JP2019016154A - 表示装置 - Google Patents

Abstract

【課題】周辺領域における良好な検出性能を有する表示装置を提供する。【解決手段】基板と、基板の表示領域に配置された複数の第１電極と、基板の表面に対して垂直な方向において第１電極と対向し、第１電極との間に静電容量を形成する第２電極と、表示領域の外側の周辺領域に設けられ、平面視で第１電極と重ならない第３電極と、第３電極と、複数の第１電極のうち少なくとも１つの第１電極とに、同時に駆動信号を供給する駆動部と、を有する。【選択図】図１５

Description

本発明は、表示装置に関する。

近年、いわゆるタッチパネルと呼ばれる、外部近接物体を検出可能なタッチ検出装置が注目されている。タッチパネルは、液晶表示装置等の表示装置上に装着又は一体化されて、タッチ検出機能付き表示装置として用いられている（例えば特許文献１参照）。タッチ検出機能付き表示装置において、表示領域の周辺部の周辺領域に入力機能を有するボタンが配置される。このような入力用ボタンをタッチパネルや表示装置の周辺領域に一体化する技術について知られている。特許文献１のタッチセンサつき表示装置では、ＴＦＴ基板の額縁領域にセンサ用検出電極が設けられている。

特開２００９−２４４９５８号公報

タッチ検出用の電極や駆動構成を用いて、周辺領域における入力操作の検出を行う場合、周辺領域の指等の被検出体と検出電極との距離が大きくなる。このため、タッチ検出用の電極や駆動構成をそのまま周辺領域の被検出体の検出に採用すると、良好に検出を行うことが困難となる可能性がある。

本発明は、周辺領域における良好な検出性能を有する表示装置を提供することを目的とする。

本発明の一態様の表示装置は、基板と、前記基板の表示領域に配置された複数の第１電極と、前記基板の表面に対して垂直な方向において前記第１電極と対向し、前記第１電極との間に静電容量を形成する第２電極と、前記表示領域の外側の周辺領域に設けられ、平面視で前記第１電極と重ならない第３電極と、前記第３電極と、前記複数の第１電極のうち少なくとも１つの前記第１電極とに、同時に駆動信号を供給する駆動部と、を有する。

図１は、第１の実施形態に係る表示装置の一構成例を示すブロック図である。 図２は、相互静電容量方式のタッチ検出の基本原理を説明するための説明図である。 図３は、相互静電容量方式のタッチ検出の等価回路の例を示す説明図である。 図４は、相互静電容量方式のタッチ検出の駆動信号及び検出信号の波形の一例を表す図である。 図５は、自己静電容量方式のタッチ検出の基本原理を説明するための、非接触状態を表す説明図である。 図６は、自己静電容量方式のタッチ検出の基本原理を説明するための、接触状態を表す説明図である。 図７は、自己静電容量方式のタッチ検出の等価回路の例を示す説明図である。 図８は、自己静電容量方式のタッチ検出の駆動信号及び検出信号の波形の一例を表す図である。 図９は、第１の実施形態に係る表示装置の概略断面構造を表す断面図である。 図１０は、表示部の画素配列を表す回路図である。 図１１は、第１の実施形態に係る表示装置を模式的に示す平面図である。 図１２は、表示装置を実装したモジュールの一例を示す図である。 図１３は、カバー基板の平面図である。 図１４は、第１検出モードにおける動作例を模式的に示す説明図である。 図１５は、第２検出モードにおける動作例を模式的に示す説明図である。 図１６は、第２検出モードにおける他の動作例を模式的に示す説明図である。 図１７は、第２検出モードにおける第１電極、第２電極及び第３電極の関係を模式的に示す断面図である。 図１８は、第１の実施形態に係る駆動回路を示す回路図である。 図１９は、第１の実施形態に係る表示装置の動作例を示すタイミング波形図である。 図２０は、第１の実施形態に係る表示装置の、他の動作例を示すタイミング波形図である。 図２１は、第２検出モードにおける被検出体の位置を表す説明図である。 図２２は、被検出体が周辺領域に接触又は近接した場合における、第１電極及び第３電極と、センサ出力信号との関係を模式的に表すグラフである。 図２３は、被検出体が表示領域に接触又は近接した場合における、第１電極及び第３電極と、センサ出力信号との関係を模式的に表すグラフである。 図２４は、第２電極と第３電極との関係を拡大して模式的に示す平面図である。 図２５は、第２の実施形態に係る表示装置を模式的に示す平面図である。

本発明を実施するための形態（実施形態）につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本発明が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成要素は適宜組み合わせることが可能である。なお、開示はあくまで一例にすぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。

（第１の実施形態）
図１は、第１の実施形態に係る表示装置の一構成例を示すブロック図である。図１に示すように、表示装置１は、表示パネル１０と、制御部１１と、検出制御部１１Ａと、ゲートドライバ１２と、ソースドライバ１３と、第１駆動部１４Ａと、第２駆動部１４Ｂと、検出部４０とを備えている。表示パネル１０は、画像を表示する表示部２０と、タッチ入力を検出する検出装置であるタッチセンサ３０とを含む。

表示パネル１０は、表示部２０とタッチセンサ３０とが一体化された表示装置である。具体的には、表示パネル１０において、表示部２０の電極や基板等の部材の一部が、タッチセンサ３０の電極や基板等に兼用される。

表示部２０は、表示素子として液晶表示素子を用いている。表示部２０は、表示素子を有する複数の画素を備えるとともに、複数の画素に対向する表示面を有している。また、表示部２０は、映像信号Ｖｄｉｓｐの入力を受けて表示面に複数の画素からなる画像の表示を行う。なお、表示パネル１０は、表示部２０の上に、タッチセンサ３０を装着した装置であってもよい。また、表示部２０は、例えば、有機ＥＬ表示パネルであってもよい。

制御部１１は、外部より供給された映像信号Ｖｄｉｓｐに基づいて、ゲートドライバ１２、ソースドライバ１３、第１駆動部１４Ａ、検出制御部１１Ａ及び検出部４０に制御信号を供給する。制御部１１は、主として表示装置１の表示動作を制御する回路である。検出制御部１１Ａは、制御部１１から供給された制御信号に基づいて、第１駆動部１４Ａ及び第２駆動部１４Ｂに制御信号を供給する。検出制御部１１Ａは、主として表示装置１の検出動作を制御する回路である。

ゲートドライバ１２は、制御部１１から供給される制御信号に基づいて、表示パネル１０の表示駆動の対象となる１水平ラインに走査信号Ｖｓｃａｎを供給する。これにより、表示駆動の対象となる１水平ラインが順次又は同時に選択される。

ソースドライバ１３は、表示部２０の、各副画素ＳＰｉｘ（図１０参照）に画素信号Ｖｐｉｘを供給する回路である。ソースドライバ１３の機能の一部は、表示パネル１０に搭載されていてもよい。この場合、制御部１１が画素信号Ｖｐｉｘを生成し、この画素信号Ｖｐｉｘをソースドライバ１３に供給してもよい。

第１駆動部１４Ａは、表示パネル１０の第１電極２５に表示用の駆動信号Ｖｃｏｍｄｃを供給する回路である。また、第１駆動部１４Ａは、相互静電容量方式のタッチ検出の際に、第１電極２５に検出用の駆動信号Ｖｃｏｍ１を供給し、又は、第３電極５３Ａ、５３Ｂに検出用の駆動信号Ｖｃｏｍ２を供給する。第２駆動部１４Ｂは、自己静電容量方式のタッチ検出の際に、第１電極２５に駆動信号ＶｃｏｍＡを供給し、又は、第２電極ＴＤＬに駆動信号ＶｃｏｍＢを供給する。

本実施形態において、制御部１１は、表示部２０により表示を行う表示動作と、タッチセンサ３０により被検出体を検出する検出動作とを時分割で行う。第１駆動部１４Ａは、制御部１１からの制御信号に基づいて、駆動信号Ｖｃｏｍ１、Ｖｃｏｍ２を、第１電極２５及び第３電極５３Ａ、５３Ｂにそれぞれ供給する。第２駆動部１４Ｂは、検出制御部１１Ａからの制御信号に基づいて、駆動信号ＶｃｏｍＡ、ＶｃｏｍＢを、第１電極２５、第２電極ＴＤＬ及び第３電極５３Ａ、５３Ｂにそれぞれ供給する。

タッチセンサ３０は、相互静電容量方式（ミューチュアル方式ともいう）によるタッチ検出の基本原理に基づいて、タッチ検出を行う。タッチセンサ３０は、接触状態の被検出体を検出した場合、検出信号Ｖｄｅｔ１を検出部４０に出力する。また、タッチセンサ３０は、自己静電容量方式（セルフ方式ともいう）によるタッチ検出の基本原理に基づいて、タッチ検出を行うこともできる。タッチセンサ３０は、自己静電容量方式により接触状態の被検出体を検出した場合、検出信号Ｖｄｅｔ２を検出部４０に出力する。

本明細書において、「接触状態」とは、被検出体が表示面に接触した状態又は接触と同視し得るほど近接した状態を表す。また、「非接触状態」とは、被検出体が表示面に接触していない状態又は接触と同視できるほどには近接していない状態を表す。

検出部４０は、相互静電容量方式のタッチ検出において、制御部１１から供給される制御信号と、表示パネル１０から出力される検出信号Ｖｄｅｔ１とに基づいて、表示パネル１０の表示面への被検出体のタッチの有無を検出する回路である。また、検出部４０は、自己静電容量方式のタッチ検出において、制御部１１から供給される制御信号と、表示パネル１０から出力される検出信号Ｖｄｅｔ２とに基づいて、表示パネル１０の表示面への被検出体のタッチの有無を検出する。検出部４０は、タッチがある場合においてタッチ入力が行われた座標などを求める。

検出部４０は、検出信号増幅部４２と、Ａ／Ｄ変換部４３と、信号処理部４４と、座標抽出部４５と、検出タイミング制御部４６と、を備える。検出タイミング制御部４６は、制御部１１から供給される制御信号に基づいて、Ａ／Ｄ変換部４３と、信号処理部４４と、座標抽出部４５とが同期して動作するように制御する。

タッチ検出において、検出信号増幅部４２は、表示パネル１０から供給された検出信号Ｖｄｅｔ１を増幅する。Ａ／Ｄ変換部４３は、駆動信号Ｖｃｏｍ１、Ｖｃｏｍ２に同期したタイミングで、検出信号増幅部４２から出力されるアナログ信号をそれぞれサンプリングしてデジタル信号に変換する。

信号処理部４４は、Ａ／Ｄ変換部４３の出力信号に基づいて、表示パネル１０に対するタッチの有無を検出する論理回路である。信号処理部４４は、指による検出信号の差分の信号（絶対値｜ΔＶ｜）を取り出す処理を行う。信号処理部４４は、絶対値｜ΔＶ｜を所定のしきい値電圧と比較し、この絶対値｜ΔＶ｜がしきい値電圧未満であれば、被検出体が非接触状態であると判断する。一方、信号処理部４４は、絶対値｜ΔＶ｜がしきい値電圧以上であれば、被検出体が接触状態又は近接状態であると判断する。このようにして、検出部４０はタッチ検出が可能となる。

座標抽出部４５は、信号処理部４４においてタッチが検出されたときに、そのタッチパネル座標を求める論理回路である。座標抽出部４５は、タッチパネル座標を出力信号Ｖｏｕｔとして出力する。座標抽出部４５は、出力信号Ｖｏｕｔを制御部１１に出力してもよい。制御部１１は出力信号Ｖｏｕｔに基づいて、所定の表示動作又は検出動作を実行することができる。

なお、検出部４０の検出信号増幅部４２、Ａ／Ｄ変換部４３、信号処理部４４、座標抽出部４５及び検出タイミング制御部４６は、表示装置１に搭載される。ただし、これに限定されず、検出部４０の全部又は一部の機能は外部の制御基板やプロセッサ等に搭載されてもよい。例えば、座標抽出部４５は、表示装置１とは別の外部プロセッサに搭載されてもよい。この場合、検出部４０は、信号処理部４４が信号処理した信号を出力信号Ｖｏｕｔとして出力してもよい。

次に、図２から図４を参照して、本実施形態の表示装置１の相互静電容量方式によるタッチ検出の基本原理について説明する。図２は、相互静電容量方式のタッチ検出の基本原理を説明するための説明図である。図３は、相互静電容量方式のタッチ検出の等価回路の例を示す説明図である。図４は、相互静電容量方式のタッチ検出の駆動信号及び検出信号の波形の一例を表す図である。なお、以下の説明では、指が接触又は近接する場合を説明するが、指に限られず、例えばスタイラスペン等であってもよい。

