JP2018166035A - Microwave heating device and image recording device - Google Patents

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悠人 榎本
Yuto Enomoto
悠人 榎本
純一 増尾
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純一 増尾
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To suppress influences caused by thermal expansion of a heating chamber upon alignment of microwaves.SOLUTION: A microwave heating device comprises: a microwave generation part which radiates a microwave into a heating chamber; a short-circuit plate which reflects the microwave; and an aligner which re-reflects a microwave reflected by the short-circuit plate. The short-circuit plate is fixed and held by a support member, and the support member is coupled to a wall of the heating chamber by a coupling member. A thermal expansion coefficient of the support member and the coupling member is equal to or greater than a thermal expansion rate coefficient of a member forming the heating chamber. Thus, even in a case where thermal expansion occurs in the heating chamber, the support member and the coupling member are also thermally expanded together, thereby suppressing the thermal expansion of the heating chamber, and influences upon alignment of microwaves can be suppressed.SELECTED DRAWING: Figure 2

Description

この発明は、マイクロ波により被加熱体を加熱するマイクロ波加熱装置および該マイクロ波加熱装置を備える画像記録装置に関するものである。   The present invention relates to a microwave heating apparatus that heats an object to be heated by microwaves, and an image recording apparatus including the microwave heating apparatus.

従来、マイクロ波を出力し被加熱体を加熱するマイクロ波加熱装置が知られている(例えば、特許文献1)。このようなマイクロ波加熱装置においては、マイクロ波が導かれ、マイクロ波の進入方向の終端部が短絡されている導電性の加熱室を備えている。   Conventionally, a microwave heating apparatus that outputs microwaves and heats an object to be heated is known (for example, Patent Document 1). Such a microwave heating apparatus includes a conductive heating chamber in which microwaves are guided and a terminal portion in a microwave entering direction is short-circuited.

このような構成によれば、加熱室に導かれたマイクロ波(以降では、入射波と呼ぶ)と、加熱室内で反射されたマイクロ波(以降では、反射波と呼ぶ)とが整合することで効率よく被加熱体を加熱することができる。この際、重要となるのは入射波と反射波の波長がお互いを最も強め合うように整合することである。   According to such a configuration, the microwave guided to the heating chamber (hereinafter referred to as an incident wave) matches the microwave reflected in the heating chamber (hereinafter referred to as a reflected wave). The object to be heated can be efficiently heated. In this case, it is important to match the wavelengths of the incident wave and the reflected wave so as to strengthen each other most.

しかしながら、被加熱体の温度が上昇することで加熱室そのものの温度も上昇することとなる。そのため、加熱室を構成する筐体が熱膨張し筐体の全長が長くなる。これにより、あらかじめ入射波に対する反射波の反射のタイミングが異なることとなり、加熱効率が低下する問題がある。   However, as the temperature of the heated object rises, the temperature of the heating chamber itself also rises. For this reason, the casing constituting the heating chamber is thermally expanded, and the entire length of the casing is increased. Thereby, the reflection timing of the reflected wave with respect to the incident wave is different in advance, and there is a problem that the heating efficiency is lowered.

そこで、例えば特許文献2には、温度上昇による部材の熱膨張による影響を防ぐ手段が開示されている。具体的には、電子顕微鏡において熱膨張により絞り穴の位置が変化し軸ずれを起こすことを防ぐため、電子ビーム絞り板を二つ折りにする。そして、下部側の絞り板を固定することで上部の電子ビーム絞り板と下部の電子ビーム絞り板がそれぞれ逆方向に熱膨張することで絞り穴の位置の変化を防ぐことができる。   Thus, for example, Patent Document 2 discloses means for preventing the influence of the member due to thermal expansion due to temperature rise. Specifically, in order to prevent the position of the aperture hole from changing due to thermal expansion in the electron microscope and causing an axial shift, the electron beam aperture plate is folded in half. Then, by fixing the lower diaphragm plate, the upper electron beam diaphragm plate and the lower electron beam diaphragm plate are thermally expanded in opposite directions, respectively, so that a change in the position of the diaphragm hole can be prevented.

特開2013−97976号公報JP 2013-97976 A 特開平6−139981号公報JP-A-6-139981

マイクロ波加熱装置においては、被加熱物を効率よく加熱するためマイクロ波を共振させる必要がある。しかしながら、特許文献2の技術をマイクロ波加熱装置に適用することまでは開示されておらず、加熱室の熱膨張による影響を防ぐことができない。   In the microwave heating apparatus, it is necessary to resonate the microwave in order to efficiently heat the object to be heated. However, it is not disclosed until the technique of Patent Document 2 is applied to the microwave heating apparatus, and the influence of the thermal expansion of the heating chamber cannot be prevented.

本発明は上記課題に鑑みなされたものであり、加熱室の熱膨張によるマイクロ波の整合に対する影響を抑制することができるマイクロ波加熱装置および当該マイクロ波加熱装置を備えた画像記録装置を提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of the above problems, and provides a microwave heating apparatus and an image recording apparatus including the microwave heating apparatus that can suppress the influence on the matching of the microwaves due to the thermal expansion of the heating chamber. For the purpose.

本発明の第1の態様にかかる、マイクロ波加熱装置であって、被加熱物を収容する加熱室と、加熱室内にマイクロ波を放射するマイクロ波発生部と、マイクロ波の進行方向に設置され、マイクロ波を反射するとともに、加熱室内を加熱空間と被加熱空間とを仕切る短絡板と、マイクロ波発生部と加熱室との間に設けられ、短絡板で反射された反射マイクロ波を加熱空間内に再反射する整合器と、短絡板を非加熱空間側から支持する支持部材と、支持部材を固定保持しマイクロ波発生部と対向する加熱室の壁に連結する連結部材とを有し、支持部材を連結部材で固定保持する位置を変えることで、整合器に対する短絡板の距離を調整する位置調整機構と、を備え、支持部材および連結部材の熱膨張係数が、加熱室を形成する部材の熱膨張係数以上であることを特徴とする。   A microwave heating apparatus according to a first aspect of the present invention, which is installed in a heating chamber that houses an object to be heated, a microwave generator that radiates microwaves into the heating chamber, and a microwave traveling direction. The short-circuit plate that reflects the microwave and partitions the heating chamber and the space to be heated is provided between the microwave generator and the heating chamber, and the reflected microwave reflected by the short-circuit plate is heated in the heating space. A matching unit that re-reflects in, a support member that supports the short-circuit plate from the non-heating space side, and a connection member that holds the support member fixedly and connects to the wall of the heating chamber facing the microwave generation unit, A position adjusting mechanism that adjusts the distance of the short-circuit plate with respect to the matching device by changing the position where the supporting member is fixedly held by the connecting member, and the coefficient of thermal expansion of the supporting member and the connecting member forms a heating chamber. Less than the coefficient of thermal expansion And characterized in that.

