JP2018195774A - Electronic component - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、基板及び基板に搭載したダイを含む電子部品に関する。 The present invention relates to an electronic component including a substrate and a die mounted on the substrate.
半導体集積回路素子(ダイ)に電源を供給する電源供給回路に、電源電圧の変動やノイズの発生を抑制するためにデカップリングキャパシタが接続される。ダイが実装されたパッケージ基板(インターポーザ)と、パッケージ基板を実装するプリント基板との間にデカップリングキャパシタを配置したキャパシタ実装構造が公知である(特許文献1)。 A decoupling capacitor is connected to a power supply circuit that supplies power to the semiconductor integrated circuit element (die) in order to suppress fluctuations in power supply voltage and generation of noise. A capacitor mounting structure in which a decoupling capacitor is arranged between a package substrate (interposer) on which a die is mounted and a printed circuit board on which the package substrate is mounted is known (Patent Document 1).
特許文献1に開示された装置では、パッケージ基板を貫通する貫通ビアを介して、ダイとデカップリングキャパシタとが接続される。
In the device disclosed in
貫通ビアは、一般的にスルーホールの側面を覆う導体で構成されており、スルーホールの内部には空洞が残されている。デカップリングキャパシタ等のキャパシタの端子と貫通ビアとが重なるようにキャパシタを配置して実装すると、キャパシタの端子またははんだで貫通ビア内の空洞が塞がれてしまう。このため、実装時の熱膨張によって、はんだ爆ぜ、ポップコーン現象等が起こることにより実装不良が発生しやすくなる。 The through via is generally composed of a conductor covering the side surface of the through hole, and a cavity is left inside the through hole. When a capacitor is arranged and mounted so that a terminal of the capacitor such as a decoupling capacitor and the through via overlap, the cavity in the through via is blocked by the capacitor terminal or solder. For this reason, mounting failure is likely to occur due to solder explosion, popcorn phenomenon, and the like due to thermal expansion during mounting.
本発明の目的は、実装不良が発生し難い電子部品を提供することである。 An object of the present invention is to provide an electronic component that is unlikely to cause mounting defects.
本発明の第1の観点による電子部品は、
上面及び下面に複数のランドが設けられ、内部に複数の導体層及び複数のビアが設けられ、上面の少なくとも一部の前記ランドと下面の少なくとも一部の前記ランドとが、複数の前記導体層及び複数の前記ビアを介して電気的に接続されている第1の基板と、
複数の端子が設けられ、複数の前記端子がそれぞれ前記第1の基板の上面の前記ランドに接続されて前記第1の基板に実装されたダイと、
一対の外部電極が設けられ、一対の前記外部電極が前記第1の基板の下面の前記ランドにそれぞれ接続されて前記第1の基板に実装された第1のキャパシタと
を有し、
前記第1の基板の上面の前記ランドのうち、前記ダイの2つの前記端子に接続された第1の上面ランド及び第2の上面ランドが、前記第1の基板の下面の前記ランドのうち、前記第1のキャパシタの一対の前記外部電極に接続された第1の下面ランド及び第2の下面ランドに、前記導体層及び前記ビアを介してそれぞれ接続されており、
前記第1の上面ランドと前記第1の下面ランドとを接続する複数の前記ビアのうち最も下面側に配置された前記ビアは、フィルドビア構造を有し、平面視において前記第1の下面ランドの内側に配置されており、前記第2の上面ランドと前記第2の下面ランドとを接続する複数の前記ビアのうち最も下面側に配置された前記ビアは、フィルドビア構造を有し、平面視において前記第2の下面ランドの内側に配置されており、
前記第1の上面ランドと前記第2の上面ランドとの中心間距離と、前記第1の下面ランドと前記第2の下面ランドとの中心間距離とが異なっている。
The electronic component according to the first aspect of the present invention is:
A plurality of lands are provided on the upper surface and the lower surface, a plurality of conductor layers and a plurality of vias are provided therein, and at least a part of the lands on the upper surface and at least a part of the lands on the lower surface are a plurality of the conductor layers. And a first substrate electrically connected through the plurality of vias;
A plurality of terminals, each of which is connected to the land on the upper surface of the first substrate and mounted on the first substrate;
A pair of external electrodes is provided, and the pair of external electrodes is connected to the lands on the lower surface of the first substrate and mounted on the first substrate;
Of the lands on the upper surface of the first substrate, the first upper surface land and the second upper surface land connected to the two terminals of the die are the lands on the lower surface of the first substrate. Connected to the first lower surface land and the second lower surface land connected to the pair of external electrodes of the first capacitor through the conductor layer and the via, respectively.
