JP2019104233A - Metal-clad laminate and circuit board - Google Patents

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Abstract

To provide a metal-clad laminate capable of reducing a dimensional change to an environmental change during processes and time between the processes.SOLUTION: A metal-clad laminate includes an insulating resin layer and a metal layer, in which the insulating resin layer has a non-thermoplastic polyimide layer and a thermoplastic polyimide layer, and satisfies (i) a moisture absorptivity after moisture conditioning at 23°C, 50%RH and 4 hours after drying at 80°C for 1 hour of 1.0 wt.% or less; (ii) a difference between moisture absorptivities after moisture conditioning at 23°C, 50%RH and 1 hour and moisture conditioning for 2 hours of 0.2 wt.% or less; (iii) a value of in-plane birefringence of 2×10or less; (iv) variations in in-plane birefringence in the width direction of 4×10or less; and (v) the non-plastic polyimide having 20 pts.mol or more of a diamine residue that is represented by general formula (1) and is derived from a diamine compound to 100 pts.mol of the total diamine residue.SELECTED DRAWING: None

Description

本発明は、金属張積層板及び回路基板に関する。   The present invention relates to a metal-clad laminate and a circuit board.

近年、電子機器の小型化、軽量化、省スペース化の進展に伴い、薄く軽量で、可撓性を有し、屈曲を繰り返しても優れた耐久性を持つフレキシブルプリント配線板(FPC;Flexible Printed Circuits)の需要が増大している。FPCは、限られたスペースでも立体的かつ高密度の実装が可能であるため、例えば、HDD、DVD、携帯電話等の電子機器の可動部分の配線や、ケーブル、コネクター等の部品にその用途が拡大しつつある。   In recent years, with the progress of miniaturization, weight reduction, and space saving of electronic devices, a flexible printed wiring board (FPC; Flexible Printed) that is thin, light, flexible, and has excellent durability even when it is repeatedly bent The demand for Circuits is increasing. The FPC can be mounted three-dimensionally and in a high density even in a limited space, so its application is for wiring of movable parts of electronic devices such as HDDs, DVDs and mobile phones, parts for cables and connectors, etc. It is expanding.

FPCは、銅張積層板(CCL)の銅層をエッチングして配線加工することによって製造される。携帯電話やスマートフォンにおいて、連続屈曲や180°折り曲げされるFPCには、銅層の材料として、圧延銅箔が多く用いられている。例えば、特許文献1では、圧延銅箔を用いて作製された銅張積層板の耐屈曲性を耐はぜ折り回数で規定する提案がなされている。また、特許文献2では、光沢度と折り曲げ回数で規定された圧延銅箔を用いた銅張積層板が提案されている。   The FPC is manufactured by etching and wiring a copper layer of a copper clad laminate (CCL). Rolled copper foil is often used as a material of a copper layer for FPCs that are bent continuously or bent 180 ° in mobile phones and smartphones. For example, in patent document 1, the proposal which prescribes | regulates the bending resistance of the copper clad laminated board produced using the rolled copper foil by the number of times of roll-resistance is made | formed. Moreover, in patent document 2, the copper clad laminated board using the rolled copper foil prescribed | regulated by the glossiness and bending frequency is proposed.

銅張積層板に対するフォトリソグラフィ工程や、FPC実装の過程では、銅張積層板に設けられたアライメントマークを基準に接合、切断、露光、エッチング等のさまざまな加工が行われる。これらの工程での加工精度は、FPCを搭載した電子機器の信頼性を維持する上で重要となる。しかし、銅張積層板は、熱膨張係数が異なる銅層と樹脂層とを積層した構造を有するため、銅層と樹脂層との熱膨張係数の差によって、層間に応力が発生する。この応力は、その一部分又は全部が、銅層をエッチングして配線加工した場合に解放されることによって伸縮を生じさせ、配線パターンの寸法を変化させる要因となる。そのため、最終的にFPCの段階で寸法変化が生じてしまい、配線間もしくは配線と端子との接続不良を引き起こす原因となり、回路基板の信頼性や歩留まりを低下させる。従って、回路基板材料としての銅張積層板において、寸法安定性は非常に重要な特性である。しかし、上記特許文献1、2では、銅張積層板の寸法安定性については何ら考慮されていない。   In the process of photolithography for a copper-clad laminate and in the process of mounting an FPC, various processes such as bonding, cutting, exposure, and etching are performed based on alignment marks provided on the copper-clad laminate. The processing accuracy in these steps is important in maintaining the reliability of the electronic device on which the FPC is mounted. However, since the copper-clad laminate has a structure in which copper layers and resin layers having different thermal expansion coefficients are laminated, stress is generated between the layers due to the difference in thermal expansion coefficient between the copper layer and the resin layer. This stress causes expansion or contraction by being released partially or entirely when the copper layer is etched and processed to cause a change in the dimension of the wiring pattern. Therefore, the dimensional change finally occurs at the stage of the FPC, which causes a connection failure between the wirings or between the wirings and the terminals, which lowers the reliability and the yield of the circuit board. Therefore, in a copper clad laminate as a circuit board material, dimensional stability is a very important characteristic. However, in the patent documents 1 and 2 mentioned above, the dimensional stability of the copper clad laminate is not considered at all.

また、特許文献3では、絶縁樹脂層の熱膨張係数を下げ、寸法安定性を高めるため、敢えて熱可塑性ポリイミド層を設けず、銅箔と非熱可塑性ポリイミド層からなるフレキシブル金属張積層板において、非熱可塑性ポリイミド層のジアミン成分として、p−フェニレンジアミン(p−PDA)又は2,2’−ジメチル−4,4’−ジアミノビフェニル(m−TB)からなるジアミン化合物と、1,3−ビス(4−アミノフェノキシ)ベンゼン(TPE−R)等のジアミン化合物とを用いることが提案されている。p−PDAは、熱膨張係数を下げ、寸法安定性に寄与するモノマーであるが、分子量が小さいため、イミド基濃度が増加してポリイミドの吸湿性が高くなってしまうという問題があった。ポリイミドの吸湿性が高くなると、回路加工時の加熱などの環境変化によって寸法変化や反りが発生しやすくなる、という問題がある。   Moreover, in patent document 3, in order to lower the thermal expansion coefficient of an insulation resin layer and to improve dimensional stability, it does not darely provide a thermoplastic polyimide layer, but in the flexible metal-clad laminated board which consists of copper foil and a non-thermoplastic polyimide layer, A diamine compound comprising p-phenylenediamine (p-PDA) or 2,2'-dimethyl-4,4'-diaminobiphenyl (m-TB) as a diamine component of the non-thermoplastic polyimide layer; It has been proposed to use diamine compounds such as (4-aminophenoxy) benzene (TPE-R). Although p-PDA is a monomer that lowers the thermal expansion coefficient and contributes to dimensional stability, there is a problem that the imide group concentration increases and the hygroscopicity of the polyimide becomes high because the molecular weight is small. When the hygroscopicity of polyimide is increased, there is a problem that dimensional change and warpage are likely to occur due to environmental change such as heating at the time of circuit processing.

一方、特許文献4では、回路加工時のクラックの発生が抑制された多層ポリイミドフィルムにおいて、非熱可塑性ポリイミドの原料のジアミン化合物として、m−TBとp−PDAを組み合わせて使用することが開示されている。しかしながら、特許文献4のモノマー組成では、ジアミン化合物中のp−PDAのモル比が大きすぎるため、上記と同様に、ポリイミドの吸湿性が高くなって、回路加工時の環境変化によって寸法変化や反りが発生しやすくなる、という問題がある。なお、特許文献4には、ジアミン化合物として、m−TBとp−PDAと2,2−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]プロパン(BAPP)を組み合わせて使用した場合、クラック耐性が悪化することが記載されている。この場合も、ジアミン化合物中のp−PDAのモル比が大きすぎるため、上記と同様に、ポリイミドの吸湿性が高くなるという問題があると考えられる。   On the other hand, Patent Document 4 discloses that, in a multilayer polyimide film in which generation of cracks during circuit processing is suppressed, m-TB and p-PDA are used in combination as a diamine compound as a raw material of non-thermoplastic polyimide. ing. However, in the monomer composition of Patent Document 4, since the molar ratio of p-PDA in the diamine compound is too large, the hygroscopicity of the polyimide becomes high as described above, and the dimensional change or warpage is caused by the environmental change at the time of circuit processing. Problem is likely to occur. In Patent Document 4, when a combination of m-TB, p-PDA and 2,2-bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] propane (BAPP) is used as a diamine compound, crack resistance is improved. It is described that it gets worse. Also in this case, the molar ratio of p-PDA in the diamine compound is too large, so it is considered that there is a problem that the hygroscopicity of the polyimide becomes high as described above.

特開2014−15674公報(特許請求の範囲など)JP, 2014-15674, A (claim, etc.) 特開2014−11451号公報(特許請求の範囲など)Unexamined-Japanese-Patent No. 2014-11451 (Claim etc.) 特許第5162379号公報(特許請求の範囲など)Patent No. 5162379 (claims etc.) WO2016/159104号(合成例6、合成例9など)WO 2016/159104 (Synthesis Example 6, Synthesis Example 9 and the like)

本発明は、回路加工工程、基板積層工程及び部品実装工程などの工程中の温度、湿度及び圧力の変化並びに工程間の温度・湿度環境変化に対する寸法変化を低減させることができる金属張積層板を提供することを目的とする。   The present invention is a metal-clad laminate capable of reducing changes in temperature, humidity and pressure during processes such as circuit processing, substrate lamination and component mounting, and dimensional changes due to changes in temperature and humidity between processes. Intended to be provided.

本発明者らは、鋭意検討した結果、絶縁樹脂層の吸湿率と面内複屈折率(Δn)を制御するとともに、非熱可塑性ポリイミド層が特定のジアミン残基を所定量含むように制御することによって上記課題を解決し得ることを見出し、本発明を完成するに至った。   As a result of intensive investigations, the present inventors control the moisture absorption rate and in-plane birefringence (Δn) of the insulating resin layer, and control the non-thermoplastic polyimide layer to contain a predetermined amount of a specific diamine residue. As a result, it has been found that the above-mentioned problems can be solved, and the present invention has been completed.

すなわち、本発明の金属張積層板は、絶縁樹脂層と、この絶縁樹脂層の少なくとも片面に積層された金属層とを備えた金属張積層板であって、前記絶縁樹脂層が、非熱可塑性ポリイミドを含む非熱可塑性ポリイミド層の少なくとも一方の面に熱可塑性ポリイミドを含む熱可塑性ポリイミド層を有している。そして、本発明の金属張積層板は、前記絶縁樹脂層が下記の条件(i)〜(v)を満たすことを特徴とする。
(i)80℃の1時間乾燥後に、23℃、50%RHの恒温恒湿のもと、4時間調湿後の吸湿率(A)が1.0重量%以下であること。
(ii)80℃の1時間乾燥後に、23℃、50%RHの恒温恒湿のもと、1時間調湿後の吸湿率(Am1)及び同条件での2時間調湿後の吸湿率(Am2)の差(Am2−Am1)が0.2重量%以下であること。
(iii)面内複屈折率(Δn)の値が2×10−3以下であること。
(iv)幅方向(TD方向)の面内複屈折率(Δn)のばらつき[Δ(Δn)]が4×10−4以下であること。
(v)前記非熱可塑性ポリイミドはテトラカルボン酸残基及びジアミン残基を含み、全ジアミン残基の100モル部に対して、下記一般式(1)で表されるジアミン化合物から誘導されるジアミン残基が20モル部以上であること。
That is, the metal-clad laminate of the present invention is a metal-clad laminate including an insulating resin layer and a metal layer laminated on at least one surface of the insulating resin layer, and the insulating resin layer is non-thermoplastic A thermoplastic polyimide layer containing thermoplastic polyimide is provided on at least one surface of the non-thermoplastic polyimide layer containing polyimide. And the metal-clad laminated board of this invention is characterized by the said insulation resin layer satisfy | filling the following conditions (i)-(v).
(i) After drying for 1 hour at 80 ° C., the moisture absorption rate (A m ) after humidity adjustment for 4 hours under a constant temperature and humidity of 23 ° C. and 50% RH is 1.0% by weight or less.
(ii) After drying for 1 hour at 80 ° C., the moisture absorption rate (A m1 ) after humidity conditioning for 1 hour under constant temperature and humidity of 23 ° C. and 50% RH and the moisture absorption rate after humidity conditioning for 2 hours under the same conditions (a m @ 2) the difference (a m2 -A m1) is equal to or less than 0.2 wt%.
(iii) The value of in-plane birefringence (Δn) is 2 × 10 −3 or less.
(iv) The variation [Δ (Δn)] of the in-plane birefringence index (Δn) in the width direction (TD direction) is 4 × 10 −4 or less.
(v) The non-thermoplastic polyimide contains a tetracarboxylic acid residue and a diamine residue, and is a diamine derived from a diamine compound represented by the following general formula (1) with respect to 100 mole parts of all diamine residues. 20 mol parts or more of residues.

Figure 2019104233
Figure 2019104233

一般式(1)において、連結基Zは単結合若しくは−COO−を示し、Yは独立にハロゲン若しくはフェニル基で置換されてもよい炭素数1〜3の1価の炭化水素又は炭素数1〜3のアルコキシ基、又は炭素数1〜3のパーフルオロアルキル基、又はアルケニル基を示し、nは0〜2の整数を示し、p及びqは独立に0〜4の整数を示す。   In the general formula (1), the linking group Z represents a single bond or -COO-, and Y is a monovalent hydrocarbon of 1 to 3 carbons which may be independently substituted with a halogen or a phenyl group or 1 to 1 carbon 3 represents an alkoxy group, or a perfluoroalkyl group having 1 to 3 carbon atoms, or an alkenyl group, n represents an integer of 0 to 2, and p and q each independently represent an integer of 0 to 4;

本発明の金属張積層板は、前記非熱可塑性ポリイミドに含まれる全ジアミン残基の100モル部に対して、前記一般式(1)で表されるジアミン化合物から誘導されるジアミン残基が70モル部〜95モル部の範囲内であってもよく、下記の一般式(2)及び(3)から選ばれるジアミン残基の合計量が5〜30モル部の範囲内であってもよい。   In the metal-clad laminate of the present invention, the diamine residue derived from the diamine compound represented by the general formula (1) is 70 per 100 mol parts of all diamine residues contained in the non-thermoplastic polyimide. The total amount of diamine residues selected from the following general formulas (2) and (3) may be in the range of 5 to 30 parts by mole.

Figure 2019104233
Figure 2019104233

一般式(2)及び一般式(3)において、R、R、R及びRはそれぞれ独立にハロゲン原子、又は炭素数1〜4の、ハロゲン原子で置換されてもよいアルキル基もしくはアルコキシ基、又はアルケニル基を示し、Xは独立に−O−、−S−、−CH−、−CH(CH)−、−C(CH)−、−CO−、−COO−、−SO−、−NH−又は−NHCO−から選ばれる2価の基を示し、X及びXはそれぞれ独立に単結合、−O−、−S−、−CH−、−CH(CH)−、−C(CH)−、−CO−、−COO−、−SO−、−NH−又は−NHCO−から選ばれる2価の基を示すが、X及びXの両方が単結合である場合を除くものとし、m、n、o及びpは独立に0〜4の整数を示す。 In the general formula (2) and the general formula (3), R 5 , R 6 , R 7 and R 8 each independently represent a halogen atom, or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms which may be substituted by a halogen atom or alkoxy group, or an alkenyl group, X independently is -O -, - S -, - CH 2 -, - CH (CH 3) -, - C (CH 3) 2 -, - CO -, - COO- , A divalent group selected from -SO 2- , -NH- or -NHCO-, X 1 and X 2 each independently represent a single bond, -O-, -S-, -CH 2- , -CH 2 (CH 3 )-, -C (CH 3 ) 2- , -CO-, -COO-, -SO 2- , -NH- or -NHCO-, which is a divalent group selected from X 1 and X Except when both of 2 are single bonds, m, n, o and p independently represent an integer of 0-4.

本発明の金属張積層板において、前記熱可塑性ポリイミドはテトラカルボン酸残基及びジアミン残基を含み、全ジアミン残基の100モル部に対して、上記の一般式(2)及び(3)から選ばれるジアミン残基の合計量が50モル部以上であってもよい。   In the metal-clad laminate of the present invention, the thermoplastic polyimide contains a tetracarboxylic acid residue and a diamine residue, and the above general formulas (2) and (3) correspond to 100 mole parts of all diamine residues. The total amount of diamine residues selected may be 50 mole parts or more.

本発明の金属張積層板において、前記一般式(2)で表されるジアミン残基が、1,3−ビス(4‐アミノフェノキシ)ベンゼンから誘導されるジアミン残基であってもよく、
前記一般式(3)で表されるジアミン残基が、2,2−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]プロパンから誘導されるジアミン残基であってもよい。
In the metal-clad laminate of the present invention, the diamine residue represented by the general formula (2) may be a diamine residue derived from 1,3-bis (4-aminophenoxy) benzene,
The diamine residue represented by the general formula (3) may be a diamine residue derived from 2,2-bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] propane.

本発明の金属張積層板において、前記非熱可塑性ポリイミド層の厚み(A)と前記熱可塑性ポリイミド層の厚み(B)の厚み比(A)/(B)が1〜20の範囲内であってもよい。   In the metal-clad laminate of the present invention, the thickness ratio (A) / (B) of the thickness (A) of the non-thermoplastic polyimide layer to the thickness (B) of the thermoplastic polyimide layer is in the range of 1 to 20. May be

本発明の金属張積層板において、幅方向(TD方向)の長さが490mm以上であってもよい。   In the metal-clad laminate of the present invention, the length in the width direction (TD direction) may be 490 mm or more.

本発明の回路基板は、上記いずれかに記載の金属張積層板の前記金属層を配線に加工してなるものである。   The circuit board of the present invention is obtained by processing the metal layer of the metal-clad laminate described in any of the above into a wiring.

