JP2019029392A - Holding device, lithographic apparatus, and method of manufacturing article - Google Patents

Holding device, lithographic apparatus, and method of manufacturing article Download PDF

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智彦 吉田
Tomohiko Yoshida
智彦 吉田
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Abstract

To provide a holding device capable of determining whether or not a temperature in a mold or a substrate becomes constant.SOLUTION: A holding device that holds a mold or a substrate has: a heat flux sensor that outputs a signal representing a quantity and a direction of heat transferred between the mold or the substrate and the holding device; and a controller that determines whether or not the signal outputted from the heat flux sensor falls within an allowable range.SELECTED DRAWING: Figure 2

Description

本発明は、保持装置、リソグラフィ装置、および物品の製造方法に関する。   The present invention relates to a holding device, a lithographic apparatus, and a method for manufacturing an article.

半導体デバイスやMEMSなどの微細化の要求が進み、従来のフォトリソグラフィー技術に加え、基板上のインプリント材を型で成形し、インプリント材のパターンを基板上に形成する微細加工技術が注目を集めている。この技術は、インプリント技術とも呼ばれ、基板上に数ナノメートルオーダーの微細な構造体を形成することができる。例えば、インプリント技術の1つとして、光硬化法がある。この光硬化法を採用したインプリント装置では、まず、基板上のインプリント領域であるショット領域に光硬化性のインプリント材を塗布する。次に、型のパターン部とショット領域の位置合せを行いながら、型のパターン部とインプリント材とを接触(押印)させ、インプリント材をパターン部に充填させる。そして、光を照射して前記インプリント材を硬化させたうえで引き離すことにより、インプリント材のパターンが基板上のショット領域に形成される。   The demand for miniaturization of semiconductor devices and MEMS has advanced, and in addition to conventional photolithography technology, microfabrication technology that forms an imprint material on a substrate with a mold and forms a pattern of the imprint material on the substrate attracts attention. Collecting. This technique is also called an imprint technique, and can form a fine structure on the order of several nanometers on a substrate. For example, as one of imprint techniques, there is a photocuring method. In an imprint apparatus employing this photocuring method, first, a photocurable imprint material is applied to a shot area which is an imprint area on a substrate. Next, while aligning the pattern portion of the mold and the shot area, the pattern portion of the mold and the imprint material are brought into contact (imprinting), and the imprint material is filled in the pattern portion. Then, the pattern of the imprint material is formed in a shot region on the substrate by irradiating light to cure the imprint material and then separating it.

このようなインプリント装置では、型と基板とがインプリント材を介して接触するため、型と基板とに温度差がある状態で型のパターン部とインプリント材とを接触させると、型と基板との間で熱が移動する。そして、位置合せを行った後に型と基板が膨張又は収縮することで位置合せ誤差が発生して、インプリント材のパターンの不良が発生する。   In such an imprint apparatus, since the mold and the substrate are in contact with each other through the imprint material, if the mold pattern portion and the imprint material are brought into contact with each other with a temperature difference between the mold and the substrate, the mold and the substrate Heat is transferred to and from the substrate. Then, after the alignment is performed, the mold and the substrate are expanded or contracted to generate an alignment error, resulting in a defective imprint material pattern.

特許文献1には、レチクルライブラリの台の流路に温度調整された水を流すことで、台上のレチクルの温度調整する露光装置が開示されている。また、特許文献2には、半導体素子を温度制御しながら特性検査する半導体検査装置が開示されている。   Patent Document 1 discloses an exposure apparatus that adjusts the temperature of a reticle on a table by flowing water whose temperature is adjusted through a flow path of the table of a reticle library. Patent Document 2 discloses a semiconductor inspection apparatus for inspecting characteristics of a semiconductor element while controlling the temperature.

特開2003−173958号公報JP 2003-173958 A 特開2003−4799号公報JP 2003-4799 A

特許文献1では、レチクルの温度を測定する手段は開示されておらず、レチクルの温度が所定の温度になっていることは確認できない。また、特許文献2では、半導体素子の温度を非接触で測定するリモート温度センサは開示されているが、このような温度センサは半導体素子の表面の温度は測定できる。   Patent Document 1 does not disclose means for measuring the temperature of the reticle, and it cannot be confirmed that the temperature of the reticle is a predetermined temperature. Patent Document 2 discloses a remote temperature sensor that measures the temperature of a semiconductor element in a non-contact manner, but such a temperature sensor can measure the temperature of the surface of the semiconductor element.

しかし、型(レチクル)や基板等の物体の温度を調整する場合、時間の経過とともに表面から内部に向かって変化していく。そして、物体の内部には温度分布が生じて、一定の時間が経過した後に内部の温度が一定になる。   However, when the temperature of an object such as a mold (reticle) or a substrate is adjusted, it changes from the surface toward the inside over time. Then, a temperature distribution is generated inside the object, and the internal temperature becomes constant after a certain time has elapsed.

よって、型や基板の内部に温度分布が発生している場合には、例えば、予め定めた一定時間だけ待つことにより、型や基板の内部の温度が一定になると推定していた。   Therefore, when a temperature distribution is generated inside the mold or the substrate, for example, it is estimated that the temperature inside the mold or the substrate becomes constant by waiting for a predetermined time.

しかし、このような方法では、予め定めた一定時間だけ待っても、外部環境によっては型や基板の内部の温度が一定にならないこともある。また、一定時間より短い時間で型や基板の内部の温度が一定になることもある。一定時間で型や基板の内部の温度が一定にならない場合には型と基板との温度差により型と基板との間で熱が移動する。そして、型と基板の位置合せを行った後に、型と基板とが膨張又は収縮することで位置合せ誤差が発生してパターンの不良が発生する可能性がある。また、一定時間より短い時間で型や基板の内部の温度が一定になる場合にはスループットをさらに向上できる可能性がある。   However, in such a method, the temperature inside the mold or the substrate may not be constant depending on the external environment even after waiting for a predetermined time. In addition, the temperature inside the mold or the substrate may become constant in a time shorter than a certain time. If the temperature inside the mold or the substrate does not become constant in a certain time, heat moves between the mold and the substrate due to the temperature difference between the mold and the substrate. Then, after aligning the mold and the substrate, the mold and the substrate expand or contract, so that an alignment error may occur and a pattern defect may occur. Further, when the temperature inside the mold or the substrate becomes constant in a time shorter than a certain time, the throughput may be further improved.

そこで本発明は、型や基板の内部の温度が一定になったか否かを判定することができる保持装置、リソグラフィ装置、および物品の製造方法を提供することを目的とする。   SUMMARY An advantage of some aspects of the invention is that it provides a holding device, a lithographic apparatus, and an article manufacturing method capable of determining whether or not the temperature inside a mold or a substrate has become constant.

上記課題を解決する本発明の一側面としての保持装置は、型又は基板を保持する保持装置であって、前記型又は前記基板と前記保持装置との間を移動する熱の熱量及び方向を表す信号を出力する熱流束センサと、前記熱流束センサにより出力された前記信号が許容範囲内に収まったか否かを判定する制御部と、を有する。   A holding device as one aspect of the present invention that solves the above problem is a holding device that holds a mold or a substrate, and represents the amount and direction of heat that moves between the mold or the substrate and the holding device. A heat flux sensor that outputs a signal, and a control unit that determines whether or not the signal output by the heat flux sensor falls within an allowable range.

本発明によれば、型や基板の内部の温度が一定になったか否かを判定することができる保持装置、リソグラフィ装置、および物品の製造方法を提供することができる。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the holding | maintenance apparatus which can determine whether the internal temperature of a type | mold or a board | substrate became constant, the lithography apparatus, and the manufacturing method of articles | goods can be provided.

実施例1に係るインプリント装置と型を示した図である。1 is a diagram illustrating an imprint apparatus and a mold according to a first embodiment. 実施例1に係る保持装置と搬送装置を示した図である。It is the figure which showed the holding | maintenance apparatus and conveying apparatus which concern on Example 1. FIG. 実施例1に係る保持装置の拡大図である。1 is an enlarged view of a holding device according to Embodiment 1. FIG. 実施例1に係る熱流束センサの出力信号と時間の関係を示した図である。It is the figure which showed the output signal of the heat flux sensor which concerns on Example 1, and the relationship of time. 実施例1に係る温度判定処理を示したフローチャートである。3 is a flowchart illustrating temperature determination processing according to the first embodiment. 変形例1に係る保持装置の拡大図である。10 is an enlarged view of a holding device according to Modification 1. FIG. 変形例2に係る保持装置の拡大図である。It is an enlarged view of the holding | maintenance apparatus which concerns on the modification 2. 変形例3に係る保持装置の拡大図である。It is an enlarged view of the holding | maintenance apparatus which concerns on the modification 3. 変形例4に係る熱流束センサの出力信号の微分信号と時間の関係を示した図である。It is the figure which showed the relationship between the differential signal of the output signal of the heat flux sensor which concerns on the modification 4, and time. 変形例4に係る温度判定処理を示したフローチャートである。10 is a flowchart showing a temperature determination process according to Modification 4. 実施例2に係る保持装置を示した図である。6 is a view showing a holding device according to Embodiment 2. FIG. 実施例2に係る保持装置の別の実施形態を示した図である。It is the figure which showed another embodiment of the holding | maintenance apparatus which concerns on Example 2. FIG. 変形例5に係る温度判定処理を示したフローチャートである。10 is a flowchart showing a temperature determination process according to Modification 5. 物品の製造方法を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the manufacturing method of articles | goods.

以下に、本発明の好ましい実施形態について図面を参照して詳細に説明する。以下の実施例では、リソグラフィ装置としてインプリント装置を用いた例について説明する。各図において、同一の部材については、同一の参照番号を付し、重複する説明は省略する。   Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. In the following embodiments, an example in which an imprint apparatus is used as a lithography apparatus will be described. In each figure, the same members are denoted by the same reference numerals, and redundant description is omitted.

