JP2018177889A - Manufacturing method of polymer solution for photosensitive transfer material, manufacturing method of composition for photosensitive transfer material, manufacturing method of photosensitive transfer material, manufacturing method of circuit wiring, and manufacturing method of touch panel - Google Patents
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Abstract
Description
本開示は、感光性転写材料用重合体溶液の製造方法、感光性転写材料用組成物の製造方法、感光性転写材料の製造方法、回路配線の製造方法、及び、タッチパネルの製造方法に関する。 The present disclosure relates to a method for producing a polymer solution for photosensitive transfer material, a method for producing a composition for photosensitive transfer material, a method for producing a photosensitive transfer material, a method for producing a circuit wiring, and a method for producing a touch panel.
静電容量型入力装置などのタッチパネルを備えた表示装置(有機EL表示装置及び液晶表示装置など)では、視認部のセンサーに相当する電極パターン、周辺配線部分及び取り出し配線部分の配線などの導電層パターンがタッチパネル内部に設けられている。
一般的にパターン化した層の形成には、必要とするパターン形状を得るための工程数が少ないといったことから、感光性転写材料を用いて任意の基板上に設けた感光性樹脂組成物の層に対して、所望のパターンを有するマスクを介して露光した後に現像する方法が広く使用されている。
このような感光性樹脂組成物の層は、例えば、酸分解性基で保護された酸基を有する少なくとも1種の単量体に由来する構成単位を含有する高分子化合物を含んで形成される。
In a display device (such as an organic EL display device and a liquid crystal display device) provided with a touch panel such as a capacitance type input device, a conductive layer such as an electrode pattern corresponding to a sensor of a visible portion, and wiring of peripheral wiring portions and extraction wiring portions A pattern is provided inside the touch panel.
In general, for forming a patterned layer, a layer of a photosensitive resin composition provided on an arbitrary substrate using a photosensitive transfer material since the number of steps for obtaining a required pattern shape is small. On the other hand, a method of developing after exposure through a mask having a desired pattern is widely used.
The layer of such a photosensitive resin composition is formed, for example, by including a polymer compound containing a structural unit derived from at least one monomer having an acid group protected with an acid-degradable group. .
特許文献1には、(A)アルキルビニルエーテルでブロックされたアルカリ可溶性基を有するモノマー単位を有するビニル系重合体と、(B)活性エネルギー線により熱を発生する光熱変換物質と、(C)熱により酸を発生する酸発生剤と、を含むことを特徴とする回路基板用ポジ型レジスト組成物が記載されている。 In Patent Document 1, (A) a vinyl polymer having a monomer unit having an alkali-soluble group blocked by an alkyl vinyl ether, (B) a photothermal conversion material generating heat by active energy rays, and (C) heat A positive resist composition for a circuit board is described, which comprises an acid generator which generates an acid according to the above.
本発明の一実施形態が解決しようとする課題は、解像性に優れたパターンが得られる感光性転写材料用重合体溶液の製造方法を提供することである。
また、本発明の別の実施形態が解決しようとする課題は、解像性に優れたパターンが得られる感光性転写材料用組成物の製造方法、感光性転写材料の製造方法、これを用いた回路配線の製造方法、又は、これを用いたタッチパネルの製造方法を提供することである。
The problem to be solved by one embodiment of the present invention is to provide a method for producing a polymer solution for a photosensitive transfer material from which a pattern with excellent resolution can be obtained.
The problem to be solved by another embodiment of the present invention is a method of producing a composition for photosensitive transfer material from which a pattern excellent in resolution is obtained, a method of producing a photosensitive transfer material, and the method of using the same It is providing a manufacturing method of circuit wiring, or a manufacturing method of a touch panel using the same.
上記課題を解決するための手段には、以下の態様が含まれる。
<1> 重合開始剤と、重合溶媒を含み、かつ、20℃における蒸気圧が1kPa以上16kPa以下である重合溶媒成分と、酸分解性基で保護された酸基を有する少なくとも1種の単量体を含む単量体成分と、を含む組成物における重合反応を行う工程を有する、感光性転写材料用重合体溶液の製造方法。
<2> 上記重合溶媒成分の20℃における蒸気圧が、1kPa以上10kPa以下である、<1>に記載の感光性転写材料用重合体溶液の製造方法。
<3> 上記重合溶媒成分が、エステル基、エーテル基及びカルボニル基から選ばれる、少なくとも1つの基を有し、かつ炭素数が4〜6である重合溶媒を含む、<1>又は<2>に記載の感光性転写材料用重合体溶液の製造方法。
<4> 上記重合溶媒成分が、ヒドロキシ基を含む重合溶媒を含有しないか、又は、上記重合溶媒成分の全質量に対する、ヒドロキシ基を含む重合溶媒の含有量が、0質量%を超え5質量%未満である、<1>〜<3>のいずれか1つに記載の感光性転写材料用重合体溶液の製造方法。
<5> 上記単量体成分が、酸基を有する単量体を含む、<1>〜<4>のいずれか1つに記載の感光性転写材料用重合体溶液の製造方法。
<6> 上記酸分解性基で保護された酸基を含む単量体が、酸分解性基で保護されたカルボキシ基を含む単量体である、<1>〜<5>のいずれか1つに記載の感光性転写材料用重合体溶液の製造方法。
<7> <1>〜<6>のいずれか1つに記載の感光性転写材料用重合体溶液の製造方法によって製造された感光性転写材料用重合体溶液、光酸発生剤、及び20℃における蒸気圧が1kPa以上16kPa以下である希釈溶媒を混合する工程を含む、感光性転写材料用組成物の製造方法。
<8> 得られる感光性転写材料用組成物に含まれる重合体成分の全質量に対する、酸基を有する構成単位の含有量が、0.5質量%〜10質量%である、<7>に記載の感光性転写材料用組成物の製造方法。
<9> 得られる感光性転写材料用組成物に含まれる重合体成分の有機概念図に基づく無機性値Iを有機性値Oで除したI/O値の平均値が、0.52以上である、<7>又は<8>に記載の感光性転写材料用組成物の製造方法。
<10> 得られる感光性転写材料用組成物に含まれる全重合体成分のガラス転移温度の平均値が、90℃以下である、<7>〜<9>のいずれか1つに記載の感光性転写材料用組成物の製造方法。
<11> 得られる感光性転写材料用組成物に含まれる、重合体成分の重量平均分子量が、60,000以下である、<7>〜<10>のいずれか1つに記載の感光性転写材料用組成物の製造方法。
<12> <7>〜<11>のいずれか1つに記載の感光性転写材料用組成物の製造方法により得られた感光性転写材料用組成物を用いて、仮支持体上に感光性層を形成する工程を有する感光性転写材料の製造方法。
<13> <12>に記載の感光性転写材料の製造方法により得られた感光性転写材料の上記感光性層を基板に接触させて貼り合わせる工程と、上記貼り合わせる工程後の上記感光性転写材料の感光性層をパターン露光する工程と、上記露光する工程後の感光性層を現像してパターンを形成する工程と、上記パターンが配置されていない領域における基板をエッチング処理する工程と、をこの順に含む、回路配線の製造方法。
<14> <12>に記載の感光性転写材料の製造方法により得られた感光性転写材料の上記感光性層を基板に接触させて貼り合わせる工程と、上記貼り合わせる工程後の上記感光性転写材料の上記感光性層をパターン露光する工程と、上記露光する工程後の感光性層を現像してパターンを形成する工程と、上記パターンが配置されていない領域における基板をエッチング処理する工程と、をこの順に含む、タッチパネルの製造方法。
Means for solving the above problems include the following aspects.
<1> A polymerization solvent component containing a polymerization initiator and a polymerization solvent, and having a vapor pressure at 20 ° C. of 1 kPa or more and 16 kPa or less, and at least one kind of unitary group having an acid degradable group-protected acid group The manufacturing method of the polymer solution for photosensitive transfer materials which has the process of performing the polymerization reaction in the composition containing the monomer component which contains a body.
The manufacturing method of the polymer solution for photosensitive transfer materials as described in <1> whose vapor pressure in 20 degreeC of the <2> above-mentioned superposition | polymerization solvent component is 1 kPa or more and 10 kPa or less.
<3> The polymerization solvent component includes at least one polymerization solvent selected from an ester group, an ether group and a carbonyl group, and including a polymerization solvent having 4 to 6 carbon atoms, <1> or <2> The manufacturing method of the polymer solution for photosensitive transfer materials as described in 4 ..
<4> The polymerization solvent component does not contain a polymerization solvent containing a hydroxy group, or the content of the polymerization solvent containing a hydroxy group is more than 0% by mass and 5% by mass with respect to the total mass of the polymerization solvent component The manufacturing method of the polymer solution for photosensitive transfer materials as described in any one of <1>-<3> which is less than.
The manufacturing method of the polymer solution for photosensitive transfer materials as described in any one of <1>-<4> in which the <5> above-mentioned monomer component contains the monomer which has an acidic radical.
<6> Any one of <1> to <5>, wherein the monomer containing an acid group protected by an acid decomposable group is a monomer containing a carboxy group protected by an acid decomposable group A method for producing a polymer solution for a photosensitive transfer material as described in 1).
The polymer solution for photosensitive transfer materials manufactured by the manufacturing method of the polymer solution for photosensitive transfer materials as described in any one of <7><1>-<6>, a photo-acid generator, and 20 degreeC The manufacturing method of the composition for photosensitive transfer materials including the process of mixing the dilution solvent whose vapor pressure in 1 is 1 kPa or more and 16 kPa or less.
<8> The content of the structural unit having an acid group is 0.5% by mass to 10% by mass, based on the total mass of the polymer component contained in the composition for photosensitive transfer material to be obtained. The manufacturing method of the composition for photosensitive transfer materials as described.
<9> The average value of I / O values obtained by dividing the inorganicity value I based on the organic conceptual diagram of the polymer component contained in the composition for photosensitive transfer material obtained by the organicity value O is 0.52 or more The manufacturing method of the composition for photosensitive transfer materials as described in <7> or <8> which exists.
The photosensitive property as described in any one of <7>-<9> whose average value of the glass transition temperature of all the polymer components contained in the composition for <10> photosensitive transfer materials obtained is 90 degrees C or less. Method of a composition for a flexible transfer material.
The photosensitive transfer as described in any one of <7>-<10> whose weight average molecular weight of the polymer component contained in the composition for photosensitive transfer materials obtained <11> is 60,000 or less. Method for producing a composition for materials.
<12> Photosensitivity on a temporary support using the composition for photosensitive transfer material obtained by the method for producing a composition for photosensitive transfer material according to any one of <7> to <11> A method of producing a photosensitive transfer material comprising the step of forming a layer.
<13> A step of bringing the photosensitive layer of the photosensitive transfer material obtained by the method of producing a photosensitive transfer material according to <12> into contact with a substrate for bonding, and the photosensitive transfer after the step of laminating A step of pattern exposing the photosensitive layer of the material, a step of developing the photosensitive layer after the exposing step to form a pattern, and a step of etching the substrate in a region where the pattern is not disposed A method of manufacturing a circuit wiring, including in this order.
<14> A step of bringing the photosensitive layer of the photosensitive transfer material obtained by the method of producing a photosensitive transfer material according to <12> into contact with a substrate for bonding, and the photosensitive transfer after the step of laminating A step of pattern exposing the photosensitive layer of the material, a step of developing the photosensitive layer after the exposing step to form a pattern, and a step of etching the substrate in a region where the pattern is not disposed; A method of manufacturing a touch panel, comprising:
本発明の一実施形態によれば、解像性に優れたパターンが得られる感光性転写材料用重合体溶液の製造方法を提供することができる。
また、本発明の別の実施形態によれば、解像性に優れたパターンが得られる感光性転写材料の製造方法、これを用いた回路配線の製造方法、又は、これを用いたタッチパネルの製造方法を提供することができる。
According to one embodiment of the present invention, it is possible to provide a method for producing a polymer solution for a photosensitive transfer material which can obtain a pattern excellent in resolution.
In addition, according to another embodiment of the present invention, a method of producing a photosensitive transfer material capable of obtaining a pattern excellent in resolution, a method of producing a circuit wiring using the same, or a touch panel using the same We can provide a way.
以下、本実施形態の内容について説明する。
また、本明細書において「〜」を用いて表される数値範囲は、「〜」の前後に記載される数値を下限値及び上限値として含む範囲を意味する。
また、本明細書において、「(メタ)アクリル」はアクリル及びメタクリルの双方、又は、いずれかを表し、「(メタ)アクリレート」はアクリレート及びメタクリレートの双方、又は、いずれかを表す。
更に、本明細書において組成物中の各成分の量は、組成物中に各成分に該当する物質が複数存在する場合、特に断らない限り、組成物中に存在する該当する複数の物質の合計量を意味する。
本明細書において「工程」との語は、独立した工程だけでなく、他の工程と明確に区別できない場合であっても工程の所期の目的が達成されれば、本用語に含まれる。
本明細書における基(原子団)の表記において、置換及び無置換を記していない表記は、置換基を有さないものと共に置換基を有するものをも包含するものである。例えば「アルキル基」とは、置換基を有さないアルキル基(無置換アルキル基)のみならず、置換基を有するアルキル基(置換アルキル基)をも包含するものである。
また、本明細書における化学構造式は、水素原子を省略した簡略構造式で記載する場合もある。
本実施形態において、「質量%」と「重量%」とは同義であり、「質量部」と「重量部」とは同義である。
また、本実施形態において、2以上の好ましい態様の組み合わせは、より好ましい態様である。
The contents of this embodiment will be described below.
Moreover, the numerical range represented using "-" in this specification means the range which includes the numerical value described before and after "-" as a lower limit and an upper limit.
Moreover, in this specification, "(meth) acryl" represents both or any of acrylic and methacryl, and "(meth) acrylate" represents both or any of acrylate and a methacrylate.
Furthermore, in the present specification, the amount of each component in the composition is the total of a plurality of corresponding substances present in the composition unless a plurality of substances corresponding to each component are present in the composition. Means quantity.
In the present specification, the term "process" is included in the term if the intended purpose of the process is achieved, even if it can not be clearly distinguished from other processes, as well as independent processes.
In the notation of groups (atomic groups) in the present specification, notations not describing substitution and non-substitution include those having no substituent as well as those having a substituent. For example, the "alkyl group" includes not only an alkyl group having no substituent (unsubstituted alkyl group) but also an alkyl group having a substituent (substituted alkyl group).
Moreover, the chemical structural formula in this specification may be described by the simplified structural formula which abbreviate | omitted the hydrogen atom.
In the present embodiment, “mass%” and “weight%” are synonymous, and “mass part” and “part by weight” are synonymous.
Further, in the present embodiment, a combination of two or more preferable aspects is a more preferable aspect.
(感光性転写材料用重合体溶液の製造方法)
本実施形態に係る感光性転写材料用重合体溶液の製造方法は、重合開始剤と、重合溶媒を含み、かつ、20℃における蒸気圧が1kPa以上16kPa以下である重合溶媒成分と、酸分解性基で保護された酸基を有する少なくとも1種の単量体を含む単量体成分と、を含む組成物における重合反応を行う工程(以下、単に「重合工程」ともいう。)を有する。
(Method of producing polymer solution for photosensitive transfer material)
The method for producing a polymer solution for a photosensitive transfer material according to the present embodiment includes a polymerization initiator, a polymerization solvent component, and a polymerization solvent component having a vapor pressure of 1 kPa to 16 kPa at 20 ° C., and an acid decomposable And (ii) a step of conducting a polymerization reaction in a composition containing a monomer component containing at least one monomer having an acid group protected by a group (hereinafter, also simply referred to as a “polymerization step”).
従来、回路配線の形成等におけるレジストパターンの形成のために、例えば特許文献1に記載された感光性転写材料等が利用されているが、得られるレジストパターンの解像性が低いという問題点があった。
本発明者らは、鋭意検討した結果、本実施形態に係る感光性転写材料用重合体溶液の製造方法により得られた感光性転写材料用重合体溶液(以下、単に重合体溶液ともいう)を用いて形成された感光性転写材料を用いることにより、得られるレジストパターンの解像性が向上することを見出した。
詳細なメカニズムは不明であるが、下記のように推測している。
Conventionally, for the formation of a resist pattern in the formation of a circuit wiring or the like, for example, a photosensitive transfer material or the like described in Patent Document 1 is used, but there is a problem that the resolution of the obtained resist pattern is low. there were.
As a result of intensive investigations, the inventors of the present invention obtained a polymer solution for photosensitive transfer material (hereinafter, also simply referred to as a polymer solution) obtained by the method for producing a polymer solution for photosensitive transfer material according to the present embodiment. It has been found that the resolution of the obtained resist pattern is improved by using the photosensitive transfer material formed by using.
The detailed mechanism is unknown, but is presumed as follows.
感光性転写材料における感光性層は、例えば酸分解性基で保護された酸基を有する重合体を含む組成物を基材(仮支持体)に塗布することにより形成される。
ここで、上記重合体は、重合体の重合時に用いられた重合溶媒成分の溶液(重合溶媒成分溶液)として製造されるが、生産効率やコスト面の観点から、得られた重合体を精製することは一般的ではない。そのため、上記組成物は、重合溶媒成分を除去せずに、上記重合体の重合溶媒成分溶液と、その他の成分とを混合して製造され、上記組成物には、上記重合溶媒成分が含まれる場合がある。
また、上記感光性層は、例えば、基材に組成物を塗布することにより形成されるが、その製造時には広い塗布幅の基材を高速で搬送しながら塗布を行うことが好ましいため、面内の各成分が不均一(以下、「面内の不均一性」ともいう。)になりやすく、かつ、基材として変形しやすいフィルムを用いるため、高温かつ長時間乾燥させることが困難である。
そのため、重合溶媒成分として20℃における蒸気圧が16kPaを超える溶媒を使用した場合に得られる上記感光性層においては、重合溶媒成分の乾燥が速く、乾燥の制御が困難であり、面内の不均一性が増大すると考えられる。上記面内の不均一性の増大が、露光の際の光の透過を乱すことにより、解像性が低下すると推測される。
また、重合溶媒成分として20℃における蒸気圧が1kPa未満の溶媒を使用した場合に得られる上記感光性層においては、重合溶媒成分が上述の乾燥により除去されにくく、感光性層に重合溶媒成分が残留溶媒として含まれると考えられる。この残留溶媒により、酸分解性基で保護された酸基の脱保護により生成する脱保護生成物が拡散されることが、解像性の低下の原因であると推測される。
本実施形態に係る感光性転写材料用重合体溶液の製造方法によれば、20℃における蒸気圧が1kPa以上16kPa以下である重合溶媒成分を含む重合体溶液が得られるため、感光性層における乾燥時の面内の不均一性が低減され、かつ、重合溶媒成分が残留しにくいため、上述の脱保護生成物の拡散が抑制され、解像性に優れたパターンが得られると考えられる。
以下、本実施形態に係る感光性転写材料用重合体溶液の製造方法について、詳細に説明する。
The photosensitive layer in the photosensitive transfer material is formed, for example, by applying a composition containing a polymer having an acid-degradable group-protected acid group to a substrate (temporary support).
Here, the above-mentioned polymer is manufactured as a solution (polymerization solvent component solution) of the polymerization solvent component used at the time of polymerization of the polymer, but from the viewpoint of production efficiency and cost, the obtained polymer is purified Things are not common. Therefore, the composition is produced by mixing the polymerization solvent component solution of the polymer and other components without removing the polymerization solvent component, and the composition includes the polymerization solvent component. There is a case.
The photosensitive layer is formed, for example, by applying the composition to a base material, but it is preferable to apply the composition while conveying the base material having a wide application width at a high speed at the time of its production. It is difficult to dry at a high temperature for a long time, since each component of the film is likely to be nonuniform (hereinafter, also referred to as "in-plane nonuniformity") and a film that is easily deformed as a substrate.
Therefore, in the photosensitive layer obtained when the solvent having a vapor pressure of more than 16 kPa at 20 ° C. is used as the polymerization solvent component, the drying of the polymerization solvent component is fast, and the control of the drying is difficult. It is believed that the uniformity is increased. It is presumed that the increase in the in-plane non-uniformity reduces the resolution by disturbing the transmission of light during exposure.
In the photosensitive layer obtained when the solvent having a vapor pressure of less than 1 kPa at 20 ° C. is used as the polymerization solvent component, the polymerization solvent component is difficult to be removed by the above-described drying, and the polymerization solvent component is contained in the photosensitive layer. It is believed to be included as a residual solvent. It is assumed that this residual solvent causes the degradation of resolution to be caused by the diffusion of the deprotected product generated by the deprotection of the acid-degradable group-protected acid group.
According to the method for producing a polymer solution for a photosensitive transfer material according to the present embodiment, a polymer solution containing a polymerization solvent component having a vapor pressure of 1 kPa or more and 16 kPa or less at 20 ° C. can be obtained. Since in-plane nonuniformity is reduced and the polymerization solvent component hardly remains, diffusion of the above-mentioned deprotected product is suppressed, and it is considered that a pattern with excellent resolution can be obtained.
Hereinafter, the method for producing the polymer solution for a photosensitive transfer material according to the present embodiment will be described in detail.
<重合工程>
重合工程は、重合開始剤と、重合溶媒を含み、かつ、20℃における蒸気圧が1kPa以上16kPa以下である重合溶媒成分と、酸分解性基で保護された酸基を有する少なくとも1種の単量体(「モノマー」ともいう。)を含む単量体成分と、を含む組成物における重合反応を行う工程である。
重合反応としては、単量体成分に含まれる単量体同士が重合する反応であればよいが、単量体同士の付加重合反応であることが好ましく、ラジカル重合反応であることがより好ましい。ラジカル重合反応を行うために、重合開始剤がラジカル重合開始剤であり、かつ、単量体がラジカル重合性化合物であることが好ましい。
重合方法としては特に限定されず、公知の方法を用いればよいが、例えば重合開始剤が熱重合開始剤である場合には、単量体成分と、重合溶媒成分と、重合開始剤とを混合して加熱することにより、単量体成分に含まれる単量体を重合することができる。
以下、重合工程において用いられる各成分の詳細について記載する。
<Polymerization process>
The polymerization step includes a polymerization solvent component containing a polymerization initiator and a polymerization solvent, and a polymerization solvent component having a vapor pressure of 1 kPa or more and 16 kPa or less at 20 ° C., and at least one single type having an acid-degradable group-protected acid group. A step of conducting a polymerization reaction in a composition containing a monomer component containing a monomer (also referred to as a "monomer").
The polymerization reaction may be any reaction in which the monomers contained in the monomer component are polymerized, but is preferably an addition polymerization reaction of the monomers, and more preferably a radical polymerization reaction. In order to perform a radical polymerization reaction, it is preferable that a polymerization initiator is a radical polymerization initiator and a monomer is a radically polymerizable compound.
The polymerization method is not particularly limited, and a known method may be used. For example, when the polymerization initiator is a thermal polymerization initiator, a monomer component, a polymerization solvent component, and a polymerization initiator are mixed. By heating the mixture, the monomers contained in the monomer component can be polymerized.
Hereinafter, the details of each component used in the polymerization step will be described.
〔重合溶媒成分〕
重合溶媒成分は、少なくとも1種の重合溶媒を含む。
解像性向上の観点から、重合溶媒としては、エステル基、エーテル基及びカルボニル基よりなる群から選ばれた少なくとも1つの基を有する溶媒が好ましい。
以下、溶媒名の後の括弧内の数値は、後述する方法により測定された20℃における蒸気圧(kPa)を表す。
エステル基を有する溶媒としては、酢酸エチル(8.7)、酢酸プロピル(2.5)、酢酸イソブチル(2.0)、酢酸sec−ブチル(1.3)、酢酸イソプロピル(6.4)等が挙げられる。
エーテル基を有する溶媒としては、ジイソプロピルエーテル(16.0)、1,4−ジオキサン(3.9)、1,2−ジメトキシエタン(6.7)、1,3−ジオキソラン(7.5)、プロピレングリコールジメチルエーテル(7.6)、プロピレングリコールモノエチルエーテル(1.2)等が挙げられる。
カルボニル基を有する溶媒としては、メチルn−ブチルケトン(1.3)、メチルエチルケトン(9.5)、メチルイソブチルケトン(2.1)、ジエチルケトン(2.0)、メチルn−プロピルケトン(3.6)、メチルイソプロピルケトン(5.5)等が挙げられる。
また、重合溶媒成分はその他の溶媒を含有してもよい。その他の溶媒としては、トルエン(2.9)、アセトニトリル(9.9)、イソプロパノール(4.3)、2−ブタノール(1.6)、イソブチルアルコール(1.2)等が挙げられる。
上記溶媒の中でも、解像性の観点から、酢酸エチル、酢酸イソプロピル、酢酸プロピル、酢酸イソブチル、ジイソプロピルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、メチルn−ブチルケトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン又はトルエンを含むことが好ましく、酢酸エチル、酢酸イソプロピル、酢酸プロピル、酢酸イソブチル、メチルn−ブチルケトン、メチルエチルケトン又はメチルイソブチルケトンを含むことがより好ましい。
[Polymerization solvent component]
The polymerization solvent component comprises at least one polymerization solvent.
From the viewpoint of improving resolution, as the polymerization solvent, a solvent having at least one group selected from the group consisting of an ester group, an ether group and a carbonyl group is preferable.
Hereinafter, the numerical value in the parenthesis after the solvent name represents the vapor pressure (kPa) at 20 ° C. measured by the method described later.
As a solvent having an ester group, ethyl acetate (8.7), propyl acetate (2.5), isobutyl acetate (2.0), sec-butyl acetate (1.3), isopropyl acetate (6.4), etc. Can be mentioned.
As a solvent having an ether group, diisopropyl ether (16.0), 1,4-dioxane (3.9), 1,2-dimethoxyethane (6.7), 1,3-dioxolane (7.5), Propylene glycol dimethyl ether (7.6), propylene glycol monoethyl ether (1.2) and the like can be mentioned.
As the solvent having a carbonyl group, methyl n-butyl ketone (1.3), methyl ethyl ketone (9.5), methyl isobutyl ketone (2.1), diethyl ketone (2.0), methyl n-propyl ketone (3. 3). 6), methyl isopropyl ketone (5.5) and the like.
The polymerization solvent component may also contain other solvents. Other solvents include toluene (2.9), acetonitrile (9.9), isopropanol (4.3), 2-butanol (1.6), isobutyl alcohol (1.2) and the like.
Among the above solvents, from the viewpoint of resolution, ethyl acetate, isopropyl acetate, propyl acetate, isobutyl acetate, isobutyl acetate, diisopropyl ether, propylene glycol monoethyl ether, methyl n-butyl ketone, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone or toluene is preferable. More preferably, it comprises ethyl acetate, isopropyl acetate, propyl acetate, isobutyl acetate, methyl n-butyl ketone, methyl ethyl ketone or methyl isobutyl ketone.
重合溶媒成分に含まれる溶媒は、20℃における蒸気圧が1kPa以上16kPa以下であることが好ましい。
後述する重合溶媒成分の20℃における蒸気圧が1kPa以上16kPa以下である限りにおいて、重合溶媒成分は、20℃における蒸気圧が1kPa未満であるか、16kPaを超える溶媒を含有してもよいが、解像性の向上の観点から、20℃における蒸気圧が1kPa以上16kPa以下である溶媒の合計含有量が、重合体成分の全質量に対し、95質量%以上であることが好ましく、98質量%以上であることがより好ましく、99質量%以上であることが好ましく、100質量%であることが更に好ましい。
本実施形態において、溶媒の蒸気圧とは、第5版実験化学講座6「温度・熱、圧力」丸善、331_364頁に記載の静止法により測定される。
The solvent contained in the polymerization solvent component preferably has a vapor pressure at 20 ° C. of 1 kPa or more and 16 kPa or less.
As long as the vapor pressure at 20 ° C. of the polymerization solvent component described later is 1 kPa or more and 16 kPa or less, the polymerization solvent component may contain a solvent whose vapor pressure at 20 ° C. is less than 1 kPa or more than 16 kPa, From the viewpoint of improving the resolution, the total content of the solvent having a vapor pressure of 1 kPa or more and 16 kPa or less at 20 ° C. is preferably 95% by mass or more based on the total mass of the polymer component, and 98% by mass The content is more preferably 99% by mass or more, and still more preferably 100% by mass.
In the present embodiment, the vapor pressure of the solvent is measured by the static method described in 5th Edition Experimental Chemistry Lecture 6 “Temperature, Heat, Pressure” Maruzen, page 331-364.
重合溶媒成分は、得られるパターンの解像性の観点から、ヒドロキシ基を含む重合溶媒を含有しないか、又は、上記重合溶媒成分の全質量に対する、ヒドロキシ基を含む重合溶媒の含有量が、0質量%を超え5質量%未満であることが好ましく、ヒドロキシ基を含む重合溶媒を含有しないか、又は、上記含有量が、0質量%を超え2質量%未満であることがより好ましく、ヒドロキシ基を含む重合溶媒を含有しないか、又は、上記含有量が、0質量%を超え1質量%未満であることが更に好ましく、ヒドロキシ基を含む重合溶媒を含有しないことが特に好ましい。 The polymerization solvent component does not contain a polymerization solvent containing a hydroxy group, or the content of the polymerization solvent containing a hydroxy group relative to the total mass of the above-mentioned polymerization solvent component is 0, from the viewpoint of the resolution of the obtained pattern. The content is preferably more than 5% by mass and no polymerization solvent containing a hydroxy group is contained, or the content is more preferably more than 0% by mass and less than 2% by mass, the hydroxy group More preferably, the polymerization solvent is not contained, or the content is more than 0% by mass and less than 1% by mass, and it is particularly preferable not to contain a polymerization solvent containing a hydroxy group.
−重合溶媒成分の20℃における蒸気圧−
重合溶媒成分は、20℃における蒸気圧が1kPa以上16kPa以下であり、1kPa以上10kPa以下が好ましく、2kPa以上6kPa以下がより好ましい。
重合溶媒成分が、1種類の重合溶媒のみを含有する場合、重合溶媒成分の20℃における蒸気圧は、含まれる重合溶媒の20℃における蒸気圧と同一である。
重合溶媒成分が2種以上の重合溶媒を含有する場合、重合溶媒成分の20℃における蒸気圧は、(各重合溶媒の20℃における蒸気圧)×(各成分のモル分率)の和で表すことができる。例えば、各重合溶媒の20℃における蒸気圧がPa(kPa)、Pb(kPa)、Pc(kPa)で表わされる重合溶媒A、B、Cがそれぞれna、nb、ncのモル分率で含まれている重合溶媒成分の蒸気圧Pm(kPa)は下記式(ラウールの式)により算出される。
Pm=(Pa×na)+(Pb×nb)+(Pc×nc)
-Vapor pressure at 20 ° C of polymerization solvent component-
The polymerization solvent component has a vapor pressure at 20 ° C. of 1 kPa or more and 16 kPa or less, preferably 1 kPa or more and 10 kPa or less, and more preferably 2 kPa or more and 6 kPa or less.
