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Abstract
Description
本発明は、板状物の裏面に膜が成膜され、複数の分断予定ラインが設定された被加工物の加工方法に関する。 The present invention relates to a processing method for a workpiece in which a film is formed on the back surface of a plate-like object and a plurality of division lines are set.
金属膜や樹脂膜等、特に延性を有する膜を備える板状物を切削ブレードで切削すると、切削ブレードに膜による目詰まりが生じる。そこで、切削加工を施す前に、予め上記膜をレーザビームで除去する方法が提案されている(例えば、特許文献1参照)。 When a plate-like object having a ductile film such as a metal film or a resin film is cut with a cutting blade, the cutting blade is clogged with the film. Therefore, a method of removing the film with a laser beam in advance before cutting is proposed (for example, see Patent Document 1).
しかし、レーザビームで膜を除去するとデブリが発生する上、一般的に高価なレーザ加工装置を利用して加工することになるため製造コストも嵩むという問題がある。 However, when the film is removed with a laser beam, debris is generated, and processing is generally performed using an expensive laser processing apparatus, resulting in an increase in manufacturing cost.
よって、成膜された板状の被加工物を加工する場合には、切削ブレードに目詰まりを発生させることなく、かつ、レーザ加工装置を利用せずとも被加工物を加工できるようにするという課題がある。 Therefore, when processing a film-shaped plate-shaped workpiece, the workpiece can be processed without causing clogging of the cutting blade and without using a laser processing apparatus. There are challenges.
上記課題を解決するための本発明は、板状物の裏面に膜が成膜され、複数の分断予定ラインが設定された被加工物の加工方法であって、被加工物の表面から該分断予定ラインに沿って溝を形成する溝形成ステップと、該溝形成ステップを実施した後、被加工物の表面側を保持して被加工物の裏面側の該膜を露出させる保持ステップと、該保持ステップを実施した後、被加工物の該裏面側に高圧水を噴射して該溝に沿って該膜を分断し、少なくとも一部の該溝を該裏面側に貫通させる高圧水噴射ステップと、高圧水が噴射された被加工物の該裏面側に固体の二酸化炭素粒子を噴射して該溝に対応する該膜を除去する固体二酸化炭素粒子噴射ステップと、を備えた加工方法である。 The present invention for solving the above problems is a processing method of a workpiece in which a film is formed on the back surface of a plate-like object and a plurality of scheduled cutting lines are set, and the cutting is performed from the surface of the workpiece. A groove forming step for forming a groove along a predetermined line, a holding step for holding the surface side of the workpiece and exposing the film on the back surface side of the workpiece after performing the groove forming step; After performing the holding step, a high-pressure water injection step of injecting high-pressure water onto the back surface side of the workpiece to divide the film along the groove and penetrating at least a part of the groove to the back surface side; And a solid carbon dioxide particle injecting step in which solid carbon dioxide particles are ejected onto the back side of the workpiece on which the high-pressure water has been ejected to remove the film corresponding to the grooves.
本発明に係る加工方法は、被加工物の表面から分断予定ラインに沿って膜に溝を形成する溝形成ステップと、溝形成ステップを実施した後、被加工物の表面側を保持して被加工物の裏面側の膜を露出させる保持ステップと、保持ステップを実施した後、被加工物の裏面側に高圧水を噴射して溝に沿って膜を分断し、少なくとも一部の溝を裏面側に貫通させる高圧水噴射ステップと、高圧水が噴射された被加工物の裏面側に固体の二酸化炭素粒子を噴射して溝に対応する膜を除去する固体二酸化炭素粒子噴射ステップと、を備えているため、レーザ加工装置を利用せず、また、切削ブレードに膜による目詰まりを発生させることもなく、高圧水で膜を分断し、かつ膜の溝に対応する部分(バリ状になりチップからはみ出る部分)を固体の二酸化炭素粒子で除去して、被加工物からチップを作製することができる。 A processing method according to the present invention includes a groove forming step for forming a groove in a film along a line to be cut from a surface of a workpiece, and after performing the groove forming step, the surface side of the workpiece is held and the workpiece is held. After carrying out the holding step for exposing the film on the back side of the workpiece and the holding step, high pressure water is sprayed on the back side of the workpiece to divide the film along the groove, and at least some of the grooves are on the back side. A high pressure water injection step for penetrating to the side, and a solid carbon dioxide particle injection step for removing the film corresponding to the grooves by injecting solid carbon dioxide particles on the back side of the workpiece on which the high pressure water has been injected. Therefore, without using a laser processing device, and without clogging the film with the cutting blade, the film is cut with high-pressure water, and the part corresponding to the groove of the film (chips become burr-like The portion that protrudes from the solid dioxide Was removed particles, it can be produced chips from the workpiece.
