JP2019097045A5 - Address bit string storage method - Google Patents

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本発明は、パケットの送信元アドレスのビット列または固定電話番号を2進数に変換ビット列または携帯電話番号の上位数字090、080,070のそれぞれの数字の数字0を除いた残りのそれぞれの数字に下位8桁の数字を結合のそれぞれの10進数を2進数に変換のそれぞれのビット列、いずれかの、部分またはハッシュを記憶するアドレスのビット列記憶法に関する。 According to the present invention, the bit string of the source address of the packet or the fixed phone number is converted into a binary number or the mobile phone number is converted into the respective upper digits 090 , 080 , and 070 of the respective digits except the numeral 0. each of the bit string of the conversion of low-order 8-digit number into a binary number each decimal binding, either, for bit stream storage how the address for storing the partial or hash.

本発明は、上記従来技術の問題点を鑑みて成されたもので、その解決手段は、パケットの送信元アドレスのビット列または固定電話番号を2進数に変換ビット列または携帯電話番号の上位数字090、080,070のそれぞれの数字の数字0を除いた残りのそれぞれの数字に下位8桁の数字を結合のそれぞれの10進数を2進数に変換のそれぞれのビット列、いずれかの、部分またはハッシュ(以下、アドレスのビット列という)を上位ビット列と下位ビット列に分け、前記上位ビット列で指定される、メモリ内のメモリセルアレイ内の前記指定のアドレス位置から1時的に読み出される並列データの各ビットと、前記下位ビット列をデコーダによるデコードの並列ビットの各ビットとのOR出力からなる並列データを、ラッチし、前記ラッチ出力データを、前記上位ビット列で指定される、前記メモリセルアレイ内の前記指定のアドレス位置に戻して、記憶することにより、記憶ビット長の長いビット列の記憶を可能とするアドレスのビット列記憶である。 The present invention has been made in view of the above-mentioned problems of the prior art, and a means for solving the problem is to convert a bit string of a source address of a packet or a fixed telephone number into a binary number or a higher digit 090 of a mobile telephone number. , 080, 070 each of the remaining numbers except the number 0 , the lower 8 digits are combined with each of the decimal numbers converted into binary numbers, each bit string, any, part or hash ( hereinafter, divided) that bit string of address upper bit string and a lower bit string, the specified by upper bit string, each bit of the parallel data read from the designated address position in the memory cell array in the memory to 1 temporary the parallel data comprising the low-order bit string from OR of the outputs of the respective bits of the parallel bit decoded by the decoder, latch, the The pitch output data, designated by said upper bit string, the return to the designated address position in the memory cell array by storing the bit string storage side of the address that allows storage of long bit string of stored bit length Is the law .

本発明パケットの送信元アドレスのビット列または固定電話番号を2進数に変換ビット列または携帯電話番号の上位数字090、080,070のそれぞれの数字の数字0を除いた残りのそれぞれの数字に下位8桁の数字を結合のそれぞれの10進数を2進数に変換のそれぞれのビット列、いずれかの、部分またはハッシュのアドレスのビット列を上位ビット列と下位ビット列に分けた場合の上位ビット列によりアドレスが指定される、メモリ内のメモリセルアレイの前記指定のアドレス位置の並列記憶データ領域の、前記下位ビット列をデコーダによるデコードの並列ビットの中のビット1の位置に一致する位置に、前記並列記憶データがメモリセルアレイ外に読み出され、元のアドレスが指定されるアドレス位置に戻る途中のその並列記憶データの、前記下位ビット列をデコーダによるデコードの並列ビットの中のビット1の位置に一致する位置にビット1を挿入することにより、アドレスのビット列記憶有のビット1を記憶することを特徴とするアドレスのビット列記憶方法である。 The present invention, in each of the remaining digits excluding the digit 0 in each digit of the upper digit 090,080,070 bit string or mobile phone number converted bit string or a fixed telephone number of the source address of the packet to binary each of the bit string of the conversion of low-order 8-digit number into a binary number each decimal binding, either the address specified by the upper bit string when the bit string part or hash of the address is divided into upper bit string and a lower bit string In the parallel storage data area at the specified address position of the memory cell array in the memory, the parallel storage data is stored in the memory at a position where the lower bit string matches the position of bit 1 in the parallel bits decoded by the decoder. The data is read out of the cell array and the original address is being returned to the specified address position. It is characterized in that bit 1 having a bit string storage of an address is stored by inserting bit 1 in a position corresponding to the position of bit 1 in the parallel bit of decoding by the decoder of the lower bit string of the column storage data. This is a method of storing a bit string of addresses to be used.