本発明の金属張積層板は、条件(i)〜(v)を具備することによって、高温・高圧の環境下や湿度変化の環境下においても絶縁樹脂層の寸法安定性に優れているため、回路加工工程、基板積層工程、及び部品実装工程の際の環境変化(例えば、高温や高圧、湿度変化など)によって、反りなどの不具合が発生しにくい。特に、幅広の金属張積層板においても、絶縁樹脂層の全幅において寸法変化率が低く、寸法が安定しているので、該金属張積層板から得られるFPCを高密度実装が可能なものにすることができる。従って、本発明の金属張積層板をFPC材料として利用することによって、回路基板の信頼性と歩留まりの向上を図ることができる。   By satisfying the conditions (i) to (v), the metal-clad laminate of the present invention is excellent in the dimensional stability of the insulating resin layer even in a high temperature / high pressure environment or an environment of humidity change, Problems such as warpage are less likely to occur due to environmental changes (e.g., high temperature, high pressure, humidity change, etc.) in the circuit processing process, the substrate lamination process, and the component mounting process. In particular, even in a wide metal-clad laminate, the dimensional change rate is low over the entire width of the insulating resin layer, and the dimensions are stable, so that the FPC obtained from the metal-clad laminate is capable of high density mounting. be able to. Therefore, by using the metal-clad laminate of the present invention as an FPC material, it is possible to improve the reliability and yield of the circuit board.

吸湿率及び単位時間当たりの吸湿率変化の異なる樹脂の吸湿率の変化を示したグラフであある。It is the graph which showed the change of the moisture absorption rate of resin from which the moisture absorption rate and the moisture absorption rate change per unit time differ.

次に、本発明の実施の形態について説明する。   Next, an embodiment of the present invention will be described.

<金属張積層板>
本実施の形態の金属張積層板は、絶縁樹脂層と、この絶縁樹脂層の少なくとも片面に積層された金属層とを備えている。
<Metal-clad laminates>
The metal-clad laminate of this embodiment includes an insulating resin layer and a metal layer laminated on at least one surface of the insulating resin layer.

<絶縁樹脂層>
本実施の形態の金属張積層板において、絶縁樹脂層は、非熱可塑性ポリイミド層の少なくとも一方に熱可塑性ポリイミド層を有する。すなわち、熱可塑性ポリイミド層は非熱可塑性ポリイミド層の片面又は両面に設けられている。例えば本実施の形態の金属張積層板において、金属層は熱可塑性ポリイミド層の面に積層する。
ここで、非熱可塑性ポリイミドとは、一般に加熱しても軟化、接着性を示さないポリイミドのことであるが、本発明では、動的粘弾性測定装置(DMA)を用いて測定した、30℃における貯蔵弾性率が1.0×10Pa以上であり、360℃における貯蔵弾性率が1.0×10Pa以上であるポリイミドをいう。また、熱可塑性ポリイミドとは、一般にガラス転移温度(Tg)が明確に確認できるポリイミドのことであるが、本発明では、DMAを用いて測定した、30℃における貯蔵弾性率が1.0×10Pa以上であり、360℃における貯蔵弾性率が1.0×10Pa未満であるポリイミドをいう。
<Insulating resin layer>
In the metal-clad laminate of this embodiment, the insulating resin layer has a thermoplastic polyimide layer on at least one of the non-thermoplastic polyimide layers. That is, the thermoplastic polyimide layer is provided on one side or both sides of the non-thermoplastic polyimide layer. For example, in the metal-clad laminate of this embodiment, the metal layer is laminated on the surface of the thermoplastic polyimide layer.
Here, non-thermoplastic polyimide generally refers to polyimide which does not show softening or adhesion even when heated, but in the present invention, it is measured at 30 ° C. using a dynamic viscoelasticity measuring device (DMA). The storage elastic modulus in the above is 1.0 × 10 9 Pa or more, and the storage elastic modulus at 360 ° C. is 1.0 × 10 8 Pa or more. Also, a thermoplastic polyimide is generally a polyimide whose glass transition temperature (Tg) can be clearly confirmed, but in the present invention, the storage elastic modulus at 30 ° C. measured using DMA is 1.0 × 10. It is 9 Pa or more, and the storage elastic modulus at 360 ° C. is less than 1.0 × 10 8 Pa.

本実施の形態の金属張積層板は、絶縁樹脂層が下記の条件(i)〜(v)を満たすものである。
(i)80℃の1時間乾燥後に、23℃、50%RHの恒温恒湿のもと4時間調湿後の吸湿率(A)が1.0重量%以下であること。
(ii)80℃の1時間乾燥後に、23℃、50%RHの恒温恒湿のもと、1時間調湿後の吸湿率(Am1)及び同条件での2時間調湿後の吸湿率(Am2)の差(Am2−Am1)が0.2重量%以下であること。
絶縁樹脂層の吸湿率が高くなると、温度、圧力などの環境変化によって寸法変化や反りが発生しやすくなる、という問題がある。図1は、吸湿率及び単位時間当たりの吸湿率変化の異なる2つの樹脂について、80℃の1時間乾燥後に、23℃、50%RHの恒温恒湿のもとで吸湿率の変化を示したグラフである。図1に示すような吸湿特性を示す2つの樹脂の比較では、吸湿率のみならず単位時間当たりの吸湿率変化(Am2−Am1)が少ない樹脂の方が、より寸法変化や反りの低減に効果的であるという知見が得られている。従って、上記の条件(i)、(ii)を満たすことによって、回路加工工程、基板積層工程及び部品実装工程の際の環境変化(例えば高温・高圧環境、湿度変化など)による寸法変化や反りを抑制できる。上記Aが1.0重量%を超える場合や、(Am2−Am1)が0.2重量%を超える場合には、回路加工工程、基板積層工程及び部品実装工程時の高温や高圧、湿度変化などによって、寸法変化量が大きくなって寸法精度が低下したり、反りが発生したりする。
In the metal-clad laminate of this embodiment, the insulating resin layer satisfies the following conditions (i) to (v).
(i) After 1 hour of drying at 80 ° C., the moisture absorption rate (A m ) after humidity adjustment for 4 hours under constant temperature and humidity of 23 ° C. and 50% RH is 1.0% by weight or less.
(ii) After drying for 1 hour at 80 ° C., the moisture absorption rate (A m1 ) after humidity conditioning for 1 hour under constant temperature and humidity of 23 ° C. and 50% RH and the moisture absorption rate after humidity conditioning for 2 hours under the same conditions (a m @ 2) the difference (a m2 -A m1) is equal to or less than 0.2 wt%.
When the moisture absorption rate of the insulating resin layer is high, there is a problem that dimensional change and warpage are likely to occur due to environmental changes such as temperature and pressure. FIG. 1 shows the change in moisture absorption under constant temperature and humidity conditions of 23 ° C. and 50% RH after drying for 1 hour at 80 ° C. for two resins having different moisture absorption and change in moisture absorption per unit time It is a graph. In the comparison of two resins showing moisture absorption characteristics as shown in FIG. 1, the dimensional change and the warpage are reduced more in the resin having a smaller change in the moisture absorption rate per unit time (A m2 −A m1 ) as well as the moisture absorption rate. It has been found that it is effective in Therefore, by satisfying the above conditions (i) and (ii), dimensional changes and warpage due to environmental changes (for example, high temperature / high pressure environment, humidity changes, etc.) in the circuit processing process, substrate lamination process and component mounting process It can be suppressed. And when the A m is more than 1.0 wt%, when (A m2 -A m1) is more than 0.2 wt%, the circuit processing step, the substrate laminating process and the component mounting process at high temperature and high pressure, Due to the change in humidity or the like, the amount of dimensional change becomes large and the dimensional accuracy decreases, or warpage occurs.

(iii)面内複屈折率(Δn)の値が2×10−3以下であること。
(iv)幅方向(TD方向)の面内複屈折率(Δn)のばらつき[Δ(Δn)]が4×10−4以下であること。
上記の条件(iii)、(iv)を満たすことによって、絶縁樹脂層を構成するポリイミドの配向性が高まり、寸法安定性が向上する。面内複屈折率(Δn)の値が2×10−3を超えると面内配向の異方性が大きくなり寸法安定性悪化の原因となる。Δnの値の下限値は特に限定されないが、面内配向が等方的で寸法安定性が向上する一方で熱膨張係数が過度に低下し、金属箔の熱膨張係数との不整合による反りを抑制する観点から、2×10−4以上とすることが好ましい。以上の観点から、絶縁樹脂層の面内複屈折率(Δn)の値は、好ましくは2×10−4以上8×10−4以下の範囲内、より好ましくは2×10−4以上6×10−4以下の範囲内である。
また、TD方向のΔnのばらつき[Δ(Δn)]が4×10−4を超えると、面内配向のばらつきが大きくなり寸法変化率の面内ばらつきの原因となる。TD方向のΔnのばらつき[Δ(Δn)]は、好ましくは2×10−4以下、より好ましくは1.2×10−4以下である。このような範囲内であれば、例えばスケールアップした場合であっても、高い寸法精度を維持できる。
(iii) The value of in-plane birefringence (Δn) is 2 × 10 −3 or less.
(iv) The variation [Δ (Δn)] of the in-plane birefringence index (Δn) in the width direction (TD direction) is 4 × 10 −4 or less.
By satisfying the above conditions (iii) and (iv), the orientation of the polyimide constituting the insulating resin layer is enhanced, and the dimensional stability is improved. When the value of the in-plane birefringence (Δn) exceeds 2 × 10 −3 , the anisotropy of the in-plane orientation becomes large, which causes the deterioration of the dimensional stability. The lower limit of the value of Δn is not particularly limited, but while the in-plane orientation is isotropic and the dimensional stability is improved, the thermal expansion coefficient is excessively reduced, and the warpage due to the mismatch with the thermal expansion coefficient of the metal foil is It is preferable to set it as 2 * 10 < -4 > or more from a viewpoint of suppression. From the above viewpoints, the value of the in-plane birefringence (Δn) of the insulating resin layer is preferably in the range of 2 × 10 −4 or more and 8 × 10 4 or less, more preferably 2 × 10 4 or more and 6 × It is in the range of 10 -4 or less.
Further, if the variation [Δ (Δn)] of Δn in the TD direction exceeds 4 × 10 −4 , the variation in in-plane orientation becomes large, which causes the in-plane variation in dimensional change rate. The variation [Δ (Δn)] of Δn in the TD direction is preferably 2 × 10 −4 or less, more preferably 1.2 × 10 −4 or less. Within such a range, high dimensional accuracy can be maintained, for example, even when scaled up.

(v)非熱可塑性ポリイミドはテトラカルボン酸残基及びジアミン残基を含み、全ジアミン残基の100モル部に対して、下記一般式(1)で表されるジアミン化合物から誘導されるジアミン残基が20モル部以上であること。なお、条件(v)の詳細については、後述する。   (v) A non-thermoplastic polyimide contains a tetracarboxylic acid residue and a diamine residue, and a diamine residue derived from a diamine compound represented by the following general formula (1) with respect to 100 mole parts of all diamine residues. The group is at least 20 molar parts. The details of the condition (v) will be described later.

Figure 2019104233
Figure 2019104233

一般式(1)において、連結基Zは単結合若しくは−COO−を示し、Yは独立にハロゲン若しくはフェニル基で置換されてもよい炭素数1〜3の1価の炭化水素又は炭素数1〜3のアルコキシ基、又は炭素数1〜3のパーフルオロアルキル基、又はアルケニル基を示し、nは0〜2の整数を示し、p及びqは独立に0〜4の整数を示す。ここで、「独立に」とは、上記式(1)において、複数の置換基Y、整数p、qが同一でもよいし、異なっていてもよいことを意味する。   In the general formula (1), the linking group Z represents a single bond or -COO-, and Y is a monovalent hydrocarbon of 1 to 3 carbons which may be independently substituted with a halogen or a phenyl group or 1 to 1 carbon 3 represents an alkoxy group, or a perfluoroalkyl group having 1 to 3 carbon atoms, or an alkenyl group, n represents an integer of 0 to 2, and p and q each independently represent an integer of 0 to 4; Here, “independently” means that in the above formula (1), the plurality of substituents Y and the integers p and q may be the same or different.

上記の条件(i)〜(v)を満たすことによって、回路加工工程、基板積層工程及び部品実装工程の際の環境変化(例えば高温・高圧環境、湿度変化など)による寸法変化や反りを効果的に抑制できる。上記の条件(i)〜(v)のいずれか1つでも具備しない場合には、回路加工工程、基板積層工程及び部品実装工程時の高温や高圧、湿度変化などによって、寸法変化量が大きくなって寸法精度が低下したり、反りが発生したりする。   By satisfying the above conditions (i) to (v), dimensional changes and warpage due to environmental changes (for example, high temperature / high pressure environment, humidity changes, etc.) in the circuit processing process, substrate lamination process and component mounting process are effectively achieved. Can be suppressed. If any one of the above conditions (i) to (v) is not included, the amount of dimensional change becomes large due to high temperature, high pressure, humidity change, etc. at the time of circuit processing, substrate lamination and component mounting. Dimensional accuracy and warpage.

本実施の形態の金属張積層板は、例えば回路基板材料として適用する場合において、反りの発生や寸法安定性の低下を防止するために、絶縁樹脂層の熱膨張係数(CTE)が10ppm/K以上30ppm/K以下の範囲内であることが重要であり、好ましくは10ppm/K以上25ppm/K以下の範囲内がよい。CTEが10ppm/K未満であるか、又は30ppm/Kを超えると、反りが発生したり、寸法安定性が低下したりする。また、本実施の形態の金属張積層板において、銅箔などからなる金属層のCTEに対して絶縁樹脂層のCTEが、±5ppm/K以下の範囲内がより好ましく、±2ppm/K以下の範囲内が最も好ましい。   For example, when the metal-clad laminate of this embodiment is applied as a circuit board material, the thermal expansion coefficient (CTE) of the insulating resin layer is 10 ppm / K in order to prevent the occurrence of warpage and the decrease in dimensional stability. It is important to be in the range of not less than 30 ppm / K, and preferably in the range of not less than 10 ppm / K and not more than 25 ppm / K. If the CTE is less than 10 ppm / K or more than 30 ppm / K, warpage may occur or dimensional stability may be reduced. In the metal-clad laminate of this embodiment, the CTE of the insulating resin layer is more preferably ± 5 ppm / K or less, more preferably ± 2 ppm / K or less with respect to the CTE of the metal layer made of copper foil or the like. The range is most preferable.

絶縁樹脂層において、非熱可塑性ポリイミド層は低熱膨張性のポリイミド層を構成し、熱可塑性ポリイミド層は高熱膨張性のポリイミド層を構成する。ここで、低熱膨張性のポリイミド層は、熱膨張係数(CTE)が好ましくは1ppm/K以上25ppm/K以下の範囲内、より好ましくは3ppm/K以上25ppm/K以下の範囲内のポリイミド層をいう。また、高熱膨張性のポリイミド層は、CTEが好ましくは35ppm/K以上、より好ましくは35ppm/K以上80ppm/K以下の範囲内、更に好ましくは35ppm/K以上70ppm/K以下の範囲内のポリイミド層をいう。ポリイミド層は、使用する原料の組合せ、厚み、乾燥・硬化条件を適宜変更することで所望のCTEを有するポリイミド層とすることができる。   In the insulating resin layer, the non-thermoplastic polyimide layer constitutes a low thermal expansion polyimide layer, and the thermoplastic polyimide layer constitutes a high thermal expansion polyimide layer. Here, the low thermal expansion polyimide layer preferably has a coefficient of thermal expansion (CTE) within the range of 1 ppm / K to 25 ppm / K, more preferably 3 ppm / K to 25 ppm / K. Say. The high thermal expansion polyimide layer preferably has a CTE of 35 ppm / K or more, more preferably 35 ppm / K or more and 80 ppm / K or less, and still more preferably 35 ppm / K or more and 70 ppm / K or less I say a layer. A polyimide layer can be made into a polyimide layer which has desired CTE by changing suitably the combination of the raw material to be used, thickness, and a drying and hardening conditions.

絶縁樹脂層の厚みは、使用する目的に応じて、所定の範囲内の厚みに設定することができるが、例えば4〜50μmの範囲内にあることが好ましく、11〜26μmの範囲内にあることがより好ましい。絶縁樹脂層の厚みが上記下限値に満たないと、電気絶縁性が担保出来ないことや、ハンドリング性の低下により製造工程にて取扱いが困難になるなどの問題が生じることがある。一方、絶縁樹脂層の厚みが上記上限値を超えると、面内複屈折率(Δn)を制御するために、製造条件を高精度に制御する必要があり、生産性低下などの不具合が生じる。   The thickness of the insulating resin layer can be set to a thickness within a predetermined range depending on the purpose of use, but it is preferably in the range of 4 to 50 μm, for example, and in the range of 11 to 26 μm Is more preferred. If the thickness of the insulating resin layer is less than the above lower limit value, problems such as the inability to ensure electrical insulation and the difficulty in handling in the manufacturing process due to a decrease in handling may occur. On the other hand, when the thickness of the insulating resin layer exceeds the above upper limit value, in order to control the in-plane birefringence (Δn), it is necessary to control the manufacturing conditions with high accuracy, and problems such as productivity decrease occur.

