JP2019067693A - Anisotropic conductive film and manufacturing method thereof - Google Patents

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洋之 井口
Hiroyuki Iguchi
洋之 井口
塩原 利夫
Toshio Shiobara
利夫 塩原
柏木 努
Tsutomu Kashiwagi
努 柏木
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Abstract

To provide an anisotropic conductive film for connecting circuit electrodes each having a fine pattern.SOLUTION: A anisotropic conductive film 6 includes a base layer 2 including an insulating resin on a releasable substrate 1, and on the base layer 2, bumps 3 that are conductive nanoparticle aggregates are arranged at intervals of 1 μm to 100 μm, and a covering layer 4 including an insulating resin is formed on the base layer 2 so as to cover the bumps 3, and the releasable substrate 1 has releasability with respect to the base layer 2.SELECTED DRAWING: Figure 3

Description

本発明は、異方性導電フィルム及びその製造方法に関する。   The present invention relates to an anisotropic conductive film and a method of manufacturing the same.

近年、液晶ディスプレイ(LCD:Liquid Crystal Display)等のフラットパネルディスプレイや精密機器の電子部品同士を接続する際には、はんだの代わりに異方性導電フィルム(ACF:Anisotropic Conductive Film)が使用されている。異方性導電フィルムは、導電粒子を含有する絶縁性樹脂から主に構成され、回路電極間に配置され加圧、加熱により圧着することで回路間の電気的接続を行うことができる。   In recent years, when connecting flat panel displays such as liquid crystal displays (LCD: Liquid Crystal Display) and electronic parts of precision instruments, an anisotropic conductive film (ACF: Anisotropic Conductive Film) is used instead of solder. There is. The anisotropic conductive film is mainly made of an insulating resin containing conductive particles, and can be disposed between the circuit electrodes and can be electrically connected between the circuits by pressure bonding and pressure bonding by heating.

特許文献1では、平均粒径10μm、最大粒径15μmのスズ鉛半田粒子を含有するポリビニルブチラール樹脂とエポキシ樹脂の混合物を塗工することで異方性導電フィルムを作製している。特許文献2では、平均粒径2μmのニッケル粒子をフェノキシ樹脂と混合し、塗工装置を用いて異方性導電フィルムを作製している。特許文献3では、平均粒子径20μmの銀メッキ樹脂粒子を絶縁性樹脂に混合し塗布することで異方性導電フィルムを作製している。特許文献4では、エポキシ樹脂層の上に平均粒径5〜10μmの銀粉末含有エポキシ樹脂を印刷し、その上にエポキシ樹脂をコーティングし、この銀粉末含有エポキシ樹脂の印刷とエポキシ樹脂のコーティングを繰り返すことで異方性導電フィルムを作製している。   In Patent Document 1, an anisotropic conductive film is produced by applying a mixture of a polyvinyl butyral resin and an epoxy resin containing tin-lead solder particles having an average particle diameter of 10 μm and a maximum particle diameter of 15 μm. In patent document 2, the nickel particle of average particle diameter 2 micrometers is mixed with a phenoxy resin, and the anisotropic conductive film is produced using the coating apparatus. In patent document 3, an anisotropic conductive film is produced by mixing and apply | coating silver-plated resin particle with an average particle diameter of 20 micrometers to insulating resin. In Patent Document 4, a silver powder-containing epoxy resin having an average particle diameter of 5 to 10 μm is printed on an epoxy resin layer, an epoxy resin is coated thereon, and printing of the silver powder-containing epoxy resin and coating of the epoxy resin are performed. The anisotropic conductive film is produced by repeating.

しかしながら、上述の特許文献に記載されているフィルムは、いずれもマイクロ粒子を樹脂と混合し塗工しているため、粒子同士の凝集が起こり、フィルムの平面方向の絶縁性を維持しながら100μm以下の導電性領域を保持することは難しい。一方、粒子同士の凝集を防ぐために粒子濃度を下げると、フィルムの断面方向の導電性を保持することが難しくなる。このため微細なパターンを有する回路電極同士を電気的に接続することはできない。   However, since all the films described in the above-mentioned patent documents are mixed with micro-particles and coated, aggregation of the particles occurs, and the insulation property of the film is maintained to 100 μm or less It is difficult to maintain the conductive area of On the other hand, when the particle concentration is lowered to prevent aggregation of particles, it is difficult to maintain the conductivity in the cross-sectional direction of the film. For this reason, circuit electrodes having fine patterns can not be electrically connected to each other.

特許文献5、6では導電粒子を格子状に配列し、少なくとも一方向において、隣接する配列の間隔に広狭を有する異方性導電フィルムが報告されている。この方法では、1カ所の電極を複数のマイクロ導電粒子で通電しており、かつバンプ間の距離が一定ではないため、微細なパターンを有する回路電極同士を接続するには不向きである。   Patent Documents 5 and 6 report anisotropic conductive films in which conductive particles are arranged in a grid, and in at least one direction, the spacing between adjacent arrays is wide and narrow. In this method, one electrode is energized by a plurality of micro conductive particles, and the distance between the bumps is not constant, so it is not suitable to connect circuit electrodes having fine patterns.

特許文献7では導電粒子の粒子径よりも小さな孔をもつ多孔板を、導電粒子が入った容器の中に入れ、該多孔板で隔てられた、導電粒子が存在する側の逆側を減圧状態とすることで導電粒子を多孔板に捕捉し、異方性導電フィルムを作製している。しかしながら、粒子径よりも小さな孔をもつ多孔板を用意しなければならないため、粒子は必然的に大きくなり、また導電粒子が存在する側の逆側を減圧状態にする必要がある等、工程数が多くなるためにコストが極めて高くなってしまう。以上のように安価で導電粒子を規則的に配列することは困難であった。   In Patent Document 7, a porous plate having a hole smaller than the particle diameter of the conductive particles is placed in a container containing the conductive particles, and the opposite side of the side on which the conductive particles exist separated by the porous plate is decompressed. The conductive particles are captured by the porous plate by setting the thickness to make an anisotropic conductive film. However, since it is necessary to prepare a porous plate having pores smaller than the particle diameter, the particles necessarily become large, and it is necessary to reduce the pressure on the side opposite to the side on which the conductive particles exist. The cost is extremely high because As described above, it was difficult to arrange conductive particles regularly at low cost.

特開平5−154857号公報JP-A-5-154857 特開2008−112713号公報JP, 2008-112713, A 特開2015−147832号公報JP, 2015-147832, A 特開2003−151713号公報JP 2003-151713 A 特開2016−085931号公報JP, 2016-0885931, A 国際公開WO2016/104463号公報International Publication WO2016 / 104463 特開2005−209454号公報JP 2005-209454 A

本発明は上記問題点に鑑みてなされたものであって、微細なパターンを有する回路電極同士を接続するための異方性導電フィルムを提供することを目的とする。   This invention is made in view of the said problem, Comprising: It aims at providing the anisotropic conductive film for connecting the circuit electrodes which have a fine pattern.

上記課題を達成するために、本発明では、異方性導電フィルムであって、剥離性基材の上に絶縁性樹脂を含む基台層を有し、該基台層の上に、1μm〜100μmの間隔で導電性ナノ粒子集合体であるバンプが配列され、該バンプを覆うように絶縁性樹脂を含む被覆層が前記基台層上に形成されたものであり、かつ、前記剥離性基材が前記基台層に対して離型性を有するものである異方性導電フィルムを提供する。   In order to achieve the above-mentioned subject, in the present invention, it is an anisotropic conductive film, and it has a base layer containing insulating resin on a exfoliation base material, and 1 micrometer-on the base layer. A bump, which is a conductive nanoparticle aggregate, is arranged at intervals of 100 μm, and a covering layer containing an insulating resin is formed on the base layer to cover the bump, and the peelable group An anisotropic conductive film is provided, wherein the material has releasability with respect to the base layer.

このような異方性導電フィルムであれば、微細なパターンを有する回路電極同士を接続することができる。   With such an anisotropic conductive film, circuit electrodes having a fine pattern can be connected to each other.

また、前記バンプの平均直径が1μm〜100μmであることが好ましい。   Moreover, it is preferable that the average diameter of the said bump is 1 micrometer-100 micrometers.

このようなバンプの平均直径であれば、より確実に微細なパターンを有する回路電極同士を接続することができる。   With such an average diameter of the bumps, it is possible to more reliably connect circuit electrodes having a fine pattern.

また、前記導電性ナノ粒子集合体が、一次粒子径1nm〜500nmの導電性ナノ粒子からなる集合体であることが好ましい。   Moreover, it is preferable that the said electroconductive nanoparticle assembly is an assembly which consists of an electroconductive nanoparticle with a primary particle diameter of 1 nm-500 nm.

このような導電性ナノ粒子集合体であれば、所望の大きさのバンプを容易に形成することができる。   With such a conductive nanoparticle assembly, bumps of a desired size can be easily formed.

また、前記基台層の厚さが、前記バンプの平均直径の1%〜100%であることが好ましい。   The thickness of the base layer is preferably 1% to 100% of the average diameter of the bumps.

このような基台層の厚さであれば、剥離性基材が導電性ナノ粒子をはじくことなく、バンプを容易に配列させることができる。   With such a thickness of the base layer, the bumps can be easily arranged without the peelable substrate repelling the conductive nanoparticles.

また、前記被覆層の厚さが、前記バンプの平均直径の101%〜500%であることが好ましい。   The thickness of the covering layer is preferably 101% to 500% of the average diameter of the bumps.

このような被覆層の厚さであれば、導電性ナノ粒子集合体が表面に露出しないため、導電性ナノ粒子の劣化を避けられ、また回路電極を押し付けた際、より確実に、電極とバンプが接することで電気的に接続することが可能である。   With such a thickness of the covering layer, since the conductive nanoparticle aggregate is not exposed to the surface, deterioration of the conductive nanoparticles can be avoided, and when the circuit electrode is pressed, the electrodes and bumps can be more reliably Can be electrically connected by contact.

