JP2019096670A - Semiconductor device manufacturing apparatus and semiconductor device manufacturing method - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、半導体装置の製造装置および半導体装置の製造方法に関するものである。 The present invention relates to a semiconductor device manufacturing apparatus and a semiconductor device manufacturing method.
半導体装置の製造においては、多数個の素子を一括して造り込まれたウェーハをダイシングして個々の半導体チップに分離し、これを一個ずつリードフレーム等の所定位置にボンディングするというチップボンディングの手法が採用されている。そして、このチップボンディングにはダイボンダ(半導体装置の製造装置)が用いられる。 In the manufacture of semiconductor devices, a chip bonding method in which a wafer in which a large number of elements are fabricated at once is diced and separated into individual semiconductor chips, which are bonded one by one to a predetermined position such as a lead frame. Is adopted. Then, a die bonder (a manufacturing apparatus of a semiconductor device) is used for this chip bonding.
半導体装置の製造装置は、図6に示すように、供給部2の半導体チップ1を吸着するコレット3を有するボンディングアーム(図示省略)と、供給部2の半導体チップ1を観察する確認用カメラ(図示省略)と、ボンディング位置でリードフレーム4のアイランド部5を観察する確認用カメラ(図示省略)とを備える。
As shown in FIG. 6, the semiconductor device manufacturing apparatus includes a bonding arm (not shown) having a
供給部2は半導体ウェーハ6(図7参照)を備え、半導体ウェーハ6が多数の半導体チップ1に分割されている。すなわち、ウェーハ6は粘着シート(ダイシングシート)に貼り付けられ、このダイシングシートが環状のフレームに保持される。そして、このダイシングシート上のウェーハ6に対して、円形刃(ダイシング・ソー)等を用いて、個片化してチップ1を形成する。また、コレット3を保持しているボンディングアームは搬送手段を介して、ピックアップ位置とボンディング位置との間の移動が可能となっている。
The
また、このコレット3は、その下端面に開口した吸着孔を介してチップ1が真空吸引され、このコレット3の下端面にチップ1が吸着する。なお、この真空吸引(真空引き)が解除されれば、コレット3からチップ1が外れる。
Further, in the
次にこのダイボンダを使用したダイ半導体装置の製造方法を説明する。まず、供給部2の上方に配置される確認用カメラにてピックアップすべきチップ1を観察して、コレット3をこのピックアップすべきチップ1の上方に位置させた後、矢印Bのようにコレット3を下降させてこのチップ1をピックアップする。その後、矢印Aのようにコレット3を上昇させる。
Next, a method of manufacturing a die semiconductor device using this die bonder will be described. First, the
次に、ボンディング位置の上方に配置された確認用カメラにて、ボンディングすべきリードフレーム4のアイランド部5を観察して、コレット3を矢印E方向へ移動させて、このアイランド部5の上方に位置させた後、コレット3を矢印Dのように下降移動させて、このアイランド部5にチップ1を供給する。また、アイランド部5にチップを供給した後は、コレット3を矢印Cのように上昇させた後、矢印Fのように、ピップアップ位置の上方の待機位置に戻す。
Next, the island portion 5 of the
コレット3は、移動機構(図示省略)にて、ピックアップポジションP上での矢印A方向の上昇および矢印B方向の下降と、ボンディングポジションQ上での矢印C方向の上昇および矢印D方向の下降と、ピックアップポジションPとボンディングポジションQとの間の矢印E、F方向の往復動とが可能とされる。移動機構は図示省略の制御手段にて前記矢印A、B、C、D、E、Fの移動が制御される。なお、移動機構としては、シリンダ機構、ボールねじ機構、リニアモータ機構等の種々の機構にて構成することができ,XYZ軸ステージ(ステージ装置)を使用することができる。
The
ところで、このようなボンディング工程では、ピックアップ時には予め設定されたピックアップ荷重にてピックアップし、ボンディング時には予め設定されたボンディング荷重にてボンディングされる。 By the way, in such a bonding process, pickup is performed with a pickup load set in advance during pickup, and bonding is performed with a bonding load set in advance during bonding.
そこで、従来では、荷重検出器としてのロードセルを用い、設定荷重がコレットに付与されているか検出するものがある(特許文献1)。このようにロードセルを備えたものでは、コレットに設定荷重が加わっていることを確認できる。 Therefore, in the related art, there is one that detects whether a set load is applied to the collet by using a load cell as a load detector (Patent Document 1). Thus, with the load cell, it can be confirmed that the set load is applied to the collet.
また、このような設定荷重を監視しない場合、荷重を与える機構、例えばエア圧で荷重を発生する機構においてエア圧を監視することができる。電動機構で荷重を与えるものでは、出力側で荷重を測定することにより所定の荷重がコレットに加わることを監視できる。すなわち、電動機構で荷重を与えるものでは、電圧制御でコレットに加わる荷重を調整することができる。 In addition, when such a set load is not monitored, the air pressure can be monitored by a mechanism that applies a load, for example, a mechanism that generates a load by the air pressure. In the case of applying a load by an electric mechanism, it is possible to monitor that a predetermined load is applied to the collet by measuring the load on the output side. That is, in the case where a load is provided by an electric mechanism, the load applied to the collet can be adjusted by voltage control.