図1に示す被加工物Wは、例えば、シリコンからなる板状物W1を備える円形状の半導体ウエーハであり、板状物W1の表面、すなわち、被加工物Wの表面W1aには複数の分断予定ラインSがそれぞれ直交するように設定されている。そして、分断予定ラインSによって区画された格子状の領域には、デバイスDがそれぞれ形成されている。図1において−Z方向側に向いている板状物W1の裏面W1bには、銅及びニッケル等の金属からなり電極として働く一様な厚さ(例えば、0.5μm〜10μm)の膜W2が形成されている。膜W2の露出面は、被加工物Wの裏面W2bとなる。被加工物Wの外周縁には、結晶方位を識別するための図示しないノッチが、被加工物Wの中心に向けて径方向内側に窪んだ状態で形成されている。なお、被加工物Wの構成は、本実施形態に示す例に限定されるものではない。例えば、板状物W1はシリコン以外にサファイア、ガリウム又はシリコンカーバイド等で構成されていてもよく、また、膜W2は、金属膜ではなく、例えばDAF(Die Attach Film)やDBF(Die Backside Film)等の厚さ5μm〜30μm程度の樹脂膜であってもよい。 The workpiece W shown in FIG. 1 is a circular semiconductor wafer provided with a plate-like object W1 made of silicon, for example, and the surface of the plate-like object W1, that is, the surface W1a of the workpiece W is divided into a plurality of parts. The planned lines S are set so as to be orthogonal to each other. The devices D are respectively formed in the lattice-like regions partitioned by the division line S. In FIG. 1, a film W2 having a uniform thickness (for example, 0.5 μm to 10 μm) made of a metal such as copper and nickel is formed on the back surface W1b of the plate-like object W1 facing in the −Z direction. Is formed. The exposed surface of the film W2 becomes the back surface W2b of the workpiece W. A notch (not shown) for identifying the crystal orientation is formed on the outer peripheral edge of the workpiece W so as to be recessed radially inward toward the center of the workpiece W. Note that the configuration of the workpiece W is not limited to the example shown in the present embodiment. For example, the plate-like object W1 may be made of sapphire, gallium, silicon carbide, or the like in addition to silicon, and the film W2 is not a metal film, for example, DAF (Die Attach Film) or DBF (Die Backside Film). A resin film having a thickness of about 5 μm to 30 μm may be used.
(実施形態1)
以下に、本発明に係る加工方法を実施して図1に示す被加工物WからデバイスDを備えるチップを作製する場合の、加工方法の各ステップについて説明していく。
(Embodiment 1)
Hereinafter, each step of the processing method in the case where the processing method according to the present invention is performed to produce a chip including the device D from the workpiece W shown in FIG. 1 will be described.
(1−1)切削装置を用いる溝形成ステップ
まず、図1に示す被加工物Wの表面W1aから分断予定ラインSに沿って溝を形成する溝形成ステップを実施する。本溝形成ステップにおいては、例えば、図2に示す切削装置1を用いて溝形成を行う。
(1-1) Groove Forming Step Using Cutting Device First, a groove forming step is performed in which a groove is formed from the surface W1a of the workpiece W shown in FIG. In this groove forming step, for example, grooves are formed using the cutting device 1 shown in FIG.
溝が形成されるにあたり、図2に示すように、被加工物Wは、その裏面W2bに被加工物Wよりも大径のダイシングテープT1が貼着され、ダイシングテープT1の粘着面の外周部は環状フレームF1に貼着された状態になる。そして、表面W1aが上方に向かって露出した状態の被加工物Wは、ダイシングテープT1を介して環状フレームF1に支持されることで、環状フレームF1によるハンドリングが可能な状態となる。 In forming the groove, as shown in FIG. 2, the workpiece W has a dicing tape T1 larger in diameter than the workpiece W adhered to the back surface W2b, and the outer peripheral portion of the adhesive surface of the dicing tape T1. Is attached to the annular frame F1. Then, the workpiece W with the surface W1a exposed upward is supported by the annular frame F1 via the dicing tape T1, so that it can be handled by the annular frame F1.
