, the
The
The
The
The electrical signals output from the PDs 71 to 73 are used for wavelength lock control (control for setting the laser light L1 output from the wavelength variable light source unit 4 to the target wavelength) by the control device 3.
温度センサ8は、例えばサーミスタ等で構成され、波長可変レーザ装置1が配置される環境の温度を周囲温度として検出する。なお、温度調節器9上に設置された波長可変光源部4及び平面光波回路6の温度を周囲温度として検出してもよい。
温度調節器9は、例えばペルチェ素子を含むTEC(Thermo Electric Cooler)等で構成されている。この温度調節器9には、波長可変光源部4、半導体光増幅器5、平面光波回路6、及び光検出部7が載置される。そして、温度調節器9は、供給された電力に応じて当該各部材4〜7の温度を調節する。なお、波長可変光源部4及び平面光波回路6の温度を周囲温度として検出する場合には、温度センサ8を温度調節器9上に載置するようにしてもよい。この際、温度調節器9において、当該各部材4〜7が載置される設置面91を波長可変光源部4及び半導体光増幅器5が載置される第1の領域Ar1と、平面光波回路6及び光検出部7が載置される第2の領域Ar2の2つの領域に区画した場合に、温度センサ8を第2の領域Ar2に載置してもよい。すなわち、温度センサ8を平面光波回路6に近接して配置してもよい。
The
The
〔制御装置の構成〕
次に、制御装置3の構成について説明する。
図3は、制御装置3の構成を示すブロック図である。
制御装置3は、例えばユーザインターフェースを備えた上位の制御装置(図示略)と接続されており、当該上位の制御装置を介したユーザからの指示にしたがって、波長可変レーザモジュール2の動作を制御する。
なお、以下では、本発明の要部である制御装置3による波長ロック制御を主に説明する。また、図3では、説明の便宜上、制御装置3の構成として、波長ロック制御を実行する構成のみを図示している。
この制御装置3は、制御部31と、記憶部32とを備える。
[Configuration of control device]
Next, the configuration of the control device 3 will be described.
FIG. 3 is a block diagram illustrating a configuration of the control device 3.
The control device 3 is connected to a host control device (not shown) having a user interface, for example, and controls the operation of the wavelength tunable laser module 2 in accordance with an instruction from the user via the host control device. .
In the following, the wavelength lock control by the control device 3 which is the main part of the present invention will be mainly described. Further, in FIG. 3, for convenience of explanation, only the configuration for performing wavelength lock control is illustrated as the configuration of the control device 3.
The control device 3 includes a
制御部31は、CPU等を用いて構成されている。この制御部31は、温度推定部311と、モニタ値算出部312と、目標値算出部313と、目標値補正部314と、目標値選択部315と、動作制御部316とを備える。
温度推定部311は、温度センサ8にて検出された周囲温度に基づいて、平面光波回路6(第1,第2の光フィルタ63a,64a)の温度(以下、フィルタ温度と記載)を推定する。例えば、温度推定部311は、上位の制御装置(図示略)から取得した目標波長と、温度センサ8にて検出された周囲温度と、記憶部32に記憶された熱抵抗情報及び波長電力情報とに基づいて、フィルタ温度を推定する。
ここで、熱抵抗情報は、波長可変レーザモジュール2において、温度センサ8及び平面光波回路6間の熱抵抗を示す情報である。
図4は、記憶部32に記憶された波長電力情報を示す図である。
波長電力情報は、複数の波長λ1〜λn[nm]と、レーザ光L1の波長を当該波長λ1〜λn[nm]に制御するためにマイクロヒータ421〜423にそれぞれ供給する複数の電力(初期電力)とがそれぞれ関連付けられた情報である。なお、図4では、説明の便宜上、マイクロヒータ421〜423にそれぞれ供給する総電力を各電力P1〜Pn[W]として記載している。
The
The
Here, the thermal resistance information is information indicating the thermal resistance between the
FIG. 4 is a diagram illustrating the wavelength power information stored in the
The wavelength power information includes a plurality of wavelengths λ1 to λn [nm] and a plurality of powers (initial powers) supplied to the
モニタ値算出部312は、PD71〜73からそれぞれ出力された電気信号の出力値に基づいて、レーザ光L1の波長を制御するための第1,第2のモニタ値を算出する。具体的に、モニタ値算出部312は、PD71から出力された電気信号の出力値に対するPD72から出力された電気信号の出力値の比率を第1のモニタ値(以下、第1のPD比と記載)として算出する。また、モニタ値算出部312は、PD71から出力された電気信号の出力値に対するPD73から出力された電気信号の出力値の比率を第2のモニタ値(以下、第2のPD比と記載)として算出する。
The monitor
目標値算出部313は、上位の制御装置(図示略)から取得した目標波長と、記憶部32に記憶された透過特性情報とに基づいて、第1のPD比の目標となる第1の制御目標値と、第2のPD比の目標となる第2の制御目標値とを算出する。
図5及び図6は、記憶部32に記憶された透過特性情報を示す図である。なお、図6では、横軸を波長とし、縦軸をPD比としている。
透過特性情報は、基準温度(例えば35℃)での第1の光フィルタ63aの透過特性を示す情報(以下、第1の透過特性情報と記載)と、基準温度(例えば35℃)での第2の光フィルタ64aの透過特性を示す情報(以下、第2の透過特性情報と記載)とを含む。
The target
5 and 6 are diagrams showing the transmission characteristic information stored in the
The transmission characteristic information includes information indicating the transmission characteristic of the first
より具体的に、第1の透過特性情報は、複数の波長λ1〜λn[nm]と、レーザ光L1の波長を当該波長λ1〜λn[nm]にそれぞれ設定した場合でのPD71から出力された電気信号の出力値に対するPD72から出力された電気信号の出力値の比率である各第1のPD比の参照値となる複数の制御参照値Pd11〜Pd1nとがそれぞれ関連付けられた情報である。なお、第1のPD比は、第1の光フィルタ63aの透過率に略比例する。このため、第1の透過特性情報は、第1の光フィルタ63aにおける基準温度(例えば35℃)での透過特性(図6の曲線CL1)を示している。
一方、第2の透過特性情報は、複数の波長λ1〜λn[nm]と、レーザ光L1の波長を当該波長λ1〜λn[nm]にそれぞれ設定した場合でのPD71から出力された電気信号の出力値に対するPD73から出力された電気信号の出力値の比率である各第2のPD比の参照値となる複数の制御参照値Pd21〜Pd2nとがそれぞれ関連付けられた情報である。なお、第2のPD比は、第2の光フィルタ64aの透過率に略比例する。このため、第2の透過特性情報は、第2の光フィルタ64aにおける基準温度(例えば35℃)での透過特性(図6の曲線CL2)を示している。
More specifically, the first transmission characteristic information is output from the
On the other hand, the second transmission characteristic information includes the plurality of wavelengths λ1 to λn [nm] and the electrical signal output from the
そして、第1の光フィルタ63aの透過特性(曲線CL1)は、当該第1の光フィルタ63aの温度が基準温度(例えば35℃)からずれると、図6に曲線CL1´で示すように、波長軸上で全体が短波側または長波側にシフトする。同様に、第2の光フィルタ64aの透過特性(曲線CL2)は、当該第2の光フィルタ64aの温度が基準温度(例えば35℃)からずれると、図6に曲線CL2´で示すように、波長軸上で全体が短波側または長波側にシフトする。なお、図6では、長波側にシフトした状態を例示している。
Then, the transmission characteristic (curve CL1) of the first
目標値補正部314は、温度推定部311にて推定されたフィルタ温度と、記憶部32に記憶された複数の目標値補正情報とに基づいて、目標値算出部313にて算出された第1,第2の制御目標値を補正して、第1,第2の補正制御目標値を生成する。
図7は、記憶部32に記憶された複数の目標値補正情報を示す図である。
複数の目標値補正情報は、第1の制御目標値を補正するための複数の第1の目標値補正情報と、第2の制御目標値を補正するための複数の第2の目標値補正情報とを含む。
The target
FIG. 7 is a diagram illustrating a plurality of target value correction information stored in the
The plurality of target value correction information includes a plurality of first target value correction information for correcting the first control target value and a plurality of second target value correction information for correcting the second control target value. Including.
より具体的に、第1の目標値補正情報は、複数の温度(図7の例では「30℃」、「35℃」、及び「40℃」の3つの温度)毎に、複数の波長λ1〜λn[nm]と、第1の制御目標値を補正するための複数の補正値(図7の例では、「A1」、「0」、及び「A2」)とがそれぞれ関連付けられた情報である。なお、図7では、説明の便宜上、波長λ1に関する第1の目標値補正情報のみを図示している。
一方、第2の目標値補正情報は、複数の温度(図7の例では、「30℃」、「35℃」、及び「40℃」の3つの温度)毎に、複数の波長λ1〜λn[nm]と、第2の制御目標値を補正するための補正値(図7の例では、「B1」、「0」、及び「B2」)とがそれぞれ関連付けられた情報である。なお、図7では、説明の便宜上、波長λ1に関する第2の目標値補正情報のみを図示している。
More specifically, the first target value correction information includes a plurality of wavelengths λ1 for each of a plurality of temperatures (three temperatures of “30 ° C.”, “35 ° C.”, and “40 ° C.” in the example of FIG. 7). ~ Λn [nm] and a plurality of correction values for correcting the first control target value (in the example of FIG. 7, “A1”, “0”, and “A2”) are information associated with each other. is there. In FIG. 7, only the first target value correction information related to the wavelength λ1 is illustrated for convenience of explanation.
On the other hand, the second target value correction information includes a plurality of wavelengths λ1 to λn for each of a plurality of temperatures (three temperatures of “30 ° C.”, “35 ° C.”, and “40 ° C.” in the example of FIG. 7). [nm] and correction values for correcting the second control target value (in the example of FIG. 7, “B1”, “0”, and “B2”) are information associated with each other. In FIG. 7, for convenience of explanation, only the second target value correction information related to the wavelength λ1 is illustrated.
