JP2019015790A - MEMS mirror drive circuit - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、MEMSミラー駆動回路に関する。 The present invention relates to a MEMS mirror driving circuit.
特許文献1には、静電アクチュエータを備えるMEMSミラーを用いた光スイッチの制御装置に関する技術が記載されている。この制御装置は、MEMSミラーを駆動する駆動部を備える。駆動部は、駆動回路及びD/Aコンバータを有する。駆動回路は、静電アクチュエータに対して、D/Aコンバータから出力されるアナログ信号に従った駆動電圧を供給して、MEMSミラーの反射面の角度を調整する。
静電アクチュエータを備えるMEMSミラーにおいては、反射面の傾斜角は駆動電圧の二乗に比例して変化する傾向がある。従って、駆動電圧が小さい場合には、駆動電圧の或る変化量に対する反射面の傾斜角の変化は小さくなり、駆動電圧が大きい場合には、駆動電圧の上記変化量に対する反射面の傾斜角の変化は大きくなる。一方、D/Aコンバータの出力電圧は、入力ディジタル値の1ステップの変化に対して等間隔に変化する。故に、D/Aコンバータへの入力値の1ステップ毎の反射面の傾斜角の変化量(分解能)は、入力値が大きくなるほど(すなわち反射面の傾斜角が大きくなるほど)大きくなる。従って、反射面の最大傾斜角付近における分解能が低下してしまい、高い精度での位置制御が難しくなる。或いは、反射面の最大傾斜角付近における分解能が所望の性能を満たすようなD/Aコンバータを選択すると、ゼロ度付近の傾斜角における分解能が過剰となり、コスト増につながる。 In a MEMS mirror including an electrostatic actuator, the inclination angle of the reflecting surface tends to change in proportion to the square of the drive voltage. Therefore, when the driving voltage is small, the change in the tilt angle of the reflecting surface with respect to a certain amount of change in the driving voltage is small, and when the driving voltage is large, the tilt angle of the reflecting surface with respect to the change amount in the driving voltage is small. Change is bigger. On the other hand, the output voltage of the D / A converter changes at equal intervals with respect to the change of one step of the input digital value. Therefore, the amount of change (resolution) of the tilt angle of the reflecting surface for each step of the input value to the D / A converter increases as the input value increases (that is, the tilt angle of the reflecting surface increases). Therefore, the resolution in the vicinity of the maximum inclination angle of the reflecting surface is lowered, and position control with high accuracy becomes difficult. Alternatively, if a D / A converter is selected such that the resolution near the maximum tilt angle of the reflecting surface satisfies the desired performance, the resolution at the tilt angle near zero degrees becomes excessive, leading to an increase in cost.
本発明は、このような問題点に鑑みてなされたものであり、D/Aコンバータへの入力値の1ステップ毎の反射面の傾斜角の変化量を一定に近づけることができるMEMSミラー駆動回路を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of such problems, and a MEMS mirror driving circuit capable of bringing the amount of change in the tilt angle of the reflecting surface for each step of the input value to the D / A converter close to a constant level. The purpose is to provide.
上述した課題を解決するために、一実施形態に係るMEMSミラー駆動回路は、MEMSミラーのミラー面を傾斜させる静電アクチュエータを駆動する回路であって、静電アクチュエータの傾斜角度を制御するディジタル信号を電圧信号に変換するD/Aコンバータと、D/Aコンバータと電気的に接続された入力端、及び静電アクチュエータと電気的に接続された出力端を有し、電圧信号を増幅する増幅部と、を備える。増幅部は増幅回路を有し、増幅回路では、入力電圧に対して出力電圧が単調に増加するとともに、第1の入力電圧範囲における、入力電圧の変化量に対する出力電圧の変化量の比が、第1の入力電圧範囲よりも小さい第2の入力電圧範囲における、入力電圧の変化量に対する出力電圧の変化量の比よりも小さい。 In order to solve the above-described problem, a MEMS mirror drive circuit according to an embodiment is a circuit that drives an electrostatic actuator that tilts the mirror surface of the MEMS mirror, and is a digital signal that controls the tilt angle of the electrostatic actuator. A D / A converter that converts the signal into a voltage signal, an input terminal that is electrically connected to the D / A converter, and an output terminal that is electrically connected to the electrostatic actuator and amplifies the voltage signal And comprising. The amplification unit has an amplification circuit, and in the amplification circuit, the output voltage monotonously increases with respect to the input voltage, and the ratio of the change amount of the output voltage to the change amount of the input voltage in the first input voltage range is: It is smaller than the ratio of the change amount of the output voltage to the change amount of the input voltage in the second input voltage range smaller than the first input voltage range.
本発明によるMEMSミラー駆動回路によれば、D/Aコンバータへの入力値の1ステップ毎の反射面の傾斜角の変化量を一定に近づけることができる。 According to the MEMS mirror driving circuit of the present invention, the amount of change in the tilt angle of the reflecting surface for each step of the input value to the D / A converter can be made close to constant.
[本発明の実施形態の説明]
最初に、本発明の実施形態の内容を列記して説明する。一実施形態に係るMEMSミラー駆動回路は、MEMSミラーのミラー面を傾斜させる静電アクチュエータを駆動する回路であって、静電アクチュエータの傾斜角度を制御するディジタル信号を電圧信号に変換するD/Aコンバータと、D/Aコンバータと電気的に接続された入力端、及び静電アクチュエータと電気的に接続された出力端を有し、電圧信号を増幅する増幅部と、を備える。増幅部は増幅回路を有し、増幅回路では、入力電圧に対して出力電圧が単調に増加するとともに、第1の入力電圧範囲における、入力電圧の変化量に対する出力電圧の変化量の比が、第1の入力電圧範囲よりも小さい第2の入力電圧範囲における、入力電圧の変化量に対する出力電圧の変化量の比よりも小さい。
[Description of Embodiment of the Present Invention]
First, the contents of the embodiment of the present invention will be listed and described. A MEMS mirror drive circuit according to an embodiment is a circuit that drives an electrostatic actuator that tilts the mirror surface of the MEMS mirror, and converts a digital signal that controls the tilt angle of the electrostatic actuator into a voltage signal. A converter, an input end electrically connected to the D / A converter, and an output end electrically connected to the electrostatic actuator, and an amplifying unit that amplifies the voltage signal. The amplification unit has an amplification circuit, and in the amplification circuit, the output voltage monotonously increases with respect to the input voltage, and the ratio of the change amount of the output voltage to the change amount of the input voltage in the first input voltage range is: It is smaller than the ratio of the change amount of the output voltage to the change amount of the input voltage in the second input voltage range smaller than the first input voltage range.
