JP2019009226A - Imprint method, imprint apparatus, program, and article manufacturing method - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、インプリント方法、インプリント装置、プログラム、および物品の製造方法に関する。 The present invention relates to an imprint method, an imprint apparatus, a program, and an article manufacturing method.
半導体デバイスや液晶表示装置等の物品を製造するリソグラフィ方法の一つとしてインプリント方法がある。インプリント方法は、基板上の未硬化のインプリント材に型を接触させて微細パターンの形成を行う方法である。インプリント方法において、基板上のパターンを形成する領域以外の領域に未硬化のインプリント材が拡がってしまう場合がある。この場合、パターン欠陥、歩留まり低下などの問題が起こりうる。特許文献1では、基板上のパターン形成領域とパターンを形成しない外周領域との境界近傍の未硬化のレジストを先に硬化させて、基板裏面に未硬化のレジストが拡がることを防止している。 One of lithography methods for manufacturing articles such as semiconductor devices and liquid crystal display devices is an imprint method. The imprint method is a method of forming a fine pattern by bringing a mold into contact with an uncured imprint material on a substrate. In the imprint method, an uncured imprint material may spread in a region other than a region where a pattern is formed on the substrate. In this case, problems such as pattern defects and yield reduction may occur. In Patent Document 1, an uncured resist near the boundary between a pattern formation region on a substrate and an outer peripheral region where no pattern is formed is first cured to prevent the uncured resist from spreading on the back surface of the substrate.
しかしながら、所望の領域の未硬化のレジストを狙ったとおりに硬化させることができない場合、特許文献1の方法では、未硬化のインプリント材がパターンを形成する領域以外の領域に拡がってしまいうる。 However, if the uncured resist in the desired region cannot be cured as intended, the method of Patent Document 1 may cause the uncured imprint material to spread to a region other than the region where the pattern is formed.
本発明は、例えば、パターン欠陥の抑制に有利なインプリント方法を提供することを目的とする。 An object of the present invention is to provide an imprint method that is advantageous for suppressing pattern defects, for example.
上記課題を解決するために、本発明は、基板上に未硬化のインプリント材を塗布し、未硬化のインプリント材と型とを接触させた状態で未硬化のインプリント材を硬化させることにより基板上に硬化したインプリント材のパターンを形成するインプリント方法であって、基板に形成されたショット領域に未硬化のインプリント材を塗布した後であって、接触を行う前に、ショット領域の一部の未硬化のインプリント材を硬化させる領域を設定し、設定された領域の硬化したインプリント材の位置と、基板又は型に設けられたマークの位置と、を計測し、硬化したインプリント材の位置とマークの位置に基づき、ショット領域のうち、一部を含む部分領域の未硬化のインプリント材を硬化させる照射領域を設定する、ことを特徴とする。 In order to solve the above problems, the present invention applies an uncured imprint material on a substrate, and cures the uncured imprint material in a state where the uncured imprint material and the mold are in contact with each other. An imprint method for forming a pattern of a cured imprint material on a substrate by applying an uncured imprint material to a shot area formed on the substrate and before performing contact Set the area to cure the uncured imprint material in a part of the area, measure the position of the cured imprint material in the set area and the position of the mark provided on the substrate or mold, and cure Based on the position of the imprint material and the position of the mark, an irradiation area for curing the uncured imprint material in a partial area including a part of the shot area is set.
本発明によれば、例えば、パターン欠陥の抑制に有利なインプリント方法を提供することができる。 According to the present invention, for example, it is possible to provide an imprint method that is advantageous for suppressing pattern defects.
以下、本発明を実施するための形態について図面などを参照して説明する。 Hereinafter, embodiments for carrying out the present invention will be described with reference to the drawings.