図２に示すように、容量素子Ｃ１は、誘電体Ｄを挟んで互いに対向配置された一対の駆動電極Ｅ１及び検出電極Ｅ２を備えている。容量素子Ｃ１は、駆動電極Ｅ１と検出電極Ｅ２との対向面同士の間に形成される電気力線（図示しない）に加え、駆動電極Ｅ１の端部から検出電極Ｅ２の上面に向かって延びるフリンジ分の電気力線が生じる。図３に示すように、容量素子Ｃ１の一端は、交流信号源（駆動信号源）Ｓに接続され、他端は電圧検出器ＤＥＴに接続される。電圧検出器ＤＥＴは、例えば図１に示す検出信号増幅部４２に含まれる積分回路である。

交流信号源Ｓから駆動電極Ｅ１（容量素子Ｃ１の一端）に所定の周波数（例えば数ｋＨｚ〜数百ｋＨｚ程度）の交流矩形波Ｓｇが印加されると、電圧検出器ＤＥＴを介して、図４に示すような出力波形（検出信号Ｖｄｅｔ１）が現れる。

非接触状態では、容量素子Ｃ１の容量値に応じた電流が流れる。図３に示す電圧検出器ＤＥＴは、交流矩形波Ｓｇに応じた電流の変動を電圧の変動（実線の波形Ｖ_０（図４参照））に変換する。

図２及び図３に示すように、接触状態では、指によって形成される静電容量Ｃ２が、検出電極Ｅ２と接触し、又は接触と同視し得るほど近傍にある。これにより、駆動電極Ｅ１と検出電極Ｅ２との間にあるフリンジ分の電気力線が導体（指）により遮られる。このため、容量素子Ｃ１は、非接触状態での容量値よりも容量値の小さい容量素子として作用する。そして、電圧検出器ＤＥＴは、交流矩形波Ｓｇに応じた電流Ｉ_１の変動を電圧の変動（点線の波形Ｖ_１（図４参照））に変換する。

この場合、波形Ｖ_１は、上述した波形Ｖ_０と比べて振幅が小さくなる。これにより、波形Ｖ_０と波形Ｖ_１との電圧差分の絶対値｜ΔＶ｜は、指などの外部から接触又は近接する外部物体の影響に応じて変化することになる。なお、電圧検出器ＤＥＴは、回路内のスイッチングにより、交流矩形波Ｓｇの周波数に合わせて、コンデンサの充放電をリセットする。かかる期間Ｒｅｓｅｔを設けていることにより、電圧差分の絶対値｜ΔＶ｜が精度よく検出される。

検出部４０は、上述したように絶対値｜ΔＶ｜を所定のしきい値電圧と比較することで、外部近接物体が非接触状態であるか、接触状態又は近接状態であるかを判断する。このようにして、検出部４０は相互静電容量方式のタッチ検出の基本原理に基づいてタッチ検出が可能となる。

次に、図５から図８を参照して、自己静電容量方式のタッチ検出の基本原理について説明する。図５は、自己静電容量方式のタッチ検出の基本原理を説明するための、非接触状態を表す説明図である。図６は、自己静電容量方式のタッチ検出の基本原理を説明するための、接触状態を表す説明図である。図７は、自己静電容量方式のタッチ検出の等価回路の例を示す説明図である。図８は、自己静電容量方式のタッチ検出の駆動信号及び検出信号の波形の一例を表す図である。

図５左図は、非接触状態において、スイッチＳＷ１により電源Ｖｄｄと検出電極Ｅ３とが接続され、スイッチＳＷ２により検出電極Ｅ３がコンデンサＣｃｒに接続されていない状態を示している。この状態では、検出電極Ｅ３が有する容量Ｃｘ１が充電される。図５右図は、スイッチＳＷ１により、電源Ｖｄｄと検出電極Ｅ３とが接続されず、スイッチＳＷ２により、検出電極Ｅ３とコンデンサＣｃｒとが接続された状態を示している。この状態では、容量Ｃｘ１の電荷はコンデンサＣｃｒを介して放電される。

図６左図は、接触状態において、スイッチＳＷ１により電源Ｖｄｄと検出電極Ｅ３とが接続され、スイッチＳＷ２により検出電極Ｅ３がコンデンサＣｃｒに接続されていない状態を示している。この状態では、検出電極Ｅ３が有する容量Ｃｘ１に加え、検出電極Ｅ３に近接している指により生じる容量Ｃｘ２も充電される。図６右図は、スイッチＳＷ１により、電源Ｖｄｄと検出電極Ｅ３とが接続されず、スイッチＳＷ２により検出電極Ｅ３とコンデンサＣｃｒとが接続された状態を示している。この状態では、容量Ｃｘ１の電荷と容量Ｃｘ２の電荷とがコンデンサＣｃｒを介して放電される。

ここで、図５右図に示す放電時（非接触状態）におけるコンデンサＣｃｒの電圧変化特性に対して、図６右図に示す放電時（接触状態）におけるコンデンサＣｃｒの電圧変化特性は、容量Ｃｘ２が存在するために、明らかに異なる。したがって、自己静電容量方式では、容量Ｃｘ２の有無により、コンデンサＣｃｒの電圧変化特性が異なることを利用して、指などの操作入力の有無を判定している。

具体的には、検出電極Ｅ３に所定の周波数（例えば数ｋＨｚ〜数百ｋＨｚ程度）の交流矩形波Ｓｇ（図８参照）が印加される。図７に示す電圧検出器ＤＥＴは、交流矩形波Ｓｇに応じた電流の変動を電圧の変動（波形Ｖ_４、Ｖ_５）に変換する。

図８において、時刻Ｔ_０１のタイミングで交流矩形波Ｓｇは電圧Ｖ_６に相当する電圧レベルに上昇する。このときスイッチＳＷ１はオンとなりスイッチＳＷ２はオフとなるため検出電極Ｅ３の電位も電圧Ｖ_６に上昇する。次に時刻Ｔ_１１のタイミングの前にスイッチＳＷ１をオフとする。このとき検出電極Ｅ３はフローティング状態であるが、検出電極Ｅ３の容量Ｃｘ１（またはＣｘ１＋Ｃｘ２、図６参照）によって、検出電極Ｅ３の電位は電圧Ｖ_６が維持される。さらに、時刻Ｔ_１１のタイミングの前に電圧検出器ＤＥＴのリセット動作が行われる。

続いて、時刻Ｔ_１１のタイミングでスイッチＳＷ２をオンさせると、検出電極Ｅ３の容量Ｃｘ１（またはＣｘ１＋Ｃｘ２）に蓄積されていた電荷が電圧検出器ＤＥＴ内の容量Ｃ５に移動するため、電圧検出器ＤＥＴの出力が上昇する（図８の検出信号Ｖｄｅｔ２参照）。電圧検出器ＤＥＴの出力（検出信号Ｖｄｅｔ２）は、非接触状態では、実線で示す波形Ｖ_４となり、Ｖｄｅｔ２＝Ｃｘ１×Ｖ_６／Ｃ５となる。接触状態では、点線で示す波形Ｖ_５となり、Ｖｄｅｔ２＝（Ｃｘ１＋Ｃｘ２）×Ｖ_６／Ｃ５となる。

その後、時刻Ｔ_３１のタイミングでスイッチＳＷ２をオフさせ、スイッチＳＷ１及びスイッチＳＷ３をオンさせることにより、検出電極Ｅ３の電位を交流矩形波Ｓｇと同電位のローレベルにするとともに電圧検出器ＤＥＴをリセットさせる。以上の動作を所定の周波数（例えば数ｋＨｚ〜数百ｋＨｚ程度）で繰り返す。このようにして、検出部４０は自己静電容量方式のタッチ検出の基本原理に基づいてタッチ検出が可能となる。

次に、本実施形態の表示装置１の構成例を詳細に説明する。図９は、実施形態に係る表示装置の概略断面構造を表す断面図である。図９に示すように、表示装置１は、画素基板２と、対向基板３と、カバー部材５と、表示機能層としての液晶層６とを備える。対向基板３は、画素基板２の表面に垂直な方向に対向して配置される。カバー部材５は、対向基板３の表面に垂直な方向に対向して、対向基板３に対して画素基板２の反対側に配置される。また、液晶層６は画素基板２と対向基板３との間に設けられる。

画素基板２は、第１基板２１と、画素電極２２と、第１電極２５と、偏光板３５Ｂとを有する。第１基板２１には、ゲートドライバ１２に含まれるゲートスキャナ等の回路や、ＴＦＴ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）等のスイッチング素子や、ゲート線ＧＣＬ、信号線ＳＧＬ等の各種配線（図９では省略して示す）が設けられる。

第１電極２５は、第１基板２１の上側に設けられる。画素電極２２は、絶縁層２４を介して第１電極２５の上側に設けられる。画素電極２２は、第１電極２５とは異なる層に設けられ、平面視で、第１電極２５と重なって配置される。また、画素電極２２は、平面視でマトリクス状に複数配置される。偏光板３５Ｂは、第１基板２１の下側に設けられる。

なお、本明細書において、第１基板２１の表面に垂直な方向において、第１基板２１から第２基板３１に向かう方向を「上側」とする。また、第２基板３１から第１基板２１に向かう方向を「下側」とする。また、「平面視」とは、第１基板２１の表面に垂直な方向から見た場合を示す。

画素電極２２は、表示パネル１０の各画素Ｐｉｘを構成する副画素ＳＰｉｘに対応して設けられる。表示動作を行うための画素信号Ｖｐｉｘは、ソースドライバ１３（図１参照）から画素電極２２に供給される。また、表示動作の際に、直流の電圧信号である表示用の駆動信号Ｖｃｏｍｄｃが第１電極２５に供給される。これにより、第１電極２５は、複数の画素電極２２に対する共通電極として機能する。また、第１電極２５は、相互静電容量方式のタッチ検出における駆動電極として機能する。さらに、第１電極２５は、自己静電容量方式のタッチ検出における検出電極として機能する。

本実施形態において、画素電極２２及び第１電極２５は、例えば、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）等の透光性を有する導電性材料が用いられる。

対向基板３は、第２基板３１と、第２基板３１の一方の面に形成されたカラーフィルタ３２と、第２基板３１の他方の面に設けられた第２電極ＴＤＬと、偏光板３５Ａとを有する。第２電極ＴＤＬは、第２基板３１の上に複数配列されている。第２電極ＴＤＬは、相互静電容量方式のタッチ検出及び自己静電容量方式のタッチ検出における検出電極として機能する。

本実施形態において、第２電極ＴＤＬは、例えば、ＩＴＯ等の透光性を有する導電性材料が用いられる。又は、第２電極ＴＤＬは、メッシュ状、ジグザグ線状、或いは波線状のパターンを有する金属細線により構成されていてもよい。この場合、第２電極ＴＤＬは、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、モリブデン（Ｍｏ）、クロム（Ｃｒ）及びタングステン（Ｗ）から選ばれた１種以上の金属層で形成される。

カラーフィルタ３２は、第１基板２１と垂直な方向において、液晶層６と対向する。なお、カラーフィルタ３２は第１基板２１の上に配置されてもよい。本実施形態において、第１基板２１及び第２基板３１は、例えば、ガラス基板又は樹脂基板である。

第１基板２１と第２基板３１とは所定の間隔を設けて対向して配置される。第１基板２１と第２基板３１との間に液晶層６が設けられる。液晶層６は、通過する光を電界の状態に応じて変調する。液晶層６として、例えば、ＦＦＳ（Ｆｒｉｎｇｅ Ｆｉｅｌｄ Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ：フリンジフィールドスイッチング）を含むＩＰＳ（Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ：インプレーンスイッチング）等の横電界モードの液晶が用いられる。なお、図９に示す液晶層６と画素基板２との間、及び液晶層６と対向基板３との間には、それぞれ配向膜（図９では省略して示す）が配設されている。

カバー部材５は、カバー基板５１と、着色層５２と、第３電極５３Ａ、５３Ｂとを含む。カバー基板５１は、画素基板２及び対向基板３を覆って保護するための保護部材である。カバー基板５１は、ガラス基板であってもよく、樹脂材料等を用いたフィルム状の基材であってもよい。カバー基板５１の一方の面である第１面５１ａが、画像が表示される表示面であり、被検出体が接触又は近接する検出面である。カバー基板５１の他方の面、すなわち第１面５１ａと反対側の第２面５１ｂは、対向基板３と対向し、図示しない接着層を介して対向基板３と接着される。

