JP2018199767A - Detergent - Google Patents

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JP2018199767A
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正志 鵜澤
Masashi Uzawa
正志 鵜澤
慎二 佐伯
Shinji Saeki
慎二 佐伯
明 山嵜
Akira Yamazaki
明 山嵜
嘉子 入江
Yoshiko Irie
嘉子 入江
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Mitsubishi Chemical Corp
Mitsubishi Chemical Group Corp
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Abstract

To provide a detergent that has low metal corrosiveness, is less likely to foam during cleaning, prevents metal contamination of a substrate, and has no restrictions in pH at the time of use.SOLUTION: A detergent contains an aniline polymer having an acidic group, and water, and is suitable as a detergent for a flat panel display substrate or semiconductor device substrate.SELECTED DRAWING: None

Description

本発明は、フラットパネルディスプレー基板や半導体デバイス基板などを洗浄するのに好適な洗浄剤に関する。   The present invention relates to a cleaning agent suitable for cleaning flat panel display substrates, semiconductor device substrates, and the like.

フラットパネルディスプレー(FPD)の製造工程においては、ガラス等の基板上に配線となる金属膜およびレジスト膜を順次成膜した後、レジスト膜を露光、現像してパターニングすることによりレジストパターンを形成することが行われている。レジストパターンが形成された後、レジストのない部分を選択的にエッチングし、さらにエッチングにより生じた金属の削りカスやレジスト膜を除去することによって、レジストパターンが形成された基板が得られる。   In a flat panel display (FPD) manufacturing process, a metal film and a resist film are sequentially formed on a substrate such as glass, and then the resist film is exposed, developed, and patterned to form a resist pattern. Things have been done. After the resist pattern is formed, a portion on which the resist is not formed is selectively etched, and the metal scrap and resist film generated by the etching are removed to obtain a substrate on which the resist pattern is formed.

半導体デバイスは、シリコンウェハ等の基板上に配線となる金属膜等を成膜した後、研磨剤を用いて化学的機械的研磨(CMP)によって表面の平坦化処理を行い、平坦となった面の上に新たな層を積み重ねることで製造される。
CMP工程後の基板の表面には、CMP工程で用いた研磨剤や金属の研磨カスが残留しやすいことから、基板を洗浄する必要がある。
A semiconductor device has a flattened surface by forming a metal film or the like on a substrate such as a silicon wafer and then performing a surface flattening process by chemical mechanical polishing (CMP) using an abrasive. Manufactured by stacking new layers on top.
Since the abrasive used in the CMP process and metal polishing residue are likely to remain on the surface of the substrate after the CMP process, it is necessary to clean the substrate.

従来、FPD基板や半導体デバイス基板の洗浄には、アニオン性界面活性剤を含む洗浄剤が用いられていた。
しかし、アニオン性界面活性剤を含む洗浄剤は基板上に形成された金属膜を腐食することがあった。また、洗浄時に泡立ちやすく、泡が基板上に残ってしまうという問題もあった。
Conventionally, a cleaning agent containing an anionic surfactant has been used for cleaning an FPD substrate or a semiconductor device substrate.
However, the cleaning agent containing an anionic surfactant sometimes corrodes the metal film formed on the substrate. There is also a problem that bubbles are easily formed during cleaning, and the bubbles remain on the substrate.

そこで、泡立ちにくい洗浄剤として、例えば特許文献1には、スルファミン酸と、分子内にスルホン酸基を有する、質量平均分子量が1000〜2000000のアニオン性界面活性剤と、キレート剤と、水とを含有し、pHが3以下である洗浄剤が開示されている。
また、界面活性剤を含有しない洗浄剤として、例えば特許文献2には、アミノベンゼンスルホン酸と、水混和性有機溶剤と、水とを含有し、pHが6〜11である洗浄剤が開示されている。
Therefore, as a detergent that does not easily foam, for example, Patent Document 1 discloses sulfamic acid, an anionic surfactant having a sulfonic acid group in the molecule and a mass average molecular weight of 1,000 to 2,000,000, a chelating agent, and water. A cleaning agent containing and having a pH of 3 or less is disclosed.
In addition, as a detergent that does not contain a surfactant, for example, Patent Document 2 discloses a detergent that contains aminobenzenesulfonic acid, a water-miscible organic solvent, and water and has a pH of 6 to 11. ing.

特開2010−163609号公報JP 2010-163609 A 特開2009−224782号公報JP 2009-224782 A

しかしながら、特許文献1に記載の洗浄剤では、高分子量のアニオン界面活性剤を用いているので比較的泡立ちにくいものの、必ずしも泡立ち防止性を満足するものではなく、腐食防止性にも劣っていた。また、使用時にpHの制約があった。
一方、特許文献2に記載の洗浄剤は、アニオン界面活性剤を含んでいないので泡立ちにくく、金属に対する腐食性も低いが、使用時にpHの制約があった。
However, the cleaning agent described in Patent Document 1 uses a high molecular weight anionic surfactant and thus is relatively difficult to foam, but does not necessarily satisfy the foaming prevention property and is inferior in corrosion prevention. Moreover, there was a restriction of pH during use.
On the other hand, since the cleaning agent described in Patent Document 2 does not contain an anionic surfactant, it is difficult to foam and has low corrosiveness to metals, but has a restriction of pH during use.

また、特許文献1に記載の洗浄剤に含まれるスルファミン酸や、特許文献2に記載の洗浄剤に含まれるアミノベンゼンスルホン酸は、製造時にナトリウムなどのアルカリ金属が混入しやすい。その結果、スルファミン酸やアミノベンゼンスルホン酸はアルカリ金属を含んだ状態で洗浄剤に配合されることとなり、水中に放出されたアルカリ金属が基板上に付着してしまう。
このように、特許文献1、2に記載の洗浄剤は、基板への金属汚染という問題もあった。基板への金属汚染を防止するには、スルファミン酸やアミノベンゼンスルホン酸に混入されたアルカリ金属を除去すればよい。しかし、特にアミノベンゼンスルホン酸は水に溶けにくいためイオン交換樹脂などによる精製が困難であり、混入したアルカリ金属を除去しにくい。
Moreover, the sulfamic acid contained in the cleaning agent described in Patent Document 1 and the aminobenzenesulfonic acid contained in the cleaning agent described in Patent Document 2 are likely to be mixed with alkali metals such as sodium at the time of production. As a result, sulfamic acid and aminobenzenesulfonic acid are blended into the cleaning agent in a state containing an alkali metal, and the alkali metal released into water adheres to the substrate.
As described above, the cleaning agents described in Patent Documents 1 and 2 also have a problem of metal contamination on the substrate. In order to prevent metal contamination of the substrate, alkali metal mixed in sulfamic acid or aminobenzenesulfonic acid may be removed. However, in particular, aminobenzenesulfonic acid is difficult to dissolve in water, so it is difficult to purify with an ion exchange resin or the like, and it is difficult to remove the mixed alkali metal.

本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、金属に対する腐食性が低く、洗浄時に泡立ちにくく、基板への金属汚染を防止でき、しかも使用時にpHの制約がない洗浄剤を提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object of the present invention is to provide a cleaning agent that has low corrosiveness to metals, is difficult to foam during cleaning, can prevent metal contamination of the substrate, and has no pH restriction during use. And

本発明は以下の態様を有する。
[1] 酸性基を有するアニリン系ポリマーと、水とを含有する、洗浄剤。
[2] アルカリ金属の含有量が1質量ppm以下である、[1]に記載の洗浄剤。
[3] 前記アニリン系ポリマーが下記一般式(1)で表される単位を有する、[1]または[2]に記載の洗浄剤。
The present invention has the following aspects.
[1] A cleaning agent comprising an aniline polymer having an acidic group and water.
[2] The cleaning agent according to [1], wherein the alkali metal content is 1 mass ppm or less.
[3] The cleaning agent according to [1] or [2], wherein the aniline polymer has a unit represented by the following general formula (1).

Figure 2018199767
Figure 2018199767

式(1)中、R〜Rは、各々独立に、水素原子、炭素数1〜24の直鎖もしくは分岐のアルキル基、炭素数1〜24の直鎖もしくは分岐のアルコキシ基、酸性基、ヒドロキシ基、ニトロ基、およびハロゲン原子からなる群より選ばれ、R〜Rのうちの少なくとも1つは酸性基である。ここで、酸性基とはスルホン酸基またはカルボキシ基である。 In formula (1), R 1 to R 4 each independently represent a hydrogen atom, a linear or branched alkyl group having 1 to 24 carbon atoms, a linear or branched alkoxy group having 1 to 24 carbon atoms, or an acidic group. , A hydroxy group, a nitro group, and a halogen atom, and at least one of R 1 to R 4 is an acidic group. Here, the acidic group is a sulfonic acid group or a carboxy group.

