JP2019046590A - Conductive paste and manufacturing method of ceramic wiring board - Google Patents

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文昭 佐久間
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優棋 薮花
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大輔 山下
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Abstract

To provide a conductive paste high in stability of a state of the conductive paste, and a manufacturing method of a ceramic wiring board capable of suppress deformation of the ceramic wiring board when the ceramic wiring is manufactured by using the conductive paste.SOLUTION: A conductive paste has D50 particle diameter in a range of 0.7 μm to 0.9 μm as particle size of a powder of W in the conductive paste, and a ratio of Cu in a conductive component of 5 pts.wt. to 70 pts.wt. when the conductive component is 100 pts.wt. Thereby phenomenon such as gelatinization of the conductive paste is hardly generated. Then phenomenon such that the conductive paste becomes hard or film is generated on a surface. Since the state of the conductive paste is stable, a fine wiring or the like can be easily formed by screen printing or the like even when long time is passed from manufacturing the conductive paste.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本開示は、例えば電子部品のパッケージ、無線通信モジュール基板、制御回路用基板、半導体検査装置などの分野に用いることができる導電性ペースト及びセラミック配線基板の製造方法に関するものである。   The present disclosure relates to a method of manufacturing a conductive paste and a ceramic wiring substrate that can be used in the fields of, for example, packages of electronic components, wireless communication module substrates, substrates for control circuits, and semiconductor inspection devices.

従来、セラミック配線基板等の各種の基板には、配線等を構成する導電材料として、低抵抗で比較的安価なCu系材料が用いられている。また、同様な低抵抗な導電材料として、AgやAuも用いられている。   Conventionally, low resistance and relatively inexpensive Cu-based materials have been used for various substrates such as ceramic wiring substrates as conductive materials constituting wiring and the like. In addition, Ag and Au are also used as similar low-resistance conductive materials.

しかしながら、低抵抗のCu、Ag、Auといった導電材料は、融点が低いという性質がある。そのため、これらの導電材料と同時焼成が可能な基板材料として、例えばガラスセラミックを用いると、基板の強度が低いという問題や熱伝導率が低いという別の問題がある。   However, conductive materials such as low resistance Cu, Ag, Au have the property of having a low melting point. Therefore, if, for example, glass ceramic is used as a substrate material capable of co-firing with these conductive materials, there is a problem that the strength of the substrate is low and another problem that the thermal conductivity is low.

そこで、低融点のCuなどの導電材料と高融点のMoやWなどの導電材料とを組み合わせ、高強度及び高熱伝導率の特性を有するアルミナ等のセラミック材と同時焼成する技術が開発されている。つまり、前記セラミック材を用いたセラミックグリーンシートに、前記低融点および高融点の導電材料を含む導電性ペーストを用いて配線パターンを形成し、それらを同時焼成する技術が知られている。   Therefore, a technology has been developed in which a conductive material such as Cu having a low melting point and a conductive material such as Mo or W having a high melting point are combined and co-fired with a ceramic material such as alumina having high strength and high thermal conductivity. . That is, there is known a technique of forming a wiring pattern on a ceramic green sheet using the ceramic material using a conductive paste containing the low melting point and high melting point conductive material, and co-firing them.

例えば特許文献1には、平均粒径1〜10μmのWまたはMoを含んだCu電極を使用した配線基板が開示されている。
また、特許文献2には、平均粒径1〜10μmのWまたはMoを含み、且つ、配線の保形性のために、平均粒径150μm以下の金属酸化物を含むCu電極を使用した配線基板が開示されている。
For example, Patent Document 1 discloses a wiring substrate using a Cu electrode containing W or Mo having an average particle diameter of 1 to 10 μm.
In addition, Patent Document 2 discloses a wiring board that uses W or Mo having an average particle size of 1 to 10 μm, and uses a Cu electrode containing a metal oxide having an average particle size of 150 μm or less for shape retention of the wiring. Is disclosed.

特開2000−188453号公報JP, 2000-188453, A 特開2009−4515号公報JP, 2009-4515, A

ところで、上述した従来技術では、例えばW等を含むCu系配線を形成するために、平均粒径が1μm以上のW等の粉末を含むCu系の導電性ペーストを作製するので、下記のような問題があり、その改善が求められていた。   By the way, in the above-mentioned prior art, in order to form a Cu-based wiring containing, for example, W or the like, a Cu-based conductive paste containing powder of W or the like having an average particle diameter of 1 μm or more is produced. There was a problem and the improvement was called for.

具体的には、例えば平均粒径が1μm以上のWの粉末を使用してCu系の導電性ペーストを作製した場合には、時間が経過すると、導電性ペーストがゲル化したり、表面に膜ができることがあった。   Specifically, for example, when a Cu-based conductive paste is produced using powder of W having an average particle diameter of 1 μm or more, the conductive paste may gel or a film may be formed on the surface as time passes. There was something I could do.

つまり、導電性ペーストの粘度が増加(即ち増粘)して硬くなったり、表面に膜ができる等の現象が生じるので、導電性ペーストの状態が安定しないという問題があった。そのため、そのような状態の導電性ペーストでは、例えば微細配線等をスクリーン印刷によって形成することが困難であった。   That is, since the phenomenon that the viscosity of the conductive paste increases (that is, thickening) and becomes hard or a film is formed on the surface occurs, there is a problem that the state of the conductive paste is not stable. Therefore, in the conductive paste in such a state, it has been difficult to form, for example, fine wiring or the like by screen printing.

また、上述した平均粒径1μm以上のWの粉末を含むCu系の導電性ペーストを用いる場合には、配線パターンの焼成時の収縮率(即ち配線の焼成割り掛け)は、通常のセラミックグリーンシートの焼成時の収縮率(即ちセラミック基板の焼成割り掛け)と比べて、非常に小さい。詳しくは、配線パターンの焼成時の収縮率は、例えば一般的に用いられるアルミナ等のセラミック材を含むセラミックグリーンシートの焼成時の収縮率と比べて、非常に小さい。つまり、配線の焼成割り掛けとセラミック基板の焼成割り掛けは乖離している。   In addition, when using a Cu-based conductive paste containing powder of W having an average particle diameter of 1 μm or more described above, the shrinkage rate at firing of the wiring pattern (that is, firing ratio of the wiring) It is very small compared to the shrinkage rate during firing (that is, the firing rate of the ceramic substrate). Specifically, the shrinkage factor at the time of firing of the wiring pattern is, for example, much smaller than that at the time of firing of a ceramic green sheet containing a ceramic material such as alumina generally used. That is, the firing ratio of the wiring and the firing ratio of the ceramic substrate are separated.

