JP2019075412A

JP2019075412A - 表示装置

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Publication number: JP2019075412A
Application number: JP2017198601A
Authority: JP
Inventors: 淳高城; Atsushi Takagi
Original assignee: Japan Display Inc
Current assignee: Japan Display Inc
Priority date: 2017-10-12
Filing date: 2017-10-12
Publication date: 2019-05-16
Anticipated expiration: 2037-10-12
Also published as: WO2019073929A1; US11233108B2; US20200235182A1; JP6962773B2

Abstract

【課題】熱活性型材料が含まれた発光層を有する表示装置において、残像現象の発生を抑制することを目的とする。【解決手段】本開示に係る表示装置は、基板と、前記基板の上方に画素毎に設けられた第１下部電極と、前記第１下部電極の上方に設けられた第１有機層と、前記第１有機層内において前記画素毎に設けられ、熱活性型材料を含む第１発光層と、前記第１有機層の上方に設けられた上部電極と、を含む第１有機発光ダイオードと、前記基板と前記第１有機発光ダイオードとの間に設けられ、前記第１下部電極に接続され、平面視において前記第１発光層と重畳して配置された第１駆動ＴＦＴと、を含む。【選択図】図３

Description

本発明は、表示装置に関する。

有機エレクトロルミネッセンス（ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ：ＥＬ）表示装置などのフラットパネルディスプレイは、基板上に薄膜トランジスタ（ｔｈｉｎｆｉｌｍｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ：ＴＦＴ）や有機発光ダイオード（ｏｒｇａｎｉｃｌｉｇｈｔ−ｅｍｉｔｔｉｎｇｄｉｏｄｅ：ＯＬＥＤ）などが形成された表示パネルを有する。

下記特許文献１においては、基板、駆動ＴＦＴ、層間絶縁層などを含む下地構造層の上方に配置された、複数の有機発光ダイオードと、複数の有機発光ダイオード間に配置されたバンクとを有する構成が開示されている。特許文献１において、駆動ＴＦＴは、平面視においてバンクと重畳して配置されており、有機発光ダイオードの有機層内に含まれる発光層とは重畳せずに配置されている。

また、下記特許文献２においては、熱活性型の蛍光遅延材料、即ち熱活性化遅延蛍光（TADF：thermally activated delayed fluorescence）材料を、有機ＥＬ表示装置の発光層に用いることが開示されている。

特開２０１１−６５８００号公報特開２０１３−１１６９７５号公報

しかし、上記従来の構成においては、残像現象が発生する可能性があることが問題となっていた。即ち、上記従来の構成においては、発光層に熱活性型材料が含まれる場合において、当該熱活性型材料による熱エネルギーの吸収が不足するような場合に、残像現象が発生する可能性があった。

本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、熱活性型材料が含まれた発光層を有する表示装置において、残像現象の発生を抑制することを目的とする。

（１）本開示に係る表示装置は、基板と、前記基板の上方に画素毎に設けられた第１下部電極と、前記第１下部電極の上方に設けられた第１有機層と、前記第１有機層内において前記画素毎に設けられ、熱活性型材料を含む第１発光層と、前記第１有機層の上方に設けられた上部電極と、を含む第１有機発光ダイオードと、前記基板と前記第１有機発光ダイオードとの間に設けられ、前記第１下部電極に接続され、平面視において前記第１発光層と重畳して配置された第１駆動ＴＦＴと、を含む。

（２）上記（１）における表示装置において、前記基板の上方に画素毎に設けられた第２下部電極と、前記第２下部電極の上方に設けられた第２有機層と、前記第２有機層内において前記画素毎に設けられ、熱活性型材料を含まない第２発光層と、前記第２有機層の上方に設けられた前記上部電極と、を含む第２有機発光ダイオードと、前記基板と前記第２有機発光ダイオードとの間に設けられ、前記第２下部電極に接続され、平面視において前記第２発光層と重畳せずに配置された第２駆動ＴＦＴと、を含む構成としてもよい。

（３）上記（２）における表示装置において、前記画素の境界に沿って形成され、前記画素の発光領域に開口部を有する絶縁膜を更に備え、前記第２駆動ＴＦＴは、平面視において前記絶縁膜と重畳して配置された構成としてもよい。