この駆動回路では、D/Aコンバータにディジタル信号が入力されると、該ディジタル信号に応じた大きさの電圧信号がD/Aコンバータから出力される。そして、この電圧信号は、増幅部において増幅され、駆動電圧として静電アクチュエータに提供される。このとき、電圧信号の大きさが第2の入力電圧範囲に含まれる場合、電圧信号の大きさが変化すると増幅部からの出力電圧は大きく変化する。一方、電圧信号の大きさが第2の入力電圧範囲よりも大きい第1の入力電圧範囲に含まれる場合、電圧信号の大きさが同じ量だけ変化しても、増幅部からの出力電圧の変化量は、第2の入力電圧範囲に含まれる場合の出力電圧の変化量と比べて小さい。従って、反射面の傾斜角が小さい場合には、D/Aコンバータへの入力値の1ステップあたりの駆動電圧の変化が大きくなり、反射面の傾斜角が大きい場合には、D/Aコンバータへの入力値の1ステップあたりの駆動電圧の変化が小さくなる。故に、この駆動回路によれば、駆動電圧の二乗に比例して変化する反射面の傾斜角の動作特性と、D/Aコンバータへの入力値の1ステップ毎の駆動電圧の変化とを相殺して、D/Aコンバータへの入力値の1ステップ毎の反射面の傾斜角の変化量を一定に近づけることができる。 In this drive circuit, when a digital signal is input to the D / A converter, a voltage signal having a magnitude corresponding to the digital signal is output from the D / A converter. Then, this voltage signal is amplified in the amplifying section and provided to the electrostatic actuator as a drive voltage. At this time, when the magnitude of the voltage signal is included in the second input voltage range, when the magnitude of the voltage signal changes, the output voltage from the amplifying unit changes greatly. On the other hand, when the magnitude of the voltage signal is included in the first input voltage range that is larger than the second input voltage range, even if the magnitude of the voltage signal changes by the same amount, the change in the output voltage from the amplification unit The amount is smaller than the amount of change in the output voltage when included in the second input voltage range. Therefore, when the angle of inclination of the reflecting surface is small, the change in the drive voltage per step of the input value to the D / A converter becomes large, and when the angle of inclination of the reflecting surface is large, to the D / A converter. The change in the drive voltage per step of the input value becomes small. Therefore, according to this drive circuit, the operating characteristic of the tilt angle of the reflecting surface, which changes in proportion to the square of the drive voltage, and the change in the drive voltage for each step of the input value to the D / A converter are canceled out. Thus, the amount of change in the angle of inclination of the reflecting surface for each step of the input value to the D / A converter can be made closer to a constant.
上記のMEMS駆動回路の増幅回路において、入力電圧の変化量に対する出力電圧の変化量の比は、入力電圧が大きくなるに従って次第に小さくなってもよい。このように、増幅回路の増幅率が連続的に変化することにより、駆動電圧の二乗に比例して連続的に変化する反射面の傾斜角の動作特性に増幅回路の増幅率の変化を更に精度良く対応させることができ、D/Aコンバータへの入力値の1ステップ毎の反射面の傾斜角の変化量をより一定に近づけることができる。 In the amplifying circuit of the MEMS drive circuit, the ratio of the change amount of the output voltage to the change amount of the input voltage may gradually decrease as the input voltage increases. In this way, the amplification factor of the amplifier circuit continuously changes, so that the change in the amplification factor of the amplifier circuit is more accurate to the operating characteristics of the tilt angle of the reflecting surface that continuously changes in proportion to the square of the drive voltage. Therefore, the amount of change in the tilt angle of the reflecting surface for each step of the input value to the D / A converter can be made closer to a constant value.
上記のMEMS駆動回路において、増幅回路は平方根回路を含んでもよい。これにより、D/Aコンバータへの入力値の1ステップ毎の反射面の傾斜角の変化量をほぼ一定とすることができる。 In the above MEMS driving circuit, the amplifier circuit may include a square root circuit. Thereby, the amount of change in the tilt angle of the reflecting surface for each step of the input value to the D / A converter can be made substantially constant.
上記のMEMS駆動回路において、第1の入力電圧範囲における、入力電圧の変化量に対する出力電圧の変化量の比は一定値A1であり、第2の入力電圧範囲における、入力電圧の変化量に対する出力電圧の変化量の比は一定値A2(>A1)であってもよい。このような場合であっても、D/Aコンバータへの入力値の1ステップ毎の反射面の傾斜角の変化量を一定に近づけることができる。 In the above MEMS drive circuit, the ratio of the change amount of the output voltage to the change amount of the input voltage in the first input voltage range is a constant value A1, and the output with respect to the change amount of the input voltage in the second input voltage range. The ratio of the amount of change in voltage may be a constant value A2 (> A1). Even in such a case, the amount of change in the tilt angle of the reflecting surface for each step of the input value to the D / A converter can be made close to constant.
上記のMEMS駆動回路において、増幅部は、増幅回路の後段に接続され、増幅回路の増幅率よりも大きい増幅率を有する別の増幅回路を更に有してもよい。これにより、静電アクチュエータに高電圧を印加することができるとともに、増幅回路を低電圧の回路によって構成することができ、増幅回路の規模を小さく抑えることができる。 In the above MEMS drive circuit, the amplification unit may further include another amplification circuit that is connected to the subsequent stage of the amplification circuit and has an amplification factor larger than that of the amplification circuit. As a result, a high voltage can be applied to the electrostatic actuator, and the amplifier circuit can be configured with a low voltage circuit, thereby reducing the scale of the amplifier circuit.