第2の態様は、第1の態様に係るマイクロ波加熱装置であって、支持部材と連結部材が同じ熱膨張係数を有する部材であることを特徴とする。   A 2nd aspect is a microwave heating device which concerns on a 1st aspect, Comprising: A supporting member and a connection member are members which have the same thermal expansion coefficient, It is characterized by the above-mentioned.

本発明の第3の態様にかかる、画像記録装置であって、基材に向けて画像データに基づき複数のインク滴を吐出するヘッド部と、ヘッド部から吐出され、基材の表面に付着したインクにマイクロ波を照射して当該インクを加熱乾燥するマイクロ波加熱部と、ヘッド部およびマイクロ波加熱部に対して基材を相対移動させる移動部と、を備え、マイクロ波加熱部は、基材を搬入する基材搬入口と、基材を搬出する基材搬出口とを有する加熱室と、加熱室内に基材の搬送する方向と直交し、かつ基材の表面に平行にマイクロ波を放射するマイクロ波発生部と、マイクロ波の進行方向に設置され、マイクロ波を反射するとともに、加熱室内を加熱空間と被加熱空間とを仕切る短絡板と、マイクロ波発生部と加熱室との間に設けられ、短絡板で反射された反射マイクロ波を加熱空間内に再反射する整合器と、短絡板を非加熱空間側から支持する支持部材と、支持部材を固定保持しマイクロ波発生部と対向する加熱室の壁に連結する連結部材とを有し、支持部材を連結部材で固定保持する位置を変えることで、整合器に対する短絡板の距離を調整する位置調整機構と、を備え、支持部材および連結部材の熱膨張係数が、加熱室を形成する部材の熱膨張係数以上であることを特徴とする。   An image recording apparatus according to a third aspect of the present invention, wherein the head unit ejects a plurality of ink droplets toward the base material based on the image data, and is ejected from the head unit and adheres to the surface of the base material A microwave heating unit that irradiates the ink with microwaves to heat and dry the ink, and a moving unit that moves the substrate relative to the head unit and the microwave heating unit. A heating chamber having a substrate carrying-in port for carrying in the material, a substrate carrying-out port for carrying out the substrate, and a microwave orthogonal to the direction of carrying the substrate into the heating chamber and parallel to the surface of the substrate A microwave generation unit that radiates, a short-circuit plate that is installed in the traveling direction of the microwave, reflects the microwave, and partitions the heating space and the space to be heated, and between the microwave generation unit and the heating chamber Reflected by the short-circuit plate A matching unit that re-reflects the reflected microwave into the heating space, a support member that supports the short-circuit plate from the non-heating space side, and a support member that is fixedly held and connected to the wall of the heating chamber that faces the microwave generation unit. And a position adjusting mechanism that adjusts the distance of the short-circuit plate with respect to the aligner by changing the position where the support member is fixedly held by the connection member, and the coefficient of thermal expansion of the support member and the connection member is The thermal expansion coefficient of the member forming the heating chamber is equal to or higher than that.

第4の態様は、第3の態様に係る画像記録装置であって、マイクロ波加熱部を基材の搬送方向に沿って複数有し、それぞれのマイクロ波加熱部が備える短絡板と整合器を構成する誘電体層の厚みを調整し、前記基材の幅方向に対して前記マイクロ波の整合するピーク位置がそれぞれ異なるようにしていることを特徴とする。   A 4th aspect is an image recording device which concerns on a 3rd aspect, Comprising: The microwave heating part has two or more along the conveyance direction of a base material, The short circuit board and matching device with which each microwave heating part is provided The thickness of the dielectric layer to be configured is adjusted so that the peak positions where the microwaves are matched differ from each other in the width direction of the base material.

このように構成された発明では、加熱室の熱膨張による影響を抑制することができるため、安定した加熱乾燥を行うことができる。   In the invention configured as described above, since the influence of the thermal expansion of the heating chamber can be suppressed, stable heating and drying can be performed.

本発明に係るマイクロ波加熱装置の一実施形態の概略構成を示す斜視図である。It is a perspective view showing a schematic structure of one embodiment of a microwave heating device concerning the present invention. マイクロ波加熱装置のX−Z面での概略断面図である。It is a schematic sectional drawing in the XZ plane of a microwave heating device. マイクロ波加熱装置をX方向から見た正面図である。It is the front view which looked at the microwave heating device from the X direction. マイクロ波加熱装置において加熱による熱膨張前と熱膨張後の状態を示す図である。It is a figure which shows the state before thermal expansion by heating in a microwave heating apparatus, and after thermal expansion. 第2の実施形態を示す画像記録装置の概略構成を示す図である。It is a figure which shows schematic structure of the image recording apparatus which shows 2nd Embodiment. 図5のマイクロ波加熱部の概略構成を示す斜視図である。It is a perspective view which shows schematic structure of the microwave heating part of FIG. 第3の実施形態に係るマイクロ波加熱部の概略断面を示す図である。It is a figure which shows the schematic cross section of the microwave heating part which concerns on 3rd Embodiment. 図7のマイクロ波加熱部の概略構成を示す上面図である。It is a top view which shows schematic structure of the microwave heating part of FIG. 第3の実施形態における基材の温度分布を示す図である。It is a figure which shows the temperature distribution of the base material in 3rd Embodiment.

本発明の第1実施形態について図を参照しつつ説明する。   A first embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.