（４）上記（１）〜（３）における表示装置において、前記第１発光層は、熱活性型材料として熱活性型の遅延蛍光材料を含む構成としてもよい。

（５）上記（１）〜（４）における表示装置において、前記第１発光層の発光色は、青色又は緑色である構成としてもよい。

（６）上記（２）〜（３）における表示装置において、前記第２発光層の発光色は、赤色である構成としてもよい。

図１は、本実施形態に係る表示装置の概略の構成を示す模式図である。図２は、本実施形態に係る表示装置における表示パネルの模式的な平面図である。図３は、図２に示すＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿った位置での表示パネルの模式的な垂直断面図である。図４は、本実施形態に係る表示装置に含まれる発光層と駆動ＴＦＴとの配置関係を示す模式的な平面図である。図５は、本実施形態に係る表示装置に含まれる発光層と駆動ＴＦＴとの配置関係を示す模式的な平面図である。図６は、本実施形態に係る表示装置に含まれる発光層と駆動ＴＦＴとの配置関係を示す模式的な平面図である。図７は、本実施形態に係る表示装置に含まれる発光層と駆動ＴＦＴとの配置関係を示す模式的な平面図である。

［第１の実施形態］
以下、本発明の実施の形態について、図面に基づいて説明する。

なお、本開示はあくまで一例にすぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。

本実施形態に係る表示装置２は、例えば有機エレクトロルミネッセンス表示装置であり、テレビ、パソコン、携帯端末、携帯電話等に搭載される。図１は本実施形態に係る表示装置２の概略の構成を示す模式図である。表示装置２は、画像を表示する画素アレイ部４と、当該画素アレイ部４を駆動する駆動部とを備える。表示装置２は、ガラスなどからなる基材を有していてもよい。表示装置２は、可撓性を有するフレキシブルディスプレイであってもよく、その場合は可撓性を有した樹脂フィルムなどからなる基材を有していてもよい。表示装置２は、当該基材の内部又は上方に設けられた配線と、を含む配線層を有する。

画素アレイ部４には画素に対応して有機発光ダイオード６及び画素回路８がマトリクス状に配置される。画素回路８は、点灯ＴＦＴ（ｔｈｉｎｆｉｌｍｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）１０、駆動ＴＦＴ１２、及びキャパシタ１４などを含む。

一方、駆動部は、走査線駆動回路２０、映像線駆動回路２２、駆動電源回路２４及び制御装置２６を含み、画素回路８を駆動し、有機発光ダイオード６の発光を制御する。

走査線駆動回路２０は画素の水平方向の並び（画素行）ごとに設けられた走査信号線２８に接続されている。走査線駆動回路２０は制御装置２６から入力されるタイミング信号に応じて走査信号線２８を順番に選択し、選択した走査信号線２８に、点灯ＴＦＴ１０をオンする電圧を印加する。

映像線駆動回路２２は画素の垂直方向の並び（画素列）ごとに設けられた映像信号線３０に接続されている。映像線駆動回路２２は制御装置２６から映像信号を入力され、走査線駆動回路２０による走査信号線２８の選択に合わせて、選択された画素行の映像信号に応じた電圧を各映像信号線３０に出力する。当該電圧は、選択された画素行にて点灯ＴＦＴ１０を介してキャパシタ１４に書き込まれる。駆動ＴＦＴ１２は書き込まれた電圧に応じた電流を有機発光ダイオード６に供給し、これにより、選択された走査信号線２８に対応する画素の有機発光ダイオード６が発光する。

駆動電源回路２４は画素列ごとに設けられた駆動電源線３２に接続され、駆動電源線３２及び選択された画素行の駆動ＴＦＴ１２を介して有機発光ダイオード６に電流を供給する。

ここで、有機発光ダイオード６の下部電極は駆動ＴＦＴ１２に接続される。一方、各有機発光ダイオード６の上部電極は、全画素の有機発光ダイオード６に共通の電極で構成される。下部電極を陽極（アノード）として構成する場合は、高電位が入力され、上部電極は陰極（カソード）となって低電位が入力される。下部電極を陰極（カソード）として構成する場合は、低電位が入力され、上部電極は陽極（アノード）となって高電位が入力される。

図２は表示装置２の表示パネル４０の模式的な平面図である。表示パネル４０の表示領域４２に図１に示した画素アレイ部４が設けられ、上述したように画素アレイ部４には有機発光ダイオード６が配列される。