〔実施例1〕
図1は実施例1に係るインプリント装置と型を示した図である。まず、図1(a)を用いて、実施例1に係るインプリント装置の代表的な装置構成について説明する。インプリント装置100は、基板5上に供給されたインプリント材と型1(原版)とを接触させ、インプリント材に硬化用のエネルギーを与えることにより、型1の凹凸パターンが転写された硬化物のパターンを形成する装置である。
[Example 1]
FIG. 1 is a diagram illustrating an imprint apparatus and a mold according to the first embodiment. First, a typical apparatus configuration of the imprint apparatus according to the first embodiment will be described with reference to FIG. The imprint apparatus 100 brings the imprint material supplied on the substrate 5 into contact with the mold 1 (original plate), and gives the curing energy to the imprint material, whereby the uneven pattern of the mold 1 is transferred. An apparatus for forming a pattern of an object.

ここで、インプリント材には、硬化用のエネルギーが与えられることにより硬化する硬化性組成物(未硬化状態の樹脂と呼ぶこともある)が用いられる。硬化用のエネルギーとしては、電磁波、熱等が用いられる。電磁波としては、例えば、その波長が150nm以上1mm以下の範囲から選択される、赤外線、可視光線、紫外線などの光である。   Here, as the imprint material, a curable composition (which may be referred to as an uncured resin) that is cured when energy for curing is applied is used. As the energy for curing, electromagnetic waves, heat, or the like is used. The electromagnetic wave is, for example, light such as infrared light, visible light, or ultraviolet light whose wavelength is selected from a range of 150 nm to 1 mm.

硬化性組成物は、光の照射により、あるいは、加熱により硬化する組成物である。このうち、光により硬化する光硬化性組成物は、重合性化合物と光重合開始剤とを少なくとも含有し、必要に応じて非重合性化合物または溶剤を含有してもよい。非重合性化合物は、増感剤、水素供与体、内添型離型剤、界面活性剤、酸化防止剤、ポリマー成分などの群から選択される少なくとも一種である。   A curable composition is a composition which hardens | cures by irradiation of light or by heating. Among these, the photocurable composition cured by light contains at least a polymerizable compound and a photopolymerization initiator, and may contain a non-polymerizable compound or a solvent as necessary. The non-polymerizable compound is at least one selected from the group consisting of a sensitizer, a hydrogen donor, an internal release agent, a surfactant, an antioxidant, and a polymer component.

インプリント材は、スピンコーターやスリットコーターにより基板上に膜状に付与される。或いは液体噴射ヘッドにより、液滴状、或いは複数の液滴が繋がってできた島状又は膜状となって基板上に付与されてもよい。インプリント材の粘度(25℃における粘度)は、例えば、1mPa・s以上100mPa・s以下である。   The imprint material is applied in a film form on the substrate by a spin coater or a slit coater. Alternatively, the liquid ejecting head may be applied to the substrate in the form of droplets, or in the form of islands or films formed by connecting a plurality of droplets. The imprint material has a viscosity (viscosity at 25 ° C.) of, for example, 1 mPa · s or more and 100 mPa · s or less.

基板は、ガラス、セラミックス、金属、樹脂等が用いられ、必要に応じて、その表面に基板とは別の材料からなる部材が形成されていてもよい。基板としては、具体的に、シリコンウエハ、化合物半導体ウエハ、石英を材料に含むガラスウエハやレプリカマスクなどである。   As the substrate, glass, ceramics, metal, resin, or the like is used. If necessary, a member made of a material different from the substrate may be formed on the surface thereof. Specifically, the substrate is a silicon wafer, a compound semiconductor wafer, a glass wafer containing quartz as a material, a replica mask, or the like.

本実施例では、インプリント装置100は、光の照射によりインプリント材を硬化させる光硬化法を採用するものとして説明する。また、本実施例では、インプリント装置100は、型1に相当するマスターマスクから基板5に相当するレプリカマスクを製造するマスクレプリカ装置であるとして説明する。ここで、マスターマスクとは、例えば電子線描画装置などの製造装置によって高精度な凹凸パターンが形成されたマスク(型)である。また、レプリカマスクとは、マスターマスクを型としてインプリント装置によって凹凸パターンが形成されるための基板である。一般に、マスターマスクは製造するためのコストが高いためシリコンウエハ等に凹凸パターンを形成するためのインプリント装置においては、マスターマスクは型として使用されず、代わりに製造コストのより低いレプリカマスクが型として使用される。また、以下では、基板5上のインプリント材に対して光を照射する照射系の光軸に平行な方向をZ軸方向とし、Z軸方向に垂直な平面内で互いに直交する2方向をX軸方向及びY軸方向とする。   In this embodiment, the imprint apparatus 100 will be described as adopting a photocuring method in which the imprint material is cured by light irradiation. In this embodiment, the imprint apparatus 100 is described as a mask replica apparatus that manufactures a replica mask corresponding to the substrate 5 from a master mask corresponding to the mold 1. Here, the master mask is a mask (mold) on which a highly accurate uneven pattern is formed by a manufacturing apparatus such as an electron beam drawing apparatus. The replica mask is a substrate on which an uneven pattern is formed by an imprint apparatus using a master mask as a mold. In general, a master mask is expensive to manufacture, so in an imprint apparatus for forming a concavo-convex pattern on a silicon wafer or the like, the master mask is not used as a mold. Instead, a replica mask having a lower manufacturing cost is used as a mold. Used as. In the following, the direction parallel to the optical axis of the irradiation system for irradiating the imprint material on the substrate 5 is defined as the Z-axis direction, and the two directions orthogonal to each other in a plane perpendicular to the Z-axis direction are defined as X Let it be an axial direction and a Y-axis direction.

インプリント装置100は、型保持部4、基板保持部9、制御部21を有する。   The imprint apparatus 100 includes a mold holding unit 4, a substrate holding unit 9, and a control unit 21.

型保持部4は、型1を基板5上のインプリント材に接触させるために、型1を保持してZ軸方向に移動可能に構成されている。型保持部4は、真空吸着力や静電力によって型1を引き付けて保持する型チャック3と、型チャック3を保持して型1を移動させる型移動機構(不図示)とを含む。型チャック3及び型移動機構は、インプリント材を硬化させるための光(例えば、紫外線)が基板の上に照射されるように、中心部(内側)に開口を有する。また、基板5と型1との位置合わせをするために、型移動機構がX軸方向やY軸方向に型1を移動可能となるようにしても良い。さらに、型移動機構は、型1のθ(Z軸周りの回転)方向の位置や型1の傾き(X、Y軸周りの回転)を調整するためのチルト機能を有するように構成されていても良い。   The mold holding unit 4 is configured to be movable in the Z-axis direction while holding the mold 1 in order to bring the mold 1 into contact with the imprint material on the substrate 5. The mold holding unit 4 includes a mold chuck 3 that attracts and holds the mold 1 by vacuum suction or electrostatic force, and a mold moving mechanism (not shown) that holds the mold chuck 3 and moves the mold 1. The mold chuck 3 and the mold moving mechanism have an opening at the center (inside) so that light (for example, ultraviolet rays) for curing the imprint material is irradiated onto the substrate. Further, in order to align the substrate 5 and the mold 1, the mold moving mechanism may be configured to be able to move the mold 1 in the X-axis direction or the Y-axis direction. Further, the mold moving mechanism is configured to have a tilt function for adjusting the position of the mold 1 in the θ (rotation around the Z axis) direction and the inclination of the mold 1 (rotation around the X and Y axes). Also good.

基板保持部9は、基板5を保持して移動可能である。型1と基板5上のインプリント材とを接触させる際に、基板保持部9を移動させることで基板5と型1との位置合わせを行う。基板保持部9は、真空吸着力や静電力によって基板5を引き付けて保持する基板チャック8と、基板チャック8を機械的に保持してXY面内で移動可能とする基板移動機構(不図示)とを含む。また、基板移動機構に適用可能なアクチュエータは、例えば、リニアモータやエアシリンダを含む。基板移動機構は、基板5を高精度に位置決めするために、粗動駆動系や微動駆動系などの複数の駆動系から構成されていても良い。また、基板移動機構は、X軸方向やY軸方向だけではなく、Z軸方向に基板5を移動可能に構成されていても良い。さらに、基板移動機構は、基板5のθ(Z軸周りの回転)方向の位置や基板5の傾き(X、Y軸周りの回転)を調整するためのチルト機能を有するように構成されていても良い。   The substrate holding part 9 can move while holding the substrate 5. When the mold 1 and the imprint material on the substrate 5 are brought into contact with each other, the substrate holding unit 9 is moved to align the substrate 5 and the mold 1. The substrate holding unit 9 includes a substrate chuck 8 that attracts and holds the substrate 5 by vacuum suction force or electrostatic force, and a substrate moving mechanism (not shown) that mechanically holds the substrate chuck 8 and can move in the XY plane. Including. Moreover, the actuator applicable to a board | substrate movement mechanism contains a linear motor and an air cylinder, for example. The substrate moving mechanism may be composed of a plurality of drive systems such as a coarse motion drive system and a fine motion drive system in order to position the substrate 5 with high accuracy. The substrate moving mechanism may be configured to be able to move the substrate 5 not only in the X-axis direction and the Y-axis direction but also in the Z-axis direction. Further, the substrate moving mechanism is configured to have a tilt function for adjusting the position of the substrate 5 in the θ (rotation around the Z axis) direction and the tilt of the substrate 5 (rotation around the X and Y axes). Also good.

制御部21は、CPUやメモリなどを含むコンピュータで構成され、メモリに格納されたプログラムに従ってインプリント装置100の全体を制御する。また、制御部21は、インプリント装置100の各部の動作及び調整などを制御することで基板5上にパターンを形成するインプリント処理を制御する。また、制御部21は、インプリント装置100の他の部分と一体で(共通の筐体内に)構成しても良いし、インプリント装置100の他の部分とは別体で(別の筐体内に)構成しても良い。また、制御部21は、複数のコンピュータからなる構成としても良い。   The control unit 21 is configured by a computer including a CPU and a memory, and controls the entire imprint apparatus 100 according to a program stored in the memory. The control unit 21 also controls the imprint process for forming a pattern on the substrate 5 by controlling the operation and adjustment of each unit of the imprint apparatus 100. Further, the control unit 21 may be configured integrally with other parts of the imprint apparatus 100 (in a common casing), or separate from other parts of the imprint apparatus 100 (in another casing). It may be configured. Moreover, the control part 21 is good also as a structure which consists of a some computer.