When the polymerization solvent component contains only one type of polymerization solvent, the vapor pressure at 20 ° C. of the polymerization solvent component is the same as the vapor pressure at 20 ° C. of the contained polymerization solvent.
When the polymerization solvent component contains two or more kinds of polymerization solvents, the vapor pressure at 20 ° C. of the polymerization solvent component is represented by the sum of (the vapor pressure of each polymerization solvent at 20 ° C.) × (molar fraction of each component) be able to. For example, the polymerization solvents A, B, and C in which the vapor pressure at 20 ° C. of each polymerization solvent is represented by Pa (kPa), Pb (kPa), and Pc (kPa) are included at molar fractions of na, nb, and nc, respectively. The vapor pressure Pm (kPa) of the polymerization solvent component being calculated is calculated by the following equation (Rawool's equation).
Pm = (Pa × na) + (Pb × nb) + (Pc × nc)
〔酸分解性基で保護された酸基を有する少なくとも1種の単量体を含む単量体成分〕
−単量体a1−
上記単量体成分は、酸分解性基で保護された酸基を有する少なくとも1種の単量体a1を含む。上記単量体成分が単量体a1を含むことにより、得られる感光性転写材料における感光性層を、極めて高感度な化学増幅ポジ型の感光性樹脂組成物層とすることができる。
単量体a1としては、重合性単量体であれば特に限定されないが、ラジカル重合性化合物であることが好ましい。
また、単量体a1は、エチレン性不飽和基を有することが好ましく、反応性の観点から、(メタ)アクリロイル基を有することが好ましい。
本実施形態における「酸分解性基で保護された酸基」は、酸基及び酸分解性基として公知のものを使用でき、特に限定されない。具体的な酸基としては、カルボキシ基、及び、フェノール性水酸基が好ましく挙げられ、カルボキシ基がより好ましい。すなわち、単量体a1は、酸分解性基で保護されたカルボキシ基を含む単量体であることが好ましい。また、酸分解性で保護された酸基としては、酸により比較的分解し易い基(例えば、式A1で表される基で保護されたエステル基、テトラヒドロピラニルエステル基、又は、テトラヒドロフラニルエステル基等のアセタール系官能基)や酸により比較的分解し難い基(例えば、tert−ブチルエステル基等の第三級アルキル基、tert−ブチルカーボネート基等の第三級アルキルカーボネート基)を用いることができる。
これらの中でも、上記酸分解性基としては、アセタールの形で保護された構造を有する基であることが好ましい。
[Monomer component containing at least one monomer having an acid-degradable group-protected acid group]
-Monomer a 1-
The said monomer component contains at least 1 sort (s) of monomer a1 which has an acidic group protected by the acid-degradable group. When the monomer component contains the monomer a1, the photosensitive layer in the resulting photosensitive transfer material can be made into a highly sensitive chemically amplified positive type photosensitive resin composition layer.
The monomer a1 is not particularly limited as long as it is a polymerizable monomer, but is preferably a radical polymerizable compound.
The monomer a1 preferably has an ethylenically unsaturated group, and preferably has a (meth) acryloyl group from the viewpoint of reactivity.
The “acid group protected with an acid degradable group” in the present embodiment may be one known as an acid group and an acid degradable group, and is not particularly limited. As a specific acid group, a carboxy group and a phenolic hydroxyl group are preferably mentioned, and a carboxy group is more preferable. That is, the monomer a1 is preferably a monomer containing a carboxy group protected by an acid-degradable group. Moreover, as the acid-degradable protected acid group, a group which is relatively easy to be decomposed by an acid (for example, an ester group protected by a group represented by the formula A1, a tetrahydropyranyl ester group, or a tetrahydrofuranyl ester group) And the like (acetal functional groups such as, etc.) and groups which are relatively difficult to be decomposed by acid (for example, tertiary alkyl groups such as tert-butyl ester group, tertiary alkyl carbonate groups such as tert-butyl carbonate group) it can.
Among these, as the above-mentioned acid-decomposable group, a group having a structure protected in the form of acetal is preferable.
上記単量体a1としては、得られる感光性転写材料におけるパターン形成時の感度、及び、得られるパターンの解像度の観点から、下記式Aで表される単量体(a)が好ましい。 As the monomer a1, a monomer (a) represented by the following formula A is preferable from the viewpoint of the sensitivity at the time of pattern formation in the photosensitive transfer material to be obtained and the resolution of the pattern to be obtained.
式A中、R31及びR32はそれぞれ独立に、水素原子、アルキル基又はアリール基を表し、少なくともR31及びR32のいずれか一方がアルキル基又はアリール基であり、R33はアルキル基又はアリール基を表し、R31又はR32と、R33とが連結して環状エーテルを形成してもよく、R34は水素原子又はメチル基を表し、X0は単結合又は二価の連結基を表す。 In formula A, R 31 and R 32 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group or an aryl group, at least one of R 31 and R 32 is an alkyl group or an aryl group, and R 33 is an alkyl group or R 31 or R 32 and R 33 may combine to form a cyclic ether, R 34 represents a hydrogen atom or a methyl group, and X 0 is a single bond or a divalent linking group. Represents
式A中、R31又はR32がアルキル基の場合、炭素数は1〜10のアルキル基が好ましい。R31又はR32がアリール基の場合、フェニル基が好ましい。R31及びR32は、それぞれ、水素原子又は炭素数1〜4のアルキル基が好ましい。
式A中、R33は、アルキル基又はアリール基を表し、炭素数1〜10のアルキル基が好ましく、炭素数1〜6のアルキル基がより好ましい。R33におけるアルキル基及びアリール基は、置換基を有していてもよい。
式A中、R31又はR32と、R33とが連結して環状エーテルを形成してもよく、R31又はR32と、R33とが連結して環状エーテルを形成することが好ましい。環状エーテルの環員数は特に制限はないが、5又は6であることが好ましく、5であることがより好ましい。
式A中、X0は単結合又は二価の連結基を表し、単結合又はアリーレン基が好ましく、単結合がより好ましい。アリーレン基は、置換基を有していてもよい。
In formula A, when R 31 or R 32 is an alkyl group, an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms is preferable. When R 31 or R 32 is an aryl group, a phenyl group is preferred. Each of R 31 and R 32 is preferably a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms.
In Formula A, R 33 represents an alkyl group or an aryl group, preferably an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, and more preferably an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms. The alkyl group and aryl group in R 33 may have a substituent.
In formula A, R 31 or R 32 and R 33 may be linked to form a cyclic ether, and it is preferable that R 31 or R 32 and R 33 link to form a cyclic ether. The number of ring members of the cyclic ether is not particularly limited, but is preferably 5 or 6, and more preferably 5.
In Formula A, X 0 represents a single bond or a divalent linking group, a single bond or an arylene group is preferable, and a single bond is more preferable. The arylene group may have a substituent.
式A中、R34は水素原子又はメチル基を表し、得られる重合体のTgをより低くし得るという観点から、水素原子であることが好ましい。
より具体的には、単量体成分に含まれる単量体(a)の全含有量に対し、式AにおけるR34が水素原子である単量体は20質量%以上であることが好ましい。
なお、単量体(a)中の、式AにおけるR34が水素原子である単量体の含有量(含有割合:質量比)は、13C−核磁気共鳴スペクトル(NMR)測定から常法により算出されるピーク強度の強度比により確認することができる。
In formula A, R 34 represents a hydrogen atom or a methyl group, and is preferably a hydrogen atom from the viewpoint of being able to lower the Tg of the resulting polymer.
More specifically, it is preferable that the monomer whose R 34 in Formula A is a hydrogen atom is 20% by mass or more with respect to the total content of the monomer (a) contained in the monomer component.
In addition, the content (content ratio: mass ratio) of the monomer in which R 34 in the formula A in the monomer (a) is a hydrogen atom is an ordinary method based on 13 C-nuclear magnetic resonance spectrum (NMR) measurement. It can confirm by the intensity ratio of the peak intensity calculated by
式Aで表される単量体(a)の中でも、下記式A1で表される単量体が、得られる感光性転写材料におけるパターン形成時の感度を更に高める観点からより好ましい。 Among the monomers (a) represented by the formula A, monomers represented by the following formula A1 are more preferable from the viewpoint of further enhancing the sensitivity at the time of pattern formation in the obtained photosensitive transfer material.
式A1中、R34は水素原子又はメチル基を表し、R35〜R41はそれぞれ独立に、水素原子又は炭素数1〜4のアルキル基を表す。
式A1中、R34は水素原子が好ましい。
式A1中、R35〜R41は、水素原子が好ましい。
In formula A1, R 34 represents a hydrogen atom or a methyl group, and R 35 to R 41 each independently represent a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms.
In formula A1, R 34 is preferably a hydrogen atom.
In formula A1, R 35 to R 41 are preferably hydrogen atoms.
式Aで表される単量体(a)の好ましい具体例としては、下記の単量体が例示できる。なお、R34は水素原子又はメチル基を表す。 As a preferable specific example of a monomer (a) represented by Formula A, the following monomer can be illustrated. R 34 represents a hydrogen atom or a methyl group.
また、上記単量体a1としては、得られる重合体溶液の保存安定性の観点から、下記式Bで表される単量体(b)が好ましい。 In addition, as the monomer a1, a monomer (b) represented by the following formula B is preferable from the viewpoint of storage stability of a polymer solution to be obtained.
式B中、RB1及びRB2はそれぞれ独立に、水素原子、アルキル基又はアリール基を表し、少なくともRB1及びRB2のいずれか一方がアルキル基又はアリール基であり、RB3はアルキル基又はアリール基を表し、RB1又はRB2と、RB3とが連結して環状エーテルを形成してもよく、RB4は水素原子又はメチル基を表し、XBは単結合又は二価の連結基を表し、RB12は置換基を表し、nは0〜4の整数を表す。 In formula B, R B1 and R B2 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group or an aryl group, at least one of R B1 and R B2 is an alkyl group or an aryl group, and R B3 is an alkyl group or R B1 or R B2 and R B3 may combine to form a cyclic ether, R B4 represents a hydrogen atom or a methyl group, and X B is a single bond or a divalent linking group. R B12 represents a substituent, and n represents an integer of 0 to 4.
式B中、RB1又はRB2がアルキル基の場合、炭素数は1〜10のアルキル基が好ましい。RB1又はRB2がアリール基の場合、フェニル基が好ましい。RB1及びRB2は、それぞれ、水素原子又は炭素数1〜4のアルキル基が好ましい。
式B中、RB3は、アルキル基又はアリール基を表し、炭素数1〜10のアルキル基が好ましく、炭素数1〜6のアルキル基がより好ましい。RB3におけるアルキル基及びアリール基は、置換基を有していてもよい。
式B中、RB1又はRB2と、RB3とが連結して環状エーテルを形成してもよく、RB1又はRB2と、RB3とが連結して環状エーテルを形成することが好ましい。環状エーテルの環員数は特に制限はないが、5又は6であることが好ましく、5であることがより好ましい。
式B中、XBは単結合又は二価の連結基を表し、単結合又はアルキレン基、−C(=O)O−、−C(=O)NRN−、−O−又はこれらの組み合わせが好ましく、単結合または−C(=O)O−がより好ましい。アルキレン基は、直鎖状でも分岐を有していても環状構造を有していてもよく、置換基を有していてもよい。アルキレン基の炭素数は1〜10が好ましく、1〜4がより好ましい。XBが−C(=O)O−を含む場合、−C(=O)O−に含まれる炭素原子と、RB4が結合した炭素原子とが直接結合する態様が好ましい。XBが−C(=O)NRN−を含む場合、−C(=O)NRN−に含まれる炭素原子と、RB4が結合した炭素原子とが直接結合する態様が好ましい。RNはアルキル基又は水素原子を表し、炭素数1〜4のアルキル基又は水素原子が好ましく、水素原子がより好ましい。
式B中、RB1〜RB3を含む基と、XBとは、互いにパラ位で結合することが好ましい。
式B中、RB12は置換基を表し、アルキル基又はハロゲン原子が好ましい。アルキル基の炭素数は1〜10が好ましく、1〜4がより好ましい。
式B中、nは0〜4の整数を表し、0又は1が好ましく、0がより好ましい。
In Formula B, when R B1 or R B2 is an alkyl group, an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms is preferable. When R B1 or R B2 is an aryl group, a phenyl group is preferred. Each of R B1 and R B2 is preferably a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms.
In formula B, R B3 represents an alkyl group or an aryl group, preferably an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, and more preferably an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms. The alkyl group and aryl group in R B3 may have a substituent.
In formula B, R B1 or R B2 and R B3 may be linked to form a cyclic ether, and R B1 or R B2 and R B3 are preferably linked to form a cyclic ether. The number of ring members of the cyclic ether is not particularly limited, but is preferably 5 or 6, and more preferably 5.
In Formula B, X B represents a single bond or a divalent linking group, and is a single bond or an alkylene group, -C (= O) O-, -C (= O) NR N- , -O- or a combination thereof Is preferred, and a single bond or -C (= O) O- is more preferred. The alkylene group may be linear, branched or cyclic and may have a substituent. 1-10 are preferable and, as for carbon number of an alkylene group, 1-4 are more preferable. If X B -C where (= O) containing O- a, -C (= O) and carbon atoms contained in the O-, embodiments the carbon atom to which R B4 is bonded is directly bonded is preferable. When containing, -C (= O) NR N - - is X B -C (= O) NR N and carbon atoms contained in a mode in which the carbon atom to which R B4 is bonded is directly bonded is preferable. R N represents an alkyl group or a hydrogen atom, preferably an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms or a hydrogen atom, and more preferably a hydrogen atom.
In formula B, the group containing R B1 to R B3 and X B are preferably bonded to each other in the para position.
In formula B, R B12 represents a substituent, preferably an alkyl group or a halogen atom. 1-10 are preferable and, as for carbon number of an alkyl group, 1-4 are more preferable.
In formula B, n represents an integer of 0 to 4, preferably 0 or 1, and more preferably 0.
式B中、RB4は水素原子又はメチル基を表し、得られる重合体のTgをより低くし得るという観点から、水素原子であることが好ましい。
より具体的には、単量体成分に含まれる単量体(b)の全含有量に対し、式BにおけるRB4が水素原子である単量体は20質量%以上であることが好ましい。
なお、単量体(b)中の、式BにおけるRB4が水素原子である単量体の含有量(含有割合:質量比)は、13C−核磁気共鳴スペクトル(NMR)測定から常法により算出されるピーク強度の強度比により確認することができる。
In formula B, R B4 represents a hydrogen atom or a methyl group, and is preferably a hydrogen atom from the viewpoint of being able to lower the Tg of the resulting polymer.
More specifically, it is preferable that the monomer whose RB4 in Formula B is a hydrogen atom is 20 mass% or more with respect to the total content of the monomer (b) contained in a monomer component.
In addition, the content (content ratio: mass ratio) of the monomer in which R B4 in Formula B is a hydrogen atom in the monomer (b) is a conventional method based on 13 C-nuclear magnetic resonance spectrum (NMR) measurement. It can confirm by the intensity ratio of the peak intensity calculated by
式Bで表される単量体(b)の中でも、下記式B1で表される単量体が、パターン形成時の感度を更に高める観点からより好ましい。 Among the monomers (b) represented by the formula B, monomers represented by the following formula B1 are more preferable from the viewpoint of further enhancing the sensitivity at the time of pattern formation.
式B1中、RB4は水素原子又はメチル基を表し、RB5〜RB11はそれぞれ独立に、水素原子又は炭素数1〜4のアルキル基を表し、RB12は置換基を表し、XBは単結合又は二価の連結基を表し、nは0〜4の整数を表す。
式B1中、XBは上記式B中のXBと同義であり、好ましい態様も同様である。
式B1中、RB4は水素原子が好ましい。
式B1中、RB5〜RB11は、水素原子が好ましい。
式B1中、RB12は置換基を表し、アルキル基又はハロゲン原子が好ましい。アルキル基の炭素数は1〜10が好ましく、1〜4がより好ましい。
式B1中、nは0〜4の整数を表し、0又は1が好ましく、0がより好ましい。
In formula B1, R B4 represents a hydrogen atom or a methyl group, R B5 to R B11 each independently represent a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, R B12 represents a substituent, and X B is a group Represents a single bond or a divalent linking group, and n represents an integer of 0 to 4;
In Formula B1, X B has the same meaning as X B in Formula B above, and preferred embodiments are also the same.
In formula B1, R B4 is preferably a hydrogen atom.
In formula B1, R B5 to R B11 are preferably a hydrogen atom.
In formula B1, R B12 represents a substituent, preferably an alkyl group or a halogen atom. 1-10 are preferable and, as for carbon number of an alkyl group, 1-4 are more preferable.
In formula B1, n represents an integer of 0 to 4, preferably 0 or 1, and more preferably 0.
式Bで表される単量体(b)の好ましい具体例としては、下記の単量体が例示できる。なお、RB4は水素原子又はメチル基を表す。 The following monomers can be illustrated as a preferable specific example of a monomer (b) represented by Formula B. R B4 represents a hydrogen atom or a methyl group.
単量体成分に含まれる単量体a1は、1種であっても、2種以上であってもよい。
単量体成分における単量体a1の含有量は、得られる感光性転写材料のパターンの解像性に優れる観点から、単量体成分の全質量に対して、10質量%以上60質量%以下であることが好ましく、12質量%以上55質量%以下であることがより好ましく、15質量%以上50質量%以下であることが更に好ましい。
単量体成分における単量体a1の含有量(含有割合:質量比)は、13C−NMR測定から常法により算出されるピーク強度の強度比により確認することができる。
また、単量体成分における上記式Aで表される単量体の含有量は、パターン形成時の感度、及び、得られるパターンの解像度の観点から、単量体成分の全質量に対して、10質量%以上60質量%以下であることが好ましく、12質量%以55質量%以下であることがより好ましく、15質量%以上50質量%以下であることが更に好ましい。
The monomer a1 contained in the monomer component may be of one type or of two or more types.
The content of the monomer a1 in the monomer component is 10% by mass or more and 60% by mass or less based on the total mass of the monomer component from the viewpoint of excellent resolution of the pattern of the photosensitive transfer material to be obtained Is preferable, 12 to 55 mass% is more preferable, and 15 to 50 mass% is further preferable.
The content (content ratio: mass ratio) of the monomer a1 in the monomer component can be confirmed by the intensity ratio of peak intensities calculated from 13 C-NMR measurement by an ordinary method.
Further, the content of the monomer represented by the above-mentioned formula A in the monomer component is relative to the total mass of the monomer component from the viewpoint of the sensitivity at the time of pattern formation and the resolution of the obtained pattern. The content is preferably 10% by mass to 60% by mass, more preferably 12% by mass to 55% by mass, and still more preferably 15% by mass to 50% by mass.
<<単量体a2>>
本実施形態において用いられる単量体成分は、酸基を有する単量体a2を更に含むことが好ましい。単量体a2は、アセタールの形で保護されていない酸基、即ち、アセタールの形の基を有しない酸基を含む単量体である。単量体成分が単量体a2を含むことにより、得られる感光性転写材料におけるパターン形成時の感度が良好となり、パターン露光後の現像工程においてアルカリ性の現像液に溶けやすくなり、現像時間の短縮化を図ることができる。
本明細書における酸基とは、pKaが12以下のプロトン解離性基を意味する。感度向上の観点から、酸基のpKaは、10以下が好ましく、6以下がより好ましい。酸基のpKaは、−5以上であることが好ましい。
<< Monomer a2 >>
It is preferable that the monomer component used in this embodiment further includes a monomer a2 having an acid group. The monomer a2 is a monomer containing an unprotected acid group in the form of acetal, that is, an acid group having no group in the form of acetal. When the monomer component contains the monomer a2, the sensitivity at the time of pattern formation in the obtained photosensitive transfer material becomes good, and it becomes easily soluble in an alkaline developer in the development step after pattern exposure, and the development time is shortened. Can be implemented.
The term "acid group" as used herein means a proton dissociative group having a pKa of 12 or less. From the viewpoint of sensitivity improvement, the pKa of the acid group is preferably 10 or less, and more preferably 6 or less. The pKa of the acid group is preferably -5 or more.
単量体a2が有する酸基としては、カルボキシ基に由来の酸基、スルホンアミド基に由来の酸基、スルホニルイミド基に由来の酸基、ホスホン酸基に由来の酸基、スルホン酸基に由来の酸基、フェノール性水酸基に由来する酸基、等が例示される。なかでも、カルボキシ基に由来の酸基及びフェノール性水酸基に由来の酸基から選ばれる少なくとも1種が好ましく、カルボキシ基がより好ましい。
単量体成分が単量体a2を含むことにより、得られる重合体に酸基が導入される。
単量体a2は、酸基により置換されたスチレン化合物、ビニル化合物、又は、(メタ)アクリル酸が好ましい。
Examples of the acid group possessed by the monomer a2 include an acid group derived from a carboxy group, an acid group derived from a sulfonamide group, an acid group derived from a sulfonylimide group, an acid group derived from a phosphonic acid group, and a sulfonic acid group. Examples thereof include acid groups derived from and acid groups derived from phenolic hydroxyl groups. Among them, at least one selected from an acid group derived from a carboxy group and an acid group derived from a phenolic hydroxyl group is preferable, and a carboxy group is more preferable.
When the monomer component contains the monomer a2, an acid group is introduced into the resulting polymer.
The monomer a2 is preferably a styrene compound substituted by an acid group, a vinyl compound or (meth) acrylic acid.
単量体a2としては、カルボキシ基を有する単量体、及びフェノール性水酸基を有する単量体が、得られる感光性転写材料におけるパターン形成時の感度がより良好となるという観点から好ましい。
単量体a2は既述の例に限定されない。
As the monomer a2, a monomer having a carboxy group and a monomer having a phenolic hydroxyl group are preferable from the viewpoint that the sensitivity at the time of pattern formation in the photosensitive transfer material to be obtained becomes better.
The monomer a2 is not limited to the examples described above.
単量体成分に含まれる単量体a2は、1種のみであっても、2種以上であってもよい。
酸基を有する単量体(単量体a2)の含有量は、得られる感光性転写材料におけるパターン形成性の観点から、単量体成分の全質量に対し、0.1質量%〜20質量%が好ましく、0.5質量%〜15質量%がより好ましく、1質量%〜10質量%が更に好ましい。
単量体成分における単量体a2の含有量(含有割合:質量比)は、13C−NMR測定から常法により算出されるピーク強度の強度比により確認することができる。
The monomer a2 contained in the monomer component may be only one type or two or more types.
The content of the monomer having an acid group (monomer a2) is 0.1% by mass to 20% with respect to the total mass of the monomer component from the viewpoint of patternability in the photosensitive transfer material to be obtained % Is preferable, 0.5 mass%-15 mass% are more preferable, 1 mass%-10 mass% are still more preferable.
The content (content ratio: mass ratio) of the monomer a2 in the monomer component can be confirmed by the intensity ratio of peak intensities calculated from 13 C-NMR measurement by an ordinary method.
−単量体a3−
上記単量体成分は、既述の酸基がアセタールの形で保護された基を有する単量体及び酸基を有する単量体以外の、他の単量体(「単量体a3」と称することがある。)を含んでいてもよい。
他の単量体としては、特に制限はなく、例えば、スチレン類、(メタ)アクリル酸アルキルエステル、(メタ)アクリル酸環状アルキルエステル、(メタ)アクリル酸アリールエステル、不飽和ジカルボン酸ジエステル、ビシクロ不飽和化合物、マレイミド化合物、不飽和芳香族化合物、共役ジエン系化合物、不飽和モノカルボン酸、不飽和ジカルボン酸、不飽和ジカルボン酸無水物、脂肪族環式骨格を有する基、その他の不飽和化合物を挙げることができる。
他の単量体を用いて、種類及び含有量の少なくともいずれかを調整することで、得られる重合体の諸特性を調整することができる。特に、他の単量体を適切に使用することで、得られる重合体のTgを90℃以下に容易に調整することができる。
単量体成分は、他の単量体成分を1種のみ含んでもよく、2種以上含んでいてもよい。
-Monomer a3-
The monomer component is a monomer other than the monomer having a group in which the above-mentioned acid group is protected in the form of acetal and the monomer having an acid group (“monomer a3” May be included).
The other monomer is not particularly limited, and examples thereof include styrenes, (meth) acrylic acid alkyl esters, (meth) acrylic acid cyclic alkyl esters, (meth) acrylic acid aryl esters, unsaturated dicarboxylic acid diesters, and bicyclo Unsaturated compounds, maleimide compounds, unsaturated aromatic compounds, conjugated diene compounds, unsaturated monocarboxylic acids, unsaturated dicarboxylic acids, unsaturated dicarboxylic acid anhydrides, groups having an aliphatic cyclic skeleton, and other unsaturated compounds Can be mentioned.
The other properties of the resulting polymer can be adjusted by adjusting the type and / or content of other monomers. In particular, by appropriately using other monomers, the Tg of the resulting polymer can be easily adjusted to 90 ° C. or less.
The monomer component may contain only one other monomer component, or may contain two or more.
他の単量体は、具体的には、スチレン、tert−ブトキシスチレン、メチルスチレン、ヒドロキシスチレン、α−メチルスチレン、アセトキシスチレン、メトキシスチレン、エトキシスチレン、クロロスチレン、ビニル安息香酸メチル、ビニル安息香酸エチル、4−ヒドロキシ安息香酸(3−メタクリロイルオキシプロピル)エステル、(メタ)アクリル酸メチル、(メタ)アクリル酸エチル、(メタ)アクリル酸n−プロピル、(メタ)アクリル酸イソプロピル、(メタ)アクリル酸2−ヒドロキシエチル、(メタ)アクリル酸2−ヒドロキシプロピル、(メタ)アクリル酸ベンジル、(メタ)アクリル酸ジシクロペンタニル、(メタ)アクリル酸シクロヘキシル、(メタ)アクリル酸イソボルニル、アクリロニトリル、又は、エチレングリコールモノアセトアセテートモノ(メタ)アクリレート等を挙げることができる。その他、特開2004−264623号公報の段落0021〜段落0024に記載の化合物を挙げることができる。 Other monomers are, specifically, styrene, tert-butoxystyrene, methylstyrene, hydroxystyrene, α-methylstyrene, acetoxystyrene, methoxystyrene, ethoxystyrene, chlorostyrene, methyl vinylbenzoate, vinylbenzoic acid Ethyl, 4-hydroxybenzoic acid (3-methacryloyloxypropyl) ester, methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, n-propyl (meth) acrylate, isopropyl (meth) acrylate, (meth) acrylic 2-Hydroxyethyl acid, 2-hydroxypropyl (meth) acrylate, benzyl (meth) acrylate, dicyclopentanyl (meth) acrylate, cyclohexyl (meth) acrylate, isobornyl (meth) acrylate, acrylonitrile, or ,ethylene Recall mono acetoacetate mono (meth) acrylate, and the like. In addition, the compound as described in stage 0021-stage 0024 of Unexamined-Japanese-Patent No. 2004-264623 can be mentioned.
また、他の単量体として、芳香環を有する基、又は、脂肪族環式骨格を有する基が、得られる転写材料の電気特性を向上させる観点で好ましい。具体的には、スチレン、tert−ブトキシスチレン、メチルスチレン、α−メチルスチレン、(メタ)アクリル酸ジシクロペンタニル、(メタ)アクリル酸シクロヘキシル、(メタ)アクリル酸イソボルニル、及び、(メタ)アクリル酸ベンジル等が挙げられる。中でも、他の単量体としては、メタ)アクリル酸シクロヘキシルが好ましく挙げられる。 Further, as another monomer, a group having an aromatic ring or a group having an aliphatic cyclic skeleton is preferable from the viewpoint of improving the electrical properties of the transfer material to be obtained. Specifically, styrene, tert-butoxystyrene, methylstyrene, α-methylstyrene, dicyclopentanyl (meth) acrylate, cyclohexyl (meth) acrylate, isobornyl (meth) acrylate, and (meth) acrylic And the like. Among them, as another monomer, preferred is cyclohexyl meta) acrylate.
また、他の単量体として、ラミネート適性及び解像度の観点から、(メタ)アクリル酸アルキルエステルが好ましく、アクリル酸アルキルエステルがより好ましく、炭素数4〜12のアルキル基を有するアクリル酸アルキルエステルが特に好ましい。具体的には、(メタ)アクリル酸メチル、(メタ)アクリル酸エチル、(メタ)アクリル酸プロピル、(メタ)アクリル酸n−ブチル、及び、(メタ)アクリル酸2−エチルヘキシルが挙げられる。 Moreover, as another monomer, from the viewpoint of lamination suitability and resolution, (meth) acrylic acid alkyl ester is preferable, acrylic acid alkyl ester is more preferable, acrylic acid alkyl ester having an alkyl group having 4 to 12 carbon atoms is preferable. Particularly preferred. Specifically, methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, propyl (meth) acrylate, n-butyl (meth) acrylate, and 2-ethylhexyl (meth) acrylate can be mentioned.
更に、上記単量体成分は、他の単量体として、下記式2で表される単量体を有することが好ましい。 Furthermore, it is preferable that the said monomer component has a monomer represented by following formula 2 as another monomer.
式2中、Rbは水素原子又はメチル基を表し、Rcはアルキル基を表す。 In Formula 2, R b represents a hydrogen atom or a methyl group, and R c represents an alkyl group.
式2におけるRbは、ラミネート適性及び解像度の観点から、水素原子であることが好ましい。
式2におけるRcは、ラミネート適性及び解像度の観点から、炭素数1〜20のアルキル基であることが好ましく、炭素数2〜12のアルキル基であることがより好ましく、炭素数4〜12のアルキル基であることが更に好ましく、炭素数5〜9のアルキル基であることが特に好ましい。
また、Rcにおけるアルキル基は、直鎖であってもよいし、分岐を有していても、環構造を有していてもよい。
R b in Formula 2 is preferably a hydrogen atom from the viewpoint of lamination suitability and resolution.