そのため、セラミックグリーンシートやその積層体に、配線パターンが非対称で配置さえている場合、例えば積層体の厚み方向や平面方向において配線パターンの配置に偏りがある場合などには、焼成後のセラミック配線基板に反り等の変形が発生することがある。   Therefore, when the wiring patterns are arranged asymmetrically in the ceramic green sheet or the laminate thereof, for example, when the arrangement of the wiring patterns is uneven in the thickness direction or the planar direction of the laminate, the ceramic wiring after firing Deformation such as warpage may occur on the substrate.

本開示は、前記課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、導電性ペーストの状態の安定性が高い導電性ペースト、および、導電性ペーストを用いてセラミック配線基板を製造する場合に、セラミック配線基板の変形を抑制できるセラミック配線基板の製造方法を提供することにある。   The present disclosure has been made in view of the above problems, and an object thereof is to manufacture a ceramic wiring substrate using a conductive paste having high stability of the state of the conductive paste and the conductive paste. An object of the present invention is to provide a method of manufacturing a ceramic wiring substrate which can suppress deformation of the ceramic wiring substrate.

(1)本開示の第1局面は、導電成分として、Cuの粉末とWの粉末とを含む導電性ペーストに関するものである。
この導電性ペーストでは、Wの粉末の粒度は、D50粒径が0.7μm〜0.9μmの範囲であり、且つ、導電成分を100重量部とした場合、導電成分中のCuの比率が5重量部〜70重量部である。
(1) A first aspect of the present disclosure relates to a conductive paste including a powder of Cu and a powder of W as a conductive component.
In this conductive paste, the particle size of the W powder is such that the D50 particle diameter is in the range of 0.7 μm to 0.9 μm, and the ratio of Cu in the conductive component is 5 when the conductive component is 100 parts by weight. It is part by weight to 70 parts by weight.

本第1局面では、導電性ペースト中のWの粉末の粒度は、D50粒径が0.7μm〜0.9μmの範囲であり、且つ、導電成分を100重量部とした場合、導電成分中のCuの比率が5重量部〜70重量部であるので、後述する実験例からも明らかなように、ゲル化による増粘などの現象が生じにくい。   In the first aspect, the particle size of the powder of W in the conductive paste is such that the D50 particle diameter is in the range of 0.7 μm to 0.9 μm, and when the conductive component is 100 parts by weight, Since the ratio of Cu is 5 parts by weight to 70 parts by weight, phenomena such as thickening due to gelation are less likely to occur, as is apparent from the experimental examples described later.

つまり、導電性ペーストが硬くなったり表面に膜ができる等の現象が生じにくいので、導電性ペーストの状態が安定している。そのため、導電ペーストを作製してから長時間が経過しても、例えば微細配線等をスクリーン印刷などによって容易に形成できる。   That is, since the phenomenon that the conductive paste becomes hard or a film can not be easily generated, the state of the conductive paste is stable. Therefore, even if a long time has passed since the production of the conductive paste, for example, fine wiring and the like can be easily formed by screen printing or the like.

詳しくは、本第1局面では、導電性ペースト中のWの粉末のD50粒径が、0.9μm以下であるので、導電性ペーストのゲル化による増粘等を抑制する機能が高い。つまり、導電性ペーストには、ペースト化のための成分としてバインダ等の樹脂が用いられるが、この樹脂とCuとの反応が、ゲル化等の要因と考えられる。そこで、本第1局面では、D50粒径が0.9μm以下の微細なWの粉末を用いることにより、この微細なWが樹脂とCuとの反応を抑制すると考えられる。つまり、微細なWの粉末が、導電性ペーストの状態安定化に寄与していると推定される。   Specifically, in the first aspect, since the D50 particle size of the powder of W in the conductive paste is 0.9 μm or less, the function of suppressing thickening or the like due to gelation of the conductive paste is high. That is, although resin, such as a binder, is used for the electroconductive paste as a component for paste-ization, reaction of this resin and Cu is considered to be factors, such as gelatinization. Therefore, in the first aspect, it is considered that this fine W suppresses the reaction between the resin and Cu by using a fine W powder having a D50 particle size of 0.9 μm or less. That is, it is estimated that fine W powder contributes to the state stabilization of the conductive paste.

このように、本第1局面では、導電性ペーストの状態が安定化することにより、微細配線パターンの形成が容易になる。また、導電性ペーストの作製後、一定期間保管ができるようになるので、大量生産が可能となり、コスト低減に寄与する。さらに、粉末の熔融状態等を調節するために、粉末の表面にコーティングすると言った特殊な工程を省略できるので、コスト面で有利である。また、導電性ペーストの有機組成を変更する必要がないので、セラミックグリーンシートへの影響や生加工性への影響が少ないという利点もある。   As described above, in the first aspect, the formation of the fine wiring pattern is facilitated by stabilizing the state of the conductive paste. In addition, since the conductive paste can be stored for a fixed period of time after preparation, mass production becomes possible, which contributes to cost reduction. Furthermore, in order to control the molten state of the powder, etc., special processes such as coating on the surface of the powder can be omitted, which is advantageous in cost. In addition, since it is not necessary to change the organic composition of the conductive paste, there is also an advantage that the influence on the ceramic green sheet and the influence on the green processability are small.

また、本第1局面では、Wの粉末のD50粒径が0.7μm以上であるので、粉末の発火等の危険性が少なく、取り扱いが容易であるという利点がある。
さらに、本第1局面では、Cuの比率が5重量部以上であるので、それよりCuの比率が小さい場合比べて、導電性ペーストを用いて形成される配線の電気的特性(例えば比抵抗が小さいという特性)が優れている。
Further, in the first aspect, since the D50 particle size of the W powder is 0.7 μm or more, there is an advantage that there is little risk such as ignition of the powder, and the handling is easy.
Furthermore, in the first aspect, since the ratio of Cu is 5 parts by weight or more, the electrical characteristics (for example, specific resistance) of the wiring formed using the conductive paste are smaller than when the ratio of Cu is smaller than that. The characteristic of being small) is excellent.