本発明記憶するアドレスのビット列を上位ビット列と下位ビット列に分け、前記上位ビット列によりアドレスが指定される、メモリセルアレイ内のその指定のアドレスから1時的に読み出された並列データの各ビットと、前記下位ビット列をデコーダによるデコードの並列ビットの各ビットと、のOR出力からなる並列ビットをラッチし、そのラッチ出力を前記メモリセルアレイの前記上位ビット列によりアドレスが指定される前記指定のアドレス位置のデータ記憶領域に戻すことにより、記憶するアドレスのビット列の記憶有ビット1を記憶する機能と、
記憶されているか確認するアドレスのビット列を上位ビット列と下位ビット列に分け、前記上位ビット列によりアドレスが指定される、メモリセルアレイ内の前記指定のアドレス位置から読み出される並列データの各ビットと、前記下位ビット列をデコーダによるデコードの並列ビットの各ビットと、のAND出力の並列ビットの各ビットの全ビットのOR回路出力である、記憶されているか確認するアドレスのビット列の記憶有/無信号を出力する機能と
を備えたことを特徴とするメモリである。
According to the present invention, a bit string of an address to be stored is divided into a high-order bit string and a low -order bit string, and an address is specified by the high-order bit string. Each bit of parallel data temporarily read from the specified address in a memory cell array. When the lower bit string latched and each bit of the parallel bits of the decoding by the decoder, the parallel bit consisting of OR output of the specification of said address by upper bit string of the latched output the memory cell array is designated by returning to the data storage area of the address position, a function of storing bit first memory chromatic bit string of the address to be stored,
The bit string of the address to check whether the stored divided into upper bit string and a lower bit string, the address by the upper bit string is specified, and each bit of the parallel data read from the specified address location within the memory cell array, the lower and each bit of the parallel bit decoded by the bit string to the decoder, which is the oR circuit outputs of all bits of each bit of the parallel bits of the output of the aND, signals of the storage / absence of a bit string of the address to check whether the stored A memory having a function of outputting .

本発明は、ビット0を記憶する信号入力時に、消去するアドレスのビット列を上位ビット列と下位ビット列に分け、前記上位ビット列によりアドレスが指定される、メモリセルアレイ内のその指定のアドレス位置から1時的に読み出される並列データの各ビットと、前記下位ビット列をデコーダによるデコードの並列ビット各ビット論理反転の各ビットと、のAND出力からなる並列データ、前記上位ビット列によりアドレスが指定される、前記メモリセルアレイ内の前記指定のアドレス位置のデータ記憶領域に戻すことにより、消去するアドレスのビット列記憶無ビット0を書き込む機能をさらに備えメモリである。 The present invention, when the signal input to store the bit 0, divided bit string of addresses to be erased to the upper bit string and a lower bit string, the address by the upper bit string is specified, 1:00 from the designated address location within the memory cell array and each bit of the parallel data to read, and each bit of the logical inversion of each bit of the parallel bit decoded by the low-order bit string to the decoder, the parallel data consisting of the output of the aND of the address is specified by the upper bit string that, by returning to the data storage area of the designated address position in the memory cell array, a further Ru comprising memory a function of writing the bit 0 of the bit string storage free address erase.

以上、説明したように、本発明によれば、簡単な方法で記憶ビット長が長く、かつ、数の多い、パケットの送信元アドレスのビット列または固定電話番号を2進数に変換ビット列または携帯電話番号の上位数字090、080,070のそれぞれの数字の数字0を除いた残りのそれぞれの数字に下位8桁の数字を結合のそれぞれの10進数を2進数に変換のそれぞれのビット列、いずれかの、部分またはハッシュを一つのメモリで記憶できるメモリを提供できる利点がある。 As described above, according to the present invention, the bit string of the source address of a packet or the fixed phone number of a packet having a long storage bit length and a large number can be converted into a binary number by a simple method or a mobile phone. Each of the upper digits of the numbers 090 , 080 , 070 is combined with the remaining 8 digits except the numeral 0, and the lower 8 digits are combined . Each bit string of each decimal number converted to binary number, either There is an advantage that it is possible to provide a memory that can store a part or a hash in one memory.