[本願発明の実施形態の詳細]
本発明の実施形態に係るMEMSミラー駆動回路の具体例を、以下に図面を参照しつつ説明する。なお、本発明はこれらの例示に限定されるものではなく、特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味及び範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。以下の説明では、図面の説明において同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。
[Details of the embodiment of the present invention]
A specific example of the MEMS mirror driving circuit according to the embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. In addition, this invention is not limited to these illustrations, is shown by the claim, and intends that all the changes within the meaning and range equivalent to the claim are included. In the following description, the same reference numerals are given to the same elements in the description of the drawings, and redundant descriptions are omitted.
図1は、本発明の一実施形態に係るMEMSミラー駆動回路(以下、単に駆動回路という)によって駆動されるMEMSミラー10の構成を示す平面図である。このMEMSミラー10は、いわゆるジンバル型のチルトミラーの構成を備えており、例えば光ネットワークを構成する光スイッチに用いられる。図1に示されるように、MEMSミラー10は、ミラー面(反射面)11を有しており第1揺動軸12aの周りに揺動する第1揺動部13と、第1揺動部13を揺動可能に支持するとともに第2揺動軸12bの周りに揺動する第2揺動部14とを備えている。
FIG. 1 is a plan view showing a configuration of a
ミラー面11の平面形状は円形状、四角形状など様々であり、第1揺動軸12aは、ミラー面11の中心を通りY軸方向に沿って延びている。第1揺動部13は、第1揺動軸12aを中心軸線とする円柱状の一対の軸部13a,13bを有しており、該一対の軸部13a,13bが第2揺動部14に揺動自在に支えられている。また、第1揺動部13は、静電アクチュエータ15を構成する一方の櫛歯状電極15aと、静電アクチュエータ16を構成する一方の櫛歯状電極16aとを有する。
The planar shape of the
第2揺動軸12bは、ミラー面11の中心を通りX軸方向に沿って延びている。第2揺動部14は、第2揺動軸12bを中心軸線とする円柱状の一対の軸部14a,14bを有しており、該一対の軸部14a,14bがMEMSミラー10の枠体19に揺動自在に支えられている。また、第2揺動部14は、静電アクチュエータ15を構成する他方の櫛歯状電極15bと、静電アクチュエータ16を構成する他方の櫛歯状電極16bとを有する。
The second
静電アクチュエータ15,16は、第1揺動軸12aを挟んで第1揺動軸12aの両側に配置される。静電アクチュエータ15は、第1揺動軸12a周りの順回転方向にミラー面11を動作させる。櫛歯状電極15aと櫛歯状電極15bとは交互に噛み合うように配置され、櫛歯状電極15aと櫛歯状電極15bとの間で電位差に応じた静電気力が発生することにより、該静電気力に応じた(正確には、電位差の2乗に比例する)正の傾斜角度をミラー面11に与える。また、静電アクチュエータ16は、第1揺動軸12a周りの逆回転方向にミラー面11を動作させる。櫛歯状電極16aと櫛歯状電極16bとは交互に噛み合うように配置され、櫛歯状電極16aと櫛歯状電極16bとの間で電位差に応じた静電気力が発生することにより、該静電気力に応じた(正確には、電位差の2乗に比例する)負の傾斜角度をミラー面11に与える。なお、ミラー面11の傾斜角度範囲は例えば±数度であり、一例では±1.5°である。
The
第2揺動部14は、静電アクチュエータ17を構成する一方の櫛歯状電極17aと、静電アクチュエータ18を構成する一方の櫛歯状電極18aとを更に有する。枠体19は、静電アクチュエータ17を構成する他方の櫛歯状電極17bと、静電アクチュエータ18を構成する他方の櫛歯状電極18bとを有する。
The second
静電アクチュエータ17,18は、第2揺動軸12bを挟んで第2揺動軸12bの両側に配置される。静電アクチュエータ17は、第2揺動軸12b周りの順回転方向にミラー面11を動作させる。櫛歯状電極17aと櫛歯状電極17bとは交互に噛み合うように配置され、櫛歯状電極17aと櫛歯状電極17bとの間で電位差に応じた静電気力が発生することにより、該静電気力に応じた(正確には、電位差の2乗に比例する)正の傾斜角度をミラー面11に与える。また、静電アクチュエータ18は、第2揺動軸12b周りの逆回転方向にミラー面11を動作させる。櫛歯状電極18aと櫛歯状電極18bとは交互に噛み合うように配置され、櫛歯状電極18aと櫛歯状電極18bとの間で電位差に応じた静電気力が発生することにより、該静電気力に応じた(正確には、電位差の2乗に比例する)負の傾斜角度をミラー面11に与える。
The
図2は、本実施形態の駆動回路1Aの構成を示す回路図である。なお、図2には、MEMSミラー10の各静電アクチュエータ15〜18を模擬する回路部分が併せて示されている。静電アクチュエータ15〜18は、互いに並列に接続された抵抗Ra及び容量Caによって模擬される。抵抗Raの抵抗値は、例えば数GΩといった極めて大きな値である。容量Caの容量値は、例えば数十pFといった小さな値である。この例で示されるMEMSミラー10は、4つの入力端子10a〜10dと1つの共通端子10eとを備える。4つの入力端子10a〜10dは、それぞれ対応する静電アクチュエータ15〜18の一方の櫛歯状電極に接続されている。1つの共通端子10eは、4つの静電アクチュエータ15〜18の他方の櫛歯状電極に接続され、MEMSミラー10の外部において基準電位線GNDに接続される。
FIG. 2 is a circuit diagram showing a configuration of the