また、絶縁樹脂層において、非熱可塑性ポリイミド層の厚み(A)と熱可塑性ポリイミド層の厚み(B)との厚み比((A)/(B))が1〜20の範囲内であることが好ましく、2〜12の範囲内がより好ましい。なお、非熱可塑性ポリイミド層及び/又は熱可塑性ポリイミド層の層数が複数である場合は、厚み(A)や厚み(B)は、合計の厚みを意味する。この比の値が、1に満たないと絶縁樹脂層全体に対する非熱可塑性ポリイミド層が薄くなるため、面内複屈折率(Δn)のばらつきが大きくなりやすく、20を超えると熱可塑性ポリイミド層が薄くなるため、絶縁樹脂層と金属層との接着信頼性が低下しやすくなる。ここで、面内複屈折率(Δn)の制御は、絶縁樹脂層を構成する各ポリイミド層の樹脂構成とその厚みに相関がある。接着性すなわち高熱膨張性又は軟化を付与した樹脂構成である熱可塑性ポリイミド層は、その厚みが大きくなる程、絶縁樹脂層のΔnの値に大きく影響する。そこで、非熱可塑性ポリイミド層の厚みの比率を大きくし、熱可塑性ポリイミド層の厚みの比率を小さくして、絶縁樹脂層のΔnの値とそのばらつきを小さくすることが好ましい。後述するように、本実施の形態では、熱可塑性ポリイミド層の厚みの比率を小さくする場合でも、熱可塑性ポリイミド層が一般式(2)及び(3)から選ばれるジアミン残基を所定量含有するように設計することによって、金属層と絶縁樹脂層との接着性を確保できる。   In the insulating resin layer, the thickness ratio ((A) / (B)) between the thickness (A) of the non-thermoplastic polyimide layer and the thickness (B) of the thermoplastic polyimide layer is in the range of 1 to 20. Is preferable, and the range of 2 to 12 is more preferable. In addition, when the number of layers of a non-thermoplastic polyimide layer and / or a thermoplastic polyimide layer is multiple, thickness (A) and thickness (B) mean the total thickness. If the value of this ratio is less than 1, the non-thermoplastic polyimide layer with respect to the whole insulating resin layer becomes thin, so the variation in in-plane birefringence (Δn) tends to be large, and when it exceeds 20, the thermoplastic polyimide layer Since it becomes thin, the adhesion reliability between the insulating resin layer and the metal layer tends to be lowered. Here, the control of the in-plane birefringence (Δn) is correlated with the resin configuration of each polyimide layer constituting the insulating resin layer and the thickness thereof. The thermoplastic polyimide layer, which is a resin composition having adhesiveness, that is, high thermal expansion or softening, has a greater effect on the value of Δn of the insulating resin layer as its thickness becomes larger. Therefore, it is preferable to increase the thickness ratio of the non-thermoplastic polyimide layer and decrease the thickness ratio of the thermoplastic polyimide layer to reduce the value of Δn of the insulating resin layer and the variation thereof. As described later, in this embodiment, even when the ratio of the thickness of the thermoplastic polyimide layer is reduced, the thermoplastic polyimide layer contains a predetermined amount of diamine residue selected from the general formulas (2) and (3). By designing in this way, the adhesion between the metal layer and the insulating resin layer can be secured.

絶縁樹脂層の寸法精度の改善効果をより大きく発現させる観点から、本実施の形態の金属張積層板は、幅方向(TD方向)の長さ(フィルム幅)が好ましくは490mm以上1200mm以下の範囲内、より好ましくは520mm以上1100mm以下の範囲内がよく、長尺状の長さが20m以上のものが好ましい。本実施の形態の金属張積層板が連続的に製造される場合、幅方向(TD方向)が広いほど発明の効果が特に顕著となる。なお、本実施の形態の金属張積層板が連続的に製造された後、長尺な金属張積層板の長手方向(MD方向)及びTD方向にある一定の値でスリットされた金属張積層板も含まれる。   The metal-clad laminate of this embodiment preferably has a length (film width) in the width direction (TD direction) in the range of 490 mm or more and 1200 mm or less from the viewpoint of achieving a greater improvement in the dimensional accuracy of the insulating resin layer. The inside length is preferably in the range of 520 mm to 1100 mm, and the long length is preferably 20 m or more. When the metal-clad laminate of the present embodiment is manufactured continuously, the wider the width direction (TD direction), the more remarkable the effects of the invention become. In addition, after the metal-clad laminate according to the present embodiment is continuously manufactured, the metal-clad laminate slit at a certain value in the longitudinal direction (MD direction) and the TD direction of the long metal-clad laminate. Also included.

また、絶縁樹脂層は、ポリイミドフィルムとしたときの引張弾性率が3.0〜10.0GPaの範囲内であることが好ましく、4.5〜8.0GPaの範囲内であるのがより好ましい。ポリイミドフィルムとしたときの引張弾性率が3.0GPaに満たないとポリイミド自体の強度が低下することによって、金属張積層板を回路基板へ加工する際に絶縁樹脂層の裂けなどのハンドリング上の問題が生じることがある。反対に、ポリイミドフィルムとしたときの引張弾性率が10.0GPaを超えると、金属張積層板の折り曲げに対する剛性が上昇する結果、金属張積層板を折り曲げた際に金属配線に加わる曲げ応力が上昇し、折り曲げ耐性が低下してしまう。ポリイミドフィルムとしたときの引張弾性率を上記範囲内とすることで、絶縁樹脂層の強度と柔軟性を担保することができる。   Moreover, it is preferable that the tensile elasticity modulus when it is set as a polyimide film exists in the range of 3.0-10.0 GPa, and, as for an insulating resin layer, it is more preferable to exist in the range of 4.5-8.0 GPa. When the tensile modulus of elasticity when it is formed into a polyimide film is less than 3.0 GPa, the strength of the polyimide itself is reduced, which causes problems in handling such as tearing of the insulating resin layer when processing a metal-clad laminate into a circuit board May occur. On the other hand, when the tensile modulus of elasticity when made into a polyimide film exceeds 10.0 GPa, the rigidity against bending of the metal-clad laminate increases, so that the bending stress applied to the metal wiring when bending the metal-clad laminate increases. And bending resistance is reduced. The strength and flexibility of the insulating resin layer can be secured by setting the tensile modulus of elasticity when forming a polyimide film within the above range.

(非熱可塑性ポリイミド)
本実施の形態において、非熱可塑性ポリイミド層を構成する非熱可塑性ポリイミドは、テトラカルボン酸残基及びジアミン残基を含み、これらはいずれも芳香族基を含むことが好ましい。非熱可塑性ポリイミドに含まれるテトラカルボン酸残基及びジアミン残基が、いずれも芳香族基を含むことで、非熱可塑性ポリイミドの秩序構造を形成しやすくし、絶縁樹脂層の高温環境下での面内複屈折率(Δn)の変化量を小さくするとともに、面内複屈折率(Δn)のばらつきを抑制することができる。
(Non-thermoplastic polyimide)
In the present embodiment, the non-thermoplastic polyimide constituting the non-thermoplastic polyimide layer preferably contains a tetracarboxylic acid residue and a diamine residue, both of which preferably include an aromatic group. Both the tetracarboxylic acid residue and the diamine residue contained in the non-thermoplastic polyimide contain an aromatic group, which facilitates formation of an ordered structure of the non-thermoplastic polyimide, and the insulating resin layer in a high temperature environment The variation of the in-plane birefringence (Δn) can be reduced, and the variation of the in-plane birefringence (Δn) can be suppressed.

なお、本発明において、テトラカルボン酸残基とは、テトラカルボン酸二無水物から誘導された4価の基のことを表し、ジアミン残基とは、ジアミン化合物から誘導された2価の基のことを表す。また、「ジアミン化合物」は、末端の二つのアミノ基における水素原子が置換されていてもよく、例えば−NR(ここで、R,Rは、独立にアルキル基などの任意の置換基を意味する)であってもよい。 In the present invention, the term "tetracarboxylic acid residue" refers to a tetravalent group derived from tetracarboxylic acid dianhydride, and the diamine residue refers to a divalent group derived from a diamine compound. Represents that. Also, the “diamine compound” may have hydrogen atoms in the two terminal amino groups substituted, and for example, —NR 3 R 4 (wherein R 3 and R 4 independently represent an alkyl group etc.) (Means a substituent).

非熱可塑性ポリイミドに含まれるテトラカルボン酸残基としては、特に制限はないが、例えば、ピロメリット酸二無水物(PMDA)から誘導されるテトラカルボン酸残基(以下、PMDA残基ともいう。)、3,3',4,4'-ビフェニルテトラカルボン酸二無水物(BPDA)から誘導されるテトラカルボン酸残基(以下、BPDA残基ともいう。)が好ましく挙げられる。これらのテトラカルボン酸残基は、秩序構造を形成しやすく、高温環境下での面内複屈折率(Δn)の変化量を小さくすることができる。また、PMDA残基は、熱膨張係数の制御とガラス転移温度の制御の役割を担う残基である。更に、BPDA残基は、テトラカルボン酸残基の中でも極性基がなく比較的分子量が大きいため、非熱可塑性ポリイミドのイミド基濃度を下げ、絶縁樹脂層の吸湿を抑制する効果も期待できる。このような観点から、PMDA残基及び/又はBPDA残基の合計量が、非熱可塑性ポリイミドに含まれる全テトラカルボン酸残基の100モル部に対して、好ましくは50モル部以上、より好ましくは50〜100モル部の範囲内、最も好ましくは70〜100モル部の範囲内であることがよい。   The tetracarboxylic acid residue contained in the non-thermoplastic polyimide is not particularly limited, but is also referred to as, for example, a tetracarboxylic acid residue derived from pyromellitic dianhydride (PMDA) (hereinafter referred to as PMDA residue). And tetracarboxylic acid residues (hereinafter also referred to as BPDA residues) derived from 3,3 ′, 4,4′-biphenyltetracarboxylic acid dianhydride (BPDA). These tetracarboxylic acid residues tend to form an ordered structure, and the amount of change in in-plane birefringence (Δn) under a high temperature environment can be reduced. In addition, PMDA residues are residues responsible for controlling the thermal expansion coefficient and controlling the glass transition temperature. Furthermore, since BPDA residues have no polar group among tetracarboxylic acid residues and have a relatively large molecular weight, the effect of suppressing the moisture absorption of the insulating resin layer can also be expected by lowering the imide group concentration of the non-thermoplastic polyimide. From such a viewpoint, the total amount of PMDA residues and / or BPDA residues is preferably 50 mol parts or more, more preferably to 100 mol parts of all tetracarboxylic acid residues contained in the non-thermoplastic polyimide. Is preferably in the range of 50 to 100 parts by mole, and most preferably in the range of 70 to 100 parts by mole.

非熱可塑性ポリイミドに含まれる他のテトラカルボン酸残基としては、例えば、2,3',3,4’-ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、2,2',3,3'-ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、3,3’,4,4’-ジフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物、4,4’-オキシジフタル酸無水物、2,2',3,3'-、2,3,3',4'-又は3,3',4,4'-ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、2,3',3,4'-ジフェニルエーテルテトラカルボン酸二無水物、ビス(2,3-ジカルボキシフェニル)エーテル二無水物、3,3'',4,4''-、2,3,3'',4''-又は2,2'',3,3''-p-テルフェニルテトラカルボン酸二無水物、2,2-ビス(2,3-又は3,4-ジカルボキシフェニル)-プロパン二無水物、ビス(2,3-又は3.4-ジカルボキシフェニル)メタン二無水物、ビス(2,3-又は3,4-ジカルボキシフェニル)スルホン二無水物、1,1-ビス(2,3-又は3,4-ジカルボキシフェニル)エタン二無水物、1,2,7,8-、1,2,6,7-又は1,2,9,10-フェナンスレン-テトラカルボン酸二無水物、2,3,6,7-アントラセンテトラカルボン酸二無水物、2,2-ビス(3,4-ジカルボキシフェニル)テトラフルオロプロパン二無水物、2,3,5,6-シクロヘキサン二無水物、1,2,5,6-ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、1,4,5,8-ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、2,3,6,7−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、4,8-ジメチル-1,2,3,5,6,7-ヘキサヒドロナフタレン-1,2,5,6-テトラカルボン酸二無水物、2,6-又は2,7-ジクロロナフタレン-1,4,5,8-テトラカルボン酸二無水物、2,3,6,7-(又は1,4,5,8-)テトラクロロナフタレン-1,4,5,8-(又は2,3,6,7-)テトラカルボン酸二無水物、2,3,8,9-、3,4,9,10-、4,5,10,11-又は5,6,11,12-ペリレン-テトラカルボン酸二無水物、シクロペンタン-1,2,3,4-テトラカルボン酸二無水物、ピラジン-2,3,5,6-テトラカルボン酸二無水物、ピロリジン-2,3,4,5-テトラカルボン酸二無水物、チオフェン-2,3,4,5-テトラカルボン酸二無水物、4,4’-ビス(2,3-ジカルボキシフェノキシ)ジフェニルメタン二無水物等の芳香族テトラカルボン酸二無水物から誘導されるテトラカルボン酸残基が挙げられる。   As another tetracarboxylic acid residue contained in the non-thermoplastic polyimide, for example, 2,3 ', 3,4'-biphenyltetracarboxylic acid dianhydride, 2,2', 3,3'-biphenyltetracarboxylic acid Acid dianhydride, 3,3 ', 4,4'-diphenyl sulfone tetracarboxylic acid dianhydride, 4,4'-oxydiphthalic anhydride, 2,2', 3,3'-, 2,3, 3 ', 4'- or 3,3', 4,4'-benzophenonetetracarboxylic acid dianhydride, 2,3 ', 3,4'-diphenylethertetracarboxylic acid dianhydride, bis (2,3-dicarboxy) Phenyl) ether dianhydride, 3,3 ′ ′, 4,4 ′ ′-, 2,3,3 ′ ′, 4 ′ ′-or 2,2 ′ ′, 3,3 ′ ′-p-terphenyltetra Carboxylic acid dianhydride, 2,2-bis (2,3- or 3,4-dicarboxyphenyl) -propane dianhydride, bis (2,3- or 3.4-dicarboxyphenyl) methane dianhydride , Bis (2,3- or 1, 4-dicarboxyphenyl) sulfone dianhydride, 1, 1-bis (2, 3- or 3, 4- dicarboxyphenyl) ethane dianhydride, 1, 2, 7, 8-, 1, 2, 6 7,7- or 1,2,9,10-phenanthrene-tetracarboxylic acid dianhydride, 2,3,6,7-anthracene tetracarboxylic acid dianhydride, 2,2-bis (3,4-dicarboxyphenyl) ) Tetrafluoropropane dianhydride, 2,3,5,6-cyclohexane dianhydride, 1,2,5,6-naphthalene tetracarboxylic acid dianhydride, 1,4,5,8 naphthalene tetracarboxylic acid Anhydride, 2,3,6,7-naphthalenetetracarboxylic acid dianhydride, 4,8-dimethyl-1,2,3,5,6,7-hexahydronaphthalene-1,2,5,6-tetra Carboxylic acid dianhydride, 2,6- or 2,7-dichloronaphthalene-1,4,5,8-tetracarboxylic acid dianhydride, 2,3,6,7- (or 1,4,5,8 - ) Tetrachloronaphthalene-1,4,5,8- (or 2,3,6,7-) tetracarboxylic acid dianhydride, 2,3,8,9-, 3,4,9,10-, 4 , 5, 10, 11-or 5,6, 11, 12-perylene-tetracarboxylic dianhydride, cyclopentane-1,2,3,4-tetracarboxylic dianhydride, pyrazine-2,3,5 , 6-tetracarboxylic acid dianhydride, pyrrolidine-2,3,4,5-tetracarboxylic acid dianhydride, thiophene-2,3,4,5-tetracarboxylic acid dianhydride, 4,4'-bis Examples include tetracarboxylic acid residues derived from aromatic tetracarboxylic acid dianhydrides such as (2,3-dicarboxyphenoxy) diphenylmethane dianhydride.

非熱可塑性ポリイミドに含まれるジアミン残基としては、上記の条件(v)に示すように、一般式(1)で表されるジアミン化合物から誘導されるジアミン残基(以下、「ジアミン残基(1)」と記すことがある)が好ましく挙げられる。ジアミン残基(1)は、秩序構造を形成しやすく、寸法安定性を高め、特に高温環境下での面内複屈折率(Δn)の変化量を効果的に抑制することができる。このような観点から、ジアミン残基(1)は、非熱可塑性ポリイミドに含まれる全ジアミン残基の100モル部に対して、20モル部以上、好ましくは70〜95モル部の範囲内、より好ましくは80〜90モル部の範囲内で含有することがよい。   As the diamine residue contained in the non-thermoplastic polyimide, as shown in the above condition (v), a diamine residue derived from the diamine compound represented by the general formula (1) (hereinafter referred to as “diamine residue ( 1) may be mentioned. The diamine residue (1) easily forms an ordered structure, improves dimensional stability, and can effectively suppress the amount of change in in-plane birefringence (Δn) particularly under a high temperature environment. From such a viewpoint, the diamine residue (1) is at least 20 mol parts, preferably 70 to 95 mol parts, per 100 mol parts of all diamine residues contained in the non-thermoplastic polyimide, Preferably, the content is in the range of 80 to 90 mol parts.

ジアミン残基(1)の好ましい具体例としては、p−フェニレンジアミン(p−PDA)、2,2’−ジメチル−4,4’−ジアミノビフェニル(m−TB)、2,2’−ジエチル−4,4’−ジアミノビフェニル(m−EB)、2,2’−ジエトキシ−4,4’−ジアミノビフェニル(m−EOB)、2,2’−ジプロポキシ−4,4’−ジアミノビフェニル(m−POB)、2,2’−n−プロピル−4,4’−ジアミノビフェニル(m−NPB)、2,2’−ジビニル−4,4’−ジアミノビフェニル(VAB)、4,4’−ジアミノビフェニル、4,4’-ジアミノ-2,2’-ビス(トリフルオロメチル)ビフェニル(TFMB)等のジアミン化合物から誘導されるジアミン残基が挙げられる。これらの中でも特に、2,2’−ジメチル−4,4’−ジアミノビフェニル(m−TB)は、秩序構造を形成しやすく、高温環境下での面内複屈折率(Δn)の変化量を小さくすることができるので特に好ましい。   Preferred specific examples of the diamine residue (1) include p-phenylenediamine (p-PDA), 2,2'-dimethyl-4,4'-diaminobiphenyl (m-TB), 2,2'-diethyl- 4,4'-Diaminobiphenyl (m-EB), 2,2'-diethoxy-4,4'-diaminobiphenyl (m-EOB), 2,2'-dipropoxy-4,4'-diaminobiphenyl (m- POB), 2,2'-n-propyl-4,4'-diaminobiphenyl (m-NPB), 2,2'-divinyl-4,4'-diaminobiphenyl (VAB), 4,4'-diaminobiphenyl And diamine residues derived from diamine compounds such as 4,4′-diamino-2,2′-bis (trifluoromethyl) biphenyl (TFMB). Among these, 2,2'-dimethyl-4,4'-diaminobiphenyl (m-TB) is particularly easy to form an ordered structure, and the amount of change in in-plane birefringence (Δn) in a high temperature environment is It is particularly preferable because it can be made smaller.