図2に示す切削装置1は、例えば、被加工物Wを吸引保持するチャックテーブル10と、チャックテーブル10に保持された被加工物Wに対して回転する切削ブレード110で切削加工を施す切削手段11と、を少なくとも備えている。
The cutting device 1 shown in FIG. 2 includes, for example, a cutting unit that performs cutting with a chuck table 10 that sucks and holds a workpiece W and a
チャックテーブル10は、例えば、その外形が円形状であり、ポーラス部材等からなる保持面10a上で被加工物Wを吸引保持する。チャックテーブル10は、鉛直方向(Z軸方向)の軸心周りに回転可能であるとともに、図示しない切削送り手段によってX軸方向に往復移動可能となっている。チャックテーブル10の外周部には、例えば4つ(図示の例においては、2つのみ図示している)の固定クランプ100が環状フレームF1を固定するために均等に配設されている。
The chuck table 10 has, for example, a circular outer shape, and sucks and holds the workpiece W on a
切削手段11は、軸方向が被加工物Wの移動方向(X軸方向)に対し水平方向に直交する方向(Y軸方向)であるスピンドル111を備えており、スピンドル111の先端には円環状の切削ブレード110が固定されている。
The cutting means 11 includes a
まず、図2に示すように、環状フレームF1によって支持されている被加工物Wが、表面W1aが上側を向いた状態でチャックテーブル10により吸引保持される。また、各固定クランプ100によって環状フレームF1が挟持固定される。次いで、図示しないアライメント手段により、切削ブレード110を切り込ませるべき分断予定ラインSのY軸方向の座標位置が検出される。分断予定ラインSが検出されるのに伴って、切削手段11がY軸方向に割り出し送りされ、切削すべき分断予定ラインSに対して切削ブレード110が位置付けられる。
First, as shown in FIG. 2, the workpiece W supported by the annular frame F1 is sucked and held by the chuck table 10 with the surface W1a facing upward. Further, the annular frame F <b> 1 is clamped and fixed by each
図示しないモータがスピンドル111を回転駆動することに伴って、切削ブレード110が例えば−Y方向側から見て時計回り方向に高速回転する。さらに、切削手段11が−Z方向に向かって切り込み送りされ、例えば切削ブレード110の最下端が板状物W1を完全に切断しかつ膜W2に切り込まない高さ位置に切削手段11が位置付けられる。なお、切削ブレード110が板状物W1を完全に切断しない高さ位置、すなわち、切削ブレード110の最下端が板状物W1の裏面W1bよりも僅かに上方となる高さ位置に、切削手段11を位置付けるものとしてもよい。
As the motor (not shown) rotationally drives the
被加工物Wを保持するチャックテーブル10が所定の切削送り速度で−X方向側(紙面奥側)に送り出されることで、回転する切削ブレード110が分断予定ラインSに沿って被加工物Wの表面W1a側から板状物W1に切り込んでいき、図2、3に示す膜W2に到らない溝M1が形成されていく。図3に示すように、例えば溝M1の溝底には、膜W2の表面W2aが露出した状態になる。なお、板状物W1の切り残し部分が溝M1の底として僅かな厚みで残存するように溝M1が形成されてもよい。
The chuck table 10 that holds the workpiece W is fed to the −X direction side (the back side of the paper surface) at a predetermined cutting feed speed, so that the rotating
切削ブレード110が一本の分断予定ラインSを切削し終えるX軸方向の所定の位置まで被加工物Wが送られると、被加工物Wの切削送りが一度停止され、切削ブレード110が被加工物Wから離間し、次いで、被加工物Wが+X方向に移動し原点位置に戻る。そして、隣り合う分断予定ラインSの間隔ずつ切削ブレード110を+Y方向に割り出し送りしながら順次同様の切削を行うことにより、X軸方向の全ての分断予定ラインSに沿って膜W2に到らない深さの溝M1を被加工物Wに形成する。さらに、被加工物Wを90度回転させてから同様の切削加工を行うことで、全ての分断予定ラインSに沿って図3に示す膜W2に到らない深さの溝M1を形成することができる。
When the workpiece W is sent to a predetermined position in the X-axis direction at which the
(1−2)プラズマエッチング装置を用いる溝形成ステップ
溝形成ステップは、上記のように図2に示す切削装置1を用いて実施する代わりに、図4に示すプラズマエッチング装置9を用いて実施してもよい。
(1-2) Groove Forming Step Using Plasma Etching Apparatus The groove forming step is performed using the
図4に示すプラズマエッチング装置9は、被加工物Wを保持する静電チャック90と、ガスを噴出するガス噴出ヘッド91と、静電チャック90及びガス噴出ヘッド91を内部に収容したチャンバ92とを備えている。
The
