JP2019086807A - 静電検出装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】少ない電極でシンプルな構造を有する、1次元タッチ位置の検出が可能な静電検出装置提供する。【解決手段】長尺状に導体で形成された低抵抗率の第1検出電極10と、長尺状に導体で形成され、第1検出電極10に沿って近接して配置された高抵抗率の第2検出電極20と、第1検出電極10及び第2検出電極20へ所定電圧を印加したときのそれぞれの過渡特性に基づいて、第1検出電極10及び第2検出電極20へのタッチ位置を算出する電圧計測部31,32を備えた制御部30と、を有して静電検出装置1を構成する。【選択図】図1
Description
本発明は、静電検出装置に関し、特に、1次元タッチ位置の検出が可能な静電検出装置に関する。
従来、表示器の表側にタッチパネルを設けるものにおいて、タッチ操作に基づくタッチ位置を検出する静電検出装置が提案されている(例えば、特許文献1)。
この静電検出装置は、タッチパネルに、1軸方向に直交して複数並ぶ電極によって形成される1層電極部を設け、他方のタッチパネルに、1軸方向に直交して複数並ぶ電極によって形成される第1電極部、および他方の軸方向に直交して複数並ぶ電極によって形成される第2電極部が重ねられた2層電極部を設ける。2層電極部の端部に対して、1層電極部の端部を容量結合して、制御部が他方のタッチパネルに接続されるようにする。1層電極部の複数の電極をよぎるように(順にタッチしていくように)タッチ操作すると、2層電極部を介して制御部によって、1軸方向に移動する静電容量の変化がタッチ方向として検出される。
特許文献1の静電検出装置は、1軸方向のタッチ位置、タッチ方向を検出するために、1軸方向に直交して複数並ぶ電極を形成する必要があった。このため、静電検出装置において、高精度、広範囲の位置特定を目的とするものほど電極の数が増える、という問題があった。
したがって、本発明の目的は、少ない電極でシンプルな構造を有する、1次元タッチ位置の検出が可能な静電検出装置を提供することにある。
[1]上記目的を達成するため、長尺状に導体で形成された低抵抗率の第1検出電極と、長尺状に導体で形成され、前記第1検出電極に沿って近接して配置された高抵抗率の第2検出電極と、前記第1検出電極及び前記第2検出電極へ所定電圧を印加したときのそれぞれの過渡特性に基づいて、前記第1検出電極及び前記第2検出電極へのタッチ位置を算出する電圧計測部を備えた制御部と、を有する静電検出装置を提供する。
[2]前記第1検出電極及び前記第2検出電極は、前記タッチ位置をタッチ操作する場合に、同時にタッチする程度に前記近接した配置である、上記[1]に記載の静電検出装置であってもよい。
[3]また、前記制御部は、前記第1検出電極及び前記第2検出電極の時定数を同時に検出することにより前記タッチ位置を算出する上記[1]又は[2]に記載の静電検出装置であってもよい。
[4]また、前記第1検出電極は、一端がオープン状態とされ、他端は抵抗を介して前記電圧計測部に接続されている、上記[1]から[3]のいずれか1に記載の静電検出装置であってもよい。
本発明の静電検出装置によれば、少ない電極、シンプルな構造で、1次元タッチ位置の検出が可能となる。
(本発明の実施の形態)
(静電検出装置1の構成)
本発明の実施の形態に係る静電検出装置1は、長尺状に導体で形成された低抵抗率の第1検出電極10と、長尺状に導体で形成され、第1検出電極10に沿って近接して配置された高抵抗率の第2検出電極20と、第1検出電極10及び第2検出電極20へ所定電圧を印加したときのそれぞれの過渡特性に基づいて、第1検出電極10及び第2検出電極20へのタッチ位置を算出する電圧計測部31、32を備えた制御部30と、を有して構成されている。
(静電検出装置1の構成)
本発明の実施の形態に係る静電検出装置1は、長尺状に導体で形成された低抵抗率の第1検出電極10と、長尺状に導体で形成され、第1検出電極10に沿って近接して配置された高抵抗率の第2検出電極20と、第1検出電極10及び第2検出電極20へ所定電圧を印加したときのそれぞれの過渡特性に基づいて、第1検出電極10及び第2検出電極20へのタッチ位置を算出する電圧計測部31、32を備えた制御部30と、を有して構成されている。