R c in the formula 2 is preferably an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, more preferably an alkyl group having 2 to 12 carbon atoms, and preferably 4 to 12 carbon atoms, from the viewpoint of lamination suitability and resolution. The alkyl group is more preferably an alkyl group, and particularly preferably an alkyl group having 5 to 9 carbon atoms.
In addition, the alkyl group in R c may be linear, or may have a branch or a ring structure.
単量体a3の含有量は、上記単量体成分の全質量に対し、85質量%以下が好ましく、80質量%以下がより好ましく、75質量%以下が更に好ましい。下限値としては、0質量%でもよいが、1質量%以上であることが好ましく、5質量%以上であることがより好ましく、10質量%以上であることが更に好ましい。
また、上記式2で表される単量体の含有量は、ラミネート適性及び解像度の観点から、上記単量体成分の全質量に対し、10質量%〜85質量%が好ましく、15質量%〜80質量%がより好ましく、20質量%〜75質量%が更に好ましい。
85 mass% or less is preferable with respect to the total mass of the said monomer component, as for content of the monomer a3, 80 mass% or less is more preferable, and 75 mass% or less is still more preferable. The lower limit may be 0% by mass, but is preferably 1% by mass or more, more preferably 5% by mass or more, and still more preferably 10% by mass or more.
In addition, the content of the monomer represented by the above formula 2 is preferably 10% by mass to 85% by mass, and 15% by mass to 15% by mass with respect to the total mass of the monomer component from the viewpoint of lamination suitability and resolution. 80 mass% is more preferable, and 20 mass% to 75 mass% is further preferable.
本実施形態における単量体成分の好ましい組合せの例としては、実施例で使用されているA−1〜A−22等が挙げられるが、これらに限定されないことは言うまでもない。 Examples of preferable combinations of the monomer components in the present embodiment include A-1 to A-22 and the like used in Examples, but it is needless to say that the present invention is not limited thereto.
〔重合開始剤〕
重合開始剤としては、特に制限なく公知の重合開始剤が使用可能であり、光重合開始剤及び熱重合開始剤のいずれも使用することができるが、簡便な装置で架橋が形成できることから、熱重合開始剤が好ましい。以下、好ましい重合開始剤であるラジカル重合開始剤について詳述するが、本実施形態はこれらの記述により制限を受けるものではない。
[Polymerization initiator]
As the polymerization initiator, known polymerization initiators can be used without particular limitation, and both photopolymerization initiators and thermal polymerization initiators can be used, but since crosslinking can be formed with a simple device, it is possible to use heat. Polymerization initiators are preferred. Hereinafter, although the radical polymerization initiator which is a preferable polymerization initiator is explained in full detail, this embodiment does not receive a restriction | limiting by these descriptions.
本実施形態において好ましい重合開始剤としては、特に限定されないが、(a)芳香族ケトン類、(b)オニウム塩化合物、(c)有機過酸化物、(d)チオ化合物、(e)ヘキサアリールビイミダゾール化合物、(f)ケトオキシムエステル化合物、(g)ボレート化合物、(h)アジニウム化合物、(i)メタロセン化合物、(j)活性エステル化合物、(k)炭素ハロゲン結合を有する化合物、(l)アゾ系化合物等が挙げられる。
上記(a)〜(k)としては、例えば、特開2008−63554号公報の段落0074〜0118に挙げられている化合物を好ましく用いることができる。
Preferred polymerization initiators in the present embodiment are, but not limited to, (a) aromatic ketones, (b) onium salt compounds, (c) organic peroxides, (d) thio compounds, (e) hexaary. Rubiimidazole compounds, (f) ketoxime ester compounds, (g) borate compounds, (h) azinium compounds, (i) metallocene compounds, (j) active ester compounds, (k) compounds having a carbon halogen bond, (l) Azo compounds and the like can be mentioned.
As said (a)-(k), the compound mentioned by stage 0074-0118 of Unexamined-Japanese-Patent No. 2008-63554 can be used preferably, for example.
(l)アゾ系化合物
重合開始剤として好ましい(l)アゾ系化合物としては、2,2’−アゾビスイソブチロニトリル、2,2’−アゾビスプロピオニトリル、1,1’−アゾビス(シクロヘキサン−1−カルボニトリル)、2,2’−アゾビス(2−メチルブチロニトリル)、2,2’−アゾビス(2,4−ジメチルバレロニトリル)、2,2’−アゾビス(4−メトキシ−2,4−ジメチルバレロニトリル)、4,4’−アゾビス(4−シアノ吉草酸)、2,2’−アゾビス(2−メチルプロピオンアミドオキシム)、2,2’−アゾビス[2−(2−イミダゾリン−2−イル)プロパン]、2,2’−アゾビス{2−メチル−N−[1,1−ビス(ヒドロキシメチル)−2−ヒドロキシエチル]プロピオンアミド}、2,2’−アゾビス[2−メチル−N−(2−ヒドロキシエチル)プロピオンアミド]、2,2’−アゾビス(N−ブチル−2−メチルプロピオンアミド)、2,2’−アゾビス(N−シクロヘキシル−2−メチルプロピオンアミド)、2,2’−アゾビス[N−(2−プロペニル)−2−メチルプロピオンアミド]、2,2’−アゾビス(2,4,4−トリメチルペンタン)、ジメチル2,2’−アゾビス(2−メチルプロピオネート)等を挙げることができる。
アゾ系化合物は、溶媒の混入が少なく、製造時の取り扱いが容易である点から好ましく使用される。
(L) Azo compounds As preferable (l) azo compounds as the polymerization initiator, 2,2'-azobisisobutyronitrile, 2,2'-azobispropionitrile, 1,1'-azobis ( Cyclohexane-1-carbonitrile), 2,2′-azobis (2-methylbutyronitrile), 2,2′-azobis (2,4-dimethylvaleronitrile), 2,2′-azobis (4-methoxy-) 2,4-Dimethylvaleronitrile), 4,4′-azobis (4-cyanovaleric acid), 2,2′-azobis (2-methylpropionamidoxime), 2,2′-azobis [2- (2-) Imidazolin-2-yl) propane], 2,2′-azobis {2-methyl-N- [1,1-bis (hydroxymethyl) -2-hydroxyethyl] propionamide}, 2,2′-azobis [2 -Methyl N- (2-hydroxyethyl) propionamide], 2,2'-azobis (N-butyl-2-methylpropionamide), 2,2'-azobis (N-cyclohexyl-2-methylpropionamide), 2 ,, 2'-Azobis [N- (2-propenyl) -2-methylpropionamide], 2,2'-azobis (2,4,4-trimethylpentane), dimethyl 2,2'-azobis (2-methylpropio) And the like.
Azo compounds are preferably used in view of low solvent contamination and easy handling during production.
重合開始剤は、1種単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。
重合開始剤の使用量は、特に限定されないが、単量体成分の全質量に対して、0.01〜30質量%であることが好ましく、0.1〜20質量%であることがより好ましく、1〜15%であることが更に好ましい。
The polymerization initiator may be used alone or in combination of two or more.
The use amount of the polymerization initiator is not particularly limited, but is preferably 0.01 to 30% by mass, and more preferably 0.1 to 20% by mass with respect to the total mass of the monomer component. And 1 to 15%.
〔その他の成分〕
重合反応において、増感剤、触媒等のその他の成分を更に使用してもよいが、後述の精製工程を行わないことが好ましいという点からは、その他の成分を使用しないことが好ましい。
[Other ingredients]
In the polymerization reaction, other components such as a sensitizer and a catalyst may be further used, but it is preferable not to use other components from the viewpoint that it is preferable not to perform the purification step described later.
<その他の工程>
本実施形態に係る感光性転写材料用重合体溶液の製造方法は、得られた重合体を精製する精製工程を含んでもよいが、精製工程を含まないことが好ましい。
精製工程の一例としては、貧溶媒を用いて得られた重合体を再沈させ、ろ過等の操作を行った後に再度溶媒を用いて溶解する態様が挙げられる。
このような再沈操作を含まないことにより、有機溶媒の使用量が低減されるため、大量生産適性に優れ、環境負荷が低減される。
特に、得られる感光性転写材料のラミネート性を向上させるため、重合反応により得られた重合体のガラス転移温度(Tg)が90℃以下とした場合には、重合体が柔らかいため容易に固化することができず、再沈操作が困難であるため、行わないことが好ましい。
精製工程の別の一例としては、例えば重合体溶液を高温とすることにより重合溶媒成分を除去する濃縮操作を行う態様が挙げられる。
上記濃縮操作を行わないことにより、高温下で生じる、単量体a1に由来する酸基を保護している酸分解性基の分解が抑制されるため好ましい。
また、上記再沈操作、又は、上記濃縮操作といった精製工程を含まないことにより、作業時間が短縮され、時間面及びコスト面における生産効率が向上する。
上記のように、本実施形態の感光性転写材料用重合体溶液の製造方法により得られた重合体溶液は、精製工程を経ずに後述の感光性転写材料用組成物の製造方法に使用されることが好ましい。
<Other process>
The method for producing a polymer solution for a photosensitive transfer material according to the present embodiment may include a purification step of purifying the obtained polymer, but preferably does not include a purification step.
As an example of a purification process, the aspect which re-precipitates the polymer obtained using a poor solvent, dissolves using a solvent, after performing operations, such as filtration, is mentioned.
By not including such reprecipitation operation, the amount of the organic solvent used is reduced, so that the mass production suitability is excellent and the environmental load is reduced.
In particular, when the glass transition temperature (Tg) of the polymer obtained by the polymerization reaction is 90 ° C. or less in order to improve the laminating property of the photosensitive transfer material obtained, the polymer is soft and solidifies easily. It is preferable not to do it because it can not be done and re-sinking operation is difficult.
As another example of the purification process, for example, there is an aspect of performing a concentration operation of removing the polymerization solvent component by raising the temperature of the polymer solution.
Since the decomposition of the acid-degradable group protecting the acid group derived from the monomer a1 generated at high temperature is preferably suppressed by not performing the concentration operation.
Moreover, by not including the purification step such as the above reprecipitation operation or the above concentration operation, the working time is shortened, and the production efficiency in terms of time and cost is improved.
As described above, the polymer solution obtained by the method for producing a polymer solution for a photosensitive transfer material of the present embodiment is used for the method for producing a composition for a photosensitive transfer material described later without passing through a purification step. Is preferred.
(感光性転写材料用組成物の製造方法)
本実施形態に係る感光性転写材料用組成物(以下、単に「組成物」ともいう。)の製造方法は、感光性転写材料用重合体溶液の製造方法によって製造された感光性転写材料用重合体溶液、光酸発生剤、及び20℃における蒸気圧が1kPa以上16kPa以下である希釈溶媒を混合する工程(以下、「混合工程」ともいう。)を含む。
以下、感光性転写材料用重合体溶液に含まれる重合体を、「特定重合体」ともいう。
(Method of producing composition for photosensitive transfer material)
The method for producing a composition for photosensitive transfer material (hereinafter, also simply referred to as “composition”) according to the present embodiment is a method for producing a photosensitive transfer material manufactured by a method for producing a polymer solution for photosensitive transfer material. And a step of mixing the combined solution, the photoacid generator, and a dilution solvent having a vapor pressure of 1 kPa or more and 16 kPa or less at 20 ° C. (hereinafter, also referred to as “mixing step”).
Hereinafter, the polymer contained in the polymer solution for photosensitive transfer materials is also referred to as “specific polymer”.
<混合工程>
混合工程においては、感光性転写材料用組成物に含まれる各成分を混合する。
混合する方法としては、特に限定されず、公知の方法により混合すればよい。例えば、上記各成分を撹拌及び溶解することにより、感光性転写材料用組成物を調整することができる。
混合工程においては、使用する各成分を一度に混合してもよいし、例えば、各成分を、それぞれ予め希釈溶媒等の溶媒に溶解させた溶液とした後、得られた溶液を所定の割合で混合してもよい。
以下、本実施形態に係る感光性転写材料用重合体溶液の製造方法において用いられる各成分の詳細について説明する。
<Mixing process>
In the mixing step, the components contained in the photosensitive transfer material composition are mixed.
It does not specifically limit as method to mix, What is necessary is just to mix by a well-known method. For example, the composition for photosensitive transfer material can be prepared by stirring and dissolving the above-mentioned components.
In the mixing step, each component to be used may be mixed at one time or, for example, after each component is made into a solution previously dissolved in a solvent such as a dilution solvent, the obtained solution is made in a predetermined ratio It may be mixed.
Hereinafter, the details of each component used in the method for producing a polymer solution for a photosensitive transfer material according to the present embodiment will be described.
〔感光性転写材料用重合体溶液〕
感光性転写材料用重合体溶液は、上述の本実施形態に係る感光性転写材料用重合体溶液の製造方法により得られた溶液である。
上述の通り、感光性転写材料用重合体溶液を、精製を行わずに使用することにより、大量生産適性に優れる、環境負荷が低減される、単量体a1に由来する酸基を保護している酸分解性基の分解が抑制される、時間面及びコスト面における生産効率が向上する、等の効果が得られる。
[Polymer solution for photosensitive transfer material]
The polymer solution for a photosensitive transfer material is a solution obtained by the method for producing a polymer solution for a photosensitive transfer material according to the present embodiment described above.
As described above, by using the polymer solution for photosensitive transfer material without purification, it is excellent in mass production suitability, the environmental load is reduced, and the acid group derived from the monomer a1 is protected. The effects of suppressing the decomposition of the acid-degradable group and improving the production efficiency in terms of time and cost can be obtained.
また、感光性転写材料用重合体溶液は、感光性転写材料の基板に対する密着性に優れる観点から、含まれる特定重合体の含有量が、感光性転写材料用重合体溶液の全固形分に対し、50質量%〜99.9質量%となる量を使用することが好ましく、70質量%〜98質量%となる量を使用することがより好ましい。
本実施形態において、固形分とは、組成物全体から溶媒を除いた成分の総合計質量をいう。
Further, in the polymer solution for photosensitive transfer material, the content of the specific polymer contained is relative to the total solid content of the polymer solution for photosensitive transfer material, from the viewpoint of excellent adhesion of the photosensitive transfer material to the substrate. It is preferable to use the amount which will be 50 mass%-99.9 mass%, and it is more preferable to use the amount which becomes 70 mass%-98 mass%.
In the present embodiment, the solid content refers to the total mass of components excluding the solvent from the entire composition.
〔20℃における蒸気圧が1kPa以上16kPa以下である希釈溶媒〕
混合工程においては、20℃における蒸気圧が1kPa以上16kPa以下である希釈溶媒(以下、単に「希釈溶媒」ともいう。)が用いられる。
希釈溶媒の20℃における蒸気圧は、1kPa以上10kPa以下が好ましく、2kPa以上6kPa以下がより好ましい。
[Dilution solvent whose vapor pressure at 20 ° C is 1 kPa or more and 16 kPa or less]
In the mixing step, a dilution solvent having a vapor pressure of 1 kPa or more and 16 kPa or less at 20 ° C. (hereinafter, also simply referred to as “dilution solvent”) is used.
1 kPa or more and 10 kPa or less are preferable, and, as for the vapor pressure in 20 degreeC of a dilution solvent, 2 kPa or more and 6 kPa or less are more preferable.
上記希釈溶媒としては、20℃における蒸気圧が上記範囲内であれば、特に限定されず、含まれる各成分の混合性、溶解性等を考慮して選択すればよい。
上記希釈溶媒としては、例えば、上述の20℃における蒸気圧が1kPa以上16kPa以下である重合溶媒と同様の溶媒が挙げられる。
上記溶媒の中でも、混合工程において用いられる他の成分の溶解性の観点からは、酢酸エチル、酢酸プロピル、酢酸イソプロピル、酢酸イソブチル、酢酸ブチル、酢酸tertブチル、シクロペンチルメチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、メチルn−ブチルケトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、メチルn−プロピルケトン、メチルイソプロピルケトン又はトルエンを含むことが好ましく、酢酸プロピル、酢酸イソプロピル、酢酸イソブチル、メチルエチルケトン又はを含むことがより好ましい。
特に希釈溶媒としては、酢酸プロピル、酢酸イソプロピル、酢酸イソブチル、酢酸ブチル、酢酸tertブチル、メチルエチルケトン及びシクロペンチルメチルエーテルよりなる群から選ばれた少なくとも1つであることが好ましく、重合溶媒として、酢酸プロピル、酢酸イソプロピル、酢酸イソブチル、酢酸ブチル、酢酸tertブチル、よりなる群から選ばれた、少なくとも1つと組み合わせることがより好ましい。
希釈溶媒としては、用いられる感光性転写材料用重合体溶液に含まれる重合溶媒と同一の溶媒を用いてもよいし、異なる溶媒を用いてもよい。
また、希釈溶媒は1種単独で用いてもよいし、2種以上を併用してもよい。
The dilution solvent is not particularly limited as long as the vapor pressure at 20 ° C. falls within the above range, and may be selected in consideration of the mixability, solubility, and the like of each component contained.
As said dilution solvent, the solvent similar to the polymerization solvent whose steam | vapor pressure in above-mentioned 20 degreeC is 1 kPa or more and 16 kPa or less is mentioned, for example.
Among the above solvents, from the viewpoint of the solubility of other components used in the mixing step, ethyl acetate, propyl acetate, isopropyl acetate, isopropyl acetate, isobutyl acetate, butyl acetate, tert butyl acetate, cyclopentyl methyl ether, diisopropyl ether, propylene glycol mono It preferably contains ethyl ether, methyl n-butyl ketone, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, methyl n-propyl ketone, methyl isopropyl ketone or toluene, and more preferably contains propyl acetate, isopropyl acetate, isobutyl acetate, methyl ethyl ketone or.
In particular, the dilution solvent is preferably at least one selected from the group consisting of propyl acetate, isopropyl acetate, isobutyl acetate, butyl acetate, tert butyl acetate, methyl ethyl ketone and cyclopentyl methyl ether, and as a polymerization solvent, propyl acetate, It is more preferable to combine with at least one selected from the group consisting of isopropyl acetate, isobutyl acetate, butyl acetate and tert butyl acetate.
As the dilution solvent, the same solvent as the polymerization solvent contained in the polymer solution for photosensitive transfer material to be used may be used, or a different solvent may be used.
Moreover, a dilution solvent may be used individually by 1 type, and may use 2 or more types together.
混合工程において用いられる希釈溶媒と、後述するその他の溶媒の合計質量に対し、希釈溶媒の使用量は、95質量%以上が好ましく、98質量%以上が好ましく、99質量%以上がより好ましく、100質量%が更に好ましい。 95 mass% or more is preferable, as for the usage-amount of a dilution solvent with respect to the total mass of the dilution solvent used in a mixing process, and the other solvent mentioned later, 98 mass% or more is preferable, 99 mass% or more is more preferable, 100 % By mass is more preferred.
〔光酸発生剤〕
光酸発生剤とは、紫外線、遠紫外線、X線、及び、荷電粒子線等の活性放射線を照射することにより酸を発生することができる化合物である。
本実施形態で使用される光酸発生剤としては、波長300nm以上、好ましくは波長300nm〜450nmの活性光線に感応し、酸を発生する化合物が好ましいが、その化学構造に制限されない。また、波長300nm以上の活性光線に直接感応しない光酸発生剤についても、増感剤と併用することによって波長300nm以上の活性光線に感応し、酸を発生する化合物であれば、増感剤と組み合わせて好ましく用いることができる。
本実施形態において使用される光酸発生剤としては、pKaが4以下の酸を発生する光酸発生剤が好ましく、pKaが3以下の酸を発生する光酸発生剤がより好ましく、pKaが2以下の酸を発生する光酸発生剤が特に好ましい。pKaの下限値は特に定めないが、例えば、−10.0以上であることが好ましい。
[Photo acid generator]
The photoacid generator is a compound capable of generating an acid upon irradiation with actinic radiation such as ultraviolet rays, far ultraviolet rays, X-rays, and charged particle beams.
As a photo-acid generator used by this embodiment, although it is sensitive to the actinic light of wavelength 300 nm or more, preferably a wavelength of 300 nm-450 nm, and generates the acid, it is preferred, but it is not restricted by the chemical structure. In addition, a photoacid generator which does not directly react to actinic light having a wavelength of 300 nm or more can also be used as a sensitizer if it is a compound that responds to actinic light having a wavelength of 300 nm or more by using it in combination with a sensitizer. It can be preferably used in combination.
As a photo-acid generator used in this embodiment, a photo-acid generator that generates an acid with a pKa of 4 or less is preferable, a photo-acid generator that generates an acid with a pKa of 3 or less is more preferable, and a pKa of 2 Particularly preferred are photoacid generators which generate the following acids. The lower limit value of pKa is not particularly limited, but is preferably, for example, -10.0 or more.
光酸発生剤としては、イオン性光酸発生剤と、非イオン性光酸発生剤とを挙げることができる。
また、光酸発生剤としては、感度及び解像度の観点から、後述するオニウム塩化合物、及び、後述するオキシムスルホネート化合物よりなる群から選ばれた少なくとも1種の化合物を含むことが好ましく、オキシムスルホネート化合物を含むことがより好ましい。
As a photo-acid generator, an ionic photo-acid generator and a nonionic photo-acid generator can be mentioned.
Further, the photoacid generator preferably contains at least one compound selected from the group consisting of an onium salt compound described later and an oxime sulfonate compound described later from the viewpoint of sensitivity and resolution, and an oxime sulfonate compound More preferably,
非イオン性光酸発生剤の例として、トリクロロメチル−s−トリアジン類、ジアゾメタン化合物、イミドスルホネート化合物、及び、オキシムスルホネート化合物などを挙げることができる。これらの中でも、感度、解像度、及び、密着性の観点から、光酸発生剤がオキシムスルホネート化合物であることが好ましい。これら光酸発生剤は、1種単独又は2種類以上を組み合わせて使用することができる。トリクロロメチル−s−トリアジン類、及び、ジアゾメタン誘導体の具体例としては、特開2011−221494号公報の段落0083〜段落0088に記載の化合物が例示できる。 Examples of nonionic photoacid generators include trichloromethyl-s-triazines, diazomethane compounds, imidosulfonate compounds, and oxime sulfonate compounds. Among these, the photoacid generator is preferably an oxime sulfonate compound in terms of sensitivity, resolution, and adhesion. These photoacid generators can be used singly or in combination of two or more. As a specific example of trichloromethyl-s-triazines and a diazomethane derivative, the compound as described in stage 0083-stage 0088 of Unexamined-Japanese-Patent No. 2011-221494 can be illustrated.
オキシムスルホネート化合物、すなわち、オキシムスルホネート構造を有する化合物としては、下記式(B1)で表されるオキシムスルホネート構造を含有する化合物が好ましい。 As the oxime sulfonate compound, that is, the compound having an oxime sulfonate structure, a compound containing an oxime sulfonate structure represented by the following formula (B1) is preferable.
式(B1)中、R21は、アルキル基又はアリール基を表し、*は他の原子又は他の基との結合部位を表す。 In formula (B1), R 21 represents an alkyl group or an aryl group, and * represents a bonding site to another atom or another group.
式(B1)で表されるオキシムスルホネート構造を含有する化合物は、いずれの基も置換されてもよく、R21におけるアルキル基は、直鎖状であっても、分岐構造を有していても、環構造を有していてもよい。許容される置換基は以下に説明する。
R21のアルキル基としては、炭素数1〜10の、直鎖状又は分岐状アルキル基が好ましい。R21のアルキル基は、炭素数6〜11のアリール基、炭素数1〜10のアルコキシ基、シクロアルキル基(7,7−ジメチル−2−オキソノルボルニル基などの有橋式脂環基を含む、好ましくはビシクロアルキル基等)、又は、ハロゲン原子で置換されてもよい。
R21のアリール基としては、炭素数6〜18のアリール基が好ましく、フェニル基又はナフチル基がより好ましい。R21のアリール基は、炭素数1〜4のアルキル基、アルコキシ基及びハロゲン原子よりなる群から選ばれた1つ以上の基で置換されてもよい。
In the compound containing an oxime sulfonate structure represented by the formula (B1), any group may be substituted, and the alkyl group in R 21 may be linear or branched. And may have a ring structure. The permissible substituents are described below.
The alkyl group of R 21, 1 to 10 carbon atoms, straight-chain or branched alkyl group is preferable. The alkyl group of R 21 is a bridged alicyclic group such as an aryl group having 6 to 11 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms, and a cycloalkyl group (7, 7-dimethyl-2-oxonorbornyl group, etc. And preferably a bicycloalkyl group or the like, or a halogen atom.
The aryl group of R 21, preferably an aryl group having 6 to 18 carbon atoms, a phenyl group or a naphthyl group are more preferable. The aryl group of R 21 may be substituted with one or more groups selected from the group consisting of an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, an alkoxy group and a halogen atom.
式(B1)で表されるオキシムスルホネート構造を含有する化合物は、特開2014−85643号公報の段落0078〜段落0111に記載のオキシムスルホネート化合物であることも好ましい。 The compound containing an oxime sulfonate structure represented by the formula (B1) is also preferably the oxime sulfonate compound described in paragraph 0078 to paragraph 0111 of JP-A-2014-85643.
イオン性光酸発生剤の例として、ジアリールヨードニウム塩類及びトリアリールスルホニウム塩類等のオニウム塩化合物、第四級アンモニウム塩類等を挙げることができる。これらのうち、オニウム塩化合物が好ましく、トリアリールスルホニウム塩類及びジアリールヨードニウム塩類が特に好ましい。 Examples of the ionic photoacid generator include onium salt compounds such as diaryliodonium salts and triarylsulfonium salts, and quaternary ammonium salts. Among these, onium salt compounds are preferable, and triarylsulfonium salts and diaryliodonium salts are particularly preferable.
イオン性光酸発生剤としては特開2014−85643号公報の段落0114〜0133に記載のイオン性光酸発生剤も好ましく用いることができる。 As the ionic photoacid generator, the ionic photoacid generator described in paragraphs [0114] to [0133] of JP-A 2014-85643 can also be preferably used.
光酸発生剤は、1種単独で使用しても、2種以上を併用してもよい。
混合工程における光酸発生剤の使用量は、感度及び解像度の観点から、得られる組成物の全固形分に対して、0.5質量%〜20質量%となる量を使用することが好ましく、1質量%〜15質量%となる量を使用することがより好ましく、1質量%〜10質量%となる量を使用することが更に好ましい。
The photoacid generators may be used alone or in combination of two or more.
The amount of the photoacid generator used in the mixing step is preferably 0.5% by mass to 20% by mass with respect to the total solid content of the composition obtained, from the viewpoint of sensitivity and resolution. It is more preferable to use an amount of 1% by mass to 15% by mass, and even more preferable to use an amount of 1% by mass to 10% by mass.
−他の重合体−
混合工程において、上記特定重合体に加え、酸基がアセタールの形で保護された基を有する単量体a1に由来する構成単位を含まない重合体(「他の重合体」と称する場合がある。)を更に使用してもよい。
本実施形態において、「重合体成分」とは、特に述べない限り、組成物に含まれる上述の特定重合体に加え、必要に応じて添加される他の重合体を含めたものを意味するものとする。なお、後述する可塑剤、ヘテロ環状化合物及び界面活性剤に該当する化合物は、高分子化合物であっても、上記重合体成分に含まないものとする。
他の重合体の配合量は、全重合体成分中、50質量%以下であることが好ましく、30質量%以下であることがより好ましく、20質量%以下であることが更に好ましい。
他の重合体は、1種類のみ含んでいてもよいし、2種類以上含んでいてもよい。
-Other polymers-
In the mixing step, in addition to the above specific polymer, a polymer containing no structural unit derived from the monomer a1 having a group in which the acid group is protected in the form of acetal may be referred to as "other polymer" ) May also be used.
In the present embodiment, unless otherwise stated, “polymer component” means one including other polymers added as needed in addition to the above-mentioned specific polymer contained in the composition. I assume. In addition, even if it is a high molecular compound, the compound applicable to the plasticizer, the heterocyclic compound, and surfactant which are mentioned later shall not be contained in the said polymer component.
The blending amount of the other polymer is preferably 50% by mass or less, more preferably 30% by mass or less, and still more preferably 20% by mass or less in the total polymer components.
The other polymer may contain only one type, or may contain two or more types.
混合工程において、他の重合体は、他の重合体の溶液として使用してもよいが、その場合使用される溶媒成分としては、上述の重合溶媒成分と同義であり、好ましい態様も同様である。 In the mixing step, the other polymer may be used as a solution of the other polymer, but in that case, the solvent component used is the same as the above-mentioned polymerization solvent component, and the preferred embodiments are also the same. .
本実施形態に係る重合体成分は、他の重合体として、酸基を有する重合体を更に含むことが好ましい。
酸基としては、カルボキシ基が好ましく挙げられる。
酸基を有する重合体としては、特に制限はなく、公知のものを用いることができるが、線状の酸基を有する重合体(線状有機ポリマー)を用いることが好ましい。このような線状有機ポリマーとしては、公知のものを任意に使用できる。好ましくは水現像あるいは弱アルカリ水現像を可能とするために、水あるいは弱アルカリ水に可溶性又は膨潤性である線状有機ポリマーが選択される。線状有機ポリマーは、皮膜形成剤としてだけでなく、水、弱アルカリ水あるいは有機溶媒に対する現像剤としての用途に応じて選択使用される。例えば、水可溶性有機ポリマーを用いると水現像が可能になる。このような線状有機ポリマーとしては、側鎖にカルボン酸基を有するラジカル重合体、例えば特開昭59−44615号公報、特公昭54−34327号公報、特公昭58−12577号公報、特公昭54−25957号公報、特開昭54−92723号公報公報、特開昭59−53836号公報、特開昭59−71048号公報に記載されているもの、すなわち、カルボキシ基を有するモノマーを単独あるいは共重合させた樹脂、酸無水物を有するモノマーを単独あるいは共重合させ酸無水物ユニットを加水分解若しくはハーフエステル化若しくはハーフアミド化させた樹脂、エポキシ樹脂を不飽和モノカルボン酸及び酸無水物で変性させたエポキシアクリレート等が挙げられる。カルボキシ基を有するモノマーとしては、アクリル酸、メタクリル酸、イタコン酸、クロトン酸、マレイン酸、フマル酸、4−カルボキシスチレン等が挙げられ、酸無水物を有するモノマーとしては、無水マレイン酸等が挙げられる。
また、同様に側鎖にカルボキシ基を有する酸性セルロース誘導体がある。この他に水酸基を有する重合体に環状酸無水物を付加させたものなどが有用である。
It is preferable that the polymer component which concerns on this embodiment further contains the polymer which has an acidic radical as another polymer.