また、絶縁樹脂層の弾性率を下げ、伸度及び折り曲げ耐性等を向上させるため、非熱可塑性ポリイミドが、下記の一般式(2)及び(3)で表されるジアミン残基からなる群より選ばれる少なくとも1種のジアミン残基を含むことが好ましい。   Further, in order to lower the elastic modulus of the insulating resin layer and improve the elongation and bending resistance, etc., the non-thermoplastic polyimide can be prepared from the group consisting of diamine residues represented by the following general formulas (2) and (3) It is preferred to include at least one type of diamine residue selected.

Figure 2019104233
Figure 2019104233

上記式(2)及び式(3)において、R、R、R及びRはそれぞれ独立にハロゲン原子、又は炭素数1〜4の、ハロゲン原子で置換されてもよいアルキル基もしくはアルコキシ基、又はアルケニル基を示し、Xは独立に−O−、−S−、−CH−、−CH(CH)−、−C(CH)−、−CO−、−COO−、−SO−、−NH−又は−NHCO−から選ばれる2価の基を示し、X及びXはそれぞれ独立に単結合、−O−、−S−、−CH−、−CH(CH)−、−C(CH)−、−CO−、−COO−、−SO−、−NH−又は−NHCO−から選ばれる2価の基を示すが、X及びXの両方が単結合である場合を除くものとし、m、n、o及びpは独立に0〜4の整数を示す。
なお、「独立に」とは、上記式(2)、(3)の内の一つにおいて、または両方において、複数の連結基X、連結基XとX、複数の置換基R、R、R、R、さらに、整数m、n、o、pが、同一でもよいし、異なっていてもよいことを意味する。
In the above formulas (2) and (3), R 5 , R 6 , R 7 and R 8 each independently represent a halogen atom, or an alkyl group or alkoxy having 1 to 4 carbon atoms, which may be substituted by a halogen atom group, or an alkenyl group, X is independently -O -, - S -, - CH 2 -, - CH (CH 3) -, - C (CH 3) 2 -, - CO -, - COO-, It represents a divalent group selected from -SO 2- , -NH- or -NHCO-, and X 1 and X 2 each independently represent a single bond, -O-, -S-, -CH 2- , -CH ( CH 3 )-, -C (CH 3 ) 2- , -CO-, -COO-, -SO 2- , -NH- or -NHCO-, which is a divalent group selected from X 1 and X 2 Except that both are single bonds, and m, n, o and p independently represent an integer of 0 to 4.
Note that “independently” refers to a plurality of linking groups X, linking groups X 1 and X 2 , and a plurality of substituents R 5 in one or both of the above formulas (2) and (3). R 6 , R 7 and R 8 and the integers m, n, o and p mean that they may be the same or different.

一般式(2)及び(3)で表されるジアミン残基は、屈曲性の部位を有するので、絶縁樹脂層に柔軟性を付与することができる。ここで、一般式(3)で表されるジアミン残基は、ベンゼン環が4個であるので、熱膨張係数(CTE)の増加を抑制するために、ベンゼン環に結合する末端基はパラ位とすることが好ましい。また、絶縁樹脂層に柔軟性を付与しながら熱膨張係数(CTE)の増加を抑制する観点から、一般式(2)及び(3)で表されるジアミン残基は、非熱可塑性ポリイミドに含まれる全ジアミン残基の100モル部に対して、好ましくは5〜30モル部の範囲内、より好ましくは10〜20モル部の範囲内で含有することがよい。一般式(2)及び(3)で表されるジアミン残基が5モル部未満であると、絶縁樹脂層の弾性率が増加して伸度が低下し、折り曲げ耐性等の低下が生じることがあり、30モル部を超えると、分子の配向性が低下し、低CTE化が困難となることがある。   Since the diamine residue represented by General formula (2) and (3) has a site | part of a flexibility, it can provide a softness | flexibility to an insulation resin layer. Here, since the diamine residue represented by the general formula (3) has four benzene rings, the terminal group bonded to the benzene ring has a para position in order to suppress an increase in the thermal expansion coefficient (CTE). It is preferable to Further, from the viewpoint of suppressing the increase of the thermal expansion coefficient (CTE) while providing flexibility to the insulating resin layer, the diamine residue represented by the general formulas (2) and (3) is included in the non-thermoplastic polyimide Preferably, it is contained in the range of 5 to 30 mol parts, more preferably in the range of 10 to 20 mol parts, with respect to 100 mol parts of all diamine residues to be produced. If the diamine residue represented by the general formulas (2) and (3) is less than 5 parts by mole, the elastic modulus of the insulating resin layer is increased to decrease the elongation, and the bending resistance or the like may be reduced. If the amount is more than 30 parts by mole, the orientation of the molecule may be reduced, which may make it difficult to reduce CTE.

一般式(2)で表されるジアミン残基は、m、n及びoの一つ以上が0であるものが好ましく、また、基R、R及びRの好ましい例としては、炭素数1〜4のハロゲン原子で置換されてもよいアルキル基、あるいは炭素数1〜3のアルコキシ基、又は炭素数2〜3のアルケニル基を挙げることができる。また、一般式(2)において、連結基Xの好ましい例としては、−O−、−S−、−CH−、−CH(CH)−、−SO−又は−CO−を挙げることができる。一般式(2)で表されるジアミン残基の好ましい具体例としては、1,3−ビス(4−アミノフェノキシ)ベンゼン(TPE−R)、1,4−ビス(4-アミノフェノキシ)ベンゼン(TPE−Q)、ビス(4‐アミノフェノキシ)−2,5−ジ−tert−ブチルベンゼン(DTBAB)、4,4−ビス(4-アミノフェノキシ)ベンゾフェノン(BAPK)、1,3-ビス[2-(4-アミノフェニル)-2-プロピル]ベンゼン、1,4-ビス[2-(4-アミノフェニル)-2-プロピル]ベンゼン等のジアミン化合物から誘導されるジアミン残基が挙げられる。 The diamine residue represented by the general formula (2) is preferably one in which one or more of m, n and o is 0, and preferred examples of the groups R 5 , R 6 and R 7 include carbon atoms The alkyl group which may be substituted by the halogen atom of 1-4, or a C1-C3 alkoxy group, or a C2-C3 alkenyl group can be mentioned. In the general formula (2), preferred examples of the linking group X include -O-, -S-, -CH 2- , -CH (CH 3 )-, -SO 2 -or -CO-. Can. Preferred specific examples of the diamine residue represented by the general formula (2) include 1,3-bis (4-aminophenoxy) benzene (TPE-R) and 1,4-bis (4-aminophenoxy) benzene TPE-Q), bis (4-aminophenoxy) -2,5-di-tert-butylbenzene (DTBAB), 4,4-bis (4-aminophenoxy) benzophenone (BAPK), 1,3-bis [2 Examples include diamine residues derived from diamine compounds such as-(4-aminophenyl) -2-propyl] benzene and 1,4-bis [2- (4-aminophenyl) -2-propyl] benzene.

一般式(3)で表されるジアミン残基は、m、n、o及びpの一つ以上が0であるものが好ましく、また、基R、R、R及びRの好ましい例としては、炭素数1〜4のハロゲン原子で置換されてもよいアルキル基、あるいは炭素数1〜3のアルコキシ基、又は炭素数2〜3のアルケニル基を挙げることができる。また、一般式(3)において、連結基X及びXの好ましい例としては、単結合、−O−、−S−、−CH−、−CH(CH)−、−SO−又は−CO−を挙げることができる。但し、屈曲部位を付与する観点から、連結基X及びXの両方が単結合である場合を除くものとする。一般式(3)で表されるジアミン残基の好ましい具体例としては、4,4’−ビス(4−アミノフェノキシ)ビフェニル(BAPB)、2,2’−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]プロパン(BAPP)、2,2’−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]エーテル(BAPE)、ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]スルホン等のジアミン化合物から誘導されるジアミン残基が挙げられる。 The diamine residue represented by the general formula (3) is preferably one in which one or more of m, n, o and p is 0, and preferred examples of the groups R 5 , R 6 , R 7 and R 8 As an example, the alkyl group which may be substituted by a C1-C4 halogen atom, or a C1-C3 alkoxy group, or a C2-C3 alkenyl group can be mentioned. In the general formula (3), preferred examples of the linking groups X 1 and X 2 include a single bond, -O-, -S-, -CH 2- , -CH (CH 3 )-and -SO 2- Or -CO- can be mentioned. However, from the viewpoint of providing a bending site, the case where both of the linking groups X 1 and X 2 are single bonds is excluded. Preferred specific examples of the diamine residue represented by the general formula (3) include 4,4′-bis (4-aminophenoxy) biphenyl (BAPB), 2,2′-bis [4- (4-aminophenoxy) ) Derived from diamine compounds such as phenyl] propane (BAPP), 2,2'-bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] ether (BAPE), bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] sulfone and the like And diamine residues.

一般式(2)で表されるジアミン残基の中でも、1,3−ビス(4−アミノフェノキシ)ベンゼン(TPE−R)から誘導されるジアミン残基(「TPE−R残基」と記すことがある)が特に好ましく、一般式(3)で表されるジアミン残基の中でも、2,2’−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]プロパン(BAPP)から誘導されるジアミン残基(「BAPP残基」と記すことがある)が特に好ましい。TPE−R残基及びBAPP残基は、屈曲性の部位を有するので、絶縁樹脂層の弾性率を低下させ、柔軟性を付与することができる。また、BAPP残基は分子量が大きいため、非熱可塑性ポリイミドのイミド基濃度を下げ、絶縁樹脂層の吸湿を抑制する効果も期待できる。   Among diamine residues represented by the general formula (2), a diamine residue (“TPE-R residue”) derived from 1,3-bis (4-aminophenoxy) benzene (TPE-R) Particularly preferred among the diamine residues represented by the general formula (3) is a diamine residue derived from 2,2'-bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] propane (BAPP) (Sometimes referred to as "BAPP residues") are particularly preferred. Since the TPE-R residue and the BAPP residue have a flexible site, the elastic modulus of the insulating resin layer can be reduced to impart flexibility. Further, since the BAPP residue has a large molecular weight, the effect of suppressing the moisture absorption of the insulating resin layer can also be expected by lowering the imide group concentration of the non-thermoplastic polyimide.

非熱可塑性ポリイミドに含まれる他のジアミン残基としては、例えば、m‐フェニレンジアミン(m−PDA)、4,4'-ジアミノジフェニルエーテル(4,4'-DAPE)、3,3'−ジアミノジフェニルエーテル、3,4'−ジアミノジフェニルエーテル、4,4'−ジアミノジフェニルメタン、3,3'−ジアミノジフェニルメタン、3,4'−ジアミノジフェニルメタン、4,4'−ジアミノジフェニルプロパン、3,3'−ジアミノジフェニルプロパン、3,4'−ジアミノジフェニルプロパン、4,4'−ジアミノジフェニルスルフィド、3,3'−ジアミノジフェニルスルフィド、3,4'−ジアミノジフェニルスルフィド、4,4'−ジアミノジフェニルスルホン、3,3'−ジアミノジフェニルスルホン、4,4'−ジアミノベンゾフェノン、3,4'−ジアミノベンゾフェノン、3,3'−ジアミノベンゾフェノン、2,2-ビス-[4-(3-アミノフェノキシ)フェニル]プロパン、ビス[4-(3−アミノフェノキシ)フェニル]スルホン、ビス[4-(3-アミノフェノキシ)ビフェニル、ビス[1-(3-アミノフェノキシ)]ビフェニル、ビス[4-(3-アミノフェノキシ)フェニル]メタン、ビス[4-(3-アミノフェノキシ)フェニル]エーテル、ビス[4-(3-アミノフェノキシ)]ベンゾフェノン、9,9-ビス[4-(3-アミノフェノキシ)フェニル]フルオレン、2,2−ビス-[4-(4-アミノフェノキシ)フェニル]ヘキサフルオロプロパン、2,2-ビス-[4-(3-アミノフェノキシ)フェニル]ヘキサフルオロプロパン、3,3’-ジメチル-4,4’-ジアミノビフェニル、4,4’-メチレンジ-o-トルイジン、4,4’-メチレンジ-2,6-キシリジン、4,4’-メチレン-2,6-ジエチルアニリン、3,3’-ジアミノジフェニルエタン、3,3’-ジアミノビフェニル、3,3’-ジメトキシベンジジン、3,3''-ジアミノ-p-テルフェニル、4,4'-[1,4-フェニレンビス(1-メチルエチリデン)]ビスアニリン、4,4'-[1,3-フェニレンビス(1-メチルエチリデン)]ビスアニリン、ビス(p-アミノシクロヘキシル)メタン、ビス(p-β-アミノ-t-ブチルフェニル)エーテル、ビス(p-β-メチル-δ-アミノペンチル)ベンゼン、p-ビス(2-メチル-4-アミノペンチル)ベンゼン、p-ビス(1,1-ジメチル-5-アミノペンチル)ベンゼン、1,5-ジアミノナフタレン、2,6-ジアミノナフタレン、2,4-ビス(β-アミノ-t-ブチル)トルエン、2,4-ジアミノトルエン、m-キシレン-2,5-ジアミン、p-キシレン-2,5-ジアミン、m-キシリレンジアミン、p-キシリレンジアミン、2,6-ジアミノピリジン、2,5-ジアミノピリジン、2,5-ジアミノ-1,3,4-オキサジアゾール、ピペラジン等の芳香族ジアミン化合物から誘導されるジアミン残基が挙げられる。   Examples of other diamine residues contained in non-thermoplastic polyimides include m-phenylenediamine (m-PDA), 4,4'-diaminodiphenyl ether (4,4'-DAPE), 3,3'-diaminodiphenyl ether 3,4'-Diaminodiphenyl ether, 4,4'-diaminodiphenylmethane, 3,3'-diaminodiphenylmethane, 3,4'-diaminodiphenylmethane, 4,4'-diaminodiphenylpropane, 3,3'-diaminodiphenylpropane 3,4'-diaminodiphenylpropane, 4,4'-diaminodiphenyl sulfide, 3,3'-diaminodiphenyl sulfide, 3,4'-diaminodiphenyl sulfide, 4,4'-diaminodiphenyl sulfone, 3,3 ' -Diaminodiphenyl sulfone, 4,4'-diaminobenzophenone, 3,4'-diaminobenzo Henone, 3,3'-diaminobenzophenone, 2,2-bis- [4- (3-aminophenoxy) phenyl] propane, bis [4- (3-aminophenoxy) phenyl] sulfone, bis [4- (3- (3-aminophenoxy) phenyl] sulfone Aminophenoxy) biphenyl, bis [1- (3-aminophenoxy)] biphenyl, bis [4- (3-aminophenoxy) phenyl] methane, bis [4- (3-aminophenoxy) phenyl] ether, bis [4- (3-aminophenoxy) benzophenone, 9,9-bis [4- (3-aminophenoxy) phenyl] fluorene, 2,2-bis- [4- (4-aminophenoxy) phenyl] hexafluoropropane, 2, 2-Bis- [4- (3-aminophenoxy) phenyl] hexafluoropropane, 3,3'-dimethyl-4,4'-diaminobiphenyl, 4,4'-methylenedi-o-toluidine, 4,4'- Methylenedi-2,6-xylidine, 4,4'-methylene -2,6-diethylaniline, 3,3'-diaminodiphenylethane, 3,3'-diaminobiphenyl, 3,3'-dimethoxybenzidine, 3,3 ''-diamino-p-terphenyl, 4,4 ' -[1,4-phenylenebis (1-methylethylidene)] bisaniline, 4,4 '-[1,3-phenylenebis (1-methylethylidene)] bisaniline, bis (p-aminocyclohexyl) methane, bis (p -β-amino-t-butylphenyl) ether, bis (p-β-methyl-δ-aminopentyl) benzene, p-bis (2-methyl-4-aminopentyl) benzene, p-bis (1,1-) Dimethyl-5-aminopentyl) benzene, 1,5-diaminonaphthalene, 2,6-diaminonaphthalene, 2,4-bis (β-amino-t-butyl) toluene, 2,4-diaminotoluene, m-xylene 2,5-diamine, p-xylene-2,5-diamine, m-xylylenediamine, p-xylylenediamine, 2,6-diaminopyridine, 2,5-dia Nopirijin, 2,5-diamino-1,3,4-oxadiazole, and a diamine residue derived from an aromatic diamine compound of piperazine.

非熱可塑性ポリイミドにおいて、上記テトラカルボン酸残基及びジアミン残基の種類や、2種以上のテトラカルボン酸残基又はジアミン残基を適用する場合のそれぞれのモル比を選定することにより、熱膨張係数、貯蔵弾性率、引張弾性率等を制御することができる。また、非熱可塑性ポリイミドにおいて、ポリイミドの構造単位を複数有する場合は、ブロックとして存在しても、ランダムに存在していてもよいが、面内複屈折率(Δn)のばらつきを抑制する観点から、ランダムに存在することが好ましい。   Thermal expansion by selecting the types of the above-mentioned tetracarboxylic acid residue and diamine residue, and the molar ratios of two or more tetracarboxylic acid residues or diamine residues in the non-thermoplastic polyimide Modulus, storage modulus, tensile modulus, etc. can be controlled. Moreover, in the non-thermoplastic polyimide, in the case of having a plurality of structural units of polyimide, they may be present as a block or may be present randomly, but from the viewpoint of suppressing the variation in in-plane birefringence (Δn) Preferably, they exist randomly.