コレットの押圧部は通常は、弾性変形可能なゴムや樹脂等にて構成されている。このため、コレットの押圧部にてチップを押圧した場合、この押圧部が弾性変形することになる。このように弾性変形した場合、設定した荷重をコレットに付与しても、チップに対して設定した荷重を付与できないことがある。 The pressing portion of the collet is usually made of elastically deformable rubber, resin or the like. Therefore, when the chip is pressed by the pressing portion of the collet, this pressing portion is elastically deformed. When elastic deformation is performed as described above, even when the set load is applied to the collet, the set load may not be applied to the chip.
すなわち、チップに荷重を加える動作を行うボンディングヘッドにおける停止高さが、荷重によるコレットの変形完了高さに到達しないことがある。このため、ヘッド高さを設定した後に更に高さを下げる必要があったり、逆にコレット表面温度が上昇するような場合には、コレット膨張分だけヘッド高さを上げる必要があったりする。 That is, the stopping height of the bonding head that performs the operation of applying a load to the chip may not reach the deformation completion height of the collet due to the load. For this reason, it is necessary to further lower the height after setting the head height, or when the collet surface temperature rises, it is necessary to increase the head height by the collet expansion amount.
このように設定した荷重(ピックアップ荷重やボンディング荷重)を付与できない場合、荷重過多になってチップにクラックが発生したり、または荷重不足でピックアップできなかったり、ボンディング貼付け強度が不足したりする。 When the load (pickup load or bonding load) set in this way can not be applied, the load becomes excessive and a crack occurs in the chip, or the chip can not be picked up due to insufficient load, or bonding bonding strength is insufficient.
また、エア圧を監視する場合、配管等が損傷していれば、いわゆる荷重抜けが発生し、ボンディング品質の低下を招いていた。電圧制御で所定の荷重をコレットに付与する場合も、断線等によりボンディング品質の低下を招いていた。 In addition, when monitoring the air pressure, if piping etc. is damaged, a so-called load drop occurs, resulting in deterioration of bonding quality. Also in the case where a predetermined load is applied to the collet by voltage control, the bonding quality is lowered due to disconnection or the like.
本発明は、上記課題に鑑みて、コレットの押圧部の弾性体の硬度、接合温度変化、コレットサイズ、ワークサイズ(チップサイズ)、被接合体(リードフレームや基板)の高さ、及び/又は基板上にあらかじめ搭載されてチップの高さにバラツキがあっても、このようなバラツキに影響されることなく付与すべき荷重をチップに付与することができる半導体装置の製造装置および半導体装置の製造方法を提供する。 In the present invention, in view of the above-mentioned subject, hardness of elastic body of pressing portion of collet, bonding temperature change, collet size, work size (chip size), height of bonded body (lead frame or substrate), and / or A semiconductor device manufacturing apparatus and a semiconductor device manufacturing apparatus capable of applying a load to be applied to a chip without being affected by such variation even if the chip height is unevenly mounted in advance on a substrate. Provide a way.
本発明の半導体装置の製造装置は、チップを押圧する弾性変形可能な押圧部を有するコレットを備えた半導体装置の製造装置であって、コレットに荷重を付与する荷重付与手段と、荷重付与手段にて、コレットに荷重が付与されてコレットの押圧部の弾性変形完了後にコレットが上昇する荷重が付与された状態で、その上昇を検出する上昇検出手段と、コレットの押圧部がチップに接触してからの反力が入力され、コレットが上昇し始めた荷重を検出する荷重検出手段と、荷重検出手段にて検出された上昇し始めの荷重検出値と、予め設定された荷重付与手段の設定荷重とを比較して、設定荷重の過不足を算出する算出手段と、算出手段にて過不足が算出された際に、この設定荷重の過不足を調整する調整手段とを備えたものである。 The apparatus for manufacturing a semiconductor device according to the present invention is a manufacturing apparatus for a semiconductor device including a collet having an elastically deformable pressing portion for pressing a chip, which includes: a load applying unit that applies a load to the collet; The load is applied to the collet, and the load to which the collet rises after the elastic deformation of the collet pressing portion is applied, the rise detecting means for detecting the rise and the collet pressing portion contact the chip The reaction force from the load is input, and load detection means for detecting the load at which the collet has started to rise, the load detection value at the beginning of the rise detected by the load detection means, and the preset load for the load application means And the adjustment means for adjusting the excess or deficiency of the set load when the excess or deficiency is calculated by the calculation means.
