JP2018535513A5 - 間接加熱陰極イオン源 - Google Patents

Description

図示されないけれども、特定の実施形態において、磁場がチャンバ１００の中に生成される。この磁場により、電子を一方向に沿って閉じ込めることを意図する。例えば、陰極１１０から反射電極１２０への方向（すなわち、Ｙ方向）に平行な列の中に、電子を閉じ込めることができる。

コントローラ１８０は、これらの電源により供給される電圧又は電流を変更することができるように、１つ以上の電源と連通することができる。さらに、特定の実施形態において、コントローラ１８０は、引き出したイオンビーム電流をモニターする測定システム２００（図３を参照）と連通することができる。コントローラ１８０は、１つ以上の電源を時間と共に調整することができる。これらの調整は、動作の時間に基づくか、又は、測定した引き出されるイオンビーム電流に基づくことができる。コントローラ１８０は、マイクロコントローラ、パソコン、特殊用途コントローラ、又は、別の適切な処理装置などの処理装置を含むことができる。コントローラ１８０は、また、半導体メモリ、磁気メモリ、又は、別の適切なメモリなどの持続性記憶要素も含むことができる。この持続性記憶要素は、コントローラ１８０に本明細書で説明した機能を実行させる命令及び他のデータを含むことができる。

時間と共に、陰極１１０、反射電極１２０、及び、電極１３０ａ、１３０ｂは、これらのコンポーネントの上へのイオン及び電子のスパッタリングにより、すり減らされ得る。例えば、図２は、数時間の動作後の図１のイオン源を表わすことができる。陰極１１０、反射電極１２０、及び、電極１３０ａ、１３０ｂは、腐食され、各々は、凹形状である前面を有し得る。したがって、プラズマ１５０は、図１のサイズと比較して、成長し得る。これにより、イオン密度の低減をもたらし得て、したがって、引き出したイオンビーム電流の対応する低減をもたらし得る。

Claims (15)

1. 間接加熱陰極イオン源であって、
   該間接加熱陰極イオン源は、
   ガスが導入されるチャンバと、
   該チャンバの一方の端部に配置される陰極と、
   前記チャンバの反対側の端部に配置される反射電極と、
   前記チャンバの側面に沿って配置される少なくとも１つの電極と、を備え、
   前記陰極、前記反射電極及び前記少なくとも１つの電極の内の少なくとも１つに印加される、前記チャンバに対する電圧が、時間と共に、変わる、間接加熱陰極イオン源。
2. 前記電圧が、時間と共に、低減する、請求項１記載の間接加熱陰極イオン源。
3. コントローラを、さらに備え、
   該コントローラは、前記間接加熱陰極イオン源の動作の時間をモニターし、前記間接加熱陰極イオン源の動作の前記時間に基づいて、印加すべき前記電圧を決定する、請求項１記載の間接加熱陰極イオン源。
4. 電流測定システムと連通するコントローラを、さらに備え、
   前記電流測定システムは、引出しアパーチャを通って前記間接加熱陰極イオン源から引出されるイオンビームの電流を測定し、
   前記コントローラは、測定した前記イオンビームの電流に基づいて、印加すべき前記電圧を調整する、請求項１記載の間接加熱陰極イオン源。
5. 前記電圧は、前記少なくとも１つの電極に印加される、請求項１記載の間接加熱陰極イオン源。
6. 前記陰極、前記反射電極及び前記少なくとも１つの電極の内の少なくとも１つは、凹表面を有する前面で最初に形成される、請求項１記載の間接加熱陰極イオン源。
7. 間接加熱陰極イオン源であって、
   該間接加熱陰極イオン源は、
   ガスが導入されるチャンバと、
   該チャンバの一方の端部に配置される陰極と、
   前記チャンバの反対側の端部に配置される反射電極と、
   前記チャンバの側面に沿って配置される少なくとも１つの電極と、を備え、
   前記少なくとも１つの電極に印加される電圧が、時間と共に、低減する、間接加熱陰極イオン源。
8. コントローラを、さらに備え、
   該コントローラは、前記間接加熱陰極イオン源の動作の時間をモニターし、前記間接加熱陰極イオン源の動作の前記時間に基づいて、前記電圧を決定する、請求項７記載の間接加熱陰極イオン源。
9. 前記コントローラは、バーンイン段階中、前記電圧を第１の速度により低減し、動作段階中、前記電圧を第２の速度により低減し、前記第１の速度は前記第２の速度より大きい、請求項８記載の間接加熱陰極イオン源。
10. 電流測定システムと連通するコントローラを、さらに備え、
    前記電流測定システムは、前記間接加熱陰極イオン源から引出されるイオンビームの電流を測定し、
    前記コントローラは、測定した前記イオンビームの電流に基づいて、印加すべき前記電圧を調整する、請求項７記載の間接加熱陰極イオン源。
11. 前記陰極、前記反射電極及び前記少なくとも１つの電極の内の少なくとも１つは、凹表面を有する前面で最初に形成される、請求項７記載の間接加熱陰極イオン源。
12. 間接加熱陰極イオン源であって、
    該間接加熱陰極イオン源は、
    チャンバと、
    該チャンバの一方の端部に配置され、陰極電源に連通する陰極と、
    前記チャンバの反対側の端部に配置され、反射電極電源に連通する反射電極と、
    前記チャンバ内の前記チャンバの側面に配置され、電極電源に連通する電極と、
    前記チャンバの別の側面に配置される、引出しアパーチャと、
    前記陰極電源、前記反射電極電源及び前記電極電源の内の少なくとも１つに連通するコントローラと、を備え、
    該コントローラは、前記陰極、前記反射電極及び前記電極の内の少なくとも１つに印加される、前記チャンバに対する電圧を、時間と共に、変更する、間接加熱陰極イオン源。
13. 前記コントローラは、前記間接加熱陰極イオン源の動作の時間の関数として、前記電圧を変える、請求項１２記載の間接加熱陰極イオン源。
14. 前記コントローラは、バーンイン段階中、前記電圧を第１の速度により低減し、動作段階中、前記電圧を第２の速度により低減し、前記第１の速度は前記第２の速度より大きい、請求項１３記載の間接加熱陰極イオン源。
15. 前記コントローラは、前記引出しアパーチャを通して引出されるイオンビームのビーム電流の関数として、前記電圧を変える、請求項１２記載の間接加熱陰極イオン源。

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