JP2019113723A - Wire grid polarization element, method for manufacturing wire grid polarization element, and electronic apparatus - Google Patents

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雅明 青田
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Abstract

To provide a wire grid polarization element in which an end in the extension direction of a metal thin wire can be properly protected by a protective film and concentration of force added to a mold material from an end of a metal film for constituting a metal thin wire can be suppressed upon forming a resist mask by a nanoimprint process, a method for manufacturing a wire grid polarization element, and an electronic apparatus.SOLUTION: A wire grid polarization element 1 includes: a wire grid 4 on one surface 2a of a substrate 2, in which a plurality of wires 3 including metal thin wires 41 extending in a first direction Y is juxtaposed in a second direction X; and a protective film 70 covering the plurality of wires 3 and a portion of the substrate 2 exposed among the wires 3. An end 41c, 41d in the first direction Y of the metal thin wire 41 is formed into an inclined surface 41e, 41f where the film thickness decreases toward an edge 2c, 2d in the first direction Y of the substrate 2. Thereby, the protective film 70 less likely peels from an end 3c, 3d of the wire 3.SELECTED DRAWING: Figure 3

Description

本発明は、複数の金属細線が並列して延在するワイヤーグリッド偏光素子、ワイヤーグリッド偏光素子の製造方法、および電子機器に関するものである。   The present invention relates to a wire grid polarization element in which a plurality of thin metal wires extend in parallel, a method of manufacturing the wire grid polarization element, and an electronic device.

投射型表示装置等の電子機器に用いられる偏光素子のうち、複数の金属細線が並列して延在するワイヤーグリッド偏光素子(無機偏光素子)は、有機材料を用いた偏光素子より耐熱性が高いという利点がある。かかるワイヤーグリッド偏光素子の製造工程では、大型基板の表面側に金属膜を形成した後、金属膜をパターニングして金属細線を形成する。次に、大型基板の表面側に保護膜を形成した後、大型基板を分割して複数のワイヤーグリッド偏光素子を得る。従って、金属細線は保護膜によって保護される。   Among polarization elements used in electronic devices such as projection type display devices, wire grid polarization elements (inorganic polarization elements) in which a plurality of thin metal wires extend in parallel have higher heat resistance than polarization elements using organic materials. It has the advantage of In the manufacturing process of such a wire grid polarization element, after forming a metal film on the surface side of a large substrate, the metal film is patterned to form metal fine wires. Next, after forming a protective film in the surface side of a large substrate, a large substrate is divided and a plurality of wire grid polarization elements are obtained. Therefore, the fine metal wires are protected by the protective film.

しかしながら、保護膜を形成した後、大型基板を分割すると、金属細線の延在方向(第1方向)の端部で金属細線が露出し、保護膜によって保護されないことになる。そこで、大型基板を第1方向で分割する分割線から第1方向で離間する位置に金属膜(金属細線)を形成する技術が提案されており、かかる技術によれば、大型基板を第1方向で分割しても、金属細線の延在方向(第1方向)の端部が保護膜で覆われた状態となる(特許文献1参照)。   However, when the large substrate is divided after forming the protective film, the thin metal wire is exposed at the end portion in the extending direction (first direction) of the thin metal wire and is not protected by the protective film. Therefore, a technology for forming a metal film (metal fine wire) at a position separating in the first direction from a dividing line dividing the large substrate in the first direction has been proposed. According to such a technology, the large substrate is used in the first direction Even if it divides | segments by this, the edge part of the extension direction (1st direction) of a metal fine wire will be in the state covered with the protective film (refer patent document 1).

特開2015−180975号公報JP, 2015-180975, A

金属細線の延在方向(第1方向)の端部は、金属細線の側面と比較して面積が狭く、かつ、基板に対して略垂直な端面になっているため、保護膜が剥離しやすい等、金属細線の端部については、保護膜によって保護しにくいという問題点がある。かかる問題点は、特許文献1に記載の技術では解消することができない。また、ナノインプリント用の型材によってレジスト層を押圧した後、レジスト層を固化させてレジストマスクを形成するナノプリント法を利用して、金属膜をパターニングするためのレジストマスクを形成する方法を採用した場合、金属膜の第1方向の端部が基板に対して略垂直な端面になっていると、端部から型材に対して大きな力が集中して加わるため、型材が劣化しやすいという問題点もある。   The end portion in the extending direction (first direction) of the metal thin wire has an area smaller than that of the side surface of the metal thin wire and is an end face substantially perpendicular to the substrate, so the protective film is easily peeled off For example, there is a problem that it is difficult to protect the end of the metal thin wire by the protective film. Such a problem can not be solved by the technique described in Patent Document 1. In addition, when a method of forming a resist mask for patterning a metal film is adopted by using a nanoprinting method in which a resist layer is pressed by a mold material for nanoimprint, and then the resist layer is solidified to form a resist mask. Also, when the end in the first direction of the metal film is an end face substantially perpendicular to the substrate, a large force is concentrated from the end to the mold material, and the mold material is easily degraded. is there.

以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、金属細線の延在方向の端部を保護膜によって適正に保護することができるワイヤーグリッド偏光素子、ワイヤーグリッド偏光素子の製造方法、および電子機器を提供することにある。   In view of the above problems, it is an object of the present invention to provide a wire grid polarization element capable of appropriately protecting an end in the extending direction of a metal thin wire by a protective film, a method of manufacturing a wire grid polarization element, and an electronic device To provide.

また、本発明の課題は、ナノインプリント法によってレジストマスクを形成する際、金属細線を構成するための金属膜の端部から型材に力が集中して加わることを抑制することのできるワイヤーグリッド偏光素子、ワイヤーグリッド偏光素子の製造方法、および電子機器を提供することにある。   Further, the object of the present invention is to provide a wire grid polarization element capable of suppressing the concentrated application of force from the end of a metal film for forming a metal fine wire to a molding material when forming a resist mask by a nanoimprint method. It is an object of the present invention to provide a method of manufacturing a wire grid polarizer and an electronic device.

上記課題を解決するために、本発明に係るワイヤーグリッド偏光素子の一態様は、基板と、前記基板の一方面に設けられ、第1方向に延在する金属細線を備えた複数のワイヤーが、前記第1方向に交差する第2方向で並列したワイヤーグリッドと、前記複数のワイヤー、および前記一方面の前記ワイヤーから露出する部分を覆う保護膜と、を有し、前記金属細線の前記第1方向の端部は、前記基板の前記第1方向の縁に向けて膜厚が薄くなった傾斜面になっていることを特徴とする。   In order to solve the above-mentioned subject, one mode of a wire grid polarization element concerning the present invention is provided with a substrate, and a plurality of wires provided in one side of the substrate and provided with a metal thin wire extended in the 1st direction, A wire grid arranged in parallel in a second direction intersecting the first direction; and a protective film covering the plurality of wires and a portion of the one surface exposed from the wire; The end portion in the direction is an inclined surface whose film thickness is reduced toward the edge in the first direction of the substrate.

本発明では、金属細線の第1方向の端部は、基板の第1方向の縁に向けて膜厚が薄くなった傾斜面になっている。このため、金属細線の端部が基板に垂直な端面になっている場合より、ワイヤーの第1方向の端部の面積が広い。また、金属細線の端部が傾斜面になっているため、保護膜を形成した際、保護膜は、ワイヤーの端部を確実に覆う。従って、ワイヤーの端部で保護膜が剥離する等の事態が発生しにくい。それ故、金属細線の端部を保護膜によって適正に保護することができる。また、金属細線を構成するための金属膜の第1方向の端部が傾斜面になる。従って、ナノインプリント用の型材を用いたナノプリント法を利用して金属膜をパターニングするためのレジストマスクを形成する工程において、型材によってレジスト層を押圧した際、ワイヤーの端部から型材に対して大きな力が集中して加わることを抑制することができる。それ故、型材が劣化しにくい。   In the present invention, the end in the first direction of the metal thin wire is an inclined surface whose film thickness is reduced toward the edge in the first direction of the substrate. For this reason, the area of the end in the first direction of the wire is larger than in the case where the end of the fine metal wire is an end face perpendicular to the substrate. In addition, since the end of the metal thin wire is an inclined surface, when the protective film is formed, the protective film reliably covers the end of the wire. Therefore, the situation where the protective film peels off at the end of the wire is less likely to occur. Therefore, the end of the fine metal wire can be properly protected by the protective film. In addition, the end in the first direction of the metal film for forming the metal thin line is an inclined surface. Therefore, in the process of forming a resist mask for patterning a metal film by nanoprinting using a mold material for nanoimprint, when the resist layer is pressed by the mold material, the end portion of the wire is large relative to the mold material. It is possible to suppress the concentration of the force. Therefore, the mold material is less likely to deteriorate.

