JP2019113710A - Electro-optical apparatus - Google Patents

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Abstract

To provide a detecting method of a defect of a scanning signal or its drive circuit output in drive timing of a display unit during actual use in an electro-optical apparatus.SOLUTION: A TFT substrate, in which a gate line and a data line are arranged in a matrix, that comprises a TFT 102 and a display area 100, in which a pixel electrode is formed, respectively in a crossing position of these signal lines, a gate line driving circuit 200 that drives the gate line at a peripheral part on the TFT substrate, and a gate signal abnormality detection circuit 400 are formed, and the gate signal abnormality detection circuit is arranged at an opposite side relative to the gate line driving circuit by sandwiching the display area, and further the gate signal abnormality detection circuit is driven by the gate signal GL output from the gate line driving circuit to the gate line, and the gate signal is input to the gate signal abnormality detection circuit through the gate line.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

この発明は、電気光学装置に関するものであり、表示動作中における異常検知機能を有する電気光学装置に好適に使用することができる。   The present invention relates to an electro-optical device and can be suitably used for an electro-optical device having an abnormality detection function during display operation.

昨今では、従来のナビゲーション装置に加えて、ダッシュボードに組み付けられるスピードメーターやウォーニングランプ等の計器板であるインストルメントパネル、および車両後方の画像を表示するバックモニタなどのアプリケーションに、車載用の表示装置の用途が広がっている。従って、ドライバが車両を運転する上での表示動作に関する情報が重要性を増している。   Nowadays, in addition to conventional navigation devices, display for automotive use in applications such as an instrument panel which is an instrument panel such as a speedometer and a warning lamp to be assembled to a dashboard, and a back monitor for displaying an image behind a vehicle. The application of the device is expanding. Therefore, information on display operations when the driver drives the vehicle is becoming more important.

特に自動車の電気/電子に関する機能安全についての国際規格であるISO26262なども策定されており、表示動作の異常を検知する機能が重要となっている。   In particular, ISO26262, which is an international standard for functional safety related to electricity / electronics of automobiles, has also been formulated, and the function of detecting an abnormality in display operation is important.

また、近年、アモルファスシリコンに比べ容易に高い電界効果移動度を実現できる酸化物半導体がパネル上に駆動回路内蔵させるトランジスタとして開発が進められている。 Further, in recent years, development has been advanced as a transistor in which an oxide semiconductor capable of easily achieving higher field effect mobility than amorphous silicon is incorporated as a driver circuit on a panel.

表示装置における駆動回路出力部、および走査線の欠陥検出方法は、特許文献1に開示されている。 Patent Document 1 discloses a drive circuit output unit in a display device and a method of detecting a defect in a scanning line.

特開平10−97203号公報Japanese Patent Application Laid-Open No. 10-97203

これは製造工程においての不良を検出することにおいて使用するものであり、実使用時の表示駆動タイミングでは1水平駆動期間内に検出端子の電圧を充放電させる必要があるため、特に大型パネルや高解像度パネルにおいて適用することができなかった。本願明細書に開示される技術は、以上に記載されたような問題を解決するためになされたものであり、表示装置の実使用時において、その表示部の駆動タイミングにて走査信号線やその駆動回路出力の欠陥の検出が可能な電気光学装置を提供するものである。   This is used to detect defects in the manufacturing process, and it is necessary to charge and discharge the voltage of the detection terminal within one horizontal drive period at the display drive timing in actual use, so a particularly large panel or high It could not be applied in the resolution panel. The technology disclosed in the present specification has been made to solve the problems as described above, and in actual use of the display device, the scanning signal line or the signal An electro-optical device capable of detecting a defect in a drive circuit output.

この発明に係る電気光学装置の態様は、走査信号線と画像信号線とが行列状に配置され、これら信号線の交差位置にそれぞれ薄膜トランジスタと画素電極が形成された表示領域を備えたTFT基板と、前記表示領域に対応した電気光学層を有する電気光学装置において、前記TFT基板上の前記表示領域の周辺部に前記走査信号線を駆動する走査信号線駆動回路と、走査信号異常検出回路とを形成し、その走査信号異常検出回路は、前記走査信号線駆動回路に対して前記表示領域を挟んで反対側に配置され、前記走査信号異常検出回路は、前記走査信号線駆動回路から前記走査信号線に出力する走査信号により駆動され、その走査信号は、前記走査信号線を経由して前記走査信号異常検出回路に入力することを特徴とする。   According to an aspect of the electro-optical device according to the present invention, a TFT substrate provided with a display area in which scanning signal lines and image signal lines are arranged in a matrix, and thin film transistors and pixel electrodes are formed at intersections of these signal lines. In an electro-optical device having an electro-optical layer corresponding to the display area, a scanning signal line drive circuit for driving the scanning signal line around the display area on the TFT substrate, and a scanning signal abnormality detection circuit. The scan signal abnormality detection circuit is disposed on the opposite side of the display area with respect to the scan signal line drive circuit, and the scan signal abnormality detection circuit is configured to receive the scan signal from the scan signal line drive circuit. The scanning signal is driven by a scanning signal output to a line, and the scanning signal is input to the scanning signal abnormality detection circuit via the scanning signal line.

この発明に係る電気光学装置は、実使用時においてその表示部の駆動タイミングにて走査信号やその駆動回路出力の欠陥の検出が可能となる。   The electro-optical device according to the present invention makes it possible to detect defects in the scanning signal and the output of the drive circuit at the drive timing of the display unit in actual use.

実施の形態1に係る液晶表示装置の構成を示す概略ブロック図である。FIG. 1 is a schematic block diagram showing a configuration of a liquid crystal display device according to Embodiment 1. 図1に示したゲート線駆動回路の構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of the gate line drive circuit shown in FIG. 実施の形態1に係るゲート線駆動回路および走査信号異常検出回路のタイミングを示す図である。FIG. 5 is a diagram showing timings of a gate line drive circuit and a scanning signal abnormality detection circuit according to the first embodiment. 図1に示した走査信号異常検出回路の構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of the scanning signal abnormality detection circuit shown in FIG. 図1に示した走査信号異常検出回路内の単位シフトレジスタ回路SFDの具体的回路構成を示す図である。It is a figure which shows the concrete circuit structure of unit shift register circuit SFD in the scanning signal abnormality detection circuit shown in FIG. 図1に示した走査信号異常検出回路を構成する単位シフトレジス回路SFDの具体的回路構成を示す変形例である。It is a modification which shows the specific circuit structure of unit shift resist circuit SFD which comprises the scanning signal abnormality detection circuit shown in FIG. 図1に示した走査信号異常検出回路を構成する単位シフトレジス回路SFDの具体的回路構成を示す他の実施例である。It is another Example which shows the concrete circuit structure of unit shift resister circuit SFD which comprises the scanning signal abnormality detection circuit shown in FIG. 図1に示した異常判定回路の具体的な回路例である。It is a specific circuit example of the abnormality determination circuit shown in FIG. 実施の形態2に係る液晶表示装置の構成を示す概略ブロック図である。FIG. 6 is a schematic block diagram showing a configuration of a liquid crystal display device according to Embodiment 2. 図9に示したゲート線駆動回路の構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of the gate line drive circuit shown in FIG. 図9に示した走査信号異常検出回路の構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of the scanning signal abnormality detection circuit shown in FIG. 実施の形態2に係るゲート線駆動回路および走査信号異常検出回路のタイミングを示す図である。FIG. 7 is a diagram showing timings of a gate line drive circuit and a scanning signal abnormality detection circuit according to a second embodiment.

実施の形態1.
本発明の実施の形態ついて以下に図面を参照して説明する。
Embodiment 1
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

なお、図面は概略的に示されるものであり、説明の便宜のため、適宜、構成の省略、または、構成の簡略化がなされるものである。また、異なる図面にそれぞれ示される構成などの大きさおよび位置の相互関係は、必ずしも正確に記載されるものではなく、適宜変更され得るものである。   Note that the drawings are schematically illustrated, and omission of the configuration or simplification of the configuration may be made as appropriate for the convenience of description. In addition, the interrelationships among sizes and positions of configurations and the like shown in different drawings are not necessarily accurately described, and may be changed as appropriate.

また、以下に示される説明では、同様の構成要素には同じ符号を付して図示し、それらの名称と機能とについても同様のものとする。したがって、それらについての詳細な説明を、重複を避けるために省略する場合がある。   Moreover, in the description shown below, the same code | symbol is attached | subjected and shown to the same code | symbol, and suppose that it is the same also about those names and functions. Accordingly, detailed descriptions about them may be omitted to avoid duplication.

図1は、本発明に係る表示装置の構成を示す概略ブロック図であり、表示装置の代表例として液晶表示装置10の構成を示している。図1に示したように本実施の形態による表示装置は、表示パネル500、タイミングコントローラ600、電圧生成回路700、異常判定回路800を備え、図1中に一点鎖線で示した表示パネル500は、液晶表示部100、ゲート線駆動回路200(走査信号線駆動回路)、ソースドライバ300、走査信号異常検出回路400(ゲート線信号異常検出回路)を備える。   FIG. 1 is a schematic block diagram showing the configuration of a display device according to the present invention, and shows the configuration of a liquid crystal display device 10 as a representative example of the display device. As shown in FIG. 1, the display device according to the present embodiment includes a display panel 500, a timing controller 600, a voltage generation circuit 700, and an abnormality determination circuit 800, and the display panel 500 indicated by an alternate long and short dash line in FIG. The liquid crystal display unit 100 includes a gate line drive circuit 200 (scan signal line drive circuit), a source driver 300, and a scan signal abnormality detection circuit 400 (gate line signal abnormality detection circuit).

図1中に破線で示した液晶表示部100は、行列状に配設された複数の画素101を含む。画素の行(以下「画素ライン」とも称する)の各々にはそれぞれゲート線GL,GL・・・GLが配設され、また画素の列の各々にはそれぞれデータ線DL,DL・・・DLがそれぞれ設けられる。つまり、液晶表示部100中に破線で示した画素101は、ゲート線GLとそれに直交するデータ線DLとの各交点の近傍に形成される。ここで、以下「画素列」とも称する。また、以降番号「n」は総画素ライン数、すなわちゲート線数であり、番号「m」は総データ線数とする。なお、本実施の形態では、説明の便宜上、ゲート線GL,GL・・・GLのそれぞれを「ゲート線GL」、またデータ線DL,DL・・・DLのそれぞれを「データ線DL」と総称する。例えば、表示パネル500がXGAの解像度:縦768×横1024のR、G、Bの画素構成とすれば、ゲート線数nは768、データ線数mは3072となる。 The liquid crystal display unit 100 indicated by a broken line in FIG. 1 includes a plurality of pixels 101 arranged in a matrix. Gate lines GL 1 , GL 2 ... GL n are respectively provided for each row of pixels (hereinafter also referred to as “pixel line”), and data lines DL 1 and DL 2 are respectively provided for each column of pixels. ... DL m are provided respectively. That is, the pixel 101 indicated by the broken line in the liquid crystal display unit 100 is formed in the vicinity of each intersection of the gate line GL and the data line DL orthogonal thereto. Here, it is also referred to as "pixel row" hereinafter. Further, the number "n" is the total number of pixel lines, that is, the number of gate lines, and the number "m" is the total number of data lines. In this embodiment, for convenience of explanation, the respective gate lines GL 1, GL 2 · · · GL n "gate lines GL", also the respective data lines DL 1, DL 2 ··· DL m ' Collectively referred to as "data line DL". For example, if the display panel 500 has an XGA resolution: 768 × 1024 R, G, B pixel configuration, the number n of gate lines is 768 and the number m of data lines is 3072.

各画素101は、対応するデータ線DLと画素ノードNpとの間に設けられる画素スイッチ素子102と、画素ノードNpおよび共通電極ノードNcの間に並列に接続されるキャパシタ103(補助容量)および液晶表示素子104とを有している。画素ノードNpと共通電極ノードNcとの間の電圧差に応じて、液晶表示素子104中の配向性が変化し、これに応答して液晶表示素子104の表示輝度が変化する。これにより、データ線DLおよび画素スイッチ素子102を介して画素ノードNpへ伝達される表示電圧のよって、各画素の輝度をコントロールすることが可能となる。即ち、最大輝度に対応する電圧差と最小輝度に対応する電圧差との中間的な電圧差を、画素ノードNpと共通電極Ncとの間に印加することによって、中間的な輝度を得ることができる。従って、上記表示電圧を段階的に設定することにより、段階的な輝度を得ることができる。   Each pixel 101 includes a pixel switch element 102 provided between the corresponding data line DL and the pixel node Np, a capacitor 103 (auxiliary capacitance) connected in parallel between the pixel node Np and the common electrode node Nc, and liquid crystal And a display element 104. The orientation in the liquid crystal display element 104 changes in accordance with the voltage difference between the pixel node Np and the common electrode node Nc, and in response to this, the display luminance of the liquid crystal display element 104 changes. Thus, the luminance of each pixel can be controlled by the display voltage transmitted to the pixel node Np via the data line DL and the pixel switch element 102. That is, by applying an intermediate voltage difference between the voltage difference corresponding to the maximum brightness and the voltage difference corresponding to the minimum brightness between the pixel node Np and the common electrode Nc, an intermediate brightness can be obtained. it can. Therefore, stepwise setting of the display voltage can provide stepwise brightness.

液晶表示部100が設けられた下部基板(図示せず)上には、ブラックマトリックスとカラーフィルタ(及び液晶表示モードによっては共通電極)が設けられた上部基板(図示せず)とを備え、上部基板と下部基板とのには液晶(図示せず)が挟時されている。   On the lower substrate (not shown) provided with the liquid crystal display unit 100, an upper substrate (not shown) provided with a black matrix and a color filter (and a common electrode depending on the liquid crystal display mode) is provided. A liquid crystal (not shown) is sandwiched between the substrate and the lower substrate.

