JP2019008999A - Secondary battery system - Google Patents
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Abstract
Description
本開示は、二次電池システムに関し、より特定的には、水酸化ニッケルを含む正極を有する二次電池を備えた二次電池システムにおけるメモリ量を推定するための技術に関する。 The present disclosure relates to a secondary battery system, and more particularly to a technique for estimating a memory amount in a secondary battery system including a secondary battery having a positive electrode including nickel hydroxide.
水酸化ニッケルを含む正極を有する二次電池(たとえばニッケル水素電池であり、以下、二次電池とも略す)においてメモリ効果が生じることが知られている。メモリ効果とは、二次電池に蓄えられた電力が完全に消費されていない状態での充電(いわゆる継ぎ足し充電)が繰り返された場合に、二次電池の放電電圧が正常時(メモリ効果が生じていないとき)と比べて低くなる現象である。 It is known that a memory effect occurs in a secondary battery having a positive electrode containing nickel hydroxide (for example, a nickel metal hydride battery, hereinafter also abbreviated as a secondary battery). The memory effect is when the discharge voltage of the secondary battery is normal (the memory effect occurs) when charging (so-called supplementary charging) in a state where the power stored in the secondary battery is not completely consumed is repeated. It is a phenomenon that becomes lower than when not.
二次電池のメモリ効果による電圧変化量(以下、「メモリ量」とも称する)を推定するための技術が提案されている。メモリ量を高精度に推定することによって、たとえば二次電池の充電状態(SOC:State Of Charge)の推定精度を向上させることが可能になるためである。 A technique for estimating a voltage change amount (hereinafter also referred to as “memory amount”) due to a memory effect of a secondary battery has been proposed. This is because, by estimating the memory amount with high accuracy, for example, it is possible to improve the estimation accuracy of the state of charge (SOC) of the secondary battery.
たとえば特開2007−333447号公報(特許文献1)は、ニッケル水素電池の開放電圧に基づいてニッケル水素電池の起電力を算出し、算出された起電力とSOCとの関係を用いて起電力からSOCを推定する充電状態推定装置を開示する。特許文献1に開示された充電状態推定装置では、SOCの推定に先立ちメモリ量に応じて開放電圧を補正することによってSOCの推定精度を向上させる。
For example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2007-333447 (Patent Document 1) calculates an electromotive force of a nickel metal hydride battery based on an open voltage of the nickel metal hydride battery, and uses the relationship between the calculated electromotive force and SOC from the electromotive force. Disclosed is a state-of-charge estimation device for estimating SOC. In the charging state estimation device disclosed in
詳細については後述するが、二次電池のメモリ量を推定する手法として、所定期間中に生じたメモリ量を逐次算出し、算出されたメモリ量を積算することによって、その積算値である総量としてのメモリ量(現在のメモリ量)を推定する手法が考えられる。 Although details will be described later, as a method of estimating the memory amount of the secondary battery, the memory amount generated during a predetermined period is sequentially calculated, and the calculated memory amount is integrated to obtain the total amount that is the integrated value. It is conceivable to estimate the amount of memory (current amount of memory).
このようにメモリ量を逐次算出する際、本発明者らは、各所定期間における二次電池の開放電圧および温度の条件が重要である点に着目した。本発明者らの実験によれば、所定期間における開放電圧および温度が異なる場合には、その所定期間中に生じるメモリ量も異なるとの実験結果が得られたためである。 Thus, when calculating the amount of memory sequentially, the present inventors paid attention to the point that the open-circuit voltage and temperature conditions of the secondary battery in each predetermined period are important. This is because, according to the experiments by the present inventors, when the open circuit voltage and the temperature in a predetermined period are different, the experimental result is obtained that the amount of memory generated during the predetermined period is also different.
この知見に基づき、所定期間における開放電圧および温度と、その所定期間中に生じるメモリ量との対応関係を予め実験的に求め、たとえばマップまたは関係式を準備しておくことによって、所定期間中に生じるメモリ量の算出精度を向上させることができる。その結果、遂次算出されたメモリ量を積算することによって得られるメモリ量の積算値についても高精度に推定することが可能になる。 Based on this knowledge, the correspondence between the open-circuit voltage and temperature in a predetermined period and the amount of memory generated during the predetermined period is experimentally obtained in advance, for example, by preparing a map or a relational expression, The calculation accuracy of the generated memory amount can be improved. As a result, the integrated value of the memory amount obtained by integrating the successively calculated memory amount can be estimated with high accuracy.
ここで、本発明者らは、所定期間中に生じるメモリ量を算出する際には、二次電池の開放電圧および温度に加えて、他のパラメータもさらに考慮することによって、所定期間中に生じるメモリ量の算出精度を一層向上させることが可能であることを実験的に見出した。 Here, when calculating the amount of memory generated during the predetermined period, the present inventors further consider other parameters in addition to the open-circuit voltage and temperature of the secondary battery, thereby generating the predetermined amount during the predetermined period. It was experimentally found that the calculation accuracy of the memory amount can be further improved.