本発明に係るワイヤーグリッド偏光素子の製造方法の一態様は、基板と、前記基板の一方面に設けられ、第1方向に延在する金属細線を備えた複数のワイヤーが、前記第1方向に交差する第2方向で並列したワイヤーグリッドと、前記複数のワイヤー、および前記一方面の前記ワイヤーから露出する部分を覆う保護膜と、を有するワイヤーグリッド偏光素子の製造方法において、前記基板より大きな大型基板の表面側に金属膜を形成する金属膜形成工程と、前記金属膜をパターニングして前記金属細線を形成するパターニング工程と、前記大型基板の表面側に前記保護膜を形成する保護膜形成工程と、前記大型基板を分割する分割工程と、を有し、前記金属膜形成工程では、前記金属膜の前記第1方向の端部が前記大型基板を前記第1方向で分割する際の分割線に向けて膜厚が薄くなった傾斜面になるように前記金属膜を形成し、前記パターニング工程では、前記金属膜の前記大型基板と反対側にレジスト層を設ける第1工程と、前記金属膜に対するパターニング形状に対応して前記第1方向に延在する複数の凹部が前記第2方向で並列するナノインプリント用の型材によって前記レジスト層を押圧した後、前記レジスト層を固化させてレジストマスクを形成する第2工程と、前記レジストマスクを介して前記金属膜をエッチングして前記金属細線を形成する第3工程と、を有することを特徴とする。   In one aspect of the method for manufacturing a wire grid polarization element according to the present invention, a plurality of wires provided on a substrate and a thin metal wire provided on one surface of the substrate and extending in a first direction are in the first direction In a method of manufacturing a wire grid polarization element including a wire grid arranged in parallel in a second intersecting direction, a plurality of wires, and a protective film covering a portion of the one surface exposed from the wires, a large size larger than the substrate A metal film forming step of forming a metal film on the surface side of a substrate, a patterning step of forming the metal thin line by patterning the metal film, and a protection film forming step of forming the protective film on the surface side of the large substrate And a dividing step of dividing the large substrate, and in the metal film forming step, an end of the metal film in the first direction is the large substrate in the first direction. The metal film is formed to be an inclined surface whose film thickness is reduced toward a dividing line at the time of dividing, and in the patterning step, a resist layer is provided on the side opposite to the large substrate of the metal film. And pressing the resist layer with a plurality of recesses extending in the first direction corresponding to the patterning shape for the metal film by the nanoimprinting mold material arranged in parallel in the second direction, and then solidifying the resist layer And a third step of etching the metal film through the resist mask to form the thin metal wire.

本発明では、金属膜の第1方向の端部が傾斜面になる。従って、ナノインプリント用の型材を用いたナノプリント法を利用して金属膜をパターニングするためのレジストマスクを形成する工程において、型材によってレジスト層を押圧した際、金属膜においてワイヤーの端部に相当する部分から型材に対して大きな力が集中して加わることを抑制することができる。それ故、型材が劣化しにくい。   In the present invention, the end in the first direction of the metal film is an inclined surface. Therefore, in the process of forming a resist mask for patterning a metal film using a nanoprinting method using a mold material for nanoimprint, when the resist layer is pressed by the mold material, the metal film corresponds to the end of the wire. It can be suppressed that a large force is concentrated on the mold material from the part. Therefore, the mold material is less likely to deteriorate.

本発明に係るワイヤーグリッド偏光素子において、前記ワイヤーは、前記縁から前記第1方向で離間する位置に設けられている態様を採用することができる。すなわち、本発明に係るワイヤーグリッド偏光素子の製造方法において、前記金属膜形成工程では、前記分割線から前記第1方向で離間する領域に前記金属膜を形成する態様を採用することができる。かかる態様によれば、金属細線の端部が保護膜によって確実に覆われた状態となる。本発明に係るワイヤーグリッド偏光素子において、前記ワイヤーと前記縁との距離は、0.1mmから2.0mmである態様を採用することができる。   In the wire grid polarizing element according to the present invention, the wire may be provided at a position spaced apart from the edge in the first direction. That is, in the method of manufacturing a wire grid polarizing element according to the present invention, in the metal film forming step, the metal film may be formed in a region separated from the parting line in the first direction. According to this aspect, the end of the fine metal wire is reliably covered by the protective film. In the wire grid polarizing element according to the present invention, an aspect in which the distance between the wire and the edge is 0.1 mm to 2.0 mm can be adopted.

本発明係るワイヤーグリッド偏光素子において、前記傾斜面が前記一方面と成す角度が80°以下である態様を採用することができる。   In the wire grid polarizing element according to the present invention, an aspect in which an angle formed by the inclined surface with the one surface is 80 ° or less can be adopted.

本発明に係るワイヤーグリッド偏光素子の製造方法において、前記金属膜形成工程では、前記分割線と重なるように前記第2方向に延在する帯状部を備えたマスクを前記大型基板の表面側に対向するように配置した状態で前記マスクの前記大型基板とは反対側から前記金属膜を成膜する態様を採用することができる。   In the method of manufacturing a wire grid polarization element according to the present invention, in the metal film forming step, a mask provided with a strip portion extending in the second direction so as to overlap with the dividing line is opposed to the surface side of the large substrate. It is possible to adopt an aspect in which the metal film is formed from the side opposite to the large substrate of the mask in the state where the metal film is disposed.

本発明において、前記一方面は、前記複数のワイヤーのうち、前記第2方向で隣り合うワイヤーに挟まれた部分が前記第1方向に延在する溝になっている態様を採用することができる。すなわち、本発明に係るワイヤーグリッド偏光素子の製造方法において、前記第3工程では、前記金属膜をエッチングした後、さらに前記大型基板の表面をエッチングする態様を採用することができる。かかる態様によれば、金属細線の端部(ワイヤーの端部)でも、ワイヤーの端部と保護膜との接触面積が広い。従って、ワイヤーの端部で保護膜が剥離する等の事態が発生しにくい。それ故、金属細線の端部を保護膜によって適正に保護することができる。   In the present invention, it is possible to adopt an aspect in which the one surface is a groove extending in the first direction, a portion of the plurality of wires sandwiched by the adjacent wires in the second direction. . That is, in the method of manufacturing a wire grid polarization element according to the present invention, in the third step, the metal film may be etched and then the surface of the large substrate may be etched. According to this aspect, the contact area between the end of the wire and the protective film is large even at the end of the metal thin wire (the end of the wire). Therefore, the situation where the protective film peels off at the end of the wire is less likely to occur. Therefore, the end of the fine metal wire can be properly protected by the protective film.

本発明に係るワイヤーグリッド偏光素子は各種電子機器に用いることができる。例えば、電子機器において、光源部と、前記光源部から出射された光を変調する電気光学装置と、前記電気光学装置によって変調した光を投射する投射光学系と、を有し、前記光源部から前記電気光学装置に到る光路、および前記電気光学装置から前記投射光学系に到る光路の少なくとも一方に前記ワイヤーグリッド偏光素子が配置されている態様を採用することができる。   The wire grid polarizing element according to the present invention can be used in various electronic devices. For example, an electronic apparatus includes a light source unit, an electro-optical device that modulates light emitted from the light source unit, and a projection optical system that projects light modulated by the electro-optical device; The aspect in which the wire grid polarization element is disposed in at least one of the optical path leading to the electro-optical device and the optical path leading to the projection optical system from the electro-optical device can be adopted.

本発明を適用したワイヤーグリッド偏光素子の説明図。Explanatory drawing of the wire grid polarization element to which this invention is applied. 図1に示すワイヤーグリッド偏光素子を第2方向に沿って切断したときの断面図。Sectional drawing when the wire grid polarization element shown in FIG. 1 is cut | disconnected along a 2nd direction. 図1に示すワイヤーグリッド偏光素子を第1方向Yに沿って切断したときの断面図。Sectional drawing when the wire grid polarization element shown in FIG. 1 is cut | disconnected along 1st direction Y. FIG. 図1に示すワイヤーグリッド偏光素子の製造方法に用いた大型基板の説明図。Explanatory drawing of the large sized board | substrate used for the manufacturing method of the wire grid polarization element shown in FIG. 図4に示す大型基板の一部を拡大して示す説明図。Explanatory drawing which expands and shows a part of large sized board | substrate shown in FIG. 図1に示すワイヤーグリッド偏光素子の製造工程のうち、金属膜等の成膜工程等の工程断面図。FIG. 7 is a cross-sectional view of a step of forming a film of a metal film or the like in the manufacturing steps of the wire grid polarization element shown in FIG. 図1に示すワイヤーグリッド偏光素子の製造工程のうち、レジストマスク形成工程の工程断面図。FIG. 7 is a cross-sectional view of a step of forming a resist mask in the manufacturing steps of the wire grid polarization element shown in FIG. 1; 図7に示す型材をレジスト層に押し付けた状態を示す工程断面図。FIG. 8 is a process sectional view showing a state in which the mold shown in FIG. 7 is pressed against the resist layer. 図1に示すワイヤーグリッド偏光素子の製造工程のうち、保護膜等の形成工程等の工程断面図。FIG. 2 is a cross-sectional view of a step of forming a protective film and the like in the manufacturing steps of the wire grid polarization element shown in FIG. 1; 本発明の別の実施形態に係るワイヤーグリッド偏光素子の説明図。Explanatory drawing of the wire grid polarization element which concerns on another embodiment of this invention. 図10に示すワイヤーグリッド偏光素子の断面図。11 is a cross-sectional view of the wire grid polarizer shown in FIG. 透過型の電気光学装置を用いた投射型表示装置の説明図。Explanatory drawing of the projection type display apparatus which used the transmissive electro-optical apparatus.