Of the plurality of vias that connect the first upper surface land and the first lower surface land, the via disposed at the lowermost surface has a filled via structure, and the first lower surface land has a filled via structure in plan view. The via disposed on the lowermost side among the plurality of vias that are disposed inside and connect the second upper surface land and the second lower surface land has a filled via structure, and in plan view Arranged inside the second lower surface land,
A center-to-center distance between the first top surface land and the second top surface land and a center-to-center distance between the first bottom surface land and the second bottom surface land are different.
最も下面側のビアがフィルドビア構造を有するため、第1のキャパシタの実装時にはんだ爆ぜやポップコーン現象等が生じ難い。このため、実装不良が発生し難くなる。また、第1の上面ランドと第2の上面ランドとの中心間距離と、第1の下面ランドと第2の下面ランドとの中心間距離とが異なっている。このため、ダイの端子間距離に拘束されることなく、種々の大きさの第1のキャパシタを実装することが可能になる。 Since the lowermost via has a filled via structure, solder explosion, popcorn phenomenon and the like are unlikely to occur when the first capacitor is mounted. For this reason, it becomes difficult to generate mounting defects. The center-to-center distance between the first upper surface land and the second upper surface land is different from the center-to-center distance between the first lower surface land and the second lower surface land. For this reason, it becomes possible to mount the first capacitors of various sizes without being restricted by the distance between the terminals of the die.
本発明の第2の観点による電子部品は、第1の観点による電子部品の構成に加えて、
前記第1の上面ランドと前記第1の下面ランドとを接続する複数の前記ビアのうち、1つの前記導体層の上下に配置された2つの前記ビアに着目すると、下側の前記ビアは上側の前記ビアに対して前記第1の下面ランドに近づく向きに面内方向にずれた位置に配置されているという特徴を有する。
In addition to the configuration of the electronic component according to the first aspect, the electronic component according to the second aspect of the present invention includes:
Of the plurality of vias connecting the first upper surface land and the first lower surface land, paying attention to the two vias arranged above and below one conductor layer, the lower via is the upper side The via is disposed at a position shifted in an in-plane direction toward the first lower surface land.
ダイから第1の下面ランドまでの電流経路を短くすることができる。第1のキャパシタがデカップリングキャパシタである場合、ノイズ抑制効果を高めることができる。 The current path from the die to the first lower surface land can be shortened. When the first capacitor is a decoupling capacitor, the noise suppression effect can be enhanced.
本発明の第3の観点による電子部品は、第2の観点による電子部品の構成に加えて、
前記第1の上面ランドと前記第1の下面ランドとを接続する複数の前記ビアのうち、1つの前記導体層の上下に配置された2つの前記ビアは、平面視において部分的に重なっているという特徴を有する。
In addition to the configuration of the electronic component according to the second aspect, the electronic component according to the third aspect of the present invention includes:
Of the plurality of vias connecting the first upper surface land and the first lower surface land, the two vias arranged above and below one conductor layer partially overlap in plan view. It has the characteristics.
ダイから第1の下面ランドまでの電流経路を、より短くすることができる。 The current path from the die to the first lower surface land can be made shorter.
本発明の第4の観点による電子部品は、第1から第3までの観点による電子部品の構成に加えて、
さらに、前記第1の基板の下面の複数の前記ランドのうち前記第1の下面ランド及び前記第2の下面ランド以外の複数の前記ランドに載せられたはんだボールを有する。
In addition to the configuration of the electronic component according to the first to third aspects, the electronic component according to the fourth aspect of the present invention includes:
And a solder ball placed on the plurality of lands other than the first lower surface land and the second lower surface land among the plurality of lands on the lower surface of the first substrate.