本開示は上記課題を解決するためになされたものであって、その目的は、水酸化ニッケルを含む正極を有する二次電池を備えた二次電池システムにおいて、メモリ量の推定精度を向上させることである。 The present disclosure has been made to solve the above-described problem, and an object thereof is to improve the estimation accuracy of the memory amount in a secondary battery system including a secondary battery having a positive electrode containing nickel hydroxide. It is.
本開示のある局面に従う二次電池システムは、水酸化ニッケルを含む正極を有する二次電池と、二次電池のメモリ量を二次電池の「使用条件」の区分が変化しない時間内で逐次算出するとともに、算出されたメモリ量を積算することによって二次電池の現在のメモリ量を推定する推定装置とを備える。使用条件は、二次電池の開放電圧および温度と、正極における塩濃度とを含んで定義される。 A secondary battery system according to an aspect of the present disclosure includes a secondary battery having a positive electrode including nickel hydroxide, and a memory amount of the secondary battery, which is sequentially calculated within a time period in which the “use condition” category of the secondary battery does not change And an estimation device that estimates the current memory amount of the secondary battery by integrating the calculated memory amount. The use conditions are defined including the open-circuit voltage and temperature of the secondary battery and the salt concentration at the positive electrode.
本発明者らは、さらなる実験の結果、二次電池の開放電圧および温度と、正極における塩濃度とを含んで定義される使用条件毎にメモリ量との対応関係を求めておくことによって、その使用条件での期間中に生じるメモリ量の算出精度を向上させることができるとの知見を得た。これにより、所定期間中に生じるメモリ量の算出精度をさらに向上させ、ひいてはメモリ量の積算値の推定精度を向上させることが可能になる。 As a result of further experiments, the inventors have determined the correspondence relationship between the open-circuit voltage and temperature of the secondary battery and the memory amount for each use condition defined including the salt concentration in the positive electrode. The knowledge that the calculation accuracy of the amount of memory generated during the period of use conditions can be improved was obtained. As a result, it is possible to further improve the calculation accuracy of the memory amount generated during the predetermined period, and thus improve the estimation accuracy of the integrated value of the memory amount.
本開示によれば、水酸化ニッケルを含む正極を有する二次電池を備えた二次電池システムにおいて、メモリ量の推定精度を向上させることができる。 According to the present disclosure, in a secondary battery system including a secondary battery having a positive electrode containing nickel hydroxide, it is possible to improve the estimation accuracy of the memory amount.
以下、本開示の実施の形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、図中同一または相当部分には同一符号を付してその説明は繰り返さない。 Hereinafter, embodiments of the present disclosure will be described in detail with reference to the drawings. In the drawings, the same or corresponding parts are denoted by the same reference numerals and description thereof will not be repeated.
以下では、本実施の形態に係る二次電池システムが電動車両に搭載される構成を例に説明する。しかし、二次電池システムの用途は車両用に限定されるものではなく、たとえば定置用であってもよい。 Hereinafter, a configuration in which the secondary battery system according to the present embodiment is mounted on an electric vehicle will be described as an example. However, the use of the secondary battery system is not limited to a vehicle, and may be a stationary one, for example.
[実施の形態]
<二次電池システムの構成>
図1は、本実施の形態に係る二次電池システムが搭載された電動車両の全体構成を概略的に示すブロック図である。車両1は、電動車両(ハイブリッド車、プラグインハイブリッド車、電気自動車または燃料自動車)であって、二次電池システム2と、モータジェネレータ(MG:Motor Generator)10と、動力伝達ギア20と、駆動輪30と、電力制御ユニット(PCU:Power Control Unit)40と、システムメインリレー(SMR:System Main Relay)50とを備える。二次電池システム2は、組電池100と、電圧センサ210と、電流センサ220と、温度センサ230と、電子制御ユニット(ECU:Electronic Control Unit)300とを備える。
[Embodiment]
<Configuration of secondary battery system>
FIG. 1 is a block diagram schematically showing an overall configuration of an electric vehicle equipped with a secondary battery system according to the present embodiment. The