[4] フラットパネルディスプレー基板用または半導体デバイス基板用である、[1]〜[3]のいずれか1つに記載の洗浄剤。 [4] The cleaning agent according to any one of [1] to [3], which is for a flat panel display substrate or a semiconductor device substrate.

本発明の洗浄剤によれば、金属に対する腐食性が低く、洗浄時に泡立ちにくく、基板への金属汚染を防止でき、しかも使用時にpHの制約がない。   According to the cleaning agent of the present invention, the corrosiveness to metal is low, it is difficult to foam during cleaning, metal contamination to the substrate can be prevented, and there is no restriction of pH during use.

以下、本発明を詳細に説明する。
なお、本発明において「洗浄」とは、洗浄対象物(例えば金属の削りカスや研磨カス、研磨剤など)を除去することはもちろんのこと、例えばレジスト膜を除去(剥離)することも含む。
また、本発明において「水溶性」および「溶解性」とは、水、または水と水溶性有機溶剤との混合溶剤10g(液温25℃)に、0.1g以上均一に溶解することを意味する。
Hereinafter, the present invention will be described in detail.
In the present invention, “cleaning” includes not only removing an object to be cleaned (for example, metal shaving residue, polishing residue, abrasive), but also removing (stripping) a resist film, for example.
In the present invention, “water-soluble” and “solubility” mean that 0.1 g or more is uniformly dissolved in 10 g of water or a mixed solvent of water and a water-soluble organic solvent (liquid temperature: 25 ° C.). To do.

[洗浄剤]
本発明の洗浄剤は、酸性基を有するアニリン系ポリマーと、水とを含有する。
[Washing soap]
The cleaning agent of the present invention contains an aniline polymer having an acidic group and water.

<アニリン系ポリマー>
アニリン系ポリマーは、酸性基を有する。アニリン系ポリマーは水溶性であり、水への溶解性に優れる。
ここで、「酸性基」とは、スルホン酸基(−SOH)またはカルボキシ基(−COOH)である。
なお、スルホン酸基には、スルホン酸基を有する置換基(−RSOH)や、スルホン酸基のアルカリ金属塩、アンモニウム塩、または置換アンモニウム塩なども含まれる。
一方、カルボキシ基には、カルボキシ基を有する置換基(−RCOOH)や、カルボキシ基のアルカリ金属塩、アンモニウム塩または置換アンモニウム塩なども含まれる。
前記Rは炭素数1〜24の直鎖もしくは分岐のアルキレン基、アリーレン基またはアラルキレン基を表す。
<Aniline polymer>
An aniline-based polymer has an acidic group. The aniline polymer is water-soluble and has excellent solubility in water.
Here, the “acidic group” is a sulfonic acid group (—SO 3 H) or a carboxy group (—COOH).
The sulfonic acid group includes a substituent having a sulfonic acid group (—R 5 SO 3 H), an alkali metal salt, an ammonium salt, or a substituted ammonium salt of the sulfonic acid group.
On the other hand, the carboxy group includes a substituent having a carboxy group (—R 5 COOH), an alkali metal salt, an ammonium salt or a substituted ammonium salt of the carboxy group.
R 5 represents a linear or branched alkylene group having 1 to 24 carbon atoms, an arylene group or an aralkylene group.

アニリン系ポリマーとしては、酸性基を有していれば特に限定されず、公知のアニリン系ポリマーを用いることができる。
具体的には、無置換または置換基を有するポリアニリン、ポリジアミノアントラキノン等のπ共役系ポリマー中の骨格または該π共役系ポリマー中の窒素原子上に、下記(i)〜(iii)のいずれかを有しているポリマーが挙げられる。
(i)酸性基
(ii)酸性基のアルカリ金属塩、アンモニウム塩もしくは置換アンモニウム塩
(iii)酸性基、酸性基のアルカリ金属塩、アンモニウム塩もしくは置換アンモニウム塩のいずれかで置換されたアルキル基もしくはエーテル結合を含むアルキル基
The aniline polymer is not particularly limited as long as it has an acidic group, and a known aniline polymer can be used.
Specifically, any one of the following (i) to (iii) is placed on a skeleton in a π-conjugated polymer such as polyaniline or polydiaminoanthraquinone having an unsubstituted or substituted group or a nitrogen atom in the π-conjugated polymer. The polymer which has is mentioned.
(I) Acid group (ii) Alkali metal salt, ammonium salt or substituted ammonium salt of acid group (iii) Alkyl group substituted with any of acid group, alkali metal salt of acid group, ammonium salt or substituted ammonium salt or Alkyl group containing an ether bond

これらの中でも、水への溶解性に優れる観点から、ポリアニリン骨格を含むポリマーが好ましい。
特に、高い溶解性を発現できる観点から、下記一般式(2)で表される単位を、ポリマーを構成する全単位(100mol%)中に20〜100mol%含有するポリマーが好ましい。
Among these, a polymer containing a polyaniline skeleton is preferable from the viewpoint of excellent solubility in water.
In particular, a polymer containing 20 to 100 mol% of a unit represented by the following general formula (2) in all units (100 mol%) constituting the polymer is preferable from the viewpoint of expressing high solubility.

Figure 2018199767
式(2)中、R〜R10は各々独立に、水素原子、炭素数1〜24の直鎖もしくは分岐のアルキル基、炭素数1〜24の直鎖もしくは分岐のアルコキシ基、酸性基、ヒドロキシ基、ニトロ基、ハロゲン原子、−N(R11)、−NHCOR11、−SR11、−OCOR11、−COOR11、−COR11、−CHO、および−CNからなる群より選ばれ、R11は炭素数1〜24の直鎖もしくは分岐のアルキル基、アリール基またはアラルキル基を表す。
ただし、R〜R10のうちの少なくとも1つは酸性基である。
Figure 2018199767
In formula (2), R 6 to R 10 are each independently a hydrogen atom, a linear or branched alkyl group having 1 to 24 carbon atoms, a linear or branched alkoxy group having 1 to 24 carbon atoms, an acidic group, A hydroxy group, a nitro group, a halogen atom, —N (R 11 ) 2 , —NHCOR 11 , —SR 11 , —OCOR 11 , —COOR 11 , —COR 11 , —CHO, and —CN; R 11 represents a linear or branched alkyl group, aryl group or aralkyl group having 1 to 24 carbon atoms.
However, at least one of R 6 to R 10 is an acidic group.

アニリン系ポリマーとしては、前記一般式(2)で表される単位を有するポリマーの中でも、水に対する溶解性により優れる観点から、下記一般式(1)で表される単位を有するポリマーが好ましい。   As the aniline-based polymer, a polymer having a unit represented by the following general formula (1) is preferable from the viewpoint of superior solubility in water among the polymers having the unit represented by the general formula (2).

Figure 2018199767
Figure 2018199767

式(1)中、R〜Rは、各々独立に、水素原子、炭素数1〜24の直鎖もしくは分岐のアルキル基、炭素数1〜24の直鎖もしくは分岐のアルコキシ基、酸性基、ヒドロキシ基、ニトロ基、およびハロゲン原子からなる群より選ばれ、R〜Rのうちの少なくとも1つは酸性基である。
酸性基としてはスルホン酸基が好ましい。
In formula (1), R 1 to R 4 each independently represent a hydrogen atom, a linear or branched alkyl group having 1 to 24 carbon atoms, a linear or branched alkoxy group having 1 to 24 carbon atoms, or an acidic group. , A hydroxy group, a nitro group, and a halogen atom, and at least one of R 1 to R 4 is an acidic group.
As the acidic group, a sulfonic acid group is preferable.

前記一般式(1)で表される単位としては、製造が容易な点で、R〜Rのうち、いずれか1つが炭素数1〜4の直鎖または分岐のアルコキシ基であり、他のいずれか1つがスルホン酸基であり、残りが水素原子であるものが好ましい。 As the unit represented by the general formula (1), one of R 1 to R 4 is a linear or branched alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms in terms of easy production, Any one of these is a sulfonic acid group, and the remainder is a hydrogen atom.

アニリン系ポリマーは、pHに関係なく水への溶解性に優れる観点から、アニリン系ポリマーを構成する全単位(100mol%)のうち、前記一般式(1)で表される単位を10〜100mol%含有することが好ましく、50〜100mol%含有することがより好ましく、100mol%含有することが特に好ましい。
また、アニリン系ポリマーは、前記一般式(1)で表される単位を1分子中に10以上含有することが好ましい。
From the viewpoint of excellent solubility in water regardless of pH, the aniline polymer contains 10 to 100 mol% of units represented by the general formula (1) among all units (100 mol%) constituting the aniline polymer. It is preferable to contain, it is more preferable to contain 50-100 mol%, and it is especially preferable to contain 100 mol%.
The aniline polymer preferably contains 10 or more units represented by the general formula (1) in one molecule.

