JP2019124776A

JP2019124776A - Display device, and method for manufacturing display device

Info

Publication number: JP2019124776A
Application number: JP2018004070A
Authority: JP
Inventors: 大原　宏樹; Hiroki Ohara; 宏樹大原
Original assignee: Japan Display Inc
Current assignee: Japan Display Inc
Priority date: 2018-01-15
Filing date: 2018-01-15
Publication date: 2019-07-25

Abstract

To provide a method for manufacturing a display device capable of preventing disconnection of wiring for a touch sensor.SOLUTION: A method for manufacturing a display device 10 comprises the steps of: forming a first electrode 147c connected to an external terminal outside a display unit 103; forming a first organic insulation layer 150 covering a peripheral edge of the first electrode; forming a first inorganic insulation layer 154 on the first organic insulation layer and the first electrode; forming a second inorganic insulation layer 162 on the first inorganic insulation layer; forming a third inorganic insulation layer 166 thinner than the first inorganic insulation layer and the second inorganic insulation layer on the second inorganic insulation layer; forming an opening 185 on the first electrode by removing a part of the first inorganic insulation layer, the second inorganic insulation layer, and the third inorganic insulation layer; and forming a second electrode 183 extending from the display unit and coming into contact with an upper surface of the third inorganic insulation layer, a side surface of the first inorganic insulation layer in the opening, a side surface of the second inorganic insulation layer, a side surface of the third inorganic insulation layer, and the first electrode.SELECTED DRAWING: Figure 4

Description

本発明の一実施形態は、表示装置および表示装置の製造方法に関する。 One embodiment of the present invention relates to a display device and a method of manufacturing the display device.

電気器具および電子機器に用いられる表示装置として、液晶の電気光学効果を利用した液晶表示素子を用いた表示装置または有機エレクトロルミネセンス（有機ＥＬ：ＯｒｇａｎｉｃＥｌｅｃｔｒｏ−Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）素子を表示素子として用いた表示装置が開発、商品化されている。また、表示素子上にタッチセンサを搭載させた表示装置である、タッチパネルが近年急速に普及している。タッチパネルは、スマートフォンなどの携帯情報端末において必要不可欠なものとなっており、情報化社会のさらなる進歩に向けて世界的に開発が進んでいる。 A display device using a liquid crystal display element using an electro-optical effect of liquid crystal or a display using an organic electro luminescence (organic EL: Organic Electro-Luminescence) element as a display device used for electric appliances and electronic devices The device has been developed and commercialized. Further, in recent years, a touch panel, which is a display device having a touch sensor mounted on a display element, has been rapidly spread. The touch panel has become indispensable in portable information terminals such as smartphones, and is being developed worldwide for further advancement of the information society.

上記タッチパネルは、タッチセンサを表示装置とは別基板で作製し、貼り合わせる方式と、表示装置内部に組み込んでしまう方式（オンセル方式という場合がある）などがある。特許文献１には、タッチパネルの構造が開示されている。 The touch panel includes a method in which the touch sensor is manufactured using a substrate different from the display device and is attached to the substrate, or a method in which the touch sensor is incorporated in the display device (sometimes referred to as an on-cell method). Patent Document 1 discloses the structure of a touch panel.

特開２０１５−０５０２４５号公報JP, 2015-050245, A

オンセル方式を用いた場合、表示素子上にタッチセンサが設けられるため、をタッチセンサの配線を外部端子との接続用の電極（端子電極）と接続させるために、端子電極上の絶縁層を除去する必要がある。しかしながら、表示素子を保護するため膜厚の大きい絶縁層が設けられる場合も多く、絶縁層を除去する工程が増加する場合がある。これにより、端子電極にダメージが加わる、または端子電極が一部除去されてしまい、配線が断線する場合がある。 In the case of using the on-cell method, a touch sensor is provided over the display element; therefore, the insulating layer over the terminal electrode is removed in order to connect the wiring of the touch sensor with an electrode (terminal electrode) for connection with an external terminal. There is a need to. However, an insulating layer with a large thickness is often provided to protect a display element, and the number of steps for removing the insulating layer may be increased. As a result, the terminal electrode may be damaged, or the terminal electrode may be partially removed, and the wiring may be broken.

このような課題に鑑み、本発明の一実施形態は、タッチセンサ用の配線の断線を防止することを目的の一つとする。 In view of such a subject, an embodiment of the present invention aims to prevent disconnection of a wire for a touch sensor.

本発明の一実施形態によれば、表示部の外側に外部端子と接続される第１電極を形成し、第１電極の周縁を覆う第１有機絶縁層を形成し、第１有機絶縁層および第１電極上に第１無機絶縁層を形成し、第１無機絶縁層上に第２無機絶縁層を形成し、第２無機絶縁層上に第１無機絶縁層および第２無機絶縁層よりも薄く第３無機絶縁層を形成し、第１無機絶縁層、第２無機絶縁層、および第３無機絶縁層の一部を除去して第１電極上に開口部を形成し、表示部から延びて第３無機絶縁層の上面ならびに開口部における第１無機絶縁層の側面、第２無機絶縁層の側面、および第３無機絶縁層の側面および第１電極と接触する第２電極を形成する、表示装置の製造方法が、提供される。 According to one embodiment of the present invention, a first electrode connected to an external terminal is formed outside the display unit, a first organic insulating layer covering the periphery of the first electrode is formed, a first organic insulating layer, and A first inorganic insulating layer is formed on the first electrode, a second inorganic insulating layer is formed on the first inorganic insulating layer, and the first inorganic insulating layer and the second inorganic insulating layer are formed on the second inorganic insulating layer. A thin third inorganic insulating layer is formed, and the first inorganic insulating layer, the second inorganic insulating layer, and a portion of the third inorganic insulating layer are removed to form an opening on the first electrode, and the first electrode extends from the display portion Forming a second electrode in contact with the upper surface of the third inorganic insulating layer and the side surface of the first inorganic insulating layer in the opening, the side surface of the second inorganic insulating layer, and the side surface of the third inorganic insulating layer and the first electrode; A method of manufacturing a display device is provided.

本発明の他の一実施形態によれば、表示部の外側に配置され、外部端子と接続される部分を有する第１電極と、第１電極の周縁部を覆う第１有機絶縁層と、第１有機絶縁層上の第１無機絶縁層と、第１無機絶縁層上の第２無機絶縁層と、第２無機絶縁層上であり、第１無機絶縁層および第２無機絶縁層よりも薄い第３無機絶縁層と、第１電極上に設けられた開口部と、表示部から第３無機絶縁層の上面を延びて配置され、開口部において、第１無機絶縁層の側面、第２無機絶縁層の側面、および第３無機絶縁層の側面並びに第１電極の上面と接する第２電極と、を含む、表示装置が、提供される。 According to another embodiment of the present invention, there is provided a first electrode disposed outside the display unit and having a portion connected to an external terminal, a first organic insulating layer covering a peripheral portion of the first electrode, and (1) The first inorganic insulating layer on the organic insulating layer, the second inorganic insulating layer on the first inorganic insulating layer, and the second inorganic insulating layer, which are thinner than the first inorganic insulating layer and the second inorganic insulating layer The third inorganic insulating layer, the opening provided on the first electrode, and the top surface of the third inorganic insulating layer extending from the display portion are disposed, and the opening includes the side surface of the first inorganic insulating layer, the second inorganic A display device is provided that includes a side surface of an insulating layer, and a side surface of a third inorganic insulating layer and a second electrode in contact with the top surface of the first electrode.

本発明の一実施形態に係る表示装置の構成を示す上面図である。It is a top view which shows the structure of the display apparatus which concerns on one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態に係るタッチセンサを示す上面図である。It is a top view showing a touch sensor concerning one embodiment of the present invention. 本発明の一実施形態に係るタッチセンサの一部を示す上面図である。It is a top view showing a part of touch sensor concerning one embodiment of the present invention. 本発明の一実施形態に係る表示装置の構成を示す断面図である。It is a sectional view showing the composition of the display concerning one embodiment of the present invention. 本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する断面図である。It is sectional drawing explaining the manufacturing method of the display apparatus which concerns on one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する断面図である。It is sectional drawing explaining the manufacturing method of the display apparatus which concerns on one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する断面図である。It is sectional drawing explaining the manufacturing method of the display apparatus which concerns on one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する断面図である。It is sectional drawing explaining the manufacturing method of the display apparatus which concerns on one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する断面図である。It is sectional drawing explaining the manufacturing method of the display apparatus which concerns on one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する断面図である。It is sectional drawing explaining the manufacturing method of the display apparatus which concerns on one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する断面図である。It is sectional drawing explaining the manufacturing method of the display apparatus which concerns on one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する断面図である。It is sectional drawing explaining the manufacturing method of the display apparatus which concerns on one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態に係る表示装置の構成を示す断面図である。It is a sectional view showing the composition of the display concerning one embodiment of the present invention. 本発明の一実施形態に係る表示装置の構成を示す断面図である。It is a sectional view showing the composition of the display concerning one embodiment of the present invention. 本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する断面図である。It is sectional drawing explaining the manufacturing method of the display apparatus which concerns on one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する断面図である。It is sectional drawing explaining the manufacturing method of the display apparatus which concerns on one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態に係る表示装置の構成を示す断面図である。It is a sectional view showing the composition of the display concerning one embodiment of the present invention. 本発明の一実施形態に係る表示装置の構成を示す断面図である。It is a sectional view showing the composition of the display concerning one embodiment of the present invention. 本発明の一実施形態に係る表示装置の構成を示す断面図である。It is a sectional view showing the composition of the display concerning one embodiment of the present invention.

以下に、本発明の各実施の形態について図面を参照しつつ説明する。なお、開示はあくまで一例にすぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号（又は数字の後に−１、−２などを付した符号）を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。さらに各要素に対する「第１」、「第２」と付記された文字は、各要素を区別するために用いられる便宜的な標識であり、特段の説明がない限りそれ以上の意味を有さない。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. The disclosure is merely an example, and it is naturally included within the scope of the present invention as to what can be easily conceived of by those skilled in the art as to appropriate changes while maintaining the gist of the invention. In addition, the drawings may be schematically represented as to the width, thickness, shape, etc. of each portion in comparison with the actual embodiment in order to clarify the description, but this is merely an example, and the interpretation of the present invention is not limited. It is not limited. Further, in the present specification and the drawings, the same elements as those described above with reference to the existing figures are denoted by the same reference numerals (or reference numerals with numerals -1, -2, etc.) for details. The description may be omitted as appropriate. Furthermore, the letters appended with “first” and “second” for each element are convenient indicators used to distinguish each element and have no further meaning unless specifically stated otherwise .

