JP2018200689A - 調節ポーリング時間によるデータ転送 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】メモリモジュールは、不揮発性メモリ(NVM)と、メモリモジュール電子(MME)回路とを有する。制御部回路は、MME回路に第1のコマンドを伝達して、NVMの選択されたアドレスに対して選択された行為を実行する。可変遅延時間間隔の後、第2のコマンドは、第1のコマンドに関するステータス要求として制御部回路によってMME回路に伝達される。可変遅延時間間隔は、選択されたアドレスについて最初のコマンドに先立って発行されたステータス要求の累積数に基づいて決定される。
【選択図】図3
Description
Claims (20)
- 不揮発性メモリ(NVM)及び前記NVMのソリッドステート不揮発性メモリセルにデータをプログラムし、前記NVMの前記ソリッドステート不揮発性メモリセルから前記データを読み取るように構成されたメモリモジュール電子(MME)回路を備える、メモリモジュールと、
前記NVM内の選択されたアドレス及び前記選択されたアドレスに関して前記MME回路によって取られる選択された行為を含む第1のコマンドを前記メモリモジュールに伝達するように適合された制御部回路と、を備え、前記制御部回路が続いて、可変遅延時間間隔の終わりに、前記第1のコマンドの完了に関連するステータス要求を含む第2のコマンドを前記メモリモジュールに伝達するように更に適合され、前記可変遅延時間間隔が、前記第1のコマンドの伝達に先立って発行された、前記選択されたアドレスに関連する以前のコマンドについて前記制御部回路によって前記メモリモジュールに以前に伝達されたステータス要求の累積数に応答して選択される、装置。 - 前記MME回路が、コマンド実行間隔にわたって前記第1のコマンドを実行するように構成され、前記MME回路が、前記コマンド実行間隔の終了前に前記第2のコマンドの前記ステータス要求を受信したことに応答して、前記制御部回路に「準備未完了(not ready)」ステータスを伝達するように更に構成され、前記MME回路が、前記コマンド実行間隔の終了後に前記第2のコマンドの前記ステータス要求を受信したことに応答して、前記制御部回路に準備完了(ready)ステータスを伝達するように更に構成されている、請求項1に記載の装置。
- 可変遅延時間間隔が、第1の可変遅延時間間隔であり、前記制御部回路が、前記第2のコマンドの前記ステータス要求に応答して、前記MME回路から前記準備未完了ステータスを受信したことに応答して、第2の可変遅延時間間隔の終わりに、前記第1のコマンドの完了に関連する第2のステータス要求を含む第3のコマンドを前記メモリモジュールに伝達するように更に構成されている、請求項2に記載の装置。
- 前記第1の可変遅延時間間隔及び前記第2の可変遅延時間間隔が、それぞれ同じ持続時間である、請求項3に記載の装置。
- 前記第2の可変遅延時間間隔が、前記第1の可変遅延時間間隔よりも短い持続時間である、請求項3に記載の装置。
- 前記制御部回路が、前記複数の異なるアドレスの各々に対するコマンドの伝達と前記コマンドの関連するステータス要求の伝達との間の経過時間の間、前記NVM内の複数の異なるアドレスの各々について異なる可変遅延時間間隔を使用する、請求項1に記載の装置。
- 前記可変遅延時間間隔が、第1の可変遅延時間間隔であり、前記選択された行為が、読み取り、書き込み又は消去動作のうちの選択された1つであり、前記制御部回路が、前記選択されたアドレスに関連する前記読み取り、書き込み又は消去動作のうちの残りの1つを実行するための第3のコマンドを前記メモリモジュールに伝達することと、前記第3のコマンドのステータスを決定するためにステータス要求を発行することとの間で、異なる第2の可変遅延時間間隔を使用する、請求項1に記載の装置。
- 前記制御部回路が、前記選択されたアドレスに関連する前記メモリモジュールに伝達された複数の連続するコマンドについて、初期遅延時間間隔を使用して、前記複数の連続するコマンドの各々に関連する早期ステータス要求のそれぞれの数を累積することと、前記早期ステータス要求の集団分布に応答して前記可変遅延時間間隔に到達するように前記初期遅延時間間隔を調節することと、によって、前記遅延時間間隔を決定し、前記早期ステータス要求の各々が、前記関連するコマンドがまだ完了していないことを示す前記MME回路による指示を含む、請求項1に記載の装置。
- 前記NVMが、複数のダイを含むNANDフラッシュメモリアレイを備え、前記選択されたアドレスが、前記複数のダイから選択されたダイを含む、請求項1に記載の装置。
- ローカルメモリにデータ構造として記憶される遅延テーブルを更に含み、前記遅延テーブルが、前記複数のダイの各々について異なる可変遅延時間間隔を前記制御部回路に提供する、請求項1に記載の装置。