駆動回路1Aは、静電アクチュエータ15〜18をそれぞれ駆動する正の駆動電圧VD1〜VD4を静電アクチュエータ15〜18の一方の櫛歯状電極に印加する駆動電圧生成部20を備える。駆動電圧生成部20は、制御部としてのマイクロコントロールユニット(MCU)21と、D/Aコンバータ22a〜22dと、増幅部23a〜23dと、フィルタ回路26a〜26dと、電流制限抵抗27a〜27dと、を有する。
The
MCU21は、中央演算処理回路及びメモリを有しており、予め記憶されたプログラムに従って動作する。MCU21は、D/Aコンバータ22a〜22dの入力端と電気的に接続されている。MCU21は、静電アクチュエータ15を駆動するためのディジタル信号D1をD/Aコンバータ22aに対して出力し、静電アクチュエータ16を駆動するためのディジタル信号D2をD/Aコンバータ22bに対して出力し、静電アクチュエータ17を駆動するためのディジタル信号D3をD/Aコンバータ22cに対して出力し、静電アクチュエータ18を駆動するためのディジタル信号D4をD/Aコンバータ22dに対して出力する。MCU21とD/Aコンバータ22a〜22dとの間の配線は、例えばデータバスである。なお、D/Aコンバータ22a〜22dは、MCU21に内蔵されていてもよい。また、ミラー面11の傾斜角とディジタル信号D1〜D4との関係に関するデータは、予め記憶装置に格納されている。MCU21は、上位のホストコントローラから接続先の光パスの要求を受け付けると、記憶装置のデータに応じてディジタル信号D1〜D4を変更する。
The
D/Aコンバータ22a〜22dの出力端は、増幅部23a〜23dと電気的にそれぞれ接続されている。D/Aコンバータ22a〜22dは、MCU21から出力されたディジタル信号D1〜D4を、電圧信号V1〜V4にそれぞれ変換する。D/Aコンバータ22a〜22dからの出力電圧は、例えば下限値が出力オフセット電圧、上限値が数Vである範囲内である。オフセット電圧は、D/Aコンバータ22a〜22dそれぞれが有する固有のオフセット電圧である。
Output terminals of the D /
増幅部23a〜23dの入力端は、D/Aコンバータ22a〜22dと電気的に接続されている。また、増幅部23a〜23dの出力端は、静電アクチュエータ15〜18と電気的に接続されている。これらの増幅部23a〜23dは、D/Aコンバータ22a〜22dから得られた電圧信号V1〜V4を、例えば上限値が数十Vないし数百V(例えば200V)である電圧範囲内において増幅し、駆動電圧VD1〜VD4を生成する。
Input ends of the amplifying
増幅部23a〜23dは、増幅回路24及び25をそれぞれ有する。増幅回路24は、増幅部23a〜23dの入力端に接続され、電圧信号V1〜V4を受ける。増幅回路24は、後述する増幅特性を有する。増幅回路25は、増幅回路24の後段において、増幅回路24と増幅部23a〜23dの出力端との間に接続されている。増幅回路25は、増幅回路24の増幅率よりも大きい増幅率を有し、増幅回路24からの出力電圧を線形に増幅して駆動電圧VD1〜VD4を生成する。
The
図3は、増幅回路24における入力電圧Vinに対する出力電圧Voutの変化(増幅回路24の増幅特性)を模式的に示すグラフである。図3に示されるように、増幅回路24では、入力電圧Vinの増加に対して出力電圧Voutが単調に増加する。また、増幅回路24では、入力電圧範囲VA(第1の入力電圧範囲)における入力電圧Vinの増加量(変化量)に対する出力電圧Voutの増加量(変化量)の比(ΔVout/ΔVin)が、入力電圧範囲VAよりも小さい入力電圧範囲VB(第2の入力電圧範囲)における入力電圧Vinの増加量(変化量)に対する出力電圧Voutの増加量(変化量)の比(ΔVout/ΔVin)よりも小さい。本実施形態では、増幅回路24において、入力電圧Vinの増加量に対する出力電圧Voutの増加量の比(ΔVout/ΔVin)は、入力電圧Vinが大きくなるに従って次第に小さくなる。
FIG. 3 is a graph schematically showing changes in the output voltage Vout with respect to the input voltage Vin in the amplifier circuit 24 (amplification characteristics of the amplifier circuit 24). As shown in FIG. 3, in the
図4は、増幅回路24の構成例を示す回路図である。図4に示される回路は、平方根回路である。この増幅回路24は、オペアンプ31と、乗算回路32とを含む。オペアンプ31は、非反転入力端31aと、反転入力端31bと、出力端31cとを有する。乗算回路32は、2つの入力端32a,32bと、出力端32cとを有する。乗算回路32は、入力端32a,32bから入力された電圧の大きさを乗算した大きさの電圧を出力端32cから出力する。
FIG. 4 is a circuit diagram illustrating a configuration example of the
オペアンプ31の非反転入力端31aは、D/Aコンバータ22a〜22dの出力端に接続される。オペアンプ31の反転入力端31bは、乗算回路32の出力端32cに接続される。オペアンプ31の出力端31cは、ノードN1に接続される。ノードN1は、乗算回路32の2つの入力端32a,32bと、増幅回路25とに接続される。
The
この増幅回路24においては、オペアンプ31からの出力電圧を二乗した大きさの電圧がオペアンプ31の反転入力端31bに入力される。そして、オペアンプ31の非反転入力端31aと反転入力端31bとの仮想ショートにより、オペアンプ31からの出力電圧Voutの大きさは、非反転入力端31aへの入力電圧Vinの大きさの平方根となる。
In the
再び図2を参照する。フィルタ回路26a〜26dは、D/Aコンバータ22a〜22dと静電アクチュエータ15〜18との間(本実施形態では増幅部23a〜23dと静電アクチュエータ15〜18との間)にそれぞれ電気的に接続されている。これらのフィルタ回路26a〜26dは、駆動電圧VD1〜VD4に含まれるノイズやMEMSミラー10の共振周波数成分を低減する(好ましくは除去する)ための回路である。一例では、フィルタ回路26a〜26dは、D/Aコンバータ22a〜22dと静電アクチュエータ15〜18との間に接続された抵抗Rb、及び、抵抗Rbの静電アクチュエータ15〜18側の一端と基準電位線GNDとの間に接続された容量素子Cbを有する。なお、フィルタ回路26a〜26dは、必要に応じて省略されてもよい。
Refer to FIG. 2 again. The
電流制限抵抗27a〜27dは、D/Aコンバータ22a〜22dと静電アクチュエータ15〜18との間にそれぞれ電気的に接続されている。電流制限抵抗27a〜27dは、MEMSミラー10を保護するための抵抗であって、静電アクチュエータ15〜18に流れる電流を制限する。なお、電流制限抵抗は、共通端子10eと基準電位線GNDとの間に接続されてもよい。なお、電流制限抵抗27a〜27dは、必要に応じて省略されてもよい。