はんだボールのリフロー処理により、第1の基板をマザーボード等の他の基板に実装することができる。 The first substrate can be mounted on another substrate such as a mother board by the solder ball reflow process.
本発明の第5の観点による電子部品は、第4の観点による電子部品の構成に加えて、
さらに、前記第1の基板を実装する第2の基板を有し、
前記第1のキャパシタは前記第2の基板に電気的に接続され、前記第1の基板の下面の前記ランドのうち前記はんだボールが載せられている前記ランドは、前記はんだボールを介して前記第2の基板に電気的に接続されているという特徴を有する。
In addition to the configuration of the electronic component according to the fourth aspect, the electronic component according to the fifth aspect of the present invention includes:
And a second substrate on which the first substrate is mounted.
The first capacitor is electrically connected to the second substrate, and the land on which the solder ball is placed among the lands on the lower surface of the first substrate is connected to the first capacitor via the solder ball. 2 is electrically connected to the substrate.
第1のキャパシタが、第1の基板と第2の基板との両方に電気的に接続される。第1の基板の第1の下面ランド及び第2の下面ランドは、第1のキャパシタを介して第2の基板に電気的に接続される。 The first capacitor is electrically connected to both the first substrate and the second substrate. The first lower surface land and the second lower surface land of the first substrate are electrically connected to the second substrate via the first capacitor.
本発明の第6の観点による電子部品は、第5の観点による電子部品の構成に加えて、
さらに、前記第1の基板の下面の前記ランドに接続された第2のキャパシタを有し、
前記第1の基板の下面を基準としたときの前記第2のキャパシタの高さが、前記第1のキャパシタの高さより低く、
前記第2の基板に、前記第1のキャパシタの高さと前記第2のキャパシタの高さとの差に対応する高さの2つの補償導体が形成されており、前記第2のキャパシタは、2つの前記補償導体を介して前記第2の基板に電気的に接続されるという特徴を有する。
In addition to the configuration of the electronic component according to the fifth aspect, the electronic component according to the sixth aspect of the present invention includes:
And a second capacitor connected to the land on the lower surface of the first substrate,
The height of the second capacitor relative to the lower surface of the first substrate is lower than the height of the first capacitor;
Two compensation conductors having a height corresponding to the difference between the height of the first capacitor and the height of the second capacitor are formed on the second substrate. It is characterized in that it is electrically connected to the second substrate through the compensation conductor.
2つのキャパシタの高さが異なる場合でも、2つのキャパシタを第2の基板に接続することができる。 Even when the heights of the two capacitors are different, the two capacitors can be connected to the second substrate.
最も下面側のビアがフィルドビア構造を有するため、第1のキャパシタの実装時にはんだ爆ぜやポップコーン現象等が生じ難い。このため、実装不良が発生し難くなる。また、第1の上面ランドと第2の上面ランドとの中心間距離と、第1の下面ランドと第2の下面ランドとの中心間距離とが異なっている。このため、ダイの端子間距離に拘束されることなく、種々の大きさの第1のキャパシタを実装することが可能になる。 Since the lowermost via has a filled via structure, solder explosion, popcorn phenomenon and the like are unlikely to occur when the first capacitor is mounted. For this reason, it becomes difficult to generate mounting defects. The center-to-center distance between the first upper surface land and the second upper surface land is different from the center-to-center distance between the first lower surface land and the second lower surface land. For this reason, it becomes possible to mount the first capacitors of various sizes without being restricted by the distance between the terminals of the die.
[第1実施例]
図1及び図2を参照して、第1実施例による電子部品について説明する。
図1は、第1実施例による電子部品20の断面図である。第1実施例による電子部品20は、パッケージ基板(第1の基板)10、ダイ(半導体チップ)30、及びキャパシタ40を含む。パッケージ基板10は、その上面に設けられた複数のランド11、下面に設けられた複数のランド12、内部に設けられた複数の導体層13及び複数のビア14を含む。複数のビア14は、複数の導体層13を厚さ方向に接続する。
[First embodiment]
With reference to FIG.1 and FIG.2, the electronic component by 1st Example is demonstrated.