本発明の第1実施例のアドレスのビット列を記憶するメモリセルアレイとデコーダと入力レジスタと周辺回路を内蔵したメモリの構成を説明するための図Diagram for explaining a first storing a bit string of address examples, the memory in which the internal memory cell array and a decoder and an input register and a peripheral circuit configuration of the present invention 本発明の第2実施例のアドレスのビット列記憶および消去するメモリセルアレイとデコーダと入力レジスタと周辺回路を内蔵したメモリの構成を説明するための図Diagram for explaining a second bit string storage and erasure of address examples, the memory in which the internal memory cell array and a decoder and an input register and a peripheral circuit configuration of the present invention

本発明の第1実施例を図1により説明する。本実施例は、パケットの送信元アドレスのビット列または固定電話番号を2進数に変換したビット列または携帯電話番号の上位数字090、080,070のそれぞれの数字の数字0を除いた残りのそれぞれの数字に下位8桁の数字を結合のそれぞれの10進数を2進数に変換のそれぞれのビット列、いずれかの、部分またはハッシュに相当するアドレスのビット列を記憶するメモリセルアレイとデコーダと入力レジスタと周辺回路を内蔵したメモリの構成である。 A first embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. In this embodiment, the bit string of the source address of the packet or the bit string obtained by converting the fixed telephone number into a binary number or the upper digits of the mobile telephone number 090 , 080 and 070 , respectively, the remaining digits except the numeral 0 each bit column of the lower 8 digits in binary number each decimal binding, either partial or memory cell array and a decoder as the input register and the peripheral circuit for storing a bit string of the address corresponding to the hash It is the configuration of the memory that has built-in .

図1において、1はアドレスのビット列を記憶するメモリ、2はメモリセルアレイ、3はデコーダ、4は入力レジスタ、5はライトイネーブル信号、6は上位ビット列のアドレス指定信号、7は下位ビット列のアドレス指定信号、9は入力データ、10、17,18はOR回路、11,12はAND回路、13,14はメモリセルアレイ2の出力データ、15はデコーダ3の入力全ビット0の出力信号、16はデコーダ3の入力全ビット1の出力信号、19はメモリ1の出力信号である。 In Figure 1, memory 1 for storing a bit string of the address, the memory cell array 2, 3 decoder, 4 denotes an input register, a write enable signal 5, the addressing signal of the upper bit row 6, the address lower bit string 7 specifying signal 9 input data, OR circuits 10,17,18, the aND circuits 11 and 12, the output data of the memory cell array 2 13, 15 the output signal of the entire input bit 0 of the decoder 3, 16 Is an output signal of all bits 1 input to the decoder 3, and 19 is an output signal of the memory 1.

以下に図1の動作を説明する。最初にメモリ1にアドレスのビット列を記憶する動作を説明する。パケット転送システムのパケットの送信元アドレスを上位アドレスと下位アドレスに分けた場合の下位アドレスに相当するアドレスのビット列を上位ビット列と下位ビット列に分けた場合の上位ビット列(例えば19ビット)のアドレス指定信号6によりアドレスが指定される、メモリセルアレイ2の前記指定のアドレス位置から、読み出されるQ0からQ31の並列データの各ビットと、前記下位ビット列(例えば5ビット)のアドレス指定信号7をデコード回路3によるデコードの並列ビットの各ビットとを、AND回路とOR回路で演算し、その結果を入力レジスタ4内にある図には記してないラッチ回路でラッチし、そのラッチ出力をライトイネーブル信号5を有効にして、メモリセルアレイ2の前記指定されたアドレス位置に記憶する。 The operation of FIG. 1 will be described below. First, the operation of storing the bit string of the address in the memory 1 will be described. An address designation signal of an upper bit string (for example, 19 bits) when a bit string of an address corresponding to a lower address when a packet source address of a packet transfer system is divided into an upper address and a lower address is divided into an upper bit string and a lower bit string 6 address is specified by, from the specified address position of the memory cell array 2, and each bit of the parallel data from Q0 to be read Q31, the lower bit string (e.g., 5 bits) addressing signal 7 the decoding circuit 3 Each bit of the parallel bits of decoding by the AND circuit is operated by an AND circuit and an OR circuit, and the result is latched by a latch circuit in the input register 4 which is not shown in the figure, and the latch output is supplied with the write enable signal 5. enable and is stored in the designated address position of the memory cell array 2.

具体的には、デコーダ3に前記下位ビット列が全ビット0の信号が入力時の出力15が1で、Q0(13)が0の場合に、OR回路17の出力は1となるので、Q0が0でもメモリセルアレイ2の前記上位ビット列により指定されるアドレス位置には、入力データとして、1が記憶される。一方、デコード3に前記下位ビット列が全ビット0の信号が入力時の出力16が0の場合には、OR回路18の出力が1となるので、Q31(14)のデータがそのまま、入力データとしてメモリセルアレイ2の前記上位ビット列により指定されるアドレス位置に記憶される。これにより、メモリアレイ2の前記上位ビット列により指定されるアドレス位置からの出力並列データにデコーダ3の出力が1位置の信号が挿入された並列データが、メモリセルアレイ2の前記上位ビット列により指定されるアドレス位置戻されて、書き込まれることにより、目的とするアドレスのビット列の記憶が可能となる。 Specifically, when the output 3 when the signal of all bits 0 of the lower bit sequence is input to the decoder 3 and the output Q15 (13) is 0, the output of the OR circuit 17 is 1, so that Q0 is 0 even in the address position specified by the upper bit string of the memory cell array 2, as input data, 1 is stored. On the other hand, when the output 16 when the signal of all bits of the lower bit string is 0 is input to the decoder 3 , the output of the OR circuit 18 becomes 1, so the data of Q31 (14) is used as it is as the input data. It is stored in the address location specified by said upper bit string of the memory cell array 2. Thus, parallel data signal of the position output of the first decoder 3 to output parallel data from the address position specified by the upper bit string of the memory array 2 has been inserted, designated by the upper bit string of the memory cell array 2 It is possible to store the bit string of the target address by returning to the address position to be written and writing.

