JP2019114685A - Electrostatic chuck - Google Patents

Electrostatic chuck Download PDF

Info

Publication number
JP2019114685A
JP2019114685A JP2017247756A JP2017247756A JP2019114685A JP 2019114685 A JP2019114685 A JP 2019114685A JP 2017247756 A JP2017247756 A JP 2017247756A JP 2017247756 A JP2017247756 A JP 2017247756A JP 2019114685 A JP2019114685 A JP 2019114685A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electrostatic chuck
electrode
substrate
capacitor
electrodes
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2017247756A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP7049108B2 (en
Inventor
裕明 鈴木
Hiroaki Suzuki
裕明 鈴木
北林　徹夫
Tetsuo Kitabayashi
徹夫 北林
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Niterra Co Ltd
Original Assignee
NGK Spark Plug Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NGK Spark Plug Co Ltd filed Critical NGK Spark Plug Co Ltd
Priority to JP2017247756A priority Critical patent/JP7049108B2/en
Publication of JP2019114685A publication Critical patent/JP2019114685A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP7049108B2 publication Critical patent/JP7049108B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Landscapes

  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

To provide an electrostatic chuck capable of holding a substrate even in a wet environment for a long time after being disconnected from a power supply.SOLUTION: An electrostatic chuck 10 includes: a substrate 11 made of a flat insulator having an attracting surface 11a for attracting a substrate W; and a conductor unit 13 including at least a pair of electrostatic chuck electrodes 12 embedded in the substrate 11. All the outer surfaces of the conductor unit 13 embedded in the substrate 11 are covered with the insulator. Volume resistivity of the insulator is greater than 1×10Ωcm.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明は、半導体ウェハ等の基板を保持するための静電チャックに関する。   The present invention relates to an electrostatic chuck for holding a substrate such as a semiconductor wafer.

従来から、例えば、半導体ウェハ等の基板を半導体製造装置内で保持するために静電チャックが使用されている。   Conventionally, for example, an electrostatic chuck is used to hold a substrate such as a semiconductor wafer in a semiconductor manufacturing apparatus.

特許文献１には、電源と接続され、各々が互いに逆電荷を保持するように構成された２つの平面状の電極、及び当該２つの電極と電気回路的に並列に接続されたコンデンサを有する静電チャックが開示されている。この静電チャックにおいては、電極との接続が遮断されても、コンデンサからの放電によりしばらくの間、基板に対する静電チャックの吸着力が維持される。   U.S. Pat. No. 6,095,095 discloses a static circuit comprising two planar electrodes connected to a power supply, each configured to hold opposite charges, and a capacitor electrically connected in parallel with the two electrodes. An electric chuck is disclosed. In this electrostatic chuck, even if the connection with the electrode is cut off, the electrostatic chuck chucking force for the substrate is maintained for a while by discharge from the capacitor.

特許文献２には、静電チャックと吸着対象物（基板）との間に配される静電吸着用トレイが開示されている。このトレイは、配線で接続された上下２層の電極が内蔵されており、下面側から与えられる静電位により上面に載置される吸着対象物を保持する。また、静電チャック用トレイを低抵抗誘電体からなるものとすることにより、高い静電位が伝達でき、吸着力の向上を図ることも開示されている。   Patent Document 2 discloses an electrostatic attraction tray disposed between an electrostatic chuck and an attraction target (substrate). The tray incorporates electrodes of upper and lower two layers connected by wiring, and holds an object to be adsorbed placed on the upper surface by electrostatic potential given from the lower surface side. Further, it is also disclosed that the electrostatic chuck tray can be made of a low-resistance dielectric to transmit a high electrostatic potential and to improve the adsorption force.

特開２００２−２９９４２６号公報JP 2002-299426 A 特開２０１６−９７１５号公報JP, 2016-9715, A

しかしながら、特許文献１に開示の構成においては、加工液によって湿潤した状態で基板を研削加工する際などの湿潤環境下においては、静電チャックの端子間に電気的な短絡が発生し、電極と基板との間に蓄積されていた電荷が急激に消滅することで静電吸着力が失われ、基板を保持することができないおそれが生じるという課題があった。   However, in the configuration disclosed in Patent Document 1, an electrical short circuit occurs between the terminals of the electrostatic chuck in a wet environment such as grinding a substrate in a wet state with a processing fluid, and There is a problem that the electrostatic adsorption force is lost by the rapid disappearance of the charge accumulated between the substrate and the substrate, and the substrate may not be held.

さらに、特許文献２に開示の構成においては、静電チャック用トレイが低抵抗誘電体からなるので、蓄積されていた電荷が早く消滅して短時間で静電吸着力が失われるので、基板を長時間に亘って保持することができないという課題があった。   Furthermore, in the configuration disclosed in Patent Document 2, since the electrostatic chuck tray is made of a low-resistance dielectric, the accumulated charge disappears quickly and the electrostatic attraction is lost in a short time. There is a problem that it can not be held for a long time.

本発明は、以上の従来技術の課題に鑑みなされたものであり、電源から切り離されてから長時間に亘って湿潤環境下であっても基板を保持することが可能な静電チャックを提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of the problems of the prior art described above, and provides an electrostatic chuck capable of holding a substrate even in a wet environment for a long time after being disconnected from a power supply. The purpose is

本発明の静電チャックは、基板を吸着するための吸着面を有する平板状の絶縁体からなる基材と、前記基材に埋設されている少なくとも一対の静電チャック電極を含む導体部とを備える静電チャックであって、前記基材に埋設されている前記導体部の全ての外表面は前記絶縁体によって覆われており、前記絶縁体の体積抵抗率は１×１０１５Ωｃｍよりも大きいことを特徴とする。 The electrostatic chuck of the present invention comprises a base member made of a flat plate-like insulator having an adsorption surface for adsorbing a substrate, and a conductor portion including at least a pair of electrostatic chuck electrodes embedded in the substrate. In the electrostatic chuck, the entire outer surface of the conductor portion embedded in the base material is covered with the insulator, and the volume resistivity of the insulator is greater than 1 × 10 15 Ωcm. It is characterized by

本発明の静電チャックによれば、体積抵抗率が１×１０１５Ωｃｍより大きい高抵抗率の絶縁体から基材がなるので、静電チャック電極間などに電気的な短絡は生じ難く、湿潤環境下においても基板を良好に吸着することが可能となると共に、蓄積されていた電荷の消滅が遅延化され、静電吸着力を長時間に亘って持続させることが可能となる。 According to the electrostatic chuck of the present invention, since the substrate is made of a high resistivity insulator having a volume resistivity of more than 1 × 10 15 Ωcm, electrical shorting between electrostatic chuck electrodes and the like is less likely to occur. The substrate can be adsorbed well even under the environment, and the disappearance of the accumulated charge can be delayed, and the electrostatic attraction can be maintained for a long time.

さらに、導体部として少なくとも一対の静電チャック電極が基材に埋設されているだけであるので、特許文献１，２に記載された構成と比較して静電チャックの薄厚化を図ることが可能となる。   Furthermore, since only at least a pair of electrostatic chuck electrodes are embedded in the base as a conductor portion, the thickness of the electrostatic chuck can be reduced as compared with the configurations described in Patent Documents 1 and 2. It becomes.

また、本発明の静電チャックにおいて、前記基材に埋設されている前記導体部は、少なくとも前記一対の静電チャック電極及び少なくとも一対のキャパシタ電極を備え、前記吸着面は、第１領域及び当該第１領域とは異なる第２領域を有し、前記一対の静電チャック電極は、第１の静電チャック電極及び第２静電チャック電極からなり、前記一対のキャパシタ電極は、前記第１の静電チャック電極と対向する第１のキャパシタ電極及び前記第２の静電チャック電極と対向する第２のキャパシタ電極からなり、前記吸着面から当該吸着面と反対の面に向う第１の方向において前記第１領域と重なる前記基材内の第１内部領域において、前記第１の静電チャック電極及び前記第１のキャパシタ電極を有し、前記第１の方向において前記第２領域と重なる前記基材内の第２内部領域において、前記第２の静電チャック電極及び前記第２のキャパシタ電極を有し、前記第１のチャック電極と前記第２のキャパシタ電極とが電気的に接続され、前記第２のチャック電極と前記第１のキャパシタ電極とが電気的に接続されることが好ましい。   Further, in the electrostatic chuck according to the present invention, the conductor portion embedded in the base includes at least the pair of electrostatic chuck electrodes and at least the pair of capacitor electrodes, and the suction surface includes a first region and the first region. It has a second region different from the first region, and the pair of electrostatic chuck electrodes is composed of a first electrostatic chuck electrode and a second electrostatic chuck electrode, and the pair of capacitor electrodes are the first one. It consists of a first capacitor electrode facing the electrostatic chuck electrode and a second capacitor electrode facing the second electrostatic chuck electrode, in a first direction from the suction surface to the surface opposite to the suction surface The first internal region in the base material overlapping the first region includes the first electrostatic chuck electrode and the first capacitor electrode, and the second region in the first direction A second internal region in the base material having the second electrostatic chuck electrode and the second capacitor electrode, and the first chuck electrode and the second capacitor electrode are electrically connected It is preferable that the second chuck electrode and the first capacitor electrode are electrically connected.