また、図1(b)は型1のXZ平面内における断面図を、図1(c)は型1のXY平面内における平面図を示している。型1を例えばマスターマスクとした場合、型1は矩形の外周形状を有し、矩形の1辺の長さを152mm、型1の厚さを6.35mmとすることができる。また、型1は基板5に対向する面(パターン面)に3次元状に形成されたパターンを備えたパターン部2を有する。パターン部2のパターン面は、例えば、図1(c)において、Y軸方向が26mm、X軸方向が33mmの大きさの領域とすることができる。パターン部2のパターン面には、ナノメートルオーダーのラインアンドスペースで凹凸パターンが形成されている。また、パターン部2は、図1(b)において、Z軸方向のマイナス方向に凸になるように形成されている。パターン部2のZ軸方向の幅は30μmとすることができる。型1は、光を透過させることが可能な材料、例えば、紫外線を透過させることが可能な石英ガラスで構成される。型1は、パターン部2を有する面と反対側の面に、円形状の凹部が形成されている。この凹部をコアアウト7aと呼ぶ。図1(b)において、例えば、コアアウト7aの直径d1を64mm、深さd2を5.25mmとすることができる。また、図1(c)において、コアアウト7aの中心はパターン部2の中心と重なるように、コアアウト7aとパターン部2が配置されている。   1B is a cross-sectional view of the mold 1 in the XZ plane, and FIG. 1C is a plan view of the mold 1 in the XY plane. When the mold 1 is, for example, a master mask, the mold 1 has a rectangular outer peripheral shape, the length of one side of the rectangle can be 152 mm, and the thickness of the mold 1 can be 6.35 mm. The mold 1 has a pattern portion 2 having a pattern formed in a three-dimensional shape on a surface (pattern surface) facing the substrate 5. The pattern surface of the pattern portion 2 can be, for example, a region having a size of 26 mm in the Y-axis direction and 33 mm in the X-axis direction in FIG. An uneven pattern is formed on the pattern surface of the pattern portion 2 with a line and space of nanometer order. Further, the pattern portion 2 is formed so as to protrude in the minus direction of the Z-axis direction in FIG. The width of the pattern portion 2 in the Z-axis direction can be 30 μm. The mold 1 is made of a material that can transmit light, for example, quartz glass that can transmit ultraviolet light. The mold 1 has a circular recess formed on the surface opposite to the surface having the pattern portion 2. This recess is referred to as a core-out 7a. In FIG. 1B, for example, the diameter d1 of the core out 7a can be 64 mm and the depth d2 can be 5.25 mm. Further, in FIG. 1C, the core out 7 a and the pattern portion 2 are arranged so that the center of the core out 7 a overlaps the center of the pattern portion 2.

また、基板5を例えばレプリカマスクとした場合、マスターマスクと同様に基板5は矩形の外周形状を有し、矩形の1辺の長さを152mm、基板5の厚さを6.35mmとすることができる。また、図1(a)に示すように、基板5の中央部にはパターンを形成するメサ部6がある。メサ部6のXY平面の大きさはパターン部2の大きさと同じにすることができる。また、メサ部6はZ軸方向のプラス方向に凸になるように形成されており、メサ部6のZ軸方向の幅は30μmとすることができる。また、基板5は、型1と同様にメサ部6を有する面と反対側の面に、円形状の凹部であるコアアウト7bが形成されている。基板5のコアアウト7bの大きさ、位置は、型1のコアアウト7aと同様とすることができる。   Further, when the substrate 5 is a replica mask, for example, the substrate 5 has a rectangular outer peripheral shape like the master mask, the length of one side of the rectangle is 152 mm, and the thickness of the substrate 5 is 6.35 mm. Can do. Further, as shown in FIG. 1A, a mesa portion 6 for forming a pattern is provided in the central portion of the substrate 5. The size of the XY plane of the mesa unit 6 can be made the same as the size of the pattern unit 2. Further, the mesa portion 6 is formed so as to protrude in the plus direction of the Z-axis direction, and the width of the mesa portion 6 in the Z-axis direction can be set to 30 μm. Similarly to the mold 1, the substrate 5 has a core-out 7 b that is a circular recess formed on the surface opposite to the surface having the mesa portion 6. The size and position of the core-out 7b of the substrate 5 can be the same as those of the core-out 7a of the mold 1.

また、図1(a)に示すように、基板5を基板保持部9に載置した場合、コアアウト7bと基板チャック8によって空間が形成され、この空間をキャビティ10とする。基板チャック8には、キャビティ10に連通する配管11が形成されており、補正機構12と接続されている。補正機構12は、キャビティ10に圧縮空気を供給する供給源とキャビティ10を真空にする供給源とを切り替える切り替え弁やサーボバルブ等を含む圧力調整機器で構成されている。補正機構12はキャビティ10の圧力を調節し、メサ部6を凸状或いは凹状に変形させる。同様に、型1も配管(不図示)と補正機構(不図示)により、圧力を調整し、パターン部2を有する領域を凸状或いは凹状に変形させる。   Further, as shown in FIG. 1A, when the substrate 5 is placed on the substrate holding portion 9, a space is formed by the core out 7 b and the substrate chuck 8, and this space is defined as a cavity 10. A pipe 11 communicating with the cavity 10 is formed on the substrate chuck 8 and is connected to the correction mechanism 12. The correction mechanism 12 includes a pressure adjustment device including a switching valve, a servo valve, and the like that switch between a supply source that supplies compressed air to the cavity 10 and a supply source that evacuates the cavity 10. The correction mechanism 12 adjusts the pressure of the cavity 10 to deform the mesa portion 6 into a convex shape or a concave shape. Similarly, the mold 1 also adjusts the pressure by piping (not shown) and a correction mechanism (not shown) to deform the region having the pattern portion 2 into a convex shape or a concave shape.

また、インプリント装置100は、基板5の上にインプリント材を供給する供給部(不図示)と、型1を介して、基板5の上のインプリント材にインプリント材を硬化させるための光を照射する硬化部(不図示)とを有する。   In addition, the imprint apparatus 100 is configured to cure the imprint material on the imprint material on the substrate 5 via the supply unit (not illustrated) that supplies the imprint material on the substrate 5 and the mold 1. It has a hardening part (not shown) which irradiates light.

図2は実施例1に係る保持装置と搬送装置を示した図である。保持装置13は、インプリント装置100へ搬入された型1及び基板5の少なくとも一方を保持する。また、保持装置13は、型1及び基板5の少なくとも一方を保持するためのスロットを有する。図2(a)の例では、保持装置13はX軸方向に2列、Z軸方向に5段のスロットを有しており、2列のスロットの内、左の列スロットに基板5を保持し、右の列のスロットに型1を保持している。また、図2の例では、保持装置13は型1及び基板5を保持しているが、型1のみを保持する保持装置13、及び基板5のみを保持する保持装置13をそれぞれ設けても良い。また、インプリント装置100は、1つの型1を用いて複数の基板5にパターンを形成するため、型1より多くの基板5を保持装置13に保持できるように構成しても良い。また、図2(a)の例では、保持装置13は複数の型1及び基板5を保持しているが、1つの型1及び1つの基板5を保持するようにしても良い。   FIG. 2 is a diagram illustrating the holding device and the transport device according to the first embodiment. The holding device 13 holds at least one of the mold 1 and the substrate 5 carried into the imprint apparatus 100. The holding device 13 has a slot for holding at least one of the mold 1 and the substrate 5. In the example of FIG. 2A, the holding device 13 has two rows in the X-axis direction and five slots in the Z-axis direction, and holds the substrate 5 in the left row slot among the two rows. The mold 1 is held in the slot in the right column. In the example of FIG. 2, the holding device 13 holds the mold 1 and the substrate 5, but a holding device 13 that holds only the die 1 and a holding device 13 that holds only the substrate 5 may be provided. . In addition, since the imprint apparatus 100 forms a pattern on the plurality of substrates 5 using one mold 1, the imprint apparatus 100 may be configured to hold more substrates 5 than the mold 1 on the holding device 13. In the example of FIG. 2A, the holding device 13 holds a plurality of molds 1 and substrates 5, but may hold one mold 1 and one substrate 5.

また、保持装置13には、図2(b)に示す、型1及び基板5の少なくとも一方を搬送する搬送装置(搬送部)200の搬送ハンド201が侵入する侵入口14を設けている。また、型1のパターン部2と保持装置13の接触を避けるため凹部15を設けている。凹部15のZ軸方向の幅は型1のパターン部2のZ軸方向の幅より大きく、凹部15のXY平面における大きさはパターン部2より大きければ良い。   Further, the holding device 13 is provided with an intrusion port 14 through which a transport hand 201 of a transport device (transport unit) 200 that transports at least one of the mold 1 and the substrate 5 shown in FIG. Further, a recess 15 is provided to avoid contact between the pattern portion 2 of the mold 1 and the holding device 13. The width of the recess 15 in the Z-axis direction is larger than the width of the pattern portion 2 of the mold 1 in the Z-axis direction, and the size of the recess 15 in the XY plane may be larger than that of the pattern portion 2.

