JP2019083187A - Organic electroluminescent element, organic electroluminescent device, and electronic device - Google Patents

Organic electroluminescent element, organic electroluminescent device, and electronic device Download PDF

Info

Publication number
JP2019083187A
JP2019083187A JP2018143540A JP2018143540A JP2019083187A JP 2019083187 A JP2019083187 A JP 2019083187A JP 2018143540 A JP2018143540 A JP 2018143540A JP 2018143540 A JP2018143540 A JP 2018143540A JP 2019083187 A JP2019083187 A JP 2019083187A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layer
organic electroluminescent
light emitting
reflective layer
reflective
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2018143540A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2019083187A5 (en
JP6915880B2 (en
Inventor
孝介 三島
Kosuke Mishima
孝介 三島
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Joled Inc
Original Assignee
Joled Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Joled Inc filed Critical Joled Inc
Priority to CN201811085102.2A priority Critical patent/CN109728175B/en
Priority to US16/143,475 priority patent/US10529953B2/en
Publication of JP2019083187A publication Critical patent/JP2019083187A/en
Publication of JP2019083187A5 publication Critical patent/JP2019083187A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6915880B2 publication Critical patent/JP6915880B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Landscapes

  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

To provide an organic electroluminescent element, an organic electroluminescent device, and an electronic device capable of improving the device characteristics without impairing the current stability.SOLUTION: An organic electroluminescent element according to an embodiment includes a first reflective layer, a second reflective layer, and a monochromatic light emitting organic light emitting layer provided between the first reflective layer and the second reflective layer. The organic electroluminescent element further includes an Ag electrode layer provided between the organic light emitting layer and the second reflective layer, and a Yb electron injection layer in contact with the organic light emitting layer side of the Ag electrode layer.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本開示は、有機電界発光素子、有機電界発光装置および電子機器に関する。   The present disclosure relates to an organic electroluminescent device, an organic electroluminescent device, and an electronic device.

有機電界発光素子を用いた有機電界発光装置(有機電界発光ディスプレイ)として、種々のものが提案されている(例えば、特許文献1参照)。   Various organic electroluminescent devices (organic electroluminescent displays) using organic electroluminescent elements have been proposed (see, for example, Patent Document 1).

特表2007−533157号公報Japanese Patent Application Publication No. 2007-533157

ところで、有機電界発光装置では、有機電界発光素子の通電安定性を損なうことなく、デバイス特性を改善することが求められている。そのため、通電安定性を損なうことなく、デバイス特性を改善することの可能な有機電界発光素子、有機電界発光装置および電子機器を提供することが望ましい。   By the way, in the organic electroluminescent device, it is required to improve the device characteristics without impairing the current supply stability of the organic electroluminescent device. Therefore, it is desirable to provide an organic electroluminescent device, an organic electroluminescent device, and an electronic device capable of improving the device characteristics without impairing the conduction stability.

本開示の一実施の形態に係る第1の有機電界発光素子は、第1反射層と、第2反射層と、第1反射層と第2反射層との間に設けられた単色発光の有機発光層とを備えている。この有機電界発光素子は、さらに、有機発光層と第2反射層との間に設けられたAg電極層と、Ag電極層の有機発光層側に接するYb電子注入層とを備えている。   A first organic electroluminescent device according to an embodiment of the present disclosure includes a first reflective layer, a second reflective layer, and an organic light emitting organic provided between the first reflective layer and the second reflective layer. And a light emitting layer. The organic electroluminescent device further includes an Ag electrode layer provided between the organic light emitting layer and the second reflective layer, and a Yb electron injection layer in contact with the organic light emitting layer side of the Ag electrode layer.

本開示の一実施の形態に係る第2の有機電界発光素子は、第1反射層と、第2反射層と、第1反射層と第2反射層との間に設けられた単色発光の有機発光層とを備えている。この有機電界発光素子は、さらに、有機発光層と第2反射層との間に設けられた、膜厚が第2反射層よりも薄い電極層と、電極層と第2反射層との間に設けられた、電極層よりも高抵抗の膜厚調整層と、第1反射層と電極層との間に電流を供給するための配線層とを備えている。   A second organic electroluminescent device according to an embodiment of the present disclosure includes a first reflective layer, a second reflective layer, and an organic light emitting organic provided between the first reflective layer and the second reflective layer. And a light emitting layer. The organic electroluminescent device further includes an electrode layer thinner than the second reflective layer, provided between the organic light emitting layer and the second reflective layer, and between the electrode layer and the second reflective layer. A film thickness adjusting layer having a resistance higher than that of the electrode layer, and a wiring layer for supplying a current between the first reflective layer and the electrode layer are provided.

本開示の一実施の形態に係る有機電界発光装置は、複数の有機電界発光素子を備えている。この有機電界発光装置において、複数の有機電界発光素子のうちの少なくとも1つは、上記の第1または第2の有機電界発光素子と同一の構成要素を有している。   An organic electroluminescent device according to an embodiment of the present disclosure includes a plurality of organic electroluminescent devices. In this organic electroluminescent device, at least one of the plurality of organic electroluminescent devices has the same component as the above first or second organic electroluminescent device.

本開示の一実施の形態に係る電子機器は、有機電界発光装置を備えている。この電子機器における有機電界発光装置は、上記の第1または第2の有機電界発光装置と同一の構成要素を有している。   An electronic device according to an embodiment of the present disclosure includes an organic electroluminescent device. The organic electroluminescent device in this electronic device has the same components as the above first or second organic electroluminescent device.

本開示の一実施の形態に係る第1の有機電界発光素子、ならびに第1の有機電界発光素子を備えた有機電界発光装置および電子機器によれば、第1反射層と第2反射層との間に、互いに接するYb電子注入層およびAg電極層を有機発光層側からこの順に積層した積層体が設けられているので、通電安定性を損なうことなく、デバイス特性を改善することができる。なお、上記内容は本開示の一例である。本開示の効果は、上述したものに限らず、他の異なる効果であってもよいし、更に他の効果を含んでいてもよい。   According to a first organic electroluminescent device according to an embodiment of the present disclosure, and an organic electroluminescent device and an electronic device provided with the first organic electroluminescent device, the first reflective layer and the second reflective layer Between the layers, the Yb electron injection layer and the Ag electrode layer, which are in contact with each other, are stacked in this order from the organic light emitting layer side, so that the device characteristics can be improved without impairing the current supply stability. The above content is an example of the present disclosure. The effects of the present disclosure are not limited to those described above, and may be other different effects or may include other effects.

本開示の一実施の形態に係る第2の有機電界発光素子、ならびに第2の有機電界発光素子を備えた有機電界発光装置および電子機器によれば、第1反射層と第2反射層との間に膜厚が第2反射層よりも薄い電極層が設けられ、有機発光層と第2反射層との間に電極層よりも高抵抗の膜厚調整層が設けられ、第1反射層と前記電極層との間に電流を供給するための配線層が設けられているので、通電安定性を損なうことなく、デバイス特性を改善することができる。なお、上記内容は本開示の一例である。本開示の効果は、上述したものに限らず、他の異なる効果であってもよいし、更に他の効果を含んでいてもよい。   According to a second organic electroluminescent device according to an embodiment of the present disclosure, and an organic electroluminescent device and an electronic device provided with the second organic electroluminescent device, the first reflective layer and the second reflective layer Between the organic light emitting layer and the second reflective layer, and a film thickness adjusting layer having a resistance higher than that of the electrode layer; Since the wiring layer for supplying a current is provided between the electrode layer and the electrode layer, the device characteristics can be improved without impairing the current supply stability. The above content is an example of the present disclosure. The effects of the present disclosure are not limited to those described above, and may be other different effects or may include other effects.

本開示の第1の実施の形態に係る有機電界発光素子の断面構成の一例を表す図である。It is a figure showing an example of the section composition of the organic electroluminescence element concerning a 1st embodiment of this indication. 電流および光の経路の一例を表す図である。It is a figure showing an example of an electric current and a path of light. Ag膜厚とシート抵抗との関係の一例を表す図である。It is a figure showing an example of the relation between Ag film thickness and sheet resistance. 比較例に係る有機電界発光素子の断面構成の一例を表す図である。It is a figure showing an example of the cross-sectional structure of the organic electroluminescent element which concerns on a comparative example. 変形例に係る有機電界発光素子の断面構成の一例を表す図である。It is a figure showing an example of the cross-sectional structure of the organic electroluminescent element which concerns on a modification. Ag膜厚とシート抵抗、Yb電子注入層、Yb保護層の関係の一例を表す図である。It is a figure showing an example of the relationship between Ag film thickness, sheet resistance, Yb electron injection layer, and Yb protective layer. 変形例に係る有機電界発光素子の断面構成の一例を表す図である。It is a figure showing an example of the cross-sectional structure of the organic electroluminescent element which concerns on a modification. 変形例に係る有機電界発光素子の断面構成の一例を表す図である。It is a figure showing an example of the cross-sectional structure of the organic electroluminescent element which concerns on a modification. 変形例に係る有機電界発光素子の断面構成の一例を表す図である。It is a figure showing an example of the cross-sectional structure of the organic electroluminescent element which concerns on a modification. 変形例に係る有機電界発光素子の断面構成の一例を表す図である。It is a figure showing an example of the cross-sectional structure of the organic electroluminescent element which concerns on a modification. 本開示の第2の実施の形態に係る有機電界発光装置の概略構成の一例を表す図である。It is a figure showing an example of a schematic structure of the organic electroluminescence device concerning a 2nd embodiment of this indication. 図11の画素の回路構成の一例を表す図である。It is a figure showing an example of a circuit structure of the pixel of FIG. 図11の表示パネルの概略構成の一例を表す平面図である。It is a top view showing an example of schematic structure of the display panel of FIG. 本開示の有機電界発光装置を備えた電子機器の外観の一例を斜視的に表す図である。It is a figure which represents an example of the appearance of the electronic equipment provided with the organic electroluminescence device of this indication perspectively. 本開示の有機電界発光素子を備えた照明装置の外観の一例を斜視的に表す図である。It is a figure which represents an example of the appearance of the lighting installation provided with the organic electroluminescent element of this indication perspectively.

以下、本開示を実施するための形態について、図面を参照して詳細に説明する。以下に説明する実施の形態は、いずれも本開示の好ましい一具体例を示すものである。したがって、以下の実施の形態で示される数値、形状、材料、構成要素、構成要素の配置位置及び接続形態などは、一例であって本開示を限定する主旨ではない。よって、以下の実施の形態における構成要素のうち、本開示の最上位概念を示す独立請求項に記載されていない構成要素については、任意の構成要素として説明される。なお、各図は、模式図であり、必ずしも厳密に図示されたものではない。また、各図において、実質的に同一の構成に対しては同一の符号を付しており、重複する説明は省略又は簡略化する。なお、説明は以下の順序で行う。

1.第1の実施の形態(有機電界発光素子)
2.第1の実施の形態の変形例(有機電界発光素子)
3.第2の実施の形態(有機電界発光装置)
4.適用例(電子機器、照明装置)
Hereinafter, embodiments of the present disclosure will be described in detail with reference to the drawings. Each of the embodiments described below shows a preferable specific example of the present disclosure. Accordingly, the numerical values, shapes, materials, components, arrangement positions and connection forms of the components, and the like described in the following embodiments are merely examples, and are not intended to limit the present disclosure. Therefore, among the components in the following embodiments, components that are not described in the independent claims indicating the highest concept of the present disclosure are described as optional components. Each drawing is a schematic view and is not necessarily strictly illustrated. Further, in the drawings, substantially the same configurations are given the same reference numerals, and overlapping descriptions will be omitted or simplified. The description will be made in the following order.

1. First embodiment (organic electroluminescent device)
2. Modification of First Embodiment (Organic Electroluminescent Device)
3. Second embodiment (organic electroluminescent device)
4. Application example (Electronic equipment, lighting equipment)

<1.第1の実施の形態>
[構成]
図1は、本開示の第1の実施の形態に係る有機電界発光素子1の断面構成の一例を表したものである。有機電界発光素子1は、例えば、基板10上に設けられたものである。有機電界発光素子1は、例えば、反射層11(陽極、第1反射層)、正孔注入層12、正孔輸送層13、有機発光層14、電子輸送層15、電子注入層16(Yb電子注入層)、陰極17(Ag電極層)、膜厚調整層18および反射層19(第2反射層)を基板10側からこの順に含んで構成された素子構造となっている。正孔注入層12および正孔輸送層13は、有機発光層14の正孔注入側に設けられている。電子輸送層15および電子注入層16は、有機発光層14の電子注入側に設けられている。有機発光層14は、反射層11と反射層19との間に設けられた単色発光の有機発光層である。陰極17は、有機発光層14と反射層19との間に設けられた電極層である。電子注入層16は、陰極17の有機発光層14側に接している。膜厚調整層18は、陰極17と反射層19との間に設けられている。
<1. First embodiment>
[Constitution]
FIG. 1 illustrates an example of a cross-sectional configuration of an organic electroluminescent device 1 according to a first embodiment of the present disclosure. The organic electroluminescent element 1 is provided, for example, on a substrate 10. The organic electroluminescent element 1 includes, for example, a reflective layer 11 (anode, first reflective layer), a hole injection layer 12, a hole transport layer 13, an organic light emitting layer 14, an electron transport layer 15, an electron injection layer 16 (Yb electrons) The element structure is configured to include the injection layer), the cathode 17 (Ag electrode layer), the film thickness adjustment layer 18 and the reflective layer 19 (second reflective layer) in this order from the substrate 10 side. The hole injection layer 12 and the hole transport layer 13 are provided on the hole injection side of the organic light emitting layer 14. The electron transport layer 15 and the electron injection layer 16 are provided on the electron injection side of the organic light emitting layer 14. The organic light emitting layer 14 is an organic light emitting layer of single color light emission provided between the reflective layer 11 and the reflective layer 19. The cathode 17 is an electrode layer provided between the organic light emitting layer 14 and the reflective layer 19. The electron injection layer 16 is in contact with the side of the organic light emitting layer 14 of the cathode 17. The film thickness adjustment layer 18 is provided between the cathode 17 and the reflective layer 19.