この場合、第１内部領域及び第２内部領域においても電荷を蓄積することが可能となり、静電吸着力をさらに長時間に亘って持続させることが可能となる   In this case, the charge can be accumulated also in the first inner region and the second inner region, and the electrostatic attraction can be maintained for a longer time.

第１の実施形態に係る静電チャックの模式断面図。FIG. 1 is a schematic cross-sectional view of an electrostatic chuck according to a first embodiment. 図１の静電チャックの模式上面図。The model top view of the electrostatic chuck of FIG. 図１の静電チャックに基板が載置された際の等価回路の概略図。FIG. 2 is a schematic view of an equivalent circuit when a substrate is placed on the electrostatic chuck of FIG. 1. 静電チャック装置の模式断面図。FIG. 2 is a schematic cross-sectional view of an electrostatic chuck device. 図４の静電チャック装置における図１の静電チャックに基板が載置された際の等価回路の概略図。FIG. 5 is a schematic view of an equivalent circuit when a substrate is placed on the electrostatic chuck of FIG. 1 in the electrostatic chuck device of FIG. 4. 第２の実施形態に係る静電チャックの模式断面図。FIG. 7 is a schematic cross-sectional view of an electrostatic chuck according to a second embodiment. 図６の静電チャックの模式上面図。FIG. 7 is a schematic top view of the electrostatic chuck of FIG. 6. 図６の静電チャックに基板が載置された際の等価回路の概略図。FIG. 7 is a schematic view of an equivalent circuit when the substrate is placed on the electrostatic chuck of FIG. 6.

本発明の第１の実施形態に係る静電チャック１０について、図面を参照して説明する。   An electrostatic chuck 10 according to a first embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.

図１及び図２に示すように、静電チャック１０は、円板状、矩形板状などの平板状の基材１１を備えている。基材１１は、半導体ウェハ等の基板Ｗを吸着するための吸着面１１ａを上面１１ａとして、上面１１ａの反対側に存在する面を下面１１ｂとして有している。   As shown in FIGS. 1 and 2, the electrostatic chuck 10 is provided with a flat substrate 11 such as a disk or a rectangular plate. The base material 11 has an adsorption surface 11a for adsorbing a substrate W such as a semiconductor wafer as an upper surface 11a and a surface opposite to the upper surface 11a as a lower surface 11b.

基材１１は、絶縁体からなり、その体積抵抗率は１×１０１５Ωｃｍよりも大きい。基材１１は、例えば、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、炭化珪素（ＳｉＣ）などのセラミックス焼結体からなる。基材１１の上下方向の高さ、すなわち厚さは１．３ｍｍ以下であることが好ましい。 The substrate 11 is made of an insulator, and its volume resistivity is greater than 1 × 10 15 Ωcm. The base 11 is made of, for example, a ceramic sintered body of alumina (Al 2 O 3 ), aluminum nitride (AlN), silicon carbide (SiC) or the like. The height in the vertical direction of the substrate 11, that is, the thickness is preferably 1.3 mm or less.

静電チャック１０は、さらに、基材１１に埋設されている一対の静電チャック電極１２を含む導体部１３を備える。静電チャック電極１２は、基材１１内に埋設され、上面１１ａ及び下面１１ｂに沿った方向に延在している薄膜状又は薄板状の金属電極である。静電チャック電極１２は、例えば、タングステン（Ｗ）又はモリブデン（Ｍｏ）等から形成されている。   The electrostatic chuck 10 further includes a conductor portion 13 including a pair of electrostatic chuck electrodes 12 embedded in the substrate 11. The electrostatic chuck electrode 12 is a thin film or thin plate metal electrode embedded in the base material 11 and extending in the direction along the upper surface 11 a and the lower surface 11 b. The electrostatic chuck electrode 12 is made of, for example, tungsten (W) or molybdenum (Mo).

静電チャック電極１２は、上面１１ａに沿った方向において並置され、互いに電気的に絶縁された第１の静電チャック電極１２Ａと及び第２の静電チャック電極１２Ｂとから構成されている。例えば、基板１１が円板状である場合、第１及び第２の静電チャック電極１２Ａ，１２Ｂはそれぞれ略半円状である。第１及び第２の静電チャック電極１２Ａ，１２Ｂとの間には、好ましくは３ｍｍ以上、より好ましくは５ｍｍ以上の隙間Ｔが設けられている。   The electrostatic chuck electrodes 12 are juxtaposed in the direction along the upper surface 11a, and are composed of a first electrostatic chuck electrode 12A and a second electrostatic chuck electrode 12B electrically isolated from each other. For example, when the substrate 11 has a disk shape, the first and second electrostatic chuck electrodes 12A and 12B have a substantially semicircular shape. A gap T of preferably 3 mm or more, more preferably 5 mm or more, is provided between the first and second electrostatic chuck electrodes 12A and 12B.

そして、基材１１に埋設されている導体部１３は、その全ての外表面が基材１１を構成する絶縁体によって覆われており、外部に何ら露出しておらず、外部電源等と接続するための端子などと接続可能な構成とはなっていない。   The entire outer surface of conductor portion 13 embedded in base material 11 is covered with the insulator constituting base material 11, and is not exposed to the outside at all, and is connected to an external power supply or the like. It is not configured to be able to connect to the terminal etc.

静電チャック１０に基板Ｗを載置したときの等価回路は、図３に概略図を示すように、基板Ｗと静電チャック電極１２との間において、第１の静電チャック電極１２Ａ上の領域Ｓ１にキャパシタＣ１が形成され、第２の静電チャック電極１２Ｂ上の領域Ｓ２にキャパシタＣ２が形成される。そして、静電チャック１０の上面１１ａのうち、第１の静電チャック電極１２Ａ上の領域ＳＡ１と第２の静電チャック電極１２Ｂ上の領域ＳＡ２との間は、基材１１を構成する絶縁体と比較して電気抵抗が無視できるほどに小さな導電体又は半導体からなる基板Ｗによって接続されている。さらに、第１の静電チャック電極１２Ａから領域Ｓ１を通過して基板Ｗに向う場合には電気抵抗Ｒ１が、第２の静電チャック電極１２Ｂから領域Ｓ２を通過して基板Ｗに向う場合には電気抵抗Ｒ２が形成されているとみなすことができる。   The equivalent circuit when the substrate W is mounted on the electrostatic chuck 10 is, as schematically shown in FIG. 3, between the substrate W and the electrostatic chuck electrode 12 on the first electrostatic chuck electrode 12A. The capacitor C1 is formed in the region S1, and the capacitor C2 is formed in the region S2 on the second electrostatic chuck electrode 12B. Then, on the upper surface 11a of the electrostatic chuck 10, an insulator constituting the base material 11 between the area SA1 on the first electrostatic chuck electrode 12A and the area SA2 on the second electrostatic chuck electrode 12B. It is connected by the substrate W which consists of a conductor or semiconductor whose electrical resistance is negligibly small compared to the above. Furthermore, in the case of passing from the first electrostatic chuck electrode 12A to the substrate W through the region S1 and going to the substrate W from the second electrostatic chuck electrode 12B in the direction to the substrate W. Can be regarded as the formation of the electric resistance R2.

静電チャック１０において、静電チャック電極１２Ａ，１２Ｂの間に電位差が与えられ、キャパシタＣ１，Ｃ２に電荷が蓄積されていると、静電チャック電極１２と基板Ｗとの間にクーロン力が働き、基板Ｗが吸着面１１ａに吸着される。なお、静電チャック１０は、第１の静電チャック電極１２Ａと第２の静電チャック電極１２Ｂとに、互いに正負逆の極性の電圧が印加される、いわゆる双極型の静電チャックである。   In electrostatic chuck 10, a potential difference is applied between electrostatic chuck electrodes 12A and 12B, and when charges are stored in capacitors C1 and C2, a Coulomb force acts between electrostatic chuck electrode 12 and substrate W. The substrate W is attracted to the attraction surface 11a. The electrostatic chuck 10 is a so-called bipolar electrostatic chuck in which voltages having opposite polarities are applied to the first electrostatic chuck electrode 12A and the second electrostatic chuck electrode 12B.

このような回路構成の静電チャック１０においては、キャパシタＣ１，Ｃ２は並列に接続されている電気抵抗Ｒ１，Ｒ２に従って徐々に電荷が減衰する。しかし、基材１１を構成する絶縁体の体積抵抗率が１×１０１５Ωｃｍよりも大きいので、電気抵抗Ｒ１，Ｒ２が非常に大きくなるため、電荷の減衰スピードは非常に緩やかになる。また、絶縁体の体積抵抗率が十分大きいので、静電チャック電極１２Ａ，１２Ｂ間で流れるリーク電流を抑制することが可能となる。 In the electrostatic chuck 10 having such a circuit configuration, the capacitors C1 and C2 gradually attenuate the charge according to the electric resistances R1 and R2 connected in parallel. However, since the volume resistivity of the insulator constituting the substrate 11 is larger than 1 × 10 15 Ωcm, the electric resistances R1 and R2 become very large, so the charge decay speed becomes very slow. Further, since the volume resistivity of the insulator is sufficiently large, it is possible to suppress the leak current flowing between the electrostatic chuck electrodes 12A and 12B.