上述のような構造を持つ液晶表示部100の外側には、液晶表示部100の駆動のための信号を供給する駆動回路が設けられる。前記駆動回路は、ゲート線駆動回路200、ソースドライバ300より構成される。さらに走査信号であるゲート信号の異常を検出する異常検出回路部を備え、この異常検出回路部は、走査信号異常検出回路400、異常判定回路800により構成される。さらに、前記ゲート線駆動回路200、ソースドライバ300、及び異常検出回路部を制御するタイミングコントローラ600、前記ゲート線駆動回路200、ソースドライバ300、及び異常検出回路部に電位を供給する電圧生成回路700を備える。   A driving circuit for supplying a signal for driving the liquid crystal display unit 100 is provided outside the liquid crystal display unit 100 having the above-described structure. The drive circuit includes a gate line drive circuit 200 and a source driver 300. Furthermore, an abnormality detection circuit unit for detecting an abnormality in a gate signal which is a scanning signal is provided, and the abnormality detection circuit unit is configured of a scanning signal abnormality detection circuit 400 and an abnormality determination circuit 800. Further, a timing controller 600 for controlling the gate line drive circuit 200, the source driver 300, and the abnormality detection circuit unit, a voltage generation circuit 700 for supplying a potential to the gate line drive circuit 200, the source driver 300, and the abnormality detection circuit unit. Equipped with

先ず、タイミングコントローラ600は、外部のグラフィック制御器(図示せず)からの映像信号、フレーム区別信号である垂直同期信号、水平同期信号、及び外部クロック信号を含む外部制御信号を受け取って、ゲート線駆動回路200及びソースドライバ300の動作を制御する制御信号を生成及び出力する。なお、この制御信号は必要に応じてレベルシフト回路を経由しレベルシフトされる。   First, the timing controller 600 receives an external control signal including an image signal from an external graphic controller (not shown), a vertical synchronization signal which is a frame distinction signal, a horizontal synchronization signal, and an external clock signal, and receives a gate line. It generates and outputs control signals for controlling the operation of the drive circuit 200 and the source driver 300. The control signal is level shifted through the level shift circuit as necessary.

電圧生成回路700は、表示装置の駆動に要される種々の駆動電圧を生成する。電圧生成回路700内の電圧生成部(非表示)は、ソースドライバ電源と、ゲートハイ電圧及びゲートロウ電圧、並びに共通電圧を生成、さらに走査信号異常検出に必要な電圧を生成する。電圧生成回路700は、前記ゲートハイ電圧及びゲートロウ電圧をゲート線駆動回路200に印加し、データ線出力回路電源をソースドライバ300に供給する。ここで、データ線出力回路電源は、液晶を駆動させる階調電圧(階調信号)の生成のための基本電圧として用いられる。   The voltage generation circuit 700 generates various drive voltages required to drive the display device. A voltage generation unit (not shown) in the voltage generation circuit 700 generates a source driver power supply, a gate high voltage and a gate low voltage, and a common voltage, and further generates a voltage necessary for scanning signal abnormality detection. The voltage generation circuit 700 applies the gate high voltage and the gate low voltage to the gate line driving circuit 200 and supplies data line output circuit power to the source driver 300. Here, the data line output circuit power source is used as a basic voltage for generating a gray scale voltage (gray scale signal) for driving the liquid crystal.

ソースドライバ300は、タイミングコントローラ600の制御信号と画素データ信号、そして電圧生成回路700のデータ線出力回路電源を用いて階調信号を生成して、その階調信号を各データ線DL〜DLに印加する。すなわち、ソースドライバ300は、表示装置に入力されるデジタル画素データ信号を、データ線出力回路電源を用いてアナログの階調信号に変換する。そして、ソースドライバ300は、変換された階調信号を複数のデータ線DL〜DLに供給する。ソースドライバ300は一般にはCOG(Chip On Glass)と呼ばれる実装方式に対応したIC(Integrated Circuit)が用いられる。 The source driver 300, control signals and pixel data signals of the timing controller 600 and generates a tone signal using the data line output circuit power supply voltage generation circuit 700, the gradation signal of each data line DL 1 through DL, Apply to m . That is, the source driver 300 converts the digital pixel data signal input to the display device into an analog grayscale signal using the data line output circuit power supply. Then, the source driver 300 supplies the converted grayscale signal to the plurality of data lines DL 1 to DL m . The source driver 300 generally uses an integrated circuit (IC) compatible with a mounting method called COG (Chip On Glass).

タイミングコントローラ600は、垂直同期開始信号(以下、「スタート信号」と称す)STVと駆動クロック信号を生成してゲート線駆動回路200に供給する。このとき、前記駆動クロック信号は、ゲートクロック信号CKV及び/または反転されたゲートクロック信号CKVBを含む。以下、駆動クロック信号としてゲートクロック信号CKV及び反転されたゲートクロック信号CKVBの両方を用いる場合を基準として説明する。   The timing controller 600 generates a vertical synchronization start signal (hereinafter referred to as a “start signal”) STV and a drive clock signal, and supplies the vertical synchronization start signal STV and a drive clock signal to the gate line drive circuit 200. At this time, the driving clock signal includes the gated clock signal CKV and / or the inverted gated clock signal CKVB. The following description is based on the case where both the gate clock signal CKV and the inverted gate clock signal CKVB are used as the drive clock signal.

ゲート線駆動回路200は、スタート信号STVとゲートクロック信号CKV及び反転されたゲートクロック信号CKVBに基づいて、複数のゲート線GL〜GLにゲートハイ信号VGH及びゲートロウ信号VGLを印加する。ゲートハイ信号VGHは、複数のゲート線GL〜GLに順次に供給される。ゲートハイ信号VGHは、単一パルス状の信号である。ゲートハイ信号VGHは1水平クロック周期(1H)中にゲート線GL〜GLに供給される。このとき、ゲートハイ信号VGHは、ゲートクロック信号CKVまたは反転されたゲートクロック信号CKVBのロジックハイ区間中にゲート線GL〜GLに供給される。これにより、各ゲート線GL〜GLに接続された画素スイッチ素子102をターンオンさせて画像を表示する。 The gate line driving circuit 200 applies the gate high signal VGH and the gate low signal VGL to the plurality of gate lines GL 1 to GL n based on the start signal STV, the gate clock signal CKV, and the inverted gate clock signal CKVB. The gate high signal VGH is sequentially supplied to the plurality of gate lines GL 1 to GL n . The gate high signal VGH is a single pulse signal. The gate high signal VGH is supplied to the gate lines GL 1 to GL n in one horizontal clock cycle (1 H). At this time, the gate high signal VGH is supplied to the gate lines GL 1 to GL n during a logic high period of the gate clock signal CKV or the inverted gate clock signal CKVB. As a result, the pixel switch elements 102 connected to the gate lines GL 1 to GL n are turned on to display an image.

走査信号異常検出回路400は、順次に供給されるゲート信号GLs〜GLsが、複数のゲート線GL〜GLを介して入力することにより、初段に入力されるスタート信号STVをシフトさせる。ゲート信号GLs〜GLsが順次供給されると、シフトされたパルスは異常判定回路800に送られる。また以降、説明の便宜上、ゲート信号GLs,GLs・・・GLsのそれぞれを「ゲート信号GLs」と総称する。 The scanning signal abnormality detection circuit 400 shifts the start signal STV input to the first stage by inputting sequentially supplied gate signals GLs 1 to GLs n through the plurality of gate lines GL 1 to GL n . . When the gate signals GLs 1 to GLs n are sequentially supplied, the shifted pulses are sent to the abnormality determination circuit 800. In the following, for the convenience of description, each of the gate signals GLs 1 , GLs 2 ... GLs n will be collectively referred to as “gate signal GLs”.

異常判定回路800はタイミングコントローラ600から所定のタイミングで出力されるデータラッチ信号LATに基づき、走査信号異常検出回路から出力されるシフトパルスをラッチする。このラッチデータ出力に基づき、これを入力した外部機器(非図示)が、異常が有るか無いかの判定を行う。   The abnormality determination circuit 800 latches the shift pulse output from the scanning signal abnormality detection circuit based on the data latch signal LAT output from the timing controller 600 at a predetermined timing. Based on the latch data output, the external device (not shown) which has input the latch data determines whether there is an abnormality or not.

図2は、実施の形態1に係るゲート線駆動回路200の構成を示す図である。図3の(a)は、実施の形態1に係るゲート線駆動回路200のタイミングを示す図である。図2において、ゲート線駆動回路200は、縦続接続(カスケード接続)した複数の単位シフトレジスタ回路SR,SR,SR,SR・・・SRで構成されるシフトレジスタ回路を含んでいる(説明の便宜上、シフトレジスタ回路SR,SR2,SR,SR・・・SRのそれぞれを「単位シフトレジスタ回路SR」と総称する)。単位シフトレジスタ回路SRは、1つの画素ラインすなわち1つのゲート線GLごとに設けられる。 FIG. 2 is a diagram showing the configuration of the gate line drive circuit 200 according to the first embodiment. (A) of FIG. 3 is a diagram showing timing of the gate line driving circuit 200 according to the first embodiment. In FIG. 2, gate line drive circuit 200 includes a shift register circuit formed of a plurality of unit shift register circuits SR 1 , SR 2 , SR 3 , SR 4 ... SR n connected in cascade (cascade connection). (For convenience of description, each of the shift register circuits SR 1 , SR 2, SR 3 , SR 4 ... SR n is generically referred to as “a unit shift register circuit SR”). The unit shift register circuit SR is provided for each pixel line, that is, for each gate line GL.

また図2および図3の(a)で示した位相が互いに異なる(活性期間が重ならない)2相のクロック信号CKV、CKVBがゲート線駆動回路200の単位シフトレジスタ回路SRに入力される。クロック信号CKV,CKVBは、表示装置の走査周期に同期したタイミングで、交互に活性化するようタイミングコントローラ600で制御されている。   Also, two-phase clock signals CKV and CKVB having different phases (the activation periods do not overlap) shown in FIGS. 2 and 3A are input to the unit shift register circuit SR of the gate line driving circuit 200. The clock signals CKV and CKVB are controlled by the timing controller 600 so as to be alternately activated at timings synchronized with the scanning cycle of the display device.

図2に示したように、各単位シフトレジスタ回路SRは、入力端子IN、出力端子OUT、クロック端子CKおよびリセット端子RSTを有している。各単位シフトレジスタ回路SRのクロック端子CKには、クロック信号CKV,CKVBのいずれかが供給される。具体的には、クロック信号CKVは奇数段の単位シフトレジスタ回路SR,SR,SR・・・SRn−1に供給され、クロック信号CKVBは偶数段の単位シフトレジスタ回路SR,SR,SR・・・SRに供給される。図2の例では最後段である第n段目(以降、段目をステージとも称する)の単位シフトレジスタ回路SRは偶数段であり、当該単位シフトレジスタ回路SRには、クロック信号CKVBが供給されている。また、最終段の単位シフトレジスタ回路SRのさらに次段には、画素を駆動しないダミーのゲート線GLに接続されたダミーのシフトレジスタ回路であるダミー段SRDが接続される。ダミー段SRDを除くゲート線を駆動するための単位シフトレジスタ回路SR〜SRを、「ゲート線駆動段」と称することもある。 As shown in FIG. 2, each unit shift register circuit SR has an input terminal IN, an output terminal OUT, a clock terminal CK, and a reset terminal RST. One of the clock signals CKV and CKVB is supplied to the clock terminal CK of each unit shift register circuit SR. Specifically, the clock signal CKV is supplied to the unit shift register circuits SR 1 , SR 3 , SR 5 ... SR n -1 of the odd numbered stages, and the clock signal CKVB is applied to the unit shift register circuits SR 2 and SRd of the even numbered stages. 4 , SR 6 ... SR n are supplied. In the example of FIG. 2 n-th stage (hereinafter, referred to the stage with the stage) is the last stage is a unit shift register SR n is even-numbered, the unit shift register circuit SR n, the clock signal CKVB It is supplied. Also, more next stage unit shift register SR n of the final stage, the dummy stage SRD is connected a dummy shift register circuit connected to the gate line GL d dummy without driving the pixel. The unit shift register SR 1 to SR n for driving the gate lines except for the dummy stage SRD, also referred to as "gate line drive stage".

ゲート線駆動回路200に信号のシフト動作を開始させるためのスタート信号STVが縦続接続した単位シフトレジスタ回路SRの初段シフトレジスタ回路SRに入力される。図3の(a)で図示したように本実施の形態において、スタート信号STVは画像信号の各フレーム期間の先頭に対応するタイミングで活性化される(Hレベルになる)信号である。 Signal start signal STV for starting a shift operation of the input to the first stage shift register SR 1 of the unit shift register SR connected in cascade to the gate line driving circuit 200. As illustrated in FIG. 3A, in the present embodiment, the start signal STV is a signal that is activated (becomes H level) at a timing corresponding to the beginning of each frame period of the image signal.

スタート信号STVは、第1段目(第1ステージ)である単位シフトレジスタ回路SRの入力端子INに入力される。第2段目以降の各単位シフトレジスタ回路SRにおいては、入力端子INはその前段の単位シフトレジスタ回路SRの出力端子OUTに接続される。 Start signal STV is input to the input terminal IN of the unit shift register SR 1 is a first stage (first stage). In each unit shift register circuit SR of the second and subsequent stages, the input terminal IN is connected to the output terminal OUT of the unit shift register circuit SR of the preceding stage.

各単位シフトレジスタ回路SRのリセット端子RSTは、その次段の単位シフトレジスタ回路SRの出力端子OUTに接続される。但し、最後段の単位シフトレジスタ回路SRのリセット端子RSTには、ダミー段SRDの出力端子に接続される。ダミー段SRDのRST端子には、スタート信号STVが入力される。 The reset terminal RST of each unit shift register circuit SR is connected to the output terminal OUT of the unit shift register circuit SR of the next stage. However, the reset terminal RST of the unit shift register SR n of the last stage, is connected to the output terminal of the dummy stage SRD. The start signal STV is input to the RST terminal of the dummy stage SRD.

つまり各単位シフトレジスタ回路SRの出力端子OUTから出力される出力信号Gは、垂直(又は水平)走査パルスとしてそれぞれ対応するゲート線GLへと供給されると共に、自己の次段の入力端子INおよび自己の前段のリセット端子RSTへと供給される。   That is, the output signal G output from the output terminal OUT of each unit shift register circuit SR is supplied to the corresponding gate line GL as a vertical (or horizontal) scan pulse, and the input terminal IN of its own next stage and It is supplied to the reset terminal RST of its own previous stage.