本実施の形態に係る静電検出装置1は、低抵抗率の第1検出電極10と高抵抗率の第2検出電極20に対して、それぞれ独立に、同時に、ステップ状の電圧を印加して、電圧値の過渡特性における時定数の違いから、第1検出電極10及び第2検出電極20へのタッチ位置を算出するものである。第1検出電極10と第2検出電極20は近接して配置されているので、第1検出電極10及び第2検出電極20へのタッチ位置Xは、同じ1次元位置であることを前提としている。
(検出ユニット5)
検出ユニット5は、図1(a)に示すように、パネル7、第1検出電極10、第2検出電極20から概略構成されている。
検出ユニット5は、図1(a)に示すように、パネル7、第1検出電極10、第2検出電極20から概略構成されている。
(第1検出電極10)
第1検出電極10は、長尺状に導体で形成された低抵抗率のタッチ検出電極である。第1検出電極10は、指、指先に対して小さい幅の帯状の電極である。第1検出電極10は、図1(b)に示すように、絶縁体で所定の誘電率を持つ樹脂製のパネル7の下に、導電性の電極が形成されている。例えば、導電性材料の塗布、銅箔等で形成されている。
第1検出電極10は、長尺状に導体で形成された低抵抗率のタッチ検出電極である。第1検出電極10は、指、指先に対して小さい幅の帯状の電極である。第1検出電極10は、図1(b)に示すように、絶縁体で所定の誘電率を持つ樹脂製のパネル7の下に、導電性の電極が形成されている。例えば、導電性材料の塗布、銅箔等で形成されている。
(第2検出電極20)
第2検出電極20も同様に、長尺状に導体で形成され、第1検出電極10に沿って近接して配置された高抵抗率のタッチ検出電極である。第2検出電極20は、指、指先に対して小さい幅の帯状の電極であり、第1検出電極10と同じ幅寸法とされている。第2検出電極20は、第1検出電極10に対して狭い間隔で隣接して形成されている。よって、第1検出電極10及び第2検出電極20は、タッチ位置をタッチ操作する場合に、同時にタッチする程度に近接した配置となっている。
第2検出電極20も同様に、長尺状に導体で形成され、第1検出電極10に沿って近接して配置された高抵抗率のタッチ検出電極である。第2検出電極20は、指、指先に対して小さい幅の帯状の電極であり、第1検出電極10と同じ幅寸法とされている。第2検出電極20は、第1検出電極10に対して狭い間隔で隣接して形成されている。よって、第1検出電極10及び第2検出電極20は、タッチ位置をタッチ操作する場合に、同時にタッチする程度に近接した配置となっている。
第2検出電極20は、第1検出電極10と同様に、図1(b)に示すように、絶縁体で所定の誘電率を持つ樹脂製のパネル7の下に、導電性の電極が形成されている。例えば、導電性材料の塗布、銅箔等で形成されている。
第1検出電極10は、図1(a)に示すように、一端10bがオープン状態とされ、もう一方の端部10aは抵抗R0を介して電圧計測部31に接続されている。ここで、抵抗R0の抵抗値は、第1検出電極10の抵抗値よりも大きく設定されている。これにより、第1検出電極10へのタッチ位置Px(図1(a)において、原点OからXの位置)が変わっても抵抗値R1(31aからPxまでの抵抗値)は一定と近似できる。すなわち、第1検出電極10は、低抵抗率のタッチ検出電極である。
一方、第2検出電極20は、図1(a)に示すように、一端20bがオープン状態とされ、もう一方の端部20aは直接、電圧計測部32の端子32bに接続されている。これにより、第2検出電極20へのタッチ位置Px(図1(a)において、原点Oからxの位置)が変わると、抵抗値R2(32aからPxまでの抵抗値)は、Xに比例して変化する。すなわち、第2検出電極20は、高抵抗率のタッチ検出電極である。
(制御部30)