ここで、保持装置13等のインプリント装置100の各部は、気温を一定に制御したチャンバ(不図示)内に配置されている。チャンバ内には精密に温度調整された気体が供給されている。そして、保持装置13等の温度はチャンバ内の気温と等しくなるように制御されている。また、通常、インプリント装置100の外部とチャンバ内の気温は異なる。例えば、インプリント装置100へ搬入された基板5の温度は、インプリント装置100の外部の気温と同じなっているため、インプリント装置100のチャンバ内に既に搬入され、チャンバ内の気温と同じ温度になっている型1の温度とは異なる。型1と基板5の温度が異なった状態でインプリント処理を行うと、型1と基板5の間で熱が移動して、型1と基板5の少なくとも一方の温度が変化する。そして、温度変化により型1と基板5の少なくとも一方が膨張又は収縮することで変形して、基板5上に形成するパターンが不良になる可能性がある。なお、ここでは基板5が搬入される場合について説明するが、型1が搬入される場合についても同様であるため説明を省略する。   Here, each part of the imprint apparatus 100 such as the holding apparatus 13 is disposed in a chamber (not shown) in which the temperature is controlled to be constant. A gas whose temperature is precisely adjusted is supplied into the chamber. The temperature of the holding device 13 and the like is controlled so as to be equal to the air temperature in the chamber. In general, the temperature inside the chamber is different from that outside the imprint apparatus 100. For example, since the temperature of the substrate 5 carried into the imprint apparatus 100 is the same as the temperature outside the imprint apparatus 100, the temperature is already carried into the chamber of the imprint apparatus 100 and the same temperature as the temperature inside the chamber. The temperature of the mold 1 is different. When the imprint process is performed with the mold 1 and the substrate 5 at different temperatures, heat is transferred between the mold 1 and the substrate 5 and the temperature of at least one of the mold 1 and the substrate 5 changes. Then, there is a possibility that at least one of the mold 1 and the substrate 5 expands or contracts due to a temperature change and deforms, and a pattern formed on the substrate 5 becomes defective. In addition, although the case where the board | substrate 5 is carried in is demonstrated here, since it is the same also when the type | mold 1 is carried in, description is abbreviate | omitted.

そこで、外部から搬入された基板5を保持装置13が保持する間に、基板5の温度をチャンバ内の気温と同じ温度にした後にインプリント処理を行う必要がある。保持装置13に保持された基板5と保持装置13との温度差は、時間の経過とともに小さくなっていく。基板5と保持装置13との温度差が短時間で小さくなるように、保持装置13の材質を基板5の材質より熱伝導率が高く、熱容量が大きい材質とすると良い。例えば、保持装置13の材質として銅とすることができる。また、保持装置13の表面にはダイヤモンドライクコーティング(不図示)を施すことで基板5が、銅などの材質から汚染されることを抑制できる。   Therefore, it is necessary to perform imprint processing after the temperature of the substrate 5 is set to the same temperature as the temperature in the chamber while the holding device 13 holds the substrate 5 carried in from the outside. The temperature difference between the substrate 5 held by the holding device 13 and the holding device 13 becomes smaller as time passes. The material of the holding device 13 is preferably a material having a higher thermal conductivity and a larger heat capacity than the material of the substrate 5 so that the temperature difference between the substrate 5 and the holding device 13 is reduced in a short time. For example, the material of the holding device 13 can be copper. Moreover, it can suppress that the board | substrate 5 is contaminated with materials, such as copper, by providing the surface of the holding device 13 with a diamond-like coating (not shown).

また、基板5の温度は保持装置13と接触する面から基板5の内部に向かって変化していくため、基板5の内部の温度が一定になるためには時間がかかる。そこで、基板5と保持装置13の間を移動する熱を検出することにより、基板5の内部の温度が一定になったと判定する。   Further, since the temperature of the substrate 5 changes from the surface in contact with the holding device 13 toward the inside of the substrate 5, it takes time for the temperature inside the substrate 5 to be constant. Therefore, it is determined that the temperature inside the substrate 5 has become constant by detecting the heat moving between the substrate 5 and the holding device 13.

図3は実施例1に係る保持装置の拡大図である。保持装置13の各スロットにおいて、保持装置13と基板5とが接触する面に熱流束センサ(熱流センサ、熱流計)16を配置する。ここで、熱流束センサとは、例えばセンサ内に設けられた板状の熱電対の表面と裏面の温度差を電気信号に変換することにより、移動する熱の熱量と熱が移動する方向を測定するセンサである。図3(a)は、図2のA−A’をZ軸のプラス方向から見た図である。また、図3(b)は、図3(a)のB−B’に示される線における断面図を示した図である。また、図3(a)において、基板5をスロットに載置した場合の位置関係を示すために基板5、メサ部6、凹部15を破線で示している。また、図3の熱流束センサ16の数と位置は一例でありこれに限られない。   FIG. 3 is an enlarged view of the holding device according to the first embodiment. In each slot of the holding device 13, a heat flux sensor (heat flow sensor, heat flow meter) 16 is disposed on the surface where the holding device 13 and the substrate 5 come into contact. Here, the heat flux sensor measures the amount of moving heat and the direction in which the heat moves, for example, by converting the temperature difference between the front and back surfaces of a plate-shaped thermocouple provided in the sensor into an electrical signal. Sensor. FIG. 3A is a view of A-A ′ of FIG. 2 viewed from the positive direction of the Z axis. FIG. 3B is a cross-sectional view taken along line B-B ′ in FIG. In FIG. 3A, the substrate 5, the mesa unit 6, and the recess 15 are shown by broken lines in order to show the positional relationship when the substrate 5 is placed in the slot. Moreover, the number and position of the heat flux sensor 16 of FIG. 3 are examples, and are not limited to this.

図3(a)のように基板5がスロットに載置した場合、基板5は侵入口14と凹部15を除く部分で保持装置13と接触する。例えば、保持装置13の温度より基板5の温度が高い場合、熱は基板5から保持装置13へ向かって移動する。また、基板5の温度が保持装置13より低い場合、熱は保持装置13から基板5へ向かって移動する。熱流束センサ16により、基板5と保持装置13の間を移動する熱の熱量と熱が移動する方向を測定する。そして、移動する熱量が収束した場合に基板5の内部の温度が一定になったと判定することができる。   When the substrate 5 is placed in the slot as shown in FIG. 3A, the substrate 5 comes into contact with the holding device 13 at a portion excluding the entry port 14 and the recess 15. For example, when the temperature of the substrate 5 is higher than the temperature of the holding device 13, the heat moves from the substrate 5 toward the holding device 13. Further, when the temperature of the substrate 5 is lower than that of the holding device 13, the heat moves from the holding device 13 toward the substrate 5. The heat flux sensor 16 measures the amount of heat that moves between the substrate 5 and the holding device 13 and the direction in which the heat moves. Then, it can be determined that the temperature inside the substrate 5 has become constant when the amount of heat to move has converged.

図4は熱流束センサ16の出力信号と時間の関係を示した図である。図4に基づいて、基板5の内部温度が一定になったか否かを判定する方法について説明する。図4におけるグラフは、保持装置13のスロットに基板5を載置した場合の、熱流束センサ16の出力信号qを縦軸として、時間tを横軸としている。出力信号qは熱流束センサにおいて基板5と保持装置13の間を移動する熱の熱量を表す情報である。また、熱が基板5から保持装置13へ向かって移動したとき、出力信号qは正の値となり、熱が保持装置13から基板5へ向かって移動したとき、出力信号qは負の値となる。また、信号対ノイズ比(S/N比)を改善させるために、出力信号qは複数の熱流束センサ16を直列に接続して検出された信号としても良い。   FIG. 4 is a diagram showing the relationship between the output signal of the heat flux sensor 16 and time. A method for determining whether or not the internal temperature of the substrate 5 has become constant will be described with reference to FIG. In the graph in FIG. 4, when the substrate 5 is placed in the slot of the holding device 13, the output signal q of the heat flux sensor 16 is the vertical axis, and the time t is the horizontal axis. The output signal q is information representing the amount of heat that moves between the substrate 5 and the holding device 13 in the heat flux sensor. Further, when the heat moves from the substrate 5 toward the holding device 13, the output signal q becomes a positive value, and when the heat moves from the holding device 13 toward the substrate 5, the output signal q becomes a negative value. . In order to improve the signal-to-noise ratio (S / N ratio), the output signal q may be a signal detected by connecting a plurality of heat flux sensors 16 in series.

図4において、保持装置13と基板5の温度差が異なる2つの条件で熱の移動を検出した結果を示している。保持装置13と基板5の温度差が大きい場合の検出結果を第1出力信号q1、保持装置13と基板5の温度差が小さい場合の検出結果を第2出力信号q2とする。また、閾値qaは、予め実験やシミュレーション等により予め定められた値である。そして、以下の式(1)を用いて、出力信号qの値が一定の許容範囲内に収まっているか否かを判定することにより、基板5の内部の温度が一定になったか否かを判定する。
−qa≦q≦qa ・・・(1)
FIG. 4 shows the result of detecting the movement of heat under two conditions where the temperature difference between the holding device 13 and the substrate 5 is different. A detection result when the temperature difference between the holding device 13 and the substrate 5 is large is a first output signal q1, and a detection result when the temperature difference between the holding device 13 and the substrate 5 is small is a second output signal q2. The threshold value qa is a value determined in advance by experiments, simulations, or the like. Then, the following equation (1) is used to determine whether or not the temperature of the substrate 5 has become constant by determining whether or not the value of the output signal q is within a certain allowable range. To do.
-Qa ≦ q ≦ qa (1)

図5は実施例1に係る温度判定処理を示したフローチャートである。S101において、制御部21は搬送装置200により保持装置13に基板5を搬送させる。S102において、制御部21は予め定めた時間taだけ待機する。S103において、制御部21は、出力信号qの値が一定の許容範囲内に収まっており、基板5の内部の温度が一定になったか否かを判定する。つまり、出力信号qの値が式(1)を満たしているか否かを判定する。出力信号qの値が式(1)を満たしている場合は、基板5の内部温度が一定になったと判定して、温度判定処理を終了する。出力信号qの値が式(1)を満たしていない場合は、S103に戻る。   FIG. 5 is a flowchart illustrating the temperature determination process according to the first embodiment. In S <b> 101, the control unit 21 causes the holding device 13 to transfer the substrate 5 by the transfer device 200. In S102, the control unit 21 waits for a predetermined time ta. In S103, the control unit 21 determines whether or not the value of the output signal q is within a certain allowable range and the temperature inside the substrate 5 has become constant. That is, it is determined whether or not the value of the output signal q satisfies the formula (1). If the value of the output signal q satisfies Expression (1), it is determined that the internal temperature of the substrate 5 has become constant, and the temperature determination process is terminated. When the value of the output signal q does not satisfy Expression (1), the process returns to S103.