また、前記基台層及び被覆層のうち、少なくともいずれか一方が絶縁性樹脂としてシリコーン樹脂を含むものであって、かつ、下記(A)、(B)、及び(C)成分を含むものであることが好ましい。
(A)下記平均式(1)で示されるシリコーン樹脂
(OX)SiO(4−a−b−c―d)/2 (1)
(式中、Rは炭素数6〜12の1価芳香族炭化水素基であり、Rは炭素数1〜6の飽和炭化水素基であり、Rは炭素数2〜6のアルケニル基であり、Xは炭素数1〜6の一価炭化水素基、又は水素原子である。a、b、c及びdは、それぞれa≧0、b>0、c>0、及びd≧0であり、a+b+c+d=1〜2を満たす数である。ただし1分子中にアルケニル基を少なくとも2個有する。)
(B)下記平均式(2)で示されるシリコーン樹脂
(OX)SiO(4−e−f−g−h)/2 (2)
(式中、R、R及びXは前記R、R及びXと同様である。e、f、g及びhは、それぞれe≧0、f>0、g>0、及びh≧0であり、e+f+g+h=1〜2を満たす数である。ただし1分子中に、ケイ素原子に結合した水素原子を少なくとも2個有する。)
(C)ヒドロシリル化触媒
In addition, at least one of the base layer and the covering layer contains a silicone resin as an insulating resin, and includes the following components (A), (B), and (C): Is preferred.
(A) Silicone resin represented by the following average formula (1) R 1 a R 2 b R 3 c (OX) d SiO (4-a-b-c-d) / 2 (1)
Wherein R 1 is a monovalent aromatic hydrocarbon group having 6 to 12 carbon atoms, R 2 is a saturated hydrocarbon group having 1 to 6 carbon atoms, and R 3 is an alkenyl group having 2 to 6 carbon atoms X is a monovalent hydrocarbon group having 1 to 6 carbon atoms or a hydrogen atom, and a, b, c and d are aa0, b> 0, c> 0 and dd0, respectively. And a + b + c + d = 1 to 2, provided that at least two alkenyl groups are contained in one molecule.
(B) Silicone resin represented by the following average formula (2) R 1 e R 2 f H g (OX) h SiO (4-e-f-g-h) / 2 (2)
(Wherein, R 1 , R 2 and X are the same as the aforementioned R 1 , R 2 and X. e, f, g and h are respectively e ≧ 0, f> 0, g> 0 and h ≧ 0, and e + f + g + h = 1 to 2, provided that at least two hydrogen atoms bonded to silicon atoms are contained in one molecule.
(C) Hydrosilylation catalyst

このような異方性導電フィルムであれば、より耐熱性、耐光性に優れた異方性導電フィルムとすることができる。   If it is such an anisotropic conductive film, it can be set as the anisotropic conductive film which was more excellent in heat resistance and light resistance.

また、前記シリコーン樹脂が25℃で固体状であることが好ましい。   The silicone resin is preferably solid at 25 ° C.

このようなシリコーン樹脂であれば、より製造作業性に優れた異方性導電フィルムとすることができる。   With such a silicone resin, it is possible to make an anisotropic conductive film more excellent in manufacturing workability.

また、本発明では、異方性導電フィルムの製造方法であって、
(1)剥離性基材の上に絶縁性樹脂を含む組成物をコーティングして基台層を形成する工程、
(2)導電性ナノ粒子分散液に電圧を印加し、静電気力によってノズルから前記導電性ナノ粒子分散液を前記基台層に塗布することによって、前記基台層の上に導電性ナノ粒子集合体であるバンプを1μm〜100μmの間隔で配列させる工程、及び
(3)前記バンプの表面を覆うように絶縁性樹脂を含む組成物をコーティングすることによって、前記基台層上に被覆層を形成する工程、
を含む異方性導電フィルムの製造方法を提供する。
Moreover, in the present invention, it is a method for producing an anisotropic conductive film,
(1) A step of coating a composition containing an insulating resin on a peelable substrate to form a base layer,
(2) A conductive nanoparticle aggregate is applied onto the base layer by applying a voltage to the conductive nanoparticle dispersion and applying the conductive nanoparticle dispersion to the base layer from a nozzle by electrostatic force Forming a coating layer on the base layer by arranging the bumps in the body at intervals of 1 μm to 100 μm, and (3) coating a composition containing an insulating resin to cover the surface of the bumps The process to
A method of producing an anisotropic conductive film comprising:

このような異方性導電フィルムの製造方法であれば、上記剥離性基材の上に絶縁性樹脂を含む基台層を有し、該基台層の上に、1μm〜100μmの間隔で導電性ナノ粒子集合体であるバンプが配列され、該バンプを覆うように絶縁性樹脂を含む被覆層が基台層上に形成されたものであり、かつ、剥離性基材が基台層に対して離型性を有するものである異方性導電フィルムを容易に製造することができる。   If it is a manufacturing method of such an anisotropic conductive film, it has a base layer containing an insulating resin on the above-mentioned exfoliation base material, and it will conduct electricity at intervals of 1 micrometer-100 micrometers on the base layer. And the covering layer containing the insulating resin is formed on the base layer so as to cover the bumps, and the peelable substrate is the base layer. An anisotropic conductive film having a releasability can be easily produced.

また、前記工程(1)と工程(2)の間に、前記基台層を硬化させる工程である(1)´工程を行うこと、及び/又は、前記工程(3)の後に前記被覆層を硬化させる工程である(3)´工程を行うことが好ましい。   Further, (1) ′ step of curing the base layer between the step (1) and the step (2) may be carried out, and / or the covering layer may be formed after the step (3). It is preferable to carry out step (3) 'which is the step of curing.

このような異方性導電フィルムの製造方法であれば、より耐熱性、耐光性の高い異方性導電フィルムを容易に製造することができる。   With such a method for producing an anisotropic conductive film, it is possible to easily produce an anisotropic conductive film having high heat resistance and light resistance.

以上のように、本発明の異方性導電フィルムであれば、非常に微細なパターンを有する回路電極同士を電気的に接合でき、それによって電子機器の小型化、薄型化、軽量化を達成することができる。   As described above, according to the anisotropic conductive film of the present invention, circuit electrodes having very fine patterns can be electrically joined with each other, thereby achieving downsizing, thinning, and weight reduction of electronic devices. be able to.

実施例1において、剥離性基材に基台層を形成した後の断面の模式図である。In Example 1, it is a schematic diagram of the cross section after forming a base layer in a peelable base material. 実施例1において、基台層の上に導電性ナノ粒子集合体であるバンプを形成した後の断面の模式図である。In Example 1, it is a schematic diagram of the cross section after forming the bump which is an electroconductive nanoparticle assembly on a base layer. 実施例1において、バンプを形成した後に、被覆層を形成させた後の断面の模式図である。In Example 1, after forming a bump, it is a schematic diagram of the cross section after forming a coating layer. 実施例1で基台層に銀ナノ粒子を塗布した後の外観の写真の一例である。It is an example of the photograph of the external appearance after apply | coating a silver nanoparticle to a base layer in Example 1. FIG. 実施例2で基台層に銀ナノ粒子を塗布した後の外観の写真の一例である。It is an example of the photograph of the external appearance after apply | coating a silver nanoparticle to a base layer in Example 2. FIG. 実施例3で基台層に銀ナノ粒子を塗布した後の外観の写真の一例である。It is an example of the photograph of the external appearance after apply | coating a silver nanoparticle to a base layer in Example 3. FIG. 実施例4で基台層に銀ナノ粒子を塗布した後の外観の写真の一例である。It is an example of the photograph of the external appearance after apply | coating a silver nanoparticle to a base layer in Example 4. FIG. 実施例5で基台層に銀ナノ粒子を塗布した後の外観の写真の一例である。It is an example of the photograph of the external appearance after apply | coating a silver nanoparticle to a base layer in Example 5. FIG. 実施例及び比較例において、通電試験の際に回路電極(マイクロLED)を押し付けた後のフィルムの断面の模式図である。In an Example and a comparative example, it is a schematic diagram of the cross section of the film after pressing a circuit electrode (micro LED) in the case of an electricity supply test.

上述のように、微細なパターンを有する回路電極同士を接続するための異方性導電フィルムの開発が求められていた。   As mentioned above, development of the anisotropic conductive film for connecting the circuit electrodes which have a fine pattern was called for.

本発明者らは上記目的を達成するため鋭意検討した結果、異方性導電フィルムであって、剥離性基材の上に絶縁性樹脂を含む基台層を有し、該基台層の上に、1μm〜100μmの間隔で導電性ナノ粒子集合体であるバンプが配列され、該バンプを覆うように絶縁性樹脂を含む被覆層が前記基台層上に形成されたものであり、かつ、前記剥離性基材が前記基台層に対して離型性を有するものである異方性導電フィルムを用いれば、微細なパターンを有する回路電極同士を電気的に接続することができることを見出し、本発明を成すに至った。   The inventors of the present invention conducted intensive studies to achieve the above object, and as a result, it is an anisotropic conductive film, which has a base layer containing an insulating resin on a peelable base material, The bumps, which are conductive nanoparticle aggregates, are arranged at intervals of 1 μm to 100 μm, and a covering layer containing an insulating resin is formed on the base layer so as to cover the bumps, and It is found that circuit electrodes having fine patterns can be electrically connected to each other by using an anisotropic conductive film in which the releasable substrate has releasability from the base layer. The present invention has been achieved.

即ち、本発明は、異方性導電フィルムであって、剥離性基材の上に絶縁性樹脂を含む基台層を有し、該基台層の上に、1μm〜100μmの間隔で導電性ナノ粒子集合体であるバンプが配列され、該バンプを覆うように絶縁性樹脂を含む被覆層が前記基台層上に形成されたものであり、かつ、前記剥離性基材が前記基台層に対して離型性を有するものである異方性導電フィルムである。   That is, the present invention is an anisotropic conductive film, having a base layer containing an insulating resin on a peelable base material, and conductive on the base layer at intervals of 1 μm to 100 μm. A bump, which is an aggregate of nanoparticles, is arranged, and a covering layer containing an insulating resin is formed on the base layer so as to cover the bump, and the peelable substrate is the base layer It is an anisotropic conductive film which has releasability with respect to.