次にメモリ1に目的とするアドレスのビット列が記憶されているか確認する動作を説明する。パケット転送システムのパケットの送信元アドレスを上位アドレスと下位アドレスに分けた場合の下位アドレスに相当するアドレスのビット列を上位ビット列と下位ビット列に分けた場合の上位ビット列(例えば19ビット)のアドレス指定信号6によりアドレスが指定される、メモリセルアレイの前記指定のアドレス位置から、読み出されるQ0からQ31の並列データの各ビットと、前記下位ビット列(例えば5ビット)のアドレス指定信号7をデコード回路3によるデコードの並列ビットの各ビットとを、AND回路とOR回路で演算し、それをメモリ1の出力信号とするNext, the operation for confirming whether the bit string of the target address is stored in the memory 1 will be described. An address designation signal of an upper bit string (for example, 19 bits) when a bit string of an address corresponding to a lower address when a packet source address of a packet transfer system is divided into an upper address and a lower address is divided into an upper bit string and a lower bit string 6 address is specified by, depending from the specified address position of the memory cell array 2, the Q0 from the respective bits of parallel data Q31, decode circuit 3 addressing signal 7 of the lower bit string (e.g., 5 bits) to be read and each bit of the parallel bits of the decoding, calculated by an aND circuit and OR circuit, and it and the output signal of the memory 1.

具体的には、デコーダ3に前記下位ビット列が全ビット0の信号が入力時の出力15が1となり、出力16がビット0となり、Q0(13)が1で、Q31(14)が1の場合に、AND回路11の出力は1となり、一方、AND回路12の出力は、ビット0となるので、OR回路10への入力は一つとなり、メモリ1の出力19はビット1となる。この場合には、目的とするアドレスのビット列が記憶されていると判断する。また、上記条件で、Q0(13)がビット0の場合には、メモリ1の出力19はビット0となる。この場合には、目的とするアドレスのビット列が記憶されていないと判断する。これにより、メモリセルアレイ2の前記上位ビット列により指定されるアドレス位置からの出力並列データからデコーダ3の出力がビット位置の信号を選択して、アドレスのビット列記憶有/無信号とし、メモリ1の出力とするので、目的とするアドレスのビット列が記憶されているか確認することができる。 Specifically, in the case where a signal of which the lower bit string is all bit 0 is input to the decoder 3 , the output 15 is 1 , the output 16 is bit 0 , Q0 (13) is 1 and Q31 (14) is 1 Moreover, the output of the AND circuit 11 becomes 1, while the output of the AND circuit 12 becomes bit 0, so that the number of inputs to the OR circuit 10 becomes one and the output 19 of the memory 1 becomes bit 1. In this case, it is determined that the bit string of the target address is stored. Under the above conditions, if Q0 (13) is bit 0, the output 19 of the memory 1 is bit 0. In this case, it is determined that the bit string of the target address is not stored. Thus, the output of the decoder 3 from the output parallel data from the address position specified by the upper bit string of the memory cell array 2 selects a signal of a position of the bit 1, a bit string storage / absence signals of the address memory Since 1 is output, it can be confirmed whether the bit string of the target address is stored.

次に、本発明の第2実施例を図2により説明する。本実施例は、パケットの送信元アドレスのビット列または固定電話番号を2進数に変換したビット列または携帯電話番号の上位数字090、080,070のそれぞれの数字の数字0を除いた残りのそれぞれの数字に下位8桁の数字を結合のそれぞれの10進数を2進数に変換のそれぞれのビット列、いずれかの、部分またはハッシュに相当するアドレスのビット列の記憶をするメモリアレイとデコーダと入力レジスタと周辺回路を内蔵したメモリの構成である。 Next, a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. In this embodiment, the bit string of the source address of the packet or the bit string obtained by converting the fixed telephone number into a binary number or the upper digits of the mobile telephone number 090 , 080 and 070 , respectively, the remaining digits except the numeral 0 A memory array, a decoder, an input register, and a peripheral circuit for storing each bit string of combining each of the lower eight digits into each of the decimal numbers into a binary number, and storing a bit string of an address corresponding to any of a part or a hash It is the configuration of the memory that has built-in .