図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。なお、以下の説明で参照する図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。また、以下の説明では、金属細線41が延在している方向を第1方向Yとし、金属細線41が並列している方向を第2方向Xとしてある。   Embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In the drawings referred to in the following description, the scale of each layer and each member is different in order to make each layer and each member have a size that can be recognized in the drawing. Further, in the following description, the direction in which the thin metal wires 41 extend is referred to as a first direction Y, and the direction in which the thin metal wires 41 are parallel is referred to as a second direction X.

[ワイヤーグリッド偏光素子1の構成]
図1は、本発明を適用したワイヤーグリッド偏光素子1の説明図である。図2は、図1に示すワイヤーグリッド偏光素子1を第2方向Xに沿って切断したときの断面図である。図3は、図1に示すワイヤーグリッド偏光素子1を第1方向Yに沿って切断したときの断面図である。図1に示すワイヤーグリッド偏光素子1は、透光性の基板2と、基板2の一方面2aに形成された金属製のワイヤーグリッド4とを有している。ワイヤーグリッド4は、第1方向Yに延在する金属細線41を備えた複数のワイヤー3が第1方向Yに交差する第2方向Xで並列している。本形態において、複数のワイヤー3(複数の金属細線41)は、第2方向Xで等ピッチで配列されている。
[Configuration of Wire Grid Polarizer 1]
FIG. 1 is an explanatory view of a wire grid polarizing element 1 to which the present invention is applied. FIG. 2 is a cross-sectional view of the wire grid polarizer 1 shown in FIG. 1 taken along the second direction X. As shown in FIG. FIG. 3 is a cross-sectional view of the wire grid polarization element 1 shown in FIG. 1 taken along the first direction Y. As shown in FIG. The wire grid polarization element 1 shown in FIG. 1 has a light transmitting substrate 2 and a metal wire grid 4 formed on one surface 2 a of the substrate 2. The wire grids 4 are juxtaposed in a second direction X in which a plurality of wires 3 provided with the thin metal wires 41 extending in the first direction Y intersect the first direction Y. In the present embodiment, the plurality of wires 3 (the plurality of thin metal wires 41) are arranged at equal pitches in the second direction X.

基板2としては、ガラス基板、石英基板、水晶基板等の透光性基板が用いられている。基板2は、例えば1辺が約20mmから30mmの四角形状を有しており、厚さは、例えば0.5mmから0.8mmである。金属細線41の太さおよびスペース(金属細線41の間隔)は、例えば20nmから300nmであり、金属細線41の厚さは、150nmから400nmである。金属細線41は、アルミニウム、銀、銅、白金、金、またはそれらを主成分とする合金である。本実施形態においては、可視光波長領域においてワイヤーグリッド4での吸収損失を小さく抑えるという観点から、金属細線41は、アルミニウム、アルミニウムを主成分とする合金、銀、または銀を主成分とする合金からなる。本実施形態において、金属細線41は、太さおよびスペースが各々、50nmのアルミニウム線からなる。   As the substrate 2, a translucent substrate such as a glass substrate, a quartz substrate, or a quartz substrate is used. The substrate 2 has, for example, a rectangular shape having a side of about 20 mm to 30 mm, and a thickness of, for example, 0.5 mm to 0.8 mm. The thickness and space of the metal thin wires 41 (the distance between the metal thin wires 41) are, for example, 20 nm to 300 nm, and the thickness of the metal thin wires 41 is 150 nm to 400 nm. The metal thin wires 41 are aluminum, silver, copper, platinum, gold, or an alloy containing them as main components. In the present embodiment, from the viewpoint of suppressing the absorption loss in the wire grid 4 in the visible light wavelength region, the metal fine wire 41 is made of aluminum, an alloy containing aluminum as a main component, silver, or an alloy containing silver as a main component. It consists of In the present embodiment, the thin metal wire 41 is made of an aluminum wire of 50 nm in thickness and space.

このように構成したワイヤーグリッド4において、金属細線41のピッチが入射光の波長よりも十分短ければ、入射光のうち、金属細線41の長手方向に直交する電場ベクトルを有する成分である第1直線偏光の光は透過し、金属細線41の長手方向と平行な電場ベクトルを有する成分である第2直線偏光の光は反射される。   In the wire grid 4 configured as described above, if the pitch of the metal thin wires 41 is sufficiently shorter than the wavelength of the incident light, a first straight line, which is a component having an electric field vector orthogonal to the longitudinal direction of the metal thin wires 41, of the incident light. The polarized light is transmitted, and the light of the second linearly polarized light, which is a component having an electric field vector parallel to the longitudinal direction of the thin metal wire 41, is reflected.

図2および図3に示すように、本形態のワイヤーグリッド偏光素子1において、ワイヤー3では、金属細線41の基板2と反対側に、シリコン酸化膜等の誘電体膜51と、シリコンやゲルマニウム等の半導体膜からなる光吸収膜61とが順に積層されている。従って、ワイヤーグリッド偏光素子1に対して、基板2とは反対側から入射した光が金属細線41によって反射することを光吸収膜61によって抑制することができる。   As shown in FIG. 2 and FIG. 3, in the wire grid polarization element 1 of this embodiment, with the wire 3, on the opposite side of the metal thin wire 41 to the substrate 2, a dielectric film 51 such as silicon oxide film, silicon, germanium, etc. And a light absorption film 61 made of a semiconductor film of Therefore, the light absorption film 61 can suppress the reflection of the light incident from the opposite side to the substrate 2 to the wire grid polarization element 1 by the metal thin wires 41.

また、ワイヤーグリッド偏光素子1は、複数のワイヤー3、および基板2の一方面2aのワイヤー3から露出する部分を覆うシリコン酸化膜やハフニウム酸化膜等の保護膜70を有しており、保護膜70は、金属細線41が空気中の水分等によって劣化することを抑制する。また、ワイヤーグリッド偏光素子1では、保護膜70の表面(基板2と反対側の面)にフッ素系有機シラン等の撥水膜を設けることもある。   In addition, the wire grid polarization element 1 has a protective film 70 such as a silicon oxide film or a hafnium oxide film covering a plurality of wires 3 and a portion of the one surface 2 a of the substrate 2 exposed from the wires 3. The reference numeral 70 suppresses the deterioration of the thin metal wire 41 due to moisture and the like in the air. In the wire grid polarizing element 1, a water repellent film such as a fluorine-based organic silane may be provided on the surface of the protective film 70 (the surface on the opposite side to the substrate 2).

ここで、金属細線41の第1方向Yの端部41c、41dは各々、基板2の第1方向Yの縁2c、2dに向けて膜厚が薄くなった傾斜面41e、41fになっており、ワイヤー3の第1方向Yの端部3c、3dは、基板2の第1方向Yの縁2c、2dに向けて膜厚が薄くなった傾斜面3e、3fになっている。本形態では、誘電体膜51、および光吸収膜61も、金属細線41の第1方向Yの端部41c、41dと重なる位置(ワイヤー3の端部3c、3d)では、基板2の第1方向Yの縁2c、2dに向けて膜厚が薄くなっている。傾斜面41e、41f(傾斜面3e、3f)が基板2の一方面2aと成す角度θは、80°以下であり、角度θは30°以下であることが好ましい。本実施形態において、角度θは5°以下である。   Here, the end portions 41c and 41d of the fine metal wire 41 in the first direction Y are respectively inclined surfaces 41e and 41f whose film thickness is reduced toward the edges 2c and 2d of the substrate 2 in the first direction Y. The end portions 3c and 3d of the wire 3 in the first direction Y are inclined surfaces 3e and 3f whose film thickness is reduced toward the edges 2c and 2d of the substrate 2 in the first direction Y. In this embodiment, the dielectric film 51 and the light absorption film 61 also overlap with the end portions 41c and 41d of the metal thin wire 41 in the first direction Y (the end portions 3c and 3d of the wire 3). The film thickness becomes thinner toward the edges 2c and 2d in the direction Y. The angle θ formed by the inclined surfaces 41e and 41f (the inclined surfaces 3e and 3f) with the one surface 2a of the substrate 2 is preferably 80 ° or less, and preferably 30 ° or less. In the present embodiment, the angle θ is 5 ° or less.