As an acid group, a carboxy group is mentioned preferably.
There is no restriction | limiting in particular as a polymer which has an acidic radical, Although a well-known thing can be used, it is preferable to use the polymer (linear organic polymer) which has a linear acidic radical. As such a linear organic polymer, known ones can be optionally used. Preferably, a linear organic polymer which is soluble or swellable in water or weakly alkaline water is selected to enable water development or weakly alkaline water development. The linear organic polymer is selected and used not only as a film forming agent but also as a developer for water, weakly alkaline water or an organic solvent. For example, water development is possible with water-soluble organic polymers. As such a linear organic polymer, a radical polymer having a carboxylic acid group in a side chain, for example, JP-A-59-44615, JP-B-54-34327, JP-B-58-12577, JP-B No. 54-25957, JP-A-54-92723, JP-A-59-53836, JP-A-59-71048, that is, a monomer having a carboxy group alone or A copolymerized resin, a monomer having an acid anhydride mono- or copolymerized to hydrolyze or half-esterify or half-amidate an acid anhydride unit, an epoxy resin with unsaturated monocarboxylic acid and acid anhydride The modified epoxy acrylate etc. are mentioned. Examples of monomers having a carboxy group include acrylic acid, methacrylic acid, itaconic acid, crotonic acid, maleic acid, fumaric acid, 4-carboxystyrene and the like, and monomers having an acid anhydride include maleic anhydride and the like Be
There are also acid cellulose derivatives having a carboxy group in the side chain. In addition to this, a polymer having a hydroxyl group to which a cyclic acid anhydride is added is useful.
酸基を有する重合体は、1種単独で使用しても、2種以上を使用してもよい。
酸基を有する重合体を使用する場合、酸基を有する重合体の使用量は、特に制限はないが、得られる組成物の全固形分に対して、1質量%〜70質量%であることが好ましく、2質量%〜50質量%であることがより好ましく、5質量%〜30質量%であることが更に好ましい。
The polymer having an acid group may be used alone or in combination of two or more.
When a polymer having an acid group is used, the amount of the polymer having an acid group is not particularly limited, but is 1% by mass to 70% by mass with respect to the total solid content of the composition obtained. Is preferable, 2 to 50% by mass is more preferable, and 5 to 30% by mass is even more preferable.
また、他の重合体として、例えばポリヒドロキシスチレンを用いることができ、市販されている、SMA 1000P、SMA 2000P、SMA 3000P、SMA 1440F、SMA 17352P、SMA 2625P、及び、SMA 3840F(以上、サートマー社製)、ARUFON UC−3000、ARUFON UC−3510、ARUFON UC−3900、ARUFON UC−3910、ARUFON UC−3920、及び、ARUFON UC−3080(以上、東亞合成(株)製)、並びに、Joncryl 690、Joncryl 678、Joncryl 67、及び、Joncryl 586(以上、BASF社製)等を用いることもできる。 As other polymers, for example, polyhydroxystyrene can be used, and commercially available SMA 1000P, SMA 2000P, SMA 3000P, SMA 1440F, SMA 17352P, SMA 2625P, and SMA 3840F (all, Sartmar, Inc.) ARUFON UC-3000, ARUFON UC-3510, ARUFON UC-3900, ARUFON UC-3910, ARUFON UC-3920, and ARUFON UC-3080 (above, made by Toagosei Co., Ltd.), and Joncryl 690, It is also possible to use Joncryl 678, Joncryl 67, and Joncryl 586 (manufactured by BASF).
−重合体成分のI/O値の平均値−
本実施形態において用いられる重合体成分は、得られる感光性転写材料における露光感度の観点から、有機概念図に基づく無機性値Iを有機性値Oで除したI/O値の平均値が、0.52以上であることが好ましく、0.55以上0.70以下であることが好ましく、0.57以上0.68以下であることが更に好ましい。
また、本実施形態において用いられる特定重合体のI/O値は、上記I/O値の平均値が上記範囲に含まれるよう、適宜設定すればよいが、0.52以上であることが好ましく、0.55以上0.70以下であることが好ましく、0.57以上0.68以下であることが更に好ましい。
上記I/O値については、有機概念図(甲田善生 著、三共出版(1984));KUMAMOTO PHARMACEUTICAL BULLETIN,第1号、第1〜16頁(1954年);化学の領域、第11巻、第10号、719〜725頁(1957年);フレグランスジャーナル、第34号、第97〜111頁(1979年);フレグランスジャーナル、第50号、第79〜82頁(1981年);などの文献に詳細な説明がある。I/O値の概念は、化合物の性質を、共有結合性を表す有機性基と、イオン結合性を表わす無機性基とに分け、全ての有機化合物を有機軸、無機軸と名付けた直行座標上の1点ずつに位置づけて示すものである。
-Average value of I / O value of polymer component-
The polymer component used in this embodiment has an average value of I / O values obtained by dividing the inorganicity value I based on the organic conceptual diagram by the organicity value O from the viewpoint of exposure sensitivity of the photosensitive transfer material to be obtained. It is preferably 0.52 or more, more preferably 0.55 or more and 0.70 or less, and still more preferably 0.57 or more and 0.68 or less.
Further, the I / O value of the specific polymer used in the present embodiment may be appropriately set so that the average value of the I / O value is included in the above range, but it is preferably 0.52 or more It is preferable that it is 0.55 or more and 0.70 or less, and it is still more preferable that it is 0.57 or more and 0.68 or less.
Regarding the above I / O values, refer to organic conceptual diagram (Yoshida Koda, Sankyo Publishing (1984)); KUMAMOTO PHARMACEUTICAL BULLETIN, No. 1, page 1-16 (1954); domain of chemistry, vol. 11, vol. 10, pp. 719-725 (1957); Fragrance Journal, No. 34, pp. 97-111 (1979); Fragrances Journal, No. 50, pp. 79-82 (1981); There is a detailed explanation. The concept of I / O value is a Cartesian coordinate in which the property of a compound is divided into an organic group exhibiting covalent bondability and an inorganic group exhibiting ionic bondability, and all organic compounds are named organic axis and inorganic axis It is positioned and shown one by one above.
重合体成分が2種以上の重合体を含有する場合のI/O値については、以下のように考えることができる。例えば、重合体成分が3種の重合体(重合体1〜重合体3)を含有する場合、重合体1のI/O値をA1、質量分率をM1、重合体2のI/O値をA2、質量分率をM2、重合体3のI/O値をA3、質量分率をM3、としたときに、混合成分のI/O値 Amは下記のように推定可能である。
Am = A1×M1+ A2×M2 + A3×M3
なお、重合体成分が1種のみの重合体を単独で含有する場合、含まれる1種のみの重合体のI/O値が、重合体成分におけるI/O値の平均値となる。
The I / O value in the case where the polymer component contains two or more types of polymers can be considered as follows. For example, when the polymer component contains three kinds of polymers (polymer 1 to polymer 3), the I / O value of polymer 1 is A1, the mass fraction is M1, and the I / O value of polymer 2 Where A2 is a mass fraction, M2 is a mass fraction, A3 is a polymer 3 I / O value, and M3 is a mass fraction, the I / O value Am of the mixed component can be estimated as follows.
Am = A1 x M1 + A2 x M2 + A3 x M3
In addition, when a polymer component contains only 1 type of polymer independently, the I / O value of only 1 type of contained polymer turns into an average value of the I / O value in a polymer component.
−重合体成分のガラス転移温度の平均値−
本実施形態において用いられる重合体成分のガラス転移温度(Tg)の平均値は、得られる感光性転写材料におけるラミネート適性の観点から、90℃以下であり、−20℃〜90℃であることが好ましく、20℃〜90℃であることがより好ましく、20℃〜60℃であることが更に好ましく、25℃〜45℃であることが特に好ましい。
また、本実施形態において用いられる特定重合体のTgは、上記Tgの平均値が上記範囲に含まれるよう、適宜設定すればよいが、0℃以上90℃以下であることが好ましく、20℃以上70℃以下であることがより好ましく、20℃以上50℃以下であることが更に好ましい。
本実施形態における重合体等の樹脂のガラス転移温度は、示差走査熱量測定(DSC)を用いて測定する。
具体的な測定方法は、JIS K 7121(1987年)又はJIS K 6240(2011年)に記載の方法に順じて行う。本明細書におけるガラス転移温度は、補外ガラス転移開始温度(以下、Tigと称することがある)を用いている。
ガラス転移温度の測定方法をより具体的に説明する。
ガラス転移温度を求める場合、予想される重合体のTgより約50℃低い温度にて装置が安定するまで保持した後、加熱速度:20℃/分で、ガラス転移が終了した温度よりも約30℃高い温度まで加熱し、示差熱分析(DTA)曲線又はDSC曲線を描かせる。
補外ガラス転移開始温度(Tig)、すなわち、本明細書におけるガラス転移温度Tgは、DTA曲線又はDSC曲線における低温側のベースラインを高温側に延長した直線と、ガラス転移の階段状変化部分の曲線の勾配が最大になる点で引いた接線との交点の温度として求める。
-Average value of glass transition temperature of polymer component-
The average value of the glass transition temperature (Tg) of the polymer component used in the present embodiment is 90 ° C. or less, and from −20 ° C. to 90 ° C., from the viewpoint of laminate suitability in the photosensitive transfer material obtained. The temperature is preferably 20 ° C. to 90 ° C., more preferably 20 ° C. to 60 ° C., and particularly preferably 25 ° C. to 45 ° C.
Further, the Tg of the specific polymer used in the present embodiment may be appropriately set so that the average value of the above Tg is included in the above range, but it is preferably 0 ° C. or more and 90 ° C. or less, and preferably 20 ° C. or more It is more preferable that it is 70 degrees C or less, and it is still more preferable that it is 20 degrees C or more and 50 degrees C or less.
The glass transition temperature of the resin such as the polymer in the present embodiment is measured using differential scanning calorimetry (DSC).
The specific measurement method is performed in accordance with the method described in JIS K 7121 (1987) or JIS K 6240 (2011). The glass transition temperature in the present specification uses an extrapolated glass transition start temperature (hereinafter sometimes referred to as Tig).
The method of measuring the glass transition temperature will be described more specifically.
When the glass transition temperature is determined, the temperature is kept at about 50 ° C. lower than the expected polymer Tg until the device is stabilized, and then the heating rate: 20 ° C./min, and the temperature is about 30 Heat to a high temperature and draw a differential thermal analysis (DTA) curve or a DSC curve.
Extrapolation glass transition start temperature (Tig), that is, the glass transition temperature Tg in the present specification, is a straight line extending the baseline on the low temperature side in the DTA curve or DSC curve to the high temperature side, and the step change portion of the glass transition It is determined as the temperature at the point of intersection with the tangent drawn at the point where the slope of the curve is maximum.
重合体のTgを、既述の好ましい範囲に調整する方法としては、例えば、目的とする重合体の各構成単位の単独重合体のTgと各構成単位の質量比より、FOX式を指針にして、目的とする重合体のTgを制御することが可能である。
FOX式について
例えば、2元共重合体の場合、重合体に含まれる第1の構成単位の単独重合体のTgをTg1(K)、第1の構成単位の共重合体における質量分率をW1とし、第2の構成単位の単独重合体のTgをTg2(K)とし、第2の構成単位の共重合体における質量分率をW2としたときに、第1の構成単位と第2の構成単位とを含む共重合体のTg0(K)は、以下の式にしたがって推定することが可能である。
FOX式:1/Tg0=(W1/Tg1)+(W2/Tg2)
また、3元以上のn元共重合体の場合は、重合体に含まれる第nの構成単位の単独重合体のTgをTgn(K)、第nの構成単位の共重合体における質量分率をWnとしたときに、上記と同様、以下の式にしたがって推定することが可能である。
FOX式:1/Tg0=(W1/Tg1)+(W2/Tg2)+(W3/Tg3)・・・+(Wn/Tgn)
既述のFOX式を用いて、共重合体に含まれる各構成単位の種類と質量分率を調整して、所望のTgを有する共重合体を得ることができる。
また、重合体の重量平均分子量を調整することにより、重合体のTgを調整することも可能である。
As a method of adjusting the Tg of the polymer to the preferable range described above, for example, the FOX formula is used as a guideline from the Tg of the homopolymer of each constitutional unit of the target polymer and the mass ratio of each constitutional unit It is possible to control the Tg of the target polymer.
Regarding the FOX Formula For example, in the case of a binary copolymer, the Tg of the homopolymer of the first structural unit contained in the polymer is Tg1 (K), and the mass fraction of the copolymer of the first structural unit is W1 And the first constituent unit and the second constituent when the Tg of the homopolymer of the second constituent unit is Tg2 (K) and the mass fraction of the copolymer of the second constituent unit is W2. The Tg0 (K) of a copolymer containing units and can be estimated according to the following formula.
FOX formula: 1 / Tg0 = (W1 / Tg1) + (W2 / Tg2)
In the case of a ternary or higher n-component copolymer, the mass fraction of the homopolymer of the n-th constituent unit contained in the polymer is Tgn (K), and the mass fraction of the copolymer of the n-th constituent unit In the same manner as described above, it is possible to estimate according to the following equation, where Wn is
FOX formula: 1 / Tg0 = (W1 / Tg1) + (W2 / Tg2) + (W3 / Tg3)... + (Wn / Tgn)
The type and mass fraction of each structural unit contained in the copolymer can be adjusted using the above-described FOX formula to obtain a copolymer having a desired Tg.
Moreover, it is also possible to adjust Tg of a polymer by adjusting the weight average molecular weight of a polymer.
重合体成分が2種以上の重合体を含有する場合のガラス転移温度については、以下のように考えることができる。例えば、重合体成分が3種の重合体(重合体1〜重合体3)を含有する場合、重合体1のガラス転移温度をTg1(K)、質量分率をM1、重合体2のガラス転移温度をTg2(K)、質量分率をM2、重合体3のガラス転移温度をTg3(K)、質量分率をM3、としたときに、混合成分のガラス転移温度の平均値Tgm(K)は下記のように推定可能である。
1/Tgm = (M1/Tg1)+(M2/Tg2)+(M3/Tg3)
なお、重合体成分が1種のみの重合体を単独で含有する場合、含まれる1種のみの重合体のTgが、重合体成分におけるTgの平均値となる。
The glass transition temperature when the polymer component contains two or more polymers can be considered as follows. For example, when the polymer component contains three types of polymers (polymer 1 to polymer 3), the glass transition temperature of the polymer 1 is Tg1 (K), the mass fraction is M1, and the glass transition of the polymer 2 When the temperature is Tg 2 (K), the mass fraction is M 2, the glass transition temperature of the polymer 3 is Tg 3 (K), and the mass fraction is M 3, the average value Tgm (K) of the glass transition temperatures of the mixed components Can be estimated as follows.
1 / Tgm = (M1 / Tg1) + (M2 / Tg2) + (M3 / Tg3)
In addition, when a polymer component contains the polymer of only 1 type independently, Tg of the polymer of only 1 type contained becomes an average value of Tg in a polymer component.
−重合体成分の重量平均分子量−
重合体成分の分子量は、ポリスチレン換算重量平均分子量(Mw)で、60,000以下であることが好ましい。上記重合体の重量平均分子量が60,000以下であることにより、感光性転写材料における感光性層の溶融粘度を低く抑え、基板と貼り合わせる際において低温(例えば130℃以下)での貼り合わせを実現することができる。
また、上記重合体成分の重量平均分子量は、2,000〜60,000であることが好ましく、3,000〜50,000であることがより好ましい。
本実施形態において用いられる特定重合体の重量平均分子量は、上記重合体成分の重量平均分子量が上記範囲に含まれるよう、適宜設定すればよいが、6,000以上40,000以下であることが好ましく、10,000以上30,000以下であることが更に好ましい。
なお、本実施形態における重合体等の樹脂の重量平均分子量は、GPC(ゲルパーミエーションクロマトグラフィー)によって測定される。
ゲルパーミエーションクロマトグラフィ(GPC)による重量平均分子量の測定は、測定装置として、HLC(登録商標)−8220GPC(東ソー(株)製)を用い、カラムとして、TSKgel(登録商標)Super HZM−M(4.6mmID×15cm、東ソー(株)製)、Super HZ4000(4.6mmID×15cm、東ソー(株)製)、Super HZ3000(4.6mmID×15cm、東ソー(株)製)、Super HZ2000(4.6mmID×15cm、東ソー(株)製)をそれぞれ1本、直列に連結したものを用い、溶離液として、THF(テトラヒドロフラン)を用いることができる。
また、測定条件としては、試料濃度を0.2質量%、流速を0.35ml/min、サンプル注入量を10μl、及び測定温度を40℃とし、示差屈折率(RI)検出器を用いて行うことができる。
検量線は、東ソー(株)製の「標準試料TSK standard,polystyrene」:「F−40」、「F−20」、「F−4」、「F−1」、「A−5000」、「A−2500」及び「A−1000」の7サンプルのいずれかを用いて作製できる。
上記特定重合体成分の数平均分子量と重量平均分子量との比(分散度)は、1.0〜5.0が好ましく、1.05〜3.5がより好ましい。
-Weight average molecular weight of polymer component-
The molecular weight of the polymer component is preferably 60,000 or less in terms of weight average molecular weight (Mw) in terms of polystyrene. When the weight-average molecular weight of the above-mentioned polymer is 60,000 or less, the melt viscosity of the photosensitive layer in the photosensitive transfer material is kept low, and bonding at a low temperature (for example, 130 ° C. or less) It can be realized.
The weight average molecular weight of the polymer component is preferably 2,000 to 60,000, and more preferably 3,000 to 50,000.
The weight average molecular weight of the specific polymer used in the present embodiment may be appropriately set so that the weight average molecular weight of the polymer component is included in the above-mentioned range, but it is 6,000 or more and 40,000 or less Preferably, it is more preferably 10,000 or more and 30,000 or less.
In addition, the weight average molecular weight of resin, such as a polymer in this embodiment, is measured by GPC (gel permeation chromatography).
The measurement of the weight average molecular weight by gel permeation chromatography (GPC) is carried out using HLC (registered trademark) -8220GPC (manufactured by Tosoh Corp.) as a measuring device, and TSKgel (registered trademark) Super HZM-M (4) as a column. .6 mm ID x 15 cm, Tosoh Corp. product, Super HZ 4000 (4.6 mm ID x 15 cm, Tosoh Corp. product), Super HZ 3000 (4.6 mm ID x 15 cm, Tosoh Corp. product), Super HZ 2000 (4.6 mm ID) It is possible to use THF (tetrahydrofuran) as an eluent using one obtained by connecting in series each one x 15 cm, manufactured by Tosoh Corp., in series.
In addition, as measurement conditions, the sample concentration is 0.2% by mass, the flow rate is 0.35 ml / min, the sample injection amount is 10 μl, and the measurement temperature is 40 ° C., using a differential refractive index (RI) detector be able to.
The standard curve is "standard sample TSK standard, polystyrene" manufactured by Tosoh Corp .: "F-40", "F-20", "F-4", "F-1", "A-5000", " It can produce using any of seven samples of A-2500 "and" A-1000. "
The ratio (dispersion degree) of the number average molecular weight to the weight average molecular weight of the specific polymer component is preferably 1.0 to 5.0, and more preferably 1.05 to 3.5.
−重合体成分の酸基の量−
重合体成分の全質量に対する酸基を有する構成単位の含有量は、パターン形成性の観点から、重合体成分の全質量に対して0.5質量%以上20質量%以下であることが好ましく、0.5質量%以上15質量%以下がより好ましく、1質量%以上10質量%以下が更に好ましい。
上記酸基を有する構成単位の含有量とは、重合体成分の全質量に対する、重合体成分に含まれるすべての重合体を構成単位(モノマーユニット)に分解した場合の、酸基を有する構成単位の含有質量の割合である。
-Amount of acid groups of polymer component-
The content of the structural unit having an acid group with respect to the total mass of the polymer component is preferably 0.5% by mass or more and 20% by mass or less with respect to the total mass of the polymer component from the viewpoint of patternability. 0.5 mass% or more and 15 mass% or less are more preferable, and 1 mass% or more and 10 mass% or less are more preferable.
The content of the constituent unit having an acid group is a constituent unit having an acid group when all the polymers contained in the polymer component are decomposed into constituent units (monomer units) with respect to the total mass of the polymer component. The ratio of the content mass of
本実施形態における組成物は、ラミネート適性の観点から、組成物の全固形分に対し、上記重合体成分を50質量%〜99.9質量%の割合で含むことが好ましく、70質量%〜98質量%の割合で含むことがより好ましい。
また、得られる感光性転写材料における基板に対する良好な密着性を発現させる観点から、感光性層の全固形分に対し、上記特定重合体を50質量%〜99.9質量%の割合で含むことが好ましく、70質量%〜98質量%の割合で含むことがより好ましい。
The composition in the present embodiment preferably contains the above-mentioned polymer component in a proportion of 50% by mass to 99.9% by mass with respect to the total solid content of the composition, from the viewpoint of lamination suitability, 70% by mass to 98%. It is more preferable to include in the ratio of mass%.
In addition, from the viewpoint of expressing good adhesion to the substrate in the photosensitive transfer material to be obtained, the above specific polymer is contained in a ratio of 50% by mass to 99.9% by mass with respect to the total solid content of the photosensitive layer. Is preferable, and it is more preferable to contain in the ratio of 70 mass%-98 mass%.
〔その他の溶媒〕
混合工程においては、上述の希釈溶媒以外の、その他の溶媒を使用してもよい。
本実施形態における組成物は、その他の溶媒を使用しないか、又は、その他の溶媒の使用量が、組成物に含まれる溶媒の全質量に対して0質量%を超え5質量%以下となる量を使用することが好ましく、その他の溶媒を使用しないか、又は、その他の溶媒の使用量が、組成物に含まれる溶媒の全質量に対して0質量%を超え2質量%以下となる量を使用することがより好ましく、その他の溶媒を使用しないか、又は、その他の溶媒の使用量が、組成物に含まれる溶媒の全質量に対して0質量%を超え1質量%以下となる量を使用することが更に好ましく、その他の溶媒を使用しないことが特に好ましい。
[Other solvents]
In the mixing step, other solvents other than the above-mentioned dilution solvents may be used.
The composition in the present embodiment does not use other solvents, or the amount of other solvents used is more than 0% by mass and 5% by mass or less with respect to the total mass of the solvent contained in the composition It is preferable to use any other solvent, or the amount of other solvent used is more than 0% by mass and not more than 2% by mass with respect to the total mass of the solvent contained in the composition. More preferably, no other solvent is used, or the amount of other solvent used is more than 0% by mass and not more than 1% by mass with respect to the total mass of the solvent contained in the composition. It is further preferred to use, and it is particularly preferred not to use other solvents.
その他の溶媒としては、エチレングリコールモノアルキルエーテル類、エチレングリコールジアルキルエーテル類、エチレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類、プロピレングリコールモノアルキルエーテル類、プロピレングリコールジアルキルエーテル類、プロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類、ジエチレングリコールジアルキルエーテル類、ジエチレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類、ジプロピレングリコールモノアルキルエーテル類、ジプロピレングリコールジアルキルエーテル類、ジプロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類、エステル類、ケトン類、アミド類、及び、ラクトン類等であって、上述の希釈溶媒に該当しないものが例示できる。また、溶媒の具体例としては特開2011−221494号公報の段落0174〜段落0178に記載の溶媒であって、上述の希釈溶媒に該当しないものも挙げられ、これらの内容は本明細書に組み込まれる。 Other solvents include ethylene glycol monoalkyl ethers, ethylene glycol dialkyl ethers, ethylene glycol monoalkyl ether acetates, propylene glycol monoalkyl ethers, propylene glycol dialkyl ethers, propylene glycol monoalkyl ether acetates, diethylene glycol dialkyl Ethers, diethylene glycol monoalkyl ether acetates, dipropylene glycol monoalkyl ethers, dipropylene glycol dialkyl ethers, dipropylene glycol monoalkyl ether acetates, esters, ketones, amides, lactones, etc. It is possible to exemplify one that does not correspond to the above-mentioned dilution solvent. Further, specific examples of the solvent include the solvents described in paragraph 0174 to paragraph 0178 of JP-A-2011-221494, which do not correspond to the above-mentioned dilution solvents, and the contents thereof are incorporated in the present specification. Be
混合工程においてその他の溶媒を用いる場合、上述のラウールの式により求められる、組成物に含まれる溶媒成分の20℃における蒸気圧が、1kPa以上16kPa以下であることが好ましく、1kPa以上10kPa以下がより好ましく、2kPa以上6kPa以下が更に好ましい。 When another solvent is used in the mixing step, the vapor pressure at 20 ° C. of the solvent component contained in the composition, which is determined by the above Raool equation, is preferably 1 kPa or more and 16 kPa or less, more preferably 1 kPa or more and 10 kPa or less Preferably, 2 kPa or more and 6 kPa or less is more preferable.
〔その他の添加剤〕
混合工程においては、必要に応じて、更にその他の添加剤を用いてもよい。
[Other additives]
In the mixing step, other additives may be further used, as necessary.
−可塑剤−
混合工程においては、得られる感光性転写材料における感光性層の可塑性を改良する目的で、可塑剤を使用してもよい。
上記可塑剤は、上記特定重合体よりも重量平均分子量が小さいことが好ましい。
可塑剤の重量平均分子量は、可塑性付与の観点から500以上10,000未満が好ましく、700以上5,000未満がより好ましく、800以上4,000未満がより更に好ましい。
可塑剤は、上記特定重合体と相溶して可塑性を発現する化合物であれば特に限定されないが、可塑性付与の観点から、可塑剤は、分子中にアルキレンオキシ基を有することが好ましい。可塑剤に含まれるアルキレンオキシ基は下記構造を有することが好ましい。
-Plasticizer-
In the mixing step, a plasticizer may be used for the purpose of improving the plasticity of the photosensitive layer in the resulting photosensitive transfer material.
It is preferable that the said plasticizer has a smaller weight average molecular weight than the said specific polymer.
The weight average molecular weight of the plasticizer is preferably 500 or more and less than 10,000, more preferably 700 or more and less than 5,000, and still more preferably 800 or more and less than 4,000 from the viewpoint of imparting plasticity.
The plasticizer is not particularly limited as long as it is a compound that is compatible with the specific polymer to develop plasticity, but from the viewpoint of imparting plasticity, the plasticizer preferably has an alkyleneoxy group in the molecule. The alkyleneoxy group contained in the plasticizer preferably has the following structure.
上記式中、Rは炭素数2〜8のアルキレン基であり、nは1〜50の整数を表し、*は他の原子との結合部位を表す。 In said formula, R is a C2-C8 alkylene group, n represents the integer of 1-50, and * represents a coupling | bonding site | part with another atom.
なお、例えば、上記アルキレンオキシ基を有する化合物(「化合物X」とする。)であっても、化合物X、上記特定重合体及び光酸発生剤を混合した組成物を用いて得た感光性層が、化合物Xを含まずに形成した感光性層に比べて可塑性が向上しない場合は、本実施形態における可塑剤には該当しない。例えば、任意に添加される界面活性剤は、一般に感光性層に可塑性をもたらす量で使用されることはないため、本明細書における可塑剤には該当しない。 In addition, for example, even if it is a compound (it is set as "the compound X") which has the said alkylene oxy group, the photosensitive layer obtained using the composition which mixed the compound X, the said specific polymer, and a photo-acid generator However, when the plasticity is not improved as compared with the photosensitive layer formed without containing the compound X, it does not correspond to the plasticizer in the present embodiment. For example, surfactants that are optionally added do not fall under the plasticizers herein because they are not generally used in amounts that provide plasticity to the photosensitive layer.
上記可塑剤としては、例えば、下記構造を有する化合物が挙げられるが、これらに限定されるものではない。 As said plasticizer, although the compound which has the following structure is mentioned, for example, it is not limited to these.
可塑剤の使用量は、可塑剤を使用する場合には、ラミネート適性の観点から、得られる組成物の全固形分に対して、1質量%〜50質量%であることが好ましく、2質量%〜20質量%となる量であることがより好ましい。
上記感光性層は、可塑剤を1種のみを含んでいてもよく、2種以上を含んでいてもよい。
When a plasticizer is used, the amount of the plasticizer is preferably 1% by mass to 50% by mass, based on the total solid content of the composition obtained, from the viewpoint of lamination suitability, 2% by mass It is more preferable that the amount be 20% by mass.
The photosensitive layer may contain only one type of plasticizer, or may contain two or more types.
−増感剤−
混合工程において、増感剤を更に用いることができる。
増感剤は、活性放射線(活性光線)を吸収して電子励起状態となる。電子励起状態となった増感剤は、光酸発生剤と接触して、電子移動、エネルギー移動、及び、発熱などの作用が生じる。これにより光酸発生剤は化学変化を起こして分解し、酸を生成する。
増感剤を使用することで、得られる感光性転写材料における露光感度を向上させることができる。
-Sensitizer-
A sensitizer can further be used in the mixing step.
The sensitizer absorbs actinic radiation (actinic radiation) to be in an electronically excited state. The sensitizer in the electronically excited state comes into contact with the photoacid generator to produce actions such as electron transfer, energy transfer and heat generation. Thus, the photoacid generator chemically changes and decomposes to generate an acid.
By using a sensitizer, the exposure sensitivity of the resulting photosensitive transfer material can be improved.
増感剤としては、アントラセン誘導体、アクリドン誘導体、チオキサントン誘導体、クマリン誘導体、ベーススチリル誘導体、及び、ジスチリルベンゼン誘導体よりなる群からえらばれた化合物が好ましく、アントラセン誘導体がより好ましい。
アントラセン誘導体としては、アントラセン、9,10−ジブトキシアントラセン、9,10−ジクロロアントラセン、2−エチル−9,10−ジメトキシアントラセン、9−ヒドロキシメチルアントラセン、9−ブロモアントラセン、9−クロロアントラセン、9,10−ジブロモアントラセン、2−エチルアントラセン、又は、9,10−ジメトキシアントラセンが好ましい。
As the sensitizer, compounds selected from the group consisting of anthracene derivatives, acridone derivatives, thioxanthone derivatives, coumarin derivatives, base styryl derivatives, and distyryl benzene derivatives are preferable, and anthracene derivatives are more preferable.