よって、湿潤環境下においても、残留吸着力の急激な消滅は起こらず、残留吸着力が長時間存続するので、基板Ｗを長時間に亘って持続的に吸着することが可能となる。さらに、上記特許文献２に開示の静電吸着用トレイと比較して静電チャック１０の厚みを薄くすることが可能であり、基板Ｗを静電チャック１０に吸着したままの状態で、従来は基板Ｗ単体で基板Ｗを搬送、収納する際などに使用されるシステムに適用することが可能となる。   Therefore, even in a wet environment, the residual adsorption force does not rapidly disappear, and the residual adsorption force lasts for a long time, so that the substrate W can be adsorbed continuously for a long time. Furthermore, the thickness of the electrostatic chuck 10 can be reduced compared to the electrostatic adsorption tray disclosed in the above-mentioned Patent Document 2, and in the state where the substrate W is adsorbed to the electrostatic chuck 10, The present invention can be applied to a system used when transporting and storing the substrate W with the substrate W alone.

次に、本発明の静電チャック１０を用いた静電チャック装置１００の一例について、図面を参照して説明する。   Next, an example of an electrostatic chuck device 100 using the electrostatic chuck 10 of the present invention will be described with reference to the drawings.

図４に示すように、静電チャック装置１００は、静電チャック１０の他に静電チャック２０を備えている。静電チャック２０は従来から存在するものであり、市販品を用いればよい。   As shown in FIG. 4, the electrostatic chuck apparatus 100 includes an electrostatic chuck 20 in addition to the electrostatic chuck 10. The electrostatic chuck 20 is a conventional one, and a commercially available product may be used.

静電チャック２０は、上面視において静電チャック１０の基材１１と同じ又は大きな形状を有する平板状の基材２１を備えている。基材２１は、静電チャック１０の下面１１ｂが載置される載置面２１ａを上面２１ａとして、上面２１ａの反対側に存在する面を下面２１ｂとして有している。   The electrostatic chuck 20 is provided with a flat substrate 21 having the same or larger shape as the substrate 11 of the electrostatic chuck 10 in a top view. The base 21 has a mounting surface 21a on which the lower surface 11b of the electrostatic chuck 10 is mounted as the upper surface 21a, and a surface opposite to the upper surface 21a as the lower surface 21b.

基材２１は、絶縁体からなり、その体積抵抗率は基材１１の体積抵抗率と同じでも、大きくとも、小さくともよい。基材２１は、例えば、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）炭化珪素（ＳｉＣ）などのセラミックス焼結体からなる。 The substrate 21 is made of an insulator, and the volume resistivity may be the same as, larger than, or smaller than the volume resistivity of the substrate 11. The base 21 is made of, for example, a ceramic sintered body such as aluminum nitride (AlN) or aluminum oxide (Al 2 O 3 ) silicon carbide (SiC).

静電チャック２０は、さらに、基材２１に埋設されている少なくとも一対の静電チャック電極２２を備える。静電チャック電極２２は、基体２１内に埋設され、上面２１ａ及び下面２１ｂに沿った方向に延在している薄膜状の金属電極である。静電チャック電極２２は、例えば、タングステン（Ｗ）又はモリブデン（Ｍｏ）等から形成されている。   The electrostatic chuck 20 further includes at least a pair of electrostatic chuck electrodes 22 embedded in the substrate 21. The electrostatic chuck electrode 22 is a thin film metal electrode embedded in the base 21 and extending in the direction along the upper surface 21 a and the lower surface 21 b. The electrostatic chuck electrode 22 is made of, for example, tungsten (W) or molybdenum (Mo).

静電チャック電極２２は、上面２１ａに沿った方向において並置され、互いに電気的に絶縁された第１の静電チャック電極２２Ａと及び第２の静電チャック電極２２Ｂとから構成されている。例えば、基板２１が円板状である場合、第１及び第２の静電チャック電極２２Ａ，２２Ｂはそれぞれ略半円状である。   The electrostatic chuck electrodes 22 are juxtaposed in the direction along the upper surface 21a, and are composed of a first electrostatic chuck electrode 22A and a second electrostatic chuck electrode 22B electrically insulated from each other. For example, when the substrate 21 has a disk shape, the first and second electrostatic chuck electrodes 22A and 22B have a substantially semicircular shape.

静電チャック２０は、さらに、給電端子２３を備えている。給電端子２３は、静電チャック電極２２に一端が電気的に接続されており、他端が基体２１の下面２１ｂにおいて露出している。そして、給電端子２３は、基体２１から露出している端において電源ＰＳに接続可能に構成されている。   The electrostatic chuck 20 further includes a feed terminal 23. One end of the power supply terminal 23 is electrically connected to the electrostatic chuck electrode 22, and the other end is exposed at the lower surface 21 b of the base 21. The feed terminal 23 is configured to be connectable to the power supply PS at the end exposed from the base 21.

給電端子２３は、一端が第１の静電チャック電極２２Ａに接続されている第１の給電端子２３Ａと、一端が第２の静電チャック電極２２Ｂに接続されている第２の給電端子２３Ｂとから構成されている。そして、第１及び第２の給電端子２３Ａ，２３Ｂは、互いに正負の異なる極性の電源ＰＳに接続されている。これにより、第１及び第２の給電端子２３Ａ，２３Ｂを介して、第１及び第２の静電チャック電極２２Ａ，２２Ｂにそれぞれ正負の異なる極性の電圧を印加することが可能に構成されている。   The feed terminal 23 includes a first feed terminal 23A whose one end is connected to the first electrostatic chuck electrode 22A, and a second feed terminal 23B whose one end is connected to the second electrostatic chuck electrode 22B. It consists of The first and second feed terminals 23A and 23B are connected to power supplies PS of different polarities. Thus, voltages of different positive and negative polarities can be applied to the first and second electrostatic chuck electrodes 22A and 22B through the first and second feed terminals 23A and 23B, respectively. .

静電チャック２０の載置面２１ａ上に基板Ｗを載置した静電チャック１０を載置してなる静電チャック装置１００の等価回路は、図５に概略図を示すように、静電チャック電極１２と静電チャック１０の下面１１ｂとの間において、第１の静電チャック電極１２Ａ下の領域Ｓ３にキャパシタＣ３が形成され、第２の静電チャック電極１２Ｂ下の領域Ｓ４にキャパシタＣ４が形成される。そして、静電チャック１０の下面１１ｂと静電チャック電極２２との間において、第１の静電チャック電極２２Ａ上の領域Ｓ５にキャパシタＣ５が形成され、第２の静電チャック電極２２Ｂ上の領域Ｓ６にキャパシタＣ６が形成される。   The equivalent circuit of the electrostatic chuck apparatus 100 formed by mounting the electrostatic chuck 10 on which the substrate W is mounted on the mounting surface 21a of the electrostatic chuck 20 is, as schematically shown in FIG. A capacitor C3 is formed in a region S3 under the first electrostatic chuck electrode 12A between the electrode 12 and the lower surface 11b of the electrostatic chuck 10, and a capacitor C4 is in a region S4 under the second electrostatic chuck electrode 12B. It is formed. The capacitor C5 is formed in the region S5 on the first electrostatic chuck electrode 22A between the lower surface 11b of the electrostatic chuck 10 and the electrostatic chuck electrode 22, and the region on the second electrostatic chuck electrode 22B. Capacitor C6 is formed at S6.

さらに、静電チャック１０の下面１１ｂから領域Ｓ３を通過し第１の静電チャック電極１２Ａに向う場合には電気抵抗Ｒ３が、静電チャック１０の下面１１ｂから領域Ｓ４を通過し第２の静電チャック電極１２Ｂに向う場合には電気抵抗Ｒ４が形成されるとみなすことができる。そして、第１の静電チャック電極２２Ａから領域Ｓ５を通過し静電チャック１０の下面１１ｂに向う場合には電気抵抗Ｒ５が、第２の静電チャック電極２２Ｂから領域Ｓ６を通過し静電チャック１０の下面１１ｂに向う場合には電気抵抗Ｒ６が形成されるとみなすことができる。   Furthermore, when passing from the lower surface 11b of the electrostatic chuck 10 to the area S3 toward the first electrostatic chuck electrode 12A, the electric resistance R3 passes from the lower surface 11b of the electrostatic chuck 10 to the area S4 and the second static In the case of going to the electric chuck electrode 12B, it can be considered that the electric resistance R4 is formed. Then, when passing from the first electrostatic chuck electrode 22A to the area S5 and going to the lower surface 11b of the electrostatic chuck 10, the electrical resistance R5 passes from the second electrostatic chuck electrode 22B to the area S6 and the electrostatic chuck In the case of going to the lower surface 11b of 10, it can be considered that the electrical resistance R6 is formed.