本実施の形態では、有機電界発光素子1には、マイクロキャビティ構造が設けられている。マイクロキャビティ構造は、例えば、反射層11と反射層19との間で生じる光の共振を利用し、特定波長の光を増強させる効果を有する。有機発光層14から発せられた光は、反射層11と反射層19との間で多重反射する。このとき、有機発光層14から発せられた光のうちの特定の波長成分が強められる。反射層11と反射層19との間の光路長が、有機発光層14から発せられる光の発光スペクトルピーク波長に対応している。マイクロキャビティ構造により、有機発光層14から出射された光は、例えば、図2に示したように、反射層11と反射層19との間で所定の光学長の範囲内で反射を繰り返し、光路長に対応した特定の波長の光Lは共振して増強される一方、光路長に対応しない波長の光は弱められる。その結果、外部に取り出される光Lのスペクトルが急峻でかつ高強度になり、輝度および色純度が向上する。従って、反射層11と反射層19との間の距離が、キャビティが生じる光路長となっている。マイクロキャビティ構造では、膜厚が大きくなるにつれて、1次干渉(ファーストキャビティ)、2次干渉(セカンドキャビティ)、3次干渉(サードキャビティ)などが発生する。   In the present embodiment, the organic electroluminescent element 1 is provided with a microcavity structure. The microcavity structure has, for example, an effect of enhancing light of a specific wavelength by utilizing resonance of light generated between the reflective layer 11 and the reflective layer 19. The light emitted from the organic light emitting layer 14 is multiply reflected between the reflective layer 11 and the reflective layer 19. At this time, a specific wavelength component of the light emitted from the organic light emitting layer 14 is intensified. The optical path length between the reflective layer 11 and the reflective layer 19 corresponds to the emission spectrum peak wavelength of the light emitted from the organic light emitting layer 14. Due to the microcavity structure, light emitted from the organic light emitting layer 14 is repeatedly reflected within a predetermined optical length range between the reflecting layer 11 and the reflecting layer 19 as shown in FIG. Light L of a specific wavelength corresponding to the length is resonated and enhanced, while light of a wavelength not corresponding to the optical path length is weakened. As a result, the spectrum of the light L extracted to the outside is sharp and has high intensity, and the luminance and color purity are improved. Therefore, the distance between the reflective layer 11 and the reflective layer 19 is the optical path length in which the cavity is generated. In the microcavity structure, as the film thickness increases, first order interference (first cavity), second order interference (second cavity), third order interference (third cavity) and the like occur.

基板10は、例えば、透明基板等の光透過性を有する透光基板であり、例えば、ガラス基板である。基板10に用いられるガラス基板の材料としては、例えば、無アルカリガラス、ソーダガラス、無蛍光ガラス、燐酸系ガラス、硼酸系ガラスまたは石英などが挙げられる。なお、基板10は、ガラス基板に限るものではなく、透光性樹脂基板や、有機EL表示装置のバックプレーンであるTFT(薄膜トランジスタ)基板であってもよい。基板10に用いられる透光性樹脂基板の材料としては、例えば、アクリル系樹脂、スチレン系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、エポキシ系樹脂、ポリエチレン、ポリエステル、またはシリコーン系樹脂などが挙げられる。基板10は、高いフレキシブル性を持った基板であってもよいし、フレキシブル性のほとんど無い剛性の高い基板であってもよい。   The substrate 10 is, for example, a light transmitting substrate having light transparency such as a transparent substrate, and is, for example, a glass substrate. Examples of the material of the glass substrate used for the substrate 10 include non-alkali glass, soda glass, non-fluorescent glass, phosphoric acid glass, boric acid glass, quartz and the like. The substrate 10 is not limited to the glass substrate, and may be a translucent resin substrate or a TFT (thin film transistor) substrate which is a backplane of the organic EL display device. Examples of the material of the translucent resin substrate used for the substrate 10 include acrylic resins, styrene resins, polycarbonate resins, epoxy resins, polyethylene, polyester, and silicone resins. The substrate 10 may be a substrate with high flexibility or a highly rigid substrate with little flexibility.

反射層11は、例えば、基板10の上に形成されている。反射層11は、反射性を有する反射電極(反射性金属層)である。反射電極の材料としては、例えば、アルミニウム(Al)、銀(Ag)、または、アルミニウムもしくは銀の合金等が挙げられる。反射層11は、陽極として用いられる。反射層11は、反射率の高いAgもしくはAg合金で構成されたAg電極層であってもよい。   The reflective layer 11 is formed, for example, on the substrate 10. The reflective layer 11 is a reflective electrode (reflective metal layer) having reflectivity. As a material of a reflective electrode, aluminum (Al), silver (Ag), or an alloy of aluminum or silver etc. are mentioned, for example. The reflective layer 11 is used as an anode. The reflective layer 11 may be an Ag electrode layer made of Ag or an Ag alloy having high reflectance.

正孔注入層12は、反射層11(陽極)から注入された正孔を正孔輸送層13、有機発光層14へ注入する機能を有する。正孔注入層12は、例えば、正孔注入性を有する無機材料によって構成されている。正孔注入性を有する無機材料としては、例えば、銀(Ag)、モリブデン(Mo)、クロム(Cr)、バナジウム(V)、タングステン(W)、ニッケル(Ni)、イリジウム(Ir)などの酸化物(無機酸化物)などが挙げられる。正孔注入層12は、例えば、無機酸化物の蒸着膜もしくはスパッタ膜で構成されている。なお、正孔注入層12は、正孔注入性を有する有機材料によって構成されていてもよい。正孔注入性を有する有機材料としては、例えば、PEDOT(ポリチオフェンとポリスチレンスルホン酸との混合物)などの導電性ポリマー材料などが挙げられる。正孔注入層12は、例えば、有機材料の塗布膜で構成されている。正孔注入層12は、有機材料の蒸着膜で構成されていてもよい。   The hole injection layer 12 has a function of injecting holes injected from the reflective layer 11 (anode) into the hole transport layer 13 and the organic light emitting layer 14. The hole injection layer 12 is made of, for example, an inorganic material having a hole injection property. As an inorganic material having a hole injection property, for example, oxidation of silver (Ag), molybdenum (Mo), chromium (Cr), vanadium (V), tungsten (W), nickel (Ni), iridium (Ir), etc. Substances (inorganic oxides) and the like can be mentioned. The hole injection layer 12 is made of, for example, a vapor deposited film or a sputtered film of an inorganic oxide. The hole injection layer 12 may be made of an organic material having a hole injection property. Examples of the organic material having a hole injection property include conductive polymer materials such as PEDOT (a mixture of polythiophene and polystyrene sulfonic acid). The hole injection layer 12 is made of, for example, a coating film of an organic material. The hole injection layer 12 may be formed of a vapor deposition film of an organic material.

正孔輸送層13は、反射層11から注入された正孔を有機発光層14へ輸送する機能を有する。正孔輸送層13は、例えば、反射層11から注入された正孔を有機発光層14へ輸送する機能を有する材料(正孔輸送性材料)によって構成されている。上記の正孔輸送性材料としては、例えば、アリールアミン誘導体、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、ブタジエン化合物、ポリスチレン誘導体、ヒドラゾン誘導体、トリフェニルメタン誘導体、テトラフェニルベンジン誘導体等、または、これらの組み合わせからなる材料が挙げられる。   The hole transport layer 13 has a function of transporting the holes injected from the reflective layer 11 to the organic light emitting layer 14. The hole transport layer 13 is made of, for example, a material (hole transport material) having a function of transporting holes injected from the reflective layer 11 to the organic light emitting layer 14. Examples of the hole transporting material include arylamine derivatives, triazole derivatives, oxadiazole derivatives, imidazole derivatives, polyarylalkane derivatives, pyrazoline derivatives and pyrazolone derivatives, phenylenediamine derivatives, amino-substituted chalcone derivatives, oxazole derivatives, Styryl anthracene derivatives, fluorenone derivatives, hydrazone derivatives, stilbene derivatives, butadiene compounds, polystyrene derivatives, hydrazone derivatives, triphenylmethane derivatives, tetraphenyl benzine derivatives, etc., or materials composed of a combination thereof can be mentioned.

有機発光層14は、正孔と電子との再結合により、所定の色の光(単色光)を発する機能を有する。有機発光層14は、正孔と電子との再結合により励起子を生成し発光する有機発光材料を含んで構成されている。有機発光層14は、例えば、塗布膜であり、例えば、上記の有機発光材料を溶質の主成分とする溶液の塗布および乾燥により形成されている。有機発光層14は、蒸着膜で構成されていてもよい。   The organic light emitting layer 14 has a function of emitting light of a predetermined color (monochromatic light) by recombination of holes and electrons. The organic light emitting layer 14 is configured to include an organic light emitting material that emits light by generating excitons by recombination of holes and electrons. The organic light emitting layer 14 is, for example, a coating film, and is formed, for example, by applying and drying a solution containing the above-described organic light emitting material as a main component of a solute. The organic light emitting layer 14 may be formed of a vapor deposition film.

有機発光層14は、例えば、単層の有機発光層、または、積層された複数の有機発光層によって構成されている。有機発光層14が積層された複数の有機発光層によって構成されている場合には、有機発光層14は、例えば、上記の有機発光材料の主成分が互いに共通の複数の有機発光層を積層したものである。   The organic light emitting layer 14 is constituted of, for example, a single layer organic light emitting layer or a plurality of stacked organic light emitting layers. In the case where the organic light emitting layer 14 is formed of a plurality of stacked organic light emitting layers, the organic light emitting layer 14 is, for example, a stack of a plurality of organic light emitting layers in which the main components of the organic light emitting materials described above are mutually common. It is a thing.

有機発光層14の原料(材料)である有機発光材料は、例えば、ホスト材料とドーパント材料とが組み合わされた材料である。有機発光層14の原料(材料)である有機発光材料は、ドーパント材料単独であってもよい。ホスト材料は、主に電子又は正孔の電荷輸送の機能を担っており、ドーパント材料は、発光の機能を担っている。ホスト材料およびドーパント材料は1種類のみに限られるものではなく、2種類以上の組み合わせであってもよい。   The organic light emitting material which is a raw material (material) of the organic light emitting layer 14 is, for example, a material in which a host material and a dopant material are combined. The organic light emitting material which is a raw material (material) of the organic light emitting layer 14 may be a dopant material alone. The host material is mainly responsible for charge transport of electrons or holes, and the dopant material is responsible for light emission. The host material and the dopant material are not limited to only one type, and may be a combination of two or more types.

有機発光層14のホスト材料としては、例えば、アミン化合物、縮合多環芳香族化合物、ヘテロ環化合物が用いられる。アミン化合物としては、例えば、モノアミン誘導体、ジアミン誘導体、トリアミン誘導体、テトラアミン誘導体が用いられる。縮合多環芳香族化合物としては、例えば、アントラセン誘導体、ナフタレン誘導体、ナフタセン誘導体、フェナントレン誘導体、クリセン誘導体、フルオランテン誘導体、トリフェニレン誘導体、ペンタセン誘導体、または、ペリレン誘導体等が挙げられる。ヘテロ環化合物としては、例えば、カルバゾール誘導体、フラン誘導体、ピリジン誘導体、ピリミジン誘導体、トリアジン誘導体、イミダゾール誘導体、ピラゾール誘導体、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、ピロール誘導体、インドール誘導体、アザインドール誘導体、アザカルバゾール、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、または、フタロシアニン誘導体等が挙げられる。   As a host material of the organic light emitting layer 14, for example, an amine compound, a fused polycyclic aromatic compound, or a heterocyclic compound is used. As an amine compound, a monoamine derivative, a diamine derivative, a triamine derivative, a tetraamine derivative is used, for example. Examples of the fused polycyclic aromatic compound include anthracene derivatives, naphthalene derivatives, naphthacene derivatives, phenanthrene derivatives, chrysene derivatives, fluoranthene derivatives, triphenylene derivatives, pentacene derivatives, and perylene derivatives. As a heterocyclic compound, for example, carbazole derivative, furan derivative, pyridine derivative, pyrimidine derivative, triazine derivative, imidazole derivative, pyrazole derivative, triazole derivative, oxazole derivative, oxadiazole derivative, pyrrole derivative, indole derivative, azaindole derivative, Examples include azacarbazole, pyrazoline derivatives, pyrazolone derivatives, and phthalocyanine derivatives.