図1(a)に示すように、制御部30は、第1検出電極10のタッチ時のタッチ位置Pxを計測するための電圧計測部31、電圧計測部32を備えている。また、電圧計測部31、電圧計測部32をそれぞれ制御するためのものとして、記憶されたプログラムに従って、所定の演算、処理実行等を行うCPU(Central Processing Unit)、半導体メモリであるRAM(Random Access Memory)及びROM(Read Only Memory)等から構成されるマイクロコンピュータを備える。このROMには、例えば、制御部30が動作するためのプログラムと、各種のパラメータ等が格納されている。また、後述する時定数を計測するためのカウンタ、タイマ等の計時手段を備えている。また制御部30は、種々の機器との入出力をするためのインターフェース部等を備えている。
図1(a)に示すように、制御部30は、第1検出電極10のタッチ時のタッチ位置Pxを計測するための電圧計測部31、電圧計測部32を備えている。また、電圧計測部31、電圧計測部32をそれぞれ制御するためのものとして、記憶されたプログラムに従って、所定の演算、処理実行等を行うCPU(Central Processing Unit)、半導体メモリであるRAM(Random Access Memory)及びROM(Read Only Memory)等から構成されるマイクロコンピュータを備える。このROMには、例えば、制御部30が動作するためのプログラムと、各種のパラメータ等が格納されている。また、後述する時定数を計測するためのカウンタ、タイマ等の計時手段を備えている。また制御部30は、種々の機器との入出力をするためのインターフェース部等を備えている。
(電圧計測部31、32)
この第1検出電極10の端部10aは、図2、3に示すように、電圧計測部31の端子31aに電気的に接続されている。また、第2検出電極20の端部20aは、図2、3に示すように、電圧計測部32の端子32aに電気的に接続されている。
この第1検出電極10の端部10aは、図2、3に示すように、電圧計測部31の端子31aに電気的に接続されている。また、第2検出電極20の端部20aは、図2、3に示すように、電圧計測部32の端子32aに電気的に接続されている。
第1検出電極10、第2検出電極20は、検出対象物である例えば、手指100の近接または接触により、第1検出電極10、第2検出電極20と手指100とでコンデンサを形成する。第1検出電極10と第2検出電極20の電極幅寸法は同じとされ、また、第1検出電極10と第2検出電極20は、近接して配置されているので、図1に示すように、手指100により、同時にタッチされる。このタッチによる各検出電極の直上の接触面積は同じとみなせるので、第1検出電極10と第2検出電極20の静電容量値Cは同じである。
以下、図2、図3に基づいて、第1検出電極10、第2検出電極20への電圧印加と電圧計測、及び電圧値の過渡特性に基づいて、第1検出電極10、第2検出電極20へのタッチ位置の算出方法を説明する。なお、第1検出電極10、第2検出電極20への電圧印加、及び電圧値の計測等は、それぞれ電圧計測部31、32により、同時に、独立して実行される。
(電圧計測部31)
電圧計測部31は、図2、3に示すように、スイッチSW11を有する。電圧計測部31の端子31aは、抵抗R0を介して第1検出電極10の端部10aに接続されると共に、スイッチSW11の端子a11、及び電圧測定端子VS11に接続されている。一方、図1に示したように、第1検出電極10の一端10bはオープン状態とされている。スイッチSW11の端子a12は、電源部V0に接続されている。また、スイッチSW11の端子a13は、GND(グランド)に接続されている。スイッチSW11の端子a11は、端子a12又は端子a13のいずれかの端子と接続されるように制御部30によってスイッチ制御される。スイッチSW11は、図示しない信号により切り替え制御される、例えば、アナログスイッチである。
電圧計測部31は、図2、3に示すように、スイッチSW11を有する。電圧計測部31の端子31aは、抵抗R0を介して第1検出電極10の端部10aに接続されると共に、スイッチSW11の端子a11、及び電圧測定端子VS11に接続されている。一方、図1に示したように、第1検出電極10の一端10bはオープン状態とされている。スイッチSW11の端子a12は、電源部V0に接続されている。また、スイッチSW11の端子a13は、GND(グランド)に接続されている。スイッチSW11の端子a11は、端子a12又は端子a13のいずれかの端子と接続されるように制御部30によってスイッチ制御される。スイッチSW11は、図示しない信号により切り替え制御される、例えば、アナログスイッチである。