目標値選択部315は、記憶部32に記憶された基準値情報に基づいて、目標値補正部314にて生成された第1,第2の補正制御目標値のいずれか一方の補正制御目標値を選択する。
ここで、基準値情報は、本発明に係る第1,第2の基準値情報に相当し、第1,第2の光フィルタ63a,64aの各透過特性を示す情報である。具体的に、基準値情報は、第1の光フィルタ63aに入射する光の波長を当該第1の光フィルタ63aの透過特性における1周期分変動させた場合でのPD71から出力された電気信号の出力値に対するPD72から出力された電気信号の出力値の比率である各第1のPD比の平均値AV(図6)を示す情報である。なお、第1,第2の光フィルタ63a,64aの各透過特性は、互いに位相が異なるのみである。このため、第2の光フィルタ64aに入射する光の波長を当該第2の光フィルタ64aの透過特性における1周期分変動させた場合でのPD71から出力された電気信号の出力値に対するPD73から出力された電気信号の出力値の比率である各第2のPD比の平均値は、上述した平均値AVと同一の値となる。
The target
Here, the reference value information corresponds to the first and second reference value information according to the present invention, and is information indicating the transmission characteristics of the first and second
動作制御部316は、上位の制御装置(図示略)から取得した目標波長と、記憶部32に記憶された波長電力情報と、目標値選択部315にて選択された補正制御目標値と、第1,第2のPD比のうち当該補正制御目標値を目標値とするPD比とに基づいて、マイクロヒータ421〜423にそれぞれ供給する複数の電力を変化させ、レーザ光L1の波長を目標波長に制御する。
記憶部32は、制御部31にて実行されるプログラムや、制御部31の処理に必要な情報(例えば、熱抵抗情報、波長電力情報、透過特性情報、複数の目標値補正情報、及び基準値情報等)等を記憶する。
The
The
〔波長制御方法〕
次に、上述した制御装置3による波長制御方法(波長ロック制御)について説明する。
図8は、制御装置3による波長制御方法を示すフローチャートである。
先ず、動作制御部316は、ユーザインターフェースを介して上位の制御装置(図示略)に入力された目標波長を当該上位の制御装置から取得する(ステップS1)。
ステップS1の後、目標値算出部313は、記憶部32に記憶された透過特性情報を参照し、第1,第2の制御目標値を算出する(ステップS2)。具体的に、目標値算出部313は、記憶部32に記憶された第1の透過特性情報を読み出す。そして、目標値算出部313は、当該第1の透過特性情報における複数の制御参照値Pd11〜Pd1nのうち、ステップS1にて取得された目標波長(例えば波長λ1)に関連付けられた制御参照値(例えば制御参照値Pd11)を第1の制御目標値として算出する。また、目標値算出部313は、記憶部32に記憶された第2の透過特性情報を読み出す。そして、目標値算出部313は、当該第2の透過特性情報における複数の制御参照値Pd21〜Pd2nのうち、ステップS1にて取得された目標波長(例えば波長λ1)に関連付けられた制御参照値(例えば制御参照値Pd21)を第2の制御目標値として算出する。
[Wavelength control method]
Next, the wavelength control method (wavelength lock control) by the control device 3 described above will be described.
FIG. 8 is a flowchart showing a wavelength control method by the control device 3.
First, the
After step S1, the target
ステップS2の後、動作制御部316は、記憶部32に記憶された波長電力情報を参照し、ステップS1にて取得された目標波長に関連付けられた各電力(初期電力)をマイクロヒータ421〜423にそれぞれ供給する(ステップS3)。
ステップS3の後、モニタ値算出部312は、PD71から出力された電気信号の出力値に対するPD72から出力された電気信号の出力値の比率である第1のPD比とPD71から出力された電気信号の出力値に対するPD73から出力された電気信号の出力値の比率である第2のPD比とを算出する(ステップS4:モニタ値算出ステップ)。
After step S2, the
After step S <b> 3, the monitor
ステップS4の後、制御装置3は、温度センサ8を用いて周囲温度を検出する(ステップS5)。
ステップS5の後、温度推定部311は、記憶部32に記憶された波長電力情報を参照し、各電力P1〜Pn[W]のうち、ステップS1にて取得された目標波長に関連付けられた電力を、現在、マイクロヒータ421〜423に供給されている総電力として認識する。そして、温度推定部311は、当該認識した総電力、ステップS5にて検出された周囲温度、及び記憶部32に記憶された熱抵抗情報に基づく熱抵抗に基づいて、平面光波回路6のフィルタ温度を推定する(ステップS6:温度推定ステップ)。
After step S4, the control device 3 detects the ambient temperature using the temperature sensor 8 (step S5).
After step S5, the
ステップS6の後、目標値補正部314は、ステップS6にて推定されたフィルタ温度と、記憶部32に記憶された複数の目標値補正情報とに基づいて、ステップS2にて算出された第1,第2の制御目標値を補正して、第1,第2の補正制御目標値を生成する(ステップS7:目標値補正ステップ)。具体的に、目標値補正部314は、記憶部32に記憶された複数の第1の目標値補正情報のうち、ステップS6にて推定されたフィルタ温度(例えば、周囲温度が70℃の際にフィルタ温度40℃)に対応する第1の目標値補正情報を読み出す。そして、目標値補正部314は、当該フィルタ温度に対応する第1の目標値補正情報における複数の補正値のうち、ステップS1にて取得された目標波長(例えば波長λ1)に関連付けられた補正値(例えば補正値A2)をステップS2にて算出された第1の制御目標値に加算して第1の補正制御目標値を生成する。また、目標値補正部314は、記憶部32に記憶された複数の第2の目標値補正情報のうち、ステップS6にて推定されたフィルタ温度に対応する第2の目標値補正情報を読み出す。そして、目標値補正部314は、当該フィルタ温度に対応する第2の目標値補正情報における複数の補正値のうち、ステップS1にて取得された目標波長(例えば波長λ1)に関連付けられた補正値(例えば補正値B2)をステップS2にて算出された第2の制御目標値に加算して第2の補正制御目標値を生成する。
なお、目標値補正部314は、ステップS7において、ステップS6にて推定されたフィルタ温度と同一の温度の目標値補正情報が記憶部32に記憶されていない場合(例えばフィルタ温度が図7に示した30℃と35℃との間の温度、または35℃と40℃との間の温度である場合)には、複数の目標値補正情報における目標波長が関連付けられた複数の補正値から補間により補正値を生成し、当該補正値を用いて、第1,第2の制御目標値を補正する。
After step S6, the target
Note that the target
ステップS7の後、目標値選択部315は、ステップS7にて生成された第1,第2の補正制御目標値のうち、記憶部32に記憶された基準値情報に基づく平均値AVに近い補正制御目標値を選択する(ステップS8:目標値選択ステップ)。
ステップS8の後、動作制御部316は、ステップS8にて選択された補正制御目標値に対して、ステップS4にて算出された第1,第2のPD比のうち、当該補正制御目標値を目標値とするPD比が合致するように、マイクロヒータ421〜423にそれぞれ供給する電力を変化させる波長調整制御を実行する(ステップS9:動作制御ステップ)。なお、「当該補正制御目標値を目標値とするPD比」とは、ステップS8にて第1の補正制御目標値が選択されている場合には第1のPD比を意味し、ステップS8にて第2の補正制御目標値が選択されている場合には第2のPD比を意味する。
また、図8では、説明の便宜上、ステップS9の後、波長ロック制御を完了するフローとしているが、実際には、ステップS9の後、ステップS4に戻り、ステップS4〜S9のループを繰り返すことにより、レーザ光L1の波長を目標波長に制御する。
After step S7, the target
After step S8, the
Further, in FIG. 8, for convenience of explanation, the flow for completing the wavelength lock control after step S9 is shown. However, actually, after step S9, the process returns to step S4, and the loop of steps S4 to S9 is repeated. The wavelength of the laser beam L1 is controlled to the target wavelength.
図9は、波長制御方法を説明する図である。具体的に、図9は、図6に対応した図であって、基準温度に対応する第1の透過特性情報を曲線CL1で示し、当該基準温度に対応する第2の透過特性情報を曲線CL2で示している。また、ステップS6にて推定されたフィルタ温度での第1の光フィルタ63aの透過特性を曲線CL1´で示し、当該フィルタ温度での第2の光フィルタ64aの透過特性を曲線CL2´で示している。
ところで、第1の光フィルタ63aの透過特性(曲線CL1)において、山または谷に相当する部分(以下、不感帯と記載)は、波長の変動量に対する第1のPD比の変動量が小さいものである。このため、第1の透過特性情報(曲線CL1)における当該不感帯を用いて波長調整制御を実行した場合には、レーザ光L1の波長を目標波長に制御することが難しい。なお、第2の光フィルタ64aの透過特性(曲線CL2)における山または谷に相当する部分も同様である。
FIG. 9 is a diagram for explaining a wavelength control method. Specifically, FIG. 9 is a diagram corresponding to FIG. 6, in which the first transmission characteristic information corresponding to the reference temperature is indicated by a curve CL1, and the second transmission characteristic information corresponding to the reference temperature is indicated by a curve CL2. Is shown. Further, the transmission characteristic of the first
By the way, in the transmission characteristic (curve CL1) of the first
そこで、本実施の形態1では、第1,第2の光フィルタ63a,64aの各透過特性を例えば1周期の1/3〜1/5の範囲で互いに位相をずらしている。すなわち、第1の光フィルタ63aの透過特性(曲線CL1)の不感帯と、第2の光フィルタ64aの透過特性(曲線CL2)の不感帯とが互いに重ならないように設定している。このため、レーザ光L1の波長を目標波長TWに制御する際には、第1,第2の透過特性情報(曲線CL1,CL2)のうち、当該目標波長TWが不感帯に位置する第1の透過特性情報(曲線CL1)ではなく、当該目標波長TWが不感帯に位置しない第2の透過特性情報(曲線CL2)を用いることができる。この際、第1の透過特性情報(曲線CL1)における目標波長TWに関連付けられた制御参照値(第1の制御目標値PDT1)と第2の透過特性情報(曲線CL2)における目標波長TWに関連付けられた制御参照値(第2の制御目標値PDT2)とのうち平均値AVに近い方(第2の制御目標値PDT2)を選択する。これにより、レーザ光L1の波長を目標波長TWに制御する際に、当該目標波長TWが不感帯に位置しない第2の透過特性情報(曲線CL2)を用いることができる。
Therefore, in the first embodiment, the transmission characteristics of the first and second
しかしながら、第2の光フィルタ64aの温度が基準温度からずれると、当該第2の光フィルタ64aの透過特性は、波長軸上で全体がシフト(曲線CL2から曲線CL2´にシフト)する。すなわち、第2の光フィルタ64aの温度が基準温度からずれて当該第2の光フィルタ64aの透過特性が曲線CL2´になっているにも拘らず、当該基準温度に対応する第2の透過特性情報(曲線CL2)における目標波長TWに関連付けられた制御参照値を第2の制御目標値PDT2として波長調整制御を実行した場合には、レーザ光L1の波長は、目標波長TWからずれた波長TW´に制御されてしまう。
また、第2の制御目標値PDT2に対してフィルタ温度に対応する第2の目標値補正情報における目標波長TWに関連付けられた補正値を加算して第2の補正制御目標値PDT2´を生成し、当該第2の補正制御目標値PDT2´を第2のPD比の目標値として波長調整制御を実行した場合であっても(フィルタ温度に対応した第2の光フィルタ64aの透過特性(曲線CL2´)を用いた場合であっても)、当該第2の補正制御目標値PDT2´が不感帯に位置するため、レーザ光L1を目標波長TWに精度良く制御することが難しい。
However, when the temperature of the second
Further, a correction value associated with the target wavelength TW in the second target value correction information corresponding to the filter temperature is added to the second control target value PDT2, thereby generating a second correction control target value PDT2 ′. Even when the wavelength adjustment control is executed using the second correction control target value PDT2 ′ as the target value of the second PD ratio (the transmission characteristic of the second
そこで、本実施の形態1では、記憶部32に複数の温度に対応した複数の目標値補正情報を記憶しておく。また、制御装置3は、第1,第2の光フィルタ63a,64aのフィルタ温度を推定し、当該フィルタ温度に対応した第1,第2の目標値補正情報を参照し、当該第1,第2の目標値補正情報における目標波長TWに関連付けられた各補正値CV1,CV2を用いて、第1,第2の制御目標値PDT1,PDT2を補正して、第1,第2の補正制御目標値PDT1´,PDT2´を生成する。さらに、制御装置3は、第1,第2の補正制御目標値PDT1´,PDT2´のうち平均値AVに近い第1の補正制御目標値PDT1´を選択する。そして、制御装置3は、第1のPD比が第1の補正制御目標値PDT1´に合致するように、波長調整制御を実行する。
Therefore, in the first embodiment, the
なお、波長電力情報を参照してマイクロヒータ421〜423にそれぞれ供給する電力(初期電力)を算出する際、透過特性情報を参照して第1,第2の制御目標値PDT1,PDT2を算出する際、または、目標値補正情報を参照して補正値を算出する際において、目標波長TWが波長λ1〜λnのいずれの波長でもない場合には、線形補間等により、電力(初期電力)、第1,第2の制御目標値、または、補正値を算出しても構わない。
When calculating the power (initial power) supplied to each of the
以上説明した本実施の形態1によれば、以下の効果を奏する。
本実施の形態1に係る波長可変レーザ装置1では、フィルタ温度に対応した目標値補正情報を用いて、第1,第2の制御目標値PDT1,PDT2を補正している。このため、第1,第2の光フィルタ63a,64aのフィルタ温度が基準温度からずれた場合であっても、第1,第2の補正制御目標値PDT1´,PDT2´を目標波長TWに対応した値として精度良く算出することができる。また、波長可変レーザ装置1では、第1,第2の補正制御目標値PDT1´,PDT2´のうち平均値AVに近い補正制御目標値を選択し、当該補正制御目標値を用いて波長調整制御を実行している。このため、不感帯に位置しない補正制御目標値を用いて波長調整制御を実行することができる。
以上のことから、選択した補正制御目標値に対して、第1,第2のPD比のうち当該補正制御目標値を目標値とするPD比が合致するように波長調整制御を実行することで、レーザ光L1の波長を精度良く目標波長TWに制御することができる。
特に、第1,第2の補正制御目標値PDT1´,PDT2´の一方を選択するにあたって、平均値AVに近い方を選択する構成を採用している。このため、簡単な演算により不感帯に位置しない第1,第2の補正制御目標値PDT1´,PDT2´の一方を選択することができ、制御部31の処理負荷を軽減することができる。
According to the first embodiment described above, the following effects are obtained.