図1〜3を参照しつつ本発明にかかるマイクロ波加熱装置の一実施形態について説明する。図1はマイクロ波加熱装置10の概略構成を示す斜視図である。また、図2はマイクロ波加熱装置10のX−Z面での概略断面を示している。また、図3はマイクロ波加熱装置10をX方向から見た正面図である。   An embodiment of a microwave heating apparatus according to the present invention will be described with reference to FIGS. FIG. 1 is a perspective view showing a schematic configuration of the microwave heating apparatus 10. FIG. 2 shows a schematic cross section of the microwave heating apparatus 10 on the XZ plane. FIG. 3 is a front view of the microwave heating apparatus 10 as viewed from the X direction.

マイクロ波加熱装置10は、主たる構成として、マグネトロン等で構成されるマイクロ波発生部20と、被加熱物を内部に収容し、マイクロ波発生部20から放射されたマイクロ波によって被加熱物を加熱するための加熱室40と、マイクロ波発生部20と加熱室40との間に設けられる整合器30と、加熱室40内のマイクロ波の進行方向に配置される短絡板44と、整合器30に対する短絡板44の距離を調整する位置調整機構42とを備える。なお、マイクロ波発生部20と整合器30との間に、マイクロ波の電力を熱エネルギーに変換してマイクロ波発生部20を安定的に動作させるためのアイソレータを設けても良い。また、被加熱物としては半導体基板や液晶用の基板等、各種部材を加熱処理することができる。   The microwave heating apparatus 10 mainly includes a microwave generation unit 20 composed of a magnetron or the like, and an object to be heated, and heats the object to be heated by the microwave radiated from the microwave generation unit 20. A heating chamber 40, a matching unit 30 provided between the microwave generator 20 and the heating chamber 40, a short-circuit plate 44 disposed in the traveling direction of the microwave in the heating chamber 40, and the matching unit 30 And a position adjusting mechanism 42 for adjusting the distance of the short-circuit plate 44 with respect to. Note that an isolator for converting the microwave power into heat energy and causing the microwave generator 20 to operate stably may be provided between the microwave generator 20 and the matching unit 30. In addition, various members such as a semiconductor substrate and a liquid crystal substrate can be heat-treated as an object to be heated.

マイクロ波発生部20は、加熱室40の壁W1(図2)の図示を省略するマイクロ波導入口に対応する位置に取り付けられている。そして、マイクロ波発生部20は、マイクロ波MWを発生する。マイクロ波発生部20が加熱室40の壁W1のマイクロ波導入口に対応する位置に取り付けられることにより、マイクロ波発生部20は、整合器30を介してマイクロ波MWを加熱室40内に放射することができる。   The microwave generation unit 20 is attached at a position corresponding to a microwave introduction port (not shown) of the wall W <b> 1 (FIG. 2) of the heating chamber 40. Then, the microwave generator 20 generates a microwave MW. By attaching the microwave generation unit 20 to a position corresponding to the microwave inlet of the wall W <b> 1 of the heating chamber 40, the microwave generation unit 20 radiates the microwave MW into the heating chamber 40 via the matching unit 30. be able to.

加熱室40は、X方向に長い中空構造の筐体であり、被加熱物を出し入れ可能とする開口部41が壁W3に形成されている。つまり、開口部41は、マイクロ波導入口が形成される面(壁W1)、およびマイクロ波導入口と対向する面(壁W2)とは異なる面(本実施形態では壁W3)に設けられている。また、開口部41には図示を省略するシャッターを備える。   The heating chamber 40 is a housing having a hollow structure that is long in the X direction, and an opening 41 that allows a heated object to be taken in and out is formed in the wall W3. That is, the opening 41 is provided on a surface (wall W3) different from the surface (wall W1) where the microwave introduction port is formed and the surface (wall W2) facing the microwave introduction port. The opening 41 is provided with a shutter (not shown).

加熱室40のマイクロ波発生部20側の側面である壁W1には、マイクロ波MWを内部に導くためのマイクロ波導入口が設けられている。したがって、マイクロ波発生部20より出力されたマイクロ波は、マイクロ波発生部20側からX方向に向けてマイクロ波導入口より加熱室40内にマイクロ波が導かれる。また、加熱室40の内部は導波路として機能する。このような、加熱室40の構成材料としては、例えば、アルミニウム、銅、ステンレスなどが利用可能である。したがって、加熱室40全体が熱伝導により加熱される。また、加熱室40はシールド構造を有している。これにより、加熱室40からのマイクロ波の流出を防ぐことができる。   A microwave introduction port for guiding the microwave MW to the inside is provided on the wall W1 that is the side surface of the heating chamber 40 on the microwave generation unit 20 side. Therefore, the microwave output from the microwave generation unit 20 is guided into the heating chamber 40 from the microwave introduction port in the X direction from the microwave generation unit 20 side. The inside of the heating chamber 40 functions as a waveguide. As such a constituent material of the heating chamber 40, for example, aluminum, copper, stainless steel, or the like can be used. Therefore, the entire heating chamber 40 is heated by heat conduction. The heating chamber 40 has a shield structure. Thereby, the outflow of the microwave from the heating chamber 40 can be prevented.

整合器30は、誘電率の高い材料で構成されており、例えば、材料として高密度ポリエチレン(UHMW)、ポリテトラフルオロエチレン等の樹脂材料、石英、その他高誘電率材料で構成されており、厚み調整された板状の部材である。本実施形態においては、誘電体層の厚みを整合器30内におけるマイクロ波の波長1/3となるよう調整されている。高誘電率材料により構成された部材である整合器30を加熱室40のマイクロ波導入口に配置することにより、整合器30は、電界強度をマイクロ波発生部20にて発生したマイクロ波の電界強度の2倍よりも大きくできる。また、整合器30としては、できるだけ加熱されにくい材料で構成されるのが好ましい。加工容易性ならびにコスト面の観点から、実用的には高密度ポリエチレンを用いるのが好適である。   The matching unit 30 is made of a material having a high dielectric constant. For example, the matching unit 30 is made of a resin material such as high density polyethylene (UHMW) or polytetrafluoroethylene, quartz, or other high dielectric constant material. It is the adjusted plate-shaped member. In the present embodiment, the thickness of the dielectric layer is adjusted to be 1/3 of the microwave wavelength in the matching unit 30. By arranging the matching unit 30, which is a member made of a high dielectric constant material, at the microwave inlet of the heating chamber 40, the matching unit 30 generates the electric field strength of the microwave generated by the microwave generator 20. It can be larger than twice. The matching unit 30 is preferably made of a material that is not easily heated as much as possible. From the viewpoint of processability and cost, it is preferable to use high-density polyethylene practically.