このように、静電チャック装置１００においては、キャパシタＣ１，Ｃ３，Ｃ５が直列に接続され、キャパシタＣ２，Ｃ４，Ｃ６が直列に接続されている。   As described above, in the electrostatic chuck device 100, the capacitors C1, C3, and C5 are connected in series, and the capacitors C2, C4, and C6 are connected in series.

上述のように、給電端子２３に電源ＰＳを接続して電圧を負荷すると、各キャパシタＣ１〜Ｃ６に電荷が蓄積される。その後、静電チャック１０を静電チャック２０から分離すると、キャパシタＣ１，Ｃ２に蓄積された電荷は時間の経過に従って減衰するが、上述したように、キャパシタＣ１，Ｃ２に蓄積された電荷が消失するまで、静電チャック１０によって基板Ｗを吸着することが可能となる。   As described above, when the power supply PS is connected to the feeding terminal 23 to load a voltage, charges are accumulated in the capacitors C1 to C6. Thereafter, when the electrostatic chuck 10 is separated from the electrostatic chuck 20, the charges accumulated in the capacitors C1 and C2 decay as time passes, but as described above, the charges accumulated in the capacitors C1 and C2 disappear The substrate W can be adsorbed by the electrostatic chuck 10 up to the point.

次に、本発明の第２の実施形態に係る静電チャック１０Ａについて、図面を参照して説明する。   Next, an electrostatic chuck 10A according to a second embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.

なお、本発明の第１領域は、上面視において吸着面１１ａの第１の静電チャック電極１２Ａと重なり合う領域ＳＡ１（図７における符号１２Ａを示す点線で囲まれる領域）に相当し、本発明の第２領域は、上面視において吸着面１１ａの第２の静電チャック電極１２Ｂと重なり合う領域ＳＡ２（図７における符号１２Ｂを示す点線で囲まれる領域）に相当する。そして、本発明の第１の方向は、上面１１ａから下面１１ｂに向う下方向に相当する。   The first region of the present invention corresponds to a region SA1 (a region surrounded by a dotted line indicating a symbol 12A in FIG. 7) overlapping with the first electrostatic chuck electrode 12A of the suction surface 11a in top view. The second region corresponds to a region SA2 (a region surrounded by a dotted line indicating a symbol 12B in FIG. 7) overlapping with the second electrostatic chuck electrode 12B of the suction surface 11a in top view. The first direction of the present invention corresponds to the downward direction from the upper surface 11a to the lower surface 11b.

図６及び図７に示すように、静電チャック１０Ａは、上述した静電チャック１０と同様の基材１１及び一対の静電チャック電極１２を備えている。さらに、静電チャック１０Ａは、導体部１３Ａとして、一対の静電チャック電極１２の他に、一対のキャパシタ電極１４及び静電チャック電極１２とキャパシタ電極１４とを電気的に接続する配線１５とを備えている。   As shown in FIGS. 6 and 7, the electrostatic chuck 10 </ b> A includes a base 11 and a pair of electrostatic chuck electrodes 12 similar to the above-described electrostatic chuck 10. Further, the electrostatic chuck 10A, as the conductor portion 13A, includes the pair of electrostatic chuck electrodes 12 and a wire 15 electrically connecting the pair of capacitor electrodes 14 and the electrostatic chuck electrodes 12 to the capacitor electrode 14 Have.

ここで、第１及び第２の静電チャック電極１２Ａ，１２Ｂは、基材１１の上下方向の高さを揃えて、上面１１ａに沿って埋設されている。そして、キャパシタ電極１４は、第１の静電チャック電極１２Ａよりも上面１１ａから離れた位置であって、第１の静電チャック電極１２Ａと対向する位置において上面１１ａに沿って基材１１に内蔵された第１のキャパシタ電極１４Ａと、第２の静電チャック電極１２Ｂよりも上面１１ａから離れた位置であって、第２の静電チャック電極１２Ｂと対向する位置において上面１１ａに沿って基材１１に内蔵された第２キャパシタ電極１４Ｂとから構成されている。キャパシタ電極１４は、例えば、タングステン（Ｗ）又はモリブデン（Ｍｏ）等から形成されている。例えば、第１及び第２の静電チャック電極１２Ａ，１２Ｂ基板１１が略半円板状である場合、第１及び第２のキャパシタ電極１４Ａ，１４Ｂは同じくそれぞれ略半円状である。   Here, the first and second electrostatic chuck electrodes 12A and 12B are embedded along the upper surface 11a so that the heights of the base material 11 in the vertical direction are equal. The capacitor electrode 14 is embedded in the base 11 along the upper surface 11a at a position farther from the upper surface 11a than the first electrostatic chuck electrode 12A and at a position facing the first electrostatic chuck electrode 12A. The base material along the upper surface 11a at a position farther from the upper surface 11a than the first capacitor electrode 14A and the second electrostatic chuck electrode 12B, and at a position facing the second electrostatic chuck electrode 12B And 11, a second capacitor electrode 14B built in. The capacitor electrode 14 is made of, for example, tungsten (W) or molybdenum (Mo). For example, when the first and second electrostatic chuck electrodes 12A and 12B have a substantially semicircular plate shape, the first and second capacitor electrodes 14A and 14B have a substantially semicircular shape, respectively.

なお、本発明の第１内部領域ＳＩ１は、上面視において基材１１の第１の静電チャック電極１２Ａと重なり合う領域Ｓ１及び領域Ｓ７に相当し、本発明の第２内部領域ＳＩ２は、上面視において基材１１の第２の静電チャック電極１２Ｂと重なり合う領域Ｓ２及び領域Ｓ８に相当する。   The first inner region SI1 of the present invention corresponds to a region S1 and a region S7 overlapping the first electrostatic chuck electrode 12A of the substrate 11 in top view, and the second inner region SI2 of the present invention is top view Corresponds to a region S2 and a region S8 overlapping the second electrostatic chuck electrode 12B of the substrate 11.

配線１５は、第１の静電チャック電極１２Ａと第２のキャパシタ電極１４Ｂとを電気的に接続する第１の配線１５Ａと、第２の静電チャック電極１２Ｂと第１のキャパシタ電極１４Ａとを電気的に接続する第２の配線１５Ｂとから構成されている。なお、配線１５は、静電チャック電極１２とキャパシタ電極１４とを電気的に接続するものであれば、その構造は限定されない。配線１５が、例えば、基材１１内を上下方向に延びるビアホール内に形成された金属層であり、この金属層が静電チャック電極１２及びキャパシタ電極１４に電気的に接続されているものであってもよい。   Wiring 15 includes first wiring 15A electrically connecting first electrostatic chuck electrode 12A and second capacitor electrode 14B, second electrostatic chuck electrode 12B and first capacitor electrode 14A. It is comprised from the 2nd wiring 15B electrically connected. The structure of the wiring 15 is not limited as long as the wiring 15 electrically connects the electrostatic chuck electrode 12 and the capacitor electrode 14. The wiring 15 is, for example, a metal layer formed in a via hole extending in the vertical direction in the base 11, and the metal layer is electrically connected to the electrostatic chuck electrode 12 and the capacitor electrode 14. May be

基板Ｗが載置されているときの静電チャック１０Ａの等価回路は、図８に示すように、静電チャック電極１２とキャパシタ電極１４との間において、第１の静電チャック電極１２Ａ下の領域Ｓ７にキャパシタＣ７が形成され、第２のキャパシタ電極１２Ｂ下の領域にキャパシタＣ８が形成される。   The equivalent circuit of the electrostatic chuck 10A when the substrate W is mounted is, as shown in FIG. 8, between the electrostatic chuck electrode 12 and the capacitor electrode 14 below the first electrostatic chuck electrode 12A. Capacitor C7 is formed in region S7, and capacitor C8 is formed in the region below second capacitor electrode 12B.

さらに、第１の静電チャック電極１２Ａから領域Ｓ７を通過して第１のキャパシタ電極１４Ａに向う場合には電気抵抗Ｒ７が、第２の静電チャック電極１２Ｂから領域Ｓ８を通過して第２のキャパシタ電極１４Ｂに向う場合には電気抵抗Ｒ８がそれぞれ形成されるとみなすことができる。そして、キャパシタＣ７，Ｃ８及び電気抵抗Ｒ７，Ｒ８は並列に接続されている。   Furthermore, when passing from the first electrostatic chuck electrode 12A to the first capacitor electrode 14A through the region S7, the electric resistance R7 passes from the second electrostatic chuck electrode 12B to the region S8 to the second In the case of going to the capacitor electrode 14B, the electric resistance R8 can be considered to be formed, respectively. The capacitors C7 and C8 and the electrical resistors R7 and R8 are connected in parallel.