表示パネル４０には表示領域４２外に駆動部形成領域４６が設けられ、表示領域４２につながる配線が配置される。さらに駆動部形成領域４６には駆動部を構成するドライバＩＣ４８が搭載されたり、ＦＰＣ（ＦｌｅｘｉｂｌｅＰｒｉｎｔｅｄＣｉｒｃｕｉｔｓ）４４が接続されたりする。ＦＰＣ４４は走査線駆動回路２０、映像線駆動回路２２、駆動電源回路２４及び制御装置２６等に接続されたり、その上にＩＣを搭載されたりする。

以下、図３を用いて、本実施形態における実施例１について説明する。図３は図２に示すＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿った位置での表示パネル４０の模式的な垂直断面図である。

図３に示すように、本実施形態の表示パネル４０は、アレイ基板５０を有する。本実施形態においては、アレイ基板５０を構成する材料としてポリイミドを用いている。アレイ基板としてはガラスなどからなる基材でもよい。フレキシブルディスプレイの場合は、十分な可撓性を有する基材であれば、アレイ基板５０を構成する材料として、ポリイミド以外の樹脂材料を用いてもよい。

アレイ基板５０の上方には、アンダーコート層として、第１シリコン酸化膜５４、第１シリコン窒化膜５６、第２シリコン酸化膜５８を含む三層積層構造を設けている。最下層の第１シリコン酸化膜５４は、アレイ基板５０との密着性向上のため、中層の第１シリコン窒化膜５６は、外部からの水分及び不純物のブロック膜として、最上層の第２シリコン酸化膜５８は、第１シリコン窒化膜５６中に含有される水素原子が半導体層側に拡散しないようにするブロック膜として、それぞれ設けられる。なお、アンダーコート層は、特にこの構造に限定されるものではなく、更なる積層を有する構造であってもよいし、単層構造あるいは二層構造としてもよい。

アンダーコート層の上方には、第１駆動ＴＦＴ１２Ａ、第２駆動ＴＦＴ１２Ｂ、第３駆動ＴＦＴ１２Ｃが設けられる。各駆動ＴＦＴ１２は、チャネル領域とソース・ドレイン領域との間に、低濃度不純物領域が設けられた構造を有する。本実施形態においては、ゲート絶縁膜６０としてシリコン酸化膜を用い、ゲート電極としてＴｉ、Ａｌの積層構造からなる第１配線６２を用いている。第１配線６２は、駆動ＴＦＴ１２のゲート電極としての機能に加え、保持容量線としても機能する。即ち、第１配線６２は、ポリシリコン膜６４との間で、保持容量の形成に用いられる。

駆動ＴＦＴ１２の上方においては、層間絶縁膜となる第２シリコン窒化膜６６、及び第３シリコン酸化膜６８をそれぞれ積層し、さらにソース・ドレイン電極及び引き回し配線となる第２配線７０を形成する。本実施形態においては、第２配線７０が、Ｔｉ、Ａｌ、Ｔｉの三層積層構造を有する構成とした。層間絶縁膜、第１配線６２と同層の導電層で形成される電極と、駆動ＴＦＴ１２のソース・ドレイン配線と同層の導電層で形成される電極とで、保持容量が形成される。引き回し配線は、アレイ基板５０周縁の端部にまで延在され、図２に示したＦＰＣ４４やドライバＩＣ４８を接続する端子を形成する。

駆動ＴＦＴ１２の上方においては、平坦化膜７２を形成する。平坦化膜７２としては感光性アクリル等の有機材料が多く用いられる。平坦化膜７２は、ＣＶＤ（chemical vapor deposition）法等により形成される無機絶縁材料に比べ、表面の平坦性に優れる。平坦化膜７２は、画素コンタクト部、及び周辺領域では除去される。平坦化膜７２の除去により露出された第２配線７０の上面は、ＩＴＯ(Indium Tin Oxide)からなる透明導電膜７４により被覆される。