(第1実施形態)
図1は、本実施形態に係るインプリント方法を用いるインプリント装置100の構成を示す概略図である。ここでは、一例として、光硬化法を用いたインプリント装置として、紫外線の照射によって基板上の未硬化のインプリント材を硬化させる紫外線硬化型インプリント装置を使用した。ただし、インプリント材の硬化方法として、他の波長域の光の照射による方法や、他のエネルギー(例えば、熱)による方法を用いてもよい。
(First embodiment)
FIG. 1 is a schematic diagram illustrating a configuration of an
インプリント装置100は、例えば、硬化部110と、型保持部120と、型変形部130と、ディスペンサ140と、基板保持部150と、計測部160と、制御部170と、スコープ180と、を含みうる。インプリント装置100は、インプリントサイクルを繰り返すことによって基板上のショット領域にパターンを形成する。ここで、インプリントサイクルとは、型Mをインプリント材Rに押し付けた状態でインプリント材Rを硬化させることによって基板の1つのショット領域にパターンを形成するサイクルである。
The
硬化部110は、型Mを介してインプリント材Rに光を照射し、インプリント材Rを硬化させる。インプリント材Rは、この実施形態では、紫外光硬化樹脂である。硬化部110は、例えば、光源111と、レンズを含む光学系112と、設定部113と、ハーフミラー114と、を含む。光源111は、例えば、紫外光(例えば、i線、g線)を発生するハロゲンランプなどの光源と、該光源が発生させた光を集光する楕円鏡とを含みうる。
The
光学系112は、インプリント材Rを硬化させるための光を、基板W上のパターン形成領域(ショット領域)内のインプリント材に照射するためのレンズを含む。設定部113は、画角制御や外周遮光制御に使用され、例えば、DMD、アパーチャ、可変視野絞り等である。画角制御によって目標とするショット領域のみを照明することができ、外周遮光制御によって紫外光が基板Wのショット領域を超えて照射されることを制限することができる。硬化部110は、設定部113を用いることによって基板W上の任意の領域を照明することができる。ハーフミラー114は、設定部113からの光の光路を基板Wに向かう方向に変更する。光学系112は、基板W(型M)を均一に照明するためにオプティカルインテグレータを含んでもよい。設定部113によってエネルギー(光)の照射領域が規定された光は、結像系(不図示)と型Mを介して基板W上のインプリント材Rに入射する。
The
型保持部120は、例えば、型Mを保持する型チャック121と、型チャック121を駆動させることで、型Mを移動させる駆動部122と、駆動部122を支持するベース123と、を含む。型チャック121による型Mの保持は、例えば、真空吸引力や静電気力等による。駆動部122は、型Mの位置を6軸に関して制御したり、型Mを基板Wの上のインプリント材Rに接触させたり、硬化したインプリント材Rから型Mを剥離(離型)したりする。ここで、6軸は、XYZ座標系におけるX軸、Y軸、Z軸およびそれらの各軸回りの回転である。
The
型Mは、例えば、外周部が矩形であり、基板Wに対向する面において、所定の凹凸パターンが3次元状に形成されており、紫外線を透過する材料(石英など)で構成される。型Mには、アライメントマークAMMが形成される。型Mは、不図示の型搬送装置によって搬送されうる。型搬送装置は、例えば、真空チャック等のチャックを有する搬送ロボットを含む。 For example, the mold M has a rectangular outer peripheral portion, a predetermined uneven pattern is formed in a three-dimensional manner on the surface facing the substrate W, and is made of a material (such as quartz) that transmits ultraviolet rays. An alignment mark AMM is formed on the mold M. The mold M can be transported by a mold transport device (not shown). The mold transfer device includes, for example, a transfer robot having a chuck such as a vacuum chuck.