In the wavelength
From the above, by executing the wavelength adjustment control so that the PD ratio having the correction control target value as the target value out of the first and second PD ratios matches the selected correction control target value. The wavelength of the laser beam L1 can be accurately controlled to the target wavelength TW.
In particular, when selecting one of the first and second correction control target values PDT1 ′ and PDT2 ′, a configuration is adopted in which the one closer to the average value AV is selected. For this reason, one of the first and second correction control target values PDT1 ′ and PDT2 ′ that are not located in the dead zone can be selected by a simple calculation, and the processing load on the
また、本実施の形態1に係る波長可変レーザ装置1では、第1,第2の制御目標値PDT1,PDT2を補正するにあたって、複数の温度毎に複数の波長と複数の補正値とがそれぞれ関連付けられた複数の目標値補正情報を用いている。そして、波長可変レーザ装置1では、フィルタ温度と同一の温度の目標値補正情報が記憶部32に記憶されていない場合には、複数の目標値補正情報における目標波長TWが関連付けられた複数の補正値から補間により補正値を生成し、当該補正値を用いて、第1,第2の制御目標値PDT1,PDT2を補正する。
このため、第1,第2の制御目標値PDT1,PDT2を補正するための複数の目標値補正情報のデータ量を少なくすることができる。
In the wavelength
For this reason, the data amount of several target value correction information for correct | amending the 1st, 2nd control target value PDT1, PDT2 can be decreased.
また、本実施の形態1に係る波長可変レーザ装置1では、1つのみの温度調節器9により、波長可変光源部4、半導体光増幅器5、平面光波回路6、及び光検出部7の温度を調節する。このように1つのみの温度調節器9により当該各部材4〜7の温度を調節する構造とした場合には、複数の温度調節器を設けた場合と比較して、低消費電力化及び小型化を図ることができる。一方で、1つのみの温度調節器9を用いた場合には、設置面91の面内に生じる温度分布の影響を受ける虞がある。特に、波長可変部42は、光源部41を局所的に加熱するマイクロヒータ421〜423で構成されている。このため、設置面91の面内に温度分布が生じ易い。すなわち、平面光波回路6に近接した位置に温度センサ8を配置した場合であっても、マイクロヒータ421〜423からの熱伝達の影響を受けるため、当該温度センサ8で検出された温度は、平面光波回路6(第1,第2の光フィルタ63a,64a)の温度に一致しない。すなわち、第1,第2の光フィルタ63a,64aの温度を測定することが難しい。
In the wavelength
そこで、本実施の形態1に係る波長可変レーザ装置1では、温度センサ8にて検出された周囲温度と、波長電力情報における複数の電力のうち目標波長TWが関連付けられた電力と、熱抵抗情報とに基づいて、フィルタ温度を推定している。このため、マイクロヒータ421〜423からの熱伝達の影響を考慮して、フィルタ温度を精度良く推定することができる。したがって、精度の高いフィルタ温度に対応した目標値補正情報を用いることができ、上述したレーザ光L1の波長を精度良く目標波長TWに制御することができる、という効果を好適に実現することができる。
Therefore, in the wavelength
(実施の形態2)
次に、本実施の形態2について説明する。
以下の説明では、上述した実施の形態1と同様の構成には同一符号を付し、その詳細な説明は省略または簡略化する。
図10は、本実施の形態2に係る制御装置3Aの構成を示すブロック図である。図11は、制御装置3Aによる波長制御方法を示すフローチャートである。
本実施の形態2に係る波長可変レーザ装置1Aでは、上述した実施の形態1で説明した波長可変レーザ装置1に対して、制御装置3とは異なる手法で波長ロック制御を実行する制御装置3Aを採用している。
制御装置3Aでは、上述した実施の形態1で説明した制御装置3に対して、目標値補正部314の機能、及び記憶部32に記憶する情報を異なるものとしている。
以下では、説明の便宜上、本実施の形態2に係る制御部(目標値補正部)及び記憶部をそれぞれ制御部31A(目標値補正部314A)及び記憶部32Aとする。
(Embodiment 2)
Next, the second embodiment will be described.
In the following description, the same reference numerals are given to the same components as those in the first embodiment described above, and detailed description thereof will be omitted or simplified.
FIG. 10 is a block diagram showing the configuration of the control device 3A according to the second embodiment. FIG. 11 is a flowchart showing a wavelength control method by the control device 3A.
In the wavelength
In the control device 3A, the function of the target
Hereinafter, for convenience of explanation, the control unit (target value correction unit) and the storage unit according to the second embodiment are referred to as a control unit 31A (target
記憶部32Aは、制御部31Aにて実行されるプログラムや、制御部31Aの処理に必要な情報等を記憶する。なお、記憶部32Aは、制御部31Aの処理に必要な情報として、上述した実施の形態1で説明した熱抵抗情報、波長電力情報、透過特性情報、及び基準値情報の他、温度特性情報及びスロープ情報を記憶する。
温度特性情報は、第1,第2の光フィルタ63a,64aにおける温度特性を示す情報である。具体的に、上述したように、第1,第2の光フィルタ63a,64aの透過特性は、当該第1,第2の光フィルタ63a,64aの温度が変化すると、波長軸上で全体が短波側または長波側にシフトする。そして、温度特性情報は、単位温度当たりに当該透過特性がシフトする波長のずれ量X[nm/℃]を示す情報である。
The storage unit 32A stores a program executed by the control unit 31A, information necessary for processing of the control unit 31A, and the like. In addition to the thermal resistance information, wavelength power information, transmission characteristic information, and reference value information described in the first embodiment, the storage unit 32A includes temperature characteristic information and information necessary for processing by the control unit 31A. Stores slope information.
The temperature characteristic information is information indicating temperature characteristics in the first and second
図12は、記憶部32Aに記憶されたスロープ情報を説明する図である。具体的に、図12は、図6及び図9に対応した図である。
スロープ情報は、第1,第2の光フィルタ63a,64aにおける透過特性を示す情報である。具体的に、スロープ情報は、第1の光フィルタ63aの透過特性(曲線CL1)において、不感帯を除く上限値UL及び下限値LL間の範囲内(以下、スロープ部分と記載)での波長の変動量に対する第1のPD比の変動量の比率(スロープ部分の傾き)を示す情報である。なお、第1,第2の光フィルタ63a,64aの透過特性は、互いに位相をずらしただけである。このため、第2の光フィルタ64aの透過特性(曲線CL2)におけるスロープ部分の傾きは、第1の光フィルタ63aの透過特性(曲線CL1)におけるスロープ部分の傾きと同一である。
以下、目標値補正部314Aの機能について、図11を参照しつつ説明する。
FIG. 12 is a diagram for explaining the slope information stored in the storage unit 32A. Specifically, FIG. 12 is a diagram corresponding to FIGS. 6 and 9.
The slope information is information indicating transmission characteristics in the first and second
Hereinafter, the function of the target
制御装置3Aによる波長制御方法では、図11に示すように、上述した実施の形態1で説明した波長制御方法(図8)に対して、ステップS7の代わりにステップS10〜S13が採用されている点が異なる。以下では、ステップS10〜S13のみを説明する。なお、ステップS10〜S13は、本発明に係る目標値補正ステップに相当する。
ステップS10は、ステップS6の後に実行される。
具体的に、目標値補正部314Aは、ステップS6にて推定されたフィルタ温度と基準温度との温度差δTを算出する(ステップS10)。
ステップS10の後、目標値補正部314Aは、記憶部32Aに記憶された温度特性情報(単位温度当たりの波長のずれ量X[nm/℃])とステップS10にて算出した温度差δTとに基づいて、当該温度差δTに応じた波長のずれ量(X×δT)を算出する(ステップS11)。
In the wavelength control method by the control device 3A, as shown in FIG. 11, steps S10 to S13 are employed instead of step S7, compared to the wavelength control method (FIG. 8) described in the first embodiment. The point is different. Only steps S10 to S13 will be described below. Steps S10 to S13 correspond to a target value correction step according to the present invention.
Step S10 is executed after step S6.