短絡板44は、高密度ポリエチレンで形成される板状の部材であり短絡してさせている。短絡板44は、加熱室40の内側において、マイクロ波MWの進行方向に設置され、マイクロ波MWを反射するとともに、加熱室40に被加熱物を収容し加熱処理する加熱空間HSと、被加熱物を収容せず後述する短絡板44の位置を調整する位置調整機構42の一部を収容する非加熱空間NHSとに仕切っている。短絡板44の加熱空間HS側の面はマイクロ波MWを反射する反射面を形成する。また、短絡板44の周縁部と加熱室40の内壁面との間には摺動子が設けられており、短絡板44は加熱室40内を加熱室40の長さ方向に摺動可能となっている。   The short-circuit plate 44 is a plate-like member formed of high-density polyethylene and is short-circuited. The short-circuit plate 44 is installed inside the heating chamber 40 in the traveling direction of the microwave MW, reflects the microwave MW, accommodates the object to be heated in the heating chamber 40, and heats the heating space HS. It is partitioned into a non-heating space NHS that accommodates a part of a position adjusting mechanism 42 that adjusts the position of a short-circuit plate 44 described later without accommodating an object. The surface on the heating space HS side of the short-circuit plate 44 forms a reflection surface that reflects the microwave MW. Further, a slider is provided between the peripheral edge of the short-circuit plate 44 and the inner wall surface of the heating chamber 40, and the short-circuit plate 44 can slide in the length direction of the heating chamber 40 within the heating chamber 40. It has become.

加熱空間HSにおいて被加熱物が加熱処理される際、その内部の雰囲気も加熱され加熱室40の壁全体が熱伝導により加熱される。したがって、非加熱空間NHS内も結果的に加熱されることとなる。   When the object to be heated is heat-treated in the heating space HS, the atmosphere inside the object is also heated, and the entire wall of the heating chamber 40 is heated by heat conduction. Accordingly, the non-heated space NHS is also heated as a result.

位置調整機構42は、短絡板44を非加熱空間NHS側から支持する支持部材43と、支持部材43を固定保持しマイクロ波発生部20と対向する加熱室40の壁W2に形成される図示を省略する開口に連結する連結部材45とから構成されている。   The position adjustment mechanism 42 is formed on a support member 43 that supports the short-circuit plate 44 from the non-heating space NHS side, and is formed on the wall W2 of the heating chamber 40 that holds the support member 43 fixed and faces the microwave generation unit 20. The connecting member 45 is connected to the opening to be omitted.

支持部材43は短絡板44に連結し、加熱室40の壁W2から突出する長さを有し、その形状は四角柱となっている。なお、支持部材43の形状は四角柱に限定されるものではなく、円柱状でもよくその他の形状でも良い。   The support member 43 is connected to the short-circuit plate 44 and has a length protruding from the wall W2 of the heating chamber 40, and the shape thereof is a quadrangular column. Note that the shape of the support member 43 is not limited to a quadrangular prism, and may be a cylindrical shape or other shapes.

連結部材45は、加熱室40の壁に形成される開口に連結されており、環形状を有している。したがって、支持部材43の周囲を固定保持することができる。また連結部材45は支持部材43を固定保持する状態と、開放する状態とに切り換え可能となっている。   The connecting member 45 is connected to an opening formed in the wall of the heating chamber 40 and has a ring shape. Therefore, the periphery of the support member 43 can be fixed and held. The connecting member 45 can be switched between a state in which the support member 43 is fixedly held and a state in which the support member 43 is released.

したがって、連結部材45における支持部材43の固定保持する位置を変えることで、整合器30に対する短絡板44の距離を調整することができる。これにより、マイクロ波の入射波IWの位相と、反射波RWの位相との位相ずれを任意に調整可能となり、入射波IWと反射波RWの共振が最大となるように位相を調整可能である。   Therefore, the distance of the short-circuit plate 44 relative to the matching device 30 can be adjusted by changing the position where the support member 43 is fixedly held in the connecting member 45. Thereby, the phase shift between the phase of the incident wave IW of the microwave and the phase of the reflected wave RW can be arbitrarily adjusted, and the phase can be adjusted so that the resonance between the incident wave IW and the reflected wave RW becomes maximum. .

位置調整機構42による短絡板44の整合器30に対する位置調整は、加熱処理を行う前に実施される。そして、加熱処理中は、連結部材45は支持部材43を固定保持した状態となる。   The position adjustment of the short-circuit plate 44 with respect to the aligner 30 by the position adjustment mechanism 42 is performed before the heat treatment is performed. During the heat treatment, the connecting member 45 is in a state where the support member 43 is fixedly held.

また、支持部材43および連結部材45は、加熱室40を構成する部材の熱膨張係数以上の熱膨張係数を有する部材で構成される。具体的には、例えば加熱室40がアルミニウムで構成されている場合、支持部材43および連結部材45はポリテトラフルオロエチレンで構成されるのが好適である。これらの部材が採用された場合、ポリテトラフルオロエチレンの線膨張係数は、アルミニウムの線膨張係数の約4倍大きい。なお、本実施形態においては長さ方向の伸びを考慮し熱膨張係数を線膨張係数と等価としている。また、支持部材43と連結部材45は同じ熱膨張係数を有する部材であることが好ましい。   Further, the support member 43 and the connecting member 45 are configured by members having a thermal expansion coefficient equal to or higher than the thermal expansion coefficient of the members constituting the heating chamber 40. Specifically, for example, when the heating chamber 40 is made of aluminum, the support member 43 and the connecting member 45 are preferably made of polytetrafluoroethylene. When these members are employed, the linear expansion coefficient of polytetrafluoroethylene is about 4 times larger than that of aluminum. In the present embodiment, the thermal expansion coefficient is equivalent to the linear expansion coefficient in consideration of elongation in the length direction. Moreover, it is preferable that the support member 43 and the connection member 45 are members having the same thermal expansion coefficient.