本発明の半導体装置の製造装置によれば、荷重付与手段にてコレットに荷重を付与した場合、弾性変形する押圧部を有するコレットは、その押圧部はチップ側から反力を受けて弾性変形する。このため、設定したボンディング荷重をはチップに付与するために、荷重付与手段にてコレットに荷重を付与しても、チップにその設定した荷重が付与されない場合が生じる。そこで、本発明では、荷重検出手段にて、コレットが上昇し始める荷重を検出することができるようにし、そして、算出手段にて、予め設定された荷重付与手段の設定荷重と、荷重検出手段にて検出した検出値とを比較して、設定荷重の過不足を算出することができるようにした。荷重付与手段にてコレットに荷重を付与した場合、初期段階では、まず押圧部が弾性変形し、このように弾性変形すれば、荷重付与手段にて付与しようとする荷重がチップに伝達されない。この弾性変形が完了して、さらに荷重が付与されれば、コレットが浮き上がり(荷重付与手段が押し戻され)、この浮き上がった高さが、コレットの変形後の荷重が加わった高さとなる。すなわち、荷重付与手段にてコレットに荷重を付与した場合、弾性変形分の荷重が、チップに付与される荷重から差し引かれる。そこで、この弾性変形分の荷重を考慮して、荷重付与手段によって付与される荷重の補正を行うことになる。このため、チップに対して、付与すべき荷重が過多や不足になることを有効に防止できる。 According to the semiconductor device manufacturing apparatus of the present invention, when load is applied to the collet by the load applying means, the collet having the pressing portion which elastically deforms elastically deforms the pressing portion by receiving the reaction force from the chip side. . For this reason, in order to apply the set bonding load to the chip, even when a load is applied to the collet by the load applying means, the set load may not be applied to the chip. Therefore, in the present invention, the load detecting means can detect the load at which the collet starts to rise, and the calculating means can set the preset load of the load applying means and the load detecting means. The excess and deficiency of the set load can be calculated by comparing the detected value with the detected value. When a load is applied to the collet by the load application means, at first, the pressing portion is elastically deformed, and if elastic deformation is performed in this way, the load to be applied by the load application means is not transmitted to the chip. When the elastic deformation is completed and a load is further applied, the collet is lifted (the load applying means is pushed back), and the lifted height is the height to which the load after deformation of the collet is applied. That is, when a load is applied to the collet by the load application means, the load for elastic deformation is subtracted from the load applied to the chip. Therefore, the load applied by the load applying means is corrected in consideration of the load of the elastic deformation. Therefore, excessive or insufficient load to be applied to the chip can be effectively prevented.
荷重付与手段は、コレットにてピックアップするピックアップポジションでピックアップ荷重を付与するものであっても、コレットにてボンディングポジションでボンディング荷重を付与するものであってもよい。このように、荷重付与手段がピックアップ荷重を付与するものであれば、このピックアップ荷重が過多や不足になることなくピックアップ工程を行うことができる。また、荷重付与手段がボンディング荷重を付与するものであれば、このボンディング荷重が過多や不足になることなくボンディング工程を行うことができる。 The load application means may apply a pickup load at a pickup position where pickup is performed by a collet, or may apply a bonding load at a bonding position at a collet. As described above, if the load applying means applies the pickup load, the pickup process can be performed without the pickup load becoming excessive or insufficient. Further, if the load applying means applies a bonding load, the bonding process can be performed without the bonding load becoming excessive or insufficient.
前記荷重検出手段は、荷重測定器であるロードセルを用いることができる。ロードセルとは、作用した荷重を電気信号に変換する荷重変換器であり、一般に、磁歪式、静電容量型、ジャイロ式、圧電式、電磁式、音叉式、ひずみゲージ式などがある。この場合、精度が高く温度変化の影響が小さい、出力が電気信号で長距離伝送が可能、計測できる荷重に対し小型であるなどの特徴を有するひずみゲージ式を用いるのが好ましい。 The load detecting means can use a load cell which is a load measuring device. The load cell is a load converter that converts an applied load into an electrical signal, and generally includes a magnetostrictive type, a capacitive type, a gyro type, a piezoelectric type, an electromagnetic type, a tuning fork type, a strain gauge type, and the like. In this case, it is preferable to use a strain gauge type having features such as high accuracy, small influence of temperature change, long-distance transmission with an output electric signal, and small size with respect to measurable load.
本発明の第1の半導体装置の製造方法は、ピックアップポジションで弾性変形するコレットにてチップをピックアップし、ボンディングポジションで弾性変形するコレットにて吸着しているチップをボンディングする半導体装置の製造方法であって、ピックアップポジションでコレットに荷重付与手段によって荷重を付与し、コレットに荷重が付与されてコレットの変形完了後、さらに荷重を付与することによって、コレットを上昇させ、上昇し始めの荷重と、予め設定された荷重付与手段の設定荷重とを比較して、設定荷重の過不足を算出し、この設定荷重の過不足を調整してチップのピックアップを行うものである。 The first method of manufacturing a semiconductor device according to the present invention is a method of manufacturing a semiconductor device in which a chip is picked up by a collet elastically deformed at a pickup position, and a chip adsorbed by a collet elastically deformed at a bonding position is bonded. The collet is lifted by applying load to the collet at the pick-up position, and after the collet is completely deformed by applying a load to the collet, the collet is lifted by further applying a load, and a load at which the collet starts to rise; The excess and deficiency of the preset load is calculated by comparing the preset load of the load giving means, and the excess and deficiency of the preset load is adjusted to pick up the chip.