また、ワイヤー3は、基板2の縁2c、2dから第1方向Yで離間する位置に設けられている。本形態において、ワイヤー3と基板2の縁2c、2dとの距離d0は、0.1mmから2.0mmである。   Further, the wire 3 is provided at a position separated from the edges 2 c and 2 d of the substrate 2 in the first direction Y. In the present embodiment, the distance d0 between the wire 3 and the edges 2c and 2d of the substrate 2 is 0.1 mm to 2.0 mm.

[ワイヤーグリッド偏光素子1の製造方法]
図4は、図1に示すワイヤーグリッド偏光素子1の製造方法に用いた大型基板20の説明図である。図5は、図4に示す大型基板20の一部を拡大して示す説明図である。図6は、図1に示すワイヤーグリッド偏光素子1の製造工程のうち、金属膜40等の成膜工程等の工程断面図である。図7は、図1に示すワイヤーグリッド偏光素子1の製造工程のうち、レジストマスク形成工程の工程断面図である。図8は、図7に示す型材8をレジスト層90に押し付けた状態を示す工程断面図である。図9は、図1に示すワイヤーグリッド偏光素子1の製造工程のうち、保護膜70等の形成工程等の工程断面図である。なお、図6〜8には、図3に示す大型基板20の領域2s、領域2sに第1方向Yで隣り合う領域2t、および領域2sに第2方向Xで隣り合う領域2uを適宜、示してある。
[Method of Manufacturing Wire Grid Polarizer 1]
FIG. 4 is an explanatory view of a large substrate 20 used in the method of manufacturing the wire grid polarization element 1 shown in FIG. FIG. 5 is an explanatory view showing a part of the large substrate 20 shown in FIG. 4 in an enlarged manner. FIG. 6 is a process cross-sectional view of a process of forming a metal film 40 or the like in the process of manufacturing the wire grid polarization element 1 shown in FIG. FIG. 7 is a process cross-sectional view of a resist mask forming process in the process of manufacturing the wire grid polarization element 1 shown in FIG. FIG. 8 is a process cross-sectional view showing a state in which the mold material 8 shown in FIG. 7 is pressed against the resist layer 90. As shown in FIG. FIG. 9 is a process cross-sectional view of the process of forming the protective film 70 and the like in the process of manufacturing the wire grid polarization element 1 shown in FIG. 6-8, the region 2s of the large substrate 20 shown in FIG. 3, the region 2t adjacent to the region 2s in the first direction Y, and the region 2u adjacent to the region 2s in the second direction X are shown as appropriate. It is

図1に示すワイヤーグリッド偏光素子1を製造するにあたって、本形態では、図2に示すワイヤーグリッド4および保護膜70を形成するまでは、図4および図5に示す大型基板20(マザー基板)を用い、ワイヤーグリッド4および保護膜70を形成した後、大型基板20を分割線20x、20yに沿って分割し、複数のワイヤーグリッド偏光素子1を得る。   In manufacturing the wire grid polarization element 1 shown in FIG. 1, in the present embodiment, the large substrate 20 (mother substrate) shown in FIGS. 4 and 5 is used until the wire grid 4 and the protective film 70 shown in FIG. After the wire grid 4 and the protective film 70 are formed, the large substrate 20 is divided along the dividing lines 20 x and 20 y to obtain a plurality of wire grid polarizers 1.

大型基板20は、実線L11で示す基板2を多数取りできる大型基板であり、シリコンウェハーと同様、円板状である。大型基板20において、複数の基板2が切り出される領域(一点鎖線LYで囲んだ領域)が有効領域201であり、それ以外の領域は、分割工程で除去される無効領域202(除材領域/一点鎖線LYで囲んだ領域の外側)である。   The large substrate 20 is a large substrate on which a large number of substrates 2 indicated by the solid line L11 can be taken, and has a disk shape like the silicon wafer. In the large-sized substrate 20, a region where the plurality of substrates 2 are cut out (a region surrounded by an alternate long and short dash line LY) is the effective region 201, and the other regions are invalid regions 202 removed in the dividing step Outside the area enclosed by the dashed line LY).

図3および図4に示す大型基板20からワイヤーグリッド偏光素子1を製造するには、図6に示す金属膜形成工程ST11において、金属細線41を構成するための金属膜40を形成した後、図6に示す工程ST12において、誘電体膜50および光吸収膜60を順に形成する。その際、分割線20xから第1方向Yで離間する領域に金属膜40、誘電体膜50および光吸収膜60を形成する。分割線20xから金属膜40、誘電体膜50および光吸収膜60までの距離d0は、0.1mmから2.0mmである。   In order to manufacture the wire grid polarization element 1 from the large-sized substrate 20 shown in FIGS. 3 and 4, after forming the metal film 40 for forming the metal thin wires 41 in the metal film forming step ST11 shown in FIG. In step ST12 shown in 6, the dielectric film 50 and the light absorption film 60 are formed in order. At this time, the metal film 40, the dielectric film 50, and the light absorption film 60 are formed in a region separated from the parting line 20x in the first direction Y. The distance d0 from the dividing line 20x to the metal film 40, the dielectric film 50, and the light absorption film 60 is 0.1 mm to 2.0 mm.

また、金属膜形成工程ST11では、金属膜40の第1方向Yの端部40c、40dが、大型基板20を第1方向Yで分割する際の分割線20xに向けて膜厚が薄くなった傾斜面40e、40fになるように金属膜40を形成する。例えば、分割線20xと重なるように第2方向Xに延在する帯状部10aを備えたマスク10を大型基板20の表面側に対向するように配置した状態で、マスク10の大型基板20とは反対側からマスク10の開口部10bを介して金属膜40を成膜する。開口部10bの側面10cは、大型基板20の側で大きく開口するような傾斜面になっている。   Further, in the metal film forming step ST11, the film thickness of the end portions 40c and 40d of the metal film 40 in the first direction Y becomes thinner toward the dividing line 20x when dividing the large substrate 20 in the first direction Y. The metal film 40 is formed to have the inclined surfaces 40e and 40f. For example, with the mask 10 provided with the strip 10a extending in the second direction X so as to overlap with the parting line 20x, the mask 10 with the large substrate 20 being opposed to the surface side of the large substrate 20 The metal film 40 is formed through the opening 10 b of the mask 10 from the opposite side. The side surface 10 c of the opening 10 b is an inclined surface that opens wide on the large substrate 20 side.

本実施形態では、工程ST12において、誘電体膜50および光吸収膜60を形成する際も、マスク10を用いる。従って、誘電体膜51および光吸収膜61も、金属膜40の第1方向Yの端部40c、40dと重なる位置では、分割線20xに向けて膜厚が薄くなっている。   In the present embodiment, the mask 10 is used also when forming the dielectric film 50 and the light absorption film 60 in the process ST12. Therefore, the film thickness of the dielectric film 51 and the light absorption film 61 also becomes thinner toward the dividing line 20 x at the positions overlapping with the ends 40 c and 40 d of the metal film 40 in the first direction Y.

次に、金属膜40等をパターニングして金属細線41を備えたワイヤー3を形成するパターニング工程ST2を行う。パターニング工程では、図7に示す第1工程ST20(レジスト塗布工程)において、大型基板20の表面20aにレジスト層90を塗布する。次に、第2工程ST21、ST22(レジストマスク形成工程)では、レジスト層90に対してナノインプリント用の型材8を押圧して、複数の金属細線41のピッチと同一のピッチで平行に並列した型材8の複数の凹部81をレジスト層90に転写する。すなわち、型材8は、金属膜40に対するパターニング形状に対応する転写面を有している。   Next, patterning process ST2 which patterns metal film 40 grade | etc., And forms the wire 3 provided with the metal fine wire 41 is performed. In the patterning process, a resist layer 90 is applied to the surface 20 a of the large substrate 20 in a first process ST20 (resist application process) shown in FIG. 7. Next, in the second steps ST21 and ST22 (resist mask formation step), the mold material 8 for nanoimprinting is pressed against the resist layer 90, and the mold materials paralleled in parallel at the same pitch as the pitch of the plurality of thin metal wires 41 A plurality of eight recesses 81 are transferred to the resist layer 90. That is, the mold material 8 has a transfer surface corresponding to the patterning shape for the metal film 40.

次に、離型工程ST23において、型材8をレジスト層90から引き離す。レジスト層90の固化工程は、第2工程ST22を行った後、離型工程ST23を行う前に行う。また、レジスト層90の固化工程は、離型工程ST23の後に行ってもよい。本形態では、レジスト層90は、UV硬化性のレジストが用いられている。従って、紫外線透過性を有する型材8を用いれば、離型工程ST23を行う前に、型材8に対してレジスト層90とは反対側からレジスト層90に紫外線UVを照射し、レジスト層90を硬化させ、レジストマスク9を形成することができる。また、離型工程ST23を行った後、大型基板20とは反対側からレジスト層90に紫外線UVを照射し、レジスト層90を硬化させてもよい。   Next, in the mold release step ST23, the mold material 8 is separated from the resist layer 90. The solidification process of the resist layer 90 is performed after the second process ST22 and before the mold release process ST23. Further, the solidification process of the resist layer 90 may be performed after the mold release process ST23. In the present embodiment, a UV curable resist is used as the resist layer 90. Therefore, if the mold 8 having ultraviolet ray permeability is used, the resist layer 90 is irradiated with ultraviolet UV from the opposite side of the mold 8 to the resist layer 90 before the mold release step ST23 is performed, and the resist layer 90 is cured. The resist mask 9 can be formed. Alternatively, after the release step ST23 is performed, the resist layer 90 may be irradiated with ultraviolet light UV from the side opposite to the large substrate 20 to cure the resist layer 90.