以下、本発明の異方性導電フィルムについて詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。   Hereinafter, although the anisotropic conductive film of this invention is demonstrated in detail, this invention is not limited to these.

[剥離性基材]
本発明に使用される剥離性基材としては、後述の基台層及び被覆層を硬化又は半硬化した後、剥がすことができる基材であれば特に制限はなく、例えばフッ素系フィルム、離型剤で処理されたPETフィルム等が挙げられる。剥離性基材の厚さとしては特に制限はなく、目的に応じて選択できるが、10μm〜1,000μmであることが好ましい。
[Peelable substrate]
The releasable substrate used in the present invention is not particularly limited as long as it is a substrate which can be peeled off after curing or semi-curing the below-mentioned base layer and coating layer, and for example, a fluorine-based film, mold release Agent treated PET film and the like. There is no restriction | limiting in particular as a thickness of a peelable base material, Although it can select according to the objective, It is preferable that they are 10 micrometers-1,000 micrometers.

なお、ここで「半硬化」とは、いわゆる「Bステージ状態」にあることを指し、後述の基台層に含まれる絶縁性樹脂が熱硬化性樹脂である場合においては、未硬化状態から加熱された後の、樹脂表面にはタック性がないが完全には硬化していない、中間的な状態を指すものである。   Here, "semi-hardening" refers to being in the so-called "B-stage state", and in the case where the insulating resin contained in the base layer described later is a thermosetting resin, heating is performed from the uncured state. After being treated, the surface of the resin refers to an intermediate state which is not tacky but not completely cured.

[基台層]
基台層は、絶縁性樹脂を含み、後述の導電性ナノ粒子集合体であるバンプを配列させるために使用されるものである。基台層がなければ、剥離性基材が導電性ナノ粒子をはじいてしまい、所望のバンプを形成することができない。
[Base layer]
The base layer contains an insulating resin, and is used to align the bumps, which are the aggregate of conductive nanoparticles described later. Without the base layer, the peelable substrate repels the conductive nanoparticles and can not form a desired bump.

基台層に含まれる絶縁性樹脂としては、剥離性基材から剥がすことができるものであれば特に制限はなく、アクリル樹脂、ポリエステル樹脂、ポリエチレン樹脂、セルロース樹脂、スチレン樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂、メラミン樹脂等の熱可塑性樹脂、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン・エポキシ樹脂、フェノール樹脂、パーフルオロポリエーテル樹脂等の熱硬化性樹脂等が挙げられるが、耐熱性、耐光性を考慮すると、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂が好ましく、シリコーン樹脂がより好ましい。シリコーン樹脂の例としては、UV硬化型、熱硬化型、湿気硬化型シリコーン樹脂等が挙げられる。   The insulating resin contained in the base layer is not particularly limited as long as it can be peeled off from the peelable substrate, and acrylic resin, polyester resin, polyethylene resin, cellulose resin, styrene resin, polyamide resin, polyimide resin And thermoplastic resins such as melamine resin, silicone resins, epoxy resins, silicone epoxy resins, phenolic resins, thermosetting resins such as perfluoropolyether resins, etc., but in view of heat resistance and light resistance, silicone Resin and epoxy resin are preferable, and silicone resin is more preferable. Examples of silicone resins include UV-curable, thermosetting and moisture-curable silicone resins.

基台層の厚さとしては、後述の導電性ナノ粒子集合体であるバンプの平均直径の1%〜100%であることが好ましく、5%〜80%であることがより好ましく、10%〜50%であることがさらに好ましい。このような範囲の基台層の厚さであれば、剥離性基材が導電性ナノ粒子をはじくことなく、バンプを容易に配列させることができる。   The thickness of the base layer is preferably 1% to 100%, more preferably 5% to 80%, of the average diameter of the bumps, which are the aggregate of conductive nanoparticles described later. More preferably, it is 50%. With such a range of base layer thickness, the bumps can be easily aligned without the releasable substrate repelling the conductive nanoparticles.

[導電性ナノ粒子]
本発明に使用される導電性ナノ粒子としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば金属粒子、導電性高分子粒子、金属被覆粒子等が挙げられる。
[Conductive nanoparticles]
There is no restriction | limiting in particular as an electroconductive nanoparticle used for this invention, According to the objective, it can select suitably, For example, a metal particle, electroconductive polymer particle, metal coating particle etc. are mentioned.

金属粒子としては、例えば金、銀、銅、パラジウム、アルミニウム、ニッケル、鉄、チタン、マンガン、亜鉛、タングステン、白金、鉛、錫等の金属単体、又は半田、鋼、ステンレス鋼等の合金が挙げられる。これらはそれぞれ1種を単独で使用してもよいし、2種以上を併用してもよい。導電性高分子粒子としては、例えばカーボン、ポリアセチレンナノ粒子、ポリピロールナノ粒子等が挙げられる。金属被覆粒子としては、例えば樹脂粒子の表面を金属で被覆したものや、ガラスやセラミック等の無機物の表面を金属で被覆したものが挙げられる。表面の金属被覆方法としては、特に制限はなく、例えば無電解メッキ法、スパッタリング法等が挙げられる。   Examples of the metal particles include metals such as gold, silver, copper, palladium, aluminum, nickel, iron, titanium, manganese, zinc, tungsten, platinum, lead, and tin, or alloys such as solder, steel, and stainless steel. Be Each of these may be used alone or in combination of two or more. Examples of conductive polymer particles include carbon, polyacetylene nanoparticles, polypyrrole nanoparticles and the like. Examples of the metal-coated particles include those in which the surface of resin particles is coated with metal, and those in which the surface of inorganic substances such as glass and ceramic is covered with metal. There is no restriction | limiting in particular as a metal coating method of the surface, For example, the electroless-plating method, sputtering method, etc. are mentioned.

上述の導電性ナノ粒子は、回路電極と電気的に接続した際に導電性を有していればよい。例えば、粒子表面に絶縁被膜を施した粒子であっても、電気的に接続した際に粒子が変形し、金属粒子が露出するものであれば、導電性ナノ粒子である。   The above-described conductive nanoparticles may be conductive as long as they are electrically connected to the circuit electrode. For example, even if it is the particle which gave the insulating film to the particle | grain surface, when it electrically connects, a particle | grain deform | transforms and if metal particle is exposed, it is an electroconductive nanoparticle.

上述の導電性ナノ粒子の平均粒子径としては特に制限はないが、後述の平均直径1μm〜100μmの導電性ナノ粒子集合体であるバンプを形成するために1nm〜500nmであることが好ましい。より好ましくは5nm〜400nm、さらに好ましくは10nm〜300nmである。この範囲であれば後述のように、導電性ナノ粒子分散液を塗布した際に平均直径1μm〜100μmのバンプを形成しやすい。なお、ナノ粒子の平均粒子径は、例えば透過電子顕微鏡によって観測された粒子100個の最大直径の平均値とすることができる。   The average particle diameter of the conductive nanoparticles described above is not particularly limited, but is preferably 1 nm to 500 nm in order to form a bump which is an aggregate of conductive nanoparticles having an average diameter of 1 μm to 100 μm described later. More preferably, they are 5 nm-400 nm, More preferably, they are 10 nm-300 nm. Within this range, as described later, when the conductive nanoparticle dispersion liquid is applied, bumps having an average diameter of 1 μm to 100 μm can be easily formed. In addition, the average particle diameter of a nanoparticle can be made into the average value of the maximum diameter of 100 particle | grains observed by the transmission electron microscope, for example.

[導電性ナノ粒子集合体であるバンプ]
導電性ナノ粒子集合体であるバンプの平均直径は1μm〜100μmであることが好ましいが、より好ましくは2μm〜50μm、さらに好ましくは3μm〜20μmである。また上述のバンプは1μm〜100μmの間隔で配列されるが、より好ましくは2μm〜50μm、さらに好ましくは3μm〜20μmである。なお、本発明において上述のバンプの平均直径とは、例えば光学顕微鏡によって観測されたバンプ100個の最大直径の平均値とすることができる。また、バンプの間隔とは、例えば光学顕微鏡によって観測された任意の隣り合った2個のバンプ間の間隔の99カ所の平均値とすることができる。
[Bump which is a conductive nanoparticle aggregate]
The average diameter of the bumps as the conductive nanoparticle assembly is preferably 1 μm to 100 μm, more preferably 2 μm to 50 μm, and still more preferably 3 μm to 20 μm. The bumps described above are arranged at an interval of 1 μm to 100 μm, more preferably 2 μm to 50 μm, and still more preferably 3 μm to 20 μm. In the present invention, the average diameter of the bumps described above can be, for example, the average value of the maximum diameters of 100 bumps observed by an optical microscope. Also, the distance between bumps can be, for example, an average value of 99 points of the distance between any two adjacent bumps observed by an optical microscope.

導電性ナノ粒子を基台層に塗布する方法としては特に制限はないが、上述のバンプを1μm〜100μmの間隔で配列させるために、静電気力によって導電性ナノ粒子分散液を塗布することが好ましい。ノズルから導電性ナノ粒子分散液を吸い上げ、該導電性ナノ粒子分散液に電圧を印加することによって、導電性ナノ粒子分散液に電荷が加わり、塗布した際に導電性ナノ粒子集合体同士が反発することを利用するものである。   The method for applying the conductive nanoparticles to the base layer is not particularly limited, but in order to arrange the above-mentioned bumps at an interval of 1 μm to 100 μm, it is preferable to apply the conductive nanoparticle dispersion by electrostatic force . By suctioning the conductive nanoparticle dispersion from the nozzle and applying a voltage to the conductive nanoparticle dispersion, a charge is applied to the conductive nanoparticle dispersion, and when applied, the conductive nanoparticle aggregates repel each other. Use what you do.