本発明の第1の半導体装置の製造方法によれば、荷重付与手段にてコレットに荷重を付与した場合、弾性変形分の荷重が、チップに付与される荷重から差し引かれる。そこで、この弾性変形分の荷重を考慮して、荷重付与手段によって付与される荷重の補正を行うことになる。このため、チップに対して、付与すべきピックアップ荷重が過多や不足になることを有効に防止できる。 According to the first method of manufacturing a semiconductor device of the present invention, when a load is applied to the collet by the load application means, the load for elastic deformation is subtracted from the load applied to the chip. Therefore, the load applied by the load applying means is corrected in consideration of the load of the elastic deformation. Therefore, excessive or insufficient pickup load to be applied to the chip can be effectively prevented.
本発明の第2の半導体装置の製造方法は、ピックアップポジションで弾性変形するコレットにてチップをピックアップし、ボンディングポジションで弾性変形するコレットにて吸着しているチップをボンディングする半導体装置の製造方法であって、ボンディングポジションでコレットに荷重付与手段によって荷重を付与し、コレットに荷重が付与されてコレットの変形完了後、さらに荷重を付与することによって、コレットを上昇させ、上昇し始めの荷重と、予め設定された荷重付与手段の設定荷重とを比較して、設定荷重の過不足を算出し、この設定荷重の過不足を調整してチップのボンディングを行うものである。 A second method of manufacturing a semiconductor device according to the present invention is a method of manufacturing a semiconductor device in which a chip is picked up by a collet elastically deformed at a pickup position, and a chip adsorbed by a collet elastically deformed at a bonding position is bonded. The collet is lifted by applying a load to the collet at the bonding position by a load application means, and a load is applied to the collet to complete the deformation of the collet. The excess and deficiency of the preset load is calculated by comparing the preset load of the load application means, and the excess and deficiency of the preset load is adjusted to bond the chip.
本発明の第2の半導体装置の製造方法によれば、荷重付与手段にてコレットに荷重を付与した場合、弾性変形分の荷重が、チップに付与される荷重から差し引かれる。そこで、この弾性変形分の荷重を考慮して、荷重付与手段によって付与される荷重の補正を行うことになる。このため、チップに対して、付与すべきボンディング荷重が過多や不足になることを有効に防止できる。 According to the second method for manufacturing a semiconductor device of the present invention, when a load is applied to the collet by the load application means, the load for elastic deformation is subtracted from the load applied to the chip. Therefore, the load applied by the load applying means is corrected in consideration of the load of the elastic deformation. Therefore, excessive or insufficient bonding load to be applied to the chip can be effectively prevented.
本発明では、チップに対して、付与すべき荷重が過多や不足になることを有効に防止できる。すなわち、コレットの押圧部の弾性体の硬度、接合温度変化、コレットサイズ、ワークサイズ(チップサイズ)、被接合体(リードフレームや基板)の高さ、及び/又は基板上にあらかじめ搭載されてチップの高さにバラツキがあっても、このようなバラツキに影響されることなく付与すべき荷重をチップに付与することができ、安定したピックアップ工程や安定したボンディング工程が可能である。特に、ボンディング中に荷重を切り換えるようなボンディング工程(例えば、低い荷重でのボンディングを開始して途中で高い荷重に切り替える工程)においてもそれぞれの荷重を正しく付与できる。 In the present invention, excessive or insufficient load to be applied to the chip can be effectively prevented. That is, the hardness of the elastic body at the collet pressing portion, the change in bonding temperature, the collet size, the work size (chip size), the height of the object to be bonded (lead frame or substrate), and / or the chip mounted in advance on the substrate Even if there is a variation in height, the load to be applied can be applied to the chip without being affected by such variation, and a stable pickup process and a stable bonding process are possible. In particular, each load can be correctly applied also in a bonding step (for example, a step of starting bonding with a low load and switching to a high load halfway) which switches the load during bonding.
以下本発明の実施の形態を図1〜図5に基づいて説明する。 Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described based on FIGS. 1 to 5.