Specifically, the target
After step S10, the target
ステップS11の後、目標値補正部314Aは、ステップS11にて算出した温度差δTに応じた波長のずれ量(X×δT)と、記憶部32Aに記憶されたスロープ情報とに基づいて、ステップS2にて算出された第1,第2の制御目標値PDT1,PDT2を補正するための各補正値を算出する(ステップS12)。なお、図12では、説明の便宜上、第1の制御目標値PDT1に加算して第1の補正制御目標値PDT1´を生成するための補正値CV1のみを図示している。
ステップS12の後、目標値補正部314Aは、ステップS12にて算出した各補正値をステップS2にて算出された第1,第2の制御目標値PDT1,PDT2にそれぞれ加算して第1,第2の補正制御目標値PDT1´,PDT2´を生成する(ステップS13)。この後、制御装置3Aは、ステップS8に移行する。
なお、図11では、説明の便宜上、ステップS9の後、波長ロック制御を完了するフローとしているが、実際には、ステップS9の後、ステップS4に戻り、ステップS4〜S6,S10〜S13,S8,S9のループを繰り返すことにより、レーザ光L1の波長を目標波長TWに制御する。
After step S11, the target
After step S12, the target
In FIG. 11, for the sake of convenience of explanation, the flow for completing the wavelength lock control after step S9 is shown. However, actually, after step S9, the process returns to step S4, and steps S4 to S6, S10 to S13, S8. , S9 is repeated to control the wavelength of the laser light L1 to the target wavelength TW.
以上説明した本実施の形態2のように第1,第2の制御目標値PDT1,PDT2を補正した場合であっても、上述した実施の形態1と同様の効果を有する。
また、複数の目標値補正情報を記憶部32Aに記憶しておく必要がないため、記憶部32Aに記憶するデータ量を少なくすることができる。
Even when the first and second control target values PDT1 and PDT2 are corrected as in the second embodiment described above, the same effects as those in the first embodiment are obtained.
In addition, since it is not necessary to store a plurality of target value correction information in the storage unit 32A, the amount of data stored in the storage unit 32A can be reduced.
(実施の形態3)
次に、本実施の形態3について説明する。
以下の説明では、上述した実施の形態1と同様の構成には同一符号を付し、その詳細な説明は省略または簡略化する。
図13は、本実施の形態3に係る制御装置3Bの構成を示すブロック図である。図14は、制御装置3Bによる波長制御方法を示すフローチャートである。
本実施の形態3に係る波長可変レーザ装置1Bでは、上述した実施の形態1で説明した波長可変レーザ装置1に対して、制御装置3とは異なる手法で波長ロック制御を実行する制御装置3Bを採用している。
制御装置3Bでは、上述した実施の形態1で説明した制御装置3に対して、温度推定部311の機能、及び記憶部32に記憶する情報を異なるものとしている。なお、温度推定部311の機能を変更したことに伴い、波長可変レーザ装置1Bには、温度センサ8は、設けられていない。
以下では、説明の便宜上、本実施の形態3に係る制御部(温度推定部)及び記憶部をそれぞれ制御部31B(温度推定部311B)及び記憶部32Bとする。
(Embodiment 3)
Next, the third embodiment will be described.
In the following description, the same reference numerals are given to the same components as those in the first embodiment described above, and detailed description thereof will be omitted or simplified.
FIG. 13 is a block diagram illustrating a configuration of a control device 3B according to the third embodiment. FIG. 14 is a flowchart showing a wavelength control method by the control device 3B.
In the wavelength
In the control device 3B, the function of the
Hereinafter, for convenience of explanation, the control unit (temperature estimation unit) and the storage unit according to the third embodiment are referred to as a
記憶部32Bは、制御部31Bにて実行されるプログラムや、制御部31Bの処理に必要な情報等を記憶する。なお、記憶部32Bは、制御部31Bの処理に必要な情報として、上述した実施の形態1で説明した波長電力情報、透過特性情報、複数の目標値補正情報、及び基準値情報の他、複数の波長毎に設けられた複数の温度推定情報を記憶する。
温度推定情報は、フィルタ温度を推定するための情報である。具体的に、温度推定情報は、レーザ光L1の波長を波長λ1〜λn[nm]にそれぞれ設定した場合でのPD71から出力された電気信号の出力値に対するPD72から出力された電気信号の出力値の比率である各第1のPD比と当該波長λ1〜λnに対応する各第1の制御目標値とのずれ量(第1の制御目標値と第1のPD比との差分)と、複数の温度とがそれぞれ関連付けられた情報である。
以下、温度推定部311Bの機能について、図14を参照しつつ説明する。
The storage unit 32B stores a program executed by the
The temperature estimation information is information for estimating the filter temperature. Specifically, the temperature estimation information is the output value of the electrical signal output from the
Hereinafter, the function of the
制御装置3Bによる波長制御方法では、図14に示すように、上述した実施の形態1で説明した波長制御方法(図8)に対して、ステップS5が省略されているとともに、ステップS6の代わりにステップS14が採用されている点が異なる。以下では、ステップS14のみを説明する。なお、ステップS14は、本発明に係る温度推定ステップに相当する。 In the wavelength control method by the control device 3B, as shown in FIG. 14, step S5 is omitted from the wavelength control method described in the first embodiment (FIG. 8), and instead of step S6. The difference is that step S14 is employed. Only step S14 will be described below. Step S14 corresponds to a temperature estimation step according to the present invention.
ステップS14は、ステップS4の後に実行される。
具体的に、温度推定部311Bは、記憶部32Bに記憶された複数の温度推定情報のうち、ステップS1にて取得された目標波長TW(本発明に係る第1の波長に相当)に対応する温度推定情報を読み出す。そして、温度推定部311Bは、当該目標波長TWに対応する温度推定情報を参照し、ステップS2にて算出された第1の制御目標値PDT1(本発明に係る期待モニタ値に相当)とステップS4にて算出された第1のPD比との差分に関連付けられた温度をフィルタ温度として推定する(ステップS14)。この後、制御装置3Bは、ステップS7に移行する。
なお、図14では、説明の便宜上、ステップS9の後、波長ロック制御を完了するフローとしているが、実際には、ステップS9の後、ステップS4に戻り、ステップS4,S9のループ(ステップS14,S7,S8は実行しない)を繰り返すことにより、レーザ光L1の波長を目標波長TWに制御する。すなわち、本実施の形態3では、波長可変レーザ装置1Bの起動時にフィルタ温度の推定(ステップS14)、第1,第2の制御目標値PDT1,PDT2の補正(ステップS7)、及び第1,第2の補正制御目標値PDT1´,PDT2´の一方の選択(ステップS8)を実行し、その後のステップS4,S9のループでは、ステップS8にて選択された補正制御目標値を用いて波長調整制御を実行する。
Step S14 is executed after step S4.
Specifically, the
In FIG. 14, for the sake of convenience of explanation, the flow of completing the wavelength lock control after step S9 is shown, but actually, after step S9, the process returns to step S4, and the loop of steps S4 and S9 (steps S14, S9) By repeating (S7 and S8 are not executed), the wavelength of the laser light L1 is controlled to the target wavelength TW. That is, in the third embodiment, when the wavelength
ここで、第1の透過特性情報は、本発明に係る期待モニタ値情報に相当する。なお、本発明に係る期待モニタ値情報は、第1の透過特性情報に限らず、第2の透過特性情報としても構わない。この際、温度推定情報は、レーザ光L1の波長を波長λ1〜λn[nm]にそれぞれ設定した場合でのPD71から出力された電気信号の出力値に対するPD73から出力された電気信号の出力値の比率である各第2のPD比と当該波長λ1〜λnに対応する各第2の制御目標値とのずれ量(第2の制御目標値と第2のPD比との差分)と、複数の温度とがそれぞれ関連付けられた情報となる。また、ステップS14では、温度推定部311Bは、目標波長TW(本発明に係る第1の波長に相当)に対応する温度推定情報を参照し、ステップS2にて算出された第2の制御目標値PDT2(本発明に係る期待モニタ値に相当)とステップS4にて算出された第2のPD比との差分に関連付けられた温度をフィルタ温度として推定する。
Here, the first transmission characteristic information corresponds to the expected monitor value information according to the present invention. Note that the expected monitor value information according to the present invention is not limited to the first transmission characteristic information, and may be second transmission characteristic information. At this time, the temperature estimation information includes the output value of the electrical signal output from the
以上説明した本実施の形態3のようにフィルタ温度を推定した場合であっても、上述した実施の形態1と同様の効果を奏する。
また、温度センサ8を省略することができるため、波長可変レーザ装置1Bの構造を簡素化することができる。
Even when the filter temperature is estimated as in the third embodiment described above, the same effects as those in the first embodiment described above can be obtained.
Moreover, since the
(実施の形態4)
次に、本実施の形態4について説明する。
以下の説明では、上述した実施の形態1と同様の構成には同一符号を付し、その詳細な説明は省略または簡略化する。
図15は、本実施の形態4に係る制御装置3Cの構成を示すブロック図である。図16は、制御装置3Cによる波長制御方法を示すフローチャートである。
本実施の形態4に係る波長可変レーザ装置1Cでは、上述した実施の形態1で説明した波長可変レーザ装置1に対して、制御装置3とは異なる手法で波長ロック制御を実行する制御装置3Cを採用している。
制御装置3Cでは、上述した実施の形態1で説明した制御装置3に対して、目標値選択部315の機能、及び記憶部32に記憶する情報を異なるものとしている。
以下では、説明の便宜上、本実施の形態4に係る制御部(目標値選択部)及び記憶部をそれぞれ制御部31C(目標値選択部315C)及び記憶部32Cとする。
(Embodiment 4)
Next, the fourth embodiment will be described.
In the following description, the same reference numerals are given to the same components as those in the first embodiment described above, and detailed description thereof will be omitted or simplified.
FIG. 15 is a block diagram showing a configuration of a control device 3C according to the fourth embodiment. FIG. 16 is a flowchart illustrating a wavelength control method by the control device 3C.
In the wavelength
In the control device 3C, the function of the target
Hereinafter, for convenience of explanation, the control unit (target value selection unit) and the storage unit according to the fourth embodiment are referred to as a
記憶部32Cは、制御部31Cにて実行されるプログラムや、制御部31Cの処理に必要な情報等を記憶する。なお、記憶部32Cは、制御部31Cの処理に必要な情報として、上述した実施の形態1で説明した熱抵抗情報、波長電力情報、透過特性情報、複数の目標値補正情報、及び基準値情報の他、変動範囲情報を記憶する。
変動範囲情報は、第1の補正制御目標値PDT1´または第2の補正制御目標値PDT2´の変動範囲を示す情報である。
以下、目標値選択部315Cの機能について、図16を参照しつつ説明する。
The storage unit 32C stores a program executed by the
The fluctuation range information is information indicating a fluctuation range of the first correction control target value PDT1 ′ or the second correction control target value PDT2 ′.
Hereinafter, the function of the target value selection unit 315C will be described with reference to FIG.