- 前記選択されたアドレスが、少なくともデータの第1ページ及びデータの第2ページを記憶する前記ソリッドステート不揮発性メモリセルの選択されたグループを含むように、前記NVMの前記ソリッドステート不揮発性メモリセルが複数ビットセルとして構成され、前記可変遅延時間間隔が、前記選択されたアドレスにおけるデータの前記第1のページに関連する第1の可変遅延時間間隔であり、前記制御部回路が、前記選択されたアドレスにおけるデータの前記第2のページに関連する第3のコマンドを発行することと、前記第3のコマンドの完了に関するステータス要求として第4のコマンドを発行することとの間で、異なる第2の可変遅延時間間隔を更に使用する、請求項1に記載の装置。
- 前記第1のコマンドが、前記MME回路によって取られる前記選択された行為を示すマルチビット値としての第1の動作コード部分と、前記NVMにおける前記選択されたアドレスを識別するマルチビット値としてのアドレス部分とを含み、前記第2のコマンドが、前記第1のコマンドにおける前記第1の動作コード部分の完了に関するステータスを要求するマルチビット値としての第2の動作コード部分を含む、請求項1に記載の装置。
- 前記制御部回路によって前記第1のコマンドと前記第2のコマンドとの間に前記選択されたアドレスに対する介在コマンドが発行されないように、前記第2のコマンドが、前記第1のコマンドの後に前記選択されたアドレスに対して前記制御部回路によって発行された次の即時コマンドである、請求項1に記載の装置。
- 制御部回路からメモリモジュールのメモリモジュール電子(MME)回路に、前記メモリモジュールの不揮発性メモリ(NVM)内の選択されたアドレス及び前記アドレスに関連して前記MME回路によって取られる選択された行為を含む第1のコマンドを伝達することと、
前記第1のコマンドの前記伝達に応答して可変遅延時間間隔を開始することと、
前記可変遅延時間間隔の終わりに、前記第1のコマンドの完了に関連するステータス要求を含む第2のコマンドを前記制御部回路から前記MME回路に伝達することと、を含み、前記可変遅延時間間隔が、前記第1のコマンドの前記伝達に先立つ前記選択されたアドレスについて前記制御部回路によって前記メモリモジュールに以前に伝達されたステータス要求の累積数に応答して選択される、方法。 - 前記可変遅延時間間隔が、第1の持続時間を有する第1の間隔であり、前記方法が、前記第2のコマンドの前記ステータス要求に応答した、前記選択された行為が完了していないことを示す前記MMEからの指示を受信したことに応答して、前記制御部回路によって前記可変遅延時間間隔を長い第2の持続時間を有する第2の間隔に増分させることを更に含む、請求項14に記載の方法。
- 前記可変遅延時間間隔が、第1の可変遅延時間間隔であり、前記制御部回路が、前記第2のコマンドの前記ステータス要求に応答して、前記MME回路から準備未完了ステータスを受信したことに応答する第2の可変遅延時間間隔の終わりに、前記第1のコマンドの完了に関連する第2のステータス要求を含む第3のコマンドを前記メモリモジュールに伝達するように更に構成されている、請求項14に記載の方法。
- 前記MME回路によって、コマンド実行間隔にわたって前記第1のコマンドを実行することと、
前記コマンド実行間隔の終了前に、前記第2のコマンドの前記ステータス要求を受信したことに応答して、準備未完了ステータスを前記MME回路によって前記制御部回路に伝達することと、を更に含む、請求項14に記載の方法。 - 前記MME回路によって、コマンド実行間隔にわたって前記第1のコマンドを実行することと、
前記コマンド実行間隔の前記終了後に、前記第2のコマンドの前記ステータス要求を受信したことに応答して準備完了ステータスを前記MME回路によって前記制御部回路に伝達することと、
前記準備完了ステータスに応答して前記第1のコマンドに関連する第2の選択された行為を取るための第3のコマンドを前記制御部回路によって前記MME回路に伝達することと、を更に含む、請求項14に記載の方法。 - 初期遅延時間間隔を使用して、前記選択されたアドレスに対する複数の連続コマンドの各々に関連する早期ステータス要求のそれぞれの数を累積することであって、前記早期ステータス要求の各々が、前記関連するコマンドがまだ完了していないことを示す前記MME回路による指示を含む、累積することと、
前記早期ステータス要求の集団分布に応答して前記可変遅延時間間隔に到達するように前記初期遅延時間間隔を調節することと、によって前記可変遅延時間間隔の規模を決定することを更に含む、請求項14に記載の方法。 - 前記NVMが、複数のダイを含むNANDフラッシュメモリアレイを備え、前記選択されたアドレスが、前記複数のダイから選択されたダイを含み、前記方法が、前記残りのダイの各々に対するコマンドの発行と後続のステータス要求との間で異なる可変遅延時間間隔を使用することを更に含む、請求項14に記載の方法。
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