電圧測定端子VS11は、端子31aの電圧値を検出する。なお、端子31a側からみた電圧測定端子VS11の入力インピーダンスを十分大きく設定しているので、電圧測定端子VS11は、端子31a、第1検出電極10の端部10aに直結させている。
(電圧計測部32)
電圧計測部32は、図2、3に示すように、スイッチSW21を有する。電圧計測部32の端子32aは、第2検出電極20の端部20aに接続されると共に、スイッチSW21の端子a21、及び電圧測定端子VS21に接続されている。一方、図1に示したように、第2検出電極20の一端10bはオープン状態とされている。スイッチSW21の端子a22は、電源部V0に接続されている。また、スイッチSW21の端子a23は、GNDに接続されている。スイッチSW21の端子a21は、端子a22又は端子a23のいずれかの端子と接続されるように制御部30によってスイッチ制御される。スイッチSW21は、図示しない信号により切り替え制御される、例えば、アナログスイッチである。
電圧計測部32は、図2、3に示すように、スイッチSW21を有する。電圧計測部32の端子32aは、第2検出電極20の端部20aに接続されると共に、スイッチSW21の端子a21、及び電圧測定端子VS21に接続されている。一方、図1に示したように、第2検出電極20の一端10bはオープン状態とされている。スイッチSW21の端子a22は、電源部V0に接続されている。また、スイッチSW21の端子a23は、GNDに接続されている。スイッチSW21の端子a21は、端子a22又は端子a23のいずれかの端子と接続されるように制御部30によってスイッチ制御される。スイッチSW21は、図示しない信号により切り替え制御される、例えば、アナログスイッチである。
電圧測定端子VS21は、端子32aの電圧値を検出する。なお、端子32a側からみた電圧測定端子VS21の入力インピーダンスを十分大きく設定しているので、電圧測定端子VS21は、端子32a、第2検出電極20の端部20aに直結させている。
(タッチ位置の算出動作)
図4は、図1で示すPx点(座標x)へのタッチ時(t=t0)から第1検出電極10、及び第2検出電極20の電圧変化を示す過渡特性を示す信号図である。第1検出電極10と第2検出電極20は、近接して配置されているので、図1に示すように、手指100により、同時にタッチされる。このタッチによる各検出電極の直上の接触面積は同じとみなせる。したがって、第1検出電極10と手指100により形成されるコンデンサの静電容量値と、第2検出電極20と手指100により形成されるコンデンサの静電容量値は同じであり、共に静電容量値Cとする。
図4は、図1で示すPx点(座標x)へのタッチ時(t=t0)から第1検出電極10、及び第2検出電極20の電圧変化を示す過渡特性を示す信号図である。第1検出電極10と第2検出電極20は、近接して配置されているので、図1に示すように、手指100により、同時にタッチされる。このタッチによる各検出電極の直上の接触面積は同じとみなせる。したがって、第1検出電極10と手指100により形成されるコンデンサの静電容量値と、第2検出電極20と手指100により形成されるコンデンサの静電容量値は同じであり、共に静電容量値Cとする。
制御部30は、まず、図2に示すように、スイッチSW11の端子a11が端子a13に接続するようにスイッチ制御する。同様に、スイッチSW21の端子a21が端子a23に接続するようにスイッチ制御する。これにより、第1検出電極10、第2検出電極20は、それぞれ、GNDに接続され、各電極にある電荷がゼロになって初期化される。