例えば、アルミナ等のセラミック又は酸化チタン等の誘電体で形成される静電チャック90は、支持部材900によって下方から支持されている。静電チャック90の内部には、電圧が印加されることにより電荷を発生する電極(金属板)901が静電チャック90の保持面90aと平行に配設されており、この電極901は、整合器94a及びバイアス高周波電源95aに接続されている。なお、例えば、静電チャック90は、本実施形態のような単極型の静電チャックに限定されるものではなく、いわゆる双極型の静電チャックであってもよい。
For example, an
チャンバ92の上部に軸受け919を介して昇降自在に配設されたガス噴出ヘッド91の内部には、ガス拡散空間910が設けられており、ガス拡散空間910の上部にはガス導入口911が連通し、ガス拡散空間910の下部にはガス吐出口912が複数連通している。各ガス吐出口912の下端は、静電チャック90の保持面90aに向かって開口している。
A
ガス導入口911には、ガス供給部93が接続されている。ガス供給部93は、例えばSF6、CF4、C2F6、C2F4等のフッ素系ガスをエッチングガスとして蓄えている。
A
ガス噴出ヘッド91には、整合器94を介して高周波電源95が接続されている。高周波電源95から整合器94を介してガス噴出ヘッド91に高周波電力を供給することにより、ガス吐出口912から吐出されたエッチングガスをプラズマ化することができる。プラズマエッチング装置9は、図示しない制御部を備えており、制御部による制御の下で、ガスの吐出量や時間、高周波電力等の条件がコントロールされる。
A high-
チャンバ92の底には排気口96が形成されており、この排気口96には排気装置97が接続されている。この排気装置97を作動させることにより、チャンバ92の内部を所定の真空度まで減圧することができる。
チャンバ92の側部には、被加工物Wの搬入出を行うための搬入出口920と、この搬入出口920を開閉するゲートバルブ921とが設けられている。
An
On the side of the
被加工物Wはプラズマエッチングが施されて溝が形成されるにあたり、各デバイスD(図4においては不図示)がレジスト膜Rによって保護された状態になる。すなわち、例えば、ポジ型レジスト液が被加工物Wの表面W1aに塗布され一様な厚さのレジスト膜が表面W1a上に形成された後、分断予定ラインSにのみ紫外光が照射され、露光後の被加工物Wが現像されることで、分断予定ラインSが露出しかつデバイスDがレジスト膜Rにより保護された状態となる。
また、被加工物Wの裏面W2bにはテープ又はハードプレートが保護部材T2として貼着され、裏面W2bは保護部材T2によって保護された状態になる。
When the workpiece W is subjected to plasma etching to form a groove, each device D (not shown in FIG. 4) is protected by the resist film R. That is, for example, after a positive resist solution is applied to the surface W1a of the workpiece W and a resist film having a uniform thickness is formed on the surface W1a, only the planned dividing line S is irradiated with ultraviolet light and exposed. By developing the subsequent workpiece W, the line S scheduled to be exposed is exposed and the device D is protected by the resist film R.
Further, a tape or a hard plate is attached as a protective member T2 to the back surface W2b of the workpiece W, and the back surface W2b is protected by the protective member T2.
溝の形成においては、まず、ゲートバルブ921を開け、搬入出口920から被加工物Wをチャンバ92内に搬入し、表面W1a側を上に向けて被加工物Wを静電チャック90の保持面90a上に載置する。ゲートバルブ921を閉じ、排気装置97によってチャンバ92内を排気し、チャンバ92内を所定の圧力の密閉空間とする。
In forming the groove, first, the
ガス噴出ヘッド91を所定の高さ位置まで下降させ、その状態でガス供給部93から例えばSF6を主体とするエッチングガスをガス拡散空間910に供給し、ガス吐出口912から下方に噴出させる。また、高周波電源95からガス噴出ヘッド91に高周波電力を印加して、ガス噴出ヘッド91と静電チャック90との間に高周波電界を生じさせ、エッチングガスをプラズマ化させる。これに並行して、電極901にバイアス高周波電源95aから電圧を印加することで、静電チャック90の保持面90aと被加工物Wとの間に誘電分極現象を発生させ、電荷の分極による静電吸着力によって被加工物Wを保持面90a上に吸着保持する。
The
プラズマ化したエッチングガスは、レジスト膜Rで被覆されている各デバイスDはエッチングせずに、分断予定ラインS上を−Z方向に向かって異方性エッチングしていく。そのため、図3に示す分断予定ラインSに沿った格子状の溝M1が板状物W1に形成されていく。 The plasma-ized etching gas does not etch each device D covered with the resist film R, but performs anisotropic etching on the planned dividing line S in the -Z direction. Therefore, the lattice-shaped groove | channel M1 along the division | segmentation scheduled line S shown in FIG. 3 is formed in the plate-shaped object W1.