カバー基板５１の第２面５１ｂに着色層５２が設けられている。着色層５２は、周辺領域Ｇｄに設けられる。着色層５２が設けられているため、ソースドライバ１３、第１駆動部１４Ａ、第２駆動部１４Ｂ等の各種回路や配線等が外部から視認されることを抑制できる。着色層５２は、例えば、光の透過を抑制するように着色された樹脂材料や、金属材料が用いられた加飾層である。

カバー基板５１の第２面５１ｂにおいて、着色層５２と重なる位置に、第３電極５３Ａ、５３Ｂが設けられている。第３電極５３Ａ、５３Ｂは、周辺領域Ｇｄのタッチ検出における駆動電極として機能する。

第１基板２１の下側には、図示しない照明部（バックライト）が設けられる。照明部は、例えばＬＥＤ等の光源を有しており、光源からの光を第１基板２１に向けて射出する。照明部からの光は、画素基板２を通過して、その位置の液晶の状態により変調され、表示面への透過状態が場所によって変化する。これにより、表示面に画像が表示される。

次に表示パネル１０の表示動作について説明する。図１０は、実施形態に係る表示部の画素配列を表す回路図である。第１基板２１（図９参照）には、図１０に示す各副画素ＳＰｉｘのスイッチング素子Ｔｒ、信号線ＳＧＬ、ゲート線ＧＣＬ等が形成されている。信号線ＳＧＬは、各画素電極２２に画素信号Ｖｐｉｘを供給するための配線である。ゲート線ＧＣＬは、各スイッチング素子Ｔｒを駆動する駆動信号を供給するための配線である。信号線ＳＧＬ及びゲート線ＧＣＬは、第１基板２１の表面と平行な平面に延出する。

図１０に示す表示部２０は、マトリクス状に配列された複数の副画素ＳＰｉｘを有している。副画素ＳＰｉｘは、それぞれスイッチング素子Ｔｒ及び液晶素子６ａを備えている。スイッチング素子Ｔｒは、薄膜トランジスタにより構成されるものであり、この例では、ｎチャネルのＭＯＳ（Ｍｅｔａｌ Ｏｘｉｄｅ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）型のＴＦＴで構成されている。画素電極２２と第１電極２５との間に絶縁層２４が設けられ、これらによって図１０に示す保持容量６ｂが形成される。

図１に示すゲートドライバ１２は、ゲート線ＧＣＬを順次選択する。ゲートドライバ１２は、選択されたゲート線ＧＣＬを介して、走査信号Ｖｓｃａｎを副画素ＳＰｉｘのスイッチング素子Ｔｒのゲートに印加する。これにより、副画素ＳＰｉｘのうちの１行（１水平ライン）が表示駆動の対象として順次選択される。また、ソースドライバ１３は、選択された副画素ＳＰｉｘに、信号線ＳＧＬを介して画素信号Ｖｐｉｘを供給する。そして、これらの副画素ＳＰｉｘでは、供給される画素信号Ｖｐｉｘに応じて１水平ラインずつ表示が行われるようになっている。

この表示動作を行う際、図１に示す第１駆動部１４Ａは、第１電極２５に対して表示用の駆動信号Ｖｃｏｍｄｃを印加する。表示用の駆動信号Ｖｃｏｍｄｃは複数の副画素ＳＰｉｘに対する共通電位となる電圧信号である。これにより、各第１電極２５は、表示動作において、画素電極２２に対する共通電極として機能する。表示の際に、第１駆動部１４Ａは、表示領域Ａｄの全ての第１電極２５に対して駆動信号Ｖｃｏｍｄｃを印加する。

図９に示すカラーフィルタ３２は、例えば赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の３色に着色されたカラーフィルタ３２の色領域が周期的に配列されていてもよい。上述した図１０に示す各副画素ＳＰｉｘに、Ｒ、Ｇ、Ｂの３色の色領域３２Ｒ、３２Ｇ、３２Ｂが１組として対応付けられる。そして、３色の色領域３２Ｒ、３２Ｇ、３２Ｂに対応する副画素ＳＰｉｘを１組として画素Ｐｉｘが構成される。なお、カラーフィルタ３２は、４色以上の色領域を含んでいてもよい。

次に、第１電極２５、第２電極ＴＤＬ及び第３電極５３Ａ、５３Ｂの構成と、タッチ検出動作について説明する。図１１は、第１の実施形態に係る表示装置を模式的に示す平面図である。図１２は、表示装置を実装したモジュールの一例を示す図である。図１３は、カバー基板の平面図である。図１１は、第１電極２５、第２電極ＴＤＬ及び第３電極５３Ａ、５３Ｂの配置の関係を模式的に示している。また、図１３は、カバー基板５１の第２面５１ｂを示している。

図１１に示すように、表示装置１において、表示領域Ａｄと、周辺領域Ｇｄとが設けられている。本明細書において、表示領域Ａｄは、画像を表示させるための領域であり、複数の画素Ｐｉｘ（副画素ＳＰｉｘ）と重なる領域である。周辺領域Ｇｄは、カバー基板５１の外周よりも内側で、かつ、表示領域Ａｄよりも外側の領域を示す。なお、周辺領域Ｇｄは表示領域Ａｄを囲う枠状であってもよく、その場合、周辺領域Ｇｄは額縁領域とも言える。

図１１に示すように、第１電極２５及び第２電極ＴＤＬは、表示領域Ａｄに設けられている。また、第３電極５３Ａ、５３Ｂは、周辺領域Ｇｄに設けられている。図１１及び図１２に示すように、第１電極２５は、第２方向Ｄｙに延出し、第１方向Ｄｘに複数配列される。言い換えると、第１電極２５は、表示領域Ａｄの長辺に沿って延出し、表示領域Ａｄの短辺に沿って複数配列される。第１電極２５は、それぞれ第２方向Ｄｙに長手を有する矩形状である。

本実施形態において、第１方向Ｄｘは、表示領域Ａｄの一辺に沿った方向である。第２方向Ｄｙは、第１方向Ｄｘと直交する方向である。これに限定されず、第２方向Ｄｙは第１方向Ｄｘに対して９０°以外の角度で交差していても良い。第１方向Ｄｘと第２方向Ｄｙとで規定される平面は、第１基板２１の表面と平行となる。また、第１方向Ｄｘ及び第２方向Ｄｙと直交する方向は、第１基板２１の厚み方向である。

第２電極ＴＤＬは、第１方向Ｄｘに延出し、第２方向Ｄｙに複数配列される。第２電極ＴＤＬは、平面視で第１電極２５と交差して配置される。第１電極２５と第２電極ＴＤＬとの交差部分において、静電容量が形成される。

この構成により、相互静電容量方式のタッチ検出を行う際、第１駆動部１４Ａは、第１電極２５を時分割的に順次走査して、駆動信号Ｖｃｏｍ１を供給する。そして、第１電極２５と第２電極ＴＤＬとの間の容量変化に応じたセンサ出力信号Ｖｓ１が電圧検出器ＤＥＴに出力される。これにより、表示領域Ａｄにおけるタッチ検出が行われるようになっている。

図１２に示すように、第１基板２１の周辺領域Ｇｄにフレキシブル基板７２が設けられている。第１電極２５の端部とフレキシブル基板７２との間の周辺領域Ｇｄに、走査部１４Ｃ、ソースドライバ１３及び表示用ＩＣ１９が設けられている。走査部１４Ｃは、駆動対象となる第１電極２５を順次選択するスキャナ回路である。また、第１電極２５の延出方向に沿う周辺領域Ｇｄ、つまり第１基板２１の周辺領域Ｇｄの長辺側に、ゲートドライバ１２が設けられている。フレキシブル基板７２に検出用ＩＣ１８が設けられている。

第２基板３１の周辺領域Ｇｄにフレキシブル基板７１が設けられている。フレキシブル基板７１は、接続端子７１Ａを介して第１基板２１の表示用ＩＣ１９或いはフレキシブル基板７２と電気的に接続される。第２電極ＴＤＬは、フレキシブル基板７１を介して検出用ＩＣ１８と電気的に接続される。

表示用ＩＣ１９は、図１に示す制御部１１として機能する。また、検出部４０の機能の一部は、検出用ＩＣ１８に含まれていてもよく、外部のＭＰＵ（Ｍｉｃｒｏ−Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）の機能として設けられてもよい。なお、表示用ＩＣ１９又は検出用ＩＣ１８は、これに限定されず、例えばモジュール外部の制御基板に備えられていてもよい。また、図１に示す第１駆動部１４Ａは、表示用ＩＣ１９に含まれる。第２駆動部１４Ｂは、検出用ＩＣ１８に含まれる。これに限定されず、第１駆動部１４Ａ及び第２駆動部１４Ｂは、第１基板２１に設けられていてもよく、或いは、外部の制御基板に備えられていてもよい。

本実施形態の表示装置１において、第１電極２５は、平面視でゲート線ＧＣＬ（図１０参照）と交差する方向に延出する。これにより、第１電極２５に接続される配線（図示は省略する）や、走査部１４Ｃ等の回路を、ゲートドライバ１２と異なる位置の周辺領域Ｇｄに設けることができる。具体的には、例えば、図１２に示すように、ゲートドライバ１２は、周辺領域Ｇｄの長辺に設けられ、走査部１４Ｃ等の回路や表示用ＩＣ１９は周辺領域Ｇｄの短辺に設けられる。したがって、本実施形態の表示装置１は、第１電極２５に沿った部分の周辺領域Ｇｄの狭額縁化に有利である。なお、これに限定されず、第１電極２５は、信号線ＳＧＬ（図１０参照）と交差する方向、すなわち第１方向Ｄｘに延出してもよい。この場合、第２電極ＴＤＬは、第１電極２５と交差するように、第２方向Ｄｙに延出する。

図１１に示すように、第３電極５３Ａは、第１方向Ｄｘに対向する周辺領域Ｇｄの一方に配置され、第３電極５３Ｂは、第１方向Ｄｘに対向する周辺領域Ｇｄの他方に配置される。第３電極５３Ａと第３電極５３Ｂとは、それぞれ第２方向Ｄｙに延出し、第１方向Ｄｘに対向して配置される。平面視で、第３電極５３Ａと第３電極５３Ｂとの間に第１電極２５と第２電極ＴＤＬとが配置される。言い換えると、第３電極５３Ａ及び第３電極５３Ｂは、第１電極２５及び第２電極ＴＤＬと重ならない位置に設けられる。第３電極５３Ａと第３電極５３Ｂとは、平面視で、第１電極２５と平行な方向に延出する。第３電極５３Ａは、第１方向Ｄｘに配列された第１電極２５のうち、最も外側に配置された２つの第１電極２５の一方に対向して配置され、第３電極５３Ｂは、最も外側に配置された２つの第１電極２５の他方に対向して配置される。また、第３電極５３Ａ及び第３電極５３Ｂは、第２電極ＴＤＬの端部と対向して配置される。

第３電極５３Ａ、５３Ｂの第２方向Ｄｙの長さは、表示領域Ａｄの第２方向Ｄｙの長さと同程度の長さ、又はそれ以上の長さであることが好ましい。第３電極５３Ａ、５３Ｂの第２方向Ｄｙの長さは、表示領域Ａｄの第２方向Ｄｙの長さよりも短くてもよい。また、第３電極５３Ａ、５３Ｂは、それぞれ表示領域Ａｄの少なくとも一辺に沿った範囲内において電気的に分離されず連続的につながっていることが好ましい。

図１３に示すように、第３電極５３Ａ、５３Ｂは、カバー基板５１の第２面５１ｂの周辺領域Ｇｄに設けられる。第３電極５３Ａ、５３Ｂは、着色層５２と重なって配置されるので、外部から視認されることが抑制される。このため、第３電極５３Ａ、５３Ｂとして、良好な導電性を有する金属材料を用いることができる。第３電極５３Ａ、５３Ｂは、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、モリブデン（Ｍｏ）、クロム（Ｃｒ）及びタングステン（Ｗ）から選ばれた１種以上の金属層で形成される。第３電極５３Ａ、５３Ｂは、これらの金属材料から選ばれた１種以上を含む合金で形成されてもよく、或いは、これらの材料で形成された導電層が複数積層された積層体としてもよい。

図１３に示すように、カバー基板５１の周辺領域Ｇｄにフレキシブル基板７３が設けられる。第３電極５３Ａ、５３Ｂは、それぞれ配線ＬＡ、配線ＬＢを介してフレキシブル基板７３に電気的に接続される。フレキシブル基板７３は、図１２に示すフレキシブル基板７１、７２が設けられる位置と対応する周辺領域Ｇｄに設けられる。フレキシブル基板７３は、図１２に示す第１基板２１、或いはフレキシブル基板７１又はフレキシブル基板７２と電気的に接続される。このような構成により、第３電極５３Ａ、５３Ｂは、それぞれ検出用ＩＣ１８及び表示用ＩＣ１９（図１２参照）と電気的に接続される。