図2のゲート線駆動回路200において、単位シフトレジスタ回路SRの各々は、クロック信号CKV,CKVBに同期して、入力端子INに入力される信号(スタート信号STVあるいは自己の前段の出力信号)を時間的にシフトさせながら、対応するゲート線GL並びに自己の後段の単位シフトレジスタ回路SRへと伝達する。その結果、一連の単位シフトレジスタ回路SRは、所定の走査周期に基づいたタイミングでゲート線GLを順に活性化させる、いわゆるゲート線駆動ユニットとして機能する。ゲート線駆動回路200の各段の出力タイミングを、ゲート信号GLs〜GLsとして、図3の(a)に示した。 In the gate line drive circuit 200 of FIG. 2, each of the unit shift register circuits SR outputs a signal (the start signal STV or an output signal of its own preceding stage) input to the input terminal IN in synchronization with the clock signals CKV and CKVB. While shifting in time, the signal is transmitted to the corresponding gate line GL and the unit shift register SR of the subsequent stage of itself. As a result, the series of unit shift register circuits SR function as a so-called gate line driving unit that sequentially activates the gate lines GL at timing based on a predetermined scanning cycle. The output timing of each stage of the gate line drive circuit 200 is shown in FIG. 3A as the gate signals GLs 1 to GLs n .

本実施の形態に係るゲート線駆動回路200の具体的な回路は種々の回路が適用できる。   Various circuits can be applied to the specific circuit of the gate line driving circuit 200 according to this embodiment.

図4は、実施の形態1に係る走査信号異常検出回路400の構成を示す図である。図3の(b)は、実施の形態1に係る走査信号異常検出回路400のタイミングを示す図である。走査信号異常検出回路400は、縦続接続(カスケード接続)した複数の単位シフトレジスタ回路SFD,SFD,SFD,SFD・・・SFDで構成されるシフトレジスタ回路を含んでいる(説明の便宜上、シフトレジスタ回路SFD,SFD・・・SFDのそれぞれを「単位シフトレジスタ回路SFD」と総称する)。単位シフトレジスタ回路SFDは、1つの画素ラインすなわち1つのゲート線GLごとに設けられる。 FIG. 4 is a diagram showing the configuration of the scanning signal abnormality detection circuit 400 according to the first embodiment. (B) of FIG. 3 is a diagram showing the timing of the scanning signal abnormality detection circuit 400 according to the first embodiment. Scanning signal abnormality detection circuit 400 includes a shift register circuit configured of a plurality of unit shift register circuits SFD 1 , SFD 2 , SFD 3 , SFD 4 ... SFD n connected in cascade (cascade connection) (Explanation For the sake of convenience, each of the shift register circuits SFD 1 , SFD 2 ... SFD n is generically referred to as “a unit shift register circuit SFD”). The unit shift register circuit SFD is provided for each pixel line, that is, for each gate line GL.

また、図2に示すゲート線GLを介してゲート信号GLs(ゲートハイ信号VGHまたはゲートロウ信号VGL)が、走査信号異常検出回路400の単位シフトレジスタ回路SFDに入力される。   Further, the gate signal GLs (gate high signal VGH or gate low signal VGL) is input to the unit shift register circuit SFD of the scanning signal abnormality detection circuit 400 via the gate line GL shown in FIG.

各単位シフトレジスタ回路SFDは、入力端子IN、出力端子OUT、ゲート信号入力端子GP、およびリセット端子RSTを有している。図4に示したように、各単位シフトレジスタ回路SFDのゲート信号入力端子GP、およびリセット端子RSTには、ゲート信号GLs〜GLs(ゲートハイ信号VGHまたはゲートロウ信号VGL)が順次供給される。具体的には、図4の第1ステージSFDでは、ゲート信号入力端子GPにゲート信号GLsが供給され、リセット端子RSTにゲート信号GLsが供給される。第2ステージSFDでは、ゲート信号入力端子GPにゲート信号GLsが供給され、リセット端子RSTにゲート信号GLsが供給される。第3ステージSFDでは、ゲート信号入力端子GPにゲート信号GLsが供給され、リセット端子RSTにゲート信号GLsが供給される。図4の例では、最後段である第n段目(第nステージ)の単位シフトレジスタ回路SFDのゲート信号入力端子GPにゲート信号GLsが供給され、リセット端子RSTにダミーのゲート信号GLsdが供給される。 Each unit shift register circuit SFD has an input terminal IN, an output terminal OUT, a gate signal input terminal GP, and a reset terminal RST. As shown in FIG. 4, gate signals GLs 1 to GLs n (gate high signal VGH or gate low signal VGL) are sequentially supplied to the gate signal input terminal GP and the reset terminal RST of each unit shift register circuit SFD. Specifically, in the first stage SFD 1 in FIG. 4, is supplied gate signals GLs 1 to the gate signal input terminal GP, gate signal GLs 2 is supplied to the reset terminal RST. In the second stage SFD 2, is supplied gate signals GLs 2 to the gate signal input terminal GP, the gate signal GLs 3 is supplied to the reset terminal RST. In the third stage SFD 3, is supplied gate signals GLs 3 to the gate signal input terminal GP, gate signal GLs 4 is supplied to the reset terminal RST. In the example of FIG. 4, the last stage the n-th stage is the gate signal GLs n to the gate signal input terminal GP unit shift register SFD n of (n-th stage) is supplied, a dummy gate signal to the reset terminal RST GLsd Is supplied.

走査信号異常検出回路400に信号のシフト動作を開始させるためのスタート信号STVが縦続接続した単位シフトレジスタ回路SFDの初段に入力される。本実施の形態において、スタート信号STVは画像信号の各フレーム期間の先頭に対応するタイミングで活性化される(Hレベルになる)信号である。   A start signal STV for causing the scanning signal abnormality detection circuit 400 to start the signal shift operation is input to the first stage of the unit shift register circuit SFD connected in cascade. In the present embodiment, the start signal STV is a signal activated (becomes H level) at a timing corresponding to the beginning of each frame period of the image signal.

スタート信号STVは、第1段目(第1ステージ)である単位シフトレジスタ回路SFD1の入力端子INに入力される。第2段目以降の各単位シフトレジスタ回路SFDにおいては、入力端子INはその前段の単位シフトレジスタ回路SFDの出力端子OUTに接続される。   The start signal STV is input to the input terminal IN of the unit shift register circuit SFD1 which is the first stage (first stage). In each unit shift register circuit SFD in the second and subsequent stages, the input terminal IN is connected to the output terminal OUT of the unit shift register circuit SFD in the previous stage.

図4の走査信号異常検出回路400において、単位シフトレジスタ回路SFDの各々は、ゲート信号GLsに同期して、入力端子INに入力される信号(スタート信号STVあるいは自己の前段の出力信号FD〜FDn−1)を時間的にシフトさせながら、自己の後段の単位シフトレジスタ回路SFDへと伝達する。 In the scanning signal abnormality detection circuit 400 of FIG. 4, each of the unit shift register SFD, in synchronization with the gate signal GLs, the signal inputted to the input terminal IN (start signal STV or its preceding stage of the output signal FD 1 ~ It transmits to the unit shift register circuit SFD of the latter stage of self, shifting FD n-1 ) in time.

図5は、本実施の形態に係る走査信号異常検出回路400の単位シフトレジスタ回路SFDの具体的回路構成を示す図である。   FIG. 5 is a diagram showing a specific circuit configuration of the unit shift register circuit SFD of the scanning signal abnormality detection circuit 400 according to the present embodiment.

走査信号異常検出回路400においては、縦続接続された各単位シフトレジスタ回路SFDの構成は実質的にどれも同じであるので、以下では1つの単位シフトレジスタ回路SFDの構成についてのみ代表的に説明する。また、この単位シフトレジスタ回路SFDを構成するトランジスタは、全て同一導電型の酸化物半導体で構成された電界効果トランジスタであり、本実施の形態では全てN型TFT(薄膜トランジスタ)であるものとする。   In scan signal abnormality detection circuit 400, the configurations of each cascaded unit shift register circuit SFD are substantially the same, and therefore, only the configuration of one unit shift register circuit SFD will be representatively described below. . The transistors constituting the unit shift register circuit SFD are all field effect transistors formed of oxide semiconductors of the same conductivity type, and in the present embodiment, they are all N-type TFTs (thin film transistors).

図5の如く、単位シフトレジスタ回路SFDは、図4で示した入力端子IN、出力端子OUT、ゲート信号入力端子GP、リセット端子RSTの他に、低電位側電源電位Vssが供給される第1電源端子S1を有している。以下の説明では、低電位側電源電位Vssが回路の基準電位となるが、実使用ではゲートロウ電圧VGLを基準にして基準電位が設定され、例えば、低電位側電源電位はゲートロウ電圧VGLと同じ−6Vなどと設定される。   As shown in FIG. 5, in the unit shift register circuit SFD, the low potential side power supply potential Vss is supplied in addition to the input terminal IN, the output terminal OUT, the gate signal input terminal GP and the reset terminal RST shown in FIG. It has a power supply terminal S1. In the following description, the low potential side power supply potential Vss is the reference potential of the circuit, but in actual use, the reference potential is set based on the gate low voltage VGL. For example, the low potential side power supply potential is the same as the gate low voltage VGL- It is set as 6V and so on.

単位シフトレジスタ回路SFDの出力段は、出力端子OUTとゲート信号入力端子GPとの間に接続するトランジスタQ1(第1トランジスタ)により構成されている。以下、単位シフトレジスタ回路SFDの出力段を構成するトランジスタQ1のゲートノードN1(第1ノード)、トランジスタQ3のゲートノードN2(第2ノード)と定義する。   The output stage of the unit shift register circuit SFD is composed of a transistor Q1 (first transistor) connected between the output terminal OUT and the gate signal input terminal GP. Hereinafter, the gate node N1 (first node) of the transistor Q1 constituting the output stage of the unit shift register circuit SFD and the gate node N2 (second node) of the transistor Q3 are defined.

ノードN1と入力端子INとの間にはトランジスタQ2が接続しており、そのゲート電極は入力端子INに接続され、トランジスタQ2はダイオード接続されている。ノードN1と第1電源端子S1との間には、トランジスタQ3が接続する。トランジスタQ3のゲート電極はリセット端子RSTに接続する。   The transistor Q2 is connected between the node N1 and the input terminal IN, the gate electrode is connected to the input terminal IN, and the transistor Q2 is diode-connected. A transistor Q3 is connected between the node N1 and the first power supply terminal S1. The gate electrode of the transistor Q3 is connected to the reset terminal RST.

図5の単位シフトレジスタ回路SFDの具体的な動作を説明する。走査信号異常検出回路400を構成する各単位シフトレジスタ回路SFDの動作は実質的にどれも同じであるので、図4で示したn個の単位シフトレジスタ回路SFD〜SFDの中で、一つの単位シフトレジスタ回路SFDの動作を代表して説明する。簡単のため、図5で示した単位シフトレジスタ回路SFDn−1のゲート信号入力端子GPにゲート信号GLsn−1が入力され、リセット端子RSTにゲート信号GLsが入力されるものとして説明を行う。図4における、単位シフトレジスタ回路SFDn−1がこれに相当する。また図5で示したように、当該単位シフトレジスタ回路SFDn−1が出力端子OUTに出力する出力信号FDn−1、その前段の単シフトレジスタ回路SFDn−2の出力信号FDn−2と定義する。 The specific operation of the unit shift register circuit SFD of FIG. 5 will be described. Since the operation of each unit shift register SFD constituting the scanning signal abnormality detection circuit 400 is the same: essentially, in the n unit shift register circuit SFD 1 ~SFD n shown in FIG. 4, one The operation of one unit shift register circuit SFD will be described as a representative. For simplicity, the input gate signal GLs n-1 to the gate signal input terminal GP unit shift register SFD n-1 shown in FIG. 5, the described as the gate signal GLs n is input to the reset terminal RST Do. The unit shift register circuit SFD n-1 in FIG. 4 corresponds to this. The Figure 5 as shown in, the unit shift register circuits SFD n-1 output terminal an output signal FD n-1 to be output to OUT, the output signal FD n-2 of the single shift register circuit SFD n-2 of the preceding stage Define as

まず、図5で示した単位シフトレジスタ回路SFDn−1のノードN1がL(Low)レベル(Vss)、ノードN2がL(Low)レベル(Vss)であると仮定する(以下、この状態を「リセット状態」と称す)。またゲート信号入力端子GP(ゲート信号GLsn−1)、リセット端子RST(ゲート信号GLs)、入力端子IN(前段の出力信号FDn−2)は何れもLレベルであるとする。リセット状態では、トランジスタQ1がオフ(遮断状態)であるので、ゲート信号入力端子GP(ゲート信号GLsn−1)のレベルに関係なく、出力端子OUT(出力信号FDn−1)はその前フレームの状態であるLレベルに保たれている。 First, it is assumed that node N1 of unit shift register circuit SFD n-1 shown in FIG. 5 is at L (Low) level (Vss) and node N2 is at L (Low) level (Vss) (hereinafter, this state is Called "Reset State"). Further, it is assumed that the gate signal input terminal GP (gate signal GLs n-1 ), the reset terminal RST (gate signal GLs n ), and the input terminal IN (output signal FD n-2 of the previous stage) are all at the L level. In the reset state, since the transistor Q1 is off (shut off state), the output terminal OUT (output signal FD n-1 ) is in the previous frame regardless of the level of the gate signal input terminal GP (gate signal GLs n-1 ). It is maintained at L level, which is the state of

その状態から、前段の単位シフトレジスタ回路SFDn−2の出力信号FDn−2がHレベル(ゲートハイ信号VGH)になると、それが当該単位シフトレジスタ回路SFDn−1も入力端子INに入力されトランジスタQ2がオンになる。このときノードN2はLレベルなのでトランジスタQ3はオフしており、ノードN1のレベルは上昇する。トランジスタQ2はダイオード接続されているため、ノード1のレベルはVGH−Vth(Vth:トランジスタのしきい値電圧)になる。 From that state, when the output signal FD n-2 of the unit shift register circuit SFD n-2 of the previous stage becomes H level (gate high signal VGH), that unit shift register circuit SFD n-1 is also input to the input terminal IN. The transistor Q2 is turned on. At this time, since the node N2 is at L level, the transistor Q3 is off, and the level of the node N1 rises. Since the transistor Q2 is diode-connected, the level of the node 1 becomes VGH-Vth (Vth: threshold voltage of transistor).

このようにノードN1がHレベル、ノードN2がLレベルの状態(以下、この状態を「セット状態」と称す)では、トランジスタQ1がオンになる。なお、前段の出力信号FDn−2がLレベルに戻ってトランジスタQ2がオフしても、ノードN1はフローティング状態になるのでこのセット状態はその後も維持される。 As described above, in the state where the node N1 is at H level and the node N2 is at L level (hereinafter, this state is referred to as “set state”), the transistor Q1 is turned on. Even if the output signal FDn -2 at the previous stage returns to L level and the transistor Q2 is turned off, the node N1 is in a floating state, and this set state is maintained thereafter.