ここで、S102において、時間taだけ待機する理由について説明する。図4における第1出力信号q1は、基板5が保持装置13に搬送された時間(t=0)の直後は式(1)を満たしている。しかし、時間の経過に伴い、第1出力信号q1は閾値qaよりも大きくなり式(1)を満たさなくなる。このように、基板5が保持装置13に搬送された直後から判定を開始すると誤って判定する可能性があるので、判定処理を開始する前に時間taだけ待機する。また、時間taは予め実験やシミュレーション等により、誤った判定をする可能性がない時間として求めておくと良い。また、S102において時間taだけ待機する代わりに、S103において出力信号qの値が式(1)を一定の時間以上満たしている場合に、基板5の内部温度が一定なったと判定しても良い。この一定の時間も予め実験やシミュレーション等により求めておくと良い。   Here, the reason for waiting for time ta in S102 will be described. The first output signal q1 in FIG. 4 satisfies the expression (1) immediately after the time (t = 0) when the substrate 5 is transported to the holding device 13. However, with the passage of time, the first output signal q1 becomes larger than the threshold value qa and does not satisfy Expression (1). As described above, there is a possibility of erroneous determination if the determination is started immediately after the substrate 5 is transported to the holding device 13, so that the process waits for the time ta before starting the determination process. Further, the time ta may be obtained in advance as a time at which there is no possibility of erroneous determination by experiments or simulations. Instead of waiting for the time ta in S102, it may be determined that the internal temperature of the substrate 5 has become constant when the value of the output signal q satisfies the expression (1) for a certain time or longer in S103. This fixed time may be obtained in advance by experiments or simulations.

また、熱流束センサ16の出力信号qの信号対ノイズ比が低い場合に、出力信号qの値が式(1)を満たしていると判定した後、制御部21は一定の時間だけ待機してから温度判定処理を終了すると良い。これにより、ノイズの影響を抑制することができる。この一定の時間も予め実験やシミュレーション等により求めておくと良い。   Further, when the signal-to-noise ratio of the output signal q of the heat flux sensor 16 is low, after determining that the value of the output signal q satisfies the formula (1), the control unit 21 waits for a certain time. It is preferable to end the temperature determination process. Thereby, the influence of noise can be suppressed. This fixed time may be obtained in advance by experiments or simulations.

また、保持装置13を型保持部4としても良い。この場合、型保持部4に熱流束センサ16を配置して、型保持部4が型1を保持した状態で制御部21が温度判定処理を行う。また同様に、保持装置13を基板保持部9としても良い。この場合、基板保持部9に熱流束センサ16を配置して、基板保持部9が基板5を保持した状態で制御部21が温度判定処理を行う。   The holding device 13 may be the mold holding unit 4. In this case, the heat flux sensor 16 is disposed in the mold holding unit 4, and the control unit 21 performs the temperature determination process in a state where the mold holding unit 4 holds the mold 1. Similarly, the holding device 13 may be the substrate holding unit 9. In this case, the heat flux sensor 16 is disposed on the substrate holding unit 9, and the control unit 21 performs the temperature determination process in a state where the substrate holding unit 9 holds the substrate 5.

(変形例1)
本実施例における変形例1について説明する。なお、ここで言及しない事項は、本実施例の前述の説明に従い得る。図6は変形例1に係る保持装置の拡大図である。図6(a)は、図2のA−A’をZ軸のプラス方向から見た図である。また、図6(b)は、図6(a)のC−C’に示される線における断面図を示した図である。なお、図6の熱流束センサ16の数と位置は一例でありこれに限られない。
(Modification 1)
Modification 1 in the present embodiment will be described. In addition, the matter which is not mentioned here can follow the above-mentioned description of a present Example. FIG. 6 is an enlarged view of the holding device according to the first modification. FIG. 6A is a view of AA ′ in FIG. 2 as viewed from the plus direction of the Z axis. FIG. 6B is a diagram showing a cross-sectional view taken along the line CC ′ in FIG. In addition, the number and position of the heat flux sensor 16 of FIG. 6 are an example, and are not limited thereto.

変形例1における熱流束センサ16は、保持装置13と基板5が接触する面の方向において広く配置されており、変形例1における熱流束センサ16の面積は、図3に示される熱流束センサ16より面積が大きい。熱流束センサ16の面積が大きいことにより、図3に示される熱流束センサ16より多くの素子を配置することが可能となり、熱流束センサ16の感度を上げることができる。熱流束センサ16の感度が上がることにより分解能が良くなり、正確な検出が可能となる。   The heat flux sensor 16 in the first modification is widely arranged in the direction of the surface where the holding device 13 and the substrate 5 are in contact, and the area of the heat flux sensor 16 in the first modification is the heat flux sensor 16 shown in FIG. The area is larger. Since the area of the heat flux sensor 16 is large, it becomes possible to arrange more elements than the heat flux sensor 16 shown in FIG. 3, and the sensitivity of the heat flux sensor 16 can be increased. As the sensitivity of the heat flux sensor 16 increases, the resolution is improved and accurate detection is possible.

(変形例2)
本実施例における変形例2について説明する。なお、ここで言及しない事項は、本実施例の前述の説明に従い得る。図7は変形例2に係る保持装置の拡大図である。図7(a)は、図2のA−A’をZ軸のプラス方向から見た図である。また、図7(b)は、図7(a)のD−D’に示される線における断面図を示した図である。
(Modification 2)
Modification 2 in the present embodiment will be described. In addition, the matter which is not mentioned here can follow the above-mentioned description of a present Example. FIG. 7 is an enlarged view of the holding device according to the second modification. FIG. 7A is a view of AA ′ of FIG. 2 viewed from the positive direction of the Z axis. FIG. 7B is a cross-sectional view taken along the line DD ′ in FIG.

変形例2においては、断熱材20(断熱部)が保持装置13と基板5が接触する面の方向において広く配置されている。また、変形例2における熱流束センサ16は、断熱材20の四隅に配置されている。また、熱流束センサ16が熱量を検出することを抑制しないようにするために、断熱材20は熱流束センサ16と重複しないように配置される。なお、図7の熱流束センサ16の数と位置は一例でありこれに限られない。   In the modification 2, the heat insulating material 20 (heat insulating part) is widely arranged in the direction of the surface where the holding device 13 and the substrate 5 are in contact. Further, the heat flux sensor 16 in the second modification is disposed at the four corners of the heat insulating material 20. Moreover, in order not to suppress that the heat flux sensor 16 detects heat quantity, the heat insulating material 20 is arrange | positioned so that it may not overlap with the heat flux sensor 16. In addition, the number and position of the heat flux sensor 16 of FIG. 7 are examples, and are not restricted to this.

断熱材20が配置されている領域より熱流束センサ16が配置されている領域の方が、基板5と保持装置13の間を多くの熱が移動する。これにより、熱流束センサ16の感度が上がり、正確な検出が可能となる。また、感度が上がることにより、熱流束センサ16のサイズを小さくすることが可能となる。   More heat moves between the substrate 5 and the holding device 13 in the region where the heat flux sensor 16 is disposed than in the region where the heat insulating material 20 is disposed. This increases the sensitivity of the heat flux sensor 16 and enables accurate detection. Further, the sensitivity can be increased, so that the size of the heat flux sensor 16 can be reduced.

(変形例3)
本実施例における変形例3について説明する。なお、ここで言及しない事項は、本実施例の前述の説明に従い得る。図8は変形例3に係る保持装置の拡大図である。
(Modification 3)
A third modification of the present embodiment will be described. In addition, the matter which is not mentioned here can follow the above-mentioned description of a present Example. FIG. 8 is an enlarged view of the holding device according to the third modification.

変形例3においては、保持装置13と基板5が接触する領域を狭くするために、保持装置13のスロットにスペーサ17を設けている。これにより、保持装置13のスロットに付着している異物が基板5に付着したり、基板5に付着している異物が保持装置13のスロットに付着したりすることを抑制できる。また、スペーサ17を設けることにより、基板5は間隔をあけて保持装置13に載置されるため、保持装置13と基板5との間を移動する熱を熱流束センサ16で検出することが抑制される。そのため、スペーサ17のZ方向の厚みはできるだけ小さくする必要がある。このため、スペーサ17のZ方向の厚みは予め実験結果等から求めておくことが望ましい。例えば、スペーサ17のZ方向の厚みは0.5mm以下とすることで、保持装置13と基板5の間隔が0.5mm以下となるようにすると良い。   In the third modification, a spacer 17 is provided in a slot of the holding device 13 in order to narrow an area where the holding device 13 and the substrate 5 are in contact with each other. As a result, it is possible to suppress foreign matters adhering to the slot of the holding device 13 from adhering to the substrate 5 and foreign matters adhering to the substrate 5 from adhering to the slot of the holding device 13. Further, by providing the spacer 17, the substrate 5 is placed on the holding device 13 at an interval, so that the heat flux sensor 16 can suppress detection of heat that moves between the holding device 13 and the substrate 5. Is done. Therefore, it is necessary to make the thickness of the spacer 17 in the Z direction as small as possible. For this reason, it is desirable to obtain the thickness of the spacer 17 in the Z direction in advance from experimental results. For example, the thickness of the spacer 17 in the Z direction is preferably 0.5 mm or less, so that the distance between the holding device 13 and the substrate 5 is 0.5 mm or less.