[被覆層]
バンプを基台層上に配列した後、該バンプを覆うように絶縁性樹脂を含む被覆層を形成する。被覆層に含まれる絶縁性樹脂としては特に制限はなく、上述の基台層で挙げたものと同じものを例示することができる。具体的には、アクリル樹脂、ポリエステル樹脂、ポリエチレン樹脂、セルロース樹脂、スチレン樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂、メラミン樹脂等の熱可塑性樹脂、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン・エポキシ樹脂、フェノール樹脂、パーフルオロポリエーテル樹脂等の熱硬化性樹脂等が挙げられるが、耐熱性、耐光性を考慮すると、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂が好ましく、シリコーン樹脂がより好ましい。シリコーン樹脂の例としては、UV硬化型、熱硬化型、湿気硬化型シリコーン樹脂等が挙げられる。なお、被覆層に用いる絶縁性樹脂の種類は、上述の基台層に含まれる絶縁性樹脂と同じであっても異なっていてもよい。
[Covering layer]
After the bumps are arranged on the base layer, a covering layer including an insulating resin is formed to cover the bumps. There is no restriction | limiting in particular as insulating resin contained in a coating layer, The same thing as what was mentioned by the above-mentioned base layer can be illustrated. Specifically, thermoplastic resins such as acrylic resin, polyester resin, polyethylene resin, cellulose resin, styrene resin, polyamide resin, polyimide resin, melamine resin, silicone resin, epoxy resin, silicone epoxy resin, phenol resin, perfluoro resin A thermosetting resin such as a polyether resin may, for example, be mentioned, but in consideration of heat resistance and light resistance, silicone resins and epoxy resins are preferable, and silicone resins are more preferable. Examples of silicone resins include UV-curable, thermosetting and moisture-curable silicone resins. In addition, the kind of insulating resin used for a coating layer may be the same as or different from the insulating resin contained in the above-mentioned base layer.

被覆層の厚さは、上述のバンプの平均直径の101%〜500%であることが好ましく、さらには101%〜300%であることがより好ましい。この範囲内であれば、導電性ナノ粒子集合体が表面に露出しないため、導電性ナノ粒子の劣化を避けられ、また回路電極を押し付けた際、より確実に、電極とバンプが接することで電気的に接続することが可能である。   The thickness of the covering layer is preferably 101% to 500%, and more preferably 101% to 300% of the average diameter of the above-mentioned bumps. Within this range, since the conductive nanoparticle aggregate is not exposed to the surface, deterioration of the conductive nanoparticles can be avoided, and when the circuit electrode is pressed, the electrode and the bump contact more reliably. Connection is possible.

また、被覆層を形成した後、該被覆層の上に剥離性フィルムを貼り合せてもよい。剥離性フィルムとしてはフッ素系樹脂コートしたPETフィルム、シリコーン樹脂コートしたPETフィルム、フッ素系樹脂フィルム等が挙げられる。   Moreover, after forming a coating layer, you may bond a peelable film on this coating layer. The peelable film may, for example, be a PET film coated with a fluorine resin, a PET film coated with a silicone resin, a fluorine resin film or the like.

以上のように、本発明の異方性導電フィルムであれば、微細なパターンを有する回路電極同士を接続するための異方性導電フィルムを提供することができる。   As mentioned above, if it is the anisotropic conductive film of this invention, the anisotropic conductive film for connecting the circuit electrodes which have a fine pattern can be provided.

また、本発明では、異方性導電フィルムの製造方法であって、
(1)剥離性基材の上に絶縁性樹脂を含む組成物をコーティングして基台層を形成する工程、
(2)導電性ナノ粒子分散液に電圧を印加し、静電気力によってノズルから前記導電性ナノ粒子分散液を前記基台層に塗布することによって、前記基台層の上に導電性ナノ粒子集合体であるバンプを1μm〜100μmの間隔で配列させる工程、及び
(3)前記バンプの表面を覆うように絶縁性樹脂を含む組成物をコーティングすることによって、前記基台層上に被覆層を形成する工程、
を含む異方性導電フィルムの製造方法を提供する。
Moreover, in the present invention, it is a method for producing an anisotropic conductive film,
(1) A step of coating a composition containing an insulating resin on a peelable substrate to form a base layer,
(2) A conductive nanoparticle aggregate is applied onto the base layer by applying a voltage to the conductive nanoparticle dispersion and applying the conductive nanoparticle dispersion to the base layer from a nozzle by electrostatic force Forming a coating layer on the base layer by arranging the bumps in the body at intervals of 1 μm to 100 μm, and (3) coating a composition containing an insulating resin to cover the surface of the bumps The process to
A method of producing an anisotropic conductive film comprising:

以下、本発明の異方性導電フィルムの製造方法について詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。   Hereinafter, although the manufacturing method of the anisotropic conductive film of this invention is demonstrated in detail, this invention is not limited to these.

[工程(1)]
工程(1)は、剥離性基材の上に絶縁性樹脂を含む組成物をコーティングして基台層を形成する工程である。
[Step (1)]
The step (1) is a step of coating a composition containing an insulating resin on a peelable substrate to form a base layer.

絶縁性樹脂を含む組成物には、上述の基台層に含まれる絶縁性樹脂の他に、任意の成分を配合することができ、例えば溶剤等を配合することができる。   In addition to the insulating resin contained in the above-mentioned base layer, arbitrary components can be mix | blended with the composition containing insulating resin, for example, a solvent etc. can be mix | blended.

基台層を成形する方法は、従来公知の方法に従えばよく、例えばフィルムコーター、熱プレス機等を使用することができる。フィルムコーターとしては、例えばダイレクトグラビアコーター、チャンバードクターコーター、オフセットグラビアコーター、ロールキスコーター、リバースキスコーター、バーコーター、ダイコーター、リバースロールコーター、スロットダイ、エアードクターコーター、正回転ロールコーター、ブレードコーター、ナイフコーター、含浸コーター、MBコーター、及びMBリバースコーター等が挙げられる。また、後述のように、導電性ナノ粒子分散液を塗布する装置と同じ装置を用いて、ノズルからスプレーで塗布してもよい。   The base layer may be formed according to a conventionally known method, for example, a film coater, a heat press or the like can be used. As a film coater, for example, a direct gravure coater, a chamber doctor coater, an offset gravure coater, a roll kiss coater, a reverse kiss coater, a bar coater, a die coater, a reverse roll coater, a slot die, an air doctor coater, a positive rotation roll coater, a blade coater , Knife coater, impregnation coater, MB coater, and MB reverse coater. In addition, as described later, the same device as the device for applying the conductive nanoparticle dispersion may be used, and spray application may be performed from the nozzle.

[(1)´工程]
(1)´工程は、前記基台層を硬化させる工程である。基台層に熱可塑性樹脂を使用する場合は、(1)´工程を行う必要はない。硬化させる方法としては特に限定はされないが、例えば、UV硬化、熱硬化、湿気硬化等の方法により硬化させることができる。
[(1) 'process]
(1) The 'process is a process of curing the base layer. When using a thermoplastic resin for the base layer, it is not necessary to carry out the step (1) '. Although the method for curing is not particularly limited, for example, it can be cured by methods such as UV curing, heat curing, moisture curing and the like.

[工程(2)]
工程(2)は、導電性ナノ粒子分散液に電圧を印加し、静電気力によってノズルから前記導電性ナノ粒子分散液を前記基台層に塗布することによって、前記基台層の上に導電性ナノ粒子集合体であるバンプを1μm〜100μmの間隔で配列させる工程である。
[Step (2)]
In step (2), a voltage is applied to the conductive nanoparticle dispersion, and the conductive nanoparticle dispersion is applied to the base layer from the nozzle by electrostatic force, whereby the conductive layer is conductive on the base layer. This is a step of arranging the bumps, which are nanoparticle aggregates, at an interval of 1 μm to 100 μm.

[導電性ナノ粒子分散液]
導電性ナノ粒子分散液には、上述のような導電性ナノ粒子を用いることができる。導電性ナノ粒子分散液の分散媒としては、特に制限はなく、揮発性、極性、又は、例えば硬化性シリコーン樹脂を含む基台層への濡れ性等に応じて適宜選択することができる。例えば、メタノール、エタノール、1−プロパノール、イソプロピルアルコール、1−ブタノール、テルピネオール等のアルコール類、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン等のケトン類、酢酸エチル、プロピレングリコール−1−モノメチルエーテル−1−アセタート等のエステル類、N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミド等のアミド類、ジエチルエーテル、ジブチルエーテル、テトラヒドロフラン等のエーテル類、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素、ヘキサン、ヘプタン等の脂肪族炭化水素、塩化メチレン、クロロホルム等のハロゲン化炭化水素、蟻酸、酢酸等のカルボン酸、アセトニトリル、ジメチルスルホキシド、及び水等が挙げられ、中でもメタノール、エタノール、テルピネオール、水等を用いることが好ましい。これらはそれぞれ1種を単独で使用してもよいし、2種以上を併用してもよい。導電性ナノ粒子分散液のナノ粒子の濃度は10質量%〜80質量%であることが好ましく、20質量%〜70質量%であればより好ましく、30質量%〜60質量%であればさらに好ましい。
[Conductive nanoparticle dispersion]
The conductive nanoparticles as described above can be used for the conductive nanoparticle dispersion liquid. There is no restriction | limiting in particular as a dispersion medium of an electroconductive nanoparticle dispersion liquid, According to the wettability to the base layer containing volatility, polarity, or a curable silicone resin, etc., it can select suitably. For example, alcohols such as methanol, ethanol, 1-propanol, isopropyl alcohol, 1-butanol, terpineol, ketones such as acetone, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, ethyl acetate, propylene glycol-1-monomethyl ether-1-acetate, etc. Esters of N, N-dimethylformamide, amides such as N, N-dimethylacetamide, ethers such as diethyl ether, dibutyl ether and tetrahydrofuran, aromatic hydrocarbons such as benzene, toluene and xylene, hexane, heptane and the like Aliphatic hydrocarbons, halogenated hydrocarbons such as methylene chloride and chloroform, carboxylic acids such as formic acid and acetic acid, acetonitrile, dimethyl sulfoxide, and water, among which methanol and ethanol are particularly preferable. Terpineol, it is preferable to use water or the like. Each of these may be used alone or in combination of two or more. The concentration of the nanoparticles in the conductive nanoparticle dispersion is preferably 10% by mass to 80% by mass, more preferably 20% by mass to 70% by mass, and still more preferably 30% by mass to 60% by mass .