FIG. 1 is a cross-sectional view of an
上面の複数のランド11には、ホット用上面ランド11H及びグランド用上面ランド11Gが含まれている。下面の複数のランド12にも、ホット用下面ランド12H及びグランド用下面ランド12Gが含まれている。ホット用下面ランド12Hとグランド用下面ランド12Gとの間の中心間距離は、ホット用上面ランド11Hとグランド用上面ランド11Gとの間の中心間距離と異なる。ホット用下面ランド12Hは、複数の導体層13及び複数のビア14を介してホット用上面ランド11Hに電気的に接続されている。同様に、グランド用下面ランド12Gは、複数の導体層13及び複数のビア14を介してグランド用上面ランド11Gに電気的に接続されている。
The plurality of
ダイ30はパッケージ基板10の上面に実装されている。ダイ30は、例えばパッケージ基板10にフリップチップボンディングされる。パッケージ基板10のホット端子(電源端子)及びグランド端子が、それぞれホット用上面ランド11H及びグランド用上面ランド11Gに電気的に接続されている。ダイ30は、モールド樹脂31によってモールドされている。
The
キャパシタ40は、パッケージ基板10の下面に実装されている。キャパシタ40の一対の外部電極41が、それぞれホット用下面ランド12H及びグランド用下面ランド12Gに電気的に接続されている。キャパシタ40の一方の外部電極41とホット用下面ランド12Hとの接続、及び他方の外部電極41とグランド用下面ランド12Gとの接続には、例えばはんだを用いることができる。
The
ホット用下面ランド12Hとホット用上面ランド11Hとを接続する複数のビア14のうち最も下面側のビア14Hはフィルドビア構造を有する。同様に、グランド用下面ランド12Gとグランド用上面ランド11Gとを接続する複数のビア14のうち最も下面側のビア14Gもフィルドビア構造を有する。すなわち、ビア14H、14Gのビアホール内が導体で埋め尽くされており、空洞が残されていない。平面視において、ビア14Hはホット用下面ランド12Hに重なる位置に配置され、ビア14Gはグランド用下面ランド12Gに重なる位置に配置されている。より具体的には、平面視において、ビア14Hはホット用下面ランド12Hの内側に配置され、ビア14Gはグランド用下面ランド12Gの内側に配置されている。
Of the plurality of
下面のランド12のうちキャパシタ40が接続されていない複数のランド12に、それぞれはんだボール17が載せられている。さらに、キャパシタ40の一対の外部電極41の下方を向く面に、それぞれはんだボール18が載せられている。はんだボール18は、ランド12に載せられたはんだボール17より小さい。
図2は、図1に示した電子部品20をマザーボード(第2の基板)50に実装した状態の断面図である。マザーボード50の上面に複数のランド51が設けられており、内部に複数の導体層52及び複数のビア53が設けられている。
FIG. 2 is a cross-sectional view of the
電子部品20は、パッケージ基板10の下面をマザーボードに対向させて位置決めし、はんだリフロー処理を行うことにより、マザーボード50に実装される。パッケージ基板10の下面の複数のランド12のうちキャパシタ40に接続されていないランド12は、はんだボール17を介してマザーボード50のランド51に電気的に接続される。キャパシタ40は、その外部電極41に載せられていたはんだボール18(図1)を介してマザーボード50のランド51に電気的に接続される。パッケージ基板10のホット用下面ランド12H及びグランド用下面ランド12Gは、それぞれキャパシタ40の外部電極41を介してマザーボード50のランド51に電気的に接続される。
The
次に、第1実施例による電子部品が有する優れた効果について説明する。
第1実施例においては、パッケージ基板10の最も下面側のビア14H、14G(図1)がフィルドビア構造を有している。このため、ホット用下面ランド12H及びグランド用下面ランド12Gを、それぞれビア14H、14Gに重ねて配置しても、キャパシタの実装時のはんだ爆ぜ等に起因する実装不良が生じにくい。
Next, the excellent effect of the electronic component according to the first embodiment will be described.