モータジェネレータ10は、たとえば三相交流回転電機である。モータジェネレータ10の出力トルクは、減速機および動力分割機構を含んで構成された動力伝達ギア20を介して駆動輪30に伝達される。モータジェネレータ10は、車両1の回生制動動作時には、駆動輪30の回転力によって発電することも可能である。モータジェネレータ10に加えてエンジン(図示せず)が搭載されたハイブリッド自動車では、エンジンおよびモータジェネレータ10を協調的に動作させることによって必要な車両駆動力を発生させる。なお、図1ではモータジェネレータが1つだけ設けられる構成が示されるが、モータジェネレータの数はこれに限定されず、モータジェネレータを複数(たとえば2つ)設ける構成としてもよい。
PCU40は、いずれも図示しないが、インバータとコンバータとを含む。組電池100の放電時には、コンバータは、組電池100から供給された電圧を昇圧してインバータに供給する。インバータは、コンバータから供給された直流電力を交流電力に変換してモータジェネレータ10を駆動する。一方、組電池100の充電時には、インバータは、モータジェネレータ10によって発電された交流電力を直流電力に変換してコンバータに供給する。コンバータは、インバータから供給された電圧を降圧して組電池100に供給する。
Although not shown, the PCU 40 includes an inverter and a converter. When the
SMR50は、組電池100とPCU40とを結ぶ電流経路に電気的に接続されている。SMR50がECU300からの制御信号に応じて閉成されている場合、組電池100とPCU40との間で電力の授受が行なわれ得る。
The
組電池100は、再充電が可能に構成された直流電源であり、本実施の形態ではニッケル水素電池を含んで構成される。組電池100に含まれる各セル110の詳細な構成については図2にて説明する。
The assembled
電圧センサ210は、組電池100に含まれる各セル110のセルの電圧Vbを検出する。電流センサ220は、組電池100に入出力される電流Ibを検出する。温度センサ230は、組電池100の温度Tbを検出する。なお、電圧センサ210は、隣接する複数(たとえば数個)のセル110を監視単位として電圧Vbを検出してもよい。また、温度センサ230は、セル110毎に設けられてもよいし、組電池100に対して複数個(セル数よりも少ない数)設けられ、隣接する複数(たとえば数個)のセル110を監視単位として温度Tbを検出してもよい。各センサは、その検出結果をECU300に出力する。
The
ECU300は、CPU(Central Processing Unit)301と、メモリ(ROM(Read Only Memory)およびRAM(Random Access Memory))302と、タイマ303と、入出力バッファ(図示せず)と等を含んで構成される。ECU300は、各センサから受ける信号、ならびにメモリ302に記憶されたマップおよびプログラムに基づいて、車両1および二次電池システム2が所望の状態となるように各機器を制御する。ECU300により実行される主要な処理として、組電池100に生じたメモリ効果による電圧変化量の推定処理が挙げられるが、この処理については後述する。
The
図2は、セル110の構成を示す図である。組電池100に含まれる各セル110の構成は共通であるため、図2では1つのセル110のみを代表的に示す。セル110は、たとえば角形密閉式のセルであり、ケース120と、ケース120に設けられた安全弁130と、ケース120内に収容された電極体140および電解液(図示せず)とを含む。なお、図2ではケース120の一部を透視して電極体140を示している。
FIG. 2 is a diagram illustrating a configuration of the
ケース120は、いずれも金属からなるケース本体121および蓋体122を含み、蓋体122がケース本体121の開口部上で全周溶接されることにより密閉されている。なお、ケース120の材料は、樹脂であってもよい。安全弁130は、ケース120内部の圧力が所定値を超えると、ケース120内部のガス(水素ガス等)の一部を外部に排出する。
The
電極体140は、正極と、負極と、セパレータとを含む。正極は袋状のセパレータ内に挿入されており、セパレータ内に挿入された正極と、負極とが交互に積層されている。正極および負極は、図示しない正極端子および負極端子にそれぞれ電気的に接続されている。
電極体140および電解液の材料としては従来公知の各種材料を用いることができる。本実施の形態においては、一例として、正極には、水酸化ニッケル(Ni(OH)2またはNiOOH)を含む正極活物質層と、発泡ニッケルなどの活物質支持体とを含む電極板が用いられる。負極には、水素吸蔵合金を含む電極板が用いられる。セパレータには、親水化処理された合成繊維からなる不織布が用いられる。電解液には、水酸化カリウム(KOH)または水酸化ナトリウム(NaOH)を含むアルカリ水溶液が用いられる。
Various conventionally known materials can be used as the material of the
<組電池のメモリ効果>
以上のように構成された二次電池システム2において、組電池100のメモリ効果による電圧変化量(電圧降下量または電圧上昇量)である「メモリ量」を高精度に推定することが求められる。本実施の形態においては、所定期間中に生じたメモリ量(以下、「微小メモリ量」とも称する)を逐次積算することによって、その積算値である総量としてのメモリ量(以下、「積算メモリ量」とも称する)を推定する。微小メモリ量を逐次算出する際に、本発明者らは、組電池100の電圧Vb(より詳細には、開放電圧であるOCV(Open Circuit Voltage))と組電池100の温度Tbとを含んで定義される条件が重要である点に着目した。
<Memory effect of battery pack>
In the
図3は、様々な条件下での経過時間とメモリ量との対応関係を示すタイムチャートである。図3において、横軸は組電池100の使用開始時からの経過時間を表し、縦軸はメモリ量を表す。なお、組電池100の使用開始時(経過時間の初期値)とは、組電池100の製造時であってもよいし、組電池100のリフレッシュ充放電時(組電池100に生じたメモリ効果を解消するための充電時または放電時)であってもよい。
FIG. 3 is a time chart showing the correspondence between the elapsed time and the amount of memory under various conditions. In FIG. 3, the horizontal axis represents the elapsed time from the start of use of the assembled
様々な条件(OCV,Tb)下での実験を実施することにより、図3に示すような曲線を条件(OCV,Tb)毎に取得することができる。なお、図3では、理解を容易にするため、3種類の条件P〜Rにそれぞれ対応する曲線CP〜CRが取得される例について説明するが、実際にはより多くの条件について同様の曲線が取得される。 By performing an experiment under various conditions (OCV, Tb), a curve as shown in FIG. 3 can be obtained for each condition (OCV, Tb). Note that FIG. 3 illustrates an example in which the curves C P to CR corresponding to the three types of conditions P to R are acquired in order to facilitate understanding. A curve is acquired.