図5は本発明に係るダイボンダ(半導体装置の製造装置)を示す。このような半導体装置の製造装置は、ウェーハから切り出されるチップ(半導体チップ)21をピックアップポジションPにてコレット23でピックアップして、リードフレームなどの基材22のボンディングポジションQに移送(搭載)するものである。ウェーハは、金属製のリング(ウェーハリング)に張設されたウェーハシート(粘着シート25)上に粘着されており、ダイシング工程によって、多数のチップ21に分断(分割)される。
FIG. 5 shows a die bonder (an apparatus for manufacturing a semiconductor device) according to the present invention. The manufacturing apparatus of such a semiconductor device picks up the chip (semiconductor chip) 21 cut out from the wafer by the
コレット23は、図5に示すように、ピックアップポジションP上での矢印A方向の上昇および矢印B方向の下降と、ボンディングポジションQ上での矢印C方向の上昇および矢印D方向の下降と、ピックアップポジションPとボンディングポジションQとの間の矢印E、F方向の往復動とが可能とされる。コレット23は、後述するボンディングヘッド34に付設され、このボンディングヘッド34はボンディングアーム(図示省略)に付設される。そこで、このボンディングアームが図示省略の制御手段にて制御されて、コレット23が前記矢印A、B、C、D、E、Fの移動が制御される。制御手段は、例えば、CPU(Central Processing Unit)を中心としてROM(Read Only Memory)やRAM(Random Access Memory)等がバスを介して相互に接続されたマイクロコンピューターである。なお、ROMには、CPUが実行するプログラムやデータが格納されている。
As shown in FIG. 5, the
この半導体装置の製造装置は、図1に示すように、コレット23に荷重を付与する荷重付与手段30と、コレット23の上昇を検出する上昇検出手段31と、コレット23が上昇し始めた荷重を検出する荷重検出手段32と、荷重検出手段32にて検出された上昇し始めの荷重検出値と、予め設定された荷重付与手段の設定荷重とを比較して、設定荷重の過不足を算出する算出手段33と、算出手段33にて過不足が算出された際に、この設定荷重の過不足を調整する調整手段34とを備える。
In this semiconductor device manufacturing apparatus, as shown in FIG. 1, a load application means 30 for applying a load to the
荷重付与手段30は、図2に示すように、略L字形状のアーム35と、このアーム35を揺動させる駆動機構36とを備える。すなわち、アーム35が、水平方向に延びる第1バー35aと、この第1バー35aの基端部からこの第1バー35aと直角なすように延びる第2バー35bとからなり、第1バー35aと第2バー35bとのコーナ部に荷重支点35cが設けられる。また、第1バー35aは、コレット23を支持しているボンディングヘッド39の上部に設けられている。
As shown in FIG. 2, the
駆動機構36は、ボールねじ機構、シリンダ機構、リニアモータ機構等の種々の機構にて構成できる。すなわち、駆動機構36の駆動によって、第2バー35bが矢印Gの方向の荷重を受け、これによって、アーム35が荷重支点35cを中心に矢印H方向に揺動し、第1バー35aは矢印Iの荷重を受ける。第1バー35aが矢印Iの荷重を受けると、ボンディングヘッド39を介してコレット23に矢印Iの荷重を付与することができる。
The
コレット23は、押圧部23aと、この押圧部23aを支持する軸部材23bとを有する。軸部材23bは、軸本体部37aと、この軸本体部37aの下部に設けられる本体受け部37bとからなる。押圧部23aはゴム材又は樹脂材等の弾性材から構成されている。そして、コレット23には、押圧部23aの下面である吸着面23a1に開口する吸着孔(図示省略)が形成され、この吸着孔には、真空発生器(図示省略)が接続されている。このため、コレット23の吸着面23a1をチップと接触状として、真空発生器を駆動すれば、吸着孔のエアが吸引され、この吸着面23a1にチップ21を吸着することができる。なお、真空発生器としては、真空ポンプを使用した真空発生装置であっても、ノズルとディフューザと呼ばれる基本パーツで構成されるエジェクタ式の真空発生装置であってもよい。
The
ところで、コレット23の軸部材23bの軸本体部37aが、ボンディングヘッド39内に、吊り下げられた状態で収容されている。また、軸本体部37aの上部には、荷重検出手段32としてのロードセル41が配置されている。このため、図3に示すように、チップ21をコレット23にて吸着している状態で、コレット23に矢印Iの荷重が付与されば、チップ21からの反力をコレット23が受け、この反力をロードセル41にて検出することができる。
By the way, the shaft
すなわち、コレット23が反力を受けない状態では、軸本体部37aとボンディングヘッド39との間に設けられる係合構造Mによって、コレット23はボンディングヘッド39に対して吊り下げられ、この状態では、コレット23はボンディングヘッド39に対して上昇が可能となっている。しかしながら、軸本体部37aとボンディングヘッド39の受け部材38との間にロードセル41が介在されているので、コレット23が反力を受ければ、コレット23が上昇しようとして、ロードセル41が上昇する荷重を受ける。このため、ボンディングヘッド39の受け部材38にロードセル41が押し付けられ、これによって、ロードセル41はチップ21からの反力を検出することができる。
That is, in a state where the
ロードセルとは、作用した荷重を電気信号に変換する荷重変換器であり、一般に、磁歪式、静電容量型、ジャイロ式、圧電式、電磁式、音叉式、ひずみゲージ式などがある。この場合、精度が高く温度変化の影響が小さい、出力が電気信号で長距離伝送が可能、計測できる荷重に対し小型であるなどの特徴を有するひずみゲージ式を用いるのが好ましい。 The load cell is a load converter that converts an applied load into an electrical signal, and generally includes a magnetostrictive type, a capacitive type, a gyro type, a piezoelectric type, an electromagnetic type, a tuning fork type, a strain gauge type, and the like. In this case, it is preferable to use a strain gauge type having features such as high accuracy, small influence of temperature change, long-distance transmission with an output electric signal, and small size with respect to measurable load.