非熱可塑性ポリイミドのイミド基濃度は、35重量%以下であることが好ましい。ここで、「イミド基濃度」は、ポリイミド中のイミド基部(−(CO)−N−)の分子量を、ポリイミドの構造全体の分子量で除した値を意味する。イミド基濃度が35重量%を超えると、樹脂自体の分子量が小さくなるとともに、極性基の増加によって低吸湿性も悪化する。上記酸無水物とジアミン化合物の組み合わせを選択することによって、非熱可塑性ポリイミド中の分子の配向性を制御することで、イミド基濃度低下に伴うCTEの増加を抑制し、低吸湿性を担保している。 The imide group concentration of the non-thermoplastic polyimide is preferably 35% by weight or less. Here, "imide group concentration" means the value which remove | divided the molecular weight of the imide base (-(CO) 2 -N-) in a polyimide by the molecular weight of the whole structure of a polyimide. When the imide group concentration exceeds 35% by weight, the molecular weight of the resin itself decreases, and the low hygroscopicity also deteriorates due to the increase of the polar group. By controlling the orientation of the molecules in the non-thermoplastic polyimide by selecting the combination of the above acid anhydride and diamine compound, the increase in CTE accompanying the decrease in imide group concentration is suppressed, and low moisture absorption is ensured. ing.

非熱可塑性ポリイミドの重量平均分子量は、例えば10,000〜400,000の範囲内が好ましく、50,000〜350,000の範囲内がより好ましい。重量平均分子量が10,000未満であると、絶縁樹脂層の強度が低下して脆化しやすい傾向となる。一方、重量平均分子量が400,000を超えると、過度に粘度が増加して塗工作業の際に厚みムラ、スジ等の不良が発生しやすい傾向になる。   The weight average molecular weight of the non-thermoplastic polyimide is, for example, preferably in the range of 10,000 to 400,000, and more preferably in the range of 50,000 to 350,000. If the weight-average molecular weight is less than 10,000, the strength of the insulating resin layer tends to be reduced and the resin tends to be brittle. On the other hand, when the weight average molecular weight exceeds 400,000, the viscosity is excessively increased, and defects such as thickness unevenness and streaks tend to easily occur during the coating operation.

(熱可塑性ポリイミド)
本実施の形態において、熱可塑性ポリイミド層を構成する熱可塑性ポリイミドは、テトラカルボン酸残基及びジアミン残基を含み、これらがいずれも芳香族基を含むことが好ましい。熱可塑性ポリイミドに含まれるテトラカルボン酸残基及びジアミン残基が、いずれも芳香族基を含むことによって、絶縁樹脂層の高温環境下での面内複屈折率(Δn)の変化量を抑制することができる。
(Thermoplastic polyimide)
In the present embodiment, it is preferable that the thermoplastic polyimide constituting the thermoplastic polyimide layer contains a tetracarboxylic acid residue and a diamine residue, both of which contain an aromatic group. The tetracarboxylic acid residue and the diamine residue contained in the thermoplastic polyimide both contain an aromatic group, thereby suppressing the amount of change in the in-plane birefringence (Δn) of the insulating resin layer in a high temperature environment be able to.

熱可塑性ポリイミドに含まれるテトラカルボン酸残基としては、特に制限はないが、例えば、ピロメリット酸二無水物(PMDA)から誘導されるテトラカルボン酸残基(以下、PMDA残基ともいう。)、3,3',4,4'-ビフェニルテトラカルボン酸二無水物(BPDA)から誘導されるテトラカルボン酸残基(以下、BPDA残基ともいう。)が好ましく挙げられる。これらのテトラカルボン酸残基は、秩序構造を形成しやすく、高温環境下での面内複屈折率(Δn)の変化量を小さくすることができる。また、PMDA残基は、熱膨張係数の制御とガラス転移温度の制御の役割を担う残基である。更に、BPDA残基は、テトラカルボン酸残基の中でも極性基がなく比較的分子量が大きいため、熱可塑性ポリイミドのイミド基濃度を下げ、絶縁樹脂層の吸湿を抑制する効果も期待できる。このような観点から、PMDA残基及び/又はBPDA残基の合計量が、熱可塑性ポリイミドに含まれる全テトラカルボン酸残基の100モル部に対して、好ましくは50モル部以上、より好ましくは50〜100モル部の範囲内、最も好ましくは70〜100モル部の範囲内であることがよい。   The tetracarboxylic acid residue contained in the thermoplastic polyimide is not particularly limited, but is, for example, a tetracarboxylic acid residue derived from pyromellitic dianhydride (PMDA) (hereinafter, also referred to as PMDA residue). Preferred are tetracarboxylic acid residues derived from 3,3 ′, 4,4′-biphenyltetracarboxylic acid dianhydride (BPDA) (hereinafter also referred to as BPDA residues). These tetracarboxylic acid residues tend to form an ordered structure, and the amount of change in in-plane birefringence (Δn) under a high temperature environment can be reduced. In addition, PMDA residues are residues responsible for controlling the thermal expansion coefficient and controlling the glass transition temperature. Furthermore, since the BPDA residue has no polar group among tetracarboxylic acid residues and has a relatively large molecular weight, the imide group concentration of the thermoplastic polyimide can be lowered to suppress the moisture absorption of the insulating resin layer. From such a viewpoint, the total amount of PMDA residues and / or BPDA residues is preferably 50 mol parts or more, more preferably 100 mol parts or more with respect to 100 mol parts of all tetracarboxylic acid residues contained in the thermoplastic polyimide. It may be in the range of 50 to 100 parts by mole, most preferably in the range of 70 to 100 parts by mole.

熱可塑性ポリイミドに含まれる他のテトラカルボン酸残基としては、上記非熱可塑性ポリイミドで例示したものと同様の芳香族テトラカルボン酸二無水物から誘導されるテトラカルボン酸残基が挙げられる。   Other tetracarboxylic acid residues contained in the thermoplastic polyimide include tetracarboxylic acid residues derived from aromatic tetracarboxylic acid dianhydride similar to those exemplified for the non-thermoplastic polyimide.

本実施の形態において、熱可塑性ポリイミドに含まれるジアミン残基としては、上記一般式(2)及び(3)から選ばれる少なくとも一種のジアミン残基が好ましい。一般式(2)及び(3)から選ばれるジアミン残基は、全ジアミン残基の100モル部に対して、合計で50モル部以上であることが好ましく、50〜100モル部であることがより好ましく、70〜100モル部の範囲内が最も好ましい。一般式(2)及び(3)から選ばれるジアミン残基を、全ジアミン残基の100モル部に対して、合計で50モル部以上含むことによって、熱可塑性ポリイミド層に柔軟性と接着性を付与し、金属層に対する接着層として機能させることができる。また、一般式(2)で表されるジアミン残基の中でも、TPE−R残基が特に好ましく、一般式(3)で表されるジアミン残基の中でもBAPP残基が特に好ましい。TPE−R残基及びBAPP残基は、屈曲性の部位を有するので、絶縁樹脂層の弾性率を低下させ、柔軟性を付与することができる。また、BAPP残基は分子量が大きいため、熱可塑性ポリイミドのイミド基濃度を下げ、絶縁樹脂層の吸湿を抑制する効果も期待できる。   In the present embodiment, as the diamine residue contained in the thermoplastic polyimide, at least one diamine residue selected from the above general formulas (2) and (3) is preferable. The diamine residue selected from the general formulas (2) and (3) is preferably 50 mol parts or more in total with respect to 100 mol parts of all diamine residues, and is 50 to 100 mol parts. More preferably, it is most preferably in the range of 70 to 100 parts by mole. By containing a diamine residue selected from the general formulas (2) and (3) in a total amount of 50 mol parts or more in total with respect to 100 mol parts of all diamine residues, flexibility and adhesiveness are obtained in the thermoplastic polyimide layer. Can be applied and function as an adhesive layer to the metal layer. Moreover, among the diamine residues represented by General Formula (2), a TPE-R residue is particularly preferable, and among the diamine residues represented by General Formula (3), a BAPP residue is particularly preferable. Since the TPE-R residue and the BAPP residue have a flexible site, the elastic modulus of the insulating resin layer can be reduced to impart flexibility. Further, since the BAPP residue has a large molecular weight, the effect of suppressing the moisture absorption of the insulating resin layer can also be expected by lowering the imide group concentration of the thermoplastic polyimide.

また、上述のように、非熱可塑性ポリイミド層を構成する非熱可塑性ポリイミドが、一般式(2)及び(3)から選ばれるジアミン残基を含有する場合には、熱可塑性ポリイミド層を構成する熱可塑性ポリイミドも、ジアミン残基として、類似した構造、好ましくは一般式(2)及び(3)から選ばれる同種のジアミン残基を含有することがよい。この場合、熱可塑性ポリイミドと非熱可塑性ポリイミドでは、ジアミン残基の含有比率は異なるものとなるが、類似若しくは同種のジアミン残基を含有することで、特にキャスト法によってポリイミドフィルムを形成する際に、熱可塑性ポリイミド層と非熱可塑性ポリイミド層の配向制御が容易になり、寸法精度を管理しやすくなる。このような観点から、本実施の形態では、非熱可塑性ポリイミド層を構成する非熱可塑性ポリイミドと、熱可塑性ポリイミド層を構成する熱可塑性ポリイミドがいずれも上記一般式(2)及び(3)から選ばれる少なくとも一種のジアミン残基を含有することが好ましく、該ジアミン残基が、TPE−R残基及び/又はBAPP残基を含有することが最も好ましい。   Further, as described above, when the non-thermoplastic polyimide constituting the non-thermoplastic polyimide layer contains a diamine residue selected from the general formulas (2) and (3), the thermoplastic polyimide layer is constituted. The thermoplastic polyimide may also contain, as a diamine residue, a similar structure, preferably a diamine residue of the same type selected from general formulas (2) and (3). In this case, the thermoplastic polyimide and the non-thermoplastic polyimide differ in the content ratio of diamine residues, but when containing similar or identical diamine residues, particularly when forming a polyimide film by a casting method The orientation control of the thermoplastic polyimide layer and the non-thermoplastic polyimide layer becomes easy, and the dimensional accuracy can be easily managed. From this point of view, in the present embodiment, the non-thermoplastic polyimide constituting the non-thermoplastic polyimide layer and the thermoplastic polyimide constituting the thermoplastic polyimide layer are both from the general formulas (2) and (3). It is preferable to contain at least one selected diamine residue, and it is most preferable that the diamine residue contains a TPE-R residue and / or a BAPP residue.

本実施の形態において、熱可塑性ポリイミドに含まれる、上記一般式(2)及び(3)以外のジアミン残基としては、例えば、2,2’−ジメチル−4,4’−ジアミノビフェニル(m−TB)、2,2’−ジエチル−4,4’−ジアミノビフェニル(m−EB)、2,2’−ジエトキシ−4,4’−ジアミノビフェニル(m−EOB)、2,2’−ジプロポキシ−4,4’−ジアミノビフェニル(m−POB)、2,2’−n−プロピル−4,4’−ジアミノビフェニル(m−NPB)、2,2’−ジビニル−4,4’−ジアミノビフェニル(VAB)、4,4’−ジアミノビフェニル、4,4’-ジアミノ-2,2’-ビス(トリフルオロメチル)ビフェニル(TFMB)、p‐フェニレンジアミン(p−PDA)、m‐フェニレンジアミン(m−PDA)、3,3’-ジアミノジフェニルメタン、3,3’-ジアミノジフェニルプロパン、3,3’-ジアミノジフェニルスルフィド、3,3’-ジアミノジフェニルスルホン、3,3-ジアミノジフェニルエーテル、3,4'-ジアミノジフェニルエーテル、3,4’-ジアミノジフェニルメタン、3,4’-ジアミノジフェニルプロパン、3,4’-ジアミノジフェニルスルフィド、3,3’-ジアミノベンゾフェノン、(3,3’-ビスアミノ)ジフェニルアミン、1,4-ビス(3-アミノフェノキシ)ベンゼン、3-[4-(4-アミノフェノキシ)フェノキシ]ベンゼンアミン、3-[3-(4-アミノフェノキシ)フェノキシ]ベンゼンアミン、1,3-ビス(3-アミノフェノキシ)ベンゼン(APB)、4,4'-[2-メチル-(1,3-フェニレン)ビスオキシ]ビスアニリン、4,4'-[4-メチル-(1,3-フェニレン)ビスオキシ]ビスアニリン、4,4'-[5-メチル-(1,3-フェニレン)ビスオキシ]ビスアニリン、ビス[4-(3-アミノフェノキシ)フェニル]メタン、ビス[4-(3-アミノフェノキシ)フェニル]プロパン、ビス[4-(3-アミノフェノキシ)フェニル]エーテル、ビス[4-(3-アミノフェノキシ)フェニル]スルホン、ビス[4-(3-アミノフェノキシ)]ベンゾフェノン、ビス[4,4'-(3-アミノフェノキシ)]ベンズアニリド、4-[3-[4-(4-アミノフェノキシ)フェノキシ]フェノキシ]アニリン、4,4’-[オキシビス(3,1-フェニレンオキシ)]ビスアニリン、ビス[4-(4-アミノフェノキシ)フェニル]エーテル(BAPE)、ビス[4-(4-アミノフェノキシ)フェニル]ケトン(BAPK)、ビス[4-(3-アミノフェノキシ)]ビフェニル、ビス[4-(4-アミノフェノキシ)]ビフェニル等のジアミン化合物から誘導されるジアミン残基を挙げることができる。   In the present embodiment, examples of the diamine residue other than the general formulas (2) and (3) contained in the thermoplastic polyimide include, for example, 2,2'-dimethyl-4,4'-diaminobiphenyl (m- TB), 2,2'-diethyl-4,4'-diaminobiphenyl (m-EB), 2,2'-diethoxy-4,4'-diaminobiphenyl (m-EOB), 2,2'-dipropoxy- 4,4'-Diaminobiphenyl (m-POB), 2,2'-n-propyl-4,4'-diaminobiphenyl (m-NPB), 2,2'-divinyl-4,4'-diaminobiphenyl VAB), 4,4′-diaminobiphenyl, 4,4′-diamino-2,2′-bis (trifluoromethyl) biphenyl (TFMB), p-phenylenediamine (p-PDA), m-phenylenediamine (m -PDA), 3, 3 -Diaminodiphenylmethane, 3,3'-diaminodiphenylpropane, 3,3'-diaminodiphenyl sulfide, 3,3'-diaminodiphenyl sulfone, 3,3-diaminodiphenyl ether, 3,4'-diaminodiphenyl ether, 3,4 ' -Diaminodiphenylmethane, 3,4'-diaminodiphenylpropane, 3,4'-diaminodiphenyl sulfide, 3,3'-diaminobenzophenone, (3,3'-bisamino) diphenylamine, 1,4-bis (3-aminophenoxy ) Benzene, 3- [4- (4-aminophenoxy) phenoxy] benzeneamine, 3- [3- (4-aminophenoxy) phenoxy] benzeneamine, 1,3-bis (3-aminophenoxy) benzene (APB) 4,4 '-[2-Methyl- (1,3-phenylene) bisoxy] bisaniline, 4,4'-[4-Methyl- (1,3-phenylene) bisoxy] bisaniline, 4,4 '-[5 -Methyl- (1,3-phenylene) Sulfoxy] bisaniline, bis [4- (3-aminophenoxy) phenyl] methane, bis [4- (3-aminophenoxy) phenyl] propane, bis [4- (3-aminophenoxy) phenyl] ether, bis [4- (3-aminophenoxy) phenyl] sulfone, bis [4- (3-aminophenoxy)] benzophenone, bis [4,4 '-(3-aminophenoxy)] benzanilide, 4- [3- [4- (4-) Aminophenoxy) phenoxy] phenoxy] aniline, 4,4 '-[oxybis (3,1-phenyleneoxy)] bisaniline, bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] ether (BAPE), bis [4- (4) -Diamine residue derived from diamine compounds such as -aminophenoxy) phenyl] ketone (BAPK), bis [4- (3-aminophenoxy)] biphenyl, bis [4- (4-aminophenoxy)] biphenyl Can be mentioned.

熱可塑性ポリイミドにおいて、上記テトラカルボン酸残基及びジアミン残基の種類や、2種以上のテトラカルボン酸残基又はジアミン残基を適用する場合のそれぞれのモル比を選定することにより、熱膨張係数、引張弾性率、ガラス転移温度等を制御することができる。また、熱可塑性ポリイミドにおいて、ポリイミドの構造単位を複数有する場合は、ブロックとして存在しても、ランダムに存在していてもよいが、ランダムに存在することが好ましい。   In the thermoplastic polyimide, the thermal expansion coefficient is selected by selecting the types of the above-mentioned tetracarboxylic acid residue and diamine residue, and the respective molar ratios in the case of applying two or more kinds of tetracarboxylic acid residues or diamine residues. , Tensile modulus, glass transition temperature, etc. can be controlled. Moreover, in the thermoplastic polyimide, when it has a plurality of structural units of polyimide, it may be present as a block or randomly, but it is preferably present randomly.

熱可塑性ポリイミド層を構成する熱可塑性ポリイミドは、金属層との密着性を向上させることができる。このような熱可塑性ポリイミドは、ガラス転移温度が200℃以上350℃以下の範囲内、好ましくは200℃以上320℃以下の範囲内である。   The thermoplastic polyimide which comprises a thermoplastic polyimide layer can improve adhesiveness with a metal layer. Such a thermoplastic polyimide has a glass transition temperature in the range of 200 ° C. to 350 ° C., preferably in the range of 200 ° C. to 320 ° C.