<積算メモリ量推定処理>
曲線CP〜CRを参照することによって条件P〜R下で生じた「微小メモリ量」をそれぞれ算出し、算出された微小メモリ量を積算する処理を繰り返し実行することによって「積算メモリ量」を推定することができる。この処理を「積算メモリ量推定処理」とも称し、以下に詳細に説明する。
<Integrated memory amount estimation process>
By referring to the curves CP to CR, the “small memory amount” generated under the conditions P to R is calculated, and the “integrated memory amount” is estimated by repeatedly executing the process of integrating the calculated small memory amounts. can do. This process is also referred to as “integrated memory amount estimation process” and will be described in detail below.
図4は、積算メモリ量推定処理を説明するためのタイムチャートである。図4(A)において、横軸は組電池100の使用開始時からの経過時間を表し、縦軸は組電池100が置かれた条件((OCV,Tb)の組合せ)を表す。図4(A)では、所定期間Δt毎に条件が判定され、条件がP,Q,Rの順に変化する場合について説明する。条件P,Q,R下での期間をLP,LQ,LRでそれぞれ示す。
FIG. 4 is a time chart for explaining the accumulated memory amount estimation processing. In FIG. 4A, the horizontal axis represents the elapsed time from the start of use of the assembled
図4(B)において、横軸は組電池100の使用開始時からの経過時間を表し、縦軸はメモリ量を表す。まず、条件P下では、曲線CPを参照して所定期間Δt毎に微小メモリ量Mを逐次積算する。その結果、条件P下で期間LPが経過する間に生じたメモリ量はMPになる。微小メモリ量Mの積算結果を「積算メモリ量ΣM」と記載すると、期間LPが経過したときの積算メモリ量ΣMはMPである。
In FIG. 4B, the horizontal axis represents the elapsed time from the start of use of the assembled
次に、条件がPからQへと変化すると、積算メモリ量ΣM=MPに対応する曲線CQ(図4に示した曲線CQを時間軸方向にLPだけ平行移動した曲線)上の点から曲線CQを参照して、所定期間Δt毎に微小メモリ量Mを逐次積算する。条件Q下で期間LQが経過する間に生じたメモリ量がMQである場合、期間LQが経過したときの積算メモリ量ΣMは、MPとMQとの和(MP+MQ)である。 Then, when the condition is changed to Q from P, a point on the curve corresponding to the cumulative amount of memory ΣM = M P CQ (curve curve C Q in parallel moved by the time axis direction L P shown in FIG. 4) Referring to the curve C Q from sequentially accumulating the small amount of memory M at predetermined intervals Delta] t. When the amount of memory generated while the period L Q elapses under the condition Q is M Q , the accumulated memory amount ΣM when the period L Q elapses is the sum of M P and M Q (M P + M Q ).
さらに、条件がQからRへと変化すると、積算メモリ量ΣM=(MP+MQ)に対応する曲線CR(図4に示した曲線CRを時間軸方向に(LP+LQ)だけ平行移動した曲線)上の点から曲線CRを参照して、所定期間Δt毎に微小メモリ量Mを逐次積算する。条件R下で期間LRが経過する間に生じたメモリ量がMRである場合、全期間(LP+LQ+LRの期間)に生じた積算メモリ量ΣMは、MPとMQとMRとの和(MP+MQ+MR)である。 Furthermore, the condition is changed to R from Q, the curve C R in the time axis direction as shown in curve C R (FIG. 4 which corresponds to the cumulative amount of memory ΣM = (M P + M Q ) by (L P + L Q) Referring to the curve C R from a point on the parallel translated curve), sequentially accumulating the small amount of memory M at predetermined intervals Delta] t. If the amount of memory that occurred over the course of the period L R under conditions R is M R, the integrated amount of memory ΣM caused the entire period (L P + L Q + L R ) includes a M P and M Q is the sum of the M R (M P + M Q + M R).