図4では、加熱処理前のマイクロ波加熱装置10の状態を図4(a)で示し、加熱処理によって熱膨張が生じた状態のマイクロ波加熱装置10の状態を図4(b)で示している。なお、いずれの図でも加熱室40はアルミニウムで構成され、位置調整機構42はポリテトラフルオロエチレンで構成されている。   In FIG. 4, the state of the microwave heating device 10 before the heat treatment is shown in FIG. 4A, and the state of the microwave heating device 10 in a state where thermal expansion is caused by the heat treatment is shown in FIG. Yes. In any of the drawings, the heating chamber 40 is made of aluminum, and the position adjusting mechanism 42 is made of polytetrafluoroethylene.

図4(a)では、加熱処理による影響が生じておらず加熱室40のX方向の寸法(言い換えると、整合器30と短絡板44との距離)は、あらかじめ設定した状態のままである。しかし、マイクロ波MWを照射し被加熱物が加熱されることで加熱空間HS内の温度が上昇し、加熱室40の温度が上昇する。加熱室40はアルミニウムで構成されており、温度上昇により熱膨張が生じる。特に加熱室40はX方向に熱膨張で伸びる。   In FIG. 4A, the influence of the heat treatment does not occur, and the dimension in the X direction of the heating chamber 40 (in other words, the distance between the matching unit 30 and the short-circuit plate 44) remains set in advance. However, when the object to be heated is irradiated with the microwave MW, the temperature in the heating space HS rises, and the temperature of the heating chamber 40 rises. The heating chamber 40 is made of aluminum, and thermal expansion occurs due to a temperature rise. In particular, the heating chamber 40 extends in the X direction due to thermal expansion.

一方、本実施形態においては位置調整機構42をポリテトラフルオロエチレンで構成しているため、図4(b)で示すように、支持部材43および連結部材45には熱膨張が生じる。しかし、ポリテトラフルオロエチレンはアルミニウムに比べて熱膨張係数が大きいため、アルミニウムに生じた熱膨張による変位を抑制するようにポリテトラフルオロエチレンで構成される支持部材43および連結部材45は熱膨張を行う。これにより、あらかじめ設定された整合器30と短絡板44との距離の変位を抑制することができる。そのため、熱膨張による整合のずれの発生を抑制し安定した連続運転が可能となる。   On the other hand, in this embodiment, since the position adjusting mechanism 42 is made of polytetrafluoroethylene, thermal expansion occurs in the support member 43 and the connecting member 45 as shown in FIG. However, since polytetrafluoroethylene has a larger coefficient of thermal expansion than aluminum, the support member 43 and the connecting member 45 made of polytetrafluoroethylene have a thermal expansion so as to suppress displacement due to the thermal expansion generated in aluminum. Do. Thereby, the displacement of the distance of the matching device 30 and the short circuit board 44 which were set beforehand can be suppressed. Therefore, it is possible to suppress the occurrence of misalignment due to thermal expansion and perform stable continuous operation.

本発明の第2実施形態について図を参照しつつ説明する。   A second embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.

図5、6を参照しつつ本発明にかかるマイクロ波加熱部を備えた画像記録装置の一実施形態について説明する。図5は画像記録装置1の概略構成を示す図である。また、図6は画像記録装置1に備えられたマイクロ波加熱部10Aの概略構成を示す斜視図である。   An embodiment of an image recording apparatus provided with a microwave heating unit according to the present invention will be described with reference to FIGS. FIG. 5 is a diagram showing a schematic configuration of the image recording apparatus 1. 6 is a perspective view showing a schematic configuration of a microwave heating unit 10A provided in the image recording apparatus 1. FIG.

この画像記録装置1は、インクジェット方式により長尺帯状である印刷用紙等の基材Pに向けてインク滴を吐出して基材Pの表面に画像を記録するものである。   The image recording apparatus 1 records an image on the surface of the substrate P by ejecting ink droplets toward the substrate P such as a long strip of printing paper by an inkjet method.

画像記録装置1は、基材Pを移動させる移動部3と、ヘッド部4と、マイクロ波加熱部10Aおよび制御部7とを備える。   The image recording apparatus 1 includes a moving unit 3 that moves the base material P, a head unit 4, a microwave heating unit 10A, and a control unit 7.

移動部3は、ロール状の基材Pが配置される巻き出し部5と、巻き出し部5から巻き出された後、その長手方向に水平搬送されてロール状に巻き取る巻き取り部6と、搬送途中に基材Pを支持する複数の補助ローラ3aとを備える。移動部3は、例えば巻き取り部6に設けられた駆動モータを回転駆動させるとともに、基材Pの搬送速度や位置情報等をロータリーエンコーダ等で検出する。   The moving unit 3 includes an unwinding unit 5 on which the roll-shaped substrate P is disposed, and a winding unit 6 that is unwound from the unwinding unit 5 and then horizontally transported in the longitudinal direction and wound up in a roll shape. And a plurality of auxiliary rollers 3a that support the base material P in the middle of conveyance. The moving unit 3 rotates, for example, a drive motor provided in the winding unit 6 and detects the conveyance speed, position information, and the like of the substrate P with a rotary encoder or the like.

基材Pが水平搬送される区間に、ヘッド部4とマイクロ波加熱部10Aが基材Pの搬送方向に沿って設けられている。ヘッド部4は水平搬送される基材Pの上方に配置され、基材Pの搬送方向に配列された第1ヘッド4C、第2ヘッド4M、第3ヘッド4Yおよび第4ヘッド4Kを備える。例えば、第1ヘッド4CはC(シアン)のインク滴を、第2ヘッド4MはM(マゼンタ)のインク滴を、第3ヘッド4YはY(イエロー)のインク滴を、第4ヘッド4KはK(ブラック)のインク滴を、基材Pの表面(上面)に向けてそれぞれ複数、吐出する。また、第1ヘッド4C、第2ヘッド4M、第3ヘッド4Yおよび第4ヘッド4Kは、例えば、異なる3種類のサイズの大、中、小のインク滴を選択的に吐出可能な構成となっている。   In the section in which the base material P is horizontally transported, the head unit 4 and the microwave heating unit 10A are provided along the transport direction of the base material P. The head unit 4 includes a first head 4C, a second head 4M, a third head 4Y, and a fourth head 4K that are arranged above the base material P that is horizontally transported and arranged in the transport direction of the base material P. For example, the first head 4C produces C (cyan) ink drops, the second head 4M produces M (magenta) ink drops, the third head 4Y produces Y (yellow) ink drops, and the fourth head 4K produces K ink. A plurality of (black) ink droplets are ejected toward the surface (upper surface) of the substrate P. In addition, the first head 4C, the second head 4M, the third head 4Y, and the fourth head 4K are configured to selectively eject large, medium, and small ink droplets of three different sizes, for example. Yes.