また、有機発光層14のドーパント材料としては、例えば、ピレン誘導体、フルオランテン誘導体、アリールアセチレン誘導体、フルオレン誘導体、ペリレン誘導体、オキサジアゾール誘導体、アントラセン誘導体、または、クリセン誘導体が用いられる。また、有機発光層14の蛍光ドーパント材料としては、金属錯体が用いられてもよい。金属錯体としては、例えば、イリジウム(Ir)、白金(Pt)、オスミウム(Os)、金(Au)、レニウム(Re)、もしくは、ルテニウム(Ru)等の金属原子と配位子とを有するものが挙げられる。   Moreover, as a dopant material of the organic light emitting layer 14, for example, pyrene derivative, fluoranthene derivative, arylacetylene derivative, fluorene derivative, perylene derivative, oxadiazole derivative, anthracene derivative, or chrysene derivative is used. Moreover, as a fluorescent dopant material of the organic light emitting layer 14, a metal complex may be used. As the metal complex, for example, those having a metal atom such as iridium (Ir), platinum (Pt), osmium (Os), gold (Au), rhenium (Re) or ruthenium (Ru) and a ligand Can be mentioned.

電子輸送層15は、陰極17から注入された電子を有機発光層14へ輸送する機能を有する。電子輸送層15は、例えば、陰極17から注入された電子を有機発光層14へ輸送する機能を有する材料(電子輸送性材料)を含んで構成されている。電子輸送層15は、例えば、蒸着膜またはスパッタ膜で構成されている。上記の電子輸送性材料としては、例えば、分子内にヘテロ原子を1個以上含有する芳香族ヘテロ環化合物である。芳香族ヘテロ環化合物としては、例えば、ピリジン環、ピリミジン環、トリアジン環、ベンズイミダゾール環、フェナントロリン環、キナゾリン環等を骨格に含む化合物が挙げられる。上記の電子輸送性材料には、電子輸送性を有する金属がドープされている場合がある。この場合、電子輸送層15は、ドープ金属を含む有機電子輸送層である。電子輸送性を有する金属が電子輸送層15に含まれていることで、電子輸送層15の電子輸送性を向上できる。電子輸送層15に含まれるドープ金属としては、例えば、イッテルビウム(Yb)などの遷移金属が挙げられる。   The electron transport layer 15 has a function of transporting the electrons injected from the cathode 17 to the organic light emitting layer 14. The electron transport layer 15 includes, for example, a material (electron transport material) having a function of transporting electrons injected from the cathode 17 to the organic light emitting layer 14. The electron transport layer 15 is made of, for example, a vapor deposition film or a sputter film. The above-mentioned electron transporting material is, for example, an aromatic heterocyclic compound containing one or more hetero atoms in the molecule. As an aromatic heterocyclic compound, the compound which contains a pyridine ring, a pyrimidine ring, a triazine ring, a benzimidazole ring, a phenanthroline ring, a quinazoline ring etc. in frame | skeleton is mentioned, for example. The above-mentioned electron transporting material may be doped with a metal having an electron transporting property. In this case, the electron transport layer 15 is an organic electron transport layer containing a doped metal. By the metal which has electron transportability being contained in the electron transport layer 15, the electron transportability of the electron transport layer 15 can be improved. Examples of the doping metal contained in the electron transporting layer 15 include transition metals such as ytterbium (Yb).

電子注入層16は、陰極17から注入された電子を電子輸送層15、有機発光層14へ注入する機能を有する。電子注入層16は、例えば、陰極17から電子輸送層15、有機発光層14への電子の注入を促進させる機能を有する材料(電子注入性材料)によって構成されている。上記の電子注入性材料としては、例えば、イッテルビウム(Yb)が挙げられる。電子注入層16は、例えば、Ybで構成されたYb層であってもよい。電子輸送層15に含まれるドープ金属が、上記の電子注入性材料と同じ金属であってもよい。電子注入層16の膜厚は、例えば、0.1nm以上、5nm以下である。電子注入層16では、厚さが薄すぎると電子注入を促進させる機能が低下し、厚さが厚すぎると、透過率低下によって発光特性が低下することがある。また、Yb層は、陰極17側に接して形成される陰極17(Ag)の膜質を向上させ、シート抵抗を低抵抗化させる機能を有する。この結果、薄い膜厚の陰極17(Ag)においても通電安定性を損なうことなく、デバイス特性を改善することができる。   The electron injection layer 16 has a function of injecting electrons injected from the cathode 17 into the electron transport layer 15 and the organic light emitting layer 14. The electron injection layer 16 is made of, for example, a material (electron injection material) having a function of promoting injection of electrons from the cathode 17 to the electron transport layer 15 and the organic light emitting layer 14. Examples of the electron injecting material include ytterbium (Yb). The electron injection layer 16 may be, for example, a Yb layer composed of Yb. The doped metal contained in the electron transport layer 15 may be the same metal as the electron injecting material described above. The film thickness of the electron injection layer 16 is, for example, 0.1 nm or more and 5 nm or less. In the electron injection layer 16, when the thickness is too thin, the function of promoting electron injection is reduced, and when the thickness is too thick, the light emission characteristics may be reduced due to the decrease in transmittance. Further, the Yb layer has a function of improving the film quality of the cathode 17 (Ag) formed in contact with the side of the cathode 17 and reducing the sheet resistance. As a result, the device characteristics can be improved without losing the current supply stability even in the thin film thickness cathode 17 (Ag).

陰極17は、透光性を有する透明電極(透光性金属層)である。透明電極の材料としては、例えば、アルミニウム(Al)、マグネシウム(Mg)、銀(Ag)、アルミニウム−リチウム合金、マグネシウム−銀合金等が用いられる。透明電極として機能する陰極17は、例えば、厚さ0.1nm以上10nm以下のAl層、Mg層、Ag層、AlLi合金層もしくはMgAg合金層である。本実施の形態において、基板10及び反射層11が反射性を有し、陰極17および反射層19が透光性を有している場合には、有機電界発光素子1は、反射層19側から光が放出するトップエミッション構造となっている。   The cathode 17 is a light transmitting transparent electrode (light transmitting metal layer). As a material of a transparent electrode, aluminum (Al), magnesium (Mg), silver (Ag), an aluminum lithium alloy, a magnesium silver alloy etc. are used, for example. The cathode 17 which functions as a transparent electrode is, for example, an Al layer, an Mg layer, an Ag layer, an AlLi alloy layer or an MgAg alloy layer having a thickness of 0.1 nm to 10 nm. In the present embodiment, in the case where the substrate 10 and the reflective layer 11 have reflectivity and the cathode 17 and the reflective layer 19 have translucency, the organic electroluminescent element 1 is disposed from the side of the reflective layer 19. It has a top emission structure that emits light.

陰極17の膜厚を厚くすると陰極17の反射によるキャビティ効果が強くなり、正面輝度が高く、視野角特性が低下する。陰極17の膜厚を薄くすると陰極17によるキャビティ効果は減少し、正面輝度が抑制され、視野角特性が向上する。反射層19においてもキャビティ効果が発生することから、陰極17の膜厚を厚くし、反射性を強くするとキャビティ効果は複雑化する。膜構成の設計に対する仕上がりの膜厚ずれに対する発光特性変化も大きくなる。また、発光特性変化が大きくなることで発光ムラのリスクも高くなる。   When the film thickness of the cathode 17 is increased, the cavity effect due to the reflection of the cathode 17 is intensified, the front luminance is high, and the viewing angle characteristics are degraded. When the film thickness of the cathode 17 is reduced, the cavity effect by the cathode 17 is reduced, the front luminance is suppressed, and the viewing angle characteristics are improved. Since the cavity effect also occurs in the reflective layer 19, the cavity effect is complicated when the film thickness of the cathode 17 is increased to increase the reflectivity. The change of the light emission characteristic with respect to the film thickness deviation of the finish for the design of the film configuration also becomes large. In addition, as the change in light emission characteristics increases, the risk of uneven light emission also increases.

そこで本実施の形態においては、例えば、陰極17の膜厚は反射膜19より薄くなっている。例えば、反射膜19の膜厚は5nm以上30nm以下となっていることが望ましく、陰極17の膜厚は反射膜19の膜厚よりも薄くなっており、かつ0.1nm以上10nm以下となっていることが望ましい。また、陰極17の膜厚は反射膜19の膜厚よりも薄くなっており、かつ0.1nm以上5nm以下となっていることがより望ましい。そのようにすることで、陰極17による反射が抑制され、陰極17がキャビティの反射層としてほとんど機能しなくなり、視野角特性の低下、膜厚ずれによるデバイス特性低下を抑制することが出来る。   Therefore, in the present embodiment, for example, the film thickness of the cathode 17 is thinner than that of the reflective film 19. For example, the film thickness of the reflective film 19 is desirably 5 nm or more and 30 nm or less, and the film thickness of the cathode 17 is thinner than the film thickness of the reflective film 19 and 0.1 nm or more and 10 nm or less Is desirable. Further, the film thickness of the cathode 17 is thinner than the film thickness of the reflective film 19, and it is more preferable that the film thickness be 0.1 nm or more and 5 nm or less. By doing so, the reflection by the cathode 17 is suppressed, the cathode 17 hardly functions as a reflection layer of the cavity, and the deterioration of the viewing angle characteristics and the deterioration of the device characteristics due to the film thickness deviation can be suppressed.

一方、陰極17を薄くすると、シート低下が悪化する。つまり、陰極17を出来るだけ薄く、且つシート抵抗の高抵抗化を抑制する構造が必要になる。そこで、本実施の形態においては、陰極17が例えばAg層となっており、かつ電子注入層16が例えばYb層となっている。Ybからなる電子注入層16の上に陰極17を成膜することでシート抵抗の低抵抗化を図ることができ、陰極17が薄くても通電安定性を損なうことなく、デバイス特性を改善することができる。   On the other hand, if the thickness of the cathode 17 is reduced, the sheet deterioration is aggravated. In other words, it is necessary to make the cathode 17 as thin as possible and to suppress the increase in sheet resistance. Therefore, in the present embodiment, the cathode 17 is, for example, an Ag layer, and the electron injection layer 16 is, for example, a Yb layer. By forming the cathode 17 on the electron injection layer 16 made of Yb, the sheet resistance can be lowered, and the device characteristics can be improved without deteriorating the conduction stability even if the cathode 17 is thin. Can.

膜厚調整層18は、例えば、反射層11と反射層19との間の距離が所定の光路長となるように調整するための層である。膜厚調整層18は、例えば、ITOまたはIZO等の透明導電性材料によって構成されている。膜厚調整層18は、例えば、ITO層またはIZO層である。膜厚調整層18に用いられるITO層またはIZO層の膜厚は、例えば、40nmよりも大きな値となっている。膜厚調整層18は、陰極17よりも高抵抗となっており、電流経路を構成しないようになっている。膜厚調整層18は、金属ノンドープの有機層であってもよいし、金属ドープされた有機層であってもよい。膜厚調整層18が有機電界発光素子1における電流経路を構成しない限りにおいて、膜厚調整層18は、種々の構成を採り得る。   The film thickness adjustment layer 18 is, for example, a layer for adjusting the distance between the reflective layer 11 and the reflective layer 19 to be a predetermined optical path length. The film thickness adjustment layer 18 is made of, for example, a transparent conductive material such as ITO or IZO. The film thickness adjustment layer 18 is, for example, an ITO layer or an IZO layer. The film thickness of the ITO layer or IZO layer used for the film thickness adjustment layer 18 is, for example, a value larger than 40 nm. The film thickness adjustment layer 18 has a higher resistance than the cathode 17 and does not constitute a current path. The film thickness adjusting layer 18 may be a metal non-doped organic layer or a metal doped organic layer. As long as the film thickness adjusting layer 18 does not constitute a current path in the organic electroluminescent element 1, the film thickness adjusting layer 18 can adopt various configurations.

反射層19は、透光性を有する透明電極(透光性金属層)である。透明電極の材料としては、例えば、アルミニウム(Al)、マグネシウム(Mg)、銀(Ag)、アルミニウム−リチウム合金、マグネシウム−銀合金等が用いられる。透明電極として機能する陰極17は、例えば、厚さ5nm以上30nm以下のAl層、Mg層、Ag層、AlLi合金層もしくはMgAg合金層である。   The reflective layer 19 is a light transmitting transparent electrode (light transmitting metal layer). As a material of a transparent electrode, aluminum (Al), magnesium (Mg), silver (Ag), an aluminum lithium alloy, a magnesium silver alloy etc. are used, for example. The cathode 17 functioning as a transparent electrode is, for example, an Al layer, an Mg layer, an Ag layer, an AlLi alloy layer, or an MgAg alloy layer having a thickness of 5 nm to 30 nm.