The current limiting
以上に説明した構成を備える駆動回路1Aでは、D/Aコンバータ22a〜22dにディジタル信号D1〜D4が入力されると、該ディジタル信号D1〜D4に応じた大きさの電圧信号V1〜V4がD/Aコンバータ22a〜22dから出力される。そして、この電圧信号V1〜V4は、増幅部23a〜23dにおいて増幅され、駆動電圧VD1〜VD4として静電アクチュエータ15〜18に提供される。
In the
続いて、MEMSミラー10の動作の例について説明する。図5及び図6は、MEMSミラー10を備える光スイッチ40の概略構成を示す図である。この光スイッチ40は、入力ファイバ41と、複数の出力ファイバ42と、レンズ43とを備えている。なお、光スイッチ40はXY平面においてM行N列(M,NはM×N≧2を満たす正の整数)の二次元状に配列された多数の出力ファイバ42を備えているが、説明を簡単にするため、図5及び図6では1本の軸上に並ぶ2つの出力ファイバ42のみを代表して示している。入力ファイバ41及び複数の出力ファイバ42の各光軸は互いに平行とされる。入力ファイバ41及び複数の出力ファイバ42の各一端とミラー面11とは互いに対向して配置される。レンズ43は、入力ファイバ41及び複数の出力ファイバ42の各一端とミラー面11との間の光路上に配置される。入力ファイバ41及び複数の出力ファイバ42の各一端とレンズ43との距離fは、レンズ43の焦点距離と一致する。距離fは、例えば5mmである。
Next, an example of the operation of the
入力ファイバ41からミラー面11に向けて出射された光Lは、レンズ43において曲折しながらコリメートされ、平行光としてミラー面11上の点Pに達する。そして、光Lは、ミラー面11上の点Pにおいて反射し、レンズ43において再び曲折し、集光されつつ一の出力ファイバ42に入射する。ここで、入力ファイバ41及び複数の出力ファイバ42の各光軸と平行であり点Pを通る仮想軸線Aを設定する。入力ファイバ41の一端における光軸の位置とレンズ43の中心点とを結ぶ線の仮想軸線Aに対する角度をθとすると、入力ファイバ41の光軸と仮想軸線Aとの距離はf・tanθで表される。
The light L emitted from the
図5は、ミラー面11の法線が仮想軸線Aに対して平行な状態、すなわちミラー面11の傾斜角が0°である状態を示している。この状態では、ミラー面11で反射した光Lが入射する出力ファイバ42の一端における光軸の位置とレンズ43の中心点を結ぶ線(即ち、レンズ中心を通る仮想反射光線)と仮想軸線Aの成す角はθとなり、ミラー面11において反射した光Lは、仮想軸線Aから入力ファイバ41とは反対側にx0=f・tanθの距離にある出力ファイバ42に入射する。
FIG. 5 shows a state in which the normal line of the
また、図6は、ミラー面11の法線が仮想軸線Aに対して角度φだけ傾いている状態、すなわちミラー面11の傾斜角がφである状態を示している。この状態では、ミラー面11に対する仮想軸線Aと平行に進む光Lの入射角及び出射角はともにθ+φとなるが、ミラー面11に入射する光Lと仮想軸線Aとのなす角はθで変わらないので、ミラー面11から出射する光Lと仮想軸線Aとのなす角はθ+2φとなる。従って、ミラー面11において反射した光Lは、仮想軸線Aから入力ファイバ41とは反対側にx=f・tan(θ+2φ)の距離にある出力ファイバ42に入射する。
FIG. 6 shows a state where the normal of the
以上の構成を備える本実施形態の駆動回路1Aによる効果について、従来の課題とともに説明する。通常、静電アクチュエータにより駆動されるMEMSミラーの傾斜角φは、駆動電圧Vの二乗に比例し、φ=α・V2として表される。但し、αはMEMSミラーの構造によって決まる定数であり、αの値は例えば2.0×10−3である。
The effect of the
複数の出力ファイバ42の各一端を含む面内における反射光の到達位置xは、上述したように、ミラー面11が傾いていない時、即ち傾斜角φ=0の時に光が入射する出力ファイバ42の位置x0を基準としてx=f・tan(θ+2φ)−x0=f・{tan(θ+2φ)−tanθ}で表される。θ,φは微小であるため、tan(θ+2φ)、tanθはそれぞれ(θ+2φ)、θに近似でき、ミラー面11が傾いていない時を基準とする反射光の到達位置xは、x=f・2φ=2αfV2と表される。従って、反射光の到達位置xを駆動電圧Vで微分すると、dx/dV=4αfVとなる。このことから、駆動電圧Vが小さい場合には、駆動電圧Vの単位変化に対する到達位置xの変化は小さくなり、駆動電圧Vが大きい場合には、駆動電圧Vの単位変化に対する到達位置xの変化は大きくなることがわかる。一方、D/Aコンバータの出力電圧は、入力ディジタル値の1ステップの変化に対して等間隔に変化する。故に、D/Aコンバータの出力電圧を増幅部において線形に増幅する従来の駆動回路では、D/Aコンバータへの入力値の1ステップ毎の反射面の傾斜角の変化量(分解能)が、入力値が大きくなるほど(すなわち反射面の傾斜角が大きくなるほど)大きくなる。従って、反射面の最大傾斜角付近における分解能が低下してしまい、高い精度での位置制御が難しくなる。或いは、反射面の最大傾斜角付近における分解能が所望の性能を満たすようなD/Aコンバータを選択すると、ゼロ度付近の傾斜角における分解能が過剰となり、コスト増につながる。
As described above, the arrival position x of the reflected light in the plane including each end of the plurality of
このような課題に対し、本実施形態の駆動回路1Aでは、増幅部23a〜23dの増幅回路24が、図3に示されたような増幅特性を有する。すなわち、増幅回路24では、入力電圧Vinに対して出力電圧Voutが単調に増加し、また、入力電圧範囲VAにおける増幅率(ΔVout/ΔVin)が、入力電圧範囲VAよりも小さい入力電圧範囲VBにおける増幅率(ΔVout/ΔVin)よりも小さい。従って、電圧信号V1〜V4の大きさが入力電圧範囲VBに含まれる場合、電圧信号V1〜V4の大きさが変化すると駆動電圧VD1〜VD4は大きく変化する。一方、電圧信号V1〜V4の大きさが入力電圧範囲VAに含まれる場合、電圧信号V1〜V4の大きさが変化しても駆動電圧VD1〜VD4の変化は小さい。従って、ミラー面11の傾斜角φが小さい場合には、D/Aコンバータ22a〜22dへの入力値の1ステップあたりの駆動電圧VD1〜VD4の変化が大きくなり、ミラー面11の傾斜角φが大きい場合には、D/Aコンバータ22a〜22dへの入力値の1ステップあたりの駆動電圧VD1〜VD4の変化が小さくなる。故に、本実施形態の駆動回路1Aによれば、駆動電圧VD1〜VD4の二乗に比例して変化するミラー面11の傾斜角φの動作特性と、D/Aコンバータ22a〜22dへの入力値の1ステップ毎の駆動電圧VD1〜VD4の変化とを相殺して、D/Aコンバータ22a〜22dへの入力値の1ステップ毎のミラー面11の傾斜角φの変化量を一定に近づけることができる。これにより、過剰な分解能を有するD/Aコンバータを用いる必要がなくなり、駆動回路1Aの製造コストを低減できる。