セット状態では、トランジスタQ1がオンであるので、ゲート信号入力端子GPのゲート信号GLsn−1がHレベル(ゲートハイ信号VGH)になると、出力端子OUTのレベルが上昇する。このとき、トランジスタQ1のゲート・チャネル間容量(ゲート容量)による容量結合により、ノードN1のレベルは特定の電圧(以下「昇圧量ΔV」)だけ昇圧される。そのため出力端子OUTのレベルが上昇してもトランジスタQ1のゲート・ソース間電圧はしきい値電圧(Vth)よりも大きく保たれ、当該トランジスタQ1は低インピーダンスを維持する。従って、出力信号FDのレベルはゲート信号入力端子GPのレベルに追随して変化する。特に、トランジスタQ1のゲート・ソース間電圧が十分大きい場合トランジスタQ1は非飽和動作するので、しきい値電圧分の損失はなく出力端子OUTはゲート信号GLsn−1と同レベルになる。よって、ゲート信号入力端子GPに入力されるゲート信号GLsn−1がHレベルの間は、出力信号FDn−1もHレベルになる。その後、ゲート信号GLsn−1がLレベルに戻ると出力信号FDn−1もLレベルになる。 In the set state, since the transistor Q1 is on, when the gate signal GLs n-1 of the gate signal input terminal GP becomes H level (gate high signal VGH), the level of the output terminal OUT rises. At this time, the level of the node N1 is boosted by a specific voltage (hereinafter referred to as “step-up amount ΔV”) by capacitive coupling by the gate-channel capacitance (gate capacitance) of the transistor Q1. Therefore, even if the level of the output terminal OUT rises, the gate-source voltage of the transistor Q1 is kept larger than the threshold voltage (Vth), and the transistor Q1 maintains a low impedance. Therefore, the level of the output signal FD n varies following the level of the gate signal input terminal GP. In particular, when the voltage between the gate and the source of the transistor Q1 is sufficiently large, the transistor Q1 operates non-saturating, so there is no loss for the threshold voltage and the output terminal OUT has the same level as the gate signal GLs n-1 . Therefore, while the gate signal GLs n-1 input to the gate signal input terminal GP is at the H level, the output signal FD n-1 is also at the H level. Thereafter, when the gate signal GLs n-1 returns to L level, the output signal FD n-1 also becomes L level.

その後、リセット端子RSTのゲート信号GLsがHレベルになると、トランジスタQ3がオンになるためノードN1がLレベルになり、それに伴ってトランジスタQ1がオフになる。即ち、トランジスタQ1がオフのリセット状態に戻る。その後、出力信号FDn−1は寄生容量によりLレベルを維持する。 Thereafter, when the gate signal GLs n of the reset terminal RST becomes the H level, the node N1 and the transistor Q3 is turned on becomes L level, the transistor Q1 is turned off accordingly. That is, the transistor Q1 returns to the off reset state. After that, the output signal FD n-1 maintains the L level due to the parasitic capacitance.

以上の動作をまとめると、単位シフトレジス回路SFDにおいては、入力端子INに信号(スタートパルス)が入力されない間はリセット状態にあり、出力端子OUTは前フレームからのLレベル(Vss)に維持される。そして入力端子INに信号が入力されると、ノードN1がHレベル(VGH−Vth)に充電されてセット状態になる。セット状態では、ゲート信号入力端子GPがHレベルになるとノードN1の電位が昇圧量ΔVだけ高くなり、ゲート信号入力端子GPがHレベルにある間、出力端子OUTがHレベルになる(このためノードN1は「昇圧ノード」と称されることもある)。その後、リセット端子RSTに信号(次段のゲート信号)が入力されると、ノードN1がLレベル(Vss)、ノードN2がLレベル(Vss)に戻って、元のリセット状態になる(このためノードN2は「リセットノード」と称されることもある)。   In summary, in the unit shift resister circuit SFD, while the signal (start pulse) is not input to the input terminal IN, the unit shift resister SFD is in the reset state, and the output terminal OUT is maintained at L level (Vss) from the previous frame. . Then, when a signal is input to the input terminal IN, the node N1 is charged to the H level (VGH-Vth) to be in the set state. In the set state, when the gate signal input terminal GP goes to H level, the potential of the node N1 rises by the boosting amount ΔV, and the output terminal OUT goes to H level while the gate signal input terminal GP is at H level. N1 may also be referred to as a "boost node"). After that, when a signal (gate signal of the next stage) is input to the reset terminal RST, the node N1 returns to L level (Vss), and the node N2 returns to L level (Vss), resulting in the original reset state (for this reason) Node N2 may also be referred to as a "reset node").

このように動作する複数の単位シフトレジスタ回路SFDを図4のように縦続接続し、走査信号異常検出回路400を構成すると、第1段目の単位シフトレジスタ回路SFDの入力端子INに入力された入力信号(スタート信号STV)は、図3に示すタイミング図のように、ゲート信号GLs,GLs,GLsに同期したタイミングで単位シフトレジスタ回路SFDの出力信号FD〜FDが順次シフトされながら、単位シフトレジスタ回路SFD,SFD・・・・と順番に伝達される。それによって、走査信号異常検出回路400は、伝達されたパルスを異常判定回路800へ伝える。 Thus a plurality of unit shift registers SFD that operates cascaded as shown in FIG. 4, to constitute scanning signal abnormality detection circuit 400 is input to the first stage input terminal IN of the unit shift register circuit SFD 1 of input signal (start signal STV), as the timing chart shown in FIG. 3, gate signals GLs 1, GLs 2, the output signal FD 1 ~FD n unit shift register SFD at a timing synchronized with the GLs 3 sequentially The unit shift register circuits SFD 2 , SFD 3, ... Are sequentially transmitted while being shifted. Accordingly, the scanning signal abnormality detection circuit 400 transmits the transmitted pulse to the abnormality determination circuit 800.

次に、あるゲート線に異常が発生した場合の動作について説明する。ゲート線の一部が断線し、オープンとなった場合には、異常が発生したゲート線のゲート信号GLsは常にLレベルとなる。従って、セット状態で、単位シフトレジスタ回路SFDのゲート信号入力端子GPにゲート信号GLsがHになるタイミングで、出力端子OUTがHレベルにならずLレベルとなったままとなる。このため、単位シフトレジスタ回路SFDはHレベルを伝達できず、異常判定回路800へはLレベルが出力される。   Next, an operation when an abnormality occurs in a certain gate line will be described. When a part of the gate line is disconnected and becomes open, the gate signal GLs of the gate line where the abnormality has occurred always becomes L level. Therefore, at the timing when the gate signal GLs becomes H to the gate signal input terminal GP of the unit shift register circuit SFD in the set state, the output terminal OUT does not become H level but remains L level. Therefore, unit shift register circuit SFD can not transmit H level, and abnormality determination circuit 800 outputs L level.

また、あるゲート線がゲートハイ電位VGHとショートした場合にはゲート信号GLs(図5で例示した単位シフトレジスタ回路SFDn−1ではGLs)は常にHレベルとなる。この場合、入力端子RSTがHレベルなので、トランジスタQ3がON状態であり、入力端子INに前段の単位シフトレジスタ回路SFDの出力信号(図5で例示した単位シフトレジスタ回路SFDn−1ではFDn−2)のHレベル(ゲートハイ信号VGH)が入力されてもノードN1のレベルがHにならない。この結果、トランジスタQ1がONせず、ゲート信号入力端子GPにゲート信号GLs(図5で例示した単位シフトレジスタ回路SFDn−1はGLsn−1)がHになるタイミングで、出力端子OUTがHレベルにならずLレベルとなったままとなる。このため、単位シフトレジスタ回路SFDはHレベルを伝達できず、異常判定回路800へはLレベルが出力される。 When a gate line is shorted with the gate high potential VGH, the gate signal GLs (GLs n in the unit shift register circuit SFD n-1 illustrated in FIG. 5) is always at the H level. In this case, since the input terminal RST is at the H level, the transistor Q3 is in the ON state, and the output signal of the unit shift register circuit SFD of the previous stage (FD n in the unit shift register circuit SFD n-1 illustrated in FIG. Even if the H level (gate high signal VGH) of -2 ) is input, the level of the node N1 does not become H. As a result, the transistor Q1 is not turned on, and the output terminal OUT is at the timing when the gate signal GLs (the unit shift register circuit SFD n-1 illustrated in FIG. 5 is GLs n-1 illustrated in FIG. It does not go to the H level but remains at the L level. Therefore, unit shift register circuit SFD can not transmit H level, and abnormality determination circuit 800 outputs L level.

上記ゲート線の異常発生例は、図4中の単位シフトレジスタ回路SFDn-1を一例として説明したが、単位シフトレジスタ回路SFD〜SFDのどれで有っても同様の動作となり、ゲート線GL〜GLdおいて、少なくとも1本に異常が発生してゲート信号GLsが常時LレベルまたはHレベルとなった場合は、接続された単位シフトレジスタ回路SFDの出力端子OUTがHレベルにならず、最終的に異常判定回路800へHレベルのパルスを伝達することができない。 Although the unit shift register circuit SFD n-1 in FIG. 4 has been described as an example of the occurrence of an abnormality in the gate line, the same operation can be performed with any of the unit shift register circuits SFD 1 to SFD n. In the case where abnormality occurs in at least one of lines GL 1 to GLd and gate signal GLs is always at L level or H level, if output terminal OUT of connected unit shift register circuit SFD is at H level Finally, the H level pulse can not be finally transmitted to the abnormality determination circuit 800.

走査信号異常検出回路400を電界効果移動度が高い酸化物半導体を用いることで、額縁サイズを増やすことなく本機能が実現できる。また、表示パネル500上に表示素子およびゲート線駆動回路と同じ製造プロセスを用いることで、製造コストの増大を抑制して本機能が実現できる。   By using the oxide semiconductor with high field effect mobility for the scanning signal abnormality detection circuit 400, this function can be realized without increasing the frame size. In addition, by using the same manufacturing process as the display element and the gate line driver circuit on the display panel 500, an increase in manufacturing cost can be suppressed and the present function can be realized.

本実施の形態では、第1電源端子S1の電位はゲートロウ電圧VGLと同じ−6Vと設定したが、ゲートロウ電圧VGLよりも高い電圧(例えば−4V)に設定しても良い。酸化物半導体のしきい電圧Vthは一般に低く、第1電源端子S1の電位はゲートロウ電圧VGLと同じ−6Vの場合、トランジスタQ3のVgs(ゲート・ソース間電位)=0Vとなり、この条件でIds(ドレイン・ソース間電流)が多く流れ、ノードN1がHレベルのとき(セット状態)、とランジスタQ3を介してリーク電流が流れ、ノードN1が十分にハイレベルにならないためである。第1電源端子S1電位をゲートロウ電圧VGL(−6V)よりも高い-4Vにすれば、トランジスタQ3のVgs(ゲート・ソース間電位)=−2Vとなり、トランジスタQ3を十分にオフ状態にすることができる。   In the present embodiment, the potential of the first power supply terminal S1 is set to -6 V, which is the same as the gate low voltage VGL, but may be set to a voltage (for example, -4 V) higher than the gate low voltage VGL. When the threshold voltage Vth of the oxide semiconductor is generally low, and the potential of the first power supply terminal S1 is -6 V equal to the gate low voltage VGL, Vgs (potential between gate and source) of the transistor Q3 becomes 0 V, and Ids ( This is because when the node N1 is at H level (set state), a large amount of current flows between the drain and the source, and a leak current flows through the transistor Q3, and the node N1 does not become high enough. By setting the first power supply terminal S1 potential to -4V higher than the gate low voltage VGL (-6V), Vgs (gate-source potential) of the transistor Q3 becomes -2V, and the transistor Q3 can be fully turned off it can.

<変形例>
図6は、本実施の形態に係る走査信号異常検出回路400を構成する単位シフトレジス回路SFDの具体的回路構成を示す変形例である。
<Modification>
FIG. 6 is a modification showing a specific circuit configuration of the unit shift resister circuit SFD constituting the scanning signal abnormality detection circuit 400 according to the present embodiment.

図6の如く、単位シフトレジスタ回路SFDは、図4で示した入力端子IN、出力端子OUT、ゲート信号入力端子GP、リセット端子RSTの他に、低電位側電源電位Vssが供給される第1電源端子S1、および第2電源端子S2を有している。以下の説明では、低電位側電源電位Vssが回路の基準電位となるが、実使用では画素に書き込まれるデータの電圧を基準にして基準電位が設定され、例えば、低電位側電源電位は−6Vなどと設定される。   As shown in FIG. 6, in the unit shift register circuit SFD, the low potential side power supply potential Vss is supplied in addition to the input terminal IN, the output terminal OUT, the gate signal input terminal GP and the reset terminal RST shown in FIG. A power supply terminal S1 and a second power supply terminal S2 are provided. In the following description, the low potential side power supply potential Vss is the reference potential of the circuit, but in actual use, the reference potential is set on the basis of the voltage of data written to the pixel. For example, the low potential side power supply potential is -6V And so on.

単位シフトレジスタ回路SFDの出力段は、出力端子OUTとゲート信号入力端子GPとの間に接続するトランジスタQ1(第1トランジスタ)と、出力端子OUTと第2電源端子S2との間に接続するトランジスタQ4(第4トランジスタ)とにより構成されている。以下、単位シフトレジスタ回路SFDの出力段を構成するトランジスタQ1のゲートノードN1(第1ノード)、トランジスタQ3及びトランジスタQ4のゲートノードをノードN2(第2ノード)と定義する。   The output stage of the unit shift register circuit SFD includes a transistor Q1 (first transistor) connected between the output terminal OUT and the gate signal input terminal GP, and a transistor connected between the output terminal OUT and the second power supply terminal S2. It is comprised by Q4 (4th transistor). Hereinafter, the gate node N1 (first node) of the transistor Q1 and the gate nodes of the transistor Q3 and the transistor Q4 constituting the output stage of the unit shift register circuit SFD are defined as a node N2 (second node).

ノードN1と入力端子INとの間にはトランジスタQ2が接続しており、そのゲート電極は入力端子INに接続されており、トランジスタQ2はダイオード接続されている。ノードN1と第1源端子S1との間には、トランジスタQ3が接続する。トランジスタQ3のゲート電極はリセット端子RSTに接続する。ノードN2はリセット端子RSTに接続する。   The transistor Q2 is connected between the node N1 and the input terminal IN, the gate electrode is connected to the input terminal IN, and the transistor Q2 is diode-connected. A transistor Q3 is connected between the node N1 and the first source terminal S1. The gate electrode of the transistor Q3 is connected to the reset terminal RST. The node N2 is connected to the reset terminal RST.