また、アニリン系ポリマーは、溶解性向上の観点から、芳香環に対する酸性基の含有率が70%以上であるものが好ましく、80%以上であるものがより好ましく、90%以上であるものが特に好ましい。   The aniline-based polymer preferably has an acidic group content of 70% or more, more preferably 80% or more, particularly 90% or more, from the viewpoint of improving solubility. preferable.

さらに、アニリン系ポリマーは、前記一般式(1)で表される単位以外の構成単位として、溶解性等に影響を及ぼさない限り、置換または無置換のアニリン、チオフェン、ピロール、フェニレン、ビニレン、二価の不飽和基、二価の飽和基からなる群より選ばれる1種以上の単位を含んでいてもよい。   Furthermore, the aniline-based polymer is a structural unit other than the unit represented by the general formula (1) as long as it does not affect the solubility or the like, and is substituted or unsubstituted aniline, thiophene, pyrrole, phenylene, vinylene, diene. One or more units selected from the group consisting of a valent unsaturated group and a divalent saturated group may be included.

アニリン系ポリマーとしては、高い溶解性を発現できる観点から、下記一般式(3)で表される構造を有する化合物が好ましい。   As the aniline-based polymer, a compound having a structure represented by the following general formula (3) is preferable from the viewpoint of exhibiting high solubility.

Figure 2018199767
Figure 2018199767

式(3)中、R12〜R27は、各々独立に、水素原子、炭素数1〜24の直鎖もしくは分岐のアルキル基、炭素数1〜24の直鎖もしくは分岐のアルコキシ基、酸性基、ヒドロキシ基、ニトロ基、およびハロゲン原子からなる群より選ばれ、R12〜R27のうち少なくとも1つは酸性基である。また、nは重合度を示す。 In formula (3), R 12 to R 27 are each independently a hydrogen atom, a linear or branched alkyl group having 1 to 24 carbon atoms, a linear or branched alkoxy group having 1 to 24 carbon atoms, or an acidic group. , A hydroxy group, a nitro group, and a halogen atom, and at least one of R 12 to R 27 is an acidic group. N represents the degree of polymerization.

前記一般式(3)で表される構造を有する化合物の中でも、溶解性に優れる点で、ポリ(2−スルホ−5−メトキシ−1,4−イミノフェニレン)、ポリ(2−メトキシアニリン−5−スルホン酸)が特に好ましい。   Among the compounds having the structure represented by the general formula (3), poly (2-sulfo-5-methoxy-1,4-iminophenylene), poly (2-methoxyaniline-5) are excellent in solubility. -Sulfonic acid) is particularly preferred.

アニリン系ポリマーの質量平均分子量は、3000〜1000000が好ましく、5000〜80000がより好ましく、10000〜70000が特に好ましい。
ここで、アニリン系ポリマーの質量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC)によって測定される質量平均分子量(ポリスチレンスルホン酸ナトリウム換算)である。
The mass average molecular weight of the aniline-based polymer is preferably 3000 to 1000000, more preferably 5000 to 80000, and particularly preferably 10,000 to 70000.
Here, the mass average molecular weight of the aniline polymer is a mass average molecular weight (in terms of sodium polystyrene sulfonate) measured by gel permeation chromatography (GPC).

(アニリン系ポリマーの製造方法)
アニリン系ポリマーは公知の方法で製造できる。例えば、酸性基置換アニリン、そのアルカリ金属塩、アンモニウム塩および置換アンモニウム塩からなる群より選ばれる少なくとも1種の化合物(モノマー)を、塩基性反応助剤の存在下、酸化剤を用いて重合することで得られる。
(Method for producing aniline polymer)
The aniline polymer can be produced by a known method. For example, at least one compound (monomer) selected from the group consisting of acidic group-substituted anilines, alkali metal salts, ammonium salts and substituted ammonium salts thereof is polymerized using an oxidizing agent in the presence of a basic reaction aid. Can be obtained.

酸性基置換アニリンとしては、例えば酸性基としてスルホン酸基を有するスルホン酸基置換アニリンが挙げられる。
スルホン基置換アニリンとして代表的なものは、アミノベンゼンスルホン酸類であり、具体的には2−アミノベンゼンスルホン酸、3−アミノベンゼンスルホン酸、4−アミノベンゼンスルホン酸、アニリン−2,6−ジスルホン酸、アニリン−2,5−ジスルホン酸、アニリン−3,5−ジスルホン酸、アニリン−2,4−ジスルホン酸、アニリン−3,4−ジスルホン酸などが好ましく用いられる。
Examples of the acidic group-substituted aniline include sulfonic acid group-substituted anilines having a sulfonic acid group as an acidic group.
Typical examples of the sulfone group-substituted aniline are aminobenzene sulfonic acids, specifically 2-aminobenzene sulfonic acid, 3-aminobenzene sulfonic acid, 4-aminobenzene sulfonic acid, aniline-2,6-disulfone. Acid, aniline-2,5-disulfonic acid, aniline-3,5-disulfonic acid, aniline-2,4-disulfonic acid, aniline-3,4-disulfonic acid and the like are preferably used.

アミノベンゼンスルホン酸類以外のスルホン基置換アニリンとしては、例えばメチルアミノベンゼンスルホン酸、エチルアミノベンゼンスルホン酸、n−プロピルアミノベンゼンスルホン酸、iso−プロピルアミノベンゼンスルホン酸、n−ブチルアミノベンゼンスルホン酸、sec−ブチルアミノベンゼンスルホン酸、t−ブチルアミノベンゼンスルホン酸等のアルキル基置換アミノベンゼンスルホン酸類;メトキシアミノベンゼンスルホン酸(例えば2−メトキシアニリン−5−スルホン酸、2−メトキシアニリン−3−スルホン酸、3−メトキシアニリン−2−スルホン酸、3−メトキシアニリン−5−スルホン酸等)、エトキシアミノベンゼンスルホン酸、プロポキシアミノベンゼンスルホン酸等のアルコキシ基置換アミノベンゼンスルホン酸類;ヒドロキシ基置換アミノベンゼンスルホン酸類;ニトロ基置換アミノベンゼンスルホン酸類;フルオロアミノベンゼンスルホン酸、クロロアミノベンゼンスルホン酸、ブロムアミノベンゼンスルホン酸等のハロゲン置換アミノベンゼンスルホン酸類などを挙げることができる。
これらの中では、溶解性に特に優れるアニリン系ポリマーが得られる点で、アルキル基置換アミノベンゼンスルホン酸類、アルコキシ基置換アミノベンゼンスルホン酸類、ヒドロキシ基置換アミノベンゼンスルホン酸類、または、ハロゲン置換アミノベンゼンスルホン酸類が好ましく、製造が容易な点で、アルコキシ基置換アミノベンゼンスルホン酸類、そのアルカリ金属塩、アンモニウム塩および置換アンモニウム塩が特に好ましい。
これらのスルホン酸基置換アニリンはそれぞれ1種単独で用いてもよいし、2種以上を任意の割合で混合して用いてもよい。
Examples of sulfone group-substituted anilines other than aminobenzenesulfonic acids include methylaminobenzenesulfonic acid, ethylaminobenzenesulfonic acid, n-propylaminobenzenesulfonic acid, iso-propylaminobenzenesulfonic acid, n-butylaminobenzenesulfonic acid, alkyl group-substituted aminobenzenesulfonic acids such as sec-butylaminobenzenesulfonic acid and t-butylaminobenzenesulfonic acid; methoxyaminobenzenesulfonic acid (for example, 2-methoxyaniline-5-sulfonic acid, 2-methoxyaniline-3-sulfone) Acid, 3-methoxyaniline-2-sulfonic acid, 3-methoxyaniline-5-sulfonic acid, etc.), alkoxy group-substituted aminobenzes such as ethoxyaminobenzenesulfonic acid, propoxyaminobenzenesulfonic acid, etc. Hydroxy group-substituted aminobenzenesulfonic acids; Nitro group-substituted aminobenzenesulfonic acids; Halogen-substituted aminobenzenesulfonic acids such as fluoroaminobenzenesulfonic acid, chloroaminobenzenesulfonic acid, bromoaminobenzenesulfonic acid, etc. .
Among these, an alkyl group-substituted aminobenzene sulfonic acid, an alkoxy group-substituted aminobenzene sulfonic acid, a hydroxy group-substituted aminobenzene sulfonic acid, or a halogen-substituted aminobenzene sulfone is obtained in that an aniline polymer having particularly excellent solubility is obtained. Acids are preferred, and alkoxy group-substituted aminobenzenesulfonic acids, alkali metal salts, ammonium salts and substituted ammonium salts thereof are particularly preferred in terms of easy production.
Each of these sulfonic acid group-substituted anilines may be used alone or in a mixture of two or more at any ratio.