For such a problem, in the
また、光スイッチ40を製造する際には、入力ファイバ41と各出力ファイバ42とを光結合するための駆動電圧Vの大きさを調べ(キャリブレーション)、得られた駆動電圧Vの大きさをMCU21に記憶させる。光スイッチ40のキャリブレーションを行う際には、入力ファイバ41に検査用の光を入力し、ミラー面11の傾斜角を変化させつつ、出力ファイバ42から出力される光強度を検出する。そして、出力ファイバ42から出力される光強度が最も大きくなる位置を探索する(ピークサーチ)ことにより、出力ファイバ42の位置を調べることができる。探索アルゴリズムとしては様々なアルゴリズムが適用可能であるが、例えば、まず探索のステップを大きくしてピーク付近の駆動電圧Vを求め、その後、ピーク付近においてステップを小さくして更に探索を行ってもよい。このような方法により、探索時間を短くすることができる。
Further, when manufacturing the
図7は、複数の出力ファイバ42における挿入損失等高線を示すグラフである。図7において、横軸はY軸まわりのミラー面11の揺動のための(すなわち図1に示された静電アクチュエータ15,16を駆動するための)駆動電圧Vxを表し、縦軸はX軸まわりのミラー面11の揺動のための(すなわち図1に示された静電アクチュエータ17,18を駆動するための)駆動電圧Vyを表す。また、挿入損失等高線において、線G1は損失が最も小さい範囲(例えば0〜1dB)を示し、線G3は損失が最も大きい範囲(例えば2〜3dB)を示し、線G2はそれらの中間の損失の範囲(例えば1〜2dB)を示す。
FIG. 7 is a graph showing insertion loss contour lines in the plurality of
通常、このようなグラフにおいては、挿入損失等高線は出力ファイバ42の中心軸線を中心とする同心円状となり、その直径は各出力ファイバ42においてそれぞれ等しくなるのが好ましい。しかし、駆動電圧Vx,Vyの大きさによって反射光の変位量が変化する場合、図7に示されるように、駆動電圧Vx,Vyが大きくなるほど挿入損失等高線の直径が小さくなる。このような場合、駆動電圧の探索ステップを駆動電圧Vx,Vyの大きさに応じて変更する必要が生じる。例えば、図7の最も左下に位置する(駆動電圧Vx,Vyが小さい)出力ファイバ42に対しては0.1V刻みで探索し、最も右上に位置する(駆動電圧Vx,Vyが大きい)出力ファイバ42に対しては0.05V刻みで探索するなどである。また、駆動電圧Vxが大きく駆動電圧Vyが小さい場合、もしくは駆動電圧Vxが小さく駆動電圧Vyが大きい場合には、挿入損失等高線が楕円形となる。このような場合、駆動電圧Vxと駆動電圧Vyとで探索ステップを異ならせる必要がある。
In general, in such a graph, it is preferable that the insertion loss contour line is concentric with the center axis of the
このように、駆動電圧Vx,Vyの大きさによって反射光の変位量が変化する場合、キャリブレーションの際の探索アルゴリズムが複雑になってしまう。或いは、探索アルゴリズムを簡単にするために探索ステップを一定とすると、挿入損失等高線の直径が最も小さい出力ファイバ42に探索ステップを合わせることとなるので、挿入損失等高線の直径が比較的大きい出力ファイバ42に対しては探索回数が過剰となり、キャリブレーションに要する時間が長くなってしまうという問題がある。
Thus, when the amount of displacement of the reflected light changes depending on the magnitudes of the drive voltages Vx and Vy, the search algorithm at the time of calibration becomes complicated. Alternatively, if the search step is constant in order to simplify the search algorithm, the search step is matched with the
上述した問題に対し、本実施形態の駆動回路1Aによれば、駆動電圧Vx,Vyの大きさにかかわらず反射光の変位量を一定に近づけることができるので、図8に示されるように、挿入損失等高線は出力ファイバ42の中心軸線を中心とする同心円状となり、その直径は各出力ファイバ42においてそれぞれ等しくなる。従って、キャリブレーションの際の探索アルゴリズムを簡単にすることができる。また、探索ステップを一定としても探索回数が過剰とならず、キャリブレーションに要する時間を短くすることができる。
In response to the above-described problem, according to the
また、本実施形態の駆動回路1Aによれば、光スイッチ40のアッテネーション制御においても利点がある。アッテネーション制御とは、図9に示されるように、出力ファイバ42への光Lの入射位置を、挿入損失等高線の中心から意図的にずらすことにより、光Lの光強度を減衰する手法である。従来のように駆動電圧の大きさによって光Lの変位量が変化する場合、光Lの入射位置のずれ量を出力ファイバ42毎に調整する必要があり、アッテネーション制御が複雑となる。また、駆動電圧が大きい出力ファイバ42では、D/Aコンバータ22a〜22dへの入力値の1ステップあたりの駆動電圧VD1〜VD4の変化が大きくなるので、減衰量の制御精度が低下してしまう。これに対し、本実施形態の駆動回路1Aによれば、駆動電圧の大きさにかかわらず光Lの変位量を一定に近づけることができるので、光Lの入射位置のずれ量を出力ファイバ42毎に調整する必要がなく、アッテネーション制御が容易となる。また、駆動電圧が大きい出力ファイバ42においても、D/Aコンバータ22a〜22dへの入力値の1ステップあたりの駆動電圧VD1〜VD4の変化を小さくできるので、減衰量の制御精度を高めることができる。
