JP2018190637A - Display panel, display, and information processing apparatus - Google Patents
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Abstract
Description
本発明の一態様は、表示パネル、表示装置、情報処理装置に関する。 One embodiment of the present invention relates to a display panel, a display device, and an information processing device.
なお、本発明の一態様は、上記の技術分野に限定されない。本明細書等で開示する発明の一態様の技術分野は、物、方法、または、作製方法に関するものである。または、本発明の一態様は、プロセス、マシン、マニュファクチャ、または、組成物(コンポジション・オブ・マター)に関するものである。そのため、より具体的に本明細書で開示する本発明の一態様の技術分野としては、半導体装置、表示装置、発光装置、蓄電装置、記憶装置、それらの駆動方法、または、それらの作製方法、を一例として挙げることができる。 Note that one embodiment of the present invention is not limited to the above technical field. The technical field of one embodiment of the invention disclosed in this specification and the like relates to an object, a method, or a manufacturing method. Alternatively, one embodiment of the present invention relates to a process, a machine, a manufacture, or a composition (composition of matter). Therefore, the technical field of one embodiment of the present invention disclosed in this specification more specifically includes a semiconductor device, a display device, a light-emitting device, a power storage device, a memory device, a driving method thereof, or a manufacturing method thereof, Can be cited as an example.
ディスプレイ技術の発展に伴って、要求される性能は日々高度化している。あるディスプレイが再現可能な色域を示す規格には、従来から広く指標とされているsRGB規格やNTSC規格などがあるが、最近ではより広い色域をカバーするBT.2020規格が提唱されている。 With the development of display technology, the required performance is becoming more sophisticated every day. Standards indicating the color gamut that can be reproduced by a display include the sRGB standard and the NTSC standard, which have been widely used as indexes, but recently, BT. The 2020 standard has been proposed.
ほぼ全ての物体色を表現できるBT.2020規格ではあるが、有機化合物の発するブロードな発光スペクトルをそのまま用いるのでは現状実現が難しいため、微小光共振器(マイクロキャビティ)構造等を用いることによって色純度を高めることで、当該規格を実現する試みがなされている。 BT. That can represent almost all object colors. Although it is the 2020 standard, it is difficult to achieve the present situation by using a broad emission spectrum emitted from an organic compound as it is. Therefore, the standard is realized by increasing the color purity by using a micro optical resonator (microcavity) structure or the like. Attempts have been made.
表示パネルにおいて、より広い色域をカバーする、微小光共振器構造長の異なる領域を設ける構造などが提案されている(例えば、特許文献1参照)。 In the display panel, a structure that covers a wider color gamut and that has regions having different micro-optical resonator structure lengths has been proposed (see, for example, Patent Document 1).
マイクロキャビティ方式を利用する発光素子は、フルカラー化を実現する上で有利である。特に、広い色再現性を達成するためには、最適な発光スペクトルピーク波長と、シャープなスペクトルを得ることが必要である。 A light-emitting element using a microcavity method is advantageous in realizing full color. In particular, in order to achieve wide color reproducibility, it is necessary to obtain an optimum emission spectrum peak wavelength and a sharp spectrum.
しかしながら、マイクロキャビティ方式を利用するフルカラーの発光素子の場合において、発光色の異なる画素毎に一対の電極間の距離を調節する必要があるが、画素によっては、複数の波長が存在する画素での色純度の低下が問題となっている。また、視認する角度が変化したとき、色度差が発生することがあり、このとき表示パネルは色再現性が低下する。 However, in the case of a full-color light-emitting element using a microcavity method, it is necessary to adjust the distance between a pair of electrodes for each pixel having a different emission color. A decrease in color purity is a problem. Further, when the viewing angle changes, a chromaticity difference may occur. At this time, the color reproducibility of the display panel deteriorates.
さらに、一対の電極間の距離を調節する上でのマスク枚数や工程の増加に伴う、表示パネルの生産性の低下が問題になる。 Furthermore, the productivity of the display panel is lowered due to an increase in the number of masks and processes for adjusting the distance between the pair of electrodes.
そこで、本発明の一態様は、異なる波長の光を呈する発光素子を複数有するマイクロキャビティ方式を利用した表示パネルにおいて、各発光素子から所望の波長の光が色純度高く射出される素子構造とすることができる構成により、色再現性の高い発光素子を備えた表示パネルを提供することを課題の一とする。または、表示する角度によって、色度差が小さい表示パネルを提供することを課題の一とする。 Therefore, one embodiment of the present invention has an element structure in which light of a desired wavelength is emitted from each light-emitting element with high color purity in a display panel using a microcavity method including a plurality of light-emitting elements that exhibit light of different wavelengths. Another object is to provide a display panel including a light-emitting element with high color reproducibility with a structure that can be used. Another object is to provide a display panel with a small difference in chromaticity depending on an angle of display.
または、消費電力を低減させることのできる表示パネルを提供することを課題の一とする。または、鮮やかな表示が可能な表示パネルを提供することを課題の一とする。 Another object is to provide a display panel capable of reducing power consumption. Another object is to provide a display panel capable of vivid display.
または、生産性の良い表示パネル、新規な表示パネル、新規な表示装置、新規な情報処理装置または新規な半導体装置を提供することを課題の一とする。 Another object is to provide a display panel with high productivity, a novel display panel, a novel display device, a novel information processing device, or a novel semiconductor device.
なお、これらの課題の記載は、他の課題の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一態様は、これらの課題の全てを解決する必要はないものとする。なお、これら以外の課題は、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図面、請求項などの記載から、これら以外の課題を抽出することが可能である。 Note that the description of these problems does not disturb the existence of other problems. Note that one embodiment of the present invention does not have to solve all of these problems. Issues other than these will be apparent from the description of the specification, drawings, claims, etc., and other issues can be extracted from the descriptions of the specification, drawings, claims, etc. It is.
本発明の一態様の表示パネルは、第1の画素と、第2の画素と、第1の導電膜と、第2の導電膜と、発光層と、第1の着色膜と、を有する。第1の画素及び第2の画素において、第1の導電膜と第2の導電膜との間に、発光層が形成される。第1の画素において、第1の着色膜と、第2の導電膜との間に、第1の導電膜が形成される。第1の画素は、第1の導電膜と第2の導電膜との間の距離が、第1の距離である部分を有し、第2の画素は、第1の導電膜と第2の導電膜との間の距離が、第2の距離である部分を有し、第1の距離は、第2の距離と等しい。 The display panel of one embodiment of the present invention includes a first pixel, a second pixel, a first conductive film, a second conductive film, a light-emitting layer, and a first coloring film. In the first pixel and the second pixel, a light emitting layer is formed between the first conductive film and the second conductive film. In the first pixel, a first conductive film is formed between the first colored film and the second conductive film. The first pixel includes a portion in which a distance between the first conductive film and the second conductive film is the first distance, and the second pixel includes the first conductive film and the second conductive film. The distance from the conductive film has a portion that is the second distance, and the first distance is equal to the second distance.
第1の導電膜は、半光透過性および半光反射性を備える。第2の導電膜は、光反射性を備える。第1の着色膜は、第1の透過率及び第2の透過率を備えた、透過スペクトルを有するる。第1の透過率は、波長500nmの光に対する透過率であり、第2の透過率は、波長400nm以上、500nm未満の範囲の光に対し、最も大きい透過率であり、第2の透過率は、第1の透過率の10倍以上である。 The first conductive film has semi-light transmittance and semi-light reflectivity. The second conductive film has light reflectivity. The first colored film has a transmission spectrum having a first transmittance and a second transmittance. The first transmittance is a transmittance with respect to light having a wavelength of 500 nm, the second transmittance is the largest transmittance with respect to light in a wavelength range of 400 nm or more and less than 500 nm, and the second transmittance is , 10 times or more of the first transmittance.
上記構成において、第3の画素を有し、第3の画素において、第1の導電膜と第2の導電膜との間に、発光層が形成され、第3の画素は、第1の導電膜と第2の導電膜との間の間の距離が、第2の距離である部分を有し、第3の距離は、第1の距離と異なると好ましい。 In the above structure, a third pixel is included, and in the third pixel, a light-emitting layer is formed between the first conductive film and the second conductive film, and the third pixel includes the first conductive film. Preferably, the distance between the film and the second conductive film has a portion that is the second distance, and the third distance is different from the first distance.
上記各構成において、第1の着色膜と、第2の着色膜と、を有し、第2の画素において、第1の着色膜と第2の導電膜との間に、第1の導電膜が形成され、第3の画素において、第2の着色膜と第2の導電膜との間に、第1の導電膜が形成され、第1の着色膜は、赤色の光を透過し、第2の着色膜は、緑色の光を透過すると好ましい。
In each of the above structures, the first colored film and the second colored film are included, and the first conductive film is interposed between the first colored film and the second conductive film in the second pixel. In the third pixel, a first conductive film is formed between the second colored film and the second conductive film, the first colored film transmits red light, and The
上記各構成において、第2の導電膜は銀を含むと好ましい。 In each of the above structures, the second conductive film preferably contains silver.
本発明の別の一態様の表示装置は、モニタ配線と、トランジスタとを有し、トランジスタは、モニタ配線と、第2の導電膜とを接続する機能を有すると好ましい。モニタ配線は、モニタ回路と接続される。 The display device of another embodiment of the present invention preferably includes a monitor wiring and a transistor, and the transistor preferably has a function of connecting the monitor wiring and the second conductive film. The monitor wiring is connected to the monitor circuit.
本発明の別の一態様の情報処理装置は、キーボード、ハードウェアボタン、ポインティングデバイス、タッチセンサ、照度センサ、撮像装置、音声入力装置、視線入力装置、姿勢検出装置、のうち一以上と、上記各構成の表示パネルと、を含む。 An information processing apparatus according to another aspect of the present invention includes at least one of a keyboard, a hardware button, a pointing device, a touch sensor, an illuminance sensor, an imaging device, a voice input device, a line-of-sight input device, and a posture detection device, and the above A display panel of each configuration.
本明細書に添付した図面では、構成要素を機能ごとに分類し、互いに独立したブロックとしてブロック図を示しているが、実際の構成要素は機能ごとに完全に切り分けることが難しく、一つの構成要素が複数の機能に係わることもあり得る。 In the drawings attached to the present specification, the components are classified by function, and the block diagram is shown as an independent block. However, it is difficult to completely separate the actual components for each function. May involve multiple functions.
本発明の一態様の表示パネルは、射出する光のスペクトルを狭線化することができる。その結果、当該光の色純度を高めることができる。 The display panel of one embodiment of the present invention can narrow a spectrum of emitted light. As a result, the color purity of the light can be increased.
射出する光の色純度が高められることにより、色再現性が向上した、視認性の良い表示パネルを提供することができる。尚、ある色の色純度が高い光は、当該色の発光スペクトルが狭線化され、他の色を呈する波長領域の光強度が小さい光である。 By increasing the color purity of the emitted light, a display panel with high visibility and improved color reproducibility can be provided. In addition, light with high color purity of a certain color is light whose light emission spectrum of the color is narrowed and light intensity in a wavelength region exhibiting another color is low.
または、消費電力を低減させることのできる表示パネルを提供することができる。または、生産性の良い表示パネル、新規な表示パネル、新規な表示装置、新規な入出力装置、新規な情報処理装置または新規な半導体装置を提供することができる。 Alternatively, a display panel that can reduce power consumption can be provided. Alternatively, a display panel with high productivity, a novel display panel, a novel display device, a novel input / output device, a novel information processing device, or a novel semiconductor device can be provided.
または、表示する角度の変化に伴う、色度の変化が小さい表示パネルを提供することができる。または、鮮やかな表示が可能な表示パネルを提供することができる。 Alternatively, a display panel in which a change in chromaticity with a change in display angle is small can be provided. Alternatively, a display panel capable of vivid display can be provided.
なお、これらの効果の記載は、他の効果の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一態様は、必ずしも、これらの効果の全てを有する必要はない。なお、これら以外の効果は、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図面、請求項などの記載から、これら以外の効果を抽出することが可能である。 Note that the description of these effects does not disturb the existence of other effects. Note that one embodiment of the present invention does not necessarily have all of these effects. It should be noted that the effects other than these are naturally obvious from the description of the specification, drawings, claims, etc., and it is possible to extract the other effects from the descriptions of the specification, drawings, claims, etc. It is.
実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、以下に説明する発明の構成において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を異なる図面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する。 Embodiments will be described in detail with reference to the drawings. However, the present invention is not limited to the following description, and it is easily understood by those skilled in the art that modes and details can be variously changed without departing from the spirit and scope of the present invention. Therefore, the present invention should not be construed as being limited to the description of the embodiments below. Note that in structures of the invention described below, the same portions or portions having similar functions are denoted by the same reference numerals in different drawings, and description thereof is not repeated.
本発明の一態様の表示パネルは、複数の画素を備える。当該複数の画素は、色相が互いに異なる色を表示する自発光型の表示素子を備える。当該複数の画素は、該画素の備える表示素子に、微小光共振器を備える。 The display panel of one embodiment of the present invention includes a plurality of pixels. The plurality of pixels include self-luminous display elements that display colors having different hues. The plurality of pixels include a minute optical resonator in a display element included in the pixel.
これにより、色純度が高い発光素子を備えた発光装置および照明装置を提供することができる。さらに、色相が互いに異なる2の画素の、微少光共振器構造の作製工程の一部を同一とすることにより、工程数およびコストの削減を図ることができる。 Thereby, a light-emitting device and a lighting device including a light-emitting element with high color purity can be provided. Furthermore, the number of steps and the cost can be reduced by making a part of the manufacturing process of the minute optical resonator structure of two pixels having different hues the same.
<本明細書等の記載に関する付記>
本明細書において、1以上の整数を値にとる変数を符号に用いる場合がある。例えば、1以上の整数の値をとる変数pを含む(p)を、最大p個の構成要素のいずれかを特定する符号の一部に用いる場合がある。また、例えば、1以上の整数の値をとる変数mおよび変数nを含む(m,n)を、最大m×n個の構成要素のいずれかを特定する符号の一部に用いる場合がある。
<Additional notes regarding the description of this specification>
In this specification, a variable that takes an integer of 1 or more as a value may be used as a sign. For example, (p) including a variable p that takes an integer value of 1 or more may be used as a part of a code that identifies any of the maximum p components. Further, for example, a variable m that takes an integer value of 1 or more and (m, n) including a variable n may be used as part of a code that identifies any of the maximum m × n components.
符号に補足する記号を用いた場合、符号に相当する対象のうち、記号で指定される部分を対象とする。符号に補足する記号を用いない場合、符号を有する全てを対象とする。 When a symbol supplemented to the code is used, a portion specified by the symbol is targeted among the objects corresponding to the code. When no symbol supplementing the code is used, all those having the code are targeted.
例えば画素502と記載されたとき、画素502(1,1)乃至画素502(m,n)等の全てを対象とする。例えば導電膜532Aと記載されたとき、導電膜532A_DA、導電膜532A_DB等の全てを対象とする。
For example, when the
本明細書においてトランジスタが有するソースとドレインは、トランジスタの極性及び各端子に与えられる電位の高低によって、その呼び方が入れ替わる。一般的に、nチャネル型トランジスタでは、低い電位が与えられる端子がソースと呼ばれ、高い電位が与えられる端子がドレインと呼ばれる。また、pチャネル型トランジスタでは、低い電位が与えられる端子がドレインと呼ばれ、高い電位が与えられる端子がソースと呼ばれる。本明細書では、便宜上、ソースとドレインとが固定されているものと仮定して、トランジスタの接続関係を説明する場合があるが、実際には上記電位の関係に従ってソースとドレインの呼び方が入れ替わる。 In this specification, the terms “source” and “drain” of a transistor interchange with each other depending on the polarity of the transistor or the level of potential applied to each terminal. In general, in an n-channel transistor, a terminal to which a low potential is applied is called a source, and a terminal to which a high potential is applied is called a drain. In a p-channel transistor, a terminal to which a low potential is applied is called a drain, and a terminal to which a high potential is applied is called a source. In this specification, for the sake of convenience, the connection relationship between transistors may be described on the assumption that the source and the drain are fixed. However, the names of the source and the drain are actually switched according to the above-described potential relationship. .
本明細書においてトランジスタのソースとは、活性層として機能する半導体膜の一部であるソース領域、或いは上記半導体膜に接続されたソース電極を意味する。同様に、トランジスタのドレインとは、上記半導体膜の一部であるドレイン領域、或いは上記半導体膜に接続されたドレイン電極を意味する。また、ゲートはゲート電極を意味する。 In this specification, the source of a transistor means a source region that is part of a semiconductor film functioning as an active layer or a source electrode connected to the semiconductor film. Similarly, a drain of a transistor means a drain region that is part of the semiconductor film or a drain electrode connected to the semiconductor film. The gate means a gate electrode.
本明細書中において、トランジスタの第1の電極または第2の電極の一方がソース電極を、他方がドレイン電極を指す。トランジスタがオンのとき、第1の電極と第2の電極との間には電流が流れる。トランジスタがオフのとき、第1の電極と第2の電極との間には電流が流れない。n型トランジスタにおいて、ゲート電圧が高レベルのときトランジスタがオンになり、ゲート電圧が低レベルのときトランジスタがオフになる。 In this specification, one of a first electrode and a second electrode of a transistor refers to a source electrode, and the other refers to a drain electrode. When the transistor is on, a current flows between the first electrode and the second electrode. When the transistor is off, no current flows between the first electrode and the second electrode. In an n-type transistor, the transistor is turned on when the gate voltage is high, and the transistor is turned off when the gate voltage is low.
本明細書中において、トランジスタが第1の導電膜と第1の電極とを有するとき、トランジスタの第1の導電膜は、トランジスタの第1の電極に接続する。トランジスタが第2の導電膜と第2の電極とを有するとき、トランジスタの第2の導電膜は、トランジスタの第2の電極に接続する。 In this specification, when a transistor includes a first conductive film and a first electrode, the first conductive film of the transistor is connected to the first electrode of the transistor. When the transistor has the second conductive film and the second electrode, the second conductive film of the transistor is connected to the second electrode of the transistor.
本明細書等において、スイッチとは、導通状態(オン状態)、又は、非導通状態(オフ状態)になり、電流を流すか流さないかを制御する機能を有するものをいう。又は、スイッチとは、電流を流す経路を選択して切り替える機能を有するものをいう。 In this specification and the like, a switch refers to a switch that is in a conductive state (on state) or a non-conductive state (off state) and has a function of controlling whether or not to pass current. Alternatively, the switch refers to a switch having a function of selecting and switching a current flow path.
一例としては、電気的スイッチ又は機械的なスイッチなどを用いることができる。つまり、スイッチは、電流を制御できるものであればよく、特定のものに限定されない。 As an example, an electrical switch or a mechanical switch can be used. That is, the switch is not limited to a specific one as long as it can control the current.
なお、スイッチとしてトランジスタを用いる場合、トランジスタの「導通状態」とは、トランジスタのソース電極とドレイン電極が電気的に短絡されているとみなせる状態をいう。また、トランジスタの「非導通状態」とは、トランジスタのソース電極とドレイン電極が電気的に遮断されているとみなせる状態をいう。なおトランジスタを単なるスイッチとして動作させる場合には、トランジスタの極性(導電型)は特に限定されない。 Note that in the case where a transistor is used as the switch, the “conducting state” of the transistor means a state where the source electrode and the drain electrode of the transistor can be regarded as being electrically short-circuited. In addition, the “non-conducting state” of a transistor refers to a state where the source electrode and the drain electrode of the transistor can be regarded as being electrically disconnected. Note that when a transistor is operated as a simple switch, the polarity (conductivity type) of the transistor is not particularly limited.
本明細書中において、酸化窒化シリコンとは、その組成として窒素よりも酸素の含有量が多い材料を指し、窒化酸化シリコンとは、その組成として、酸素よりも窒素の含有量が多い材料を示す。 In this specification, silicon oxynitride refers to a material having a higher oxygen content than nitrogen as its composition, and silicon nitride oxide refers to a material having a higher nitrogen content than oxygen as its composition. .