上記の推定手法は、漸化式を用いて説明することができる。すなわち、下記式(1)に示すように、N回目の積算処理での積算メモリ量ΣM(N)は、(N−1)回目の積算処理までの積算メモリ量ΣM(N−1)に、(N−1)回目の積算処理時からN回目の積算処理時までの間(所定期間Δtの間)の条件下での微小メモリ量M(N)を加算することによって算出することができる。なお、Nは自然数である。 The above estimation method can be described using a recurrence formula. That is, as shown in the following formula (1), the accumulated memory amount ΣM (N) in the Nth accumulation process is changed to the accumulated memory amount ΣM (N−1) until the (N−1) th accumulation process. It can be calculated by adding a small memory amount M (N) under the condition from the (N-1) th integration process to the Nth integration process (during a predetermined period Δt). N is a natural number.
ΣM(N)=ΣM(N−1)+M(N) ・・・(1)
このように、本実施の形態では、所定期間Δt毎に条件P〜Rに応じた微小メモリ量Mを算出し、算出された微小メモリ量Mを積算する処理を繰り返し実行することによって、全期間にわたって生じた積算メモリ量ΣMを算出することができる。
ΣM (N) = ΣM (N−1) + M (N) (1)
As described above, in the present embodiment, the micro memory amount M corresponding to the conditions P to R is calculated every predetermined period Δt, and the process of accumulating the calculated micro memory amount M is repeatedly executed, so that the entire period is calculated. It is possible to calculate the accumulated memory amount ΣM generated over the entire period.
<塩濃度分布>
上述の手法によれば、積算メモリ量ΣMを高精度に推定可能であるものの、組電池100の充放電の態様(たとえば連続的な充電、または充放電の繰り返しなど)によっては、積算メモリ量ΣMの推定精度に改善の余地が存在する場合がある。本発明者らは、微小メモリ量Mを算出する際には、組電池100のOCVおよび温度Tbに加えて、正極におけるKOHまたはNaOHの濃度(塩濃度)もさらに考慮することによって、微小メモリ量Mの算出精度(ひいては積算メモリ量ΣMの推定精度)を一層向上させることが可能であることを実験的に見出した。
<Salt concentration distribution>
According to the above-described method, the accumulated memory amount ΣM can be estimated with high accuracy. However, depending on the charging / discharging mode of the assembled battery 100 (for example, continuous charging or repeated charging / discharging), the accumulated memory amount ΣM There may be room for improvement in the estimation accuracy of. When calculating the minute memory amount M, the present inventors further consider the concentration (salt concentration) of KOH or NaOH in the positive electrode in addition to the OCV and the temperature Tb of the assembled
図5は、組電池100の充放電が継続された場合における正極と負極との間の塩濃度分布を説明するための概念図である。図5において、横軸は、電極体140内における位置(正極と負極とを結ぶ方向に沿った位置)を示す。縦軸は、塩濃度ceを示す。図5(A)および図5(B)に示すように、組電池100の充電または放電を継続的に行なう場合には、時間が経過するに従って(図5(A)および図5(B)では時刻t0,t1,t2,t3の順に)電極体140内の電解液中における塩濃度分布の偏りが増大し得る。そして、所定期間経過後には塩濃度分布は定常状態となり得る。
FIG. 5 is a conceptual diagram for explaining a salt concentration distribution between the positive electrode and the negative electrode when charging / discharging of the assembled
図6は、本発明者らによる実験結果の一例を示す図である。この実験結果とは、より詳細には、温度50℃の環境下(組電池100の温度Tbを50℃に維持した状態)で組電池100(セル110)から取り出した正極を異なる濃度の電解液中に4日間放置した放置耐久試験の結果である。図6において、横軸は、正極における塩濃度ceを示す。縦軸は、メモリ量(より詳細には放電時の電圧降下量)を示す。図6より、塩濃度ceが高くなるに従ってメモリ量が増大することが分かる。このような実験結果に基づき、本実施の形態では、以下に説明するようなマップMPが準備される。
FIG. 6 is a diagram illustrating an example of an experimental result by the present inventors. More specifically, this experimental result is that the positive electrode taken out from the assembled battery 100 (cell 110) in an environment having a temperature of 50 ° C. (a state where the temperature Tb of the assembled