さらに、本発明の詳細な説明において、ある構成物と他の構成物の位置関係を規定する際、「上に」「下に」とは、ある構成物の直上あるいは直下に位置する場合のみでなく、特に断りの無い限りは、間にさらに他の構成物を介在する場合を含むものとする。 Furthermore, in the detailed description of the present invention, when defining the positional relationship between a certain component and another component, the terms “above” and “below” are only when positioned directly above or below a certain component. However, unless otherwise specified, the case of further intervening other components is included.

また、本明細書において、「導電層」、「電極」、「配線」という言葉とは、同様の意味を有し、状況に応じて入れ替えることが可能である。 Moreover, in this specification, the words "conductive layer", "electrode", and "wiring" have the same meaning, and can be replaced depending on the situation.

＜第１実施形態＞
（１−１．表示装置の構成）
図１は、本実施形態に係る表示装置１０の上面図である。図１において、表示装置１０は、基板１００、表示部１０３、周縁部１０４、駆動回路１０５、駆動回路１０６、駆動回路１０７、フレキシブルプリント基板１０８、および端子部１０９を有する。駆動回路１０５は、ゲートドライバとしての機能を有する。駆動回路１０６は、ソースドライバとしての機能を有する。駆動回路１０７は、後述するタッチセンサを制御する機能を有する。表示部１０３には、表示素子を含む画素１０１が格子状に離間して配列される。フレキシブルプリント基板１０８は、端子部１０９と電気的に接続される。端子部１０９は、信号線１４７ｂと接続されるとともに駆動回路１０５と接続される。 First Embodiment
(1-1. Configuration of Display Device)
FIG. 1 is a top view of a display device 10 according to the present embodiment. In FIG. 1, the display device 10 includes a substrate 100, a display portion 103, a peripheral portion 104, a driver circuit 105, a driver circuit 106, a driver circuit 107, a flexible printed substrate 108, and a terminal portion 109. The drive circuit 105 has a function as a gate driver. The drive circuit 106 has a function as a source driver. The drive circuit 107 has a function of controlling a touch sensor described later. In the display portion 103, the pixels 101 including display elements are arrayed in a grid-like manner. The flexible printed board 108 is electrically connected to the terminal portion 109. The terminal portion 109 is connected to the signal line 147 b and to the drive circuit 105.

表示装置１０において、フレキシブルプリント基板１０８を介して映像表示用の信号が駆動回路１０５および駆動回路１０６に入力される。次に、駆動回路１０５および駆動回路１０６が走査線１４５ｃおよび信号線１４７ｂを介して画素１０１を駆動させる。結果的に、表示部１０３において静止画および動画が表示される。 In the display device 10, a signal for image display is input to the drive circuit 105 and the drive circuit 106 through the flexible printed circuit 108. Next, the driver circuit 105 and the driver circuit 106 drive the pixel 101 through the scan line 145 c and the signal line 147 b. As a result, the still image and the moving image are displayed on the display unit 103.

（１−２．タッチセンサの構成）
次に、タッチセンサの構成について説明する。図２は、表示装置１０に設けられたタッチセンサ２０の上面図である。タッチセンサ２０は、表示部１０３と重なって設けられる。タッチセンサ２０は、上面視において第１センサ電極１８３−１および第２センサ電極１８３−２を含む。なお、第１センサ電極１８３−１および第２センサ電極１８３−２をまとめて導電層１８３という。以下において、分けて説明する必要がない場合は、導電層１８３として説明する。 (1-2. Configuration of touch sensor)
Next, the configuration of the touch sensor will be described. FIG. 2 is a top view of the touch sensor 20 provided in the display device 10. The touch sensor 20 is provided to overlap with the display unit 103. The touch sensor 20 includes a first sensor electrode 183-1 and a second sensor electrode 183-2 in top view. The first sensor electrode 183-1 and the second sensor electrode 183-2 are collectively referred to as a conductive layer 183. In the following, when it is not necessary to separately explain, the conductive layer 183 is described.

図２に示すように、第１センサ電極１８３−１は、表示部１０３の長辺方向（第１方向Ｄ１という場合がある）に延伸して配置される配線として機能する（これを第１センサ配線１１８３−１という場合がある）。第１センサ配線１１８３−１は、表示部１０３の短辺方向（第２方向Ｄ２という場合がある）に並んで配置される。第１方向Ｄ１と第２方向Ｄ２とは交差する。第１センサ電極１８３−１は、タッチセンサ２０における送信電極として機能する。同様に、第２センサ電極１８３−２は、第２方向Ｄ２に延伸して配置される配線として機能する（これを第２センサ配線１１８３−２という場合がある）。第２センサ配線１１８３−２は、第１方向Ｄ１に並んで配置される。第２センサ電極１８３−２は、タッチセンサ２０における受信電極として機能する。なお、第１センサ電極１８３−１が受信電極であり、第２センサ電極１８３−２が送信電極でもよい。第１センサ配線１１８３−１および第２センサ配線１１８３−２は、端子部１０９に設けられた端子電極１０９−１（後述する導電層１４７ｃ）に接続される。端子電極１０９−２は、上述した動画および静止画の表示用として用いられる。 As shown in FIG. 2, the first sensor electrode 1883-1 functions as a wire extending in the long side direction of the display unit 103 (which may be referred to as a first direction D 1) (this is a first sensor Sometimes referred to as the wiring 1183-1). The first sensor wires 1183-1 are arranged side by side in the short side direction (which may be referred to as a second direction D <b> 2) of the display unit 103. The first direction D1 and the second direction D2 intersect. The first sensor electrode 183-1 functions as a transmission electrode in the touch sensor 20. Similarly, the second sensor electrode 183-2 functions as a wire extending in the second direction D2 (this may be referred to as a second sensor wire 1183-2). The second sensor wires 1183-2 are arranged side by side in the first direction D1. The second sensor electrode 183-2 functions as a receiving electrode in the touch sensor 20. The first sensor electrode 183-1 may be a receiving electrode, and the second sensor electrode 183-2 may be a transmitting electrode. The first sensor wiring 1183-1 and the second sensor wiring 1183-2 are connected to a terminal electrode 109-1 (conductive layer 147c described later) provided in the terminal portion 109. The terminal electrode 109-2 is used for displaying the above-described moving image and still image.

タッチセンサ２０の領域２０Ａを拡大した上面図を図３に示す。平面視において、導電層１８３（第１センサ電極１８３−１および第２センサ電極１８３−２）は、画素１０１を囲むように配置される。（つまり、第１センサ電極１８３−１および第２センサ電極１８３−２は、網目状パターンを有するという場合がある）。画素１０１には、後述する表示素子１３０が配置されている。 The top view to which area | region 20A of the touch sensor 20 was expanded is shown in FIG. In plan view, the conductive layer 183 (the first sensor electrode 183-1 and the second sensor electrode 183-2) is disposed so as to surround the pixel 101. (In other words, the first sensor electrode 183-1 and the second sensor electrode 183-2 may have a mesh pattern). In the pixel 101, a display element 130 described later is disposed.

（１−３．タッチセンサの駆動）
ここで、タッチセンサの駆動について図２および図３を用いて説明する。図２に示すように、第１センサ配線１１８３−１および第２センサ配線１１８３−２は、駆動回路１０７と接続する。駆動回路１０７から第１センサ配線１１８３−１を介して第１センサ電極１８３−１に供給された電圧により、第１センサ電極１８３−１と第２センサ電極１８３−２との間に電界が発生する。例えば、人の指が表示装置１０に触れたとき、第１センサ電極１８３−１と第２センサ電極１８３−２との間の電界変化が生じる。これにより、配線間の容量変化が生じる。次に、第２センサ電極１８３−２から第２センサ配線１１８３−２を介して、駆動回路１０７に所定の情報が入力される。以上により、位置情報が検知される。 (1-3. Drive of touch sensor)
Here, driving of the touch sensor will be described with reference to FIGS. 2 and 3. As shown in FIG. 2, the first sensor wiring 1183-1 and the second sensor wiring 1183-2 are connected to the drive circuit 107. An electric field is generated between the first sensor electrode 183-1 and the second sensor electrode 183-2 by the voltage supplied from the drive circuit 107 to the first sensor electrode 183-1 via the first sensor wiring 1183-1. Do. For example, when a human finger touches the display device 10, an electric field change occurs between the first sensor electrode 183-1 and the second sensor electrode 183-2. This causes a capacitance change between the wires. Next, predetermined information is input to the drive circuit 107 from the second sensor electrode 183-2 through the second sensor wiring 1183-2. Position information is detected by the above.

（１−４．表示装置の各層の構成）
図４は、図１乃至図３に示された表示装置１０の表示部１０３（画素１０１）の断面図および周縁部１０４から端子部１０９にかけての断面図である。図５に示すように、表示装置１０は、前述したタッチセンサ２０に加えて、基板１００、トランジスタ１１０、容量素子１２０、容量素子１２１、表示素子１３０、絶縁層１４１、絶縁層１４９、絶縁層１５０、バンク層１５７封止層１６１、およびオーバーコート層１７０などを有する。 (1-4. Configuration of Each Layer of Display Device)
FIG. 4 is a cross-sectional view of the display portion 103 (pixel 101) of the display device 10 shown in FIGS. 1 to 3 and a cross-sectional view from the peripheral portion 104 to the terminal portion 109. As shown in FIG. As shown in FIG. 5, in addition to the touch sensor 20 described above, the display device 10 includes the substrate 100, the transistor 110, the capacitor 120, the capacitor 121, the display element 130, the insulating layer 141, the insulating layer 149, and the insulating layer 150. , A bank layer 157, a sealing layer 161, an overcoat layer 170, and the like.

図４において、トランジスタ１１０は、半導体層１４２、ゲート絶縁層１４３、ゲート電極１４５ａ、およびソース・ドレイン電極１４７ａを有する。トランジスタ１１０は、トップゲート・トップコンタクト構造を有しているが、これに限定されず、ボトムゲート構造としてもよいし、ボトムコンタクト構造としてもよい。 In FIG. 4, the transistor 110 includes a semiconductor layer 142, a gate insulating layer 143, a gate electrode 145a, and a source / drain electrode 147a. The transistor 110 has a top gate top contact structure, but is not limited to this, and may have a bottom gate structure or a bottom contact structure.