本明細書において接続とは、電気的な接続を意味しており、電流、電圧または電位が、供給可能、或いは伝送可能な状態に相当する。従って、接続している状態とは、直接接続している状態を必ずしも指すわけではなく、電流、電圧または電位が、供給可能、或いは伝送可能であるように、配線、抵抗、ダイオード、トランジスタなどの回路素子を介して間接的に接続している状態も、その範疇に含む。 In this specification, the connection means an electrical connection, and corresponds to a state where current, voltage, or potential can be supplied or transmitted. Therefore, the connected state does not necessarily indicate a directly connected state, and a wiring, a resistor, a diode, a transistor, or the like is provided so that current, voltage, or potential can be supplied or transmitted. The state of being indirectly connected through a circuit element is also included in the category.
本明細書において回路図上は独立している構成要素どうしが接続されている場合であっても、実際には、例えば配線の一部が電極として機能する場合など、一の導電膜が、複数の構成要素の機能を併せ持っている場合もある。本明細書において接続とは、このような、一の導電膜が、複数の構成要素の機能を併せ持っている場合も、その範疇に含める。 In this specification, even when independent components on the circuit diagram are connected to each other, in practice, for example, when a part of the wiring functions as an electrode, In some cases, it also has the functions of the components. In this specification, the term “connection” includes a case where one conductive film has functions of a plurality of components.
(実施の形態1)
本実施の形態では、本発明の一態様の表示パネルの構成について説明する。
(Embodiment 1)
In this embodiment, a structure of a display panel of one embodiment of the present invention is described.
本実施の形態で説明する表示パネルは、複数の画素を備える。当該複数の画素は、それぞれ映像信号が供給される。 The display panel described in this embodiment includes a plurality of pixels. A video signal is supplied to each of the plurality of pixels.
<画素の構成例1>
表示パネル500は、画素502(i,j)、画素502(i,j+1)を有する(図1(A)(B)参照)。表示パネル500の画素の上面図は、図1(A)で示される。図1(B)は図1(A)の切断線A1−A2、切断線A3−A4、切断線A5−A6における表示パネル500の断面図である。
<Pixel Configuration Example 1>
The
画素502(i,j)、画素502(i,j+1)は、色相が互いに異なる色を表示する機能を備える。 The pixel 502 (i, j) and the pixel 502 (i, j + 1) have a function of displaying colors having different hues.
表示パネル500は発光層606、導電膜604、導電膜608を備える。発光層606は、発光性の材料を含む層である。
The
表示パネル500は着色膜CF_1を備える。表示パネル500は基板506を備える。
The
画素502(i,j)は、表示素子602(i,j)を有する(図1(B)参照)。表示素子602(i,j)は、光を射出する機能を備える。領域603(i,j)において、発光層606と導電膜605(i,j)とは接している。
The pixel 502 (i, j) includes the display element 602 (i, j) (see FIG. 1B). The display element 602 (i, j) has a function of emitting light. In the region 603 (i, j), the light-emitting
画素502(i,j+1)は、表示素子602(i,j+1)を有する(図1(B)参照)。表示素子602(i,j+1)は、光を射出する機能を備える。領域603(i,j+1)において、発光層606と導電膜605(i,j+1)とは接している。
The pixel 502 (i, j + 1) includes the display element 602 (i, j + 1) (see FIG. 1B). The display element 602 (i, j + 1) has a function of emitting light. In the region 603 (i, j + 1), the light-emitting
領域603(i,j)と領域603(i,j+1)の間を例とするように、互いに異なる領域603の間に、絶縁膜610を備える(図1(A)、(B)参照)。
An insulating
表示パネル500は画素502(i,j)において、導電膜604(i,j)と発光層606との間に、導電膜605(i,j)を有する。また画素502(i,j+1)において、導電膜604(i,j+1)と発光層606との間に、導電膜605(i,j+1)を有する。導電膜605(i,j)と導電膜605(i,j+1)は、光透過性を有する。
The
表示パネル500は、表示素子602と着色膜CFとの間に、接合層564を有する。
The
例えば、有機EL素子を表示素子602(i,j)、表示素子602(i,j+1)に用いることができる。 For example, an organic EL element can be used for the display element 602 (i, j) and the display element 602 (i, j + 1).
画素502(i,j)において、導電膜608と導電膜604(i,j)との間に、発光層606が形成される。
In the pixel 502 (i, j), the light-emitting
画素502(i,j)において、着色膜CF_1と導電膜604(i,j)との間に、導電膜608が形成される。
In the pixel 502 (i, j), the
<微小光共振器構造>
本実施の形態で説明する表示パネル500は、画素502(i,j)、画素502(i,j+1)に、それぞれ微小光共振器構造を備える。
<Micro optical resonator structure>
A
微小光共振器構造は、半光透過性・半光反射性を備える膜と、光反射膜とを備える。該半光透過性・半光反射性を備える膜と、光反射膜との間には、所定の間隔が設けられる。該所定の間隔には、光透過性の膜または空隙を有する。微小光共振器構造内の光は、該間隔において共振し、特定の波長の光を強めあう。その結果、当該色以外の光強度が相対的に小さくなり、当該色の色純度が高くなる。 The minute optical resonator structure includes a film having a semi-light transmitting property and a semi-light reflecting property, and a light reflecting film. A predetermined interval is provided between the semi-light transmissive / semi-light reflective film and the light reflective film. The predetermined interval has a light transmissive film or void. The light in the minute optical resonator structure resonates at the interval and strengthens light of a specific wavelength. As a result, the light intensity other than that color becomes relatively small, and the color purity of the color becomes high.
なお、半光透過性・半光反射性を備える膜は、可視光の一部を透過する機能および他の一部を反射する機能を備える。例えば、光が透過する程度に薄い金属膜を半光透過性・半光反射性を備える膜に用いることができる。 Note that a film having semi-light transmissivity and semi-light reflectivity has a function of transmitting part of visible light and a function of reflecting another part. For example, a metal film that is thin enough to transmit light can be used as a film having semi-light-transmitting properties and semi-light-reflecting properties.
画素502(i,j)において、導電膜608と導電膜604(i,j)との間の距離が、距離d1である部分を有する。また、画素502(i,j+1)において、導電膜608と導電膜604(i,j+1)との間の距離が、距離d2である部分を有する。
In the pixel 502 (i, j), the distance between the
距離d1は、距離d2と等しい。画素502(i,j)の備える微小光共振器構造は、画素502(i,j)の表示する色の光と、画素502(i,j+1)の表示する色の光と、をいずれも強めあう。 The distance d1 is equal to the distance d2. The minute optical resonator structure included in the pixel 502 (i, j) enhances both the color light displayed by the pixel 502 (i, j) and the color light displayed by the pixel 502 (i, j + 1). meet.
距離d1と距離d2とを等しくすることで、表示素子602(i,j)と表示素子602(i,j+1)とを同一の作製工程で形成することができる。 By making the distance d1 and the distance d2 equal, the display element 602 (i, j) and the display element 602 (i, j + 1) can be formed in the same manufacturing process.
また、作製工程において、多階調(高階調)マスクを用いて導電膜604と導電膜605とを異なる形状に加工することで、リソグラフィ工程の回数を削減できる。すなわち工程を簡略化し、表示パネル500は生産性を向上させることができる。
In the manufacturing process, the number of lithography processes can be reduced by processing the
多階調(高階調)マスクは1回のリソグラフィ工程で、レジストマスク620と、レジストマスク620を膜減りさせて得られるレジストマスク622を得られる(図7(A)、(B)参照)。レジストマスク620を用いて導電膜604と導電膜605とをエッチングし、次いでレジストマスク622を用いて導電膜605のみをエッチングすることで、導電膜604と導電膜605とを異なる形状に加工することができる。作製工程については、後述の部分にて説明する。
A multi-tone (high-tone) mask can obtain a resist
画素502(i,j)の備える微小光共振器構造は、距離d1を所定の値とすることにより、第1の波長領域の光と、第2の波長領域の光と、をいずれも強めあうことができる。ここで第2の波長領域に含まれる光の波長はいずれも、第1の波長領域における最大波長よりも大きい。 The minute optical resonator structure included in the pixel 502 (i, j) enhances both the light in the first wavelength region and the light in the second wavelength region by setting the distance d1 to a predetermined value. be able to. Here, the wavelengths of the light included in the second wavelength region are all greater than the maximum wavelength in the first wavelength region.
導電膜608は半光透過性および半光反射性を備え、導電膜604は光反射性を備える。画素502(i,j)において、発光層606から射出された光は、導電膜608と導電膜604(i,j)との間で共振し、着色膜CF_1に到達する。
The
画素502(i,j)に供給される映像信号と、第1の波長領域の光の強度とは対応する。画素502(i,j+1)に供給される映像信号と、第2の波長領域の光の強度とは対応する。 The video signal supplied to the pixel 502 (i, j) corresponds to the intensity of light in the first wavelength region. The video signal supplied to the pixel 502 (i, j + 1) corresponds to the intensity of light in the second wavelength region.
着色膜CF_1は、画素502(i,j)から射出される光のうち、鉛直な方向630に射出される光L1の、第1の波長領域の光を透過する(図2(A)参照)。また着色膜CF_1は、第2の波長領域の光を吸収または反射する。光L1の第1の波長領域の光の強度は微小共振器構造で強められているため、着色膜CF_1を通過する光は第1の波長領域の光の色純度が高い。
The colored film CF_1 transmits the light in the first wavelength region of the light L1 emitted in the
微小光共振器構造を有することで、画素502(i,j)は方向630に、映像信号に対応する第1の波長領域の光を高色純度で射出することができる。また画素502(i,j+1)は方向630に、映像信号に対応する第2の波長領域の光を高色純度で射出することができる。
With the minute optical resonator structure, the pixel 502 (i, j) can emit light in the first wavelength region corresponding to the video signal with high color purity in the
例えば、青色の光の波長領域を第1の波長領域とし、赤色の光の波長領域を第2の波長領域とする。このとき、画素502(i,j)は青色の表示をすることができる。 For example, the wavelength region of blue light is a first wavelength region, and the wavelength region of red light is a second wavelength region. At this time, the pixel 502 (i, j) can display blue.
画素502(i,j)と、画素502(i,j+1)とが光の色純度を高めた表示をすることにより、表示パネル500の色再現性は向上する。
When the pixel 502 (i, j) and the pixel 502 (i, j + 1) perform display with enhanced color purity of light, the color reproducibility of the
<第2の波長領域の、光の射出方向に伴う変化>
画素502(i,j)の表面に対して鉛直な方向630と方向632とは、角度Rを成す(図2(A)参照)。光L1は方向630に射出され、光L2は方向632に射出される。
<Change in the second wavelength region according to the light emission direction>
A
光L1と光L2とは、同じ微小光共振器構造から射出されるものの、光L2の微小光共振器構造内の光路長は、光L1の同光路長に比べ、大きくなる。このとき強めあう光の色が、光L1と光L2とは異なる。すなわち、角度Rの変化に伴い、光L2の第1の波長領域と、第2の波長領域と、は変化する。 Although the light L1 and the light L2 are emitted from the same micro optical resonator structure, the optical path length of the light L2 in the micro optical resonator structure is larger than the optical path length of the light L1. At this time, the colors of the light to be strengthened are different from the light L1 and the light L2. That is, as the angle R changes, the first wavelength region and the second wavelength region of the light L2 change.
<着色膜>
図2(B)は着色膜CF_1の透過スペクトルの例を示す図である。横軸は光の波長で、縦軸は光の透過率である。
<Colored film>
FIG. 2B is a diagram illustrating an example of a transmission spectrum of the colored film CF_1. The horizontal axis is the wavelength of light, and the vertical axis is the light transmittance.
画素502(i,j)が、図2(B)で示されるような透過スペクトルを有する着色膜CF_1を備えることにより、光L2の第2の波長領域の光が、着色膜CF_1を通過し、方向632へ射出されることを効果的に低減させることができる。
When the pixel 502 (i, j) includes the colored film CF_1 having the transmission spectrum as illustrated in FIG. 2B, the light in the second wavelength region of the light L2 passes through the colored film CF_1. Injection in the
本発明の一態様の表示パネル500が備える着色膜CF_1は、透過率T1及び透過率T2を備えた、透過スペクトルを有する。
The colored film CF_1 included in the
透過率T1は、波長500nmの光に対する着色膜CF_1の透過率であり、透過率T2は、波長400nm以上、500nm未満の範囲の光に対し、最も大きい透過率である。透過率T2は、透過率T1の10倍以上である。 The transmittance T1 is the transmittance of the colored film CF_1 with respect to light having a wavelength of 500 nm, and the transmittance T2 is the highest transmittance with respect to light in the wavelength range of 400 nm or more and less than 500 nm. The transmittance T2 is 10 times or more the transmittance T1.
このとき、画素502(i,j)は、波長400nm以上、500nm未満の範囲の光を射出することができる。 At this time, the pixel 502 (i, j) can emit light having a wavelength of 400 nm or more and less than 500 nm.
着色膜CF_1の透過率T2を、透過率T1の10倍以上とすることにより、一例として、色度差Δu’v’を、角度Rが0°乃至80°の範囲において0.1以下にすることができる。詳細は実施例にて説明する。 By setting the transmittance T2 of the colored film CF_1 to 10 times or more of the transmittance T1, as an example, the chromaticity difference Δu′v ′ is set to 0.1 or less when the angle R is in the range of 0 ° to 80 °. be able to. Details will be described in Examples.
着色膜CF_1の透過率T2を、透過率T1の10倍以上とする手段の一つとして、着色膜の膜厚を所定の値とすることができる。例えば、膜厚1μmの樹脂Aの透過率T1が20%、透過率T2が80%であるとする。このとき透過率T1は、透過率T2の25%である。樹脂Aを膜厚2μmとしたときの透過率T1は4%、透過率T2は64%となり、透過率T1は、透過率T2の6.25%となる。 As one means for setting the transmittance T2 of the colored film CF_1 to 10 times or more of the transmittance T1, the thickness of the colored film can be set to a predetermined value. For example, it is assumed that the transmittance T1 of the resin A having a thickness of 1 μm is 20% and the transmittance T2 is 80%. At this time, the transmittance T1 is 25% of the transmittance T2. When the resin A has a thickness of 2 μm, the transmittance T1 is 4%, the transmittance T2 is 64%, and the transmittance T1 is 6.25% of the transmittance T2.
着色膜CFは、基板506に接して形成される。
The colored film CF is formed in contact with the
着色膜CFは、例えば、金属材料、樹脂材料、顔料または染料が含まれた樹脂材料などを用いることができる。 For the colored film CF, for example, a metal material, a resin material, a resin material containing a pigment or a dye, or the like can be used.
透過率T2が透過率T1の10倍以上である着色膜CF_1を備えることにより、画素502(i,j)は方向632への第2の波長領域の光の射出を低減させ、表示パネル500の色再現性が向上し、視認性を向上させることができる。
By including the colored film CF_1 whose transmittance T2 is 10 times or more that of the transmittance T1, the pixel 502 (i, j) reduces the emission of light in the second wavelength region in the
<画素の構成例2>
表示パネル500は、画素502(i,j+2)を有してもよい(図1(A)(B)参照)。
<Pixel Configuration Example 2>
The
画素502(i,j)、画素502(i,j+1)、画素502(i,j+2)は、色相が互いに異なる色を表示する機能を備える。 The pixel 502 (i, j), the pixel 502 (i, j + 1), and the pixel 502 (i, j + 2) have a function of displaying colors having different hues.
画素502(i,j+2)は、表示素子602(i,j+2)を有する(図1(B)参照)。表示素子602(i,j+2)は、光を射出する機能を備える。領域603(i,j+2)において、発光層606と導電膜604(i,j+2)とは接している。
The pixel 502 (i, j + 2) includes the display element 602 (i, j + 2) (see FIG. 1B). The display element 602 (i, j + 2) has a function of emitting light. In the region 603 (i, j + 2), the light-emitting
例えば、有機EL素子を表示素子602(i,j+2)に用いることができる。 For example, an organic EL element can be used for the display element 602 (i, j + 2).
画素502(i,j+2)において、導電膜608と導電膜604(i,j+2)との間の距離が、距離d3である部分を備える。
In the pixel 502 (i, j + 2), a distance between the
距離d3は、距離d1と異なる。 The distance d3 is different from the distance d1.
表示パネル500は画素502(i,j+2)において、導電膜608と発光層606とは接する。すなわち、距離d1から距離d3を差し引くと、導電膜605(i,j)の厚さに等しくなる。
In the
画素502(i,j+2)は微小光共振器構造を備え、画素502(i,j+2)の表示する色の光を強めあう。画素502(i,j+2)において、発光層606から射出された光は、導電膜608と導電膜604(i,j+2)との間で共振する。
The pixel 502 (i, j + 2) has a minute optical resonator structure, and enhances light of colors displayed by the pixel 502 (i, j + 2). In the pixel 502 (i, j + 2), light emitted from the light-emitting
画素502(i,j+2)の備える微小光共振器構造は、距離d3を所定の値とすることにより、第3の波長領域の光を強めあうことができる。第3の波長領域は、第1の波長領域、第2の波長領域のいずれとも異なるようにする。 The minute optical resonator structure included in the pixel 502 (i, j + 2) can intensify the light in the third wavelength region by setting the distance d3 to a predetermined value. The third wavelength region is different from both the first wavelength region and the second wavelength region.
例えば、緑色を呈する波長領域を第3の波長領域とすることができる。 For example, the wavelength region exhibiting green can be set as the third wavelength region.
表示パネル500が備える画素502(i,j+2)は、第3の波長領域の光の色純度を高めた表示をすることができる。
The pixel 502 (i, j + 2) included in the
<画素の構成例3>
表示パネル500は、着色膜CF_2と、着色膜CF_3と、を有してもよい(図1(A)(B)参照)。
<Pixel Configuration Example 3>
The
画素502(i,j+1)において、着色膜CF_2と導電膜604(i,j+1)との間に、導電膜608が形成される。画素502(i,j+2)において、着色膜CF_3と導電膜604(i,j+2)との間に、導電膜608が形成される。
In the pixel 502 (i, j + 1), a
画素502(i,j+1)において、発光層606から射出された光は、導電膜608と導電膜604(i,j+1)との間で共振し、着色膜CF_2に到達する。画素502(i,j+2)において、発光層606から射出された光は、導電膜608と導電膜604(i,j+2)との間で共振し、着色膜CF_3に到達する。
In the pixel 502 (i, j + 1), light emitted from the light-emitting
画素502(i,j+1)において、距離d2を距離d1と等しくかつ所定の値とすることにより、赤色を呈する波長領域を第2の波長領域とする。また着色膜CF_2は赤色の光を透過する透過スペクトルを有する。 In the pixel 502 (i, j + 1), the wavelength region exhibiting red is set as the second wavelength region by setting the distance d2 equal to the distance d1 and a predetermined value. The colored film CF_2 has a transmission spectrum that transmits red light.
画素502(i,j+2)において、距離d3を所定の値とすることにより、緑色を呈する波長領域を第3の波長領域とする。また着色膜CF_3は緑色の光を透過する透過スペクトルを有する。 In the pixel 502 (i, j + 2), the wavelength region exhibiting green is set as the third wavelength region by setting the distance d3 to a predetermined value. The colored film CF_3 has a transmission spectrum that transmits green light.
画素502(i,j+2)に供給される映像信号は、第3の波長領域の光の強度に対応する。 The video signal supplied to the pixel 502 (i, j + 2) corresponds to the light intensity in the third wavelength region.
画素502(i,j)は青色を表示し、画素502(i,j+1)は赤色を表示し、画素502(i,j+2)は緑色を表示する機能を有することで、表示パネル500はRGB方式を用い、フルカラー表示が可能となる。 The pixel 502 (i, j) displays blue, the pixel 502 (i, j + 1) displays red, and the pixel 502 (i, j + 2) has a function of displaying green. Can be used for full color display.
また例えば、白色を表示する画素等を設け、表示に用いることができる。 Further, for example, a pixel or the like for displaying white can be provided and used for display.