図6の単位シフトレジスタ回路SFDの具体的な動作を説明する。走査信号異常検出回路400を構成する各単位シフトレジスタ回路SFDの動作は実質的にどれも同じであるので、1つの単位シフトレジスタ回路SFDn−1の動作を代表的に説明する。簡単のため、当該シフトレジスタ回路SFDn−1のゲート信号入力端子GPにゲート信号GLsn−1が入力され、リセット端子RSTにゲート信号GLsが入力されるものとして説明を行う。図3における、単位シフトレジスタ回路SFDn−1がこれに相当する。また、当該単位シフトレジスタ回路SFDn−1が出力端子OUTに出力する出力信号をFDn−1、その前段の単シフトレジスタ回路SFDn−2の出力信号をFDn−2と定義する。 The specific operation of the unit shift register circuit SFD of FIG. 6 will be described. Since the operations of the unit shift register circuits SFD constituting the scanning signal abnormality detection circuit 400 are substantially the same, the operation of one unit shift register circuit SFD n-1 will be representatively described. For simplicity, the gate signal GLs n-1 to the gate signal input terminal GP of the shift register circuit SFD n-1 is inputted, it will be described assuming that the gate signal GLs n is input to the reset terminal RST. The unit shift register circuit SFD n-1 in FIG. 3 corresponds to this. Further, an output signal output from the unit shift register circuit SFD n-1 to the output terminal OUT is defined as FD n-1 , and an output signal of the single shift register circuit SFD n-2 at the preceding stage is defined as FD n-2 .

まずノードN1がL(Low)レベル(Vss)、ノードN2がL(Low)レベル(Vss)であると仮定する(以下、この状態を「リセット状態」と称す)。またゲート信号入力端子GP(ゲート信号GLsn−1)、リセット端子RST(ゲート信号GLs)、入力端子IN(前段の出力信号FDn−1)は何れもLレベルであるとする。リセット状態では、トランジスタQ1がオフ(遮断状態)、トランジスタQ4がオフ(遮断状態)であるので、ゲート信号入力端子GP(ゲート信号GLsn−1)のレベルに関係なく、出力端子OUT(出力信号FDn−1)はその前フレームの状態であるLレベルに保たれている。 First, it is assumed that the node N1 is at L (Low) level (Vss) and the node N2 is at L (Low) level (Vss) (hereinafter, this state is referred to as "reset state"). Further, it is assumed that the gate signal input terminal GP (gate signal GLs n-1 ), the reset terminal RST (gate signal GLs n ), and the input terminal IN (output signal FD n-1 of the previous stage) are all at the L level. In the reset state, the transistor Q1 is off (shut off state) and the transistor Q4 is off (shut off state), so the output terminal OUT (output signal is output regardless of the level of the gate signal input terminal GP (gate signal GLs n-1 ) FD n-1 ) is maintained at L level which is the state of the previous frame.

その状態から、前段の単位シフトレジスタ回路SFDn−2の出力信号FDn−2がHレベルになると、それが当該単位シフトレジスタ回路SFDn−2も入力端子INに入力されトランジスタQ2がオンになる。このときノードN2はLレベルなのでトランジスタQ3はオフしており、ノードN1のレベルは上昇する。 From that state, when the output signal FD n-2 of the unit shift register circuit SFD n-2 of the previous stage becomes H level, that unit shift register circuit SFD n-2 is also input to the input terminal IN, and the transistor Q2 turns on. Become. At this time, since the node N2 is at L level, the transistor Q3 is off, and the level of the node N1 rises.

このようにノードN1がHレベル、ノードN2がLレベルの状態(以下、この状態を「セット状態」と称す)では、トランジスタQ1がオン、トランジスタQ4がオフになる。なお、前段の出力信号FDn−2がLレベルに戻ってトランジスタQ2がオフしても、ノードN1はフローティング状態になるのでこのセット状態はその後も維持される。 As described above, in the state where the node N1 is at the H level and the node N2 is at the L level (hereinafter, this state is referred to as "set state"), the transistor Q1 is turned on and the transistor Q4 is turned off. Even if the output signal FDn -2 at the previous stage returns to L level and the transistor Q2 is turned off, the node N1 is in a floating state, and this set state is maintained thereafter.

セット状態では、トランジスタQ1がオン、トランジスタQ4がオフであるので、ゲート信号入力端子GPのゲート信号GLsn−1がHレベルになると、出力端子OUTのレベルが上昇する。このとき、トランジスタQ1のゲート・チャネル間容量(ゲート容量)による容量結合により、ノードN1のレベルは特定の電圧(以下「昇圧量ΔV」)だけ昇圧される。そのため出力端子OUTのレベルが上昇してもトランジスタQ1のゲート・ソース間電圧はしきい値電圧(Vth)よりも大きく保たれ、当該トランジスタQ1は低インピーダンスを維持する。従って、出力信号FDn−1のレベルはゲート信号入力端子GPのレベルに追随して変化する。特に、トランジスタQ1のゲート・ソース間電圧が十分大きい場合トランジスタQ1は非飽和動作するので、しきい値電圧分の損失はなく出力端子OUTはゲート信号GLsn−1と同レベルになる。よって、ゲート信号入力端子GPに入力されるゲート信号GLsn−1がHレベルの間は、出力信号FDn−1もHレベルになる。その後、ゲート信号GLsn−1がLレベルに戻ると出力信号FDn−1もLレベルになる。 In the set state, since the transistor Q1 is on and the transistor Q4 is off, when the gate signal GLs n-1 of the gate signal input terminal GP becomes H level, the level of the output terminal OUT rises. At this time, the level of the node N1 is boosted by a specific voltage (hereinafter referred to as “step-up amount ΔV”) by capacitive coupling by the gate-channel capacitance (gate capacitance) of the transistor Q1. Therefore, even if the level of the output terminal OUT rises, the gate-source voltage of the transistor Q1 is kept larger than the threshold voltage (Vth), and the transistor Q1 maintains a low impedance. Therefore, the level of the output signal FD n-1 changes following the level of the gate signal input terminal GP. In particular, when the voltage between the gate and the source of the transistor Q1 is sufficiently large, the transistor Q1 operates non-saturating, so there is no loss for the threshold voltage and the output terminal OUT has the same level as the gate signal GLs n-1 . Therefore, while the gate signal GLs n-1 input to the gate signal input terminal GP is at the H level, the output signal FD n-1 is also at the H level. Thereafter, when the gate signal GLs n-1 returns to L level, the output signal FD n-1 also becomes L level.

その後、リセット端子RSTのゲート信号GLsがHレベルになると、トランジスタQ4がONになる。これに伴い、出力信号FDn−1が十分にLレベルになる。同時に、トランジスタQ3がオンになるためノードN1がLレベルになり、それに伴ってトランジスタQ1がオフになる。即ち、トランジスタQ1がオフ、トランジスタQ4オンのリセット状態に戻る。出力信号FDn−1は寄生容量によりLレベルを維持する。 Thereafter, when the gate signal GLs n of the reset terminal RST becomes H level, the transistor Q4 is turned ON. Along with this, the output signal FD n-1 becomes sufficiently L level. At the same time, since the transistor Q3 is turned on, the node N1 becomes L level, and the transistor Q1 is turned off accordingly. That is, the transistor Q1 is turned off, and the transistor Q4 is reset to the on state. The output signal FD n-1 maintains the L level due to parasitic capacitance.

以上の動作をまとめると、単位シフトレジス回路SFDにおいては、入力端子INに信号(スタート信号)が入力されない間はリセット状態にあり、出力端子OUTは前フレームからLレベル(Vss)に維持される。そして入力端子INに信号が入力されると、ノードN1がHレベル(VDD1−Vth)に充電されてセット状態になる。セット状態では、ゲート信号入力端子GPがHレベルになるとノードN1の電位が昇圧量ΔVだけ高くなり、ゲート信号入力端子GPがHレベルにある間、出力端子OUTがHレベルになる。その後、リセット端子RSTに信号(次段のゲート信号)が入力されると、ノードN1がLレベル(Vss)、ノードN2がLレベル(Vss)に戻って、元のリセット状態になる。   To summarize the above operation, in the unit shift resister SFD, while the signal (start signal) is not input to the input terminal IN, the unit shift resister SFD is in the reset state, and the output terminal OUT is maintained at L level (Vss) from the previous frame. Then, when a signal is input to the input terminal IN, the node N1 is charged to the H level (VDD1-Vth) to be in the set state. In the set state, when the gate signal input terminal GP goes to H level, the potential of the node N1 rises by the boosting amount ΔV, and the output terminal OUT goes to H level while the gate signal input terminal GP is at H level. Thereafter, when a signal (gate signal of the next stage) is input to the reset terminal RST, the node N1 returns to L level (Vss), and the node N2 returns to L level (Vss), and the original reset state is established.

このように動作する複数の単位シフトレジスタ回路SFDを図3のように縦続接続し、走査信号異常検出回路400を構成すると、第1段目の単位シフトレジスタ回路SFDの入力端子INに入力された入力信号(スタート信号STV)は、図5に示すタイミング図のように、ゲート信号GLs,GLs,GLsに同期したタイミングでシフトされながら、単位シフトレジスタ回路SFD,SFD・・・・と順番に伝達される。それによって、走査信号異常検出回路400は、伝達されたパルスを異常判定回路800へ伝える。 Thus a plurality of unit shift registers SFD that operates cascaded as shown in FIG. 3, to constitute the scanning signal abnormality detection circuit 400 is input to the first stage input terminal IN of the unit shift register circuit SFD 1 of The input signal (start signal STV) is shifted at timings synchronized with the gate signals GLs 1 , GLs 2 , and GLs 3 as shown in the timing chart of FIG. 5, while unit shift register circuits SFD 2 , SFD 3.・ ・ ・ And transmitted in order. Accordingly, the scanning signal abnormality detection circuit 400 transmits the transmitted pulse to the abnormality determination circuit 800.

本実施の形態では、第1電源端子S1および第2電源端子S2の電位はゲートロウ電圧VGLと同じ−6Vと設定したが、ゲートロウ電圧VGLよりも高い電圧(例えば−4V)に設定しても良い。酸化物半導体のしきい値電圧Vthは一般に低く、第1電源端子S1および第2電源端子S2の電位はゲートロウ電圧VGLと同じ−6Vの場合、トランジスタQ3のVgs(ゲート・ソース間電位)=0Vとなり、この条件でIds(ドレイン・ソース間電流)が多く流れ、ノードN1がHレベルのとき(セット状態)、トランジスタQ3を介してリーク電流が流れ、ノードN1が十分にハイレベルにならないためである。同様に、トランジスタQ1が十分にオン時状態であっても、ゲート信号入力端子GPのゲート信号GLs2がHレベル(ゲートハイ信号VGH)になると、出力端子OUTのレベルがトランジスタQ4のリーク電流によりHレベルにならなくなる。第1電源端子S1電位をゲートロウ電圧VGL(−6V)よりも高い−4Vにすれば、トランジスタQ3およびトランジスタQ4のVgs(ゲート・ソース間電位)=−2Vとなり、トランジスタQ3およびトランジスタQ4を十分にオフ状態にすることができる。この場合、トランジスタQ4がオンの期間、第2電源端子S2とゲート信号VGLの間で若干の貫通電流が流れるが動作上は特に問題とならない。 In the present embodiment, the potentials of the first power supply terminal S1 and the second power supply terminal S2 are set to -6 V which is the same as the gate low voltage VGL, but may be set to a voltage (for example -4 V) higher than the gate low voltage VGL . When the threshold voltage Vth of the oxide semiconductor is generally low, and the potentials of the first power supply terminal S1 and the second power supply terminal S2 are -6 V equal to the gate low voltage VGL, Vgs (gate-source potential) of the transistor Q3 = 0 V Under this condition, many Ids (current between drain and source) flows, and when node N1 is H level (set state), a leak current flows through transistor Q3 and node N1 does not become high level sufficiently. is there. Similarly, even if the transistor Q1 is fully on, if the gate signal GLs2 of the gate signal input terminal GP becomes H level (gate high signal VGH), the level of the output terminal OUT becomes H level by the leak current of the transistor Q4. It will not be. If the potential of the first power supply terminal S1 is set to -4V higher than the gate low voltage VGL (-6V), Vgs (potential between gate and source) of the transistor Q3 and the transistor Q4 becomes -2V, and the transistor Q3 and the transistor Q4 are sufficiently It can be turned off. In this case, a slight through current flows between the second power supply terminal S2 and the gate signal VGL while the transistor Q4 is on, but there is no particular problem in operation.

単位シフトレジスタ回路SFDの具体的な回路例は上述の実施の形態に限らず、例えば、出力端子OUTとノードN1間に昇圧容量があってよい。また、出力回路と並列に出力バッファ回路を設け、出力負荷に応じて出力バッファ回路から信号出力しても良い(図7)。   A specific circuit example of the unit shift register circuit SFD is not limited to the above embodiment, and for example, a boosting capacitance may be provided between the output terminal OUT and the node N1. Further, an output buffer circuit may be provided in parallel with the output circuit, and a signal may be output from the output buffer circuit according to the output load (FIG. 7).

また、トランジスタQ2はダイオード接続ではなく、入力端子INに接続されるのはゲートのみで、トランジスタQ2でドレインは高電位側電源であっても良い。   Further, the transistor Q2 may not be diode-connected, and only the gate may be connected to the input terminal IN, and the drain of the transistor Q2 may be a high potential power supply.

なお、最終段のリセット端子RSTへの入力はスタート信号STVであってもよい。この場合、ダミーのゲート線GLdとなる。   The input to the reset terminal RST of the final stage may be the start signal STV. In this case, the dummy gate line GLd is formed.