このような構成の静電チャック１０Ａを静電チャック２０に載置した状態で給電端子２３に電源ＰＳを接続して電圧を印加すると、各キャパシタＣ１，Ｃ２，Ｃ７，Ｃ８に電荷が蓄積される。その後、静電チャック１０Ａを静電チャック２０から分離すると、キャパシタＣ１，Ｃ２は並列に接続されている電気抵抗Ｒ１，Ｒ２に従って徐々に電荷が減衰する。しかし、キャパシタＣ７，Ｃ８に蓄積されている電荷が、キャパシタＣ１，Ｃ２に移動する。そのため、上述した静電チャック１０と比較して、より長時間に亘って基板Ｗを吸着することが可能となる。   When the power supply PS is connected to the feeding terminal 23 and a voltage is applied while the electrostatic chuck 10A having such a configuration is mounted on the electrostatic chuck 20, charges are accumulated in the capacitors C1, C2, C7, and C8. . Thereafter, when the electrostatic chuck 10A is separated from the electrostatic chuck 20, the capacitors C1 and C2 gradually attenuate the charge according to the electric resistances R1 and R2 connected in parallel. However, the charges accumulated in the capacitors C7 and C8 move to the capacitors C1 and C2. Therefore, as compared with the electrostatic chuck 10 described above, the substrate W can be adsorbed for a longer time.

静電チャック１０Ａは、上述した静電チャック１０と同様に、例えば上述した静電チャック装置１００によって、第１の静電チャック電極１２Ａと第２の静電チャック電極１２Ｂとに互いに正負逆の電圧が印加されればよい。   Similarly to the electrostatic chuck 10 described above, the electrostatic chuck 10A uses, for example, the above-described electrostatic chuck device 100 to apply voltages opposite to each other between the first electrostatic chuck electrode 12A and the second electrostatic chuck electrode 12B. Should be applied.

上記した各構成は一例であり、各構成は用途等によって変更され得る。   Each composition mentioned above is an example, and each composition may be changed by a use etc.

（実施例１）
静電チャック１０を構成するための窒化アルミニウム製のセラミックグリーンシートを用意した。各セラミックグリーンシートは、共に厚さ０．６５ｍｍ、半径２００ｍｍの円板状のセラミックグリーンシートであった。うち１枚のセラミックグリーンシートの一方の面に、静電チャック電極１２をスクリーン印刷で形成した。第１及び第２の静電チャック電極１２Ａ，１２Ｂは、それぞれタングステンからなり、焼成後に厚さ２０μｍで、半径１４７ｍｍとなる半円板状であって、その間に５ｍｍの隙間Ｔを有するように形成された。 Example 1
A ceramic green sheet made of aluminum nitride for forming the electrostatic chuck 10 was prepared. Each ceramic green sheet was a disk-shaped ceramic green sheet having a thickness of 0.65 mm and a radius of 200 mm. The electrostatic chuck electrode 12 was formed by screen printing on one surface of one of the ceramic green sheets. The first and second electrostatic chuck electrodes 12A and 12B are each formed of tungsten and formed in a semicircular disk shape having a thickness of 20 μm and a radius of 147 mm after firing, and have a gap T of 5 mm between them. It was done.

静電チャック電極１２をスクリーン印刷で形成したセラミックグリーンシートを上から３番目として、５枚のセラミックグリーンシートを積層して圧着した状態で、炉内において１８００℃で４時間焼成した。そして、静電チャック電極１２から上面１１ａまでの高さが０．３ｍｍ、且つ静電チャック１０の総厚みが１．３ｍｍとなるように、上下面を研削加工した。これにより静電チャック１０が完成した。静電チャック１０の基材１１の絶縁体の体積抵抗率は、ダイアインスツルメンツ社製のハイレスターを用いて室温で５００Ｖに印加した状態で測定したところ、２×１０１５Ωｃｍであった。 With the ceramic green sheet formed by screen printing the electrostatic chuck electrode 12 as the third from the top, five ceramic green sheets were stacked and pressure bonded, and firing was performed at 1800 ° C. for 4 hours in a furnace. The upper and lower surfaces were ground so that the height from the electrostatic chuck electrode 12 to the upper surface 11a was 0.3 mm and the total thickness of the electrostatic chuck 10 was 1.3 mm. Thus, the electrostatic chuck 10 is completed. The volume resistivity of the insulator of the base material 11 of the electrostatic chuck 10 was 2 × 10 15 Ωcm when it was measured at 500 V at room temperature using a Hyrester manufactured by Dia Instruments.

そして、基板Ｗとしてシリコンウェハからなる厚さ０．７ｍｍ、半径１５０ｍｍの円板状のものを用意した。静電チャック２０として窒化アルミニウムに窒化チタン（ＴｉＮ）を添加した絶縁体からなる体積抵抗率が１×１０１３Ωｃｍであるものを用意した。 Then, as the substrate W, a disk-shaped one made of a silicon wafer and having a thickness of 0.7 mm and a radius of 150 mm was prepared. As the electrostatic chuck 20, one having an insulator obtained by adding titanium nitride (TiN) to aluminum nitride and having a volume resistivity of 1 × 10 13 Ωcm was prepared.

この静電チャック２０の上面２１ａの上に静電チャック１０を載置し、静電チャック１０の上面１１ａに基板Ｗを載置した。そして、静電チャック２０に接続した２つの電源ＰＳによって、静電チャック２０に＋５ｋＶ、−５ｋＶの電圧を印加した。印加開始後６０秒経過したところで、電源ＰＳと静電チャック２０との接続を遮断し、その後すぐに、基板Ｗを吸着した状態の静電チャック１０を静電チャック２０から分離させた。   The electrostatic chuck 10 was placed on the upper surface 21 a of the electrostatic chuck 20, and the substrate W was placed on the upper surface 11 a of the electrostatic chuck 10. Then, voltages of +5 kV and −5 kV were applied to the electrostatic chuck 20 by the two power sources PS connected to the electrostatic chuck 20. 60 seconds after the start of the application, the connection between the power source PS and the electrostatic chuck 20 was cut off, and immediately thereafter, the electrostatic chuck 10 in a state where the substrate W was adsorbed was separated from the electrostatic chuck 20.

基板Ｗを吸着した状態の静電チャック１０を搬送システムを用いて搬送し、基板収納装置の基板Ｗを収納する箇所に一旦収納した。その後、基板Ｗを吸着した状態の静電チャック１０を基板収納装置から搬出し、搬送システムを用いて基板Ｗの上面を研削する機械加工装置に搬送した。そして、この機械加工装置において、加工面に加工液が触れる湿潤環境下において研削加工を行った。   The electrostatic chuck 10 in a state where the substrate W was adsorbed was transported using a transport system, and was temporarily stored in a portion for storing the substrate W of the substrate storage device. Thereafter, the electrostatic chuck 10 in a state where the substrate W was adsorbed was carried out from the substrate storage device, and was transferred to a machining device for grinding the upper surface of the substrate W using a transfer system. Then, in this machining device, grinding was performed in a wet environment where the machining fluid is in contact with the machining surface.

静電チャック１０を静電チャック２０から分離させてから６００秒が経過しても、基板Ｗが静電チャック１０に吸着された状態は維持されていた。   Even after 600 seconds have elapsed since the electrostatic chuck 10 was separated from the electrostatic chuck 20, the state in which the substrate W was attracted to the electrostatic chuck 10 was maintained.

以上より、実施例１の静電チャック１０においては、湿潤環境下でも基板Ｗを吸着することができ、且つ、６００秒という長時間に亘って基板Ｗを吸着できた。   As described above, in the electrostatic chuck 10 of Example 1, the substrate W can be adsorbed even in a wet environment, and the substrate W can be adsorbed for a long time of 600 seconds.

（実施例２）
実施例２においては、実施例１と材質が異なりアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）からなるセラミックグリーンシートを用いて、実施例１と同様にして静電チャック１０を製造した。 (Example 2)
In Example 2, an electrostatic chuck 10 was manufactured in the same manner as in Example 1 using a ceramic green sheet different in material from Example 1 and made of alumina (Al 2 O 3 ).

セラミックグリーンシートは、厚さ０．４ｍｍとした。静電チャック電極１２をスクリーン印刷で形成したセラミックグリーンシートを上から３番目として、５枚のセラミックグリーンシートを積層した状態で、炉内において１６００℃で４時間焼成した。そして、静電チャック電極１２から上面１１ａまでの高さが０．２ｍｍ、且つ静電チャック１０の総厚みが０．８ｍｍとなるように、上下面を研削加工した。静電チャック１０の基材１１の絶縁体の体積抵抗率は、ダイアインスツルメンツ社製のハイレスターを用いて室温で５００Ｖに印加した状態で測定したところ、８×１０１５Ωｃｍであった。 The ceramic green sheet had a thickness of 0.4 mm. The ceramic green sheet having the electrostatic chuck electrode 12 formed by screen printing as the third from the top was fired at 1600 ° C. for 4 hours in a furnace in a state where five ceramic green sheets were stacked. Then, the upper and lower surfaces were ground so that the height from the electrostatic chuck electrode 12 to the upper surface 11 a was 0.2 mm and the total thickness of the electrostatic chuck 10 was 0.8 mm. The volume resistivity of the insulator of the base material 11 of the electrostatic chuck 10 was 8 × 10 15 Ωcm when it was measured at 500 V at room temperature using a Hyrester manufactured by Dia Instruments.