<構成要素>
上述の部分で説明された構成要素以外の、表示パネル500が備える構成要素について説明する(図1(B)参照)。
<Components>
The components included in the
<導電膜604>
光反射性の材料、換言すれば可視光について反射性を有し、導電性を有する材料を導電膜604に用いることができる。
<
A light-reflective material, in other words, a material that has reflectivity with respect to visible light and has conductivity, can be used for the
例えば、銀を用いることができる。または銀にアルミニウム、金、白金、ニッケル、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、もしくはパラジウム等の金属材料を含む合金を用いることができる。また、上記金属材料または合金に、ランタン、ネオジム、またはゲルマニウム等が添加されていてもよい。また、銀と銅の合金、銀とパラジウムと銅の合金(Ag−Pd−Cu、APCとも記す)、銀とマグネシウムの合金等の銀を含む合金を用いてもよい。銀と銅を含む合金は、耐熱性が高いため好ましい。なお、ここでAPCとは(株)フルヤ金属製の、銀、パラジウム及び銅の合金で、その組成は、Agが約98重量%、Pdが約1重量%、Cuが約1重量%である。 For example, silver can be used. Alternatively, an alloy containing silver, a metal material such as aluminum, gold, platinum, nickel, tungsten, chromium, molybdenum, iron, cobalt, copper, or palladium can be used. In addition, lanthanum, neodymium, germanium, or the like may be added to the metal material or alloy. An alloy containing silver such as an alloy of silver and copper, an alloy of silver, palladium and copper (also referred to as Ag-Pd-Cu or APC), an alloy of silver and magnesium, or the like may be used. An alloy containing silver and copper is preferable because of its high heat resistance. Here, APC is an alloy of silver, palladium and copper made by Furuya Metal Co., Ltd., and its composition is about 98 wt% Ag, about 1 wt% Pd and about 1 wt% Cu. .
導電膜604は、銀を含む材料が用いられることにより、反射率を高めることができ、微小光共振器の有する特定の波長の光を強めあう特性を向上させることができる。
When the
また、銀を含んだ材料以外にも、アルミニウム、金、白金、ニッケル、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、もしくはパラジウム等の金属材料、またはこれら金属材料を含む合金を用いることができる。チタン、タンタル、タングステン、モリブデン、クロムから選ばれた一または複数の金属膜、もしくは金属窒化膜は、酸化性雰囲気に晒されても脆くならず、かつ導電性を維持するので、酸素プラズマに晒される場合には好ましい材料である。また、上記金属材料または合金に、ランタン、ネオジム、またはゲルマニウム等が添加されていてもよい。 In addition to a material containing silver, a metal material such as aluminum, gold, platinum, nickel, tungsten, chromium, molybdenum, iron, cobalt, copper, or palladium, or an alloy containing these metal materials can be used. . One or more metal films or metal nitride films selected from titanium, tantalum, tungsten, molybdenum, and chromium are not brittle when exposed to an oxidizing atmosphere, and maintain conductivity, so that they are exposed to oxygen plasma. This is a preferred material. In addition, lanthanum, neodymium, germanium, or the like may be added to the metal material or alloy.
また、アルミニウムとチタンの合金、アルミニウムとニッケルの合金、アルミニウムとネオジムの合金、アルミニウム、ニッケル、及びランタンの合金(Al−Ni−La)等のアルミニウムを含む合金(アルミニウム合金)、を用いることができる。さらに、アルミニウム合金膜に接する金属膜または金属酸化物膜を積層することで、アルミニウム合金膜の酸化を抑制することができる。該金属膜、金属酸化物膜の材料としては、チタン、酸化チタンなどが挙げられる。また、上記可視光を透過する導電膜と金属材料からなる膜とを積層してもよい。 Alternatively, an alloy containing aluminum (aluminum alloy) such as an alloy of aluminum and titanium, an alloy of aluminum and nickel, an alloy of aluminum and neodymium, an alloy of aluminum, nickel, and lanthanum (Al-Ni-La) can be used. it can. Furthermore, the oxidation of the aluminum alloy film can be suppressed by stacking a metal film or a metal oxide film in contact with the aluminum alloy film. Examples of the material for the metal film and metal oxide film include titanium and titanium oxide. Alternatively, the conductive film that transmits visible light and a film made of a metal material may be stacked.
例えば、膜厚200nmのAPCを導電膜604に用いることができる。
For example, APC with a thickness of 200 nm can be used for the
<発光層606>
発光層606は、第1の波長領域の光と、第2の波長領域の光と、第3の波長領域の光とを含むスペクトルの光を射出する。
<
The
例えば、白色の光を発する発光層を発光層606に用いることができる(図1(B)参照)。 For example, a light-emitting layer that emits white light can be used for the light-emitting layer 606 (see FIG. 1B).
例えば、発光性の有機化合物を発光層606に用いることができる。画素502において、発光層606は、例えば188nmの膜厚とすることができる。
For example, a light-emitting organic compound can be used for the light-emitting
<導電膜605>
例えば、配線等に用いることができる材料から選択された、可視光について光透過性を有する材料を、導電膜605に用いることができる。
<
For example, a material that has a light-transmitting property with respect to visible light and is selected from materials that can be used for wirings or the like can be used for the
具体的には、導電性酸化物またはインジウムを含む導電性酸化物、酸化インジウム、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛などを、導電膜605に用いることができる。または、光が透過する程度に薄い金属膜を導電膜605に用いることができる。または、光の一部を透過し、光の他の一部を反射する金属膜を導電膜605に用いることができる。
Specifically, a conductive oxide or a conductive oxide containing indium, indium oxide, indium tin oxide, indium zinc oxide, zinc oxide, zinc oxide to which gallium is added, or the like is used for the
導電膜605は、例えば膜厚120nmの、インジウムと錫と珪素とを有する酸化物導電膜を用いることができる。
As the
<導電膜608>
例えば可視光の反射率が20%以上80%以下、好ましくは40%以上70%以下である膜を用いることができる。
<
For example, a film having a visible light reflectance of 20% to 80%, preferably 40% to 70% can be used.
上記反射率を有する、薄い金属膜を用いることができる。該金属膜は、例えば導電膜604と同じ材料を用いることができる。
A thin metal film having the above reflectance can be used. For example, the same material as the
例えばAPCを材料に用いたとき、5nm以上30nm以下の膜厚、代表的には15nmの膜厚とすることができる。 For example, when APC is used as a material, the film thickness can be 5 nm to 30 nm, typically 15 nm.
<絶縁膜610>
絶縁膜610は、例えば、感光性アクリル樹脂膜、珪素の酸化物や珪素の窒化物等の無機材料、エポキシ、ポリイミド、ポリアミド、ポリビニルフェノール、ベンゾシクロブテン等の有機材料やシロキサン樹脂等のシロキサン材料からなる単層または積層構造で設けることができる。
<Insulating
The insulating
例えば、厚さ1μmのポリイミドを含む膜を絶縁膜610に用いることができる。
For example, a film containing polyimide with a thickness of 1 μm can be used for the insulating
<接合層564>
接合層564は、表示素子602が形成された基板(図示せず)と、基板506とを貼りあわせる機能を有する。
<
The
例えば、熱溶融性の樹脂または硬化性の樹脂等の有機材料を、封止材566に用いることができる。
For example, an organic material such as a heat-meltable resin or a curable resin can be used for the sealing
例えば、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、イミド樹脂、PVC(ポリビニルクロライド)樹脂、PVB(ポリビニルブチラル)樹脂、EVA(エチレンビニルアセテート)樹脂、等を含む材料を用いることができる。 For example, a material including an epoxy resin, an acrylic resin, a silicone resin, a phenol resin, a polyimide resin, an imide resin, a PVC (polyvinyl chloride) resin, a PVB (polyvinyl butyral) resin, an EVA (ethylene vinyl acetate) resin, or the like is used. Can do.
フッ素を含む材料を用いると、表示素子602への水素、水分、等の侵入を防ぐ機能を有するため、好ましい。
The use of a material containing fluorine is preferable because it has a function of preventing entry of hydrogen, moisture, and the like into the
<基板506>
例えば、ガラス基板、セラミック基板、石英基板、サファイア基板などを、基板506に用いることができる。
<
For example, a glass substrate, a ceramic substrate, a quartz substrate, a sapphire substrate, or the like can be used for the
基板506は、接合層564により、表示素子602と貼りあわせられる。
The
基板506は、作製工程の熱処理に耐え得る程度の耐熱性を有する必要がある。また基板506は、光透過性を有する必要がある。
The
基板506は、可撓性を有しても良い。例えば、樹脂、樹脂フィルムまたはプラスチック等の有機材料を、可撓性を有する基板に用いることができる。具体的には、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド、ポリイミド、ポリカーボネートまたはアクリル樹脂等の樹脂フィルムまたは樹脂板を、用いることができる。
The
可撓性を有する基板上にトランジスタを設ける方法としては、非可とう性の基板上にトランジスタを作製した後、トランジスタを剥離し、可撓性基板である基板に転置する方法が挙げられる。その場合には、非可撓性基板とトランジスタとの間に剥離層を設けるとよい。 As a method for providing a transistor over a flexible substrate, there is a method in which a transistor is manufactured over a non-flexible substrate, and then the transistor is peeled off and transferred to a flexible substrate. In that case, a separation layer is preferably provided between the non-flexible substrate and the transistor.
本発明の一態様の表示パネルは、微小光共振器構造を有することで、さまざまな規格の色域を再現することができる。例えば、テレビ放送で使われるPAL(Phase Alternating Line)規格およびNTSC(National Television System Committee)規格、パーソナルコンピュータ、デジタルカメラ、プリンタなどの電子機器に用いる表示装置で広く使われているsRGB(standard RGB)規格およびAdobe RGB規格、HDTV(High Definition Television、ハイビジョンともいう)で使われるITU−R BT.709(International Telecommunication Union Radiocommunication Sector Broadcasting Service(Television) 709)規格、デジタルシネマ映写で使われるDCI−P3(Digital Cinema Initiatives P3)規格、UHDTV(Ultra High Definition Television、スーパーハイビジョンともいう)で使われるITU−R BT.2020(REC.2020(Recommendation 2020))規格などの色域を再現することができる。 The display panel of one embodiment of the present invention has a minute optical resonator structure, and thus can reproduce color gamuts of various standards. For example, sRGB (standard RGB) widely used in electronic devices such as PAL (Phase Alternating Line) standards and NTSC (National Television System Committee) standards used in television broadcasting, personal computers, digital cameras, printers, etc. ITU-R BT., Which is used in the standard, Adobe RGB standard, HDTV (also known as High Definition Television). 709 (International Telecommunication Union Radiocommunication Sector Broadcasting Service (Television) 709) standard, DCI-P3 (Digital CinitiitiPUU standard used in digital cinema projection, Digital Cinema Initiative PTV). R BT. A color gamut such as 2020 (REC. 2020 (Recommendation 2020)) standard can be reproduced.
本実施の形態の構成の少なくとも一部は、他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。 At least part of the structure of this embodiment can be implemented in combination with any of the other embodiments as appropriate.
(実施の形態2)
本実施の形態では、表示パネル500とは異なる構成の表示パネル500_2、表示パネル500_3及び表示パネル500_4について説明する。
(Embodiment 2)
In this embodiment, a display panel 500_2, a display panel 500_3, and a display panel 500_4 which are different from the
表示パネル500_2、表示パネル500_3及び表示パネル500_4は、表示パネル500と同様に、色純度の高い表示をすることができる。
Similar to the
<画素の構成例4>
表示パネル500_2の画素の上面図は、図1(A)で示される。
<Pixel Configuration Example 4>
A top view of a pixel of the display panel 500_2 is illustrated in FIG.
図3は、本発明の一態様の表示パネル500_2の画素を説明する断面図である。図3は図1(A)の切断線A1−A2、切断線A3−A4、切断線A5−A6における断面図である。 FIG. 3 is a cross-sectional view illustrating a pixel of the display panel 500_2 of one embodiment of the present invention. FIG. 3 is a cross-sectional view taken along line A1-A2, line A3-A4, and line A5-A6 in FIG.
表示パネル500_2は、導電膜608と、接合層564との間に、導電膜609を有する。導電膜609は、光透過性を有する膜を用いることができる。
The display panel 500_2 includes a
導電膜609には、例えば導電膜605(i,j)と同じ材料を用いることができる。
For the
導電膜609は、導電膜608の補助配線として用いることができる。導電膜608の膜厚が小さく、配線抵抗が高くても、表示パネル500_2は良好な表示をすることができる。
The
表示パネル500_2は、画素502(i,j)において、導電膜608と発光層606の間に導電膜605(i,j)を有する。また画素502(i,j+1)において、導電膜608と発光層606の間に導電膜605(i,j+1)を有する。
The display panel 500_2 includes a conductive film 605 (i, j) between the
表示パネル500_2は、画素502(i,j+2)において、発光層606と、導電膜608とが接する。
In the display panel 500_2, the light-emitting
導電膜605は、光透過性を有する膜を用いることができる。
The
表示パネル500_2の有する他の構成は、表示パネル500の構成と同一である。
The other structure of the display panel 500_2 is the same as that of the
<画素の構成例5>
表示パネル500_3の画素の上面図は、図1(A)で示すことができる。
<Pixel Configuration Example 5>
A top view of a pixel of the display panel 500_3 can be illustrated in FIG.
図4(A)は、本発明の一態様の表示パネル500_3の画素を説明する断面図である。図4(A)は図1(A)の切断線A1−A2、切断線A3−A4、切断線A5−A6における断面図である。但し着色膜CFと基板506は図1(B)に示す表示パネル500と同じ構成であり、図4(A)において説明を省略している。
FIG. 4A is a cross-sectional view illustrating a pixel of the display panel 500_3 of one embodiment of the present invention. 4A is a cross-sectional view taken along section line A1-A2, section line A3-A4, and section line A5-A6 of FIG. However, the coloring film CF and the
表示パネル500_2の構成においては、導電膜609を有さない構成としても良い。このとき、導電膜605と接合層564とは接する。
The structure of the display panel 500_2 may not include the
表示パネル500_3の有する他の構成は、表示パネル500_2の構成と同一である。 The other structure of the display panel 500_3 is the same as that of the display panel 500_2.
<画素の構成例6>
表示パネル500_4の画素の上面図は、図1(A)で示すことができる。
<Pixel Configuration Example 6>
A top view of a pixel of the display panel 500_4 can be shown in FIG.
図4(B)は、本発明の一態様の表示パネル500_4の画素を説明する断面図である。図4(B)は図1(A)の切断線A1−A2、切断線A3−A4、切断線A5−A6における断面図である。但し着色膜CFと基板506は図1(B)に示す表示パネル500と同じ構成であり、図4(B)において説明を省略している。
FIG. 4B is a cross-sectional view illustrating a pixel of the display panel 500_4 of one embodiment of the present invention. 4B is a cross-sectional view taken along section line A1-A2, section line A3-A4, and section line A5-A6 of FIG. However, the coloring film CF and the
表示パネル500_4は、画素502(i,j)、画素502(i,j+1)において、導電膜604と発光層606の間、及び導電膜604と絶縁膜610の間、に導電膜605_2を有する。また導電膜605_2と導電膜604の間に、導電膜605_1を有する。
The display panel 500_4 includes the conductive film 605_2 between the
表示パネル500_4は、画素502(i,j+2)において、導電膜604と発光層606の間、及び導電膜604と絶縁膜610の間、に導電膜605_1を有する。
The display panel 500_4 includes the conductive film 605_1 between the
表示パネル500_4は、発光層606と、導電膜608とが接する。
In the display panel 500_4, the light-emitting
一のエッチャント、またはエッチング雰囲気において、導電膜605_1は導電膜605_2よりエッチレートが小さいことが好ましい。また導電膜605_1及び導電膜605_2は、いずれも光透過性を有する膜を用いることができる。 In one etchant or an etching atmosphere, the conductive film 605_1 preferably has a lower etch rate than the conductive film 605_2. The conductive films 605_1 and 605_2 can each be a light-transmitting film.
作製工程において、多階調(高階調)マスクで得られるレジストマスク620、レジストマスク622を用いて(図7(A)、(B)参照)、導電膜605_1と導電膜605_2とを異なる形状に加工することで、リソグラフィ工程の回数を削減でき、工程を簡略化し、表示パネル500_4は生産性を向上させることができる。
In the manufacturing process, the conductive film 605_1 and the conductive film 605_2 are formed into different shapes using a resist
レジストマスク620を用いて導電膜604、導電膜605_1及び導電膜605_2をエッチングする。次いでレジストマスク622を用いて導電膜605_2のみをエッチングすることで、導電膜605_1と導電膜605_2とを異なる形状に加工することができる。このとき導電膜605_1は導電膜605_2よりエッチレートが小さいと、加工時に導電膜605_1を残存させることが容易である。
The
表示パネル500_4の有する他の構成は、表示パネル500の構成と同一である。
The other structure of the display panel 500_4 is the same as that of the
本実施の形態の構成の少なくとも一部は、他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。 At least part of the structure of this embodiment can be implemented in combination with any of the other embodiments as appropriate.
(実施の形態3)
<画素の作製方法例>
本実施の形態では、表示素子の作製方法について説明する。特に多階調(高階調)マスクを用いる作製方法について説明する。
(Embodiment 3)
<Example of pixel manufacturing method>
In this embodiment, a method for manufacturing a display element will be described. In particular, a manufacturing method using a multi-tone (high-tone) mask will be described.
図5(A)は表示パネル500の構成を説明する断面図である(図1(B)参照)。図5(A)は図1(A)に示された切断線A1−A2、切断線A3−A4、切断線A5−A6の断面図に加え、駆動回路の有するトランジスタと重なる、切断線X5−X6の断面図を示している(図10、図15参照)。 FIG. 5A is a cross-sectional view illustrating a structure of a display panel 500 (see FIG. 1B). 5A shows a cross-sectional view taken along the cutting lines A1-A2, A3-A4, and A5-A6 shown in FIG. 1A, as well as a cutting line X5- A sectional view of X6 is shown (see FIGS. 10 and 15).
表示パネル500は、表示素子602(i,j)、表示素子602(i,j+1)、表示素子602(i,j+2)を有する。
The
表示素子602(i,j)が形成される領域に、導電膜604(i,j)と、導電膜605(i,j)が配設される。表示素子602(i,j+1)が形成される領域に、導電膜604(i,j+1)、導電膜605(i,j+1)が配設される。表示素子602(i,j+2)が形成される領域に、導電膜604(i,j+2)が配設される。 A conductive film 604 (i, j) and a conductive film 605 (i, j) are provided in a region where the display element 602 (i, j) is formed. A conductive film 604 (i, j + 1) and a conductive film 605 (i, j + 1) are provided in a region where the display element 602 (i, j + 1) is formed. A conductive film 604 (i, j + 2) is provided in a region where the display element 602 (i, j + 2) is formed.
表示素子602(i,j)、表示素子602(i,j+1)、表示素子602(i,j+2)の他の構成は共通している。 Other configurations of the display element 602 (i, j), the display element 602 (i, j + 1), and the display element 602 (i, j + 2) are common.
図5(B)、(C)、図7(A)、(B)、(C)、(D)、図8(A)、(B)、(C)、は表示パネルの作製方法を説明する断面図である。また図9は、表示パネルの作製方法を説明するフロー図である。 FIGS. 5B, 5C, 7A, 7B, 7C, 8D, and 8C illustrate a method for manufacturing a display panel. FIG. FIG. 9 is a flowchart illustrating a method for manufacturing a display panel.