また、本第1局面では、融点の低いCuの比率が70重量部以下であるので、焼成の際に配線の保形性が高く、Cuの熔出を抑制できるという利点がある。
なお、導電成分中のCuの比率としては、20重量部〜70重量部の範囲が好適である。詳しくは、Cuの比率が20重量部以上の場合には、配線の電気的特性が一層優れているので(例えば比抵抗が十分に小さいので)好適である。
Further, in the first aspect, since the ratio of Cu having a low melting point is 70 parts by weight or less, there is an advantage that the shape retention of the wiring is high at the time of firing, and Cu extrusion can be suppressed.
In addition, as a ratio of Cu in a conductive component, the range of 20 weight part-70 weight part is suitable. Specifically, when the ratio of Cu is 20 parts by weight or more, the electrical characteristics of the wiring are further excellent (for example, since the specific resistance is sufficiently small), it is preferable.

(2)本開示の第2局面は、セラミック配線基板の製造方法に関するものである。
このセラミック配線基板の製造方法では、第1局面の導電性ペーストを用いて、セラミックグリーンシートに配線パターンを形成する工程と、セラミックグリーンシートと配線パターンとを同時焼成して、セラミック基板に配線を備えたセラミック配線基板を製造する工程と、を有する。
(2) A second aspect of the present disclosure relates to a method of manufacturing a ceramic wiring substrate.
In this method of manufacturing a ceramic wiring substrate, the step of forming a wiring pattern on the ceramic green sheet using the conductive paste of the first aspect, the step of simultaneously firing the ceramic green sheet and the wiring pattern, and wiring on the ceramic substrate Manufacturing the provided ceramic wiring substrate.

本第2局面では、上述した導電性ペーストを使用してセラミックグリーンシートに配線パターンを形成し、同時焼成するので、セラミック配線基板の反り等の変形を抑制できるという効果がある。   In the second aspect, since the wiring pattern is formed on the ceramic green sheet using the conductive paste described above, and simultaneous firing is performed, there is an effect that deformation such as warpage of the ceramic wiring substrate can be suppressed.

詳しくは、前記導電性ペーストには、D50粒径が0.9μm以下のWの粉末が含まれているので、つまり、Wの粉末の粒径が小さいので、それよりWの粉末の粒径が大きい場合に比べて、Wが焼成され易い。そのため、焼成の際に配線パターンの収縮率が大きい、言い換えれば、配線の焼成割り掛けが大きい。   Specifically, since the conductive paste contains W powder having a D50 particle size of 0.9 μm or less, that is, since the particle size of the W powder is small, the particle size of the W powder is larger than that of the W powder. W is easier to be fired than when it is large. Therefore, the shrinkage ratio of the wiring pattern is large at the time of baking, in other words, the ratio of baking of the wiring is large.

よって、配線の焼成割り掛けが、セラミック基板の焼成割り掛けに近づくので、セラミック配線基板に反り等の変形が発生することを抑制できる。
このように、本第2局面では、使用する導電性ペースト中のWの粉末の粒度を変えることで、配線の電気的特性に影響を与えることなく、焼成割り掛けの乖離を改善することができ、それによって、製品の反り形状を改善できるという顕著な効果を奏する。
Therefore, since the firing ratio of the wiring approaches the firing ratio of the ceramic substrate, it is possible to suppress the occurrence of deformation such as warpage in the ceramic wiring substrate.
Thus, in the second aspect, by changing the particle size of the powder of W in the conductive paste to be used, it is possible to improve the separation of firing ratio without affecting the electrical characteristics of the wiring. Thus, there is a remarkable effect that the warped shape of the product can be improved.

特に、MTCC(即ち1000℃〜1400℃の温度範囲で電極材と同時焼成されるセラミック材)等で一般に用いられるアルミナ材料に比べて、Wを含むCuは焼成割掛けが大きく乖離しているが、本第2局面では、そのような焼成割り掛けの乖離を改善して、反り量を大きく低減することができる。   In particular, compared with alumina materials generally used in MTCC (that is, a ceramic material co-fired with an electrode material in a temperature range of 1000 ° C. to 1400 ° C.), Cu containing W has a large difference in firing ratio. In the second aspect of the present invention, such deviation of the firing ratio can be improved, and the amount of warpage can be greatly reduced.

(3)本開示の第3局面では、配線におけるWの平均粒径は、0.7μm〜1.2μmの範囲であってもよい。
本第3局面では、配線におけるWの平均粒径は1.2μm以下であるので、配線の原料として、例えばD50粒径が0.9μm以下のような粒径が小さなWの粉末を用いることができる。従って、上述のように、Wの焼成が容易であるので、配線の焼成割り掛けがセラミック基板の焼成割り掛けに近くなる。その結果、セラミック配線基板の反り等の変形が少ないという効果がある。
(3) In the third aspect of the present disclosure, the average particle size of W in the wiring may be in the range of 0.7 μm to 1.2 μm.
In the third aspect, since the average particle diameter of W in the wiring is 1.2 μm or less, for example, a powder of W having a small particle diameter such as a D50 particle diameter of 0.9 μm or less may be used as a wiring material it can. Therefore, as described above, since the firing of W is easy, the firing rate of the wiring is close to the firing rate of the ceramic substrate. As a result, there is an effect that deformation such as warpage of the ceramic wiring substrate is small.

また、本第3局面では、配線におけるWの平均粒径は0.7μm以上であるので、配線の原料として、例えばD50粒径が0.7μm以上のような適度の粒径のWの粉末を用いることができる。従って、上述のように、粉末の取扱性が高いので、セラミック配線基板の製造が容易であるという利点がある。   Further, in the third aspect, since the average particle diameter of W in the wiring is 0.7 μm or more, for example, a powder of W having a suitable particle diameter such as a D50 particle diameter of 0.7 μm or more is used as a wiring material. It can be used. Therefore, as described above, since the handling of the powder is high, there is an advantage that the manufacture of the ceramic wiring substrate is easy.

<以下に、本開示の各構成について説明する>
・導電性ペースト中には、導電成分以外に、ペースト化するための成分として、例えば樹脂製のバインダや溶剤等が含まれる。
Hereinafter, each configuration of the present disclosure will be described.
-In addition to the conductive component, the conductive paste contains, for example, a resin binder, a solvent, and the like as a component for forming a paste.

・導電成分としては、Cu及びWを主成分とする構成を採用できる。また、導電成分としては、Cu及びW以外に、他の導電成分(例えばMo)を含んでいてもよい。なお、主成分とは、最も量(即ち体積)が多い成分を示している。   -As a conductive component, the structure which has Cu and W as a main component is employable. In addition to Cu and W, other conductive components (for example, Mo) may be contained as the conductive component. Here, the main component indicates a component with the largest amount (ie, volume).