有機電界発光素子1は、表示パネルの画素として形成されている場合には、基板10上に、表示パネルの各画素を区画するための複数のバンク25を備えている。バンク25は、例えば、絶縁性の有機材料によって形成されている。絶縁性の有機材料としては、例えば、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、ノボラック型フェノール樹脂などが挙げられる。バンク25は、例えば、耐熱性、溶媒に対する耐性を持つ絶縁性樹脂によって形成されていることが好ましい。バンク25は、例えば、絶縁性樹脂をフォトリソグラフィおよび現像によって所望のパターンに加工することによって形成される。バンク25の断面形状は、例えば、図1に示したような順テーパ型であってもよく、裾が狭くなった逆テーパ型であってもよい。   When the organic electroluminescent element 1 is formed as a pixel of a display panel, the organic electroluminescent element 1 includes a plurality of banks 25 for dividing each pixel of the display panel on the substrate 10. The bank 25 is formed of, for example, an insulating organic material. As an insulating organic material, acrylic resin, a polyimide resin, a novolak-type phenol resin etc. are mentioned, for example. The bank 25 is preferably made of, for example, an insulating resin having heat resistance and resistance to a solvent. The bank 25 is formed, for example, by processing an insulating resin into a desired pattern by photolithography and development. The cross-sectional shape of the bank 25 may be, for example, a forward taper type as shown in FIG. 1 or a reverse taper type in which the skirt is narrowed.

有機電界発光素子1は、反射層11(陽極)および陰極17と電気的に導通した配線21を備えている。この配線21は、反射層11(陽極)と陰極17との間に電流を供給するための配線である。図1には、陰極17、電子注入層16および電子輸送層15のうち、バンク25を超えて延在している部分(図1中の破線で囲んだ部分。以下、「配線層21A」と称する。)と、画素領域20Aを取り囲む周辺領域20Bに形成された電極層21Bとが、反射層11(陽極)と陰極17との間に電流を供給する配線21の一部を構成している様子が例示されている。配線層21Aおよび電極層21Bは、画素領域20Aの周辺の領域(周辺領域20B)に設けられている。電極層21Bは、例えば、反射層11と同一層内に設けられており、例えば、反射層11と共通の材料によって形成されている。画素領域20Aは、有機電界発光素子1のうち、反射層11および陰極17による電流注入によって発光する領域(発光領域14A)と対向する領域を含んでいる。発光領域14Aは、反射層11および陰極17による電流注入によって有機発光層14に生じる。反射層11がその周囲をバンク25で囲まれている場合には、発光領域14Aは、概ね、有機発光層14のうち、バンク25によって開口形成される開口部で反射層11と正孔注入層12とが互いに直接接している箇所と対向する領域に生じる。   The organic electroluminescent element 1 includes a wire 21 electrically conducted to the reflective layer 11 (anode) and the cathode 17. The wiring 21 is a wiring for supplying a current between the reflective layer 11 (anode) and the cathode 17. 1, a portion of the cathode 17, the electron injection layer 16 and the electron transport layer 15 extending beyond the bank 25 (a portion surrounded by a broken line in FIG. 1. Hereinafter, “wiring layer 21A” and And the electrode layer 21B formed in the peripheral region 20B surrounding the pixel region 20A constitute a part of the wiring 21 for supplying a current between the reflective layer 11 (anode) and the cathode 17. The situation is illustrated. The wiring layer 21A and the electrode layer 21B are provided in the peripheral region (peripheral region 20B) of the pixel region 20A. The electrode layer 21B is provided, for example, in the same layer as the reflective layer 11, and is formed of, for example, the same material as the reflective layer 11. The pixel area 20A includes an area of the organic electroluminescent element 1 facing the area (light emitting area 14A) which emits light by current injection from the reflective layer 11 and the cathode 17. The light emitting region 14 A is generated in the organic light emitting layer 14 by current injection from the reflective layer 11 and the cathode 17. When the reflective layer 11 is surrounded by the bank 25 in the periphery, the light emitting region 14A is substantially the organic light emitting layer 14 in the opening portion formed by the bank 25 and the reflective layer 11 and the hole injection layer 12 occurs in the area opposite to the point where they are in direct contact with each other.

図3は、Ag膜厚とシート抵抗との関係の一例を表したものである。本実施の形態では、陰極17が例えばAg層となっており、かつ電子注入層16が例えばYb層となっている。このとき、陰極17(Ag層)の厚さを20nm以下とするとともに、電子注入層16(Yb層)の厚さを0.1nm以上5nm以下とすることにより、図3に示したように、電子注入層16(Yb層)/陰極17(Ag層)のシート抵抗値は、Ag単層のシート抵抗値よりも小さくなる。また、陰極17(Ag層)の厚さを5nm程度とした場合には、図3に示したように、電子注入層16(Yb層)/陰極17(Ag層)のシート抵抗値は20オーム/sq〜30オーム/sq程度となる。従って、陰極17(Ag層)の厚さを5nm以上20nm以下とし、電子注入層16(Yb層)の厚さを0.1nm以上5nm以下とすることにより、低抵抗な陰極17を実現することができる。この結果、薄い膜厚の陰極17(Ag)においても通電安定性を損なうことなく、デバイス特性を改善することができる。   FIG. 3 shows an example of the relationship between the Ag film thickness and the sheet resistance. In the present embodiment, the cathode 17 is, for example, an Ag layer, and the electron injection layer 16 is, for example, a Yb layer. At this time, the thickness of the cathode 17 (Ag layer) is set to 20 nm or less, and the thickness of the electron injection layer 16 (Yb layer) is set to 0.1 nm to 5 nm, as shown in FIG. The sheet resistance value of the electron injection layer 16 (Yb layer) / cathode 17 (Ag layer) is smaller than the sheet resistance value of the Ag single layer. When the thickness of the cathode 17 (Ag layer) is about 5 nm, as shown in FIG. 3, the sheet resistance value of the electron injection layer 16 (Yb layer) / cathode 17 (Ag layer) is 20 ohms. It will be about / sq to 30 ohms / sq. Therefore, the low resistance cathode 17 is realized by setting the thickness of the cathode 17 (Ag layer) to 5 nm or more and 20 nm or less and the thickness of the electron injection layer 16 (Yb layer) to 0.1 nm or more and 5 nm or less. Can. As a result, the device characteristics can be improved without losing the current supply stability even in the thin film thickness cathode 17 (Ag).

次に、本実施の形態に係る有機電界発光素子1の効果について、比較例も交えて説明する。図4は、比較例に係る有機電界発光素子100の断面構成の一例を表したものである。有機電界発光素子100は、本実施の形態に係る有機電界発光素子1において、陰極17を省略し、かつ膜厚調整層18が金属ドープの有機層によって構成されたものに相当する。比較例では、陰極17の機能は反射層19が担う。比較例では、陰極17の機能を反射層19が担うため、電子注入層16は、膜厚調整層18と反射層19の間に形成される。   Next, the effects of the organic electroluminescent device 1 according to the present embodiment will be described together with comparative examples. FIG. 4 illustrates an example of the cross-sectional configuration of the organic electroluminescent device 100 according to the comparative example. The organic electroluminescent device 100 corresponds to one in which the cathode 17 is omitted and the film thickness adjustment layer 18 is formed of a metal-doped organic layer in the organic electroluminescent device 1 according to the present embodiment. In the comparative example, the function of the cathode 17 is responsible for the reflective layer 19. In the comparative example, since the reflective layer 19 takes on the function of the cathode 17, the electron injection layer 16 is formed between the film thickness adjustment layer 18 and the reflective layer 19.

有機電界発光素子100には、本実施の形態に係る有機電界発光素子1と同様のマイクロキャビティ構造が設けられている。本構造においてホールhは、反射層11から正孔注入層12、正孔輸送層13を通り有機発光層14に向かう。一方、電子eは周辺領域20Bにおいて、電極層21から電子輸送層15、膜厚調整層18、電子注入層16、反射層19を通って画素領域20Aに入り、画素領域20A内で電子注入層16、膜厚調整層18、電子輸送層15を通り有機発光層14に向かう。そして有機発光層14においてホールhと電子eが再結合し、発光が起こる。発光が起こると、金属ドープの有機層によって構成された膜厚調整層18において、ドープ金属が経時的に劣化し、膜厚調整層18が高抵抗化する。その結果、有機電界発光素子100に印加される電圧が高電圧化してしまう。また、膜厚調整層18内のドープ金属が有機発光層14にまで拡散し、消光が起こり発光特性の悪化を引き起こす。このように、有機電界発光素子100では、通電安定性が損なわれ、デバイス特性が悪化してしまう。   The organic electroluminescent device 100 is provided with a microcavity structure similar to that of the organic electroluminescent device 1 according to the present embodiment. In the present structure, the holes h pass from the reflective layer 11 to the organic light emitting layer 14 through the hole injection layer 12 and the hole transport layer 13. On the other hand, electrons e enter the pixel region 20A from the electrode layer 21 through the electron transport layer 15, the film thickness adjustment layer 18, the electron injection layer 16 and the reflective layer 19 in the peripheral region 20B, and the electron injection layer in the pixel region 20A. 16. Through the film thickness adjustment layer 18 and the electron transport layer 15, go to the organic light emitting layer 14. Then, in the organic light emitting layer 14, the holes h and the electrons e recombine to emit light. When light emission occurs, in the film thickness adjusting layer 18 formed of the metal-doped organic layer, the doped metal is deteriorated with time, and the film thickness adjusting layer 18 has a high resistance. As a result, the voltage applied to the organic electroluminescent device 100 is increased. In addition, the doped metal in the film thickness adjusting layer 18 diffuses to the organic light emitting layer 14 to cause quenching and cause deterioration of the light emitting characteristics. As described above, in the organic electroluminescent device 100, the current supply stability is impaired, and the device characteristics are degraded.

一方、本実施の形態では、反射層11(陽極)と反射層19との間に、互いに接する電子注入層16(Yb電子注入層)および陰極17(Ag電極層)を有機発光層14側からこの順に積層した積層体が設けられている。本構造においてホールhは、反射層11から正孔注入層12、正孔輸送層13を通り有機発光層14に向かう。一方、電子eは周辺領域20Bにおいて、電極層21から電子輸送層15、電子注入層16、陰極17通って画素領域20Aに入り、画素領域20A内で電子注入層16、電子輸送層15を通り有機発光層14に向かう。そして有機発光層14においてホールhと電子eが再結合し、発光が起こる。つまり、本構造においては、膜厚調整層18に電気は流れていない。つまりドープ金属が経時的に劣化し、膜厚調整層18が高抵抗化することは無い。これにより、通電安定性を損なうことなく、デバイス特性を改善することができる。   On the other hand, in the present embodiment, the electron injection layer 16 (Yb electron injection layer) and the cathode 17 (Ag electrode layer) in contact with each other between the reflection layer 11 (anode) and the reflection layer 19 are viewed from the organic light emitting layer 14 side. The laminated body laminated | stacked in this order is provided. In the present structure, the holes h pass from the reflective layer 11 to the organic light emitting layer 14 through the hole injection layer 12 and the hole transport layer 13. On the other hand, electrons e pass from the electrode layer 21 through the electron transport layer 15, the electron injection layer 16 and the cathode 17 into the pixel area 20A in the peripheral area 20B and pass through the electron injection layer 16 and the electron transport layer 15 in the pixel area 20A. Go to the organic light emitting layer 14. Then, in the organic light emitting layer 14, the holes h and the electrons e recombine to emit light. That is, in the present structure, no electricity flows in the film thickness adjusting layer 18. That is, the doped metal is deteriorated with time, and the resistance of the film thickness adjusting layer 18 is not increased. Thereby, the device characteristics can be improved without losing the current supply stability.

また、本実施の形態では、陰極17(Ag電極層)が反射層19よりも薄くなっている。これにより、低抵抗な陰極17を実現すると同時に、陰極17および電子注入層16をキャビティの反射層としてほとんど機能しないようにすることができる。その結果、通電安定性を損なうことなく、デバイス特性を改善することができる。   Further, in the present embodiment, the cathode 17 (Ag electrode layer) is thinner than the reflective layer 19. As a result, the cathode 17 and the electron injection layer 16 can be made to hardly function as a reflection layer of the cavity while realizing the low resistance cathode 17. As a result, device characteristics can be improved without impairing the current supply stability.

