JP2018506136A - 垂直ビーム角度デバイスを有するイオン注入システムにおける垂直ビームプロファイルの測定方法 - Google Patents
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Abstract
Description
本願は、「垂直ビーム角度デバイスを有するイオン注入システムにおける垂直ビームプロファイルの測定方法」(METHOD OF MEASURING VERTICAL BEAM PROFILE IN AN ION IMPLANTATIONSYSTEM HAVING A VERTICAL BEAM ANGLE DEVICE)というタイトルが付された米国仮出願No.62/096,928(2014年12月26日出願)の優先権およびその利益を主張する。当該出願の全体の内容は、本明細書中において完全に開示されるように、参照によって本明細書に組み込まれる。
本発明は、概してイオン注入システムに関し、より具体的には、垂直ビーム角度を計測するためのデバイスを有する走査されたビームイオン注入機構における垂直イオンビームプロファイルを測定するためのシステム方法に関する。
イオン注入システムは、集積回路の製造において、ドーパントまたは不純物を半導体基板にドープするために利用される装置である。このようなシステムにおいては、ドーパント材料がイオン化されて、そこからイオンビームが生成される。当該イオンビームは、半導体ウエハにドーパント元素を注入するために、当該半導体ウエハの表面に指向される。例えば、当該ウエハにおけるトランジスタデバイスの製作時などに、当該ビームのイオンは、所望の伝導性の部分を形成するために前記ウエハの表面に浸透する。代表的なイオン注入装置は、イオンビームを生成するためのイオン源、磁場を用いてビームに含まれるイオンを指向させ及び/又は濾過する(例えば質量分解能)ための質量分析機構を含むビームラインアセンブリ、及び、イオンビームによって注入されるためのワークピースを収容するターゲットチェンバーを含む。
以下に、本発明のいくつかの態様の基本的な理解を提供するために、本発明の単純化された概要を示す。この概要は、本発明の広い概観ではない。本発明のキー(key)又は重要な要素を特定することを意図するものではなく、本発明の範囲の輪郭を示すことを意図するものでもない。むしろ、主要な目的は、以下で示される詳細な説明の前置きとして、単純化された形式における本発明の一又は複数の概念を示すことである。
図1は、格子構造の平面に対し実質的に平行となるように当該格子構造に向けられたイオンビームを含む格子構造の一部の一例を示す斜視図である。
本発明の一又は複数の態様は図面を参照して以下に説明される。同様の参照番号は、一貫して、同様の要素に引用するために概して利用される。そして、種々の構造は、必ずしも一定の縮尺で描かれていない。以下の説明においては、説明の目的のため、様々な具体的な詳細が、本発明における一又は複数の態様の十分な理解を提供するために説明される。しかし、当業者によって、これら具体的な詳細のレーザ角度の実施がなされるであろうことは明らかである。他の例では、よく知られた構造およびデバイスは、本発明の一又は複数の態様を説明することを容易にするために、ブロック図の態様で示されている。
Claims (20)
- イオン注入システムのための測定システムであって、
軸の周りを回転するように構成された走査アームと、
上記走査アームと共に直線状に摺動係合し、注入板に沿ってイオンビームの進路を通過してワークピースを平行移動させるように構成されたワークピースサポートと、
上記イオンビームの上記進路に沿って上記走査アームの下流に配置され、入射する上記イオンビームからのイオン放射に関連する第1信号を提供するように構成された第1ファラデーカップを含む第1測定部品と、
上記走査アーム及びマスクに動作可能に連結された第2ファラデーカップを含む第2測定部品と、
コントローラと、を含み、
上記第2ファラデーカップは、上記軸の周りの上記走査アームの回転に一致して入射する上記イオンビームからのイオン放射に関連した第2信号を提供するように構成されており、
上記マスクは、上記第2ファラデーカップの上流に配置され、概して第2ファラデーカップに対して固定されており、当該マスクに規定された複数のスリットを含み、
上記マスク及び上記イオンビーム間の相対角度方向に基づいて、上記第2ファラデーカップに向かい当該第2ファラデーカップを通過する上記イオンビームからのイオン放射の量を変化させることを可能にするように構成されており、
上記マスクは、当該マスクの一又は複数の外側位置に配置された遮蔽板をさらに含み、
上記遮蔽板は、上記軸の周りの上記走査アームの回転に基づいて、上記第1ファラデーに入射する上記イオンビームからのイオン放射を選択的に遮蔽するように構成されており、
上記コントローラは、上記イオンビームの角度と、上記注入板に対する上記イオンビームの垂直サイズとを決定するように構成されており、
上記決定は、一又は複数の上記第1信号、上記第2信号、及び、上記第2測定部品が上記軸の周りを回転するときの上記マスクと上記イオンビームとの上記相対方向、のうち少なくとも一部に基づいていることを特徴とする測定システム。 - 上記軸の周囲の上記走査アームの角度方向を決定するように構成された角度測定機構をさらに含み、