・D50粒径とは、粉体をある粒子径から2つに分けたとき、大きい側と小さい側とが等量となる径(いわゆるメジアン径)である。このD50粒径は、空気透過法によって求めることができる。   The D50 particle diameter is a diameter (so-called median diameter) at which the large side and the small side become equal when the powder is divided into two from a certain particle diameter. The D50 particle size can be determined by an air permeation method.

・セラミックグリーンシートとは、固体成分としてセラミックを主成分とし、他にシートを構成する成分が含まれる、未焼成のシートである。
・セラミック基板とは、セラミックを主成分とする基板を示している。セラミックとしては、アルミナ、ジルコニア、窒化アルミ、窒化ケイ素が挙げられる。なお、セラミック基板には、セラミック以外に、SiO、MgCO、BaCO等の焼結助剤などが含まれていてもよい。
The ceramic green sheet is an unfired sheet mainly composed of ceramic as a solid component and further containing a component constituting the sheet.
The ceramic substrate refers to a substrate containing ceramic as a main component. Examples of the ceramic include alumina, zirconia, aluminum nitride and silicon nitride. The ceramic substrate may contain, in addition to the ceramic, a sintering aid such as SiO 2 , MgCO 3 or BaCO 3 .

・配線とは、セラミック基板の表面や内部に配置されている導電性を有する部分である。
・配線パターンには、導電性ペーストに含まれる導電材料以外に、バインダ等のパターンを形成する成分が含まれる。
Wiring is a conductive portion disposed on the surface or inside of the ceramic substrate.
The wiring pattern contains, in addition to the conductive material contained in the conductive paste, a component for forming a pattern such as a binder.

・配線による平均粒径は、配線の断面に対する例えば走査型電子顕微鏡(SEM)によって撮影された画像から求めることができる。   The average particle size of the wire can be determined from an image of the cross section of the wire taken by, for example, a scanning electron microscope (SEM).

実施形態のセラミック配線基板を厚み方向に破断して示す断面図である。It is sectional drawing which fractures and shows the ceramic wiring board of embodiment in the thickness direction. 実施形態のセラミック配線基板の製造方法を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the manufacturing method of the ceramic wiring board of embodiment. 実験例2の積層体を厚み方向に破断して示す断面図である。It is sectional drawing which fractures | ruptures and shows the laminated body of Experimental example 2 in the thickness direction. 実験例2の配線の破断面のW粒子の平均粒径を算出する方法を示す説明図である。FIG. 14 is an explanatory drawing showing a method of calculating the average particle diameter of W particles on the fracture surface of the wiring of Experimental Example 2;

次に、本開示の導電性ペースト及びセラミック配線基板の製造方法の実施形態について説明する。
[1.実施形態]
[1−1.セラミック配線基板の構成]
まず、実施形態の導電性ペーストを用いて製造されるセラミック配線基板について説明する。
Next, an embodiment of a method of manufacturing a conductive paste and a ceramic wiring substrate of the present disclosure will be described.
[1. Embodiment]
[1-1. Configuration of Ceramic Wiring Board]
First, a ceramic wiring substrate manufactured using the conductive paste of the embodiment will be described.

図1に模式的に示す様に、実施形態におけるセラミック配線基板1は、Alを90体積%以上含むセラミック基板3の内部に、例えばCu及びWを主成分とする内部配線層5を備えている。なお、セラミック基板3には、表面等に他の配線を設けたりビアなどを設ける場合があるが、ここでは省略してある。 As schematically shown in FIG. 1, the ceramic wiring board 1 in the embodiment has an internal wiring layer 5 mainly composed of Cu and W, for example, inside the ceramic substrate 3 containing 90 volume% or more of Al 2 O 3. Have. The ceramic substrate 3 may be provided with other wiring or via or the like on the surface or the like, but is omitted here.

このセラミック配線基板1では、配線である内部配線層5が、非対称に配置されている。つまり、セラミック配線基板1を厚み方向に破断した場合に、その破断面において、配線の配置は厚み方向(即ち図1の上下方向)において非対称となっている。詳しくは、内部配線層5は、セラミック基板3の一方(図1の上方)の表面側に偏って配置されている。   In the ceramic wiring board 1, the internal wiring layer 5 which is a wiring is disposed asymmetrically. That is, when the ceramic wiring substrate 1 is broken in the thickness direction, the arrangement of the wirings is asymmetric in the thickness direction (that is, the vertical direction in FIG. 1) on the broken surface. In more detail, the internal wiring layer 5 is disposed on the surface side of one side (upper side in FIG. 1) of the ceramic substrate 3.

以下、各構成について説明する。
セラミック基板3は、第1セラミック層7と第2セラミック層9とを備えており、第1セラミック層7と第2セラミック層9との間に内部配線層5が配置されている。
Each component will be described below.
The ceramic substrate 3 includes a first ceramic layer 7 and a second ceramic layer 9, and the internal wiring layer 5 is disposed between the first ceramic layer 7 and the second ceramic layer 9.

このセラミック基板3は、Al以外に、例えば、SiO、MgCO、BaCO等の焼結助剤の成分が含まれている。
内部配線層5は、導電成分であるCu及びW以外に、例えばAl等の成分が含まれている。この内部配線層5におけるW粒子(即ち結晶粒子)の平均粒径は、0.7μm〜1.2μmの範囲である。
The ceramic substrate 3 contains, in addition to Al 2 O 3 , components of a sintering aid such as SiO 2 , MgCO 3 , BaCO 3 and the like.
The internal wiring layer 5 contains, for example, components such as Al 2 O 3 in addition to the conductive components Cu and W. The average particle diameter of W particles (that is, crystal particles) in the internal wiring layer 5 is in the range of 0.7 μm to 1.2 μm.

[1−2.セラミック配線基板の製造方法]
次に、本実施形態のセラミック配線基板1の製造方法について説明する。なお、下記の第1工程、第2工程の順番は前後してもよい。
[1-2. Method of manufacturing ceramic wiring board]
Next, a method of manufacturing the ceramic wiring board 1 of the present embodiment will be described. The order of the following first and second steps may be reversed.

<導電性ペーストの作製工程:第1工程>
内部配線層5の主原料として、Cu粉末及びW粉末を用意し、また、Al粉末を用意した。ここで、W粉末の粒度は、D50粒径が0.7μm〜0.9μmである。なお、Cu粉末の粒度としては、D50粒径が2.5μm〜4.5μmを採用できる。また、Al粉末の粒度としては、平均粒径が150nm以下のものを採用できる。
<Production Process of Conductive Paste: First Process>
As a main raw material of the internal wiring layer 5, Cu powder and W powder were prepared, and Al 2 O 3 powder was prepared. Here, the particle size of the W powder is such that the D50 particle size is 0.7 μm to 0.9 μm. In addition, as particle size of Cu powder, D50 particle diameter can employ | adopt 2.5 micrometers-4.5 micrometers. As the particle size of the Al 2 O 3 powder, average particle size can be adopted as the 150nm or less.