熱可塑性ポリイミドのイミド基濃度は、35重量%以下であることが好ましい。ここで、「イミド基濃度」は、ポリイミド中のイミド基部(−(CO)−N−)の分子量を、ポリイミドの構造全体の分子量で除した値を意味する。イミド基濃度が35重量%を超えると、樹脂自体の分子量が小さくなるとともに、極性基の増加によって低吸湿性も悪化する。上記酸無水物とジアミン化合物の組み合わせを選択することによって、熱可塑性ポリイミド中の分子の配向性を制御することで、イミド基濃度低下に伴うCTEの増加を抑制し、低吸湿性を担保している。 The imide group concentration of the thermoplastic polyimide is preferably 35% by weight or less. Here, "imide group concentration" means the value which remove | divided the molecular weight of the imide base (-(CO) 2 -N-) in a polyimide by the molecular weight of the whole structure of a polyimide. When the imide group concentration exceeds 35% by weight, the molecular weight of the resin itself decreases, and the low hygroscopicity also deteriorates due to the increase of the polar group. By selecting the combination of the acid anhydride and the diamine compound, by controlling the orientation of the molecules in the thermoplastic polyimide, it is possible to suppress the increase in CTE associated with the reduction of the imide group concentration and ensure low hygroscopicity. There is.

熱可塑性ポリイミドの重量平均分子量は、例えば10,000〜400,000の範囲内が好ましく、50,000〜350,000の範囲内がより好ましい。重量平均分子量が10,000未満であると、絶縁樹脂層の強度が低下して脆化しやすい傾向となる。一方、重量平均分子量が400,000を超えると、過度に粘度が増加して塗工作業の際に厚みムラ、スジ等の不良が発生しやすい傾向になる。   The weight average molecular weight of the thermoplastic polyimide is, for example, preferably in the range of 10,000 to 400,000, and more preferably in the range of 50,000 to 350,000. If the weight-average molecular weight is less than 10,000, the strength of the insulating resin layer tends to be reduced and the resin tends to be brittle. On the other hand, when the weight average molecular weight exceeds 400,000, the viscosity is excessively increased, and defects such as thickness unevenness and streaks tend to easily occur during the coating operation.

(非熱可塑性ポリイミド及び熱可塑性ポリイミドの合成)
一般にポリイミドは、テトラカルボン酸二無水物と、ジアミン化合物を溶媒中で反応させ、ポリアミド酸を生成したのち加熱閉環させることにより製造できる。例えば、テトラカルボン酸二無水物とジアミン化合物をほぼ等モルで有機溶媒中に溶解させて、0〜100℃の範囲内の温度で30分〜24時間撹拌し重合反応させることでポリイミドの前駆体であるポリアミド酸が得られる。反応にあたっては、生成する前駆体が有機溶媒中に5〜30重量%の範囲内、好ましくは10〜20重量%の範囲内となるように反応成分を溶解する。重合反応に用いる有機溶媒としては、例えば、N,N−ジメチルホルムアミド(DMF)、N,N−ジメチルアセトアミド(DMAc)、N,N−ジエチルアセトアミド、N−メチル−2−ピロリドン(NMP)、2−ブタノン、ジメチルスホキシド(DMSO)、ヘキサメチルホスホルアミド、N−メチルカプロラクタム、硫酸ジメチル、シクロヘキサノン、ジオキサン、テトラヒドロフラン、ジグライム、トリグライム、クレゾール等が挙げられる。これらの溶媒を2種以上併用して使用することもでき、更にはキシレン、トルエンのような芳香族炭化水素の併用も可能である。また、このような有機溶媒の使用量としては特に制限されるものではないが、重合反応によって得られるポリアミド酸溶液の濃度が5〜30重量%程度になるような使用量に調整して用いることが好ましい。
(Synthesis of non-thermoplastic polyimide and thermoplastic polyimide)
In general, a polyimide can be produced by reacting tetracarboxylic acid dianhydride and a diamine compound in a solvent to form a polyamic acid and then thermally cyclizing the ring. For example, a precursor of polyimide is obtained by dissolving tetracarboxylic acid dianhydride and a diamine compound in an equimolar amount in an organic solvent and stirring for 30 minutes to 24 hours at a temperature in the range of 0 to 100 ° C. The polyamic acid which is In the reaction, the reaction components are dissolved in the organic solvent such that the precursor produced is in the range of 5 to 30% by weight, preferably in the range of 10 to 20% by weight. Examples of the organic solvent used for the polymerization reaction include N, N-dimethylformamide (DMF), N, N-dimethylacetamide (DMAc), N, N-diethylacetamide, N-methyl-2-pyrrolidone (NMP), 2 -Butanone, dimethyl sulfoxide (DMSO), hexamethylphosphoramide, N-methylcaprolactam, dimethyl sulfate, cyclohexanone, dioxane, tetrahydrofuran, diglyme, triglyme, cresol and the like. Two or more of these solvents can be used in combination, and further, a combination of aromatic hydrocarbons such as xylene and toluene is also possible. The amount of such an organic solvent used is not particularly limited, but it is preferable to adjust the amount of the polyamic acid solution obtained by the polymerization reaction to be about 5 to 30% by weight. Is preferred.

合成されたポリアミド酸は、通常、反応溶媒溶液として使用することが有利であるが、必要により濃縮、希釈又は他の有機溶媒に置換することができる。また、ポリアミド酸は一般に溶媒可溶性に優れるので、有利に使用される。ポリアミド酸の溶液の粘度は、500cps〜100,000cpsの範囲内であることが好ましい。この範囲を外れると、コーター等による塗工作業の際にフィルムに厚みムラ、スジ等の不良が発生し易くなる。ポリアミド酸をイミド化させる方法は、特に制限されず、例えば前記溶媒中で、80〜400℃の範囲内の温度条件で1〜24時間かけて加熱するといった熱処理が好適に採用される。   Although it is usually advantageous to use the synthesized polyamic acid as a reaction solvent solution, it can be concentrated, diluted or replaced with another organic solvent as required. Also, polyamic acids are advantageously used because they are generally excellent in solvent solubility. The viscosity of the solution of polyamic acid is preferably in the range of 500 cps to 100,000 cps. If the thickness is out of this range, defects such as thickness unevenness and streaks tend to occur in the film during coating operation with a coater or the like. The method for imidizing the polyamic acid is not particularly limited, and for example, heat treatment such as heating in the solvent at temperature conditions within a range of 80 to 400 ° C. for 1 to 24 hours is suitably adopted.

<金属層>
金属層を構成する金属としては、例えば、銅、アルミニウム、ステンレス、鉄、銀、パラジウム、ニッケル、クロム、モリブデン、タングステン、ジルコニウム、金、コバルト、チタン、タンタル、亜鉛、鉛、錫、シリコン、ビスマス、インジウム又はこれらの合金などから選択される金属を挙げることができる。金属層は、スパッタ、蒸着、めっき等の方法で形成することもできるが、接着性の観点から金属箔を用いることが好ましい。導電性の点で特に好ましいものは銅箔である。銅箔は、電解銅箔、圧延銅箔のいずれでもよい。なお、本実施の形態の金属張積層板を連続的に生産する場合には、金属箔として、所定の厚さのものがロール状に巻き取られた長尺状の金属箔が用いられる。
<Metal layer>
Examples of the metal constituting the metal layer include copper, aluminum, stainless steel, iron, silver, palladium, nickel, chromium, molybdenum, tungsten, zirconium, gold, cobalt, titanium, tantalum, zinc, lead, tin, silicon, bismuth And metals selected from indium and alloys thereof. The metal layer can be formed by a method such as sputtering, vapor deposition, plating or the like, but it is preferable to use a metal foil from the viewpoint of adhesiveness. Particularly preferred in terms of conductivity is copper foil. The copper foil may be either an electrolytic copper foil or a rolled copper foil. In addition, when manufacturing the metal-clad laminated board of this Embodiment continuously, the elongate metal foil by which the thing of predetermined | prescribed thickness was wound up by roll shape as metal foil is used.

以下、金属張積層板の好ましい実施の形態として、銅層を有する銅張積層板を挙げて、説明する。   Hereinafter, as a preferred embodiment of the metal-clad laminate, a copper-clad laminate having a copper layer will be described and described.

<銅張積層板>
本実施の形態の銅張積層板は、絶縁層と、該絶縁層の少なくとも一方の面に銅箔等の銅層を備えていればよい。また、絶縁層と銅層の接着性を高めるために、絶縁層における銅層に接する層が、熱可塑性ポリイミド層である。銅層は、絶縁層の片面又は両面に設けられている。つまり、本実施の形態の銅張積層板は、片面銅張積層板(片面CCL)でもよいし、両面銅張積層板(両面CCL)でもよい。片面CCLの場合、絶縁層の片面に積層された銅層を、本発明における「第1の銅層」とする。両面CCLの場合、絶縁層の片面に積層された銅層を、本発明における「第1の銅層」とし、絶縁層において、第1の銅層が積層された面とは反対側の面に積層された銅層を、本発明における「第2の銅層」とする。本実施の形態の銅張積層板は、銅層をエッチングするなどして配線回路加工して銅配線を形成し、FPCとして使用される。
<Copper-clad laminates>
The copper-clad laminate of this embodiment may be provided with an insulating layer and a copper layer such as copper foil on at least one surface of the insulating layer. Further, in order to enhance the adhesion between the insulating layer and the copper layer, the layer in contact with the copper layer in the insulating layer is a thermoplastic polyimide layer. The copper layer is provided on one side or both sides of the insulating layer. That is, the copper-clad laminate of this embodiment may be a single-sided copper-clad laminate (single-sided CCL) or a double-sided copper-clad laminate (double-sided CCL). In the case of single-sided CCL, the copper layer laminated on one side of the insulating layer is taken as the "first copper layer" in the present invention. In the case of double-sided CCL, the copper layer laminated on one side of the insulating layer is referred to as the “first copper layer” in the present invention, and the insulating layer is on the side opposite to the side on which the first copper layer is laminated. Let the laminated | stacked copper layer be "the 2nd copper layer" in this invention. The copper-clad laminate of this embodiment is used as an FPC by forming a copper wiring by processing a wiring circuit by etching a copper layer or the like.

銅張積層板は、例えば樹脂フィルムを用意し、これに金属をスパッタリングしてシード層を形成した後、例えば銅メッキによって銅層を形成することによって調製してもよい。   The copper-clad laminate may be prepared, for example, by preparing a resin film and sputtering a metal thereon to form a seed layer, and then forming a copper layer by, for example, copper plating.

また、銅張積層板は、樹脂フィルムを用意し、これに銅箔を熱圧着などの方法でラミネートすることによって調製してもよい。   Alternatively, a copper-clad laminate may be prepared by preparing a resin film and laminating a copper foil thereon by a method such as thermocompression bonding.

さらに、銅張積層板は、銅箔の上にポリイミドの前駆体であるポリアミド酸を含有する塗布液をキャストし、乾燥して塗布膜とした後、熱処理してイミド化し、ポリイミド層を形成することによって調製してもよい。   Furthermore, a copper-clad laminate is cast on a copper foil with a coating solution containing a polyamide acid which is a precursor of polyimide, dried to form a coating film, and then heat treated to form an polyimide layer. It may be prepared by

(第1の銅層)
本実施の形態の銅張積層板において、第1の銅層に使用される銅箔(以下、「第1の銅箔」と記すことがある)は、特に限定されるものではなく、例えば、圧延銅箔でも電解銅箔でもよい。
(First copper layer)
In the copper clad laminate of the present embodiment, the copper foil used in the first copper layer (hereinafter sometimes referred to as "first copper foil") is not particularly limited, and, for example, It may be a rolled copper foil or an electrolytic copper foil.

第1の銅箔の厚みは、好ましくは13μm以下であり、より好ましくは6〜12μmの範囲内がよい。第1の銅箔の厚みが13μmを超えると、銅張積層板(又はFPC)を折り曲げた際の銅層(又は銅配線)に加わる曲げ応力が大きくなることにより耐折り曲げ性が低下することとなる。また、生産安定性及びハンドリング性の観点から、第1の銅箔の厚みの下限値は6μmとすることが好ましい。   The thickness of the first copper foil is preferably 13 μm or less, more preferably 6 to 12 μm. When the thickness of the first copper foil exceeds 13 μm, the bending resistance applied to the copper layer (or copper wiring) when bending the copper-clad laminate (or FPC) becomes large, and the bending resistance decreases. Become. Moreover, it is preferable that the lower limit of the thickness of a 1st copper foil shall be 6 micrometers from a viewpoint of production stability and handling property.

また、第1の銅箔の引張弾性率は、例えば、10〜35GPaの範囲内であることが好ましく、15〜25GPaの範囲内がより好ましい。本実施の形態で第1の銅箔として圧延銅箔を使用する場合は、熱処理によってアニールされると、柔軟性が高くなりやすい。従って、銅箔の引張弾性率が上記下限値に満たないと、長尺な第1の銅箔上に絶縁層を形成する工程において、加熱によって第1の銅箔自体の剛性が低下してしまう。一方、引張弾性率が上記上限値を超えるとFPCを折り曲げた際に銅配線により大きな曲げ応力が加わることとなり、その耐折り曲げ性が低下する。なお、圧延銅箔は、銅箔上に絶縁層を形成する際の熱処理条件や、絶縁層を形成した後の銅箔のアニール処理などにより、その引張弾性率が変化する傾向がある。従って、本実施の形態では、最終的に得られた銅張積層板において、第1の銅箔の引張弾性率が上記範囲内にあればよい。   The tensile modulus of elasticity of the first copper foil is, for example, preferably in the range of 10 to 35 GPa, and more preferably in the range of 15 to 25 GPa. In the case of using a rolled copper foil as the first copper foil in the present embodiment, the flexibility tends to be high when annealed by heat treatment. Therefore, if the tensile modulus of the copper foil does not reach the above lower limit, the rigidity of the first copper foil itself is reduced by heating in the step of forming the insulating layer on the long first copper foil. . On the other hand, when the tensile elastic modulus exceeds the above upper limit value, a large bending stress is applied to the copper wiring when the FPC is bent, and the bending resistance thereof is reduced. The tensile elastic modulus of the rolled copper foil tends to change due to heat treatment conditions when forming the insulating layer on the copper foil, annealing treatment of the copper foil after forming the insulating layer, and the like. Therefore, in the present embodiment, in the copper clad laminate finally obtained, the tensile modulus of the first copper foil may be in the above range.

第1の銅箔は、特に限定されるものではなく、市販されている圧延銅箔を用いることができる。   The first copper foil is not particularly limited, and commercially available rolled copper foil can be used.

(第2の銅層)
第2の銅層は、絶縁層における第1の銅層とは反対側の面に積層されている。第2の銅層に使用される銅箔(第2の銅箔)としては、特に限定されるものではなく、例えば、圧延銅箔でも電解銅箔でもよい。また、第2の銅箔として、市販されている銅箔を用いることもできる。なお、第2の銅箔として、第1の銅箔と同じものを使用してもよい。
(Second copper layer)
The second copper layer is laminated on the surface of the insulating layer opposite to the first copper layer. It does not specifically limit as copper foil (2nd copper foil) used for a 2nd copper layer, For example, a rolled copper foil or an electrolytic copper foil may be sufficient. Moreover, the copper foil marketed can also be used as a 2nd copper foil. In addition, you may use the same thing as 1st copper foil as 2nd copper foil.

<回路基板>
本実施の形態の金属張積層板は、主にFPC等の回路基板の材料として有用である。例えば、上記に例示の銅張積層板の銅層を常法によってパターン状に加工して配線層を形成することによって、本発明の一実施の形態であるFPC等の回路基板を製造できる。
<Circuit board>
The metal-clad laminate of this embodiment is mainly useful as a material of a circuit board such as FPC. For example, by processing the copper layer of the copper-clad laminate exemplified above into a pattern according to a conventional method to form a wiring layer, a circuit board such as an FPC according to an embodiment of the present invention can be manufactured.

以下に実施例を示し、本発明の特徴をより具体的に説明する。ただし、本発明の範囲は、実施例に限定されない。なお、以下の実施例において、特にことわりのない限り各種測定、評価は下記によるものである。   EXAMPLES The features of the present invention will be more specifically described below with reference to examples. However, the scope of the present invention is not limited to the examples. In the following examples, unless otherwise specified, various measurements and evaluations are as follows.

[粘度の測定]
粘度の測定は、E型粘度計(ブルックフィールド社製、商品名;DV−II+Pro)を用いて、25℃における粘度を測定した。トルクが10%〜90%になるよう回転数を設定し、測定を開始してから2分経過後、粘度が安定した時の値を読み取った。
[Measurement of viscosity]
The viscosity was measured at 25 ° C. using an E-type viscometer (trade name: DV-II + Pro, manufactured by Brookfield, Inc.). The rotational speed was set so that the torque was 10% to 90%, and after 2 minutes from the start of the measurement, the value when the viscosity was stabilized was read.