また、本実施の形態では、陰極17(Ag電極層)と反射層19との間に、陰極17(Ag電極層)よりも高抵抗の膜厚調整層18が設けられている。これにより、膜厚調整層18が電流経路を構成しなくなるので、膜厚調整層18が金属ドープされた有機層であった場合であっても、それによる影響はない。また、そもそも、膜厚調整層18に電流が流れないので、膜厚調整層18にドープされた金属が拡散することもない。その結果、通電安定性を損なうことなく、デバイス特性を改善することができる。   Further, in the present embodiment, a film thickness adjustment layer 18 having a resistance higher than that of the cathode 17 (Ag electrode layer) is provided between the cathode 17 (Ag electrode layer) and the reflective layer 19. As a result, the film thickness adjusting layer 18 does not constitute a current path, and therefore, even if the film thickness adjusting layer 18 is a metal-doped organic layer, there is no influence by this. Further, since no current flows in the film thickness adjusting layer 18 in the first place, the metal doped in the film thickness adjusting layer 18 does not diffuse. As a result, device characteristics can be improved without impairing the current supply stability.

<2.第1の実施の形態の変形例>
[変形例A]
上記実施の形態において、例えば、図5に示したように、陰極17(Ag電極層)の反射層19側に接する保護層28(Yb保護層)が設けられていてもよい。保護層28は、陰極16(Ag電極層)が非常に薄い場合に抵抗値を下げるための低抵抗層として機能する層である。保護層28は、例えば、厚さが0.1nm以上、5nm以下のYb層である。保護層28は、膜厚調整層18よりも低抵抗となっている。
<2. Modification of First Embodiment>
[Modification A]
In the above embodiment, for example, as shown in FIG. 5, a protective layer 28 (Yb protective layer) in contact with the reflective layer 19 side of the cathode 17 (Ag electrode layer) may be provided. The protective layer 28 is a layer that functions as a low resistance layer for reducing the resistance value when the cathode 16 (Ag electrode layer) is very thin. The protective layer 28 is, for example, a Yb layer having a thickness of 0.1 nm or more and 5 nm or less. The protective layer 28 has lower resistance than the film thickness adjusting layer 18.

図6はAg膜厚とシート抵抗、Yb電子注入層、Yb保護層の関係の一例を表したものである。図6において、陰極17が例えばAg層となっており、かつ電子注入層16が例えばYb層となっている。Ag層の膜厚が5nmとなっているとき、Ybからなる電子注入層16が設けられていない場合(比較例)には、シート抵抗値が大幅に増大し、10Mオーム/sq以上になってしまう。一方、Ybからなる電子注入層16が設けられている場合(実施例)には、シート抵抗値は20オーム/sq〜30オーム/sq程度と低抵抗な陰極を実現することが出来る。また、Ag層の膜厚が2nmとなっているとき、Ybからなる電子注入層16が設けられていない場合(比較例)や、Ybからなる電子注入層16が設けられている場合であってもYbからなる保護層28が設けられていない場合(実施例)にはシート抵抗値が大幅に増大し10Mオーム/sq以上になってしまう。一方、Ybからなる電子注入層16が設けられており、且つYbからなる保護層28が設けられている場合(変形例A)には、シート抵抗値は350〜400オーム/sq程度と低抵抗な陰極17を実現することが出来る。このように、本変形例では、陰極17(Ag電極層)の反射層19側に接する保護層28(Yb保護層)が設けられていることにより、低抵抗な陰極17を実現することができる。この結果、薄い膜厚の陰極17(Ag電極層)においても通電安定性を損なうことなく、デバイス特性を改善することができる。   FIG. 6 shows an example of the relationship between the Ag film thickness and the sheet resistance, the Yb electron injection layer, and the Yb protective layer. In FIG. 6, the cathode 17 is, for example, an Ag layer, and the electron injection layer 16 is, for example, a Yb layer. When the film thickness of the Ag layer is 5 nm and the electron injection layer 16 made of Yb is not provided (comparative example), the sheet resistance value is significantly increased to 10 M ohm / sq or more. I will. On the other hand, in the case where the electron injection layer 16 made of Yb is provided (Example), a sheet resistance value of about 20 ohms / sq to about 30 ohms / sq can realize a low resistance cathode. In addition, when the film thickness of the Ag layer is 2 nm, the electron injection layer 16 made of Yb is not provided (comparative example), or the electron injection layer 16 made of Yb is provided. When the protective layer 28 made of Yb is not provided (Example), the sheet resistance value is greatly increased to 10 M ohm / sq or more. On the other hand, when the electron injection layer 16 of Yb is provided and the protective layer 28 of Yb is provided (Modification A), the sheet resistance is as low as about 350 to 400 ohms / sq. Can be realized. Thus, in this modification, the low resistance cathode 17 can be realized by providing the protective layer 28 (Yb protective layer) in contact with the side of the cathode 17 (Ag electrode layer) on the reflective layer 19 side. . As a result, the device characteristics can be improved without losing the current supply stability even in the thin film thickness cathode 17 (Ag electrode layer).

[変形例B]
また、上記実施の形態および変形例Aにおいて、例えば、図7、図8に示したように、反射層19と陰極17(Ag電極層)とが電気的に導通していてもよい。さらに、上記実施の形態において、反射層19が、例えば、陰極17(Ag電極層)の一部に接していてもよい。具体的には、上記実施の形態において、反射層19と陰極17(Ag電極層)とが、有機発光層14の発光領域14Aと厚さ方向において非対向の領域(例えば、バンク25と厚さ方向において対向する領域、または、周辺領域20B)で電気的に導通していてもよい。このように、反射層19と陰極17(Ag電極層)とが電気的に導通していることにより、低抵抗な反射層19が補助配線の役割を担う。そのことでその抵抗影響を小さくすることが出来、パネルが大型化した際に、パネルの中央部に電圧がかかりにくくなる現象(電圧降下)を小さくすることが出来る。また、陰極17(Ag電極層)と反射層19との間に、陰極17(Ag電極層)よりも高抵抗の膜厚調整層18が設けられている構成において、膜厚調整層18が電流経路を構成しなくなる。これにより膜厚調整層18が金属ドープされた有機層であった場合であっても、それによる影響はない。また、そもそも、膜厚調整層18に電流が流れないので、膜厚調整層18にドープされた金属が拡散することもない。その結果、通電安定性を損なうことなく、デバイス特性を改善することができる。
[Modification B]
In the above embodiment and modification A, for example, as shown in FIGS. 7 and 8, the reflective layer 19 and the cathode 17 (Ag electrode layer) may be electrically conducted. Furthermore, in the above embodiment, the reflective layer 19 may be in contact with, for example, part of the cathode 17 (Ag electrode layer). Specifically, in the above embodiment, the reflective layer 19 and the cathode 17 (Ag electrode layer) are not opposed to the light emitting area 14A of the organic light emitting layer 14 in the thickness direction (for example, the bank 25 and the thickness). Electrical continuity may be established in the opposing regions in the direction or in the peripheral region 20B). As described above, since the reflection layer 19 and the cathode 17 (Ag electrode layer) are electrically conducted, the low resistance reflection layer 19 plays a role of an auxiliary wiring. As a result, the influence of the resistance can be reduced, and a phenomenon (voltage drop) in which a voltage is hardly applied to the central portion of the panel when the panel is enlarged can be reduced. Further, in the configuration in which the film thickness adjustment layer 18 having a resistance higher than that of the cathode 17 (Ag electrode layer) is provided between the cathode 17 (Ag electrode layer) and the reflective layer 19, the film thickness adjustment layer 18 Do not configure the route. Thus, even when the film thickness adjustment layer 18 is a metal-doped organic layer, there is no influence. Further, since no current flows in the film thickness adjusting layer 18 in the first place, the metal doped in the film thickness adjusting layer 18 does not diffuse. As a result, device characteristics can be improved without impairing the current supply stability.

[変形例C]
また、上記実施の形態、変形例Aおよび変形例Bにおいて、陰極17の膜厚増加による透過率の低下や膜厚ずれに対する発光特性変化を制御することができる場合には、陰極17の膜厚が反射膜19の膜厚と同じか、またはそれよりも厚くなっていてもよい。例えば、図9に示したように、陰極17の膜厚が反射膜19の膜厚と同じか、またはそれよりも厚くなっていてもよい。このようにした場合には、陰極17のシート抵抗を低抵抗化することができ、デバイス特性を改善することができる。
[Modification C]
Further, in the above embodiment, modification A and modification B, when it is possible to control the light emission characteristic change due to the decrease of the transmittance due to the increase of the film thickness of the cathode 17 or the film thickness deviation, the film thickness of the cathode 17 May be equal to or thicker than the film thickness of the reflective film 19. For example, as shown in FIG. 9, the film thickness of the cathode 17 may be equal to or thicker than the film thickness of the reflective film 19. In this case, the sheet resistance of the cathode 17 can be reduced, and the device characteristics can be improved.

[変形例D]
また、上記実施の形態、変形例Aおよび変形例Bにおいて、陰極17の厚さが、例えば、画素領域20Aで相対的に薄くなっており、画素領域20Bの周辺の領域(周辺領域20B)で相対的に厚くなっていてもよい。例えば、図10に示したように、陰極17の厚さが、画素領域20Aで相対的に薄くなっており、画素領域20Bの周辺の領域(周辺領域20B)で相対的に厚くなっていてもよい。このようにした場合には、周辺領域20Bでの電圧降下を小さくすることができ、デバイス特性を改善することができる。
[Modification D]
Further, in the above embodiment, modification A and modification B, for example, the thickness of the cathode 17 is relatively thin in the pixel area 20A, and in the area around the pixel area 20B (peripheral area 20B) It may be relatively thick. For example, as shown in FIG. 10, even if the thickness of the cathode 17 is relatively thin in the pixel area 20A and relatively thick in the area around the pixel area 20B (peripheral area 20B) Good. In this case, the voltage drop in peripheral region 20B can be reduced, and device characteristics can be improved.

<3.第2の実施の形態>
[構成]
図11は、本開示の第2の実施の形態に係る有機電界発光装置2の概略構成の一例を表したものである。図12は、有機電界発光装置2に設けられた各画素23の回路構成の一例を表したものである。有機電界発光装置2は、例えば、表示パネル20、コントローラ30およびドライバ40を備えている。表示パネル20は、画素領域20Aに、行列状に配置された複数の画素23を有している。ドライバ40は、表示パネル20の外縁部分(画素領域20Aの周辺の領域である周辺領域20B)に実装されている。コントローラ30およびドライバ40は、外部から入力された映像信号Dinおよび同期信号Tinに基づいて、表示パネル20を駆動する。
<3. Second embodiment>
[Constitution]
FIG. 11 illustrates an example of a schematic configuration of the organic electroluminescent device 2 according to the second embodiment of the present disclosure. FIG. 12 illustrates an example of the circuit configuration of each pixel 23 provided in the organic electroluminescent device 2. The organic electroluminescent device 2 includes, for example, a display panel 20, a controller 30, and a driver 40. The display panel 20 has a plurality of pixels 23 arranged in a matrix in the pixel area 20A. The driver 40 is mounted on an outer edge portion of the display panel 20 (a peripheral area 20B which is an area around the pixel area 20A). The controller 30 and the driver 40 drive the display panel 20 based on the video signal Din and the synchronization signal Tin input from the outside.

(表示パネル20)
表示パネル20は、コントローラ30およびドライバ40によって各画素23がアクティブマトリクス駆動されることにより、外部から入力された映像信号Dinおよび同期信号Tinに基づく画像を表示する。表示パネル20は、行方向に延在する複数の走査線WSLと、列方向に延在する複数の信号線DTLおよび複数の電源線DSLと、行列状に配置された複数の画素23とを有している。
(Display panel 20)
The display panel 20 displays an image based on the video signal Din input from the outside and the synchronization signal Tin by the active matrix driving of each pixel 23 by the controller 30 and the driver 40. The display panel 20 has a plurality of scan lines WSL extending in the row direction, a plurality of signal lines DTL and a plurality of power supply lines DSL extending in the column direction, and a plurality of pixels 23 arranged in a matrix. doing.

走査線WSLは、各画素23の選択に用いられるものであり、各画素23を所定の単位(例えば画素行)ごとに選択する選択パルスを各画素23に供給するものである。信号線DTLは、映像信号Dinに応じた信号電圧Vsigの、各画素23への供給に用いられるものであり、信号電圧Vsigを含むデータパルスを各画素23に供給するものである。電源線DSLは、各画素23に電力を供給するものである。   The scanning line WSL is used to select each pixel 23, and supplies a selection pulse for selecting each pixel 23 for each predetermined unit (for example, pixel row) to each pixel 23. The signal line DTL is used to supply a signal voltage Vsig corresponding to the video signal Din to each pixel 23, and supplies a data pulse including the signal voltage Vsig to each pixel 23. The power supply line DSL supplies power to each pixel 23.

複数の画素23は、例えば、赤色光を発する複数の画素23、緑色光を発する複数の画素23および青色光を発する複数の画素23で構成されている。なお、複数の画素23は、例えば、さらに、他の色(例えば、白色や、黄色など)を発する複数の画素23を含んで構成されていてもよい。   The plurality of pixels 23 includes, for example, a plurality of pixels 23 that emit red light, a plurality of pixels 23 that emit green light, and a plurality of pixels 23 that emit blue light. The plurality of pixels 23 may be configured to include, for example, a plurality of pixels 23 emitting another color (for example, white, yellow, etc.).