アニリン系ポリマーの製造に用いられる塩基性反応助剤としては、例えば無機塩基、アンモニア、脂式アミン類、環式飽和アミン類、環式不飽和アミン類などが用いられる。
塩基性反応助剤としては無機塩基が好ましく、具体的には水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化リチウムなどが挙げられる。
また、無機塩基以外では、メチルアミン、ジメチルアミン、トリメチルアミン、エチルアミン、ジエチルアミン、トリエチルアミン、エチルメチルアミン、エチルジメチルアミン、ジエチルメチルアミン等の脂式アミン類;ピリジン、α−ピコリン、β−ピコリン、γ−ピコリン等の環式不飽和アミン類が、塩基性反応助剤として好ましく用いられる。
これらの塩基性反応助剤はそれぞれ1種単独で用いてもよいし、2種以上を任意の割合で混合して用いてもよい。
Examples of the basic reaction aid used in the production of the aniline polymer include inorganic bases, ammonia, fatty amines, cyclic saturated amines, cyclic unsaturated amines, and the like.
As the basic reaction aid, an inorganic base is preferable, and specific examples include sodium hydroxide, potassium hydroxide, lithium hydroxide and the like.
In addition to inorganic bases, fatty amines such as methylamine, dimethylamine, trimethylamine, ethylamine, diethylamine, triethylamine, ethylmethylamine, ethyldimethylamine, diethylmethylamine; pyridine, α-picoline, β-picoline, γ -Cyclic unsaturated amines such as picoline are preferably used as basic reaction aids.
Each of these basic reaction aids may be used alone or in admixture of two or more at any ratio.

アニリン系ポリマーの製造に用いられる酸化剤としては、標準電極電位が0.6V以上である酸化剤であれば限定はないが、例えばペルオキソ二硫酸、ペルオキソ二硫酸アンモニウム、ペルオキソ二硫酸ナトリウム、ペルオキソ二硫酸カリウム等のペルオキソ二硫酸類;過酸化水素等を用いることが好ましい。
これらの酸化剤はそれぞれ1種単独で用いてもよいし、2種以上を任意の割合で混合して用いてもよい。
The oxidizing agent used in the production of the aniline polymer is not limited as long as the standard electrode potential is 0.6 V or more. For example, peroxodisulfuric acid, ammonium peroxodisulfate, sodium peroxodisulfate, peroxodisulfuric acid It is preferable to use peroxodisulfuric acid such as potassium; hydrogen peroxide or the like.
Each of these oxidizing agents may be used alone, or two or more kinds thereof may be mixed and used in an arbitrary ratio.

重合の方法としては、例えば、酸化剤溶液中にモノマーと塩基性反応助剤の混合溶液を滴下する方法、モノマーと塩基性反応助剤の混合溶液に酸化剤溶液を滴下する方法、反応容器等にモノマーと塩基性反応助剤の混合溶液と、酸化剤溶液を同時に滴下する方法などが挙げられる。   Examples of the polymerization method include, for example, a method of dropping a mixed solution of a monomer and a basic reaction aid in an oxidant solution, a method of dropping an oxidant solution in a mixed solution of a monomer and a basic reaction aid, a reaction vessel, and the like. And a method in which a mixed solution of a monomer and a basic reaction aid and an oxidizing agent solution are added dropwise at the same time.

重合後は、通常、遠心分離器等により溶媒を濾別する。さらに、必要に応じて濾過物を洗浄液により洗浄した後、乾燥させて、重合体(アニリン系ポリマー)を得る。   After polymerization, the solvent is usually filtered off with a centrifuge. Furthermore, the filtrate is washed with a washing liquid as necessary, and then dried to obtain a polymer (aniline polymer).

アニリン系ポリマーの原料となる酸性基置換アニリン等のモノマーには、製造時にナトリウムなどのアルカリ金属が混入しやすい。これは、アルカリ金属が酸性基のカウンターイオンとしてモノマー中に取り込まれるためと考えられる。そのため、アルカリ金属が混入したモノマーを重合して得られるアニリン系ポリマーにもアルカリ金属が含まれることとなる。このアルカリ金属は、FPD基板や半導体デバイス基板などの洗浄において洗浄液中に放出されて基板上に付着することがあり、基板の金属汚染の原因となる。   Monomers such as acidic group-substituted aniline, which are raw materials for aniline polymers, are likely to be mixed with alkali metals such as sodium during production. This is presumably because the alkali metal is incorporated into the monomer as the counter ion of the acidic group. Therefore, the aniline polymer obtained by polymerizing the monomer mixed with the alkali metal also contains the alkali metal. This alkali metal may be released into the cleaning liquid and adhere to the substrate during the cleaning of the FPD substrate, the semiconductor device substrate, and the like, causing metal contamination of the substrate.

しかし、本発明に用いるアニリン系ポリマーは水や水溶性有機溶媒への溶解性に優れることから、容易に精製できる。
精製されたアニリン系ポリマーは、アルカリ金属が十分に除去されているので、洗浄剤として用いた際に基板への金属汚染を防止できる。
However, since the aniline polymer used in the present invention is excellent in solubility in water or a water-soluble organic solvent, it can be easily purified.
In the purified aniline polymer, the alkali metal is sufficiently removed, so that it is possible to prevent metal contamination on the substrate when used as a cleaning agent.

アニリン系ポリマーの精製方法としては特に限定されず、イオン交換法、プロトン酸溶液中での酸洗浄、加熱処理による除去、中和析出などあらゆる方法を用いることができるが、イオン交換法が特に有効である。
イオン交換法を用いることにより、アニリン系ポリマーに混入したアルカリ金属を効果的に除去でき、純度の高いアニリン系ポリマーを得ることができる。
The purification method of the aniline polymer is not particularly limited, and any method such as an ion exchange method, acid washing in a proton acid solution, removal by heat treatment, neutralization precipitation can be used, but the ion exchange method is particularly effective. It is.
By using the ion exchange method, the alkali metal mixed in the aniline polymer can be effectively removed, and a highly pure aniline polymer can be obtained.

イオン交換法としては、陽イオン交換樹脂を用いたカラム式やバッチ式の処理;電気透析法などが挙げられる。
なお、イオン交換法でアルカリ金属を除去する場合は、重合で得られたアニリン系ポリマーを所望の固形分濃度になるように水性媒体に溶解させ、ポリマー溶液としてから陽イオン交換樹脂等に接触させることが好ましい。
ポリマー溶液中のアニリン系ポリマーの濃度としては、工業性や精製効率の観点から、0.1〜20質量%が好ましく、0.1〜10質量%がより好ましい。
Examples of the ion exchange method include column-type and batch-type treatment using a cation exchange resin; electrodialysis method and the like.
When removing the alkali metal by the ion exchange method, the aniline-based polymer obtained by the polymerization is dissolved in an aqueous medium so as to have a desired solid content concentration, and then the polymer solution is brought into contact with a cation exchange resin or the like. It is preferable.
As a density | concentration of the aniline type polymer in a polymer solution, 0.1-20 mass% is preferable from a viewpoint of industrial property or refinement | purification efficiency, and 0.1-10 mass% is more preferable.

水性媒体としては、水、水溶性有機溶剤、水と水溶性有機溶剤との混合溶剤が挙げられる。水溶性有機溶剤は水に可溶な有機溶剤であり、例えばメタノール、エタノール、2−プロパノール、1−プロパノール、1−ブタノール等のアルコール類;アセトン、メチルエチルケトン、エチルイソブチルケトン、メチルイソブチルケトン等のケトン類;エチレングリコール、エチレングリコールメチルエーテル、エチレングリコールモノ−n−プロピルエーテル等のエチレングリコール類;プロピレングリコール、プロピレングリコールメチルエーテル、プロピレングリコールエチルエーテル、プロピレングリコールブチルエーテル、プロピレングリコールプロピルエーテル等のプロピレングリコール類;ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド等のアミド類;N−メチルピロリドン、N−エチルピロリドン等のピロリドン類;乳酸メチル、乳酸エチル、β−メトキシイソ酪酸メチル、α−ヒドロキシイソ酪酸メチル等のヒドロキシエステル類などが挙げられる。   Examples of the aqueous medium include water, a water-soluble organic solvent, and a mixed solvent of water and a water-soluble organic solvent. The water-soluble organic solvent is an organic solvent soluble in water, for example, alcohols such as methanol, ethanol, 2-propanol, 1-propanol and 1-butanol; ketones such as acetone, methyl ethyl ketone, ethyl isobutyl ketone and methyl isobutyl ketone Ethylene glycols such as ethylene glycol, ethylene glycol methyl ether and ethylene glycol mono-n-propyl ether; propylene glycols such as propylene glycol, propylene glycol methyl ether, propylene glycol ethyl ether, propylene glycol butyl ether and propylene glycol propyl ether Amides such as dimethylformamide and dimethylacetamide; pyrrolidones such as N-methylpyrrolidone and N-ethylpyrrolidone; milk Methyl, ethyl lactate, beta-methoxyisobutyrate methyl butyrate, hydroxypropyl esters such as α- hydroxy methyl isobutyrate and the like.