プラズマ化したエッチングガスは、金属からなる膜W2をエッチングしない。そのため、図3に示すように、溝M1の底が膜W2内に到らず、かつ、溝M1の底に膜W2の表面W2aが露出するまでプラズマエッチングを行った後、プラズマエッチングを終了させる。すなわち、図4に示すチャンバ92内へのエッチングガス等の導入及びガス噴出ヘッド91への高周波電力の供給を停止し、また、チャンバ92内のエッチングガスを排気口96から排気装置97に排気し、チャンバ92内部にエッチングガスが存在しない状態とする。
なお、図3に示す溝M1の底に板状物W1がエッチング残し部分として僅かな厚みで残存した状態となるまでプラズマエッチングを行ってもよい。
なお、溝形成ステップは、上記のようなSF6ガス単体によるプラズマエッチングで行われる形態に限定されず、SF6ガスによるプラズマエッチングとC4F8による溝側壁等に対する保護膜堆積(デポジション)とを交互に繰り返すボッシュ法により行われるものとしてもよい。
The plasma etching gas does not etch the metal film W2. Therefore, as shown in FIG. 3, after performing plasma etching until the bottom of the groove M1 does not reach the inside of the film W2 and the surface W2a of the film W2 is exposed at the bottom of the groove M1, the plasma etching is terminated. . That is, the introduction of the etching gas or the like into the
Note that plasma etching may be performed until the plate-like object W1 remains in the bottom of the groove M1 shown in FIG.
Note that the groove forming step is not limited to the above-described form performed by the plasma etching using the SF6 gas alone, and the plasma etching using the SF6 gas and the protective film deposition (deposition) on the groove side wall or the like by the C4F8 are repeated alternately. It may be performed by the Bosch method.
次いで、図4に示す被加工物Wの表面W1a上からレジスト膜Rを除去する。レジスト膜Rの除去は、例えば、所定薬剤を用いたウェット処理、又はプラズマエッチング装置9によるレジスト膜Rのアッシング(灰化)によって行う。
Next, the resist film R is removed from the surface W1a of the workpiece W shown in FIG. The removal of the resist film R is performed by, for example, wet processing using a predetermined chemical or ashing (ashing) of the resist film R by the
(2)保持ステップ
上記のように(1−1)切削装置1を用いる溝形成ステップ、又は(1−2)プラズマエッチング装置9を用いる溝形成ステップのいずれかを実施した後、被加工物Wの表面W1a側を保持して被加工物Wの裏面W2b側の膜W2を露出させる保持ステップを行う。
(2) Holding step After performing either (1-1) the groove forming step using the cutting apparatus 1 or (1-2) the groove forming step using the
保持ステップにおいては、まず、図5に示すように、被加工物Wの表面W1aに保護テープT3が貼着され、また、被加工物Wの裏面W2bから図2に示すダイシングテープT1又は図4に示す保護部材T2が剥離される。図6に示すように、例えば、被加工物Wの外径よりも大径に形成されている保護テープT3は、リングフレームF2に貼着された状態になっており、裏面W2bが上方に露出した状態の被加工物Wは、リングフレームF2によるハンドリングが可能になる。 In the holding step, first, as shown in FIG. 5, the protective tape T3 is attached to the front surface W1a of the workpiece W, and the dicing tape T1 shown in FIG. The protective member T2 shown in FIG. As shown in FIG. 6, for example, the protective tape T3 formed to have a larger diameter than the outer diameter of the workpiece W is in a state of being attached to the ring frame F2, and the back surface W2b is exposed upward. The workpiece W in the finished state can be handled by the ring frame F2.