本形態では、図8に示すように、第2工程ST21、ST22を行う際、金属膜40の第1方向Yの端部40c、40dは、分割線20xに向けて膜厚が薄くなった傾斜面40e、40fになっている。従って、端部40c、40dが、大型基板20に対して垂直な端面になっている場合と比較して、金属膜40の端部40c、40dから型材8に対して大きな力が集中して加わることを抑制することができる。   In this embodiment, as shown in FIG. 8, when performing the second steps ST21 and ST22, the end portions 40c and 40d of the metal film 40 in the first direction Y are inclined such that the film thickness becomes thinner toward the dividing line 20x. It has become the surface 40e and 40f. Therefore, as compared with the case where the end portions 40c and 40d are end faces perpendicular to the large substrate 20, a large force is concentrated and applied to the mold material 8 from the end portions 40c and 40d of the metal film 40. Can be suppressed.

次に、図示を省略するが、第3工程において、レジストマスクを介して金属膜40等をエッチングして金属細線41を形成する。その際、光吸収膜60および誘電体膜50もエッチングし、図2および図3に示すように、金属細線41、誘電体膜51および光吸収膜61が順に積層されたワイヤー3を形成する。エッチング工程では、例えば、フッ素および酸素を含むエッチングガスを用いた異方性ドライエッチングを行った後、塩素を含むエッチングガスを用いた異方性ドライエッチングを行う。   Next, although not shown, in the third step, the metal film 40 and the like are etched through the resist mask to form the fine metal wires 41. At that time, the light absorption film 60 and the dielectric film 50 are also etched to form the wire 3 in which the fine metal wires 41, the dielectric film 51 and the light absorption film 61 are sequentially laminated as shown in FIGS. In the etching step, for example, after performing anisotropic dry etching using an etching gas containing fluorine and oxygen, anisotropic dry etching using an etching gas containing chlorine is performed.

次に、図9に示す保護膜形成工程ST31において、大型基板20の表面側に保護膜70を形成する。次に、図9に示す分割工程ST41では、図4および図5に示す分割線20x、20yに沿って大型基板20を分割し、複数のワイヤーグリッド偏光素子1を得る。なお、金属膜40等をパターニングする際、金属膜40等の表面(光吸収膜60)の表面に、シリコン酸化膜等の無機材料からなるハードマスクを形成してもよい。   Next, in a protective film forming step ST31 shown in FIG. 9, a protective film 70 is formed on the surface side of the large substrate 20. Next, in a dividing step ST41 shown in FIG. 9, the large substrate 20 is divided along the dividing lines 20x and 20y shown in FIGS. 4 and 5 to obtain a plurality of wire grid polarization elements 1. When the metal film 40 or the like is patterned, a hard mask made of an inorganic material such as a silicon oxide film may be formed on the surface (the light absorbing film 60) of the metal film 40 or the like.

(本発明の主な効果)
以上説明したように、本形態のワイヤーグリッド偏光素子1では、金属細線41の第1方向Yの端部41c、41dは、基板2の第1方向Yの縁2c、2dに向けて膜厚が薄くなった傾斜面41e、41fになっている。このため、金属細線41の端部41c、41dが基板2に垂直な端面になっている場合より、金属細線41の端部41c、41d(ワイヤー3の端部3c、3d)の面積が広い。また、金属細線41の端部41c、41dが傾斜面41e、41fになっているため、保護膜70を形成した際、保護膜70は、ワイヤー3の端部3c、3dを確実に覆う。従って、金属細線41の端部41c、41dで保護膜70が剥離する等の事態が発生しにくい。それ故、金属細線41の端部41c、41dを保護膜70によって適正に保護することができる。
(Main effects of the present invention)
As described above, in the wire grid polarization element 1 of the present embodiment, the end portions 41c and 41d of the fine metal wire 41 in the first direction Y have a film thickness toward the edges 2c and 2d of the substrate 2 in the first direction Y. The inclined surfaces 41e and 41f have become thinner. Therefore, the area of the ends 41c and 41d (ends 3c and 3d of the wire 3) of the thin metal wire 41 is larger than when the ends 41c and 41d of the thin metal wire 41 are end faces perpendicular to the substrate 2. Further, since the end portions 41c and 41d of the metal thin wire 41 are the inclined surfaces 41e and 41f, when the protective film 70 is formed, the protective film 70 reliably covers the end portions 3c and 3d of the wire 3. Therefore, a situation such as peeling off of the protective film 70 at the end portions 41 c and 41 d of the thin metal wire 41 does not easily occur. Therefore, the end portions 41 c and 41 d of the fine metal wire 41 can be properly protected by the protective film 70.

また、ナノインプリント用の型材8によってレジスト層90を押圧する際、金属膜40の第1方向Yの端部40c、40dが傾斜面になっている。このため、金属膜40の端部40c、40dから型材8に対して大きな力が集中して加わることを抑制することができる。それ故、型材8をプラスチック製とした場合でも、型材8が劣化しにくい。   Further, when the resist layer 90 is pressed by the mold material 8 for nanoimprinting, the end portions 40c and 40d of the metal film 40 in the first direction Y are inclined surfaces. For this reason, it is possible to suppress that a large force is concentrated and applied to the mold material 8 from the end portions 40c and 40d of the metal film 40. Therefore, even when the mold 8 is made of plastic, the mold 8 is less likely to deteriorate.

[本発明の別の実施形態]
図10は、本発明の別の実施形態に係るワイヤーグリッド偏光素子1の説明図である。図11は、図10に示すワイヤーグリッド偏光素子1の断面図である。図10および図11に示すように、本形態のワイヤーグリッド偏光素子1において、基板2の一方面2aは、複数のワイヤー3のうち、第2方向Xで隣り合うワイヤー3に挟まれた部分が第1方向Yに延在する溝20pになっている。溝20pは、例えば、10nm〜100nm程度の深さである。
Another Embodiment of the Present Invention
FIG. 10 is an explanatory view of a wire grid polarizer 1 according to another embodiment of the present invention. FIG. 11 is a cross-sectional view of the wire grid polarizer 1 shown in FIG. As shown in FIGS. 10 and 11, in the wire grid polarization element 1 of the present embodiment, a portion of the plurality of wires 3 in the one surface 2a of the substrate 2 is a portion sandwiched by the adjacent wires 3 in the second direction X The groove 20p extends in the first direction Y. The groove 20p has a depth of, for example, about 10 nm to 100 nm.

溝20pは、基板2の第1方向Yの縁2c、2dまで到達しており、図11に示す保護膜70は、ワイヤー3(金属細線41)を覆うとともに、溝20pの内側にも形成されている。従って、保護膜70は、ワイヤー3(金属細線41)の側面や端部3c、3dにおいて、溝20pや溝20pによって挟まれた部分と接している。このため、保護膜70がワイヤー3の端部3c、3d等において剥離する等の事態が発生しにくいので、金属細線41を保護膜によって適正に保護することができる。   The groove 20p reaches the edges 2c and 2d in the first direction Y of the substrate 2, and the protective film 70 shown in FIG. 11 covers the wire 3 (thin metal wire 41) and is also formed inside the groove 20p. ing. Therefore, the protective film 70 is in contact with the side portions and the end portions 3 c and 3 d of the wire 3 (metal fine wire 41) and the portion sandwiched by the groove 20 p and the groove 20 p. Therefore, the protective film 70 is unlikely to be peeled off at the end portions 3c, 3d and the like of the wire 3, so that the thin metal wire 41 can be properly protected by the protective film.

かかる態様は、ワイヤーグリッド偏光素子1の製造方法において、第3工程(エッチング工程)において、金属膜40をエッチングした後、さらに大型基板20の表面20aをエッチングすることによって実現することができる。その他の構成は、図1〜図9を参照して説明した実施形態と同様であるため、説明を省略する。   This aspect can be realized by etching the surface 20 a of the large substrate 20 after etching the metal film 40 in the third step (etching step) in the method of manufacturing the wire grid polarization element 1. The other configuration is the same as that of the embodiment described with reference to FIGS.