図7は、本実施の形態におけるマップMPの概念図である。マップMPは、図7に示すように、組電池100のOCVおよび温度Tbと、正極の塩濃度ceとの組合せにより定義される使用条件(OCV,Tb,ce)毎に、経過時間と微小メモリ量Mとの対応関係が規定された3次元マップである。図4にて説明したように、ECU300は、N回目の積算処理時には、マップMPを参照することによってN回目の積算処理時の使用条件に応じた曲線を選択し、(N−1)回目の積算処理時からN回目の積算処理時までの間(所定期間Δtの間)に新たに生じた微小メモリ量M(N)を算出することができる。
FIG. 7 is a conceptual diagram of the map MP in the present embodiment. Map MP, as shown in FIG. 7, the OCV and the temperature Tb of the
マップMP内の使用条件数が多いことは、(OCV,Tb,ce)が異なる実験(たとえば上述の放置耐久試験)をより多く実施して得られた結果をマップMPに反映させることができることを意味するので、微小メモリ量Mの推定精度が向上し得る。その一方で、マップMPはECU300のメモリ302に記憶されるところ、使用条件数が多くなるほどマップサイズ(マップMPのデータ量)が大きくなるので、メモリ302に必要な容量が大きくなるとともにCPU301の演算負荷が大きくなり得る。したがって、マップMP内の使用条件数は、微小メモリ量Mの推定精度とECU300の処理能力とのバランスを考慮した上で決定することが望ましい。なお、使用条件を規定するための手法はマップに限定されず、たとえば関数(関係式)であってもよい。
The fact that the number of use conditions in the map MP is large means that the result obtained by performing more experiments (for example, the above-mentioned neglected durability test) with different (OCV, Tb, c e ) can be reflected in the map MP. Therefore, the estimation accuracy of the minute memory amount M can be improved. On the other hand, since the map MP is stored in the
<機能ブロック図>
図8は、本実施の形態におけるECU300の機能ブロック図である。ECU300は、OCV算出部310と、塩濃度算出部320と、記憶部330と、微小メモリ量算出部340と、積算メモリ量算出部350と、制御部360とを含む。図8では、N回目の積算処理における各機能ブロックの機能について説明する。
<Functional block diagram>
FIG. 8 is a functional block diagram of
OCV算出部310は、電圧センサ210、電流センサ220および温度センサ230から組電池100の電圧Vb(N)、電流Ib(N)および温度Tb(N)をそれぞれ受ける。OCV算出部310は、電圧Vb(N)から過電圧(電流Ib(N)と組電池100の内部抵抗Rとの積)を充電時には減算し、放電時には加算して組電池100のOCV(N)を算出し、OCV(N)および温度Tb(N)を微小メモリ量算出部340に出力する。
塩濃度算出部320は、電流センサ220から組電池100の電流Ib(N)を受け、電流Ib(N)に基づいて正極の塩濃度ceを算出する。より詳細には、正極(正極活物質)と負極(負極活物質)との間の塩濃度差Δceは、電解液の実効拡散係数De eff、電解液の体積分率εeおよび水酸化物イオン(OH−)の輸率t− oに依存するため、たとえば下記式(2)〜式(4)に従って塩濃度差Δceを算出することができる(詳細については、たとえば特開2013−72659号公報参照)。なお、実効拡散係数De effは、温度(Tb)の関数である。
上記式(2)において、(t)が付されたパラメータは前回の演算周期((N−1)回目の積算処理)のものであることを示し、(t+Δt)が付されたパラメータは今回の演算周期(N回目の積算処理)のものであることを示す。初期状態における組電池100内の塩濃度は一定であり、塩濃度の初期値は、組電池100の設計時に定められた値(設計値)から決定することができる。したがって、塩濃度差Δceを逐次算出することによって、現在の正極の塩濃度ceを算出することができる。
In the above equation (2), the parameter with (t) indicates that it is the previous calculation cycle ((N−1) th integration process), and the parameter with (t + Δt) It indicates that the calculation cycle (Nth integration process). The salt concentration in the assembled
記憶部330は、(N−1)回目の積算処理時に算出された積算メモリ量ΣM(N−1)を記憶している。記憶部330は、積算メモリ量ΣM(N−1)を微小メモリ量算出部340に出力するとともに、積算メモリ量ΣM(N−1)を積算メモリ量算出部350に出力する。
The
微小メモリ量算出部340は、図7に示したマップMPを記憶している。微小メモリ量算出部340は、(N−1)回目の積算処理時からN回目の積算処理時までの間(所定期間Δtの間)の使用条件(N回目の積算処理時の使用条件)として、OCV算出部310からOCV(N)および温度Tb(N)を受けるとともに塩濃度算出部320から正極の塩濃度ce(N)を受けると、マップMPを参照する。
The minute memory
時間経過に伴うメモリ量の増加は、図3および図4に示したような曲線で表される。N回目の積算処理において微小メモリ量M(N)を算出する際には、曲線のうちの参照すべき箇所を決定するために、(N−1)回目の積算処理時までの積算メモリ量ΣM(N−1)の情報が必要になる。微小メモリ量算出部340は、N回目の積算処理時のOCV(N)、温度Tbおよび塩濃度ceからN回目の積算処理時の使用条件に対応する曲線をマップMPから選択し、さらに、(N−1)回目の積算処理時までの積算メモリ量ΣM(N−1)を用いて、選択した曲線のうちの参照すべき箇所を決定する。そして、微小メモリ量算出部340は、決定した箇所を用いて微小メモリ量M(N)を算出し、算出された微小メモリ量M(N)を積算メモリ量算出部350に出力する。