型変形部130は、例えば、型チャック121に搭載され、空気や油等の流体で作動するシリンダ(アクチュエータ)を用いて型Mを外周方向から加圧することによって型Mを変形させることができる。型変形部130としては、型Mの温度を制御する温度制御部をさらに備え、型Mの温度を制御することによって型Mを変形させてもよい。基板Wは、熱処理などのプロセスを経ることによって変形(典型的には、膨張又は収縮)しうる。型変形部130は、このような基板Wの変形に応じて、基板Wと型Mとの位置が合うように型Mの形状を補正する。また、インプリント装置100には、基板Wの温度を制御する温度制御部をさらに備え、基板Wの温度を制御することによって基板Wを意図的に変形させてもよい。
For example, the
ディスペンサ140は、例えば、インプリント材を収容するタンク141と、該タンクから供給路を通して供給されるインプリント材を基板に対して吐出するノズル142(吐出口)とを有しうる。さらにディスペンサ140は、供給路に設けられたバルブ(不図示)と、供給量制御部(不図示)とを有しうる。ディスペンサ140は、基板Wの複数のショット領域に一括してインプリント材を塗布(供給)してもよいし、ショット領域毎にインプリント材を塗布してもよい。なお、装置内に構成されたディスペンサ140を使用せず、外部装置(塗布装置)にて基板Wの表面に一括塗布を行っても良い。供給量制御部は、バルブを制御して基板Wへのインプリント材の供給量を制御する。
The
基板保持部150は、基板Wを保持する基板チャック151と、基板チャック151を駆動することによって基板Wを移動させる基板ステージ152と、不図示の駆動機構を含みうる。基板チャック151は、例えば、真空吸着パッド等により基板Wを保持する。基板ステージ152は、基板チャック151を保持し、不図示の駆動機構により駆動して基板Wを6軸に移動させることで基板Wと型Mとの位置合わせを行う。基板Wは、不図示の基板搬送装置によって搬送されうる。
The
図2は、本実施形態に係る基板及びショット領域の一例を示す図である。基板Wは、型Mによって、凹凸パターンが転写される基板であって、例えば、単結晶シリコン基板やSOI(Silicon on Insulator)基板などを含む。基板Wには複数のショット領域Sが形成され、各ショット領域S内に複数のアライメントマークAMWが形成されている。なお、本実施形態において、基板Wには、既に少なくとも1層のパターンが形成されているものとする。 FIG. 2 is a diagram illustrating an example of the substrate and the shot area according to the present embodiment. The substrate W is a substrate onto which the concavo-convex pattern is transferred by the mold M, and includes, for example, a single crystal silicon substrate or an SOI (Silicon on Insulator) substrate. A plurality of shot regions S are formed on the substrate W, and a plurality of alignment marks AMW are formed in each shot region S. In the present embodiment, it is assumed that at least one pattern is already formed on the substrate W.
図1に戻り、計測部160は、アライメントスコープ161と、アライメントステージ162と、を含みうる。アライメントスコープ161は、型Mと基板W上のショット領域とを位置合わせする自動調節スコープ(Automatic Adjustment Scope:AAS)を含みうる。アライメントスコープ161は、型Mに形成されているアライメントマークAMMと、基板Wに形成されているアライメントマークAMWとを型Mを介して検出する。
Returning to FIG. 1, the
図3は、本実施形態において、アライメントスコープ161により検出されるアライメントマークの一例を示す図である。型M上のアライメントマークAMMと基板W上のアライメントマークAMWは、後述する位置合わせ(アライメント)を行う際に、互いに重ならないように形成されている。アライメントスコープ161は、型MのアライメントマークAMMを透過して、アライメントマークAMMと基板WのアライメントマークAMWとの相対位置を計測することが可能である。本実施形態では、ダイバイダイ方式により位置合わせが行われる。アライメントステージ162は、アライメントスコープ161を位置決めする。
FIG. 3 is a diagram illustrating an example of alignment marks detected by the
図1における制御部170は、インプリント装置100の各構成要素の動作、及び調整処理等を制御する。制御部170は、例えば、インプリント装置の各構成要素に回線により接続された、磁気記憶媒体等の記憶手段を有するコンピュータ、又はシーケンサ等(不図示)で構成される。本実施形態に係る方法は、プログラムとしてコンピュータに実行されうる。制御部170は、インプリント装置100内に設けてもよいし、インプリント装置100とは別の場所に設置し遠隔で制御しても良い。本図においては、主な構成要素と制御部170との接続関係のみを示している。
The
スコープ180は、ショット領域全体を観察する撮像部であり、インプリントの状態や押型やインプリント材Rの充填の進み具合を確認する。また、インプリント装置100は、図示を省略しているが、型保持部120を保持するための定盤、除振器(ダンパ)を含む。定盤は、インプリント装置100全体を支えると共に基板ステージ152が移動する際の基準平面を形成する。除振器は、床からの振動を除去し、定盤を支える。
The
図4は、本実施形態に係るインプリント方法を示すフローチャートである。各フローは、主に制御部170による各部の制御により実行される。