[ガラス転移温度(Tg)の測定]
ガラス転移温度は、5mm×20mmのサイズのポリイミドフィルムを、動的粘弾性測定装置(DMA:ユー・ビー・エム社製、商品名;E4000F)を用いて、30℃から400℃まで昇温速度4℃/分、周波数11Hzで測定を行い、弾性率変化(tanδ)が最大となる温度をガラス転移温度とした。なお、DMAを用いて測定された30℃における貯蔵弾性率が1.0×10Pa以上であり、360℃における貯蔵弾性率が1.0×10Pa未満を示すものを「熱可塑性」とし、30℃における貯蔵弾性率が1.0×10Pa以上であり、360℃における貯蔵弾性率が1.0×10Pa以上を示すものを「非熱可塑性」とした。
[Measurement of glass transition temperature (Tg)]
The glass transition temperature is a polyimide film having a size of 5 mm × 20 mm, and a temperature rising rate from 30 ° C. to 400 ° C. using a dynamic viscoelasticity measuring apparatus (DMA: made by UBM Co., Ltd., trade name; E4000F) The measurement was carried out at 4 ° C./minute and a frequency of 11 Hz, and the temperature at which the change in elastic modulus (tan δ) became maximum was taken as the glass transition temperature. In addition, the storage elastic modulus at 30 ° C. measured using DMA is 1.0 × 10 9 Pa or more, and the storage elastic modulus at 360 ° C. is less than 1.0 × 10 8 Pa as “thermoplastic”. The storage elastic modulus at 30 ° C. is 1.0 × 10 9 Pa or more, and the storage elastic modulus at 360 ° C. is 1.0 × 10 8 Pa or more as “non-thermoplastic”.

[熱膨張係数(CTE)の測定]
3mm×20mmのサイズのポリイミドフィルムを、サーモメカニカルアナライザー(Bruker社製、商品名;4000SA)を用い、5.0gの荷重を加えながら一定の昇温速度で30℃から265℃まで昇温させ、更にその温度で10分保持した後、5℃/分の速度で冷却し、250℃から100℃までの平均熱膨張係数(熱膨張係数)を求めた。
[Measurement of coefficient of thermal expansion (CTE)]
Using a thermomechanical analyzer (trade name: 4000SA, manufactured by Bruker), a polyimide film of 3 mm × 20 mm in size is heated from 30 ° C. to 265 ° C. at a constant temperature rising rate while applying a load of 5.0 g. Furthermore, after holding at that temperature for 10 minutes, it cooled at a rate of 5 ° C./min, and an average thermal expansion coefficient (thermal expansion coefficient) from 250 ° C. to 100 ° C. was determined.

[吸湿率(Am1、Am2、A)の測定]
A4サイズ(TD:210mm×MD:297mm)のポリイミドフィルムを、80℃の熱風オーブンで1時間乾燥させて乾燥後の重量を測定し、これを乾燥重量(W1)とした。乾燥重量を測定したポリイミドフィルムを23℃、50%RHの恒温恒湿のもと所定の時間吸湿させた後、その重量を測定して吸湿後の重量(W2)とした。測定された重量に基づき下記式に代入して吸湿率を計算した。
なお、吸湿率(A)は、80℃の1時間乾燥後に、23℃、50%RHの恒温恒湿のもと4時間調湿後の吸湿率であり、吸湿率(Am1)は、80℃の1時間乾燥後に、23℃、50%RHの恒温恒湿のもと1時間調湿後の吸湿率であり、吸湿率(Am2)は、80℃の1時間乾燥後に、23℃、50%RHの恒温恒湿のもと2時間調湿後の吸湿率である。
[Measurement of moisture absorption rate (A m1 , A m2 , A m )]
The A4 size (TD: 210 mm × MD: 297 mm) polyimide film was dried in a hot air oven at 80 ° C. for 1 hour, the weight after drying was measured, and this was taken as the dry weight (W1). The polyimide film whose dry weight was measured was allowed to absorb moisture for a predetermined time under a constant temperature and humidity of 23 ° C. and 50% RH, and then the weight was measured to determine the weight after moisture absorption (W 2). The moisture absorption rate was calculated by substituting the following equation into the following equation based on the measured weight.
The moisture absorption rate (A m ) is the moisture absorption rate after conditioning for 4 hours under constant temperature and humidity of 23 ° C. and 50% RH after drying for 1 hour at 80 ° C., and the moisture absorption rate (A m1 ) is The moisture absorption rate after 1 hour of drying at 80 ° C. under constant temperature and humidity of 23 ° C. and 50% RH for 1 hour, and the moisture absorption rate (A m2 ) is 23 ° C. after 1 hour of drying at 80 ° C. The moisture absorption after conditioning for 2 hours under a constant temperature and humidity of 50% RH.

[式1]
吸湿率(重量%)=(W2−W1)/W1
[Equation 1]
Moisture absorption rate (% by weight) = (W2-W1) / W1

[面内リタデーション(RO)の測定]
複屈折率計(フォトニックラティス社製、商品名;ワイドレンジ複屈折評価システムWPA−100、測定エリア;MD:140mm×TD:100mm)を用いて、所定のサンプルの面内方向のリタデーションを求めた。なお、入射角は、0°、測定波長は、543nmである。
[Measurement of in-plane retardation (RO)]
Retardation in the in-plane direction of a predetermined sample is determined using a birefringence meter (Photonic Lattice, product name; wide range birefringence evaluation system WPA-100, measurement area; MD: 140 mm × TD: 100 mm) The The incident angle is 0 °, and the measurement wavelength is 543 nm.

[面内リタデーション(RO)の評価用サンプルの調製]
長尺状の金属張積層板の金属層をエッチングして得られたポリイミドフィルムにおけるTD方向の左右2つの端部(Left及びRight)並びに中央部(Center)のそれぞれにおいて、A4サイズ(TD:210mm×MD:297mm)に切断し、サンプルL(Left)、サンプルR(Right)及びサンプルC(Center)を調製した。
[Preparation of sample for evaluation of in-plane retardation (RO)]
A4 size (TD: 210 mm) at each of two left and right ends (Left and Right) in the TD direction and center part (Center) in a polyimide film obtained by etching a metal layer of a long metal-clad laminate × MD: 297 mm) cut, and sample L (Left), sample R (Right) and sample C (Center) were prepared.

[面内複屈折率(Δn)の評価]
サンプルL、サンプルR及びサンプルCのそれぞれについて面内リタデーション(RO)をそれぞれ測定した。各サンプルの測定値の最大値を評価用サンプルの厚さで除した値を「面内複屈折率(Δn)」とし、面内リタデーション(RO)の測定値における最大値と最小値の差を「幅方向(TD方向)の面内リタデーション(RO)のばらつき(ΔRO)」とし、このΔROを評価用サンプルの厚さで除した値を「幅方向(TD方向)の面内複屈折率(Δn)のばらつき[Δ(Δn)]」とした。
[Evaluation of in-plane birefringence (Δn)]
In-plane retardation (RO) was measured for each of Sample L, Sample R, and Sample C, respectively. The value obtained by dividing the maximum value of the measured values of each sample by the thickness of the sample for evaluation is the “in-plane birefringence (Δn)”, and the difference between the maximum value and the minimum value in the measured values of in-plane retardation (RO) The “in-plane retardation (RO) variation (ΔRO) in the width direction (TD direction)”, and the value obtained by dividing this ΔRO by the thickness of the sample for evaluation is “in-plane birefringence index in the width direction (TD direction) Variation of Δn) [Δ (Δn)] ”.

[反りの測定]
50mm×50mmのサイズのポリイミドフィルムを、23℃、50%RH下で24時間調湿後、カールしている方向を上面とし、平滑な台上に設置した。その際のカール量についてノギスを用いて測定を行った。この際、フィルムが基材エッチング面側にカールした場合をプラス表記、反対面にカールした場合をマイナス表記とし、フィルムの4角の測定値の平均をカール量とした。
[Measurement of warpage]
After conditioning a polyimide film of 50 mm × 50 mm size at 23 ° C. and 50% RH for 24 hours, the curling direction was set as the upper surface and placed on a smooth table. The amount of curling at that time was measured using a vernier caliper. Under the present circumstances, the case where a film curled to the base material etching side was made into plus notation, the case where it curled to the opposite side was made into minus notation, and the average of the measured value of four corners of a film was made into curl amount.

[ピール強度の測定]
片面銅張積層板(銅箔/樹脂層)の銅箔を幅1.0mmに回路加工した後、幅;8cm×長さ;4cmに切断し、測定サンプルを調製した。テンシロンテスター(東洋精機製作所製、商品名;ストログラフVE−1D)を用いて、測定サンプルの樹脂層側を両面テープによりアルミ板に固定し、銅箔を90°方向に50mm/分の速度で、銅箔を樹脂層から10mm剥離したときの中央強度を求めた。
[Measurement of peel strength]
A copper foil of a single-sided copper-clad laminate (copper foil / resin layer) was subjected to circuit processing to a width of 1.0 mm and then cut to a width of 8 cm × length of 4 cm to prepare a measurement sample. The resin layer side of the measurement sample is fixed to an aluminum plate with a double-sided tape using a Tensilon Tester (made by Toyo Seiki Seisakusho, trade name; Strograph VE-1D), and the copper foil is rotated 90 ° at a speed of 50 mm / min The central strength was determined when the copper foil was peeled off from the resin layer by 10 mm.

実施例及び比較例に用いた略号は、以下の化合物を示す。
PMDA:ピロメリット酸二無水物
BPDA:3,3',4,4'‐ビフェニルテトラカルボン酸二無水物
m‐TB:2,2'‐ジメチル‐4,4'‐ジアミノビフェニル
TPE−R:1,3-ビス(4‐アミノフェノキシ)ベンゼン
DAPE:4,4'-ジアミノジフェニルエーテル
BAPP:2,2−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]プロパン
DMAc:N,N‐ジメチルアセトアミド
The abbreviations used in Examples and Comparative Examples indicate the following compounds.
PMDA: pyromellitic dianhydride BPDA: 3,3 ', 4,4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride m-TB: 2,2'-dimethyl-4,4'-diaminobiphenyl TPE-R: 1 3, 3-bis (4-amino phenoxy) benzene DAPE: 4, 4 '-diamino diphenyl ether BAPP: 2, 2- bis [4- (4- amino phenoxy) phenyl] propane DMAc: N, N- dimethyl acetamide

(合成例1)
窒素気流下で、反応槽に、23.0重量部のm−TB(0.108モル部)及び3.5重量部のTPE−R(0.012モル部)並びに重合後の固形分濃度が15重量%となる量のDMAcを投入し、室温で撹拌して溶解させた。次に、26.0重量部のPMDA(0.119モル部)を添加した後、室温で3時間撹拌を続けて重合反応を行い、ポリアミド酸溶液aを得た。ポリアミド酸溶液aの溶液粘度は41,100cpsであった。このポリアミド酸溶液aから得られたポリイミドのガラス転移温度は421℃で、非熱可塑性、熱膨張係数は10(ppm/K)であった。
Synthesis Example 1
In a nitrogen stream, 23.0 parts by weight of m-TB (0.108 mole parts) and 3.5 parts by weight of TPE-R (0.012 mole parts) and a solid content concentration after polymerization were added to the reaction vessel. An amount of 15% by weight of DMAc was added and dissolved by stirring at room temperature. Next, 26.0 parts by weight of PMDA (0.119 mol part) was added, and then stirring was continued at room temperature for 3 hours to carry out a polymerization reaction to obtain a polyamic acid solution a. The solution viscosity of the polyamic acid solution a was 41,100 cps. The glass transition temperature of the polyimide obtained from this polyamic acid solution a was 421 ° C., the non-thermoplasticity and the thermal expansion coefficient were 10 (ppm / K).

(合成例2)
窒素気流下で、反応槽に、17.3重量部のm−TB(0.081モル部)及び10.2重量部のTPE−R(0.035モル部)並びに重合後の固形分濃度が15重量%となる量のDMAcを投入し、室温で撹拌して溶解させた。次に、25.1重量部のPMDA(0.115モル部)を添加した後、室温で3時間撹拌を続けて重合反応を行い、ポリアミド酸溶液bを得た。ポリアミド酸溶液bの溶液粘度は38,200cpsであった。このポリアミド酸溶液bから得られたポリイミドのガラス転移温度は427℃で、非熱可塑性、熱膨張係数は22(ppm/K)であった。
(Composition example 2)
In a nitrogen stream, 17.3 parts by weight of m-TB (0.081 mole parts) and 10.2 parts by weight of TPE-R (0.035 mole parts) in the reaction vessel and the solid concentration after polymerization An amount of 15% by weight of DMAc was added and dissolved by stirring at room temperature. Next, 25.1 parts by weight of PMDA (0.115 mole parts) was added, and then stirring was continued for 3 hours at room temperature to carry out a polymerization reaction to obtain a polyamic acid solution b. The solution viscosity of the polyamic acid solution b was 38,200 cps. The glass transition temperature of the polyimide obtained from this polyamic acid solution b was 427 ° C., its non-thermoplasticity, and its thermal expansion coefficient was 22 (ppm / K).

(合成例3)
窒素気流下で、反応槽に、16.4重量部のm−TB(0.077モル部)及び9.7重量部のTPE−R(0.033モル部)並びに重合後の固形分濃度が15重量%となる量のDMAcを投入し、室温で撹拌して溶解させた。次に、16.7重量部のPMDA(0.077モル部)及び9.7重量部のBPDA(0.033モル部)を添加した後、室温で3時間撹拌を続けて重合反応を行い、ポリアミド酸溶液cを得た。ポリアミド酸溶液cの溶液粘度は46,700cpsであった。このポリアミド酸溶液cから得られたポリイミドのガラス転移温度は366℃で、非熱可塑性、熱膨張係数は23(ppm/K)であった。
(Composition example 3)
In a nitrogen stream, 16.4 parts by weight of m-TB (0.077 mole parts) and 9.7 parts by weight of TPE-R (0.033 mole parts) and a solid content concentration after polymerization were added to the reaction vessel. An amount of 15% by weight of DMAc was added and dissolved by stirring at room temperature. Next, 16.7 parts by weight of PMDA (0.077 mole parts) and 9.7 parts by weight of BPDA (0.033 mole parts) are added, and stirring is continued at room temperature for 3 hours to carry out a polymerization reaction, A polyamic acid solution c was obtained. The solution viscosity of the polyamic acid solution c was 46,700 cps. The glass transition temperature of the polyimide obtained from this polyamic acid solution c was 366 ° C., its non-thermoplasticity, and its thermal expansion coefficient was 23 (ppm / K).

(合成例4)
窒素気流下で、反応槽に、22.4重量部のm−TB(0.105モル部)及び4.8重量部のBAPP(0.012モル部)並びに重合後の固形分濃度が15重量%となる量のDMAcを投入し、室温で撹拌して溶解させた。次に、25.3重量部のPMDA(0.116モル部)を添加した後、室温で3時間撹拌を続けて重合反応を行い、ポリアミド酸溶液dを得た。ポリアミド酸溶液dの溶液粘度は36,800cpsであった。このポリアミド酸溶液dから得られたポリイミドのガラス転移温度は408℃で、非熱可塑性、熱膨張係数は9(ppm/K)であった。
(Composition example 4)
In a nitrogen stream, 22.4 parts by weight of m-TB (0.105 mole parts) and 4.8 parts by weight of BAPP (0.012 mole parts) and a solid content concentration after polymerization of 15 % Amount of DMAc was added and dissolved by stirring at room temperature. Next, 25.3 parts by weight of PMDA (0.116 mole parts) was added, and then stirring was continued at room temperature for 3 hours to carry out a polymerization reaction to obtain a polyamic acid solution d. The solution viscosity of the polyamic acid solution d was 36,800 cps. The glass transition temperature of the polyimide obtained from this polyamic acid solution d was 408 ° C., the non-thermoplasticity and the thermal expansion coefficient were 9 (ppm / K).

(合成例5)
窒素気流下で、反応槽に、2.2重量部のm−TB(0.010モル部)及び27.6重量部のTPE−R(0.094モル部)並びに重合後の固形分濃度が15重量%となる量のDMAcを投入し、室温で撹拌して溶解させた。次に、22.7重量部のPMDA(0.104モル部)を添加した後、室温で3時間撹拌を続けて重合反応を行い、ポリアミド酸溶液eを得た。ポリアミド酸溶液eの溶液粘度は33,900cpsであった。このポリアミド酸溶液eから得られたポリイミドのガラス転移温度は446℃で、熱可塑性、熱膨張係数は55(ppm/K)であった。
(Composition example 5)
In a nitrogen stream, 2.2 parts by weight of m-TB (0.010 parts by mole) and 27.6 parts by weight of TPE-R (0.094 parts by mole) in the reaction vessel and the solid concentration after polymerization An amount of 15% by weight of DMAc was added and dissolved by stirring at room temperature. Next, 22.7 parts by weight of PMDA (0.104 mol part) was added, and then stirring was continued at room temperature for 3 hours to carry out a polymerization reaction to obtain a polyamic acid solution e. The solution viscosity of the polyamic acid solution e was 33,900 cps. The glass transition temperature of the polyimide obtained from this polyamic acid solution e was 446 ° C., and its thermoplasticity and thermal expansion coefficient were 55 (ppm / K).

(合成例6)
窒素気流下で、反応槽に、30.2重量部のBAPP(0.074モル部)及び重合後の固形分濃度が15重量%となる量のDMAcを投入し、室温で撹拌して溶解させた。次に、22.3重量部のBPDA(0.076モル部)を添加した後、室温で3時間撹拌を続けて重合反応を行い、ポリアミド酸溶液fを得た。ポリアミド酸溶液fの溶液粘度は9,800cpsであった。このポリアミド酸溶液fから得られたポリイミドのガラス転移温度は252℃で、熱可塑性、熱膨張係数は46(ppm/K)であった。
Synthesis Example 6
In a nitrogen stream, 30.2 parts by weight of BAPP (0.074 mole parts) and DMAc in an amount such that the solid content concentration after polymerization is 15% by weight were charged into a reaction vessel, and dissolved by stirring at room temperature. The Next, 22.3 parts by weight of BPDA (0.076 mole parts) was added, and then stirring was continued at room temperature for 3 hours to carry out a polymerization reaction to obtain a polyamic acid solution f. The solution viscosity of the polyamic acid solution f was 9,800 cps. The glass transition temperature of the polyimide obtained from this polyamic acid solution f was 252 ° C., its thermoplasticity and its thermal expansion coefficient were 46 (ppm / K).