上記コントローラは、上記軸の周りの上記走査アームの上記角度方向に基づいて、上記イオンビームの角度と、上記注入板に対する上記イオンビームの垂直サイズとを決定するようにさらに構成されていることを特徴とする請求項1に記載の測定システム。 - 上記角度測定機構は、上記走査アームに動作可能に連結されたエンコーダを含むことを特徴とする請求項2に記載の測定システム。
- 上記コントローラは、上記第2信号と、上記軸の周りの上記走査アームの上記角度方向とに基づいて、上記イオンビームの上記垂直サイズを決定するように構成されていることを特徴とする請求項1に記載の測定システム。
- 上記遮蔽板は、上記マスクの対向する端部に配置され、もっぱら上記イオンビームを通過するように構成されており、上記第1ファラデーに入射する上記イオンビームからの上記イオン放射を選択的に遮蔽することを特徴とする請求項4に記載の測定システム。
- 上記遮蔽板は、上記マスクの第1端部に配置されていることを特徴とする請求項4に記載の測定システム。
- 上記遮蔽板は上記マスクに対して固定されており、上記軸から所定の距離をもって配置されていることを特徴とする請求項1に記載の測定システム。
- 上記遮蔽板は、上記マスクと一体的であることを特徴とする請求項1に記載の測定システム。
- 上記マスクの高さは、上記イオンビームの高さよりも高いことを特徴とする請求項1に記載の測定システム。
- 上記マスク及び上記第2ファラデーは、上記走査アームに対して固定されていることを特徴とする請求項1に記載の測定システム。
- 上記第1ファラデーカップは、エンドステーションの部品に堅く連結されており、
上記軸は上記エンドステーションに対して固定されていることを特徴とする請求項1に記載の測定システム。 - 上記イオンビームは、水平走査されたイオンビームを含むことを特徴とする請求項1に記載の測定システム。
- 上記測定部品は、上記ワークピースサポートに対する既知の関係の方向に向けられていることを特徴とする請求項1に記載の測定システム。
- 上記2番目の測定部品は、上記1番目の測定部品からの上記イオンビームの一部を遮蔽し、
上記コントローラは、上記第1信号及び上記第2信号を用いて、上記イオンビームの垂直プロファイルを決定するようにさらに構成されていることを特徴とする請求項1に記載の測定システム。 - 上記イオンビームは、水平リボンリブ及び水平に走査されたビームの何れかを含み、
上記コントローラは、上記イオンビームの垂直曲げ角度を決定するように構成されていることを特徴とする請求項1に記載の測定システム。 - 上記マスクは、所定の深さを有する複数の歯を含み、
上記複数の歯は、複数のスリットによって規定されており、スリット距離だけ互いに離れて配置されていることを特徴とする請求項1に記載の測定システム。 - 上記スリット距離は、約1mmから10mmまでであり、上記所定の深さは約5mmから50mmまでであることを特徴とする請求項1に記載の測定システム。
- 上記マスクはグラファイトを含むことを特徴とする請求項1に記載の測定システム。
- イオンビームのプロファイリングのための方法であって、
エンドステーションの方向にイオンビームを向け、
走査アームと共に直線的に摺動係合するワークピースサポートを設け、当該ワークピースサポートは、注入板に沿って上記イオンビームの進路を通過してワークピースを平行移動させるように構成されており、上記走査アームは軸の周りを回転するように構成されており、
上記イオンビームの進路に沿って上記走査アームの下流に配置された第1ファラデーカップを介して上記イオンビームの一又は複数の特性を測定し、当該第1ファラデーカップに入射する上記イオンビームからのイオン放射に関連する第1信号を提供し、
上記走査アームに動作可能に連結された第2ファラデーカップを介して上記イオンビームの上記一又は複数の特性を測定し、当該第2ファラデーカップに入射する上記イオンビームからのイオン放射に関連した第2信号を供給し、
上記マスクと上記イオンビームとの相対角度方向を決定し、
上記軸の周りに上記走査アームを回転させ、
上記マスクは、上記第2ファラデーカップに概して固定されており、当該第2ファラデーカップの上流に配置されており、上記マスクは、当該マスクに規定された複数のスリットを有し、
上記複数のスリットは、上記マスク及び上記イオンビーム間の相対角度方向に基づいて、上記第2ファラデーカップに向かい当該第2ファラデーカップを通過する上記イオンビームからのイオン放射の量を変化させることを可能にするように構成されており、
上記遮蔽板は、上記マスクの一又は複数の外側位置に配置されており、
上記イオンビームの角度と、上記注入板に対する上記イオンビームの垂直サイズとを決定し、
上記決定は、一又は複数の上記第1信号と、上記第2信号と、及び、上記第2ファラデーカップが上記軸の周りを回転するときの上記マスクと上記イオンビームとの相対方向と、のうち、少なくとも一部に基づいていることを特徴とする方法。 - イオン注入システムは、
イオンを生成するように構成されたイオン源と、
上記イオン源によって生成された上記イオンからイオンビームを生成するように構成され、伝搬する進路に沿って上記イオンを指向させるビームラインアセンブリと、
上記伝搬する進路に対しワークピースが配置されるように構成されたエンドステーションと、
測定部品と、