Further, according to the
また、本実施形態のように、増幅回路24において、増幅率(ΔVout/ΔVin)は、入力電圧Vinが大きくなるに従って次第に小さくなってもよい。このように、増幅回路24の増幅率(ΔVout/ΔVin)が連続的に変化することにより、駆動電圧VD1〜VD4の二乗に比例して連続的に変化するミラー面11の傾斜角φの動作特性に増幅回路24の増幅率(ΔVout/ΔVin)の変化を更に精度良く対応させることができる。従って、D/Aコンバータ22a〜22dへの入力値の1ステップ毎のミラー面11の傾斜角φの変化量をより一定に近づけることができる。
Further, as in this embodiment, in the
また、本実施形態のように、増幅回路24は平方根回路を含んでもよい。前述したように、ミラー面11が傾いていない時に光が入射する出力ファイバ42の位置を基準とする反射光の到達位置xは、x=f・2φ=2αfV2と表される。増幅回路24が平方根回路を含む場合、駆動電圧Vは入力電圧Vinの平方根Vin1/2と等しくなる。従って、反射光の到達位置xは、x=2αf・Vinと表すことができ、xを入力電圧Vinで微分すると、dx/dVin=4αf(一定値)となる。すなわち、D/Aコンバータ22a〜22dへの入力値の1ステップ毎のミラー面11の傾斜角φの変化量をほぼ一定とすることができる。
Further, as in the present embodiment, the
また、本実施形態のように、増幅部23a〜23dは、増幅回路24の後段に接続され、増幅回路24の増幅率よりも大きい増幅率を有する別の増幅回路25を更に有してもよい。これにより、静電アクチュエータ15〜18に高電圧を印加することができるとともに、増幅回路24を低電圧の回路によって構成することができ、増幅回路24の規模を小さく抑えることができる。
In addition, as in the present embodiment, the
(変形例)
上記実施形態の一変形例について説明する。図10(a)は、本変形例に係る増幅回路28の構成を示すブロック図である。この増幅回路28は、抵抗28a〜28eと、オペアンプ29と、スイッチ30とを有する。オペアンプ29は、非反転入力端29aと、反転入力端29bと、出力端29cとを有する。非反転入力端29aは、抵抗28aを介してD/Aコンバータ22a〜22dの一の出力端に接続されており、且つ、抵抗28bを介してD/Aコンバータ22a〜22dの別の出力端に接続されている。反転入力端29bは、抵抗28eを介して出力端29cに接続されている。更に、反転入力端29bは、互いに並列に接続された抵抗28c及び29dを介して基準電位線GNDに接続されている。抵抗28cと基準電位線GNDとは、スイッチ30を介して接続されている。MCU21は、スイッチ30を制御するための信号S1を出力する。
(Modification)
A modification of the above embodiment will be described. FIG. 10A is a block diagram showing a configuration of the
D/Aコンバータ22a〜22dから出力される電圧信号V1〜V4は、入力電圧Vinとして増幅回路28に入力される。入力電圧Vinは、抵抗28aを介して非反転入力端29aに提供される。また、本変形例のD/Aコンバータ22a〜22dは、オフセット電圧V01〜V04をそれぞれ出力する。これらのオフセット電圧V01〜V04は、MCU21からのディジタル信号D01〜D04に基づいてそれぞれ生成される。オフセット電圧V01〜V04は、オフセット電圧Voffsetとして増幅回路28に入力される。オフセット電圧Voffsetは、抵抗28bを介して非反転入力端29aに提供される。
Voltage signals V1 to V4 output from the D /
この増幅回路28によれば、図10(b)に示すような増幅特性を実現できる。図10(b)の増幅特性では、入力電圧範囲VAにおける増幅率(ΔVout/ΔVin)は或る一定値A1であり、入力電圧範囲VBにおける増幅率(ΔVout/ΔVin)は或る一定値A2(>A1)となっている。入力電圧範囲VBでは、スイッチ30が閉状態とされ、非反転入力端29aと基準電位線GNDとの間の抵抗値が抵抗28c及び抵抗28dによって規定される。この場合、増幅率(ΔVout/ΔVin)は、抵抗28eの抵抗値Rf、抵抗28a,28cの抵抗値R1、抵抗28dの抵抗値R2を用いて1+Rf/(R1//R2)として表される。R1//R2は、抵抗値R1と抵抗値R2とによる並列回路の抵抗値である。また、入力電圧範囲VAでは、スイッチ30が開状態とされ、非反転入力端29aと基準電位線GNDとの間の抵抗値が抵抗28dのみによって規定される。この場合、増幅率(ΔVout/ΔVin)は1+Rf/R2として表される。更に、入力電圧範囲VAでは、D/Aコンバータ22a〜22dから所定のオフセット電圧Voffsetが増幅回路28に入力される。これにより、入力電圧範囲VAと入力電圧範囲VBとの間における増幅率の不連続性を解消することができる。
According to the
本変形例のように、入力電圧範囲VAにおける増幅率(ΔVout/ΔVin)は一定値A1であり、入力電圧範囲VBにおける増幅率(ΔVout/ΔVin)は一定値A2(>A1)であってもよい。このような場合であっても、図3に示された平方根回路による増幅特性を近似することができ、D/Aコンバータ22a〜22dへの入力値の1ステップ毎のミラー面11の傾斜角φの変化量を一定に近づけることができる。なお、本変形例では増幅回路28の増幅特性が2つの入力電圧範囲VA,VBに分割され、各々の入力電圧範囲VA,VB毎に異なる増幅率(ΔVout/ΔVin)を有する場合を例示したが、増幅回路の増幅特性は3つの入力電圧範囲に分割されてもよい。その場合、入力電圧が大きくなるほど増幅率(ΔVout/ΔVin)が小さくなるように、入力電圧範囲毎に増幅率(ΔVout/ΔVin)が個別に設定されるとよい。
As in this modification, the amplification factor (ΔVout / ΔVin) in the input voltage range VA is a constant value A1, and the amplification factor (ΔVout / ΔVin) in the input voltage range VB is a constant value A2 (> A1). Good. Even in such a case, the amplification characteristic by the square root circuit shown in FIG. 3 can be approximated, and the inclination angle φ of the