In the first embodiment, the
さらに、第1実施例においては、ホット用下面ランド12Hとグランド用下面ランド12Gとの中心間距離を、ホット用上面ランド11Hとグランド用上面ランド11Gとの中心間距離と異ならせることが可能である。これにより、ダイ30の端子間距離に依存することなく、種々の大きさのキャパシタ40をパッケージ基板10の下面に実装することが可能になる。実装可能なキャパシタ40の種類が増えるため、設計の自由度が増すという効果が得られる。
Furthermore, in the first embodiment, the center-to-center distance between the hot
キャパシタ40は、デカップリングキャパシタとして機能する。ダイ30の直下にデカップリングキャパシタが配置されるため、ダイ30から遠い位置にデカップリングキャパシタを配置する構成と比べて、高いノイズ低減効果が得られる。
The
図1及び図2では、パッケージ基板10の下面に1つのキャパシタ40が実装された例を示したが、複数のキャパシタを実装してもよい。各キャパシタとダイ30との接続構造は、キャパシタ40とダイ30との接続構造と同様である。
1 and 2 show an example in which one
[第2実施例]
次に、図3A及び図3Bを参照して第2実施例による電子部品について説明する。以下、図1及び図2に示した第1実施例による電子部品と共通の構成については説明を省略する。第2実施例では、第1実施例と比べて、パッケージ基板10の内部のビア14の位置及び大きさが最適化される。
[Second Embodiment]
Next, an electronic component according to a second embodiment will be described with reference to FIGS. 3A and 3B. Hereinafter, the description of the configuration common to the electronic component according to the first embodiment shown in FIGS. 1 and 2 is omitted. In the second embodiment, the position and size of the via 14 inside the
図3Aは、第2実施例による電子部品の部分断面図である。パッケージ基板10のホット用上面ランド11Hとホット用下面ランド12Hとが、複数の導体層13及び複数のビア14を介して電気的に接続されている。
FIG. 3A is a partial cross-sectional view of an electronic component according to a second embodiment. The hot
図3Bは、ホット用上面ランド11H、ホット用下面ランド12H、グランド用上面ランド11G、グランド用下面ランド12G、及びこれらを接続する複数のビア14の平面的な位置関係を示す図である。
FIG. 3B is a diagram showing a planar positional relationship between the hot
ホット用上面ランド11Hとホット用下面ランド12Hとを接続する複数のビア14のうち、1つの導体層13の上下に配置された2つのビア14に着目する。着目する2つのビア14のうち上側のビア14に対して下側のビア14は、ホット用下面ランド12Hに近づく向きに面内方向にずれた位置に配置されている。グランド用上面ランド11Gとグランド用下面ランド12Gとを接続する複数のビア14も、同様の位置関係を有する。
Of the plurality of
厚さ方向に隣り合う2つのビア14は、図3Bに示すように平面視において部分的に重なっている。ホット用下面ランド12Hに直接接続された最も下面側のビア14Hは、ホット用下面ランド12Hの内側に配置されている。同様に、グランド用下面ランド12Gに直接接続された最も下面側のビア14Gは、グランド用下面ランド12Gの内側に配置されている。
Two vias 14 adjacent to each other in the thickness direction partially overlap in a plan view as shown in FIG. 3B. The lowermost via 14H directly connected to the hot
次に、図4A及び図4Bに示した比較例による電子部品と比較して、第2実施例による電子部品が有する優れた効果について説明する。 Next, the superior effect of the electronic component according to the second embodiment will be described as compared with the electronic component according to the comparative example shown in FIGS. 4A and 4B.