そして、第１の実施例と同じ、基板Ｗ及び静電チャック２０を用い、且つ静電チャック２０に同じ電圧を印加した。そして、実施例１と同様に、電源ＰＳの接続遮断、静電チャック１０の分離、静電チャック１０の搬送及び収納、並びに基板Ｗの研削加工を行った。   Then, using the same substrate W and electrostatic chuck 20 as in the first embodiment, the same voltage was applied to the electrostatic chuck 20. Then, in the same manner as in the first embodiment, the power supply PS was disconnected, the electrostatic chuck 10 was separated, the electrostatic chuck 10 was transported and stored, and the substrate W was ground.

実施例２においては、実施例１と同様に、静電チャック１０を静電チャック２０から分離させてから６００秒が経過しても、基板Ｗが静電チャック１０に吸着された状態は維持されていた。   In the second embodiment, as in the first embodiment, the state in which the substrate W is attracted to the electrostatic chuck 10 is maintained even if 600 seconds have elapsed since the electrostatic chuck 10 is separated from the electrostatic chuck 20. It was

（実施例３）
実施例３においては、実施例１と同じ材質からなるセラミックグリーンシートを用いて、実施例１と同様にして静電チャック１０を製造した。 (Example 3)
In Example 3, an electrostatic chuck 10 was manufactured in the same manner as in Example 1 using a ceramic green sheet made of the same material as that in Example 1.

ただし、静電チャック電極１２をスクリーン印刷で形成したセラミックグリーンシートを上から３番目として、５枚のセラミックグリーンシートを積層した状態で、炉内において１８００℃で４時間焼成した。そして、静電チャック電極１２から上面１１ａまでの高さが０．３ｍｍ、且つ静電チャック１０の総厚みが１．６ｍｍとなるように、上下面を研削加工した。静電チャック１０の基材１１の絶縁体の体積抵抗率は、ダイアインスツルメンツ社製のハイレスターを用いて室温で５００Ｖに印加した状態で測定したところ、２×１０１５Ωｃｍであった。 However, with the ceramic green sheet on which the electrostatic chuck electrode 12 was formed by screen printing as the third from the top, five ceramic green sheets were laminated, and firing was performed at 1800 ° C. for 4 hours in a furnace. Then, the upper and lower surfaces were ground so that the height from the electrostatic chuck electrode 12 to the upper surface 11 a was 0.3 mm and the total thickness of the electrostatic chuck 10 was 1.6 mm. The volume resistivity of the insulator of the base material 11 of the electrostatic chuck 10 was 2 × 10 15 Ωcm when it was measured at 500 V at room temperature using a Hyrester manufactured by Dia Instruments.

そして、第１の実施例と同じ、基板Ｗ及び静電チャック２０を用い、且つ静電チャック２０に同じ電圧を印加した。そして、実施例１と同様に、電源ＰＳの接続遮断、及び静電チャック１０の分離を行った。しかしながら、静電チャック１０の厚みが厚すぎたので、基板Ｗを吸着した状態の静電チャック１０を搬送システムを用いた搬送、及び基板収納装置を用いた収納を行うことはできなかった。   Then, using the same substrate W and electrostatic chuck 20 as in the first embodiment, the same voltage was applied to the electrostatic chuck 20. Then, in the same manner as in Example 1, the disconnection of the power supply PS and the separation of the electrostatic chuck 10 were performed. However, since the thickness of the electrostatic chuck 10 was too thick, it was not possible to transport the electrostatic chuck 10 in a state where the substrate W is adsorbed using the transport system and to store using the substrate storage device.

ただし、実施例１と同じ機械加工装置を用いて、加工面に加工液が触れる湿潤環境下において、静電チャック１０に吸着された基板Ｗに対して研削加工を行うことはできた。   However, using the same machining apparatus as in Example 1, it was possible to grind the substrate W adsorbed by the electrostatic chuck 10 in a wet environment where the machining fluid is in contact with the machining surface.

実施例３においては、静電チャック１０を静電チャック２０から分離させてから６００秒が経過しても、基板Ｗが静電チャック１０に吸着された状態は維持されていた。   In the third embodiment, even after 600 seconds have elapsed since the electrostatic chuck 10 was separated from the electrostatic chuck 20, the state in which the substrate W was attracted to the electrostatic chuck 10 was maintained.

（比較例）
比較例においては、実施例１と材質が異なり酸化サマリウム（Ｓｍ２Ｏ３）を３重量％添加した窒化アルミニウムからなるセラミックグリーンシートを用いて、実施例１と同様にして静電チャック１０を製造した。 (Comparative example)
In the comparative example, the electrostatic chuck 10 is manufactured in the same manner as in Example 1 using a ceramic green sheet made of aluminum nitride different in material from Example 1 and added with 3% by weight of samarium oxide (Sm 2 O 3 ). did.

セラミックグリーンシートは、厚さ０．６５ｍｍとした。静電チャック電極１２をスクリーン印刷で形成したセラミックグリーンシートを上から３番目として、５枚のセラミックグリーンシートを積層した状態で、炉内において１８００℃で４時間焼成した。そして、静電チャック電極１２から上面１１ａまでの高さが０．５ｍｍ、且つ静電チャック１０の総厚みが１．０ｍｍとなるように、上下面を研削加工した。静電チャック１０の基材１１の絶縁体の体積抵抗率は、ダイアインスツルメンツ社製のハイレスターを用いて室温で５００Ｖに印加した状態で測定したところ、３×１０１３Ωｃｍであった。 The ceramic green sheet had a thickness of 0.65 mm. The ceramic green sheet having the electrostatic chuck electrode 12 formed by screen printing as the third from the top was fired at 1800 ° C. for 4 hours in a furnace in a state where five ceramic green sheets were laminated. Then, the upper and lower surfaces were ground so that the height from the electrostatic chuck electrode 12 to the upper surface 11 a was 0.5 mm and the total thickness of the electrostatic chuck 10 was 1.0 mm. The volume resistivity of the insulator of the base material 11 of the electrostatic chuck 10 was 3 × 10 13 Ωcm when it was measured at 500 V at room temperature using a Hyrester manufactured by Dia Instruments.

そして、第１の実施例と同じ、基板Ｗ及び静電チャック２０を用い、且つ静電チャック２０に同じ電圧を印加した。そして、実施例１と同様に、電源ＰＳの接続遮断、静電チャック１０の分離、静電チャック１０の搬送及び収納、並びに基板Ｗの研削加工を行った。   Then, using the same substrate W and electrostatic chuck 20 as in the first embodiment, the same voltage was applied to the electrostatic chuck 20. Then, in the same manner as in the first embodiment, the power supply PS was disconnected, the electrostatic chuck 10 was separated, the electrostatic chuck 10 was transported and stored, and the substrate W was ground.

比較例においては、静電チャック１０を静電チャック２０から分離させてから１２０秒が経過した研削加工中に、基板Ｗが静電チャック１０から外れた。   In the comparative example, the substrate W was removed from the electrostatic chuck 10 during the grinding process after 120 seconds had elapsed since the electrostatic chuck 10 was separated from the electrostatic chuck 20.

以上の結果を表１にまとめた。なお、表１及び後記の表２における「絶縁体厚さ」は基材１１の上面１１ａと静電チャック電極１２との間における絶縁体の厚さを意味する。   The above results are summarized in Table 1. The “insulator thickness” in Table 1 and Table 2 described later means the thickness of the insulator between the upper surface 11 a of the substrate 11 and the electrostatic chuck electrode 12.

（実施例４）
静電チャック１０Ａを構成するための窒化アルミニウムのセラミックグリーンシートを用意した。各セラミックグリーンシートは、共に厚さ０．６５ｍｍ、半径２００ｍｍの円板状のセラミックグリーンシートであった。うち１枚のセラミックグリーンシートの一方の面に、第１の静電チャック電極１２Ａ及び第２の静電チャック電極１２Ｂをスクリーン印刷で形成した。また、別の１枚のセラミックグリーンシートの一方の面に、第１のキャパシタ電極１４Ａ及び第２のキャパシタ電極１４Ｂをスクリーン印刷で形成した。 (Example 4)
A ceramic green sheet of aluminum nitride was prepared to constitute the electrostatic chuck 10A. Each ceramic green sheet was a disk-shaped ceramic green sheet having a thickness of 0.65 mm and a radius of 200 mm. The first electrostatic chuck electrode 12A and the second electrostatic chuck electrode 12B were formed by screen printing on one surface of one of the ceramic green sheets. Further, the first capacitor electrode 14A and the second capacitor electrode 14B were formed by screen printing on one surface of another ceramic green sheet.

