JP2019054111A - Printed-wiring board and method for manufacturing printed-wiring board - Google Patents

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Abstract

To reduce or avoid generation of a crack and a fracture in a second metal post 52 with a small bottom diameter.SOLUTION: A printed-wiring board 10 comprises a base insulation layer 24, a conductor layer 26 formed on the base insulation layer 24 and including a plurality of conductor pads, and a coating insulation layer 40 formed on the base insulation layer 24 and the conductor layer 26. The coating insulation layer 40 is formed with a first opening 40a and a second opening 40b having a smaller diameter than the first opening 40a. The plurality of conductor pads include a first conductor pad 44 exposed from the first opening 40a and a second conductor pad 46 formed on the same plane as the first conductor pad 44 and exposed from the second opening 40b. The printed-wiring board 10 further includes an intermediate layer 50 formed on the first conductor pad 44, a first metal post 48 formed on the intermediate layer 50 and having a first bottom diameter R1, and a second metal post 52 directly formed on the second conductor pad 46 and having a second bottom diameter R2 smaller than the first bottom diameter R1.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明は、金属ポストを有するプリント配線板、および金属ポストを有するプリント配線板の製造方法に関する。   The present invention relates to a printed wiring board having a metal post and a method for manufacturing a printed wiring board having a metal post.

特許文献1は、表面に導体パッドが形成された基板本体と、該導体パッド上に形成された中間層と、基板本体上に配置されるとともに中間層に対応して開口が形成された被覆絶縁層と、中間層上に形成された金属ポストとを備えたパーケージ基板を開示している。金属ポストは中間層を介して導体パッドを電気的に接続されている。   Patent Document 1 discloses a substrate body having a conductor pad formed on the surface thereof, an intermediate layer formed on the conductor pad, and a covering insulation disposed on the substrate body and having an opening corresponding to the intermediate layer. A package substrate comprising a layer and a metal post formed on an intermediate layer is disclosed. The metal post is electrically connected to the conductor pad via the intermediate layer.

特開2000−323613号公報JP 2000-323613 A

しかしながら、上述した従来のパッケージ基板では、金属ポストと中間層とが異なる金属から形成されているため金属ポストと中間層との接合強度が弱く、金属ポストを小径に形成すると、金属ポストと中間層との境界部を起点にクラックが生じたり金属ポストが破断したりするという問題が考えられる。   However, in the conventional package substrate described above, since the metal post and the intermediate layer are formed of different metals, the bonding strength between the metal post and the intermediate layer is weak, and if the metal post is formed with a small diameter, the metal post and the intermediate layer There may be a problem that a crack occurs or a metal post breaks starting from the boundary part.

本発明に係るプリント配線板は、基部絶縁層と、前記基部絶縁層上に形成された、複数の導体パッドを含む導体層と、前記基部絶縁層上および前記導体層上に形成された被覆絶縁層と、を備え、前記被覆絶縁層には、第1の開口および該第1の開口よりも径が小さい第2の開口が形成され、前記複数の導体パッドには、前記第1の開口から露出する第1の導体パッドと、前記第1の導体パッドと同一面に形成され、前記第2の開口から露出する第2の導体パッドとが含まれ、前記第1の導体パッド上に形成された中間層と、前記中間層上に形成され、第1のボトム径を有する第1の金属ポストと、前記第2の導体パッド上に直接形成され、前記第1のボトム径よりも小さい第2のボトム径を有する第2の金属ポストと、を備える。   The printed wiring board according to the present invention includes a base insulating layer, a conductor layer including a plurality of conductor pads formed on the base insulating layer, and a covering insulation formed on the base insulating layer and the conductor layer. A first opening and a second opening having a smaller diameter than the first opening are formed in the covering insulating layer, and the plurality of conductor pads are formed from the first opening. An exposed first conductor pad and a second conductor pad formed on the same plane as the first conductor pad and exposed from the second opening are included, and are formed on the first conductor pad. An intermediate layer, a first metal post formed on the intermediate layer and having a first bottom diameter, and a second metal formed directly on the second conductor pad and smaller than the first bottom diameter. A second metal post having a bottom diameter of.

本発明に係るプリント配線板の製造方法は、基部絶縁層を形成することと、前記基部絶縁層上に、複数の導体パッドを含む導体層を形成することと、前記基部絶縁層上および前記導体層上に被覆絶縁層を形成することと、前記被覆絶縁層に第1の開口を形成して、前記導体層に含まれる第1の導体パッドを露出させることと、前記第1の導体パッド上に中間層を形成することと、前記被覆絶縁層に、前記第1の開口よりも径が小さい第2の開口を形成して、前記第1の導体パッドと同一面上に位置する、前記導体層に含まれる第2の導体パッドを露出させることと、前記中間層上に第1のボトム径を有する第1の金属ポストを形成するとともに、前記第2の導体パッド上に前記第1のボトム径よりも小さい第2のボトム径を有する第2の金属ポストを直接形成することと、を含む。   The printed wiring board manufacturing method according to the present invention includes forming a base insulating layer, forming a conductor layer including a plurality of conductor pads on the base insulating layer, and forming the conductor insulating layer on the base insulating layer and the conductor. Forming a covering insulating layer on the layer; forming a first opening in the covering insulating layer to expose the first conductor pad included in the conductor layer; and on the first conductor pad. Forming an intermediate layer on the cover insulating layer, and forming a second opening having a smaller diameter than the first opening in the covering insulating layer, the conductor being located on the same plane as the first conductor pad Exposing a second conductor pad included in the layer; forming a first metal post having a first bottom diameter on the intermediate layer; and forming the first bottom on the second conductor pad. Second metal having a second bottom diameter smaller than the diameter It includes forming a strike directly, the.

本発明の一実施形態のプリント配線板を説明するための断面図。Sectional drawing for demonstrating the printed wiring board of one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態のプリント配線板の製造方法を示す断面図。Sectional drawing which shows the manufacturing method of the printed wiring board of one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態のプリント配線板の製造方法を示す断面図。Sectional drawing which shows the manufacturing method of the printed wiring board of one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態のプリント配線板の製造方法を示す断面図。Sectional drawing which shows the manufacturing method of the printed wiring board of one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態のプリント配線板の製造方法を示す断面図。Sectional drawing which shows the manufacturing method of the printed wiring board of one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態のプリント配線板の製造方法を示す断面図。Sectional drawing which shows the manufacturing method of the printed wiring board of one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態のプリント配線板の製造方法を示す断面図。Sectional drawing which shows the manufacturing method of the printed wiring board of one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態のプリント配線板の製造方法を示す断面図。Sectional drawing which shows the manufacturing method of the printed wiring board of one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態のプリント配線板の製造方法を示す断面図。Sectional drawing which shows the manufacturing method of the printed wiring board of one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態のプリント配線板の製造方法を示す断面図。Sectional drawing which shows the manufacturing method of the printed wiring board of one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態のプリント配線板の製造方法を示す断面図。Sectional drawing which shows the manufacturing method of the printed wiring board of one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態のプリント配線板の製造方法を示す断面図。Sectional drawing which shows the manufacturing method of the printed wiring board of one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態のプリント配線板の製造方法を示す断面図。Sectional drawing which shows the manufacturing method of the printed wiring board of one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態のプリント配線板の製造方法を示す断面図。Sectional drawing which shows the manufacturing method of the printed wiring board of one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態のプリント配線板の製造方法を示す断面図。Sectional drawing which shows the manufacturing method of the printed wiring board of one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態のプリント配線板の製造方法を示す断面図。Sectional drawing which shows the manufacturing method of the printed wiring board of one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態のプリント配線板の製造方法を示す断面図。Sectional drawing which shows the manufacturing method of the printed wiring board of one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態のプリント配線板の製造方法を示す断面図。Sectional drawing which shows the manufacturing method of the printed wiring board of one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態のプリント配線板の製造方法を示す断面図。Sectional drawing which shows the manufacturing method of the printed wiring board of one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態のプリント配線板の製造方法を示す断面図。Sectional drawing which shows the manufacturing method of the printed wiring board of one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態のプリント配線板の製造方法を示す断面図。Sectional drawing which shows the manufacturing method of the printed wiring board of one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態のプリント配線板の製造方法を示す断面図。Sectional drawing which shows the manufacturing method of the printed wiring board of one Embodiment of this invention. 図1に示される実施形態のプリント配線板の変形例を説明するための断面図。Sectional drawing for demonstrating the modification of the printed wiring board of embodiment shown by FIG. 本発明の他の実施形態のプリント配線板を説明するための断面図。Sectional drawing for demonstrating the printed wiring board of other embodiment of this invention. 図4に示される実施形態のプリント配線板の変形例を説明するための断面図。Sectional drawing for demonstrating the modification of the printed wiring board of embodiment shown by FIG.