(変形例4)
本実施例における変形例4について説明する。なお、ここで言及しない事項は、本実施例の前述の説明に従い得る。図9は変形例4に係る熱流束センサの出力信号を微分した微分信号と時間の関係を示した図である。図9に基づいて、基板5の内部温度が一定になったか否かを判定する方法について説明する。図9におけるグラフは、保持装置13のスロットに基板5を載置した場合の、熱流束センサ16の出力信号qを時間で微分した微分信号dを縦軸として、時間tを横軸としている。図9では、図4における第1出力信号q1を時間で微分した第1微分信号d1、図4における第2出力信号q2を時間で微分した第2微分信号d2とする。また、閾値daは、予め実験やシミュレーション等により求められた微分信号dから予め定められた値である。そして、以下の式(2)を基板5の内部の温度が一定になったか否かを判定するために用いる。
−da≦d≦da ・・・(2)
(Modification 4)
A fourth modification of the present embodiment will be described. In addition, the matter which is not mentioned here can follow the above-mentioned description of a present Example. FIG. 9 is a diagram showing the relationship between the differential signal obtained by differentiating the output signal of the heat flux sensor according to Modification 4 and time. Based on FIG. 9, a method for determining whether or not the internal temperature of the substrate 5 has become constant will be described. The graph in FIG. 9 has the differential signal d obtained by differentiating the output signal q of the heat flux sensor 16 with respect to time when the substrate 5 is placed in the slot of the holding device 13 as the vertical axis and the time t as the horizontal axis. 9, a first differential signal d1 obtained by differentiating the first output signal q1 in FIG. 4 with respect to time, and a second differential signal d2 obtained by differentiating the second output signal q2 in FIG. 4 with respect to time. The threshold da is a value determined in advance from the differential signal d obtained in advance through experiments, simulations, or the like. Then, the following equation (2) is used to determine whether or not the temperature inside the substrate 5 has become constant.
-Da ≦ d ≦ da (2)

図10は変形例4に係る温度判定処理を示したフローチャートである。S201において、制御部21は搬送装置200により保持装置13に基板5を搬送させる。S202において、制御部21は、微分信号dの1度目のピーク値を検出する。ここで、1度目のピーク値は、図9の例では第1ポイントp1及び第2ポイントp2における微分信号dの値である。S203において、制御部21は、微分信号dの値が一定の許容範囲内に収まっているか否かを判定する。つまり、微分信号dの値が式(2)を満たしているか否かを判定する。微分信号dの値が式(2)を満たしている場合は、制御部21は基板5の内部温度が一定になったと判定して、温度判定処理を終了する。図9の例では、第2ポイントp2における微分信号dの値は式(2)を満たしている。よって、第2微分信号d2の場合には第2ポイントp2の時間tにおいて、基板5の内部の温度が一定になったと判定する。一方、微分信号dの値が式(2)を満たしていない場合は、S204に進む。図9の例では、第1ポイントp1における第1微分信号d1の値は式(2)を満たしていないので、S204に進む。   FIG. 10 is a flowchart showing a temperature determination process according to the fourth modification. In step S <b> 201, the control unit 21 causes the holding device 13 to transfer the substrate 5 using the transfer device 200. In S202, the control unit 21 detects the first peak value of the differential signal d. Here, the first peak value is the value of the differential signal d at the first point p1 and the second point p2 in the example of FIG. In S203, the control unit 21 determines whether or not the value of the differential signal d is within a certain allowable range. That is, it is determined whether or not the value of the differential signal d satisfies Expression (2). When the value of the differential signal d satisfies Expression (2), the control unit 21 determines that the internal temperature of the substrate 5 has become constant, and ends the temperature determination process. In the example of FIG. 9, the value of the differential signal d at the second point p2 satisfies Expression (2). Therefore, in the case of the second differential signal d2, it is determined that the temperature inside the substrate 5 becomes constant at the time t of the second point p2. On the other hand, if the value of the differential signal d does not satisfy Expression (2), the process proceeds to S204. In the example of FIG. 9, since the value of the first differential signal d1 at the first point p1 does not satisfy Expression (2), the process proceeds to S204.

S204において、制御部21は、微分信号dの2度目のピーク値を検出する。ここで、第1部分信号d1における2度目のピーク値は、図9の例では第3ポイントp3における微分信号dの値である。S205において、制御部21は、微分信号dの値が一定の許容範囲内に収まっているか否かを判定する。つまり、制御部21は微分信号dの値が式(2)を満たしているか否かを判定する。微分信号dの値が式(2)を満たしている場合は、制御部21は基板5の内部温度が一定になったと判定して、温度判定処理を終了する。一方、微分信号dの値が式(2)を満たしていない場合は、再度、S205に戻り、制御部21は微分信号dの値が式(2)を満たしているかを判定する。   In S204, the control unit 21 detects the second peak value of the differential signal d. Here, the second peak value in the first partial signal d1 is the value of the differential signal d at the third point p3 in the example of FIG. In S205, the control unit 21 determines whether or not the value of the differential signal d is within a certain allowable range. That is, the control unit 21 determines whether or not the value of the differential signal d satisfies Expression (2). When the value of the differential signal d satisfies Expression (2), the control unit 21 determines that the internal temperature of the substrate 5 has become constant, and ends the temperature determination process. On the other hand, when the value of the differential signal d does not satisfy Expression (2), the process returns to S205 again, and the control unit 21 determines whether the value of the differential signal d satisfies Expression (2).

このように、微分信号を用いることにより、基板5の内部温度が一定になったと判定することができる。例えば、図4における温度判定処理のように待機時間taを設ける必要がなく、より短い時間で基板5の内部温度が一定になったことを判定できる。   Thus, it can be determined that the internal temperature of the substrate 5 has become constant by using the differential signal. For example, it is not necessary to provide the standby time ta unlike the temperature determination process in FIG. 4, and it can be determined that the internal temperature of the substrate 5 has become constant in a shorter time.

以上により、本実施例によるインプリント装置によれば、保持装置13に設けられた熱流束センサを用いて、保持装置13に搬送された型1及び基板5の内部の温度が一定なったか否かを判定することができる。これにより、型1と基板5の温度差が低減された状態でインプリント処理ができるので、パターンの不良が発生する可能性を低減することができ、スループットが低下する可能性を低減することができる。   As described above, according to the imprint apparatus according to the present embodiment, whether or not the temperature inside the mold 1 and the substrate 5 conveyed to the holding device 13 is constant using the heat flux sensor provided in the holding device 13. Can be determined. Thereby, since the imprint process can be performed in a state where the temperature difference between the mold 1 and the substrate 5 is reduced, it is possible to reduce the possibility of pattern defects and to reduce the possibility of a decrease in throughput. it can.

〔実施例2〕
次に実施例2に係るインプリント装置について説明する。なお、ここで言及しない事項は、実施例1に従い得る。実施例2では、保持装置13に型及び基板5の温度を調整するための温度調整装置(調整部)が構成されている。
[Example 2]
Next, an imprint apparatus according to the second embodiment will be described. In addition, the matter which is not mentioned here can follow Example 1. FIG. In the second embodiment, the holding device 13 is configured with a temperature adjusting device (adjusting unit) for adjusting the temperature of the mold and the substrate 5.

図11は実施例2に係る保持装置を示した図である。温度調整装置18は保持装置13の温度を調整する。温度調整装置18は、温度を調整するための媒体を保持装置13内で循環させるための配管19、媒体の温度を調整するための調整部(不図示)、及び媒体を配管19に循環させるためのポンプ(不図示)を有する。媒体は、例えば、パーフルオロポリエーテル(PFPE)やプロピレングリコール系の液体を利用すると良い。また、媒体として水を含む液体を利用する場合、配管19は、例えばステンレスといった水による腐食が抑制される材質を使うと良い。また、調整部には、例えばペルチェ素子、冷凍機、ヒータなどから構成され、循環する媒体の温度を目標温度に調整する。ここで、目標温度は、例えば、インプリント装置100内部の気温を温度センサ(不図示)によって測定した気温と等しくなるように定められると良い。また、目標温度は、温度センサ(不図示)により、型保持部4、基板保持部9等のインプリント装置100内の各部の温度を測定して、測定された温度と等しくなるように定められても良い。また、目標温度は、型1が型保持部4に保持されていた場合、又は基板5が基板保持部9に保持されている場合に、温度センサ(不図示)により型1、又は基板5の温度を測定して、測定された温度と等しくなるように定められても良い。   FIG. 11 is a diagram illustrating a holding device according to the second embodiment. The temperature adjusting device 18 adjusts the temperature of the holding device 13. The temperature adjustment device 18 is configured to circulate a medium for adjusting the temperature in the holding device 13, a pipe 19 for adjusting the temperature of the medium, and an adjustment unit (not shown) for adjusting the temperature of the medium, and to circulate the medium in the pipe 19. Pump (not shown). As the medium, for example, perfluoropolyether (PFPE) or a propylene glycol-based liquid may be used. Moreover, when using the liquid containing water as a medium, the piping 19 should use the material which suppresses corrosion by water, such as stainless steel, for example. Further, the adjustment unit includes, for example, a Peltier element, a refrigerator, a heater, and the like, and adjusts the temperature of the circulating medium to the target temperature. Here, for example, the target temperature may be determined so that the temperature inside the imprint apparatus 100 is equal to the temperature measured by a temperature sensor (not shown). The target temperature is determined to be equal to the measured temperature by measuring the temperature of each part in the imprint apparatus 100 such as the mold holding unit 4 and the substrate holding unit 9 by a temperature sensor (not shown). May be. Further, the target temperature is determined by the temperature sensor (not shown) when the mold 1 is held by the mold holding unit 4 or when the substrate 5 is held by the substrate holding unit 9. The temperature may be measured and determined to be equal to the measured temperature.