第1ヘッド4Cは、基材Pと対向する底面に、基材Pの搬送方向と直交し、かつ基材Pの上面に平行な方向(基材Pの幅方向とも呼ぶ)に亘って配列された複数の吐出口(図示せず)を有し、この複数の吐出口からCのインク滴をそれぞれ吐出する。複数の吐出口は、基材Pの幅方向において画像を記録すべき寸法以上に亘って設けられている。同様に、第2ヘッド4M、第3ヘッド4Y、第4ヘッド4Kにも複数の吐出口がそれぞれ設けられている。   The first head 4C is arranged on the bottom surface facing the base material P over a direction (also referred to as the width direction of the base material P) that is orthogonal to the transport direction of the base material P and parallel to the top surface of the base material P. A plurality of ejection openings (not shown) are provided, and C ink droplets are respectively ejected from the plurality of ejection openings. The plurality of ejection openings are provided over the dimension in which an image is to be recorded in the width direction of the substrate P. Similarly, the second head 4M, the third head 4Y, and the fourth head 4K are also provided with a plurality of ejection openings, respectively.

マイクロ波加熱部10Aは、ヘッド部4の基材Pの搬送方向における下流側に配置されている。マイクロ波加熱部10Aは、ヘッド部4により基材Pに向けて吐出され、その表面にインクが付着している基材Pにマイクロ波を照射し、基材Pに対して乾燥処理を施す。マイクロ波加熱部10Aにて基材Pに照射されるマイクロ波は、例えば波長が150mm、周波数が2.45GHzのマイクロ波である。   10 A of microwave heating parts are arrange | positioned in the downstream in the conveyance direction of the base material P of the head part 4. As shown in FIG. 10 A of microwave heating parts are discharged toward the base material P by the head part 4, and irradiate a microwave to the base material P to which the ink has adhered to the surface, and perform the drying process with respect to the base material P. FIG. The microwave with which the substrate P is irradiated by the microwave heating unit 10A is a microwave having a wavelength of 150 mm and a frequency of 2.45 GHz, for example.

制御部7は、CPUやメモリ(ROM,RAM等)などを有するコンピュータであり、ヘッド部4、マイクロ波加熱部10Aおよび移動部3にそれぞれ電気的に接続されている。そして、メモリに画像記録すべき画像データが記憶され、公知の画像データ処理によりヘッド部4を駆動するための記録信号に変換し、ヘッド部4からインク滴を吐出するように制御する。また、エンコーダ等からの入力に基づいて移動部3を制御する。   The control unit 7 is a computer having a CPU, a memory (ROM, RAM, etc.), and is electrically connected to the head unit 4, the microwave heating unit 10A, and the moving unit 3, respectively. Then, image data to be recorded is stored in the memory, converted into a recording signal for driving the head unit 4 by known image data processing, and controlled to eject ink droplets from the head unit 4. Further, the moving unit 3 is controlled based on an input from an encoder or the like.

マイクロ波加熱部10Aは、図6に示すようにマグネトロン等で構成されるマイクロ波発生部20Aと、被加熱物を内部に収容し、マイクロ波発生部20から放射されたマイクロ波によって基材Pを加熱するための加熱室40と、マイクロ波発生部20Aと加熱室40との間に設けられる整合器30と、加熱室40内のマイクロ波の進行方向に配置される図示を省略する短絡板を整合器30に対して距離を調整する位置調整機構42とを備える。なお、各部において第1の実施形態におけるマイクロ波加熱処理装置と同一構成については同一符号を付与し説明を省略する。   As shown in FIG. 6, the microwave heating unit 10 </ b> A contains a microwave generation unit 20 </ b> A composed of a magnetron or the like, and an object to be heated inside, and the substrate P is formed by microwaves radiated from the microwave generation unit 20. A heating chamber 40 for heating the heating chamber, a matching unit 30 provided between the microwave generator 20A and the heating chamber 40, and a short-circuit plate (not shown) disposed in the traveling direction of the microwave in the heating chamber 40 And a position adjusting mechanism 42 that adjusts the distance to the matching unit 30. In addition, in each part, the same code | symbol is provided about the same structure as the microwave heat processing apparatus in 1st Embodiment, and description is abbreviate | omitted.

加熱室40は基材Pを受け入れる図示を省略するスリット状の搬入口と、加熱室40あら基材Pが排出されるスリット状の搬出口41Aとを備える。   The heating chamber 40 includes a slit-shaped carry-in port (not shown) that receives the substrate P, and a slit-shaped carry-out port 41A through which the substrate P is discharged.

そして、ヘッド部4により基材Pに向けて吐出され、その表面にインクが付着している基材Pがマイクロ波加熱部10Aの加熱室40の搬入口に搬入され、加熱室40の内部でマイクロ波が照射され、基材P上のインクが加熱乾燥され、搬出口41Aから基材Pが搬出される。   And the base material P which was discharged toward the base material P by the head part 4 and the ink adheres to the surface is carried in into the entrance of the heating chamber 40 of 10 A of microwave heating parts, and the inside of the heating chamber 40 The microwave is irradiated, the ink on the substrate P is heated and dried, and the substrate P is carried out from the carry-out port 41A.

本実施形態では、マイクロ波加熱部10Aとして第1の実施形態と同様の構成を有するため、加熱室40の熱膨張が生じたとしても、あらかじめ調節したマイクロ波の整合を維持することができ安定した連続運転が可能となる。   In this embodiment, since the microwave heating unit 10A has the same configuration as that of the first embodiment, even if the thermal expansion of the heating chamber 40 occurs, the microwave alignment adjusted in advance can be maintained and stable. Continuous operation is possible.