The increase in the memory amount with the passage of time is represented by a curve as shown in FIGS. When calculating the small memory amount M (N) in the Nth integration process, the integrated memory amount ΣM up to the (N−1) th integration process is determined in order to determine a location to be referred to in the curve. (N-1) information is required. Small memory
積算メモリ量算出部350は、微小メモリ量算出部340からN回目の積算処理時の微小メモリ量M(N)を受けるとともに、記憶部330から(N−1)回目の積算処理時までの積算メモリ量ΣM(N−1)を受ける。積算メモリ量算出部350は、積算メモリ量ΣM(N−1)に微小メモリ量M(N)を加算することによって積算メモリ量ΣM(N)を算出し(上記式(1)参照)、算出された積算メモリ量ΣM(N)を制御部360に出力する。また、積算メモリ量算出部350は、積算メモリ量ΣM(N)を記憶部330に出力して記憶部330に記憶させる。
The accumulated memory
制御部360は、積算メモリ量算出部350からの積算メモリ量ΣM(N)に基づいて組電池100への充放電指令を出力する。たとえば、制御部360は、積算メモリ量ΣM(N)の絶対値が基準値以上になることを含む所定条件が成立した場合に、組電池100に生じたメモリ効果を解消するためにリフレッシュ充電指令またはリフレッシュ放電指令を出力する。なお、ECU300は本開示に係る「推定装置」に相当するが、本開示に係る「推定装置」に制御部360は必須の構成要素ではない。
The
<積算メモリ量推定処理フロー>
図9は、本実施の形態における積算メモリ量推定処理を示すフローチャートである。このフローチャートの処理は、所定周期毎または所定条件が成立する度にメインルーチン(図示せず)から呼び出されて実行される。これらのフローチャートに含まれる各ステップ(以下「S」と略す)は、基本的にはECU300によるソフトウェア処理によって実現されるが、その一部または全部がECU300内に作製されたハードウェア(電気回路)によって実現されてもよい。
<Integrated memory amount estimation processing flow>
FIG. 9 is a flowchart showing an accumulated memory amount estimation process in the present embodiment. The process of this flowchart is called from a main routine (not shown) and executed every predetermined period or whenever a predetermined condition is satisfied. Each step (hereinafter abbreviated as “S”) included in these flowcharts is basically realized by software processing by the
図9に示すフローチャートの処理が繰り返し実行されることにより、積算メモリ量ΣMが順次更新される。このフローチャートはN回目の積算処理を示し、(N−1)回目(前回)の積算処理時までの積算メモリ量ΣM(N−1)がメモリ302に記憶されている。
The accumulated memory amount ΣM is sequentially updated by repeatedly executing the process of the flowchart shown in FIG. This flowchart shows the Nth integration processing, and the memory amount ΣM (N−1) until the (N−1) th (previous) integration processing is stored in the
S10において、ECU300は、(N−1)回目の積算処理時までの積算メモリ量ΣM(N−1)をメモリ302から読み出す。
In S <b> 10, the
S20において、ECU300は、電圧センサ210および電流センサ220を用いて組電池100の電圧Vb(N)および電流Ib(N)を取得し、電圧Vb(N)から充放電電流による過電圧(Ib(N)×R)を考慮(減算または加算)してOCV(N)を算出する。
In S20,
S30において、ECU300は、温度センサ230を用いて組電池100の温度Tb(N)を取得する。
In S <b> 30,
S40において、ECU300は、電流センサ220から電流Ib(N)を取得し、上記式(2)〜式(4)にて説明した手法により、正極の塩濃度ce(N)を算出する。S20〜S40の処理により、組電池100の使用条件(OCV(N)と温度Tb(N)と塩濃度ce(N)との組合せ)が決定される。
In S40, the
S50において、ECU300は、タイマ303を用いて、所定期間Δtが経過するまで待機する。なお、微小メモリ量Mを適切に算出するためには、所定期間Δtだけ待機している間に使用条件の区分が変化しないことが求められる。よって、所定期間Δtは、待機中に使用条件の区分が変化しない時間に定めることが好ましい。
In S50,
S60において、ECU300は、メモリ302に記憶されたマップMPから使用条件(OCV(N),Tb(N),ce(N))に対応する曲線を参照して、所定期間Δtに生じた微小メモリ量M(N)を算出する。この処理については図4(B)にて説明したため、詳細な説明は繰り返さない。
In S60, the
S70において、ECU300は、S10にて読み出した(N−1)回目の積算処理までの積算メモリ量ΣM(N−1)にS60にて算出された微小メモリ量M(N)を加算することによって、N回目の積算処理までの積算メモリ量ΣM(N)を算出する(上記式(1)参照)。なお、車両1の出荷時には積算メモリ量の初期値ΣM(0)が、たとえば0に設定されている。また、組電池100のリフレッシュ充放電の実施後にも積算メモリ量の初期値ΣM(0)を0に設定してもよい。
In S70, the
S80において、ECU300は、図9に示すフローチャートが次回呼び出された場合に備えて、S70にて算出された積算メモリ量ΣM(N)をメモリ302に記憶する。
In S80, the
以上のように、本実施の形態によれば、本発明者らの実験結果に基づいて決定された少なくとも3つのパラメータ、すなわち、組電池100のOCVおよび温度Tbならびに正極の塩濃度ceを含んで定義されるマップMPを用いて、所定期間Δt毎に生じた微小メモリ量Mが算出される。使用条件に上記パラメータを採用することにより、上記以外のパラメータを用いた場合(たとえばOCVおよび温度Tbのみを用いた場合)と比べて、微小メモリ量Mを高精度に算出することができる。その結果、微小メモリ量Mの積算により得られる積算メモリ量ΣMについても高精度に推定することが可能になる。