続いて、透明導電膜７４と同層に、第３配線７６を設ける。本実施形態においては、この第３配線７６はＭｏ、Ａｌ、Ｍｏの三層積層構造で設けられ、周辺引き回し配線や、画素内で付加的に設けられる容量素子の形成に用いられる。先程、平坦化膜７２を除去した後に露出された第２配線７０の上面を透明導電膜７４で被覆するのは、第３配線７６のパターニング工程から第２配線７０の露出面を保護する意味もある。透明導電膜７４、及び第３配線７６の上面は、一旦、第３シリコン窒化膜７８で被覆される。その後、透明導電膜７４の画素コンタクト部において、第３シリコン窒化膜７８に開口部が設けられ、透明導電膜７４の上面の一部が露出される。

その後、開口部から露出された透明導電膜７４の上面に接続されるよう、画素電極となる下部電極８０を形成する。本実施形態においては、下部電極８０は反射電極として形成され、ＩＴＯ、Ａｇ、ＩＴＯからなる三層積層構造を有する。画素コンタクト部においては、透明導電膜７４、第３シリコン窒化膜７８、下部電極８０によって付加容量が形成される。ところで、下部電極８０のパターニング時、一部において透明導電膜７４がエッチング環境にさらされるが、透明導電膜７４の形成工程後から、下部電極８０の形成工程までの間に行われるアニール処理によって、透明導電膜７４は下部電極８０のエッチングに対し耐性を有する。

下部電極８０の形成工程後、バンク、又はリブと呼ばれる、画素領域の隔壁となる絶縁膜８２を形成する。絶縁層８２としては平坦化膜７２と同じく感光性アクリル等が用いられる。絶縁膜８２は、下部電極８０の上面を発光領域として露出するように開口され、その開口端はなだらかなテーパー形状となるのが好ましい。開口端が急峻な形状になっていると、後で形成される有機層１００のカバレッジ不良を生ずる。ここで、平坦化膜７２と絶縁膜８２は、両者の間に介在する第３シリコン窒化膜７８に設けた開口部を通じて接触させている部位を有する。この開口部は、絶縁膜８２の形成工程後の熱処理等を通じて、平坦化膜７２から脱離する水分や脱ガスを、絶縁膜８２を通じて引き抜くために設けている。

絶縁膜８２の形成後、有機層１００を構成する有機材料を積層形成する。有機層１００を構成する積層構造として、下部電極８０側から順に、正孔輸送層１０２、発光層１０４、電子輸送層１０６を積層形成する。本実施形態において、正孔輸送層１０２と電子輸送層１０６とは、複数のサブ画素に亘って形成され、発光層１０４は、サブ画素ごとに形成される。有機層１００は、蒸着による形成であってもよいし、溶媒分散の上での塗布形成であってもよい。また、有機層１００は、各サブ画素に対して、選択的に形成してもよいし、表示領域４２を覆う全面において、層状に形成されてもよい。有機層１００を層状に形成する場合は、全サブ画素において白色光を得て、カラーフィルタ（図示せず）によって所望の色波長部分を取り出す構成とすることができる。本実施形態においては、有機層１００を、各サブ画素に、選択的に形成する構成を採用する。

有機層１００の形成後、上部電極８４を形成する。本実施形態においては、トップエミッション構造としているため、上部電極８４は、透明導電材料、一例としてＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）を用いて形成される。前述の有機層１００の形成順序に従うと、下部電極８０が陽極となり、上部電極８４が陰極となる。

これら上部電極８４、有機層１００、下部電極８０により、有機発光ダイオード６を構成している。本実施形態において、表示装置２は、緑色に発光する第１発光層１０４Ｇをその第１有機層１００Ｇ内に含む、第１有機発光ダイオード６Ｇと、赤色に発光する第２発光層１０４Ｒをその第２有機層１００Ｒ内に含む、第２有機発光ダイオード６Ｒと、青色に発光する第３発光層１０４Ｂをその第３有機層１００Ｂ内に含む、第３有機発光ダイオード６Ｂと、を備えている。

本実施形態においては、緑色に発光する第１発光層１０４Ｇと、青色に発光する第３発光層１０４Ｂは、熱活性型材料を含んでおり、具体的には熱活性型の遅延蛍光材料をアシストドーパントとして含んでいる。また、赤色に発光する第２発光層１０４Ｒは、熱活性型材料を含まない発光層１０４であり、第２発光素子１０４Ｒを含む第２有機発光ダイオード６Ｒは燐光素子である。