本発明のプリント配線板の一実施形態が、図面を参照して説明される。本実施形態のプリント配線板10は、図1に示されるように、コア基板12と、コア基板12の第1面側に設けられた第1ビルドアップ層14と、コア基板12の第1面とは反対側の第2面側に設けられた第2ビルドアップ層16とを備えている。コア基板12は、絶縁部材で構成される。コア基板12の第1面上には第1導体回路層18が形成されている。コア基板12の第2面上には第2導体回路層20が形成されている。第1導体回路層18と第2導体回路層20とは、コア基板12を貫通するスルーホール導体22によって電気的に接続されている。スルーホール導体22の内側には樹脂充填材23が充填されている。第1導体回路層18、第2導体回路層20およびスルーホール導体22は導電性金属、例えば銅で形成される。   An embodiment of a printed wiring board of the present invention will be described with reference to the drawings. As shown in FIG. 1, the printed wiring board 10 of the present embodiment includes a core substrate 12, a first buildup layer 14 provided on the first surface side of the core substrate 12, and a first surface of the core substrate 12. And a second buildup layer 16 provided on the second surface side opposite to. The core substrate 12 is made of an insulating member. A first conductor circuit layer 18 is formed on the first surface of the core substrate 12. A second conductor circuit layer 20 is formed on the second surface of the core substrate 12. The first conductor circuit layer 18 and the second conductor circuit layer 20 are electrically connected by a through-hole conductor 22 that penetrates the core substrate 12. A resin filler 23 is filled inside the through-hole conductor 22. The first conductor circuit layer 18, the second conductor circuit layer 20, and the through-hole conductor 22 are made of a conductive metal such as copper.

第1ビルドアップ層14は、交互に積層された少なくとも1層の第1樹脂絶縁層24および少なくとも1層の第1導体層26を有している。図示例では、6層の第1樹脂絶縁層24と6層の第1導体層26が設けられている。第1樹脂絶縁層24および第1導体層26の層数は図示例に限定されず、5層以下あるいは7層以上とすることができる。第1導体層26は、導電性金属、例えば銅で形成される。第1樹脂絶縁層24は、例えばシリカやアルミナ等の無機フィラーとエポキシ系樹脂とを含む樹脂組成物等で構成することができる。第1導体層26同士は第1ビア導体28を介して互いに電気的に接続されていてよい。第1ビア導体28は第1導体層26と同じ金属で形成され得る。   The first buildup layer 14 has at least one first resin insulating layer 24 and at least one first conductor layer 26 that are alternately stacked. In the illustrated example, six layers of first resin insulation layers 24 and six layers of first conductor layers 26 are provided. The number of layers of the first resin insulation layer 24 and the first conductor layer 26 is not limited to the illustrated example, and may be 5 layers or less or 7 layers or more. The first conductor layer 26 is made of a conductive metal such as copper. The 1st resin insulation layer 24 can be comprised with the resin composition etc. which contain inorganic fillers, such as a silica and an alumina, and an epoxy resin, for example. The first conductor layers 26 may be electrically connected to each other via a first via conductor 28. The first via conductor 28 may be formed of the same metal as the first conductor layer 26.

第1ビルドアップ層14内には、表面に微細な配線や導体パッド30が形成された埋込み基板32が埋め込まれている。埋込み基板32は、シリコンやガラス材料、有機材料で形成され得る。図示する一使用例において、埋込み基板32は、プリント配線板10の表面に互いに近接して実装され得る複数の半導体チップD1,D2同士を電気的に接続する。相互に電気的に接続される半導体チップD1,D2の一方D1は、例えば中央処理装置(CPU)やグラフィック処理装置(GPU)などのロジックチップとすることができる。他方の半導体チップD2は、例えばダイナミックアクセスメモリ(DRAM)やスタティックランダムアクセスメモリ(SRAM)、不揮発性メモリ(NVM)などのメモリチップとすることができる。埋込み基板32は、第1ビルドアップ層14の積層方向でみて、相互に電気的に接続される複数の半導体チップD1,D2と部分的にオーバーラップする位置に配置されている。   Embedded in the first buildup layer 14 is an embedded substrate 32 having fine wiring and conductor pads 30 formed on the surface. The embedded substrate 32 can be formed of silicon, glass material, or organic material. In one example of use shown in the figure, the embedded substrate 32 electrically connects a plurality of semiconductor chips D1 and D2 that can be mounted close to each other on the surface of the printed wiring board 10. One of the semiconductor chips D1 and D2 electrically connected to each other can be a logic chip such as a central processing unit (CPU) or a graphic processing unit (GPU). The other semiconductor chip D2 can be a memory chip such as a dynamic access memory (DRAM), a static random access memory (SRAM), and a nonvolatile memory (NVM). The embedded substrate 32 is disposed at a position partially overlapping with the plurality of semiconductor chips D1 and D2 that are electrically connected to each other when viewed in the stacking direction of the first buildup layer 14.

第2ビルドアップ層16は、交互に積層された少なくとも1層の第2樹脂絶縁層34および少なくとも1層の第2導体層36を有している。図示例では、6層の第2樹脂絶縁層34と6層の第2導体層36が設けられている。第2樹脂絶縁層34および第2導体層36の層数は図示例に限定されず、5層以下あるいは7層以上とすることができる。第2導体層36は、導電性金属、例えば銅で形成される。第2樹脂絶縁層34は、例えばシリカやアルミナ等の無機フィラーとエポキシ系樹脂とを含む樹脂組成物からなる。第2導体層36同士は第2ビア導体38を介して互いに電気的に接続されていてよい。第2ビア導体38は第2導体層36と同じ金属で形成され得る。   The second buildup layer 16 has at least one second resin insulation layer 34 and at least one second conductor layer 36 that are alternately stacked. In the illustrated example, six second resin insulation layers 34 and six second conductor layers 36 are provided. The number of layers of the second resin insulation layer 34 and the second conductor layer 36 is not limited to the illustrated example, and may be 5 layers or less or 7 layers or more. The second conductor layer 36 is made of a conductive metal such as copper. The 2nd resin insulation layer 34 consists of a resin composition containing inorganic fillers, such as a silica and an alumina, and an epoxy resin, for example. The second conductor layers 36 may be electrically connected to each other through a second via conductor 38. The second via conductor 38 may be formed of the same metal as the second conductor layer 36.

プリント配線板10は、複数の第1樹脂絶縁層24のうちコア基板12から最も遠くに位置する、基部絶縁層としての第1樹脂絶縁層(以下、「第1最外樹脂絶縁層」という。)24と、複数の第1導体層26のうちコア基板12から最も遠い第1導体層(以下、「第1最外導体層」という。)26の上に、被覆絶縁層としての第1被覆絶縁層(ソルダーレジスト層)40を備えている。プリント配線板10は、複数の第2樹脂絶縁層34のうちコア基板12から最も遠い第2樹脂絶縁層(以下、「第2最外樹脂絶縁層」という。)34と、複数の第2導体層36のうちコア基板12から最も遠い第2導体層(以下、「第2最外導体層」という。)36の上に第2被覆絶縁層(ソルダーレジスト層)42を備えている。   The printed wiring board 10 is a first resin insulating layer (hereinafter referred to as a “first outermost resin insulating layer”) as a base insulating layer located farthest from the core substrate 12 among the plurality of first resin insulating layers 24. ) 24 and a first coating as a coating insulating layer on the first conductor layer 26 (hereinafter referred to as “first outermost conductor layer”) farthest from the core substrate 12 among the plurality of first conductor layers 26. An insulating layer (solder resist layer) 40 is provided. The printed wiring board 10 includes a plurality of second resin insulation layers 34, a second resin insulation layer furthest from the core substrate 12 (hereinafter referred to as “second outermost resin insulation layer”) 34, and a plurality of second conductors. A second covering insulating layer (solder resist layer) 42 is provided on a second conductor layer (hereinafter referred to as “second outermost conductor layer”) 36 farthest from the core substrate 12 among the layers 36.

第1被覆絶縁層40には、第1最外導体層26の一部を第1の導体パッド44として露出させる第1の開口40aと、第1の開口40aよりも径が小さく第1最外導体層26の他の一部を第2の導体パッド46として露出させる第2の開口40bが形成されている。第2の開口40bは、埋込み基板32に対応する位置に形成されている。   The first covering insulating layer 40 includes a first opening 40a that exposes a part of the first outermost conductor layer 26 as a first conductor pad 44, and a first outermost diameter that is smaller than the first opening 40a. A second opening 40 b that exposes another part of the conductor layer 26 as the second conductor pad 46 is formed. The second opening 40 b is formed at a position corresponding to the embedded substrate 32.