制御装置3Cによる波長制御方法では、図16に示すように、上述した実施の形態1で説明した波長制御方法(図8)に対して、ステップS8の代わりにステップS15〜S17が採用されている点が異なる。以下では、ステップS15〜S17のみを説明する。なお、ステップS15〜S17は、本発明に係る目標値選択ステップに相当する。
ここで、図16では、説明の便宜上、ステップS9の後、波長ロック制御を完了するフローとしているが、実際には、ステップS9の後、ステップS4に戻り、ステップS4〜S7,S15〜S17,S9のループを繰り返すことにより、レーザ光L1の波長を目標波長TWに制御する。
In the wavelength control method by the control device 3C, as shown in FIG. 16, steps S15 to S17 are employed instead of step S8, compared to the wavelength control method (FIG. 8) described in the first embodiment. The point is different. Only steps S15 to S17 will be described below. Steps S15 to S17 correspond to a target value selection step according to the present invention.
Here, in FIG. 16, for convenience of explanation, a flow for completing the wavelength lock control after step S9 is shown, but actually, after step S9, the process returns to step S4, and steps S4 to S7, S15 to S17, By repeating the loop of S9, the wavelength of the laser light L1 is controlled to the target wavelength TW.
ステップS15は、ステップS7の後に実行される。
具体的に、目標値選択部315Cは、記憶部32Cに記憶された変動範囲情報を参照し、直前に選択した補正制御目標値を中心とする当該変動範囲情報に基づく変動範囲内に当該補正制御目標値に対応するとともに新たに生成された補正制御目標値が入ったか否かを判断する(ステップS15)。なお、「直前に選択した補正制御目標値」とは、直前のループ(ステップS4〜S7,S15〜S17,S9のループ)におけるステップS16,S17にて選択した補正制御目標値を意味する。また、「当該補正制御目標値に対応するとともに新たに生成された補正制御目標値」とは、直前のループにおけるステップS16,S17にて第1の補正制御目標値PDT1´が選択されている場合にはステップS7(現在のループ(当該直前のループの次のループ)におけるステップS7)にて新たに生成された第1の補正制御目標値PDT1´を意味し、直前のループにおけるステップS16,S17にて第2の補正制御目標値PDT2´が選択されている場合にはステップS7(現在のループ(当該直前のループの次のループ)におけるステップS7)にて新たに生成された第2の補正制御目標値PDT2´を意味する。
Step S15 is executed after step S7.
Specifically, the target value selection unit 315C refers to the variation range information stored in the storage unit 32C, and performs the correction control within the variation range based on the variation range information centered on the correction control target value selected immediately before. It is determined whether or not a newly generated correction control target value corresponding to the target value has been entered (step S15). The “correction control target value selected immediately before” means the correction control target value selected in steps S16 and S17 in the immediately preceding loop (steps S4 to S7, S15 to S17, and S9). The “correction control target value corresponding to the correction control target value and newly generated” is the case where the first correction control target value PDT1 ′ is selected in steps S16 and S17 in the immediately preceding loop. Means the first correction control target value PDT1 ′ newly generated in step S7 (step S7 in the current loop (the loop next to the previous loop)), and steps S16 and S17 in the previous loop. When the second correction control target value PDT2 ′ is selected in step S7, the second correction newly generated in step S7 (step S7 in the current loop (the loop next to the immediately preceding loop)). This means the control target value PDT2 ′.
変動範囲内に新たに生成された補正制御目標値が入ったと判断した場合(ステップS15:Yes)には、目標値選択部315Cは、当該新たに生成された補正制御目標値とは別の補正制御目標値の方が平均値AVに近い場合であっても、当該新たに生成された補正制御目標値を選択する(ステップS16)。この後、制御装置3Cは、ステップS9に移行する。なお、「当該新たに生成された補正制御目標値とは別の補正制御目標値」とは、新たに生成された補正制御目標値が第1の補正制御目標値PDT1´である場合には第2の補正制御目標値PDT2´を意味し、新たに生成された補正制御目標値が第2の補正制御目標値PDT2´である場合には第1の補正制御目標値PDT1´を意味する。
一方、変動範囲内に新たに生成された補正制御目標値が入っていないと判断した場合(ステップS15:No)には、目標値選択部315Cは、上述した実施の形態1で説明したステップS8と同様に、ステップS7にて生成された第1,第2の補正制御目標値PDT1´,PDT2´のうち、平均値AVに近い補正制御目標値を選択する(ステップS17)。この後、制御装置3Cは、ステップS9に移行する。
When it is determined that the newly generated correction control target value is within the fluctuation range (step S15: Yes), the target value selection unit 315C corrects the correction separately from the newly generated correction control target value. Even if the control target value is closer to the average value AV, the newly generated corrected control target value is selected (step S16). Thereafter, the control device 3C proceeds to step S9. The “correction control target value different from the newly generated correction control target value” is the first value when the newly generated correction control target value is the first correction control target value PDT1 ′. 2 when the newly generated correction control target value is the second correction control target value PDT2 ′, it means the first correction control target value PDT1 ′.
On the other hand, when it is determined that the newly generated correction control target value is not included in the fluctuation range (step S15: No), the target value selection unit 315C performs step S8 described in the first embodiment. Similarly, a correction control target value close to the average value AV is selected from the first and second correction control target values PDT1 ′ and PDT2 ′ generated in step S7 (step S17). Thereafter, the control device 3C proceeds to step S9.
図17及び図18は、波長制御方法を説明する図である。具体的に、図17は、図6及び図9に対応した図であって、基準温度に対応する第1の透過特性情報を曲線CL1で示し、当該基準温度に対応する第2の透過特性情報を曲線CL2で示している。また、第1の光フィルタ63aの温度が基準温度からΔTだけ増加した場合での当該第1の光フィルタ63aの透過特性を曲線CL1U(図17(a))で示している。さらに、第1の光フィルタ63aの温度が基準温度からΔTだけ低減した場合での当該第1の光フィルタ63aの透過特性を曲線CL1D(図17(b))で示している。また、第2の光フィルタ64aの温度が基準温度からΔTだけ増加した場合での当該第2の光フィルタ64aの透過特性を曲線CL2U(図17(a))で示している。さらに、第2の光フィルタ64aの温度が基準温度からΔTだけ低減した場合での当該第2の光フィルタ64aの透過特性を曲線CL2D(図17(b))で示している。図18は、図17(a)及び図17(b)の曲線CL2,CL2U,CL2Dの一部を拡大した図である。
17 and 18 are diagrams for explaining the wavelength control method. Specifically, FIG. 17 is a diagram corresponding to FIG. 6 and FIG. 9, in which first transmission characteristic information corresponding to the reference temperature is indicated by a curve CL1, and second transmission characteristic information corresponding to the reference temperature is shown. Is indicated by a curve CL2. Further, the transmission characteristic of the first
ところで、ステップS4〜S7,S15〜S17,S9のループを繰り返し実行していると、波長可変レーザ装置1Cの周囲の環境温度の微小な揺らぎに応じて、ステップS6にて推定されるフィルタ温度も揺らぐ。上述したΔTは、当該フィルタ温度の揺らぎ量を意味する。そして、例えば、図17(a)に示したように、フィルタ温度が基準温度+ΔTの状態では、第2の補正制御目標値PDT2´の方が第1の補正制御目標値PDT1´よりも平均値AVに近いため、当該第2の補正制御目標値PDT2´が選択される。一方、図17(b)に示すように、フィルタ温度が基準温度−ΔTの状態では、第1の補正制御目標値PDT1´の方が第2の補正制御目標値PDT2´よりも平均値AVに近いため、当該第1の補正制御目標値PDT1´が選択される。すなわち、ステップS4〜S7,S15〜S17,S9のループを繰り返し実行していると、波長可変レーザ装置1Cの周囲の環境温度の微小な揺らぎに応じて、選択される補正制御目標値が頻繁に切り替わることとなる。
By the way, if the loop of steps S4 to S7, S15 to S17, and S9 is repeatedly executed, the filter temperature estimated in step S6 is also determined according to the minute fluctuation of the ambient temperature around the wavelength
そこで、本実施の形態4では、記憶部32Cに第1の補正制御目標値または第2の補正制御目標値の変動範囲(図17に示した変動上限値FULと変動下限値FDLとの間の範囲FR)を示す変動範囲情報を記憶しておく。制御装置3Cは、直前に選択した補正制御目標値PDT´を中心とする変動範囲FR内に当該補正制御目標値に対応するとともに新たに生成した補正制御目標値が入った場合には、当該新たに生成した補正制御目標値とは別の補正制御目標値の方が平均値AVに近い場合であっても、当該新たに生成した補正制御目標値を選択する。そして、制御装置3Cは、当該新たに生成した補正制御目標値に対して第1,第2のPD比のうち当該補正制御目標値を目標値とするPD比が合致するように、波長調整制御を実行する。 Therefore, in the fourth embodiment, the storage unit 32C stores the fluctuation range of the first correction control target value or the second correction control target value (between the fluctuation upper limit value FUL and the fluctuation lower limit value FDL shown in FIG. 17). The variation range information indicating the range FR) is stored. When the newly generated correction control target value is entered in the fluctuation range FR centered on the correction control target value PDT ′ selected immediately before, the control device 3C Even when a correction control target value different from the correction control target value generated in the step is closer to the average value AV, the newly generated correction control target value is selected. Then, the control device 3C controls the wavelength adjustment so that the PD ratio having the correction control target value as the target value out of the first and second PD ratios matches the newly generated correction control target value. Execute.
ここで、変動範囲情報に基づく変動範囲FRは、以下に示すように設定されている。
すなわち、フィルタ温度が基準温度からΔTだけずれた場合での第1,第2の光フィルタ63a,64aにおける透過特性の当該ΔTに応じた波長のずれ量は、上述した実施の形態2で説明した温度特性情報(単位温度当たりの波長のずれ量X[nm/℃]を用いて、図18に示すように、ずれ量(X×ΔT)となる。また、変動上限値FULまたは変動下限値FDLと変動範囲FRの中心位置(補正制御目標値PDT´)との間の幅は、当該ΔTに応じた波長のずれ量(X×ΔT)と、上述した実施の形態2で説明したスロープ情報とに基づいて、算出することができる。すなわち、変動範囲FRは、当該幅の2倍を最小範囲として設定されている。
Here, the fluctuation range FR based on the fluctuation range information is set as shown below.
That is, when the filter temperature is shifted by ΔT from the reference temperature, the wavelength shift amount corresponding to ΔT of the transmission characteristics in the first and second
以上説明した本実施の形態4のように補正制御目標値を選択する場合であっても、上述した実施の形態1と同様の効果を奏する。
また、波長可変レーザ装置1Cの周囲の環境温度の微小な揺らぎに対して、選択される補正制御目標値が頻繁に切り替わることを抑制することができる。
Even when the correction control target value is selected as in the fourth embodiment described above, the same effects as those in the first embodiment described above can be obtained.