図5(B)には、絶縁膜538B上に、導電膜604と、その上方に導電膜605と、が成膜された状態が示される。各膜は、例えば実施の形態1にて説明された材料を用いることができる。
FIG. 5B shows a state where a
一例として、まず工程PR1にて導電膜604を、APCを200nmの膜厚でスパッタ法にて形成する。
As an example, first, a
次いで工程PR2にて、導電膜605を形成する。導電膜605は実施の形態1で示される材料を用いることができる。本実施の形態では導電膜605は、重量比にて、In2O3を85%、SnO2を10%、SiO2を5%を有するターゲットを用いて、アルゴンガスと酸素ガスを用いたスパッタ法にて、120nmの膜厚で形成する。
Next, in step PR2, a
次いで、工程PR3にて、レジストマスク620を、導電膜605上に形成する(図5(C)参照)。
Next, in a process PR3, a resist
レジストマスク620は、領域41と、領域42とを有する。領域41には、画素502(i,j)、画素502(i,j+1)を有する。領域42には、画素502(i,j+2)を有する。レジストマスク620は、領域41における膜厚より、領域42における膜厚の方が小さい。すなわち、画素502(i,j+2)と重なる領域は凹部ともいえる。
The resist
本実施の形態では、レジストマスク620の形成に、多階調(高階調)マスクを用いた露光を用いる。このとき、レジストの厚さが異なるレジストマスク620を形成できる。また基板上の領域43は、例えば隣り合う画素502の間や、駆動回路514Aまたは駆動回路514Bが形成される部分である。領域43にはレジストマスク620は形成されない。
In this embodiment mode, exposure using a multi-tone (high-tone) mask is used for forming the resist
多階調(高階調)マスクを用いる露光について、説明する。 Exposure using a multi-tone (high-tone) mask will be described.
まず、レジストマスクを形成するためレジストを形成する。レジストは、ポジ型レジスト又はネガ型レジストを用いることができる。ここでは、ポジ型レジストを用いて示す。レジストはスピンコート法で形成してもよいし、インクジェット法で選択的に形成してもよい。レジストをインクジェット法で選択的に形成すると、不要箇所へのレジスト形成を削減することができるので、材料の無駄を軽減することができる。 First, a resist is formed to form a resist mask. As the resist, a positive resist or a negative resist can be used. Here, a positive resist is used. The resist may be formed by a spin coating method or may be selectively formed by an ink jet method. When the resist is selectively formed by an ink-jet method, formation of the resist in unnecessary portions can be reduced, so that waste of materials can be reduced.
次に、露光マスクとして多階調マスクを用いて、レジストに光を照射して、レジストを露光する。 Next, using a multi-tone mask as an exposure mask, the resist is irradiated with light to expose the resist.
多階調マスクとは、露光部分、中間露光部分、及び未露光部分に3つの露光レベルを行うことが可能なマスクであり、透過した光が複数の強度となる露光マスクである。一度の露光及び現像工程により、複数の厚さの領域を有するレジストマスクを形成することが可能である。よって、多階調マスクを用いることで、リソグラフィ工程の回数を削減でき、工程を簡略化できる。 A multi-tone mask is a mask capable of performing three exposure levels on an exposed portion, an intermediate exposed portion, and an unexposed portion, and is an exposure mask in which transmitted light has a plurality of intensities. With a single exposure and development process, a resist mask having a plurality of thickness regions can be formed. Therefore, by using a multi-tone mask, the number of lithography processes can be reduced and the process can be simplified.
多階調マスクの代表例としては、図6(A)に示すようなグレートーンマスク10a、図6(C)に示すようなハーフトーンマスク10bがある。
Typical examples of the multi-tone mask include a gray-
図6(A)に示すように、グレートーンマスク10aは、光透過性の基板13及び光透過性の基板13の上に形成される遮光膜15を備える。また、グレートーンマスク10aは、遮光膜が設けられた遮光部17、遮光膜のパターンにより設けられた回折格子部18及び遮光膜が設けられない透過部19を有する。
As shown in FIG. 6A, the
光透過性の基板13は、石英等の光透過性基板を用いることができる。遮光膜15は、クロムや酸化クロム等の光を吸収する遮光材料を用いて形成することができる。
As the light-transmitting
グレートーンマスク10aに露光光を照射した場合の、光の透過率TRを図6(B)に示す。図6(B)に示すように、遮光部17では光の透過率21は0%である。透過部19では光の透過率21は略100%である。また、回折格子部18では光の透過率21は10%以上70%以下の範囲で調整可能である。回折格子部18においては、スリット、ドット、メッシュ等の光透過部の間隔を露光に用いる光の解像度限界以下の間隔にしている。そして、回折格子部18は、スリット、ドット又はメッシュの間隔及びピッチを調整することで、光の透過率を制御できる。なお、回折格子部18は、周期的なスリット、ドット、メッシュ、または非周期的なスリット、ドット、メッシュのどちらも用いることができる。
FIG. 6B shows the light transmittance TR when the gray-
図6(C)に示すように、ハーフトーンマスク10bは、光透過性の基板13及び光透過性の基板13の上に形成される遮光膜25及び半光透過膜23を備える。また、ハーフトーンマスク10bは、遮光膜25及び半光透過膜23が設けられた遮光部27、遮光膜25が設けられずかつ半光透過膜23が設けられた半光透過部28、及び遮光膜25及び半光透過膜23が設けられない透過部29を有する。
As shown in FIG. 6C, the
ハーフトーンマスク10bに露光光を照射した場合の、光の透過率を図6(D)に示す。
図6(D)に示すように、遮光部27では光の透過率31は0%であり、透過部29では光の透過率31は略100%である。また、半光透過部28では光の透過率31は10%以上70%以下の範囲で調整可能である。半光透過部28においては、半光透過膜23の材料により、光の透過率を制御できる。
FIG. 6D shows the light transmittance when the
As shown in FIG. 6D, the
半光透過膜23は、MoSiN、MoSi、MoSiO、MoSiON、CrSiなどを用いることができる。遮光膜25は、クロムや酸化クロム等の光を吸収する遮光材料を用いることができる。
For the
多階調マスクを用いて露光した後、現像することで、図5(C)に示すように膜厚の異なる領域を有するレジストマスクを形成することができる。 By developing after exposure using a multi-tone mask, a resist mask having regions with different thicknesses can be formed as shown in FIG.
なお、多階調マスクとして、レジストの膜厚が2種類の例を示したが、本発明の形態はこれに限られない。複数の光の透過率を有する回折格子部18又は半光透過膜23を用いることにより、3種類以上の膜厚を有するレジストを形成できる。
Note that, as the multi-tone mask, two types of resist film thicknesses are shown, but the embodiment of the present invention is not limited to this. By using the diffraction
次に、工程PR4にてレジストマスク620をマスクに、領域43の導電膜604と、導電膜605とを除去する(図7(A)参照)。工程PR4により、画素502(i,j)においては導電膜604(i,j)と、導電膜605(i,j)と、を形成する。同様に、画素502(i,j+1)においては、導電膜604(i,j+1)と、導電膜605(i,j+1)とを形成する。画素502(i,j+2)においては、導電膜604(i,j+1)と、導電膜605(i,j+1)とを形成する。
Next, in Step PR4, the
導電膜605は、ウェットエッチングで加工することができる。ウェットエッチングに用いることができる薬液としては、例えばシュウ酸、混酸アルミ、85%リン酸を1%に希釈した溶液、が挙げられる。
The
導電膜605のエッチングは、ウェットエッチングに限定されずドライエッチングを用いてもよい。
The etching of the
ドライエッチングに用いるエッチングガスとしては、塩素を含むガス(塩素系ガス、例えば塩素(Cl2)、三塩化硼素(BCl3)、四塩化珪素(SiCl4)、四塩化炭素(CCl4)など)が好ましい。 As an etching gas used for dry etching, a gas containing chlorine (chlorine-based gas such as chlorine (Cl 2 ), boron trichloride (BCl 3 ), silicon tetrachloride (SiCl 4 ), carbon tetrachloride (CCl 4 ), or the like) Is preferred.
また、ドライエッチングに用いるその他のエッチングガスとして、フッ素を含むガス(フッ素系ガス、例えば四弗化炭素(CF4)、六弗化硫黄(SF6)、三弗化窒素(NF3)
)、トリフルオロメタン(CHF3)など)、臭化水素(HBr)、酸素(O2)、これらのガスにヘリウム(He)やアルゴン(Ar)などの希ガスを添加したガス、などを用いることができる。
Further, as other etching gas used for dry etching, a gas containing fluorine (fluorine-based gas such as carbon tetrafluoride (CF 4 ), sulfur hexafluoride (SF 6 ), nitrogen trifluoride (NF 3 )
), Trifluoromethane (CHF 3 ), etc.), hydrogen bromide (HBr), oxygen (O 2 ), a gas obtained by adding a rare gas such as helium (He) or argon (Ar) to these gases, or the like. Can do.
画素502(i,j+2)において形成される導電膜605(i,j+2)は、後に示される工程で除去を行う。 The conductive film 605 (i, j + 2) formed in the pixel 502 (i, j + 2) is removed in a process described later.
導電膜604と、導電膜605との加工には、ウェットエッチングを用いることができる。ただし、加工方法としてはこれに限定されず、例えば、ドライエッチングを用いてもよい。
Wet etching can be used for processing the
次に工程PR5にて、レジストマスク620の膜の厚さを、矢印624の方向に薄くして、レジストマスク622を形成する(図7(A)、(B)参照)。
Next, in step PR5, the thickness of the resist
レジストマスク620の膜の厚さを薄くする手段として、アッシング装置を用いることができる。
As a means for reducing the thickness of the resist
例えば、アッシングとして、酸素、オゾンなどのガスに紫外線などの光を照射し、ガスと有機物を化学反応させて有機物を除去する光励起アッシングを用いてもよい。アッシングとして、酸素、オゾンなどのガスを高周波などでプラズマ化し、そのプラズマを利用して有機物を除去するプラズマアッシングを用いてもよい。 For example, as the ashing, photoexcited ashing may be used in which a gas such as oxygen or ozone is irradiated with light such as ultraviolet rays, and the gas and the organic substance are chemically reacted to remove the organic substance. As ashing, plasma ashing may be used in which a gas such as oxygen or ozone is turned into plasma at a high frequency and the organic matter is removed using the plasma.
レジストマスク620のレジストマスクが薄い領域42は、工程PR5によりレジストが除去される(図7(B)参照)。これにより、画素502(i,j+2)と重なる領域42のレジストマスクが除去され、画素502(i,j+2)の導電膜605(i,j+2)が露出する。
In the resist
次に、工程PR6にてレジストマスク622をマスクに、画素502(i,j+2)の導電膜605をエッチングする。エッチング前には導電膜605(i,j+2)は、導電膜604(i,j+2)上に形成されているが、エッチング後には図7(C)に示すように導電膜604(i,j+1)は残存させる。そのため、導電膜605(i,j+2)は、所定の溶液またはエッチング雰囲気に対して、導電膜604(i,j+2)に比べてエッチングレートが大きい材料が望ましい。
Next, in Step PR6, the
エッチングは、例えば室温のシュウ酸、または室温の混酸アルミ、または85%リン酸を1%に希釈した室温の溶液、を用いることができる。 For the etching, for example, room temperature oxalic acid, room temperature mixed acid aluminum, or room temperature solution in which 85% phosphoric acid is diluted to 1% can be used.
導電膜605のシュウ酸を用いた場合のエッチングレートは、APCの同エッチングレートより、10倍ほど大きい。そのため、上記導電膜605のシュウ酸を用いたエッチングによるAPCの膜減りは小さい。
The etching rate when oxalic acid is used for the
次に工程PR7にてレジストマスク622を除去する(図7(D)参照)。
Next, the resist
次に工程PR8にて、複数の開口部45を有する、絶縁膜610を形成する(図8(A)参照)。絶縁膜610の形成方法は、実施の形態1で示された方法を用いることができる。絶縁膜610の開口部45は、領域603が含まれるように形成する(図1(A)、図8(A)参照)。
Next, in a process PR8, an insulating
次に、工程PR9にて発光層606を形成し、工程PR10にて発光層606の上に導電膜608を形成する(図8(B)参照)。次いで接合層564を用いて、着色膜CF_1、CF_2及びCF_3が形成された基板と、表示素子602が形成される基板とを接合する(図8(C)参照)。このような工程により、表示パネル500を作製することができる。
Next, the light-emitting
本実施の形態の構成の少なくとも一部は、他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。 At least part of the structure of this embodiment can be implemented in combination with any of the other embodiments as appropriate.
(実施の形態4)
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置に用いることができる、表示パネルについて説明する。
(Embodiment 4)
In this embodiment, a display panel that can be used for the display device of one embodiment of the present invention will be described.
本発明の一態様の表示パネルの有する表示素子は、実施の形態1の表示素子で示される表示素子602を用いることができる。
As the display element included in the display panel of one embodiment of the present invention, the
図10は、本発明の一態様の表示パネルの上面図である。 FIG. 10 is a top view of a display panel of one embodiment of the present invention.
図11は、本発明の一態様の表示パネルの構成を説明するブロック図である。 FIG. 11 is a block diagram illustrating a structure of a display panel of one embodiment of the present invention.
図12(A)、(B)は、本発明の一態様の表示パネルが備える画素回路の構成を説明する回路図、図12(C)はタイミングチャートである。 12A and 12B are circuit diagrams illustrating a structure of a pixel circuit included in the display panel of one embodiment of the present invention, and FIG 12C is a timing chart.
図13は、本発明の一態様の表示パネルの画素の構成を説明する上面図である。 FIG. 13 is a top view illustrating a pixel structure of a display panel of one embodiment of the present invention.
図14(A)、(B)は、本発明の一態様の表示パネルの画素の構成を説明する上面図である。 14A and 14B are top views illustrating a structure of a pixel of a display panel of one embodiment of the present invention.
図15は、本発明の一態様の表示パネルの断面図である。 FIG. 15 is a cross-sectional view of a display panel of one embodiment of the present invention.
図16(A)、(B)はそれぞれ、本発明の一態様の表示パネルに用いることができる、トランジスタの上面図と断面図である。 16A and 16B are a top view and a cross-sectional view of a transistor that can be used for the display panel of one embodiment of the present invention, respectively.
図17(A)、(B)はそれぞれ、本発明の一態様の表示パネルに用いることができる、トランジスタの作製方法を説明する断面図である。 17A and 17B are cross-sectional views illustrating a method for manufacturing a transistor that can be used for the display panel of one embodiment of the present invention.
図18(A)、(B)はそれぞれ、本発明の一態様の表示パネルに用いることができる、トランジスタの上面図と断面図である。 18A and 18B are a top view and a cross-sectional view of a transistor that can be used for the display panel of one embodiment of the present invention, respectively.
<表示パネルの表示方式>
本発明の一態様の表示パネル500は、アナログ階調方式により表示を行う。映像信号はアナログ信号として画素に供給される。表示パネル500の画素において、駆動トランジスタにより、表示素子に、映像信号の階調に対応した電流を制御し供給する(図10、12(A)参照)。
<Display panel display method>
The
表示パネル500において、駆動トランジスタに特性のばらつきがあれば、表示の輝度にばらつきが生じ、色再現性が低下する。
In the
表示パネル500は、アナログ階調方式の表示方式を備え、駆動トランジスタの特性ばらつきを補正する手段を有することで、該補正を表示輝度のばらつきの改善に作用させ、色再現性、視認性及び信頼性を向上させることができる。
The
<駆動回路、配線、FPC>
本実施の形態で説明する、表示パネル500は、駆動回路514A、514Bを備える(図10、11参照)。駆動回路514A、514Bを、ゲートドライバ回路とも言うことができる。
<Drive circuit, wiring, FPC>
The
表示パネル500は、端子516_1乃至端子516_4を備える。端子516_1、4は駆動回路514Aと接続し、端子516_2、3は、駆動回路514Bと接続する。
The
表示パネル500は、端子518_1乃至端子518_12を備える。
The
表示パネル500は、配線552、配線554、配線556、配線557、配線558、を備える(図11、12(A)参照)。表示パネル500は、表示領域512を備える。
The
配線552は、ゲート配線と言いかえることができる。配線552は駆動回路514Aまたは駆動回路514Bと、画素502とを接続する。
The
配線554は、信号線と言いかえることができる。配線554は端子518_1乃至端子518_12のいずれかと、画素502とを接続する。
The
配線556は、アノード線と言いかえることができる。配線556は、駆動回路514Aまたは514Bと、画素502とを接続する。表示領域512において、配線556は同じ電位が与えられる。
The
配線557は、カソード線と言いかえることができる。配線556は、駆動回路514Aまたは駆動回路514Bと、画素502とを接続する。表示領域512において、配線557は同じ電位が与えられる。
The
配線558は、モニタ配線と言いかえることができる。配線558は、端子518_1乃至端子518_12のいずれかと、画素502とを接続する。
The
<表示領域512、画素502>
表示パネル500は表示領域512に、複数の画素502を有する(図10、11参照)。表示領域512には、R方向にnの画素が配設され、C方向にmの画素が配設される。すなわち、画素502は格子状に配設される。表示領域512が有する画素502の数は、m×nに等しい。
<
The
iは1乃至mまでの任意の整数とし、jは1乃至nまでの任意の整数とする。a1を1以上m以下の範囲の整数、a2を1以上n以下の範囲の整数、で変化し得るとき、画素502(i、a2)の集合をi行の画素502、画素502(a1、j)の集合をj列の画素502、とそれぞれ呼ぶことができる。
i is an arbitrary integer from 1 to m, and j is an arbitrary integer from 1 to n. When a1 is an integer in the range of 1 to m, and a2 is an integer in the range of 1 to n, the set of pixels 502 (i, a2) is the
画素502(i,1)乃至画素502(i,n)は、いずれも配線552(i)に接続される。 The pixels 502 (i, 1) to 502 (i, n) are all connected to the wiring 552 (i).
画素502(1、j)乃至画素502(m,j)は、いずれも配線554(j)に接続される。 The pixels 502 (1, j) to 502 (m, j) are all connected to the wiring 554 (j).
iが奇数のとき、画素502(i、1)乃至(i、n)、及び画素502(i+1、1)乃至(i+1、n)は、いずれも配線558(i)に接続される。換言すれば、R方向に隣接する2画素が、同じ配線558に接続される個所を有する。
When i is an odd number, the pixels 502 (i, 1) to (i, n) and the pixels 502 (i + 1, 1) to (i + 1, n) are all connected to the wiring 558 (i). In other words, two pixels adjacent in the R direction have a portion connected to the
<駆動回路514A、514B>
駆動回路514A、514Bは、ゲートドライバとして機能し、複数の配線552に選択信号をそれぞれ供給する(図10、11参照)。この選択信号によって、画素502は、各行ごとに選択状態か、非選択状態かが決定される。駆動回路514A、514Bは、シフトレジスタ、レベルシフタ、バッファ回路を含む。
<Drive
The
画像の書き換え頻度は、フレーム周波数で表すことができる。例えば30Hzのフレーム周波数であれば、一秒間に30回画像を書き換えることとなる。駆動回路514A、514Bはこのように所定の頻度で、各画素に選択信号を供給することができる。
The frequency of image rewriting can be represented by a frame frequency. For example, if the frame frequency is 30 Hz, the image is rewritten 30 times per second. Thus, the
例えば、駆動回路514A、514Bは、30Hz以上、好ましくは60Hz以上の頻度で一の走査線に選択信号を供給する機能を備える。このように、高速のフレーム周波数で駆動することにより、動画像をなめらかに表示することができる。
For example, the
一方、駆動回路514A、514Bは30Hz未満、好ましくは1Hz未満より好ましくは一分に一回未満の頻度で一の走査線に選択信号を供給する機能を備える。このような低速のフレーム周波数で動作する駆動方法を、アイドリング・ストップ(IDS)駆動と呼ぶことができる。
On the other hand, the
アイドリング・ストップ(IDS)駆動とは、画像データの書き込み処理を実行した後、画像データの書き換えを停止する駆動方法のことをいう。一旦画像データの書き込みをして、その後、次の画像データの書き込みまでの間隔を延ばすことで、その間の画像データの書き込みに要する分の消費電力を削減することができる。または、フリッカーが抑制された状態で静止画像を表示することができる。その結果、情報処理装置の使用者に蓄積する疲労を低減することができる。 Idling stop (IDS) driving refers to a driving method in which image data rewriting is stopped after execution of image data writing processing. Once the image data is written and then the interval until the next image data is written is extended, the power consumption required for writing the image data during that time can be reduced. Alternatively, a still image can be displayed in a state where flicker is suppressed. As a result, fatigue accumulated in the user of the information processing apparatus can be reduced.