第１及び第２の静電チャック電極１２Ａ，１２Ｂ並びに第１及び第２のキャパシタ電極１４Ａ，１４Ｂは、それぞれタングステンからなり、焼成後に厚さ２０μｍで、半径１４７ｍｍの半円板状となるように形成した。焼成後において、第１の静電チャック電極１２Ａと第２の静電チャック電極１２Ｂとの間、及び第１のキャパシタ電極１４Ａと第２のキャパシタ電極１４Ｂとの間にそれぞれ５ｍｍの隙間が設けられるように、静電チャック電極１２Ａ，１２Ｂとキャパシタ電極１４Ａ，１４Ｂを設けた。   The first and second electrostatic chuck electrodes 12A and 12B and the first and second capacitor electrodes 14A and 14B are each made of tungsten so as to have a thickness of 20 μm and a semicircular plate with a radius of 147 mm after firing. It formed. After firing, gaps of 5 mm are provided between the first electrostatic chuck electrode 12A and the second electrostatic chuck electrode 12B and between the first capacitor electrode 14A and the second capacitor electrode 14B. Thus, electrostatic chuck electrodes 12A and 12B and capacitor electrodes 14A and 14B are provided.

なお、後述する第１及び第２の配線１５Ａ，１５Ｂを介して、静電チャック電極１２Ａ，１２Ｂ及びキャパシタ電極１４Ａ，１４Ｂを接続するため、セラミックスグリーンシートを積層した際の上下方向において、第１の静電チャック電極１２Ａと第２のキャパシタ電極１４Ｂが部分的に重なり、かつ、第２の静電チャック電極１２Ｂと第１のキャパシタ電極１４Ａが部分的に重なるように、静電チャック電極１２Ａ，１２Ｂ及びキャパシタ電極１４Ａ，１４Ｂのそれぞれの外縁の一部に凹凸を設けた。上下方向において、第１の静電チャック電極１２Ａと第２のキャパシタ電極１４Ｂが部分的に重なる部分に第１の配線１５Ａを接続し、第２の静電チャック電極１２Ｂと第１のキャパシタ電極１４Ａが部分的に重なる部分に第２の配線１５Ｂを接続した。   Note that, in order to connect the electrostatic chuck electrodes 12A and 12B and the capacitor electrodes 14A and 14B via first and second wires 15A and 15B described later, the first in the vertical direction when the ceramic green sheets are stacked, The electrostatic chuck electrode 12A, the second electrostatic chuck electrode 12B partially overlaps the second electrostatic chuck electrode 14B, and the second electrostatic chuck electrode 12B partially overlaps the first capacitor electrode 14A. Asperities were provided on part of the outer edge of each of 12B and capacitor electrodes 14A and 14B. The first wiring 15A is connected to the portion where the first electrostatic chuck electrode 12A and the second capacitor electrode 14B partially overlap in the vertical direction, and the second electrostatic chuck electrode 12B and the first capacitor electrode 14A The second wiring 15B was connected to a portion where the portions partially overlap.

第１の静電チャック電極１２Ａ及び第２の静電チャック電極１２Ｂをスクリーン印刷で形成したセラミックグリーンシートと、第１のキャパシタ電極１４Ａ及び第２のキャパシタ電極１４Ｂをスクリーン印刷で形成したセラミックグリーンシートとを重ねて積層した。そして、この積層したセラミックグリーンシートを上下方向に貫通するビアホールを形成し、このビアホール内にタングステンの金属からなる層を形成することにより、第１及び第２の配線１５Ａ，１５Ｂを形成した。そして、さらに、複数枚の無地のセラミックグリーンシートを上下に積層した状態で圧着した後に、炉内において１８００℃で４時間焼成した。   A ceramic green sheet on which the first electrostatic chuck electrode 12A and the second electrostatic chuck electrode 12B are formed by screen printing, and a ceramic green sheet on which the first capacitor electrode 14A and the second capacitor electrode 14B are formed by screen printing And stacked. Then, via holes vertically penetrating through the stacked ceramic green sheets are formed, and a layer made of tungsten metal is formed in the via holes, thereby forming the first and second wirings 15A and 15B. Further, after pressure bonding was performed in a state where a plurality of plain ceramic green sheets were stacked one on top of the other, firing was performed at 1800 ° C. for 4 hours in a furnace.

そして、第１の静電チャック電極１２Ａから上面１１ａまでの高さが０．３ｍｍ、且つ静電チャック１０Ａの総厚みが１．３ｍｍとなるように、上下面を研削加工した。これにより静電チャック１０Ａが完成した。なお、第１の静電チャック電極１２Ａから第１のキャパシタ電極１４Ａまでの高さは０．５ｍｍであった。静電チャック１０Ａの基材１１の絶縁体の体積抵抗率は、ダイアインスツルメンツ社製のハイレスターを用いて室温で５００Ｖに印加した状態で測定したところ、２×１０１５Ωｃｍであった。 The upper and lower surfaces were ground so that the height from the first electrostatic chuck electrode 12A to the upper surface 11a was 0.3 mm and the total thickness of the electrostatic chuck 10A was 1.3 mm. Thus, the electrostatic chuck 10A is completed. The height from the first electrostatic chuck electrode 12A to the first capacitor electrode 14A was 0.5 mm. The volume resistivity of the insulator of the base material 11 of the electrostatic chuck 10A was 2 × 10 15 Ωcm when it was measured at 500 V at room temperature using a hi-rester manufactured by DI.

そして、第１の実施例と同じ、基板Ｗ及び静電チャック２０を用い、且つ静電チャック２０に同じ電圧を印加した。そして、実施例１と同様に、電源ＰＳの接続遮断、静電チャック１０Ａの分離、静電チャック１０Ａの搬送及び収納、並びに基板Ｗの研削加工を行った。   Then, using the same substrate W and electrostatic chuck 20 as in the first embodiment, the same voltage was applied to the electrostatic chuck 20. Then, in the same manner as in Example 1, the power supply PS was disconnected, the electrostatic chuck 10A was separated, the electrostatic chuck 10A was transported and stored, and the substrate W was ground.

実施例４においては、実施例１よりも長く、静電チャック１０Ａを静電チャック２０から分離させてから９００秒が経過しても、基板Ｗが静電チャック１０Ａに吸着された状態は維持されていた。   In the fourth embodiment, longer than the first embodiment, the state in which the substrate W is attracted to the electrostatic chuck 10A is maintained even if 900 seconds have elapsed since the electrostatic chuck 10A is separated from the electrostatic chuck 20. It was

以上より、実施例４の静電チャック１０Ａにおいては、湿潤環境下でも基板Ｗを吸着することができ、且つ、９００秒という長時間に亘って基板Ｗを吸着できた。   From the above, in the electrostatic chuck 10A of Example 4, the substrate W can be adsorbed even in a wet environment, and the substrate W can be adsorbed for a long time of 900 seconds.

（実施例５）
実施例５においては、実施例１と材質が異なりアルミナからなるセラミックグリーンシートを用いて、実施例４と同様にして静電チャック１０Ａを製造した。 (Example 5)
In Example 5, an electrostatic chuck 10A was manufactured in the same manner as in Example 4 using a ceramic green sheet which is different in material from Example 1 and made of alumina.

ただし、第１の静電チャック電極１２Ａ及び第２の静電チャック電極１２Ｂをスクリーン印刷で形成したセラミックグリーンシートを上から２番目として、第１のキャパシタ電極１４Ａ及び第２のキャパシタ電極１４Ｂをスクリーン印刷で形成したセラミックグリーンシートを上から３番目として、５枚のセラミックグリーンシートを積層した状態で、炉内において１６００℃で２時間焼成した。   However, with the ceramic green sheet on which the first electrostatic chuck electrode 12A and the second electrostatic chuck electrode 12B are formed by screen printing as the second from the top, the first capacitor electrode 14A and the second capacitor electrode 14B are screened. With the ceramic green sheets formed by printing as the third from the top, five ceramic green sheets were laminated, and firing was performed at 1600 ° C. for 2 hours in a furnace.

そして、第１の静電チャック電極１２Ａから上面１１ａまでの高さが０．２ｍｍ、且つ静電チャック１０Ａの総厚みが０．８ｍｍとなるように、上下面を研削加工した。これにより静電チャック１０Ａが完成した。なお、第１の静電チャック電極１２Ａから第１のキャパシタ電極１４Ａまでの高さは０．３ｍｍであった。静電チャック１０Ａの基材１１の絶縁体の体積抵抗率は、ダイアインスツルメンツ社製のハイレスターを用いて室温で５００Ｖに印加した状態で測定したところ、８×１０１５Ωｃｍであった。 The upper and lower surfaces were ground so that the height from the first electrostatic chuck electrode 12A to the upper surface 11a was 0.2 mm and the total thickness of the electrostatic chuck 10A was 0.8 mm. Thus, the electrostatic chuck 10A is completed. The height from the first electrostatic chuck electrode 12A to the first capacitor electrode 14A was 0.3 mm. The volume resistivity of the insulator of the base material 11 of the electrostatic chuck 10A was 8 × 10 15 Ωcm when it was measured at 500 V at room temperature using a hi-rester manufactured by DI.

そして、実施例４と同じ、基板Ｗ及び静電チャック２０を用い、且つ静電チャック２０に同じ電圧を印加した。そして、実施例１と同様に、電源ＰＳの接続遮断、静電チャック１０Ａの分離、静電チャック１０Ａの搬送及び収納、並びに基板Ｗの研削加工を行った。   Then, using the same substrate W and electrostatic chuck 20 as in Example 4, the same voltage was applied to the electrostatic chuck 20. Then, in the same manner as in Example 1, the power supply PS was disconnected, the electrostatic chuck 10A was separated, the electrostatic chuck 10A was transported and stored, and the substrate W was ground.