続いて、本発明の第3実施形態について図を参照しつつ説明する。第3の実施形態が第2の実施形態と異なる点は、マイクロ波加熱部10Bである。そのため、マイクロ波加熱部10Bについてのみ図7、8を参照しつつ説明する。図7は、マイクロ波加熱部10Bの概略断面を示す図であり、図8はマイクロ波加熱部10Bの概略構成を示す上面図である。   Next, a third embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. The third embodiment is different from the second embodiment in a microwave heating unit 10B. Therefore, only the microwave heating unit 10B will be described with reference to FIGS. FIG. 7 is a diagram showing a schematic cross section of the microwave heating unit 10B, and FIG. 8 is a top view showing a schematic configuration of the microwave heating unit 10B.

本実施形態の説明においては、第1の実施形態と同一の構成については同一符号を付与して説明を省略する。そして、相違点について主として説明する。   In the description of the present embodiment, the same components as those in the first embodiment are denoted by the same reference numerals and description thereof is omitted. The differences will be mainly described.

マイクロ波加熱部10Bは、マイクロ波発生部20Bと、加熱室40A、40B、40Cの3つの加熱室から構成されている。また、各加熱室40A〜40Cにおける主たる相違点は短絡板44A〜44Cと整合器30A〜30Cにおける誘電体層の厚みである。このように誘電体層の厚みが異なることでマイクロ波における最も共振するピーク位置を基材Pの幅方向において制御することができる。   The microwave heating unit 10B includes a microwave generating unit 20B and three heating chambers 40A, 40B, and 40C. Moreover, the main difference in each heating chamber 40A-40C is the thickness of the dielectric material layer in short circuit board 44A-44C and matching device 30A-30C. Thus, the most resonating peak position in the microwave can be controlled in the width direction of the base material P by the thicknesses of the dielectric layers being different.

図9は、それぞれの加熱室40A〜40Bにおける基材Pの幅方向の温度分布を示している。特に実線401Aは、加熱室40Aにおける基材Pに対する幅方向の温度分布を示し、破線401Bは、加熱室40Bにおける基材Pに対する幅方向の温度分布を示し、一点鎖線401Cは、加熱室40Cにおける基材Pに対する幅方向の温度分布を示ししている。   FIG. 9 shows the temperature distribution in the width direction of the base material P in each of the heating chambers 40A to 40B. In particular, the solid line 401A indicates the temperature distribution in the width direction relative to the substrate P in the heating chamber 40A, the broken line 401B indicates the temperature distribution in the width direction relative to the substrate P in the heating chamber 40B, and the alternate long and short dash line 401C indicates the temperature distribution in the heating chamber 40C. The temperature distribution of the width direction with respect to the base material P is shown.

図8で示したように、各加熱室40A〜40Cが備える短絡板44A〜44Cと整合器30A〜30Cにおける誘電体層の厚み調整することで、図9で図示されるようにマイクロ波の共振するピーク位置を基材Pの幅方向において異ならせることができる。マイクロ波のピークが高い基材P上の位置は温度上昇が起こる。したがって、マイクロ波のピーク位置は、基材Pの幅方向における温度分布に対応する。本実施形態で示すように、加熱室40A〜40Cのマイクロ波のピークの位置を基材Pの幅方向にずらせることで、各基材Pの幅方向において均一に加熱乾燥することができる。   As shown in FIG. 8, by adjusting the thickness of the dielectric layers in the short-circuit plates 44 </ b> A to 44 </ b> C and the matching units 30 </ b> A to 30 </ b> C included in the heating chambers 40 </ b> A to 40 </ b> C, The peak position to be made can be varied in the width direction of the substrate P. A temperature rise occurs at a position on the substrate P where the peak of the microwave is high. Therefore, the peak position of the microwave corresponds to the temperature distribution in the width direction of the substrate P. As shown in the present embodiment, by shifting the positions of the microwave peaks of the heating chambers 40A to 40C in the width direction of the base material P, it is possible to uniformly heat and dry the base materials P in the width direction.

以上、各実施形態について説明してきたが、本発明は上記のようなものに限定されるものではなく、様々な変形が可能である。   While the embodiments have been described above, the present invention is not limited to the above, and various modifications can be made.

第2および第3の実施形態では、基材Pとして印刷用紙を例にとったがこれらに限られるものではなく、例えば、フィルムや金属箔などの基材を用いても良い。   In the second and third embodiments, the printing paper is taken as an example of the substrate P, but is not limited thereto, and for example, a substrate such as a film or a metal foil may be used.

また、第2および第3の実施形態では、加熱室をヘッド部4の搬送方向下流側に配置したがこれに限定されるものではなく、例えばヘッド部4の搬送方向上流側に配置することで、基材Pをあらかじめ加熱するプレヒートとして利用可能である。   In the second and third embodiments, the heating chamber is disposed on the downstream side in the transport direction of the head unit 4. However, the present invention is not limited to this. For example, the heating chamber is disposed on the upstream side in the transport direction of the head unit 4. The base P can be used as a preheat for preheating.

この発明は詳細に説明されたが、上記した説明は、すべての局面において、例示であって、この発明がそれに限定されるものではない。例示されていない無数の変形例が、この発明の範囲から外れることなく想定され得るものと解される。また、上記実施形態で説明した各構成は、相互に矛盾しない限り適宜組み合わせることができる。   Although the present invention has been described in detail, the above description is illustrative in all aspects, and the present invention is not limited thereto. It is understood that countless variations that are not illustrated can be envisaged without departing from the scope of the present invention. Moreover, each structure demonstrated by the said embodiment can be suitably combined unless it mutually contradicts.