このように第３電極５３Ａ、５３Ｂを設けることにより、第３電極５３Ａ、５３Ｂと、表示領域Ａｄに設けられた第２電極ＴＤＬとの間の容量変化に基づいて、周辺領域Ｇｄへのタッチ入力を検出することができる。

また、図９、図１２及び図１３に示すように、第３電極５３Ａ、５３Ｂは、カバー基板５１に設けられ、第１電極２５及び第２電極ＴＤＬと異なる層に配置される。このため、第３電極５３Ａ、５３Ｂを第１基板２１又は第２基板３１の周辺領域Ｇｄに設ける構成と比較して、第１基板２１又は第２基板３１の狭額縁化に有利である。さらに、第１基板２１又は第２基板３１に設けられる各種配線や回路等の配置の制約を少なくすることができる。

次に、本実施形態における表示装置１の検出動作について詳細に説明する。図１４は、第１検出モードにおける動作例を模式的に示す説明図である。図１５は、第２検出モードにおける動作例を模式的に示す説明図である。図１６は、第２検出モードにおける他の動作例を模式的に示す説明図である。図１７は、第２検出モードにおける第１電極、第２電極及び第３電極の関係を模式的に示す断面図である。

本実施形態の表示装置１は、第１検出モードと、第２検出モードと、第３検出モードとの、３つの検出モードを有する。表示装置１は、第１検出モードにおいて、相互静電容量方式により主として表示領域Ａｄの被検出体を検出する。表示装置１は、第２検出モードにおいて、相互静電容量方式により主として周辺領域Ｇｄの被検出体を検出する。表示装置１は、第３検出モードにおいて、自己静電容量方式により表示領域Ａｄ及び周辺領域Ｇｄの被検出体を検出する。

図１４に示すように、駆動電極ブロックＴｘ（１）、Ｔｘ（２）、Ｔｘ（３）、Ｔｘ（４）、Ｔｘ（５）は、それぞれ複数の第１電極２５を含む。図１４に示す例では、駆動電極ブロックＴｘ（１）、Ｔｘ（２）、Ｔｘ（３）、Ｔｘ（４）、Ｔｘ（５）は、それぞれ４つの第１電極２５（１）、２５（２）、２５（３）、２５（４）を有して構成される。

なお、以下の説明では、駆動電極ブロックＴｘ（１）、Ｔｘ（２）、Ｔｘ（３）、Ｔｘ（４）、Ｔｘ（５）を区別して説明する必要がない場合には、駆動電極ブロックＴｘと表す。同様に、第１電極２５（１）、２５（２）、２５（３）、２５（４）を区別して説明する必要がない場合には、第１電極２５と表す。また、本実施形態では、説明を分かりやすくするために５つの駆動電極ブロックＴｘを示しているが、６つ以上の駆動電極ブロックＴｘが設けられていてもよい。また、駆動電極ブロックＴｘは、それぞれ５つ以上の第１電極２５を含んでいてもよく、或いは、２つ又は３つの第１電極２５を含んでいてもよい。

第１検出モードにおいて、走査部１４Ｃ（図１２参照）は、第１電極２５（１）、２５（２）、２５（３）、２５（４）を駆動対象として選択する。走査部１４Ｃは、駆動対象として選択された４つの第１電極２５を第１駆動部１４Ａに接続する。これにより、４つの第１電極２５が、１つの駆動電極ブロックＴｘとして駆動される。図１４に示すように、第１駆動部１４Ａは、駆動電極ブロックＴｘ（１）に含まれる複数の第１電極２５（１）、２５（２）、２５（３）、２５（４）に同時に駆動信号Ｖｃｏｍ１を供給する。第２電極ＴＤＬは、駆動電極ブロックＴｘ（１）と第２電極ＴＤＬとの間の容量変化に応じたセンサ出力信号Ｖｓを電圧検出器ＤＥＴに出力する。走査部１４Ｃは駆動電極ブロックＴｘごとに選択する。そして、第１駆動部１４Ａは、駆動電極ブロックＴｘ（１）、Ｔｘ（２）、Ｔｘ（３）、Ｔｘ（４）、Ｔｘ（５）に、時分割で順次、駆動信号Ｖｃｏｍ１を供給する。これにより、表示領域Ａｄの被検出体を検出することができる。

図１５に示すように、第２検出モードにおいて、走査部１４Ｃ（図１２参照）は、第３電極５３Ａを駆動対象として選択する。走査部１４Ｃは、同時に複数の第１電極２５のうち、２つの第１電極２５（１）及び第１電極２５（２）を駆動対象として選択する。第１駆動部１４Ａは、第３電極５３Ａに駆動信号Ｖｃｏｍ２を供給する。同時に第１駆動部１４Ａは、駆動電極ブロックＴｘ（１）の第１電極２５（１）及び第１電極２５（２）に、駆動信号Ｖｃｏｍ１を供給する。

第１電極２５（１）及び第１電極２５（２）は、平面視で第３電極５３Ａと対向し、他の第１電極２５よりも第３電極５３Ａに近い位置に配置されている。駆動電極ブロックＴｘ（１）の第１電極２５（３）、２５（４）、及び駆動電極ブロックＴｘ（２）、Ｔｘ（３）、Ｔｘ（４）、Ｔｘ（５）には、駆動信号Ｖｃｏｍ１は供給されない。そして、第３電極５３Ａと第２電極ＴＤＬとの間の容量変化、及び第１電極２５と第２電極ＴＤＬとの間の容量変化に応じたセンサ出力信号ＶｓＬ（図２１参照）が、第２電極ＴＤＬから電圧検出器ＤＥＴに出力される。これにより、第３電極５３Ａが設けられた周辺領域Ｇｄにおけるタッチ検出が行われるようになっている。

図１６に示すように、第２検出モードにおいて、走査部１４Ｃ（図１２参照）は、第３電極５３Ｂと、第３電極５３Ｂと対向する２つの第１電極２５（３）及び第１電極２５（４）を駆動対象として選択する。第１駆動部１４Ａは、第３電極５３Ｂに駆動信号Ｖｃｏｍ２を供給する。同時に第１駆動部１４Ａは、駆動電極ブロックＴｘ（５）の第１電極２５（３）及び第１電極２５（４）に、駆動信号Ｖｃｏｍ１を供給する。

駆動電極ブロックＴｘ（５）の第１電極２５（３）及び第１電極２５（４）は、平面視で第３電極５３Ｂと対向し、他の第１電極２５よりも第３電極５３Ｂに近い位置に配置されている。駆動電極ブロックＴｘ（１）、Ｔｘ（２）、Ｔｘ（３）、Ｔｘ（４）及び駆動電極ブロックＴｘ（５）の第１電極２５（１）、２５（２）には、駆動信号Ｖｃｏｍ１は供給されない。そして、第３電極５３Ｂと第２電極ＴＤＬとの間の容量変化、及び第１電極２５と第２電極ＴＤＬとの間の容量変化に応じたセンサ出力信号ＶｓＲ（図２１参照）が第２電極ＴＤＬから電圧検出器ＤＥＴに出力される。これにより、第３電極５３Ｂが設けられた周辺領域Ｇｄにおけるタッチ検出が行われるようになっている。

なお、図１５及び図１６に示す例に限定されず、第３電極５３Ａ、５３Ｂと同時に１つの第１電極２５を駆動してもよいし、３つ又は４つの第１電極２５を駆動してもよい。

図１７に示すように、第３電極５３Ａ、５３Ｂは、第２電極ＴＤＬの延出方向の端部よりも外側に配置される。図１１に示すように、第３電極５３Ａ、５３Ｂに対して、複数の第２電極ＴＤＬの端部が対向して配置される。このような構成により、第３電極５３Ａ、５３Ｂと第２電極ＴＤＬとの間に静電容量が形成される。

図１７に示すように、第１駆動部１４Ａは駆動信号Ｖｃｏｍ２を第３電極５３Ａに供給する。これにより、第３電極５３Ａ、５３Ｂと第２電極ＴＤＬとの間にフリンジ分の電気力線Ｅｆ１が生じる。同時に第１駆動部１４Ａは駆動信号Ｖｃｏｍ１を２つの第１電極２５に供給する。これにより、第１電極２５と第２電極ＴＤＬとの間にフリンジ分の電気力線Ｅｆ２が生じる。なお、図１７では、第３電極５３Ａ側の電気力線Ｅｆ１、Ｅｆ２のみ示している。

電気力線Ｅｆ１は、周辺領域Ｇｄの第３電極５３Ａから、カバー基板５１の第１面５１ａよりも上側に延びて、表示領域Ａｄの第２電極ＴＤＬに向かって延びる。電気力線Ｅｆ２は、周辺領域Ｇｄの近くに配置された第１電極２５から、カバー基板５１の第１面５１ａよりも上側に延びて、表示領域Ａｄの第２電極ＴＤＬに向かって延びる。

図１７に示すように、電気力線Ｅｆ１は、周辺領域Ｇｄの第３電極５３Ａから、表示領域Ａｄの第２電極ＴＤＬに向かって延びる。このため、第３電極５３Ａのみを駆動すると、被検出体ＣＱにより遮られる電気力線Ｅｆ１の本数が少ない可能性がある。したがって、周辺領域Ｇｄでの接触状態と非接触状態とで、第３電極５３Ａと第２電極ＴＤＬとの間の容量変化が小さくなる。このため、良好なタッチ検出感度が得られない可能性がある。

本実施形態において、第３電極５３Ａと同時に１又は複数の第１電極２５を駆動する。これにより、表示領域Ａｄと周辺領域Ｇｄの境界近傍、又は周辺領域Ｇｄにおいて、カバー基板５１の第１面５１ａ側に延びる電気力線Ｅｆ１、Ｅｆ２の本数が多くなる。したがって、第３電極５３Ａのみを駆動した場合と比較して、被検出体ＣＱによって遮られる電気力線Ｅｆ１、Ｅｆ２の本数が多くなる。

第２電極ＴＤＬは、センサ出力信号ＶｓＬ、ＶｓＲを電圧検出器ＤＥＴに出力する。この場合のセンサ出力信号ＶｓＬ、ＶｓＲは、第３電極５３Ａと第２電極ＴＤＬとの間の容量変化及び第１電極２５と第２電極ＴＤＬとの間の容量変化に応じた信号となる。このため、第３電極５３Ａのみを駆動した場合と比較して、センサ出力信号ＶｓＬ、ＶｓＲの信号値が大きくなり、検出感度が向上する。このように、第３電極５３Ａと同時に１又は複数の第１電極２５を駆動することにより、周辺領域Ｇｄのタッチ検出感度を向上させることができる。

なお、図１７に示すように、第３電極５３Ａ、５３Ｂは、平面視で、第２基板３１の端部３１ａ、３１ｂよりも外側に配置されることが好ましい。こうすれば、第２基板３１の周辺領域Ｇｄに設けられた各種配線と、第３電極５３Ａ、５３Ｂとの間に形成される寄生容量を低減できる。これにより、周辺領域Ｇｄのタッチ検出感度を向上させることができる。

図１７に示すように、第３電極５３Ａの端部５５ａは、カバー基板５１の一方の端部５１ｃの近傍に配置されることが好ましい。また、第３電極５３Ａの端部５５ａは、カバー基板５１の一方の端部５１ｃと一致する位置に配置されることが好ましい。第３電極５３Ｂの端部５５ｂは、カバー基板５１の他方の端部５１ｄの近傍に配置されることが好ましい。第３電極５３Ｂの端部５５ｂは、カバー基板５１の他方の端部５１ｄと一致する位置に配置されることが好ましい。

第３電極５３Ａ、５３Ｂを金属で形成する場合に、腐食を防ぐ等の目的で第３電極５３Ａ、５３Ｂを覆う保護膜を形成してもよい。この場合、第３電極５３Ａ、５３Ｂをカバー基板５１の端部５１ｃ、５１ｄまで形成することができない。第３電極５３Ａの端部５５ａとカバー基板５１の端部５１ｃとの距離を距離ｄ１とし、第３電極５３Ｂの端部５５ｂとカバー基板５１の端部５１ｄとの距離を距離ｄ２とする。距離ｄ１及び距離ｄ２は、例えば、１０μｍ以上、１００μｍ以下の範囲であることが好ましい。こうすれば、カバー基板５１の端部５１ｃ、５１ｄの近傍において、良好に被検出体を検出することができる。