Further, it is possible to suppress frequent switching of the selected correction control target value with respect to minute fluctuations in the environmental temperature around the wavelength
(実施の形態5)
次に、本実施の形態5について説明する。
以下の説明では、上述した実施の形態1と同様の構成には同一符号を付し、その詳細な説明は省略または簡略化する。
図19は、本実施の形態5に係る制御装置3Dの構成を示すブロック図である。図20は、制御装置3Dによる波長制御方法を示すフローチャートである。
本実施の形態5に係る波長可変レーザ装置1Dでは、上述した実施の形態1で説明した波長可変レーザ装置1に対して、制御装置3とは異なる手法で波長ロック制御を実行する制御装置3Dを採用している。
制御装置3Dでは、上述した実施の形態1で説明した制御装置3に対して、目標値補正部314及び目標値選択部315の機能を異なるものとしている。
以下では、説明の便宜上、本実施の形態5に係る制御部(目標値補正部及び目標値選択部)を制御部31D(目標値補正部314D及び目標値選択部315D)とする。
以下、目標値補正部314D及び目標値選択部315Dの機能について、図20を参照しつつ説明する。
(Embodiment 5)
Next, the fifth embodiment will be described.
In the following description, the same reference numerals are given to the same components as those in the first embodiment described above, and detailed description thereof will be omitted or simplified.
FIG. 19 is a block diagram showing a configuration of a control device 3D according to the fifth embodiment. FIG. 20 is a flowchart illustrating a wavelength control method by the control device 3D.
In the wavelength
In the control device 3D, the functions of the target
Hereinafter, for convenience of explanation, the control unit (target value correction unit and target value selection unit) according to the fifth embodiment is referred to as a
Hereinafter, functions of the target value correcting unit 314D and the target value selecting unit 315D will be described with reference to FIG.
制御装置3Dによる波長制御方法では、図20に示すように、上述した実施の形態1で説明した波長制御方法(図8)に対して、ステップS18〜S21が追加されている点が異なる。以下では、ステップS18〜S21のみを説明する。
ステップS18は、ステップS6の後に実行される。
具体的に、制御部31Dは、ステップS6にて推定されたフィルタ温度と基準温度との温度差が閾値よりも小さいか否かを判断する(ステップS18)。
ここで、ステップS18において、「No」の判断は、第1,第2の光フィルタ63a,64aの透過特性において、フィルタ温度と基準温度との温度差に応じた波長のずれ量が比較的に大きいことを意味する。すなわち、第1の制御目標値PDT1または第2の制御目標値PDT2が不感帯に位置していなくても、第1の補正制御目標値PDT1´または第2の補正制御目標値PDT2´が不感帯に位置する可能性が高いことを意味する。
一方、ステップS18において、「Yes」の判断は、フィルタ温度と基準温度との温度差に応じた波長のずれ量が比較的に小さいことを意味する。すなわち、第1の制御目標値PDT1または第2の制御目標値PDT2が不感帯に位置していなければ、第1の補正制御目標値PDT1´または第2の補正制御目標値PDT2´も不感帯に位置しない可能性が高いことを意味する。
As shown in FIG. 20, the wavelength control method by the control device 3D is different from the wavelength control method described in the first embodiment (FIG. 8) in that steps S18 to S21 are added. Only steps S18 to S21 will be described below.
Step S18 is executed after step S6.
Specifically, the
Here, in step S18, the determination of “No” is made because the wavelength shift amount corresponding to the temperature difference between the filter temperature and the reference temperature is relatively small in the transmission characteristics of the first and second
On the other hand, in step S18, the determination of “Yes” means that the wavelength shift amount corresponding to the temperature difference between the filter temperature and the reference temperature is relatively small. That is, if the first control target value PDT1 or the second control target value PDT2 is not located in the dead zone, the first correction control target value PDT1 ′ or the second correction control target value PDT2 ′ is not located in the dead zone. It means that the possibility is high.
フィルタ温度と基準温度との温度差が閾値以上であると判断された場合(ステップS18:No)には、上述した実施の形態1と同様に、目標値補正部314Dによる第1,第2の制御目標値PDT1,PDT2の補正(ステップS7)、目標値選択部315Dによる第1,第2の補正制御目標値PDT1´,PDT2´の一方の選択(ステップS8)、及び動作制御部316による波長調整制御(ステップS9)が順次、実行される。
When it is determined that the temperature difference between the filter temperature and the reference temperature is greater than or equal to the threshold value (step S18: No), the first and second target value correction units 314D perform the first and second operations as in the first embodiment described above. Correction of control target values PDT1 and PDT2 (step S7), selection of one of the first and second correction control target values PDT1 ′ and PDT2 ′ by the target value selection unit 315D (step S8), and the wavelength by the
一方、フィルタ温度と基準温度との温度差が閾値よりも小さいと判断された場合(ステップS18:Yes)には、目標値選択部315Dは、ステップS2にて算出された第1,第2の制御目標値PDT1,PDT2のうち、記憶部32に記憶された基準値情報に基づく平均値AVに近い方の制御目標値を選択する(ステップS19:目標値選択ステップ)。
ステップS19の後、目標値補正部314Dは、ステップS6にて推定されたフィルタ温度に対応する目標値補正情報を参照し、ステップS19にて選択された制御目標値を補正して補正制御目標値を生成する(ステップS20:目標値補正ステップ)。なお、ステップS20は、ステップS7に対して、当該ステップS7では第1,第2の制御目標値PDT1,PDT2の双方をそれぞれ補正していたのに対して、ステップS19にて選択された制御目標値のみを補正している点が異なるのみである。
On the other hand, when it is determined that the temperature difference between the filter temperature and the reference temperature is smaller than the threshold value (step S18: Yes), the target value selection unit 315D performs the first and second calculations calculated in step S2. Of the control target values PDT1 and PDT2, the control target value closer to the average value AV based on the reference value information stored in the
After step S19, the target value correction unit 314D refers to the target value correction information corresponding to the filter temperature estimated in step S6, corrects the control target value selected in step S19, and corrects the corrected control target value. Is generated (step S20: target value correcting step). In step S20, both the first and second control target values PDT1 and PDT2 are corrected in step S7, whereas the control target selected in step S19 is different from step S7. The only difference is that only the values are corrected.
ステップS20の後、動作制御部316は、ステップS20にて生成された補正制御目標値に対して、ステップS4にて算出された第1,第2のPD比のうち、当該補正制御目標値を目標値とするPD比が合致するように、マイクロヒータ421〜423にそれぞれ供給する電力を変化させる波長調整制御を実行する(ステップS21:動作制御ステップ)。なお、「当該補正制御目標値を目標値とするPD比」とは、ステップS19にて第1の制御目標値PDT1が選択されている場合には第1のPD比を意味し、ステップS19にて第2の制御目標値PDT2が選択されている場合には第2のPD比を意味する。
なお、図20では、説明の便宜上、ステップS9,S21の後、波長ロック制御を完了するフローとしているが、実際には、ステップS9,S21の後、ステップS4に戻り、ステップS4〜S6,S18,S7〜S9のループ、または、ステップS4〜S6,S18〜S21のループを繰り返すことにより、レーザ光L1の波長を目標波長TWに制御する。
After step S20, the
In FIG. 20, for the sake of convenience of explanation, after Steps S9 and S21, the flow for completing the wavelength lock control is shown. However, actually, after Steps S9 and S21, the process returns to Step S4, and Steps S4 to S6 and S18. , S7 to S9, or steps S4 to S6 and S18 to S21 are repeated to control the wavelength of the laser light L1 to the target wavelength TW.
以上説明した本実施の形態5のように波長ロック制御を実行する場合であっても、上述した実施の形態1と同様の効果を奏する。 Even when the wavelength lock control is executed as in the fifth embodiment described above, the same effects as in the first embodiment described above can be obtained.
(その他の実施形態)
ここまで、本発明を実施するための形態を説明してきたが、本発明は上述した実施の形態1〜5によってのみ限定されるべきものではない。
上述した実施の形態1〜5では、本発明に係る第1,第2の光フィルタとして、リング共振器型光フィルタ63a,64aを採用してきたが、これに限らない。入射する光の波長に対して周期的な透過特性を有する光フィルタであれば、エタロン等のその他の光フィルタを本発明に係る第1,第2の光フィルタとして採用しても構わない。また、光フィルタの数は、2つに限らず、3つ以上であっても構わない。
(Other embodiments)
Up to this point, the mode for carrying out the present invention has been described. However, the present invention should not be limited only by the first to fifth embodiments.
In the first to fifth embodiments described above, the ring resonator type
上述した実施の形態1〜5において、本発明に係る第1,第2の光フィルタ及び第1〜第3の受光素子を配設する位置は、上述した実施の形態1〜5で説明した位置に限らない。例えば、波長可変光源部4から出力されたレーザ光L1を2つのレーザ光に分岐し、一方のレーザ光を半導体光増幅器5に出力する光分岐部を設ける。そして、本発明に係る第1,第2の光フィルタ及び第1〜第3の受光素子として、光分岐部にて分岐された他方のレーザ光を受ける位置に配設しても構わない。
上述した実施の形態1,2,4,5において、温度センサ8を温度調節器9上に載置する場合、その配設位置は、第2の領域Ar2に限らず、第1の領域Ar1としてもよい。また、フィルタ温度の推定方法は、上述した実施の形態1,2,4,5で説明した熱抵抗情報や波長電力情報を用いる方法に限らず、その他の方法を採用しても構わない。特に、温度センサ8で検出した周囲温度そのものをフィルタ温度として推定するようにしてもよい。
In the first to fifth embodiments described above, the positions where the first and second optical filters and the first to third light receiving elements according to the present invention are disposed are the positions described in the first to fifth embodiments. Not limited to. For example, an optical branching unit that branches the laser beam L1 output from the wavelength variable light source unit 4 into two laser beams and outputs one of the laser beams to the semiconductor optical amplifier 5 is provided. Then, the first and second optical filters and the first to third light receiving elements according to the present invention may be disposed at a position for receiving the other laser beam branched by the optical branching unit.