図12は実施例2に係る保持装置の別の実施形態を示した図である。図12における保持装置13と図11における保持装置13との違いは、1つの基板5を保持する点である。このように、保持装置13は基板5専用の保持装置を設けることで、基板5に最適な目標温度を定めることができる。また、図12では保持装置13に1つの基板5を載置するように構成されているが、複数の基板5を載置するように構成されていても良い。なお、ここでは基板5を保持する例で説明したが、型1を保持する場合も同様であるため説明を省略する。   FIG. 12 is a diagram illustrating another embodiment of the holding device according to the second embodiment. The difference between the holding device 13 in FIG. 12 and the holding device 13 in FIG. 11 is that one substrate 5 is held. Thus, the holding device 13 can determine the optimum target temperature for the substrate 5 by providing a holding device dedicated to the substrate 5. Further, in FIG. 12, the single substrate 5 is placed on the holding device 13, but a plurality of substrates 5 may be placed. Although the example in which the substrate 5 is held has been described here, the same applies to the case in which the mold 1 is held.

温度調整装置18により、保持装置13に保持された型1及び基板5は、実施例1のように温度調整装置18がない場合と比べて、内部の温度が一定になる時間をより短くすることができる。   The mold 1 and the substrate 5 held by the holding device 13 by the temperature adjusting device 18 are made shorter in the time during which the internal temperature becomes constant as compared with the case without the temperature adjusting device 18 as in the first embodiment. Can do.

(変形例5)
本実施例における変形例5について説明する。なお、ここで言及しない事項は、実施例1、及び実施例2の前述の説明に従い得る。保持装置13に型及び基板5の温度を調整するための温度調整装置が構成されることにより、温度調整装置18の目標温度を可変にして、より短時間で型1及び基板5の内部の温度が一定になるように温度調整をすることができる。
(Modification 5)
Modification 5 in the present embodiment will be described. In addition, the matter which is not mentioned here can follow the above-mentioned description of Example 1 and Example 2. FIG. Since the temperature adjusting device for adjusting the temperature of the mold and the substrate 5 is configured in the holding device 13, the target temperature of the temperature adjusting device 18 can be changed, and the temperature inside the mold 1 and the substrate 5 can be shortened in a shorter time. The temperature can be adjusted so that is constant.

図13は変形例5に係る温度判定処理を示したフローチャートである。図13における温度判定処理は、図9における微分信号dと時間tとの関係に基づいて、温度判定処理が行われる。S301において、制御部21は搬送装置200により保持装置13に基板5を搬送させる。S302において、制御部21は微分信号dの1度目のピーク値を検出する。S303において、微分信号dの値に基づいて温度調整装置18により調整される目標温度を段階的に変更する。   FIG. 13 is a flowchart showing a temperature determination process according to the fifth modification. The temperature determination process in FIG. 13 is performed based on the relationship between the differential signal d and time t in FIG. In step S <b> 301, the control unit 21 causes the holding device 13 to transfer the substrate 5 using the transfer device 200. In S302, the control unit 21 detects the first peak value of the differential signal d. In step S303, the target temperature adjusted by the temperature adjustment device 18 is changed stepwise based on the value of the differential signal d.

S304において、制御部21は変更した目標温度が初期に設定されていた目標温度と等しいか判定する。目標温度が初期に設定された目標温度と等しい場合はS305に進む。目標温度が初期に設定されていた目標温度と等しくない場合はS303に戻る。   In S304, the control unit 21 determines whether the changed target temperature is equal to the initially set target temperature. If the target temperature is equal to the initially set target temperature, the process proceeds to S305. If the target temperature is not equal to the initially set target temperature, the process returns to S303.

ここで、S303において目標温度を段階的に変更する処理について説明する。まず、微分信号dの値が正の値であれば目標温度が小さくなるように変更し、微分信号dの値が正の値であれば目標温度が大きくなるように変更する。例えば、初期に設定された目標温度が23.0℃であり、微分信号の値が正の値である場合、最初に目標温度を22.0℃に変更する。次にS304で目標温度が初期に設定されていた目標温度と等しくないと判定され、S303に戻ってきた時、予め定められた温度だけ目標温度を大きくする。例えば、22.2℃とする。ここで、変更する目標温度や、変更する時間は予め実験やシミュレーション等の結果により求めておくと良い。このように、S303、S304の処理を繰り返し行い、目標温度を22.4℃、22.6℃、22.8℃、23.0℃と変更していく。そして、S304で目標温度が初期に設定されていた目標温度と等しいと判定されてS305に進む。また、S303、S304の処理を繰り返す時にS304の後に待機時間を設けても良い。この待機時間についても予め実験やシミュレーション等の結果により求めておくと良い。また、微分信号の値が負の値の場合、最初に目標温度を大きくして、予め定めた温度だけ目標温度を小さくしていく。   Here, the process of changing the target temperature stepwise in S303 will be described. First, if the value of the differential signal d is a positive value, the target temperature is changed to be small, and if the value of the differential signal d is a positive value, the target temperature is changed to be large. For example, when the initially set target temperature is 23.0 ° C. and the value of the differential signal is a positive value, the target temperature is first changed to 22.0 ° C. Next, in S304, when it is determined that the target temperature is not equal to the initially set target temperature and the process returns to S303, the target temperature is increased by a predetermined temperature. For example, it is 22.2 ° C. Here, the target temperature to be changed and the time to be changed may be obtained in advance by results of experiments or simulations. In this way, the processes of S303 and S304 are repeated, and the target temperature is changed to 22.4 ° C, 22.6 ° C, 22.8 ° C, and 23.0 ° C. Then, in S304, it is determined that the target temperature is equal to the target temperature that was initially set, and the process proceeds to S305. Further, a standby time may be provided after S304 when the processes of S303 and S304 are repeated. This standby time may be obtained in advance from results of experiments, simulations, and the like. If the value of the differential signal is a negative value, the target temperature is first increased and the target temperature is decreased by a predetermined temperature.

次にS305において、制御部21は微分信号dの値が式(2)を満たしているか否かを判定する。微分信号dの値が式(2)を満たしている場合は、制御部21は基板5の内部温度が一定になったと判定して、温度判定処理を終了する。微分信号dの値が式(2)を満たしていない場合は、S305に戻る。   Next, in S305, the control unit 21 determines whether or not the value of the differential signal d satisfies Expression (2). When the value of the differential signal d satisfies Expression (2), the control unit 21 determines that the internal temperature of the substrate 5 has become constant, and ends the temperature determination process. If the value of the differential signal d does not satisfy Expression (2), the process returns to S305.

以上により、本実施例に係るインプリント装置によれば、保持装置13に設けられた熱流束センサを用いて、保持装置13に搬送された型1及び基板5の内部の温度が一定なったか否かを判定することができる。これにより、型1と基板5の温度差が低減された状態でインプリント処理ができるので、パターンの不良が発生する可能性を低減することができ、スループットが低下する可能性を低減することができる。また、本実施例に係るインプリント装置は保持装置13の温度を調整する温度調整装置を有することにより、短時間で型1及び基板5の内部の温度を一定にすることができる。   As described above, according to the imprint apparatus according to the present embodiment, whether or not the temperatures inside the mold 1 and the substrate 5 conveyed to the holding device 13 are constant using the heat flux sensor provided in the holding device 13. Can be determined. Thereby, since the imprint process can be performed in a state where the temperature difference between the mold 1 and the substrate 5 is reduced, it is possible to reduce the possibility of pattern defects and to reduce the possibility of a decrease in throughput. it can. In addition, the imprint apparatus according to the present embodiment includes the temperature adjustment device that adjusts the temperature of the holding device 13, so that the temperature inside the mold 1 and the substrate 5 can be made constant in a short time.

(物品の製造方法)
インプリント装置を用いて形成した硬化物のパターンは、各種物品の少なくとも一部に恒久的に、或いは各種物品を製造する際に一時的に、用いられる。物品とは、電気回路素子、光学素子、MEMS、記録素子、センサ、或いは、型等である。電気回路素子としては、DRAM、SRAM、フラッシュメモリ、MRAMのような、揮発性或いは不揮発性の半導体メモリや、LSI、CCD、イメージセンサ、FPGAのような半導体素子等が挙げられる。型としては、インプリント用のモールド等が挙げられる。
(Product manufacturing method)
The pattern of the cured product formed using the imprint apparatus is used permanently on at least a part of various articles or temporarily used when manufacturing various articles. The article is an electric circuit element, an optical element, a MEMS, a recording element, a sensor, or a mold. Examples of the electric circuit elements include volatile or nonvolatile semiconductor memories such as DRAM, SRAM, flash memory, and MRAM, and semiconductor elements such as LSI, CCD, image sensor, and FPGA. Examples of the mold include an imprint mold.

硬化物のパターンは、上記物品の少なくとも一部の構成部材として、そのまま用いられるか、或いは、レジストマスクとして一時的に用いられる。基板の加工工程においてエッチング又はイオン注入等が行われた後、レジストマスクは除去される。   The pattern of the cured product is used as it is as a constituent member of at least a part of the article or temporarily used as a resist mask. After etching or ion implantation or the like is performed in the substrate processing step, the resist mask is removed.

次に、物品の具体的な製造方法について説明する。図14(a)に示すように、絶縁体等の被加工材2zが表面に形成されたシリコンウエハ等の基板1zを用意し、続いて、インクジェット法等により、被加工材2zの表面にインプリント材3zを付与する。ここでは、複数の液滴状になったインプリント材3zが基板上に付与された様子を示している。   Next, a specific method for manufacturing an article will be described. As shown in FIG. 14A, a substrate 1z such as a silicon wafer on which a workpiece 2z such as an insulator is formed is prepared. Subsequently, the substrate 1z is formed on the surface of the workpiece 2z by an inkjet method or the like. A printing material 3z is applied. Here, a state is shown in which the imprint material 3z in the form of a plurality of droplets is applied on the substrate.

図14(b)に示すように、インプリント用の型4zを、その凹凸パターンが形成された側を基板上のインプリント材3zに向け、対向させる。図14(c)に示すように、インプリント材3zが付与された基板1zと型4zとを接触させ、圧力を加える。インプリント材3zは型4zと被加工材2zとの隙間に充填される。この状態で硬化用のエネルギーとして光を型4zを透して照射すると、インプリント材3zは硬化する。   As shown in FIG. 14B, the imprint mold 4z is opposed to the imprint material 3z on the substrate with the side having the uneven pattern formed thereon. As shown in FIG. 14C, the substrate 1z provided with the imprint material 3z is brought into contact with the mold 4z, and pressure is applied. The imprint material 3z is filled in a gap between the mold 4z and the workpiece 2z. In this state, when light is irradiated as energy for curing through the mold 4z, the imprint material 3z is cured.