また、表示装置１は、第３検出モードにおいて、第１電極２５、第２電極ＴＤＬ、第３電極５３Ａ、５３Ｂのそれぞれの容量変化に基づいて被検出体を検出する。第２駆動部１４Ｂは、第１電極２５及び第３電極５３Ａ、５３Ｂに、同時に又は順次、駆動信号ＶｃｏｍＡを供給する。第２駆動部１４Ｂは、第２電極ＴＤＬに、同時に又は順次、駆動信号ＶｃｏｍＢを供給する。そして、第１電極２５、第２電極ＴＤＬ、第３電極５３Ａ、５３Ｂのそれぞれ容量変化に応じたセンサ出力信号Ｖｓ２が電圧検出器ＤＥＴに出力される。

次に、本実施形態の駆動回路の一例を説明する。図１８は、第１の実施形態に係る駆動回路を示す回路図である。図１８に示すように、第３電極５３Ａ、５３Ｂ及び駆動電極ブロックＴｘは、走査部１４Ｃに接続される。走査部１４Ｃは、表示用ＩＣ１９から出力される各種制御信号に基づいて、駆動対象の第１電極２５及び第３電極５３Ａ、５３Ｂを、順次又は同時に選択する。駆動対象として選択された第１電極２５及び第３電極５３Ａ、５３Ｂは、走査部１４Ｃを介して、表示用ＩＣ１９又は検出用ＩＣ１８に接続される。本実施形態では、第１駆動部１４Ａ（図１８では図示しない）の機能が表示用ＩＣ１９に含まれる。また、第２駆動部１４Ｂ（図１８では図示しない）の機能が検出用ＩＣ１８に含まれる。

走査部１４Ｃは、第１電極走査部１４Ｃａと、第３電極走査部１４Ｃｂとを含む。第１電極走査部１４Ｃａは、駆動電極ブロックＴｘを順次走査する回路である。第３電極走査部１４Ｃｂは、第３電極５３Ａ、５３Ｂを順次走査する回路である。

駆動電極ブロックＴｘ（１）に含まれる第１電極２５には、それぞれ配線Ｌ２１が接続されている。第１電極２５（１）と第１電極２５（２）に接続された配線Ｌ２１と、第１電極２５（３）と第１電極２５（４）に接続された配線Ｌ２１との間にスイッチＳＷ１１が設けられる。スイッチＳＷ１１は、駆動電極ブロックＴｘ（１）に含まれる第１電極２５を電気的に接続する。スイッチＳＷ１１がオンの場合、駆動電極ブロックＴｘ（１）に含まれる４つの第１電極２５が電気的に接続される。スイッチＳＷ１１がオフの場合、駆動電極ブロックＴｘ（１）に含まれる第１電極２５（１）、２５（２）と第１電極２５（３）、２５（４）とが電気的に遮断される。駆動電極ブロックＴｘ（５）も同様に、配線Ｌ２１及びスイッチＳＷ１２が設けられている。

表示用ＩＣ１９は、インバータ７８及び配線Ｌ１１を介して選択信号Ｅｄｇｅｓｅｌ０をスイッチＳＷ１１、ＳＷ１２に供給する。選択信号Ｅｄｇｅｓｅｌ０は、第１検出モードと第２検出モードとを切り換える制御信号である。第２検出モードにおいて、表示用ＩＣ１９は、高レベルの電圧信号である選択信号Ｅｄｇｅｓｅｌ０をインバータ７８に供給する。インバータ７８により電圧レベルが反転された低レベルの電圧信号がスイッチＳＷ１１、ＳＷ１２に供給される。これにより、スイッチＳＷ１１、ＳＷ１２はオフとなり、第１電極２５（１）、２５（２）と第１電極２５（３）、２５（４）とが電気的に遮断される。一方、第１検出モード、第３検出モード及び表示動作において、表示用ＩＣ１９は、低電圧レベルの選択信号Ｅｄｇｅｓｅｌ０をインバータ７８に供給する。これにより、スイッチＳＷ１１、ＳＷ１２はオンとなり、第１電極２５（１）、２５（２）と第１電極２５（３）、２５（４）とが電気的に接続される。

図１８に示すように、配線Ｌ２２は、駆動電極ブロックＴｘにそれぞれ接続される。駆動電極ブロックＴｘは、それぞれ、配線Ｌ２２、スイッチＳＷ１５及び配線Ｌ１９を介して表示用ＩＣ１９に接続される。また、駆動電極ブロックＴｘは、それぞれ配線Ｌ２２、スイッチＳＷ１４及び配線Ｌ２３を介して検出用ＩＣ１８に接続される。

第３電極５３Ａは、配線ＬＡを介して走査部１４Ｃの第３電極走査部１４Ｃｂに接続される。第３電極５３Ａは、配線ＬＡ、増幅器７９、スイッチＳＷ３５及び配線Ｌ１９を介して表示用ＩＣ１９に接続される。また、第３電極５３Ａは、配線ＬＡ、スイッチＳＷ３１、配線Ｌ２３（Ｌ）を介して検出用ＩＣ１８に接続される。

同様に、第３電極５３Ｂは、配線ＬＢを介して走査部１４Ｃの第３電極走査部１４Ｃｂに接続される。第３電極５３Ｂは、配線ＬＢ、増幅器８０、スイッチＳＷ３６及び配線Ｌ１９を介して表示用ＩＣ１９に接続される。また、第３電極５３Ｂは、配線ＬＢ、スイッチＳＷ３２、配線Ｌ２３（Ｒ）を介して検出用ＩＣ１８に接続される。

表示用ＩＣ１９は、配線Ｌ１３を介して制御信号ＸＶＣＯＭＦＬをスイッチＳＷ１３に供給する。制御信号ＸＶＣＯＭＦＬは、表示動作と検出動作を切り換える制御信号である。制御信号ＸＶＣＯＭＦＬは、表示動作の際に高レベルの電圧信号となり、検出動作の際に低レベルの電圧信号となる。なお、制御信号ＸＶＣＯＭＦＬは、制御信号ＶＣＯＭＦＬ（図１９参照）の電圧レベルを反転させた電圧信号である。

表示動作の際に制御信号ＸＶＣＯＭＦＬが高レベルになる。これにより、スイッチＳＷ１３がオンとなる。表示用ＩＣ１９は、配線Ｌ１２、スイッチＳＷ１３、配線Ｌ２２を介して表示用の駆動信号Ｖｃｏｍｄｃを、駆動電極ブロックＴｘに供給する。なお、表示動作においてスイッチＳＷ１１、ＳＷ１２はオンであり、駆動電極ブロックＴｘに含まれる全ての第１電極２５に表示用の駆動信号Ｖｃｏｍｄｃが供給される。これにより、第１電極２５は、共通電極として機能する。

表示用ＩＣ１９は、配線Ｌ１４を介してスイッチＳＷ１４、スイッチＳＷ３１及びスイッチＳＷ３２に制御信号ＳＥＬＦＥＮを供給する。制御信号ＳＥＬＦＥＮに基づいて、スイッチＳＷ１４、スイッチＳＷ３１及びスイッチＳＷ３２のオン、オフが切り換えられる。制御信号ＳＥＬＦＥＮは、相互静電容量方式と自己静電容量方式の検出モードを切り換える制御信号である。第３検出モードにおいて、制御信号ＳＥＬＦＥＮは高レベルの電圧信号となる。一方、第３検出モード以外の検出モード及び表示動作の際には、制御信号ＳＥＬＦＥＮは低レベルの電圧信号となる。

第３検出モードでは、制御信号ＳＥＬＦＥＮが高レベルとなり、スイッチＳＷ１４、スイッチＳＷ３１及びスイッチＳＷ３２がオンとなる。これにより、駆動電極ブロックＴｘは、それぞれ配線Ｌ２２、スイッチＳＷ１４及び配線Ｌ２３を介して検出用ＩＣ１８に接続される。配線Ｌ２３（１）、Ｌ２３（２）、Ｌ２３（３）、Ｌ２３（４）、Ｌ２３（５）は、検出用ＩＣ１８の出力端子Ｐａｄ１、Ｐａｄ２、Ｐａｄ３、Ｐａｄ４、Ｐａｄ５にそれぞれ接続される。検出用ＩＣ１８に含まれる第２駆動部１４Ｂ（図示しない）は、駆動信号ＶｃｏｍＡを駆動電極ブロックＴｘに同時又は時分割で供給する。第１電極２５の静電容量変化に応じたセンサ出力信号Ｖｓ２は、検出用ＩＣ１８の電圧検出器ＤＥＴに供給される。これにより、上述した自己静電容量方式のタッチ検出が行われる。

第３電極５３Ａは、配線ＬＡ、スイッチＳＷ３１、配線Ｌ２３（Ｌ）を介して検出用ＩＣ１８に接続される。配線Ｌ２３（Ｌ）は検出用ＩＣ１８の出力端子ＰａｄＬに接続される。同様に、第３電極５３Ｂは、配線ＬＢ、スイッチＳＷ３２、配線Ｌ２３（Ｒ）を介して検出用ＩＣ１８に接続される。配線Ｌ２３（Ｒ）は検出用ＩＣ１８の出力端子ＰａｄＲに接続される。これにより、第２駆動部１４Ｂ（図示しない）は、駆動信号ＶｃｏｍＡを第３電極５３Ａ、５３Ｂに同時又は時分割で供給する。第３電極５３Ａ、５３Ｂの静電容量変化に応じたセンサ出力信号Ｖｓ２は、検出用ＩＣ１８の電圧検出器ＤＥＴに供給される。これにより、上述した自己静電容量方式のタッチ検出が行われる。

制御信号ＳＥＬＦＥＮが低レベルの電圧信号である場合、スイッチＳＷ１４、スイッチＳＷ３１及びスイッチＳＷ３２がオフとなる。このため、駆動電極ブロックＴｘ及び第３電極５３Ａ、５３Ｂは、検出用ＩＣ１８と電気的に接続されない状態となる。

第１検出モード及び第２検出モードにおいて、第１電極走査部１４Ｃａ及び第３電極走査部１４Ｃｂは、表示用ＩＣ１９からの制御信号に基づいて、駆動対象の駆動電極ブロックＴｘ及び第３電極５３Ａ、５３Ｂを選択する。具体的には、第１電極走査部１４Ｃａは、シフトレジスタ７５（１）、７５（２）、７５（３）、７５（４）、７５（５）を含む。シフトレジスタ７５（１）、７５（２）、７５（３）、７５（４）、７５（５）は、それぞれ駆動電極ブロックＴｘ（１）、Ｔｘ（２）、Ｔｘ（３）、Ｔｘ（４）、Ｔｘ（５）に対応して設けられる。また、第３電極走査部１４Ｃｂは、シフトレジスタ７５（Ｌ）、７５（Ｒ）を含む。シフトレジスタ７５（Ｌ）、７５（Ｒ）は、それぞれ第３電極５３Ａ、５３Ｂに対応して設けられる。

なお、以下の説明において、シフトレジスタ７５（１）、７５（２）、７５（３）、７５（４）、７５（５）、７５（Ｌ）、７５（Ｒ）を区別して説明する必要がない場合には、シフトレジスタ７５と表す。

図１８に示すように、シフトレジスタ７５は、シフトレジスタ７５（１）、７５（２）、７５（３）、７５（４）、７５（５）、７５（Ｌ）、７５（Ｒ）の順に配置されている。シフトレジスタ７５（５）と、シフトレジスタ７５（Ｌ）の間にスイッチＳＷ２１が設けられる。スイッチＳＷ２１は、表示用ＩＣ１９から供給される選択信号Ｅｄｇｅｓｅｌ１に基づいて、オンとオフとが切り換えられる。本実施形態では、選択信号Ｅｄｇｅｓｅｌ１は、高レベルに固定された電圧信号である。これにより、第１電極走査部１４Ｃａのシフトレジスタ７５と、第３電極走査部１４Ｃｂのシフトレジスタ７５が直列に電気的に接続される。このような構成により、シフトレジスタ７５は、駆動電極ブロックＴｘ及び第３電極５３Ａ、５３Ｂに順次走査信号ＳＲｏｕｔを供給することができる。

具体的には、表示用ＩＣ１９は、配線Ｌ２０を介して走査開始信号ＳＤＳＴ及びクロック信号ＳＤＣＫをシフトレジスタ７５に供給する。シフトレジスタ７５は、走査開始信号ＳＤＳＴをトリガーとして走査を開始する。シフトレジスタ７５は、クロック信号ＳＤＣＫに同期した走査信号ＳＲｏｕｔ１、ＳＲｏｕｔ２、ＳＲｏｕｔ３、ＳＲｏｕｔ４、ＳＲｏｕｔ５、ＳＲｏｕｔＬ、ＳＲｏｕｔＲを順次、スイッチＳＷ１５、ＳＷ３５、ＳＷ３６に出力する。