陽イオン交換樹脂としては、市販品を用いることができ、例えばオルガノ株式会社製の「アンバーライト」などの強酸型の陽イオン交換樹脂が好ましい。
陽イオン交換樹脂の形態については特に限定されることなく、種々の形態のものを使用でき、例えば球状細粒、膜状や繊維状などが挙げられる。
アニリン系ポリマーに対する陽イオン交換樹脂の量は、アニリン系ポリマー100質量部に対して100〜2000質量部が好ましく、500〜1500質量部がより好ましい。陽イオン交換樹脂の量が100質量部未満であると、アルカリ金属が十分に除去されにくい。一方、陽イオン交換樹脂の量が2000質量部を超えると、ポリマー溶液に対して過剰量となるため、陽イオン交換樹脂に接触させて陽イオン交換処理した後の、ポリマー溶液の回収が困難となる。
Commercially available products can be used as the cation exchange resin, and strong acid type cation exchange resins such as “Amberlite” manufactured by Organo Corporation are preferred.
The form of the cation exchange resin is not particularly limited, and various forms can be used. Examples thereof include spherical fine particles, membranes, and fibers.
The amount of the cation exchange resin relative to the aniline polymer is preferably 100 to 2000 parts by mass, more preferably 500 to 1500 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the aniline polymer. When the amount of the cation exchange resin is less than 100 parts by mass, the alkali metal is not easily removed. On the other hand, when the amount of the cation exchange resin exceeds 2000 parts by mass, the amount becomes excessive with respect to the polymer solution. Therefore, it is difficult to recover the polymer solution after the cation exchange resin is brought into contact with the cation exchange resin. Become.

ポリマー溶液と、陽イオン交換樹脂の接触方法としては、例えば、容器にポリマー溶液と陽イオン交換樹脂を入れ、攪拌または回転させることで、陽イオン交換樹脂と接触させる方法が挙げられる。
また、陽イオン交換樹脂をカラムに充填し、ポリマー溶液を、好ましくはSV=0.01〜20、より好ましくはSV=0.2〜10の流量で通過させて、陽イオン交換処理を行う方法でもよい。
ここで、空間速度SV(1/hr)=流量(m/hr)/濾材量(体積:m)である。
Examples of the method for contacting the polymer solution and the cation exchange resin include a method in which the polymer solution and the cation exchange resin are placed in a container and stirred or rotated to contact the cation exchange resin.
Also, a method of performing cation exchange treatment by filling a column with a cation exchange resin and passing the polymer solution at a flow rate of preferably SV = 0.01 to 20, more preferably SV = 0.2 to 10. But you can.
Here, space velocity SV (1 / hr) = flow rate (m 3 / hr) / filter medium amount (volume: m 3 ).

ポリマー溶液と、陽イオン交換樹脂を接触させる時間は、精製効率の観点から、0.1時間以上が好ましく、0.5時間以上がより好ましい。
なお、接触時間の上限値については特に制限されず、ポリマー溶液の濃度、陽イオン交換樹脂の量、後述する接触温度などの条件に併せて、適宜設定すればよい。
ポリマー溶液と、陽イオン交換樹脂を接触させる際の温度は、工業的観点から、10〜50℃が好ましく、10〜30℃がより好ましい。
The time for bringing the polymer solution into contact with the cation exchange resin is preferably 0.1 hours or more, and more preferably 0.5 hours or more, from the viewpoint of purification efficiency.
The upper limit value of the contact time is not particularly limited, and may be set as appropriate in accordance with conditions such as the concentration of the polymer solution, the amount of cation exchange resin, and a contact temperature described later.
The temperature at which the polymer solution and the cation exchange resin are brought into contact is preferably 10 to 50 ° C, more preferably 10 to 30 ° C, from an industrial viewpoint.

電気透析法の場合、電気透析法のイオン交換膜は特に限定はされないが、不純物の拡散による浸透をより抑制するために、一価のイオンを選択的に透過する処理が施されたイオン交換膜であって、分画分子量が300以下のものを使用することが好ましい。このようなイオン交換膜としては、例えば株式会社アストム製の「ネオセプタCMK(カチオン交換膜、分画分子量300)」、「ネオセプタAMX(アニオン交換膜、分画分子量300)」などが好適である。また、電気透析法に用いるイオン交換膜として、アニオン交換層、カチオン交換層を張り合わせた構造を持ったイオン交換膜であるバイポーラ膜を用いてもよい。このようなバイポーラ膜としては、例えば株式会社アストム製の「PB−1E/CMB」などが好適である。電気透析における電流密度は限界電流密度以下であることが好ましい。バイポーラ膜での印加電圧は、10〜50Vが好ましく、25〜35Vがより好ましい。   In the case of the electrodialysis method, the ion exchange membrane of the electrodialysis method is not particularly limited, but in order to further suppress permeation due to diffusion of impurities, an ion exchange membrane that has been subjected to a treatment that selectively permeates monovalent ions. In addition, it is preferable to use one having a molecular weight cut-off of 300 or less. As such an ion exchange membrane, for example, “Neocepta CMK (cation exchange membrane, fractional molecular weight 300)”, “Neoceptor AMX (anion exchange membrane, fractional molecular weight 300)” manufactured by Astom Co., Ltd. and the like are suitable. In addition, as an ion exchange membrane used in the electrodialysis method, a bipolar membrane which is an ion exchange membrane having a structure in which an anion exchange layer and a cation exchange layer are bonded together may be used. As such a bipolar film, for example, “PB-1E / CMB” manufactured by Astom Co., Ltd. is suitable. The current density in electrodialysis is preferably less than the limit current density. The applied voltage in the bipolar film is preferably 10 to 50V, and more preferably 25 to 35V.

このようにして精製されたアニリン系ポリマーは、アルカリ金属が十分に除去されている。
なお、精製後のアニリン系ポリマーは、水などの水性媒体に溶解した状態である。従って、エバポレータなどで水性媒体を除去すれば固体状のアニリン系ポリマーが得られるが、アニリン系ポリマーは水性媒体に溶解した状態のまま洗浄剤に用いてもよい。
The alkali metal is sufficiently removed from the aniline-based polymer thus purified.
The purified aniline-based polymer is in a state dissolved in an aqueous medium such as water. Therefore, if the aqueous medium is removed with an evaporator or the like, a solid aniline polymer can be obtained. However, the aniline polymer may be used as a cleaning agent in a state dissolved in the aqueous medium.

洗浄剤中のアニリン系ポリマーの含有量は純分換算(固形分換算)で、洗浄剤の総質量に対して0.1質量%以上が好ましく、0.5質量%以上がより好ましく、1質量%以上がさらに好ましい。アニリン系ポリマーの含有量が0.1質量%以上であれば、FPD基板や半導体デバイス基板などを十分に洗浄できる。
洗浄剤中のアニリン系ポリマーの含有量は純分換算(固形分換算)で、洗浄剤の総質量に対して20質量%以下が好ましく、15質量%以下がより好ましく、10質量%以下がさらに好ましい。
The content of the aniline polymer in the cleaning agent is calculated in terms of pure content (converted to solid content), preferably 0.1% by mass or more, more preferably 0.5% by mass or more, and more preferably 1% by mass with respect to the total mass of the cleaning agent % Or more is more preferable. If the content of the aniline polymer is 0.1% by mass or more, the FPD substrate, the semiconductor device substrate and the like can be sufficiently cleaned.
The content of the aniline polymer in the cleaning agent is calculated in terms of pure content (solid content conversion), preferably 20% by mass or less, more preferably 15% by mass or less, and further preferably 10% by mass or less, based on the total mass of the cleaning agent. preferable.

<水>
水としては、水道水、イオン交換水、純水、蒸留水などが挙げられる。
水性媒体として水を用いてアニリン系ポリマーを精製し、精製後のアニリン系ポリマーを水に溶解した状態のまま用いる場合は、洗浄剤中のアニリン系ポリマーの含有量が上記範囲内となるように、濃縮したり水を加えて希釈したりしてもよい。
<Water>
Examples of water include tap water, ion exchange water, pure water, and distilled water.
When purifying an aniline polymer using water as an aqueous medium and using the purified aniline polymer as it is dissolved in water, the content of the aniline polymer in the cleaning agent is within the above range. Alternatively, it may be concentrated or diluted by adding water.

洗浄剤中の水の含有量は、洗浄剤の総質量に対して80〜99.9質量%が好ましく、85〜99.5質量%がより好ましく、90〜99質量%がさらに好ましい。
なお、洗浄剤に含まれるアニリン系ポリマーおよび水の含有量の合計が、洗浄剤の総質量に対して100質量%を超えないものとする。
The content of water in the cleaning agent is preferably 80 to 99.9% by mass, more preferably 85 to 99.5% by mass, and still more preferably 90 to 99% by mass with respect to the total mass of the cleaning agent.
In addition, the sum total of content of the aniline polymer and water contained in a cleaning agent shall not exceed 100 mass% with respect to the total mass of a cleaning agent.