極めてフレーム周波数の小さいアイドリング・ストップ駆動は、画素部が有するトランジスタに、金属酸化物が適用されたトランジスタを用いることで実現することができる。チャネルが形成される半導体膜に金属酸化物が適用されたトランジスタは、非導通状態時のリーク電流(オフ電流)が極めて低いため、トランジスタを非導通状態とすることで画素に書き込まれた電位を長時間に亘って保持することができる。 Idling stop driving with an extremely small frame frequency can be realized by using a transistor to which a metal oxide is applied as a transistor included in the pixel portion. A transistor in which a metal oxide is applied to a semiconductor film in which a channel is formed has extremely low leakage current (off-state current) in a non-conduction state. It can be held for a long time.
<端子516>
表示装置は、端子516_1乃至端子516_4を介して、駆動回路514A、駆動回路514Bに信号、電圧、電流を供給する。
<
The display device supplies a signal, a voltage, and a current to the
また表示装置は、端子516_1乃至端子516_4を介して、配線556に所定の電圧、電流を供給することができる(図11参照)。同様に配線557にも所定の電圧、電流を供給することができる。
The display device can supply predetermined voltage and current to the
<端子518>
表示装置は、端子518_1乃至端子518_12に、画像データに基づく信号、所定の電圧、電流を供給することができる。また端子518_1乃至端子518_12には、ソースドライバとしての機能を有する、ベアチップをCOGで実装することができる。
<
The display device can supply a signal based on image data, a predetermined voltage, and a current to the terminals 518_1 to 518_12. A bare chip having a function as a source driver can be mounted on the terminals 518_1 to 518_12 by COG.
表示パネル500は、ソースドライバをTCPまたはCOF(Chip on Film)を用いて設けてもよい。
In the
端子518_1乃至端子518_12に実装されたソースドライバは、配線554を介して、各画素502に、画像データに基づく信号(映像信号)を供給する。
The source driver mounted on the terminals 518_1 to 518_12 supplies a signal (video signal) based on the image data to each
<画素回路>
画素502(i,j)が備える画素回路の要素は、トランジスタM1(i,j)、トランジスタM2(i,j)、トランジスタM3(i,j)、容量部614(i,j)を含む(図12(A)参照)。画素回路は表示素子602(i,j)に接続する。
<Pixel circuit>
Elements of a pixel circuit included in the pixel 502 (i, j) include a transistor M1 (i, j), a transistor M2 (i, j), a transistor M3 (i, j), and a capacitor portion 614 (i, j) ( (See FIG. 12A). The pixel circuit is connected to the display element 602 (i, j).
トランジスタM1(i,j)、トランジスタM2(i,j)、トランジスタM3(i,j)、のそれぞれにおいて、ゲート電極はバックゲート電極と接続される。 In each of the transistor M1 (i, j), the transistor M2 (i, j), and the transistor M3 (i, j), the gate electrode is connected to the back gate electrode.
トランジスタM1(i,j)のゲート電極は、配線552(i)と接続される。トランジスタM1(i,j)の第1の電極または第1の導電膜は、配線554(j)と接続される。トランジスタM1(i,j)の第2の電極または第2の導電膜は、トランジスタM2(i,j)のゲート電極と接続される。 A gate electrode of the transistor M1 (i, j) is connected to the wiring 552 (i). The first electrode or the first conductive film of the transistor M1 (i, j) is connected to the wiring 554 (j). The second electrode or the second conductive film of the transistor M1 (i, j) is connected to the gate electrode of the transistor M2 (i, j).
本実施の形態において、iが奇数のとき、k=(i+1)/2であり、iが偶数のとき、k=i/2である。 In this embodiment, when i is an odd number, k = (i + 1) / 2, and when i is an even number, k = i / 2.
トランジスタM2(i,j)のゲート電極は、容量部614(i,j)の一方の電極と接続される。トランジスタM2(i,j)の第1の電極または第1の導電膜は、表示素子602(i,j)の一方の電極と、容量部614(i,j)の他方の電極と、トランジスタM3(i,j)の第1の電極または第1の導電膜と、接続される。トランジスタM2(i,j)の第2の電極または第2の導電膜は、配線556と接続される。
A gate electrode of the transistor M2 (i, j) is connected to one electrode of the capacitor 614 (i, j). The first electrode or the first conductive film of the transistor M2 (i, j) includes one electrode of the display element 602 (i, j), the other electrode of the capacitor portion 614 (i, j), and the transistor M3. It is connected to the first electrode or the first conductive film of (i, j). The second electrode or the second conductive film of the transistor M2 (i, j) is connected to the
トランジスタM3(i,j)のゲート電極は、配線552(i)と接続される。トランジスタM3(i,j)の第2の電極または第2の導電膜は、配線558(k)と接続される。 A gate electrode of the transistor M3 (i, j) is connected to the wiring 552 (i). The second electrode or the second conductive film of the transistor M3 (i, j) is connected to the wiring 558 (k).
表示素子602(i,j)の他方の電極は、配線557と接続される。尚、表示素子602(i,j)の一方の電極を正極とし、他方の電極を負極とすることができる。トランジスタM3(i,j)は、表示素子602(i,j)の一方の電極と、配線558(k)とを接続する機能を有する。
The other electrode of the display element 602 (i, j) is connected to the
トランジスタM1(i,j)を、スイッチングトランジスタと呼ぶことができる。トランジスタM2(i,j)を、駆動トランジスタと呼ぶことができる。トランジスタM3(i,j)を、モニタトランジスタと呼ぶことができる。 Transistor M1 (i, j) can be referred to as a switching transistor. The transistor M2 (i, j) can be referred to as a drive transistor. Transistor M3 (i, j) can be referred to as a monitor transistor.
本実施の形態にて説明する画素502(i,j)が備える画素回路の要素は、互いの要素を接続する導電膜(または配線)、トランジスタ、ダイオード、抵抗、容量、導電膜のうち一つ、または組み合わせて加えてもよい。例えば、画素回路に4以上のトランジスタを備えても良い。 The element of the pixel circuit included in the pixel 502 (i, j) described in this embodiment is one of a conductive film (or wiring), a transistor, a diode, a resistor, a capacitor, and a conductive film that connect the elements. Or may be added in combination. For example, the pixel circuit may include four or more transistors.
<配線558、回路616>
画素502(i,j)は、配線558(k)を介して、回路616のノードN1に接続される(図12(A)、(B)参照)。回路616は例えば表示領域512と端子518との間に設けることができる(図11参照)。または端子518_1乃至端子518_12にベアチップで実装してもよい。またはTCPまたはCOF(Chip on Film)を用いて設けてもよい。
<
The pixel 502 (i, j) is connected to the node N1 of the
回路616は、画素502(i,j)から配線558(k)を介して供給される信号を、検出することができる。回路616はオペアンプAMと、容量C1と、スイッチSWを備えた積分回路である。画素502(i,j)の信号を検出することから、回路616はモニタ回路とも言う。
The
表示装置は、補正回路を有する。表示装置は、回路616から供給される信号を解析し、表示パネル500の備える駆動トランジスタの特性ばらつきを補正回路を用いて補正することができる。駆動トランジスタの特性ばらつきを補正することで、表示パネル500は、より高い色再現性を得ることができる。駆動トランジスタの特性ばらつきを補正する方法は、後述の部分にて説明する。
The display device has a correction circuit. The display device can analyze the signal supplied from the
<表示パネル500の構成要素の例>
図13は、画素502(i,j)、画素502(i,j+1)、画素502(i,j+2)の画素回路の要素の配置を示す上面図である。図14(A)、(B)は、画素502(i,j)の画素回路の要素の配置を示す上面図である。
<Examples of components of
FIG. 13 is a top view illustrating the arrangement of the elements of the pixel circuit of the pixel 502 (i, j), the pixel 502 (i, j + 1), and the pixel 502 (i, j + 2). 14A and 14B are top views showing the arrangement of elements of the pixel circuit of the pixel 502 (i, j).
図15は、図10に示す一点鎖線X1−X2間、X3−X4間、X5−X6間、及びX7−X8間における切断面の断面図である。 15 is a cross-sectional view of a cut surface taken along the alternate long and short dash line X1-X2, between X3-X4, between X5-X6, and between X7-X8 shown in FIG.
図10において、一点鎖線X5−X6は、駆動回路514Aに備えられる、トランジスタMDの半導体膜と重なる。また一点鎖線X7−X8は、画素502(i,j)に備えられる、トランジスタM2の半導体膜と重なる。
In FIG. 10, an alternate long and short dash line X5-X6 overlaps with the semiconductor film of the transistor MD provided in the
図10に示す一点鎖線X7−X8と、図13に示す一点鎖線X7−X8は、同一の個所を示す。 The dashed-dotted line X7-X8 shown in FIG. 10 and the dashed-dotted line X7-X8 shown in FIG. 13 show the same location.
表示パネル500は、基板504、基板506を有する。
The
表示パネル500は、トランジスタMD、トランジスタM1、トランジスタM2、トランジスタM3、及び容量部614を有する。
The
また表示パネル500は、絶縁膜538A、絶縁膜538B、及び絶縁膜539を有する。
The
また表示パネル500は、開口部542、開口部544を有する。
In addition, the
また表示パネル500は、導電膜546を有する。
In addition, the
また表示パネル500は、封止材566、接合層564を有する。
The
また表示パネル500は、着色膜CF、遮光膜562、絶縁膜610を有する。
The
また表示パネル500は、端子516、端子518を有する。
In addition, the
また表示パネル500は、表示素子602を有する(図15参照)。
The
以下に、各構成要素の説明を示す。 Below, description of each component is shown.
<基板504、506>
実施の形態1で示された基板506と同じ材料を用いることができる。
<
The same material as the
例えば、シリコンや炭化シリコンを材料とした単結晶半導体基板、多結晶半導体基板、シリコンゲルマニウムを材料とした化合物半導体基板、SOI(Silicon On Insulator)基板などを適用することができる。また例えば、これらの基板上に半導体素子が設けられたものを、基板506に用いることができる。
For example, a single crystal semiconductor substrate made of silicon or silicon carbide, a polycrystalline semiconductor substrate, a compound semiconductor substrate made of silicon germanium, an SOI (Silicon On Insulator) substrate, or the like can be used. Further, for example, a substrate in which a semiconductor element is provided over these substrates can be used for the
<トランジスタMD、M1、M2、M3>
例えば、ボトムゲート型のトランジスタ、トップゲート型のトランジスタ、ゲート電極とバックゲート電極とを有するトランジスタ、を用いることができる。
<Transistors MD, M1, M2, M3>
For example, a bottom-gate transistor, a top-gate transistor, or a transistor having a gate electrode and a back gate electrode can be used.
例えば、後述の部分で説明する、TGSA型のトランジスタ、BGTC型のトランジスタを用いることができる。 For example, a TGSA transistor or a BGTC transistor, which will be described later, can be used.
<容量部614>
容量部614(i,j)は、導電膜522_2B(i,j)と、導電膜524B_2(i,j)とが重なる部分である。(図12(A)、図13、図15参照)。
<
The capacitor 614 (i, j) is a portion where the conductive film 522_2B (i, j) and the conductive film 524B_2 (i, j) overlap. (See FIGS. 12A, 13, and 15).
<絶縁膜538A、絶縁膜538B>
絶縁膜538A、538Bは、その下方に設けられる構造物によって生じる段差を平坦化する平坦化膜として機能する。
<Insulating
The insulating
例えば、ポリイミド、アクリル系樹脂、ベンゾシクロブテン系樹脂、ポリアミド、エポキシ系樹脂等の、耐熱性を有する有機材料を用いることができる。また上記有機材料の他に、低誘電率材料(low−k材料)、シロキサン系樹脂、PSG(リンガラス)、BPSG(リンボロンガラス)等を用いることができる。なお、これらの材料で形成される絶縁層を複数積層してもよい。 For example, an organic material having heat resistance such as polyimide, acrylic resin, benzocyclobutene resin, polyamide, or epoxy resin can be used. In addition to the organic material, a low dielectric constant material (low-k material), a siloxane resin, PSG (phosphorus glass), BPSG (phosphorus boron glass), or the like can be used. Note that a plurality of insulating layers formed using these materials may be stacked.
例えば絶縁膜538A、538Bは、いずれも厚さ2μmのアクリルを用いて形成することができる。
For example, the insulating
絶縁膜538A、538Bの上面は、いずれも平坦性を高めるためにCMP法等を用いた平坦化処理により平坦化されていてもよい。
The upper surfaces of the insulating
<絶縁膜539>
絶縁膜539は、絶縁膜534と、絶縁膜538Aとの間に挟まれる。
<Insulating
The insulating
金属酸化物を用いて半導体膜520が形成されるとき、半導体膜520に不純物(代表的には、水、水素等)が拡散すると、半導体膜520の導電率が高くなり、トランジスタの信頼性が低くなる。絶縁膜538Aに有機樹脂を用いたとき、絶縁膜539は、水または水素の入り込みを抑制する機能を有すると好ましい。
When the
例えばPECVD法によって形成される、厚さ100nmの窒化シリコン膜を絶縁膜539に用いることができる。PECVD法によって形成される窒化シリコン膜は、高い膜密度を得られやすいため好ましい。なお、PECVD法によって形成される窒化シリコン膜は、膜中の水素濃度が高い場合がある。
For example, a silicon nitride film with a thickness of 100 nm formed by PECVD can be used for the insulating
例えば酸化アルミニウム膜、酸化窒化アルミニウム膜、または窒化酸化アルミニウム膜を絶縁膜539に用いることができる。特に、絶縁膜539としては、反応性スパッタリング法によって形成される酸化アルミニウム膜であることが好ましい。
For example, an aluminum oxide film, an aluminum oxynitride film, or an aluminum nitride oxide film can be used for the insulating
<開口部542、開口部544>
開口部542は、絶縁膜538Bに備えられる(図15参照)。導電膜546は、開口部542(i,j)を介して、導電膜604(i,j)と接続する。
<
The
開口部544は、絶縁膜538Aに備えられる(図15参照)。導電膜522_2B(i,j)は、開口部544(i,j)を介して、導電膜546と接続する。
The
<導電膜546>
導電性を備える材料を、導電膜546に用いることができる。導電膜546は単層としても、積層としてもよい。
<
A conductive material can be used for the
例えば、厚さ100nmのチタンと、その上に厚さ400nmのアルミニウムと、その上に厚さ100nmのチタンと、を積層した構造で導電膜546を形成することができる。
For example, the
<封止材566、接合層564>
封止材566および接合層564は、基板504と基板506とを貼りあわせる機能を有する。
<
The sealing
封止材566および接合層564は、実施の形態1で示された材料を用いることができる。
For the
<着色膜CF、遮光膜562>
着色膜CFは、実施の形態1で示された、材料を用いることができる。画素502(i,j)には着色膜CF_1として、青色の光を透過する材料を用いることができる。
<Coloring film CF,
For the colored film CF, the materials described in
遮光膜562は、例えば、カーボンブラック、チタンブラック、金属、金属酸化物、複数の金属酸化物の固溶体を含む複合酸化物を用いることができる。
For the light-blocking
遮光膜562は、例えば、青色の光を透過する着色膜と、緑色の光を透過する着色膜と、赤色の光を透過する着色膜と、を積層してもよい。このとき着色膜と遮光膜を形成する装置を共通化でき、かつ工程を簡略化することができる。
For example, the
<絶縁膜610>
実施の形態1で示された材料を用いることができる。
<Insulating
The material shown in
<端子516、端子518>
端子516、端子518は、いずれも導電膜532A_Fと導電膜532B_Fとを備える(図15参照)。
<
Each of the terminal 516 and the terminal 518 includes a conductive film 532A_F and a conductive film 532B_F (see FIG. 15).
導電材料568を用いて、端子516、または端子518とフレキシブルプリント基板FPCとを電気的に接続することができる。
The
<表示素子602>
表示パネル500は、導電膜604(i,j)、導電膜608、及び発光層606を有する(図15参照)。表示素子602(i,j)において、発光層606は、導電膜604(i,j)と、導電膜608とに挟まれる。
<
The
導電膜604(i,j)と発光層606との間に、導電膜605(i,j)を有しても良い。導電膜605(i,j)の配設個所については、表示パネル500_2、表示パネル500_3、表示パネル500_4も参考にすることができる(図3、図4(A)、(B)参照)。
A conductive film 605 (i, j) may be provided between the conductive film 604 (i, j) and the light-emitting
表示素子602(i,j)は、領域603(i,j)を有する。領域603(i,j)において、発光層606は、導電膜604(i,j)と接する。
The display element 602 (i, j) includes a region 603 (i, j). In the region 603 (i, j), the light-emitting
導電膜604(i,j)は、可視光について反射性を有し、導電性を有する材料を用いることができる。 The conductive film 604 (i, j) can be formed using a material having reflectivity with respect to visible light and conductivity.
導電膜604(i,j)は、例えば、銀を用いることができる。または銀にアルミニウム、金、白金、ニッケル、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、もしくはパラジウム等の金属材料を含む合金を用いることができる。また、上記金属材料または合金に、ランタン、ネオジム、またはゲルマニウム等が添加されていてもよい。また、銀と銅の合金、銀とパラジウムと銅の合金(Ag−Pd−Cu、APCとも記す)、銀とマグネシウムの合金等の銀を含む合金を用いてもよい。銀と銅を含む合金は、耐熱性が高いため好ましい。なお、ここでAPCとは(株)フルヤ金属製の、銀、パラジウム及び銅の合金で、その組成は、Agが約98重量%、Pdが約1重量%、Cuが約1重量%である。 For the conductive film 604 (i, j), for example, silver can be used. Alternatively, an alloy containing silver, a metal material such as aluminum, gold, platinum, nickel, tungsten, chromium, molybdenum, iron, cobalt, copper, or palladium can be used. In addition, lanthanum, neodymium, germanium, or the like may be added to the metal material or alloy. An alloy containing silver such as an alloy of silver and copper, an alloy of silver, palladium and copper (also referred to as Ag-Pd-Cu or APC), an alloy of silver and magnesium, or the like may be used. An alloy containing silver and copper is preferable because of its high heat resistance. Here, APC is an alloy of silver, palladium and copper made by Furuya Metal Co., Ltd., and its composition is about 98 wt% Ag, about 1 wt% Pd and about 1 wt% Cu. .
導電膜604(i,j)は、銀を含む材料が用いられることにより、反射率を高めることができる。例えばAPCにて、20nm以上1μm以下の膜厚で導電膜604(i,j)を形成することができる。 The conductive film 604 (i, j) can have high reflectance by using a material containing silver. For example, the conductive film 604 (i, j) can be formed with a thickness of 20 nm to 1 μm by APC.
導電膜604(i,j)は、発光層606の正極の電極になる場合、仕事関数の高い材料を用いることが好ましい。APCは、主材料に銀が含まれることから、仕事関数が大きくホール注入性は高いため好ましい。
In the case where the conductive film 604 (i, j) serves as the positive electrode of the light-emitting
また、銀を含んだ材料以外にも、アルミニウム、金、白金、ニッケル、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、もしくはパラジウム等の金属材料、またはこれら金属材料を含む合金を用いることができる。チタン、タンタル、タングステン、モリブデン、クロムから選ばれた一または複数の金属膜、もしくは金属窒化膜は、酸化性雰囲気に晒されても脆くならず、かつ導電性を維持するので、酸素プラズマに晒される場合には好ましい材料である。また、上記金属材料または合金に、ランタン、ネオジム、またはゲルマニウム等が添加されていてもよい。 In addition to a material containing silver, a metal material such as aluminum, gold, platinum, nickel, tungsten, chromium, molybdenum, iron, cobalt, copper, or palladium, or an alloy containing these metal materials can be used. . One or more metal films or metal nitride films selected from titanium, tantalum, tungsten, molybdenum, and chromium are not brittle when exposed to an oxidizing atmosphere, and maintain conductivity, so that they are exposed to oxygen plasma. This is a preferred material. In addition, lanthanum, neodymium, germanium, or the like may be added to the metal material or alloy.