特開２０１３−１１６９７５号公報等に開示されているように、通常、キャリア注入型の有機ＥＬ素子の場合、生成した励起子のうち、励起一重項状態に励起されるのは２５％であり、残り７５％は励起三重項状態に励起される。従って、励起三重項状態からの発光である燐光を利用するほうが、エネルギーの利用効率が高い。しかしながら、励起三重項状態は寿命が長いため、励起状態の飽和や励起三重項状態の励起子との相互作用によるエネルギーの失活が起こり、一般に燐光の量子収率が高くないことが多い。

一方、遅延蛍光材料は、系間交差等により励起三重項状態へとエネルギーが遷移した後、三重項−三重項消滅あるいは熱エネルギーの吸収により、励起一重項状態に逆系間交差され蛍光を放射する。有機ＥＬ素子に遅延蛍光材料を利用した場合、励起一重項状態の励起子は通常通り蛍光を放射する。一方、励起三重項状態の励起子は、熱を吸収して励起一重項へ系間交差され蛍光を放射する。このとき、励起一重項からの発光であるため蛍光と同波長での発光でありながら、励起三重項状態から励起一重項状態への逆系間交差により、生じる光の寿命は通常の蛍光や燐光よりも長くなるため、これらよりも遅延した蛍光として観察される。これを遅延蛍光として定義できる。

このような熱活性化型の励起子移動機構を用いれば、キャリア注入後に熱エネルギーの吸収を経ることにより、通常は２５％しか生成しなかった励起一重項状態の化合物の比率を２５％以上に引き上げることが可能となる。

第１有機発光ダイオード６Ｇの下部電極８０は、第１駆動ＴＦＴ１２Ａに接続され、第２有機発光ダイオード６Ｒの下部電極８０は、第２駆動ＴＦＴ１２Ｂに接続され、第３有機発光ダイオード６Ｂの下部電極８０は、第３駆動ＴＦＴ１２Ｃに接続されている。

ここで、本実施形態においては、図３、及び発光層１０４と駆動ＴＦＴ１２との配置関係を示す模式的な平面図である図４、及び図５に示すように、熱活性型材料を含む第１発光層１０４Ｇは、平面視において第１駆動ＴＦＴ１２Ａと重畳するように配置している。また、熱活性型材料を含む第３発光層１０４Ｂは、平面視において少なくともその一部が、第３駆動ＴＦＴ１２Ｃと重畳するように配置している。なお、図５は、図３における熱活性型材料を含む第３発光層１０４Ｂを含む画素における配置関係を示している。図５、図６における一点鎖線は、画素の繰り返し単位を示している。

このような構成とすることにより、第１発光層１０４Ｇに含まれる熱活性型の遅延蛍光材料に、効率よく第１駆動ＴＦＴ１２Ａの熱エネルギーを吸収させることができ、第１発光層１０４Ｇに含まれる遅延蛍光材料が、上述した励起一重項状態に逆系間交差されることを促進させることができる。同様に、第３発光層１０４Ｂに含まれる熱活性型の遅延蛍光材料に、効率よく第３駆動ＴＦＴ１２Ｃの熱エネルギーを吸収させることができ、第３発光層１０４Ｂに含まれる遅延蛍光材料が、励起一重項状態に逆系間交差されることを促進させることができる。なお、第３発光層１０４Ｂの配置位置としては、図７に示すように１以上のＴＦＴ（点灯ＴＦＴ１０、及び駆動ＴＦＴ１２）と重畳させてもよい。なお、図７における一点鎖線は、画素の繰り返し単位を示している。

一方、本実施形態においては、図３、図４、及び図６に示すように、熱活性型材料を含まない燐光素子である第２有機発光ダイオード６Ｒの第２発光層１０４Ｒは、平面視において第２駆動ＴＦＴ１２Ｂと重畳せずに配置している。具体的には、平面視において、第２駆動ＴＦＴ１２Ｂは、第２発光層１０４Ｒ近傍に配置された絶縁膜８２と重畳して配置される。なお、図６は、図３における熱活性型材料を含まない第２発光層１０４Ｒを含む画素における配置関係を示している。図６における一点鎖線は、画素の繰り返し単位を示している。

このような構成とすることにより、熱活性型材料を含まない燐光素子である第２有機発光ダイオード６Ｒの第２発光層１０４Ｒに、第２駆動ＴＦＴ１２Ｂの熱エネルギーが伝達されるのを抑制し、燐光素子である第２有機発光ダイオード６Ｒの寿命が短くなるのを抑制することができる。