図4Aは、比較例による電子部品の断面図である。図4Bは、比較例による電子部品のホット用上面ランド11H、ホット用下面ランド12H、グランド用上面ランド11G、グランド用下面ランド12G、及びこれらを接続する貫通ビア15H、15Gの平面的な位置関係を示す図である。
FIG. 4A is a cross-sectional view of an electronic component according to a comparative example. FIG. 4B shows a planar positional relationship between the hot
比較例では、ホット用上面ランド11Hとホット用下面ランド12Hとが、パッケージ基板10を厚さ方向に貫通する貫通ビア15Hによって接続されている。同様に、グランド用上面ランド11Gとグランド用下面ランド12Gとが、パッケージ基板10を厚さ方向に貫通する他の貫通ビア15Gによって接続されている。
In the comparative example, the hot
貫通ビア15Hの下端とホット用下面ランド12Hとを接続する配線16Hが、パッケージ基板10の下面に形成されている。同様に、貫通ビア15Gの下端とグランド用下面ランド12Gとを接続する配線16Gが、パッケージ基板10の下面に形成されている。
A
図4A及び図4Bに示した比較例では、ホット用上面ランド11Hとホット用下面ランド12Hとを接続する電流経路、及びグランド用上面ランド11Gとグランド用下面ランド12Gとを接続する電流経路が、図4Aに示したようにL字形になる。これに対し、図3A及び図3Bに示した第2実施例では、パッケージ基板10内に斜めの電流経路が形成される。このため、第2実施例では、ダイ30とキャパシタ40とを接続する電流経路が、比較例の電流経路より短くなる。その結果、デカップリングキャパシタのノイズ低減効果を高めることができる。
In the comparative example shown in FIGS. 4A and 4B, the current path connecting the hot
[第3実施例]
次に、図5を参照して第3実施例による電子部品について説明する。以下、図1及び図2に示した第1実施例による電子部品と共通の構成については説明を省略する。
[Third embodiment]
Next, an electronic component according to a third embodiment will be described with reference to FIG. Hereinafter, the description of the configuration common to the electronic component according to the first embodiment shown in FIGS. 1 and 2 is omitted.
図5は、第3実施例による電子部品の断面図である。第3実施例では、パッケージ基板10の下面に、キャパシタ40の他にキャパシタ45が実装されている。パッケージ基板10の下面を基準としてキャパシタ45の高さがキャパシタ40の高さより低い。
FIG. 5 is a cross-sectional view of an electronic component according to the third embodiment. In the third embodiment, a
マザーボード50の複数のランド51のうちキャパシタ45の一対の外部電極46に接続される2つのランド51の上に、それぞれ補償導体55が配置されている。補償導体55の高さは、キャパシタ40の高さとキャパシタ45の高さとの差に対応しており、キャパシタ45の高さの不足を補う。キャパシタ45の一対の外部電極46は、それぞれ補償導体55を介してランド51に電気的に接続される。
補償導体55は、例えば、ランド51をめっきにより形成した後、キャパシタ45に接続されるランド51の上にのみ、さらにめっきを施すことにより形成することができる。
The
第3実施例においては、補償導体55によってキャパシタ40、45の高さの違いを補償しているため、高さの異なる複数のキャパシタをパッケージ基板10の下面に実装しておくことが可能である。
In the third embodiment, since the difference in height between the
各実施例は例示であり、異なる実施例で示した構成の部分的な置換または組み合わせが可能であることは言うまでもない。複数の実施例の同様の構成による同様の作用効果については実施例ごとには逐次言及しない。さらに、本発明は上述の実施例に制限されるものではない。例えば、種々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは当業者に自明であろう。 Each embodiment is an exemplification, and needless to say, partial replacement or combination of the configurations shown in the different embodiments is possible. About the same effect by the same composition of a plurality of examples, it does not refer to every example one by one. Furthermore, the present invention is not limited to the embodiments described above. It will be apparent to those skilled in the art that various modifications, improvements, combinations, and the like can be made.