以下に、Al粉末の平均粒径の求め方を説明する。
0.1gのAl(アルミナ)粉末を、ステンレス板上に置き、カーボンスパッタを施した後、その表面を走査型電子顕微鏡(SEM)にて倍率1000倍で撮影した。そのSEM画像を用いて、基準長(例えば、1μmに対応する長さ[mm])の長さを測定した。次に、実際に、SEM画像から、同方向にて、アルミナ粒子の長さ(アルミナ粒子長さA)を100点(100ポイント)測定した。そして、下記式(1)を用いて、実際のアルミナ粒子径[nm]を算出した。
The following describes how to obtain an average particle size of the Al 2 O 3 powder.
After placing 0.1 g of Al 2 O 3 (alumina) powder on a stainless steel plate and subjecting it to carbon sputtering, the surface was photographed with a scanning electron microscope (SEM) at a magnification of 1000 ×. The SEM image was used to measure the length of a reference length (for example, a length [mm] corresponding to 1 μm). Next, actually, the length of the alumina particle (alumina particle length A) was measured at 100 points (100 points) in the same direction from the SEM image. And actual alumina particle diameter [nm] was computed using a following formula (1).

実際のアルミナ粒子径[nm]=アルミナ粒子長さA[mm]/基準長[mm]・・(1)
次に、このようにして求めた、100個の実際のアルミナ粒子径の平均を算出し、この値を平均粒径とした。
Actual alumina particle size [nm] = alumina particle length A [mm] / reference length [mm] · · · (1)
Next, the average of the 100 actual alumina particle sizes determined in this manner was calculated, and this value was defined as the average particle size.

そして、これらの粉末材料に、ワニス成分を加えて内部配線層用の導電性ペーストを作製した。なお、この導電性ペーストを作製する場合には、導電成分であるCu及びWを100重量部とした場合、導電成分中のCuの比率を5重量部〜70重量部とした。   And a varnish component was added to these powder materials, and the conductive paste for internal wiring layers was produced. In addition, when producing this electroconductive paste, when making Cu and W which are electroconductive components into 100 weight part, the ratio of Cu in an electroconductive component was 5 weight parts-70 weight parts.

<セラミックグリーンシートの作製工程:第2工程>
まず、セラミック基板3の主原料(主成分となる原料)として、Al粉末を用意した、また、焼結助剤として、SiO、MgCO、BaCO等の粉末を用意した。
<Production process of ceramic green sheet: second process>
First, an Al 2 O 3 powder was prepared as a main raw material (a raw material to be a main component) of the ceramic substrate 3, and a powder of SiO 2 , MgCO 3 , BaCO 3 or the like was prepared as a sintering aid.

そして、これらの粉末材料(なお、焼結助剤は各粉末から1種又は複数種を選択して使用する)に、バインダや可塑剤や溶剤等を加えて、セラミックスラリーを作製した。
このセラミックスラリーを用いて、図2(a)に示すように、ドクターブレード法によって、複数のセラミックグリーンシート11を作製した。
And a binder, a plasticizer, a solvent, etc. were added to these powder materials (In addition, a sintering auxiliary agent selects and uses 1 type or multiple types from each powder), The ceramic slurry was produced.
Using this ceramic slurry, as shown in FIG. 2A, a plurality of ceramic green sheets 11 were produced by the doctor blade method.

<積層体の作製工程:第3工程>
図2(b)に示すように、複数(例えば3枚)のセラミックグリーンシート11を積層して、第1セラミック層7となる第1積層体13を作製した。
<Production Process of Laminate: Third Process>
As shown in FIG. 2 (b), a plurality of (for example, three) ceramic green sheets 11 were laminated to produce a first laminate 13 to be the first ceramic layer 7.

また、図2(c)に示すように、複数(例えば2枚)のセラミックグリーンシート11を積層して、第2セラミック層9となる第2積層体15を作製した。
つまり、第2積層体15(従って第2セラミック層9)より第1積層体13(従って第1セラミック層7)の厚みが大きくなるように、第2積層体15よりも第1積層体13のセラミックグリーンシート11の積層枚数を多くした。なお、第1,第2積層体13、15のような積層体ではなく、厚み異なるセラミックグリーンシートを1枚ずつ使用してもよい。
Further, as shown in FIG. 2C, a plurality of (for example, two) ceramic green sheets 11 were laminated to produce a second laminate 15 to be the second ceramic layer 9.
That is, the thickness of the first laminate 13 (and thus the first ceramic layer 7) is larger than that of the second laminate 15 (and thus the second ceramic layer 9). The number of laminated ceramic green sheets 11 was increased. In addition, you may use not only a laminated body like the 1st, 2nd laminated bodies 13 and 15, but a ceramic green sheet from which thickness differs 1 sheet at a time.

そして、図2(d)に示すように、第1積層体13の一方の表面に、内部配線層用の導電性ペーストをスクリーン印刷して、内部配線層用の配線パターン17を形成した。
次に、図2(e)に示すように、第1積層体13と第2積層体15とを積層して、セラミック配線基板1となる積層体19を作製した。詳しくは、第1積層体13の配線パターン17が形成された側に、第2積層体15を積層するようにして、第1積層体13と第2積層体15とを積層した。
Then, as shown in FIG. 2D, a conductive paste for the internal wiring layer was screen printed on one surface of the first laminate 13 to form a wiring pattern 17 for the internal wiring layer.
Next, as shown in FIG. 2E, the first laminate 13 and the second laminate 15 were laminated to produce a laminate 19 to be the ceramic wiring board 1. Specifically, the second stacked body 15 was stacked on the side of the first stacked body 13 on which the wiring pattern 17 was formed, so that the second stacked body 15 was stacked.

<焼成工程:第4工程>
次に、配線パターン17が形成された積層体19を、周知にように脱脂した後に、所定の焼成条件にて同時焼成した。なお、焼成条件としては、例えば還元雰囲気にて、1200〜1300℃の温度範囲で、0.5〜2時間焼成する条件を採用できる。これによって、図2(f)に示すセラミック配線基板1を得た。
<Firing step: fourth step>
Next, the laminated body 19 on which the wiring pattern 17 was formed was degreased as is well known and then co-fired under predetermined firing conditions. In addition, as baking conditions, the conditions which bake for 0.5 to 2 hours in a temperature range of 1200-1300 degreeC, for example in reducing environment are employable. Thus, a ceramic wiring board 1 shown in FIG. 2 (f) was obtained.