第１検出モードでは、シフトレジスタ７５が走査信号ＳＲｏｕｔ１、ＳＲｏｕｔ２、ＳＲｏｕｔ３、ＳＲｏｕｔ４、ＳＲｏｕｔ５を順次スイッチＳＷ１５に供給する。スイッチＳＷ１５は、配線Ｌ２２と配線Ｌ１９との間に設けられる。走査信号ＳＲｏｕｔが供給され、スイッチＳＷ１５がオンになると、駆動対象の駆動電極ブロックＴｘは、配線Ｌ２２、スイッチＳＷ１５及び配線Ｌ１９を介して表示用ＩＣ１９と電気的に接続される。これにより、駆動対象の駆動電極ブロックＴｘがシフトレジスタ７５により選択される。このようにして、走査部１４Ｃは、駆動電極ブロックＴｘごとに選択する。表示用ＩＣ１９は、駆動信号ＴＳＶＣＯＭを駆動対象の駆動電極ブロックＴｘに順次供給する。これにより、相互静電容量方式により表示領域Ａｄのタッチ検出が行われる。

検出用ＩＣ１８は、入力ロジック信号ＥＸＶＣＯＭを表示用ＩＣ１９に供給する。表示用ＩＣ１９に含まれる増幅器７７は、入力ロジック信号ＥＸＶＣＯＭを増幅する。これにより、表示用ＩＣ１９は、増幅された信号を駆動信号ＴＳＶＣＯＭとして駆動対象の駆動電極ブロックＴｘに供給する。駆動信号ＴＳＶＣＯＭは、上述した駆動信号Ｖｃｏｍ１（図１、１７参照）に相当する信号である。なお、これに限定されず、駆動信号ＴＳＶＣＯＭは、どのように生成してもよい。例えば、高レベルの直流電圧信号と、低レベルの直流電圧信号とを交互に切り換えることで駆動信号ＴＳＶＣＯＭを生成してもよい。

第２検出モードでは、シフトレジスタ７５（Ｌ）、７５（Ｒ）が走査信号ＳＲｏｕｔＬ、ＳＲｏｕｔＲを順次スイッチＳＷ３５、ＳＷ３６に供給する。スイッチＳＷ３５は、配線ＬＡと配線Ｌ１９との間に設けられる。スイッチＳＷ３５がオンになると、駆動対象の第３電極５３Ａは、表示用ＩＣ１９と電気的に接続される。表示用ＩＣ１９は、配線Ｌ１９、スイッチＳＷ３５を介して、駆動信号ＴＳＶＣＯＭを増幅器７９に供給する。そして、増幅器７９により増幅された駆動信号Ｖｃｏｍ２は、配線ＬＡを介して第３電極５３Ａに供給される。これにより、相互静電容量方式により周辺領域Ｇｄのタッチ検出が行われる。

同様に、スイッチＳＷ３６は、配線ＬＢと配線Ｌ１９との間に設けられる。スイッチＳＷ３６がオンになると、駆動対象の第３電極５３Ｂは、表示用ＩＣ１９と電気的に接続される。表示用ＩＣ１９は、配線Ｌ１９、スイッチＳＷ３６を介して、駆動信号ＴＳＶＣＯＭを増幅器８０に供給する。そして、増幅器８０により増幅された駆動信号Ｖｃｏｍ２は、配線ＬＢを介して第３電極５３Ｂに供給される。これにより、相互静電容量方式により周辺領域Ｇｄのタッチ検出が行われる。

本実施形態では、シフトレジスタ７５（Ｌ）は、スイッチＳＷ２２及び配線Ｌ１７を介してシフトレジスタ７５（１）と接続可能になっている。また、シフトレジスタ７５（Ｒ）は、スイッチＳＷ２３及び配線Ｌ１８を介してシフトレジスタ７５（５）と接続可能になっている。

第２検出モードにおいて、表示用ＩＣ１９は、選択信号Ｅｄｇｅｓｅｌ０をスイッチＳＷ２２及びスイッチＳＷ２３に供給する。この際、選択信号Ｅｄｇｅｓｅｌ０は、高レベルの電圧信号となる。これにより、スイッチＳＷ２２及びスイッチＳＷ２３はオンとなる。シフトレジスタ７５（Ｌ）はシフトレジスタ７５（１）と接続される。

同時に、表示用ＩＣ１９は、選択信号Ｅｄｇｅｓｅｌ０をスイッチＳＷ３３及びスイッチＳＷ３４に供給する。スイッチＳＷ３３がオンになると、駆動電極ブロックＴｘ（１）は、配線Ｌ２２、配線Ｌ１５、スイッチＳＷ３３及び配線ＬＡを介して第３電極５３Ａと電気的に接続される。また、スイッチＳＷ３４がオンになると、駆動電極ブロックＴｘ（５）は、配線Ｌ２２、配線Ｌ１６、スイッチＳＷ３４及び配線ＬＢを介して第３電極５３Ｂと電気的に接続される。

シフトレジスタ７５（Ｌ）は、配線Ｌ１７を介して走査信号ＳＲｏｕｔＬをＳＷ１５に供給する。これにより、シフトレジスタ７５（Ｌ）は、第３電極５３Ａと、駆動対象の第１電極２５（１）、２５（２）に対し同じ走査信号ＳＲｏｕｔＬを供給する。上述のように、第２検出モードにおいて、駆動電極ブロックＴｘ（１）、Ｔｘ（５）に接続されたスイッチＳＷ１１、ＳＷ１２はオフである。これにより、駆動電極ブロックＴｘ（１）の第１電極２５（１）と第１電極２５（２）は、配線Ｌ２２、スイッチＳＷ１５及び配線Ｌ１９を介して表示用ＩＣ１９と接続される。第１電極２５（１）及び第１電極２５（２）は、第３電極５３Ａと同時に駆動対象として選択される。表示用ＩＣ１９は、駆動信号ＴＳＶＣＯＭを駆動対象の第３電極５３Ａ、第１電極２５（１）及び第１電極２５（２）に供給する。

同様に、シフトレジスタ７５（Ｒ）は、配線Ｌ１８を介して走査信号ＳＲｏｕｔＲをＳＷ１５に供給する。これにより、駆動電極ブロックＴｘ（５）の第１電極２５（３）と第１電極２５（４）は、配線Ｌ２２、スイッチＳＷ１５及び配線Ｌ１９を介して表示用ＩＣ１９と接続される。これにより、第１電極２５（３）及び第１電極２５（４）は、第３電極５３Ｂと同時に駆動対象として選択される。表示用ＩＣ１９は、駆動信号ＴＳＶＣＯＭを駆動対象の第３電極５３Ｂ、第１電極２５（３）及び第１電極２５（４）に供給する。

このような構成により、走査部１４Ｃは、第３電極５３Ａ、５３Ｂと、平面視で第３電極５３Ａ、５３Ｂと対向する少なくとも１つの第１電極２５を駆動対象として同時に選択する。そして、駆動対象の第３電極５３Ａ、５３Ｂと第１電極２５とが同時に駆動される。これにより、周辺領域Ｇｄのタッチ検出感度を向上させることができる。また、本実施形態では、第３電極５３Ａ、５３Ｂには、増幅器７９、８０により増幅された駆動信号Ｖｃｏｍ２が供給される。これにより、周辺領域Ｇｄのタッチ検出感度を向上させることができる。

本実施形態において、シフトレジスタ７５（Ｌ）、７５（Ｒ）は、スイッチＳＷ２１、ＳＷ２２、ＳＷ２３により、シフトレジスタ７５（１）、７５（２）、７５（３）、７５（４）、７５（５）と接続又は遮断の切り換えが可能になっている。このため、第１電極走査部１４Ｃａは、駆動電極ブロックＴｘを時分割駆動する従来構成の駆動回路を大きく変更することなく用いることができる。また、周辺領域Ｇｄのタッチ検出を行わない場合であっても、表示用ＩＣ１９は、選択信号Ｅｄｇｅｓｅｌ０、Ｅｄｇｅｓｅｌ１をスイッチＳＷ２１、ＳＷ２２、ＳＷ２３に供給することで、走査部１４Ｃの駆動を変更することが可能である。

なお、図１８に示す回路構成は、あくまで一例であり、適宜変更することができる。例えば、シフトレジスタ７５は、シフトレジスタ７５（Ｌ）、７５（Ｒ）、７５（１）、７５（２）、７５（３）、７５（４）、７５（５）の順に配置してもよい。また、図１８では、第３電極５３Ａ、５３Ｂと同時に２つの第１電極２５が駆動電極として選択される例を示している。これに限定されず、第３電極５３Ａ、５３Ｂと同時に１つ又は３つ以上の第１電極２５が同時に選択される構成を採用することもできる。この場合、スイッチＳＷ１１、ＳＷ１２の一端側に接続される第１電極２５の数を１つ又は３つ以上とする。

次に、本実施形態の表示装置１の動作の一例について説明する。図１９は、第１の実施形態に係る表示装置の動作例を示すタイミング波形図である。

表示装置１は、タッチ検出動作（検出期間）及び表示動作（表示期間）を時分割に行う。タッチ検出動作及び表示動作はどのように分けて行ってもよい。例えば、表示パネル１０の１フレーム期間１Ｆ、すなわち、１画面分の映像情報が表示されるのに要する時間の中において、タッチ検出及び表示をそれぞれ時分割に行う方法について説明する。

図１９に示すように、複数の表示期間Ｐｄと、複数の検出期間Ｐｍ、Ｐｅ１、Ｐｅ２、Ｐｓ１、Ｐｓ２とが交互に配置される。これらの表示期間Ｐｄと検出期間Ｐｍ、Ｐｅ１、Ｐｅ２、Ｐｓ１、Ｐｓ２とは、制御部１１（図１参照）からの制御信号ＶＣＯＭＦＬ、ＳＥＬＦＥＮに基づいて切り換えられる。

制御信号ＶＣＯＭＦＬが低レベルの場合、表示期間Ｐｄにおいて、表示動作が実行される。表示期間Ｐｄにおいて、制御部１１は、ゲートドライバ１２及びソースドライバ１３（図１参照）に制御信号を出力する。ゲートドライバ１２は、ゲート線ＧＣＬを介して、走査信号Ｖｓｃａｎをスイッチング素子Ｔｒに印加する。ソースドライバ１３は、信号線ＳＧＬを介して画素Ｐｉｘに画素信号Ｖｐｉｘを供給する。これにより、画像の表示動作が実行される。

本実施形態において、駆動電極ブロックＴｘの第１電極２５は表示パネル１０の共通電極を兼ねる。図１９に示すように、表示用ＩＣ１９に含まれる第１駆動部１４Ａは、表示期間Ｐｄにおいて、表示領域Ａｄの全ての駆動電極ブロックＴｘに対して表示駆動用の共通電位である駆動信号Ｖｃｏｍｄｃを供給する。また、第２電極ＴＤＬは、電圧信号が供給されず、電位が固定されていないフローティング状態となる。

検出期間Ｐｍ、Ｐｅ１、Ｐｅ２において、制御信号ＶＣＯＭＦＬが高レベルになり、第１検出モード、第２検出モードの検出動作が実行される。第１検出モードと第２検出モードとは、選択信号Ｅｄｇｅｓｅｌ０によって切り換えられる。

検出期間Ｐｍにおいて、表示用ＩＣ１９は、制御信号ＶＣＯＭＦＬを高レベルとし、かつ、選択信号Ｅｄｇｅｓｅｌ０を低レベルとする。この場合に、表示装置１は、第１検出モードのタッチ検出により表示領域Ａｄの被検出体を検出する。検出期間Ｐｅ１、Ｐｅ２において、表示用ＩＣ１９は、制御信号ＶＣＯＭＦＬを高レベルとし、かつ、選択信号Ｅｄｇｅｓｅｌ０を高レベルとする。この場合に、表示装置１は、第２検出モードのタッチ検出により周辺領域Ｇｄの被検出体を検出する。

一方、選択信号Ｅｄｇｅｓｅｌ１は、１フレーム期間１Ｆにおいて、高レベルＨに固定されている。これにより、図１８に示す第１電極走査部１４Ｃａのシフトレジスタ７５は、第３電極走査部１４Ｃｂのシフトレジスタ７５と直列に接続される。このため、１フレーム期間１Ｆにおいて検出期間Ｐｍ、Ｐｅ１、Ｐｅ２の検出動作を容易に実行できる。