各信号線DTLは、後述の水平セレクタ41の出力端に接続されている。各画素列には、例えば、複数の信号線DTLが1本ずつ、割り当てられている。各走査線WSLは、後述のライトスキャナ42の出力端に接続されている。各画素行には、例えば、複数の走査線WSLが1本ずつ、割り当てられている。各電源線DSLは、電源の出力端に接続されている。各画素行には、例えば、複数の電源線DSLが1本ずつ、割り当てられている。   Each signal line DTL is connected to an output end of a horizontal selector 41 described later. For example, a plurality of signal lines DTL are assigned to each pixel column. Each scanning line WSL is connected to an output end of a light scanner 42 described later. For example, a plurality of scanning lines WSL are allocated to each pixel row. Each power supply line DSL is connected to the output end of the power supply. For example, a plurality of power supply lines DSL are allocated to each pixel row.

各画素23は、例えば、画素回路23−1と、有機電界発光素子23−2とを有している。有機電界発光素子23−2は、例えば、上記実施の形態およびその変形例に係る有機電界発光素子1である。表示パネル20に含まれる複数の画素23のうち、少なくとも1つは、上記実施の形態およびその変形例に係る有機電界発光素子1を有している。つまり、表示パネル20に含まれる複数の有機電界発光素子23−2のうち、少なくとも1つは、上記実施の形態およびその変形例に係る有機電界発光素子1で構成されている。   Each pixel 23 has, for example, a pixel circuit 23-1 and an organic electroluminescent element 23-2. The organic electroluminescent device 23-2 is, for example, the organic electroluminescent device 1 according to the above-described embodiment and the modification thereof. At least one of the plurality of pixels 23 included in the display panel 20 includes the organic electroluminescent element 1 according to the above-described embodiment and the modification thereof. That is, at least one of the plurality of organic electroluminescent devices 23-2 included in the display panel 20 is configured of the organic electroluminescent device 1 according to the above-described embodiment and the modification thereof.

画素回路23−1は、有機電界発光素子23−2の発光・消光を制御する。画素回路23−1は、後述の書込走査によって各画素23に書き込んだ電圧を保持する機能を有している。画素回路23−1は、例えば、駆動トランジスタTr1、書込トランジスタTr2および保持容量Csを含んで構成されている。   The pixel circuit 23-1 controls light emission / quenching of the organic electroluminescent element 23-2. The pixel circuit 23-1 has a function of holding the voltage written to each pixel 23 by the write scanning described later. The pixel circuit 23-1 includes, for example, a drive transistor Tr1, a write transistor Tr2, and a storage capacitor Cs.

書込トランジスタTr2は、駆動トランジスタTr1のゲートに対する、映像信号Dinに対応した信号電圧Vsigの印加を制御する。具体的には、書込トランジスタTr2は、信号線DTLの電圧をサンプリングするとともに、サンプリングにより得られた電圧を駆動トランジスタTr1のゲートに書き込む。駆動トランジスタTr1は、有機電界発光素子23−2に直列に接続されている。駆動トランジスタTr1は、有機電界発光素子23−2を駆動する。駆動トランジスタTr1は、書込トランジスタTr2によってサンプリングされた電圧の大きさに応じて有機電界発光素子23−2に流れる電流を制御する。保持容量Csは、駆動トランジスタTr1のゲート−ソース間に所定の電圧を保持するものである。保持容量Csは、所定の期間中に駆動トランジスタTr1のゲート−ソース間電圧Vgsを一定に保持する役割を有する。なお、画素回路23−1は、上述の2Tr1Cの回路に対して各種容量やトランジスタを付加した回路構成となっていてもよいし、上述の2Tr1Cの回路構成とは異なる回路構成となっていてもよい。   The write transistor Tr2 controls application of a signal voltage Vsig corresponding to the video signal Din to the gate of the drive transistor Tr1. Specifically, the write transistor Tr2 samples the voltage of the signal line DTL, and writes the voltage obtained by the sampling to the gate of the drive transistor Tr1. The drive transistor Tr1 is connected in series to the organic electroluminescent element 23-2. The drive transistor Tr1 drives the organic electroluminescent element 23-2. The drive transistor Tr1 controls the current flowing to the organic electroluminescent element 23-2 in accordance with the magnitude of the voltage sampled by the write transistor Tr2. The storage capacitor Cs holds a predetermined voltage between the gate and the source of the drive transistor Tr1. The storage capacitor Cs has a role of holding the gate-source voltage Vgs of the drive transistor Tr1 constant during a predetermined period. Note that the pixel circuit 23-1 may have a circuit configuration in which various capacitances and transistors are added to the circuit of 2Tr1C described above, or may have a circuit configuration different from the circuit configuration of 2Tr1C described above. Good.

各信号線DTLは、後述の水平セレクタ41の出力端と、書込トランジスタTr2のソースまたはドレインとに接続されている。各走査線WSLは、後述のライトスキャナ42の出力端と、書込トランジスタTr2のゲートとに接続されている。各電源線DSLは、電源回路33の出力端と、駆動トランジスタTr1のソースまたはドレインに接続されている。   Each signal line DTL is connected to the output end of the horizontal selector 41 described later and the source or drain of the write transistor Tr2. Each scanning line WSL is connected to the output terminal of the write scanner 42 described later and the gate of the write transistor Tr2. Each power supply line DSL is connected to the output end of the power supply circuit 33 and the source or drain of the drive transistor Tr1.

書込トランジスタTr2のゲートは、走査線WSLに接続されている。書込トランジスタTr2のソースまたはドレインが信号線DTLに接続されている。書込トランジスタTr2のソースおよびドレインのうち信号線DTLに未接続の端子が駆動トランジスタTr1のゲートに接続されている。駆動トランジスタTr1のソースまたはドレインが電源線DSLに接続されている。駆動トランジスタTr1のソースおよびドレインのうち電源線DSLに未接続の端子が有機電界発光素子23−2の陽極(反射層11)に接続されている。保持容量Csの一端が駆動トランジスタTr1のゲートに接続されている。保持容量Csの他端が駆動トランジスタTr1のソースおよびドレインのうち有機電界発光素子23−2側の端子に接続されている。   The gate of the write transistor Tr2 is connected to the scan line WSL. The source or drain of the write transistor Tr2 is connected to the signal line DTL. Among the source and drain of the write transistor Tr2, a terminal not connected to the signal line DTL is connected to the gate of the drive transistor Tr1. The source or drain of the drive transistor Tr1 is connected to the power supply line DSL. Among the source and drain of the drive transistor Tr1, a terminal not connected to the power supply line DSL is connected to the anode (the reflective layer 11) of the organic electroluminescent element 23-2. One end of the storage capacitor Cs is connected to the gate of the drive transistor Tr1. The other end of the storage capacitor Cs is connected to a terminal of the source and drain of the drive transistor Tr1 on the side of the organic electroluminescent element 23-2.

(ドライバ40)
ドライバ40は、例えば、水平セレクタ41およびライトスキャナ42を有している。水平セレクタ41は、例えば、制御信号の入力に応じて(同期して)、コントローラ30から入力されたアナログの信号電圧Vsigを、各信号線DTLに印加する。ライトスキャナ42は、複数の画素23を所定の単位ごとに走査する。
(Driver 40)
The driver 40 has, for example, a horizontal selector 41 and a light scanner 42. The horizontal selector 41 applies the analog signal voltage Vsig input from the controller 30 to each signal line DTL, for example, in response to (in synchronization with) the input of the control signal. The light scanner 42 scans the plurality of pixels 23 in predetermined units.

(コントローラ30)
次に、コントローラ30について説明する。コントローラ30は、例えば、外部から入力されたデジタルの映像信号Dinに対して所定の補正を行い、それにより得られた映像信号に基づいて、信号電圧Vsigを生成する。コントローラ30は、例えば、生成した信号電圧Vsigを水平セレクタ41に出力する。コントローラ30は、例えば、外部から入力された同期信号Tinに応じて(同期して)、ドライバ40内の各回路に対して制御信号を出力する。
(Controller 30)
Next, the controller 30 will be described. The controller 30 performs, for example, predetermined correction on the digital video signal Din input from the outside, and generates a signal voltage Vsig based on the video signal obtained thereby. The controller 30 outputs, for example, the generated signal voltage Vsig to the horizontal selector 41. The controller 30 outputs a control signal to each circuit in the driver 40, for example, in response to (in synchronization with) a synchronization signal Tin input from the outside.

次に、図13、図1等を参照して、有機電界発光素子23−2について説明する。図13は、表示パネル20の概略構成例を表したものである。   Next, the organic electroluminescent device 23-2 will be described with reference to FIG. 13, FIG. 1, and the like. FIG. 13 illustrates a schematic configuration example of the display panel 20.

表示パネル20は、行列状に配置された複数の画素23を有している。複数の画素23は、例えば、上述したように、赤色光を発する画素23(23R)、緑色光を発する画素23(23G)、および青色光を発する画素23(23B)を含んで構成されている。複数の画素23において、例えば、画素23R、画素23Gおよび画素23Bが、カラー表示における画素(カラー画素24)を構成している。   The display panel 20 has a plurality of pixels 23 arranged in a matrix. For example, as described above, the plurality of pixels 23 are configured to include the pixels 23 (23R) that emit red light, the pixels 23 (23G) that emit green light, and the pixels 23 (23B) that emit blue light. . In the plurality of pixels 23, for example, the pixel 23R, the pixel 23G, and the pixel 23B constitute a pixel (color pixel 24) in color display.

画素23Rは、赤色の光を発する有機電界発光素子23−2を含んで構成されている。画素23Gは、緑色の光を発する有機電界発光素子23−2を含んで構成されている。画素23Bは、青色の光を発する有機電界発光素子23−2を含んで構成されている。画素23R,23G,23Bは、例えば、ストライプ配列となっている。各画素23において、例えば、画素23R,23G,23Bが、列方向に並んで配置されている。さらに、各画素行において、例えば、同一色の光を発する複数の画素23が、行方向に一列に並んで配置されている。   The pixel 23R is configured to include an organic electroluminescent element 23-2 that emits red light. The pixel 23G is configured to include an organic electroluminescent element 23-2 that emits green light. The pixel 23B is configured to include an organic electroluminescent element 23-2 that emits blue light. The pixels 23R, 23G, and 23B are, for example, in a stripe arrangement. In each pixel 23, for example, the pixels 23R, 23G, and 23B are arranged in the column direction. Furthermore, in each pixel row, for example, a plurality of pixels 23 emitting light of the same color are arranged in line in the row direction.

表示パネル20は、基板10上に、行方向に延在する複数のバンク25(上記第1の実施の形態におけるバンク25)と、列方向に延在する2つのバンク22とを有している。複数のバンク25および2つのバンク22は、表示パネル20の画素領域20Aを区画する。複数のバンク25は、各カラー画素24において、各画素23を区画する。2つのバンク22は、各画素行の端部を規定する。つまり、各画素行は、2つのバンク25および2のバンク22によって区画されている。   The display panel 20 includes a plurality of banks 25 extending in the row direction (the banks 25 in the first embodiment) and two banks 22 extending in the column direction on the substrate 10. . The plurality of banks 25 and the two banks 22 define the pixel area 20A of the display panel 20. The plurality of banks 25 divides each pixel 23 in each color pixel 24. Two banks 22 define the end of each pixel row. That is, each pixel row is partitioned by two banks 25 and two banks 22.

[効果]
本実施の形態では、表示パネル20に含まれる複数の有機電界発光素子23−2のうち、少なくとも1つは、上記実施の形態およびその変形例に係る有機電界発光素子1で構成されている。従って、発光特性に優れ、かつ長寿命の有機電界発光装置2を実現することができる。
[effect]
In the present embodiment, at least one of the plurality of organic electroluminescent devices 23-2 included in the display panel 20 is configured of the organic electroluminescent device 1 according to the above-described embodiment and its modification. Therefore, it is possible to realize the organic electroluminescent device 2 which is excellent in light emitting characteristics and has a long life.

<4.適用例>
[適用例その1]
以下では、上記第2の実施の形態で説明した有機電界発光装置2の適用例について説明する。有機電界発光装置2は、テレビジョン装置、デジタルカメラ、ノート型パーソナルコンピュータ、シート状のパーソナルコンピュータ、携帯電話等の携帯端末装置あるいはビデオカメラなど、外部から入力された映像信号あるいは内部で生成した映像信号を、画像あるいは映像として表示するあらゆる分野の電子機器の表示装置に適用することが可能である。
<4. Application example>
[Application example 1]
Below, the application example of the organic electroluminescent apparatus 2 demonstrated in the said 2nd Embodiment is demonstrated. The organic electroluminescent device 2 may be a television device, a digital camera, a notebook personal computer, a sheet-like personal computer, a portable terminal device such as a mobile phone or a video camera, or an externally input video signal or internally generated video. The present invention can be applied to display devices of electronic devices in all fields that display signals as images or images.