In the first, second, fourth, and fifth embodiments described above, when the
上述した実施の形態1〜5では、本発明に係る第1,第2の基準値情報として、1つのみの平均値AVを採用していたが、これに限らない。例えば、第1,第2の光フィルタ63a,64aの各透過特性が製造バラつきによって異なる特性となっている場合には、以下の構成を採用しても構わない。
記憶部32,32A〜32Cに第1,第2の基準値情報を記憶しておく。ここで、第1の基準値情報は、第1の光フィルタ63aに入射する光の波長を当該第1の光フィルタ63aの透過特性における1周期分変動させた場合でのPD71から出力された電気信号の出力値に対するPD72から出力された電気信号の出力値の比率である各第1のPD比の平均値(第1の平均値)を示す情報である。一方、第2の基準値情報は、第2の光フィルタ64aに入射する光の波長を当該第2の光フィルタ64aの透過特性における1周期分変動させた場合でのPD71から出力された電気信号の出力値に対するPD73から出力された電気信号の出力値の比率である各第2のPD比の平均値(第2の平均値)を示す情報である。そして、目標値選択部315,315C,315Dは、第1の補正制御目標値PDT1´(ステップS19の場合には第1の制御目標値PDT1)及び第1の平均値の差分と第2の補正制御目標値PDT2´(ステップS19の場合には第2の制御目標値PDT2)及び第2の平均値の差分とのうち、当該差分が小さい補正制御目標値(ステップS19の場合には制御目標値)を選択する。ここで、「当該差分が小さい補正制御目標値(ステップS19の場合には制御目標値)」とは、第1の補正制御目標値PDT1´(ステップS19の場合には第1の制御目標値PDT1)及び第1の平均値の差分の方が第2の補正制御目標値PDT2´(ステップS19の場合には第2の制御目標値PDT2)及び第2の平均値の差分よりも小さい場合には第1の補正制御目標値PDT1´(ステップS19の場合には第1の制御目標値PDT1)を意味し、第2の補正制御目標値PDT2´(ステップS19の場合には第2の制御目標値PDT2)及び第2の平均値の差分の方が第1の補正制御目標値PDT1´(ステップS19の場合には第1の制御目標値PDT1)及び第1の平均値の差分よりも小さい場合には第2の補正制御目標値PDT2´(ステップS19の場合には第2の制御目標値PDT2)を意味する。
In
First and second reference value information is stored in the
上述した実施の形態1〜5の構成を適宜、組み合わせても構わない。例えば、上述した実施の形態2で説明した第1,第2の制御目標値PDT1,PDT2の補正手法(目標値補正部314Aの機能等)を上述した実施の形態3〜5の構成に適用しても構わない。また、上述した実施の形態3で説明したフィルタ温度の推定手法(温度推定部311Bの機能等)を上述した実施の形態2,4,5の構成に適用しても構わない。
You may combine the structure of Embodiment 1-5 mentioned above suitably. For example, the first and second control target values PDT1 and PDT2 described in the second embodiment described above are applied to the configurations of the third to fifth embodiments described above (such as the function of the target
1,1A〜1D 波長可変レーザ装置
2 波長可変レーザモジュール
3,3A〜3D 制御装置
4 波長可変光源部
5 半導体光増幅器
6 平面光波回路
7 光検出部
8 温度センサ
9 温度調節器
31,31A〜31D 制御部
32,32A〜32C 記憶部
41 光源部
42 波長可変部
43 第1の導波路部
44 第2の導波路部
44a 光導波層
45 n側電極
61 光分岐部
62 光導波路
63 光導波路
63a リング共振器型光フィルタ(第1の光フィルタ)
64 光導波路
64a リング共振器型光フィルタ(第2の光フィルタ)
71〜73 PD
91 設置面
311,311B 温度推定部
312 モニタ値算出部
313 目標値算出部
314,314A,314D 目標値補正部
315,315C,315D 目標値選択部
316 動作制御部
421〜423 マイクロヒータ
431 導波路部
431a 利得部
431b 回折格子層
432 半導体積層部
433 p側電極
441 2分岐部
441a 多モード干渉型導波路
442,443 アーム部
444 リング状導波路
445 位相調整部
Ar1 第1の領域
Ar2 第2の領域
AV 平均値
B1 基部
C1 光共振器
CL1,CL1´,CL1U,CL1D,CL2,CL2´,CL2U,CL2D 曲線
CV1,CV2 補正値
FR 変動範囲
FDL 変動下限値
FUL 変動上限値
L1〜L6レーザ光
LL 下限値
M1 反射ミラー
PDT´ 補正制御目標値
PDT1 第1の制御目標値
PDT1´ 第1の補正制御目標値
PDT2 第2の制御目標値
PDT2´ 第2の補正制御目標値
RF1 リング共振器フィルタ
TW 目標波長
TW´ 波長
UL 上限値
DESCRIPTION OF
64
71-73 PD
91
Claims (11)
前記波長可変光源部から出力されたレーザ光の強度を取得する第1の受光素子と、
入射する光の波長に対して周期的に特性が変化する第1の透過特性を有する第1の光フィルタと、
前記第1の光フィルタを透過したレーザ光の強度を取得する第2の受光素子と、
入射する光の波長に対して周期的に特性が変化する第2の透過特性を有する第2の光フィルタと、
前記第2の光フィルタを透過したレーザ光の強度を取得する第3の受光素子と、
前記波長可変光源部の動作を制御する制御装置とを備え、
前記制御装置は、
前記第1の光フィルタ及び前記第2の光フィルタのフィルタ温度を推定する温度推定部と、
前記第1の受光素子及び前記第2の受光素子が取得したレーザ光の強度に基づいて第1のモニタ値を算出するとともに、前記第1の受光素子及び前記第3の受光素子が取得したレーザ光の強度に基づいて第2のモニタ値を算出するモニタ値算出部と、
前記フィルタ温度に基づいて、レーザ光の目標波長に対応するとともに前記第1のモニタ値の目標となる第1の制御目標値を補正して第1の補正制御目標値を生成するとともに、前記目標波長に対応するとともに前記第2のモニタ値の目標となる第2の制御目標値を補正して第2の補正制御目標値を生成する目標値補正部と、
前記第1の補正制御目標値と前記第2の補正制御目標値とのいずれか一方の補正制御目標値を選択する目標値選択部と、
前記目標値選択部にて選択された補正制御目標値と、前記第1のモニタ値及び前記第2のモニタ値のうち当該補正制御目標値を目標値とするモニタ値とに基づいて、前記波長可変光源部から出力されるレーザ光の波長を前記目標波長に制御する動作制御部とを備える
ことを特徴とする波長可変レーザ装置。 A wavelength tunable light source unit that makes the wavelength of the laser beam to be output variable;
A first light receiving element for acquiring the intensity of the laser beam output from the wavelength variable light source unit;
A first optical filter having a first transmission characteristic whose characteristics periodically change with respect to the wavelength of incident light;
A second light receiving element for acquiring the intensity of the laser light transmitted through the first optical filter;
A second optical filter having a second transmission characteristic whose characteristic changes periodically with respect to the wavelength of the incident light;
A third light receiving element for acquiring the intensity of the laser light transmitted through the second optical filter;
A control device for controlling the operation of the wavelength variable light source unit,
The controller is
A temperature estimation unit for estimating a filter temperature of the first optical filter and the second optical filter;
The first monitor value is calculated based on the intensity of the laser light acquired by the first light receiving element and the second light receiving element, and the laser acquired by the first light receiving element and the third light receiving element. A monitor value calculation unit for calculating a second monitor value based on the intensity of light;
Based on the filter temperature, the first control target value corresponding to the target wavelength of the laser light and the target of the first monitor value is corrected to generate a first correction control target value, and the target A target value correcting unit that generates a second corrected control target value by correcting the second control target value that corresponds to the wavelength and that is the target of the second monitor value;
A target value selection unit that selects one of the first correction control target value and the second correction control target value;
Based on the correction control target value selected by the target value selection unit, and the monitor value having the correction control target value as a target value among the first monitor value and the second monitor value, the wavelength A wavelength tunable laser apparatus comprising: an operation control unit configured to control the wavelength of laser light output from the variable light source unit to the target wavelength.
複数の温度毎に設けられた複数の目標値補正情報を記憶する記憶部をさらに備え、
前記目標値補正情報は、
複数の波長と複数の補正値とがそれぞれ関連付けられた情報であり、
前記目標値補正部は、
前記複数の目標値補正情報のうち前記フィルタ温度に対応する目標値補正情報を参照し、当該目標値補正情報における前記複数の補正値のうち前記目標波長が関連付けられた補正値を用いて、前記第1の制御目標値及び前記第2の制御目標値を補正する
ことを特徴とする請求項1に記載の波長可変レーザ装置。 The controller is
A storage unit for storing a plurality of target value correction information provided for each of a plurality of temperatures;
The target value correction information is
Information that associates multiple wavelengths with multiple correction values.
The target value correction unit
The target value correction information corresponding to the filter temperature is referred to among the plurality of target value correction information, and the correction value associated with the target wavelength among the plurality of correction values in the target value correction information is used. The wavelength tunable laser device according to claim 1, wherein the first control target value and the second control target value are corrected.
前記複数の目標値補正情報における前記目標波長が関連付けられた複数の補正値から補間により補正値を生成し、当該生成した補正値を用いて、前記第1の制御目標値及び前記第2の制御目標値を補正する
ことを特徴とする請求項2に記載の波長可変レーザ装置。 The target value correction unit
A correction value is generated by interpolation from a plurality of correction values associated with the target wavelength in the plurality of target value correction information, and the first control target value and the second control are generated using the generated correction value. The wavelength tunable laser device according to claim 2, wherein the target value is corrected.
前記第1の光フィルタ及び前記第2の光フィルタにおける温度特性を示す温度特性情報と、前記第1の透過特性及び前記第2の透過特性を示すスロープ情報とを記憶する記憶部をさらに備え、
前記温度特性情報は、
単位温度当たりの波長のずれ量を示す情報であり、
前記スロープ情報は、
前記第1の光フィルタ及び前記第2の光フィルタに入射する光の波長の変動量に対する前記第1のモニタ値及び前記第2のモニタ値の変動量の比率を示す情報であり、
前記目標値補正部は、
前記フィルタ温度及び基準温度の温度差と、前記温度特性情報と、前記スロープ情報とに基づいて補正値を生成し、当該生成した補正値を用いて、前記第1の制御目標値及び前記第2の制御目標値を補正する
ことを特徴とする請求項1に記載の波長可変レーザ装置。 The controller is
A storage unit for storing temperature characteristic information indicating temperature characteristics in the first optical filter and the second optical filter, and slope information indicating the first transmission characteristic and the second transmission characteristic;
The temperature characteristic information is
It is information indicating the amount of wavelength shift per unit temperature.
The slope information is
Information indicating the ratio of the fluctuation amount of the first monitor value and the second monitor value to the fluctuation amount of the wavelength of light incident on the first optical filter and the second optical filter,
The target value correction unit
A correction value is generated based on the temperature difference between the filter temperature and the reference temperature, the temperature characteristic information, and the slope information, and the first control target value and the second value are generated using the generated correction value. The wavelength tunable laser device according to claim 1, wherein the control target value is corrected.