次に、制御部30は、図3に示すように、スイッチSW11の端子a11が端子a12に接続するようにスイッチ制御する。同様に、スイッチSW21の端子a21が端子a22に接続するようにスイッチ制御する。この状態で、各電源部V0から第1検出電極10、第2検出電極20にそれぞれステップ電圧VIを印加する。このステップ電圧VIは、図4に示すように、時間t0において電圧がゼロから一定電圧V0に立上るステップ状の電圧である。このステップ電圧VIにより、第1検出電極10、第2検出電極20にそれぞれ電荷が供給される。
第1検出電極10において形成される前述したコンデンサCと、抵抗R0、及び、手指100で位置Px(原点OからXの距離の1次元位置)をタッチした場合の、OPx間の抵抗値R1による時定数τ1は、τ1=C・(R0+R1)である。一方、第2検出電極20において形成される前述したコンデンサCと、手指100で位置Px(原点OからXの距離の位置)をタッチした場合の、OPx間の抵抗値R2による時定数τ2は、τ2=C・R2である。前述したように、第1検出電極10を低抵抗率とするためにR0を大きく設定するので、図4に示すように、第2検出電極20に比べて第1検出電極10の立ち上がり特性は緩やかである。すなわち、電圧V0の63%になる時間、時定数は、τ2<τ1となる。この過渡特性の違いに基づいて、第1検出電極10及び第2検出電極20へのタッチ位置Xを算出する。
ここで、第1検出電極10、第2検出電極20共に、図1で示すLの長さの抵抗体の抵抗値をRとすると、手指100で位置Px(原点OからXの距離の位置)をタッチした場合の、OPx間の抵抗値R1は、R1=R0+R・(X/L)である。第1検出電極10は、第1検出電極10へのタッチ位置Pxが変わっても抵抗値R1(31aからPxまでの抵抗値)は一定と近似できる低抵抗率のタッチ検出電極である。すなわち、R0>>Rと設定することにより、低抵抗率のタッチ検出電極とすることができる。これにより、R1=R0で、一定値と近似することができる。
一方、抵抗値R2は、第2検出電極20へのタッチ位置Px(図1(a)において、原点OからXの位置)が変わると、抵抗値R2(32aからPxまでの抵抗値)は、Xに比例して変化する。すなわち、第2検出電極20は、高抵抗率のタッチ検出電極である。これにより、抵抗値R2は、R2=R・(X/L)で算出できる。
制御部30は、以下の計測、演算を、第1検出電極10と第2検出電極20に対して、それぞれ、独立して、同時に実行する。
(1)図4に示すように、第1検出電極10と第2検出電極20で、電圧が0.63V0になるまでの時間をタイマ等により同時に計測し、それぞれ時定数τ1、τ2を計測する。
(2)制御部30は、以下の演算を実行する。τ1=C・R1より、静電容量値Cを算出する。よって、C=τ1/R1
(3)τ2=C・R2より、R2=τ2/C=R1・(τ2/τ1)=R0×(τ2/τ1)。また、R2=R・X/L である。
(4)よって、X=L・(R2/R)=L・(R0/R)・(τ2/τ1)と算出することができる。
(1)図4に示すように、第1検出電極10と第2検出電極20で、電圧が0.63V0になるまでの時間をタイマ等により同時に計測し、それぞれ時定数τ1、τ2を計測する。
(2)制御部30は、以下の演算を実行する。τ1=C・R1より、静電容量値Cを算出する。よって、C=τ1/R1
(3)τ2=C・R2より、R2=τ2/C=R1・(τ2/τ1)=R0×(τ2/τ1)。また、R2=R・X/L である。
(4)よって、X=L・(R2/R)=L・(R0/R)・(τ2/τ1)と算出することができる。
以上から、制御部30は、上式の、X=L・(R0/R)・(τ2/τ1)から、予め設定したL、R0、R、及び、計測により求められたそれぞれの時定数τ1、τ2を用いることにより、タッチ位置Xを算出することができる。
(本発明の実施の形態の効果)
本発明の実施の形態に係る静電検出装置1は、以下のような効果を有する。