図14は、本適用例に係る電子機器3の外観を斜視的に表したものである。電子機器3は、例えば、筐体310の主面に表示面320を備えたシート状のパーソナルコンピュータである。電子機器3は、電子機器3の表示面320に、有機電界発光装置2を備えている。有機電界発光装置2は、表示パネル20が外側を向くように配置されている。本適用例では、有機電界発光装置2が表示面320に設けられているので、発光特性に優れ、かつ長寿命の電子機器3を実現することができる。   FIG. 14 is a perspective view of the appearance of the electronic device 3 according to the application example. The electronic device 3 is, for example, a sheet-like personal computer provided with the display surface 320 on the main surface of the housing 310. The electronic device 3 includes the organic electroluminescent device 2 on the display surface 320 of the electronic device 3. The organic electroluminescent device 2 is disposed such that the display panel 20 faces outward. In this application example, since the organic electroluminescent device 2 is provided on the display surface 320, it is possible to realize the electronic device 3 which is excellent in light emission characteristics and has a long life.

[適用例その2]
以下では、上記実施の形態およびその変形例に係る有機電界発光素子1の適用例について説明する。有機電界発光素子1は、卓上用もしくは床置き用の照明装置、または、室内用の照明装置など、あらゆる分野の照明装置の光源に適用することが可能である。
[Application example 2]
Below, the application example of the organic electroluminescent element 1 which concerns on the said embodiment and its modification is demonstrated. The organic electroluminescent device 1 can be applied to a light source of a lighting device in any field, such as a tabletop or floor-standing lighting device or a lighting device for indoor use.

図15は、上記実施の形態およびその変形例に係る有機電界発光素子1が適用される室内用の照明装置の外観を表したものである。この照明装置は、例えば、上記実施の形態およびその変形例に係る1または複数の有機電界発光素子1を含んで構成された照明部410を有している。照明部410は、建造物の天井420に適宜の個数および間隔で配置されている。なお、照明部410は、用途に応じて、天井420に限らず、壁430または床(図示せず)など任意の場所に設置することが可能である。   FIG. 15 illustrates an appearance of a lighting device for a room to which the organic electroluminescent device 1 according to the above-described embodiment and the modification thereof is applied. The illumination device includes, for example, an illumination unit 410 configured to include one or more organic electroluminescent elements 1 according to the above-described embodiment and the modification thereof. The lighting units 410 are disposed on the ceiling 420 of the building at an appropriate number and interval. In addition, according to a use, the illumination part 410 can be installed in arbitrary places, such as not only the ceiling 420 but the wall 430 or a floor (not shown).

これらの照明装置では、上記実施の形態およびその変形例に係る有機電界発光素子1からの光により、照明が行われる。これにより、発光特性に優れ、かつ長寿命の照明装置を実現することができる。   In these illumination devices, illumination is performed by the light from the organic electroluminescent element 1 according to the above-described embodiment and its modification. Thus, a lighting device having excellent light emission characteristics and long life can be realized.

以上、実施の形態および適用例を挙げて本開示を説明したが、本開示は実施の形態等に限定されるものではなく、種々変形が可能である。なお、本明細書中に記載された効果は、あくまで例示である。本開示の効果は、本明細書中に記載された効果に限定されるものではない。本開示が、本明細書中に記載された効果以外の効果を持っていてもよい。   Although the present disclosure has been described above by citing the embodiment and the application example, the present disclosure is not limited to the embodiment and the like, and various modifications are possible. The effects described in the present specification are merely examples. The effects of the present disclosure are not limited to the effects described herein. The present disclosure may have effects other than those described herein.

また、例えば、本開示は以下のような構成を取ることができる。
(1)
第1反射層と、
第2反射層と、
前記第1反射層と前記第2反射層との間に設けられた単色発光の有機発光層と、
前記有機発光層と前記第2反射層との間に設けられたAg電極層と、
前記Ag電極層の前記有機発光層側に接するYb電子注入層と
を備えた
有機電界発光素子。
(2)
前記Ag電極層の前記第2反射層側に接するYb保護層を更に備えた
(1)に記載の有機電界発光素子。
(3)
前記Ag電極層は、前記第2反射層よりも薄くなっている
(1)または(2)に記載の有機電界発光素子。
(4)
前記Ag電極層と前記第2反射層との間に、前記Ag電極層よりも高抵抗の膜厚調整層を更に備えた
(1)から(3)のいずれか1つに記載の有機電界発光素子。
(5)
前記第1反射層および前記Ag電極層と電気的に導通し、前記第1反射層と前記Ag電極層との間に電流を供給するための配線を更に備えた
(1)から(4)のいずれか1つに記載の有機電界発光素子。
(6)
前記第2反射層と前記Ag電極層とが電気的に導通している
(1)から(5)のいずれか1つに記載の有機電界発光素子。
(7)
前記第2反射層と前記Ag電極層とが、前記有機発光層の発光領域と非対向の領域において電気的に導通している
(8)
前記第1反射層と前記第2反射層との間の距離が、キャビティが生じる光路長となっている
(1)から(7)のいずれか1つに記載の有機電界発光素子。
(9)
複数の有機電界発光素子を備え、
前記複数の有機電界発光素子のうちの少なくとも1つは、
第1反射層と、
第2反射層と、
前記第1反射層と前記第2反射層との間に設けられた単色発光の有機発光層と、
前記有機発光層と前記第2反射層との間に設けられたAg電極層と、
前記Ag電極層の前記有機発光層側に接するYb電子注入層と
を有する
有機電界発光装置。
(10)
前記複数の有機電界発光素子は、画素領域に設けられ、
前記第2反射層と前記Ag電極層とが、前記画素領域の周辺の領域で電気的に導通している
(9)に記載の有機電界発光装置。
(11)
複数の有機電界発光素子を有する有機電界発光装置を備え、
前記複数の有機電界発光素子のうちの少なくとも1つは、
第1反射層と、
第2反射層と、
前記第1反射層と前記第2反射層との間に設けられた単色発光の有機発光層と、
前記有機発光層と前記第2反射層との間に設けられたAg電極層と、
前記Ag電極層の前記有機発光層側に接するYb電子注入層と
を有する
電子機器。
(12)
第1反射層と、
第2反射層と、
前記第1反射層と前記第2反射層との間に設けられた単色発光の有機発光層と、
前記有機発光層と前記第2反射層との間に設けられた、膜厚が前記第2反射層よりも薄い電極層と、
前記電極層と前記第2反射層との間に設けられた、前記電極層よりも高抵抗の膜厚調整層と、
前記第1反射層と前記電極層との間に電流を供給するための配線層と
を備えた
有機電界発光素子。
(13)
前記第2反射層と前記電極層とが、画素領域の周辺の領域で電気的に導通している
(12)に記載の有機電界発光素子。
(14)
第1反射層と、
第2反射層と、
前記第1反射層と前記第2反射層との間に設けられた単色発光の有機発光層と、
前記有機発光層と前記第2反射層との間に設けられた電極層と、
前記電極層と前記第2反射層との間に設けられた、前記電極層よりも高抵抗の膜厚調整層と、
前記第1反射層と前記電極層との間に電流を供給するための配線層と
を備えた
有機電界発光素子。
(15)
前記電極層の膜厚が、画素領域で相対的に薄くなっており、前記画素領域の周辺の領域で相対的に厚くなっている
(14)に記載の有機電界発光素子。
Also, for example, the present disclosure can have the following configurations.
(1)
A first reflective layer,
A second reflective layer,
An organic light emitting layer of monochromatic light emission provided between the first reflection layer and the second reflection layer;
An Ag electrode layer provided between the organic light emitting layer and the second reflective layer;
An Yb electron injection layer in contact with the organic light emitting layer side of the Ag electrode layer;
(2)
The organic electroluminescent device according to (1), further comprising a Yb protective layer in contact with the second reflective layer side of the Ag electrode layer.
(3)
The organic electroluminescent device according to (1) or (2), wherein the Ag electrode layer is thinner than the second reflective layer.
(4)
The organic electroluminescence according to any one of (1) to (3), further including a film thickness adjusting layer having a resistance higher than that of the Ag electrode layer between the Ag electrode layer and the second reflective layer. element.
(5)
(1) to (4), further comprising a wire electrically connected to the first reflective layer and the Ag electrode layer and supplying a current between the first reflective layer and the Ag electrode layer The organic electroluminescent element as described in any one.
(6)
The organic electroluminescent device according to any one of (1) to (5), in which the second reflective layer and the Ag electrode layer are electrically conducted.
(7)
The second reflective layer and the Ag electrode layer are electrically conducted in a region not facing the light emitting region of the organic light emitting layer (8)
The organic electroluminescent device according to any one of (1) to (7), wherein a distance between the first reflective layer and the second reflective layer is an optical path length generated by a cavity.
(9)
Equipped with multiple organic electroluminescent devices,
At least one of the plurality of organic electroluminescent devices is
A first reflective layer,
A second reflective layer,
An organic light emitting layer of monochromatic light emission provided between the first reflection layer and the second reflection layer;
An Ag electrode layer provided between the organic light emitting layer and the second reflective layer;
An Yb electron injection layer in contact with the organic light emitting layer side of the Ag electrode layer.
(10)
The plurality of organic electroluminescent devices are provided in a pixel area,
The organic electroluminescent device according to (9), wherein the second reflective layer and the Ag electrode layer are electrically conducted in an area around the pixel area.
(11)
An organic electroluminescent device having a plurality of organic electroluminescent devices,
At least one of the plurality of organic electroluminescent devices is
A first reflective layer,
A second reflective layer,
An organic light emitting layer of monochromatic light emission provided between the first reflection layer and the second reflection layer;
An Ag electrode layer provided between the organic light emitting layer and the second reflective layer;
An Yb electron injection layer in contact with the organic light emitting layer side of the Ag electrode layer;
(12)
A first reflective layer,
A second reflective layer,
An organic light emitting layer of monochromatic light emission provided between the first reflection layer and the second reflection layer;
An electrode layer provided between the organic light emitting layer and the second reflective layer, the electrode layer being thinner than the second reflective layer;
A film thickness adjustment layer provided between the electrode layer and the second reflective layer, having a higher resistance than the electrode layer;
An organic electroluminescent device comprising: a wiring layer for supplying a current between the first reflective layer and the electrode layer.
(13)
The organic electroluminescent element according to (12), wherein the second reflective layer and the electrode layer are electrically conducted in an area around the pixel area.
(14)
A first reflective layer,
A second reflective layer,
An organic light emitting layer of monochromatic light emission provided between the first reflection layer and the second reflection layer;
An electrode layer provided between the organic light emitting layer and the second reflective layer;
A film thickness adjustment layer provided between the electrode layer and the second reflective layer, having a higher resistance than the electrode layer;
An organic electroluminescent device comprising: a wiring layer for supplying a current between the first reflective layer and the electrode layer.
(15)
The organic electroluminescent element according to (14), wherein the film thickness of the electrode layer is relatively thin in the pixel region and relatively thick in the region around the pixel region.

1…有機電界発光素子、2…有機電界発光装置、3…電子機器、10…基板、11…反射層、12…正孔注入層、13…正孔輸送層、14…有機発光層、14A…発光領域、15…電子輸送層、16…電子注入層、17…陰極、18…膜厚調整層、19…反射層、20…表示パネル、20A…画素領域、20B…周辺領域、21…電極、21A…配線層、21B…電極層、22,25…バンク、23,23R,23G,23B…画素、23−1…画素回路、23−2…有機電界発光素子、24…カラー画素、25…バンク、28…保護層、30…コントローラ、40…ドライバ、41…水平セレクタ、42…ライトスキャナ、100…有機電界発光素子、310…筐体、320…表示面、410…照明部、420…天井、430…壁、Cs…保持容量、DTL…信号線、DSL…電源線、Tr1…駆動トランジスタ、Tr2…書込トランジスタ、Vgs…ゲート−ソース間電圧、Vsig…信号電圧、WSL…走査線。   DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... organic electroluminescent element, 2 ... organic electroluminescent apparatus, 3 ... electronic device, 10 ... board | substrate, 11 ... reflection layer, 12 ... hole injection layer, 13 ... hole transport layer, 14 ... organic light emitting layer, 14A ... Light emitting area, 15: electron transport layer, 16: electron injection layer, 17: cathode, 18: film thickness adjusting layer, 19: reflecting layer, 20: display panel, 20A: pixel area, 20B: peripheral area, 21: electrode, 21A: wiring layer, 21B: electrode layer, 22, 25: bank, 23, 23R, 23G, 23B: pixel, 23-1: pixel circuit, 23-2: organic electroluminescent element, 24: color pixel, 25: bank , 28: protective layer, 30: controller, 40: driver, 41: horizontal selector, 42: light scanner, 100: organic electroluminescent element, 310: housing, 320: display surface, 410: lighting unit, 420: ceiling, 430 ... wall, Cs ... Lifting capacity, DTL ... signal line, DSL ... power supply line, Tr1 ... driving transistor, Tr2 ... write transistor, Vgs ... gate - source voltage, Vsig ... signal voltage, WSL ... scan line.