駆動機構36による第2バー35bの矢印G方向の荷重、延いては、コレット23への矢印I方向の荷重の付与は、例えば、マイクロコンピューター等からなる荷重制御手段45に制御されている。なお、係合構造Mとしては、この実施形態では、軸本体部37aの設けられる鍔部42と、ボンディングヘッド39の内径面に設けられる大径部43等で構成され、鍔部42がこの大径部43に上下動可能として嵌合している。
The load of the
上昇検出手段31は、接触式又は非接触式の変位センサ等にて構成でき、算出手段33はマイクロコンピューターにて構成できる。また、調整手段34は、算出手段33からの指令により、駆動機構36により付与する押圧力を調整するものであり、この駆動機構36が、ボールねじ機構であれば、ナット部材の回転数を調整したり、ピストン機構であれば、ピストンロッドの突出量を調整したりすることになる。このため、前記荷重制御手段45がこの調整手段34を兼ねることになる。
The rise detection means 31 can be configured by a contact type or non-contact type displacement sensor or the like, and the calculation means 33 can be configured by a microcomputer. Further, the adjusting means 34 adjusts the pressing force to be applied by the
この場合、ボンディング荷重算出手段33とコレット23の移動を制御する図示省略の制御手段と調整手段34と算出手段33とを共用しても、それぞれ別の制御手段を用いても、さらには、いずれか2つを共用するとともに他の一つを別の制御手段を用いるようにしてもよい。
In this case, the control means (not shown) for controlling the movement of the bonding load calculation means 33 and the
次に、前記のように構成された半導体装置の製造装置にてチップ21をピックアップポジションPでピックアップする方法を図4と図5を用いてまず説明する。図5に示すように、コレット23をピックアップポジションPの上方に配置した状態から矢印Bのように下降させて、ピックアップポジションPのチップ21に当接させる。
Next, a method of picking up the
その後は、コレット23に荷重付与手段30にて予め設定された荷重(ピックアップ荷重)を付与する(図4のステップS1)。この際、真空発生器を駆動させて、吸着孔のエアを吸引して、吸着面23a1(図2参照)にチップ21を吸着するようにする。
Thereafter, a load (pickup load) set in advance by the load application means 30 is applied to the collet 23 (step S1 in FIG. 4). At this time, the vacuum generator is driven to suck the air of the suction holes so that the
ところで、押圧部23aは弾性材にて構成されているので、荷重付与手段30にてコレット23に荷重を付与していけば、弾性変形して押しつぶされた状態となっていく。すなわち、弾性変形する押圧部23aを有するコレット23は、その押圧部23aがチップ側から反力を受けて弾性変形する。このため、この弾性変形が完了すれば、コレット23は上昇を始める。そこで、コレット23が上昇し始めたか否かを判断する(ステップS2)。ステップS2で上昇し始めていない場合、ステップS1に戻る。また、ステップS2で上昇し始めた場合、ステップS3へ移行して、上昇し始めたときの荷重を、荷重検出手段32で検出する。この際、荷重付与手段30にて予め設定されている荷重まで付与する。
By the way, since the
その後、ステップS4へ移行して、ステップS3で測定した荷重(検出値)と予め設定されている荷重(設定荷重)を比較して、過不足があるか否かが判定される(ステップS5)。すなわち、荷重付与手段30にてコレット23に荷重を付与した場合、初期段階では、まず押圧部23aが弾性変形する。このように弾性変形すれば、荷重付与手段30にて付与しようとする荷重がチップ21に伝達されない。この弾性変形が完了して、さらに荷重が付与されれば、コレット23が浮き上がれば、この浮き上がった高さが、コレット23の変形後の荷重が加わった高さとなる。すなわち、荷重付与手段30にてコレット23に荷重を付与した場合、弾性変形分の荷重が、チップ21に付与される荷重から差し引かれる。
Thereafter, the process proceeds to step S4, and the load (detection value) measured in step S3 is compared with the preset load (set load) to determine whether there is an excess or deficiency (step S5). . That is, when a load is applied to the
そこで、この弾性変形分の荷重を考慮して、荷重付与手段30によって付与される荷重の補正を調整手段34にて調整を行って、その調整した荷重でピックアップ工程を行うことになる。すなわち、ステップS5で過不足があれば、ステップS6へ移行して、過不足を調整してその調整した荷重を付与するピックアップ工程を行う。また、ステップS5で過不足が検出されない場合、ステップS7へ移行して、荷重を調整することなく、設定値の荷重で付与することになる。
Therefore, in consideration of the load of the elastic deformation, the correction of the load applied by the
ところで、過不足とは、予め設定した設定値の荷重をコレット23に付与したとしても、チップ21に付与されるピックアップ荷重が設定したものにならないことである。図3において、予め設定した設定値の荷重をコレット23に付与したときに、チップ23に付与されるべきピックアップ荷重をWとしたときに、実際には、W1やW2の荷重がチップ21に付与されている場合がある。このため、W1では、(W−W1)の荷重が不足し、W2では、(W2−W)の荷重が過多である。
By the way, the excess / deficit means that even if the load of the preset setting value is applied to the
従って、この半導体装置の製造装置を用いれば、チップ21に対して、付与すべき荷重が過多や不足になることを有効に防止でき、安定したピックアップ工程を行うことができる。
Therefore, if this semiconductor device manufacturing apparatus is used, excessive or insufficient load to be applied to the
次に、チップ21をボンディングポジションQにボンディングする方法を説明する。ボンディングポジションQにおいても、荷重付与手段30と、上昇検出手段31と、荷重検出手段32と、算出手段33と、調整手段34とを備える。この場合、各手段をピックアップ工程において使用したものであっても、ピックアップ工程に用いたものと相違するものを用いてもよい。しかしながら、少なくとも、荷重検出手段32としてのロードセルの共通化が図られる。各種の手段を共用する場合、ピックアップポジジョンPとボンディングポジションQとの間のコレット23の移動に追従する必要がある。
Next, a method of bonding the
この場合、チップ21を吸着しているコレット23を、図5に示すように、ボンディングポジションQの上方に位置させ、矢印Dのように下降させて、チップ21を基材22上に載置する。この際、コレット23に、設定した荷重(予め設定した荷重付与手段30による荷重)を付与する。この際、真空発生器を停止して、吸着孔のエアの吸引を停止する。
In this case, the