本発明による駆動回路は、上述した実施形態に限られるものではなく、他に様々な変形が可能である。例えば、上述した実施形態及び各変形例を、必要な目的及び効果に応じて互いに組み合わせてもよい。例えば、上記実施形態では増幅部が2つの増幅回路(増幅回路24,25)を含んでいるが、増幅部は増幅回路24,25の機能を兼ねる増幅回路を1つのみ有してもよい。
The drive circuit according to the present invention is not limited to the above-described embodiment, and various other modifications are possible. For example, the above-described embodiments and modifications may be combined with each other according to the necessary purpose and effect. For example, in the above embodiment, the amplification unit includes two amplification circuits (
また、上記実施形態では2本の揺動軸を備えるMEMSミラーを駆動する回路を例示したが、MEMSミラーの揺動軸の本数は1以上の様々な本数であってもよい。或いは、揺動軸を備えておらず一つの静電アクチュエータで駆動するMEMSミラーにも、本発明を適用可能である。 Moreover, although the circuit which drives the MEMS mirror provided with two rocking | fluctuation shafts was illustrated in the said embodiment, the number of the rocking | fluctuation shafts of a MEMS mirror may be one or more various numbers. Alternatively, the present invention can be applied to a MEMS mirror that is not provided with a swing shaft and is driven by a single electrostatic actuator.
1A…駆動回路、10…MEMSミラー、10a〜10d…入力端子、10e…共通端子、11…ミラー面、12a,12b…揺動軸、13…第1揺動部、13a,13b…軸部、14…第2揺動部、14a,14b…軸部、15〜18…静電アクチュエータ、15a,15b,16a,16b,17a,17b,18a,18b…櫛歯状電極、19…枠体、20…駆動電圧生成部、22a〜22d…D/Aコンバータ、23a〜23d…増幅部、24,25…増幅回路、26a〜26d…フィルタ回路、27a〜27d…電流制限抵抗、28a〜28e…抵抗、29…オペアンプ、29a…非反転入力端、29b…反転入力端、29c…出力端、30…スイッチ、31…オペアンプ、31a…非反転入力端、31b…反転入力端、31c…出力端、32…乗算回路、32a,32b…入力端、32c…出力端、40…光スイッチ、41…入力ファイバ、42…出力ファイバ、43…レンズ、A…仮想軸線、D1〜D4…ディジタル信号、GND…基準電位線、L…光、N1…ノード、P…点、V1〜V4…電圧信号、VA,VB…入力電圧範囲、VD1〜VD4…駆動電圧、Vin…入力電圧、Voffset…オフセット電圧、Vout…出力電圧、φ…傾斜角。
DESCRIPTION OF
Claims (5)
前記静電アクチュエータの傾斜角度を制御するディジタル信号を電圧信号に変換するD/Aコンバータと、
前記D/Aコンバータと電気的に接続された入力端、及び前記静電アクチュエータと電気的に接続された出力端を有し、前記電圧信号を増幅する増幅部と、を備え、
前記増幅部は増幅回路を有し、
前記増幅回路では、入力電圧に対して出力電圧が単調に増加するとともに、第1の入力電圧範囲における、入力電圧の変化量に対する出力電圧の変化量の比が、前記第1の入力電圧範囲よりも小さい第2の入力電圧範囲における、入力電圧の変化量に対する出力電圧の変化量の比よりも小さい、MEMSミラー駆動回路。 A circuit that drives an electrostatic actuator that tilts the mirror surface of the MEMS mirror,
A D / A converter for converting a digital signal for controlling a tilt angle of the electrostatic actuator into a voltage signal;
An input unit electrically connected to the D / A converter, and an output unit electrically connected to the electrostatic actuator, and an amplifying unit for amplifying the voltage signal,
The amplification unit has an amplification circuit,
In the amplifier circuit, the output voltage monotonously increases with respect to the input voltage, and the ratio of the change amount of the output voltage to the change amount of the input voltage in the first input voltage range is larger than that of the first input voltage range. The MEMS mirror drive circuit, which is smaller than the ratio of the change amount of the output voltage to the change amount of the input voltage in the second input voltage range that is also smaller.
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