また、容量素子１２０には、ゲート絶縁層１４３を誘電体として半導体層１４２のソースまたはドレイン領域および容量電極１４５ｂが用いられる。また、容量素子１２１は、絶縁層１５４を誘電体として、容量電極１５１および画素電極１５５が用いられる。容量電極１５１は画素電極１５５と重畳する。 In the capacitor element 120, the source or drain region of the semiconductor layer 142 and the capacitor electrode 145b are used with the gate insulating layer 143 as a dielectric. Further, in the capacitor element 121, the capacitor electrode 151 and the pixel electrode 155 are used with the insulating layer 154 as a dielectric. The capacitor electrode 151 overlaps with the pixel electrode 155.

また、表示素子１３０には、画素電極１５５、有機ＥＬ層１５９および共通電極１６０が用いられる。つまり、表示素子１３０は、有機ＥＬ素子であるということができる。表示素子１３０は、有機ＥＬ層１５９で発光した光を共通電極１６０側に放射する、いわゆるトップエミッション型の構造を有する。なお、表示素子１３０は、トップエミッション型に限定されず、ボトムエミッション型の構造としてもよい。 Further, for the display element 130, the pixel electrode 155, the organic EL layer 159, and the common electrode 160 are used. That is, it can be said that the display element 130 is an organic EL element. The display element 130 has a so-called top emission type structure that emits light emitted from the organic EL layer 159 to the common electrode 160 side. The display element 130 is not limited to the top emission type, and may have a bottom emission type.

基板１００には、ガラス基板又は有機樹脂基板が用いられる。有機樹脂基板を適用した場合、可撓性を有するシートディスプレイを実現することが可能となる。また、基板１００には、表示素子からの出射光を外に取り出すために、透明性が求められる場合がある。表示素子からの出射光を取り出さない側にある基板は、透明である必要は無いため、前述の材料に加えて、その他の無機材料や金属材料が用いられてもよい。基板１００の厚さは、特に制限されないが、５０μｍ以上５００μｍ以下、好ましくは、１００μｍ以上４００μｍ以下であることが望ましい。 For the substrate 100, a glass substrate or an organic resin substrate is used. When an organic resin substrate is applied, it becomes possible to realize a flexible sheet display. Further, the substrate 100 may be required to have transparency in order to extract light emitted from the display element to the outside. The substrate on the side which does not take out the light emitted from the display element does not have to be transparent, and therefore, other inorganic materials and metal materials may be used in addition to the aforementioned materials. Although the thickness of the substrate 100 is not particularly limited, it is desirable that the thickness is 50 μm to 500 μm, preferably 100 μm to 400 μm.

絶縁層１４１は、基板１００上に設けられ、下地膜としての機能を有する。これにより、基板１００から不純物、代表的にはアルカリ金属、水、水素等の半導体層１４２への拡散を抑制することができる。 The insulating layer 141 is provided over the substrate 100 and has a function as a base film. Thus, diffusion of impurities, typically, alkali metals, water, hydrogen, or the like from the substrate 100 to the semiconductor layer 142 can be suppressed.

半導体層１４２は、絶縁層１４１上に設けられる。半導体層１４２には、シリコン、酸化物半導体または有機物半導体などが用いられる。 The semiconductor layer 142 is provided on the insulating layer 141. For the semiconductor layer 142, silicon, an oxide semiconductor, an organic semiconductor, or the like is used.

ゲート絶縁層１４３は、絶縁層１４１、および半導体層１４２上に設けられる。ゲート絶縁層１４３には、酸化シリコン、酸窒化シリコン、窒化シリコン或いはその他高誘電率の無機材料が用いられる。 The gate insulating layer 143 is provided over the insulating layer 141 and the semiconductor layer 142. For the gate insulating layer 143, silicon oxide, silicon oxynitride, silicon nitride, or another inorganic material with high dielectric constant is used.

ゲート電極１４５ａは、ゲート絶縁層１４３上に設けられる。ゲート電極１４５ａは、走査線（図示せず）に接続される。なお、ゲート電極１４５ａおよび容量電極１４５ｂは、同じくゲート絶縁層１４３上に設けられる。ゲート電極１４５ａおよび容量電極１４５ｂは、共にタンタル、タングステン、チタン、モリブデン、アルミニウム等から選ばれた導電材料で形成される。ゲート電極１４５ａおよび容量電極１４５ｂは、前述の導電材料の単層構造であってもよいし、積層構造であってもよい。 The gate electrode 145 a is provided on the gate insulating layer 143. The gate electrode 145a is connected to a scan line (not shown). Note that the gate electrode 145 a and the capacitor electrode 145 b are similarly provided over the gate insulating layer 143. The gate electrode 145a and the capacitor electrode 145b are both formed of a conductive material selected from tantalum, tungsten, titanium, molybdenum, aluminum or the like. The gate electrode 145a and the capacitor electrode 145b may have a single-layer structure of the above-described conductive material or a stacked structure.

絶縁層１４９は、ゲート絶縁層１４３と同様の材料が用いられ、ゲート絶縁層１４３、ゲート電極１４５ａおよび容量電極１４５ｂ上に設けられる。なお、絶縁層１４９は、単層としてもよいし、上記材料の積層構造としてもよい。 The insulating layer 149 is formed using the same material as the gate insulating layer 143, and is provided over the gate insulating layer 143, the gate electrode 145a, and the capacitor electrode 145b. Note that the insulating layer 149 may have a single layer or a stacked structure of the above materials.

ソース・ドレイン電極１４７ａは、絶縁層１４９上に設けられる。ソース・ドレイン電極１４７ａは、信号線１４７ｂに接続される。ソース・ドレイン電極１４７ａには、ゲート電極１４５ａの材料例として挙げたものと同様の材料が用いられる。ソース・ドレイン電極１４７ａには、ゲート電極１４５ａと同じ材料が用いられても良いし、異なる材料が用いられても良い。 The source / drain electrode 147 a is provided on the insulating layer 149. The source / drain electrode 147a is connected to the signal line 147b. For the source / drain electrode 147a, the same material as that described as the material example of the gate electrode 145a is used. For the source / drain electrode 147a, the same material as that of the gate electrode 145a may be used, or a different material may be used.

絶縁層１５０は、平坦面を有する。したがって、絶縁層１５０は、平坦化膜としての機能を有する。絶縁層１５０は、有機樹脂（例えばアクリル樹脂、エポキシ樹脂）等の有機絶縁材料を含む。特に図示していないが、例えば、絶縁層１５０は、有機絶縁材料と無機絶縁材料との積層として形成されても良い。 The insulating layer 150 has a flat surface. Therefore, the insulating layer 150 has a function as a planarization film. The insulating layer 150 includes an organic insulating material such as an organic resin (for example, an acrylic resin or an epoxy resin). Although not particularly illustrated, for example, the insulating layer 150 may be formed as a laminate of an organic insulating material and an inorganic insulating material.

容量電極１５１は、絶縁層１５０上に設けられる。共にタンタル、タングステン、チタン、モリブデン、アルミニウム等から選ばれた金属材料で形成される。容量電極１５１は、上述の金属材料の単層構造であってもよいし、積層構造であってもよい。酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化インジウム錫亜鉛（ＩＴＺＯ）などの酸素を含む導電材料であってもよい。 The capacitor electrode 151 is provided on the insulating layer 150. Both are formed of a metal material selected from tantalum, tungsten, titanium, molybdenum, aluminum and the like. The capacitive electrode 151 may have a single layer structure of the above-described metal material, or may have a stacked structure. The conductive material may contain oxygen, such as indium zinc oxide (IZO), indium tin oxide (ITO), zinc oxide (ZnO), indium tin oxide zinc (ITZO), and the like.

絶縁層１５４は、絶縁層１５０および容量電極１５１上に設けられる。絶縁層１５４には、酸化シリコン、酸窒化シリコン、窒化シリコン或いはその他高誘電率の無機材料が用いられる。 The insulating layer 154 is provided on the insulating layer 150 and the capacitor electrode 151. The insulating layer 154 is made of silicon oxide, silicon oxynitride, silicon nitride, or other high dielectric constant inorganic material.

画素電極１５５は、表示素子１３０の陽極としての機能を有する。さらに画素電極１５５は、光を反射させる性質を有することが好ましい。前者の機能として好ましいのは酸化インジウム錫（ＩＴＯ）や酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）等の酸化物導電材料であり、後者の機能として好ましいのはアルミニウムや銀といった表面反射性の高い導電材料が挙げられる。これらの機能を両立するため、前述の材料の積層、具体的にはアルミニウムや銀といった表面反射性の高い導電層上に、ＩＴＯやＩＺＯ等の酸化物導電層を積層するといった構造が採用される。 The pixel electrode 155 has a function as an anode of the display element 130. Furthermore, the pixel electrode 155 preferably has a property of reflecting light. The former is preferably an oxide conductive material such as indium tin oxide (ITO) or indium zinc oxide (IZO), and the latter is preferably a conductive material having high surface reflectivity such as aluminum or silver. . In order to make these functions compatible, a structure is adopted in which an oxide conductive layer such as ITO or IZO is stacked on the above-described material stack, specifically a conductive layer having high surface reflectivity such as aluminum or silver. .

有機ＥＬ層１５９は、画素電極１５５上に設けられる。有機ＥＬ層１５９は、有機エレクトロルミネセンス材料などの発光材料を有する。 The organic EL layer 159 is provided on the pixel electrode 155. The organic EL layer 159 has a light emitting material such as an organic electroluminescent material.

共通電極１６０は、表示素子１３０の陰極としての機能を有する。共通電極１６０は、複数の画素電極１５５に跨って、画素電極１５５を連続的に覆うように設けられている。共通電極１６０には有機ＥＬ層１５９で発光した光を透過させるため、透光性を有しかつ導電性を有する材料が設けられる。 The common electrode 160 has a function as a cathode of the display element 130. The common electrode 160 is provided across the plurality of pixel electrodes 155 so as to continuously cover the pixel electrode 155. In order to transmit light emitted from the organic EL layer 159, the common electrode 160 is provided with a light-transmitting material and a conductive material.