コントローラとを含み、
上記イオンビーム中を伝搬している上記イオンは、所定位置の上記ワークピースに衝突し、
上記測定部品は、上記イオンビームに関連する一又は複数の信号を提供するように構成された上記エンドステーションに取り付けられ、
上記コントローラは、上記測定部品からの一又は複数の信号の少なくとも一部に基づいて、上記イオンビームの相対的な大きさと、上記イオンビーム及び上記ワークピース間の向きとを決定することを特徴とするイオン注入システム。
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US11646175B2 (en) * | 2019-02-15 | 2023-05-09 | Axcelis Technologies, Inc. | Method of mixing upstream and downstream current measurements for inference of the beam current at the bend of an optical element for realtime dose control |
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US11875967B2 (en) * | 2020-05-21 | 2024-01-16 | Applied Materials, Inc. | System apparatus and method for enhancing electrical clamping of substrates using photo-illumination |
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CN114388321B (zh) * | 2022-03-24 | 2022-08-05 | 广州粤芯半导体技术有限公司 | 参数获取装置、方法、离子注入方法和半导体工艺设备 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005063874A (ja) * | 2003-08-19 | 2005-03-10 | Nissin Electric Co Ltd | イオン注入装置 |
JP2007095693A (ja) * | 2005-09-27 | 2007-04-12 | Axcelis Technologies Inc | イオンビームプロファイラー |
JP2009517849A (ja) * | 2005-11-30 | 2009-04-30 | アクセリス テクノロジーズ インコーポレーテッド | ウエハに対するイオンビームの方位を確定しかつ角度誤差を補正する手段 |
JP2010503964A (ja) * | 2006-09-13 | 2010-02-04 | アクセリス テクノロジーズ, インコーポレイテッド | イオン注入装置におけるビーム角調整システムおよびその調整方法 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7701230B2 (en) * | 2007-04-30 | 2010-04-20 | Axcelis Technologies, Inc. | Method and system for ion beam profiling |
US8237135B2 (en) * | 2009-01-22 | 2012-08-07 | Axcelis Technologies, Inc. | Enhanced low energy ion beam transport in ion implantation |
US8168941B2 (en) * | 2009-01-22 | 2012-05-01 | Axcelis Technologies, Inc. | Ion beam angle calibration and emittance measurement system for ribbon beams |
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Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005063874A (ja) * | 2003-08-19 | 2005-03-10 | Nissin Electric Co Ltd | イオン注入装置 |
JP2007095693A (ja) * | 2005-09-27 | 2007-04-12 | Axcelis Technologies Inc | イオンビームプロファイラー |
JP2009517849A (ja) * | 2005-11-30 | 2009-04-30 | アクセリス テクノロジーズ インコーポレーテッド | ウエハに対するイオンビームの方位を確定しかつ角度誤差を補正する手段 |
JP2010503964A (ja) * | 2006-09-13 | 2010-02-04 | アクセリス テクノロジーズ, インコーポレイテッド | イオン注入装置におけるビーム角調整システムおよびその調整方法 |
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