FIG. 4 is a flowchart showing the imprint method according to this embodiment. Each flow is executed mainly by control of each unit by the
図4(A)は本実施形態に係るインプリント方法全体のフローチャートである。工程S410では、型Mが、不図示の型搬送装置により、型チャック121に搬入され、位置決めされる。位置決めされた型Mは、型チャック121によって保持される。工程S420では、基板Wが、不図示の基板搬送装置により、基板チャック151に搬入される。基板チャック151は、搬入された基板Wを保持する。工程S430では、ディスペンサ140により、基板Wの全面にインプリント材Rが塗布される。なお、上述の通り、装置内に構成されたディスペンサ140を使用せず、外部装置にて一括塗布を行っても良い。
FIG. 4A is a flowchart of the entire imprint method according to this embodiment. In step S410, the mold M is carried into the
工程S440では、アライメントステージ162により、アライメントスコープ161が、型M上のアライメントマークAMMの位置に移動される。アライメントステージ162は、アライメントスコープ161を、位置決めする。
In step S440, the
工程S450では、基板W上に形成されたショット領域Sの端部である部分領域を露光する。図5は、部分領域の露光を説明する図である。例えば、型Mと基板Wとを接触させた際に、インプリント材Rが非所望領域に拡がることを防止するために、型Mと基板Wとを接触させる前に、図5(A)のように、ショット領域Sの端部である部分領域501の未硬化インプリント材に予め光を照射する。しかしながら、設定部113によって光の照射領域を部分領域501に設定して部分領域501上の未硬化のインプリント材Rを硬化しようとしても、型Mや設定部113の設置誤差等により、狙い通りの領域のインプリント材を硬化できない場合があり得る。例えば、図5(B)に示す硬化領域502のように部分領域501とはずれた領域のインプリント材Rが硬化され得る。本実施形態では、部分領域501をショット領域Sの輪郭に沿った領域とする。
In step S450, a partial region that is an end portion of the shot region S formed on the substrate W is exposed. FIG. 5 is a diagram for explaining exposure of a partial area. For example, when the mold M and the substrate W are brought into contact with each other, in order to prevent the imprint material R from spreading into an undesired region, before the mold M and the substrate W are brought into contact with each other, as shown in FIG. As described above, the uncured imprint material in the
図4(B)は、部分領域の露光方法を示すフローチャートである。本実施形態では、工程S450において、ショット領域の一部であって、部分領域501内の一部である領域のインプリント材Rを硬化しアライメントマークAMとの位置差を計測する。その計測結果に応じて設定部113による設定を補正することで、光の照射領域が部分領域501からずれることを防止する。本実施形態において、工程S450は、工程S451〜S456を含む。領域503は、部分領域501内の部分領域の輪郭に沿った領域であり、一定の面積をもつ面状の領域である。
FIG. 4B is a flowchart showing a partial area exposure method. In the present embodiment, in step S450, the imprint material R in a part of the shot area and part of the
領域503の形状は、硬化したインプリント材RとアライメントマークAMWとの位置差が計測可能であればよく、例えば、面状、線状、ドット(点状)であってもよい。領域503の面積が小さくなることで、例えば、下記工程S452において、光が、部分領域501外に照射されることを低減することが可能である。
The shape of the
工程S451では、図5(C)のように、設定部113をショット領域の一部であって、部分領域501内の一部の領域503に設定する。工程S452では、硬化部110が領域503に光を照射する。工程S451において、部分領域501内の一部の領域503に設定することにより、工程S452における照射領域が、部分領域501からはみ出すことを防止することができる。従来のインプリント装置における、型Mや設定部113の設置誤差は、10μ以下となっているため、領域503の幅504は、10μ以下であることが望ましい。
In step S451, as shown in FIG. 5C, the
工程S453では、工程S452における光の照射により硬化した領域503上のインプリント材Rを潜像パターンとしてアライメントスコープ161で観察し、硬化したインプリント材とアライメントマークAMWとの位置差を計測する。図5(D)は、硬化したインプリント材505の一例を示すである。位置差は、例えば、図5(D)に示すように、基板W上に設置されたアライメントマークAMWの基準点506から、ショット領域を成す辺に対し垂直な2方向それぞれについて計測される。本実施形態では、基準点506と硬化したインプリント材505との距離L1、L2が位置差となる。なお、硬化したインプリント材は目視することが可能である。例えば、本実施形態のようにアライメントマークAMWが基板上のショット領域の角近傍であって、部分領域501以外に設けられている場合においては、2以上の角近傍に形成されているアライメントマークAMWとの位置差を計測してもよい。各角近傍に形成されている全てのアライメントマークAMWを用いれば、さらに精度は向上する。なお、位置差の基準として型M上に設けられたアライメントマークAMMを用いることも可能である。例えば、型M上の部分領域501に対応する領域外に設けられたアライメントマークAMMなどである。