共通電極１６０には透光性が求められるのと同時に、画素電極１５５の反射面との間でマイクロキャビティを形成するための反射性が求められる。このため、共通電極１６０は、半透過膜として形成される。具体的には、共通電極１６０として、銀、マグネシウム、又はそれらの合金でなる層が、光が透過する程度の膜厚で形成される。 At the same time as the common electrode 160 is required to be light transmissive, the common electrode 160 is also required to be reflective to form a microcavity with the reflective surface of the pixel electrode 155. For this reason, the common electrode 160 is formed as a semipermeable membrane. Specifically, as the common electrode 160, a layer formed of silver, magnesium, or an alloy thereof is formed to have a thickness enough to transmit light.

バンク層１５７には、画素電極１５５の周縁部を覆うと共に、画素電極１５５の端部で滑らかな段差を形成するために、有機樹脂材料が用いられる。また、バンク層１５７には、表示画像のコントラスト比を高めるために、黒色顔料を含む有機樹脂材料が用いられてもよい。 An organic resin material is used for the bank layer 157 in order to cover the peripheral portion of the pixel electrode 155 and to form a smooth level difference at the end portion of the pixel electrode 155. In addition, an organic resin material containing a black pigment may be used for the bank layer 157 in order to increase the contrast ratio of the display image.

無機絶縁層１６２、有機絶縁層１６４、および無機絶縁層１６６は、順に積層され、封止層１６１としての機能を有する。無機絶縁層１６２および無機絶縁層１６６には、ゲート絶縁層１４３と同様の材料が用いられる。例えば、無機絶縁層１６２および無機絶縁層１６６には、窒化シリコン膜が用いられる。有機絶縁層１６４には、絶縁層１５０やバンク層１５７と同様の材料が用いられる。封止層１６１は、製造時や経年劣化に伴い発生する不純物、特に水分が、発光素子に侵入するのを防止する。本実施例における構成の他、封止性能が十分であれば、封止層１６１は一層でもよく、３層以上の積層構造であってもよい。無機絶縁層１６２および無機絶縁層１６６の膜厚は、数百ｎｍ以上数μｍ以下としてもよい。 The inorganic insulating layer 162, the organic insulating layer 164, and the inorganic insulating layer 166 are sequentially stacked and have a function as the sealing layer 161. For the inorganic insulating layer 162 and the inorganic insulating layer 166, the same material as the gate insulating layer 143 is used. For example, a silicon nitride film is used for the inorganic insulating layer 162 and the inorganic insulating layer 166. For the organic insulating layer 164, the same material as the insulating layer 150 and the bank layer 157 is used. The sealing layer 161 prevents impurities, in particular, moisture, which are generated due to manufacturing or aging deterioration, from entering the light emitting element. In addition to the configuration in the present embodiment, the sealing layer 161 may be a single layer or may have a laminated structure of three or more layers as long as the sealing performance is sufficient. The thickness of each of the inorganic insulating layer 162 and the inorganic insulating layer 166 may be several hundred nm or more and several μm or less.

導電層１８１は、無機絶縁層１６６上に設けられる。導電層１８１は、タンタル、タングステン、チタン、モリブデン、アルミニウム等から選ばれた金属材料で形成される。導電層１８１は、上述の金属材料の単層構造であってもよいし、積層構造であってもよい。上述の金属材料を用いた場合、導電層１８１の抵抗率を下げることができる。例えば、導電層１８３には、チタンが用いられる。 The conductive layer 181 is provided on the inorganic insulating layer 166. The conductive layer 181 is formed of a metal material selected from tantalum, tungsten, titanium, molybdenum, aluminum or the like. The conductive layer 181 may have a single-layer structure of the above-described metal material or may have a stacked structure. When the above metal material is used, the resistivity of the conductive layer 181 can be reduced. For example, titanium is used for the conductive layer 183.

絶縁層１８２は、無機絶縁層１６６および導電層１８１上に設けられる。絶縁層１８２には、ゲート絶縁層１４３と同様の無機絶縁材料が用いられる。絶縁層１８２は、タッチセンサの容量として用いられるため、無機絶縁層１６２および絶縁層１６６よりも薄いことが望ましい。具体的には、絶縁層１８２の膜厚は５０ｎｍ以上２００ｎｍ以下であることが望ましい。 The insulating layer 182 is provided over the inorganic insulating layer 166 and the conductive layer 181. For the insulating layer 182, an inorganic insulating material similar to the gate insulating layer 143 is used. The insulating layer 182 is preferably thinner than the inorganic insulating layer 162 and the insulating layer 166 because the insulating layer 182 is used as a capacitance of the touch sensor. Specifically, the thickness of the insulating layer 182 is preferably 50 nm to 200 nm.

導電層１８３は、絶縁層１８２上に設けられる。導電層１８３には、導電層１８３と同じ材料を用いてもよいし、異なる材料を用いてもよい。例えば、導電層１８３には、チタン、アルミニウム、チタンの積層材料が用いられる。 The conductive layer 183 is provided over the insulating layer 182. For the conductive layer 183, the same material as the conductive layer 183 may be used, or a different material may be used. For example, for the conductive layer 183, a stacked material of titanium, aluminum, and titanium is used.

導電層１８３のうち、第１センサ電極１８３−１は、導電層１８１と一部において重なるように配置される。具体的には、第１センサ電極１８３−１は、図２および図３において第１センサ配線１１８３−１と、第２センサ配線１１８３−２とが交差する部分、つまり絶縁層１８２を貫通する開口部１８２Ａにおいて、導電層１８１と接続される（例えば、図３のＡ１−Ａ２間）。第２センサ電極１８３−２は、導電層１８１を用いることなく、導電層１８３のみで設けられる。上記において、第１センサ電極１８３−１（第１センサ配線１１８３−１）が第１方向Ｄ１に延伸する際に導電層１８１および絶縁層１８２を介して交差することができる。したがって、第１センサ電極１８３−１と第２センサ電極１８３−２とが短絡することを防止することができる。 Of the conductive layer 183, the first sensor electrode 183-1 is disposed so as to partially overlap with the conductive layer 181. Specifically, the first sensor electrode 183-1 is an opening passing through the portion where the first sensor wire 1183-1 and the second sensor wire 1183-2 intersect in FIGS. 2 and 3, that is, the insulating layer 182. In the portion 182A, the conductive layer 181 is connected (for example, between A1 and A2 in FIG. 3). The second sensor electrode 183-2 is provided only by the conductive layer 183 without using the conductive layer 181. In the above, when the first sensor electrode 183-1 (first sensor wiring 1183-1) extends in the first direction D <b> 1, the first sensor electrode 1883 can intersect with each other via the conductive layer 181 and the insulating layer 182. Therefore, a short circuit between the first sensor electrode 183-1 and the second sensor electrode 183-2 can be prevented.

本実施形態においては、第１センサ電極１８３−１と、第２センサ電極１８３−２とが同一の層（具体的には絶縁層１８２）上に設けられているため、小さな容量変化を検知することができる。したがって、タッチセンサの検知精度が向上する。 In the present embodiment, since the first sensor electrode 183-1 and the second sensor electrode 183-2 are provided on the same layer (specifically, the insulating layer 182), a small capacitance change is detected. be able to. Therefore, the detection accuracy of the touch sensor is improved.

オーバーコート層１７０は、バンク層１５７、封止層１６１および導電層１８３上に設けられる。オーバーコート層には、絶縁層１５０やバンク層１５７と同様の材料が用いられる。 The overcoat layer 170 is provided on the bank layer 157, the sealing layer 161 and the conductive layer 183. The same material as the insulating layer 150 and the bank layer 157 is used for the overcoat layer.

（１−５．端子部の構成）
端子部１０９において、端子電極１０９−１となる導電層１４７ｃは、ソース・ドレイン電極１４７ａと同一の層（具体的には絶縁層１４９）上に配置される。オーバーコート層１７０は、導電層１８３をすべて覆うように配置されつつ、一部の領域は除去される。これにより、導電層１４７ｃは、外部端子となるフレキシブルプリント基板１０８の電極と異方性導電膜１９０を介して接続される。 (1-5. Configuration of terminal section)
In the terminal portion 109, the conductive layer 147c which is to be the terminal electrode 109-1 is disposed over the same layer as the source / drain electrode 147a (specifically, the insulating layer 149). The overcoat layer 170 is disposed so as to entirely cover the conductive layer 183, and a part of the area is removed. Thus, the conductive layer 147 c is connected to the electrode of the flexible printed board 108 serving as an external terminal through the anisotropic conductive film 190.

端子部１０９において、導電層１４７ｃ上に開口部１８５が設けられる。開口部１８５において、絶縁層１５０は、導電層１４７ｃの周縁を覆う。また、開口部１８５において、無機絶縁層１６２上に無機絶縁層１６６が設けられ、有機絶縁層１６４は、介在していない。 In the terminal portion 109, an opening 185 is provided over the conductive layer 147c. In the opening 185, the insulating layer 150 covers the periphery of the conductive layer 147c. In the opening 185, the inorganic insulating layer 166 is provided over the inorganic insulating layer 162, and the organic insulating layer 164 is not interposed.

また、導電層１８３は、絶縁層１８２の上面を表示部１０３から延びて配置され、導電層１４７ｃの上面に接続される。このとき、導電層１８３は、無機絶縁層１６２の側面１６２Ａ、無機絶縁層１６６の側面１６６Ａおよび絶縁層１８２の側面１８２Ａの側面にも接続される。 The conductive layer 183 is extended from the display portion 103 over the top surface of the insulating layer 182, and connected to the top surface of the conductive layer 147c. At this time, the conductive layer 183 is also connected to the side surface 162A of the inorganic insulating layer 162, the side surface 166A of the inorganic insulating layer 166, and the side surface 182A of the insulating layer 182.

このとき、開口部１８５において、無機絶縁層１６２の側面１６２Ａ、無機絶縁層１６６の側面１６６Ａ、および絶縁層１８２の側面１８２Ａは、連続する面を有する。また、この連続する面は、開口部の底面に対して順テーパー形状を有することが望ましい。これにより、導電層１８３が開口部１８５において凹凸を有しないために、断線することが防止される。 At this time, in the opening 185, the side surface 162A of the inorganic insulating layer 162, the side surface 166A of the inorganic insulating layer 166, and the side surface 182A of the insulating layer 182 have a continuous surface. Preferably, the continuous surface has a forward tapered shape with respect to the bottom of the opening. Thus, the conductive layer 183 does not have unevenness in the opening 185, so disconnection can be prevented.