[投射型表示装置の構成例]
上述した実施形態に係るワイヤーグリッド偏光素子1を用いた投射型表示装置(電子機器)を説明する。図12は、透過型の電気光学装置を用いた投射型表示装置の説明図である。図1に示す投射型表示装置110では、液晶パネルからなる電気光学装置100と、電気光学装置100に供給される光を出射する光源部161と、電気光学装置100によって変調された光を投射する投射光学系とが設けられ、光源部から電気光学装置に到る光路、および電気光学装置から投射光学系に到る光路の少なくとも一方に、図1〜図11を参照して説明したワイヤーグリッド偏光素子1が配置される。より具体的には、図12に示す投射型表示装置110は、透過型の電気光学装置を用いた液晶プロジェクターであり、スクリーン等からなる被投射部材111に光を照射し、画像を表示する。かかる投射型表示装置110においては、以下に説明する第1偏光板115b、116b、117b、および第2偏光板115d、116d、117dの一方または他方に本発明を適用したワイヤーグリッド偏光素子1が用いられる。
[Configuration Example of Projection Display Device]
A projection type display device (electronic apparatus) using the wire grid polarization element 1 according to the embodiment described above will be described. FIG. 12 is an explanatory view of a projection type display device using a transmission type electro-optical device. The projection type display device 110 shown in FIG. 1 projects the light modulated by the electro-optical device 100 and the light source unit 161 which emits the light supplied to the electro-optical device 100, which is a liquid crystal panel. The wire grid polarization described with reference to FIGS. 1 to 11 is provided to at least one of an optical path from the light source unit to the electro-optical device and an optical path from the electro-optical device to the projection optical system. The element 1 is disposed. More specifically, the projection type display device 110 shown in FIG. 12 is a liquid crystal projector using a transmission type electro-optical device, and emits light to the projection target member 111 made of a screen or the like to display an image. In the projection type display device 110, the wire grid polarization element 1 in which the present invention is applied to one or the other of the first polarization plates 115b, 116b, 117b and the second polarization plates 115d, 116d, 117d described below is used. Be

投射型表示装置110は、装置光軸L0に沿って、照明装置160と、照明装置160から出射された光が供給される複数のライトバルブ(液晶ライトバルブ115〜117)と、液晶ライトバルブ115〜117から出射された光を合成して出射するクロスダイクロイックプリズム119(光合成光学系)と、クロスダイクロイックプリズム119により合成された光を投射する投射光学系118とを有している。また、投射型表示装置110は、ダイクロイックミラー113、114、およびリレー系120を備えている。投射型表示装置110において、液晶ライトバルブ115〜117およびクロスダイクロイックプリズム119は、光学ユニット150を構成している。   The projection display device 110 includes an illumination device 160, a plurality of light valves (liquid crystal light valves 115 to 117) to which light emitted from the illumination device 160 is supplied along the device optical axis L0, and a liquid crystal light valve 115. A cross dichroic prism 119 (light combining optical system) that combines and emits the light emitted from 〜117 and a projection optical system 118 that projects the light combined by the cross dichroic prism 119 are provided. Further, the projection type display device 110 includes dichroic mirrors 113 and 114 and a relay system 120. In the projection type display device 110, the liquid crystal light valves 115 to 117 and the cross dichroic prism 119 constitute an optical unit 150.

照明装置160では、装置光軸L0に沿って、光源部161、フライアイレンズ等のレンズアレイからなる第1インテグレーターレンズ162、フライアイレンズ等のレンズアレイからなる第2インテグレーターレンズ163、偏光変換素子164、およびコンデンサーレンズ165が順に配置されている。光源部161は、赤色光R、緑色光Gおよび青色光Bを含む白色光を出射する光源168と、リフレクター169とを備えている。光源168は超高圧水銀ランプ等により構成されており、リフレクター169は、放物線状の断面を有している。第1インテグレーターレンズ162および第2インテグレーターレンズ163は、光源部161から出射された光の照度分布を均一化する。偏光変換素子164は、光源部161から出射された光を、例えばs偏光のような特定の振動方向を有する偏光にする。   In the illumination device 160, a light source unit 161, a first integrator lens 162 including a lens array such as a fly eye lens, a second integrator lens 163 including a lens array such as a fly eye lens, and a polarization conversion element along the device optical axis L0. 164 and a condenser lens 165 are arranged in order. The light source unit 161 includes a light source 168 that emits white light including red light R, green light G, and blue light B, and a reflector 169. The light source 168 is constituted by an extra-high pressure mercury lamp or the like, and the reflector 169 has a parabolic cross section. The first integrator lens 162 and the second integrator lens 163 equalize the illuminance distribution of the light emitted from the light source unit 161. The polarization conversion element 164 converts the light emitted from the light source unit 161 into polarized light having a specific vibration direction such as s-polarized light.

ダイクロイックミラー113は、照明装置160から出射された光に含まれる赤色光Rを透過させるとともに、緑色光Gおよび青色光Bを反射する。ダイクロイックミラー114は、ダイクロイックミラー113で反射された緑色光Gおよび青色光Bのうち、青色光Bを透過させるとともに緑色光Gを反射する。このように、ダイクロイックミラー113、114は、照明装置160から出射された光を赤色光R、緑色光Gおよび青色光Bに分離する色分離光学系を構成している。   The dichroic mirror 113 transmits the red light R contained in the light emitted from the illumination device 160 and reflects the green light G and the blue light B. The dichroic mirror 114 transmits the blue light B and reflects the green light G among the green light G and the blue light B reflected by the dichroic mirror 113. Thus, the dichroic mirrors 113 and 114 constitute a color separation optical system that separates the light emitted from the illumination device 160 into red light R, green light G, and blue light B.

液晶ライトバルブ115は、ダイクロイックミラー113を透過して反射ミラー123で反射した赤色光Rを画像信号に応じて変調する透過型の液晶装置である。液晶ライトバルブ115は、λ/2位相差板115a、第1偏光板115b、電気光学装置100R、および第2偏光板115dを備えている。ここで、液晶ライトバルブ115に入射する赤色光Rは、ダイクロイックミラー113を透過しても光の偏光は変化しないことから、s偏光のままである。   The liquid crystal light valve 115 is a transmission type liquid crystal device that modulates the red light R transmitted through the dichroic mirror 113 and reflected by the reflection mirror 123 according to an image signal. The liquid crystal light valve 115 includes a λ / 2 retardation plate 115 a, a first polarizing plate 115 b, an electro-optical device 100 R, and a second polarizing plate 115 d. Here, the red light R incident on the liquid crystal light valve 115 remains s-polarized light because the polarization of the light does not change even though the light is transmitted through the dichroic mirror 113.

λ/2位相差板115aは、液晶ライトバルブ115に入射したs偏光をp偏光に変換する光学素子である。第1偏光板115bは、s偏光を遮断してp偏光を透過させる偏光板である。電気光学装置100Rは、p偏光を画像信号に応じた変調によってs偏光(中間調であれば円偏光又は楕円偏光)に変換する構成となっている。第2偏光板115dは、p偏光を遮断してs偏光を透過させる偏光板である。従って、液晶ライトバルブ115は、画像信号に応じて赤色光Rを変調し、変調した赤色光Rをクロスダイクロイックプリズム119に向けて出射する。   The λ / 2 retardation plate 115 a is an optical element that converts s-polarized light incident on the liquid crystal light valve 115 into p-polarized light. The first polarizing plate 115 b is a polarizing plate that blocks s-polarized light and transmits p-polarized light. The electro-optical device 100R is configured to convert p-polarized light into s-polarized light (circularly polarized light or elliptically polarized light in the case of halftone) by modulation according to an image signal. The second polarizing plate 115 d is a polarizing plate that blocks p polarized light and transmits s polarized light. Accordingly, the liquid crystal light valve 115 modulates the red light R in accordance with the image signal, and emits the modulated red light R toward the cross dichroic prism 119.

液晶ライトバルブ116は、ダイクロイックミラー113で反射した後にダイクロイックミラー114で反射した緑色光Gを画像信号に応じて変調する透過型の液晶装置である。液晶ライトバルブ116は、液晶ライトバルブ115と同様に、第1偏光板116b、電気光学装置100G、および第2偏光板116dを備えている。液晶ライトバルブ116に入射する緑色光Gは、ダイクロイックミラー113、114で反射されて入射するs偏光である。第1偏光板116bは、p偏光を遮断してs偏光を透過させる偏光板である。電気光学装置100Gは、s偏光を画像信号に応じた変調によってp偏光(中間調であれば円偏光又は楕円偏光)に変換する構成となっている。第2偏光板116dは、s偏光を遮断してp偏光を透過させる偏光板である。従って、液晶ライトバルブ116は、画像信号に応じて緑色光Gを変調し、変調した緑色光Gをクロスダイクロイックプリズム119に向けて出射する。   The liquid crystal light valve 116 is a transmissive liquid crystal device that modulates green light G reflected by the dichroic mirror 113 and then reflected by the dichroic mirror 114 according to an image signal. Similarly to the liquid crystal light valve 115, the liquid crystal light valve 116 includes a first polarizing plate 116b, an electro-optical device 100G, and a second polarizing plate 116d. The green light G incident on the liquid crystal light valve 116 is s-polarized light reflected by the dichroic mirrors 113 and 114. The first polarizing plate 116 b is a polarizing plate that blocks p polarized light and transmits s polarized light. The electro-optical device 100G is configured to convert s-polarized light into p-polarized light (in the case of halftone, circularly polarized light or elliptically polarized light) by modulation according to an image signal. The second polarizing plate 116 d is a polarizing plate that blocks s-polarized light and transmits p-polarized light. Accordingly, the liquid crystal light valve 116 modulates the green light G according to the image signal, and emits the modulated green light G toward the cross dichroic prism 119.