In step S453, the imprint material R on the
工程S454では、工程S453において計測した位置差が所定の閾値以下であるか否かの判定を行う。所定の閾値は、型Mや設定部113の設置誤差等により決定される。位置差が閾値以下であると判断した場合(YES)、工程S455を行う。工程S454において、位置差が、閾値を超えると判定された場合(NO)、再度工程S451を行う。再度工程S451を行う場合、設定部113は、位置差に基づき、前回の工程S451で設定された領域とは異なる新たな領域を設定し、位置差が閾値以下となるまで、工程S451〜工程S453を繰り返す。これにより、例えば、所望の部分領域に光を照射する精度が向上する。なお、工程S453において計測した位置差が閾値以下でない場合であっても、計測した位置差に基づいて工程S455で部分領域の照射領域を設定してもよい。
In step S454, it is determined whether or not the position difference measured in step S453 is equal to or smaller than a predetermined threshold value. The predetermined threshold is determined by the mold M, the installation error of the
工程S455では、制御部170が、領域503に設定していた設定部113を、部分領域501全体に設定するように制御する。工程S456では、硬化部110が、部分領域全体に光を照射する。以上で、工程S450が完了する。これにより、例えば部分領域501からずれることなく、部分領域のインプリント材Rを硬化させることができ、非所望領域にインプリント材Rが拡がることを防止することができる。
In step S455, the
工程S460では、制御部170が、駆動部122を制御して、型Mとインプリント材Rとを接触させる。なお、制御部170が、基板不図示の駆動機構を制御して、基板Wを上昇させ、型Mとインプリント材Rとを接触させても良い。接触の荷重は、例えば、駆動部122に内蔵された荷重センサを使って制御されうる。
In step S460, the
工程S470では、型Mに形成されたパターンにインプリント材Rを充填させ、ダイバイダイアライメント方式に従って、アライメントを行う。アライメントでは、アライメントスコープ161が、型MのアライメントマークAMMと基板WのアライメントマークAMWを検出し、撮像する。不図示の画像処理装置は、撮像された画像から、アライメントマークAMMと、アライメントマークAMWの相対位置を計測する。制御部170は、アライメントマークAMの相対位置計測の結果に基づいて、型Mと基板Wとのショット形状の差(座標、回転、倍率、台形成分など)を計測し、型Mと基板Wと位置合わせを行う。工程S480では、制御部170が、充填が完了したか否かを判断する。充填が完了していないと判断した場合(NO)、工程S470を充填が完了するまで繰り返し行う。完了したと判断した場合(YES)、工程S490を行う。
In step S470, the pattern formed on the mold M is filled with the imprint material R, and alignment is performed according to a die-by-die alignment method. In the alignment, the
工程S490では、制御部170が、硬化部110を制御し、型Mを介して、インプリント材Rに紫外線を照射して硬化させる。工程S491では、型保持部120または基板保持部150を制御して、硬化したインプリント材Rから型Mを剥離する。工程S492では、制御部170が、基板W上の全ショット領域に対しインプリント処理が完了したか否かを判断する。完了していない場合(NO)、工程S440〜工程S492を繰り返す。完了したら(YES)、工程S493にて、制御部170が不図示の搬送装置を制御して基板Wを搬出する。
In step S490, the
本実施形態において、設定部113をDMDやアパーチャや可変視野絞り等が使用されうると記述したが、スキャン可能なレーザなどを用いて塗りつぶすように部分領域に光を照射してもよい。その場合も、部分領域の一部の領域にスキャンレーザで光を照射し、硬化したインプリント材を計測し、スキャンする場所を補正することで所望の領域を硬化させることができる。
In the present embodiment, the
また、計測部160を使用するアライメントについて記述したが、スコープ180を使用してアライメントを行ってもよい。スコープ180はショット内すべてのアライメントマークを観察できるので駆動の必要はない。
Moreover, although the alignment using the
本実施形態では、一例として、インプリント材Rを基板Wの複数のショット領域に一括で塗布する方法を用いたが、インプリント材Rを1つのショット領域ごとに塗布する方法を用いても良い。この場合、工程S492において、基板W上の全ショット領域に対しインプリント処理が完了していないと判断した場合(NO)工程S430〜工程S492を繰り返す。 In the present embodiment, as an example, a method of applying the imprint material R to a plurality of shot regions of the substrate W at once is used. However, a method of applying the imprint material R to each shot region may be used. . In this case, if it is determined in step S492 that the imprint process has not been completed for all shot regions on the substrate W (NO), steps S430 to S492 are repeated.