（１−６．表示装置１０の製造方法）
以下、表示装置１０の製造方法について、図５乃至図１２を用いて説明する。 (1-6. Manufacturing method of display device 10)
Hereinafter, a method of manufacturing the display device 10 will be described with reference to FIGS. 5 to 12.

（１−６−１．トランジスタの形成）
まず、図５に示すように、基板１００の第１面（断面方向から見た場合の上面）に、絶縁層１４１、半導体層１４２およびゲート絶縁層１４３を形成後、ゲート絶縁層１４３上にゲート電極１４５ａおよび容量電極１４５ｂを形成する。各層は、適宜フォトリソグラフィ法、ナノインプリンティング法、インクジェット法またはエッチング法などを用いて、所定の形状に加工される。 (Formation of a 1-6-1. Transistor)
First, as shown in FIG. 5, after the insulating layer 141, the semiconductor layer 142, and the gate insulating layer 143 are formed on the first surface of the substrate 100 (the upper surface when viewed in the cross sectional direction), the gate is formed on the gate insulating layer 143. An electrode 145a and a capacitor electrode 145b are formed. Each layer is appropriately processed into a predetermined shape by using a photolithography method, a nanoimprinting method, an inkjet method, an etching method, or the like.

基板１００には、ガラス基板、または有機樹脂基板が用いられる。例えば、基板１００として有機樹脂基板を用いる場合、ポリイミド基板が用いられる。 For the substrate 100, a glass substrate or an organic resin substrate is used. For example, when an organic resin substrate is used as the substrate 100, a polyimide substrate is used.

絶縁層１４１は、酸化シリコン、酸窒化シリコン、窒化シリコン等の材料を用いて形成される。絶縁層１４１は、単層であっても、積層であってもよい。絶縁層１４１は、ＣＶＤ法、スピンコーティング法または印刷法などにより形成される。 The insulating layer 141 is formed using a material such as silicon oxide, silicon oxynitride, or silicon nitride. The insulating layer 141 may be a single layer or a stacked layer. The insulating layer 141 is formed by a CVD method, a spin coating method, a printing method, or the like.

半導体層１４２としてシリコン材料を用いる場合、例えばアモルファスシリコン、多結晶シリコンなどが用いられる。また、半導体層１４２として酸化物半導体を用いる場合、例えばインジウム、ガリウム、亜鉛、チタン、アルミニウム、錫、セリウムなどの金属材料が用いられる。例えば、インジウム、ガリウム、亜鉛を有する酸化物半導体（ＩＧＺＯ）を用いることができる。半導体層１４２は、スパッタリング法、蒸着法、めっき法またはＣＶＤ法などにより形成される。 When a silicon material is used as the semiconductor layer 142, for example, amorphous silicon, polycrystalline silicon, or the like is used. In the case of using an oxide semiconductor as the semiconductor layer 142, for example, a metal material such as indium, gallium, zinc, titanium, aluminum, tin, or cerium is used. For example, an oxide semiconductor (IGZO) containing indium, gallium, and zinc can be used. The semiconductor layer 142 is formed by a sputtering method, an evaporation method, a plating method, a CVD method, or the like.

ゲート絶縁層１４３には、酸化シリコン、酸窒化シリコン、窒化シリコン、窒酸化シリコン、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、酸化ハフニウムなどを一種以上含む絶縁膜が用いられる。ゲート絶縁層１４３は、ＣＶＤ法、スピンコーティング法または印刷法などにより形成される。 For the gate insulating layer 143, an insulating film containing one or more of silicon oxide, silicon oxynitride, silicon nitride, silicon oxynitride, aluminum oxide, magnesium oxide, hafnium oxide, and the like is used. The gate insulating layer 143 is formed by a CVD method, a spin coating method, a printing method, or the like.

ゲート電極１４５ａおよび容量電極１４５ｂは、タングステン、アルミニウム、クロム、銅、チタン、タンタル、モリブデン、ニッケル、鉄、コバルト、タングステン、インジウム、亜鉛から選ばれた金属元素、または上記金属元素を成分とする合金か、上述した金属元素を組み合わせた合金等の材料を用いて形成される。また、ゲート電極１４５ａおよび容量電極１４５ｂには、上記材料に窒素、酸素、水素などが含有されたものが用いられてもよい。例えば、ゲート電極１４５ａおよび容量電極１４５ｂとして、スパッタリング法により形成したモリブデンおよびタングステンの積層膜が用いられる。 The gate electrode 145a and the capacitance electrode 145b are made of a metal element selected from tungsten, aluminum, chromium, copper, titanium, tantalum, molybdenum, nickel, iron, cobalt, tungsten, indium, zinc, or an alloy containing the above metal element. Or a material such as an alloy in which the above-described metal elements are combined. In addition, as the gate electrode 145a and the capacitor electrode 145b, a material in which nitrogen, oxygen, hydrogen, or the like is contained in the above material may be used. For example, a stacked film of molybdenum and tungsten formed by a sputtering method is used as the gate electrode 145a and the capacitor electrode 145b.

次に、ゲート絶縁層１４３、ゲート電極１４５ａ上に絶縁層１４９を形成する。絶縁層１４９は、ゲート絶縁層１４３と同様の材料、方法により形成される。例えば、絶縁層１４９として、プラズマＣＶＤ法により形成した酸化シリコン膜が用いられる。 Next, the insulating layer 149 is formed over the gate insulating layer 143 and the gate electrode 145a. The insulating layer 149 is formed by the same material and method as the gate insulating layer 143. For example, as the insulating layer 149, a silicon oxide film formed by plasma CVD is used.

次に、絶縁層１４９上にソース・ドレイン電極１４７ａおよび信号線１４７ｂを形成する。ソース・ドレイン電極１４７ａおよび信号線１４７ｂは、ゲート電極１４５ａと同様の材料、方法を用いることができる。ソース・ドレイン電極１４７ａおよび信号線１４７ｂは、絶縁層１４９に開口部を形成してから形成され、半導体層１４２のソース・ドレイン領域に接続される。 Next, the source / drain electrode 147 a and the signal line 147 b are formed over the insulating layer 149. The source / drain electrode 147a and the signal line 147b can be formed using the same material and method as the gate electrode 145a. The source / drain electrode 147 a and the signal line 147 b are formed after forming an opening in the insulating layer 149, and are connected to the source / drain region of the semiconductor layer 142.

また、ソース・ドレイン電極１４７ａおよび信号線１４７ｂと同時に端子部１０９に用いられる導電層１４７ｃが表示部１０３の外側に形成される。導電層１４７ｃは、端子電極（または第１電極）という場合がある。 In addition, a conductive layer 147 c used for the terminal portion 109 is formed outside the display portion 103 simultaneously with the source / drain electrode 147 a and the signal line 147 b. The conductive layer 147c may be referred to as a terminal electrode (or a first electrode).

次に、絶縁層１４９、ソース・ドレイン電極１４７ａ上に絶縁層１５０を形成する。絶縁層１５０は、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミドなどの有機樹脂（有機絶縁材料）が用いられる。絶縁層１５０は、スピンコーティング法、印刷法、インクジェット法などにより形成することができる。例えば、絶縁層１５０として、スピンコーティング法により形成したアクリル樹脂を用いることができる。このとき、絶縁層１５０は、上面が平坦となる程度まで形成される。絶縁層１５０は、特に限定されないが１μｍ以上１０μｍ以下の厚みで形成することが望ましい。絶縁層１５０は、所定の形状に加工され、端子部１０９において、開口部１８５を有する。これにより、導電層１４７ｃの周縁部が絶縁層１５０により覆われる。 Next, the insulating layer 150 is formed over the insulating layer 149 and the source / drain electrode 147a. The insulating layer 150 is made of an organic resin (organic insulating material) such as an acrylic resin, an epoxy resin, or a polyimide. The insulating layer 150 can be formed by a spin coating method, a printing method, an inkjet method, or the like. For example, an acrylic resin formed by spin coating can be used as the insulating layer 150. At this time, the insulating layer 150 is formed to such an extent that the upper surface is flat. Although the insulating layer 150 is not particularly limited, it is desirable to form the insulating layer 150 with a thickness of 1 μm to 10 μm. The insulating layer 150 is processed into a predetermined shape, and the terminal portion 109 has an opening 185. Thus, the peripheral portion of the conductive layer 147 c is covered with the insulating layer 150.

（１−６−２．表示素子の形成）
次に、図６および図７に示すように、容量素子１２１（上述した容量電極１５１、絶縁層１５４および画素電極１５５で形成される）、表示素子１３０（画素電極１５５、有機ＥＬ層１５９および共通電極１６０で形成される）、バンク層１５７を形成する。各層は、適宜フォトリソグラフィ法、ナノインプリンティング法、インクジェット法またはエッチング法などを用いて、所定の形状に加工される。 (Formation of 1-6-2. Display Element)
Next, as shown in FIGS. 6 and 7, the capacitor element 121 (formed of the above-described capacitor electrode 151, insulating layer 154, and pixel electrode 155), the display element 130 (pixel electrode 155, organic EL layer 159, and common). The bank layer 157 is formed. Each layer is appropriately processed into a predetermined shape by using a photolithography method, a nanoimprinting method, an inkjet method, an etching method, or the like.

まず、絶縁層１５４上に、容量電極１５１と重畳するように画素電極１５５を形成する。例えば、画素電極１５５には、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、等の光反射性の金属材料を用いてもよいし、正孔注入性に優れる酸化インジウム錫（ＩＴＯ）や酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）による透明導電層と、光反射性の金属層とが積層された構造を有していてもよい。画素電極１５５は、ゲート電極１４５ａと同様の方法により形成される。例えば、画素電極１５５として、スパッタリング法により形成したＩＴＯ、銀、ＩＴＯの積層膜が用いられる。 First, the pixel electrode 155 is formed over the insulating layer 154 so as to overlap with the capacitor electrode 151. For example, for the pixel electrode 155, a light reflective metal material such as aluminum (Al), silver (Ag), or the like may be used, or indium tin oxide (ITO) or indium You may have the structure where the transparent conductive layer by IZO) and the light-reflective metal layer were laminated | stacked. The pixel electrode 155 is formed by the same method as the gate electrode 145a. For example, as the pixel electrode 155, a laminated film of ITO, silver, and ITO formed by a sputtering method is used.