液晶ライトバルブ117は、ダイクロイックミラー113で反射し、ダイクロイックミラー114を透過した後でリレー系120を経た青色光Bを画像信号に応じて変調する透過型の液晶装置である。液晶ライトバルブ117は、液晶ライトバルブ115、116と同様に、λ/2位相差板117a、第1偏光板117b、電気光学装置100B、および第2偏光板117dを備えている。液晶ライトバルブ117に入射する青色光Bは、ダイクロイックミラー113で反射してダイクロイックミラー114を透過した後にリレー系120の2つの反射ミラー125a、125bで反射することから、s偏光となっている。   The liquid crystal light valve 117 is a transmissive liquid crystal device that modulates blue light B reflected by the dichroic mirror 113 and transmitted through the dichroic mirror 114 according to an image signal after passing through the relay system 120. Like the liquid crystal light valves 115 and 116, the liquid crystal light valve 117 includes a λ / 2 retardation plate 117a, a first polarizing plate 117b, an electro-optical device 100B, and a second polarizing plate 117d. The blue light B incident on the liquid crystal light valve 117 is reflected by the dichroic mirror 113 and transmitted through the dichroic mirror 114, and then reflected by the two reflection mirrors 125a and 125b of the relay system 120, so it is s-polarized light.

λ/2位相差板117aは、液晶ライトバルブ117に入射したs偏光をp偏光に変換する光学素子である。第1偏光板117bは、s偏光を遮断してp偏光を透過させる偏光板である。電気光学装置100Bは、p偏光を画像信号に応じた変調によってs偏光(中間調であれば円偏光又は楕円偏光)に変換する構成となっている。第2偏光板117dは、p偏光を遮断してs偏光を透過させる偏光板である。従って、液晶ライトバルブ117は、画像信号に応じて青色光Bを変調し、変調した青色光Bをクロスダイクロイックプリズム119に向けて出射する。   The λ / 2 retardation plate 117 a is an optical element that converts s-polarized light incident on the liquid crystal light valve 117 into p-polarized light. The first polarizing plate 117 b is a polarizing plate that blocks s-polarized light and transmits p-polarized light. The electro-optical device 100B is configured to convert p-polarized light into s-polarized light (in the case of halftone, circularly polarized light or elliptically polarized light) by modulation according to an image signal. The second polarizing plate 117 d is a polarizing plate that blocks p polarized light and transmits s polarized light. Accordingly, the liquid crystal light valve 117 modulates the blue light B according to the image signal, and emits the modulated blue light B toward the cross dichroic prism 119.

リレー系120は、リレーレンズ124a、124bと反射ミラー125a、125bとを備えている。リレーレンズ124a、124bは、青色光Bの光路が長いことによる光損失を防止するために設けられている。リレーレンズ124aは、ダイクロイックミラー114と反射ミラー125aとの間に配置されている。リレーレンズ124bは、反射ミラー125a、125bの間に配置されている。反射ミラー125aは、ダイクロイックミラー114を透過してリレーレンズ124aから出射した青色光Bをリレーレンズ124bに向けて反射する。反射ミラー125bは、リレーレンズ124bから出射した青色光Bを液晶ライトバルブ117に向けて反射する。   The relay system 120 includes relay lenses 124a and 124b and reflection mirrors 125a and 125b. The relay lenses 124 a and 124 b are provided to prevent light loss due to the long optical path of the blue light B. The relay lens 124a is disposed between the dichroic mirror 114 and the reflection mirror 125a. The relay lens 124 b is disposed between the reflection mirrors 125 a and 125 b. The reflection mirror 125a reflects the blue light B transmitted through the dichroic mirror 114 and emitted from the relay lens 124a toward the relay lens 124b. The reflection mirror 125 b reflects the blue light B emitted from the relay lens 124 b toward the liquid crystal light valve 117.

クロスダイクロイックプリズム119は、2つのダイクロイック膜119a、119bをX字型に直交配置した色合成光学系である。ダイクロイック膜119aは青色光Bを反射して緑色光Gを透過する膜であり、ダイクロイック膜119bは赤色光Rを反射して緑色光Gを透過する膜である。従って、クロスダイクロイックプリズム119は、液晶ライトバルブ115〜117のそれぞれで変調された赤色光Rと緑色光Gと青色光Bとを合成し、投射光学系118に向けて出射する。   The cross dichroic prism 119 is a color combining optical system in which two dichroic films 119a and 119b are orthogonally arranged in an X shape. The dichroic film 119 a is a film that reflects the blue light B and transmits the green light G, and the dichroic film 119 b is a film that reflects the red light R and transmits the green light G. Accordingly, the cross dichroic prism 119 combines the red light R, the green light G, and the blue light B modulated by the liquid crystal light valves 115 to 117, respectively, and emits the combined light toward the projection optical system 118.

なお、液晶ライトバルブ115、117からクロスダイクロイックプリズム119に入射する光はs偏光であり、液晶ライトバルブ116からクロスダイクロイックプリズム119に入射する光はp偏光である。このようにクロスダイクロイックプリズム119に入射する光を異なる種類の偏光としていることにより、クロスダイクロイックプリズム119において各液晶ライトバルブ115〜117から入射する光を合成できる。ここで、一般に、ダイクロイック膜119a、119bはs偏光の反射特性に優れている。このため、ダイクロイック膜119a、119bで反射される赤色光R、および青色光Bをs偏光とし、ダイクロイック膜119a、119bを透過する緑色光Gをp偏光としている。投射光学系118は、投影レンズ(図示略)を有しており、クロスダイクロイックプリズム119で合成された光をスクリーン等の被投射部材111に投射する。   The light incident on the cross dichroic prism 119 from the liquid crystal light valves 115 and 117 is s-polarized light, and the light incident on the cross dichroic prism 119 from the liquid crystal light valve 116 is p-polarized light. As described above, by making the light incident on the cross dichroic prism 119 different in polarization, the light incident from the liquid crystal light valves 115 to 117 can be combined in the cross dichroic prism 119. Here, in general, the dichroic films 119a and 119b are excellent in the reflection characteristic of s-polarized light. Therefore, the red light R and the blue light B reflected by the dichroic films 119a and 119b are s-polarized, and the green light G transmitted through the dichroic films 119a and 119b is p-polarized. The projection optical system 118 has a projection lens (not shown), and projects the light combined by the cross dichroic prism 119 onto a projection target member 111 such as a screen.

(他の投射型表示装置)
なお、投射型表示装置については、光源部として、各色の光を出射するLED光源等を用い、かかるLED光源から出射された色光を各々、別の液晶装置に供給するように構成してもよい。また、反射型の液晶パネル(電気光学装置)を用いた投射型表示装置に本発明を適用したワイヤーグリッド偏光素子1を用いてもよい。
(Other projection display devices)
In the projection type display device, an LED light source or the like that emits light of each color may be used as a light source unit, and color light emitted from the LED light source may be supplied to different liquid crystal devices. . In addition, the wire grid polarizing element 1 to which the present invention is applied to a projection type display device using a reflection type liquid crystal panel (electro-optical device) may be used.

(他の電子機器)
本発明を適用したワイヤーグリッド偏光素子1を備えた電子機器は、上記実施形態の投射型表示装置に限定されない。例えば、投射型のHUD(ヘッドアップディスプレイ)や直視型のHMD(ヘッドマウントディスプレイ)、パーソナルコンピューター、デジタルスチルカメラ、液晶テレビ等の電子機器に用いてもよい。
(Other electronic devices)
The electronic device provided with the wire grid polarization element 1 to which the present invention is applied is not limited to the projection type display device of the above-mentioned embodiment. For example, the present invention may be applied to electronic devices such as a projection HUD (head-up display) or a direct view HMD (head-mounted display), a personal computer, a digital still camera, a liquid crystal television and the like.