図2において、20は入力レジスタ、8はビット0の書き込み信号、21、22はAND回路、23はNOT回路であり、他は図1と同じである。 In FIG. 2, 20 is an input register, 8 is a write signal of bit 0 , 21 and 22 are AND circuits, and 23 is a NOT circuit. Others are the same as in FIG.

以下に図2の動作を説明する。最初にメモリ1にアドレスのビット列を記憶する動作を説明する。パケット転送システムのパケットの送信元アドレスを上位アドレスと下位アドレスに分けた場合の下位アドレスに相当するアドレスのビット列を上位ビット列と下位ビット列に分けた場合の上位ビット列(例えば19ビット)のアドレス指定信号6によりアドレスが指定されるメモリセルアレイ2の前記指定のアドレス位置から、読み出されるQ0からQ31の並列データの各ビットと、前記下位ビット列(例えば5ビット)のアドレス指定信号7をデコード回路3によるデコードの並列ビットの各ビットとを、ビット0の書き込み信号8がビット0の場合に、OR回路とAND回路で演算し、その結果を入力レジスタ20内の図に記してないラッチ回路でラッチし、前記ラッチ出力データをライトイネーブル信号5を有効にして、メモリセルアレイ2の前記上位ビット列により指定されるアドレス位置に記憶する。 The operation of FIG. 2 will be described below. First, the operation of storing the bit string of the address in the memory 1 will be described. An address designation signal of an upper bit string (for example, 19 bits) when a bit string of an address corresponding to a lower address when a packet source address of a packet transfer system is divided into an upper address and a lower address is divided into an upper bit string and a lower bit string According from the specified address position of the memory cell array 2 which address is specified by 6, and each bit of the parallel data from Q0 to be read Q31, the decoding circuit 3 addressing signal 7 of the lower bit string (e.g., 5 bits) When the write signal 8 of bit 0 is bit 0, each bit of the parallel bits of decoding is operated by the OR circuit and the AND circuit, and the result is latched by the latch circuit (not shown) in the input register 20. the latch output data enable write enable signal 5, before the memory cell array 2 The data is stored in the address position designated by the high-order bit string .

具体的には、ビット0の書き込み信号がビット場合に、入力レジスタ20内で、AND回路21,22からの入力信号を遮断し、OR回路17,18からの入力信号をラッチして、メモリセルアレイ2の前記上位ビット列により指定されるアドレス位置に入力させるので、デコーダ3に前記下位ビット列が全ビット0の信号が入力時の出力15がビット1で、Q0(13)が0の場合に、OR回路17の出力は1となり、AND回路21の出力は0となるので、Q0が0でもメモリセルアレイ2の前記上位ビット列により指定されるアドレス位置には、入力データとして、ビット1が記憶される。一方、デコード3に前記下位ビット列が全ビット0の信号が入力時の出力16が0の場合には、AND回路22の出力にはQ31の信号がそのまま現れるので、Q31のデータがそのまま、入力データとしてメモリセルアレイ2の前記上位ビット列により指定されるアドレス位置に記憶される。これにより、メモリセルアレイ2の前記上位ビット列により指定されるアドレス位置からの出力並列データにデコーダ3の出力がビット1である位置の信号が挿入された並列データが、メモリセルアレイ2の前記上位ビット列により指定されるアドレス位置戻されて、書き込まれることにより、目的とするアドレスのビット列の記憶が可能となる。 Specifically, when the write signal of bit 0 is bit 0 , the input signals from the AND circuits 21 and 22 are cut off in the input register 20, and the input signals from the OR circuits 17 and 18 are latched, so that the memory since the input to the address position specified by the upper bit string of the cell array 2, the output 15 is bit 1 at the lower bit string signals of all bit 0 input to the decoder 3, when Q0 (13) is 0 , the output 1 next to the OR circuit 17, the output of the aND circuit 21 becomes 0, Q0 in the address location specified by said upper bit string of the memory cell array 2 be 0, as input data, bit 1 is stored To be done. On the other hand, when the output 16 when the signal of all bits 0 in the lower bit string is input to the decode 3 , the signal of Q31 appears as it is at the output of the AND circuit 22, so the data of Q31 remains as it is. It is stored in the address location specified by said upper bit string of the memory cell array 2 as. Thus, parallel data signal of position output of the decoder 3 to output parallel data from the address position specified by the upper bit string of the memory cell array 2 is bit 1 is inserted, the upper memory cell array 2 By returning to the address position designated by the bit string and writing it, the bit string of the target address can be stored.