荷重付与手段30にてコレット23に荷重を付与していけば、弾性変形して押しつぶされた状態となっていく。すなわち、弾性変形する押圧部23aを有するコレット23は、その押圧部23aがチップ側から反力を受けて弾性変形する。このため、ピックアップ工程と同様の図4に示す工程を行うことになる。
If a load is applied to the
従って、この半導体装置の製造装置を用いれば、チップ21に対して、付与すべき荷重が過多や不足になることを有効に防止でき、安定したボンディング工程を行うことができる。
Therefore, if this semiconductor device manufacturing apparatus is used, excessive or insufficient load to be applied to the
本発明に係る半導体装置の製造装置では、荷重検出手段30にて、コレット23が上昇し始める荷重を検出することができ、算出手段33にて、予め設定された荷重付与手段30の設定荷重と、荷重検出手段32にて検出した検出値とを比較して、設定荷重の過不足を算出することができる。荷重付与手段31にてコレットに荷重を付与した場合、初期段階では、まず押圧部23aが弾性変形する。このように弾性変形すれば、荷重付与手段30にて付与しようとする荷重がチップ21に伝達されない。この弾性変形が完了して、さらに荷重が付与されれば、コレット23が浮き上がれば、この浮き上がった高さが、コレット23の変形後の荷重が加わった高さとなる。すなわち、荷重付与手段にてコレット23に荷重を付与した場合、弾性変形分の荷重が、チップ21に付与される荷重から差し引かれる。そこで、この弾性変形分の荷重を考慮して、荷重付与手段30によって付与される荷重の補正を行うことになる。このため、チップ21に対して、付与すべき荷重が過多や不足になることを有効に防止できる。
In the semiconductor device manufacturing apparatus according to the present invention, the
このように、本発明では、チップ21に対して、付与すべき荷重が過多や不足になることを有効に防止できる。すなわち、コレット23の押圧部23aの弾性体の硬度、接合温度変化、コレットサイズ、ワークサイズ(チップサイズ)、被接合体(リードフレームや基板)の高さ、及び/又は基板上にあらかじめ搭載されてチップの高さにバラツキがあっても、このようなバラツキに影響されることなく付与すべき荷重をチップ21に付与することができ、安定したピックアップ工程や安定したボンディング工程が可能である。特に、ボンディング中に荷重を切り換えるようなボンディング工程(例えば、低い荷重でのボンディングを開始して途中で高い荷重に切り替える工程)においてもそれぞれの荷重を正しく付与できる。
As described above, according to the present invention, excessive or insufficient load to be applied to the
本実施形態では、荷重検出手段32に、荷重測定器であるロードセル41を用いている。ロードセルとは、作用した荷重を電気信号に変換する荷重変換器であり、一般に、磁歪式、静電容量型、ジャイロ式、圧電式、電磁式、音叉式、ひずみゲージ式などがある。この場合、精度が高く温度変化の影響が小さい、出力が電気信号で長距離伝送が可能、計測できる荷重に対し小型であるなどの特徴を有するひずみゲージ式を用いるのが好ましい。
In the present embodiment, a
本発明は前記実施形態に限定されることなく種々の変形が可能であって、例えば、荷重付与手段30として、前記実施形態では、略L字形状のアームを用いて、コレット23の同軸上に駆動機構36を配設しないようにしているが、駆動機構36をコレット23の同軸上に配設する機構のものであってもよい。なお、略L字形状のアームを用いた場合、装置レイアウト性に優れるとともに、また、荷重の増幅が可能となる等の利点がある。
The present invention can be variously modified without being limited to the above embodiment. For example, as the
この半導体装置の製造装置においてボンディングされる半導体装置として、複数枚のチップ21が積層されてなる積層体を備えたものであってもよい。この場合、ピックアップ工程において、本発明の半導体装置の製造装置を用いない。なお、半導体装置とは、半導体特性を利用することで機能しうる装置全般を指し、電気光学装置、半導体回路および電子機器は全て半導体装置である。
The semiconductor device to be bonded in the manufacturing apparatus of the semiconductor device may include a stacked body in which a plurality of
21 チップ
23 コレット
23a 押圧部
30 荷重付与手段
31 上昇検出手段
32 荷重検出手段
33 算出手段
34 調整手段
41 ロードセル
P ピックアップポジション
Q ボンディングポジション
Claims (6)
コレットに荷重を付与する荷重付与手段と、
荷重付与手段にて、コレットに荷重が付与されてコレットの押圧部の弾性変形完了後にコレットが上昇する荷重が付与された状態で、その上昇を検出する上昇検出手段と、
コレットの押圧部がチップに接触してからの反力が入力され、コレットが上昇し始めた荷重を検出する荷重検出手段と、
荷重検出手段にて検出された上昇し始めの荷重検出値と、予め設定された荷重付与手段の設定荷重とを比較して、設定荷重の過不足を算出する算出手段と、
算出手段にて過不足が算出された際に、この設定荷重の過不足を調整する調整手段とを備えたことを特徴とする半導体装置の製造装置。 An apparatus for manufacturing a semiconductor device comprising a collet having an elastically deformable pressing portion for pressing a chip, the apparatus comprising:
Load applying means for applying a load to the collet,
A load detecting means for detecting a rise of the collet in a state where the load is applied to the collet and the collet lifts the load after the elastic deformation of the pressing portion of the collet is completed;
Load detection means for detecting a load at which the collet has started to rise, to which a reaction force after the collet pressing portion comes in contact with the tip is inputted;
Calculating means for comparing excess / deficiency of the set load by comparing the load detection value at the beginning of the rise detected by the load detection means with the preset load of the load provider set in advance;
An apparatus for manufacturing a semiconductor device, comprising: adjustment means for adjusting the excess or deficiency of the set load when the excess or deficiency is calculated by the calculation means.