第1の開口40aから露出する第1の導体パッド44上には、第1のボトム径R1を有する第1の金属ポスト48が中間層50を介して形成されている。第1の金属ポスト48は、第1の導体パッド44と同種または同一の金属からなり、例えば銅で形成される。図示例において、第1の金属ポスト48のピッチは、半導体チップD1,D2に設けられた比較的大径のバンプのピッチと一致する。第1の金属ポスト48は、半導体チップD1,D2の比較的大径のバンプと第1の導体パッド44とを中間層50を介して電気的に接続する。   A first metal post 48 having a first bottom diameter R1 is formed on the first conductor pad 44 exposed from the first opening 40a with an intermediate layer 50 interposed therebetween. The first metal post 48 is made of the same or the same metal as the first conductor pad 44 and is made of, for example, copper. In the illustrated example, the pitch of the first metal posts 48 matches the pitch of the relatively large-diameter bumps provided on the semiconductor chips D1 and D2. The first metal post 48 electrically connects the relatively large-diameter bumps of the semiconductor chips D <b> 1 and D <b> 2 and the first conductor pad 44 via the intermediate layer 50.

第1の金属ポスト48は第1の導体パッド44上に形成された中間層50を介して第1の導体パッド44と電気的に接続されている。中間層50は、第1の導体パッド44とは異なる金属からなる。中間層50は、ニッケルめっき層を含んでいてよい。このニッケルめっき層は無電解ニッケルめっき層であってよい。中間層50は、例えばニッケル層、パラジウム層、金層の順に積層されたNi/Pd/Auめっき層とすることができる。このNi/Pd/Auめっき層は、無電解Ni/Pd/Auめっき層とすることができる。   The first metal post 48 is electrically connected to the first conductor pad 44 through an intermediate layer 50 formed on the first conductor pad 44. The intermediate layer 50 is made of a metal different from that of the first conductor pad 44. The intermediate layer 50 may include a nickel plating layer. This nickel plating layer may be an electroless nickel plating layer. The intermediate layer 50 can be, for example, a Ni / Pd / Au plating layer in which a nickel layer, a palladium layer, and a gold layer are stacked in this order. This Ni / Pd / Au plating layer can be an electroless Ni / Pd / Au plating layer.

第2の開口40bから露出する第2の導体パッド46上には、第1のボトム径R1よりも小さい第2のボトム径R2を有する第2の金属ポスト52が上述の中間層50を介さず直接形成されている。第2の金属ポスト52は、第2の導体パッド46と同種または同一の金属からなり、例えば銅で形成される。図示例において、第2の金属ポスト52のピッチは、半導体チップD1,D2に設けられた比較的小径のバンプのピッチと一致する。第2の金属ポスト52は、半導体チップD1,D2の比較的小径のバンプと第2の導体パッド46とを直接かつ電気的に接続する。   On the second conductor pad 46 exposed from the second opening 40b, the second metal post 52 having the second bottom diameter R2 smaller than the first bottom diameter R1 does not pass through the intermediate layer 50 described above. Directly formed. The second metal post 52 is made of the same or the same metal as the second conductor pad 46 and is made of, for example, copper. In the illustrated example, the pitch of the second metal posts 52 matches the pitch of the relatively small-diameter bumps provided on the semiconductor chips D1 and D2. The second metal post 52 directly and electrically connects the relatively small-diameter bumps of the semiconductor chips D1 and D2 and the second conductor pads 46.

第1のボトム径R1に対する第2のボトム径R2の比は、0.2以上0.9以下とすることができる。第1の金属ポスト48の頂面は中央部が外周部よりも低い凹面形状を有することが好ましい。第2の金属ポスト52の頂面は中央部が外周部よりも高い凸面形状を有することが好ましい。第1の金属ポスト48および第2の金属ポスト52は、第1被覆絶縁層40の表面から突出する高さを有している。第1の金属ポスト48の高さ(第1被覆絶縁層40の表面からの高さ)と第2の金属ポスト52の高さ(第1被覆絶縁層40の表面からの高さ)は略同じであることが好ましい。   The ratio of the second bottom diameter R2 to the first bottom diameter R1 can be 0.2 or more and 0.9 or less. The top surface of the first metal post 48 preferably has a concave shape whose central portion is lower than the outer peripheral portion. The top surface of the second metal post 52 preferably has a convex shape in which the central portion is higher than the outer peripheral portion. The first metal post 48 and the second metal post 52 have a height protruding from the surface of the first covering insulating layer 40. The height of the first metal post 48 (height from the surface of the first covering insulating layer 40) and the height of the second metal post 52 (height from the surface of the first covering insulating layer 40) are substantially the same. It is preferable that

第2被覆絶縁層42には、第2最外導体層36の一部を第3の導体パッド54として露出させる複数の第3の開口56が形成されている。第3の導体パッド54の表面は、中間層50と同じ材料からなる被覆金属層58が形成されている。   The second covering insulating layer 42 is formed with a plurality of third openings 56 that exposes a part of the second outermost conductor layer 36 as third conductor pads 54. A covering metal layer 58 made of the same material as that of the intermediate layer 50 is formed on the surface of the third conductor pad 54.

本実施形態のプリント配線板10によれば、第1の金属ポスト48よりもボトム径の小さい第2の金属ポスト52は、中間層50を介さず第2の導体パッド46上に直接形成されている。したがって、ボトム径の小さい第2の金属ポスト52においてクラックや破断の発生を低減もしくは回避することができる。特に、第2の金属ポスト52と第2の導体パッド46が同種または同一の金属で構成される場合には、第2の金属ポスト52および第2の導体パッド46間で良好な接合強度が得られるので、上述したようなクラックや破断の発生をより一層低減もしくは回避することができる。   According to the printed wiring board 10 of the present embodiment, the second metal post 52 having a bottom diameter smaller than that of the first metal post 48 is directly formed on the second conductor pad 46 without the intermediate layer 50 interposed therebetween. Yes. Therefore, the occurrence of cracks and breaks in the second metal post 52 having a small bottom diameter can be reduced or avoided. In particular, when the second metal post 52 and the second conductor pad 46 are made of the same or the same metal, good bonding strength can be obtained between the second metal post 52 and the second conductor pad 46. Therefore, the occurrence of cracks and breaks as described above can be further reduced or avoided.

図1に示されるプリント配線板10の製造方法の一実施形態が、図2A〜図2Uを参照して具体例により説明される。   An embodiment of a method for manufacturing the printed wiring board 10 shown in FIG. 1 will be described with reference to FIGS. 2A to 2U.

図2Aに示されるように、基板60が準備される。基板60としては特に限定されず、例えば、ガラスエポキシ基板、ビスマレイミド−トリアジン(BT)樹脂基板、銅張積層板、銅箔付き絶縁体シート(RCC)などの樹脂基板や窒化アルミニウム基板などのセラミック基板、シリコン基板などが挙げられる。図2Aでは、基板60として、絶縁基板本体60Aの両面に銅箔62を積層した両面銅張積層板を示している。   As shown in FIG. 2A, a substrate 60 is prepared. The substrate 60 is not particularly limited. For example, a glass epoxy substrate, a bismaleimide-triazine (BT) resin substrate, a copper clad laminate, an insulating sheet with copper foil (RCC), or a ceramic such as an aluminum nitride substrate. A substrate, a silicon substrate, etc. are mentioned. 2A shows a double-sided copper-clad laminate in which copper foils 62 are laminated on both sides of an insulating substrate body 60A as the substrate 60. FIG.

図2Bに示されるように、ドリルを用い基板60を貫通する複数のスルーホール61が形成される。スルーホール61はレーザを用いて形成することができる。   As shown in FIG. 2B, a plurality of through holes 61 penetrating the substrate 60 are formed using a drill. The through hole 61 can be formed using a laser.

その後、無電解めっき処理および電解めっき処理が行われ、スルーホール61の側壁にスルーホール導体22が形成される。同時に銅箔62の表面上に無電解めっき層と電解めっき層とからなる導電膜63が形成される。実施形態では、スルーホール61が金属で充填されておらず、実施形態のプリント配線板10はスルーホール導体22の内側にスルーホール導体内貫通孔22aを有している。   Thereafter, an electroless plating process and an electrolytic plating process are performed, and the through-hole conductor 22 is formed on the side wall of the through-hole 61. At the same time, a conductive film 63 composed of an electroless plating layer and an electrolytic plating layer is formed on the surface of the copper foil 62. In the embodiment, the through hole 61 is not filled with a metal, and the printed wiring board 10 of the embodiment has a through hole conductor through hole 22 a inside the through hole conductor 22.

スルーホール導体22の表面に粗化面が形成される(図示せず)。   A roughened surface is formed on the surface of the through-hole conductor 22 (not shown).