1 画像記録装置
3 移動部
4 ヘッド部
7 制御部
10 マイクロ波加熱装置
10A、10B マイクロ波加熱部
20、20A、20B マイクロ波発生部
30、30A〜30C 整合器
40、40A〜40C 加熱室
42 位置調整機構
43 支持部材
44 短絡板
45 連結部材
IW 入射波
RW 反射波
MW マイクロ波
HS 加熱空間
NHS 非加熱空間
P 基材
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Image recording device 3 Moving part 4 Head part 7 Control part 10 Microwave heating apparatus 10A, 10B Microwave heating part 20, 20A, 20B Microwave generation part 30, 30A-30C Matching device 40, 40A-40C Heating chamber 42 Position Adjustment mechanism 43 Support member 44 Short-circuit plate 45 Connecting member IW Incident wave RW Reflected wave MW Microwave HS Heating space NHS Non-heating space P Base material

Claims (4)

被加熱物を収容する加熱室と、
前記加熱室内にマイクロ波を放射するマイクロ波発生部と、
前記マイクロ波の進行方向に設置され、前記マイクロ波を反射するとともに、前記加熱室内を加熱空間と被加熱空間とを仕切る短絡板と、
前記マイクロ波発生部と前記加熱室との間に設けられ、前記短絡板で反射された反射マイクロ波を前記加熱空間内に再反射する整合器と、
前記短絡板を前記非加熱空間側から支持する支持部材と、前記支持部材を固定保持し前記マイクロ波発生部と対向する前記加熱室の壁に連結する連結部材とを有し、前記支持部材を前記連結部材で固定保持する位置を変えることで、前記整合器に対する前記短絡板の距離を調整する位置調整機構と、を備え、
前記支持部材および前記連結部材の熱膨張係数が、前記加熱室を形成する部材の熱膨張係数以上であることを特徴とするマイクロ波加熱装置。
A heating chamber for storing an object to be heated;
A microwave generator for radiating microwaves into the heating chamber;
A short-circuit plate that is installed in the traveling direction of the microwave, reflects the microwave, and partitions the heating space and the heated space in the heating chamber;
A matching unit provided between the microwave generation unit and the heating chamber and re-reflecting the reflected microwave reflected by the short-circuit plate into the heating space;
A support member that supports the short-circuit plate from the non-heating space side, and a connection member that fixes and holds the support member and connects to the wall of the heating chamber facing the microwave generation unit, and the support member A position adjusting mechanism for adjusting a distance of the short-circuit plate with respect to the matching device by changing a position to be fixedly held by the connecting member;
The microwave heating apparatus, wherein the support member and the connecting member have a thermal expansion coefficient equal to or higher than a thermal expansion coefficient of a member forming the heating chamber.
請求項1に記載のマイクロ波加熱装置であって、
前記支持部材と前記連結部材が同じ熱膨張係数を有する部材であることを特徴とするマイクロ波加熱装置。
The microwave heating apparatus according to claim 1,
The microwave heating apparatus, wherein the support member and the connecting member are members having the same thermal expansion coefficient.
基材に向けて、画像データに基づき複数のインク滴を吐出するヘッド部と、
ヘッド部から吐出され、基材の表面に付着したインクにマイクロ波を照射して当該インクを加熱乾燥するマイクロ波加熱部と、
ヘッド部およびマイクロ波加熱部に対して基材を相対移動させる移動部と、を備え、
前記マイクロ波加熱部は、
前記基材を搬入する基材搬入口と、前記基材を搬出する基材搬出口とを有する加熱室と、
前記加熱室内に前記基材の搬送する方向と直交し、かつ前記基材の表面に平行にマイクロ波を放射するマイクロ波発生部と、
前記マイクロ波の進行方向に設置され、前記マイクロ波を反射するとともに、前記加熱室内を加熱空間と被加熱空間とを仕切る短絡板と、
前記マイクロ波発生部と前記加熱室との間に設けられ、前記短絡板で反射された反射マイクロ波を前記加熱空間内に再反射する整合器と、
前記短絡板を前記非加熱空間側から支持する支持部材と、前記支持部材を固定保持し前記マイクロ波発生部と対向する前記加熱室の壁に連結する連結部材とを有し、前記支持部材を前記連結部材で固定保持する位置を変えることで、前記整合器に対する前記短絡板の距離を調整する位置調整機構と、を備え、
前記支持部材および前記連結部材の熱膨張係数が、前記加熱室を形成する部材の熱膨張係数以上であることを特徴とする画像記録装置。
A head unit that ejects a plurality of ink droplets based on image data toward the substrate;
A microwave heating unit that irradiates the ink discharged from the head unit and adheres to the surface of the substrate with microwaves, and heats and drys the ink;
A moving unit that moves the substrate relative to the head unit and the microwave heating unit,
The microwave heating unit is
A heating chamber having a substrate carrying-in port for carrying in the substrate and a substrate carrying-out port carrying out the substrate;
A microwave generator that radiates microwaves in a direction perpendicular to the direction in which the substrate is transported into the heating chamber and parallel to the surface of the substrate;
A short-circuit plate that is installed in the traveling direction of the microwave, reflects the microwave, and partitions the heating space and the heated space in the heating chamber;
A matching unit provided between the microwave generation unit and the heating chamber and re-reflecting the reflected microwave reflected by the short-circuit plate into the heating space;
A support member that supports the short-circuit plate from the non-heating space side, and a connection member that fixes and holds the support member and connects to the wall of the heating chamber facing the microwave generation unit, and the support member A position adjusting mechanism for adjusting a distance of the short-circuit plate with respect to the matching device by changing a position to be fixedly held by the connecting member;
An image recording apparatus, wherein the support member and the connecting member have a thermal expansion coefficient equal to or greater than a thermal expansion coefficient of a member forming the heating chamber.
請求項3に記載の画像記録装置であって、
前記マイクロ波加熱部を前記基材の搬送方向に沿って複数有し、
それぞれの前記マイクロ波加熱部が備える前記短絡板と前記整合器を構成する誘電体層の厚みを調整し、前記基材の幅方向に対して前記マイクロ波の共振するピーク位置がそれぞれ異なるようにしていることを特徴とする画像記録装置。

The image recording apparatus according to claim 3,
Having a plurality of the microwave heating unit along the transport direction of the substrate,
The thickness of the dielectric layer constituting the matching plate and the short-circuit plate provided in each of the microwave heating units is adjusted so that the peak positions where the microwaves resonate are different with respect to the width direction of the substrate. An image recording apparatus.

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