次に、絶縁層１５４上および画素電極１５５の周縁部を覆うように、バンク層１５７を形成する。バンク層１５７は、絶縁層１５４上および画素電極１５５の上面において平坦面を有するように形成される。バンク層１５７は、画素電極１５５の上面を露出するように開口部が形成される。バンク層１５７の開口部の端部は、なだらかなテーパー形状となるのが好ましい。例えば、バンク層１５７として、スピンコーティング法により形成したポリイミド膜が用いられる。 Next, a bank layer 157 is formed to cover the insulating layer 154 and the peripheral portion of the pixel electrode 155. The bank layer 157 is formed to have a flat surface on the insulating layer 154 and the upper surface of the pixel electrode 155. The bank layer 157 has an opening formed to expose the top surface of the pixel electrode 155. The end of the opening of the bank layer 157 preferably has a gentle taper. For example, as the bank layer 157, a polyimide film formed by spin coating is used.

次に、画素電極１５５、バンク層１５７上に有機ＥＬ層１５９を形成する。有機ＥＬ層１５９は、低分子系又は高分子系の有機材料を用いて形成される。低分子系の有機材料を用いる場合、有機ＥＬ層１５９は発光性の有機材料を含む発光層に加え、当該発光層を挟むように正孔注入層や電子注入層、さらに正孔輸送層や電子輸送層等を含んで構成されていてもよい。 Next, the organic EL layer 159 is formed on the pixel electrode 155 and the bank layer 157. The organic EL layer 159 is formed using a low molecular weight or high molecular weight organic material. When a low molecular weight organic material is used, the organic EL layer 159 is added to a light emitting layer containing a light emitting organic material, and a hole injecting layer or an electron injecting layer sandwiching the light emitting layer, and a hole transporting layer or an electron It may be configured to include a transport layer or the like.

また、有機ＥＬ層１５９は、少なくとも画素電極１５５と重畳するように形成される。有機ＥＬ層１５９は、真空蒸着法、印刷法、スピンコーティング法などにより形成される。有機ＥＬ層１５９を真空蒸着法により形成する場合、適宜シャドーマスクを用い、成膜されない領域を設けながら形成してもよい。有機ＥＬ層１５９は、隣接する画素と異なる材料を用いて形成してもよいし、全ての画素において同一の有機ＥＬ層１５９を用いてもよい。 Further, the organic EL layer 159 is formed to overlap at least the pixel electrode 155. The organic EL layer 159 is formed by a vacuum evaporation method, a printing method, a spin coating method, or the like. In the case of forming the organic EL layer 159 by a vacuum evaporation method, it may be formed using a shadow mask as appropriate while providing a region not to be formed. The organic EL layer 159 may be formed using a material different from that of the adjacent pixel, or the same organic EL layer 159 may be used in all the pixels.

次に画素電極１５５および有機ＥＬ層１５９に跨るように、共通電極１６０を形成する。共通電極１６０には、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）や酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）等の透明導電膜、または銀（Ａｇ）とマグネシウムの合金を用いることができる。また、共通電極１６０は、真空蒸着法、スパッタリング法により形成することができる。例えば、共通電極１６０として、蒸着法により成膜した銀（Ａｇ）とマグネシウムの合金膜が用いられる。これにより、バンク層１５７の開口部に表示素子が形成される。 Next, the common electrode 160 is formed so as to straddle the pixel electrode 155 and the organic EL layer 159. For the common electrode 160, a transparent conductive film such as indium tin oxide (ITO) or indium zinc oxide (IZO), or an alloy of silver (Ag) and magnesium can be used. In addition, the common electrode 160 can be formed by a vacuum evaporation method or a sputtering method. For example, as the common electrode 160, an alloy film of silver (Ag) and magnesium formed by vapor deposition is used. Thus, a display element is formed in the opening of the bank layer 157.

（１−６−３．封止層の形成）
次に、図８に示すように、封止層１６１となる無機絶縁層１６２、有機絶縁層１６４および無機絶縁層１６６を順に形成する。封止層１６１は、表示部１０３全面を覆うように形成される。例えば、端子部１０９においては、無機絶縁層１６２は、導電層１４７ｃ、絶縁層１５０、またはバンク層１５７上に形成される。また、有機絶縁層１６４は、周縁部１０４において除去され、端子部１０９では無機絶縁層１６２上に無機絶縁層１６６が形成される。 (Formation of 1-6-3 sealing layer)
Next, as shown in FIG. 8, an inorganic insulating layer 162, an organic insulating layer 164, and an inorganic insulating layer 166 to be the sealing layer 161 are sequentially formed. The sealing layer 161 is formed to cover the entire surface of the display unit 103. For example, in the terminal portion 109, the inorganic insulating layer 162 is formed over the conductive layer 147c, the insulating layer 150, or the bank layer 157. In addition, the organic insulating layer 164 is removed at the peripheral portion 104, and the inorganic insulating layer 166 is formed on the inorganic insulating layer 162 at the terminal portion 109.

無機絶縁層１６２および無機絶縁層１６６には、酸化アルミニウム、酸化シリコン、窒化シリコンおよび酸窒化シリコンなどを一種以上含む絶縁膜が用いられる。無機絶縁層１６２および無機絶縁層１６６は、プラズマＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、蒸着法、スピンコーティング法、スプレー法、または印刷法を用いて形成される。例えば、無機絶縁層１６２および無機絶縁層１６６には、プラズマＣＶＤ法で形成した窒化シリコン膜を用いることができる。なお、無機絶縁層１６２および無機絶縁層１６６は、表示素子１３０の劣化を防止するために、低温（例えば１００℃以下）で形成されることが望ましい。 For the inorganic insulating layer 162 and the inorganic insulating layer 166, an insulating film containing one or more of aluminum oxide, silicon oxide, silicon nitride, silicon oxynitride, and the like is used. The inorganic insulating layer 162 and the inorganic insulating layer 166 are formed by a plasma CVD method, a thermal CVD method, a vapor deposition method, a spin coating method, a spray method, or a printing method. For example, as the inorganic insulating layer 162 and the inorganic insulating layer 166, a silicon nitride film formed by a plasma CVD method can be used. Note that the inorganic insulating layer 162 and the inorganic insulating layer 166 are preferably formed at low temperature (eg, 100 ° C. or less) in order to prevent deterioration of the display element 130.

有機絶縁層１６４には、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂等の材料を用いることができる。また、有機絶縁層１６４は、スピンコーティング法、蒸着法、スプレー法、インクジェット法、印刷法などを用いて形成される。有機絶縁層１６４の膜厚は、限定されないが、例えば数μｍ以上数十μｍ以下としてもよい。 For the organic insulating layer 164, a material such as an acrylic resin, a polyimide resin, or an epoxy resin can be used. The organic insulating layer 164 is formed by a spin coating method, an evaporation method, a spray method, an inkjet method, a printing method, or the like. The thickness of the organic insulating layer 164 is not limited, but may be, for example, several μm or more and several tens of μm or less.

（１−６−４．タッチセンサおよび端子部の形成）
次に、タッチセンサ２０を形成する。まず、図９に示すように絶縁層１６６上に導電層１８１を形成する。導電層１８１は、ゲート電極１４５ａと同様の方法を用いて形成することができる。例えば、導電層１８１には、チタン（Ｔｉ）が用いられる。 (Formation of 1-6-4. Touch sensor and terminal part)
Next, the touch sensor 20 is formed. First, as shown in FIG. 9, the conductive layer 181 is formed over the insulating layer 166. The conductive layer 181 can be formed using a method similar to that of the gate electrode 145a. For example, titanium (Ti) is used for the conductive layer 181.

次に、図１０に示すように絶縁層１６６および導電層１８１上に絶縁層１８２を形成する。絶縁層１８２には、ゲート絶縁層１４３と同様の材料、方法が用いられる。例えば、絶縁層１８２として、プラズマＣＶＤ法により形成した窒化シリコン膜が用いられる。絶縁層１８２は、タッチセンサの容量として用いられるため、無機絶縁層１６２および絶縁層１６６よりも薄く形成される。具体的には、絶縁層１８２の膜厚は５０ｎｍ以上２００ｎｍ以下であることが望ましい。 Next, as shown in FIG. 10, an insulating layer 182 is formed over the insulating layer 166 and the conductive layer 181. For the insulating layer 182, a material and a method similar to those of the gate insulating layer 143 are used. For example, as the insulating layer 182, a silicon nitride film formed by plasma CVD is used. The insulating layer 182 is thinner than the inorganic insulating layer 162 and the insulating layer 166 because the insulating layer 182 is used as a capacitor of the touch sensor. Specifically, the thickness of the insulating layer 182 is preferably 50 nm to 200 nm.

次に、図１１に示すように、導電層１４７ｃ上の無機絶縁層１６２、無機絶縁層１６６および絶縁層１８２の一部を除去して導電層１４７ｃの上面が露出した開口部１８５を形成する。例えば、無機絶縁層１６２、無機絶縁層１６６および絶縁層１８２は、絶縁層１８２の上面にフォトリソグラフィ法を用いてマスク層１８７を形成し、ドライエッチング法により連続的にエッチング加工することにより開口部１８５を形成することができる。ドライエッチング法を用いることにより、開口部１８５において無機絶縁層１６２の側面、無機絶縁層１６６の側面および絶縁層１８２の側面は連続した面を有することができる。なお、このとき同時に開口部１８２Ａも形成される。 Next, as shown in FIG. 11, the inorganic insulating layer 162, the inorganic insulating layer 166, and the insulating layer 182 over the conductive layer 147c are partially removed to form an opening 185 in which the top surface of the conductive layer 147c is exposed. For example, the inorganic insulating layer 162, the inorganic insulating layer 166, and the insulating layer 182 are formed by forming a mask layer 187 on the top surface of the insulating layer 182 by photolithography and continuously etching by dry etching. 185 can be formed. By using dry etching, the side surface of the inorganic insulating layer 162, the side surface of the inorganic insulating layer 166, and the side surface of the insulating layer 182 can have a continuous surface in the opening 185. At the same time, an opening 182A is also formed.