(第2実施形態)
図6は、第2実施形態に係るインプリント方法を示すフローチャートである。第1実施形態と同様の工程及び構成は同符号で示し、説明は省略する。本実施形態では、部分領域露光(工程S450)を行う前に、アライメントを行う。工程S440において、アライメントスコープ161の位置決めが完了したら、工程S601を行う。
(Second Embodiment)
FIG. 6 is a flowchart showing an imprint method according to the second embodiment. Steps and configurations similar to those of the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and description thereof is omitted. In the present embodiment, alignment is performed before the partial area exposure (step S450). In step S440, when positioning of the
工程S601では、ダイバイダイアライメント方式に従って、アライメントを行う。アライメントは、S470における相対位置の計測と同様に、アライメントマークAMMと、アライメントマークAMWの相対位置を計測する。工程S602では、工程S470における位置合わせと同様に、型Mと基板Wとの位置合わせを行う。ここで、必要に応じて、型変形部130は、基板Wのショット領域Sの形状に合わせるために、型Mの形状を変形させ、補正する。
In step S601, alignment is performed according to a die-by-die alignment method. In the alignment, the relative positions of the alignment mark AMM and the alignment mark AMW are measured in the same manner as the measurement of the relative position in S470. In step S602, the mold M and the substrate W are aligned as in the alignment in step S470. Here, if necessary, the
工程S602における型Mの形状補正は型変形部130の駆動誤差等により補正誤差が生じる場合がある。そこで、工程S603では、型Mと基板Wのショット領域Sの形状との形状差のトレランス判定を行う。制御部170は、形状差があらかじめ定められたトレランスを超えると判定した場合(NO)には、工程S601〜工程S602を繰り返す。制御部170は、形状差がトレランス以下であると判断した場合(YES)、工程S4050を行う。
In the shape correction of the mold M in step S602, a correction error may occur due to a driving error of the
本実施形態によれば、例えば、型Mと基板Wとの位置合わせの精度がより向上する。また、工程S453において、すでに位置合わせされたアライメントマークAMを用いることも可能となる。 According to the present embodiment, for example, the alignment accuracy between the mold M and the substrate W is further improved. In step S453, the alignment mark AM that has already been aligned can be used.
(物品の製造方法)
物品としてのデバイス(半導体集積回路素子、液晶表示素子等)の製造方法は、上述した方法を用いたインプリント装置により、基板(ウエハ、ガラスプレート、フィルム状基板)にパターンを形成する工程を含む。さらに、該製造方法は、パターンを形成された基板をエッチングする工程を含みうる。なお、パターンドメディア(記録媒体)や光学素子などの他の物品を製造する場合には、該製造方法は、エッチングの代わりにパターンを形成された基板を加工する他の処理を含みうる。本実施形態の物品の製造方法は、従来の方法に比べて、物品の性能・品質・生産性・生産コストの少なくとも1つにおいて有利である。
(Product manufacturing method)
A method for manufacturing a device (semiconductor integrated circuit element, liquid crystal display element, etc.) as an article includes a step of forming a pattern on a substrate (wafer, glass plate, film-like substrate) by an imprint apparatus using the method described above. . Furthermore, the manufacturing method may include a step of etching the substrate on which the pattern is formed. When manufacturing other articles such as patterned media (recording media) and optical elements, the manufacturing method may include other processes for processing a substrate on which a pattern is formed instead of etching. The method for manufacturing an article according to the present embodiment is advantageous in at least one of the performance, quality, productivity, and production cost of the article as compared with the conventional method.