<任意成分>
洗浄剤は、アニリン系ポリマーおよび水以外の成分(任意成分)を含有してもよい。
任意成分としては、有機溶剤、各種添加剤などが挙げられる。
<Optional component>
The cleaning agent may contain components (optional components) other than the aniline polymer and water.
Examples of optional components include organic solvents and various additives.

有機溶剤としては、水に可溶な水溶性有機溶剤が好ましい。水溶性有機溶剤としては、アニリン系ポリマーの精製の説明において、水性媒体として先に例示した水溶性有機溶剤が挙げられる。
洗浄剤中の有機溶剤の含有量は、洗浄剤の総質量に対して1〜99質量%が好ましく、3〜95質量%がより好ましく、5〜90質量%がさらに好ましい。
The organic solvent is preferably a water-soluble organic solvent that is soluble in water. Examples of the water-soluble organic solvent include the water-soluble organic solvents exemplified above as the aqueous medium in the description of the purification of the aniline-based polymer.
1-99 mass% is preferable with respect to the total mass of a cleaning agent, as for content of the organic solvent in a cleaning agent, 3-95 mass% is more preferable, and 5-90 mass% is further more preferable.

添加剤としては、FPD基板や半導体デバイス基板などの洗浄に用いる洗浄剤に含まれる公知の添加剤が挙げられ、具体的には、酸化防止剤、防錆剤、pH調整剤、緩衝剤、消泡剤、防腐剤、ハイドロトロープ剤などが挙げられる。
なお、FPD基板や半導体デバイス基板などの洗浄時における金属膜の腐食防止や、泡立ち防止を考慮すると、洗浄剤はアニオン界面活性剤等の界面活性剤を実質的に含まないことが好ましい。ここで、「実質的に含まない」とは、洗浄剤の総質量に対して、0.1質量%以下を意味する。
Examples of the additive include known additives contained in cleaning agents used for cleaning FPD substrates, semiconductor device substrates, and the like. Specifically, antioxidants, rust inhibitors, pH adjusters, buffers, Examples include foaming agents, preservatives, and hydrotropes.
Note that it is preferable that the cleaning agent does not substantially contain a surfactant such as an anionic surfactant in consideration of prevention of corrosion of the metal film and prevention of foaming at the time of cleaning the FPD substrate and the semiconductor device substrate. Here, “substantially free” means 0.1 mass% or less with respect to the total mass of the cleaning agent.

洗浄剤が任意成分を含有する場合、洗浄剤に含まれるアニリン系ポリマー、水および任意成分の含有量の合計が、洗浄剤の総質量に対して100質量%を超えないものとする。   When the cleaning agent contains optional components, the total content of the aniline polymer, water and optional components contained in the cleaning agent does not exceed 100% by mass with respect to the total mass of the cleaning agent.

<洗浄剤の製造方法>
本発明の洗浄剤は、上述したアニリン系ポリマーと、水と、必要に応じて任意成分とを混合して製造することができる。
また、上述したように、精製後のアニリン系ポリマーは水性媒体に溶解した状態であることから、水性媒体に溶解した精製後のアニリン系ポリマーをそのまま洗浄剤として用いてもよいし、必要に応じて濃縮したり、水で希釈したり、任意成分を添加したりして、洗浄剤としてもよい。
<Manufacturing method of cleaning agent>
The cleaning agent of the present invention can be produced by mixing the above-mentioned aniline polymer, water, and optional components as necessary.
Further, as described above, since the purified aniline polymer is in a state dissolved in an aqueous medium, the purified aniline polymer dissolved in an aqueous medium may be used as a cleaning agent as it is, or as necessary. It is also possible to concentrate it, dilute it with water, or add optional ingredients to make it a cleaning agent.

このようにして得られた洗浄剤は、アルカリ金属の含有量が十分に低減されている。洗浄剤中のアルカリ金属の含有量は、洗浄剤の総質量に対して1質量ppm以下が好ましく、0.95質量ppm以下がより好ましく、0.9質量ppm以下がさらに好ましい。洗浄剤中のアルカリ金属の含有量は少ないほど好ましく、下限値は0質量ppmが好ましい。
ここで、洗浄剤中のアルカリ金属の含有量は、高周波誘導結合プラズマ質量分析計(ICP−MS)を用いて金属分析することにより求められる。
The cleaning agent thus obtained has a sufficiently reduced alkali metal content. The content of the alkali metal in the cleaning agent is preferably 1 ppm by mass or less, more preferably 0.95 ppm by mass or less, and further preferably 0.9 ppm by mass or less with respect to the total mass of the cleaning agent. The smaller the alkali metal content in the cleaning agent, the better, and the lower limit is preferably 0 mass ppm.
Here, the content of the alkali metal in the cleaning agent is determined by performing metal analysis using a high frequency inductively coupled plasma mass spectrometer (ICP-MS).

<作用効果>
以上説明した本発明の洗浄剤は、酸性基を有するアニリン系ポリマーと、水とを含有する。
酸性基を有するアニリン系ポリマーの原料となるモノマーには、製造時にナトリウム等のアルカリ金属が混入しやすい。モノマーは水に溶けにくいため精製しにくく、アルカリ金属を除去しにくい。このアルカリ金属が、FPD基板や半導体デバイス基板などの洗浄において洗浄液中に放出されて基板上に付着することがあり、基板への金属汚染の原因となる。
<Effect>
The cleaning agent of the present invention described above contains an aniline polymer having an acidic group and water.
An alkali metal such as sodium is likely to be mixed in the monomer as a raw material of the aniline polymer having an acidic group during the production. Monomers are difficult to purify because they are hardly soluble in water, and alkali metals are difficult to remove. This alkali metal may be released into the cleaning liquid and adhere to the substrate during cleaning of an FPD substrate, a semiconductor device substrate, or the like, which causes metal contamination of the substrate.

しかし、本発明の洗浄剤に含まれる酸性基を有するアニリン系ポリマーは水溶性であり、水や水溶性有機溶媒への溶解性に優れる。そのため、イオン交換法などによって容易に精製でき、アルカリ金属を十分に除去できる。よって、本発明の洗浄剤は、アルカリ金属の含有量が十分に低減されたものとなりやすく、基板への金属汚染を防止できる。   However, the aniline-based polymer having an acidic group contained in the cleaning agent of the present invention is water-soluble and excellent in solubility in water or a water-soluble organic solvent. Therefore, it can be easily purified by an ion exchange method or the like, and the alkali metal can be sufficiently removed. Therefore, the cleaning agent of the present invention tends to have a sufficiently reduced alkali metal content, and can prevent metal contamination of the substrate.

しかも、本発明の洗浄剤は界面活性剤を含有する必要がないので、泡立ちにくく、金属に対する腐食性も低い。   Moreover, since the cleaning agent of the present invention does not need to contain a surfactant, it is hard to foam and has low corrosiveness to metals.

また、上述したように従来の洗浄剤は使用時にpHの制約があった。例えば、特許文献2に記載の洗浄剤は、モノマーであるアミノベンゼンスルホン酸を水に溶解させるために、pHを6〜11に調整する必要があると考えられる。
しかし、本発明の洗浄剤に含まれる酸性基を有するアニリン系ポリマーは水溶性であるため、pH調整しなくても水に溶解できる。よって、本発明の洗浄剤であれば、アルカリ性はもちろんのこと、酸性の状態でも使用でき、使用時にpHの制約がない。
Further, as described above, the conventional cleaning agent has a restriction on pH during use. For example, it is considered that the cleaning agent described in Patent Document 2 needs to be adjusted to pH 6 to 11 in order to dissolve aminobenzenesulfonic acid as a monomer in water.
However, since the aniline-based polymer having an acidic group contained in the cleaning agent of the present invention is water-soluble, it can be dissolved in water without adjusting the pH. Therefore, the cleaning agent of the present invention can be used in an acidic state as well as alkaline, and there is no restriction on pH during use.

<用途>
本発明の洗浄剤は、電子材料を洗浄するための洗浄剤として用いることができる。
洗浄の対象(被洗浄物)となる電子材料としては、FPD基板、半導体デバイス基板、磁気ディスク基板、フォトマスク基板、太陽電池用基板、プリント基板、電子部品などが挙げられる。これらの中でも、本発明の洗浄剤は、FPD基板や半導体デバイス基板の洗浄剤として好適である。
<Application>
The cleaning agent of the present invention can be used as a cleaning agent for cleaning electronic materials.
Examples of electronic materials to be cleaned (objects to be cleaned) include an FPD substrate, a semiconductor device substrate, a magnetic disk substrate, a photomask substrate, a solar cell substrate, a printed circuit board, and an electronic component. Among these, the cleaning agent of the present invention is suitable as a cleaning agent for FPD substrates and semiconductor device substrates.