本実施の形態における異常判定回路800の具体的な回路例を図8に示す。異常判定回路800は、コンパレータ810、トランスファーゲート801,802,インバータ803,804,805,806より構成される。トランスファーゲート801および802は、一方のトランスファーゲートがON状態であるとき、他方のトランスファーゲートはOFF状態となっており、トランスファーゲート801,802,インバータ803,804はラッチ回路を形成する(図8中に一点鎖線で囲った回路部)。インバータ805は、そのラッチ回路の出力を反転出力させるものである。コンパレータ810は、走査信号異常検出回路の出力値と、予め定めた基準電圧値Vrefとを比較し、大小関係に応じた論理値に変換して出力する機能を果たす。例えば、走査信号異常検出回路の出力値が基準電圧値Vref以上のときには、コンパレータは論理「1」を出力し、走査信号異常検出回路の出力値が基準電圧値Vref未満のときには、コンパレータは論理「0」を出力する。ラッチ信号LATはタイミングコントローラ600から出力され、トランスファーゲート801のNチャネルトランジスタ及び、トランスファーゲート802のPチャネルトランジスタに接続される。   A specific circuit example of the abnormality determination circuit 800 in the present embodiment is shown in FIG. The abnormality determination circuit 800 includes a comparator 810, transfer gates 801 and 802, and inverters 803, 804, 805, and 806. When one of the transfer gates is in the ON state, the other transfer gate is in the OFF state, and the transfer gates 801 and 802 and the inverters 803 and 804 form a latch circuit (FIG. 8 in FIG. 8). Circuit part surrounded by a dashed dotted line). The inverter 805 inverts the output of the latch circuit. The comparator 810 has a function of comparing the output value of the scanning signal abnormality detection circuit with a predetermined reference voltage value Vref, converting it into a logical value according to the magnitude relationship, and outputting it. For example, when the output value of the scanning signal abnormality detection circuit is equal to or higher than the reference voltage value Vref, the comparator outputs logic "1". When the output value of the scanning signal abnormality detection circuit is less than the reference voltage value Vref, the comparator Output 0 ". The latch signal LAT is output from the timing controller 600, and is connected to the N channel transistor of the transfer gate 801 and the P channel transistor of the transfer gate 802.

また、ラッチ信号LATはインバータ806により論理反転され、インバータ806の出力はトランスファーゲート801のPチャネルトランジスタ及びトランスファーゲート802のNチャネルトランジスタに接続される。   The latch signal LAT is logically inverted by the inverter 806, and the output of the inverter 806 is connected to the P channel transistor of the transfer gate 801 and the N channel transistor of the transfer gate 802.

基準電圧Vrefの設定については、ゲート線電位が完全に出力されていない状態のみを検出する場合には例えばゲート線電位が僅かに低下しているような状況を、基準電圧VrefをほぼLowレベルに設定すればよい。ゲート線電位が僅かに低下しているような状態を検出する場合には基準電圧VrefをHighに近いレベルに設定すれば良い。また、ゲート線の立ち上り/立ち下がり時間が遅くなるような異常を検出する場合もラッチ信号LATによるラッチタイミングを適切に設定することで検出可能となり、正常時にHレベル、異常時にLレベルを異常判定回路800から出力するよう構成できる。   For setting of the reference voltage Vref, for example, when detecting only the state where the gate line potential is not completely output, the state where the gate line potential is slightly lowered is set to the reference voltage Vref at almost Low level. It should be set. When detecting a state in which the gate line potential is slightly lowered, the reference voltage Vref may be set to a level close to High. Also, even when detecting an abnormality that delays the rise / fall time of the gate line, detection is possible by appropriately setting the latch timing by the latch signal LAT, and H level is determined when normal and L level is abnormal when abnormal. It can be configured to output from the circuit 800.

なお、異常判定回路800を並列に2個設け、それぞれ異なるタイミングでデータラッチをすることで、例えば、走査信号異常検出回路400が常時Hレベルを出力するような異常が発生した場合にも異常であることの検出が可能となる。   Note that, by providing two abnormality determination circuits 800 in parallel and performing data latch at different timings, for example, even when an abnormality occurs such that the scanning signal abnormality detection circuit 400 constantly outputs the H level, an abnormality occurs. It is possible to detect something.

また、走査信号異常検出回路400にダミー段を設けてもよい。単位シフトレジスタ回路SFDはしシフトするパルスのレベルが低下すると、次段、次々段とシフトするうちに、さらにシフトするパルスのレベルが低下していく。従って、単位シフトレジスタ回路SFDの次段にダミー段を設けることで、より確実にゲート線の異常を検出することが可能となる。なお、走査信号異常検出回路にダミー段を設ける場合には、それに伴い、ゲート線駆動回路のダミー段も増やす必要がある。 In addition, the scanning signal abnormality detection circuit 400 may be provided with a dummy stage. When the level of the pulse to be shifted decreases in the unit shift register circuit SFD, the level of the pulse to be shifted further decreases while shifting to the next stage and to the next stage. Therefore, by providing the dummy stage in the next stage of the unit shift register circuit SFD n , it becomes possible to more surely detect the abnormality of the gate line. In the case of providing a dummy stage in the scanning signal abnormality detection circuit, it is also necessary to increase the number of dummy stages of the gate line driving circuit.

上述したように、異常判定回路800の出力レベルを外部機器(非図示)が常時監視することにより、電気光学装置の表示動作時において、走査信号やその駆動回路出力の欠陥の検出が容易に可能となる。   As described above, since the external device (not shown) constantly monitors the output level of the abnormality determination circuit 800, it is possible to easily detect a defect in the scanning signal or the drive circuit output during display operation of the electro-optical device. It becomes.

実施の形態2.
図9は、本発明に係る表示装置の構成を示す概略ブロック図であり、表示装置の代表例として液晶表示装置10の全体構成を示している。図12の(a)は、実施の形態2に係るゲート線駆動回路200のタイミングを示す図である。ゲート線駆動回路200a、200bの各段の出力タイミングを、ゲート信号GLs〜GLsとして示した。
Second Embodiment
FIG. 9 is a schematic block diagram showing the configuration of the display device according to the present invention, and shows the overall configuration of the liquid crystal display device 10 as a representative example of the display device. (A) of FIG. 12 is a diagram showing timing of the gate line driving circuit 200 according to the second embodiment. Gate line driving circuit 200a, the output timing of each stage of the 200b, shown as a gate signal GLs 1 ~GLs n.

ゲート線駆動回路200は、奇数行のゲート線GL,GL,GL,・・・GLn−1を駆動する奇数ゲート線駆動回路200aと、偶数行のゲート線GL,GL,GL,・・・GLを駆動する偶数ゲート線駆動回路200bとから構成されており、所定の走査周期に基づきゲート線GLを順に選択して活性化させる。 The gate line drive circuit 200 includes an odd gate line drive circuit 200 a for driving the gate lines GL 1 , GL 3 , GL 5 ,..., GL n−1 in odd lines, and gate lines GL 2 , GL 4 , GL 6, are composed of the even gate line driving circuit 200b for driving the · · · GL n, thereby selecting and activating gate lines GL in the order based on a predetermined scanning cycle.

走査信号異常検出回路400は、奇数行のゲート線GL,GL,GL,・・・GLn−1により駆動する奇数走査信号異常検出回路400aと、偶数行のゲート線GL,GL,GL,・・・GLにより駆動する偶数走査信号異常検出回路400bとから構成されており、所定の走査周期に基づきスタートパルスをシフトさせる。 The scanning signal abnormality detection circuit 400 includes an odd scanning signal abnormality detection circuit 400 a driven by the gate lines GL 1 , GL 3 , GL 5 ,... GL n−1 in odd rows, and gate lines GL 2 , GL in even rows. 4 , GL 6 ,..., And even-numbered scan signal abnormality detection circuit 400 b driven by GL n, and shifts the start pulse based on a predetermined scanning cycle.

図10は、本発明に係るゲート線駆動回路の構成を示す図である。上述したようにゲート線駆動回路は、奇数ゲート線駆動回路200aと偶数ゲート線駆動回路200bとから構成されている。奇数ゲート線駆動回路200aは、奇数行のゲート線GL,GL,GL,・・・GLn−1をそれぞれ駆動する単位シフトレジスタ回路SR,SR,SR,・・・SRn−1が縦続接続(カスケード接続)して成っている。偶数ゲート線駆動回路200bは、偶数行のゲート線GL,GL,GL,・・・GLをそれぞれ駆動する単位シフトレジスタ回路SR,SR,SR,・・・SRが縦続接続(カスケード接続)して成っている。つまり、奇数ゲート線駆動回路200aおよび偶数ゲート線駆動回路200bのそれぞれにおいては、第k段目の単位シフトレジスタ回路SRから見て、「前段」は2行前の単位シフトレジスタ回路SRk−2であり、「次段」は2行後の単位シフトレジスタ回路SRk+2である(kは1〜nの自然数)。 FIG. 10 is a diagram showing the configuration of a gate line drive circuit according to the present invention. As described above, the gate line drive circuit is composed of the odd gate line drive circuit 200a and the even gate line drive circuit 200b. Odd gate line driving circuit 200a, the gate lines in the odd-numbered rows GL 1, GL 3, GL 5 , ··· GL unit shift register SR 1 of n-1 and respectively driving, SR 3, SR 5, ··· SR n-1 is formed by cascade connection (cascade connection). Even gate line driving circuit 200b, the gate line GL 2 of the even row, GL 4, GL 6, ··· GL n unit shift register respectively driving circuits SR 2, SR 4, SR 6 , is · · · SR n It consists of cascade connection (cascade connection). That is, in each of the odd gate line drive circuit 200a and the even gate line drive circuit 200b, the “previous stage” corresponds to the unit shift register circuit SR k− of the second row before “ k ” in the unit shift register circuit SRk. 2 and “next stage” is a unit shift register circuit SR k + 2 after two rows (k is a natural number of 1 to n).

本実施の形態の奇数ゲート線駆動回路200aは、その最後段である単位シフトレジスタ回路SRn−1のさらに次段に、画素を駆動しないダミーのゲート線GLdに接続されたダミーの単位シフトレジスタ回路SRD(以下「第1ダミー段」)が設けられる。一方、偶数ゲート線駆動回路200bでは、その最後段である単位シフトレジスタ回路SRD(以下「第2ダミー段」)が設けられ、同様に画素を駆動しないダミーのゲート線GLd2に接続されている。基本的に第1および第2ダミー段SRD,SRDも他の単位シフトレジスタ回路SRと同様の回路構成を有している。 The odd-numbered gate line drive circuit 200a according to the present embodiment is a dummy unit shift connected to a dummy gate line GLd 1 which does not drive a pixel in a stage subsequent to the unit shift register circuit SR n-1 which is the last stage. Register circuit SRD 1 (hereinafter referred to as “first dummy stage”) is provided. On the other hand, the even gate line driving circuit 200b, the last stage in which the unit shift register SRD 2 (hereinafter "second dummy stage") is provided, likewise connected to the gate line GLd 2 dummy without driving the pixel There is. Basically, the first and second dummy stages SRD 1 and SRD 2 also have the same circuit configuration as the other unit shift register circuits SR.

図9に示すタイミングコントローラ600は、各々位相が異なる2相のクロック信号CKVO,CKVOBを奇数ゲート線駆動回路200aの単位シフトレジスタ回路SRに、各々位相が異なる2相のクロック信号CKVE,CKVEBを偶数ゲート線駆動回路200bの単位シフトレジスタ回路SRに供給するものである。クロック信号CKVO,CKVOB,およびクロック信号CKVE,CKVEBは互いにその活性期間が重ならず、表示装置の走査周期に同期したタイミングで、CKVO,CKVOB,CKVO,CKVOB・・・,CKVE,CKVEB,CKVE,CKVEB・・・の順番で繰り返し活性化するよう制御される。   The timing controller 600 shown in FIG. 9 generates clock signals CKVO and CKVOB of two phases different in phase to the unit shift register SR of the odd gate line drive circuit 200a, and even clocks the clock signals CKVE and CKVEB of two phases different in phase to each other. It is supplied to the unit shift register circuit SR of the gate line drive circuit 200b. The clock signals CKVO and CKVOB and the clock signals CKVE and CKVEB do not overlap each other, and the CKVO, CKVOB, CKVO, CKVOB,. It is controlled to be repeatedly activated in the order of CKVEB...

各単位シフトレジスタ回路SRの構成は上述した実施の形態1と同様である。奇数ゲート線駆動回路200aの単位シフトレジスタ回路SRのクロック端子CKには、タイミングコントローラ600が出力するクロック信号CKVO,CKVOBの1つが供給される。偶数ゲート線駆動回路200bの単位シフトレジスタ回路SRのクロック端子CKには、タイミングコントローラ600が出力するクロック信号CKVE,CKVEBの1つが供給される。   The configuration of each unit shift register circuit SR is the same as that of the first embodiment described above. One of the clock signals CKVO and CKVOB output from the timing controller 600 is supplied to the clock terminal CK of the unit shift register circuit SR of the odd gate line drive circuit 200a. One of the clock signals CKVE and CKVEB output from the timing controller 600 is supplied to the clock terminal CK of the unit shift register circuit SR of the even gate line drive circuit 200b.

具体的には、クロック信号CKVOは、第[4x−3]行目(xは自然数、以下同じ)のゲート線GL4x−3を駆動する単位シフトレジスタ回路SR,SR,SR・・・に供給される。クロック信号CKVOBは、第[4x−1]行目(xは自然数、以下同じ)のゲート線GL4x−1を駆動する単位シフトレジスタ回路SR,SR,SR11・・・に供給される。クロック信号CKVEは、第[4x−2]行目(xは自然数、以下同じ)のゲート線GL4x−2を駆動する単位シフトレジスタ回路SR,SR,SR10・・・に供給される。クロック信号CKVEBは、第[4x]行目(xは自然数、以下同じ)のゲート線GL4x−1を駆動する単位シフトレジスタ回路SR,SR,SR12・・・に供給される。また、x=4/nである。 Specifically, the clock signal CKVO drives the unit shift register circuits SR 1 , SR 5 , SR 9 ... For driving the gate line GL 4x-3 of the [4x-3] th row (x is a natural number, hereinafter the same).・ Supplied to The clock signal CKVOB is supplied to unit shift register circuits SR 3 , SR 7 , SR 11 ... For driving the gate line GL 4x-1 on the [4x-1] th row (x is a natural number, hereinafter the same). . The clock signal CKVE is supplied to unit shift register circuits SR 2 , SR 6 , SR 10 ... For driving the gate line GL 4x-2 of the [4x-2] th row (x is a natural number, hereinafter the same). . The clock signal CKVEB is supplied to unit shift register circuits SR 4 , SR 8 , SR 12 ... Which drive the gate line GL 4x-1 of the [4x] th row (x is a natural number, hereinafter the same). Also, x = 4 / n.

クロック信号CKVO,CKVOB,およびクロック信号CKVE,CKVEBはこの順番で繰り返し活性化するので、シフトレジスタ回路SR,SR,SR、SR・・・のクロック端子はその順番で活性化されることとなる。 Since clock signals CKVO and CKVOB and clock signals CKVE and CKVEB are repeatedly activated in this order, clock terminals of shift register circuits SR 1 , SR 2 , SR 3 , SR 4 ... Are activated in that order. It will be.