As the anthracene derivative, anthracene, 9,10-dibutoxyanthracene, 9,10-dichloroanthracene, 2-ethyl-9,10-dimethoxyanthracene, 9-hydroxymethylanthracene, 9-bromoanthracene, 9-chloroanthracene, 9 10-dibromoanthracene, 2-ethylanthracene or 9,10-dimethoxyanthracene is preferred.
上記増感剤としては、国際公開第2015/093271号の段落0139〜段落0141に記載の化合物を挙げることができる。 As said sensitizer, the compound as described in Paragraph 0139-Paragraph 0141 of WO2015 / 093271 can be mentioned.
増感剤の使用量は、組成物の全固形分に対し、0質量%〜10質量%となる量であることが好ましく、0.1質量%〜10質量%となる量であることがより好ましい。 The amount of the sensitizer used is preferably an amount of 0% by mass to 10% by mass, based on the total solid content of the composition, and more preferably 0.1% by mass to 10% by mass. preferable.
−塩基性化合物−
混合工程においては、塩基性化合物を更に使用することが好ましい。
塩基性化合物としては、レジストで用いられる塩基性化合物の中から任意に選択して使用することができる。例えば、脂肪族アミン、芳香族アミン、複素環式アミン、第四級アンモニウムヒドロキシド、及び、カルボン酸の第四級アンモニウム塩等が挙げられる。これらの具体例としては、特開2011−221494号公報の段落0204〜段落0207に記載の化合物が挙げられ、これらの内容は本明細書に組み込まれる。
-Basic compound-
In the mixing step, it is preferable to further use a basic compound.
The basic compound can be arbitrarily selected from basic compounds used in the resist. For example, aliphatic amines, aromatic amines, heterocyclic amines, quaternary ammonium hydroxides, and quaternary ammonium salts of carboxylic acids can be mentioned. Specific examples thereof include the compounds described in paragraphs [0204] to [0207] of JP-A-2011-221494, the contents of which are incorporated herein.
具体的には、脂肪族アミンとしては、例えば、トリメチルアミン、ジエチルアミン、トリエチルアミン、ジ−n−プロピルアミン、トリ−n−プロピルアミン、ジ−n−ペンチルアミン、トリ−n−ペンチルアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、ジシクロヘキシルアミン、及び、ジシクロヘキシルメチルアミンなどが挙げられる。
芳香族アミンとしては、例えば、アニリン、ベンジルアミン、N,N−ジメチルアニリン、及び、ジフェニルアミンなどが挙げられる。
複素環式アミンとしては、例えば、ピリジン、2−メチルピリジン、4−メチルピリジン、2−エチルピリジン、4−エチルピリジン、2−フェニルピリジン、4−フェニルピリジン、N−メチル−4−フェニルピリジン、4−ジメチルアミノピリジン、イミダゾール、ベンズイミダゾール、4−メチルイミダゾール、2−フェニルベンズイミダゾール、2,4,5−トリフェニルイミダゾール、ニコチン、ニコチン酸、ニコチン酸アミド、キノリン、8−オキシキノリン、ピラジン、ピラゾール、ピリダジン、プリン、ピロリジン、ピペリジン、ピペラジン、モルホリン、4−メチルモルホリン、1,5−ジアザビシクロ[4.3.0]−5−ノネン、及び、1,8−ジアザビシクロ[5.3.0]−7−ウンデセンなどが挙げられる。
第四級アンモニウムヒドロキシドとしては、例えば、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド、テトラ−n−ブチルアンモニウムヒドロキシド、及び、テトラ−n−ヘキシルアンモニウムヒドロキシドなどが挙げられる。
カルボン酸の第四級アンモニウム塩としては、例えば、テトラメチルアンモニウムアセテート、テトラメチルアンモニウムベンゾエート、テトラ−n−ブチルアンモニウムアセテート、及び、テトラ−n−ブチルアンモニウムベンゾエートなどが挙げられる。
Specifically, as aliphatic amines, for example, trimethylamine, diethylamine, triethylamine, di-n-propylamine, tri-n-propylamine, di-n-pentylamine, tri-n-pentylamine, diethanolamine, triethanolamine Examples include ethanolamine, dicyclohexylamine, and dicyclohexylmethylamine.
Examples of aromatic amines include aniline, benzylamine, N, N-dimethylaniline, and diphenylamine.
As the heterocyclic amine, for example, pyridine, 2-methylpyridine, 4-methylpyridine, 2-ethylpyridine, 4-ethylpyridine, 2-phenylpyridine, 4-phenylpyridine, N-methyl-4-phenylpyridine, 4-dimethylaminopyridine, imidazole, benzimidazole, 4-methylimidazole, 2-phenylbenzimidazole, 2,4,5-triphenylimidazole, nicotine, nicotinic acid, nicotinic acid amide, quinoline, 8-oxyquinoline, pyrazine, Pyrazole, pyridazine, purine, pyrrolidine, piperidine, piperazine, morpholine, 4-methylmorpholine, 1,5-diazabicyclo [4.3.0] -5-nonene, and 1,8-diazabicyclo [5.3.0] And -7-undesen.
Examples of quaternary ammonium hydroxides include tetramethyl ammonium hydroxide, tetraethyl ammonium hydroxide, tetra-n-butyl ammonium hydroxide, and tetra-n-hexyl ammonium hydroxide.
Examples of quaternary ammonium salts of carboxylic acids include tetramethyl ammonium acetate, tetramethyl ammonium benzoate, tetra-n-butyl ammonium acetate, and tetra-n-butyl ammonium benzoate.
上記塩基性化合物は、1種単独で使用しても、2種以上を併用してもよい。
塩基性化合物の使用量は、得られる組成物の全固形分に対して、0.001質量%〜5質量%となる量であることが好ましく、0.005質量%〜3質量%となる量であることがより好ましい。
The above basic compounds may be used alone or in combination of two or more.
The amount of the basic compound used is preferably an amount of 0.001% to 5% by mass, preferably 0.005% to 3% by mass, with respect to the total solid content of the composition to be obtained. It is more preferable that
−ヘテロ環状化合物−
混合工程において、ヘテロ環状化合物を含有する化合物を用いることができる。
本実施形態におけるヘテロ環状化合物には、特に制限はない。例えば、以下に述べる分子内にエポキシ基又はオキセタニル基を有する化合物、アルコキシメチル基含有ヘテロ環状化合物、その他、各種環状エーテル、環状エステル(ラクトン)などの含酸素モノマー、環状アミン、オキサゾリンといった含窒素モノマー、更には珪素、硫黄、リンなどのd電子をもつヘテロ環モノマー等を添加することができる。
-Heterocyclic compound-
In the mixing step, a compound containing a heterocyclic compound can be used.
There is no particular limitation on the heterocyclic compound in the present embodiment. For example, a compound having an epoxy group or an oxetanyl group in the molecule described below, an alkoxymethyl group-containing heterocyclic compound, various cyclic ethers, oxygen-containing monomers such as cyclic esters (lactones), nitrogen-containing monomers such as cyclic amines and oxazolines Furthermore, heterocyclic monomers having d electrons such as silicon, sulfur and phosphorus can be added.
ヘテロ環状化合物の使用量は、得られる組成物の全固形分に対し、0.01質量%〜50質量%となる量であることが好ましく、0.1質量%〜10質量%となる量がより好ましく、1質量%〜5質量%となる量が更に好ましい。上記範囲であると、密着性及びエッチング耐性の観点で好ましい。ヘテロ環状化合物は1種のみを用いてもよく、2種以上を併用することもできる。2種以上を併用する場合、上記好ましい使用量は、2種以上のヘテロ環状化合物の総使用量を指す。 The amount of the heterocyclic compound used is preferably 0.01% by mass to 50% by mass, and preferably 0.1% by mass to 10% by mass, with respect to the total solid content of the composition to be obtained. More preferably, an amount of 1% by mass to 5% by mass is more preferable. It is preferable in the viewpoint of adhesiveness and etching tolerance as it is the said range. The heterocyclic compound may be used alone or in combination of two or more. When two or more kinds are used in combination, the above-mentioned preferable use amount refers to a total use amount of two or more kinds of heterocyclic compounds.
分子内にエポキシ基を有する化合物の具体例としては、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、脂肪族エポキシ樹脂等を挙げることができる。 Specific examples of the compound having an epoxy group in the molecule include bisphenol A epoxy resin, bisphenol F epoxy resin, phenol novolac epoxy resin, cresol novolac epoxy resin, aliphatic epoxy resin and the like.
分子内にエポキシ基を有する化合物は市販品として入手できる。例えば、JER828、JER1007、JER157S70(三菱化学(株)製)、JER157S65((株)三菱ケミカルホールディングス製)など、特開2011−221494号公報の段落0189に記載の市販品などが挙げられる。
その他の市販品として、ADEKA RESIN EP−4000S、同EP−4003S、同EP−4010S、同EP−4011S(以上、(株)ADEKA製)、NC−2000、NC−3000、NC−7300、XD−1000、EPPN−501、EPPN−502(以上、(株)ADEKA製)、デナコールEX−611、EX−612、EX−614、EX−614B、EX−622、EX−512、EX−521、EX−411、EX−421、EX−313、EX−314、EX−321、EX−211、EX−212、EX−810、EX−811、EX−850、EX−851、EX−821、EX−830、EX−832、EX−841、EX−911、EX−941、EX−920、EX−931、EX−212L、EX−214L、EX−216L、EX−321L、EX−850L、DLC−201、DLC−203、DLC−204、DLC−205、DLC−206、DLC−301、DLC−402、EX−111,EX−121、EX−141、EX−145、EX−146、EX−147、EX−171、EX−192(以上、ナガセケムテックス(株)製)、YH−300、YH−301、YH−302、YH−315、YH−324、YH−325(以上、新日鐵住金化学(株)製)、セロキサイド2021P、2081、2000、3000、EHPE3150、エポリードGT400、セルビナースB0134、B0177((株)ダイセル製)などが挙げられる。
分子内にエポキシ基を有する化合物は1種単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。
Compounds having an epoxy group in the molecule are commercially available. For example, commercially available products described in paragraph 0189 of JP-A-2011-221494, such as JER 828, JER 1007, JER 157 S70 (manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation), JER 157 S 65 (manufactured by Mitsubishi Chemical Holdings Co., Ltd.), etc. may be mentioned.
Other commercially available products include ADEKA RESIN EP-4000S, EP-4003S, EP-4010S, EP-4011S (all manufactured by ADEKA), NC-2000, NC-3000, NC-7300, XD- 1000, EPPN-501, EPPN-502 (above, manufactured by ADEKA Co., Ltd.), Denacol EX-611, EX-612, EX-614, EX-614B, EX-622, EX-512, EX-521, EX- 411, EX-421, EX-313, EX-314, EX-321, EX-211, EX-212, EX-810, EX-811, EX-850, EX-851, EX-821, EX-830, EX-830, EX-832, EX-841, EX-911, EX-941, EX-920, EX-931, EX-212 , EX-214L, EX-216L, EX-321L, EX-850L, DLC-201, DLC-203, DLC-204, DLC-205, DLC-206, DLC-301, DLC-402, EX-111, EX -121, EX-141, EX-145, EX-146, EX-147, EX-171, EX-192 (above, Nagase ChemteX Co., Ltd. product), YH-300, YH-301, YH-302, YH-315, YH-324, YH-325 (all available from Nippon Steel & Sumikin Chemical Co., Ltd.), Celoxide 2021 P, 2081, 2000, 3000, EHPE 3150, Epolide GT 400, Celliners B 0134, B 0177 (made by Daicel Co., Ltd.) Etc.
The compound which has an epoxy group in a molecule may be used individually by 1 type, and may use 2 or more types together.
分子内にエポキシ基を有する化合物の中でも、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂及び脂肪族エポキシ樹脂がより好ましく挙げられ、脂肪族エポキシ樹脂が特に好ましく挙げられる。 Among the compounds having an epoxy group in the molecule, bisphenol A epoxy resin, bisphenol F epoxy resin, phenol novolac epoxy resin and aliphatic epoxy resin are more preferable, and aliphatic epoxy resin is particularly preferable.
分子内にオキセタニル基を有する化合物の具体例としては、アロンオキセタンOXT−201、OXT−211、OXT−212、OXT−213、OXT−121、OXT−221、OX−SQ、PNOX(以上、東亞合成(株)製)を用いることができる。 Specific examples of the compound having an oxetanyl group in the molecule include Aron oxetane OXT-201, OXT-211, OXT-212, OXT-213, OXT-121, OXT-221, OX-SQ, PNOX Co., Ltd. can be used.
また、オキセタニル基を含む化合物は、単独で又はエポキシ基を含む化合物と混合して使用することが好ましい。 Moreover, it is preferable to use the compound containing an oxetanyl group individually or in mixture with the compound containing an epoxy group.
本実施形態における混合工程は、ヘテロ環状化合物として、エポキシ基を有する化合物を用いることが、得られる感光性転写材料のエッチング耐性及び線幅安定性の観点から好ましい。 In the mixing step in the present embodiment, it is preferable to use a compound having an epoxy group as the heterocyclic compound from the viewpoint of etching resistance and line width stability of the photosensitive transfer material to be obtained.
−アルコキシシラン化合物−
上記混合工程においては、アルコキシシラン化合物を使用してもよい。アルコキシシラン化合物としては、トリアルコキシシラン化合物が好ましく挙げられる。
アルコキシシラン化合物としては、例えば、γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリアコキシシラン、γ−グリシドキシプロピルアルキルジアルコキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルトリアルコキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルアルキルジアルコキシシラン、γ−クロロプロピルトリアルコキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリアルコキシシラン、β−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチルトリアルコキシシラン、ビニルトリアルコキシシランが挙げられる。これらのうち、γ−グリシドキシプロピルトリアルコキシシランやγ−メタクリロキシプロピルトリアルコキシシランがより好ましく、γ−グリシドキシプロピルトリアルコキシシランが更に好ましく、3−グリシドキシプロピルトリメトキシシランが特に好ましい。これらは1種単独又は2種以上を組み合わせて使用することができる。
-Alkoxysilane compound-
In the mixing step, an alkoxysilane compound may be used. As an alkoxysilane compound, a trialkoxysilane compound is mentioned preferably.
As the alkoxysilane compound, for example, γ-aminopropyltrimethoxysilane, γ-aminopropyltriethoxysilane, γ-glycidoxypropyltriacoxysilane, γ-glycidoxypropylalkyldialkoxysilane, γ-methacryloxy Propyltrialkoxysilane, γ-methacryloxypropylalkyldialkoxysilane, γ-chloropropyltrialkoxysilane, γ-mercaptopropyltrialkoxysilane, β- (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltrialkoxysilane, vinyltrialkoxysilane Can be mentioned. Among these, γ-glycidoxypropyltrialkoxysilane and γ-methacryloxypropyltrialkoxysilane are more preferable, γ-glycidoxypropyltrialkoxysilane is further preferable, and 3-glycidoxypropyltrimethoxysilane is particularly preferable. preferable. These can be used singly or in combination of two or more.
−界面活性剤−
混合工程においては、膜厚均一性の観点から、界面活性剤を使用することが好ましい。界面活性剤としては、アニオン系、カチオン系、ノニオン系、又は、両性のいずれでも使用することができるが、好ましい界面活性剤はノニオン界面活性剤である。
ノニオン系界面活性剤の例としては、ポリオキシエチレン高級アルキルエーテル類、ポリオキシエチレン高級アルキルフェニルエーテル類、ポリオキシエチレングリコールの高級脂肪酸ジエステル類、シリコーン系、フッ素系界面活性剤を挙げることができる。また、以下商品名で、KP(信越化学工業(株)製)、ポリフロー(共栄社化学(株)製)、エフトップ(JEMCO社製)、メガファック(DIC(株)製)、フロラード(住友スリーエム(株)製)、アサヒガード、サーフロン(旭硝子(株)製)、PolyFox(OMNOVA社製)、及び、SH−8400(東レ・ダウコーニングシリコーン)等の各シリーズを挙げることができる。
また、界面活性剤として、下記式I−1で表される構成単位A及び構成単位Bを含み、テトラヒドロフラン(THF)を溶媒とした場合のゲルパーミエーションクロマトグラフィーで測定されるポリスチレン換算の重量平均分子量(Mw)が1,000以上10,000以下である共重合体を好ましい例として挙げることができる。
-Surfactant-
In the mixing step, it is preferable to use a surfactant from the viewpoint of film thickness uniformity. As the surfactant, any of anionic, cationic, nonionic or amphoteric surfactants can be used, but a preferred surfactant is a nonionic surfactant.
Examples of nonionic surfactants include polyoxyethylene higher alkyl ethers, polyoxyethylene higher alkyl phenyl ethers, higher fatty acid diesters of polyoxyethylene glycol, silicone surfactants, and fluorine surfactants. . In addition, KP (made by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.), Polyflow (made by Kyoeisha Chemical Co., Ltd.), F-top (made by JEMCO), Megafac (made by DIC), Florard (Sumitomo 3M) under the following trade names. (Manufactured by Asahi Kasei Corp.), Asahi Guard, Surfron (manufactured by Asahi Glass Co., Ltd.), PolyFox (manufactured by OMNOVA), and SH-8400 (Toray Dow Corning Silicone).
Moreover, the weight average as polystyrene conversion measured by gel permeation chromatography at the time of using tetrahydrofuran (THF) as a solvent, containing the structural unit A and the structural unit B represented by following formula I-1 as surfactant A copolymer having a molecular weight (Mw) of 1,000 or more and 10,000 or less can be mentioned as a preferred example.
式(I−1)中、R401及びR403はそれぞれ独立に、水素原子又はメチル基を表し、R402は炭素数1以上4以下の直鎖アルキレン基を表し、R404は水素原子又は炭素数1以上4以下のアルキル基を表し、Lは炭素数3以上6以下のアルキレン基を表し、p及びqは重合比を表す質量百分率であり、pは10質量%以上80質量%以下の数値を表し、qは20質量%以上90質量%以下の数値を表し、rは1以上18以下の整数を表し、sは1以上10以下の整数を表し、*は他の構造との結合位置を表す。 In formula (I-1), R 401 and R 403 each independently represent a hydrogen atom or a methyl group, R 402 represents a linear alkylene group having 1 or more and 4 or less carbon atoms, and R 404 represents a hydrogen atom or carbon L represents an alkyl group having 3 to 6 carbon atoms, p and q each represent a polymerization percentage, and p represents a numerical value of 10% to 80% by mass. Q represents a numerical value of 20% by mass to 90% by mass, r represents an integer of 1 to 18 and s represents an integer of 1 to 10, and * represents a bonding position with another structure Represent.
Lは、下記式(I−2)で表される分岐アルキレン基であることが好ましい。式(I−2)におけるR405は、炭素数1以上4以下のアルキル基を表し、相溶性と被塗布面に対する濡れ性の点で、炭素数1以上3以下のアルキル基が好ましく、炭素数2又は3のアルキル基がより好ましい。pとqとの和(p+q)は、p+q=100、すなわち、100質量%であることが好ましい。 L is preferably a branched alkylene group represented by the following formula (I-2). R 405 in the formula (I-2) represents an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, and in view of compatibility and wettability to the coated surface, an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms is preferable, and the carbon number Two or three alkyl groups are more preferred. The sum of p and q (p + q) is preferably p + q = 100, that is, 100% by mass.
共重合体の重量平均分子量(Mw)は、1,500以上5,000以下がより好ましい。 The weight average molecular weight (Mw) of the copolymer is more preferably 1,500 or more and 5,000 or less.
その他、特許第4502784号公報の段落0017、特開2009−237362号公報の段落0060〜段落0071に記載の界面活性剤も用いることができる。 In addition, the surfactant described in paragraph 0017 of Japanese Patent No. 4502784 and paragraph 0060 to paragraph 0071 of JP2009-237362A can also be used.
界面活性剤は、1種単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。
界面活性剤の使用量は、得られる組成物の全固形分に対して、10質量%以下となる量であることが好ましく、0.001質量%〜10質量%となる量であることがより好ましく、0.01質量%〜3質量%となる量であることが更に好ましい。
The surfactant may be used alone or in combination of two or more.
The amount of surfactant used is preferably 10% by mass or less based on the total solid content of the composition to be obtained, and more preferably 0.001% by mass to 10% by mass. The amount is preferably 0.01 to 3% by mass.
−その他の成分−
混合工程においては、酸化防止剤、酸増殖剤、現像促進剤、着色剤、熱酸発生剤、紫外線吸収剤、増粘剤、架橋剤、及び、有機又は無機の沈殿防止剤などの公知の添加剤を更に使用することができる。
その他の成分の好ましい態様については、特開2014−85643号公報の段落0165〜段落0184にそれぞれ記載があり、この公報の内容は本明細書に組み込まれる。
-Other ingredients-
In the mixing step, known additions such as antioxidants, acid multipliers, development accelerators, colorants, thermal acid generators, ultraviolet absorbers, thickeners, crosslinking agents, and organic or inorganic precipitation inhibitors Agents can be used further.
About the preferable aspect of another component, it describes in Unexamined-Japanese-Patent No.2014-85643, Paragraph 0165-Paragraph 0184, respectively, The content of this gazette is integrated in this specification.
<その他の工程>
本実施形態に係る感光性転写材料用組成物の製造方法は、その他の工程を含んでもよい。
その他の工程としては、例えば、ろ過工程が挙げられる。
ろ過工程においては、混合工程において混合された各成分を、例えば孔径0.2μmのフィルタ等を用いてろ過し、組成物とすることができる。
<Other process>
The method for producing a composition for a photosensitive transfer material according to the present embodiment may include other steps.
As another process, a filtration process is mentioned, for example.
In the filtration step, each component mixed in the mixing step can be filtered using, for example, a filter with a pore diameter of 0.2 μm to make a composition.
(感光性転写材料の製造方法)
本実施形態に係る感光性転写材料の製造方法は、本実施形態に係る感光性転写材料用組成物の製造方法により得られた感光性転写材料用組成物を用いて、仮支持体上に感光性層を形成する工程(以下、「感光性層形成工程」ともいう。)を有する。
(Method of producing photosensitive transfer material)
The method for producing a photosensitive transfer material according to the present embodiment uses the composition for a photosensitive transfer material obtained by the method for producing a composition for a photosensitive transfer material according to the present embodiment to sensitize on a temporary support Forming a property layer (hereinafter, also referred to as "photosensitive layer forming step").
<感光性層形成工程>
感光性層形成工程においては、特に限定されないが、例えば、本実施形態に係る感光性転写材料用組成物の製造方法により得られた感光性転写材料用組成物を、後述する仮支持体に塗布し、乾燥させることで、仮支持体上に感光性層を有する感光性転写材料を得ることができる。
塗布方法は特に限定されず、スリット塗布、スピン塗布、カーテン塗布、インクジェット塗布などの公知の方法で塗布することができる。
塗布幅としては、特に限定されないが、例えば0.5m〜10mなど、比較的塗布幅が広い場合に、本実施形態による解像性の向上という効果が得られやすい。
なお、仮支持体上に後述のその他の層を有する仮支持体とその他の層との積層体上に、感光性層を塗布することもできる。
本実施形態に係る感光性転写材料の製造方法は、仮支持体として、その他の層を有する仮支持体を用いてもよいし、後述するその他の層を形成する工程を更に含んでもよい。
<Photosensitive layer formation process>
The photosensitive layer forming step is not particularly limited. For example, the photosensitive transfer material composition obtained by the method for producing a photosensitive transfer material composition according to the present embodiment is applied to a temporary support described later. By drying and drying, a photosensitive transfer material having a photosensitive layer on the temporary support can be obtained.
The coating method is not particularly limited, and the coating can be performed by a known method such as slit coating, spin coating, curtain coating, or ink jet coating.
The application width is not particularly limited, but when the application width is relatively wide, such as 0.5 m to 10 m, for example, the effect of improving the resolution according to the present embodiment can be easily obtained.
In addition, a photosensitive layer can also be apply | coated on the laminated body of the temporary support body and other layer which have the below-mentioned other layer on a temporary support body.
The method for producing a photosensitive transfer material according to the present embodiment may use a temporary support having another layer as the temporary support, and may further include the step of forming another layer described later.
乾燥方法については特に限定されず、公知の乾燥方法が使用されるが、例えば、組成物が塗布された仮支持体を、高温乾燥装置内で搬送する方法等が挙げられる。
ここで、上記乾燥を低温(例えば、50℃〜120℃であり、60℃〜100℃がより好ましい。)で行うか、乾燥時間を短時間(例えば、10秒〜5分間であり、20秒〜80秒がより好ましい)で行う場合に、本実施形態による解像性の向上という効果が得られやすい。また、上記低温かつ短時間の乾燥によれば、上記解像性の向上という効果が更に得られやすい。
The drying method is not particularly limited, and a known drying method may be used, for example, a method of transporting the temporary support on which the composition is applied, in a high-temperature drying apparatus, and the like.
Here, the drying is performed at a low temperature (for example, 50 ° C. to 120 ° C., more preferably 60 ° C. to 100 ° C.), or the drying time is short (for example, 10 seconds to 5 minutes), 20 seconds In the case where the time of 80 seconds is more preferable), the effect of improving the resolution according to the present embodiment can easily be obtained. Moreover, according to the drying at a low temperature for a short time, the effect of the improvement of the resolution is further easily obtained.
図1は、本実施形態の感光性転写材料製造方法により製造される感光性転写材料の層構成の一例を概略的に示している。図1に示す感光性転写材料100は、仮支持体12と、感光性層14と、カバーフィルム16とがこの順に積層されている。感光性層14は、上述の本実施形態に係る感光性転写材料用組成物の製造により得られた組成物を用いて形成された層である。 FIG. 1 schematically shows an example of the layer configuration of a photosensitive transfer material produced by the method for producing a photosensitive transfer material of the present embodiment. In the photosensitive transfer material 100 shown in FIG. 1, a temporary support 12, a photosensitive layer 14, and a cover film 16 are laminated in this order. The photosensitive layer 14 is a layer formed using the composition obtained by the production of the composition for a photosensitive transfer material according to the present embodiment described above.
また、本実施形態における感光性層は、ポジ型感光性層であり、化学増幅ポジ型感光性層であることが好ましい。
上述したオニウム塩やオキシムスルホネート化合物等の光酸発生剤は、活性放射線(活性光線)に感応して生成される酸が、上記特定重合体中の保護された酸基の脱保護に対して触媒として作用するので、1個の光量子の作用で生成した酸が、多数の脱保護反応に寄与し、量子収率は1を超え、例えば、10の数乗のような大きい値となり、いわゆる化学増幅の結果として、高感度が得られる。
一方、活性放射線に感応する光酸発生剤としてキノンジアジド化合物を用いた場合、逐次型光化学反応によりカルボキシ基を生成するが、その量子収率は必ず1以下であり、化学増幅型には該当しない。
In addition, the photosensitive layer in the present embodiment is a positive photosensitive layer, and is preferably a chemically amplified positive photosensitive layer.
The photoacid generators such as the above-mentioned onium salts and oxime sulfonate compounds are catalysts for the acid generated in response to actinic radiation (actinic radiation) against the deprotection of the protected acid groups in the specific polymer. Since the acid generated by the action of one photon contributes to a large number of deprotection reactions, the quantum yield is greater than 1, for example, a large value such as a power of 10, so-called chemical amplification High sensitivity is obtained as a result of
On the other hand, when a quinonediazide compound is used as a photoacid generator sensitive to actinic radiation, a carboxy group is produced by successive photochemical reactions, but its quantum yield is necessarily 1 or less and does not fall under the chemical amplification type.
〔仮支持体〕
仮支持体は、感光性層を支持し、感光性層から剥離可能な支持体である。
本実施形態において用いられる仮支持体は、感光性層をパターン露光する際に仮支持体を介して感光性層を露光し得る観点から光透過性を有することが好ましい。
光透過性を有するとは、パターン露光に使用する光の主波長の透過率が50%以上であることを意味し、パターン露光に使用する光の主波長の透過率は、感度向上の観点から、60%以上が好ましく、70%以上がより好ましい。透過率の測定方法としては、大塚電子(株)製MCPD Seriesを用いて測定する方法が挙げられる。
仮支持体としては、ガラス基板、樹脂フィルム、紙等が挙げられ、強度及び可撓性等の観点から、樹脂フィルムが特に好ましい。樹脂フィルムとしては、ポリエチレンテレフタレートフィルム、トリ酢酸セルロースフィルム、ポリスチレンフィルム、ポリカーボネートフィルム等が挙げられる。中でも、2軸延伸ポリエチレンテレフタレートフィルムが特に好ましい。
[Temporary support]
The temporary support is a support that supports the photosensitive layer and can be peeled off from the photosensitive layer.
The temporary support used in the present embodiment preferably has light transparency from the viewpoint of being able to expose the photosensitive layer through the temporary support when the photosensitive layer is subjected to pattern exposure.
Having transparency means that the transmittance of the main wavelength of light used for pattern exposure is 50% or more, and the transmittance of the main wavelength of light used for pattern exposure is from the viewpoint of sensitivity improvement. 60% or more is preferable, and 70% or more is more preferable. As a measuring method of the transmittance | permeability, the method of measuring using Otsuka Electronics Co., Ltd. product MCPD Series is mentioned.
As a temporary support body, a glass substrate, a resin film, paper etc. are mentioned, A resin film is especially preferable from a viewpoint of intensity | strength, flexibility, etc. As a resin film, a polyethylene terephthalate film, a cellulose triacetate film, a polystyrene film, a polycarbonate film etc. are mentioned. Among them, biaxially stretched polyethylene terephthalate film is particularly preferable.
仮支持体の厚みは、特に限定されず、5μm〜200μmの範囲が好ましく、取扱い易さ、汎用性などの点で、8μm〜150μmの範囲がより好ましく、8μm〜40μmの範囲が最も好ましい。
仮支持体は、支持体としての強度、回路配線形成用基板との貼り合わせに求められる可撓性、最初の露光工程で要求される光透過性などの観点から、材質に応じて選択すればよい。
The thickness of the temporary support is not particularly limited, and is preferably in the range of 5 μm to 200 μm, more preferably in the range of 8 μm to 150 μm, and most preferably in the range of 8 μm to 40 μm.
The temporary support may be selected according to the material from the viewpoints of strength as a support, flexibility required for bonding to a circuit wiring formation substrate, light transmittance required in the first exposure step, and the like. Good.
仮支持体の好ましい態様については、例えば、特開2014−85643号公報の段落0017〜段落0018に記載があり、この公報の内容は本明細書に組み込まれる。 About the preferable aspect of a temporary support body, it describes in Unexamined-Japanese-Patent No.2014-85643, Paragraph 0017-Paragraph 0018, for example, The content of this gazette is integrated in this specification.