さらに導電性ナノ粒子分散液はバインダーとして樹脂成分を含んでいても良く、該樹脂成分としては、例えばポリエステル樹脂、ポリエチレン樹脂、セルロース樹脂、アクリル樹脂、スチレン樹脂、ポリアミド樹脂、メラミン樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂等が挙げられる。これらはそれぞれ1種を単独で使用してもよいし、2種以上を併用してもよい。なお、バインダーとしてこれらの樹脂成分を含む場合には、ナノ粒子の固定化、密着性等の観点から基台層や被覆層と同一の樹脂を用いることが好ましい。   The conductive nanoparticle dispersion may further contain a resin component as a binder, and the resin component may be, for example, polyester resin, polyethylene resin, cellulose resin, acrylic resin, styrene resin, polyamide resin, melamine resin, phenol resin, Epoxy resin, silicone resin and the like can be mentioned. Each of these may be used alone or in combination of two or more. When these resin components are contained as a binder, it is preferable to use the same resin as that of the base layer or the covering layer from the viewpoint of immobilization of nanoparticles, adhesion, and the like.

樹脂を含む導電性ナノ粒子分散液とする場合、粘度は特に制限はないが、静電気力によってノズルから塗布するために10,000mPa・s以下であることが好ましく、5,000mPa・s以下であればより好ましく、1,000mPa・s以下であればさらに好ましい。なお、本明細書中で粘度とは、JIS K 7117−1:1999に記載の方法で、回転粘度計を用いて25℃で測定した値を指す。   In the case of the conductive nanoparticle dispersion containing a resin, the viscosity is not particularly limited, but is preferably 10,000 mPa · s or less, preferably 5,000 mPa · s or less for applying from a nozzle by electrostatic force. More preferably 1,000 mPa · s or less. In the present specification, the viscosity refers to a value measured at 25 ° C. using a rotational viscometer by the method described in JIS K 7117-1: 1999.

[塗布]
導電性ナノ粒子分散液を塗布するために使用する装置は、静電気力によって導電性ナノ粒子分散液を塗布するもとする。ノズルから導電性ナノ粒子分散液を吸い上げ、該導電性ナノ粒子分散液に電圧を印加することによって塗布する。装置としては、例えば特開2009−016490号公報、特開2014−120490号公報に挙げられているものを用いることができる。
[Application]
The apparatus used to apply the conductive nanoparticle dispersion is to apply the conductive nanoparticle dispersion by electrostatic force. The conductive nanoparticle dispersion is sucked from the nozzle and applied by applying a voltage to the conductive nanoparticle dispersion. As an apparatus, what is mentioned, for example in Unexamined-Japanese-Patent No. 2009-016490 and 2014-120490 can be used.

ノズルの形状としては、特に制限はないが、導電性ナノ粒子分散液に均一に電圧を印加するために、円形状であることが好ましい。   The shape of the nozzle is not particularly limited, but in order to uniformly apply a voltage to the conductive nanoparticle dispersion, it is preferably circular.

ノズルの径としては、特に制限はないが、1μm以上かつ100μm未満のバンプを形成するために、好ましくは1μm〜300μm、より好ましくは3μm〜200μm、さらに好ましくは5μm〜100μmである。この範囲内であれば、1μm〜100μmのバンプを容易に塗布することができる。   The diameter of the nozzle is not particularly limited, but is preferably 1 μm to 300 μm, more preferably 3 μm to 200 μm, and still more preferably 5 μm to 100 μm in order to form a bump of 1 μm or more and less than 100 μm. Within this range, bumps of 1 μm to 100 μm can be easily applied.

印加する電圧は、特に制限はないが、好ましくは1,000V〜10,000V、より好ましくは1,500V〜8,000V、さらに好ましくは2,000V〜5,000Vである。またノズルの先端部と上述の剥離性基材との距離は例えば10μm〜3,000μm、好ましくは20μm〜2,000μmである。   The voltage to be applied is not particularly limited, but is preferably 1,000 V to 10,000 V, more preferably 1,500 V to 8,000 V, and still more preferably 2,000 V to 5,000 V. The distance between the tip of the nozzle and the above-mentioned peelable substrate is, for example, 10 μm to 3,000 μm, preferably 20 μm to 2,000 μm.

[工程(3)]
工程(3)は、前記バンプの表面を覆うように絶縁性樹脂を含む組成物をコーティングすることによって、前記基台層上に被覆層を形成する工程である。
[Step (3)]
The step (3) is a step of forming a covering layer on the base layer by coating a composition containing an insulating resin so as to cover the surface of the bump.

絶縁性樹脂を含む組成物には、上述の被覆層に含まれる絶縁性樹脂の他に、任意の成分を配合することができ、例えば溶剤等を配合することができる。   In addition to the insulating resin contained in the above-mentioned coating layer, an arbitrary component can be mix | blended with the composition containing insulating resin, for example, a solvent etc. can be mix | blended.

被覆層を成形する方法は、従来公知の方法に従えばよく、例えばフィルムコーター、熱プレス機等を使用することができる。フィルムコーターとしては、例えばダイレクトグラビアコーター、チャンバードクターコーター、オフセットグラビアコーター、ロールキスコーター、リバースキスコーター、バーコーター、ダイコーター、リバースロールコーター、スロットダイ、エアードクターコーター、正回転ロールコーター、ブレードコーター、ナイフコーター、含浸コーター、MBコーター、及びMBリバースコーター等が挙げられる。また、上述のように、導電性ナノ粒子分散液を塗布する装置と同じ装置を用いて、ノズルからスプレーで塗布してもよい。   The method for forming the coating layer may be in accordance with a conventionally known method, and for example, a film coater, a heat press or the like can be used. As a film coater, for example, a direct gravure coater, a chamber doctor coater, an offset gravure coater, a roll kiss coater, a reverse kiss coater, a bar coater, a die coater, a reverse roll coater, a slot die, an air doctor coater, a positive rotation roll coater, a blade coater , Knife coater, impregnation coater, MB coater, and MB reverse coater. Also, as described above, the same device as the device for applying the conductive nanoparticle dispersion may be applied by spraying from the nozzle.

[(3)´工程]
(3)´工程は、前記被覆層を硬化させる工程である。被覆層に熱可塑性樹脂を使用する場合は、(3)´工程を行う必要はない。硬化させる方法としては特に限定はされないが、例えば、UV硬化、熱硬化、湿気硬化等の方法により硬化させることができる。
[(3) 'process]
(3) The 'process is a process of curing the coating layer. When using a thermoplastic resin for a coating layer, it is not necessary to perform (3) 'process. Although the method for curing is not particularly limited, for example, it can be cured by methods such as UV curing, heat curing, moisture curing and the like.

このように、本発明の異方性導電フィルムの製造方法であれば、剥離性基材の上に絶縁性樹脂を含む基台層を有し、該基台層の上に、1μm〜100μmの間隔で導電性ナノ粒子集合体であるバンプが配列され、該バンプを覆うように絶縁性樹脂を含む被覆層が基台層上に形成されたものであり、かつ、剥離性基材が基台層に対して離型性を有するものである異方性導電フィルムを容易に製造することができる。   Thus, according to the method for producing an anisotropic conductive film of the present invention, a base layer containing an insulating resin is provided on a peelable substrate, and 1 μm to 100 μm on the base layer. A bump, which is a conductive nanoparticle aggregate, is arranged at intervals, and a covering layer containing an insulating resin is formed on a base layer so as to cover the bump, and a peelable substrate is a base An anisotropic conductive film having releasability for a layer can be easily produced.

以下、合成例、実施例及び比較例を示し、本発明をより詳細に説明するが、本発明は下記の実施例に制限されるものではない。   Hereinafter, the present invention will be described in more detail by way of synthesis examples, examples and comparative examples, but the present invention is not limited to the following examples.

以下の実施例において重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィ(GPC)によって、ポリスチレンを標準物質として、以下の条件で測定した値である。また、以下の合成例において、Meはメチル基、Phはフェニル基、Viはビニル基を示す。   In the following examples, the weight average molecular weight is a value measured by gel permeation chromatography (GPC) using polystyrene as a standard substance under the following conditions. In the following synthesis examples, Me represents a methyl group, Ph represents a phenyl group, and Vi represents a vinyl group.

[測定条件]
展開溶媒:THF(テトラヒドロフラン)
流量:0.6mL/min
検出器:示差屈折率検出器(RI)
カラム:TSK Guardcolomn SuperH−L
TSKgel SuperH4000(6.0mmI.D.×15cm×1)
TSKgel SuperH3000(6.0mmI.D.×15cm×1)
TSKgel SuperH2000(6.0mmI.D.×15cm×2)
(いずれも東ソー社製)
カラム温度:40℃
試料注入量:20μL(濃度0.5重量%のTHF溶液)
[Measurement condition]
Developing solvent: THF (tetrahydrofuran)
Flow rate: 0.6 mL / min
Detector: Differential Refractive Index Detector (RI)
Column: TSK Guardcolomn SuperH-L
TSKgel SuperH4000 (6.0 mm ID × 15 cm × 1)
TSKgel Super H 3000 (6.0 mm ID × 15 cm × 1)
TSKgel Super H 2000 (6.0 mm ID × 15 cm × 2)
(All are made by Tosoh Corporation)
Column temperature: 40 ° C
Sample injection volume: 20 μL (THF solution with a concentration of 0.5% by weight)

[合成例1]
アルケニル基含有オルガノポリシロキサンの合成
フェニルトリクロロシラン1142.1g(87.1mol%)、ClMeSiO(MeSiO)33SiMeCl 529g(3.2mol%)、及びジメチルビニルクロロシラン72.4g(9.7mol%)をトルエン溶剤に溶解後、水中に滴下し、共加水分解し、更に水洗、アルカリ洗浄にて中和、脱水後、溶剤をストリップし、25℃で固体状のフェニル基含有ビニルシリコーンレジンA1を得た。重量平均分子量は63,000であった。
Synthesis Example 1
Synthesis of alkenyl group-containing organopolysiloxane 1142.1 g (87.1 mol%) of phenyltrichlorosilane, 529 g (3.2 mol%) of ClMe 2 SiO (Me 2 SiO) 33 SiMe 2 Cl, and 72.4 g (9 of dimethylvinylchlorosilane .7 mol%) is dissolved in toluene solvent, dropped into water, cohydrolyzed, co-hydrolyzed, washed with water, neutralized with alkali washing, dewatered, stripped of solvent, and phenyl group-containing vinyl silicone solid at 25 ° C. Resin A1 was obtained. The weight average molecular weight was 63,000.