As described above, according to this embodiment, at least three parameters are determined based on the experimental results of the present inventors, namely, the OCV and temperature Tb and the positive electrode of the salt concentration c e of the
なお、本実施の形態では、「所定期間」Δt毎に微小メモリ量Mを推定する処理を例に説明したが、一定周期で微小メモリ量Mを算出することは必須ではない。所定期間Δtの長さは、たとえば組電池100の使用条件またはECU300の演算負荷の状況等に応じた可変値としてもよい。あるいは、組電池100の使用条件を監視し、使用条件が変化したことをトリガとして微小メモリ量Mを算出するようにしてもよい。これにより、微小メモリ量Mの算出回数を低減してECU300の演算負荷を低減することができる。
In the present embodiment, the process of estimating the minute memory amount M every “predetermined period” Δt has been described as an example, but it is not essential to calculate the minute memory amount M at a constant period. The length of the predetermined period Δt may be a variable value according to, for example, the use condition of the assembled
また、本実施の形態では、組電池100がニッケル水素電池である構成を例に説明した。しかし、組電池100は、水酸化ニッケルを含む正極を有する二次電池であればよく、たとえばニッケルカドミウム電池であってもよい。
Further, in the present embodiment, the configuration in which the assembled
今回開示された実施の形態は、すべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本開示の範囲は、上記した実施の形態の説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。 The embodiment disclosed this time should be considered as illustrative in all points and not restrictive. The scope of the present disclosure is shown not by the above description of the embodiments but by the scope of claims, and is intended to include all modifications within the meaning and scope equivalent to the scope of claims.
1 車両、2 二次電池システム、10 モータジェネレータ、20 動力伝達ギア、30 駆動輪、40 PCU、50 SMR、100 組電池、110 セル、120 ケース、121 ケース本体、122 蓋体、130 安全弁、140 電極体、210 電圧センサ、220 電流センサ、230 温度センサ、300 ECU、301 CPU、302 メモリ、303 タイマ、310 算出部、320 塩濃度算出部、330 記憶部、340 メモリ量算出部、350 積算メモリ量算出部、360 制御部。 1 vehicle, 2 secondary battery system, 10 motor generator, 20 power transmission gear, 30 drive wheel, 40 PCU, 50 SMR, 100 assembled battery, 110 cell, 120 case, 121 case body, 122 lid body, 130 safety valve, 140 Electrode body, 210 Voltage sensor, 220 Current sensor, 230 Temperature sensor, 300 ECU, 301 CPU, 302 Memory, 303 Timer, 310 Calculation unit, 320 Salt concentration calculation unit, 330 Storage unit, 340 Memory amount calculation unit, 350 Integration memory Quantity calculation unit, 360 control unit.
Claims (1)
前記二次電池のメモリ効果による電圧変化量であるメモリ量を前記二次電池の使用条件の区分が変化しない時間内で逐次算出し、算出されたメモリ量を積算することによって前記二次電池の現在のメモリ量を推定する推定装置とを備え、
前記使用条件は、前記二次電池の開放電圧および温度と、前記正極における塩濃度とを含んで定義される、二次電池システム。 A secondary battery having a positive electrode containing nickel hydroxide;
A memory amount, which is a voltage change amount due to the memory effect of the secondary battery, is sequentially calculated within a time period during which the use condition of the secondary battery does not change, and the calculated memory amount is integrated to calculate the memory amount of the secondary battery. An estimation device for estimating a current memory amount,
The secondary battery system, wherein the use conditions are defined including an open circuit voltage and temperature of the secondary battery and a salt concentration in the positive electrode.
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