図2Cに示されるように、平均粒径が例えば3μm〜5μmのガラス等の無機粒子を含む樹脂充填材23がスルーホール導体内貫通孔22aに充填され、乾燥、硬化される。   As shown in FIG. 2C, a resin filler 23 containing inorganic particles such as glass having an average particle diameter of, for example, 3 μm to 5 μm is filled in the through-hole conductor through-hole 22a, and dried and cured.

その後、基板60の表面に、パラジウム触媒が付与され、無電解銅めっきが施されることにより、無電解銅めっき膜が形成される。そして、電解銅めっきが施され、電解銅めっき膜が形成される。これにより、無電解銅めっき膜と電解銅めっき膜とからなるめっき膜64が導電膜63上に形成される。同時に、めっき膜64は、スルーホース導体22と樹脂充填材23を覆う。   Thereafter, a palladium catalyst is applied to the surface of the substrate 60 and electroless copper plating is performed, whereby an electroless copper plating film is formed. And electrolytic copper plating is given and an electrolytic copper plating film is formed. Thereby, a plating film 64 composed of an electroless copper plating film and an electrolytic copper plating film is formed on the conductive film 63. At the same time, the plating film 64 covers the through hose conductor 22 and the resin filler 23.

めっき膜64を有する基板60の表面に、市販のドライフィルムが張り付けられる。その後、フォトリソにより、めっき膜64上にエッチングレジスト(図示せず)が形成される。そして、エッチングレジストから露出するめっき膜64、導電膜63、銅箔62が、エッチング液により溶解、除去される。エッチングレジストはその後除去される。第1導体回路層18および第2導体回路層20が形成される。そして、第1導体回路層18および第2導体回路層20の表面が粗化され、粗化面が形成される(図示せず)。コア基板12が完成する。スルーホール61は金属で充填されていてもよい。   A commercially available dry film is attached to the surface of the substrate 60 having the plating film 64. Thereafter, an etching resist (not shown) is formed on the plating film 64 by photolithography. Then, the plating film 64, the conductive film 63, and the copper foil 62 exposed from the etching resist are dissolved and removed by the etching solution. The etching resist is then removed. A first conductor circuit layer 18 and a second conductor circuit layer 20 are formed. And the surface of the 1st conductor circuit layer 18 and the 2nd conductor circuit layer 20 is roughened, and a roughened surface is formed (not shown). The core substrate 12 is completed. The through hole 61 may be filled with metal.

図2Fに示されるように、コア基板12の第1導体回路層18上に、第1樹脂絶縁層24として、例えば、シリカやアルミナ等の無機フィラーとエポキシ系樹脂とを含むビルドアップ用絶縁樹脂フィルム65が積層されるとともに、コア基板12の第2導体回路層20上に、第2樹脂絶縁層34として、同様のビルドアップ用絶縁樹脂フィルム65が積層される。その際、第1導体回路層18内の回路部分間および第2導体回路層20内の回路部分間は絶縁樹脂フィルム65で埋められる。絶縁樹脂フィルム65は、熱硬化される。コア基板12の第1面側に第1樹脂絶縁層24が形成されるとともに、コア基板12の第2面側に第2樹脂絶縁層34が形成される。   As shown in FIG. 2F, a build-up insulating resin including an inorganic filler such as silica or alumina and an epoxy resin as the first resin insulating layer 24 on the first conductor circuit layer 18 of the core substrate 12. The film 65 is laminated, and the same build-up insulating resin film 65 is laminated as the second resin insulating layer 34 on the second conductor circuit layer 20 of the core substrate 12. At that time, the portion between the circuit portions in the first conductor circuit layer 18 and the portion between the circuit portions in the second conductor circuit layer 20 are filled with the insulating resin film 65. The insulating resin film 65 is thermoset. The first resin insulation layer 24 is formed on the first surface side of the core substrate 12, and the second resin insulation layer 34 is formed on the second surface side of the core substrate 12.

図2Gに示されるように、コア基板12の表裏の両側の第1樹脂絶縁層24および第2樹脂絶縁層34に炭酸ガスレーザまたはUV−YAGレーザ等が照射されて、複数のビアホール66が形成される。   As shown in FIG. 2G, the first resin insulation layer 24 and the second resin insulation layer 34 on both sides of the core substrate 12 are irradiated with a carbon dioxide laser, a UV-YAG laser, or the like to form a plurality of via holes 66. The

無電解銅めっき処理等の無電解めっき処理が行われ、コア基板12の表裏の両側の樹脂絶縁層24,34上と、ビアホール66内とに無電解めっき膜(図示ぜず)が形成される。   An electroless plating process such as an electroless copper plating process is performed, and an electroless plating film (not shown) is formed on the resin insulation layers 24 and 34 on both sides of the core substrate 12 and in the via hole 66. .

図2Hに示されるように、コア基板12の表裏の両側の樹脂絶縁層24,34上の無電解めっき膜上に、所定パターンのめっきレジスト67が形成される。   As shown in FIG. 2H, a plating resist 67 having a predetermined pattern is formed on the electroless plating films on the resin insulating layers 24 and 34 on both sides of the core substrate 12.

図2Iに示されるように、電解めっき処理が行われ、めっきがビアホール66内に充填されて第1ビア導体28および第2ビア導体38が形成される。また、コア基板12の表裏の両側の樹脂絶縁層24,34上の無電解めっき膜(図示せず)のうちめっきレジスト67から露出している部分に電解めっき膜69が形成される。   As shown in FIG. 2I, an electrolytic plating process is performed, and the plating is filled in the via hole 66 to form the first via conductor 28 and the second via conductor 38. In addition, an electrolytic plating film 69 is formed on portions exposed from the plating resist 67 in the electroless plating films (not shown) on the resin insulating layers 24 and 34 on both sides of the core substrate 12.

図2Jに示されるように、めっきレジスト67が剥離されるとともに、めっきレジストの下方の無電解めっき膜(図示せず)が除去され、残された電解めっき膜69および無電解めっき膜により、第1樹脂絶縁層24上に第1導体層26が形成されるとともに、第2樹脂絶縁層34上に第2導体層36が形成される。   As shown in FIG. 2J, the plating resist 67 is peeled off, the electroless plating film (not shown) below the plating resist is removed, and the remaining electrolytic plating film 69 and electroless plating film are used to A first conductor layer 26 is formed on the first resin insulation layer 24, and a second conductor layer 36 is formed on the second resin insulation layer 34.

図2F〜図2Jの工程を繰り返し行うことで、図2Kに示されるように、5層の第1樹脂絶縁層24と5層の第1導体層26とが交互に積層されるとともに、5層の第2樹脂絶縁層34と5層の第2導体層36とが交互に積層された状態になる。5層の第1樹脂絶縁層24のうちコア基板12から最も遠くに位置する第1樹脂絶縁層24には、図2Gを参照して説明したビアホール66よりも大きな埋込み基板用穴71が、例えば炭酸ガスレーザまたはUV−YAGレーザ等により形成される。埋込み基板用穴71の底面には、第1導体層26の一部である平面状の導体パターンが露出する。   By repeating the steps of FIGS. 2F to 2J, as shown in FIG. 2K, five first resin insulation layers 24 and five first conductor layers 26 are alternately stacked and five layers. The second resin insulation layers 34 and the five second conductor layers 36 are alternately laminated. Of the five first resin insulation layers 24, the first resin insulation layer 24 located farthest from the core substrate 12 has a buried substrate hole 71 larger than the via hole 66 described with reference to FIG. It is formed by a carbon dioxide laser or a UV-YAG laser. A planar conductor pattern which is a part of the first conductor layer 26 is exposed on the bottom surface of the embedded substrate hole 71.

図2Lに示されるように、5層の第1樹脂絶縁層24のうちコア基板12から最も遠くに位置する第1樹脂絶縁層24に形成された埋込み基板用穴71内に、予め準備した埋込み基板32が配置される。埋込み基板32には、微細な配線や導体パッド30が形成されている。   As shown in FIG. 2L, a buried substrate prepared in advance is embedded in a buried substrate hole 71 formed in the first resin insulating layer 24 located farthest from the core substrate 12 among the five first resin insulating layers 24. A substrate 32 is disposed. On the embedded substrate 32, fine wirings and conductor pads 30 are formed.