〔その他の層〕
得られる感光性転写材料は、上記感光性層以外の層(以下、「その他の層」と称することがある)を有していてもよい。その他の層としては、コントラストエンハンスメント層、中間層、カバーフィルム、熱可塑性等を挙げることができる。
[Other layers]
The photosensitive transfer material obtained may have a layer other than the photosensitive layer (hereinafter, may be referred to as "other layer"). Other layers may include contrast enhancement layers, interlayers, cover films, thermoplastics, and the like.
−コントラストエンハンスメント層−
得られる感光性転写材料は、上記感光性層に加え、コントラストエンハンスメント層を有することができる。
コントラストエンハンスメント層(Contrast Enhancement Layer;CEL)は、露光前には露光波長に対する吸収が大きいが、露光されるに伴って次第に吸収が小さくなる、すなわち、光の透過率が高くなる材料(光消色性色素成分と称する)を含有する層である。光消色性色素成分としては、ジアゾニウム塩、スチルバゾリウム塩、アリールニトロソ塩類等が知られている。被膜形成成分としては、フェノール系樹脂等が用いられる。
その他、コントラストエンハンスメント層としては、特開平6−97065号公報の段落0004〜段落0051、特開平6−332167号公報の段落0012〜段落0055、フォトポリマーハンドブック,フォトポリマー懇話会編,工業調査会(1989)、フォトポリマー・テクノロジー,山岡、永松編,(株)日刊工業新聞社(1988)に記載の材料を用いることができる。
-Contrast enhancement layer-
The resulting photosensitive transfer material can have a contrast enhancement layer in addition to the photosensitive layer.
A material with a contrast enhancement layer (Contrast Enhancement Layer; CEL) that absorbs significantly to the exposure wavelength before exposure but gradually decreases as it is exposed, that is, the light transmittance increases (photo-decoloring (Referred to as a sex pigment component). As the photobleachable dye component, diazonium salts, stilbazolium salts, aryl nitroso salts and the like are known. A phenolic resin etc. are used as a film formation component.
In addition, as the contrast enhancement layer, paragraph 0004 to paragraph 0051 of JP-A-6-97065, paragraph 0012 to paragraph 0055 of JP-A-6-332167, photopolymer handbook, photopolymer conference, industry research meeting ( 1989), Photopolymer Technology, Yamaoka, Nagamatsu ed., Nikkan Kogyo Shimbun Co., Ltd. (1988) can be used.
−中間層−
上記感光性層の上に、中間層を形成し、複数層を塗布する際及び塗布後の保存の際における成分の混合を防止する目的で、中間層を設けることができる。
中間層としては、特開2005−259138号公報の段落[0084]〜[0087]に記載の中間層を用いることができる。中間層としては、水又はアルカリ水溶液に分散又は溶解するものが好ましい。
中間層に用いられる材料としては、例えばポリビニルアルコール系樹脂、ポリビニルピロリドン系樹脂、セルロース系樹脂、アクリルアミド系樹脂、ポリエチレンオキサイド系樹脂、ゼラチン、ビニルエーテル系樹脂、ポリアミド樹脂、及びこれらの共重合体などの樹脂が挙げられる。中でも特に好ましいのはポリビニルアルコールとポリビニルピロリドンとの組合せである。
-Middle layer-
An intermediate layer can be provided on the photosensitive layer for the purpose of forming an intermediate layer and preventing mixing of components when applying a plurality of layers and during storage after application.
As an intermediate | middle layer, the intermediate | middle layer as described in stage-of Unexamined-Japanese-Patent No. 2005-259138 can be used. As the intermediate layer, those which are dispersed or dissolved in water or an aqueous alkali solution are preferable.
Materials used for the intermediate layer include, for example, polyvinyl alcohol resins, polyvinyl pyrrolidone resins, cellulose resins, acrylamide resins, polyethylene oxide resins, gelatin, vinyl ether resins, polyamide resins, and copolymers of these. Resin is mentioned. Among them, particularly preferred is a combination of polyvinyl alcohol and polyvinyl pyrrolidone.
−熱可塑性樹脂層、カバーフィルム等−
得られる感光性転写材料は、例えば、仮支持体と、熱可塑性樹脂層と、感光性層とをこの順で有することもできる。更に、感光性層を保護する目的でカバーフィルムを有していてもよい。
熱可塑性樹脂層の好ましい態様については特開2014−85643号公報の段落0189〜段落0193、他の層の好ましい態様については特開2014−85643号公報の段落0194〜段落0196にそれぞれ記載があり、この公報の内容は本明細書に組み込まれる。
-Thermoplastic resin layer, cover film etc.-
The photosensitive transfer material obtained can also have, for example, a temporary support, a thermoplastic resin layer, and a photosensitive layer in this order. Furthermore, you may have a cover film in order to protect a photosensitive layer.
The preferred embodiments of the thermoplastic resin layer are described in paragraphs 0189 to 0193 of JP-A-2014-85643, and the preferred embodiments of the other layers are described in paragraphs 0194 to 0-196 of JP-A-2014-85643, respectively. The contents of this publication are incorporated herein.
<その他の層を形成する工程>
本実施形態に係る感光性転写材料の製造方法は、上述のその他の層を形成する工程を含んでもよい。
具体的には、特開2006−259138号公報の段落0094〜段落0098に記載の感光性転写材料の作製方法に準じてその他の層を形成することができる。
例えば、熱可塑性樹脂層及び中間層を有する感光性転写材料を製造する場合には、仮支持体上に、熱可塑性の有機高分子と添加剤とを溶解した溶解液(熱可塑性樹脂層用塗布液)を塗布し、乾燥させて熱可塑性樹脂層を設けた後、得られた熱可塑性樹脂層上に熱可塑性樹脂層を溶解しない溶媒に樹脂及び添加剤を加えて調製した調製液(中間層用塗布液)を塗布し、乾燥させて中間層を積層する。形成した中間層上に、更に、中間層を溶解しない溶媒を用いて調製した、本実施形態に係る感光性転写材料用組成物の製造方法により得られた感光性転写材料用組成物を塗布し、乾燥させて感光性層を積層することによって、感光性転写材料を好適に作製することができる。
<Step of forming other layer>
The method for producing a photosensitive transfer material according to the present embodiment may include the step of forming the other layers described above.
Specifically, other layers can be formed according to the method for producing a photosensitive transfer material described in paragraphs [0094] to [0098] of JP-A-2006-259138.
For example, in the case of producing a photosensitive transfer material having a thermoplastic resin layer and an intermediate layer, a solution obtained by dissolving a thermoplastic organic polymer and an additive on a temporary support (application for a thermoplastic resin layer) Solution) is applied and dried to form a thermoplastic resin layer, and then a resin and an additive are added to a solvent which does not dissolve the thermoplastic resin layer on the obtained thermoplastic resin layer (intermediate layer) Coating solution is applied and dried to laminate an intermediate layer. Further, a composition for a photosensitive transfer material obtained by the method for producing a composition for a photosensitive transfer material according to the present embodiment, which is prepared using a solvent which does not dissolve the intermediate layer, is coated on the formed intermediate layer. The photosensitive transfer material can be suitably produced by drying and laminating the photosensitive layer.
(回路配線の製造方法)
本実施形態に係る感光性転写材料の製造方法により得られる感光性転写材料を用いた、回路配線の製造方法の第1の実施態様について説明する。
回路配線の製造方法の第1の実施態様は、
基板に対し、本実施形態に係る感光性転写材料の製造方法により得られた感光性転写材料の上記感光性層を基板に接触させて貼り合わせる工程(貼り合わせ工程)と、
上記貼り合わせる工程後の上記感光性転写材料の上記感光性層をパターン露光する工程(露光工程)と、
上記露光する工程後の感光性層を現像してパターンを形成する工程(現像工程)と、
上記パターンが配置されていない領域における基板をエッチング処理する工程(エッチング工程)と、をこの順に含む。
回路配線の製造方法の第1の実施態様における基板は、ガラス、シリコン、フィルムなどの基材自体が基板であってもよく、ガラス、シリコン、フィルムなどの基材上に、必要により導電層などの任意の層が設けられた基板であってもよい。
回路配線の製造方法の第1の実施態様によれば、基板表面に微細パターンを形成することができる。
(Method of manufacturing circuit wiring)
A first embodiment of a method for producing a circuit wiring using a photosensitive transfer material obtained by the method for producing a photosensitive transfer material according to the present embodiment will be described.
The first embodiment of the method of manufacturing circuit wiring
A step of bringing the photosensitive layer of the photosensitive transfer material obtained by the method for producing a photosensitive transfer material according to this embodiment into contact with the substrate and bonding the substrate to the substrate (bonding step);
Exposing the photosensitive layer of the photosensitive transfer material after the laminating step to a pattern exposure step (exposure step);
Developing the photosensitive layer after the exposing step to form a pattern (developing step);
Etching the substrate in the region where the pattern is not disposed (etching step) in this order.
The substrate in the first embodiment of the method for producing a circuit wiring may be a substrate such as glass, silicon, or film itself, and may be a conductive layer or the like on the substrate such as glass, silicon, or film. The substrate may be provided with any layer of
According to the first embodiment of the method of manufacturing a circuit wiring, a fine pattern can be formed on the substrate surface.
回路配線の製造方法の第2の実施形態は、
基材、及び、互いに構成材料が異なる第1導電層及び第2導電層を含む複数の導電層とを有し、上記基材の表面上に、上記基材の表面から遠い順に、最表面層である上記第1導電層及び上記第2導電層が積層されている基板に対し、本実施形態に係る感光性転写材料の製造方法により得られた感光性転写材料の上記感光性層を上記第1導電層に接触させて貼り合わせる貼り合わせ工程と、
上記貼り合わせ工程後の上記感光性転写材料の上記仮支持体を介して上記感光性層をパターン露光する第1露光工程と、
上記第1露光工程後の感光性層から上記仮支持体を剥離した後、上記第1露光工程後の感光性層を現像して第1パターンを形成する第1現像工程と、
上記第1パターンが配置されていない領域における上記複数の導電層のうち少なくとも上記第1導電層及び上記第2導電層をエッチング処理する第1エッチング工程と、
上記第1エッチング工程後の上記第1パターンを上記第1パターンとは異なるパターンでパターン露光する第2露光工程と、
上記第2露光工程後の上記第1パターンを現像して第2パターンを形成する第2現像工程と、
上記第2パターンが配置されていない領域における上記複数の導電層のうち少なくとも上記第1導電層をエッチング処理する第2エッチング工程と、をこの順に含む。上記第2の実施形態としては、国際公開第2006/190405号を参考にすることができ、この内容は本明細書に組み込まれる。
The second embodiment of the method of manufacturing circuit wiring is:
A substrate, and a plurality of conductive layers including a first conductive layer and a second conductive layer which are different in constituent material from each other, and the outermost surface layer on the surface of the substrate in order from the surface of the substrate The photosensitive layer of the photosensitive transfer material obtained by the method for producing a photosensitive transfer material according to the present embodiment is a substrate on which the first conductive layer and the second conductive layer are laminated. 1 bonding step in contact with the conductive layer for bonding
A first exposure step of pattern exposing the photosensitive layer through the temporary support of the photosensitive transfer material after the laminating step;
After peeling off the temporary support from the photosensitive layer after the first exposure step, developing the photosensitive layer after the first exposure step to form a first pattern;
A first etching step of etching at least the first conductive layer and the second conductive layer among the plurality of conductive layers in a region where the first pattern is not disposed;
A second exposure step of exposing the first pattern after the first etching step to a pattern different from the first pattern;
A second developing step of developing the first pattern after the second exposure step to form a second pattern;
And a second etching step of etching at least the first conductive layer among the plurality of conductive layers in the region where the second pattern is not disposed. The second embodiment can be referred to WO 2006/190405, the contents of which are incorporated herein.
本実施形態に係る回路配線の製造方法は、タッチパネル又はタッチパネル表示装置用の回路配線の製造方法として用いることができる。
以下、第2の実施形態を元に、各工程の詳細について説明する。
The method of manufacturing a circuit wiring according to the present embodiment can be used as a method of manufacturing a circuit wiring for a touch panel or a touch panel display device.
The details of each step will be described below based on the second embodiment.
<貼り合わせ工程>
貼り合わせ工程の一例を、図2(a)に概略的に示した。
まず、貼り合わせ工程では、基材22と、互いに構成材料が異なる第1導電層24及び第2導電層26を含む複数の導電層とを有し、基材22の表面上に、基材22の表面から遠い順に、最表面層である第1導電層24と第2導電層26とが積層されている基板(回路配線形成用基板)20に対し、上述した感光性転写材料100のポジ型感光性層14を第1導電層24に接触させて貼り合わせる。なお、このような回路配線形成用基板と感光性転写材料との貼り合わせを「転写」又は「ラミネート」と称する場合がある。
<Lamination process>
An example of the bonding step is schematically shown in FIG. 2 (a).
First, in the bonding step, the base material 22 and a plurality of conductive layers including the first conductive layer 24 and the second conductive layer 26 which are different in constituent material from each other are provided. The positive type of the photosensitive transfer material 100 described above with respect to the substrate (substrate for circuit wiring formation) 20 on which the first conductive layer 24 and the second conductive layer 26 as the outermost surface layer are stacked in order from the surface of The photosensitive layer 14 is brought into contact with the first conductive layer 24 and attached. In addition, bonding of such a substrate for circuit wiring formation and photosensitive transfer material may be called "transfer" or "lamination."
図1に示したように感光性転写材料100のポジ型感光性層14上にカバーフィルム16を有する場合は、感光性転写材料100(ポジ型感光性層14)からカバーフィルム16を除去した後、感光性転写材料100のポジ型感光性層14を第1導電層24に接触させて貼り合わせる。
感光性転写材料の第1導電層上への貼り合わせ(転写)は、感光性転写材料のポジ型感光性層側を第1導電層の上に重ね、ロール等による加圧及び加熱することに行われることが好ましい。貼り合わせには、ラミネータ、真空ラミネータ、及び、より生産性を高めることができるオートカットラミネーター等の公知のラミネータを使用することができる。
回路配線形成用基板の基材が樹脂フィルムである場合は、ロールツーロールでの貼り合わせも行うこともできる。
When the cover film 16 is provided on the positive photosensitive layer 14 of the photosensitive transfer material 100 as shown in FIG. 1, after the cover film 16 is removed from the photosensitive transfer material 100 (positive photosensitive layer 14) Then, the positive type photosensitive layer 14 of the photosensitive transfer material 100 is brought into contact with the first conductive layer 24 and attached.
Bonding (transfer) of the photosensitive transfer material onto the first conductive layer is performed by overlapping the positive photosensitive layer side of the photosensitive transfer material on the first conductive layer and applying pressure and heat with a roll or the like. It is preferred to be done. For lamination, known laminators such as a laminator, a vacuum laminator, and an auto-cut laminator capable of further enhancing productivity can be used.
When the base material of the circuit wiring formation substrate is a resin film, bonding by roll-to-roll can also be performed.
〔基材〕
基材上に複数の導電層が積層された基板は、基材がガラス基材又はフィルム基材であることが好ましく、フィルム基材であることがより好ましい。本実施形態に係る回路配線の製造方法は、タッチパネル用の回路配線である場合、基材がシート状樹脂組成物であることが特に好ましい。
また、基材は透明であることが好ましい。
基材の屈折率は、1.50〜1.52であることが好ましい。
基材は、ガラス基材等の透光性基材で構成されていてもよく、コーニング社のゴリラガラスに代表される強化ガラスなどを用いることができる。また、前述の透明基材としては、特開2010−86684号公報、特開2010−152809号公報及び特開2010−257492号公報に用いられている材料を好ましく用いることができる。
基材としてフィルム基材を用いる場合は、光学的に歪みがない基材、及び、透明度が高い基材を用いることがより好ましく、具体的な素材には、ポリエチレンテレフタレート(polyethylene terephthalate;PET)、ポリエチレンナフタレート、ポリカーボネート、トリアセチルセルロース、シクロオレフィンポリマーをあげることができる。
〔Base material〕
The substrate in which a plurality of conductive layers are laminated on a substrate is preferably a glass substrate or a film substrate, and more preferably a film substrate. In the circuit wiring manufacturing method according to the present embodiment, in the case of a circuit wiring for a touch panel, it is particularly preferable that the substrate is a sheet-like resin composition.
Moreover, it is preferable that a base material is transparent.
The refractive index of the substrate is preferably 1.50 to 1.52.
The substrate may be made of a translucent substrate such as a glass substrate, and for example, tempered glass represented by Gorilla glass of Corning Co., Ltd. can be used. Moreover, as said transparent base material, the material used by Unexamined-Japanese-Patent No. 2010-86684, 2010-152809, and 2010-257492 can be used preferably.
In the case of using a film substrate as the substrate, it is more preferable to use a substrate having no optical distortion and a substrate having high transparency, and for a specific material, polyethylene terephthalate (PET), Examples include polyethylene naphthalate, polycarbonate, triacetyl cellulose and cycloolefin polymers.
〔導電層〕
基材上に形成されている複数の導電層としては、一般的な回路配線又はタッチパネル配線に用いられる任意の導電層を挙げることができる。
導電層の材料としては、金属及び金属酸化物などを挙げることができる。
金属酸化物としては、ITO(Indium Tin Oxide)、IZO(Indium Zinc Oxide)、SiO2等を挙げることができる。金属としては、Al、Zn、Cu、Fe、Ni、Cr、Mo等を挙げることができる。
[Conductive layer]
Examples of the plurality of conductive layers formed on the substrate include any conductive layer used for general circuit wiring or touch panel wiring.
Examples of the material of the conductive layer include metals and metal oxides.
As the metal oxide, ITO (Indium Tin Oxide), IZO (Indium Zinc Oxide), may be mentioned SiO 2 and the like. Examples of the metal include Al, Zn, Cu, Fe, Ni, Cr, Mo and the like.
本実施形態に係る回路配線の製造方法は、複数の導電層のうち少なくとも一つの導電層が金属酸化物を含むことが好ましい。
導電層としては、静電容量型タッチパネルに用いられる視認部のセンサーに相当する電極パターン又は周辺取り出し部の配線であることが好ましい。
In the method for manufacturing a circuit wiring according to the present embodiment, it is preferable that at least one of the plurality of conductive layers contains a metal oxide.
As a conductive layer, it is preferable that it is an electrode pattern corresponded to the sensor of the visual recognition part used for an electrostatic capacitance type touch panel, or wiring of a periphery extraction part.
〔回路配線形成用基板〕
基材の表面に導電層を有する基板である。導電層をパターンニングすることで回路配線とする。本例では、PETなどのフィルム基材に金属酸化物や金属などの複数の導電層が設けられたものであることが好ましい。
[Substrate for forming circuit wiring]
It is a substrate which has a conductive layer on the surface of a substrate. The conductive layer is patterned to form circuit wiring. In this example, it is preferable that a plurality of conductive layers such as metal oxides and metals be provided on a film substrate such as PET.
<露光工程(第1露光工程)>
上記第1の実施態様においては露光工程が、上記第2の実施態様においては第1露光工程が行われる。露光工程(第1露光工程)の一例を、図2(b)に概略的に示した。
露光工程(第1露光工程)では、貼り合わせ工程後の感光性転写材料の仮支持体12を介してポジ型感光性層14をパターン露光する。
<Exposing step (first exposing step)>
In the first embodiment, the exposure step is performed, and in the second embodiment, the first exposure step is performed. An example of the exposure process (first exposure process) is schematically shown in FIG.
In the exposure step (first exposure step), the positive photosensitive layer 14 is pattern-exposed through the temporary support 12 of the photosensitive transfer material after the bonding step.
本実施形態における露光工程、現像工程、及びその他の工程の例としては、特開2006−23696号公報の段落0035〜段落0051に記載の方法を本実施形態においても好適に用いることができる。 As an example of the exposure step, the development step and the other steps in the present embodiment, the methods described in paragraphs 0035 to 0051 of JP-A-2006-23696 can be suitably used in the present embodiment.
例えば、第1導電層24の上に配置された感光性転写材料100の上方(第1導電層24と接する側とは反対側)に所定のパターンを有するマスク30を配置し、その後、マスク30を介してマスク上方から紫外線で露光する方法などが挙げられる。
本実施形態においてパターンの詳細な配置及び具体的サイズは特に限定されない。本実施形態により製造される回路配線を有する入力装置を備えた表示装置(例えばタッチパネル)の表示品質を高め、また、取り出し配線の占める面積をできるだけ小さくしたいことから、パターンの少なくとも一部(特にタッチパネルの電極パターン及び取り出し配線の部分)は100μm以下の細線であることが好ましく、70μm以下であることが更に好ましい。
ここで、露光に使用する光源としては、感光性転写材料の露光された箇所が現像液に溶解しうる波長域の光(例えば、365nm、405nmなど)を照射できれば適宜選定して用いることができる。具体的には、超高圧水銀灯、高圧水銀灯、メタルハライドランプ等が挙げられる。
露光量としては、通常5mJ/cm2〜200mJ/cm2程度であり、好ましくは10mJ/cm2〜100mJ/cm2程度である。
また、露光後にパターンの矩形性、直線性を向上させる目的で、現像前に熱処理を行うことも好ましい。いわゆるPEB(Post Exposure Bake)と呼ばれる工程により、露光時に感光性層中で生じた定在波によるパターンエッジの荒れを低減することが可能である。
For example, a mask 30 having a predetermined pattern is disposed above the photosensitive transfer material 100 disposed on the first conductive layer 24 (the side opposite to the side in contact with the first conductive layer 24), and then the mask 30 is formed. And exposure to ultraviolet light from above the mask.
The detailed arrangement and specific size of the pattern in the present embodiment are not particularly limited. Since it is desirable to improve the display quality of a display device (for example, a touch panel) provided with an input device having circuit wiring manufactured according to this embodiment and to minimize the area occupied by the extraction wiring, at least a part of the pattern (especially the touch panel) Preferably, the electrode pattern and the part of the lead-out wiring are thin lines of 100 .mu.m or less, and more preferably 70 .mu.m or less.
Here, as a light source used for exposure, it can be appropriately selected and used as long as it can emit light (for example, 365 nm, 405 nm, etc.) in a wavelength range in which the exposed portion of the photosensitive transfer material can dissolve in the developer. . Specifically, an ultrahigh pressure mercury lamp, a high pressure mercury lamp, a metal halide lamp and the like can be mentioned.
Energy of exposure generally 5mJ / cm 2 ~200mJ / cm 2 or so, preferably 10mJ / cm 2 ~100mJ / cm 2 approximately.
Further, it is also preferable to carry out heat treatment before development for the purpose of improving the rectangularity and linearity of the pattern after exposure. By means of a process called so-called PEB (Post Exposure Bake), it is possible to reduce roughness of the pattern edge due to standing waves generated in the photosensitive layer at the time of exposure.
なお、パターン露光は、仮支持体をポジ型感光性層から剥離してから行っても、仮支持体を剥離する前に、仮支持体を介して露光し、その後、仮支持体を剥離してもよい。感光性層とマスクの接触によるマスク汚染の防止や、マスクに付着した異物による露光への影響を避けるためには、仮支持体を剥離せずに露光することが好ましい。なお、パターン露光は、マスクを介した露光でもよいし、レーザー等を用いたデジタル露光でもよい。 In addition, even if pattern exposure is performed after peeling a temporary support from a positive photosensitive layer, it is exposed through a temporary support before peeling a temporary support, and then peels off the temporary support. May be In order to prevent the contamination of the mask due to the contact between the photosensitive layer and the mask and to avoid the influence on the exposure due to the foreign matter attached to the mask, it is preferable to perform the exposure without peeling off the temporary support. The pattern exposure may be exposure through a mask or digital exposure using a laser or the like.
<現像工程(第1現像工程)>
上記第1の実施態様においては現像工程が、上記第2の実施態様においては第1現像工程が行われる。現像工程(第1現像工程)の一例を、図2(c)に概略的に示した。
現像工程(第1現像工程)では、露光工程(第1露光工程)後のポジ型感光性層14から仮支持体12を剥離した後、露光工程(第1露光工程)後のポジ型感光性層14を現像して第1パターン14Aを形成する。
<Development Process (First Development Process)>
In the first embodiment, the developing step is performed, and in the second embodiment, the first developing step is performed. An example of the developing step (first developing step) is schematically shown in FIG. 2 (c).
In the developing step (first developing step), after the temporary support 12 is peeled off from the positive photosensitive layer 14 after the exposing step (first exposing step), the positive photosensitive after the exposing step (first exposing step) The layer 14 is developed to form a first pattern 14A.
現像工程(第1現像工程)は、パターン露光されたポジ型感光性層を現像することによりパターン(第1パターン)を形成する工程である。
パターン露光されたポジ型感光性層の現像は、現像液を用いて行うことができる。
現像液としては、ポジ型感光性層の露光部分を除去することができれば特に制限はなく、例えば、特開平5−72724号公報に記載の現像液など、公知の現像液を使用することができる。尚、現像液はポジ型感光性層の露光部が溶解型の現像挙動をする現像液が好ましい。例えば、pKa=7〜13の化合物を0.05mol/L(リットル)〜5mol/Lの濃度で含むアルカリ水溶液系の現像液が好ましい。現像液は、さらに、水と混和性を有する有機溶媒、界面活性剤等を含有してもよい。本実施形態において好適に用いられる現像液としては、例えば、国際公開第2015/093271号の段落0194に記載の現像液が挙げられる。
The development step (first development step) is a step of forming a pattern (first pattern) by developing the pattern-exposed positive photosensitive layer.
The development of the patternwise exposed positive-working photosensitive layer can be carried out using a developer.
The developer is not particularly limited as long as the exposed portion of the positive photosensitive layer can be removed, and for example, known developers such as the developer described in JP-A-5-72724 can be used. . The developing solution is preferably a developing solution in which the exposed portion of the positive photosensitive layer has a dissolution type developing behavior. For example, a developing solution of an aqueous alkaline solution system containing a compound of pKa = 7 to 13 at a concentration of 0.05 mol / L (liter) to 5 mol / L is preferable. The developer may further contain an organic solvent miscible with water, a surfactant and the like. As a developing solution suitably used in this embodiment, the developing solution as described in Paragraph 0194 of WO2015 / 093271 is mentioned, for example.
現像方式としては、特に制限はなくパドル現像、シャワー現像、シャワー及びスピン現像、ディップ現像等のいずれでもよい。ここで、シャワー現像について説明すると、露光後のポジ型感光性層に現像液をシャワーにより吹き付けることにより、露光部分を除去することができる。また、現像の後に、洗浄剤などをシャワーにより吹き付け、ブラシなどで擦りながら、現像残渣を除去することが好ましい。現像液の液温度は20℃〜40℃が好ましい。 The developing method is not particularly limited, and may be any of paddle development, shower development, shower and spin development, dip development and the like. Here, to describe shower development, an exposed portion can be removed by spraying a developer onto the positive photosensitive layer after exposure. In addition, after development, it is preferable to remove a development residue while spraying a cleaning agent or the like with a shower and rubbing with a brush or the like. The solution temperature of the developer is preferably 20 ° C to 40 ° C.
さらに、現像して得られたポジ型感光性層を含むパターンを加熱処理するポストベーク工程を有していてもよい。
ポストベークの加熱は8.1kPa〜121.6kPaの環境下で行うことが好ましく、506.6kPa以上の環境下で行うことがより好ましい。一方、1114.6kPa以下の環境下で行うことがより好ましく、101.3kPa以下の環境下で行うことが特に好ましい。
ポストベークの温度は、80℃〜250℃であることが好ましく、110℃〜170℃であることがより好ましく、130℃〜150℃であることが特に好ましい。
ポストベークの時間は、1分〜30分であることが好ましく、2分〜10分であることがより好ましく、2分〜4分であることが特に好ましい。
ポストベークは、空気環境下で行っても、窒素置換環境下で行ってもよい。
Furthermore, you may have the post-baking process which heat-processes the pattern containing the positive type photosensitive layer obtained by developing.
Post-baking heating is preferably performed under an environment of 8.1 kPa to 121.6 kPa, and more preferably performed under an environment of 506.6 kPa or more. On the other hand, it is more preferable to carry out under an environment of 1114.6 kPa or less, and it is particularly preferable to carry out under an environment of 101.3 kPa or less.
The post-baking temperature is preferably 80 ° C. to 250 ° C., more preferably 110 ° C. to 170 ° C., and particularly preferably 130 ° C. to 150 ° C.
The post-baking time is preferably 1 minute to 30 minutes, more preferably 2 minutes to 10 minutes, and particularly preferably 2 minutes to 4 minutes.
Post-baking may be performed in an air environment or in a nitrogen-substituted environment.
ポスト露光工程等、その他の工程を有していてもよい。 You may have another process, such as a post-exposure process.
<エッチング工程(第1エッチング工程)>
上記第1の実施態様においてはエッチング工程が、上記第2の実施態様においては第1エッチング工程が行われる。エッチング工程(第1エッチング工程)の一例を、図2(d)に概略的に示した。
エッチング工程(第1エッチング工程)では、第1パターン14Aが配置されていない領域における複数の導電層のうち少なくとも第1導電層24及び第2導電層26をエッチング処理する。エッチングにより、同じパターンを有する第1導電層24A及び第2導電層26Aが形成される。
<Etching Process (First Etching Process)>
In the first embodiment, the etching step is performed, and in the second embodiment, the first etching step is performed. An example of the etching step (first etching step) is schematically shown in FIG.
In the etching step (first etching step), at least the first conductive layer 24 and the second conductive layer 26 among the plurality of conductive layers in the region where the first pattern 14A is not disposed are etched. By the etching, the first conductive layer 24A and the second conductive layer 26A having the same pattern are formed.
導電層のエッチングは、特開2010−152155公報の段落0048〜段落0054等に記載の方法、公知のプラズマエッチング等のドライエッチングによる方法など、公知の方法でエッチングを適用することができる。 The etching of a conductive layer can apply etching by well-known methods, such as the method as described in Unexamined-Japanese-Patent No.2010-152155 Paragraph 0048-paragraph 0054 grade | etc., The method by dry etchings, such as a well-known plasma etching.