次にメモリ1に目的とするアドレスのビット列が記憶されているか確認する動作を説明する。パケット転送システムのパケットの送信元アドレスを上位アドレスと下位アドレスに分けた場合の下位アドレスに相当するアドレスのビット列を上位ビット列と下位ビット列に分けた場合の上位ビット列(例えば19ビット)のアドレス指定信号6によりアドレスが指定される、メモリ内のメモリセルアレイ2の前記指定のアドレス位置から、読み出されるQ0からQ31の並列データの各ビットと、前記下位ビット列(例えば5ビット)のアドレス指定信号7をデコード回路3によるデコードの並列ビットの各ビットとを、AND回路とOR回路で演算し、それがメモリ1の出力19となる。 Next, the operation of confirming whether the bit string of the target address is stored in the memory 1 will be described. An address designation signal of an upper bit string (for example, 19 bits) when a bit string of an address corresponding to a lower address when a packet source address of a packet transfer system is divided into an upper address and a lower address is divided into an upper bit string and a lower bit string 6 address is specified by decoding from the specified address position of the memory cell array 2 in the memory, and each bit of the parallel data Q0 from Q31 to be read, the address signal 7 of the lower bit string (e.g., 5 bits) and each bit of the parallel bit decoded by the circuit 3 calculates the aND circuit and OR circuit, it is the output 19 of the memory 1.

具体的には、デコーダ3に前記下位ビット列が全ビット0の信号が入力時の出力15がビット1で、Q0(13)がビット1の場合に、AND回路11の出力はビット1となり、デコード3の他の出力(例えば16)がビット0となり、AND回路12の出力はビット0となるので、OR回路10への入力は一つとなり、メモリ1の出力19はビット1となる。この場合には、目的とするアドレスのビット列が記憶されていると判断する。また、上記条件で、Q0(13)がビット0の場合には、メモリ1の出力19はビット0となる。この場合には、目的とするアドレスのビット列が記憶されていないと判断する。これにより、メモリセルアレイ2の前記上位ビット列により指定されるアドレス位置からの出力並列データからデコーダ3の出力がビット位置の信号によりデータを選択して、前記選択されたデータをアドレスのビット列記憶有/無信号とし、メモリ1の出力19とするので、目的とするアドレスのビット列が記憶されているか確認することができる。 Specifically, when the output 15 is a bit 1 and a signal of Q0 (13) is a bit 1 when a signal of all bits 0 of the lower bit string is input to the decoder 3 , the output of the AND circuit 11 becomes a bit 1 and the decoding is performed. Since the other output (eg, 16) of 3 becomes bit 0 and the output of the AND circuit 12 becomes bit 0, the number of inputs to the OR circuit 10 becomes one and the output 19 of the memory 1 becomes bit 1. In this case, it is determined that the bit string of the target address is stored. Under the above conditions, if Q0 (13) is bit 0, the output 19 of the memory 1 is bit 0. In this case, it is determined that the bit string of the target address is not stored. Thus, the output of the decoder 3 from the output parallel data from the address position specified by the upper bit string of the memory cell array 2 selects the data by a signal position of the bit 1, bit string address the selected data Since there is a signal with / without memory and the output is the output 19 of the memory 1, it is possible to confirm whether the bit string of the target address is stored.

次にメモリ1から目的とするアドレスのビット列の記憶を消去する動作を説明する。パケット転送システムのパケットの送信元アドレスを上位アドレスと下位アドレスに分けた場合の下位アドレスに相当するアドレスのビット列を上位ビット列と下位ビット列に分けた場合の上位ビット列(例えば19ビット)のアドレス指定信号6によりアドレスが指定される、メモリ内のメモリセルアレイ2の前記指定のアドレス位置から、読み出されるQ0からQ31の並列データの各ビットと、前記下位ビット列(例えば5ビット)のアドレス指定信号7をデコード回路3によるデコードの並列ビットの各ビットのビット反転の各ビットとを、ビット0の書き込み信号9がビット1の場合に、AND回路とOR回路で演算し、その結果を入力レジスタ20内の図に記してないラッチ回路でラッチし、そのラッチ出力データをライトイネーブル信号5を有効にして、メモリセルアレイ2の前記上位ビット列により指定されるアドレス位置に記憶する。 Next, the operation of erasing the memory of the bit string of the target address from the memory 1 will be described. An address designation signal of an upper bit string (for example, 19 bits) when a bit string of an address corresponding to a lower address when a packet source address of a packet transfer system is divided into an upper address and a lower address is divided into an upper bit string and a lower bit string address by 6 is designated, from the specified address position of the memory cell array 2 in the memory, and each bit of the parallel data from Q0 to be read Q31, the addressing signal 7 of the lower bit string (e.g., 5 bits) When the write signal 9 of bit 0 is bit 1, the AND circuit and the OR circuit operate on each bit of each bit of the parallel bits decoded by the decode circuit 3 and the result is stored in the input register 20. Latch with a latch circuit (not shown), and output the latch output data with the write enable signal 5. Enable and is stored in the address location specified by said upper bit string of the memory cell array 2.