図6に示すように、保護テープT3を介してリングフレームF2によって支持された状態の被加工物Wを噴射装置3に搬送する。噴射装置3は、例えば、被加工物Wを吸引保持する保持テーブル30と、被加工物Wに高圧水を噴射して膜W2を溝M1に沿って分断する高圧水噴射手段31と、被加工物Wに固体の二酸化炭素粒子を噴射して溝M1に対応した膜W2を除去する固体二酸化炭素粒子噴射手段32と、図示しない制御手段とを少なくとも備えている。
CPU及びメモリ等の記憶素子からなる制御手段は、保持テーブル30、高圧水噴射手段31、及び固体二酸化炭素粒子噴射手段32に電気的に接続されており、制御手段の制御の下で、高圧水噴射手段31及び固体二酸化炭素粒子噴射手段32の移動動作、並びに保持テーブル30の回転動作等が制御される。
As shown in FIG. 6, the workpiece W supported by the ring frame F <b> 2 is conveyed to the
The control means including a storage element such as a CPU and a memory is electrically connected to the holding table 30, the high-pressure water injection means 31, and the solid carbon dioxide particle injection means 32, and under the control of the control means, the high-pressure water The movement operation of the injection means 31 and the solid carbon dioxide particle injection means 32 and the rotation operation of the holding table 30 are controlled.
保持テーブル30は、例えば、その外形が円形状であり、図示しない吸引源に連通する保持面30a上で被加工物Wを吸引保持する。保持テーブル30は、鉛直方向(Z軸方向)の軸心周りに回転可能であるとともに、図示しない加工送り手段によってX軸方向に往復移動可能となっている。保持テーブル30の外周部には、例えば4つ(図示の例においては、2つのみ図示している)の固定クランプ300がリングフレームF2を固定するために均等に配設されている。
The holding table 30 has, for example, a circular outer shape, and sucks and holds the workpiece W on a holding
リングフレームF2によって支持されている被加工物Wが、保護テープT3側を下にして保持テーブル30の保持面30a上に載置されることで、被加工物Wの裏面W2b側の膜W2が上方に向かって露出した状態となる。そして図示しない吸引源により生み出された吸引力が保持面30aに伝達されることで、保持テーブル30により被加工物Wの表面W1a側が吸引保持される。また、各固定クランプ300によってリングフレームF2が固定される。
The workpiece W supported by the ring frame F2 is placed on the holding
(3)高圧水噴射ステップ
次いで、被加工物Wの裏面W2b側に図6に示す高圧水噴射手段31から高圧水を噴射して溝M1に沿って膜W2を分断し、少なくとも一部の溝M1を裏面W2b側に貫通させる。高圧水噴射手段31は高圧水噴射ノズル310を備えており、高圧水噴射ノズル310は、保持テーブル30の上方に配設されY軸方向及びZ軸方向へ移動可能となっている。また、高圧水噴射ノズル310は、保持テーブル30の保持面30aに向く噴射口310aを有しており、例えば、噴射口310aの口径は図示しないスライド部材によって所望の大きさに可変となっている。高圧水噴射ノズル310は、高圧水噴射ノズル310に対して高圧水を供給する高圧水供給源311に配管311aを介して連通している。
(3) High-pressure water injection step Next, high-pressure water is injected from the high-pressure water injection means 31 shown in FIG. 6 to the back surface W2b side of the workpiece W to divide the film W2 along the groove M1, and at least some of the grooves M1 is penetrated to the back surface W2b side. The high-pressure water injection means 31 includes a high-pressure
被加工物Wの裏面W2b側から溝M1に沿って高圧水を噴射するにあたって、まず、高圧水を最初に噴射する一本の溝M1が検出される。溝M1の検出は、例えば、図6に示す溝検出手段39によって実行される。 In injecting high-pressure water along the groove M1 from the back surface W2b side of the workpiece W, first, one groove M1 that first injects high-pressure water is detected. The detection of the groove M1 is executed by, for example, the groove detection means 39 shown in FIG.
例えば溝検出手段39は、被加工物Wの直径、被加工物Wの外周縁に形成されたノッチと板状物W1の表面W1aに形成された各分断予定ラインSとの間隔、及び複数の分断予定ラインS同士の間隔等の情報を示す被加工物Wのパターン設計値を記憶している。
また、溝検出手段39は、例えば、保持テーブル30の上方に配設され被加工物Wの図示しないノッチを検出するノッチ検出部390を備えている。ノッチ検出部390は、例えば、光反射型の光学センサで構成されており、被加工物Wを保持する保持テーブル30の回転に伴って被加工物Wの外周がノッチ検出部390の検出領域を通過することで、被加工物Wの外周縁に形成されたノッチを検出することができる。なお、ノッチ検出部390をカメラ等から構成されるものとして、カメラにより形成された撮像画像をノッチ検出部390が画像処理することで被加工物Wのノッチを検出するものとしてもよい。
For example, the groove detection means 39 includes a diameter of the workpiece W, a distance between a notch formed on the outer peripheral edge of the workpiece W and each scheduled cutting line S formed on the surface W1a of the plate-like object W1, and a plurality of A pattern design value of the workpiece W indicating information such as an interval between the scheduled division lines S is stored.