図2Mに示されるように、5層の第1導体層26のうちコア基板12から最も遠くに位置する第1導体層26上に、第1最外樹脂絶縁層24として、例えば、シリカやアルミナ等の無機フィラーとエポキシ系樹脂とを含むビルドアップ用絶縁樹脂フィルム65が積層されるとともに、5層の第2導体層36のうちコア基板12から最も遠くに位置する第2導体層36上に、第2最外樹脂絶縁層34として、同様のビルドアップ用絶縁樹脂フィルム65が積層され、そして加熱プレスされる。その際、第1導体回路層18内の回路部分間、第2導体回路層20内の回路部分間、埋込み基板用穴71と埋込み基板32との隙間、および埋込み基板32の導体パッド30間は、絶縁樹脂フィルム65で埋められる。   As shown in FIG. 2M, on the first conductor layer 26 located farthest from the core substrate 12 among the five first conductor layers 26, as the first outermost resin insulation layer 24, for example, silica or alumina. A build-up insulating resin film 65 containing an inorganic filler such as an epoxy resin is laminated on the second conductor layer 36 farthest from the core substrate 12 among the five second conductor layers 36. The same build-up insulating resin film 65 is laminated as the second outermost resin insulating layer 34, and is heated and pressed. At that time, between the circuit portion in the first conductor circuit layer 18, between the circuit portion in the second conductor circuit layer 20, the gap between the embedded substrate hole 71 and the embedded substrate 32, and between the conductor pads 30 of the embedded substrate 32. And filled with an insulating resin film 65.

図2G〜図2Jで説明した工程と同様にして、図2Nに示されるように、コア基板12側から5層目の第1導体層26上に、第1ビア導体28と、第1最外導体層26としての第1導体層26とが形成されるとともに、コア基板12側から5層目の第2導体層36上に、第2ビア導体38と、第2最外導体層36としての第2導体層36とが形成される。   2G to 2J, as shown in FIG. 2N, the first via conductor 28 and the first outermost conductor are formed on the first conductor layer 26 that is the fifth layer from the core substrate 12 side. The first conductor layer 26 as the conductor layer 26 is formed, and the second via conductor 38 and the second outermost conductor layer 36 are formed on the second conductor layer 36 that is the fifth layer from the core substrate 12 side. A second conductor layer 36 is formed.

図2Oに示されるように、基部絶縁層としての第1最外樹脂絶縁層24上および第1最外導体層26上に第1被覆絶縁層40が積層される。第2最外樹脂絶縁層34および第2最外導体層36上に第2被覆絶縁層42が積層される。   As shown in FIG. 2O, the first covering insulating layer 40 is laminated on the first outermost resin insulating layer 24 and the first outermost conductor layer 26 as the base insulating layer. A second covering insulating layer 42 is laminated on the second outermost resin insulating layer 34 and the second outermost conductor layer 36.

図2Pに示されるように、第1被覆絶縁層40に、露光・現像により、第1最外導体層26の一部を第1の導体パッド44として露出させる第1の開口40aが形成される。また、第2被覆絶縁層42に、露光・現像により、第2最外導体層36の一部を第3の導体パッド54として露出させる第3の開口56が形成される。   As shown in FIG. 2P, a first opening 40a that exposes a part of the first outermost conductor layer 26 as a first conductor pad 44 is formed in the first covering insulating layer 40 by exposure and development. . Further, a third opening 56 that exposes a part of the second outermost conductor layer 36 as a third conductor pad 54 is formed in the second covering insulating layer 42 by exposure and development.

図2Qに示されるように、第1被覆絶縁層40の第1の開口40aから露出する第1の導体パッド44上に、例えば、ニッケル層、パラジウム層、金層の順に積層されて中間層50が形成されるとともに、第2被覆絶縁層42の第3の開口56から露出する第3の導体パッド54上に、中間層50と同じ材料からなる被覆金属層58が形成される。中間層50と被覆金属層58は、同時に形成することができる。   As shown in FIG. 2Q, for example, a nickel layer, a palladium layer, and a gold layer are stacked in this order on the first conductor pad 44 exposed from the first opening 40a of the first covering insulating layer 40, and the intermediate layer 50 is stacked. And a covering metal layer 58 made of the same material as the intermediate layer 50 is formed on the third conductor pad 54 exposed from the third opening 56 of the second covering insulating layer 42. The intermediate layer 50 and the covering metal layer 58 can be formed simultaneously.

図2Rに示されるように、第1被覆絶縁層40に、例えば炭酸ガスレーザまたはUV−YAGレーザ等が照射され、第1の開口40aよりも径が小さく第1最外導体層26の一部を第2の導体パッド46として露出させる第2の開口40bが形成される。   As shown in FIG. 2R, the first covering insulating layer 40 is irradiated with, for example, a carbon dioxide laser or a UV-YAG laser, so that a part of the first outermost conductor layer 26 is smaller in diameter than the first opening 40a. A second opening 40b exposed as the second conductor pad 46 is formed.

無電解銅めっき処理等の無電解めっき処理が行われ、第1被覆絶縁層40上と、第1の開口40a内と、第2の開口40b内に無電解めっき膜(図示ぜず)が形成される。   An electroless plating process such as an electroless copper plating process is performed, and an electroless plating film (not shown) is formed on the first covering insulating layer 40, in the first opening 40a, and in the second opening 40b. Is done.

図2Sに示されるように、第1被覆絶縁層40上の無電解めっき膜上に、所定パターンのめっきレジスト73が形成されるとともに、第2被覆絶縁層42の全面上にめっきレジスト74が形成される。   As shown in FIG. 2S, a predetermined pattern of plating resist 73 is formed on the electroless plating film on the first covering insulating layer 40, and a plating resist 74 is formed on the entire surface of the second covering insulating layer 42. Is done.

図2Tに示されるように、電解めっき処理、例えば電解銅めっき処理が行われ、めっきが第1の開口40a内に充填されて、第1最外導体層26の第1の導体パッド44上に中間層50を介して第1の金属ポスト48が形成されるとともに、めっきが第2の開口40b内に充填されて、第1最外導体層26の第2の導体パッド46上に第2の金属ポスト52が直接形成される。第1の金属ポスト48は第1のボトム径R1を有し、第2のポストは、第1のボトム径R1よりも小さな第2のボトム径R2を有する(図1参照)。第1のボトム径R1に対する第2のボトム径R2の比は、0.2以上0.9以下とすることができる。第1の金属ポスト48の頂面は中央部が外周部よりも低い凹面形状を有するよう形成することが好ましい。一方で、第2の金属ポスト52の頂面は中央部が外周部よりも高い凸面形状を有するよう形成することが好ましい。第1および第2の金属ポスト52はともに、第1被覆絶縁層40の表面から突出する高さを有することが好ましい。第1の金属ポスト48の高さ(第1被覆絶縁層40の表面からの高さ)と第2の金属ポスト52の高さ(第1被覆絶縁層40の表面からの高さ)とが略同じとなるよう形成することが好ましい。   As shown in FIG. 2T, an electrolytic plating process, for example, an electrolytic copper plating process is performed, and the plating is filled in the first opening 40a, so that the first outermost conductor layer 26 has a first conductor pad 44 on it. A first metal post 48 is formed through the intermediate layer 50, and plating is filled into the second opening 40b, and the second metal pad 48 is formed on the second conductor pad 46 of the first outermost conductor layer 26. Metal posts 52 are formed directly. The first metal post 48 has a first bottom diameter R1, and the second post has a second bottom diameter R2 that is smaller than the first bottom diameter R1 (see FIG. 1). The ratio of the second bottom diameter R2 to the first bottom diameter R1 can be 0.2 or more and 0.9 or less. The top surface of the first metal post 48 is preferably formed so that the central portion has a concave shape lower than the outer peripheral portion. On the other hand, the top surface of the second metal post 52 is preferably formed so that the central portion has a convex shape higher than the outer peripheral portion. Both the first and second metal posts 52 preferably have a height that protrudes from the surface of the first covering insulating layer 40. The height of the first metal post 48 (height from the surface of the first covering insulating layer 40) and the height of the second metal post 52 (height from the surface of the first covering insulating layer 40) are approximately. It is preferable to form the same.

図2Uに示されるように、めっきレジスト73,74が剥離されるとともに、めっきレジスト73,74の下方の無電解めっき膜(図示せず)が除去される。以上で、プリント配線板10が完成する。   As shown in FIG. 2U, the plating resists 73 and 74 are peeled off, and the electroless plating film (not shown) below the plating resists 73 and 74 is removed. Thus, the printed wiring board 10 is completed.

本実施形態のプリント配線板10の製造方法によれば、ボトム径の小さい第2の金属ポスト52においてクラックや破断の発生を低減もしくは回避することができるプリント配線板10を容易に製造することができる。特に、第2の金属ポスト52と第2の導体パッド46が同種または同一の金属で構成される場合には、第2の金属ポスト52および第2の導体パッド46間で良好な接合強度が得られるので、上述したようなクラックや破断の発生をより一層低減もしくは回避することができる。   According to the method for manufacturing the printed wiring board 10 of the present embodiment, it is possible to easily manufacture the printed wiring board 10 that can reduce or avoid the occurrence of cracks and breaks in the second metal post 52 having a small bottom diameter. it can. In particular, when the second metal post 52 and the second conductor pad 46 are made of the same or the same metal, good bonding strength can be obtained between the second metal post 52 and the second conductor pad 46. Therefore, the occurrence of cracks and breaks as described above can be further reduced or avoided.