また、アルミニウムとチタンの合金、アルミニウムとニッケルの合金、アルミニウムとネオジムの合金、アルミニウム、ニッケル、及びランタンの合金(Al−Ni−La)等のアルミニウムを含む合金(アルミニウム合金)、を用いることができる。さらに、アルミニウム合金膜に接する金属膜または金属酸化物膜を積層することで、アルミニウム合金膜の酸化を抑制することができる。該金属膜、金属酸化物膜の材料としては、チタン、酸化チタンなどが挙げられる。また、上記可視光を透過する導電膜と金属材料からなる膜とを積層してもよい。 Alternatively, an alloy containing aluminum (aluminum alloy) such as an alloy of aluminum and titanium, an alloy of aluminum and nickel, an alloy of aluminum and neodymium, an alloy of aluminum, nickel, and lanthanum (Al-Ni-La) can be used. it can. Furthermore, the oxidation of the aluminum alloy film can be suppressed by stacking a metal film or a metal oxide film in contact with the aluminum alloy film. Examples of the material for the metal film and metal oxide film include titanium and titanium oxide. Alternatively, the conductive film that transmits visible light and a film made of a metal material may be stacked.
導電膜604(i,j)と発光層606との間に、導電膜605を形成するときは、導電膜605に光透過性を備える材料を用いることができる。例えば、インジウム及び亜鉛を含んだ金属酸化物膜を導電膜605に用いることができる。導電膜605には、窒素、水素、フッ素の1以上を含む不純物が添加されても良い。
When the
発光層606には、白色の光を射出するように積層された積層材料等を用いることができる。
For the light-emitting
発光層606には、低分子系材料および高分子系材料のいずれを用いることもできる。なお、発光層606を形成する材料には、有機化合物材料のみから成るものだけでなく、無機化合物を一部に含む構成も含めるものとする。発光層606は、各々異なる機能を有する層からなる積層構造であっても良い。例えば、発光層の他に、正孔注入層、正孔輸送層、キャリアブロッキング層、電子輸送層、電子注入層等、各々の機能を有する機能層を適宜組み合わせて構成することができる。なお、それぞれの層の有する機能を2つ以上同時に有する層を含んでいても良い。
For the light-emitting
また、発光層606の形成には、蒸着法、インクジェット法、スピンコート法、ディップコート法、ノズルプリンティング法など、湿式、乾式を問わず、用いることができる。
In addition, the light-emitting
導電膜608(i,j)は、例えば可視光の反射率が20%以上80%以下、好ましくは40%以上70%以下である膜を用いることができる。導電膜608は導電膜604(i,j)と同じ材料を用いることができる。例えばAPCを材料に用いたとき、5nm以上30nm以下の膜厚、代表的には15nmの膜厚とすることができる。
As the conductive film 608 (i, j), for example, a film having a visible light reflectance of 20% to 80%, preferably 40% to 70% can be used. The
これによって、導電膜604(i,j)、導電膜604(i,j)の端部を覆う絶縁膜610、発光層606、導電膜608が積層された表示素子602(i,j)を形成することができる。なお、導電膜604(i,j)及び導電膜608は、一方を陽極として用い、他方を陰極として用いる。
Thus, the display element 602 (i, j) in which the conductive film 604 (i, j), the insulating
本実施の形態においては、導電膜604(i,j)を表示素子の陽極として用いる。発光層606は、導電膜604(i,j)側から順に、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子注入層が積層された構造とする。発光層としては種々の材料を用いることができる。例えば、蛍光を発光する蛍光性化合物や燐光を発光する燐光性化合物を用いることができる。
In this embodiment mode, the conductive film 604 (i, j) is used as the anode of the display element. The light-emitting
<トランジスタの構成要素>
トランジスタMD、トランジスタM1、トランジスタM2、トランジスタM3は、共通の半導体膜を有することができる。または、共通の構成を有することができる。または、同一の工程で形成することができる。
<Constituent elements of transistor>
The transistor MD, the transistor M1, the transistor M2, and the transistor M3 can have a common semiconductor film. Alternatively, they can have a common configuration. Alternatively, they can be formed in the same process.
図13乃至図15は、TGSA型のトランジスタを有する表示パネル500の例を説明している。
13 to 15 illustrate an example of a
例えば、半導体膜520_Dと、絶縁膜526、絶縁膜528_D、及び絶縁膜534と、導電膜522_DA、導電膜522_DB、導電膜530_D、導電膜524A_D及び導電膜524B_Dを備えるトランジスタを、トランジスタMDに用いることができる(図15参照)。
For example, a transistor including the semiconductor film 520_D, the insulating
トランジスタMDは、導電膜532A_DA、導電膜532B_DA、導電膜532A_DB、及び532B_DBを備えても良い。 The transistor MD may include a conductive film 532A_DA, a conductive film 532B_DA, a conductive film 532A_DB, and 532B_DB.
<半導体膜520>
例えば、14族の元素を含む半導体を半導体膜520に用いることができる。具体的には、シリコンを含む半導体を半導体膜520に用いることができる。例えば、単結晶シリコン、ポリシリコン、微結晶シリコンまたはアモルファスシリコンなどを半導体膜520に用いたトランジスタを用いることができる。
<
For example, a semiconductor containing a Group 14 element can be used for the
例えば、金属酸化物を半導体膜520に用いることができる。具体的には、インジウムを含む金属酸化物又はインジウムと亜鉛と元素M(元素Mは、アルミニウム、ガリウム、イットリウム又はスズ)とを含む金属酸化物を半導体膜520に用いることができる。
For example, a metal oxide can be used for the
金属酸化物を半導体膜520に用いるトランジスタを備える画素回路は、アモルファスシリコンを半導体膜に用いるトランジスタを備える画素回路と比較して、画像信号を保持することができる時間を長くすることができる。
A pixel circuit including a transistor using a metal oxide for the
<絶縁膜526、絶縁膜528>
絶縁膜526は、導電膜524A及び導電膜524Bをゲート電極とするゲート絶縁膜として機能する(図13および図15参照)。絶縁膜528は、導電膜530をゲート電極とするゲート絶縁膜として機能する。
<Insulating
The insulating
金属酸化物を半導体膜520に用いたとき、絶縁膜526、絶縁膜528は酸素を有すると好ましい。絶縁膜526、絶縁膜528は、酸素を過剰に有すると、より好ましい。絶縁膜526、絶縁膜528中の酸素は、絶縁膜528形成後の熱処理時に、半導体膜520に供給され、半導体膜520中の酸素欠損の低減を図ることにより、半導体膜520の抵抗率を上げることができる。
When metal oxide is used for the
例えば、厚さ400nmの窒化シリコン膜と、厚さ200nmの酸化窒化シリコン膜と、を積層し絶縁膜526に用いることができる。
For example, a silicon nitride film with a thickness of 400 nm and a silicon oxynitride film with a thickness of 200 nm can be stacked and used for the insulating
例えば、厚さ150nmの酸化窒化シリコン膜を絶縁膜528に用いることができる。
For example, a 150-nm-thick silicon oxynitride film can be used for the insulating
<絶縁膜534>
絶縁膜534は、絶縁膜539と同じ機能を有する。但し絶縁膜534は、導電膜532と導電膜522との間に挟まれる。
<Insulating
The insulating
例えばPECVD法によって形成される、窒化シリコン膜や、窒化酸化シリコン膜を絶縁膜534に用いることができる。
For example, a silicon nitride film or a silicon nitride oxide film formed by a PECVD method can be used for the insulating
例えば厚さ100nmの窒化シリコン膜と、厚さ300nmの窒化酸化シリコン膜を積層した構造としてもよい。 For example, a structure in which a silicon nitride film with a thickness of 100 nm and a silicon nitride oxide film with a thickness of 300 nm are stacked may be employed.
<導電膜522_DA、導電膜522_DB>
図13には、トランジスタMDの第1の導電膜としての機能を有する導電膜522_DAと、トランジスタM1(i,j)の第1の導電膜としての機能を有する導電膜522_1A(i,j)と、トランジスタM2(i,j)の第1の導電膜としての機能を有する導電膜522_2A(i,j)と、トランジスタM3(i,j)の第1の導電膜としての機能を有する導電膜522_3A(i,j)と、が示される。
<Conductive film 522_DA, conductive film 522_DB>
FIG. 13 illustrates a conductive film 522_DA that functions as a first conductive film of the transistor MD, and a conductive film 522_1A (i, j) that functions as a first conductive film of the transistor M1 (i, j). The conductive film 522_2A (i, j) functioning as the first conductive film of the transistor M2 (i, j) and the conductive film 522_3A functioning as the first conductive film of the transistor M3 (i, j) (I, j) is indicated.
また、トランジスタMDの第2の導電膜としての機能を有する導電膜522_DBと、トランジスタM1(i,j)の第2の導電膜としての機能を有する導電膜522_1B(i,j)と、トランジスタM2(i,j)の第2の導電膜としての機能を有する導電膜522_2B(i,j)と、トランジスタM3(i,j)の第2の導電膜としての機能を有する導電膜522_3B(i,j)と、が示される。 The conductive film 522_DB having a function as the second conductive film of the transistor MD, the conductive film 522_1B (i, j) having a function as the second conductive film of the transistor M1 (i, j), and the transistor M2 The conductive film 522_2B (i, j) functioning as the second conductive film of (i, j) and the conductive film 522_3B (i, j) functioning as the second conductive film of the transistor M3 (i, j) j).
例えば、半導体膜520が金属酸化物を用いて形成される場合、導電膜522_DA、522DBは、半導体膜520と同じ金属酸化物と、窒素、水素、フッ素の1以上を含む不純物と、を用いて形成することができる。
For example, in the case where the
窒素、水素、フッ素の1以上を含む不純物元素が金属酸化物膜に添加されると、金属酸化物膜中の金属元素と酸素の結合が切断され、酸素欠損が形成される。または、不純物元素が金属酸化物膜に添加されると、金属酸化物膜中の金属元素と結合していた酸素が不純物元素と結合し、金属元素から酸素が脱離し、酸素欠損が形成される。これらの結果、金属酸化物膜中のキャリア密度が増加し、導電性が高くなる。 When an impurity element containing one or more of nitrogen, hydrogen, and fluorine is added to the metal oxide film, a bond between the metal element and oxygen in the metal oxide film is cut, so that an oxygen vacancy is formed. Alternatively, when an impurity element is added to the metal oxide film, oxygen bonded to the metal element in the metal oxide film is bonded to the impurity element, and oxygen is released from the metal element, so that an oxygen vacancy is formed. . As a result, the carrier density in the metal oxide film is increased and the conductivity is increased.
導電膜530_Dと絶縁膜528_Dとをマスクとして、イオン注入装置、イオンドーピング装置またはプラズマ処理装置を用いて、基板上に形成された半導体膜に不純物を注入することで、導電膜522_DA、導電膜522_DBを形成できる。導電膜522_DA、導電膜522_DBの形成方法は、後述の部分にて説明する。 By using the conductive film 530_D and the insulating film 528_D as masks, an impurity is implanted into the semiconductor film formed over the substrate using an ion implantation apparatus, an ion doping apparatus, or a plasma treatment apparatus, so that the conductive films 522_DA and 522_DB are implanted. Can be formed. A method for forming the conductive films 522_DA and 522_DB will be described later.
<導電膜530、導電膜524>
図13には、トランジスタMDのゲート電極としての機能を有する導電膜530_Dと、トランジスタM1(i,j)のゲート電極としての機能を有する導電膜530_1(i,j)と、トランジスタM2のゲート電極としての機能を有する導電膜530_2(i,j)と、トランジスタM3のゲート電極としての機能を有する導電膜530_3(i,j)と、が示される。
<
FIG. 13 shows a conductive film 530_D functioning as the gate electrode of the transistor MD, a conductive film 530_1 (i, j) functioning as the gate electrode of the transistor M1 (i, j), and a gate electrode of the transistor M2. And a conductive film 530_3 (i, j) having a function as a gate electrode of the transistor M3.
また、トランジスタMDのバックゲート電極としての機能を有する導電膜524A_D及び導電膜524B_Dと、トランジスタM1(i,j)のバックゲート電極としての機能を有する導電膜524A_1(i,j)及び導電膜524B_1(i,j)と、トランジスタM2(i,j)のバックゲート電極としての機能を有する導電膜524A_2(i,j)及び導電膜524B_2(i,j)と、トランジスタM3(i,j)のバックゲート電極としての機能を有する導電膜524A_3(i,j)及び導電膜524B_3(i,j)と、が示される。 In addition, the conductive films 524A_D and 524B_D having a function as a back gate electrode of the transistor MD, and the conductive films 524A_1 (i, j) and the conductive film 524B_1 having a function as a back gate electrode of the transistor M1 (i, j). (I, j), the conductive film 524A_2 (i, j) and the conductive film 524B_2 (i, j) functioning as a back gate electrode of the transistor M2 (i, j), and the transistor M3 (i, j) A conductive film 524A_3 (i, j) and a conductive film 524B_3 (i, j) each functioning as a back gate electrode are shown.
導電膜530は、例えば、厚さ100nmの、窒素、水素、フッ素の1以上を含む不純物が添加された、インジウム、ガリウム、及び亜鉛を含んだ金属酸化物膜を用いることができる。
For the
導電膜524Aは、例えば、厚さ10nmの窒化タンタル膜を用いることができる。導電膜524Bは、例えば、厚さ300nmの銅の膜を用いることができる。
As the
<導電膜532A、導電膜532B>
図15には、トランジスタMDの第1の電極としての機能を有する導電膜532A_DA及び導電膜532B_DAと、トランジスタMDの第2の電極としての機能を有する導電膜532A_DB及び導電膜532B_DBと、が示される。
<
FIG. 15 illustrates a conductive film 532A_DA and a conductive film 532B_DA that function as the first electrode of the transistor MD, and a conductive film 532A_DB and a conductive film 532B_DB that function as the second electrode of the transistor MD. .
導電性を備える材料を配線等に用いることができる。具体的には、導電性を備える材料を、導電膜532A、導電膜532Bに用いることができる。
A conductive material can be used for the wiring or the like. Specifically, a conductive material can be used for the
導電膜532A、導電膜532Bは例えば無機導電性材料、有機導電性材料、金属または導電性セラミックスなどを用いることができる。
For the
例えば、アルミニウム、金、白金、銀、銅、クロム、タンタル、チタン、モリブデン、タングステン、ニッケル、鉄、コバルト、パラジウムまたはマンガンから選ばれた金属元素などを、導電膜532A、導電膜532Bに用いることができる。または、上述した金属元素を含む合金などを、導電膜532A、導電膜532Bに用いることができる。特に、銅とマンガンの合金がウェットエッチング法を用いた微細加工に好適である。
For example, a metal element selected from aluminum, gold, platinum, silver, copper, chromium, tantalum, titanium, molybdenum, tungsten, nickel, iron, cobalt, palladium, or manganese is used for the
導電膜532Aは、導電膜522に接触する。また導電膜532Aは、導電膜522と、導電膜532Bと、に挟まれる。
The
導電膜532Aは、チタン、窒化チタン、タンタル、窒化タンタル、等を用いると好ましい。導電膜532Bは、アルミニウム、金、白金、銀、銅、タングステン等を用いると好ましい。
The
導電膜532Bの上に、導電膜532Aと同じ材料を用いる導電膜を形成し、計3層積層された構造としても良い。例えば、厚さ50nmのチタンと、厚さ400nmのアルミニウムと、厚さ100nmのチタンとを積層した構造を、トランジスタの第1の電極または第2の電極とすることができる。
A conductive film using the same material as the
例えば、酸化インジウム、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛などの導電性酸化物を、導電膜532Aまたは532Bに用いることができる。
For example, a conductive oxide such as indium oxide, indium tin oxide, indium zinc oxide, zinc oxide, or zinc oxide to which gallium is added can be used for the
本実施の形態の構成の少なくとも一部は、他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。 At least part of the structure of this embodiment can be implemented in combination with any of the other embodiments as appropriate.
(実施の形態5)
本実施の形態では、表示パネル500が備えることができるトランジスタについて説明する。
(Embodiment 5)
In this embodiment, transistors that can be included in the
画素502が備えるトランジスタM1乃至M3、および駆動回路514A、Bが備えるトランジスタは、同一の構成とすることができる(図10、図12(A)参照)。
The transistors M1 to M3 included in the
<TGSA型>
例えば、トランジスタ503Aを駆動回路及び画素に用いることができる(図16(A)、(B)参照)。
<TGSA type>
For example, the
図16(A)はトランジスタ503Aの上面図であり、図16(B)は、図16(A)に示す一点鎖線W1−W2間における切断面の断面図に相当する。また、一点鎖線W1−W2方向をチャネル長方向と呼称する場合がある。
FIG. 16A is a top view of the
図16(A)において、煩雑になることを避けるため、トランジスタ503Aの構成要素の一部(ゲート絶縁膜として機能する絶縁膜等)を省略して図示している。
In FIG. 16A, some components (such as an insulating film functioning as a gate insulating film) of the
トランジスタ503Aは、基板504と、基板504上の導電膜524Aと、導電膜524A上の導電膜524Bと、基板504及び導電膜524B上の絶縁膜526と、を有する。また、絶縁膜526上の半導体膜520、導電膜522_A、及び導電膜522_Bと、半導体膜520上の絶縁膜528と、絶縁膜528上の導電膜530と、絶縁膜526、導電膜522_A、導電膜530、及び導電膜522_B上の、絶縁膜534を有する。
The
絶縁膜534は、開口部536_Aを有し、絶縁膜534上には、開口部536_Aを介して導電膜522_Aと電気的に接続される導電膜532A_Aを有する。また絶縁膜534は、開口部536_Bを有し、絶縁膜534上には、開口部536_Bを介して導電膜522_Bと電気的に接続される導電膜532A_Bを有する。
The insulating
導電膜532A_A上の、導電膜532B_Aを有する。導電膜532A_B上の、導電膜532B_Bを有する。 A conductive film 532B_A is provided over the conductive film 532A_A. A conductive film 532B_B is provided over the conductive film 532A_B.