なお、一般的な表示装置の走査線数は4の倍数なので、2組の2相のクロック信号CKVO,CKVOB,CKVE,CKVEBにより制御されるシフトレジスタ回路では、終わりから2行目である第n−1行目の単位シフトレジスタ回路SRn−1(奇数ゲート線駆動回路200aの最終段)のクロック端子CKに供給されるクロック信号はCKVOBが供給され、最終行である第n行目の単位シフトレジスタ回路SR(偶数ゲート線駆動回路200bの最終段)のクロック端子CKに供給されるクロック信号はCKVEBが供給される。 Note that since the number of scanning lines in a general display device is a multiple of four, in the shift register circuit controlled by two sets of two-phase clock signals CKVO, CKVOB, CKVE, and CKVEB, the nth row from the end is the second row. The clock signal supplied to the clock terminal CK of the unit shift register circuit SR n-1 (the final stage of the odd gate line drive circuit 200a) of the -1st row is supplied with CKVOB, and the unit of the nth row which is the final row. A clock signal CKVEB is supplied to the clock terminal CK of the shift register circuit SR n (the final stage of the even gate line drive circuit 200 b).

第1行目の単位シフトレジスタ回路SR(奇数ゲート線駆動回路200aの第1段目)の入力端子INには奇数段用スタート信号STVOが入力され、第2行目の単位シフトレジスタ回路SR(偶数ゲート線駆動回路200bの第1段目)の入力端子INには偶数段用スタート信号STVEが入力される。本実施の形態において、スタート信号STVO,STVEは共に画像信号の各フレーム期間の先頭に対応するタイミングで活性化する(Hレベルになる)信号であるが、偶数段用スタート信号STVEは奇数段用スタート信号STVOよりも1水平期間(1H)、即ち1画素ライン分の走査期間だけ位相が遅れている。 The odd-stage start signal STVO is input to the input terminal IN of the first-row unit shift register circuit SR 1 (the first stage of the odd-numbered gate line drive circuit 200a), and the second-row unit shift register circuit SR 1 is input. A start signal STVE for an even-numbered stage is input to an input terminal IN of (the first stage of the even-numbered gate line drive circuit 200b). In the present embodiment, both start signals STVO and STVE are signals activated (become H level) at a timing corresponding to the beginning of each frame period of the image signal, but the start signal STVE for even stages is for odd stages The phase is delayed from the start signal STVO by one horizontal period (1 H), that is, by a scanning period of one pixel line.

第3行目以降の単位シフトレジスタ回路SRにおいては、入力端子INはその2行前(奇数ゲート線駆動回路200a内あるいは偶数ゲート線駆動回路200b内では1段前)の単位シフトレジスタ回路SRk−2の出力端子OUTに接続される。 In unit shift register SR k of the third line onward, the unit shift register SR of the input terminal IN 2 rows before that (one stage before the odd gate line driver circuit 200a within or even gate line driver circuit 200b) It is connected to the output terminal OUT of k-2 .

第1および第2ダミー段SRD,SRDにおいても同様であり、第1ダミー段SRDの入力端子INには、その2行前に相当する単位シフトレジスタ回路SRn−1の出力信号GLn−1が入力される。また第2ダミー段SRDの入力端子INには、その2行前に相当する単位シフトレジスタ回路SRの出力信号GLsが入力される。 The same applies to the first and second dummy stage SRD 1, SRD 2, the first input terminal IN of the dummy stage SRD 1, the output signal GL of the unit shift register SR n-1 corresponding to the second line before n-1 is input. Also in the second input terminal IN of the dummy stage SRD 2, the output signal GLs n unit shift register SR n corresponding to the two rows before is input.

各単位シフトレジスタ回路SRのリセット端子RSTは、その2行後(奇数ゲート線駆動回路200a内あるいは偶数ゲート線駆動回路200b内では1段後)の単位シフトレジスタ回路SRk+2の出力端子OUTに接続される。 The reset terminal RST of each unit shift register circuit SR k is connected to the output terminal OUT of the unit shift register circuit SR k + 2 after two rows (one stage after in the odd gate line drive circuit 200 a or in the even gate line drive circuit 200 b). Connected

終わりから2行目の単位シフトレジスタ回路SRn−1(奇数ゲート線駆動回路200aの最後段)のリセット端子RSTは、その2行後に相当する第1ダミー段SRDの出力端子OUTに接続される。また最終行単位シフトレジスタ回路SR(偶数ゲート線駆動回路200bの最終段)のリセット端子RSTは、第2ダミー段SRDの出力端子OUTに接続される。 The reset terminal RST of the unit shift register circuit SR n-1 (the last stage of the odd gate line drive circuit 200a) in the second row from the end is connected to the output terminal OUT of the first dummy stage SRD 1 corresponding to the second row later. Ru. The reset terminal RST of the last row unit shift register SR n (the final stage of the even gate line driving circuit 200b) is connected to the second output terminal OUT of the dummy stage SRD 2.

なお、第1ダミー段SRDのリセット端子RSTには、奇数段用スタートパルスSTVOが入力される。第2ダミー段SRDのリセット端子RSTには、偶数段用スタートパルスSTVEが入力される。 Note that the first reset terminal RST of the dummy stage SRD 1, a start pulse STVO the odd stage is entered. The reset terminal RST of the second dummy stage SRD 2, a start pulse STVE for even stages are input.

以上のように、各単位シフトレジスタ回路SRの出力端子OUTから出力される出力信号GLsは、選択信号(垂直走査パルス)としてそれぞれの対応するゲート線GLへと供給されると共に、2行後の単位シフトレジスタ回路SRk+2の入力端子IN並びに2行前の単位シフトレジスタ回路SRk−2のリセット端子RSTへも供給される。 As described above, the output signal GLs k output from the output terminal OUT of the unit shift register SR k is supplied respectively as a selection signal (a vertical scanning pulse) to the corresponding gate line GL k, 2 It is also supplied to the input terminal IN of the unit shift register circuit SR k + 2 after the row and the reset terminal RST of the unit shift register circuit SR k-2 two rows before.

図11は、本発明に係る走査信号異常検出回路400の構成を示す図である。図12の(b)は、実施の形態2に係る走査信号異常検出回路400のタイミングを示す図である。上述したように走査信号異常検出回路400は、奇数走査信号異常検出回路400aと偶数走査信号異常検出回路400bとから構成されている。奇数走査信号異常検出回路400aは、奇数行のゲート線GL,GL,GL,・・・から駆動する単位シフトレジスタ回路SD,SFD,SFD,・・・が縦続接続(カスケード接続)して成っている。偶数走査信号異常検出回路400bは、偶数行のゲート線GL,GL,GL,・・・から駆動する単位シフトレジスタ回路SFD,SFD,SFD,・・・が縦続接続(カスケード接続)して成っている。つまり、奇数走査信号異常検出回路400aおよび偶数走査信号異常検出回路400bのそれぞれにおいては、第段目の単位シフトレジスタ回路SFDから見て、「前段」は2行前の単位シフトレジスタ回路SFDk−2であり、「次段」は2行後の単位シフトレジスタ回路SFDk+2である(kは1〜nの自然数)。 FIG. 11 is a diagram showing the configuration of a scanning signal abnormality detection circuit 400 according to the present invention. (B) of FIG. 12 is a diagram showing the timing of the scanning signal abnormality detection circuit 400 according to the second embodiment. As described above, the scanning signal abnormality detection circuit 400 includes the odd scanning signal abnormality detection circuit 400a and the even scanning signal abnormality detection circuit 400b. Odd-number scan signal abnormality detecting circuit 400a, the gate lines in the odd-numbered rows GL 1, GL 3, GL 5 , the unit shift register circuit SD 1 driven from ···, SFD 3, SFD 5, ··· are connected in cascade (Cascade Connection) is made. In the even scan signal abnormality detection circuit 400b, unit shift register circuits SFD 2 , SFD 4 , SFD 6 ,... Driven from the gate lines GL 2 , GL 4 , GL 6 ,. Connection) is made. That is, in each of the odd-number scan signal abnormality detecting circuit 400a and the even-number scan signal abnormality detection circuit 400b, as viewed from the unit shift register SFD k of the k-th stage, "front" is 2 lines before the unit shift register SFD k-2 , and the "next stage" is a unit shift register circuit SFD k + 2 after two rows (k is a natural number of 1 to n).

各単位シフトレジスタ回路SFDは、入力端子IN、出力端子OUT、ゲート信号入力端子GP、およびリセット端子RSTを有している。図9のように、奇数走査信号異常検出回路400a内の各単位シフトレジスタ回路SFDのゲート信号入力端子GP、およびリセット端子RSTには、ゲート信号GLs2y−1が順次供給される(yは1〜n/2の自然数である。また信号レベルはゲ−トハイ信号VGHまたはゲートロウ信号VGL。)。具体的には、奇数走査信号異常検出回路400aの第1ステージSFDでは、ゲート信号入力端子GPにゲート信号GLsが供給され、リセット端子RSTにゲート信号GLsが供給される。奇数走査信号異常検出回路400aの第2ステージSFDでは、ゲート信号入力端子GPにゲート信号GLsが供給され、リセット端子RSTにゲート信号GLsが供給される。奇数走査信号異常検出回路400aの第3ステージSFDでは、ゲート信号入力端子GPにゲート信号GLsが供給され、リセット端子RSTにゲート信号GLsが供給される。図9の例では、最後段である第n−1段目(奇数走査信号異常検出回路400aの第n/2ステージ)の単位シフトレジスタ回路SFDn−1のゲート信号入力端子GPにゲート線GLsn−1信号が供給され、リセット端子RSTにダミーゲート信号GLsdが供給される。 Each unit shift register circuit SFD has an input terminal IN, an output terminal OUT, a gate signal input terminal GP, and a reset terminal RST. As shown in FIG. 9, gate signal GLs 2y-1 is sequentially supplied to gate signal input terminal GP and reset terminal RST of each unit shift register circuit SFD in odd scan signal abnormality detection circuit 400a (where y is 1). The signal level is a gate high signal VGH or a gate low signal VGL.). Specifically, in the first stage SFD 1 odd-number scan signal abnormality detecting circuit 400a, it is supplied the gate signal GLs 1 to the gate signal input terminal GP, the gate signal GLs 3 is supplied to the reset terminal RST. In the second stage SFD 3 of the odd scan signal abnormality detection circuit 400 a, the gate signal GLs 3 is supplied to the gate signal input terminal GP, and the gate signal GLs 5 is supplied to the reset terminal RST. In the third stage SFD 5 odd-number scan signal abnormality detecting circuit 400a, is supplied the gate signal GLs 5 to the gate signal input terminal GP, gate signal GLs 7 is supplied to the reset terminal RST. In the example of FIG. 9, the gate line GLs is connected to the gate signal input terminal GP of the unit shift register circuit SFD n-1 of the n-1st stage (the n / 2th stage of the odd scan signal abnormality detection circuit 400a) which is the last stage. The n−1 signal is supplied, and the dummy gate signal GLsd 1 is supplied to the reset terminal RST.

偶数走査信号異常検出回路400b内の各単位シフトレジスタ回路SFDのゲート信号入力端子GP、およびリセット端子RSTには、ゲート信号GLs2yが順次供給される(yは1〜n/2の自然数である。また信号レベルはゲートハイ信号VGHまたはゲートロウ信号VGL。)。また信号レベルはゲートハイ信号VGHまたはゲートロウ信号VGL)。具体的には、偶数走査信号異常検出回路400bの第1ステージSFDでは、ゲート信号入力端子GPにゲート信号GLsが供給され、リセット端子RSTにゲート信号GLsが供給される。偶数走査信号異常検出回路400bの第2ステージSFDでは、ゲート信号入力端子GPにゲート信号GLsが供給され、リセット端子RSTにゲート信号GLsが供給される。偶数走査信号異常検出回路400bの第3ステージSFDでは、ゲート信号入力端子GPにゲート信号GLsが供給され、リセット端子RSTにゲート信号GLsが供給される。図9の例では、最後段である第n段目(偶数走査信号異常検出回路400bの第n/2ステージ目)の単位シフトレジスタ回路SFDのゲート信号入力端子GPにゲート線GLs信号が供給され、リセット端子RSTにダミーゲート信号GLsdが供給される。 Gate signal GLs 2 y is sequentially supplied to gate signal input terminal GP and reset terminal RST of each unit shift register circuit SFD in even scan signal abnormality detection circuit 400 b (where y is a natural number of 1 to n / 2). Also, the signal level is the gate high signal VGH or the gate low signal VGL.). Also, the signal level is the gate high signal VGH or the gate low signal VGL). Specifically, in the first stage SFD 2 even-number scan signal abnormality detection circuit 400b, it is supplied gate signals GLs 2 to the gate signal input terminal GP, gate signal GLs 4 is supplied to the reset terminal RST. In the second stage SFD 4 of the even scanning signal abnormality detection circuit 400 b, the gate signal GLs 4 is supplied to the gate signal input terminal GP, and the gate signal GLs 6 is supplied to the reset terminal RST. In the third stage SFD 6 of the even scanning signal abnormality detection circuit 400 b, the gate signal GLs 6 is supplied to the gate signal input terminal GP, and the gate signal GLs 8 is supplied to the reset terminal RST. In the example of FIG. 9, the gate line GLs n signal is applied to the gate signal input terminal GP of the unit shift register circuit SFD n of the nth stage (the n / 2 th stage of the even scan signal abnormality detection circuit 400b) which is the last stage. is supplied, the dummy gate signal GLsd 2 is supplied to the reset terminal RST.

走査信号異常検出回路400に信号のシフト動作を開始させるためのスタートパルスSTVが縦続接続した単位シフトレジスタ回路SFDの初段に入力される。本実施の形態において、スタート信号STVは画像信号の各フレーム期間の先頭に対応するタイミングで活性化される(Hレベルになる)信号である。   The start pulse STV for causing the scanning signal abnormality detection circuit 400 to start the signal shift operation is input to the first stage of the unit shift register circuit SFD connected in cascade. In the present embodiment, the start signal STV is a signal activated (becomes H level) at a timing corresponding to the beginning of each frame period of the image signal.

奇数段用スタート信号STVOは、奇数走査信号異常検出回路400aの第1段目(第1ステージ)である単位シフトレジスタ回路SFDの入力端子INに入力される。第2段目以降の各単位シフトレジスタ回路SFDにおいては、入力端子INはその前段の単位シフトレジスタ回路SFDの出力端子OUTに接続される。 Odd-start signal STVO is input to the input terminal IN of the odd-number scan signal abnormality detection circuit first stage 400a unit shift register circuit SFD 1 is (first stage). In each unit shift register circuit SFD in the second and subsequent stages, the input terminal IN is connected to the output terminal OUT of the unit shift register circuit SFD in the previous stage.