例えば、本発明の洗浄剤をFPD基板用として用いる場合、FPDの製造工程のうち、エッチングにより生じた金属の削りカスやレジスト膜の除去を目的とする洗浄工程で使用する洗浄剤として適用することが好ましい。
本発明の洗浄剤を半導体デバイス基板用として用いる場合、半導体デバイスの製造工程のうち、CMPにより生じた金属の研磨カスや研磨剤の除去を目的とする洗浄工程で使用する洗浄剤として適用することが好ましい。
For example, when the cleaning agent of the present invention is used for an FPD substrate, it is applied as a cleaning agent used in a cleaning process for the purpose of removing metal scraps and resist films generated by etching in the FPD manufacturing process. Is preferred.
When the cleaning agent of the present invention is used for a semiconductor device substrate, it should be applied as a cleaning agent used in a cleaning process for the purpose of removing metal debris and abrasives generated by CMP in a semiconductor device manufacturing process. Is preferred.

以下、本発明を実施例により更に詳しく説明するが、以下の実施例は本発明の範囲を限定するものではない。
なお、実施例および比較例における各種測定・評価方法は以下の通りである。
EXAMPLES Hereinafter, although an Example demonstrates this invention further in detail, a following example does not limit the scope of the present invention.
The various measurement / evaluation methods in Examples and Comparative Examples are as follows.

<測定・評価方法>
(アルカリ金属の含有量の測定)
洗浄剤の総質量に対するナトリウムイオンの含有量をICP−MSを用いて測定した。
<Measurement and evaluation method>
(Measurement of alkali metal content)
The content of sodium ions relative to the total mass of the cleaning agent was measured using ICP-MS.

(腐食防止性の評価)
試験片として、予め脱脂および表面研磨したアルミニウム基材(ISO 7075−T6相当品)を用いた。試験片の質量および材料密度を測定しておいた。
洗浄剤100質量部に試験片を浸漬し、55℃±1℃で7日間保持した後、洗浄剤から試験片を取り出した。試験片に付着した洗浄剤を除去し、試験片を乾燥した後、試験片の質量を測定した。これを浸漬後の試験片の質量とし、下記式(I)より試験片の浸食度を求めた。
X={(W−W)×10×365)}/(d×S×T) ・・・(I)
(式(I)中、「X」は試験片の浸食度[mm/年]であり、「W」は洗浄剤に浸漬する前の試験片の質量[g]であり、「W」は浸漬後の試験片の質量[g]であり、「d」は洗浄剤に浸漬する前の試験片の材料密度[g/cm]であり、「S」は試験片の浸漬面積[cm]であり、「T」は浸漬日数(保持日数)である。)
(Evaluation of corrosion prevention)
As a test piece, an aluminum substrate (ISO 7075-T6 equivalent product) that was previously degreased and surface-polished was used. The mass and material density of the specimen were measured.
After immersing the test piece in 100 parts by mass of the cleaning agent and holding it at 55 ° C. ± 1 ° C. for 7 days, the test piece was taken out from the cleaning agent. After removing the cleaning agent adhering to the test piece and drying the test piece, the mass of the test piece was measured. This was the mass of the test piece after immersion, and the degree of erosion of the test piece was determined from the following formula (I).
X = {(W 1 −W 2 ) × 10 × 365)} / (d × S × T) (I)
(In formula (I), “X” is the erosion degree [mm / year] of the test piece, “W 1 ” is the mass [g] of the test piece before dipping in the cleaning agent, and “W 2 ”. Is the mass [g] of the test piece after immersion, “d” is the material density [g / cm 2 ] of the test piece before being immersed in the cleaning agent, and “S” is the immersion area [cm] of the test piece. 2 ], and “T” is the number of immersion days (retention days).)

以下の評価基準にて金属に対する腐食防止性を評価した。
○:浸食度が6.25mm/年未満である。
×:浸食度が6.25mm/年以上である。
The corrosion resistance against metals was evaluated according to the following evaluation criteria.
○: Erosion degree is less than 6.25 mm / year.
X: Erosion degree is 6.25 mm / year or more.

(泡立ち防止性の評価)
30mLのガラス製サンプル瓶に洗浄剤10gを投入し、30秒間激しく振とうさせた後、1分間放置した。放置後の泡の状態を目視にて観察し、以下の評価基準にて泡立ち防止性を評価した。
○:泡が確認できない。
×:泡が確認される。
(Evaluation of foaming prevention)
10 g of the cleaning agent was put into a 30 mL glass sample bottle, vigorously shaken for 30 seconds, and then left for 1 minute. The state of the foam after standing was visually observed, and the antifoaming property was evaluated according to the following evaluation criteria.
○: No bubbles can be confirmed.
X: A bubble is confirmed.

(金属汚染防止性の評価)
被洗浄物として、シリコンウェハを用いた。
洗浄剤100質量部に、被洗浄物を浸漬し、25℃で2時間保持した後、洗浄剤から被洗浄物を取り出した。被洗浄物に付着した洗浄剤を除去し、被洗浄物を乾燥した後に、被洗浄物を超純水100質量部に浸漬し、25℃で12時間保持した。保持後の超純水の総質量に対するナトリウムイオンの含有量をICP−MSを用いて測定し、以下の評価基準にて金属汚染防止性を評価した。
○:超純水中のナトリウムイオンの含有量が1質量ppm未満である。
×:超純水中のナトリウムイオンの含有量が1質量ppm以上である。
(Evaluation of metal contamination prevention)
A silicon wafer was used as an object to be cleaned.
The object to be cleaned was immersed in 100 parts by mass of the cleaning agent and held at 25 ° C. for 2 hours, and then the object to be cleaned was taken out from the cleaning agent. After removing the cleaning agent adhering to the object to be cleaned and drying the object to be cleaned, the object to be cleaned was immersed in 100 parts by mass of ultrapure water and kept at 25 ° C. for 12 hours. The content of sodium ions relative to the total mass of the ultrapure water after the retention was measured using ICP-MS, and the metal contamination prevention property was evaluated according to the following evaluation criteria.
A: The content of sodium ions in the ultrapure water is less than 1 mass ppm.
X: Content of sodium ion in ultrapure water is 1 mass ppm or more.

「実施例1」
<酸性基を有するアニリン系ポリマーの製造>
2−メトキシアニリン−5−スルホン酸100mmolを、4mol/L濃度のトリエチルアミン溶液(溶媒:水/アセトニトリル=5/5)300mLに25℃で溶解し、モノマー溶液を得た。
別途、ペルオキソ二硫酸アンモニウム100mmolを、水/アセトニトリル=5/5の溶液に溶解し、酸化剤溶液を得た。
ついで、酸化剤溶液をモノマー溶液に滴下した。滴下終了後、25℃で12時間さらに攪拌した後、反応生成物を遠心濾過器にて濾別した。さらに、反応生成物をメタノールにて洗浄した後、乾燥させ、粉末状のポリマー(ポリ(2−メトキシアニリン−5−スルホン酸))を15g得た。
"Example 1"
<Production of aniline-based polymer having acidic group>
100 mmol of 2-methoxyaniline-5-sulfonic acid was dissolved in 300 mL of a 4 mol / L triethylamine solution (solvent: water / acetonitrile = 5/5) at 25 ° C. to obtain a monomer solution.
Separately, 100 mmol of ammonium peroxodisulfate was dissolved in a solution of water / acetonitrile = 5/5 to obtain an oxidant solution.
Subsequently, the oxidizing agent solution was dropped into the monomer solution. After completion of the dropwise addition, the mixture was further stirred at 25 ° C. for 12 hours, and then the reaction product was separated by a centrifugal filter. Further, the reaction product was washed with methanol and dried to obtain 15 g of a powdery polymer (poly (2-methoxyaniline-5-sulfonic acid)).

得られた粉末状のポリマー10質量部を100質量部の水に溶解し、ポリマー溶液を得た。
超純水により洗浄した陽イオン交換樹脂(オルガノ株式会社製、「アンバーライトIR−120B」)を、ポリマー溶液100質量部に対して50質量部となるようにカラムに充填した。
このカラムに、ポリマー溶液を通過させて陽イオン交換処理を行い、ポリ(2−メトキシアニリン−5−スルホン酸)を精製した。精製されたポリ(2−メトキシアニリン−5−スルホン酸)は水に溶解した水溶液の状態であり、ポリ(2−メトキシアニリン−5−スルホン酸)水溶液の総質量に対するポリ(2−メトキシアニリン−5−スルホン酸)の含有量は、9.1質量%である。
10 parts by mass of the obtained powdery polymer was dissolved in 100 parts by mass of water to obtain a polymer solution.
A cation exchange resin (manufactured by Organo Corporation, “Amberlite IR-120B”) washed with ultrapure water was packed in a column so as to be 50 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the polymer solution.
The polymer solution was passed through this column for cation exchange treatment to purify poly (2-methoxyaniline-5-sulfonic acid). The purified poly (2-methoxyaniline-5-sulfonic acid) is in the form of an aqueous solution dissolved in water, and the poly (2-methoxyaniline-5-sulfonic acid) is added to the total mass of the aqueous poly (2-methoxyaniline-5-sulfonic acid) solution. The content of (5-sulfonic acid) is 9.1% by mass.