前記第1の透過特性を示す第1の基準値情報と、前記第2の透過特性を示す第2の基準値情報とを記憶する記憶部をさらに備え、
前記第1の基準値情報は、
前記第1の光フィルタに入射する光の波長を前記第1の透過特性における1周期分変動させた際での前記第1のモニタ値の第1の平均値を示す情報であり、
前記第2の基準値情報は、
前記第2の光フィルタに入射する光の波長を前記第2の透過特性における1周期分変動させた際での前記第2のモニタ値の第2の平均値を示す情報であり、
前記目標値選択部は、
前記第1の補正制御目標値及び前記第1の平均値の差分と前記第2の補正制御目標値及び前記第2の平均値の差分とのうち、当該差分が小さい補正制御目標値を選択する
ことを特徴とする請求項1〜4のいずれか一つに記載の波長可変レーザ装置。 The controller is
A storage unit for storing first reference value information indicating the first transmission characteristic and second reference value information indicating the second transmission characteristic;
The first reference value information is
Information indicating a first average value of the first monitor values when the wavelength of light incident on the first optical filter is changed by one period in the first transmission characteristic;
The second reference value information is
Information indicating a second average value of the second monitor value when the wavelength of light incident on the second optical filter is changed by one period in the second transmission characteristic;
The target value selection unit
Of the difference between the first correction control target value and the first average value and the difference between the second correction control target value and the second average value, a correction control target value having a small difference is selected. The wavelength tunable laser device according to claim 1, wherein
変動範囲を示す変動範囲情報をさらに記憶し、
前記目標値選択部は、
直前に選択した補正制御目標値を中心とする前記変動範囲内に当該直前に選択された補正制御目標値に対応するとともに前記目標値補正部にて新たに生成された補正制御目標値が入った場合には、当該新たに生成された補正制御目標値とは別の補正制御目標値の方が前記平均値に近い場合であっても、当該新たに生成された補正制御目標値を選択する
ことを特徴とする請求項5に記載の波長可変レーザ装置。 The storage unit
Further storing variation range information indicating the variation range,
The target value selection unit
The correction control target value newly generated by the target value correction unit and corresponding to the correction control target value selected immediately before is included in the fluctuation range centered on the correction control target value selected immediately before. In this case, even if a correction control target value different from the newly generated correction control target value is closer to the average value, the newly generated correction control target value is selected. The wavelength tunable laser device according to claim 5.
前記第1の光フィルタに第1の波長のレーザ光を入力した場合に、当該第1の波長に対応するとともに前記第1のモニタ値として期待される期待モニタ値を示す期待モニタ値情報を記憶する記憶部をさらに備え、
前記温度推定部は、
前記第1の光フィルタに前記第1の波長のレーザ光を入力した場合での前記第1のモニタ値と前記期待モニタ値との差分に基づいて、前記フィルタ温度を推定する
ことを特徴とする請求項1〜6のいずれか一つに記載の波長可変レーザ装置。 The controller is
When the laser light having the first wavelength is input to the first optical filter, expected monitor value information indicating the expected monitor value corresponding to the first wavelength and expected as the first monitor value is stored. A storage unit
The temperature estimation unit
The filter temperature is estimated based on a difference between the first monitor value and the expected monitor value when laser light having the first wavelength is input to the first optical filter. The wavelength tunable laser device according to claim 1.
前記温度推定部は、
前記周囲温度に基づいて、前記フィルタ温度を推定する
ことを特徴とする請求項1〜6のいずれか一つに記載の波長可変レーザ装置。 A temperature sensor for detecting the ambient temperature of the wavelength tunable laser device;
The temperature estimation unit
The wavelength tunable laser apparatus according to claim 1, wherein the filter temperature is estimated based on the ambient temperature.
前記波長可変光源部から出力されたレーザ光の強度を取得する第1の受光素子と、
入射する光の波長に対して周期的に特性が変化する第1の透過特性を有する第1の光フィルタと、
前記第1の光フィルタを透過したレーザ光の強度を取得する第2の受光素子と、
入射する光の波長に対して周期的に特性が変化する第2の透過特性を有する第2の光フィルタと、
前記第2の光フィルタを透過したレーザ光の強度を取得する第3の受光素子と、
前記波長可変光源部の動作を制御する制御装置とを備え、
前記制御装置は、
前記第1の光フィルタ及び前記第2の光フィルタのフィルタ温度を推定する温度推定部と、
前記第1の受光素子及び前記第2の受光素子が取得したレーザ光の強度に基づいて第1のモニタ値を算出するとともに、前記第1の受光素子及び前記第3の受光素子が取得したレーザ光の強度に基づいて第2のモニタ値を算出するモニタ値算出部と、
レーザ光の目標波長に対応するとともに前記第1のモニタ値の目標となる第1の制御目標値と、前記目標波長に対応するとともに前記第2のモニタ値の目標となる第2の制御目標値とのいずれか一方の制御目標値を選択する目標値選択部と、
前記フィルタ温度に基づいて、前記目標値選択部にて選択された制御目標値を補正し、補正制御目標値を生成する目標値補正部と、
前記補正制御目標値と、前記第1のモニタ値及び前記第2のモニタ値のうち当該補正制御目標値を目標値とするモニタ値とに基づいて、前記波長可変光源部から出力されるレーザ光の波長を前記目標波長に制御する動作制御部とを備える
ことを特徴とする波長可変レーザ装置。 A wavelength tunable light source unit that makes the wavelength of the laser beam to be output variable;
A first light receiving element for acquiring the intensity of the laser beam output from the wavelength variable light source unit;
A first optical filter having a first transmission characteristic whose characteristics periodically change with respect to the wavelength of incident light;
A second light receiving element for acquiring the intensity of the laser light transmitted through the first optical filter;
A second optical filter having a second transmission characteristic whose characteristic changes periodically with respect to the wavelength of the incident light;
A third light receiving element for acquiring the intensity of the laser light transmitted through the second optical filter;
A control device for controlling the operation of the wavelength variable light source unit,
The controller is
A temperature estimation unit for estimating a filter temperature of the first optical filter and the second optical filter;
The first monitor value is calculated based on the intensity of the laser light acquired by the first light receiving element and the second light receiving element, and the laser acquired by the first light receiving element and the third light receiving element. A monitor value calculation unit for calculating a second monitor value based on the intensity of light;
A first control target value corresponding to the target wavelength of the laser beam and serving as the target of the first monitor value, and a second control target value corresponding to the target wavelength and serving as the target of the second monitor value A target value selection unit that selects one of the control target values, and
A target value correcting unit that corrects the control target value selected by the target value selecting unit based on the filter temperature and generates a corrected control target value;
Laser light output from the wavelength tunable light source unit based on the correction control target value and a monitor value using the correction control target value as a target value among the first monitor value and the second monitor value And an operation control unit that controls the wavelength of the laser beam to the target wavelength.
前記第1の光フィルタ及び前記第2の光フィルタのフィルタ温度を推定する温度推定ステップと、
前記第1の受光素子及び前記第2の受光素子が取得したレーザ光の強度に基づいて第1のモニタ値を算出するとともに、前記第1の受光素子及び前記第3の受光素子が取得したレーザ光の強度に基づいて第2のモニタ値を算出するモニタ値算出ステップと、
前記フィルタ温度に基づいて、レーザ光の目標波長に対応するとともに前記第1のモニタ値の目標となる第1の制御目標値を補正して第1の補正制御目標値を生成するとともに、前記目標波長に対応するとともに前記第2のモニタ値の目標となる第2の制御目標値を補正して第2の補正制御目標値を生成する目標値補正ステップと、
前記第1の補正制御目標値と前記第2の補正制御目標値とのいずれか一方の補正制御目標値を選択する目標値選択ステップと、
前記目標値選択ステップにて選択した補正制御目標値と、前記第1のモニタ値及び前記第2のモニタ値のうち当該補正制御目標値を目標値とするモニタ値とに基づいて、前記波長可変光源部から出力されるレーザ光の波長を前記目標波長に制御する動作制御ステップとを備える
ことを特徴とする波長可変レーザ装置の波長制御方法。 A wavelength tunable light source unit that makes the wavelength of the laser beam to be output variable, a first light receiving element that acquires the intensity of the laser beam output from the wavelength tunable light source unit, and the wavelength of the incident light A first optical filter having a first transmission characteristic whose characteristics change, a second light receiving element for acquiring the intensity of laser light transmitted through the first optical filter, and a period with respect to a wavelength of incident light Of a wavelength tunable laser apparatus comprising: a second optical filter having a second transmission characteristic whose characteristics change in nature; and a third light receiving element for acquiring the intensity of the laser light transmitted through the second optical filter. A wavelength control method comprising:
A temperature estimation step of estimating a filter temperature of the first optical filter and the second optical filter;
The first monitor value is calculated based on the intensity of the laser light acquired by the first light receiving element and the second light receiving element, and the laser acquired by the first light receiving element and the third light receiving element. A monitor value calculating step for calculating a second monitor value based on the light intensity;
Based on the filter temperature, the first control target value corresponding to the target wavelength of the laser light and the target of the first monitor value is corrected to generate a first correction control target value, and the target A target value correcting step for generating a second corrected control target value by correcting the second control target value corresponding to the wavelength and serving as the target of the second monitor value;
A target value selection step of selecting any one of the first correction control target value and the second correction control target value;
The wavelength variable based on the correction control target value selected in the target value selection step and the monitor value using the correction control target value as a target value among the first monitor value and the second monitor value. An operation control step of controlling the wavelength of the laser beam output from the light source unit to the target wavelength. A wavelength control method for a wavelength tunable laser device, comprising:
前記第1の光フィルタ及び前記第2の光フィルタのフィルタ温度を推定する温度推定ステップと、
前記第1の受光素子及び前記第2の受光素子が取得したレーザ光の強度に基づいて第1のモニタ値を算出するとともに、前記第1の受光素子及び前記第3の受光素子が取得したレーザ光の強度に基づいて第2のモニタ値を算出するモニタ値算出ステップと、
レーザ光の目標波長に対応するとともに前記第1のモニタ値の目標となる第1の制御目標値と、前記目標波長に対応するとともに前記第2のモニタ値の目標となる第2の制御目標値とのいずれか一方の制御目標値を選択する目標値選択ステップと、
前記フィルタ温度に基づいて、前記目標値選択ステップにて選択した制御目標値を補正し、補正制御目標値を生成する目標値補正ステップと、
前記補正制御目標値と、前記第1のモニタ値及び前記第2のモニタ値のうち当該補正制御目標値を目標値とするモニタ値とに基づいて、前記波長可変光源部から出力されるレーザ光の波長を前記目標波長に制御する動作制御ステップとを備える
ことを特徴とする波長可変レーザ装置の波長制御方法。 A wavelength tunable light source unit that makes the wavelength of the laser beam to be output variable, a first light receiving element that acquires the intensity of the laser beam output from the wavelength tunable light source unit, and the wavelength of the incident light A first optical filter having a first transmission characteristic whose characteristics change, a second light receiving element for acquiring the intensity of laser light transmitted through the first optical filter, and a period with respect to a wavelength of incident light Of a wavelength tunable laser apparatus comprising: a second optical filter having a second transmission characteristic whose characteristics change in nature; and a third light receiving element for acquiring the intensity of the laser light transmitted through the second optical filter. A wavelength control method comprising:
A temperature estimation step of estimating a filter temperature of the first optical filter and the second optical filter;
The first monitor value is calculated based on the intensity of the laser light acquired by the first light receiving element and the second light receiving element, and the laser acquired by the first light receiving element and the third light receiving element. A monitor value calculating step for calculating a second monitor value based on the light intensity;
A first control target value corresponding to the target wavelength of the laser beam and serving as the target of the first monitor value, and a second control target value corresponding to the target wavelength and serving as the target of the second monitor value A target value selection step for selecting one of the control target values of
A target value correcting step for correcting the control target value selected in the target value selecting step based on the filter temperature and generating a corrected control target value;
Laser light output from the wavelength tunable light source unit based on the correction control target value and a monitor value using the correction control target value as a target value among the first monitor value and the second monitor value And an operation control step of controlling the wavelength of the wavelength to the target wavelength.
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