[1−3.効果]
本実施形態の導電性ペーストでは、導電性ペースト中のWの粉末の粒度は、D50粒径が0.7μm〜0.9μmの範囲であり、且つ、導電成分を100重量部とした場合、導電成分中のCuの比率が5重量部〜70重量部である。
[1-3. effect]
In the conductive paste of the present embodiment, when the particle size of the powder of W in the conductive paste is such that the D50 particle diameter is in the range of 0.7 μm to 0.9 μm and the conductive component is 100 parts by weight, The ratio of Cu in the component is 5 parts by weight to 70 parts by weight.

そのため、導電性ペーストのゲル化による増粘などの現象が生じにくい。つまり、導電性ペーストが硬くなったり、表面に膜ができる等の現象が生じにくい。よって、導電性ペーストの状態が安定しているので、導電ペーストを作製してから長時間が経過しても、微細配線等をスクリーン印刷などによって容易に形成できる。   Therefore, phenomena such as thickening due to gelation of the conductive paste are less likely to occur. That is, phenomena such as hardening of the conductive paste and formation of a film on the surface hardly occur. Therefore, since the state of the conductive paste is stable, fine wiring and the like can be easily formed by screen printing or the like even if a long time has passed since the production of the conductive paste.

本実施形態では、Wの粉末のD50粒径が0.7μm以上であるので、粉末の発火等の危険性が少なく、取り扱いが容易であるという利点がある。
本実施形態では、Cuの比率が5重量部以上であるので、それよりCuの比率が小さい場合比べて、導電性ペーストを用いて形成される内部配線層5の電気的特性(例えば比抵抗が小さいという特性)が優れている。
In this embodiment, since the D50 particle size of the W powder is 0.7 μm or more, there is an advantage that there is little risk such as ignition of the powder, and the handling is easy.
In the present embodiment, since the ratio of Cu is 5 parts by weight or more, the electrical characteristics (for example, specific resistance) of the internal wiring layer 5 formed using the conductive paste are smaller than when the ratio of Cu is smaller than that. The characteristic of being small) is excellent.

本実施形態では、融点の低いCuの比率が70重量%以下であるので、焼成の際に配線の保形性が高く、Cuの熔出を抑制できるという利点がある。
また、本実施形態のセラミック配線基板の製造方法では、上述した導電性ペーストを使用してセラミックグリーンシート11(詳しくは第1積層体13)に配線パターン17を形成し、同時焼成するので、セラミック配線基板1の反り等の変形を抑制できるという効果がある。特に、セラミック配線基板1に配線が非対称に配置されている場合に、変形の抑制に顕著な効果を奏する。
In this embodiment, since the proportion of Cu having a low melting point is 70% by weight or less, there is an advantage that the shape retention of the wiring is high at the time of firing, and the Cu extrusion can be suppressed.
Further, in the method of manufacturing the ceramic wiring board of the present embodiment, the wiring pattern 17 is formed on the ceramic green sheet 11 (specifically, the first laminate 13) using the above-described conductive paste, and co-firing is performed. There is an effect that deformation such as warpage of the wiring board 1 can be suppressed. In particular, when the wirings are arranged asymmetrically on the ceramic wiring substrate 1, a remarkable effect can be obtained in suppressing the deformation.

なお、このようにして製造されたセラミック配線基板1の内部配線層5におけるWの平均粒径(結晶粒径)は、例えば0.7μm〜1.2μmの範囲である。
[2.実験例]
次に、本開示の効果を確認するために行った実験例1、2について説明する。
The average grain size (grain size) of W in the internal wiring layer 5 of the ceramic wiring board 1 manufactured in this manner is, for example, in the range of 0.7 μm to 1.2 μm.
[2. Experimental example]
Next, Experimental Examples 1 and 2 performed to confirm the effects of the present disclosure will be described.

<実験例1>
実験例1は、導電性ペーストの状態の安定性を調べたものである。
この実験例1では、本開示の範囲の実施例の試料として、下記表1に示すNo.1〜6の導電性ペーストの試料を作製し、また、本開示の範囲外の比較例の試料として、No.7〜9の導電性ペーストの試料を作製した。
Experimental Example 1
Experimental Example 1 is to investigate the stability of the state of the conductive paste.
In this experimental example 1, samples of conductive pastes Nos. 1 to 6 shown in the following Table 1 were prepared as samples of examples of the scope of the present disclosure, and as samples of comparative examples outside the scope of the present disclosure. And samples of conductive pastes of Nos. 7 to 9 were produced.

以下に、試料の作製方法を説明する。
まず、導電材料として、下記表1に示す粒度(即ちD50粒径)のW粉末と、D50粒径が3.3μmのCu粉末とを準備し、表1の比率でCu粉末とW粉末とを混合した。さらに、Cu粉末とW粉末との総重量を100重量部としたときに、この導電材料に外重量部で1重量部の平均粒径150nm以下のアルミナ粉末を添加した。
Below, the preparation method of a sample is demonstrated.
First, as conductive materials, W powder of particle size (that is, D50 particle diameter) shown in Table 1 below and Cu powder of D50 particle diameter of 3.3 μm are prepared, and Cu powder and W powder are mixed in the ratio of Table 1 Mixed. Furthermore, when the total weight of Cu powder and W powder was 100 parts by weight, 1 part by weight of alumina powder having an average particle diameter of 150 nm or less was added to the conductive material in an external weight part.

なお、W粉末等の粉末の粒度は、Fisher社製 Sub Sieve Sizerを用い、空気透過法により測定した。
次に、この混合粉末に、ワニス成分としてエチルセルロース樹脂とターピネオール溶剤とを加え、3本ロールミルによって混練することで、各試料の導電性ペーストを作製した。
The particle size of the powder such as W powder was measured by an air permeation method using Sub Sieve Sizer manufactured by Fisher Corporation.
Next, an ethyl cellulose resin and a terpineol solvent as varnish components were added to the mixed powder, and the mixture was kneaded by a three-roll mill to prepare a conductive paste of each sample.

Figure 2019046590
そして、このように作製した各試料の導電性ペーストに対して、凝集(即ち部分的な塊の発生)やゲル化の有無を、8日間に渡り観察した。すなわち、導電性ペーストの状態の安定性を、外観により評価した。
Figure 2019046590
Then, with respect to the conductive paste of each sample prepared in this manner, the presence or absence of aggregation (i.e., generation of partial lumps) or gelation was observed for 8 days. That is, the stability of the state of the conductive paste was evaluated by the appearance.