図3を参照して、図1に示したプリント配線板10の変形例を説明する。   A modification of the printed wiring board 10 shown in FIG. 1 will be described with reference to FIG.

図1に示したプリント配線板10では、第2の金属ポスト52は、第1最外導体層26の第2の導体パッド46上に形成されていたが、図3に示される変形例のプリント配線板10では、第2の金属ポスト52は、埋込み基板32上の導体パッド30に直接形成されている。埋込み基板32上の導体パッド30は、第1最外導体層26の第1の導体パッド44と同一面上にあるので、ここでは本発明における「第2の導体パッド」に相当する。プリント配線板10のその他の構成は、図1に示したプリント配線板10と同じであるので、詳細な説明は省略する。また、プリント配線板10は、図2A〜図2Uを参照して説明した製造方法と同様の方法により製造することができる。   In the printed wiring board 10 shown in FIG. 1, the second metal post 52 is formed on the second conductor pad 46 of the first outermost conductor layer 26, but the modified example shown in FIG. 3 is printed. In the wiring board 10, the second metal post 52 is directly formed on the conductor pad 30 on the embedded substrate 32. Since the conductor pads 30 on the embedded substrate 32 are on the same plane as the first conductor pads 44 of the first outermost conductor layer 26, they correspond to the “second conductor pads” in the present invention. Since the other structure of the printed wiring board 10 is the same as the printed wiring board 10 shown in FIG. 1, detailed description is abbreviate | omitted. The printed wiring board 10 can be manufactured by a method similar to the manufacturing method described with reference to FIGS. 2A to 2U.

この変形例に係るプリント配線板10によれば、図1に示したプリント配線板10と同様に、第1の金属ポスト48よりもボトム径の小さい第2の金属ポスト52は、中間層50を介さず埋込み基板32の第2の導体パッド30上に直接形成されている。したがって、ボトム径の小さい第2の金属ポスト52においてクラックや破断の発生を低減もしくは回避することができる。特に、第2の金属ポスト52と埋込み基板32上の第2の導体パッド30が同種または同一の金属で構成される場合には、第2の金属ポスト52および第2の導体パッド46間で良好な接合強度が得られるので、上述したようなクラックや破断の発生をより一層低減もしくは回避することができる。   According to the printed wiring board 10 according to this modification, the second metal post 52 having a bottom diameter smaller than that of the first metal post 48 includes the intermediate layer 50 as in the printed wiring board 10 shown in FIG. It is directly formed on the second conductor pad 30 of the embedded substrate 32 without intervention. Therefore, the occurrence of cracks and breaks in the second metal post 52 having a small bottom diameter can be reduced or avoided. In particular, when the second metal post 52 and the second conductor pad 30 on the embedded substrate 32 are made of the same or the same metal, the second metal post 52 and the second conductor pad 46 are good. Therefore, the occurrence of cracks and breaks as described above can be further reduced or avoided.

図4を参照して、本発明の他の実施形態のプリント配線板80について説明する。   With reference to FIG. 4, the printed wiring board 80 of other embodiment of this invention is demonstrated.

図4に示されるプリント配線板80は、コア基板を有さないコアレス構造のプリント配線板である。プリント配線板80は、複数の導体層82と該導体層82間に配置された層間樹脂絶縁層84とを備える。図示例では、3層の導体層82と、導体層82間に配置された2層の層間樹脂絶縁層84とを備えているが、導体層82および層間樹脂絶縁層84の数はこれに限定されない。導体層82は、銅などの金属から形成することができる。層間樹脂絶縁層84は、例えばシリカやアルミナ等の無機フィラーとエポキシ系樹脂とを含む樹脂組成物から形成することができる。   The printed wiring board 80 shown in FIG. 4 is a printed wiring board having a coreless structure that does not have a core substrate. The printed wiring board 80 includes a plurality of conductor layers 82 and an interlayer resin insulation layer 84 disposed between the conductor layers 82. In the illustrated example, three conductor layers 82 and two interlayer resin insulation layers 84 disposed between the conductor layers 82 are provided, but the number of conductor layers 82 and interlayer resin insulation layers 84 is limited to this. Not. The conductor layer 82 can be formed from a metal such as copper. The interlayer resin insulation layer 84 can be formed from a resin composition containing an inorganic filler such as silica or alumina and an epoxy resin, for example.

導体層82はビア導体86を介して互いに接続されていてよい。ビア導体86は導体層82と同じ金属で形成され得る。   The conductor layers 82 may be connected to each other via via conductors 86. Via conductor 86 may be formed of the same metal as conductor layer 82.

層間樹脂絶縁層84内には、表面に微細な配線や導体パッドが形成された埋込み基板88が埋め込まれている。埋込み基板88は、シリコンやガラス材料、有機材料で形成され得る。図示例において、埋込み基板88は、プリント配線板80の表面に互いに近接して実装され得る複数の半導体チップD1,D2同士を電気的に接続する。相互に電気的に接続される半導体チップD1,D2の一方D1は、例えば中央処理装置(CPU)やグラフィック処理装置(GPU)などのロジックチップとすることができる。他方の半導体チップD2は、例えばダイナミックアクセスメモリ(DRAM)やスタティックランダムアクセスメモリ(SRAM)、不揮発性メモリ(NVM)などのメモリチップとすることができる。埋込み基板88は、導体層82および層間樹脂絶縁層84の積層方向でみて、相互に電気的に接続される複数の半導体チップD1,D2と部分的にオーバーラップする位置に配置されている。   Embedded in the interlayer resin insulation layer 84 is an embedded substrate 88 with fine wiring and conductor pads formed on the surface. The embedded substrate 88 can be formed of silicon, glass material, or organic material. In the illustrated example, the embedded substrate 88 electrically connects a plurality of semiconductor chips D1, D2 that can be mounted close to each other on the surface of the printed wiring board 80. One of the semiconductor chips D1 and D2 electrically connected to each other can be a logic chip such as a central processing unit (CPU) or a graphic processing unit (GPU). The other semiconductor chip D2 can be a memory chip such as a dynamic access memory (DRAM), a static random access memory (SRAM), and a nonvolatile memory (NVM). The embedded substrate 88 is disposed at a position that partially overlaps the plurality of semiconductor chips D1 and D2 that are electrically connected to each other when viewed in the stacking direction of the conductor layer 82 and the interlayer resin insulating layer 84.

プリント配線板80はまた、上記積層方向で最外に位置する基部絶縁層としての層間樹脂絶縁層84上および導体層82上に被覆絶縁層(ソルダーレジスト層)90を備えている。   The printed wiring board 80 is also provided with a coating insulating layer (solder resist layer) 90 on the interlayer resin insulating layer 84 and the conductor layer 82 as the base insulating layer located at the outermost position in the laminating direction.

被覆絶縁層90には、導体層82の一部を第1の導体パッド82aとして露出させる第1の開口90aと、第1の開口90aよりも径が小さく導体層82の他の一部を第2の導体パッド82bとして露出させる第2の開口90bが形成されている。第2の開口90bは、埋込み基板88に対応する位置に形成されている。   The covering insulating layer 90 includes a first opening 90a that exposes a part of the conductor layer 82 as a first conductor pad 82a, and another part of the conductor layer 82 that is smaller in diameter than the first opening 90a. A second opening 90b is formed to be exposed as the second conductor pad 82b. The second opening 90 b is formed at a position corresponding to the embedded substrate 88.

第1の開口90aから露出する第1の導体パッド82a上には、第1のボトム径R1を有する第1の金属ポスト92が中間層94を介して形成されている。第1の金属ポスト92は、第1の導体パッド82aと同種または同一の金属からなり、例えば銅で形成される。図示例において、第1の金属ポスト92のピッチは、半導体チップD1,D2に設けられた比較的大径のバンプのピッチと一致する。第1の金属ポスト92は、半導体チップD1,D2の比較的大径のバンプと第1の導体パッド82aとを中間層94を介して電気的に接続する。   On the first conductor pad 82a exposed from the first opening 90a, a first metal post 92 having a first bottom diameter R1 is formed via an intermediate layer 94. The first metal post 92 is made of the same or the same metal as the first conductor pad 82a and is made of, for example, copper. In the illustrated example, the pitch of the first metal posts 92 matches the pitch of the relatively large-diameter bumps provided on the semiconductor chips D1 and D2. The first metal post 92 electrically connects the relatively large-diameter bumps of the semiconductor chips D1 and D2 and the first conductor pad 82a via the intermediate layer 94.