The groove detection means 39 includes a
ノッチ検出部390による被加工物Wのノッチの検出が行われると、溝M1は分断予定ラインSに沿って形成されているため、溝検出手段39は検出したノッチと予め記憶している被加工物Wのパターン設計値とから、基準位置となるノッチの位置に対する高圧水を噴射させる一本の溝M1の相対的な位置を検出することができる。次いで、溝検出手段39が、ノッチの位置に対する一本の溝M1の位置についての検出信号を図示しない制御手段に送出する。この検出信号を受けた制御手段は、保持テーブル30を所定角度回転させて被加工物Wのノッチを所定の座標位置に位置付けることで、高圧水を噴射させる一本の溝M1が所望の座標位置に位置付くように調整する。具体的には、例えば、被加工物Wの中心とノッチとを通る仮想線がX軸方向に対して平行になり、かつ、ノッチが−X方向側に位置するように、被加工物Wを保持する保持テーブル30を回転する。そして、例えば、図7に示すように、最初に高圧水を噴射させる一本の溝M1が、X軸方向に平行に延在する状態になり、かつ、この一本の溝M1のY軸座標位置が認識された状態になる。
When the notch of the workpiece W is detected by the
なお、溝M1の検出は、図6に示す溝検出手段39によってなされる形態に限定されない。例えば、保持テーブル30をガラス等の透明部材から構成されるものとし、保持テーブル30の下方に配設されたカメラを備えるアライメント手段を噴射装置3が備えるものとする。この場合には、保持テーブル30の下方から光を照射して保持テーブル30を透過させ、被加工物Wの表面W1aの反射光をカメラの撮像素子に結像させることで、被加工物Wの表面W1aが写った撮像画像が形成する。そして、アライメント手段が、カメラにより形成した撮像画像に基づきパターンマッチング等の画像処理を行うことで、被加工物Wの分断予定ラインSに沿って形成されている溝M1を検出することができる。
例えば溝M1に沿って膜W2が波打っている場合においては、被加工物Wの裏面W2b側からカメラによる被加工物Wの撮像を行い、アライメント手段による溝M1の検出を行ってもよい。
In addition, the detection of the groove | channel M1 is not limited to the form made by the groove | channel detection means 39 shown in FIG. For example, it is assumed that the holding table 30 is made of a transparent member such as glass, and the
For example, when the film W2 is wavy along the groove M1, the workpiece W may be imaged by the camera from the back surface W2b side of the workpiece W, and the groove M1 may be detected by the alignment means.
次いで、図7に示す被加工物Wを保持する保持テーブル30が往方向である−X方向側(図7における紙面奥側)に送り出されるとともに、高圧水噴射ノズル310の噴射口310aの直下に座標位置が認識された溝M1の中心線が位置するように、高圧水噴射ノズル310がY軸方向に移動する。被加工物Wがさらに所定の加工送り速度で−X方向に送り出されるとともに、高圧水供給源311が高圧水を高圧水噴射ノズル310に供給する。
Next, the holding table 30 that holds the workpiece W shown in FIG. 7 is sent out to the forward direction in the −X direction (the back side of the drawing in FIG. 7), and immediately below the
図7に示すように、高圧水噴射ノズル310の噴射口310aから下方に向かって噴射された高圧水Jが溝M1に沿って膜W2に衝突することで、膜W2は溝M1に沿って破られ分断されバリ状になる。また、溝M1が被加工物Wの裏面W2b側に貫通した状態になる。高圧水Jの圧力は、例えば、板状物W1が破損したりチップCが飛散したりしない圧力(例えば、100MPa〜300MPa)であり、高圧水Jのスポット径は、溝M1の幅等を考慮して適宜な値に調整される。なお、高圧水Jによる溝M1に沿った膜W2の分断によって、X軸方向に延びる一本の溝M1全体が裏面W2b側に貫通していなくてもよく、少なくとも一本の溝M1の一部が裏面W2b側に貫通していればよい。すなわち、膜W2に、溝M1に沿って分断起点が形成されている箇所や、溝M1に沿って引き延ばされて薄くなり分断されやすくなっている箇所があってもよい。
As shown in FIG. 7, the high pressure water J jetted downward from the
(4)固体二酸化炭素粒子噴射ステップ
高圧水が噴射された被加工物Wの裏面W2b側に、図6、8に示す固体二酸化炭素粒子噴射手段32から固体の二酸化炭素粒子を噴射して溝M1に対応する膜W2を除去する。
固体二酸化炭素粒子噴射手段32は噴射ノズル320を備えており、噴射ノズル320は、保持テーブル30の上方に配設されY軸方向及びZ軸方向へ移動可能となっている。また、噴射ノズル320は、保持テーブル30の保持面30aに向く噴射口320aを有しており、例えば、噴射口320aの口径は図示しないスライド部材によって所望の大きさに可変となっている。噴射ノズル320は、噴射ノズル320に対して液体の二酸化炭素を供給する二酸化炭素供給源321に配管321aを介して連通している。また、噴射ノズル320は、噴射ノズル320に対して圧縮されたエアを供給するエア供給源322に配管322aを介して連通している。
(4) Solid carbon dioxide particle injection step Solid carbon dioxide particles are injected from the solid carbon dioxide particle injection means 32 shown in FIGS. 6 and 8 onto the back surface W2b side of the workpiece W on which high-pressure water has been injected to form the groove M1. The film W2 corresponding to is removed.