1…ワイヤーグリッド偏光素子、2…基板、2a…一方面、2c、2d…縁、3…ワイヤー、3c、3d、40c、40d、41c、41d…端部、3e、3f、40e、40f、41e、41f…傾斜面、4…ワイヤーグリッド、8…型材、9…レジストマスク、10…マスク、10a…帯状部、10b…開口部、10c…側面、20…大型基板、20a…表面、20p…溝、20x、20y…分割線、40…金属膜、41…金属細線、50、51…誘電体膜、60、61…光吸収膜、70…保護膜、81…凹部、90…レジスト層、100B、100G、100R…電気光学装置、110…投射型表示装置、115b、116b、117b…第1偏光板、115d、116d、117d…第2偏光板、118…投射光学系、119…クロスダイクロイックプリズム、161…光源部、ST11…金属膜形成工程、ST2…パターニング工程、ST20…第1工程、ST21、ST22…第2工程、ST31…保護膜形成工程、ST41…分割工程。 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Wire grid polarization element, 2 ... board | substrate, 2a ... one surface, 2c, 2d ... edge, 3 ... wire, 3c, 3d, 40c, 40d, 41c, 41d ... edge part, 3e, 3f, 40e, 40f, 41e , 41f ... inclined surface, 4 ... wire grid, 8 ... shape material, 9 ... resist mask, 10 ... mask, 10a ... band portion, 10b ... opening, 10c ... side, 20 ... large substrate, 20a ... surface, 20p ... groove , 20x, 20y: dividing line, 40: metal film, 41: fine metal wire, 50, 51: dielectric film, 60, 61: light absorbing film, 70: protective film, 81: concave portion, 90: resist layer, 100B, 100G, 100R: electro-optical device, 110: projection type display device, 115b, 116b, 117b: first polarizer, 115d, 116d, 117d: second polarizer, 118: projection optical system, 119: black Dichroic prism, 161 ... light source unit, ST11 ... metal film forming step, ST2 ... patterning step, ST20 ... first step, ST21, ST22 ... second step, ST31 ... protective film forming step, ST41 ... dividing step.

Claims (11)

基板と、
前記基板の一方面に設けられ、第1方向に延在する金属細線を備えた複数のワイヤーが、前記第1方向に交差する第2方向で並列したワイヤーグリッドと、
前記複数のワイヤー、および前記一方面の前記ワイヤーから露出する部分を覆う保護膜と、
を有し、
前記金属細線の前記第1方向の端部は、前記基板の前記第1方向の縁に向けて膜厚が薄くなった傾斜面になっていることを特徴とするワイヤーグリッド偏光素子。
A substrate,
A wire grid in which a plurality of wires provided on one surface of the substrate and including metal thin wires extending in a first direction are arranged in a second direction intersecting the first direction;
A plurality of wires, and a protective film covering a portion of the one surface exposed from the wires;
Have
The edge part of the said 1st direction of the said metal fine wire is an inclined surface to which the film thickness became thin toward the edge of the said 1st direction of the said board | substrate, The wire grid polarization element characterized by the above-mentioned.
請求項1に記載のワイヤーグリッド偏光素子において、
前記ワイヤーは、前記縁から前記第1方向で離間する位置に設けられていることを特徴とするワイヤーグリッド偏光素子。
In the wire grid polarizer according to claim 1,
The wire grid polarizer according to claim 1, wherein the wire is provided at a position spaced apart from the edge in the first direction.
請求項2に記載のワイヤーグリッド偏光素子において、
前記ワイヤーと前記縁との距離は、0.1mmから2.0mmであることを特徴とするワイヤーグリッド偏光素子。
In the wire grid polarizer according to claim 2,
A wire grid polarizer characterized in that the distance between the wire and the edge is 0.1 mm to 2.0 mm.
請求項1から3までの何れか一項に記載のワイヤーグリッド偏光素子において、
前記傾斜面が前記一方面と成す角度が80°以下であることを特徴とするワイヤーグリッド偏光素子。
The wire grid polarizer according to any one of claims 1 to 3.
The wire grid polarizer characterized in that an angle formed by the inclined surface with the one surface is 80 ° or less.
請求項1から4までの何れか一項に記載のワイヤーグリッド偏光素子において、
前記一方面は、前記複数のワイヤーのうち、前記第2方向で隣り合うワイヤーに挟まれた部分が前記第1方向に延在する溝になっているワイヤーグリッド偏光素子。
The wire grid polarizer according to any one of claims 1 to 4.
The wire grid polarizing element in which the said one side is the groove | channel which the part pinched by the wire which adjoins in the said 2nd direction among the said some wires becomes a groove | channel extended in a said 1st direction.
基板と、
前記基板の一方面に設けられ、第1方向に延在する金属細線を備えた複数のワイヤーが、前記第1方向に交差する第2方向で並列したワイヤーグリッドと、
前記複数のワイヤー、および前記一方面の前記ワイヤーから露出する部分を覆う保護膜と、
を有するワイヤーグリッド偏光素子の製造方法において、
前記基板より大きな大型基板の表面側に金属膜を形成する金属膜形成工程と、
前記金属膜をパターニングして前記金属細線を形成するパターニング工程と、
前記大型基板の表面側に前記保護膜を形成する保護膜形成工程と、
前記大型基板を分割する分割工程と、
を有し、
前記金属膜形成工程では、前記金属膜の前記第1方向の端部が前記大型基板を前記第1方向で分割する際の分割線に向けて膜厚が薄くなった傾斜面になるように前記金属膜を形成し、
前記パターニング工程では、
前記金属膜の前記大型基板と反対側にレジスト層を設ける第1工程と、
前記金属膜に対するパターニング形状に対応して前記第1方向に延在する複数の凹部が前記第2方向で並列するナノインプリント用の型材によって前記レジスト層を押圧した後、前記レジスト層を固化させてレジストマスクを形成する第2工程と、
前記レジストマスクを介して前記金属膜をエッチングして前記金属細線を形成する第3工程と、
を有することを特徴とするワイヤーグリッド偏光素子の製造方法。
A substrate,
A wire grid in which a plurality of wires provided on one surface of the substrate and including metal thin wires extending in a first direction are arranged in a second direction intersecting the first direction;
A plurality of wires, and a protective film covering a portion of the one surface exposed from the wires;
In a method of manufacturing a wire grid polarizer having
Forming a metal film on the surface side of a large substrate larger than the substrate;
Patterning the metal film to form the metal thin wire;
A protective film forming step of forming the protective film on the surface side of the large substrate;
A dividing step of dividing the large substrate;
Have
In the metal film forming step, the end portion in the first direction of the metal film is an inclined surface having a thickness decreasing toward a dividing line when dividing the large substrate in the first direction. Form a metal film,
In the patterning step,
Providing a resist layer on the opposite side of the metal film to the large substrate;
The resist layer is solidified by pressing the resist layer with a plurality of recesses extending in the first direction corresponding to the patterning shape for the metal film, and the resist layer is solidified. A second step of forming a mask;
A third step of etching the metal film through the resist mask to form the metal fine wire;
A manufacturing method of a wire grid polarization element characterized by having.
請求項6に記載のワイヤーグリッド偏光素子の製造方法において、
前記金属膜形成工程では、前記分割線から前記第1方向で離間する領域に前記金属膜を形成することを特徴とするワイヤーグリッド偏光素子の製造方法。
In the method of manufacturing a wire grid polarizer according to claim 6,
In the metal film forming step, the metal film is formed in a region separated in the first direction from the dividing line.
請求項6または7に記載のワイヤーグリッド偏光素子の製造方法において、
前記金属膜形成工程では、前記分割線と重なるように前記第2方向に延在する帯状部を備えたマスクを前記大型基板の表面側に対向するように配置した状態で前記マスクの前記大型基板とは反対側から前記金属膜を成膜することを特徴とするワイヤーグリッド偏光素子の製造方法。
In the method of manufacturing a wire grid polarizer according to claim 6 or 7,
In the metal film forming step, the large-sized substrate of the mask is disposed in a state in which a mask provided with a band-shaped portion extending in the second direction so as to overlap the dividing line is opposed to the surface side of the large substrate. And depositing the metal film from the opposite side of the wire grid polarizing element.
請求項6から8までの何れか一項に記載のワイヤーグリッド偏光素子の製造方法において、
前記第3工程では、前記金属膜をエッチングした後、さらに前記大型基板の表面をエッチングすることを特徴とするワイヤーグリッド偏光素子の製造方法。
A method of manufacturing a wire grid polarization element according to any one of claims 6 to 8,
In the third step, after the metal film is etched, the surface of the large substrate is further etched.
請求項1から5までの何れか一項に記載のワイヤーグリッド偏光素子を備えていることを特徴とする電子機器。   An electronic device comprising the wire grid polarization element according to any one of claims 1 to 5. 請求項10に記載の電子機器において、
光源部と、前記光源部から出射された光を変調する電気光学装置と、前記電気光学装置によって変調した光を投射する投射光学系と、を有し、
前記光源部から前記電気光学装置に到る光路、および前記電気光学装置から前記投射光学系に到る光路の少なくとも一方に前記ワイヤーグリッド偏光素子が配置されていることを特徴とする電子機器。
In the electronic device according to claim 10,
A light source unit, an electro-optical device that modulates light emitted from the light source unit, and a projection optical system that projects light modulated by the electro-optical device.
Electronic equipment characterized in that the wire grid polarization element is arranged at least one of an optical path from the light source unit to the electro-optical device and an optical path from the electro-optical device to the projection optical system.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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