第1の金属ポスト92は第1の導体パッド82a上に形成された中間層94を介して第1の導体パッド82aと電気的に接続されている。中間層94は、第1の導体パッド82aとは異なる金属からなる。中間層94は、ニッケルめっき層を含んでいてよい。このニッケルめっき層は無電解ニッケルめっき層であってよい。中間層94は、例えばニッケル層、パラジウム層、金層の順に積層されたNi/Pd/Auめっき層とすることができる。このNi/Pd/Auめっき層は、無電解Ni/Pd/Auめっき層とすることができる。   The first metal post 92 is electrically connected to the first conductor pad 82a through an intermediate layer 94 formed on the first conductor pad 82a. The intermediate layer 94 is made of a metal different from that of the first conductor pad 82a. The intermediate layer 94 may include a nickel plating layer. This nickel plating layer may be an electroless nickel plating layer. The intermediate layer 94 can be, for example, a Ni / Pd / Au plating layer in which a nickel layer, a palladium layer, and a gold layer are laminated in this order. This Ni / Pd / Au plating layer can be an electroless Ni / Pd / Au plating layer.

第2の開口90bから露出する第2の導体パッド82b上には、第1のボトム径R1よりも小さい第2のボトム径R2を有する第2の金属ポスト96が上述の中間層94を介さず直接形成されている。第2の金属ポスト96は、第2の導体パッド82bと同種または同一の金属からなり、例えば銅で形成される。図示例において、第2の金属ポスト96のピッチは、半導体チップD1,D2に設けられた比較的小径のバンプのピッチと一致する。第2の金属ポスト96は、半導体チップD1,D2の比較的小径のバンプと第2の導体パッド82bとを直接かつ電気的に接続する。   On the second conductor pad 82b exposed from the second opening 90b, the second metal post 96 having the second bottom diameter R2 smaller than the first bottom diameter R1 does not pass through the intermediate layer 94 described above. Directly formed. The second metal post 96 is made of the same or the same metal as the second conductor pad 82b, and is made of, for example, copper. In the illustrated example, the pitch of the second metal posts 96 matches the pitch of the relatively small-diameter bumps provided on the semiconductor chips D1 and D2. The second metal post 96 directly and electrically connects the relatively small-diameter bumps of the semiconductor chips D1 and D2 and the second conductor pads 82b.

第1のボトム径R1に対する第2のボトム径R2の比は、0.2以上0.9以下とすることができる。第1の金属ポスト92の頂面は中央部が外周部よりも低い凹面形状を有することが好ましい。第2の金属ポスト96の頂面は中央部が外周部よりも高い凸面形状を有することが好ましい。第1の金属ポスト92および第2の金属ポスト96は、被覆絶縁層90の表面から突出する高さを有している。第1の金属ポスト92の高さ(被覆絶縁層90の表面からの高さ)と第2の金属ポスト96の高さ(被覆絶縁層90の表面からの高さ)は略同じであることが好ましい。   The ratio of the second bottom diameter R2 to the first bottom diameter R1 can be 0.2 or more and 0.9 or less. The top surface of the first metal post 92 preferably has a concave shape whose central portion is lower than the outer peripheral portion. It is preferable that the top surface of the second metal post 96 has a convex shape in which the central portion is higher than the outer peripheral portion. The first metal post 92 and the second metal post 96 have a height protruding from the surface of the covering insulating layer 90. The height of the first metal post 92 (height from the surface of the insulating cover layer 90) and the height of the second metal post 96 (height from the surface of the insulating cover layer 90) are substantially the same. preferable.

本実施形態のプリント配線板80によれば、第1の金属ポスト92よりもボトム径の小さい第2の金属ポスト96は、中間層94を介さず第2の導体パッド82b上に直接形成されている。したがって、ボトム径の小さい第2の金属ポスト96においてクラックや破断の発生を低減もしくは回避することができる。特に、第2の金属ポスト96と第2の導体パッド82bが同種または同一の金属で構成される場合には、第2の金属ポスト96および第2の導体パッド82b間で良好な接合強度が得られるので、上述したようなクラックや破断の発生をより一層低減もしくは回避することができる。   According to the printed wiring board 80 of the present embodiment, the second metal post 96 having a bottom diameter smaller than that of the first metal post 92 is formed directly on the second conductor pad 82b without the intermediate layer 94 interposed therebetween. Yes. Accordingly, the occurrence of cracks and breaks in the second metal post 96 having a small bottom diameter can be reduced or avoided. In particular, when the second metal post 96 and the second conductor pad 82b are made of the same type or the same metal, good bonding strength can be obtained between the second metal post 96 and the second conductor pad 82b. Therefore, the occurrence of cracks and breaks as described above can be further reduced or avoided.

なお、本実施形態のプリント配線板80は、図2A〜図2Uを参照して説明したプリント配線板10の製造方法におけるコア基板12の代わりに支持板(図示せず)を用いることで同様に製造することができる。導体層82および層間樹脂絶縁層84は支持板上で交互に積層することができる。支持板上で製造されたプリント配線板80あるいはその中間体は、最終的に支持板から剥離することができる。支持板には、例えば、金属板や銅張積層板、両面銅張積層板を用いることができる。   The printed wiring board 80 according to the present embodiment is similarly obtained by using a support plate (not shown) instead of the core substrate 12 in the method for manufacturing the printed wiring board 10 described with reference to FIGS. 2A to 2U. Can be manufactured. The conductor layers 82 and the interlayer resin insulation layers 84 can be alternately stacked on the support plate. The printed wiring board 80 manufactured on the support plate or its intermediate body can be finally peeled off from the support plate. For the support plate, for example, a metal plate, a copper-clad laminate, or a double-sided copper-clad laminate can be used.

図5を参照して、図4に示したプリント配線板80の変形例を説明する。同種の部材または要素には同一の符号を付し、適宜説明を省略する。   A modification of the printed wiring board 80 shown in FIG. 4 will be described with reference to FIG. The same members or elements are denoted by the same reference numerals, and the description thereof is omitted as appropriate.

図4に示したプリント配線板80では、第2の金属ポスト96は、導体層82の第2の導体パッド82b上に形成されていたが、図5に示される変形例のプリント配線板80では、第2の金属ポスト96は、埋込み基板88上の導体パッド88aに直接形成されている。埋込み基板88上の導体パッド88aは、導体層82の第1の導体パッド82aと同一面上にあるので、ここでは本発明における「第2の導体パッド」に相当する。プリント配線板80のその他の構成は、図4に示したプリント配線板80と同じであるので、詳細な説明は省略する。   In the printed wiring board 80 shown in FIG. 4, the second metal post 96 is formed on the second conductor pad 82b of the conductor layer 82. However, in the printed wiring board 80 of the modification shown in FIG. The second metal post 96 is directly formed on the conductor pad 88 a on the embedded substrate 88. Since the conductor pad 88a on the embedded substrate 88 is on the same plane as the first conductor pad 82a of the conductor layer 82, it corresponds to the “second conductor pad” in the present invention. The other configuration of the printed wiring board 80 is the same as that of the printed wiring board 80 shown in FIG.

この変形例に係るプリント配線板80によれば、図4に示したプリント配線板80と同様に、第1の金属ポスト92よりもボトム径の小さい第2の金属ポスト96は、中間層94を介さず埋込み基板88の第2の導体パッド88a上に直接形成されている。したがって、ボトム径の小さい第2の金属ポスト96においてクラックや破断の発生を低減もしくは回避することができる。特に、第2の金属ポスト96と埋込み基板88上の第2の導体パッド88aが同種または同一の金属で構成される場合には、第2の金属ポスト96および第2の導体パッド88a間で良好な接合強度が得られるので、上述したようなクラックや破断の発生をより一層低減もしくは回避することができる。   According to the printed wiring board 80 according to this modification, like the printed wiring board 80 shown in FIG. 4, the second metal post 96 having a bottom diameter smaller than that of the first metal post 92 includes the intermediate layer 94. It is directly formed on the second conductor pad 88a of the embedded substrate 88 without being interposed. Accordingly, the occurrence of cracks and breaks in the second metal post 96 having a small bottom diameter can be reduced or avoided. In particular, when the second metal post 96 and the second conductor pad 88a on the embedded substrate 88 are made of the same or the same metal, the second metal post 96 and the second conductor pad 88a are good. Therefore, the occurrence of cracks and breaks as described above can be further reduced or avoided.