<洗浄剤の製造>
ポリ(2−メトキシアニリン−5−スルホン酸)水溶液の総質量に対するポリ(2−メトキシアニリン−5−スルホン酸)の含有量が2質量%になるまで水を加えて希釈し、洗浄剤を得た。
得られた洗浄剤の総質量に対するナトリウムイオンの含有量を測定した。結果を表1に示す。
また、得られた洗浄剤について、腐食防止性、泡立ち防止性および金属汚染防止性を評価した。これらの結果を表1に示す。
<Manufacture of cleaning agent>
Diluting by adding water until the content of poly (2-methoxyaniline-5-sulfonic acid) is 2% by mass relative to the total mass of the aqueous solution of poly (2-methoxyaniline-5-sulfonic acid) to obtain a cleaning agent It was.
The content of sodium ions relative to the total mass of the obtained cleaning agent was measured. The results are shown in Table 1.
Moreover, about the obtained cleaning agent, corrosion prevention property, foaming prevention property, and metal contamination prevention property were evaluated. These results are shown in Table 1.

「比較例1」
スルファミン酸(和光純薬工業株式会社製)2質量部と、アニオン界面活性剤としてポリスチレンスルホン酸ナトリウム(東ソー有機化学株式会社製、「ポリナスPS−5」)0.2質量部と、水97.8質量部とを混合し、洗浄剤を得た。
得られた洗浄剤の総質量に対するナトリウムイオンの含有量を測定した。結果を表1に示す。
また、得られた洗浄剤について、腐食防止性、泡立ち防止性および金属汚染防止性を評価した。これらの結果を表1に示す。
"Comparative Example 1"
2 parts by mass of sulfamic acid (manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.), 0.2 part by mass of sodium polystyrene sulfonate (manufactured by Tosoh Organic Chemical Co., Ltd., “Polynas PS-5”) as an anionic surfactant, and 97. 8 parts by mass was mixed to obtain a cleaning agent.
The content of sodium ions relative to the total mass of the obtained cleaning agent was measured. The results are shown in Table 1.
Moreover, about the obtained cleaning agent, corrosion prevention property, foaming prevention property, and metal contamination prevention property were evaluated. These results are shown in Table 1.

「比較例2」
4−アミノベンゼンスルホン酸ナトリウム2質量部と、水98質量部とを混合し、洗浄剤を得た。
得られた洗浄剤の総質量に対するナトリウムイオンの含有量を測定した。結果を表1に示す。
また、得られた洗浄剤について、腐食防止性、泡立ち防止性および金属汚染防止性を評価した。これらの結果を表1に示す。
"Comparative Example 2"
2 parts by mass of sodium 4-aminobenzenesulfonate and 98 parts by mass of water were mixed to obtain a cleaning agent.
The content of sodium ions relative to the total mass of the obtained cleaning agent was measured. The results are shown in Table 1.
Moreover, about the obtained cleaning agent, corrosion prevention property, foaming prevention property, and metal contamination prevention property were evaluated. These results are shown in Table 1.

「比較例3」
4−アミノベンゼンスルホン酸ナトリウム5質量部と水95質量部とを混合し、モノマー分散液を調製した。
得られたモノマー分散液について、実施例1と同様にして陽イオン交換処理を試みたが、析出物が生じてカラムが詰まってしまい、モノマー分散液を回収できなかった。
“Comparative Example 3”
A monomer dispersion was prepared by mixing 5 parts by mass of sodium 4-aminobenzenesulfonate and 95 parts by mass of water.
The obtained monomer dispersion was subjected to a cation exchange treatment in the same manner as in Example 1. However, precipitates were generated, the column was clogged, and the monomer dispersion could not be recovered.

Figure 2018199767
Figure 2018199767

表1から明らかなように、実施例1で得られた洗浄剤は、浸食度が6.25mm/年未満であり、金属に対する腐食性が低かった。また、実施例1で得られた洗浄剤は、泡立ちにくかった。さらに、実施例1で得られた洗浄剤は、金属汚染防止性の評価における超純水中のナトリウムイオンの含有量が1質量ppm未満であり、被洗浄物への金属汚染を防止できた。
このように、実施例1で得られた洗浄剤は、金属に対する腐食性が低く、洗浄時に泡立ちにくく、基板への金属汚染を防止できることから、電子材料の洗浄剤として適している。
As is clear from Table 1, the cleaning agent obtained in Example 1 had a degree of erosion of less than 6.25 mm / year and low corrosiveness to metals. Moreover, the cleaning agent obtained in Example 1 was difficult to foam. Furthermore, the cleaning agent obtained in Example 1 had a sodium ion content of less than 1 mass ppm in ultrapure water in the evaluation of metal contamination prevention properties, and was able to prevent metal contamination on the object to be cleaned.
As described above, the cleaning agent obtained in Example 1 is suitable as a cleaning agent for electronic materials because it has low corrosiveness to metals, hardly foams during cleaning, and can prevent metal contamination of the substrate.

一方、比較例1で得られた洗浄剤は、腐食防止性および泡立ち防止性に劣っていた。また、比較例1で得られた洗浄剤はナトリウムイオンの含有量が220質量ppmと高く、金属汚染防止性にも劣っていた。
比較例2で得られた洗浄剤は、金属に対する腐食性が低く、泡立ちにくかったが、ナトリウムイオンの含有量が300質量ppmと高く、金属汚染防止性にも劣っていた。そこで、モノマーである4−アミノベンゼンスルホン酸ナトリウムを精製しようと試みたが(比較例3)、4−アミノベンゼンスルホン酸ナトリウムは水に溶解しにくいため、精製ができなかった。
On the other hand, the cleaning agent obtained in Comparative Example 1 was inferior in corrosion prevention and foaming prevention. In addition, the detergent obtained in Comparative Example 1 had a high sodium ion content of 220 ppm by mass and was inferior in metal contamination prevention.
The cleaning agent obtained in Comparative Example 2 had low corrosiveness to metals and was difficult to foam, but had a high sodium ion content of 300 ppm by mass and was inferior in metal contamination prevention. Therefore, an attempt was made to purify sodium 4-aminobenzenesulfonate, which is a monomer (Comparative Example 3), but purification was not possible because sodium 4-aminobenzenesulfonate was difficult to dissolve in water.

本発明の洗浄剤は、FPD基板、半導体デバイス基板等の電子材料の洗浄剤として有用である。   The cleaning agent of the present invention is useful as a cleaning agent for electronic materials such as FPD substrates and semiconductor device substrates.

Claims (4)

酸性基を有するアニリン系ポリマーと、水とを含有する、洗浄剤。   A cleaning agent comprising an aniline-based polymer having an acidic group and water. アルカリ金属の含有量が1質量ppm以下である、請求項1に記載の洗浄剤。   The cleaning agent according to claim 1, wherein the alkali metal content is 1 mass ppm or less. 前記アニリン系ポリマーが下記一般式(1)で表される単位を有する、請求項1または2に記載の洗浄剤。
Figure 2018199767
式(1)中、R〜Rは、各々独立に、水素原子、炭素数1〜24の直鎖もしくは分岐のアルキル基、炭素数1〜24の直鎖もしくは分岐のアルコキシ基、酸性基、ヒドロキシ基、ニトロ基、およびハロゲン原子からなる群より選ばれ、R〜Rのうちの少なくとも1つは酸性基である。ここで、酸性基とはスルホン酸基またはカルボキシ基である。
The cleaning agent according to claim 1 or 2, wherein the aniline polymer has a unit represented by the following general formula (1).
Figure 2018199767
In formula (1), R 1 to R 4 each independently represent a hydrogen atom, a linear or branched alkyl group having 1 to 24 carbon atoms, a linear or branched alkoxy group having 1 to 24 carbon atoms, or an acidic group. , A hydroxy group, a nitro group, and a halogen atom, and at least one of R 1 to R 4 is an acidic group. Here, the acidic group is a sulfonic acid group or a carboxy group.
フラットパネルディスプレー基板用または半導体デバイス基板用である、請求項1〜3のいずれか一項に記載の洗浄剤。   The cleaning agent according to any one of claims 1 to 3, which is for a flat panel display substrate or a semiconductor device substrate.
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