図14(d)に示すように、インプリント材3zを硬化させた後、型4zと基板1zを引き離すと、基板1z上にインプリント材3zの硬化物のパターンが形成される。この硬化物のパターンは、型の凹部が硬化物の凸部に、型の凹部が硬化物の凸部に対応した形状になっており、即ち、インプリント材3zに型4zの凹凸パターンが転写されたことになる。   As shown in FIG. 14D, when the imprint material 3z is cured and then the mold 4z and the substrate 1z are separated, a pattern of a cured product of the imprint material 3z is formed on the substrate 1z. This cured product pattern has a shape in which the concave portion of the mold corresponds to the convex portion of the cured product, and the concave portion of the mold corresponds to the convex portion of the cured product, that is, the concave / convex pattern of the die 4z is transferred to the imprint material 3z. It will be done.

図14(e)に示すように、硬化物のパターンを耐エッチングマスクとしてエッチングを行うと、被加工材2zの表面のうち、硬化物が無いか或いは薄く残存した部分が除去され、溝5zとなる。図14(f)に示すように、硬化物のパターンを除去すると、被加工材2zの表面に溝5zが形成された物品を得ることができる。ここでは硬化物のパターンを除去したが、加工後も除去せずに、例えば、半導体素子等に含まれる層間絶縁用の膜、つまり、物品の構成部材として利用してもよい。   As shown in FIG. 14 (e), when etching is performed using the pattern of the cured product as an anti-etching mask, the portion of the surface of the workpiece 2z where there is no cured product or remains thin is removed, and the groove 5z and Become. As shown in FIG. 14 (f), when the pattern of the cured product is removed, an article in which the groove 5z is formed on the surface of the workpiece 2z can be obtained. Although the cured product pattern is removed here, it may be used as, for example, a film for interlayer insulation contained in a semiconductor element or the like, that is, a constituent member of an article without being removed after processing.

以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されないことはいうまでもなく、その要旨の範囲内で種々の変形および変更が可能である。リソグラフィ装置の一例として、基板の上のインプリント材を型により成形(成型)して、基板にパターン形成を行うインプリント装置について説明したが、インプリント装置に限定されるものではない。   As mentioned above, although preferred embodiment of this invention was described, it cannot be overemphasized that this invention is not limited to these embodiment, A various deformation | transformation and change are possible within the range of the summary. As an example of a lithographic apparatus, an imprint apparatus has been described in which an imprint material on a substrate is formed (molded) by a mold and a pattern is formed on the substrate. However, the present invention is not limited to the imprint apparatus.

リソグラフィ装置の一例として、荷電粒子光学系を介して荷電粒子線(電子線やイオンビームなど)で基板に描画を行って、基板にパターン形成を行う描画装置などの装置であっても良い。また、リソグラフィ装置の一例として、基板を露光することでパターン形成を行う露光装置であっても良い。また、感光媒体を基板の表面上に塗布する塗布装置、パターンが転写された基板を現像する現像装置など、デバイス等の物品の製造において、前述のようなリソグラフィ装置が実施する工程以外の工程を実施する製造装置も含み得る。   As an example of a lithography apparatus, an apparatus such as a drawing apparatus that performs drawing on a substrate with a charged particle beam (such as an electron beam or an ion beam) via a charged particle optical system and forms a pattern on the substrate may be used. Further, as an example of a lithography apparatus, an exposure apparatus that performs pattern formation by exposing a substrate may be used. Further, in the manufacture of articles such as devices, such as a coating apparatus that applies a photosensitive medium onto the surface of a substrate and a developing apparatus that develops a substrate to which a pattern has been transferred, processes other than those performed by the lithographic apparatus as described above are performed. It may also include manufacturing equipment to perform.

また、実施例1、及び実施例2は、単独で実施するだけでなく、実施例1、及び実施例2の組合せで実施することができる。   Moreover, Example 1 and Example 2 can be implemented not only by itself but also by a combination of Example 1 and Example 2.

Claims (12)

型又は基板を保持する保持装置であって、
前記型又は前記基板と前記保持装置との間を移動する熱の熱量及び方向を表す信号を出力する熱流束センサと、
前記熱流束センサにより出力された前記信号が許容範囲内に収まったか否かを判定する制御部と、を有することを特徴とする保持装置。
A holding device for holding a mold or a substrate,
A heat flux sensor that outputs a signal representing the amount and direction of heat moving between the mold or the substrate and the holding device;
And a control unit that determines whether or not the signal output by the heat flux sensor falls within an allowable range.
型又は基板を保持する保持装置であって、
前記型又は前記基板と前記保持装置との間を移動する熱の熱量と移動する熱の方向と表す信号を出力する熱流束センサと、
前記熱流束センサにより出力された前記信号を微分した微分信号が許容範囲内に収まったか否かを判定する制御部と、を有することを特徴とする保持装置。
A holding device for holding a mold or a substrate,
A heat flux sensor that outputs a signal representing the amount of heat moving between the mold or the substrate and the holding device and the direction of the moving heat;
And a control unit that determines whether or not a differential signal obtained by differentiating the signal output from the heat flux sensor is within an allowable range.
前記保持装置の温度を調整する調整部を有し、
前記制御部は、前記調整部に予め定められた温度に前記保持装置の温度を調整させるように制御することを特徴とする、請求項1又は請求項2に記載の保持装置。
An adjustment unit for adjusting the temperature of the holding device;
The holding device according to claim 1, wherein the control unit controls the adjusting unit to adjust the temperature of the holding device to a predetermined temperature.
前記制御部は、予め定められた前記温度を、時間の経過とともに予め定められた複数の温度に変更することを特徴とする、請求項3に記載の保持装置。   The holding device according to claim 3, wherein the control unit changes the predetermined temperature to a plurality of predetermined temperatures as time elapses. 前記熱流束センサは、前記型又は前記基板と前記保持装置とが接触する面に沿って配置されていることを特徴とする、請求項1乃至請求項4のいずれか1項に記載の保持装置。   The holding device according to any one of claims 1 to 4, wherein the heat flux sensor is arranged along a surface where the mold or the substrate and the holding device are in contact with each other. . 前記型又は前記基板と前記保持装置との間の熱の移動を抑制する断熱部を有し、前記断熱部は前記型又は前記基板と前記保持装置とが接触する面に沿って配置され、且つ前記熱流束センサと重複しない位置に配置されていることを特徴とする、請求項1乃至請求項5のいずれか1項に記載の保持装置。   A heat insulating portion that suppresses heat transfer between the mold or the substrate and the holding device, the heat insulating portion is disposed along a surface where the mold or the substrate and the holding device are in contact; and The holding device according to any one of claims 1 to 5, wherein the holding device is disposed at a position not overlapping with the heat flux sensor. 前記型又は前記基板と前記保持装置が接触する面内に前記型又は前記基板と前記保持装置が接触しない領域があり、前記領域において前記型又は前記基板と前記保持装置との間隔は0.5mm以下であることを特徴とする、請求項1乃至請求項6のいずれか1項に記載の保持装置。   There is a region where the mold or the substrate and the holding device do not contact each other in a surface where the mold or the substrate and the holding device are in contact, and the distance between the mold or the substrate and the holding device is 0.5 mm in the region. The holding device according to any one of claims 1 to 6, wherein the holding device is as follows. 前記型又は前記基板はパターンを形成する基板及びパターンが形成された原版の少なくともいずれか一方を含むことを特徴とする、請求項1乃至請求項7のいずれか1項に記載の保持装置。   The holding device according to claim 1, wherein the mold or the substrate includes at least one of a substrate on which a pattern is formed and an original plate on which the pattern is formed. 型に形成されたパターンを基板に形成するリソグラフィ装置であって、
請求項1乃至請求項8のいずれか1項に記載の保持装置を有することを特徴とするリソグラフィ装置。
A lithographic apparatus for forming a pattern formed on a mold on a substrate,
A lithographic apparatus, comprising the holding device according to claim 1.
型に形成されたパターンを基板に形成するリソグラフィ装置であって、
型又は基板を搬送する搬送部と
請求項1に記載の保持装置を有し、
前記制御部により前記信号が許容範囲内に収まったと判定された場合に、前記搬送部は前記保持部から前記型又は前記基板を搬送することを特徴とするリソグラフィ装置。
A lithographic apparatus for forming a pattern formed on a mold on a substrate,
A transport unit that transports a mold or a substrate, and the holding device according to claim 1,
The lithography apparatus according to claim 1, wherein the transport unit transports the mold or the substrate from the holding unit when the control unit determines that the signal falls within an allowable range.
型に形成されたパターンを基板に形成するリソグラフィ装置であって、
型又は基板を搬送する搬送部と
請求項2に記載の保持装置を有し、
前記制御部により前記微分信号が許容範囲内に収まったと判定された場合に、前記搬送部は前記保持部から前記型又は前記基板を搬送することを特徴とするリソグラフィ装置。
A lithographic apparatus for forming a pattern formed on a mold on a substrate,
A transport unit that transports a mold or a substrate, and the holding device according to claim 2,
The lithographic apparatus according to claim 1, wherein when the control unit determines that the differential signal is within an allowable range, the transport unit transports the mold or the substrate from the holding unit.
請求項9乃至請求項11のいずれか1項に記載のリソグラフィ装置を用いてパターンを基板に形成する工程と、
前記工程で前記パターンを形成された前記基板を処理する工程と、を有し、
処理した前記基板を用いて物品を製造することを特徴とする物品の製造方法。
Forming a pattern on a substrate using the lithographic apparatus according to any one of claims 9 to 11,
Processing the substrate on which the pattern has been formed in the step,
A method for manufacturing an article, wherein the article is manufactured using the processed substrate.
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