例えば、エッチングの方法としては、一般的に行われている、エッチング液に浸漬するウェットエッチング法が挙げられる。ウェットエッチングに用いられるエッチング液は、エッチングの対象に合わせて酸性タイプ又はアルカリ性タイプのエッチング液を適宜選択すればよい。
酸性タイプのエッチング液としては、塩酸、硫酸、フッ酸、リン酸等の酸性成分単独の水溶液、酸性成分と塩化第2鉄、フッ化アンモニウム、過マンガン酸カリウム等の塩の混合水溶液等が例示される。酸性成分は、複数の酸性成分を組み合わせた成分を使用してもよい。
アルカリ性タイプのエッチング液としては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、アンモニア、有機アミン、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイドのような有機アミンの塩等のアルカリ成分単独の水溶液、アルカリ成分と過マンガン酸カリウム等の塩の混合水溶液等が例示される。アルカリ成分は、複数のアルカリ成分を組み合わせた成分を使用してもよい。
For example, as a method of etching, a commonly performed wet etching method in which the substrate is immersed in an etching solution can be mentioned. The etching solution used for wet etching may be appropriately selected from acid type or alkaline type etching solution in accordance with the object of etching.
Examples of the acid type etching solution include aqueous solutions of acidic components such as hydrochloric acid, sulfuric acid, hydrofluoric acid and phosphoric acid alone, and mixed aqueous solutions of acidic components and salts of ferric chloride, ammonium fluoride and potassium permanganate Be done. An acidic component may use the component which combined the several acidic component.
As an alkaline type etching solution, an aqueous solution of an alkali component alone such as sodium hydroxide, potassium hydroxide, ammonia, organic amine, salt of organic amine such as tetramethyl ammonium hydroxide, alkali component and potassium permanganate etc. A mixed aqueous solution of salts and the like are exemplified. As the alkali component, a component obtained by combining a plurality of alkali components may be used.
エッチング液の温度は特に限定されないが、45℃以下であることが好ましい。本実施形態でエッチングマスク(エッチングパターン)として使用される第1パターンは、45℃以下の温度域における酸性及びアルカリ性のエッチング液に対して特に優れた耐性を発揮することが好ましい。したがって、エッチング工程中にポジ型感光性層が剥離することが防止され、ポジ型感光性層の存在しない部分が選択的にエッチングされることになる。 The temperature of the etching solution is not particularly limited, but is preferably 45 ° C. or less. It is preferable that the first pattern used as an etching mask (etching pattern) in the present embodiment exhibits particularly excellent resistance to an acidic and alkaline etching solution in a temperature range of 45 ° C. or less. Therefore, peeling of the positive photosensitive layer during the etching process is prevented, and portions where the positive photosensitive layer is not present are selectively etched.
エッチング工程後、工程ラインの汚染を防ぐために、必要に応じて洗浄工程及び乾燥工程を行ってもよい。洗浄工程については、例えば常温で純水により10秒〜300秒間基板を洗浄して行い、乾燥工程については、例えばエアブローを使用し、エアブロー圧(0.1kg/cm2〜5kg/cm2程度)を適宜調整して乾燥を行えばよい。 After the etching process, a cleaning process and a drying process may be performed as needed in order to prevent contamination of the process line. For the washing step, for example, performed by washing 10 seconds to 300 seconds substrate with pure water at room temperature, the drying step, for example using air blow, air blow pressure (0.1kg / cm 2 ~5kg / cm 2 or so) Is adjusted appropriately and drying may be performed.
<第2露光工程>
上記第2の実施態様においては第2露光工程が行われる。第2露光工程の一例を、図2(e)に概略的に示した。
第1エッチング工程後、第1エッチング工程後の第1パターン14Aを第1パターンとは異なるパターンでパターン露光する。
<Second exposure step>
In the second embodiment, a second exposure step is performed. An example of the second exposure step is schematically shown in FIG.
After the first etching step, the first pattern 14A after the first etching step is subjected to pattern exposure with a pattern different from the first pattern.
第2露光工程では、第1導電層上に残存する第1パターンに対し、後述する第2現像工程において少なくとも第1導電層の除去すべき部分に相当する箇所を露光する。
第2露光工程におけるパターン露光は、第1露光工程で用いたマスク30とはパターンが異なるマスク40を用いること以外は第1露光工程におけるパターン露光と同じ方法を適用することができる。
In the second exposure step, a portion corresponding to a portion to be removed of at least the first conductive layer in the second developing step described later is exposed to the first pattern remaining on the first conductive layer.
The pattern exposure in the second exposure step can apply the same method as the pattern exposure in the first exposure step except that a mask 40 having a different pattern from that of the mask 30 used in the first exposure step is used.
<第2現像工程>
上記第2の実施態様においては第2現像工程が行われる。第2現像工程の一例を、図2(f)に概略的に示した。
第2現像工程では、第2露光工程後の第1パターン14Aを現像して第2パターン14Bを形成する。
現像により、第1パターンのうち第2露光工程において露光された部分が除去される。
なお、第2現像工程では、第1現像工程における現像と同じ方法を適用することができる。
<Second developing step>
In the second embodiment, the second development step is performed. An example of the second developing step is schematically shown in FIG.
In the second development step, the first pattern 14A after the second exposure step is developed to form a second pattern 14B.
By the development, a portion of the first pattern exposed in the second exposure step is removed.
In the second development step, the same method as the development in the first development step can be applied.
<第2エッチング工程>
上記第2の実施態様においては第2露光工程が行われる。第2エッチング工程の一例を、図2(g)に概略的に示した。
第2エッチング工程では、第2パターン14Bが配置されていない領域における複数の導電層のうち少なくとも第1導電層24Aをエッチング処理する。
<Second etching step>
In the second embodiment, a second exposure step is performed. An example of the second etching step is schematically shown in FIG.
In the second etching step, at least the first conductive layer 24A of the plurality of conductive layers in the region where the second pattern 14B is not disposed is etched.
第2エッチング工程におけるエッチングは、エッチングにより除去すべき導電層に応じたエッチング液を選択すること以外は第1エッチング工程におけるエッチングと同じ方法を適用することができる。
第2エッチング工程では、所望のパターンに応じて、第1エッチング工程よりも少ない導電層を選択的にエッチングすることが好ましい。例えば、図2に示すように、ポジ型感光性層が配置されていない領域において第1導電層24Bのみを選択的にエッチングするエッチング液を用いてエッチングを行うことで、第1導電層を第2導電層のパターンとは異なるパターンにすることができる。
第2エッチング工程の終了後、少なくとも2種類のパターンの導電層24B,26Aを含む回路配線が形成される。
For the etching in the second etching step, the same method as the etching in the first etching step can be applied except that an etching solution corresponding to the conductive layer to be removed by etching is selected.
In the second etching step, depending on the desired pattern, it is preferable to selectively etch less conductive layers than in the first etching step. For example, as shown in FIG. 2, the first conductive layer is etched by using an etching solution that selectively etches only the first conductive layer 24B in the region where the positive photosensitive layer is not disposed. The pattern of the two conductive layers can be different.
After the completion of the second etching process, a circuit wiring including the conductive layers 24B and 26A of at least two types of patterns is formed.
<ポジ型感光性層除去工程>
ポジ型感光性層除去工程の一例を、図2(h)に概略的に示した。
第2エッチング工程の終了後、第1導電層24B上の一部には第2パターン14Bが残存している。ポジ型感光性層が不要であれば、残存する全てのポジ型感光性層14Bを除去すればよい。
<Positive photosensitive layer removing step>
An example of the positive photosensitive layer removal process is schematically shown in FIG.
After the completion of the second etching process, the second pattern 14B remains on a part of the first conductive layer 24B. If the positive photosensitive layer is unnecessary, all remaining positive photosensitive layer 14B may be removed.
残存するポジ型感光性層を除去する方法としては特に制限はないが、薬品処理により除去する方法を挙げることができる。
ポジ型感光性層の除去方法としては、例えば、30℃〜80℃、好ましくは50℃〜80℃にて攪拌中の剥離液にポジ型感光性層などを有する基材を1分〜30分間浸漬する方法が挙げられる。
Although there is no restriction | limiting in particular as a method to remove the positive type photosensitive layer which remain | survives, The method to remove by chemical processing can be mentioned.
The method for removing the positive photosensitive layer is, for example, a substrate having a positive photosensitive layer or the like as a peeling solution during stirring at 30 ° C. to 80 ° C., preferably 50 ° C. to 80 ° C. for 1 minute to 30 minutes. The method of immersing is mentioned.
剥離液としては、例えば、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等の無機アルカリ成分、又は、第1級アミン、第2級アミン、第3級アミン、第4級アンモニウム塩等の有機アルカリ成分を、水、ジメチルスルホキシド、N−メチルピロリドン又はこれらの混合溶液に溶解させた剥離液が挙げられる。剥離液を使用し、スプレー法、シャワー法、パドル法等により剥離してもよい。 As the peeling solution, for example, an inorganic alkali component such as sodium hydroxide or potassium hydroxide or an organic alkali component such as a primary amine, a secondary amine, a tertiary amine or a quaternary ammonium salt, And dimethylsulfoxide, N-methyl pyrrolidone or a mixed solution thereof. A peeling solution may be used to peel off by a spray method, a shower method, a paddle method or the like.
本実施形態に係る回路配線の製造方法は、他の任意の工程を含んでもよい。例えば、以下のような工程が挙げられるが、これらの工程に限定されない。 The method of manufacturing a circuit wiring according to the present embodiment may include other optional steps. For example, although the following processes are mentioned, it is not limited to these processes.
<保護フィルムを貼り付ける工程>
上記第2の実施態様において、第1エッチング工程の後、第2露光工程の前に、第1パターン上に、光透過性を有する保護フィルム(不図示)を貼り付ける工程をさらに有してもよい。
この場合、第2露光工程において、保護フィルムを介して第1パターンをパターン露光し、第2露光工程後、第1パターンから保護フィルムを剥離した後、第2現像工程を行うことが好ましい。
<Step of sticking protective film>
In the second embodiment, even after the first etching step and before the second exposure step, the method further includes the step of sticking a light transmitting protective film (not shown) on the first pattern. Good.
In this case, it is preferable that in the second exposure step, the first pattern is pattern-exposed through the protective film, and after the second exposure step, the second development step is performed after the protective film is peeled off from the first pattern.
<可視光線反射率を低下させる工程>
本実施形態に係る回路配線の製造方法は、基材上の複数の導電層の一部又は全ての可視光線反射率を低下させる処理をする工程を含むことが可能である。
可視光線反射率を低下させる処理としては、酸化処理などを挙げることができる。例えば、銅を酸化処理して酸化銅とすることで、黒化することにより、可視光線反射率を低下させることができる。
可視光線反射率を低下させる処理の好ましい態様については、特開2014−150118号公報の段落0017〜段落0025、並びに、特開2013−206315号公報の段落0041、段落0042、段落0048及び段落0058に記載があり、この公報の内容は本明細書に組み込まれる。
<Step of reducing visible light reflectance>
The method of manufacturing a circuit wiring according to the present embodiment can include the step of reducing the visible light reflectance of part or all of the plurality of conductive layers on the substrate.
An oxidation process etc. can be mentioned as a process which reduces the visible light reflectance. For example, by oxidizing copper to form copper oxide, the visible light reflectance can be reduced by blackening.
About the preferable aspect of the process to which the visible light reflectance is reduced, Paragraph 0017-Paragraph 0025 of Unexamined-Japanese-Patent No. 2014-150118, and Paragraph 0041, Paragraph 0042, Paragraph 0048, and paragraph 0058 of Unexamined-Japanese-Patent No. 2013-206315. The contents of this publication are incorporated herein by reference.
<絶縁膜上に新たな導電層を形成する工程>
本実施形態に係る回路配線の製造方法は、形成した回路配線上に絶縁膜を形成する工程と、絶縁膜上に新たな導電層を形成する工程を含むことも好ましい。
このような構成により、上述の第二の電極パターンを、第一の電極パターンと絶縁しつつ、形成することができる。
絶縁膜を形成する工程については、特に制限はなく、公知の永久膜を形成する方法を挙げることができる。また、絶縁性を有する感光性材料を用いて、フォトリソグラフィにより所望のパターンの絶縁膜を形成してもよい。
絶縁膜上に新たな導電層を形成する工程については、特に制限はない。導電性を有する感光性材料を用いて、フォトリソグラフィにより所望のパターンの新たな導電層を形成してもよい。
<Step of forming a new conductive layer on the insulating film>
The method for manufacturing a circuit wiring according to the present embodiment preferably includes the steps of forming an insulating film on the formed circuit wiring and forming a new conductive layer on the insulating film.
With such a configuration, the second electrode pattern described above can be formed while being insulated from the first electrode pattern.
There is no restriction | limiting in particular about the process of forming an insulating film, The method of forming a well-known permanent film can be mentioned. Alternatively, an insulating film with a desired pattern may be formed by photolithography using a photosensitive material having an insulating property.
There is no particular limitation on the step of forming a new conductive layer on the insulating film. A photosensitive material having conductivity may be used to form a new conductive layer of a desired pattern by photolithography.
また、図2を参照した説明では、2層の導電層を備えた回路配線形成用基板に対して2つの異なるパターンを有する回路配線を形成する場合について説明したが、本実施形態に係る回路配線の製造方法を適用する基板の導電層の数は2層に限定されず、導電層が3層以上積層された回路配線形成用基板を用い、前述した露光工程、現像工程、及びエッチング工程の組み合わせを3回以上行うことで、3層以上の導電層をそれぞれ異なる回路配線パターンに形成することもできる。 Moreover, although the case where the circuit wiring which has two different patterns was formed with respect to the board | substrate for circuit wiring formation provided with the conductive layer of two layers was demonstrated in the description which referred to FIG. 2, the circuit wiring which concerns on this embodiment. The number of conductive layers of the substrate to which the manufacturing method of the present invention is applied is not limited to two, and a combination of the exposure step, the developing step, and the etching step described above is used using the circuit wiring forming substrate in which three or more conductive layers are stacked. By performing three or more times, three or more conductive layers can be formed in different circuit wiring patterns.
また、図2には示していないが、本実施形態に係る回路配線の製造方法は、基材が両方の表面にそれぞれ複数の導電層を有し、基材の両方の表面に形成された導電層に対して逐次又は同時に回路形成することも好ましい。このような構成により、基材の一方の表面に第一の導電パターン、もう一方の表面に第二の導電パターンを形成したタッチパネル用回路配線を形成することができる。また、このような構成のタッチパネル用回路配線を、ロールツーロールで基材の両面から形成することも好ましい。 Further, although not shown in FIG. 2, in the method of manufacturing a circuit wiring according to the present embodiment, the base material has a plurality of conductive layers respectively on both surfaces, and the conductive material formed on both surfaces of the base material It is also preferred that the layers be circuited sequentially or simultaneously. With such a configuration, it is possible to form a touch panel circuit wiring in which the first conductive pattern is formed on one surface of the base and the second conductive pattern is formed on the other surface. Moreover, it is also preferable to form the circuit wiring for touchscreens of such a structure from both surfaces of a base material by roll-to-roll.
(回路配線及び回路基板)
本実施形態に係る回路配線は、本実施形態に係る回路配線の製造方法により製造された回路配線である。
本実施形態に係る回路基板は、本実施形態に係る回路配線の製造方法により製造された回路配線を有する基板である。
本実施形態に係る回路基板の用途は限定されないが、例えば、タッチパネル用回路基板であることが好ましい。
(Circuit wiring and circuit board)
The circuit wiring according to the present embodiment is a circuit wiring manufactured by the method for manufacturing a circuit wiring according to the present embodiment.
The circuit board which concerns on this embodiment is a board | substrate which has the circuit wiring manufactured by the manufacturing method of the circuit wiring which concerns on this embodiment.
Although the use of the circuit board which concerns on this embodiment is not limited, For example, it is preferable that it is a circuit board for touch panels.
(入力装置及び表示装置)
本実施形態に係る回路配線の製造方法により製造される回路配線を備えた装置として、入力装置が挙げられる。
本実施形態における入力装置は、静電容量型タッチパネルであることが好ましい。
本実施形態における表示装置は、本実施形態における入力装置を備えることが好ましい。本実施形態における表示装置は、有機EL表示装置、及び、液晶表示装置等の画像表示装置であることが好ましい。
(Input device and display device)
As an apparatus provided with the circuit wiring manufactured by the manufacturing method of the circuit wiring which concerns on this embodiment, an input device is mentioned.
The input device in the present embodiment is preferably a capacitive touch panel.
The display device in the present embodiment preferably includes the input device in the present embodiment. The display device in the present embodiment is preferably an image display device such as an organic EL display device and a liquid crystal display device.
(タッチパネル、及び、タッチパネル表示装置並びにこれらの製造方法)
本実施形態に係るタッチパネルは、本実施形態に係る回路配線の製造方法により製造された回路配線を少なくとも有するタッチパネルである。また、本実施形態に係るタッチパネルは、透明基板と、電極と、絶縁層又は保護層とを少なくとも有することが好ましい。
本実施形態に係るタッチパネル表示装置は、本実施形態に係る回路配線の製造方法により製造された回路配線を少なくとも有するタッチパネル表示装置であり、本実施形態に係るタッチパネルを有するタッチパネル表示装置であることが好ましい。
本実施形態に係るタッチパネル又はタッチパネル表示装置の製造方法は、本実施形態に係る回路配線の製造方法を含むことが好ましい。
本実施形態に係るタッチパネル又はタッチパネル表示装置の製造方法は、感光性転写材料の製造方法により得られた感光性転写材料の上記感光性層を基板に接触させて貼り合わせる工程と、上記貼り合わせる工程後の上記感光性転写材料の上記感光性層をパターン露光する工程と、上記露光する工程後の感光性層を現像してパターンを形成する工程と、上記パターンが配置されていない領域における基板をエッチング処理する工程と、をこの順に含むことが好ましい。各工程の詳細は、上述の回路配線の製造方法における各工程の詳細と同義であり、好ましい態様も同様である。
本実施形態に係るタッチパネル及び本実施形態に係るタッチパネル表示装置のおける検出方法としては、抵抗膜方式、静電容量方式、超音波方式、電磁誘導方式、及び、光学方式など公知の方式いずれでもよい。中でも、静電容量方式が好ましい。
タッチパネル型としては、いわゆる、インセル型(例えば、特表2012−517051号公報の図5、図6、図7、図8に記載のもの)、いわゆる、オンセル型(例えば、特開2013−168125号公報の図19に記載のもの、特開2012−89102号公報の図1や図5に記載のもの)、OGS(One Glass Solution)型、TOL(Touch−on−Lens)型(例えば、特開2013−54727号公報の図2に記載のもの)、その他の構成(例えば、特開2013−164871号公報の図6に記載のもの)、各種アウトセル型(いわゆる、GG、G1・G2、GFF、GF2、GF1、G1Fなど)を挙げることができる。
本実施形態のタッチパネル及び本実施形態のタッチパネル表示装置としては、『最新タッチパネル技術』(2009年7月6日、(株)テクノタイムズ社発行)、三谷雄二監修、“タッチパネルの技術と開発”、シーエムシー出版(2004,12)、FPD International 2009 Forum T−11講演テキストブック、Cypress
Semiconductor Corporation アプリケーションノートAN2292等に開示されている構成を適用することができる。
(Touch panel, and touch panel display device and manufacturing method thereof)
The touch panel according to the present embodiment is a touch panel having at least circuit wiring manufactured by the method for manufacturing a circuit wiring according to the present embodiment. Moreover, it is preferable that the touch panel which concerns on this embodiment has a transparent substrate, an electrode, and an insulating layer or a protective layer at least.
The touch panel display device according to the present embodiment is a touch panel display device having at least a circuit wiring manufactured by the method for manufacturing a circuit wiring according to the present embodiment, and is a touch panel display device having a touch panel according to the present embodiment. preferable.
It is preferable that the manufacturing method of the touch panel or touch-panel display apparatus which concerns on this embodiment includes the manufacturing method of the circuit wiring which concerns on this embodiment.
In the method of manufacturing a touch panel or a touch panel display device according to the present embodiment, a step of bringing the photosensitive layer of the photosensitive transfer material obtained by the method of producing a photosensitive transfer material into contact with a substrate and bonding them; Subsequent steps of pattern exposing the photosensitive layer of the photosensitive transfer material, developing the photosensitive layer after the exposing step to form a pattern, and a substrate in a region where the pattern is not disposed It is preferable to include the step of performing the etching process in this order. The details of each step are the same as the details of each step in the method of manufacturing a circuit wiring described above, and the preferred embodiments are also the same.
As a detection method in the touch panel according to the present embodiment and the touch panel display device according to the present embodiment, any known methods such as a resistive film method, a capacitance method, an ultrasonic method, an electromagnetic induction method, and an optical method may be used. . Among them, the capacitance method is preferable.
As a touch panel type, a so-called in-cell type (for example, those shown in FIGS. 5, 6, 7 and 8 of JP-A-2012-517051), a so-called on-cell type (for example, JP-A 2013-168125) 19 described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2012-89102, and those described in FIG. 1 and FIG. 5 of Japanese Patent Application Laid-Open No. 2012-89102, OGS (One Glass Solution) type, TOL (Touch-on-Lens) type (e.g. The other structures (for example, the ones described in FIG. 6 of JP-A-2013-164871), various out-cell types (so-called GG, G1 · G2, GFF, GFF, etc.) GF2, GF1, G1F etc. can be mentioned.
As the touch panel of the present embodiment and the touch panel display device of the present embodiment, “latest touch panel technology” (issued on July 6, 2009, published by Techno Times Inc.), supervised by Yuji Mitani, “touch panel technology and development”, CMC Publishing (2004, 12), FPD International 2009 Forum T-11 Lecture Textbook, Cypress
The configuration disclosed in Semiconductor Corporation Application Note AN2292 and the like can be applied.
以下に実施例を挙げて本実施形態の実施形態を更に具体的に説明する。以下の実施例に示す材料、使用量、割合、処理内容、処理手順等は、本実施形態の趣旨を逸脱しない限り、適宜、変更することができる。従って、本実施形態の範囲は以下に示す具体例に限定されるものではない。なお、特に断りのない限り、「部」、「%」は質量基準である。 Hereinafter, the embodiment of the present embodiment will be more specifically described by way of examples. The materials, amounts used, proportions, treatment contents, treatment procedures and the like shown in the following Examples can be appropriately changed without departing from the spirit of the present embodiment. Therefore, the scope of the present embodiment is not limited to the specific examples shown below. In addition, unless there is particular notice, "part" and "%" are mass references.
(重合体成分の合成)
以下の合成例において、以下の略語はそれぞれ以下の化合物を表す。
ATHF:2−テトラヒドロフラニルアクリレート(合成品)
MATHF:2−テトラヒドロフラニルメタクリレート(合成品)
ATHP:テトラヒドロ−2H−ピラン−2−イルアクリレート(新中村化学工業(株)製)
MAEVE:1−エトキシエチルメタクリレート(和光純薬工業(株)製)
THFHS:4−(2−テトラヒドロフラニルオキシ)スチレン(合成品)
THFCS:4−(2−テトラヒドロフラニルオキシカルボニル)スチレン(合成品)
AA:アクリル酸(東京化成工業(株)製)
MAA:メタクリル酸(東京化成工業(株)製)
EA:アクリル酸エチル(東京化成工業(株)製)
MMA:メタクリル酸メチル(東京化成工業(株)製)
CHA:アクリル酸シクロヘキシル(東京化成工業(株)製)
CHMA:メタクリル酸シクロヘキシル(東京化成工業(株)製)
BMA:アクリル酸n−ブチル(東京化成工業(株)製)
PGMEA:プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(KHネオケム(株)製)
メチルn-ブチルケトン(東京化成工業(株)製)
酢酸ブチル(東京化成工業(株)製)
MEK:メチルエチルケトン(東京化成工業(株)製)
酢酸プロピル(昭和電工(株)製)
酢酸イソブチル(東京化成工業(株)製)
酢酸エチル(東京化成工業(株)製)
MIBK:メチルイソブチルチルケトン(東京化成工業(株)製)
ジイソプロピルエーテル(東京化成工業(株)製)
トルエン(東京化成工業(株)製)
MFG:プロピレングリコールメチルエーテル(東京化成工業(株)製)
γブチロラクトン(東京化成工業(株)製)
シクロヘキサノン(東京化成工業(株)製)
MEDG:ジエチレングリコールメチルエチルエーテル(東京化成工業(株)製)
THF:テトラヒドロフラン(東京化成工業(株)製)
アセトン(東京化成工業(株)製)
MEHQ:4−メトキシフェノール(東京化成工業(株)製)
V−601:ジメチル 2,2’−アゾビス(2−メチルプロピオネート)(和光純薬工業(株)製)
V−65:2,2’−アゾビス(2、4−ジメチルバレロニトリル)(和光純薬工業(株)製)
V−70:2,2’−アゾビス(4−メトキシ‐2、4−ジメチルバレロニトリル)(和光純薬工業(株)製)
(Synthesis of polymer component)
In the following synthesis examples, the following abbreviations represent the following compounds, respectively.
ATHF: 2-tetrahydrofuranyl acrylate (synthetic product)
MATHF: 2-tetrahydrofuranyl methacrylate (synthetic product)
ATHP: tetrahydro-2H-pyran-2-yl acrylate (manufactured by Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd.)
MAEVE: 1-ethoxyethyl methacrylate (manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.)
THFHS: 4- (2-tetrahydrofuranyloxy) styrene (synthetic product)
THFCS: 4- (2-tetrahydrofuranyloxycarbonyl) styrene (synthetic product)
AA: acrylic acid (manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.)
MAA: methacrylic acid (manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.)
EA: Ethyl acrylate (made by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.)
MMA: methyl methacrylate (manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.)
CHA: cyclohexyl acrylate (manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.)
CHMA: cyclohexyl methacrylate (manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.)
BMA: n-butyl acrylate (manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.)
PGMEA: propylene glycol monomethyl ether acetate (manufactured by KH Neochem Co., Ltd.)
Methyl n-butyl ketone (manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.)
Butyl acetate (made by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.)
MEK: methyl ethyl ketone (manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.)
Propyl acetate (manufactured by Showa Denko KK)
Isobutyl acetate (made by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.)
Ethyl acetate (made by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.)
MIBK: methyl isobutyl ethyl ketone (manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.)
Diisopropyl ether (made by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.)
Toluene (manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.)
MFG: Propylene glycol methyl ether (manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.)
γ-butyrolactone (manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.)
Cyclohexanone (manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.)
MEDG: diethylene glycol methyl ethyl ether (manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.)
THF: tetrahydrofuran (manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.)
Acetone (made by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.)
MEHQ: 4-methoxyphenol (manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.)
V-601: dimethyl 2,2'-azobis (2-methyl propionate) (manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.)
V-65: 2,2'-azobis (2,4-dimethyl valeronitrile) (manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.)
V-70: 2, 2'-azobis (4-methoxy-2, 4-dimethyl valeronitrile) (manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.)
<MATHFの合成>
3つ口フラスコにメタクリル酸(86.1質量部、1.0モル当量)、ヘキサン(86.1質量部)を加え20℃に冷却した。カンファースルホン酸(0.00070質量部、0.03ミリモル当量)、2−ジヒドロフラン(70.1質量部、1.0モル当量)を滴下した後に、20℃±2℃の温度範囲で1.5時間撹拌した後、35℃まで昇温して2時間撹拌した。ヌッチェにキョーワード200、キョーワード1000(共に協和化学工業(株)製)の順に敷き詰めた後、反応液をろ過することでろ過液を得た。得られたろ過液にMEHQ(4−メトキシフェノール(東京化成工業(株)製)、0.0012質量部)を加えた後、40℃で減圧濃縮することで、メタクリル酸テトラヒドロ−2H−フラン−2−イル(MATHF)156.2質量部を無色油状物として得た(収率98.0%)。
<Synthesis of MATHF>
In a three-necked flask, methacrylic acid (86.1 parts by mass, 1.0 molar equivalent) and hexane (86.1 parts by mass) were added, and the mixture was cooled to 20 ° C. After dropwise addition of camphorsulfonic acid (0.00070 parts by mass, 0.03 milliequivalents) and 2-dihydrofuran (70.1 parts by mass, 1.0 molar equivalents), the reaction was carried out in the temperature range of 20 ° C. ± 2 ° C. After stirring for 5 hours, the temperature was raised to 35 ° C. and stirred for 2 hours. After laying in a Nutche in order of Kyoward 200 and Kyoward 1000 (both manufactured by Kyowa Chemical Industry Co., Ltd.), the reaction solution was filtered to obtain a filtrate. MEHQ (4-methoxyphenol (manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.), 0.0012 parts by mass) is added to the obtained filtrate, and the solution is concentrated under reduced pressure at 40 ° C. to obtain tetrahydro-2H-furan-methacrylic acid. 156.2 parts by mass of 2-yl (MATHF) was obtained as a colorless oil (yield 98.0%).
<ATHFの合成>
3つ口フラスコにアクリル酸(72.1質量部、1.0モル当量)、ヘキサン(72.1質量部)を加え20℃に冷却した。カンファースルホン酸(0.00070質量部、0.03ミリモル当量)、2−ジヒドロフラン(77.9質量部、1.0モル当量)を滴下した後に、20℃±2℃の温度範囲で1.5時間撹拌した後、35℃まで昇温して2時間撹拌した。ヌッチェにキョーワード200、キョーワード1000(共に協和化学工業(株)製)の順に敷き詰めた後、反応液をろ過することでろ過液を得た。得られたろ過液にMEHQ(0.0012質量部)を加えた後、40℃で減圧濃縮することで、アクリル酸テトラヒドロ−2H−フラン−2−イル(ATHF)140.8質量部を無色油状物として得た(収率99.0%)。
<Synthesis of ATHF>
Acrylic acid (72.1 parts by mass, 1.0 molar equivalent) and hexane (72.1 parts by mass) were added to a three-necked flask and cooled to 20 ° C. After dropwise addition of camphorsulfonic acid (0.00070 parts by mass, 0.03 milliequivalents) and 2-dihydrofuran (77.9 parts by mass, 1.0 molar equivalents), the reaction was carried out in the temperature range of 20 ° C. ± 2 ° C. After stirring for 5 hours, the temperature was raised to 35 ° C. and stirred for 2 hours. After laying in a Nutche in order of Kyoward 200 and Kyoward 1000 (both manufactured by Kyowa Chemical Industry Co., Ltd.), the reaction solution was filtered to obtain a filtrate. MEHQ (0.0012 parts by mass) is added to the obtained filtrate, and the solution is concentrated under reduced pressure at 40 ° C. to obtain 140.8 parts by mass of tetrahydro-2H-furan-2-yl acrylate (ATHF) as a colorless oil. The product was obtained as a product (yield 99.0%).