(合成例7)
窒素気流下で、反応槽に、25.8重量部のTPE−R(0.088モル部)及び重合後の固形分濃度が15重量%となる量のDMAcを投入し、室温で撹拌して溶解させた。次に、26.7重量部のBPDA(0.091モル部)を添加した後、室温で3時間撹拌を続けて重合反応を行い、ポリアミド酸溶液gを得た。ポリアミド酸溶液gの溶液粘度は8,800cpsであった。このポリアミド酸溶液gから得られたポリイミドのガラス転移温度は243℃で、熱可塑性、熱膨張係数は65(ppm/K)であった。
Synthesis Example 7
In a nitrogen stream, 25.8 parts by weight of TPE-R (0.088 mol parts) and DMAc in an amount such that the solid content concentration after polymerization is 15% by weight are charged into the reaction vessel and stirred at room temperature. It was dissolved. Next, 26.7 parts by weight of BPDA (0.091 mole parts) was added, and then stirring was continued for 3 hours at room temperature to carry out a polymerization reaction to obtain a polyamic acid solution g. The solution viscosity of the polyamic acid solution g was 8,800 cps. The glass transition temperature of the polyimide obtained from this polyamic acid solution g was 243 ° C., and its thermoplasticity and thermal expansion coefficient were 65 (ppm / K).

(合成例8)
窒素気流下で、反応槽に、11.7重量部のDAPE(0.058モル部)及び11.4重量部のTPE−R(0.039モル部)並びに重合後の固形分濃度が15重量%となる量のDMAcを投入し、室温で撹拌して溶解させた。次に、29.5重量部のBPDA(0.100モル部)を添加した後、室温で3時間撹拌を続けて重合反応を行い、ポリアミド酸溶液hを得た。ポリアミド酸溶液hの溶液粘度は11,200cpsであった。このポリアミド酸溶液hから得られたポリイミドのガラス転移温度は265℃で、熱可塑性、熱膨張係数は58(ppm/K)であった。
Synthesis Example 8
In a nitrogen stream, 11.7 parts by weight of DAPE (0.058 mole parts) and 11.4 parts by weight of TPE-R (0.039 mole parts) were added to the reaction vessel in a reaction vessel, and the solid concentration after polymerization was 15 parts % Amount of DMAc was added and dissolved by stirring at room temperature. Next, 29.5 parts by weight of BPDA (0.100 mol parts) was added, and then stirring was continued at room temperature for 3 hours to carry out a polymerization reaction to obtain a polyamic acid solution h. The solution viscosity of the polyamic acid solution h was 11,200 cps. The glass transition temperature of the polyimide obtained from this polyamic acid solution h was 265 ° C., its thermoplasticity and its thermal expansion coefficient were 58 (ppm / K).

[実施例1]
厚さ12μmで幅1,080mmの長尺状の電解銅箔の片面に合成例6で調製したポリアミド酸溶液fを硬化後の厚みが2.5μmとなるように均一に塗布した後(第1層目)、120℃で加熱乾燥し溶媒を除去した。その上に合成例1で調製したポリアミド酸溶液aを硬化後の厚みが20μmとなるように均一に塗布した後(第2層目)、120℃で加熱乾燥し溶媒を除去した。更に、その上に合成例6で調製したポリアミド酸溶液fを硬化後の厚みが2.5μmとなるように均一に塗布した後(第3層目)、120℃で加熱乾燥し溶媒を除去した。その後、130℃から360℃まで段階的な熱処理を行い、イミド化を完結して、片面銅張積層板を調製した。
Example 1
After uniformly applying the polyamic acid solution f prepared in Synthesis Example 6 to a thickness of 2.5 μm on one side of a long electrolytic copper foil having a thickness of 12 μm and a width of 1,080 mm (first Layer), dried by heating at 120 ° C. to remove the solvent. The polyamide acid solution a prepared in Synthesis Example 1 was uniformly coated thereon so that the thickness after curing was 20 μm (second layer), and the solvent was removed by heating and drying at 120 ° C. Furthermore, after the polyamide acid solution f prepared in Synthesis Example 6 was uniformly coated thereon so that the thickness after curing was 2.5 μm (third layer), the solvent was removed by heating and drying at 120 ° C. . Thereafter, stepwise heat treatment was performed from 130 ° C. to 360 ° C. to complete imidization, and a single-sided copper-clad laminate was prepared.

[実施例2〜6および比較例1〜3]
電解銅箔の片面にポリアミド酸の樹脂溶液を塗布後、加熱乾燥および段階的な熱処理を行い片面銅張積層板を調製するにあたり、第1層〜第3層目に使用した樹脂ならびに厚みを、下記表1に記載した構成に変更したこと以外は、実施例1と同様にして片面銅張積層板を得た。
[Examples 2 to 6 and Comparative Examples 1 to 3]
After applying a resin solution of polyamide acid on one side of the electrodeposited copper foil, heat drying and stepwise heat treatment are performed to prepare a single-sided copper-clad laminate, the resin and thickness used in the first to third layers are A single-sided copper-clad laminate was obtained in the same manner as in Example 1 except that the configuration was changed to that shown in Table 1 below.

表1に、実施例1〜6及び比較例1〜3で得た片面銅張積層板の絶縁樹脂層における非熱可塑性ポリイミド層(A)と熱可塑性ポリイミド層(B)との厚み比(非熱可塑性ポリイミド層(A)/熱可塑性ポリイミド層(B))、吸湿率(A)、1時間調湿後の吸湿率(Am1)と2時間調湿後の吸湿率(Am2)との差(Am2−Am1)、面内リタデーション(RO)、面内リタデーション(RO)のばらつき(ΔRO)、反り量およびピール強度を示す。また、表2に、実施例1〜6及び比較例1〜3で得た片面銅張積層板の絶縁樹脂層における面内複屈折率(Δn)、幅方向(TD方向)の面内複屈折率(Δn)のばらつき[Δ(Δn)]を示す。 In Table 1, the thickness ratio (non-thermoplastic polyimide layer (A) to thermoplastic polyimide layer (B) in the insulating resin layer of the single-sided copper-clad laminate obtained in Examples 1 to 6 and Comparative Examples 1 to 3 (non-) Thermoplastic polyimide layer (A) / thermoplastic polyimide layer (B)), moisture absorption rate (A m ), moisture absorption rate after humidity control for 1 hour (A m1 ), moisture absorption rate after humidity control for 2 hours (A m2 ), and The difference (A m2 -A m1 ), the in-plane retardation (RO), the in-plane retardation (RO) variation (ΔRO), the amount of warpage, and the peel strength are shown. Further, in Table 2, the in-plane birefringence (Δn) and the in-plane birefringence in the width direction (TD direction) in the insulating resin layer of the single-sided copper-clad laminate obtained in Examples 1 to 6 and Comparative Examples 1 to 3 are The variation [Δ (Δn)] of the rate (Δn) is shown.

<ICチップ実装性>
実施例1〜6および比較例1〜3にて作製した片面銅張積層板の銅箔表面にドライフィルムをラミネートし、ドライフィルムレジストをパターニング後、そのパターンに沿って銅箔をエッチングして回路を形成し、回路基板を調製した。得られた回路基板の銅配線側に400℃、0.5秒間のボンディング処理にてICチップを実装したところ、実施例1〜6については、銅配線とICチップとの位置ずれはなく、不具合は発生しなかった。一方で、比較例1については、銅配線とICチップとの位置ずれが発生し、比較例2および3については、銅配線とICチップの位置ずれと回路基板の反りが発生し、実装に不具合が生じた。
<IC chip mounting property>
A dry film is laminated on the copper foil surface of the single-sided copper-clad laminate prepared in Examples 1 to 6 and Comparative Examples 1 to 3, and after patterning a dry film resist, the copper foil is etched along the pattern to form a circuit. To prepare a circuit board. When an IC chip was mounted on the copper wiring side of the obtained circuit board by bonding at 400 ° C. for 0.5 seconds, in Examples 1 to 6, there was no positional deviation between the copper wiring and the IC chip. Did not occur. On the other hand, in Comparative Example 1, positional deviation between the copper wiring and the IC chip occurs, and in Comparative Examples 2 and 3, positional deviation between the copper wiring and the IC chip and warpage of the circuit board occur, which causes problems in mounting. Arose.

Figure 2019104233
Figure 2019104233

Figure 2019104233
Figure 2019104233

以上、本発明の実施の形態を例示の目的で詳細に説明したが、本発明は上記実施の形態に制約されることはなく、種々の変形が可能である。

Although the embodiments of the present invention have been described in detail for the purpose of illustration, the present invention is not limited to the above-described embodiments, and various modifications are possible.

Claims (7)

絶縁樹脂層と、この絶縁樹脂層の少なくとも片面に積層された金属層とを備えた金属張積層板であって、
前記絶縁樹脂層が、非熱可塑性ポリイミド層の少なくとも一方の面に熱可塑性ポリイミドを含む熱可塑性ポリイミド層を有し、
前記絶縁樹脂層が下記の条件(i)〜(v);
(i)80℃の1時間乾燥後に、23℃、50%RHの恒温恒湿のもと、4時間調湿後の吸湿率(A)が1.0重量%以下であること;
(ii)80℃の1時間乾燥後に、23℃、50%RHの恒温恒湿のもと、1時間調湿後の吸湿率(Am1)及び同条件での2時間調湿後の吸湿率(Am2)の差(Am2−Am1)が0.2重量%以下であること;
(iii)面内複屈折率(Δn)の値が2×10−3以下であること;
(iv)幅方向(TD方向)の面内複屈折率(Δn)のばらつき[Δ(Δn)]が4×10−4以下であること;
(v)前記非熱可塑性ポリイミドはテトラカルボン酸残基及びジアミン残基を含み、全ジアミン残基の100モル部に対して、下記一般式(1)で表されるジアミン化合物から誘導されるジアミン残基が20モル部以上であること;
を満たすことを特徴とする金属張積層板。
Figure 2019104233
[一般式(1)において、連結基Zは単結合若しくは−COO−を示し、Yは独立にハロゲン若しくはフェニル基で置換されてもよい炭素数1〜3の1価の炭化水素又は炭素数1〜3のアルコキシ基、又は炭素数1〜3のパーフルオロアルキル基、又はアルケニル基を示し、nは0〜2の整数を示し、p及びqは独立に0〜4の整数を示す。]
A metal-clad laminate comprising an insulating resin layer and a metal layer laminated on at least one side of the insulating resin layer,
The insulating resin layer has a thermoplastic polyimide layer containing a thermoplastic polyimide on at least one surface of the non-thermoplastic polyimide layer,
The insulating resin layer has the following conditions (i) to (v):
(i) After 1 hour of drying at 80 ° C., the moisture absorption rate (A m ) after humidity adjustment for 4 hours under a constant temperature and humidity of 23 ° C. and 50% RH is 1.0% by weight or less;
(ii) After drying for 1 hour at 80 ° C., the moisture absorption rate (A m1 ) after humidity conditioning for 1 hour under constant temperature and humidity of 23 ° C. and 50% RH and the moisture absorption rate after humidity conditioning for 2 hours under the same conditions (a m @ 2) the difference (a m2 -A m1) is equal to or less than 0.2 wt%;
(iii) that the value of in-plane birefringence (Δn) is 2 × 10 −3 or less;
(iv) A variation [Δ (Δn)] of in-plane birefringence index (Δn) in the width direction (TD direction) is 4 × 10 −4 or less;
(v) The non-thermoplastic polyimide contains a tetracarboxylic acid residue and a diamine residue, and is a diamine derived from a diamine compound represented by the following general formula (1) with respect to 100 mole parts of all diamine residues. At least 20 molar parts of residues;
A metal-clad laminate characterized in that
Figure 2019104233
[In the general formula (1), the linking group Z represents a single bond or -COO-, and Y is a monovalent hydrocarbon of 1 to 3 carbons which may be independently substituted with a halogen or a phenyl group or 1 carbon An alkoxy group of -3 or a perfluoroalkyl group of 1 to 3 carbon atoms or an alkenyl group is shown, n is an integer of 0-2 and p and q are independently an integer of 0-4. ]
前記非熱可塑性ポリイミドに含まれる全ジアミン残基の100モル部に対して、前記一般式(1)で表されるジアミン化合物から誘導されるジアミン残基が70モル部〜95モル部の範囲内であり、下記の一般式(2)及び(3)から選ばれるジアミン残基の合計量が5〜30モル部の範囲内であることを特徴とする請求項1に記載の金属張積層板。
Figure 2019104233
[一般式(2)及び一般式(3)において、R、R、R及びRはそれぞれ独立にハロゲン原子、又は炭素数1〜4の、ハロゲン原子で置換されてもよいアルキル基もしくはアルコキシ基、又はアルケニル基を示し、Xは独立に−O−、−S−、−CH−、−CH(CH)−、−C(CH)−、−CO−、−COO−、−SO−、−NH−又は−NHCO−から選ばれる2価の基を示し、X及びXはそれぞれ独立に単結合、−O−、−S−、−CH−、−CH(CH)−、−C(CH)−、−CO−、−COO−、−SO−、−NH−又は−NHCO−から選ばれる2価の基を示すが、X及びXの両方が単結合である場合を除くものとし、m、n、o及びpは独立に0〜4の整数を示す。]
Within 100 mole parts of all diamine residues contained in the non-thermoplastic polyimide, the diamine residue derived from the diamine compound represented by the general formula (1) is within a range of 70 mole parts to 95 mole parts The metal-clad laminate according to claim 1, wherein the total amount of diamine residues selected from the following general formulas (2) and (3) is in the range of 5 to 30 parts by mole.
Figure 2019104233
[In the general formula (2) and the general formula (3), R 5 , R 6 , R 7 and R 8 each independently represent a halogen atom or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, which may be substituted by a halogen atom or an alkoxy group, or an alkenyl group, X independently is -O -, - S -, - CH 2 -, - CH (CH 3) -, - C (CH 3) 2 -, - CO -, - COO -Represents a divalent group selected from-, -SO 2- , -NH-or -NHCO-, and X 1 and X 2 each independently represent a single bond, -O-, -S-, -CH 2 -,- CH (CH 3) -, - C (CH 3) 2 -, - CO -, - COO -, - SO 2 -, - NH- or -NHCO- shows a divalent group selected from, X 1 and Except when both of X 2 are single bonds, m, n, o and p independently represent an integer of 0 to 4. ]
前記熱可塑性ポリイミドはテトラカルボン酸残基及びジアミン残基を含み、全ジアミン残基の100モル部に対して、下記の一般式(2)及び(3)から選ばれるジアミン残基の合計量が50モル部以上であることを特徴とする請求項1又は2に記載の金属張積層板。
Figure 2019104233
[一般式(2)及び一般式(3)において、R、R、R及びRはそれぞれ独立にハロゲン原子、又は炭素数1〜4の、ハロゲン原子で置換されてもよいアルキル基もしくはアルコキシ基、又はアルケニル基を示し、Xは独立に−O−、−S−、−CH−、−CH(CH)−、−C(CH)−、−CO−、−COO−、−SO−、−NH−又は−NHCO−から選ばれる2価の基を示し、X及びXはそれぞれ独立に単結合、−O−、−S−、−CH−、−CH(CH)−、−C(CH)−、−CO−、−COO−、−SO−、−NH−又は−NHCO−から選ばれる2価の基を示すが、X及びXの両方が単結合である場合を除くものとし、m、n、o及びpは独立に0〜4の整数を示す。]
The thermoplastic polyimide contains a tetracarboxylic acid residue and a diamine residue, and the total amount of diamine residues selected from the following general formulas (2) and (3) is based on 100 mol parts of all diamine residues. It is 50 mol parts or more, The metal-clad laminated board of Claim 1 or 2 characterized by the above-mentioned.
Figure 2019104233
[In the general formula (2) and the general formula (3), R 5 , R 6 , R 7 and R 8 each independently represent a halogen atom or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, which may be substituted by a halogen atom or an alkoxy group, or an alkenyl group, X independently is -O -, - S -, - CH 2 -, - CH (CH 3) -, - C (CH 3) 2 -, - CO -, - COO -Represents a divalent group selected from-, -SO 2- , -NH-or -NHCO-, and X 1 and X 2 each independently represent a single bond, -O-, -S-, -CH 2 -,- CH (CH 3) -, - C (CH 3) 2 -, - CO -, - COO -, - SO 2 -, - NH- or -NHCO- shows a divalent group selected from, X 1 and Except when both of X 2 are single bonds, m, n, o and p independently represent an integer of 0 to 4. ]
前記一般式(2)で表されるジアミン残基が、1,3−ビス(4‐アミノフェノキシ)ベンゼンから誘導されるジアミン残基であり、
前記一般式(3)で表されるジアミン残基が、2,2−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]プロパンから誘導されるジアミン残基であることを特徴とする請求項2又は3に記載の金属張積層板。
The diamine residue represented by the general formula (2) is a diamine residue derived from 1,3-bis (4-aminophenoxy) benzene,
The diamine residue represented by the general formula (3) is a diamine residue derived from 2,2-bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] propane. The metal-clad laminated board as described in 3.
前記非熱可塑性ポリイミド層の厚み(A)と前記熱可塑性ポリイミド層の厚み(B)の厚み比(A)/(B)が1〜20の範囲内であることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載の金属張積層板。   The thickness ratio (A) / (B) of the thickness (A) of the non-thermoplastic polyimide layer and the thickness (B) of the thermoplastic polyimide layer is in the range of 1 to 20. The metal-clad laminated board of any one of 4. 幅方向(TD方向)の長さが490mm以上であることを特徴とする請求項1〜5のいずれか1項に記載の金属張積層板。   The metal-clad laminate according to any one of claims 1 to 5, wherein the length in the width direction (TD direction) is 490 mm or more. 請求項1〜6のいずれか1項に記載の金属張積層板の前記金属層を配線に加工してなる回路基板。

The circuit board formed by processing the said metal layer of the metal-clad laminated board of any one of Claims 1-6 into wiring.

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