具体的には、ビット0の書き込み信号がビットの場合に、入力レジスタ20内で、OR回路17,18からの入力信号を遮断し、AND回路21,22からの入力信号をラッチして、メモリセルアレイ2の前記上位ビット列により指定されるアドレス位置に入力させるので、デコーダ3に前記下位ビット列が全ビット0の信号が入力時の出力15がビット1で、Q0(13)がビット1の場合に、AND回路21の出力はビット0となるので、Q0がビット1でもメモリセルアレイ2の前記上位ビット列により指定されるアドレス位置には、入力データのD0として、ビット0が記憶される。一方、デコード3に前記下位ビット列が全ビット0の信号が入力時の出力16がビットとなる場合には、Q31のデータがそのまま、入力データとしてメモリセルアレイ2の前記上位ビット列により指定されるアドレス位置に記憶される。これにより、メモリセルアレイ2の前記上位ビット列により指定されるアドレス位置からの出力並列データをデコーダ3の出力がビット位置のビット1の反転信号で打ち消された並列データが、メモリセルアレイ2の前記上位ビット列により指定されるアドレス位置戻されて、書き込まれることにより、目的とするアドレスのビット列の記憶の消去が可能となる。 Specifically, when the write signal of bit 0 is bit 1 , the input signals from the OR circuits 17 and 18 are cut off in the input register 20, and the input signals from the AND circuits 21 and 22 are latched. since the input to the address position specified by the upper bit string of the memory cell array 2, the lower bit string output 15 when the signal of all bits 0 input to the decoder 3 by bit 1, Q0 (13) is bit 1 If, the output of the aND circuit 21 becomes bit 0, Q0 is the address position specified by the upper bit string of the memory cell array 2 even bit 1, as D0 of the input data, bit 0 is stored. On the other hand, if the lower bit string output 16 when the signal of all bits 0 input to the decode 3 becomes bit 0, as data of Q31 is designated by the upper bit string of the memory cell array 2 as input data Stored at address location . Thus, parallel data output of the decoder 3 to output parallel data from the address position specified by the upper bit string of the memory cell array 2 is erased out by the inverted signal of the bit 1 position of the bit 1, the memory cell array By returning to the address position designated by the upper bit string of 2 and writing, the memory of the bit string of the target address can be erased.

アドレスのビット列を記憶するメモリ
2 メモリセルアレイ
3 デコーダ
4 入力レジスタ
5 ライトイネーブル信号
6 上位ビット列のアドレス指定信号
7 下位ビット列のアドレス指定信号
ビット0の書き込み信号
9 入力データ
10 OR回路
11、12 AND回路
13、14 メモリセルアレイ2の出力データ
15 デコーダ3の入力オールビット0の出力信号
16 デコーダ3の入力オールビット1の出力信号
17、18 OR回路
19 メモリ1の出力信号
20 入力レジスタ
21、22 AND回路
23 NOT回路
Memory 2 memory cell array 3 decoder 4 input registers 5 write enable signal 6 upper bit string of the addressing signal 7 write signal 9 of lower bit string of the address specifying signal 8 bit 0 input data 10 OR circuits 11 and 12 for storing a bit string of one address AND circuits 13 and 14 the memory cell array 2 of the output data 15 the decoder 3 inputs the output signal 20 input register 21 of the output signal 17, 18 OR circuit 19 memory 1 input all bit 1 of the output signal 16 the decoder 3 of all bits 0, 22 AND circuit 23 NOT circuit

Claims (3)