<THFHSの合成>
3つ口フラスコに4−ヒドロキシスチレン(120.2質量部、1.0モル当量)、ヘキサン(120.2質量部)を加え20℃に冷却した。カンファースルホン酸(0.00070質量部、0.03ミリモル当量)、2−ジヒドロフラン(70.1質量部、1.0モル当量)を滴下した後に、80℃まで昇温して5時間撹拌した。ヌッチェにキョーワード200、キョーワード1000(共に協和化学工業(株)製)の順に敷き詰めた後、反応液をろ過することでろ過液を得た。得られたろ過液にMEHQ(0.0019質量部)を加えた後、40℃で減圧濃縮することで、4−(2−テトラヒドロフラニルオキシ)スチレン(THFHS)185.0質量部を無色油状物として得た(収率97.3%)。
<Synthesis of THFHS>
In a three-necked flask, 4-hydroxystyrene (120.2 parts by mass, 1.0 molar equivalent) and hexane (120.2 parts by mass) were added and cooled to 20 ° C. After dropwise addition of camphor sulfonic acid (0.00070 parts by mass, 0.03 milliequivalents) and 2-dihydrofuran (70.1 parts by mass, 1.0 molar equivalents), the mixture was heated to 80 ° C. and stirred for 5 hours . After laying in a Nutche in order of Kyoward 200 and Kyoward 1000 (both manufactured by Kyowa Chemical Industry Co., Ltd.), the reaction solution was filtered to obtain a filtrate. MEHQ (0.0019 parts by mass) is added to the obtained filtrate and concentrated under reduced pressure at 40 ° C. to obtain 185.0 parts by mass of 4- (2-tetrahydrofuranyloxy) styrene (THFHS) as a colorless oil As a 97.3% yield.
<THFCSの合成>
3つ口フラスコに4−カルボキシスチレン(148.2質量部、1.0モル当量)、ヘキサン(148.2質量部)を加え20℃に冷却した。カンファースルホン酸(0.00070質量部、0.03ミリモル当量)、2−ジヒドロフラン(70.1質量部、1.0モル当量)を滴下した後に、20℃±2℃の温度範囲で1.5時間撹拌した後、35℃まで昇温して2時間撹拌した。ヌッチェにキョーワード200、キョーワード1000(共に協和化学工業(株)製)の順に敷き詰めた後、反応液をろ過することでろ過液を得た。得られたろ過液にMEHQ(0.0021質量部)を加えた後、40℃で減圧濃縮することで、4−(2−テトラヒドロフラニルオキシカルボニル)スチレン(THFCS)212.3質量部を無色油状物として得た(収率97.3%)。
<Synthesis of THFCS>
In a three-necked flask, 4-carboxystyrene (148.2 parts by mass, 1.0 molar equivalent) and hexane (148.2 parts by mass) were added and cooled to 20 ° C. After dropwise addition of camphorsulfonic acid (0.00070 parts by mass, 0.03 milliequivalents) and 2-dihydrofuran (70.1 parts by mass, 1.0 molar equivalents), the reaction was carried out in the temperature range of 20 ° C. ± 2 ° C. After stirring for 5 hours, the temperature was raised to 35 ° C. and stirred for 2 hours. After laying in a Nutche in order of Kyoward 200 and Kyoward 1000 (both manufactured by Kyowa Chemical Industry Co., Ltd.), the reaction solution was filtered to obtain a filtrate. MEHQ (0.0021 parts by mass) is added to the obtained filtrate, and the solution is concentrated under reduced pressure at 40 ° C. to obtain 212.3 parts by mass of 4- (2-tetrahydrofuranyloxycarbonyl) styrene (THFCS) as a colorless oil. The product was obtained as a product (yield 97.3%).
<重合体A−1の合成>
3つ口フラスコにメチルn−ブチルケトン(75.0質量部)を入れ、窒素雰囲気下において90℃に昇温した。MATHF(45.0質量部)、AA(2.0質量部)、EA(30.0質量部)、MMA(7.0質量部)、CHA(16.0質量部)、V−601(4.0質量部)、メチルn−ブチルケトン(75.0質量部)を加えた溶液を、90℃±2℃の温度範囲に維持した3つ口フラスコ溶液中に2時間かけて滴下した。滴下終了後,90℃±2℃の温度範囲にて2時間撹拌することで、重合体A−1を含む感光性転写材料用重合体溶液(固形分濃度40.0%)を得た。
<Synthesis of Polymer A-1>
Methyl n-butyl ketone (75.0 parts by mass) was placed in a three-necked flask, and the temperature was raised to 90 ° C. under a nitrogen atmosphere. MATHF (45.0 parts by mass), AA (2.0 parts by mass), EA (30.0 parts by mass), MMA (7.0 parts by mass), CHA (16.0 parts by mass), V-601 (4 0 parts by mass), a solution to which methyl n-butyl ketone (75.0 parts by mass) was added was added dropwise over 2 hours into a three-necked flask solution maintained at a temperature range of 90 ° C ± 2 ° C. After completion of the dropwise addition, the mixture was stirred at a temperature range of 90 ° C. ± 2 ° C. for 2 hours to obtain a polymer solution for photosensitive transfer material (solid content 40.0%) containing the polymer A-1.
<重合体A−2、4、5、8、10〜20、23〜27の合成例>
モノマーの種類及び使用量、並びに、溶媒の種類を下記表に示す通りに変更し、その他の条件については、A−1と同様の方法で合成した。重合体の固形分濃度は40質量%とした。
なお、表1中の数値は、各成分の含有量(質量部)を示しており、溶媒名の横の括弧に含まれた数値は、重合溶媒の全質量に対する、該当する溶媒の含有量(モル%)を示す。
Synthesis Example of Polymer A-2, 4, 5, 8, 10 to 20, 23 to 27
The type and amount of the monomer used and the type of the solvent were changed as shown in the following table, and the other conditions were synthesized in the same manner as in A-1. The solid content concentration of the polymer was 40% by mass.
The numerical values in Table 1 indicate the content (parts by mass) of each component, and the numerical values contained in parentheses next to the solvent name indicate the content of the corresponding solvent with respect to the total mass of the polymerization solvent ( %) Is shown.
<重合体A−3、6、7の合成例>
モノマーの種類及び使用量、並びに、溶媒の種類を下記表に示す通りに変更し、重合温度を75℃に変更し、さらに重合開始剤をV−65に変更し、他の条件については、A−1と同様の方法で合成した。重合体の固形分濃度は40質量%とした。
Synthesis Example of Polymer A-3, 6, 7
The type and amount of monomer used and the type of solvent are changed as shown in the following table, the polymerization temperature is changed to 75 ° C., the polymerization initiator is changed to V-65, and other conditions are as follows: A It synthesize | combined by the method similar to -1. The solid content concentration of the polymer was 40% by mass.
<重合体A−9、21、22の合成例>
モノマーの種類及び使用量、並びに、溶媒の種類を下記表に示す通りに変更し、重合温度を54℃に変更し、さらに重合開始剤をV−70に変更し、他の条件については、A−1と同様の方法で合成した。重合体の固形分濃度は40質量%とした。
<Synthesis Example of Polymer A-9, 21, 22>
The type and amount of monomer used, and the type of solvent are changed as shown in the following table, the polymerization temperature is changed to 54 ° C., the polymerization initiator is changed to V-70, and other conditions are as follows: A It synthesize | combined by the method similar to -1. The solid content concentration of the polymer was 40% by mass.
表1中、「−」の記載は、該当するモノマーを使用していないことを示している。
また、表1中、I/O値、Tg、蒸気圧及びMwは上述の方法により測定した。
The description of "-" in Table 1 indicates that the corresponding monomer is not used.
Moreover, in Table 1, I / O value, Tg, vapor pressure, and Mw were measured by the above-mentioned method.
以下に、後述する感光性樹脂組成物(感光性転写材料用組成物)の調製に使用し、また、後述する表2に記載した各成分の詳細を示す。 Hereinafter, details of each component used in preparation of a photosensitive resin composition (a composition for photosensitive transfer material) described later and described in Table 2 described later will be shown.
<光酸発生剤>
B−1:下記に示す構造(特開2013−47765号公報の段落0227に記載の化合物であり、段落0227に記載の方法に従って合成した)
<Photo acid generator>
B-1: The structure shown below (the compound described in paragraph 0227 of JP-A-2013-47765 and synthesized according to the method described in paragraph 0227)
B−2:PAG−103(商品名、下記化合物、BASF社製) B-2: PAG-103 (trade name, the following compound, manufactured by BASF)
B−3:下記に示す構造(特開2014−197155号公報の段落0210に記載の方法に従って合成した。なお、Tsは、p−トルエンスルホニル基を表す。) B-3: A structure shown below (synthesized according to the method described in paragraph 0210 of JP-A-2014-197155. Ts represents a p-toluenesulfonyl group.)
B−4:GSID−26−1、トリアリールスルホニウム塩(BASF社製) B-4: GSID-26-1, triarylsulfonium salt (manufactured by BASF)
<界面活性剤>
C−1:下記に示す構造の化合物
<Surfactant>
C-1: a compound having a structure shown below
<塩基性化合物>
D−1:下記に示す構造の化合物(CMTU)
D−2:2,4,5−トリフェニルイミダゾール(東京化成工業(株)製)
D−3:1,5−ジアザビシクロ[4.3.0]−5−ノネン(東京化成工業(株)製)
<Basic compound>
D-1: Compound of the structure shown below (CMTU)
D-2: 2,4,5-triphenylimidazole (manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.)
D-3: 1,5-Diazabicyclo [4.3.0] -5-nonene (manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.)
<増感剤>
DBA:9,10−ジブトキシアントラセン(川崎化成工業(株)製)
<Sensitizer>
DBA: 9, 10-dibutoxyanthracene (manufactured by Kawasaki Kasei Kogyo Co., Ltd.)
(実施例1〜24、及び、比較例1〜7)
<感光性転写材料の調製>
実施例1〜24及び比較例1〜7では、下記表2に示す固形分比となるように、重合体成分、光酸発生剤、塩基性化合物、界面活性剤、及び、その他の成分をPGMEA(プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート)に固形分濃度10質量%になるように溶解混合し、口径0.2μmのポリテトラフルオロエチレン製フィルタで濾過して、感光性樹脂組成物(感光性転写材料用組成物)を得た。
この感光性樹脂組成物を、仮支持体となる厚さ30μmのポリエチレンテレフタレートフィルム(以下、「PET(A)」とする)の上に、スリット状ノズルを用いて乾燥膜厚が4.0μmとなるように塗布した。その後、平均温度85℃の乾燥ゾーンを50秒間かけて通過させ、最後にカバーフィルムとしてポリエチレンフィルム(トレデガー社製、OSM−N)を圧着して感光性転写材料を作製した。
なお、PET(A)の全光ヘイズは0.19%であった。フィルムヘイズは、スガ試験機(株)製ヘイズメーターHZ−2を用い、JIS−K−7136に準拠してベース小片の全光ヘイズ値(%)を測定した。
(Examples 1 to 24 and Comparative Examples 1 to 7)
Preparation of Photosensitive Transfer Material
In Examples 1 to 24 and Comparative Examples 1 to 7, the polymer component, the photoacid generator, the basic compound, the surfactant, and the other components are PGMEA such that the solid content ratio shown in Table 2 below is obtained. It is dissolved and mixed in (Propylene glycol monomethyl ether acetate) to a solid content concentration of 10% by mass, and filtered with a 0.2 μm-diameter polytetrafluoroethylene filter to obtain a photosensitive resin composition (composition for photosensitive transfer material Object).
This photosensitive resin composition was dried on a 30 μm thick polyethylene terephthalate film (hereinafter referred to as “PET (A)”) to be a temporary support using a slit nozzle to have a dry film thickness of 4.0 μm. It applied so that it might become. Then, it passed through a drying zone with an average temperature of 85 ° C. for 50 seconds, and finally a polyethylene film (manufactured by Tredegger, OSM-N) was press-bonded as a cover film to prepare a photosensitive transfer material.
The total light haze of PET (A) was 0.19%. The film haze measured the total light haze value (%) of the base piece according to JIS-K-7136 using Suga Test Instruments Co., Ltd. product haze meter HZ-2.
<性能評価>
厚さ188μmのPETフィルム上に厚さ500nmでスパッタ法にて銅層を作製した銅層付きPET基板を使用した。
<Performance evaluation>
A copper layer-coated PET substrate was used in which a copper layer was produced by a sputtering method at a thickness of 500 nm on a PET film having a thickness of 188 μm.
<ラミネート適性評価>
作製した感光性転写材料を50cm角にカットし、カバーフィルムを剥がして、ロール温度90℃、線圧0.8MPa、線速度3.0m/min.のラミネート条件で銅層付きPET基板にラミネートした。感光性層が銅層に泡や浮きがなく密着している面積を目視評価し、感光性層が密着した面積/カットした転写材料の面積(%)により密着した面積割合を求めた。面積(%)が大きいほどラミネート適性に優れるといえる。
〔評価基準〕
面積(%)が95%以上:5
面積(%)が90%以上、95%未満:4
面積(%)が85%以上、90%未満:3
面積(%)が80%以上、85%未満:2
面積(%)が80%未満:1
<Lamination suitability evaluation>
The prepared photosensitive transfer material is cut into 50 cm squares, the cover film is peeled off, and the roll temperature is 90 ° C., the linear pressure is 0.8 MPa, the linear velocity is 3.0 m / min. The laminate was laminated on a PET substrate with a copper layer under the following lamination conditions. The area in which the photosensitive layer was in close contact with the copper layer without bubbles or float was visually evaluated, and the area ratio in which the photosensitive layer was in close contact / the area of the cut transfer material (%) was determined. It can be said that the larger the area (%), the better the laminate suitability.
〔Evaluation criteria〕
Area (%) is 95% or more: 5
Area (%) is 90% or more and less than 95%: 4
Area (%) is 85% or more and less than 90%: 3
Area (%) is 80% or more and less than 85%: 2
Area (%) less than 80%: 1
<感度(露光感度)評価>
作製した感光性転写材料を、線圧0.8MPa、線速度3.0m/min.のラミネート条件で銅層付きPET基板にラミネートした。なおロール温度90℃の場合のラミネート適性4以下の場合、ラミネート適性が5判定になるまでラミロール温度を上げて試料を作成した。ラミネート適性は上述の方法により評価した。
仮支持体を剥離せずに線幅3〜20μmのラインアンドスペースパターンマスク(Duty比 1:1)を介して超高圧水銀灯で感光性層を露光後、1時間放置した後に仮支持体を剥離して現像した。現像は22℃の0.9%炭酸ナトリウム水溶液を用い、シャワー現像で40秒行った。上記方法にて20μmのラインアンドスペースパターンを形成したとき、スペース部の残渣を走査型電子顕微鏡(SEM)により観察し評価し、完全に残渣がなくなる露光量を求めた。露光量が200mJ/cm2以下が実用可能レベルである。露光量が小さいほど、露光感度に優れているといえる。
〔評価基準〕
80mJ/cm2未満:5
80mJ/cm2以上150mJ/cm2未満:4
150mJ/cm2以上200mJ/cm2未満:3
200mJ/cm2以上300mJ/cm2未満:2
300mJ/cm2以上:1
<Sensitivity (exposure sensitivity) evaluation>
The prepared photosensitive transfer material was subjected to a linear pressure of 0.8 MPa, a linear velocity of 3.0 m / min. The laminate was laminated on a PET substrate with a copper layer under the following lamination conditions. In addition, in the case of 4 or less of lamination suitability in the case of roll temperature 90 degreeC, laminor temperature was raised and the sample was created until lamination suitability became 5 determination. Lamination suitability was evaluated by the above-mentioned method.
After exposing the photosensitive layer with a super high pressure mercury lamp through a line and space pattern mask (Duty ratio 1: 1) with a line width of 3 to 20 μm without peeling off the temporary support, the temporary support is peeled off after being left for 1 hour And developed. The development was performed by shower development for 40 seconds using a 0.9% aqueous sodium carbonate solution at 22 ° C. When a 20 μm line-and-space pattern was formed by the above method, the residue in the space was observed and evaluated by a scanning electron microscope (SEM), and the exposure amount completely free of the residue was determined. An exposure dose of 200 mJ / cm 2 or less is a practical level. The smaller the exposure amount, the better the exposure sensitivity.
〔Evaluation criteria〕
Less than 80 mJ / cm 2 : 5
80mJ / cm 2 or more 150mJ / cm less than 2: 4
150 mJ / cm 2 or more and 200 mJ / cm 2 or less: 3
200 mJ / cm 2 or more and less than 300 mJ / cm 2 : 2
300 mJ / cm 2 or more: 1
<解像性評価>
作製した感光性転写材料を、線圧0.8MPa、線速度3.0m/min.のラミネート条件で銅層付きPET基板にラミネートした。なおロール温度90℃で上述のラミネート適性の評価結果が4以下である場合、ラミネート適性の評価結果が5(面積(%)が95%以上)になるまでラミロール温度を上げて試料を作製した。
仮支持体を剥離せずに線幅3μm〜20μmのラインアンドスペースパターン(Duty比 1:1)マスクを介して超高圧水銀灯で感光性層を感度評価で求めた露光量で露光した後、1時間放置した後に仮支持体を剥離して現像した。現像は22℃の1.0%炭酸ナトリウム水溶液を用い、シャワー現像で40秒行った。このように得られたラインアンドスペースパターンで、最も線幅が小さいパターンを到達解像度とした。また到達解像度を判断する際、パターンを走査型電子顕微鏡(SEM)により観察し、パターンの側壁部に大きな荒れが生じている場合には、解像できていないとした。到達解像度が小さいほど、露光後に放置された場合であっても解像性に優れたパターンが得られるといえる。(東京化成工業(株)製)
〔評価基準〕
到達解像度が6μm未満:5
到達解像度が8μm未満、6μm以上:4.5
到達解像度が10μm未満、8μm以上:4
到達解像度が15μm未満、10μm以上:3
到達解像度が20μm未満、15μm以上:2
到達解像度が20μm以上:1
<Resolution evaluation>
The prepared photosensitive transfer material was subjected to a linear pressure of 0.8 MPa, a linear velocity of 3.0 m / min. The laminate was laminated on a PET substrate with a copper layer under the following lamination conditions. In addition, when the evaluation result of the above-mentioned lamination aptitude is 4 or less at roll temperature 90 degreeC, laminor temperature was raised and the sample was produced until the evaluation result of lamination aptitude became 5 (area (%) is 95% or more).
After exposing the photosensitive layer with an exposure amount determined by sensitivity evaluation with an ultrahigh pressure mercury lamp through a line and space pattern (Duty ratio 1: 1) mask with a line width of 3 μm to 20 μm without peeling off the temporary support, 1 After leaving for a while, the temporary support was peeled off and developed. The development was carried out for 40 seconds by shower development using a 1.0% aqueous solution of sodium carbonate at 22 ° C. Among the line and space patterns thus obtained, the pattern with the smallest line width is taken as the ultimate resolution. When the ultimate resolution was determined, the pattern was observed with a scanning electron microscope (SEM), and it was determined that resolution was not possible when large roughness occurred in the side wall portion of the pattern. It can be said that, as the ultimate resolution is smaller, a pattern with excellent resolution can be obtained even when left after exposure. (Made by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.)
〔Evaluation criteria〕
Reaching resolution less than 6 μm: 5
Achieved resolution is less than 8 μm, 6 μm or more: 4.5
Achieved resolution less than 10 μm, 8 μm or more: 4
Achieved resolution less than 15 μm, 10 μm or more: 3
Achieved resolution is less than 20 μm, 15 μm or more: 2
Reaching resolution of 20 μm or more: 1
以下表2に結果を示す。
表2に示すように、本実施形態に係る感光性転写材料用重合体溶液の製造方法により得られた感光性転写材料用重合体溶液を用いることにより、解像性に優れたパターンが得られる感光性転写材料が得られた。
また、表2に示すように、本実施形態に係る感光性転写材料用組成物の製造方法により得られた感光性転写材料用組成物を用いることにより、解像性に優れたパターンが得られる感光性転写材料が得られた。
また、表2に示すように、感光性転写材料の製造方法によれば、解像性に優れたパターンが得られる感光性転写材料が得られた。
The results are shown in Table 2 below.
As shown in Table 2, by using the polymer solution for photosensitive transfer material obtained by the method for producing a polymer solution for photosensitive transfer material according to this embodiment, a pattern excellent in resolution can be obtained. A photosensitive transfer material was obtained.
In addition, as shown in Table 2, a pattern having excellent resolution can be obtained by using the composition for photosensitive transfer material obtained by the method for producing a composition for photosensitive transfer material according to the present embodiment. A photosensitive transfer material was obtained.
Further, as shown in Table 2, according to the method for producing a photosensitive transfer material, a photosensitive transfer material which can obtain a pattern excellent in resolution was obtained.
表2中、「−」の記載は、該当する化合物を含有していないことを示している。
また、表2中、I/O値、Tg、蒸気圧及びMwは上述の方法により測定した。
In Table 2, the description of "-" indicates that the corresponding compound is not contained.
Moreover, in Table 2, I / O value, Tg, vapor pressure, and Mw were measured by the above-mentioned method.
(実施例101)
100μm厚PET基材上に、第2層の導電性層として酸化インジウムスズ(ITO)をスパッタリングで150nm厚にて成膜し、その上に第1層の導電性層として銅を真空蒸着法で200nm厚にて成膜して、回路形成基板とした。
銅層上に実施例1で得た感光性転写材料1をラミネートした(線圧0.8MPa、線速度3.0m/min、ロール温度90℃)。仮支持体を剥離せずに一方向に導電性層パッドが連結された構成を持つ図3に示すパターン(以下、「パターンA」とも称する。)を設けたフォトマスクを用いてコンタクトパターン露光した。
なお、図3に示すパターンAは、実線部SL及びグレー部Gが遮光部であり、点線部DLはアライメント合わせの枠を仮想的に示したものである。
その後仮支持体を剥離し、現像、水洗を行ってパターンAを得た。次いで銅エッチング液(関東化学(株)製Cu−02)を用いて銅層をエッチングした後、ITOエッチング液(関東化学(株)製ITO−02)を用いてITO層をエッチングすることで、銅(実線部SL)とITO(グレー部G)とが共にパターンAで描画された基板を得た。
(Example 101)
Indium tin oxide (ITO) is deposited by sputtering as a conductive layer of the second layer on a 100 μm-thick PET substrate by sputtering to a thickness of 150 nm, and copper is vacuum deposited thereon as a conductive layer of the first layer. A film was formed at a thickness of 200 nm to form a circuit formation substrate.
The photosensitive transfer material 1 obtained in Example 1 was laminated on the copper layer (linear pressure 0.8 MPa, linear velocity 3.0 m / min, roll temperature 90 ° C.). The contact pattern was exposed using a photomask provided with a pattern (hereinafter also referred to as “pattern A”) shown in FIG. 3 having a configuration in which conductive layer pads are connected in one direction without peeling off the temporary support. .
In the pattern A shown in FIG. 3, the solid line portion SL and the gray portion G are light shielding portions, and the dotted line portion DL virtually illustrates the alignment alignment frame.
Thereafter, the temporary support was peeled off, developed and washed with water to obtain a pattern A. Next, the copper layer is etched using a copper etching solution (Cu-02 manufactured by Kanto Chemical Co., Ltd.), and then the ITO layer is etched using an ITO etching solution (ITO-02 manufactured by Kanto Chemical Co., Ltd.), The board | substrate with which copper (solid line part SL) and ITO (gray part G) were both drawn by the pattern A was obtained.
次いで、アライメントを合わせた状態で図4に示すパターン(以下、「パターンB」とも称する。)の開口部を設けたフォトマスクを用いてパターン露光し、現像、水洗を行った。
なお、図4に示すパターンBは、グレー部Gが遮光部であり、点線部DLはアライメント合わせの枠を仮想的に示したものである。
その後、Cu−02を用いて銅層をエッチングし、残った感光性層を剥離液(関東化学(株)製KP−301)を用いて剥離し、回路配線基板を得た。
これにより、回路配線基板を得た。顕微鏡で観察したところ、剥がれや欠けなどは無く、きれいなパターンであった。
Next, pattern alignment was performed using a photomask provided with an opening of a pattern (hereinafter, also referred to as “pattern B”) shown in FIG. 4 in a state where alignment is aligned, and development and washing were performed.
In the pattern B shown in FIG. 4, the gray portion G is a light shielding portion, and the dotted line portion DL virtually illustrates the alignment alignment frame.
Thereafter, the copper layer was etched using Cu-02, and the remaining photosensitive layer was peeled using a peeling solution (KP-301 manufactured by Kanto Chemical Co., Ltd.) to obtain a circuit wiring board.
Thus, a circuit wiring board was obtained. When observed with a microscope, there was no peeling or chipping, and it was a beautiful pattern.
(実施例102)
100μm厚PET基材上に、第2層の導電性層としてITOをスパッタリングで150nm厚にて成膜し、その上に第1層の導電性層として銅を真空蒸着法で200nm厚にて成膜して、回路形成基板とした。
銅層上に実施例1で得た感光性転写材料1をラミネートした(線圧0.6MPa、線速度3.6m/min、ロール温度90℃)。
仮支持体を剥離せずに一方向に導電性層パッドが連結された構成を持つ図3に示すパターンAを設けたフォトマスクを用いて感光性層をパターン露光した。その後仮支持体を剥離し、現像、水洗を行ってパターンAを得た。次いで銅エッチング液(関東化学(株)製Cu−02)を用いて銅層をエッチングした後、ITOエッチング液(関東化学(株)製ITO−02)を用いてITO層をエッチングすることで、銅(実線部SL)とITO(グレー部G)とが共にパターンAで描画された基板を得た。
次いで、残存しているレジスト上に保護層としてPET(A)をラミネートした。この状態で、アライメントを合わせた状態で図4に示すパターンBの開口部を設けたフォトマスクを用いてパターン露光し、PET(A)を剥離した後に現像、水洗を行った。
その後、Cu−02を用いて銅配線をエッチングし、残った感光性層を剥離液(関東化学(株)製KP−301)を用いて剥離し、回路配線基板を得た。
顕微鏡で観察したところ、剥がれや欠けなどは無く、きれいなパターンであった。
(Example 102)
ITO is deposited as a conductive layer of the second layer by sputtering to a thickness of 150 nm on a 100 μm-thick PET substrate, and copper is deposited thereon by a vacuum evaporation method to a thickness of 200 nm as a conductive layer of the first layer. The film was formed as a circuit formation substrate.
The photosensitive transfer material 1 obtained in Example 1 was laminated on the copper layer (linear pressure 0.6 MPa, linear velocity 3.6 m / min, roll temperature 90 ° C.).
The photosensitive layer was pattern-exposed using a photomask provided with a pattern A shown in FIG. 3 having a configuration in which conductive layer pads are connected in one direction without peeling off the temporary support. Thereafter, the temporary support was peeled off, developed and washed with water to obtain a pattern A. Next, the copper layer is etched using a copper etching solution (Cu-02 manufactured by Kanto Chemical Co., Ltd.), and then the ITO layer is etched using an ITO etching solution (ITO-02 manufactured by Kanto Chemical Co., Ltd.), The board | substrate with which copper (solid line part SL) and ITO (gray part G) were both drawn by the pattern A was obtained.
Then, PET (A) was laminated as a protective layer on the remaining resist. In this state, pattern alignment was performed using a photomask provided with the opening of pattern B shown in FIG. 4 in a state of alignment, and after PET (A) was peeled off, development and water washing were performed.
Thereafter, the copper wiring was etched using Cu-02, and the remaining photosensitive layer was peeled using a peeling solution (KP-301 manufactured by Kanto Chemical Co., Ltd.) to obtain a circuit wiring board.
When observed with a microscope, there was no peeling or chipping, and it was a beautiful pattern.
12 仮支持体
14 感光性層
14A 第1パターン
14B 第2パターン
16 カバーフィルム
20 回路形成用基板
22 基材
24 第1導電層
24A 第1導電層(第1エッチング工程後)
24B 第1導電層(第2エッチング工程後)
26 第2導電層
26A 第2導電層(第1エッチング工程及び第2エッチング工程後)
30 マスク
40 マスク
100 感光性転写材料
SL 実線部
G グレー部
DL 点線部
12 temporary support 14 photosensitive layer 14A first pattern 14B second pattern 16 cover film 20 substrate for circuit formation 22 base material 24 first conductive layer 24A first conductive layer (after first etching step)
24B first conductive layer (after second etching step)
26 second conductive layer 26A second conductive layer (after the first etching step and the second etching step)
30 mask 40 mask 100 photosensitive transfer material SL solid line portion G gray portion DL dotted portion
Claims (14)
感光性転写材料用重合体溶液の製造方法。 A polymerization solvent component containing a polymerization initiator, a polymerization solvent, and having a vapor pressure of 1 kPa to 16 kPa at 20 ° C., and at least one monomer having an acid-degradable group-protected acid group Having a step of carrying out a polymerization reaction in a composition containing a monomer component,
Method for producing a polymer solution for photosensitive transfer material.
前記貼り合わせる工程後の前記感光性転写材料の前記感光性層をパターン露光する工程と、
前記露光する工程後の感光性層を現像してパターンを形成する工程と、
前記パターンが配置されていない領域における基板をエッチング処理する工程と、をこの順に含む、
回路配線の製造方法。 A step of bringing the photosensitive layer of the photosensitive transfer material obtained by the method of producing a photosensitive transfer material according to claim 12 into contact with a substrate and laminating the substrate;
Pattern exposing the photosensitive layer of the photosensitive transfer material after the laminating step;
Developing the photosensitive layer after the exposing step to form a pattern;
And E. etching the substrate in the area where the pattern is not disposed.
Method of manufacturing circuit wiring.
前記貼り合わせる工程後の前記感光性転写材料の前記感光性層をパターン露光する工程と、
前記露光する工程後の感光性層を現像してパターンを形成する工程と、
前記パターンが配置されていない領域における基板をエッチング処理する工程と、をこの順に含む、タッチパネルの製造方法。 A step of bringing the photosensitive layer of the photosensitive transfer material obtained by the method of producing a photosensitive transfer material according to claim 12 into contact with a substrate and laminating the substrate;
Pattern exposing the photosensitive layer of the photosensitive transfer material after the laminating step;
Developing the photosensitive layer after the exposing step to form a pattern;
And E. etching the substrate in the area where the pattern is not arranged.
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