実施例５においては、実施例４と同様に、静電チャック１０Ａを静電チャック２０から分離させてから９００秒が経過しても、基板Ｗが静電チャック１０Ａに吸着された状態は維持されていた。   In the fifth embodiment, as in the fourth embodiment, the state in which the substrate W is attracted to the electrostatic chuck 10A is maintained even after 900 seconds have elapsed since the electrostatic chuck 10A is separated from the electrostatic chuck 20. It was

以上の結果を表２にまとめた。なお、表２における「電極間厚さ」は第１の静電チャック電極１２Ａと第１のキャパシタ電極１４Ａとの間における絶縁体の厚さを意味する。   The above results are summarized in Table 2. The “inter-electrode thickness” in Table 2 means the thickness of the insulator between the first electrostatic chuck electrode 12A and the first capacitor electrode 14A.

１０，１０Ａ，２０…静電チャック、 １１…基材、１１ａ…上面、吸着面、 １１ｂ…下面、 １２…静電チャック電極、 １２Ａ…第１の静電チャック電極、 １２Ｂ…第２の静電チャック電極、 １３…導体部、 １４…キャパシタ電極、 １４Ａ…第１のキャパシタ電極、 １４Ｂ…第２のキャパシタ電極、 １５…配線、 １５Ａ…第１の配線、 １５Ｂ…第２の配線、 ２１…基材、 ２１ａ…上面、 ２１ｂ…下面、 ２２…静電チャック電極、 ２２Ａ…第１の静電チャック電極、 ２２Ｂ…第２の静電チャック電極、 ２３…給電端子、 ２３Ａ…第１の給電端子、 ２３Ｂ…第２の給電端子、 １００…静電チャック装置、 Ｃ１〜Ｃ８…キャパシタ、 ＰＳ…電源、 Ｒ１〜Ｒ８…電気抵抗、 Ｓ１〜Ｓ８…領域、 ＳＩ１…第１内部領域、 ＳＩ２…第２内部領域、 ＳＡ１…領域（第１領域）、 ＳＡ２…領域（第２領域）、 Ｗ…基板。   DESCRIPTION OF SYMBOLS 10, 10A, 20 ... electrostatic chuck, 11 ... base material, 11a ... upper surface, adsorption surface, 11b ... lower surface, 12 ... electrostatic chuck electrode, 12A ... 1st electrostatic chuck electrode, 12B ... 2nd electrostatic Chuck electrode 13 conductor portion 14 capacitor electrode 14A first capacitor electrode 14B second capacitor electrode 15 wiring 15A first wiring 15B second wiring 21 base Material: 21a: upper surface, 21b: lower surface, 22: electrostatic chuck electrode, 22A: first electrostatic chuck electrode, 22B: second electrostatic chuck electrode, 23: feeding terminal, 23A: first feeding terminal, 23B: second power supply terminal 100: electrostatic chuck device C1 to C8: capacitor PS: power source R1 to R8: electrical resistance S1 to S8: area SI1: first internal region , SI2 ... second interior region, SA1 ... region (first region), SA2 ... region (second region), W ... substrate.

Claims (2)

基板を吸着するための吸着面を有する平板状の絶縁体からなる基材と、前記基材に埋設されている少なくとも一対の静電チャック電極を含む導体部とを備える静電チャックであって、
前記基材に埋設されている前記導体部の全ての外表面は前記絶縁体によって覆われており、前記絶縁体の体積抵抗率は１×１０１５Ωｃｍよりも大きいことを特徴とする静電チャック。 An electrostatic chuck comprising: a base made of a flat plate-like insulator having an adsorption surface for adsorbing a substrate; and a conductor portion including at least a pair of electrostatic chuck electrodes embedded in the base,
An electrostatic chuck characterized in that the entire outer surface of the conductor portion embedded in the base material is covered with the insulator, and the volume resistivity of the insulator is larger than 1 × 10 15 Ωcm. . 前記基材に埋設されている前記導体部は、少なくとも前記一対の静電チャック電極及び少なくとも一対のキャパシタ電極を備え、
前記吸着面は、第１領域及び当該第１領域とは異なる第２領域を有し、
前記一対の静電チャック電極は、第１の静電チャック電極及び第２静電チャック電極からなり、
前記一対のキャパシタ電極は、前記第１の静電チャック電極と対向する第１のキャパシタ電極及び前記第２の静電チャック電極と対向する第２のキャパシタ電極からなり、
前記吸着面から当該吸着面と反対の面に向う第１の方向において前記第１領域と重なる前記基材内の第１内部領域において、前記第１の静電チャック電極及び前記第１のキャパシタ電極を有し、
前記第１の方向において前記第２領域と重なる前記基材内の第２内部領域において、前記第２の静電チャック電極及び前記第２のキャパシタ電極を有し、
前記第１のチャック電極と前記第２のキャパシタ電極とが電気的に接続され、前記第２のチャック電極と前記第１のキャパシタ電極とが電気的に接続されることを特徴とする請求項１に記載の静電チャック。 The conductor portion embedded in the substrate includes at least the pair of electrostatic chuck electrodes and the at least pair of capacitor electrodes.
The suction surface has a first area and a second area different from the first area,
The pair of electrostatic chuck electrodes comprises a first electrostatic chuck electrode and a second electrostatic chuck electrode,
The pair of capacitor electrodes includes a first capacitor electrode facing the first electrostatic chuck electrode and a second capacitor electrode facing the second electrostatic chuck electrode,
The first electrostatic chuck electrode and the first capacitor electrode in a first internal region in the base material overlapping the first region in a first direction from the suction surface to a surface opposite to the suction surface Have
A second internal region in the base material overlapping the second region in the first direction, the second electrostatic chuck electrode and the second capacitor electrode;
The first chuck electrode and the second capacitor electrode are electrically connected, and the second chuck electrode and the first capacitor electrode are electrically connected. The electrostatic chuck described in.
JP2017247756A 2017-12-25 2017-12-25 Electrostatic chuck Active JP7049108B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017247756A JP7049108B2 (en) 2017-12-25 2017-12-25 Electrostatic chuck

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017247756A JP7049108B2 (en) 2017-12-25 2017-12-25 Electrostatic chuck

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2019114685A true JP2019114685A (en) 2019-07-11
JP7049108B2 JP7049108B2 (en) 2022-04-06

Family

ID=67221632

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2017247756A Active JP7049108B2 (en) 2017-12-25 2017-12-25 Electrostatic chuck

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP7049108B2 (en)

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010077012A (en) * 2008-09-01 2010-04-08 Ngk Insulators Ltd Aluminum oxide sintered compact and method for producing the same
JP2016009715A (en) * 2014-06-23 2016-01-18 新光電気工業株式会社 Tray for electrostatic attraction and substrate fixing device

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010077012A (en) * 2008-09-01 2010-04-08 Ngk Insulators Ltd Aluminum oxide sintered compact and method for producing the same
JP2016009715A (en) * 2014-06-23 2016-01-18 新光電気工業株式会社 Tray for electrostatic attraction and substrate fixing device

Also Published As

Publication number Publication date
JP7049108B2 (en) 2022-04-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3323135B2 (en) Electrostatic chuck
JP2008041993A (en) Electrostatic chuck
JP2021141141A (en) Electrostatic chuck
JP3847198B2 (en) Electrostatic chuck
KR102659507B1 (en) Ceramics substrate and electrostatic chuck
JP4159926B2 (en) Electrostatic gripping device and method for manufacturing the same
US10381253B2 (en) Electrostatic chuck
JP7049108B2 (en) Electrostatic chuck
JP7190802B2 (en) Electrostatic chuck and substrate holding method
JPH03217043A (en) Electrostatic chuck device
US9281227B2 (en) Multi-resistivity Johnsen-Rahbek electrostatic clamp
JP2006049852A (en) Electrostatic chuck
JP4879771B2 (en) Electrostatic chuck
JP4241571B2 (en) Manufacturing method of bipolar electrostatic chuck
JP4419579B2 (en) Electrostatic chuck
JP7150510B2 (en) electrostatic chuck
JP2007150351A (en) Electrostatic chuck
JPH04133443U (en) Ceramic electrostatic chuck
JP2004022585A (en) Electrostatic chuck
JP4069875B2 (en) Wafer holding member
JP4337037B2 (en) Electrostatic chuck
KR102039802B1 (en) Ceramic body for electrostatic chuck
JP6370115B2 (en) Electrostatic chuck
JP2005166820A (en) Static electricity chuck
JP2022154252A (en) Electrostatic chuck member and electrostatic chuck device

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20200904

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20210819

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20210831

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20211026

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20211116

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20211222

C60 Trial request (containing other claim documents, opposition documents)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C60

Effective date: 20211222

A911 Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20220107

C21 Notice of transfer of a case for reconsideration by examiners before appeal proceedings

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C21

Effective date: 20220111

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20220222

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20220302

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20220322

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20220325

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 7049108

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350