パケットの送信元アドレスのビット列または固定電話番号を2進数に変換ビット列または携帯電話番号の上位数字090、080,070のそれぞれの数字の数字0を除いた残りのそれぞれの数字に下位8桁の数字を結合のそれぞれの10進数を2進数に変換のそれぞれのビット列、いずれかの、部分またはハッシュ(以下、アドレスのビット列という)を上位ビット列と下位ビット列に分けた場合の前記上位ビット列によりアドレスが指定される、メモリ内の、メモリセルアレイの前記指定のアドレス位置の並列記憶データ領域の、前記下位ビット列をデコーダによるデコードの並列ビットの中のビット1の位置に一致する位置に、前記並列記憶データがメモリセルアレイ外に読み出され、元のアドレスが指定される位置に戻される途中のその並列記憶データの、前記下位ビット列をデコーダによるデコードの並列ビットの中のビット1の位置に一致する位置にビット1を挿入することにより、アドレスのビット列記憶有のビット1を記憶することを特徴とするアドレスのビット列記憶方法。 Of converting a bit string or a fixed telephone number of the source address of the packet in binary respective upper digits 090,080,070 bit string or mobile phone number without the digit 0 digit of the remaining respective numbers in the lower 8 digits Each bit string for converting each decimal number of a combination of numbers into a binary number, any part or hash ( hereinafter, referred to as an address bit string ) is divided into an upper bit string and a lower bit string , and the address is determined by the upper bit string. In the designated parallel memory data area of the specified address position of the memory cell array in the memory, the parallel storage data is located at a position where the lower bit string matches the position of bit 1 in the parallel bits decoded by the decoder. Is read out of the memory cell array and returned to the position where the original address is specified A bit 1 having a bit string storage of an address is stored by inserting the bit 1 at a position of the parallel storage data in which the lower bit string corresponds to the position of the bit 1 in the parallel bit decoded by the decoder. Method of storing bit string of address. 請求項1に記載のアドレスのビット列記憶方法を適用したアドレスのビット列を記憶するメモリであって、
記憶のアドレスのビット列を上位ビット列と下位ビット列に分け、前記上位ビット列によりアドレスが指定される、メモリセルアレイ内のその指定のアドレスから1時的に読み出された並列データの各ビットと、前記下位ビット列をデコーダによるデコードの並列ビットの各ビットと、のOR出力の並列ビットをラッチし、前記ラッチ出力データを、前記メモリセルアレイの前記上位ビット列によりアドレスが指定される前記指定のアドレス位置のデータ記憶領域に戻して、記憶することにより、記憶のアドレスのビット列の記憶有ビット1を記憶する機能と、
記憶されているか確認のアドレスのビット列を上位ビット列と下位ビット列に分け、前記上位ビット列によりアドレスが指定される、メモリセルアレイ内の前記指定のアドレス位置から読み出される並列データの各ビットと、前記下位ビット列をデコーダによるデコードの並列ビットの各ビットと、のAND出力の並列ビットの各ビットの全ビットのORの出力である、記憶されているか確認のアドレスのビット列の記憶有/無信号を出力する機能と
を備えたことを特徴とするメモリ。
A memory for storing a bit string of an address to which the method of storing a bit string of an address according to claim 1 is applied,
The bit string of the storage address is divided into an upper bit string and a lower bit string , each bit of the parallel data temporarily read from the specified address in the memory cell array whose address is designated by the upper bit string, and the lower bit. latching each bit parallel bit decoded by the bit string to the decoder, the parallel bits of the OR of the outputs of the latch output data of the designated address position where the address by upper bit string is designated in the memory cell array back to the data storage area by storing a function that stores bit 1 of the memory chromatic bit string of addresses of the memory,
The bit string of confirmation of address or stored separately in the high-order bit string and a lower bit string, the address by the upper bit string is specified, and each bit of the parallel data read from the specified address location within the memory cell array, the lower and each bit of the parallel bit decoded by the bit string to the decoder, which is the output of all bits of each bit oR of the parallel bits of the output of the aND, signals of the storage / absence of a bit string of checked addresses stored A memory having a function of outputting.
ビット0を記憶する信号入力時に、消去のアドレスのビット列を上位ビット列と下位ビット列に分け、前記上位ビット列によりアドレスが指定される、メモリセルアレイ内の前記指定のアドレス位置から1時的に読み出される並列データの各ビットと、前記下位ビット列をデコーダによるデコードの並列ビット各ビットビット反転の各ビットと、のAND出力の並列ビット、ラッチし、前記ラッチ出力データを、前記上位ビット列によりアドレスが指定される、前記メモリセルアレイ内の前記指定のアドレス位置のデータ記憶領域に戻して、記憶することにより、消去のアドレスのビット列記憶無ビット0を書き込む機能をさらに備え請求項2に記載のメモリ。 When the signal input to store a bit 0, divided bit string of addresses of erased upper bit string and a lower bit string, the address by the upper bit string is specified, it is read from the designated address position in the memory cell array 1 temporary and each bit of the parallel data, and each bit of the bit inversion of each bit of the parallel bit decoded by the low-order bit string to the decoder, the parallel bits of the output of the aND of the latches, the latch output data, by the upper bit string address is specified, the return to the data storage area of the designated address position in the memory cell array by storing, claim Ru further comprising a function of writing the bit 0 of the bit string storage free address of the erase 2 Memory described in.
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