金属酸化物を用いて、導電膜530、導電膜522_A、522_B、半導体膜520を形成する方法を図17(A)、(B)、(C)を用いて説明する。
A method for forming the
まず、絶縁膜526上に、金属酸化物膜519を形成する(図17(A)参照)。金属酸化物膜519は、厚さ40nmの、インジウムと亜鉛とガリウムを含む金属酸化物を用いることができる。該金属酸化物は、スパッタ法で、アルゴンと酸素を成膜ガスとして用い、成膜することができる。
First, a
次いで絶縁膜528と、その上の金属酸化物膜529を形成する(図17(B)参照)。
Next, an insulating
絶縁膜528は、厚さ150nmの、酸化窒化シリコンを用いることができる。該酸化窒化シリコンは、プラズマ化学気相堆積(PECVD)法で成膜することができる。
The insulating
金属酸化物膜529は、厚さ100nmの、インジウムと亜鉛とガリウムを含む金属酸化物を用いることができる。該金属酸化物は、スパッタ法で、アルゴンと酸素を成膜ガスとして用い、成膜することができる。
As the
金属酸化物膜529の成膜時に、酸素を含む成膜ガスを用いることにより、絶縁膜528に酸素を過剰に含ませることができる。後に熱処理を行うことにより絶縁膜528から半導体膜520に酸素を効果的に供給させることができる。
By using a deposition gas containing oxygen at the time of forming the
次いで、金属酸化物膜529、絶縁膜528をマスクとして、金属酸化物膜519に、窒素、水素、フッ素の1以上を含む不純物521を添加する。このとき金属酸化物膜529と金属酸化物膜529とは、不純物521が添加されてキャリア密度が大きくなり、導電性が高い導電膜530と、導電膜522_Aと、導電膜522_Bとが形成される(図17(C))。
Next, an
不純物521の添加は、イオン注入装置、イオンドーピング装置またはプラズマ処理装置を用いて行うことができる。
The addition of the
導電膜522_Aと導電膜522_Bとは、金属酸化物膜529と絶縁膜528をマスクとして形成されることから、自己整合(セルフアライメント)的に形成される、ということができる。
Since the conductive films 522_A and 522_B are formed using the
金属酸化物膜519のうち、絶縁膜528と重なる領域は、不純物が添加されず、半導体膜520が形成される。
In the
トランジスタ503Aを、導電膜530の半導体膜520に対する位置、または導電膜522_A、Bの形成方法から、TGSA(Top Gate Self Align)型のFETと呼称してもよい。
The
<BGTC型>
例えば、トランジスタ503Bを駆動回路及び画素に用いることができる(図18(A)、(B)参照)。
<BGTC type>
For example, the
図18(A)はトランジスタ503Bの上面図であり、図18(B)は、図18(A)に示す一点鎖線W3−W4間における切断面の断面図に相当する。
18A is a top view of the
図18(A)において、煩雑になることを避けるため、トランジスタ503Bの構成要素の一部(ゲート絶縁膜として機能する絶縁膜等)を省略して図示している。また半導体膜520は輪郭のみ示している。
In FIG. 18A, some components (such as an insulating film serving as a gate insulating film) of the
トランジスタ503Bは、基板504と、基板504上の導電膜524Aと、導電膜524A上の導電膜524Bと、基板504及び導電膜524B上の絶縁膜526と、を有する。また、絶縁膜526上の半導体膜520を有する。
The
また、絶縁膜526、及び半導体膜520の上の導電膜532A_Aを有する。絶縁膜526、及び半導体膜520の上の導電膜532A_Bを有する。導電膜532A_A上の、導電膜532B_Aを有する。導電膜532A_B上の、導電膜532B_Bを有する。
In addition, the conductive film 532A_A over the insulating
半導体膜520、導電膜532B_A、及び導電膜532B_Bの上の、絶縁膜534を有する。絶縁膜534の上の、導電膜530を有する。
An insulating
トランジスタ503Bを、導電膜524A、導電膜524Bの半導体膜520に対する位置、及び導電膜532A_A、導電膜532B_A、導電膜532A_B、導電膜532B_Bの半導体膜520に対する位置から、BGTC(Bottom Gate Top Contact)型のFETと呼称してもよい。
The
本実施の形態の構成の少なくとも一部は、他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。 At least part of the structure of this embodiment can be implemented in combination with any of the other embodiments as appropriate.
(実施の形態6)
本実施の形態では、表示パネル500の、画素502の表示方法と、駆動トランジスタの特性ばらつきを補正する方法と、について説明する。
(Embodiment 6)
In this embodiment mode, a display method of the
表示装置は、補正回路と、回路616とを用いて、駆動トランジスタの特性ばらつきを補正する。
The display device uses the correction circuit and the
図12(C)は、画素502のj列における表示とばらつき補正を説明するためのタイミングチャートである。画素502(i,j)において画素への映像信号の書き込みと表示は、期間P1、P2を経ることにより行われ、ばらつき補正は期間P3を経ることにより行われる(図12(A)、(B)参照)。
FIG. 12C is a timing chart for explaining display and variation correction in the j column of the
以下に、期間P1、P2、P3における画素の動作について説明する。尚、本実施の形態において画素502の備えるトランジスタはn型である。
Hereinafter, operations of the pixels in the periods P1, P2, and P3 will be described. Note that in this embodiment, the transistor included in the
<期間P1>
期間P1において、画素への映像信号の書き込み動作を行う。期間P1において、表示素子602(i,j)には電流が流れない。
<Period P1>
In the period P1, a video signal writing operation to the pixel is performed. In the period P1, no current flows through the display element 602 (i, j).
期間P1において、配線552(i)の電圧を高レベルにして、トランジスタM1(i,j)、M3(i,j)をオン状態にする。また回路616の、スイッチSWをオンとする。
In the period P1, the voltage of the wiring 552 (i) is set high, so that the transistors M1 (i, j) and M3 (i, j) are turned on. In addition, the switch SW of the
このとき配線554に、電位Vdaが与えられる。電位Vdaは、映像信号の階調に対応する値を持つ。図12(C)は、配線554(j)、配線552(i)に入力される信号を表している。図12(C)のVda(i)、Vda(i+1)は、それぞれ、第i行、第i+1行の画素502に入力されるデータ信号Vdaであることを表している。
At this time, the potential V da is applied to the
トランジスタM1(i,j)がオン状態であることから、トランジスタM2(i,j)のゲート電極に、配線554(j)の電位Vdaが与えられる。 Since the transistor M1 (i, j) is on, the gate electrode of the transistor M2 (i, j), the potential V da wiring 554 (j) is given.
なお、配線556に与えられる電圧Vano、電圧V0、および配線557に与えられる電圧Vcatは、下記式(1)乃至式(3)を満たすように設定することが好ましい。下記式において、電圧VthEは表示素子602(i,j)の閾値電圧であり、電圧Vth2はトランジスタM2の閾値電圧である。例えばVanoは14Vとし、Vcatは−1Vとすることができる。
Note that the voltage V ano , the voltage V 0 , and the voltage V cat applied to the
回路616のオペアンプAMはボルテージフォロア回路として機能するため、配線558(k)の電位はV0となる。そのため、M2のゲート電極と第1の配線の間の電圧はVda―V0となる。また、トランジスタM2(i,j)の半導体膜を流れる電流は、すべて配線558(k)を流れる。
Since the operational amplifier AM of the
<期間P2>
期間P2において、表示素子602(i,j)を表示させる。
<Period P2>
In the period P2, the display element 602 (i, j) is displayed.
期間P2において、配線552の電圧を低レベルにする。このとき、トランジスタM1(i,j)、トランジスタM3(i,j)がオフになり、トランジスタM2(i,j)のゲート電極と第1の配線の間の電圧(Vda―V0)に対応した電流が表示素子602(i,j)に流れる。
In the period P2, the voltage of the
<期間P3>
期間P3において、トランジスタM2のドレイン電流を取得する。
<Period P3>
In the period P3, the drain current of the transistor M2 is acquired.
期間P3において、配線552の電圧を高レベルにする。このとき、トランジスタM1(i,j)、トランジスタM3(i,j)がオンになる。
In the period P3, the voltage of the
回路616の、スイッチSWをオンとした状態で、配線554に、電位Vdaを与える。次いで、スイッチSWをオフとした状態とする。スイッチSWをオフしてからの時間t、ノードN1に流れる電流Ida、ノードN2の電圧V0、容量C1の容量値C1、ノードN3の電圧Voutの間には、式(4)の関係が成り立つ。電圧Voutの測定値が得られたとき、式(4)から、Idaが算出できる。
In the state where the switch SW of the
ここで、配線554に電位Vda1を与えたときに上記手順を行い、ノードN1に流れる電流Ida1を得る。同様に配線554に電位Vda2を与えたときに上記手順を行い、ノードN1に流れる電流Ida2を得る。トランジスタM2(i,j)の閾値電圧Vthは、式5によって得られる。
Here, the above procedure is performed when the potential V da1 is applied to the
またチャネル幅W、チャネル長L、ゲート容量Coxを用いれば、トランジスタM2(i,j)の移動度μは、式6によって得られる。 If the channel width W, the channel length L, and the gate capacitance C ox are used, the mobility μ of the transistor M2 (i, j) can be obtained by Expression 6.
表示装置は、上記閾値電圧Vthと移動度μとを算出し、配線554(j)の電位Vdaと映像信号の階調との対応を補正する、補正回路を備える。表示装置は、トランジスタM2(i,j)の特性がばらついたとしても、表示パネル500の色再現性、視認性及び信頼性を向上させることができる。
The display device includes a correction circuit that calculates the threshold voltage V th and the mobility μ and corrects the correspondence between the potential V da of the wiring 554 (j) and the gradation of the video signal. The display device can improve the color reproducibility, visibility, and reliability of the
期間P3を期間P1と期間P2との後に、常に設ける必要はない。例えば、期間P1と期間P2とを複数回繰り返した後に、期間P3を設けることができる。また、期間P3の後、表示素子602(i,j)を最小の階調値0に対応するデータ信号を画素502(i,j)に書き込むことで、表示素子602(i,j)を非発光状態にしてもよい。
It is not always necessary to provide the period P3 after the periods P1 and P2. For example, the period P3 can be provided after the period P1 and the period P2 are repeated a plurality of times. In addition, after the period P3, the display element 602 (i, j) is written to the pixel 502 (i, j) by writing a data signal corresponding to the
表示パネル500は、トランジスタM3(i,j)とモニタ配線とを有し、他の実施の形態で説明される着色膜とを備えることで、より高い色再現性を得ることができる。
The
<画素の構成例7>
図19は、は本発明の一態様の表示パネル500_5が備える画素回路の構成を説明する回路図である。表示パネル500_5は、画素回路においてM3及び配線558を有さない構成としてもよい。
<Pixel Configuration Example 7>
FIG. 19 is a circuit diagram illustrating a structure of a pixel circuit included in the display panel 500_5 of one embodiment of the present invention. The display panel 500_5 may have a structure in which the pixel circuit does not include M3 and the
表示パネル500_5は、画素502(i,j)において画素の表示を、期間P1、P2を繰り返すことにより行う。期間P1において、画素への映像信号の書き込み動作を行う。次いで期間P2において、表示素子602(i,j)を表示させる。 The display panel 500_5 performs pixel display in the pixel 502 (i, j) by repeating the periods P1 and P2. In the period P1, a video signal writing operation to the pixel is performed. Next, in the period P2, the display element 602 (i, j) is displayed.
本実施の形態の構成の少なくとも一部は、他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。 At least part of the structure of this embodiment can be implemented in combination with any of the other embodiments as appropriate.
(実施の形態7)
本実施の形態では、本発明の一態様の情報処理装置の構成について、図20および図21を参照しながら説明する。
(Embodiment 7)
In this embodiment, a structure of an information processing device of one embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.
図20および図21は、本発明の一態様の情報処理装置の構成を説明する図である。図20(A)は情報処理装置のブロック図であり、図20(B)乃至図20(E)は情報処理装置の構成を説明する斜視図である。また、図21(A)乃至図21(E)は情報処理装置の構成を説明する斜視図である。 20 and 21 are diagrams illustrating a configuration of an information processing device of one embodiment of the present invention. 20A is a block diagram of the information processing apparatus, and FIGS. 20B to 20E are perspective views illustrating the configuration of the information processing apparatus. FIGS. 21A to 21E are perspective views illustrating the configuration of the information processing apparatus.
<情報処理装置>
本実施の形態で説明する情報処理装置5200Bは、演算装置5210と、入出力装置5220とを、有する(図20(A)参照)。
<Information processing device>
An
演算装置5210は、操作情報を供給される機能を備え、操作情報に基づいて画像情報を供給する機能を備える。
The
入出力装置5220は、表示部5230、入力部5240、検知部5250、通信部5290、操作情報を供給する機能および画像情報を供給される機能を備える。また、入出力装置5220は、検知情報を供給する機能、通信情報を供給する機能および通信情報を供給される機能を備える。
The input /
表示部5230は、他の実施の形態にて説明された表示パネルを用いることができる。
As the
入力部5240は操作情報を供給する機能を備える。例えば、入力部5240は、情報処理装置5200Bの使用者の操作に基づいて操作情報を供給する。
The
具体的には、キーボード、ハードウェアボタン、ポインティングデバイス、タッチセンサ、音声入力装置、視線入力装置などを、入力部5240に用いることができる。
Specifically, a keyboard, hardware buttons, a pointing device, a touch sensor, a voice input device, a line-of-sight input device, or the like can be used for the
表示部5230は表示パネルおよび画像情報を表示する機能を備える。例えば、実施の形態1において説明する表示パネルを表示部5230に用いることができる。
The
検知部5250は検知情報を供給する機能を備える。例えば、情報処理装置が使用されている周辺の環境を検知して、検知情報として供給する機能を備える。
The
具体的には、照度センサ、撮像装置、姿勢検出装置、圧力センサ、人感センサなどを検知部5250に用いることができる。
Specifically, an illuminance sensor, an imaging device, a posture detection device, a pressure sensor, a human sensor, or the like can be used for the
通信部5290は通信情報を供給される機能および供給する機能を備える。例えば、無線通信または有線通信により、他の電子機器または通信網と接続する機能を備える。具体的には、無線構内通信、電話通信、近距離無線通信などの機能を備える。
The
<情報処理装置の構成例1>
例えば、円筒状の柱などに沿った外形を表示部5230に適用することができる(図20(B)参照)。また、使用環境の照度に応じて、表示方法を変更する機能を備える。また、人の存在を検知して、表示内容を変更する機能を備える。これにより、例えば、建物の柱に設置することができる。または、広告または案内等を表示することができる。または、デジタル・サイネージ等に用いることができる。
<Configuration example 1 of information processing apparatus>
For example, an outer shape along a cylindrical column or the like can be applied to the display portion 5230 (see FIG. 20B). In addition, it has a function of changing the display method according to the illuminance of the usage environment. It also has a function of detecting the presence of a person and changing the display content. Thereby, it can install in the pillar of a building, for example. Alternatively, an advertisement or a guide can be displayed. Alternatively, it can be used for digital signage and the like.
<情報処理装置の構成例2>
例えば、使用者が使用するポインタの軌跡に基づいて画像情報を生成する機能を備える(図20(C)参照)。具体的には、対角線の長さが20インチ以上、好ましくは40インチ以上、より好ましくは55インチ以上の表示パネルを用いることができる。または、複数の表示パネルを並べて1つの表示領域に用いることができる。または、複数の表示パネルを並べてマルチスクリーンに用いることができる。これにより、例えば、電子黒板、電子掲示板、電子看板等に用いることができる。
<Configuration Example 2 of Information Processing Device>
For example, a function of generating image information based on a locus of a pointer used by the user is provided (see FIG. 20C). Specifically, a display panel having a diagonal line length of 20 inches or more, preferably 40 inches or more, more preferably 55 inches or more can be used. Alternatively, a plurality of display panels can be arranged and used for one display area. Alternatively, a plurality of display panels can be arranged and used for a multi-screen. Thereby, it can use for an electronic blackboard, an electronic bulletin board, an electronic signboard, etc., for example.
<情報処理装置の構成例3>
例えば、使用環境の照度に応じて、表示方法を変更する機能を備える(図20(D)参照)。これにより、例えば、スマートウオッチの消費電力を低減することができる。または、例えば、晴天の屋外等の外光の強い環境においても好適に使用できるように、画像をスマートウオッチに表示することができる。
<Configuration Example 3 of Information Processing Device>
For example, a function of changing a display method according to the illuminance of the usage environment is provided (see FIG. 20D). Thereby, for example, the power consumption of the smart watch can be reduced. Alternatively, for example, an image can be displayed on the smart watch so that the image can be suitably used even in an environment with strong outside light such as outdoors on a sunny day.
<情報処理装置の構成例4>
表示部5230は、例えば、筐体の側面に沿って緩やかに曲がる曲面を備える(図20(E)参照)。または、表示部5230は表示パネルを備え、表示パネルは、例えば、前面、側面および上面に表示する機能を備える。これにより、例えば、携帯電話の前面だけでなく、側面および上面に画像情報を表示することができる。
<Configuration Example 4 of Information Processing Device>
The
<情報処理装置の構成例5>
例えば、使用環境の照度に応じて、表示方法を変更する機能を備える(図21(A)参照)。これにより、スマートフォンの消費電力を低減することができる。または、例えば、晴天の屋外等の外光の強い環境においても好適に使用できるように、画像をスマートフォンに表示することができる。
<Configuration Example 5 of Information Processing Device>
For example, a function of changing a display method according to the illuminance of the usage environment is provided (see FIG. 21A). Thereby, the power consumption of a smart phone can be reduced. Alternatively, for example, an image can be displayed on a smartphone so that it can be suitably used even in an environment with strong external light such as outdoors on a sunny day.
<情報処理装置の構成例6>
例えば、使用環境の照度に応じて、表示方法を変更する機能を備える(図21(B)参照)。これにより、晴天の日に屋内に差し込む強い外光が当たっても好適に使用できるように、映像をテレビジョンシステムに表示することができる。
<Configuration Example 6 of Information Processing Device>
For example, a function of changing a display method according to the illuminance of the usage environment is provided (see FIG. 21B). Thereby, an image can be displayed on the television system so that it can be suitably used even when it is exposed to strong external light that is inserted indoors on a sunny day.
<情報処理装置の構成例7>
例えば、使用環境の照度に応じて、表示方法を変更する機能を備える(図21(C)参照)。これにより、例えば、晴天の屋外等の外光の強い環境においても好適に使用できるように、画像をタブレットコンピュータに表示することができる。
<Configuration Example 7 of Information Processing Device>
For example, a function of changing a display method according to the illuminance of the usage environment is provided (see FIG. 21C). Thereby, for example, an image can be displayed on a tablet computer so that it can be suitably used even in an environment with strong external light such as outdoors on a sunny day.
<情報処理装置の構成例8>
例えば、使用環境の照度に応じて、表示方法を変更する機能を備える(図21(D)参照)。これにより、例えば、晴天の屋外等の外光の強い環境においても好適に閲覧できるように、被写体をデジタルカメラに表示することができる。
<Configuration Example 8 of Information Processing Device>
For example, a function of changing a display method according to the illuminance of the usage environment is provided (see FIG. 21D). Thereby, for example, the subject can be displayed on the digital camera so that it can be viewed properly even in an environment with strong external light such as outdoors on a sunny day.
<情報処理装置の構成例9>
例えば、使用環境の照度に応じて、表示方法を変更する機能を備える(図21(E)参照)。これにより、例えば、晴天の屋外等の外光の強い環境においても好適に使用できるように、画像をパーソナルコンピュータに表示することができる。
<Configuration Example 9 of Information Processing Device>
For example, a function of changing a display method in accordance with the illuminance of the usage environment is provided (see FIG. 21E). Thereby, for example, an image can be displayed on a personal computer so that it can be suitably used even in an environment with strong external light such as outdoors on a sunny day.
なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。 Note that this embodiment can be combined with any of the other embodiments described in this specification as appropriate.
本実施例においては、本発明の一態様である表示パネル500_2の有する、表示素子602(i,j)から、画素502(i,j)の表面に対して鉛直の方向630に色純度の高い青色と赤色の光が射出されることを計算により示す(図2(A)、図3参照)。また、表示素子602(i,j)から射出される角度が異なる光は、色が異なることを示す。
In this embodiment, color purity is high in the
透過率や吸収率などの物理定数が異なる、複数の材料が用いられた積層構造に入射した光の挙動は、光学分野において十分に理解されている。 The behavior of light incident on a laminated structure using a plurality of materials having different physical constants such as transmittance and absorption is well understood in the optical field.
積層構造における各層の、厚さ(t)及び屈折率の波長分散(n)が既知であれば、積層構造中で発生する反射、吸収、干渉及び透過された光の量を計算することで、積層構造に入射した光の挙動を予測することができる。 If the thickness (t) and refractive index wavelength dispersion (n) of each layer in the laminated structure are known, calculating the amount of reflected, absorbed, interfered and transmitted light generated in the laminated structure, The behavior of light incident on the stacked structure can be predicted.
積層構造における全ての層について厚さ及び屈折率の波長分散が既知である場合には、例えば、Eugene Hecht著「Optics」Addison Wesley出版、第85頁乃至第140頁に記載されている式及び方法を参考に正確に計算することができる。また当業者であれば、該計算を行うさまざまなシミュレータを入手可能であり、積層構造に入射した光の挙動を計算することは可能である。 If the wavelength dispersion of thickness and refractive index is known for all layers in the laminated structure, for example, the formulas and methods described in Eugene Hecht “Optics” Addison Wesley, pages 85-140. Can be calculated accurately with reference to. A person skilled in the art can obtain various simulators for performing the calculation, and can calculate the behavior of light incident on the laminated structure.