[合成例2]
オルガノハイドロジェンポリシロキサンの合成
フェニルトリクロロシラン1142.1g(87.1mol%)、ClMeSiO(MeSiO)33SiMeCl 529g(3.2mol%)、及びメチルジクロロシラン69g(9.7mol%)をトルエン溶剤に溶解後、水中に滴下し、共加水分解し、更に水洗、アルカリ洗浄にて中和、脱水後、溶剤をストリップし、25℃で固体状のフェニル基含有ハイドロジェンシリコーンレジンB1を得た。重量平均分子量は58,000であった。
Synthesis Example 2
Synthesis of organohydrogenpolysiloxane 1142.1 g (87.1 mol%) of phenyltrichlorosilane, 529 g (3.2 mol%) of ClMe 2 SiO (Me 2 SiO) 33 SiMe 2 Cl, and 69 g (9.7 mol%) of methyldichlorosilane ) Is dissolved in toluene solvent, then added dropwise to water, cohydrolyzed, washed with water, neutralized with alkali washing and dewatered, stripped of solvent, and solid phenyl group-containing hydrogen silicone resin B1 at 25 ° C. I got The weight average molecular weight was 58,000.

導電性ナノ粒子分散液の調製
[調製例1]
銀ナノインク(Sigma−Aldrich社製、濃度:30wt%、メジアン径:70nm)10g、合成例1で合成したビニルシリコーンレジンA1を1g、合成例2で合成したハイドロジェンシリコーンレジンB1を1g、白金(0)−1,3−ジビニルテトラメチルジシロキサンコンプレックス(白金濃度1質量%)2mg、エチニルシクロヘキサノール6mg、トルエン1gを混合し、銀ナノ粒子分散液(23wt%、粘度:200mPa・s)を得た。
Preparation of Conductive Nanoparticle Dispersion [Preparation Example 1]
Silver nano ink (Sigma-Aldrich, concentration: 30 wt%, median diameter: 70 nm) 10 g, vinyl silicone resin A1 synthesized in Synthesis Example 1 1 g, Hydrogen silicone resin B1 synthesized in Synthesis Example 2 1 g, platinum ( 0) A mixture of 2 mg of 1,3-divinyltetramethyldisiloxane complex (platinum concentration: 1% by mass), 6 mg of ethynylcyclohexanol and 1 g of toluene is obtained to obtain a silver nanoparticle dispersion (23 wt%, viscosity: 200 mPa · s) The

[調製例2]
銀ナノ粒子分散液NAG−25T(大研化学工業社製、濃度:50wt%、メジアン径:30nm)10g、合成例1で合成したビニルシリコーンレジンA1を1g、合成例2で合成したハイドロジェンシリコーンレジンB1を1g、白金(0)−1,3−ジビニルテトラメチルジシロキサンコンプレックス(白金濃度1質量%)2mg、エチニルシクロヘキサノール6mgを混合し、銀ナノ粒子分散液(42wt%、粘度:600mPa・s)を得た。
Preparation Example 2
Silver nanoparticle dispersion liquid NAG-25T (Daken Chemical Industry Co., Ltd., concentration: 50 wt%, median diameter: 30 nm) 10 g, vinyl silicone resin A1 synthesized in Synthesis Example 1 1 g, Hydrogen silicone synthesized in Synthesis Example 2 1 g of resin B1, 2 mg of platinum (0) -1,3-divinyl tetramethyldisiloxane complex (platinum concentration 1 mass%), 6 mg of ethynyl cyclohexanol were mixed, and a silver nanoparticle dispersion (42 wt%, viscosity: 600 mPa · s) got.

[調製例3]
銀ナノ粒子水分散液NAG−28(大研化学工業社製、濃度:25wt%、メジアン径:30nm)10gを減圧濃縮し、銀ナノ粒子分散液(80wt%、粘度:2,000mPa・s)を得た。
Preparation Example 3
10 g of a silver nanoparticle aqueous dispersion NAG-28 (Daken Chemical Industry Co., Ltd., concentration: 25 wt%, median diameter: 30 nm) is concentrated under reduced pressure, and a silver nanoparticle dispersion (80 wt%, viscosity: 2,000 mPa · s) I got

[調整例4]
銀ナノ粒子水分散液NAG−28(大研化学工業社製、濃度:25wt%、メジアン径:30nm)10gにテルピネオールを240g加え、銀ナノ粒子分散液(1wt%、粘度:3mPa・s)を得た。
Adjustment Example 4
240 g of terpineol was added to 10 g of silver nanoparticle aqueous dispersion NAG-28 (Daken Chemical Industry Co., Ltd., concentration: 25 wt%, median diameter: 30 nm), and a silver nanoparticle dispersion (1 wt%, viscosity: 3 mPa · s) Obtained.

[比較調製例1]
合成例1で合成したビニルシリコーンレジンA1を10g、合成例2で合成したハイドロジェンシリコーンレジンB1を10g、白金(0)−1,3−ジビニルテトラメチルジシロキサンコンプレックス(白金濃度1質量%)0.02g、エチニルシクロヘキサノール0.06g、トルエン5g、銀ナノ粒子(アズワン社製、メジアン径:30nm)10gを混合し、銀ナノ粒子ペースト(29wt%)を得た。
[Comparative Preparation Example 1]
10 g of the vinyl silicone resin A1 synthesized in Synthesis Example 1 and 10 g of the hydrogen silicone resin B1 synthesized in Synthesis Example 2 platinum (0) -1,3-divinyl tetramethyl disiloxane complex (platinum concentration: 1% by mass) 0 0.2 g of ethynyl cyclohexanol, 5 g of toluene, and 10 g of silver nanoparticles (made by As One Corp., median diameter: 30 nm) were mixed to obtain a silver nanoparticle paste (29 wt%).

[比較調製例2]
合成例1で合成したビニルシリコーンレジンA1を10g、合成例2で合成したハイドロジェンシリコーンレジンB1を10g、白金(0)−1,3−ジビニルテトラメチルジシロキサンコンプレックス(白金濃度1質量%)0.02g、エチニルシクロヘキサノール0.06g、銀ナノ粒子(アズワン社製、メジアン径:30nm)50gを混合し、銀ナノ粒子ペースト(71wt%)を得た。
[Comparative Preparation Example 2]
10 g of the vinyl silicone resin A1 synthesized in Synthesis Example 1 and 10 g of the hydrogen silicone resin B1 synthesized in Synthesis Example 2 platinum (0) -1,3-divinyl tetramethyl disiloxane complex (platinum concentration: 1% by mass) 0 .02 g, ethynyl cyclohexanol 0.06 g, and 50 g of silver nanoparticles (manufactured by As One Corp., median diameter: 30 nm) were mixed to obtain a silver nanoparticle paste (71 wt%).

異方性導電フィルムの製造
[実施例1]
合成例1で合成したビニルシリコーンレジンA1を100g、合成例2で合成したハイドロジェンシリコーンレジンB1を100g、白金(0)−1,3−ジビニルテトラメチルジシロキサンコンプレックス(白金濃度1質量%)0.2g、エチニルシクロヘキサノール0.6g、トルエン50gを混合してオルガノポリシロキサン組成物1を調製した。図1のように、自動塗工装置PI−1210(テスター産業社製)を用いて、ETFE(エチレン−テトラフルオロエチレン)フィルム(剥離性基材1)の上にオルガノポリシロキサン組成物1を塗布し、縦150mm×横150mm及び厚さ15μmを有する膜状に成形した。その後、100℃×30分加熱することでトルエンを揮発させ、縦150mm×横150mm及び厚さ10μmの25℃で固体状、ガラス転移点40℃の基台層2を形成した。次に、静電噴霧/塗布実験機(アピックヤマダ社製)を用いて、調製例1で作製した銀ナノ粒子分散液を基台層2の上に塗布した(ノズル径:25μm、印加電圧:2,000V、基台層までの距離:20μm)(図2参照)。銀ナノ粒子集合体であるバンプ3の平均直径は20μm、平均間隔は40μmであった(図4参照)。次に図3のように、バンプの被覆層4として、基台層2と同じオルガノポリシロキサン組成物1を自動塗工装置PI−1210を用いて塗布し、加熱することでトルエンを揮発させ、縦150mm×横150mm及び厚さ30μmの被覆層4を形成し、異方性導電フィルム6を得た。
Production of Anisotropic Conductive Film [Example 1]
100 g of the vinyl silicone resin A1 synthesized in Synthesis Example 1, 100 g of the hydrogen silicone resin B1 synthesized in Synthesis Example 2, platinum (0) -1,3-divinyl tetramethyl disiloxane complex (platinum concentration: 1% by mass) 0 .2 g, ethynyl cyclohexanol 0.6 g and toluene 50 g were mixed to prepare organopolysiloxane composition 1. As shown in FIG. 1, an organopolysiloxane composition 1 is applied onto an ETFE (ethylene-tetrafluoroethylene) film (peelable substrate 1) using an automatic coating apparatus PI-1210 (manufactured by Tester Sangyo Co., Ltd.). And formed into a film having a length of 150 mm × width 150 mm and a thickness of 15 μm. Then, the toluene was volatilized by heating at 100 ° C. for 30 minutes to form a base layer 2 having a glass transition point of 40 ° C. and a solid state at 25 ° C., 150 mm long × 150 mm wide and 10 μm thick. Next, the silver nanoparticle dispersion prepared in Preparation Example 1 was coated on the base layer 2 using an electrostatic spray / coating experimental machine (manufactured by Apic Yamada) (nozzle diameter: 25 μm, applied voltage: 2) , 000 V, distance to base layer: 20 μm) (see FIG. 2). The average diameter of the bump 3 which is a silver nanoparticle assembly was 20 μm, and the average interval was 40 μm (see FIG. 4). Next, as shown in FIG. 3, the same organopolysiloxane composition 1 as the base layer 2 is applied as the coating layer 4 of the bumps using the automatic coating apparatus PI-1210, and the toluene is volatilized by heating. The covering layer 4 of 150 mm long × 150 mm wide and 30 μm thick was formed, and an anisotropic conductive film 6 was obtained.