この評価では、肉眼にて凝集やゲル化が観察された場合を、その導電性ペーストについて変化があったと判断した。その結果を、下記表2に示す。   In this evaluation, it was determined that there was a change in the conductive paste when aggregation or gelation was observed with the naked eye. The results are shown in Table 2 below.

Figure 2019046590
この表2から明らかなように、実施例のNo.1〜6の試料では、8日を経過しても、導電性ペーストに変化が見られないので、好適であった。
Figure 2019046590
As is clear from Table 2, the samples No. 1 to 6 of the example were suitable because no change was observed in the conductive paste even after 8 days.

それに対して、比較例のNo.7〜9の試料では、8日目では、導電性ペーストに変化が有り、好ましくない。
<実験例2>
実験例2は、セラミック配線基板の反りの発生状態を調べたものである。
On the other hand, in the samples of Nos. 7 to 9 of the comparative example, on the eighth day, the conductive paste changes, which is not preferable.
<Experimental Example 2>
Experimental example 2 investigates the generation | occurrence | production state of the curvature of a ceramic wiring board.

実験例2では、本開示の範囲内の導電ペーストを用いた実施例の試料として、No.10、11のセラミック配線基板の試料を作製し、また、本開示の範囲外の導電ペーストを用いた比較例の試料として、No.12のセラミック配線基板の試料を作製した。   In Experimental Example 2, samples of ceramic wiring boards No. 10 and 11 were prepared as samples of examples using a conductive paste within the scope of the present disclosure, and conductive pastes outside the scope of the present disclosure were used. As a sample of the comparative example, a sample of the ceramic wiring board of No. 12 was produced.

以下に、試料の作製方法を説明する。
<セラミックグリーンシートの作製>
まず、セラミック基板3の主原料(主成分となる原料)として、Al粉末を用意するとともに、焼結助剤として、SiO、MgCO、BaCO等の粉末を用意した。なお、Al粉末は、平均粒径0.5μmのものを使用した。
Below, the preparation method of a sample is demonstrated.
<Production of ceramic green sheet>
First, an Al 2 O 3 powder was prepared as a main raw material (a raw material to be a main component) of the ceramic substrate 3, and a powder of SiO 2 , MgCO 3 , BaCO 3 or the like was prepared as a sintering aid. As the Al 2 O 3 powder, one having an average particle diameter of 0.5 μm was used.

さらに、シート化するための材料として、バインダ(例えばブチラール系バインダ)、可塑剤(例えばDOP:ジ・オクチル・フラレート)、溶剤(例えばエタノールまたはエチレン)を用意した。   Furthermore, as a material for forming a sheet, a binder (for example, butyral-based binder), a plasticizer (for example, DOP: di-octyl phthalate), a solvent (for example, ethanol or ethylene) are prepared.

そして、Al製のポットに、Al粉末と焼結助剤の粉末との粉末材料を、2500g秤量して入れた。なお、Al粉末は90体積%用い、残部として、焼結助剤を各粉末から1種又は複数種を選択して使用した。 Then, it made of Al 2 O 3 pots, the powder material with the powder of Al 2 O 3 powder and the sintering aid were placed in 2500g weighed. Incidentally, Al 2 O 3 powder is used 90% by volume, the balance, a sintering aid was used to select one or more from each powder.

次に、前記ポットに、着色剤を所定量投入後、ブチラール樹脂300gを投入した。さらに、適当なスラリー粘度とシート強度を持たせるのに必要な量の溶剤(エタノール又はトルエン)と可塑剤(DOP)とを投入し、20時間粉砕混合して、セラミックスラリーを得た。   Next, after a predetermined amount of coloring agent was charged into the pot, 300 g of butyral resin was charged. Furthermore, a solvent (ethanol or toluene) and a plasticizer (DOP) were added in an amount necessary to give an appropriate slurry viscosity and sheet strength, and pulverized and mixed for 20 hours to obtain a ceramic slurry.

次に、このセラミックスラリーを用いて、ドクターブレード法により、厚み0.1mmと0.05mmのセラミックグリーンシートを得た。
<評価用のサンプルの作製>
そして、図3に示すように、厚み0.1mmのセラミックグリーンシート31の上に、層間に厚み10μmの内部配線パターン33が挟まれるように、0.05mmのセラミックグリーンシート35を6枚積層した。つまり、合計7枚のセラミックグリーンシート31、35の間に、6箇所に内部配線パターン33が配置されたNo.10〜12の試料に対応した各積層体37を作製した。
Next, using this ceramic slurry, ceramic green sheets having a thickness of 0.1 mm and 0.05 mm were obtained by a doctor blade method.
<Preparation of samples for evaluation>
Then, as shown in FIG. 3, six 0.05 mm ceramic green sheets 35 were laminated on the 0.1 mm thick ceramic green sheet 31 so that the internal wiring pattern 33 with a thickness of 10 μm was sandwiched between the layers. . That is, laminated bodies 37 corresponding to the samples of Nos. 10 to 12 in which the internal wiring patterns 33 were disposed at six locations among the seven ceramic green sheets 31 and 35 in total were produced.

ここで、内部配線パターン33は、前記実験例1で作製したCu系の導電性ペーストを用いて形成した。詳しくは、実施例のNo.10、No.11の試料のセラミック配線基板を作製するために、それぞれ、実験例1のNo.4、No.2の試料の導電性ペーストを用いた。同様に、比較例のNo.12の試料のセラミック配線基板を作製するために、実験例1のNo.7の試料の導電性ペーストを用いた。   Here, the internal wiring pattern 33 was formed using the Cu-based conductive paste prepared in the above-mentioned Experimental Example 1. In detail, in order to produce the ceramic wiring board of the sample of No. 10 of an Example, and the sample of No. 11, the electrically conductive paste of the sample of No. 4 of Experimental example 1 and No. 2 was used, respectively. Similarly, in order to produce the ceramic wiring board of the sample of No. 12 of the comparative example, the conductive paste of the sample of No. 7 of Experimental Example 1 was used.