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されず、その要旨の範囲内で種々の変形および変更が可能である。 As mentioned above, although preferable embodiment of this invention was described, this invention is not limited to these embodiment, A various deformation | transformation and change are possible within the range of the summary.
100 インプリント装置
110 硬化部
120 型保持部
130 型変形部
140 ディスペンサ
150 基板保持部
160 計測部
170 制御部
M 型
W 基板
DESCRIPTION OF
Claims (11)
前記基板に形成されたショット領域に前記未硬化のインプリント材を塗布した後であって、前記接触を行う前に、前記ショット領域の一部の前記未硬化のインプリント材を硬化させる領域を設定し、
前記設定された領域の硬化したインプリント材の位置と、前記基板又は前記型に設けられたマークの位置と、を計測し、
前記硬化したインプリント材の位置と前記マークの位置に基づき、前記ショット領域のうち、前記一部を含む部分領域の前記未硬化のインプリント材を硬化させる照射領域を設定する、
ことを特徴とするインプリント方法。 An imprint material cured on the substrate by applying an uncured imprint material on the substrate and curing the uncured imprint material in a state where the uncured imprint material and the mold are in contact with each other. An imprint method for forming a pattern of
After applying the uncured imprint material to the shot region formed on the substrate, and before performing the contact, a region for curing the uncured imprint material in a part of the shot region Set,
Measure the position of the cured imprint material in the set area and the position of the mark provided on the substrate or the mold,
Based on the position of the cured imprint material and the position of the mark, setting an irradiation region to cure the uncured imprint material of the partial region including the part of the shot region,
An imprint method characterized by the above.
前記未硬化のインプリント材を硬化させる硬化部と、
前記硬化部により前記未硬化のインプリント材を硬化させる領域を設定する設定部と、
前記基板又は前記型に設けられたマークの位置と、前記硬化したインプリント材の位置と、を計測する計測部と、を有し、
前記設定部は、前記基板に形成されたショット領域に前記未硬化のインプリント材を塗布した後であって、前記接触を行う前に、前記ショット領域の一部の前記未硬化のインプリント材を硬化させる領域を設定し、
前記計測部は、前記設定によって前記硬化部が硬化した前記インプリント材の位置と前記マークの位置とを計測し、
前記設定部は、前記計測結果に基づいて前記ショット領域のうち、前記一部を含む部分領域の前記未硬化のインプリント材を硬化させる領域を設定する、
ことを特徴とするインプリント装置。 An imprint material cured on the substrate by applying an uncured imprint material on the substrate and curing the uncured imprint material in a state where the uncured imprint material and the mold are in contact with each other. An imprint apparatus for forming a pattern of
A curing portion for curing the uncured imprint material;
A setting unit for setting a region for curing the uncured imprint material by the curing unit;
A measurement unit for measuring the position of the mark provided on the substrate or the mold and the position of the cured imprint material,
The setting unit is configured to apply the uncured imprint material to the shot area formed on the substrate, and before performing the contact, the uncured imprint material in a part of the shot area. Set the area to cure,
The measurement unit measures the position of the imprint material and the position of the mark that the curing unit is cured by the setting,
The setting unit sets a region for curing the uncured imprint material of the partial region including the part of the shot region based on the measurement result.
An imprint apparatus characterized by that.
前記工程でパターンを形成された前記基板を加工する工程と、
を含むことを特徴とする物品の製造方法。
Forming a pattern on a substrate using the imprint method according to any one of claims 1 to 8,
Processing the substrate on which the pattern has been formed in the step;
A method for producing an article comprising:
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