本実施例では該シミュレータの一つである、有機デバイスシミュレータ(semiconducting emissive thin film optics simulator:商品名setfos;サイバネットシステム株式会社製)を用いて積層構造に入射した光の挙動を計算した。setfosは、積層構造における各層の膜厚と、各層の屈折率の波長分散と、積層構造の内部から射出されるスペクトルと、を用いて、積層構造の外部に到達する光のスペクトルを計算することができる。 In this embodiment, the behavior of light incident on the laminated structure was calculated using an organic device simulator (trade name setfos; manufactured by Cybernet System Co., Ltd.), which is one of the simulators. The setfos calculates the spectrum of light reaching the outside of the multilayer structure using the film thickness of each layer in the multilayer structure, the wavelength dispersion of the refractive index of each layer, and the spectrum emitted from the inside of the multilayer structure. Can do.
具体的には、setfosにより、表示パネル500_2の画素502(i,j)が備える構成および発光層606から射出されるスペクトルに基づいて、接合層564に到達する光のスペクトルを計算した(図3参照)。該光のスペクトルは、角度Rが0°乃至80°の方向632に射出される条件にて計算した。
Specifically, the spectrum of light reaching the
導電膜605(i,j)、発光層606、導電膜608、導電膜609を積層した構造を、表示パネル500_2に用いた。計算に用いたそれぞれの構成の物性を、以下に説明する。
A structure in which the conductive film 605 (i, j), the light-emitting
膜厚120nmのインジウムと錫と珪素とを有する酸化物導電膜を導電膜605(i,j)に用いた。なお、後述する方法で測定した結果を、インジウムと錫と珪素とを有する酸化物導電膜の屈折率の波長分散に用いた。 An oxide conductive film including indium, tin, and silicon with a thickness of 120 nm was used for the conductive film 605 (i, j). In addition, the result measured by the method described later was used for wavelength dispersion of the refractive index of the oxide conductive film containing indium, tin, and silicon.
膜厚188nmの発光性の有機化合物を発光層606に用いた。発光層606は、波長に依らず、屈折率1.8とした。
A light-emitting organic compound having a thickness of 188 nm was used for the light-emitting
なお、発光層606は、赤色、緑色、青色の光を含む光を射出する。発光層606から射出される光のスペクトルの例を、図23(A)に示す。横軸が発光層606から射出される光の波長(nm)を、縦軸が光強度を、それぞれ表している。尚、図23(A)の縦軸は波長455nmの光の強度を1として規格化した尺度とした。
Note that the light-emitting
膜厚200nmのAPCを導電膜604(i,j)に用いた。なお、銀の屈折率をAPCの屈折率に用いた。 APC with a thickness of 200 nm was used for the conductive film 604 (i, j). The refractive index of silver was used as the refractive index of APC.
膜厚15nmのAPCを導電膜608に用いた。
APC with a thickness of 15 nm was used for the
膜厚70nmの、インジウムと錫と珪素とを有する酸化物導電膜を導電膜609に用いた。屈折率1.5の膜を接合層564に用いた。
An oxide conductive film having a thickness of 70 nm and containing indium, tin, and silicon was used for the
<インジウムと錫と珪素とを有する酸化物導電膜の屈折率の波長分散の測定方法>
膜厚100nmのインジウムと錫と珪素とを有する酸化物導電膜の、屈折率の波長分散Nを、株式会社日製エレクトロニクス製分光エリプソメータUVISEL―FASE(TFT)を用いて測定し求めた(図22参照)。図22の横軸は光の波長(nm)であり、縦軸は屈折率である。
<Measuring method of wavelength dispersion of refractive index of oxide conductive film containing indium, tin, and silicon>
The wavelength dispersion N of the refractive index of the oxide conductive film having a thickness of 100 nm of indium, tin, and silicon was measured and obtained using a spectroscopic ellipsometer UVISEL-FASE (TFT) manufactured by Nihon Electronics Co., Ltd. (FIG. 22). reference). The horizontal axis of FIG. 22 is the wavelength (nm) of light, and the vertical axis is the refractive index.
なお、膜厚100nmのインジウムと錫と珪素とを有する酸化物導電膜は、重量比にて、In2O3を85%、SnO2を10%、SiO2を5%、を有するターゲットを用いて、アルゴンガスと酸素ガスを用いたスパッタ法にて光透過性基板上に形成した。 Note that an oxide conductive film having a thickness of 100 nm and containing indium, tin, and silicon uses a target having 85% In 2 O 3 , 10% SnO 2 , and 5% SiO 2 by weight ratio. Then, it was formed on the light transmissive substrate by sputtering using argon gas and oxygen gas.
<計算結果>
図23(B)に、画素502(i,j)において、接合層564に到達する光のスペクトルを計算した結果を示す。図23(B)において、横軸が接合層564に到達する光の波長(nm)を、縦軸が光の相対的な強度(光強度)を、それぞれ表している。
<Calculation result>
FIG. 23B illustrates the calculation result of the spectrum of light reaching the
図23(B)には、接合層564に到達する光のうち、方向630に射出される光R0、角度Rが30°のときの方向632に射出される光R30、角度Rが60°のときの方向632に射出される光R60、角度Rが80°のときの方向632に射出される光R80、のスペクトルが示される。
In FIG. 23B, out of the light reaching the
尚、図23(B)の縦軸は任意の尺度とした。 Note that the vertical axis in FIG.
光R0のスペクトルは、発光極大波長を455nmと661nmとに有する。 The spectrum of the light R0 has emission maximum wavelengths at 455 nm and 661 nm.
光R0のスペクトルは、青色を示す波長領域と、赤色を示す波長領域とにおいて狭線化され、青色と赤色との間の波長領域の光強度が小さい。 The spectrum of the light R0 is narrowed in the wavelength region indicating blue and the wavelength region indicating red, and the light intensity in the wavelength region between blue and red is small.
すなわち表示素子602(i,j)は、方向630に色純度が高い青色の光と、赤色の光を射出することができる。
That is, the display element 602 (i, j) can emit blue light and red light with high color purity in the
また、光R0、光R30、光R60及び光R80のスペクトルは、互いに発光極大波長が異なった。すなわち表示素子602(i,j)が射出する光は、接合層564に達したときの角度が異なれば、色が異なる。
The spectra of the light R0, the light R30, the light R60, and the light R80 have different emission maximum wavelengths. That is, the light emitted from the display element 602 (i, j) has a different color if the angle when reaching the
本実施例に示す構成は、他の実施の形態に示す構成と適宜組み合わせて用いることができる。 The structure described in this example can be combined as appropriate with any of the structures described in the other embodiments.
本実施例においては、本発明の一態様である表示パネル500_2(図3参照)の有する、画素502(i,j)から射出される光は、射出角度が変化しても色度差が小さいことを計算により示す。 In this embodiment, light emitted from the pixel 502 (i, j) included in the display panel 500_2 (see FIG. 3) which is one embodiment of the present invention has a small chromaticity difference even when the emission angle changes. This is shown by calculation.
具体的には、表示素子602(i,j)から射出され、着色膜CF_1を通過する光のうち、方向630と、方向632とに射出される光の色度の差を計算した(図2(A)参照)。また該色度が、着色膜CF_1の透過スペクトルにより変化するか計算した。
Specifically, the difference in chromaticity of light emitted from the display element 602 (i, j) and passing through the colored film CF_1 and emitted in the
色度の計算は、setfosにより、実施例1で計算された表示素子602(i,j)から射出される光のスペクトル(図23(B)参照)と、着色膜CF_1の透過スペクトルと、を用いて行われた。 The chromaticity is calculated by setting the spectrum of light emitted from the display element 602 (i, j) calculated in Example 1 (see FIG. 23B) and the transmission spectrum of the colored film CF_1. Made with.
着色膜702、着色膜704、着色膜706または着色膜708を、計算に用いた(図24(A))。図24(A)の横軸は光の波長であり、縦軸は着色膜702、着色膜704、着色膜706または着色膜708の光の透過率である。
The
波長450nmの光の透過率を100%としたときの波長500nmの光の透過率は、着色膜702は37.5%とし、着色膜704は21.6%とし、着色膜706は6.6%とし、着色膜708は2.2%とした。
When the transmittance of light having a wavelength of 450 nm is 100%, the transmittance of light having a wavelength of 500 nm is 37.5% for the
いずれの透過スペクトルにおいても、波長380nm乃至780nmの範囲での、光の透過率のピークを450nmとした。 In any transmission spectrum, the peak of light transmittance in the wavelength range of 380 nm to 780 nm was set to 450 nm.
<計算結果>
図24(B)に、表示素子602(i,j)から射出され、着色膜CF_1を通過する光のうち、方向630と、方向632とに射出される光の色度差Δu’v’の計算結果を示す(図2(A)参照)。また図24(B)には、着色膜CF_1に、着色膜702、着色膜704、着色膜706または着色膜708を用いたときの結果が示される。
<Calculation result>
In FIG. 24B, among the light emitted from the display element 602 (i, j) and passing through the colored film CF_1, the chromaticity difference Δu′v ′ of the light emitted in the
図24(B)の横軸は角度Rであり、縦軸は光の色度差Δu’v’である。 In FIG. 24B, the horizontal axis represents the angle R, and the vertical axis represents the light chromaticity difference Δu′v ′.
光の色度は、CIE1976色度座標(u’v’色度座標)で表される。色度差Δu’v’は、小さいことが好ましい。 The chromaticity of light is represented by CIE 1976 chromaticity coordinates (u′v ′ chromaticity coordinates). The chromaticity difference Δu′v ′ is preferably small.
色度差Δu’v’は、着色膜CF_1の透過スペクトルと、角度Rと、により変化した。着色膜706または着色膜708を用いたとき、角度Rが変化しても色度差Δu’v’が小さかった。
The chromaticity difference Δu′v ′ changed depending on the transmission spectrum of the colored film CF_1 and the angle R. When the
例えば、色度差Δu’v’を、角度Rが0°乃至80°の範囲において0.1以下にするためには、着色膜CF_1の備える波長500nmの光の透過率を、波長450nmの光の透過率の10倍以上とすると良い。 For example, in order to set the chromaticity difference Δu′v ′ to 0.1 or less when the angle R is in the range of 0 ° to 80 °, the transmittance of light having a wavelength of 500 nm included in the colored film CF_1 is changed to light having a wavelength of 450 nm. The transmittance is preferably 10 times or more.
本実施例に示す構成は、他の実施の形態に示す構成と適宜組み合わせて用いることができる。 The structure described in this example can be combined as appropriate with any of the structures described in the other embodiments.
CF 着色膜
CF_1 着色膜
CF_2 着色膜
CF_3 着色膜
d1 距離
d2 距離
d3 距離
FPC フレキシブルプリント基板
L1 光
L2 光
R 角度
MD トランジスタ
M1 トランジスタ
M2 トランジスタ
M3 トランジスタ
N 波長分散
N1 ノード
N2 ノード
N3 ノード
P1 期間
P2 期間
P3 期間
PR1 工程
PR2 工程
PR3 工程
PR4 工程
PR5 工程
PR6 工程
PR7 工程
PR8 工程
PR9 工程
PR10 工程
R0 光
R30 光
R60 光
R80 光
13 基板
15 遮光膜
25 遮光膜
41 領域
42 領域
43 領域
45 開口部
500 表示パネル
500_2 表示パネル
500_3 表示パネル
500_4 表示パネル
500_5 表示パネル
502 画素
503A トランジスタ
503B トランジスタ
504 基板
506 基板
512 表示領域
514A 駆動回路
514B 駆動回路
516 端子
516_1 端子
516_2 端子
516_4 端子
518 端子
518_1 端子
518_12 端子
519 金属酸化物膜
520 半導体膜
520_D 半導体膜
521 不純物
522 導電膜
522_A 導電膜
522_B 導電膜
522_DA 導電膜
522_DB 導電膜
522_1A 導電膜
522_1B 導電膜
522_2A 導電膜
522_2B 導電膜
522_3A 導電膜
522_3B 導電膜
524 導電膜
524A 導電膜
524A_1 導電膜
524A_2 導電膜
524A_3 導電膜
524A_D 導電膜
524B 導電膜
524B_1 導電膜
524B_2 導電膜
524B_3 導電膜
524B_D 導電膜
526 絶縁膜
528 絶縁膜
528_D 絶縁膜
529 金属酸化物膜
530 導電膜
530_1 導電膜
530_2 導電膜
530_3 導電膜
530_D 導電膜
532 導電膜
532A 導電膜
532A_A 導電膜
532A_B 導電膜
532A_DA 導電膜
532A_DB 導電膜
532A_F 導電膜
532B 導電膜
532B_A 導電膜
532B_B 導電膜
532B_DA 導電膜
532B_DB 導電膜
532B_F 導電膜
534 絶縁膜
536_A 開口部
536_B 開口部
538A 絶縁膜
538B 絶縁膜
539 絶縁膜
542 開口部
544 開口部
546 導電膜
552 配線
554 配線
556 配線
557 配線
558 配線
562 遮光膜
564 接合層
566 封止材
568 導電材料
602 表示素子
603 領域
604 導電膜
605 導電膜
605_1 導電膜
605_2 導電膜
606 発光層
608 導電膜
609 導電膜
610 絶縁膜
614 容量部
616 回路
630 方向
632 方向
702 着色膜
704 着色膜
706 着色膜
708 着色膜
5200B 情報処理装置
5210 演算装置
5220 入出力装置
5230 表示部
5240 入力部
5250 検知部
5290 通信部
CF colored film CF_1 colored film CF_2 colored film CF_3 colored film d1 distance d2 distance d3 distance FPC flexible printed circuit board L1 light L2 light R angle MD transistor M1 transistor M2 transistor M3 transistor N chromatic dispersion N1 node N2 node N3 node P1 period P2 period P3 Period PR1 Process PR2 Process PR3 Process PR4 Process PR5 Process PR6 Process PR7 Process PR8 Process PR9 Process PR10 Process R0 Light R30 Light R60 Light R80 Light 13 Substrate 15 Light Shielding Film 25 Light Shielding Film 41 Area 42 Area 43 Area 45 Opening 500 Display Panel 500_2 Display panel 500_3 Display panel 500_4 Display panel 500_5 Display panel 502 Pixel 503A Transistor 503B Transistor 504 Substrate 506 Substrate 512 Display region 51 A driver circuit 514B driver circuit 516 terminal 516_1 terminal 516_2 terminal 516_4 terminal 518 terminal 518_1 terminal 518_12 terminal 519 metal oxide film 520 semiconductor film 520_D semiconductor film 521 impurity 522 conductive film 522_A conductive film 522_B conductive film 522_DA conductive film 522_DB conductive film 522_1DB Film 522_1B conductive film 522_2A conductive film 522_2B conductive film 522_3A conductive film 522_3B conductive film 524 conductive film 524A conductive film 524A_1 conductive film 524A_2 conductive film 524A_3 conductive film 524A_D conductive film 524B conductive film 524B_1 conductive film 524B_3 conductive film 524B_3 conductive film 524B3 Insulating film 528 insulating film 528_D insulating film 529 metal oxide film 530 conductive film 530_1 conductive film 530_2 conductive film 530_3 conductive film 530_D conductive film 532 conductive film 532A conductive film 532A_A conductive film 532A_B conductive film 532A_DA conductive film 532A_DB conductive film 532A_F conductive film 532B conductive film 532B_A conductive film 532B_B conductive film 532B_DA conductive film 532B_DB conductive film 532B_DB conductive film 532B_DB Film 536_A opening 536_B opening 538A insulating film 538B insulating film 539 insulating film 542 opening 544 opening 546 conductive film 552 wiring 554 wiring 556 wiring 557 wiring 558 wiring 562 light shielding film 564 bonding layer 566 sealing material 568 conductive material 602 display Element 603 region 604 conductive film 605 conductive film 605_1 conductive film 605_2 conductive film 606 light emitting layer 608 conductive film 609 conductive film 610 insulating film 614 capacitor portion 16 circuit 630 direction 632 direction 702 color film 704 color film 706 color film 708 color film 5200B information processing apparatus 5210 computing device 5220 input-output device 5230 display unit 5240 input unit 5250 detecting unit 5290 communication unit
Claims (6)
前記第1の画素及び前記第2の画素において、前記第1の導電膜と前記第2の導電膜との間に、前記発光層が形成され、
前記第1の画素において、前記第1の着色膜と、前記第2の導電膜との間に、前記第1の導電膜が形成され、
前記第1の画素は、前記第1の導電膜と前記第2の導電膜との間の距離が、第1の距離である部分を有し、
前記第2の画素は、前記第1の導電膜と前記第2の導電膜との間の距離が、第2の距離である部分を有し、
前記第1の距離は、前記第2の距離と等しく、
前記第1の導電膜は、半光透過性および半光反射性を備え、
前記第2の導電膜は、光反射性を備え、
前記第1の着色膜は、第1の透過率及び第2の透過率を備えた、透過スペクトルを有し、
前記第1の透過率は、波長500nmの光に対する透過率であり、
前記第2の透過率は、波長400nm以上、500nm未満の範囲の光に対し、最も大きい透過率であり、
前記第2の透過率は、前記第1の透過率の10倍以上である表示パネル。 A first pixel, a second pixel, a first conductive film, a second conductive film, a light emitting layer, and a first colored film;
In the first pixel and the second pixel, the light emitting layer is formed between the first conductive film and the second conductive film,
In the first pixel, the first conductive film is formed between the first colored film and the second conductive film,
The first pixel has a portion in which a distance between the first conductive film and the second conductive film is a first distance;
The second pixel has a portion in which a distance between the first conductive film and the second conductive film is a second distance;
The first distance is equal to the second distance;
The first conductive film has a semi-light transmission property and a semi-light reflection property,
The second conductive film has light reflectivity,
The first colored film has a transmission spectrum having a first transmittance and a second transmittance;
The first transmittance is a transmittance for light having a wavelength of 500 nm,
The second transmittance is the largest transmittance for light in a wavelength range of 400 nm or more and less than 500 nm,
The display panel, wherein the second transmittance is 10 times or more of the first transmittance.
第3の画素を有し、
前記第3の画素において、前記第1の導電膜と前記第2の導電膜との間に、前記発光層が形成され、
前記第3の画素は、前記第1の導電膜と前記第2の導電膜との間の距離が、第3の距離である部分を有し、
前記第3の距離は、前記第1の距離と異なる表示パネル。 In claim 1,
Having a third pixel;
In the third pixel, the light emitting layer is formed between the first conductive film and the second conductive film,
The third pixel has a portion in which a distance between the first conductive film and the second conductive film is a third distance;
The third distance is a display panel different from the first distance.
第2の着色膜と、第3の着色膜と、を有し、
前記第2の画素において、前記第2の着色膜と、前記第2の導電膜との間に、前記第1の導電膜が形成され、
前記第3の画素において、前記第3の着色膜と、前記第2の導電膜との間に、前記第1の導電膜が形成され、
前記第2の着色膜は、赤色の光を透過し、
前記第3の着色膜は、緑色の光を透過する表示パネル。 In claim 2,
A second colored film and a third colored film,
In the second pixel, the first conductive film is formed between the second colored film and the second conductive film,
In the third pixel, the first conductive film is formed between the third colored film and the second conductive film,
The second colored film transmits red light,
The third colored film is a display panel that transmits green light.
前記第2の導電膜は銀を含む表示パネル。 In any one of Claim 1 thru | or 3,
The second conductive film is a display panel containing silver.
トランジスタ、モニタ配線、及びモニタ回路を有し、
前記トランジスタは、前記モニタ配線と、前記第2の導電膜とを接続する機能を有し、
前記モニタ配線は、前記モニタ回路と接続される表示パネル。 In any one of Claims 1 thru | or 4,
A transistor, a monitor wiring, and a monitor circuit;
The transistor has a function of connecting the monitor wiring and the second conductive film,
The monitor wiring is a display panel connected to the monitor circuit.
キーボード、ハードウェアボタン、ポインティングデバイス、タッチセンサ、照度センサ、撮像装置、音声入力装置、視線入力装置、姿勢検出装置、のうち一以上と、を含む情報処理装置。 A display panel according to any one of claims 1 to 5;
An information processing apparatus including one or more of a keyboard, hardware buttons, a pointing device, a touch sensor, an illuminance sensor, an imaging device, a voice input device, a line-of-sight input device, and a posture detection device.
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