また、各積層体37の厚み方向の両側(図3に上下方向)に、Moを主成分とする導電性ペーストを用いて外側配線パターン39、41を形成した。
そして、このようにして得られた各積層体37を、1200℃〜1300℃のウェッター雰囲気下で焼成することで、評価用のサンプルであるNo.10〜12の試料のセラミック配線基板、即ち内部及び表面に配線を備えた直方体形状のセラミック配線基板を得た。
Moreover, the outer side wiring patterns 39 and 41 were formed using the electrically conductive paste which has Mo as a main component on the both sides (upper and lower direction in FIG. 3) of the thickness direction of each laminated body 37. As shown in FIG.
Then, by sintering each of the laminates 37 obtained in this manner in a wetter atmosphere at 1200 ° C. to 1300 ° C., the ceramic wiring board of the sample of No. 10 to 12 which is a sample for evaluation, ie, the inside And the rectangular parallelepiped-shaped ceramic wiring board provided with wiring on the surface was obtained.

<評価>
各試料の形状を、KEYENCE レーザー変位計LK−H020を用いて測定した。詳しくは、各試料の対角線方向にプロファイルを作製し、最高点と最下点との差を反り量として求めた。その結果を、下記表3に記す。
<Evaluation>
The shape of each sample was measured using a KEYENCE laser displacement meter LK-H020. Specifically, profiles were prepared in the diagonal direction of each sample, and the difference between the highest point and the lowest point was determined as the amount of warpage. The results are shown in Table 3 below.

また、各試料を内部の配線(即ち焼成後の内部配線パターン)を含むように破断した。次に、その破断面を研磨し、3000倍の走査型電子顕微鏡(SEM)を用いて、二次電子像による観察を行った。   In addition, each sample was broken so as to include the internal wiring (that is, the internal wiring pattern after firing). Next, the fractured surface was polished, and observation with a secondary electron image was performed using a 3000 × scanning electron microscope (SEM).

詳しくは、内部の配線の破断面の画像の所定範囲(例えば20μm角)における全W粒子について、図4に示すように、水平方向(同図矢印方向)に粒径を測定し、その平均粒径を算出した。その結果を、下記表3に記す。   Specifically, for all the W particles in a predetermined range (for example, 20 μm square) of the image of the fracture surface of the internal wiring, the particle size is measured in the horizontal direction (arrow direction in the same figure) as shown in FIG. The diameter was calculated. The results are shown in Table 3 below.

Figure 2019046590
表3から明らかなように、実施例のNo.10、No.11の試料では、W粒子の平均粒径が小さく、反り量が小さいので好適である。
Figure 2019046590
As apparent from Table 3, in the samples of No. 10 and No. 11 of the example, the average particle diameter of W particles is small and the warpage amount is small, which is preferable.

それに対して、比較例のNo.12の試料では、W粒子の平均粒径が大きく、反り量が大きいので、好ましくない。
[3.その他の実施形態]
以上、本開示の実施形態について説明したが、本開示は上記実施形態に限定されるものではなく、本開示の要旨を逸脱しない範囲において、様々な態様にて実施することが可能である。
On the other hand, in the sample of No. 12 of the comparative example, the average particle diameter of W particles is large and the amount of warpage is large, which is not preferable.
[3. Other Embodiments]
As mentioned above, although embodiment of this indication was described, this indication is not limited to the above-mentioned embodiment, It is possible in the range which does not deviate from the gist of this indication to carry out in various modes.

(1)例えば、セラミック基板を構成するセラミックとしては、前記実施形態に限定されることなく、アルミナ以外に、各種のセラミック(例えばジルコニア、窒化アルミ、窒化ケイ素)を採用できる。   (1) For example, as ceramic which comprises a ceramic substrate, various ceramics (for example, a zirconia, aluminum nitride, silicon nitride) other than an alumina can be employ | adopted, without being limited to the said embodiment.

(2)導電性ペースト、内部配線層は、本開示の範囲を逸脱しない範囲内で、各種の組成を採用できる。
(3)なお、上記実施形態における1つの構成要素が有する機能を複数の構成要素に分担させたり、複数の構成要素が有する機能を1つの構成要素に発揮させたりしてもよい。また、上記実施形態の構成の一部を、省略してもよい。また、上記実施形態の構成の少なくとも一部を、他の実施形態の構成に対して付加、置換等してもよい。なお、特許請求の範囲に記載の文言から特定される技術思想に含まれるあらゆる態様が本開示の実施形態である。
(2) Various compositions can be adopted for the conductive paste and the internal wiring layer without departing from the scope of the present disclosure.
(3) Note that the function possessed by one component in the above embodiment may be shared by a plurality of components, or the function possessed by a plurality of components may be exhibited by one component. Further, part of the configuration of the above embodiment may be omitted. In addition, at least a part of the configuration of the above-described embodiment may be added to or replaced with the configuration of the other embodiments. In addition, all the aspects contained in the technical thought specified from the wording as described in a claim are an embodiment of this indication.

1…セラミック配線基板
3…セラミック基板
5…内部配線層
11、31、35…セラミックグリーンシート
17…配線パターン
33…内部配線パターン
39、41…外側配線パターン
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Ceramic wiring board 3 ... Ceramic board 5 ... Internal wiring layer 11, 31, 35 ... Ceramic green sheet 17 ... Wiring pattern 33 ... Internal wiring pattern 39, 41 ... Outer side wiring pattern

Claims (3)

導電成分として、Cuの粉末とWの粉末とを含む導電性ペーストにおいて、
前記Wの粉末の粒度は、D50粒径が0.7μm〜0.9μmの範囲であり、
且つ、前記導電成分を100重量部とした場合、該導電成分中のCuの比率が5重量部〜70重量部である、
導電性ペースト。
In a conductive paste containing Cu powder and W powder as a conductive component,
The particle size of the W powder is such that the D50 particle size is in the range of 0.7 μm to 0.9 μm,
And, when the conductive component is 100 parts by weight, the ratio of Cu in the conductive component is 5 parts by weight to 70 parts by weight.
Conductive paste.
前記請求項1に記載の導電性ペーストを用いて、セラミックグリーンシートに配線パターンを形成する工程と、
前記セラミックグリーンシートと前記配線パターンとを同時焼成して、セラミック基板に配線を備えたセラミック配線基板を製造する工程と、
を有する、
セラミック配線基板の製造方法。
Forming a wiring pattern on a ceramic green sheet using the conductive paste according to claim 1;
Co-firing the ceramic green sheet and the wiring pattern to produce a ceramic wiring substrate having a wiring on the ceramic substrate;
Have
Method of manufacturing a ceramic wiring board.
前記配線における前記Wの平均粒径は、0.7μm〜1.2μmの範囲である、
請求項2に記載のセラミック配線基板の製造方法。
The average particle size of the W in the wiring is in the range of 0.7 μm to 1.2 μm.
A method of manufacturing a ceramic wiring board according to claim 2.
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