偶数段用スタート信号STVEは、偶数走査信号異常検出回路400bの第1段目(第1ステージ)である単位シフトレジスタ回路SFDの入力端子INに入力される。第2段目以降の各単位シフトレジスタ回路SFDにおいては、入力端子INはその前段の単位シフトレジスタ回路SFDの出力端子OUTに接続される。 The even-stage start signal STVE is input to the input terminal IN of the unit shift register circuit SFD 2 which is the first stage (first stage) of the even-number scan signal abnormality detection circuit 400b. In each unit shift register circuit SFD in the second and subsequent stages, the input terminal IN is connected to the output terminal OUT of the unit shift register circuit SFD in the previous stage.

図9の走査信号異常検出回路400において、単位シフトレジスタ回路SFDの各々は、ゲート線GL信号に同期して、入力端子INに入力される信号(スタート信号STVあるいは自己の前段の出力信号)を時間的にシフトさせながら、自己の後段の単位シフトレジスタ回路SFDへと伝達する。   In the scanning signal abnormality detection circuit 400 of FIG. 9, each of the unit shift register circuits SFD synchronizes with the gate line GL signal to generate the signal (the start signal STV or the output signal of its own preceding stage) input to the input terminal IN. While shifting in time, the signal is transmitted to the unit shift register circuit SFD of the subsequent stage of itself.

そのように動作する複数の単位シフトレジスタ回路SFDを図9のように縦続接続し、走査信号異常検出回路400を構成すると、第1段目の単位シフトレジスタ回路SFD及びSFDの入力端子INに入力された入力信号(スタート信号STVO及びSTVE)は、図10に示すタイミング図のように、ゲート信号GLsに同期したタイミングでシフトされながら、単位シフトレジスタ回路SFDを順番に伝達される。それによって、奇数走査信号異常検出回路400aは、伝達されたパルスを奇数異常判定回路800aへ、偶数走査信号異常検出回路400bは、伝達されたパルスを偶数異常判定回路800bへ伝える。 A plurality of unit shift registers SFD which operates so cascade connected as shown in FIG. 9, the scanning signal abnormality to constitute a detection circuit 400, the input terminal IN of the unit of the first-stage shift register circuit SFD 1 and SFD 2 The input signals (start signals STVO and STVE) input to the unit shift register circuit SFD are sequentially transmitted through the unit shift register circuit SFD while being shifted at a timing synchronized with the gate signal GLs as shown in the timing chart of FIG. Accordingly, the odd scan signal abnormality detection circuit 400a transmits the transmitted pulse to the odd abnormality judgment circuit 800a, and the even scan signal abnormality detection circuit 400b transmits the transmitted pulse to the even abnormality judgment circuit 800b.

上述したように、奇数異常判定回路800aと偶数異常判定回路800bの出力レベルを常時監視することにより、電気光学装置の表示動作時において、走査信号やその駆動回路出力の欠陥の検出が容易に可能となる。また、ゲート線駆動回路と走査信号異常検出回路を表示部の左右に分離して配置することにより、狭額縁の表示装置であっても、表示部の中央配置が容易になる。   As described above, by constantly monitoring the output levels of the odd abnormality judgment circuit 800a and the even abnormality judgment circuit 800b, it is possible to easily detect a defect in the scanning signal or its drive circuit during display operation of the electro-optical device. It becomes. Further, by arranging the gate line drive circuit and the scanning signal abnormality detection circuit separately on the left and right of the display portion, even in the case of a display device with a narrow frame, the central position of the display portion becomes easy.

なお、最終段のリセット端子RSTへの入力はスタート信号STVOおよびSTVEであってもよい。この場合、ダミーのゲート線GLd,GLdは不要となる。 The inputs to the reset terminal RST of the final stage may be the start signals STVO and STVE. In this case, the dummy gate lines GLd 1 and GLd 2 become unnecessary.

また、走査信号異常検出回路400にダミー段を設けてもよい。単位シフトレジスタ回路SFDは、シフトするパルスのレベルが低下すると、次段、次々段とシフトするうちに、さらにシフトするパルスのレベルが低下していく。従って、ダミー段を設けることで、より確実にゲート線の異常を検出することが可能となる。なお、走査信号異常検出回路400にダミー段を設ける場合には、それに伴い、ゲート線駆動回路のダミー段も増やす必要があることは言うまでもない。   In addition, the scanning signal abnormality detection circuit 400 may be provided with a dummy stage. When the level of the pulse to be shifted decreases in the unit shift register circuit SFD, the level of the pulse to be shifted further decreases while shifting to the next stage and to the next stage. Therefore, by providing the dummy stage, it is possible to detect the abnormality of the gate line more reliably. Needless to say, in the case of providing a dummy stage in the scanning signal abnormality detection circuit 400, it is also necessary to increase the number of dummy stages of the gate line drive circuit.

また、本実施の形態での駆動タイミング(図12)では、隣接するゲート線がオーバラップさせているが、図3のようにオーバラップさせなくても良い。   Further, in the drive timing (FIG. 12) in the present embodiment, the adjacent gate lines overlap, but it is not necessary to overlap as shown in FIG.

ゲート線駆動回路200は結晶シリコントランジスタを採用した集積回路(ゲートドライバIC)でも適用可能である。この場合、一般のゲートドライバICはダミー信号を生成しないため、異常検出回路400の最終段のRST端子にはスタート信号STVが入力される。なお、通常、ゲートドライバICは出力電圧レベルが低いため、レベルシフタを設けスタート信号のHレベルをアップさせる。   The gate line drive circuit 200 can also be applied to an integrated circuit (gate driver IC) employing a crystalline silicon transistor. In this case, since the general gate driver IC does not generate a dummy signal, the start signal STV is input to the RST terminal of the final stage of the abnormality detection circuit 400. Since the gate driver IC normally has a low output voltage level, a level shifter is provided to raise the H level of the start signal.

異常検出回路400は額縁サイズが特に問題にならないならば、アモルファスシリコンTFTを適用することが可能。また、結晶シリコントランジスタを採用した集積回路(IC)で同等の回路を形成することも可能である。ICを用いる場合は必要に応じてレベルシフト回路を適用する。   The anomaly detection circuit 400 can apply an amorphous silicon TFT if the frame size is not particularly a problem. It is also possible to form an equivalent circuit by an integrated circuit (IC) employing a crystalline silicon transistor. When using an IC, a level shift circuit is applied as needed.

なお、上述の実施の形態1および2では、表示装置の例として、電気光学層に液晶層を採用した液晶表示装置に本発明を適用してその内容を説明したが、本発明は電気信号を光の輝度に変換する電気光学層としてエレクトロルミネッセンス(EL)、有機EL、プラズマディスプレイ、電子ペーパなどを採用した表示装置においても適用可能である。さらには光の強度を電気信号に変換する撮像装置(画像センサ)などの電気光学装置に広く適用可能である。   In the first and second embodiments described above, the present invention is applied to a liquid crystal display device adopting a liquid crystal layer as an electro-optical layer as an example of a display device, and the contents thereof are described. The present invention is also applicable to a display device that employs electroluminescence (EL), organic EL, plasma display, electronic paper, or the like as an electro-optical layer that converts light into luminance. Furthermore, the present invention can be widely applied to an electro-optical device such as an imaging device (image sensor) which converts light intensity into an electric signal.

10 液晶表示装置
100 液晶表示部
101 画素
102 画素スイッチ素子
103 キャパシタ
104 液晶表示素子
200、200a、200b ゲート線駆動回路
300 ソースドライバ
400、400a、400b 走査信号異常検出回路
500 表示パネル
600 タイミングコントローラ
700 電圧生成回路
800、800a、800b 異常判定回路
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 liquid crystal display device 100 liquid crystal display part 101 pixel 102 pixel switch element 103 capacitor 104 liquid crystal display element 200, 200a, 200b gate line drive circuit 300 source driver 400, 400a, 400b scanning signal abnormality detection circuit 500 display panel 600 timing controller 700 voltage Generation circuit 800, 800a, 800b Abnormality judgment circuit

Claims (7)

走査信号線と画像信号線とが行列状に配置され、これら信号線の交差位置にそれぞれ薄膜トランジスタと画素電極が形成された表示領域を備えたTFT基板と、前記表示領域に対応した電気光学層を有する電気光学装置において、
前記TFT基板上の前記表示領域の周辺部に前記走査信号線を駆動する走査信号線駆動回路と、走査信号異常検出回路とを形成し、
前記走査信号異常検出回路は、前記走査信号線駆動回路に対して前記表示領域を挟んで反対側に配置され、
前記走査信号異常検出回路は、前記走査信号線駆動回路から前記走査信号線に出力する走査信号により駆動され、
前記走査信号は、前記走査信号線を経由して前記走査信号異常検出回路に入力することを特徴とする電気光学装置。
A TFT substrate provided with a display area in which scanning signal lines and image signal lines are arranged in a matrix, and thin film transistors and pixel electrodes are formed at intersections of these signal lines, and an electro-optical layer corresponding to the display area In the electro-optical device
A scanning signal line drive circuit for driving the scanning signal line and a scanning signal abnormality detection circuit are formed in the peripheral portion of the display area on the TFT substrate.
The scan signal abnormality detection circuit is disposed on the opposite side of the display area with respect to the scan signal line drive circuit.
The scanning signal abnormality detection circuit is driven by a scanning signal output from the scanning signal line drive circuit to the scanning signal line,
The electro-optical device according to claim 1, wherein the scanning signal is input to the scanning signal abnormality detection circuit via the scanning signal line.
前記走査信号異常検出回路の出力を入力し、前記走査信号線の異常を検出する異常判定回路を具備し、
前記異常判定回路はコンパレータ回路とラッチ回路より構成されていることを特徴とする請求項1に記載の電気光学装置。
And an abnormality determination circuit that receives an output of the scanning signal abnormality detection circuit and detects an abnormality of the scanning signal line,
2. The electro-optical device according to claim 1, wherein the abnormality determination circuit comprises a comparator circuit and a latch circuit.
前記走査信号異常検出回路は、縦続接続された複数段の単位シフトレジスタで構成され、
前記単位シフトレジスタは、その段に対応する前記走査信号線の前記走査信号を入力して次段の前記単位シフトレジスタに出力し、
前段の前記単位シフトレジスタの出力でセットされ、
次段の前記単位シフトレジスタの出力を入力してリセットされることを特徴とする請求項1または2に記載の電気光学装置。
The scanning signal abnormality detection circuit is composed of a plurality of unit shift registers connected in cascade.
The unit shift register inputs the scan signal of the scan signal line corresponding to the stage and outputs the scan signal to the unit shift register of the next stage.
Set at the output of the unit shift register of the previous stage,
3. The electro-optical device according to claim 1, wherein the output of the unit shift register of the next stage is input and reset.
前記走査信号異常検出回路は、縦続接続された複数段の単位シフトレジスタで構成され、
前記単位シフトレジスタは、その段に対応する前記走査信号線の前記走査信号を入力して次段に出力する第1のトランジスタと、
前段の前記単位シフトレジスタの出力信号を第1のトランジスタの制御電極が接続する第1ノードに供給する第2のトランジスタと、
次段の前記単位シフトレジスタの出力信号を制御電極に入力して第1ノードを放電する第3のトランジスタを備えたことを特徴とする請求項1または2に記載の電気光学装置。
The scanning signal abnormality detection circuit is composed of a plurality of unit shift registers connected in cascade.
The unit shift register includes a first transistor that receives the scan signal of the scan signal line corresponding to the stage and outputs the scan signal to the next stage.
A second transistor for supplying an output signal of the unit shift register of the previous stage to a first node to which the control electrode of the first transistor is connected;
3. The electro-optical device according to claim 1, further comprising a third transistor that inputs the output signal of the unit shift register of the next stage to the control electrode to discharge the first node.
前記走査信号線駆動回路は、縦続接続され、複数のトランジスタで形成された複数の単位シフトレジスタから構成され、
前記複数のトランジスタは、前記第1から第3のトランジスタと同一の製造工程で製造されたことを特徴とする請求項4に記載の電気光学装置。
The scanning signal line drive circuit is composed of a plurality of unit shift registers connected in cascade and formed of a plurality of transistors.
5. The electro-optical device according to claim 4, wherein the plurality of transistors are manufactured in the same manufacturing process as the first to third transistors.
前記第1から第3のトランジスタのチャンネルが酸化物半導体により形成されていることを特徴とする請求項4または5に記載の電気光学装置。   The electro-optical device according to claim 4, wherein the channels of the first to third transistors are formed of an oxide semiconductor. 前記走査信号線駆動回路と前記走査信号異常検出回路の少なくとも一方は、結晶シリコントランジスタを採用した集積回路であることを特徴とする請求項1または2に記載の電気光学装置。   3. The electro-optical device according to claim 1, wherein at least one of the scanning signal line drive circuit and the scanning signal abnormality detection circuit is an integrated circuit employing a crystalline silicon transistor.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114446258A (en) * 2022-03-01 2022-05-06 Tcl华星光电技术有限公司 Display panel and display device

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07199872A (en) * 1993-12-29 1995-08-04 Casio Comput Co Ltd Liquid crystal display device
JPH07281646A (en) * 1994-04-13 1995-10-27 Shizuki Denki Seisakusho:Kk Display module drive device
JP2005043661A (en) * 2003-07-22 2005-02-17 Sony Corp Inspection method, semiconductor device, and display device
WO2011074316A1 (en) * 2009-12-15 2011-06-23 シャープ株式会社 Scan signal line driver circuit and display apparatus having same

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07199872A (en) * 1993-12-29 1995-08-04 Casio Comput Co Ltd Liquid crystal display device
JPH07281646A (en) * 1994-04-13 1995-10-27 Shizuki Denki Seisakusho:Kk Display module drive device
JP2005043661A (en) * 2003-07-22 2005-02-17 Sony Corp Inspection method, semiconductor device, and display device
WO2011074316A1 (en) * 2009-12-15 2011-06-23 シャープ株式会社 Scan signal line driver circuit and display apparatus having same

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114446258A (en) * 2022-03-01 2022-05-06 Tcl华星光电技术有限公司 Display panel and display device
CN114446258B (en) * 2022-03-01 2023-03-31 Tcl华星光电技术有限公司 Display panel and display device

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