ピックアップポジションでコレットに荷重付与手段によって荷重を付与し、コレットに荷重が付与されてコレットの変形完了後、さらに荷重を付与することによって、コレットを上昇させ、上昇し始めの荷重と、予め設定された荷重付与手段の設定荷重とを比較して、設定荷重の過不足を算出し、この設定荷重の過不足を調整してチップのピックアップを行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。 A method of manufacturing a semiconductor device, comprising: picking up a chip by a collet elastically deformed at a pickup position; and bonding a chip adsorbed by the collet elastically deformed at a bonding position;
A load is applied to the collet at the pick-up position by a load application means, a load is applied to the collet, and after completion of deformation of the collet, the collet is lifted by further applying a load. A method of manufacturing a semiconductor device, comprising comparing the set load of the load applying means with the set load to calculate excess or deficiency of the set load and adjusting the excess or deficiency of the set load to pick up the chip.
ボンディングポジションでコレットに荷重付与手段によって荷重を付与し、コレットに荷重が付与されてコレットの変形完了後、さらに荷重を付与することによって、コレットを上昇させ、上昇し始めの荷重と、予め設定された荷重付与手段の設定荷重とを比較して、設定荷重の過不足を算出し、この設定荷重の過不足を調整してチップのボンディングを行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。 A method of manufacturing a semiconductor device, comprising: picking up a chip by a collet elastically deformed at a pickup position; and bonding a chip adsorbed by the collet elastically deformed at a bonding position;
A load is applied to the collet at the bonding position by a load application means, a load is applied to the collet, and after completion of deformation of the collet, the collet is lifted by further applying a load, and the load starting to rise is set in advance. A method of manufacturing a semiconductor device, comprising comparing the set load of the load applying means with the set load to calculate excess or deficiency of the set load, adjusting the excess or deficiency of the set load, and bonding the chip.
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KR20210084820A (en) * | 2019-12-30 | 2021-07-08 | 제엠제코(주) | Apparatus for bonding multiple clip of semiconductor package |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1022307A (en) * | 1996-07-05 | 1998-01-23 | Toshiba Mechatronics Kk | Collet touch detecting mechanism of die bonder |
JP2004200379A (en) * | 2002-12-18 | 2004-07-15 | Renesas Technology Corp | Die bonding device and die bonding method using the same |
JP2010206103A (en) * | 2009-03-05 | 2010-09-16 | Toshiba Corp | Apparatus for manufacturing semiconductor device, and method for manufacturing the semiconductor device |
WO2014155535A1 (en) * | 2013-03-26 | 2014-10-02 | 富士機械製造株式会社 | Electronic circuit component mounting system |
-
2017
- 2017-11-20 JP JP2017222937A patent/JP6914815B2/en active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1022307A (en) * | 1996-07-05 | 1998-01-23 | Toshiba Mechatronics Kk | Collet touch detecting mechanism of die bonder |
JP2004200379A (en) * | 2002-12-18 | 2004-07-15 | Renesas Technology Corp | Die bonding device and die bonding method using the same |
JP2010206103A (en) * | 2009-03-05 | 2010-09-16 | Toshiba Corp | Apparatus for manufacturing semiconductor device, and method for manufacturing the semiconductor device |
WO2014155535A1 (en) * | 2013-03-26 | 2014-10-02 | 富士機械製造株式会社 | Electronic circuit component mounting system |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20210084820A (en) * | 2019-12-30 | 2021-07-08 | 제엠제코(주) | Apparatus for bonding multiple clip of semiconductor package |
KR102300250B1 (en) * | 2019-12-30 | 2021-09-09 | 제엠제코(주) | Apparatus for bonding multiple clip of semiconductor package |
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