(1)本実施の形態に係る静電検出装置1は、長尺状に導体で形成された低抵抗率の第1検出電極10と、長尺状に導体で形成され、第1検出電極10に沿って近接して配置された高抵抗率の第2検出電極20と、第1検出電極10及び第2検出電極20へ所定電圧を印加したときのそれぞれの過渡特性に基づいて、第1検出電極10及び第2検出電極20へのタッチ位置を算出する電圧計測部31、32を備えた制御部30と、を有して構成されている。第1検出電極10と第2検出電極20は近接して配置されているので、第1検出電極10及び第2検出電極20へのタッチ位置Xは、同じ位置である。これにより、第1検出電極10、第2検出電極20で形成される静電容量Cは同じである。低抵抗率の第1検出電極10と高抵抗率の第2検出電極20に対して、それぞれ独立に、同時に、ステップ状の電圧を印加して、電圧値の過渡特性における時定数の違いから、第1検出電極10及び第2検出電極20へのタッチ位置を算出することが可能となる。
(2)上記示したように、少ない電極、かつ、シンプルな構造の静電容量式タッチセンサで、1次元位置の判別が可能となる。
本発明の実施の形態に係る静電検出装置1は、以下のような効果を有する。
(1)本実施の形態に係る静電検出装置1は、長尺状に導体で形成された低抵抗率の第1検出電極10と、長尺状に導体で形成され、第1検出電極10に沿って近接して配置された高抵抗率の第2検出電極20と、第1検出電極10及び第2検出電極20へ所定電圧を印加したときのそれぞれの過渡特性に基づいて、第1検出電極10及び第2検出電極20へのタッチ位置を算出する電圧計測部31、32を備えた制御部30と、を有して構成されている。第1検出電極10と第2検出電極20は近接して配置されているので、第1検出電極10及び第2検出電極20へのタッチ位置Xは、同じ位置である。これにより、第1検出電極10、第2検出電極20で形成される静電容量Cは同じである。低抵抗率の第1検出電極10と高抵抗率の第2検出電極20に対して、それぞれ独立に、同時に、ステップ状の電圧を印加して、電圧値の過渡特性における時定数の違いから、第1検出電極10及び第2検出電極20へのタッチ位置を算出することが可能となる。
(2)上記示したように、少ない電極、かつ、シンプルな構造の静電容量式タッチセンサで、1次元位置の判別が可能となる。
以上、本発明の実施の形態を説明したが、これらの実施の形態は、一例に過ぎず、特許請求の範囲に係る発明を限定するものではない。これら新規な実施の形態およびその変形例は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更等を行うことができる。また、これら実施の形態の中で説明した特徴の組合せの全てが発明の課題を解決するための手段に必須であるとは限らない。さらに、これら実施の形態およびその変形例は、発明の範囲及び要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
1…静電検出装置、5…検出ユニット、7…パネル、10…第1検出電極、10a…端部、10b…一端、20…第2検出電極、20a…端部、20b…一端、30…制御部、31…電圧計測部、31a…端子、32…電圧計測部、32a…端子、100…指、a11、a12、a13…端子、a21、a22、a23…端子、C…コンデンサ、静電容量、O…原点、Px…タッチ位置、R0、R1、R2…抵抗、SW11、SW21…スイッチ、t0…時間、V0…電源部、VI…ステップ電圧、VS11、VS21…電圧測定端子、X…タッチ位置、τ1、τ2…時定数
Claims (4)
- 長尺状に導体で形成された低抵抗率の第1検出電極と、
長尺状に導体で形成され、前記第1検出電極に沿って近接して配置された高抵抗率の第2検出電極と、
前記第1検出電極及び前記第2検出電極へ所定電圧を印加したときのそれぞれの過渡特性に基づいて、前記第1検出電極及び前記第2検出電極へのタッチ位置を算出する電圧計測部を備えた制御部と、
を有する静電検出装置。 - 前記第1検出電極及び前記第2検出電極は、前記タッチ位置をタッチ操作する場合に、同時にタッチする程度に前記近接した配置である、請求項1に記載の静電検出装置。
- 前記制御部は、前記第1検出電極及び前記第2検出電極の時定数を同時に計測することにより前記タッチ位置を算出する請求項1又は2に記載の静電検出装置。
- 前記第1検出電極は、一端がオープン状態とされ、他端は抵抗を介して前記電圧計測部に接続されている、請求項1から3のいずれか1項に記載の静電検出装置。
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