10,80 プリント配線板
12 コア基板
14 第1ビルドアップ層
16 第2ビルドアップ層
18 第1導体回路層
20 第2導体回路層
22 スルーホール導体
23 樹脂充填材
24 第1樹脂絶縁層
26 第1導体層
28 第1ビア導体
30 導体パッド
32,88 埋込み基板
34 第2樹脂絶縁層
36 第2導体層
38 第2ビア導体
40 第1被覆絶縁層
40a,90a 第1の開口
40b,90b 第2の開口
42 第2被覆絶縁層
44,82a 第1の導体パッド
46,82b,88a 第2の導体パッド
48,92 第1の金属ポスト
50,94 中間層
52,96 第2の金属ポスト
54 第3の導体パッド
56 第3の開口
58 被覆金属層
82 導体層
84 層間樹脂絶縁層
86 ビア導体
R1 第1のボトム径
R2 第2のボトム径
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10,80 Printed wiring board 12 Core board 14 1st buildup layer 16 2nd buildup layer 18 1st conductor circuit layer 20 2nd conductor circuit layer 22 Through-hole conductor 23 Resin filler 24 1st resin insulation layer 26 1st Conductor layer 28 First via conductor 30 Conductor pad 32, 88 Embedded substrate 34 Second resin insulation layer 36 Second conductor layer 38 Second via conductor 40 First covering insulation layer 40a, 90a First opening 40b, 90b Second Opening 42 Second covering insulating layer 44, 82a First conductor pad 46, 82b, 88a Second conductor pad 48, 92 First metal post 50, 94 Intermediate layer 52, 96 Second metal post 54 Third Conductor pad 56 Third opening 58 Covered metal layer 82 Conductor layer 84 Interlayer resin insulation layer 86 Via conductor R1 First bottom diameter R2 Second bottom diameter

Claims (17)

プリント配線板であって、
基部絶縁層と、
前記基部絶縁層上に形成された、複数の導体パッドを含む導体層と、
前記基部絶縁層上および前記導体層上に形成された被覆絶縁層と、を備え、
前記被覆絶縁層には、第1の開口および該第1の開口よりも径が小さい第2の開口が形成され、
前記複数の導体パッドには、前記第1の開口から露出する第1の導体パッドと、前記第1の導体パッドと同一面に形成され、前記第2の開口から露出する第2の導体パッドとが含まれ、
前記第1の導体パッド上に形成された中間層と、
前記中間層上に形成され、第1のボトム径を有する第1の金属ポストと、
前記第2の導体パッド上に直接形成され、前記第1のボトム径よりも小さい第2のボトム径を有する第2の金属ポストと、を備える。
A printed wiring board,
A base insulating layer;
A conductor layer including a plurality of conductor pads formed on the base insulating layer;
A covering insulating layer formed on the base insulating layer and the conductor layer, and
The covering insulating layer is formed with a first opening and a second opening having a smaller diameter than the first opening,
The plurality of conductor pads include a first conductor pad exposed from the first opening, a second conductor pad formed on the same plane as the first conductor pad, and exposed from the second opening; Contains
An intermediate layer formed on the first conductor pad;
A first metal post formed on the intermediate layer and having a first bottom diameter;
And a second metal post formed directly on the second conductor pad and having a second bottom diameter smaller than the first bottom diameter.
請求項1記載のプリント配線板であって、前記第1の金属ポスト、前記第2の金属ポスト、前記第1の導体パッド、および前記第2の導体パッドは、同種の金属からなる。   2. The printed wiring board according to claim 1, wherein the first metal post, the second metal post, the first conductor pad, and the second conductor pad are made of the same kind of metal. 請求項2記載のプリント配線板であって、前記第1の金属ポスト、前記第2の金属ポスト、前記第1の導体パッド、および前記第2の導体パッドは、銅からなる。   3. The printed wiring board according to claim 2, wherein the first metal post, the second metal post, the first conductor pad, and the second conductor pad are made of copper. 請求項1記載のプリント配線板であって、前記中間層は、無電解ニッケルめっき層を含む。   The printed wiring board according to claim 1, wherein the intermediate layer includes an electroless nickel plating layer. 請求項1記載のプリント配線板であって、前記第1のボトム径に対する前記第2のボトム径の比は、0.2以上0.9以下である。   2. The printed wiring board according to claim 1, wherein a ratio of the second bottom diameter to the first bottom diameter is 0.2 or more and 0.9 or less. 請求項1記載のプリント配線板であって、前記第1の金属ポストの頂面は中央部が外周部よりも低い凹面形状を有する。   2. The printed wiring board according to claim 1, wherein the top surface of the first metal post has a concave shape whose central portion is lower than the outer peripheral portion. 請求項1記載のプリント配線板であって、前記第2の金属ポストの頂面は中央部が外周部よりも高い凸面形状を有する。   2. The printed wiring board according to claim 1, wherein the top surface of the second metal post has a convex shape whose central portion is higher than the outer peripheral portion. 請求項1記載のプリント配線板であって、前記第1の金属ポストの高さと前記第2の金属ポストの高さは略同じである。   The printed wiring board according to claim 1, wherein a height of the first metal post and a height of the second metal post are substantially the same. プリント配線板の製造方法であって、
基部絶縁層を形成することと、
前記基部絶縁層上に、複数の導体パッドを含む導体層を形成することと、
前記基部絶縁層上および前記導体層上に被覆絶縁層を形成することと、
前記被覆絶縁層に第1の開口を形成して、前記導体層に含まれる第1の導体パッドを露出させることと、
前記第1の導体パッド上に中間層を形成することと、
前記被覆絶縁層に、前記第1の開口よりも径が小さい第2の開口を形成して、前記第1の導体パッドと同一面上に位置する、前記導体層に含まれる第2の導体パッドを露出させることと、
前記中間層上に第1のボトム径を有する第1の金属ポストを形成するとともに、前記第2の導体パッド上に前記第1のボトム径よりも小さい第2のボトム径を有する第2の金属ポストを直接形成することと、を含む。
A method of manufacturing a printed wiring board,
Forming a base insulating layer;
Forming a conductor layer including a plurality of conductor pads on the base insulating layer;
Forming a covering insulating layer on the base insulating layer and the conductor layer;
Forming a first opening in the covering insulating layer to expose a first conductor pad included in the conductor layer;
Forming an intermediate layer on the first conductor pad;
A second conductor pad included in the conductor layer is formed on the same surface as the first conductor pad by forming a second opening having a smaller diameter than the first opening in the covering insulating layer. Exposing
Forming a first metal post having a first bottom diameter on the intermediate layer and having a second bottom diameter smaller than the first bottom diameter on the second conductor pad; Forming the post directly.
請求項9記載のプリント配線板の製造方法であって、前記第1の金属ポスト、前記第2の金属ポスト、前記第1の導体パッド、および前記第2の導体パッドは、同種の金属からなる。   10. The method for manufacturing a printed wiring board according to claim 9, wherein the first metal post, the second metal post, the first conductor pad, and the second conductor pad are made of the same kind of metal. . 請求項10記載のプリント配線板の製造方法であって、前記第1の金属ポスト、前記第2の金属ポスト、前記第1の導体パッド、および前記第2の導体パッドは、銅からなる。   11. The method for manufacturing a printed wiring board according to claim 10, wherein the first metal post, the second metal post, the first conductor pad, and the second conductor pad are made of copper. 請求項9記載のプリント配線板の製造方法であって、前記中間層は、無電解ニッケルめっき層を含む。   The method for manufacturing a printed wiring board according to claim 9, wherein the intermediate layer includes an electroless nickel plating layer. 請求項9記載のプリント配線板の製造方法であって、前記第1のボトム径に対する前記第2のボトム径の比は、0.2以上0.9以下である。   10. The method for manufacturing a printed wiring board according to claim 9, wherein a ratio of the second bottom diameter to the first bottom diameter is 0.2 or more and 0.9 or less. 請求項9記載のプリント配線板の製造方法であって、前記第1の金属ポストの頂面は中央部が外周部よりも低い凹面形状を有する。   10. The method for manufacturing a printed wiring board according to claim 9, wherein a top surface of the first metal post has a concave shape in which a central portion is lower than an outer peripheral portion. 請求項9記載のプリント配線板の製造方法であって、前記第2の金属ポストの頂面は中央部が外周部よりも高い凸面形状を有する。   10. The method for manufacturing a printed wiring board according to claim 9, wherein the top surface of the second metal post has a convex shape in which a central portion is higher than an outer peripheral portion. 請求項9記載のプリント配線板の製造方法であって、前記第1の金属ポストの高さと前記第2の金属ポストの高さは略同じである。   The method for manufacturing a printed wiring board according to claim 9, wherein a height of the first metal post and a height of the second metal post are substantially the same. 請求項9記載のプリント配線板の製造方法であって、前記第1の開口を露光・現像により形成した後、前記第2の開口をレーザ照射により形成する。   10. The method for manufacturing a printed wiring board according to claim 9, wherein the first opening is formed by exposure / development, and then the second opening is formed by laser irradiation.
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