10 パッケージ基板(第1の基板)
11 上面のランド
11H ホット用上面ランド(第1の上面ランド)
11G グランド用上面ランド(第2の上面ランド)
12 下面のランド
12H ホット用下面ランド(第1の下面ランド)
12G グランド用下面ランド(第2の下面ランド)
13 導体層
14 ビア
14H ホット用下面ランドに直接接続されたビア
14G グランド用下面ランドに直接接続されたビア
15H、15G 貫通ビア
16H、16G 配線
17、18 はんだボール
20 電子部品
30 ダイ
31 モールド樹脂
40 キャパシタ(第1のキャパシタ)
41 外部電極
45 キャパシタ(第2のキャパシタ)
46 外部電極
50 マザーボード(第2の基板)
51 ランド
52 導体層
53 ビア
55 補償導体
10 Package substrate (first substrate)
11
Top land for 11G ground (second top land)
12
12G Ground bottom land (second bottom land)
13
41
46
51
Claims (6)
複数の端子が設けられ、複数の前記端子がそれぞれ前記第1の基板の上面の前記ランドに接続されて前記第1の基板に実装されたダイと、
一対の外部電極が設けられ、一対の前記外部電極が前記第1の基板の下面の前記ランドにそれぞれ接続されて前記第1の基板に実装された第1のキャパシタと
を有し、
前記第1の基板の上面の前記ランドのうち、前記ダイの2つの前記端子に接続された第1の上面ランド及び第2の上面ランドが、前記第1の基板の下面の前記ランドのうち、前記第1のキャパシタの一対の前記外部電極に接続された第1の下面ランド及び第2の下面ランドに、前記導体層及び前記ビアを介してそれぞれ接続されており、
前記第1の上面ランドと前記第1の下面ランドとを接続する複数の前記ビアのうち最も下面側に配置された前記ビアは、フィルドビア構造を有し、平面視において前記第1の下面ランドの内側に配置されており、前記第2の上面ランドと前記第2の下面ランドとを接続する複数の前記ビアのうち最も下面側に配置された前記ビアは、フィルドビア構造を有し、平面視において前記第2の下面ランドの内側に配置されており、
前記第1の上面ランドと前記第2の上面ランドとの中心間距離と、前記第1の下面ランドと前記第2の下面ランドとの中心間距離とが異なっている電子部品。 A plurality of lands are provided on the upper surface and the lower surface, a plurality of conductor layers and a plurality of vias are provided therein, and at least a part of the lands on the upper surface and at least a part of the lands on the lower surface are a plurality of the conductor layers. And a first substrate electrically connected through the plurality of vias;
A plurality of terminals, each of which is connected to the land on the upper surface of the first substrate and mounted on the first substrate;
A pair of external electrodes is provided, and the pair of external electrodes is connected to the lands on the lower surface of the first substrate and mounted on the first substrate;
Of the lands on the upper surface of the first substrate, the first upper surface land and the second upper surface land connected to the two terminals of the die are the lands on the lower surface of the first substrate. Connected to the first lower surface land and the second lower surface land connected to the pair of external electrodes of the first capacitor through the conductor layer and the via, respectively.
Of the plurality of vias that connect the first upper surface land and the first lower surface land, the via disposed at the lowermost surface has a filled via structure, and the first lower surface land has a filled via structure in plan view. The via disposed on the lowermost side among the plurality of vias that are disposed inside and connect the second upper surface land and the second lower surface land has a filled via structure, and in plan view Arranged inside the second lower surface land,
An electronic component in which a center-to-center distance between the first top surface land and the second top surface land is different from a center-to-center distance between the first bottom surface land and the second bottom surface land.
前記第1のキャパシタは前記第2の基板に電気的に接続され、前記第1の基板の下面の前記ランドのうち前記はんだボールが載せられている前記ランドは、前記はんだボールを介して前記第2の基板に電気的に接続されている請求項4に記載の電子部品。 And a second substrate on which the first substrate is mounted.
The first capacitor is electrically connected to the second substrate, and the land on which the solder ball is placed among the lands on the lower surface of the first substrate is connected to the first capacitor via the solder ball. The electronic component according to claim 4, wherein the electronic component is electrically connected to the second substrate.
前記第1の基板の下面を基準としたときの前記第2のキャパシタの高さが、前記第1のキャパシタの高さより低く、
前記第2の基板に、前記第1のキャパシタの高さと前記第2のキャパシタの高さとの差に対応する高さの2つの補償導体が形成されており、前記第2のキャパシタは、2つの前記補償導体を介して前記第2の基板に電気的に接続される請求項5に記載の電子部品。 And a second capacitor connected to the land on the lower surface of the first substrate,
The height of the second capacitor relative to the lower surface of the first substrate is lower than the height of the first capacitor;
Two compensation conductors having a height corresponding to the difference between the height of the first capacitor and the height of the second capacitor are formed on the second substrate. The electronic component according to claim 5, wherein the electronic component is electrically connected to the second substrate via the compensation conductor.
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