Claims (15)

第1反射層と、
第2反射層と、
前記第1反射層と前記第2反射層との間に設けられた単色発光の有機発光層と、
前記有機発光層と前記第2反射層との間に設けられたAg電極層と、
前記Ag電極層の前記有機発光層側に接するYb電子注入層と
を備えた
有機電界発光素子。
A first reflective layer,
A second reflective layer,
An organic light emitting layer of monochromatic light emission provided between the first reflection layer and the second reflection layer;
An Ag electrode layer provided between the organic light emitting layer and the second reflective layer;
An Yb electron injection layer in contact with the organic light emitting layer side of the Ag electrode layer;
前記Ag電極層の前記第2反射層側に接するYb保護層を更に備えた
請求項1に記載の有機電界発光素子。
The organic electroluminescent device according to claim 1, further comprising a Yb protective layer in contact with the second reflective layer side of the Ag electrode layer.
前記Ag電極層は、前記第2反射層よりも薄くなっている
請求項1または請求項2に記載の有機電界発光素子。
The organic electroluminescent device according to claim 1, wherein the Ag electrode layer is thinner than the second reflective layer.
前記Ag電極層と前記第2反射層との間に、前記Ag電極層よりも高抵抗の膜厚調整層を更に備えた
請求項1から請求項3のいずれか一項に記載の有機電界発光素子。
The organic electroluminescence according to any one of claims 1 to 3, further comprising a film thickness adjusting layer having a resistance higher than that of the Ag electrode layer, between the Ag electrode layer and the second reflective layer. element.
前記第1反射層および前記Ag電極層と電気的に導通し、前記第1反射層と前記Ag電極層との間に電流を供給するための配線を更に備えた
請求項1から請求項4のいずれか一項に記載の有機電界発光素子。
The wiring according to any one of claims 1 to 4, further comprising a wire electrically connected to the first reflective layer and the Ag electrode layer to supply a current between the first reflective layer and the Ag electrode layer. The organic electroluminescent element as described in any one.
前記第2反射層と前記Ag電極層とが電気的に導通している
請求項1から請求項5のいずれか一項に記載の有機電界発光素子。
The organic electroluminescent element according to any one of claims 1 to 5, wherein the second reflective layer and the Ag electrode layer are electrically conducted.
前記第2反射層と前記Ag電極層とが、前記有機発光層の発光領域と非対向の領域において電気的に導通している
請求項6に記載の有機電界発光素子。
The organic electroluminescent element according to claim 6, wherein the second reflective layer and the Ag electrode layer are electrically conducted in a region not facing the light emitting region of the organic light emitting layer.
前記第1反射層と前記第2反射層との間の距離が、キャビティが生じる光路長となっている
請求項1から請求項7のいずれか一項に記載の有機電界発光素子。
The organic electroluminescent device according to any one of claims 1 to 7, wherein a distance between the first reflective layer and the second reflective layer is an optical path length in which a cavity is generated.
複数の有機電界発光素子を備え、
前記複数の有機電界発光素子のうちの少なくとも1つは、
第1反射層と、
第2反射層と、
前記第1反射層と前記第2反射層との間に設けられた単色発光の有機発光層と、
前記有機発光層と前記第2反射層との間に設けられたAg電極層と、
前記Ag電極層の前記有機発光層側に接するYb電子注入層と
を有する
有機電界発光装置。
Equipped with multiple organic electroluminescent devices,
At least one of the plurality of organic electroluminescent devices is
A first reflective layer,
A second reflective layer,
An organic light emitting layer of monochromatic light emission provided between the first reflection layer and the second reflection layer;
An Ag electrode layer provided between the organic light emitting layer and the second reflective layer;
An Yb electron injection layer in contact with the organic light emitting layer side of the Ag electrode layer.
前記複数の有機電界発光素子は、画素領域に設けられ、
前記第2反射層と前記Ag電極層とが、前記画素領域の周辺の領域で電気的に導通している
請求項9に記載の有機電界発光装置。
The plurality of organic electroluminescent devices are provided in a pixel area,
The organic electroluminescent device according to claim 9, wherein the second reflective layer and the Ag electrode layer are electrically conducted in an area around the pixel area.
複数の有機電界発光素子を有する有機電界発光装置を備え、
前記複数の有機電界発光素子のうちの少なくとも1つは、
第1反射層と、
第2反射層と、
前記第1反射層と前記第2反射層との間に設けられた単色発光の有機発光層と、
前記有機発光層と前記第2反射層との間に設けられたAg電極層と、
前記Ag電極層の前記有機発光層側に接するYb電子注入層と
を有する
電子機器。
An organic electroluminescent device having a plurality of organic electroluminescent devices,
At least one of the plurality of organic electroluminescent devices is
A first reflective layer,
A second reflective layer,
An organic light emitting layer of monochromatic light emission provided between the first reflection layer and the second reflection layer;
An Ag electrode layer provided between the organic light emitting layer and the second reflective layer;
An Yb electron injection layer in contact with the organic light emitting layer side of the Ag electrode layer;
第1反射層と、
第2反射層と、
前記第1反射層と前記第2反射層との間に設けられた単色発光の有機発光層と、
前記有機発光層と前記第2反射層との間に設けられた、膜厚が前記第2反射層よりも薄い電極層と、
前記電極層と前記第2反射層との間に設けられた、前記電極層よりも高抵抗の膜厚調整層と、
前記第1反射層と前記電極層との間に電流を供給するための配線層と
を備えた
有機電界発光素子。
A first reflective layer,
A second reflective layer,
An organic light emitting layer of monochromatic light emission provided between the first reflection layer and the second reflection layer;
An electrode layer provided between the organic light emitting layer and the second reflective layer, the electrode layer being thinner than the second reflective layer;
A film thickness adjustment layer provided between the electrode layer and the second reflective layer, having a higher resistance than the electrode layer;
An organic electroluminescent device comprising: a wiring layer for supplying a current between the first reflective layer and the electrode layer.
前記第2反射層と前記電極層とが、画素領域の周辺の領域で電気的に導通している
請求項12に記載の有機電界発光素子。
The organic electroluminescent device according to claim 12, wherein the second reflective layer and the electrode layer are electrically conducted in an area around a pixel area.
第1反射層と、
第2反射層と、
前記第1反射層と前記第2反射層との間に設けられた単色発光の有機発光層と、
前記有機発光層と前記第2反射層との間に設けられた電極層と、
前記電極層と前記第2反射層との間に設けられた、前記電極層よりも高抵抗の膜厚調整層と、
前記第1反射層と前記電極層との間に電流を供給するための配線層と
を備えた
有機電界発光素子。
A first reflective layer,
A second reflective layer,
An organic light emitting layer of monochromatic light emission provided between the first reflection layer and the second reflection layer;
An electrode layer provided between the organic light emitting layer and the second reflective layer;
A film thickness adjustment layer provided between the electrode layer and the second reflective layer, having a higher resistance than the electrode layer;
An organic electroluminescent device comprising: a wiring layer for supplying a current between the first reflective layer and the electrode layer.
前記電極層の膜厚が、画素領域で相対的に薄くなっており、前記画素領域の周辺の領域で相対的に厚くなっている
請求項14に記載の有機電界発光素子。
The organic electroluminescent device according to claim 14, wherein the film thickness of the electrode layer is relatively thin in the pixel region, and relatively thick in the region around the pixel region.
JP2018143540A 2017-10-31 2018-07-31 Organic electroluminescent devices, organic electroluminescent devices and electronic devices Active JP6915880B2 (en)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201811085102.2A CN109728175B (en) 2017-10-31 2018-09-17 Organic electroluminescent element, organic electroluminescent device, and electronic apparatus
US16/143,475 US10529953B2 (en) 2017-10-31 2018-09-27 Organic electroluminescent element, organic electroluminescent unit, and electronic apparatus

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017210611 2017-10-31
JP2017210611 2017-10-31

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2019083187A true JP2019083187A (en) 2019-05-30
JP2019083187A5 JP2019083187A5 (en) 2019-10-31
JP6915880B2 JP6915880B2 (en) 2021-08-04

Family

ID=66670544

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2018143540A Active JP6915880B2 (en) 2017-10-31 2018-07-31 Organic electroluminescent devices, organic electroluminescent devices and electronic devices

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP6915880B2 (en)

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003303687A (en) * 2002-02-06 2003-10-24 Hitachi Ltd Organic luminous display device
JP2008166283A (en) * 2006-12-28 2008-07-17 Samsung Sdi Co Ltd Organic electroluminescent display device and its manufacturing method
JP2009272150A (en) * 2008-05-08 2009-11-19 Seiko Epson Corp Organic el device, electronic apparatus, and method for manufacturing of organic el device
US20160133880A1 (en) * 2014-11-06 2016-05-12 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting device and method of fabricating the same
JP2017072812A (en) * 2015-10-09 2017-04-13 株式会社ジャパンディスプレイ Display device

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003303687A (en) * 2002-02-06 2003-10-24 Hitachi Ltd Organic luminous display device
JP2008166283A (en) * 2006-12-28 2008-07-17 Samsung Sdi Co Ltd Organic electroluminescent display device and its manufacturing method
JP2009272150A (en) * 2008-05-08 2009-11-19 Seiko Epson Corp Organic el device, electronic apparatus, and method for manufacturing of organic el device
US20160133880A1 (en) * 2014-11-06 2016-05-12 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting device and method of fabricating the same
JP2017072812A (en) * 2015-10-09 2017-04-13 株式会社ジャパンディスプレイ Display device

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
X. L. ZHU, ET AL.: "Very Bright and Efficient Top-Emitting OLED with Ultra-Thin Yb as Effective Electron Injector", SID 06 DIGEST, JPN6020029112, 2006, pages 1292 - 1295, ISSN: 0004322069 *

Also Published As

Publication number Publication date
JP6915880B2 (en) 2021-08-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10553650B2 (en) Organic electroluminescent element, organic electroluminescent panel, and luminescent unit comprising a film thickness adjustment layer positioned outside of a resonator
CN109728174B (en) Organic electroluminescent element, organic electroluminescent device, and electronic apparatus
US10839745B2 (en) Display unit including a photochromic layer and an ultraviolet absorption layer
JP2020021619A (en) Light-emitting device and electronic apparatus
JP2019153710A (en) Organic electroluminescent panel and electronic device
US11456435B2 (en) Organic electroluminescent element, organic electroluminescent unit, and electronic apparatus
US10658629B2 (en) Organic electroluminescent element, organic electroluminescent panel, organic electroluminescent device and electronic apparatus
US20190312235A1 (en) Organic electroluminescent element, organic electroluminescent panel, and electronic apparatus
CN109728175B (en) Organic electroluminescent element, organic electroluminescent device, and electronic apparatus
JP6879568B2 (en) Organic electroluminescent device and its manufacturing method
JP6915880B2 (en) Organic electroluminescent devices, organic electroluminescent devices and electronic devices
US10529941B2 (en) Organic electroluminescent element, organic electroluminescent unit, and electronic apparatus
JP2019021903A (en) Organic electroluminescent element, organic electroluminescent device, and electronic apparatus
JP2019079871A (en) Organic electroluminescent element, organic electroluminescent panel, organic electroluminescent device and electronic device
JP6831760B2 (en) Organic electroluminescent panel, organic electroluminescent device and electronic equipment
JP6754733B2 (en) Organic electroluminescent devices, organic electroluminescent panels, organic electroluminescent devices and electronic devices
US20200098831A1 (en) Organic electroluminescence element, organic electroluminescence panel and electronic apparatus
JP2019079640A (en) Organic electroluminescent element, organic electroluminescent panel, organic electroluminescent device, and method of manufacturing organic electroluminescent element
JP2019186023A (en) Organic electroluminescent panel and electronic device
JP2018022864A (en) Organic electroluminescent element, organic electroluminescent device, and electronic apparatus
JP2018022862A (en) Organic electroluminescent element, organic electroluminescent device, and electronic apparatus
JP2018022865A (en) Organic electroluminescent element, organic electroluminescent device, and electronic apparatus
JP2020053672A (en) Organic electroluminescent device, organic electroluminescent panel, and electronic apparatus
JP2018186218A (en) Organic electroluminescent element, organic electroluminescent device and electronic equipment
JP2019009411A (en) Organic electroluminescent element, organic electroluminescent device, and electronic apparatus

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20190709

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20190912

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20200629

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20200811

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20201002

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20201209

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20210126

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20210325

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20210615

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20210708

R151 Written notification of patent or utility model registration

Ref document number: 6915880

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151

S303 Written request for registration of pledge or change of pledge

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R316303

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

S803 Written request for registration of cancellation of provisional registration

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R316803

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113