また、検出期間Ｐｓ１、Ｐｓ２では、制御信号ＳＥＬＦＥＮが高レベルになる。この場合、表示装置１は、第３検出モードの検出動作を実行する。図１９に示すように、１フレーム期間１Ｆにおいて、検出期間Ｐｍ、Ｐｅ１、Ｐｅ２、Ｐｓ１、Ｐｓ２の順に配置され、表示装置１は、第１検出モード、第２検出モード、第３検出モードの順に検出動作を実行する。

第１検出モードにおいて、走査部１４Ｃ（図１８参照）は、検出期間Ｐｍ毎に、１つの駆動電極ブロックＴｘを駆動対象として選択する。具体的には、走査部１４Ｃは、走査信号ＳＲｏｕｔ１、ＳＲｏｕｔ２、ＳＲｏｕｔ３、ＳＲｏｕｔ４、ＳＲｏｕｔ５を順次出力し、駆動対象の駆動電極ブロックＴｘを選択する。検出用ＩＣ１８は、入力ロジック信号ＥＸＶＣＯＭを表示用ＩＣ１９に供給する。表示用ＩＣ１９は、入力ロジック信号ＥＸＶＣＯＭに基づいて駆動信号ＴＳＶＣＯＭを生成する。表示用ＩＣ１９は、駆動信号ＴＳＶＣＯＭ（駆動信号Ｖｃｏｍ１）を駆動対象の駆動電極ブロックＴｘ（１）、Ｔｘ（２）、Ｔｘ（３）、Ｔｘ（４）、Ｔｘ（５）に順次供給する。第２電極ＴＤＬは、駆動電極ブロックＴｘとの間の容量変化に応じたセンサ出力信号Ｖｓ１を電圧検出器ＤＥＴ（図３参照）に出力する。これにより、表示領域Ａｄにおける被検出体のタッチ検出が行われる。

第２検出モードでは、走査部１４Ｃ（図１８参照）は、検出期間Ｐｅ１において、走査信号ＳＲｏｕｔＬを出力する。これにより、駆動対象の第３電極５３Ａと、駆動電極ブロックＴｘ（１）に含まれる１又は複数の第１電極２５が選択される。表示用ＩＣ１９は、駆動信号ＴＳＶＣＯＭを駆動信号Ｖｃｏｍ１として、駆動対象の駆動電極ブロックＴｘ（１）に供給する。同時に、駆動信号Ｖｃｏｍ２が駆動対象の第３電極５３Ａに供給される。駆動信号Ｖｃｏｍ２は、駆動信号ＴＳＶＣＯＭを増幅した電圧信号であり、例えば駆動信号Ｖｃｏｍ１の３倍程度の振幅を有する。

第２電極ＴＤＬは、第３電極５３Ａとの間の容量変化及び駆動電極ブロックＴｘとの間の容量変化に応じたセンサ出力信号ＶｓＬを電圧検出器ＤＥＴ（図３参照）に出力する。これにより、周辺領域Ｇｄにおける被検出体のタッチ検出が行われる。

同様に、検出期間Ｐｅ２において、走査部１４Ｃは、走査信号ＳＲｏｕｔＲを出力する。これにより、駆動対象の第３電極５３Ｂと、駆動電極ブロックＴｘ（５）に含まれる１又は複数の第１電極２５が選択される。表示用ＩＣ１９は、駆動信号ＴＳＶＣＯＭを駆動信号Ｖｃｏｍ１として、駆動対象の駆動電極ブロックＴｘ（５）に供給する。同時に、駆動信号Ｖｃｏｍ２が駆動対象の第３電極５３Ｂに供給される。

第２電極ＴＤＬは、第３電極５３Ｂとの間の容量変化及び駆動電極ブロックＴｘとの間の容量変化に応じたセンサ出力信号ＶｓＲを電圧検出器ＤＥＴ（図３参照）に出力する。これにより、周辺領域Ｇｄにおける被検出体のタッチ検出が行われる。

検出期間Ｐｓ１、Ｐｓ２では、主に検出用ＩＣ１８に含まれる検出制御部１１Ａ（図１参照）により、自己静電容量方式によるタッチ検出が実行される。検出期間Ｐｓ１において、検出用ＩＣ１８は、第２電極ＴＤＬに駆動信号ＶｃｏｍＡを供給する。第２電極ＴＤＬは、第２電極ＴＤＬの容量変化に応じたセンサ出力信号Ｖｓ２を電圧検出器ＤＥＴに出力する。検出期間Ｐｓ１において、第２電極ＴＤＬの配列方向、すなわち第２方向Ｄｙ（図１１参照）における被検出体の位置が算出される。

また、検出期間Ｐｓ１において検出用ＩＣ１８は、全ての駆動電極ブロックＴｘに含まれる第１電極２５及び第３電極５３Ａ、５３Ｂに対し、ガード信号Ｖｇｄを供給する。ガード信号Ｖｇｄは、駆動信号ＶｃｏｍＡと同期した、同じ電位を有する電圧信号である。これにより、第１電極２５及び第３電極５３Ａ、５３Ｂは、第２電極ＴＤＬと同じ電位で駆動される。このため、第１基板２１に設けられたスイッチング素子Ｔｒや各種配線と、第２電極ＴＤＬとの間に生じる寄生容量を低減することができる。

検出期間Ｐｓ２において、検出用ＩＣ１８は、駆動電極ブロックＴｘに含まれる第１電極２５及び第３電極５３Ａ、５３Ｂに駆動信号ＶｃｏｍＢを供給する。第１電極２５は、第１電極２５の容量変化に応じたセンサ出力信号Ｖｓ２を電圧検出器ＤＥＴに出力する。また、第３電極５３Ａ、５３Ｂは、第３電極５３Ａ、５３Ｂのそれぞれの容量変化に応じたセンサ出力信号Ｖｓ２を電圧検出器ＤＥＴに出力する。検出期間Ｐｓ２において、第１電極２５及び第３電極５３Ａ、５３Ｂの配列方向、すなわち第１方向Ｄｘ（図１１参照）における被検出体の位置が算出される。このように、自己静電容量方式のタッチ検出において、第１電極２５及び第３電極５３Ａ、５３Ｂは検出電極として機能する。

なお、検出期間Ｐｓ２において検出用ＩＣ１８は、第３電極５３Ａ、５３Ｂに対し、ガード信号Ｖｇｄを供給してもよい。ガード信号Ｖｇｄは、駆動信号ＶｃｏｍＢと同期した、同じ電位を有する電圧信号である。これにより、第３電極５３Ａ、５３Ｂは、第１電極２５と同じ電位で駆動される。この場合、第１電極２５が検出電極として機能し、第３電極５３Ａ、５３Ｂはガード電極として機能する。これにより、第１電極２５の寄生容量を低減することができる。また、検出用ＩＣ１８は、第２電極ＴＤＬに対し電圧信号を供給せず、第２電極ＴＤＬをフローティング状態としてもよい。或いは、検出用ＩＣ１８は、第２電極ＴＤＬに対し固定された電位を有する電圧信号を供給してもよい。

図１９に示す動作例はあくまで一例であり、適宜変更してもよい。例えば、表示期間Ｐｄと検出期間Ｐｍ、Ｐｅ１、Ｐｅ２、Ｐｓ１、Ｐｓ２の長さ（幅）は、模式的に示したものであり、同じ長さでもよく、異なる長さであってもよい。検出期間Ｐｍ、Ｐｅ１、Ｐｅ２、Ｐｓ１、Ｐｓ２の順番も適宜変更してもよい。１フレーム期間１Ｆにおいて１検出面の検出動作が行われるが、複数の１フレーム期間１Ｆに亘って１検出面の検出動作が行われてもよい。

図２０は、第１の実施形態に係る表示装置の、他の動作例を示すタイミング波形図である。図２０に示すように、本変形例では、検出期間Ｐｅ１、Ｐｅ２の後に検出期間Ｐｍが設けられている。つまり、表示装置１は、第２検出モードの後に第１検出モードの検出動作を実行する。

具体的には、本変形例では、図１８に示すシフトレジスタ７５（Ｌ）、７５（Ｒ）は、シフトレジスタ７５（１）、７５（２）、７５（３）、７５（４）、７５（５）の前段に配置される。シフトレジスタ７５は、走査信号ＳＲｏｕｔＬ、ＳＲｏｕｔＲ、ＳＲｏｕｔ１、ＳＲｏｕｔ２、ＳＲｏｕｔ３、ＳＲｏｕｔ４、ＳＲｏｕｔ５をこの順で出力する。これにより駆動対象の第３電極５３Ａ、５３Ｂ、駆動電極ブロックＴｘが選択される。

次に、第２検出モードにおける、被検出体の位置と、センサ出力信号との関係について説明する。図２１は、第２検出モードにおける被検出体の位置を表す説明図である。図２２は、被検出体が周辺領域に接触又は近接した場合における、第１電極及び第３電極と、センサ出力信号との関係を模式的に表すグラフである。図２３は、被検出体が表示領域に接触又は近接した場合における、第１電極及び第３電極と、センサ出力信号との関係を模式的に表すグラフである。

図２１は、第３電極５３Ａと、駆動電極ブロックＴｘ（１）の第１電極２５（１）、２５（２）とを同時に駆動した場合を模式的に示す。図２１に示すように、第２検出モードにおいて、周辺領域Ｇｄに設けられた第３電極５３Ａに加え、表示領域Ａｄに設けられた第１電極２５（１）、２５（２）も同時に駆動される。このため、表示領域Ａｄの第１電極２５（１）、２５（２）と重なる位置の被検出体ＣＱｄを検出する可能性がある。

図２２及び図２３に示すグラフでは、それぞれ、第３電極５３Ａのみを駆動した場合のセンサ出力信号の信号値（Ｓｉｇｎａｌ）と、駆動電極ブロックＴｘ（１）の第１電極２５（１）、２５（２）のみを駆動した場合の信号値と、第３電極５３Ａ及び駆動電極ブロックＴｘ（１）を同時に駆動した場合の信号値を示す。

図２２は、被検出体ＣＱｅ（図２１参照）が周辺領域Ｇｄに接触又は近接した場合の信号値を示す。図２２に示すように、第３電極５３Ａの容量変化に応じた信号値は、駆動電極ブロックＴｘ（１）の容量変化に応じた信号値に比べて大きい。第３電極５３Ａ及び駆動電極ブロックＴｘ（１）を同時に駆動した場合の信号値は、第１閾値ｔｈ１以上、第２閾値ｔｈ２以下である。

図２３は、被検出体ＣＱｄ（図２１参照）が表示領域Ａｄに接触又は近接した場合の信号値を示す。図２３に示すように、第３電極５３Ａの容量変化に応じた信号値は、駆動電極ブロックＴｘ（１）の容量変化に応じた信号値に比べて小さい。駆動電極ブロックＴｘ（１）の容量変化に応じた信号値は、第２閾値ｔｈ２以上の大きさとなる。第３電極５３Ａ及び駆動電極ブロックＴｘ（１）を同時に駆動した場合の信号値は、第２閾値ｔｈ２以上の大きさである。

以上のように、信号値が第１閾値ｔｈ１よりも小さい場合には、周辺領域Ｇｄにおいて被検出体ＣＱｅが非接触状態であると判断する。信号値が第１閾値ｔｈ１以上、第２閾値ｔｈ２以下である場合には、被検出体ＣＱｅが周辺領域Ｇｄに接触状態であると判断する。信号値が第２閾値ｔｈ２よりも大きい場合には、被検出体ＣＱｄが表示領域Ａｄに接触状態であり、周辺領域Ｇｄには接触していないと判断する。このようにして、第３電極５３Ａ及び駆動電極ブロックＴｘ（１）を同時に駆動した場合であっても、表示領域Ａｄの被検出体ＣＱｄであるか、周辺領域Ｇｄの被検出体ＣＱｅであるか、或いは、非接触状態であるかを判断できる。

図２４は、第２電極と第３電極との関係を拡大して模式的に示す平面図である。図２４に示すように、第２電極ＴＤＬの端部にパッド部３８が設けられている。第２電極ＴＤＬの端部は、駆動電極ブロックＴｘ（１）の第１電極２５（１）よりも外側に配置される。接続配線３７は、パッド部３８に接続されて、第２方向Ｄｙに延出する。接続配線３７は、フレキシブル基板７１（図１２参照）に接続され、検出用ＩＣ１８と電気的に接続される。第３電極５３Ａは、第２電極ＴＤＬの端部よりも外側に配置され、第２電極ＴＤＬと重ならない位置に配置される。また、第３電極５３Ａは、接続配線３７の一部分と重なっていてもよい。なお、図２４では図示しない第３電極５３Ｂについても同様に接続配線３７の一部分と重なっていてもよい。このような構成により、カバー基板５１の周辺領域Ｇｄの幅を小さくすることができる。