次に、図１２に示すように、絶縁層１８２上に導電層１８３を形成する。導電層１８３は、ゲート電極１４５ａと同様の方法を用いて形成される。例えば、導電層１８３には、チタン（Ｔｉ）が用いられる。このとき、導電層１８３のうち第１センサ電極１８３−１は、表示部１０３から端子部１０９まで延びて、開口部１８５において、無機絶縁層１６２の側面１６２Ａ、無機絶縁層１６６の側面１６６Ａ、絶縁層１８２の側面１８２Ａおよび導電層１４７ｃと接する。第１センサ電極１８３−１が形成されると同時に第２センサ電極１８３−２も形成される。 Next, as shown in FIG. 12, a conductive layer 183 is formed over the insulating layer 182. The conductive layer 183 is formed using a method similar to that of the gate electrode 145a. For example, titanium (Ti) is used for the conductive layer 183. At this time, the first sensor electrode 183-1 of the conductive layer 183 extends from the display portion 103 to the terminal portion 109, and the side surface 162A of the inorganic insulating layer 162, the side surface 166A of the inorganic insulating layer 166, and the insulating It is in contact with the side surface 182A of the layer 182 and the conductive layer 147c. Simultaneously with the formation of the first sensor electrode 183-1, the second sensor electrode 183-2 is also formed.

（１−６−５．オーバーコート層の形成）
次に、表示部１０３および周縁部１０４を覆うように、オーバーコート層１７０を形成する。オーバーコート層１７０には、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂等の材料を用いることができる。オーバーコート層１７０は、絶縁層１５０と同様の方法により形成される。なお、フレキシブルプリント基板１０８との接続のために、端子部１０９においてオーバーコート層１７０の一部は、除去される。以上の方法により、表示装置１０は、製造される。 (Formation of 1-6-5 overcoat layer)
Next, an overcoat layer 170 is formed to cover the display portion 103 and the peripheral portion 104. For the overcoat layer 170, materials such as an acrylic resin, a polyimide resin, and an epoxy resin can be used. The overcoat layer 170 is formed by the same method as the insulating layer 150. Note that a part of the overcoat layer 170 is removed at the terminal portion 109 for connection with the flexible printed circuit 108. The display device 10 is manufactured by the above method.

本実施形態を用いることにより、端子電極を露出させるための絶縁層を除去する工程（具体的には、フォトリソグラフィ法およびエッチング工程など）を減らすことをできる。これにより、端子電極に与えるダメージを減らすことができる。または、端子電極の一部が削れてしまったり、除去されてしまうことが防止される。したがって、配線の断線が防止される。よって表示装置の歩留まりを向上させることができる。また、表示装置の製造工程数が削減されることにより、生産性を向上させることができるとともに、製造コストの削減が可能となる。 By using this embodiment, steps of removing the insulating layer for exposing the terminal electrode (specifically, a photolithography method, an etching step, and the like) can be reduced. Thereby, damage to the terminal electrode can be reduced. Alternatively, the terminal electrode is prevented from being partially removed or removed. Therefore, disconnection of the wiring is prevented. Thus, the yield of the display device can be improved. In addition, since the number of manufacturing processes of the display device is reduced, productivity can be improved and manufacturing cost can be reduced.

なお、本実施形態において、表示装置１０は折り曲げ部１０２を有してもよい。図１３は、表示装置１０−１の断面図である。折り曲げ部１０２には、絶縁層、具体的には無機絶縁材料を含む絶縁層が設けられないことが望ましい。これにより、表示装置１０を折り曲げ部１０２において曲げやすくなる。また、この例では折り曲げ部１０２は、外部端子用の接続部分Ｃ１と、導電層１８３の接続部分Ｃ２との間に設けられているが、導電層１８３の接続部Ｃ２より周縁部１０４側に設けられてもよい。 In the present embodiment, the display device 10 may have the bending portion 102. FIG. 13 is a cross-sectional view of the display device 10-1. It is desirable that the bent portion 102 be not provided with an insulating layer, specifically, an insulating layer containing an inorganic insulating material. Thus, the display device 10 can be easily bent at the bending portion 102. Further, in this example, the bent portion 102 is provided between the connection portion C1 for the external terminal and the connection portion C2 of the conductive layer 183, but is provided closer to the peripheral portion 104 than the connection portion C2 of the conductive layer 183. It may be done.

＜第２実施形態＞
（２−１．表示装置１０−２の構成）
第１実施形態と形態の異なる表示装置１０−２について以下に説明する。なお、第１実施形態の同様の構造、材料については、その説明を援用する。 Second Embodiment
(2-1. Configuration of Display Device 10-2)
The display device 10-2 having a form different from that of the first embodiment will be described below. In addition, the description is used for the same structure and material of 1st Embodiment.

図１４は、表示装置１０−２の周縁部および端子部１０９の断面図である。第１実施形態の表示装置１０において、開口部１８５において無機絶縁層１６２の側面、無機絶縁層１６６の側面および絶縁層１８２の側面は連続した面を有する例を示したが、これに限定されない。 FIG. 14 is a cross-sectional view of the peripheral portion of the display device 10-2 and the terminal portion 109. In the display device 10 according to the first embodiment, the side surface of the inorganic insulating layer 162, the side surface of the inorganic insulating layer 166, and the side surface of the insulating layer 182 in the opening 185 are illustrated as an example having a continuous surface.

図１４において、絶縁層１８２の端部１８２Ｅは、無機絶縁層１６２の端部１６２Ｅおよび無機絶縁層１６６の端部１６６Ｅよりも開口部１８５から離れて設けられる。これにより、無機絶縁層１６２および無機絶縁層１６６と、絶縁層１８２との間に段差が形成されるため、開口部１８５における導電層１８３の被覆性が向上する。 In FIG. 14, the end portion 182E of the insulating layer 182 is provided farther from the opening 185 than the end portion 162E of the inorganic insulating layer 162 and the end portion 166E of the inorganic insulating layer 166. Thus, a step is formed between the inorganic insulating layer 162 and the inorganic insulating layer 166, and the insulating layer 182, whereby the coverage of the conductive layer 183 in the opening 185 is improved.

無機絶縁層１６２、無機絶縁層１６６および絶縁層１８２には、窒化シリコン膜が用いられる。このとき、無機絶縁層１６２および無機絶縁層１６６は、絶縁層１８２よりも酸素を含んでもよい。 A silicon nitride film is used for the inorganic insulating layer 162, the inorganic insulating layer 166, and the insulating layer 182. At this time, the inorganic insulating layer 162 and the inorganic insulating layer 166 may contain oxygen more than the insulating layer 182.

（２−２．表示装置１０−２の製造方法）
以下に表示装置１０−２の製造方法を示す。なお、表示装置１０および同様の部分について、その説明を援用する。 (2-2. Manufacturing method of display device 10-2)
The manufacturing method of the display apparatus 10-2 is shown below. In addition, the description is used for the display device 10 and similar parts.

まず、図１５に示すように開口部１８５に相当する部分に無機絶縁層１６２および無機絶縁層１６６上に絶縁層１８２を形成する。 First, as illustrated in FIG. 15, the insulating layer 182 is formed over the inorganic insulating layer 162 and the inorganic insulating layer 166 in a portion corresponding to the opening 185.

次に、図１６に示すように、開口部１８５を形成するため、無機絶縁層１６２、無機絶縁層１６６および絶縁層１８２を除去するために加工処理を行う。このとき、絶縁層１８２の上面にフォトリソグラフィ法を用いてマスク層を形成し、ドライエッチング法を用いてエッチング加工処理されることが好ましい。また、無機絶縁層１６２、無機絶縁層１６６および絶縁層１８２が、窒化シリコン膜で形成されることが好ましい。また、無機絶縁層１６２および絶縁層１６６の少なくともいずれかが、絶縁層１８２よりも酸素を多く含むように形成されることが好ましい。 Next, as shown in FIG. 16, in order to form the opening 185, processing is performed to remove the inorganic insulating layer 162, the inorganic insulating layer 166, and the insulating layer 182. At this time, it is preferable that a mask layer be formed over the top surface of the insulating layer 182 using a photolithography method, and that the mask layer be etched using a dry etching method. In addition, the inorganic insulating layer 162, the inorganic insulating layer 166, and the insulating layer 182 are preferably formed using a silicon nitride film. Further, at least one of the inorganic insulating layer 162 and the insulating layer 166 is preferably formed to contain more oxygen than the insulating layer 182.

これらにより、同一のガスを用いて一括で無機絶縁層１６２、無機絶縁層１６６および絶縁層１８２をエッチングする際に、無機絶縁層１６２および絶縁層１６６のエッチングレートと、絶縁層１８２のエッチングレートとを、異ならせることができる。例えば、窒化シリコン膜に酸素が多く含まれると、酸素の含有量の少ない窒化シリコン膜に比べて六フッ化硫黄（ＳＦ₆）、または四フッ化メタン（ＣＦ₄）のエッチングレートが低下する。したがって、無機絶縁層１６２および無機絶縁層１６６はエッチングされづらいために、マスク層１８７の下の絶縁層１８２を横方向にサイドエッチングすることができる。結果として、絶縁層１８２の端部１８２Ｅを無機絶縁層１６２の端部１６２Ｅおよび無機絶縁層１６６の端部１６６Ｅよりも開口部１８５から外側に形成することができ、開口部１８５において段差が形成されることとなる。 Thus, when the inorganic insulating layer 162, the inorganic insulating layer 166, and the insulating layer 182 are etched at once using the same gas, the etching rates of the inorganic insulating layer 162 and the insulating layer 166 and the etching rate of the insulating layer 182 Can be different. For example, when the silicon nitride film contains a large amount of oxygen, the etching rate of sulfur hexafluoride (SF ₆ ) or methane tetrafluoride (CF ₄ ) is reduced as compared to a silicon nitride film having a low oxygen content. Therefore, since the inorganic insulating layer 162 and the inorganic insulating layer 166 are less likely to be etched, the insulating layer 182 under the mask layer 187 can be laterally side-etched. As a result, the end 182E of the insulating layer 182 can be formed outside the opening 185 from the end 162E of the inorganic insulating layer 162 and the end 166E of the inorganic insulating layer 166, and a step is formed in the opening 185 The Rukoto.

したがって、本実施形態を用いることにより、端子電極の断線を防止しつつ、表示装置の製造コストを削減することができる。さらに、本実施形態を用いることにより、無機絶縁層１６６上に段差が設けられ、タッチセンサの配線の断線を防止することができる。 Therefore, by using this embodiment, the manufacturing cost of the display device can be reduced while preventing the disconnection of the terminal electrode. Furthermore, by using this embodiment, a step can be provided over the inorganic insulating layer 166, and disconnection of a wire of the touch sensor can be prevented.