[実施例2]
実施例1と同様にして厚さ5μmの基台層2を作製し、静電噴霧/塗布実験機を用いて、調製例2で作製した銀ナノ粒子分散液を基台層2の上に塗布した(ノズル径:15μm、印加電圧:4,000V、基台層までの距離:100μm)。バンプ3の平均直径は10μm、平均間隔は30μmであった(図5参照)。次いで、実施例1と同様の方法で、縦150mm×横150mm及び厚さ30μmの被覆層4を形成し、異方性導電フィルム6を得た。
Example 2
A 5 μm thick base layer 2 is prepared in the same manner as in Example 1, and the silver nanoparticle dispersion prepared in Preparation Example 2 is coated on the base layer 2 using an electrostatic spray / coating test machine. (Nozzle diameter: 15 μm, applied voltage: 4,000 V, distance to base layer: 100 μm). The average diameter of the bumps 3 was 10 μm, and the average spacing was 30 μm (see FIG. 5). Then, in the same manner as in Example 1, a covering layer 4 150 mm long × 150 mm wide and 30 μm thick was formed, and an anisotropic conductive film 6 was obtained.

[実施例3]
実施例1と同様にして厚さ25μmの基台層2を作製し、静電噴霧/塗布実験機を用いて、調製例3で作製した銀ナノ粒子分散液を基台層2の上に塗布した(ノズル径:40μm、印加電圧:5,000V、基台層までの距離:100μm)。バンプ3の平均直径は30μm、平均間隔は30μmであった(図6参照)。次いで、実施例1と同様の方法で、縦150mm×横150mm及び厚さ50μmの被覆層4を形成し、異方性導電フィルム6を得た。
[Example 3]
A 25 μm thick base layer 2 was prepared in the same manner as in Example 1, and the silver nanoparticle dispersion prepared in Preparation Example 3 was coated on the base layer 2 using an electrostatic spray / coating test machine. (Nozzle diameter: 40 μm, applied voltage: 5,000 V, distance to base layer: 100 μm). The average diameter of the bumps 3 was 30 μm, and the average spacing was 30 μm (see FIG. 6). Then, in the same manner as in Example 1, a covering layer 4 150 mm long × 150 mm wide and 50 μm thick was formed, and an anisotropic conductive film 6 was obtained.

[実施例4]
エポキシ樹脂HB‐EP100CL(HUCKLEBORN社製)を基台層2とすること以外は実施例1と同様にして厚さ20μm、ガラス転移点100℃の基台層2を作製し、静電噴霧/塗布実験機を用いて、調製例3で作製した銀ナノ粒子分散液を基台層2の上に塗布した(ノズル径:70μm、印加電圧:3,000V、基台層までの距離:200μm)。バンプ3の平均直径は100μm、平均間隔は90μmであった(図7参照)。次いで、HB‐EP100CLを被覆層4とすること以外は実施例1と同様の方法で、縦150mm×横150mm及び厚さ150μmの被覆層4を形成し、異方性導電フィルム6を得た。
Example 4
A base layer 2 having a thickness of 20 μm and a glass transition temperature of 100 ° C. was produced in the same manner as in Example 1 except that the epoxy resin HB-EP100CL (made by HUCKLEBORN) was used as the base layer 2, and electrostatic spraying / coating was performed. The silver nanoparticle dispersion prepared in Preparation Example 3 was coated on the base layer 2 (nozzle diameter: 70 μm, applied voltage: 3,000 V, distance to the base layer: 200 μm) using an experimental machine. The average diameter of the bumps 3 was 100 μm, and the average interval was 90 μm (see FIG. 7). Then, a coating layer 4 150 mm long × 150 mm wide and 150 μm thick was formed in the same manner as in Example 1 except that the coating layer 4 was used as the HB-EP100CL, and an anisotropic conductive film 6 was obtained.

[実施例5]
ポリイミド樹脂ユピア−AT(宇部興産社製)を基台層2とすること以外は実施例1と同様にして厚さ3μm、ガラス転移点270℃の基台層2を作製し、静電噴霧/塗布実験機を用いて、調製例4で作製した銀ナノ粒子分散液を基台層2の上に塗布した(ノズル径:10μm、印加電圧:5,000V、基台層までの距離:10μm)。バンプ3の平均直径は4μm、平均間隔は3μmであった(図8参照)。次いで、ユピア−ATを被覆層4とすること以外は実施例1と同様の方法で、縦150mm×横150mm及び厚さ10μmの被覆層4を形成し、異方性導電フィルム6を得た。
[Example 5]
A base layer 2 having a thickness of 3 μm and a glass transition temperature of 270 ° C. was produced in the same manner as in Example 1 except that polyimide resin UPIA-AT (manufactured by Ube Industries, Ltd.) was used as the base layer 2. The silver nanoparticle dispersion prepared in Preparation Example 4 was coated on the base layer 2 using a coating experiment machine (nozzle diameter: 10 μm, applied voltage: 5,000 V, distance to the base layer: 10 μm) . The average diameter of the bumps 3 was 4 μm, and the average interval was 3 μm (see FIG. 8). Then, a coating layer 4 150 mm long × 150 mm wide and 10 μm thick was formed in the same manner as in Example 1 except that UPIA-AT was used as the coating layer 4, to obtain an anisotropic conductive film 6.

[比較例1]
自動塗工装置PI−1210を用いて、ETFEフィルム上に比較調製例1で作製した銀ナノペーストを塗布し、縦150mm×横150mm及び厚さ30μmを有する膜状に成形した。その後、100℃×30分加熱することでトルエンを揮発させ、縦150mm×横150mm及び厚さ25μmを有する異方性導電フィルムを得た。
Comparative Example 1
The silver nanopaste produced in Comparative Preparation Example 1 was applied onto an ETFE film using an automatic coating apparatus PI-1210, and formed into a film having a length of 150 mm × width 150 mm and a thickness of 30 μm. Then, toluene was volatilized by heating at 100 ° C. for 30 minutes to obtain an anisotropic conductive film having a length of 150 mm × width 150 mm and a thickness of 25 μm.

[比較例2]
隣接する配列の間隔に広狭を有する、厚さ50μmの格子状の配列パターンを有する金型を作製し、公知の透明性樹脂のペレットを溶融させた状態で金型に流し込み、冷やして固めることで、凹部が広狭を有する格子状の配列パターンの樹脂型を形成した。この樹脂型の凹部に比較調製例2で調製した銀ナノペーストを充填し、その上にETFEフィルムを被せ、縦150mm×横150mm及び厚さ50μmを有する膜状に成形し、異方性導電フィルムを得た。
Comparative Example 2
A mold with a 50 μm thick grid-like array pattern with wide and narrow intervals between adjacent arrays is prepared, and pellets of a known transparent resin are melted and poured into the mold, and then cooled and solidified. The resin mold of the grid | lattice-like array pattern which has a concave part wide and narrow was formed. The silver nanopaste prepared in Comparative Preparation Example 2 is filled in the concave portion of this resin mold, an ETFE film is covered thereon, and it is formed into a film having 150 mm long × 150 mm wide and 50 μm thickness, and an anisotropic conductive film I got

[比較例3]
実施例1と同様にして厚さ20μmの基台層を作製し、静電噴霧/塗布実験機を用いて、調製例3で作製した銀ナノ粒子分散液を基台層の上に塗布した(ノズル径:70μm、印加電圧:5,000V、基台層までの距離:500μm)。バンプの平均直径は100μm、平均間隔は200μmであった。次いで、実施例1と同様の方法で、縦150mm×横150mm及び厚さ150μmの被覆層を形成し、異方性導電フィルムを得た。
Comparative Example 3
A 20 μm thick base layer was prepared in the same manner as in Example 1, and the silver nanoparticle dispersion prepared in Preparation Example 3 was applied onto the base layer using an electrostatic spray / coating experiment machine ( Nozzle diameter: 70 μm, applied voltage: 5,000 V, distance to base layer: 500 μm). The average diameter of the bumps was 100 μm, and the average spacing was 200 μm. Then, in the same manner as in Example 1, a covering layer 150 mm long × 150 mm wide and 150 μm thick was formed to obtain an anisotropic conductive film.

[比較例4]
実施例1と同様にして厚さ500nmの基台層を作製し、静電噴霧/塗布実験機を用いて、調製例4で作製した銀ナノ粒子分散液を基台層の上に塗布した(ノズル径:3μm、印加電圧:5,000V、基台層までの距離:1μm)。バンプの平均直径は1μm、平均間隔は700nmであった。次いで、実施例1と同様の方法で、縦150mm×横150mm及び厚さ1μmの被覆層を形成し、異方性導電フィルムを得た。
Comparative Example 4
A 500 nm thick base layer was prepared in the same manner as in Example 1, and the silver nanoparticle dispersion prepared in Preparation Example 4 was coated on the base layer using an electrostatic spray / coating experimental machine ( Nozzle diameter: 3 μm, applied voltage: 5,000 V, distance to base layer: 1 μm). The average diameter of the bumps was 1 μm, and the average spacing was 700 nm. Then, in the same manner as in Example 1, a covering layer 150 mm long × 150 mm wide and 1 μm thick was formed to obtain an anisotropic conductive film.

バンプの平均直径の計測
基台層上に配列したバンプの平均直径は、半導体/FPD検査顕微鏡MX61(Olympus社製)にて計測した。結果を表1に示す。
Measurement of Average Diameter of Bumps The average diameter of the bumps arranged on the base layer was measured with a semiconductor / FPD inspection microscope MX61 (manufactured by Olympus). The results are shown in Table 1.