（第２の実施形態）
図２５は、第２の実施形態に係る表示装置を模式的に示す平面図である。図２５に示すように、本実施形態の表示装置１Ａにおいて、第３電極５３Ａ、５３Ｂに加え、第３電極５４Ａ及び第３電極５４Ｂが周辺領域Ｇｄに設けられている。第３電極５４Ａ及び第３電極５４Ｂは、カバー基板５１の第２面５１ｂに設けられている。

第３電極５４Ａは、第２方向Ｄｙに対向する周辺領域Ｇｄの一方に配置され、第３電極５４Ｂは、第２方向Ｄｙに対向する周辺領域Ｇｄの他方に配置される。第３電極５４Ａと第３電極５４Ｂとは、それぞれ第１方向Ｄｘに延出し、第２方向Ｄｙに対向して配置される。平面視で、第３電極５３Ａ、第３電極５３Ｂ、第３電極５４Ａ及び第３電極５４Ｂは、第１電極２５及び第２電極ＴＤＬを囲んで、周辺領域Ｇｄの４辺にそれぞれ配置される。第３電極５４Ａと第３電極５４Ｂとは、平面視で、第２電極ＴＤＬと平行な方向に延出するとともに、第１電極２５の端部と対向して配置される。

第３電極５４Ａ、５４Ｂは、それぞれ、表示領域Ａｄの短辺に沿った方向に延出する。第３電極５４Ａ、５４Ｂは、それぞれ、第３電極５３Ａ、５３Ｂの端部と間隔を有して配置される。第３電極５４Ａ、５４Ｂの第１方向Ｄｘの長さは、表示領域Ａｄの第１方向Ｄｘの長さと同程度の長さ、又はそれ以上の長さであることが好ましい。第３電極５４Ａ、５４Ｂの第１方向Ｄｘの長さは、表示領域Ａｄの第１方向Ｄｘの長さよりも短くてもよい。第３電極５４Ａ、５４Ｂは、それぞれ表示領域Ａｄの少なくとも一辺に沿った範囲内において電気的に分離されず連続的につながっていることが好ましい。

本実施形態では、第１駆動部１４Ａ（図１参照）は、駆動信号Ｖｃｏｍ１を第１電極２５に供給する。これにより、第１電極２５と第３電極５４Ａ、５４Ｂとの間にフリンジ分の電気力線が生じる。周辺領域Ｇｄにおいて、カバー基板５１の第１面５１ａに被検出体が接触又は近接した場合、第１電極２５と第３電極５４Ａ、５４Ｂとの間に形成されるフリンジ分の電気力線が遮られる。第３電極５４Ａ、５４Ｂは、第３電極５４Ａ、５４Ｂと第１電極２５との間の容量変化に応じたセンサ出力信号を電圧検出器ＤＥＴに出力する。上述した相互静電容量方式のタッチ検出の基本原理に基づいて、電圧検出器ＤＥＴは検出信号Ｖｄｅｔ１を出力する。

このように、第３電極５４Ａ、５４Ｂは、タッチ検出の検出電極として機能する。これにより、第３電極５３Ａ、５３Ｂが設けられていない部分の周辺領域Ｇｄにおいて被検出体を検出することができる。このように、第３電極５４Ａ、５４Ｂを設けることで、第２方向Ｄｙにおける検出範囲を表示領域Ａｄよりも外側まで拡張することができる。

以上、本発明の好適な実施の形態を説明したが、本発明はこのような実施の形態に限定されるものではない。実施の形態で開示された内容はあくまで一例にすぎず、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で種々の変更が可能である。本発明の趣旨を逸脱しない範囲で行われた適宜の変更についても、当然に本発明の技術的範囲に属する。

例えば、本態様の表示装置は、以下の態様をとることができる。
（１）基板と、
前記基板の表示領域に配置された複数の第１電極と、
前記基板の表面に対して垂直な方向において前記第１電極と対向し、前記第１電極との間に静電容量を形成する第２電極と、
前記表示領域の外側の周辺領域に設けられ、平面視で前記第１電極と重ならない第３電極と、
前記第３電極と、前記複数の第１電極のうち少なくとも１つの前記第１電極とに、同時に駆動信号を供給する駆動部と、を有する表示装置。
（２）前記１つの第１電極は、他の前記第１電極よりも前記第３電極に近い位置に配置されている、上記（１）に記載の表示装置。
（３）複数の前記第１電極のうち駆動対象の前記第１電極及び前記第３電極を同時に選択し、前記駆動対象の前記第１電極及び前記第３電極を前記駆動部に接続する走査部を備える上記（１）又は上記（２）に記載の表示装置。
（４）前記表示領域の被検出体を検出する第１検出モードと、前記周辺領域の被検出体を検出する第２検出モードとを有し、
前記走査部は、前記第１検出モードにおいて、複数の前記第１電極を含む駆動電極ブロックごとに選択し、前記第２検出モードにおいて、前記第３電極と、平面視で前記第３電極と対向する少なくとも１つの前記第１電極とを、同時に選択する上記（２）又は上記（３）に記載の表示装置。
（５）前記走査部は、前記駆動電極ブロックに含まれる複数の前記第１電極を接続するスイッチを含み、
前記走査部は、前記第１検出モードにおいて前記スイッチを動作させて、前記駆動電極ブロックに含まれる複数の前記第１電極を同時に選択し、前記第２検出モードにおいて前記スイッチを動作させて、前記駆動電極ブロックに含まれる複数の前記第１電極のうち、前記第３電極と対向する少なくとも１つの前記第１電極を選択する上記（４）に記載の表示装置。
（６）前記走査部は、シフトレジスタを含み、
前記シフトレジスタは、前記駆動電極ブロック及び前記第３電極に順次、走査信号を供給する上記（４）又は上記（５）に記載の表示装置。
（７）前記シフトレジスタは、前記駆動電極ブロック及び前記第３電極に対応して複数設けられ、
前記第３電極に対応して設けられた前記シフトレジスタは、前記第３電極と、前記駆動対象の前記第１電極に同じ前記走査信号を供給する上記（６）に記載の表示装置。
（８）前記第２電極は、前記第１電極との間の静電容量変化及び前記第３電極との間の静電容量変化に応じたセンサ出力信号を検出器に出力する上記（１）乃至上記（７）のいずれか１つに記載の表示装置。
（９）前記第１電極は、平面視で第１方向に複数配列され、前記第１方向と交差する第２方向に延出し、
前記第３電極は前記第１方向に対向して複数設けられており、前記第１方向に対向する前記第３電極の間に複数の前記第１電極が配置される上記（１）乃至上記（８）のいずれか１つに記載の表示装置。
（１０）前記第２電極は、平面視で前記第１方向に延出し、前記第２方向に複数配列され、
前記第３電極は、前記第２電極の端部と対向して配置される上記（９）に記載の表示装置。
（１１）前記第３電極は、前記第１電極及び前記第２電極と異なる層に配置される上記（１）乃至上記（１０）のいずれか１つに記載の表示装置。
（１２）前記基板の表面に垂直な方向において、前記基板と対向するカバー基板を有し、
前記第３電極は、前記カバー基板の前記周辺領域に設けられる上記（１）乃至上記（１１）のいずれか１つに記載の表示装置。
（１３）前記第３電極は、平面視で、前記複数の第１電極を囲んで、前記周辺領域の４辺にそれぞれ設けられている上記（１）乃至上記（１２）のいずれか１つに記載の表示装置。
（１４）さらに、前記基板の前記表示領域において行列配置された複数の画素電極と、
画像表示機能を発揮する表示機能層と、を有する上記（１）乃至上記（１３）のいずれか１つに記載の表示装置。
（１５）画像表示を行う表示期間において、前記駆動部は、前記第１電極に表示用の駆動信号を供給する上記（１４）に記載の表示装置。

１、１Ａ 表示装置
２ 画素基板
３ 対向基板
５ カバー部材
６ 液晶層
１０ 表示パネル
１１ 制御部
１１Ａ 検出制御部
１２ ゲートドライバ
１３ ソースドライバ
１４Ａ 第１駆動部
１４Ｂ 第２駆動部
１４Ｃ 走査部
１８ 検出用ＩＣ
１９ 表示用ＩＣ
２０ 表示部
２１ 第１基板
２２ 画素電極
２５ 第１電極
３０ タッチセンサ
３１ 第２基板
４０ 検出部
５１ カバー基板
５３Ａ、５３Ｂ、５４Ａ、５４Ｂ 第３電極
７５ シフトレジスタ
Ａｄ 表示領域
Ｇｄ 周辺領域
ＴＤＬ 第２電極

Claims (15)

1. 基板と、
   前記基板の表示領域に配置された複数の第１電極と、
   前記基板の表面に対して垂直な方向において前記第１電極と対向し、前記第１電極との間に静電容量を形成する第２電極と、
   前記表示領域の外側の周辺領域に設けられ、平面視で前記第１電極と重ならない第３電極と、
   前記第３電極と、前記複数の第１電極のうち少なくとも１つの前記第１電極とに、同時に駆動信号を供給する駆動部と、を有する表示装置。
2. 前記１つの第１電極は、他の前記第１電極よりも前記第３電極に近い位置に配置されている、請求項１に記載の表示装置。
3. 複数の前記第１電極のうち駆動対象の前記第１電極及び前記第３電極を同時に選択し、前記駆動対象の前記第１電極及び前記第３電極を前記駆動部に接続する走査部を備える請求項１又は請求項２に記載の表示装置。
4. 前記表示領域の被検出体を検出する第１検出モードと、前記周辺領域の被検出体を検出する第２検出モードとを有し、
   前記走査部は、前記第１検出モードにおいて、複数の前記第１電極を含む駆動電極ブロックごとに選択し、前記第２検出モードにおいて、前記第３電極と、平面視で前記第３電極と対向する少なくとも１つの前記第１電極とを、同時に選択する請求項２又は請求項３に記載の表示装置。
5. 前記走査部は、前記駆動電極ブロックに含まれる複数の前記第１電極を接続するスイッチを含み、
   前記走査部は、前記第１検出モードにおいて前記スイッチを動作させて、前記駆動電極ブロックに含まれる複数の前記第１電極を同時に選択し、前記第２検出モードにおいて前記スイッチを動作させて、前記駆動電極ブロックに含まれる複数の前記第１電極のうち、前記第３電極と対向する少なくとも１つの前記第１電極を選択する請求項４に記載の表示装置。
6. 前記走査部は、シフトレジスタを含み、
   前記シフトレジスタは、前記駆動電極ブロック及び前記第３電極に順次、走査信号を供給する請求項４又は請求項５に記載の表示装置。
7. 前記シフトレジスタは、前記駆動電極ブロック及び前記第３電極に対応して複数設けられ、
   前記第３電極に対応して設けられた前記シフトレジスタは、前記第３電極と、前記駆動対象の前記第１電極に同じ前記走査信号を供給する請求項６に記載の表示装置。
8. 前記第２電極は、前記第１電極との間の静電容量変化及び前記第３電極との間の静電容量変化に応じたセンサ出力信号を検出器に出力する請求項１乃至請求項７のいずれか１項に記載の表示装置。
9. 前記第１電極は、平面視で第１方向に複数配列され、前記第１方向と交差する第２方向に延出し、
   前記第３電極は前記第１方向に対向して複数設けられており、前記第１方向に対向する前記第３電極の間に複数の前記第１電極が配置される請求項１乃至請求項８のいずれか１項に記載の表示装置。
10. 前記第２電極は、平面視で前記第１方向に延出し、前記第２方向に複数配列され、
    前記第３電極は、前記第２電極の端部と対向して配置される請求項９に記載の表示装置。
11. 前記第３電極は、前記第１電極及び前記第２電極と異なる層に配置される請求項１乃至請求項１０のいずれか１項に記載の表示装置。
12. 前記基板の表面に垂直な方向において、前記基板と対向するカバー基板を有し、
    前記第３電極は、前記カバー基板の前記周辺領域に設けられる請求項１乃至請求項１１のいずれか１項に記載の表示装置。
13. 前記第３電極は、平面視で、前記複数の第１電極を囲んで、前記周辺領域の４辺にそれぞれ設けられている請求項１乃至請求項１２のいずれか１項に記載の表示装置。
14. さらに、前記基板の前記表示領域において行列配置された複数の画素電極と、
    画像表示機能を発揮する表示機能層と、を有する請求項１乃至請求項１３のいずれか１項に記載の表示装置。
15. 画像表示を行う表示期間において、前記駆動部は、前記第１電極に表示用の駆動信号を供給する請求項１４に記載の表示装置。

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