（変形例１）
本実施形態においては、開示例として有機ＥＬ表示装置の場合を例示したが、その他の適用例として、液晶表示装置、その他の自発光型表示装置、あるいは電気泳動表示素子等を有する電子ペーパー型表示装置、あらゆるフラットパネル型の表示装置が挙げられる。また、中小型から大型まで、特に限定することなく適用が可能であることは言うまでもない。 (Modification 1)
In the present embodiment, the case of the organic EL display device has been exemplified as a disclosed example, but as another application example, an electronic paper type display having a liquid crystal display device, another self-luminous display device, an electrophoretic display element or the like Devices include all flat panel type displays. Further, it is needless to say that the invention can be applied to medium to small size and large size without particular limitation.

（変形例２）
本発明の第１実施形態では、開口部１８５の両側において無機絶縁層１６２、無機絶縁層１６６、および絶縁層１８２が設けられる例を示したが、これに限定されない。図１７は、表示装置１０−３の断面図である。図１７に示すように、開口部１８５の片側において、無機絶縁層１６２、無機絶縁層１６６、および絶縁層１８２が設けられなくてもよい。これにより、導電層１８３の被覆性を向上させることができる。 (Modification 2)
Although the inorganic insulating layer 162, the inorganic insulating layer 166, and the insulating layer 182 are provided on both sides of the opening 185 in the first embodiment of the present invention, the present invention is not limited thereto. FIG. 17 is a cross-sectional view of the display device 10-3. As illustrated in FIG. 17, the inorganic insulating layer 162, the inorganic insulating layer 166, and the insulating layer 182 may not be provided on one side of the opening 185. Thereby, the coverage of the conductive layer 183 can be improved.

（変形例３）
本発明の第１実施形態では、絶縁層１５０の側面、無機絶縁層１６２の側面および無機絶縁層１６６の側面が連続する面を有する例を示したが、これに限定されない。図１８は、表示装置１０−４の断面図である。図１８に示すように、無機絶縁層１６２の側面および無機絶縁層１６６の側面が絶縁層１５０よりも開口部１８５から離れて設けられもよい。これにより、開口部１８５における凹凸が小さくなるため、導電層１８３の被覆性を向上させることができる。 (Modification 3)
Although the side surface of the insulating layer 150, the side surface of the inorganic insulating layer 162, and the side surface of the inorganic insulating layer 166 have a continuous surface in the first embodiment of the present invention, the present invention is not limited thereto. FIG. 18 is a cross-sectional view of the display device 10-4. As shown in FIG. 18, the side surface of the inorganic insulating layer 162 and the side surface of the inorganic insulating layer 166 may be provided farther from the opening 185 than the insulating layer 150. Accordingly, since the unevenness in the opening 185 is reduced, the coverage of the conductive layer 183 can be improved.

図１９は、表示装置１０−５の断面図である。図１９に示すように、無機絶縁層１６２の側面および無機絶縁層１６６の側面が絶縁層１５０よりも開口部１８５の内側に配置されてもよい。これにより、開口部１８５において、段差が形成されるため、導電層１８３の被覆性を向上させることができる。 FIG. 19 is a cross-sectional view of the display device 10-5. As shown in FIG. 19, the side surface of the inorganic insulating layer 162 and the side surface of the inorganic insulating layer 166 may be disposed further to the inside of the opening 185 than the insulating layer 150. Thus, a step is formed in the opening 185, and coverage with the conductive layer 183 can be improved.

（変形例４）
本発明の第１実施形態では、絶縁層１５０と、無機絶縁層１６２、無機絶縁層１６６および絶縁層１８２とが、開口部１８５において別々に除去される例を示したが、これに限定されない。開口部１８５において、絶縁層１５０と、無機絶縁層１６２、無機絶縁層１６６および絶縁層１８２とは、一括で除去されてもよい。これにより、さらに製造プロセスを削減することができる。 (Modification 4)
Although the insulating layer 150, the inorganic insulating layer 162, the inorganic insulating layer 166, and the insulating layer 182 are separately removed in the opening 185 in the first embodiment of the present invention, the present invention is not limited thereto. In the opening 185, the insulating layer 150, the inorganic insulating layer 162, the inorganic insulating layer 166, and the insulating layer 182 may be removed collectively. This can further reduce the manufacturing process.

なお、本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例および修正例に想到し得るものであり、それら変更例および修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。例えば、前述の各実施形態に対して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除若しくは設計変更を行ったもの、又は、工程の追加、省略若しくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。 In the category of the idea of the present invention, those skilled in the art can conceive of various modifications and modifications, and it is understood that the modifications and modifications are also within the scope of the present invention. . For example, a person skilled in the art appropriately adds, deletes or changes the design of the component or adds or omits a process or changes conditions to the above-described embodiments. As long as it is included in the scope of the present invention.

１０・・・表示装置、２０・・・タッチセンサ、１００・・・基板、１０３・・・表示部、１０４・・・周縁部、１０５・・・駆動回路、１０６・・・駆動回路、１０７・・・駆動回路、１０８・・・フレキシブルプリント基板、１０９・・・端子部、１１０・・・トランジスタ、１２０・・・容量素子、１２１・・・容量素子、１３０・・・表示素子、１４１・・・絶縁層、１４２・・・半導体層、１４３・・・ゲート絶縁層、１４５ａ・・・ゲート電極、１４５ｂ・・・容量電極、１４７ａ・・・ソース・ドレイン電極、１４９・・・絶縁層、１５０・・・絶縁層、１５１・・・容量電極、１５４・・・絶縁層、１５５・・・画素電極、１５７・・・バンク層、１５９・・・有機ＥＬ層、１６０・・・共通電極、１６１・・・封止層、１６２・・・無機絶縁層、１６４・・・有機絶縁層、１６６・・・無機絶縁層、１８１・・・導電層、１８２・・・絶縁層、１８３・・・導電層、１８５・・・開口部、１９０・・・異方性導電膜 10: display device 20: touch sensor 100: substrate 103: display portion 104: peripheral portion 105: drive circuit 106: drive circuit 107: 107 · · · · · · · · Drive circuit, 108 · · · flexible printed circuit board, 109 · · · terminal portion, 110 · · · transistor, 120 · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · display elements, 141 · · ·. · Insulating layer, 142: semiconductor layer, 143: gate insulating layer, 145a: gate electrode, 145b: capacitance electrode, 147a: source / drain electrode, 149: insulating layer, 150 ... Insulating layer, 151 ... capacitor electrode, 154 ... insulating layer, 155 ... pixel electrode, 157 ... bank layer, 159 ... organic EL layer, 160 ... common electrode, 161 ... Sealing layer, 1 2: Inorganic insulating layer, 164: organic insulating layer, 166: inorganic insulating layer, 181: conductive layer, 182: insulating layer, 183: conductive layer, 185: opening Part, 190 ... Anisotropic conductive film

Claims

A first electrode connected to an external terminal is formed outside the display unit,
Forming a first organic insulating layer covering a periphery of the first electrode;
Forming a first inorganic insulating layer on the first organic insulating layer and the first electrode;
Forming a second inorganic insulating layer on the first inorganic insulating layer;
A third inorganic insulating layer is formed on the second inorganic insulating layer thinner than the first inorganic insulating layer and the second inorganic insulating layer,
An opening is formed on the first electrode by removing a part of the first inorganic insulating layer, the second inorganic insulating layer, and the third inorganic insulating layer,
The upper surface of the third inorganic insulating layer and the side surface of the first inorganic insulating layer at the opening, the side surface of the second inorganic insulating layer, and the side surface of the third inorganic insulating layer which extend from the display unit The manufacturing method of a display apparatus which forms the 2nd electrode which contacts an electrode.

A mask layer having an opening pattern is formed on the upper surface of the third inorganic insulating layer, and the third inorganic insulating layer, the second inorganic insulating layer, and the first inorganic insulating layer are continuously etched to form the opening. The manufacturing method of the display apparatus of Claim 1 which forms a part.

The third inorganic insulating layer is side-etched to form an end of the third inorganic insulating layer outside an end of the first inorganic insulating layer and an end of the second inorganic insulating layer. The manufacturing method of the display apparatus as described in 1 or 2.

The method according to claim 3, wherein at least one of the first inorganic insulating layer and the second inorganic insulating layer is formed to contain more oxygen than the third inorganic insulating layer.

The method for manufacturing a display device according to claim 4, wherein the first inorganic insulating layer, the second inorganic insulating layer, and the third inorganic insulating layer are formed of a silicon nitride film.

A first electrode disposed outside the display unit and having a portion connected to an external terminal;
A first organic insulating layer covering a peripheral portion of the first electrode;
A first inorganic insulating layer on the first organic insulating layer;
A second inorganic insulating layer on the first inorganic insulating layer;
A third inorganic insulating layer on the second inorganic insulating layer and thinner than the first inorganic insulating layer and the second inorganic insulating layer;
An opening provided on the first electrode;
The display unit is disposed to extend from the display portion to the upper surface of the third inorganic insulating layer, and the side surface of the first inorganic insulating layer, the side surface of the second inorganic insulating layer, and the side surface of the third inorganic insulating layer in the opening portion And a second electrode in contact with the top surface of the first electrode,
Display device.

The display device according to claim 6, wherein the side surface of the first inorganic insulating layer, the side surface of the second inorganic insulating layer, and the side surface of the third inorganic insulating layer in the opening have a continuous surface.

The display device according to claim 6, wherein an end portion of the third inorganic insulating layer is provided farther from the opening than the first inorganic insulating layer and the second inorganic insulating layer.

The display device according to claim 8, wherein at least one of the first inorganic insulating layer and the second inorganic insulating layer contains more oxygen than the third inorganic insulating layer.

The display device according to claim 9, wherein the first inorganic insulating layer, the second inorganic insulating layer, and the third inorganic insulating layer are silicon nitride films.

The side surface of the first inorganic insulating layer, the side surface of the second inorganic insulating layer, and the side surface of the third inorganic insulating layer are disposed on the inner side of the opening than the first organic insulating layer. The display device as described in.

The side surface of the first inorganic insulating layer, the side surface of the second inorganic insulating layer, and the side surface of the third inorganic insulating layer are disposed farther from the opening than the first organic insulating layer. The display device as described in.

The display device according to any one of claims 6 to 12, wherein pixels including display elements are arranged in a grid shape in the display unit.

The display device according to claim 13, wherein the second electrode includes a sensor electrode provided on the display element in plan view, and the sensor electrode surrounds the pixel.