バンプの平均間隔の計測
基台層上に配列したバンプの平均間隔は、半導体/FPD検査顕微鏡MX61(Olympus社製)にて計測した。結果を表1に示す。
Measurement of Average Spacing of Bumps The average spacing of the bumps arranged on the base layer was measured with a semiconductor / FPD inspection microscope MX61 (manufactured by Olympus). The results are shown in Table 1.

通電試験
実施例1〜5、比較例1〜4で得られたフィルムから剥離基材を剥がした後、フィルム上に、ピックアンドプレイスを用いて、50μm×50μm及び厚さ20μmのマイクロLEDを押し付け、図9のフィルムの断面の模式図に示すように、マイクロLED5がフィルムに押し付けられた状態とした。その後ダイシングし、基板に実装して通電させ、点灯した数を計測した。結果を表1に示す。
After peeling off the release substrate from the films obtained in the current tests of Examples 1 to 5 and Comparative Examples 1 to 4, 50 μm × 50 μm and 20 μm thick micro LEDs are pressed onto the film using pick and place. As shown in the schematic view of the cross section of the film of FIG. 9, the micro LED 5 was pressed against the film. After that, dicing was performed, the substrate was mounted and energized, and the number of lights was measured. The results are shown in Table 1.

表1に示す通り、本発明の異方性導電フィルムは、従来の異方性導電フィルムと異なり、マイクロLEDのような微細な電極を持つ半導体装置に対してもショートすることなく、通電を確保することができる。   As shown in Table 1, unlike the conventional anisotropic conductive film, the anisotropic conductive film of the present invention ensures conduction without shorting even to a semiconductor device having a fine electrode such as a micro LED. can do.

一方、本発明の異方性導電フィルムでない比較例1及び比較例2では通電を確保することができなかった。比較例3では、バンプの平均間隔が広すぎるために、通電を確保することができなかった。比較例4では、バンプの平均間隔が狭すぎるために、マイクロLEDのアノードとカソードの両方と接し、ショートした。   On the other hand, in the comparative example 1 and the comparative example 2 which are not the anisotropic conductive film of this invention, electricity supply was not securable. In Comparative Example 3, the average distance between the bumps was too wide, so that it was not possible to secure the energization. In Comparative Example 4, since the average distance between the bumps was too narrow, both the anode and the cathode of the micro LED were in contact and shorted.

なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。   The present invention is not limited to the above embodiment. The above-described embodiment is an exemplification, and the present invention has the substantially same constitution as the technical idea described in the claims of the present invention, and the same effects can be exhibited by any invention. It is included in the technical scope of

1…剥離性基材、 2…基台層、 3…バンプ、 4…被覆層、 5…回路電極(マイクロLED)、 6…異方性導電フィルム。   DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Peelable base material 2 ... Base layer, 3 ... Bump, 4 ... Coating layer, 5 ... Circuit electrode (micro LED), 6 ... Anisotropic conductive film.

印加する電圧は、特に制限はないが、好ましくは1,000V〜10,000V、より好ましくは1,500V〜8,000V、さらに好ましくは2,000V〜5,000Vである。またノズルの先端部と上述の基台層との距離は例えば10μm〜3,000μm、好ましくは20μm〜2,000μmである。 The voltage to be applied is not particularly limited, but is preferably 1,000 V to 10,000 V, more preferably 1,500 V to 8,000 V, and still more preferably 2,000 V to 5,000 V. The distance between the tip of the nozzle and the above-mentioned base layer is, for example, 10 μm to 3,000 μm, preferably 20 μm to 2,000 μm.

Claims (9)

異方性導電フィルムであって、
剥離性基材の上に絶縁性樹脂を含む基台層を有し、該基台層の上に、1μm〜100μmの間隔で導電性ナノ粒子集合体であるバンプが配列され、該バンプを覆うように絶縁性樹脂を含む被覆層が前記基台層上に形成されたものであり、かつ、前記剥離性基材が前記基台層に対して離型性を有するものであることを特徴とする異方性導電フィルム。
An anisotropic conductive film,
A base layer containing an insulating resin is provided on a peelable substrate, and bumps, which are conductive nanoparticle aggregates, are arranged at intervals of 1 μm to 100 μm on the base layer to cover the bumps. As described above, a coating layer containing an insulating resin is formed on the base layer, and the peelable substrate has releasability from the base layer. Anisotropic conductive film.
前記バンプの平均直径が1μm〜100μmであることを特徴とする請求項1に記載の異方性導電フィルム。   The average diameter of the said bump is 1 micrometer-100 micrometers, The anisotropic conductive film of Claim 1 characterized by the above-mentioned. 前記導電性ナノ粒子集合体が、一次粒子径1nm〜500nmの導電性ナノ粒子からなる集合体であることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の異方性導電フィルム。   The anisotropic conductive film according to claim 1 or 2, wherein the conductive nanoparticle aggregate is an aggregate consisting of conductive nanoparticles having a primary particle diameter of 1 nm to 500 nm. 前記基台層の厚さが、前記バンプの平均直径の1%〜100%であることを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか一項に記載の異方性導電フィルム。   The thickness of the said base layer is 1%-100% of the average diameter of the said bump, The anisotropic conductive film as described in any one of the Claims 1-3 characterized by the above-mentioned. 前記被覆層の厚さが、前記バンプの平均直径の101%〜500%であることを特徴とする請求項1から請求項4のいずれか一項に記載の異方性導電フィルム。   The thickness of the said coating layer is 101%-500% of the average diameter of the said bump, The anisotropic conductive film as described in any one of the Claims 1-4 characterized by the above-mentioned. 前記基台層及び被覆層のうち、少なくともいずれか一方が絶縁性樹脂としてシリコーン樹脂を含むものであって、かつ、下記(A)、(B)、及び(C)成分を含むものであることを特徴とする請求項1から請求項5のいずれか一項に記載の異方性導電フィルム。
(A)下記平均式(1)で示されるシリコーン樹脂
(OX)SiO(4−a−b−c―d)/2 (1)
(式中、Rは炭素数6〜12の1価芳香族炭化水素基であり、Rは炭素数1〜6の飽和炭化水素基であり、Rは炭素数2〜6のアルケニル基であり、Xは炭素数1〜6の一価炭化水素基、又は水素原子である。a、b、c及びdは、それぞれa≧0、b>0、c>0、及びd≧0であり、a+b+c+d=1〜2を満たす数である。ただし1分子中にアルケニル基を少なくとも2個有する。)
(B)下記平均式(2)で示されるシリコーン樹脂
(OX)SiO(4−e−f−g−h)/2 (2)
(式中、R、R及びXは前記R、R及びXと同様である。e、f、g及びhは、それぞれe≧0、f>0、g>0、及びh≧0であり、e+f+g+h=1〜2を満たす数である。ただし1分子中に、ケイ素原子に結合した水素原子を少なくとも2個有する。)
(C)ヒドロシリル化触媒
At least one of the base layer and the covering layer contains a silicone resin as an insulating resin, and contains the following components (A), (B), and (C): The anisotropic conductive film according to any one of claims 1 to 5, wherein
(A) Silicone resin represented by the following average formula (1) R 1 a R 2 b R 3 c (OX) d SiO (4-a-b-c-d) / 2 (1)
Wherein R 1 is a monovalent aromatic hydrocarbon group having 6 to 12 carbon atoms, R 2 is a saturated hydrocarbon group having 1 to 6 carbon atoms, and R 3 is an alkenyl group having 2 to 6 carbon atoms X is a monovalent hydrocarbon group having 1 to 6 carbon atoms or a hydrogen atom, and a, b, c and d are aa0, b> 0, c> 0 and dd0, respectively. And a + b + c + d = 1 to 2, provided that at least two alkenyl groups are contained in one molecule.
(B) Silicone resin represented by the following average formula (2) R 1 e R 2 f H g (OX) h SiO (4-e-f-g-h) / 2 (2)
(Wherein, R 1 , R 2 and X are the same as the aforementioned R 1 , R 2 and X. e, f, g and h are respectively e ≧ 0, f> 0, g> 0 and h ≧ 0, and e + f + g + h = 1 to 2, provided that at least two hydrogen atoms bonded to silicon atoms are contained in one molecule.
(C) Hydrosilylation catalyst
前記シリコーン樹脂が25℃で固体状であることを特徴とする請求項6に記載の異方性導電フィルム。   The anisotropic conductive film according to claim 6, wherein the silicone resin is solid at 25 ° C. 異方性導電フィルムの製造方法であって、
(1)剥離性基材の上に絶縁性樹脂を含む組成物をコーティングして基台層を形成する工程、
(2)導電性ナノ粒子分散液に電圧を印加し、静電気力によってノズルから前記導電性ナノ粒子分散液を前記基台層に塗布することによって、前記基台層の上に導電性ナノ粒子集合体であるバンプを1μm〜100μmの間隔で配列させる工程、及び
(3)前記バンプの表面を覆うように絶縁性樹脂を含む組成物をコーティングすることによって、前記基台層上に被覆層を形成する工程、
を含むことを特徴とする異方性導電フィルムの製造方法。
It is a manufacturing method of anisotropic conductive film, and
(1) A step of coating a composition containing an insulating resin on a peelable substrate to form a base layer,
(2) A conductive nanoparticle aggregate is applied onto the base layer by applying a voltage to the conductive nanoparticle dispersion and applying the conductive nanoparticle dispersion to the base layer from a nozzle by electrostatic force Forming a coating layer on the base layer by arranging the bumps in the body at intervals of 1 μm to 100 μm, and (3) coating a composition containing an insulating resin to cover the surface of the bumps The process to
A method of producing an anisotropic conductive film, comprising:
前記工程(1)と工程(2)の間に、前記基台層を硬化させる工程である(1)´工程を行うこと、及び/又は、前記工程(3)の後に前記被覆層を硬化させる工程である(3)´工程を行うことを特徴とする請求項8に記載の異方性導電フィルムの製造方法。   Between the step (1) and the step (2), performing the step (1) 'which is a step of curing the base layer, and / or curing the covering layer after the step (3) The method of producing an anisotropic conductive film according to claim 8, wherein the step (3) 'is performed.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2023199633A1 (en) * 2022-04-12 2023-10-19 デクセリアルズ株式会社 Metal particle aggregate, conductive film, connection structure, and production methods for same

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