上部電極８４の形成後、パッシベーション層９０を形成する。パッシベーション層９０は、先に形成した有機層１００に、外部からの水分が侵入することを防止することをその機能の一つとしており、パッシベーション層９０としてはガスバリア性の高いものが要求される。本実施形態においては、パッシベーション層９０の積層構造として、第４シリコン窒化膜９２、アクリル樹脂などからなる有機樹脂膜９４、第５シリコン窒化膜９６の積層構造を採用した。更に、有機樹脂膜９４と、第５シリコン窒化膜９６との間に、シリコン酸化膜を介在させる構成としてもよい。

以上の工程により、表示装置２が作製される。必要に応じて、パッシベーション層９０の上方にカバーガラスやタッチパネル基板等を設けてもよい。この場合、表示装置２とカバーガラスやタッチパネル基板等との空隙を埋めるために、両者の間に樹脂等を用いた充填材を介在させてもよい。

２表示装置、４画素アレイ部、６有機発光ダイオード、６Ｇ第１有機発光ダイオード、６Ｒ第２有機発光ダイオード、６Ｂ第３有機発光ダイオード、８画素回路、１０点灯ＴＦＴ、１２駆動ＴＦＴ、１２Ａ第１駆動ＴＦＴ、１２Ｂ第２駆動ＴＦＴ、１２Ｃ第３駆動ＴＦＴ、１４キャパシタ、２０走査線駆動回路、２２映像線駆動回路、２４駆動電源回路、２６制御装置、２８走査信号線、３０映像信号線、３２駆動電源線、４０表示パネル、４２表示領域、４４ＦＰＣ、４６駆動部形成領域、４８ドライバＩＣ、５０アレイ基板、５４第１シリコン酸化膜、５６第１シリコン窒化膜、５８第２シリコン酸化膜、６０ゲート絶縁膜、６２第１配線、６４ポリシリコン膜、６６第２シリコン窒化膜、６８第３シリコン酸化膜、７０第２配線、７２平坦化膜、７４透明導電膜、７６第３配線、７８第３シリコン窒化膜、８０下部電極、８２絶縁膜、８４上部電極、９０パッシベーション層、９２第４シリコン窒化膜、９４有機樹脂膜、９６第５シリコン窒化膜、１００有機層、１００Ｇ第１有機層、１００Ｒ第２有機層、１００Ｂ第３有機層、１０２正孔輸送層、１０４発光層、１０４Ｇ第１発光層、１０４Ｒ第２発光層、１０４Ｂ第３発光層、１０６電子輸送層。

Claims

基板と、
前記基板の上方に画素毎に設けられた第１下部電極と、前記第１下部電極の上方に設けられた第１有機層と、前記第１有機層内において前記画素毎に設けられ、熱活性型材料を含む第１発光層と、前記第１有機層の上方に設けられた上部電極と、を含む第１有機発光ダイオードと、
前記基板と前記第１有機発光ダイオードとの間に設けられ、前記第１下部電極に接続され、平面視において前記第１発光層と重畳して配置された第１駆動ＴＦＴと、
を含む、表示装置。
前記基板の上方に画素毎に設けられた第２下部電極と、前記第２下部電極の上方に設けられた第２有機層と、前記第２有機層内において前記画素毎に設けられ、熱活性型材料を含まない第２発光層と、前記第２有機層の上方に設けられた前記上部電極と、を含む第２有機発光ダイオードと、
前記基板と前記第２有機発光ダイオードとの間に設けられ、前記第２下部電極に接続され、平面視において前記第２発光層と重畳せずに配置された第２駆動ＴＦＴと、
を更に含む、請求項１に記載の表示装置。
前記画素の境界に沿って形成され、前記画素の発光領域に開口部を有する絶縁膜を更に備え、
前記第２駆動ＴＦＴは、平面視において前記絶縁膜と重畳して配置された、
請求項２に記載の表示装置。
前記第１発光層は、熱活性型材料として熱活性型の遅延蛍光材料を含む、
請求項１乃至３のいずれか一つに記載の表示装置。
前記第１発光層の発光色は、青色又は緑色である、
請求項１乃至４のいずれか一つに記載の表示装置。
前記第２発光層の発光色は、赤色である、
請求項２又は３に記載の表示装置。