The solid carbon dioxide particle injection means 32 includes an
固体二酸化炭素粒子噴射ステップにおいては、図8に示すように、噴射ノズル320の噴射口320aの直下に、高圧水噴射ノズル310(図8においては不図示)から高圧水Jが噴射されている一本の溝M1の中心線が位置するように、噴射ノズル320がY軸方向に移動する。すなわち、噴射ノズル320は高圧水Jを噴射している高圧水噴射ノズル310の後方に位置付けられる。
In the solid carbon dioxide particle injection step, as shown in FIG. 8, high-pressure water J is injected from a high-pressure water injection nozzle 310 (not shown in FIG. 8) immediately below the
二酸化炭素供給源321から液体の二酸化炭素を噴射ノズル320に供給すると共に、エア供給源322からエアを噴射ノズル320に供給する。液体の二酸化炭素とエアとが噴射ノズル320内で高圧で混合され噴射口320aから噴射物として大気中に噴射されると、断熱膨張によって液体の二酸化炭素の温度が凝固点を下回り、極めて微細な粉末状のドライアイス(固体の二酸化炭素粒子)P1が発生する。
Liquid carbon dioxide is supplied from the carbon
被加工物Wが所定の加工送り速度で−X方向側(紙面奥側)に送り出されることで、噴射ノズル320は、溝M1に沿って高圧水を噴射している高圧水噴射ノズル310を後方から追いかけるように+X方向側(紙面手前側)に相対的に移動する。噴射ノズル320から噴射された固体の二酸化炭素粒子P1が、高圧水J噴射後の被加工物Wの膜W2に衝突すると、固体の二酸化炭素粒子P1は変形、破砕して、二酸化炭素ガスへと昇華する。固体の二酸化炭素粒子P1の昇華で発生する膨張のエネルギーが、高圧水J噴射後の膜W2のバリ状になった部分(膜W2のうちチップCからはみ出る部分)に加わることで、膜W2は溝M1上から吹き飛ばされてチップCから除去される。また、膜W2の溝M1に沿って分断起点が形成されている箇所及び溝M1に沿って引き延ばされて薄くなり分断されやすくなっている箇所も、固体の二酸化炭素粒子P1の気化膨張によって分断され、さらに溝M1上から吹き飛ばされてチップCから除去される。なお、液体の二酸化炭素の供給量及びエアの供給量並びに噴射スポット径は、溝M1の幅等を考慮して適宜な値に調整される。
The workpiece W is fed to the −X direction side (the back side of the drawing) at a predetermined machining feed rate, so that the
例えば、高圧水噴射ノズル310が一本の溝M1に沿って膜W2に高圧水Jを噴射し終え、かつ、高圧水噴射ノズル310を後方から追いかける噴射ノズル320が一本の溝M1に沿って膜W2に固体の二酸化炭素粒子P1を噴射し終えるX軸方向の所定の位置まで被加工物Wが−X方向に進行すると、被加工物Wの−X方向(往方向)での加工送りを一度停止させる。
For example, the high-pressure
次いで、高圧水噴射ノズル310及び噴射ノズル320を+Y方向へ移動して、高圧水J及び固体の二酸化炭素粒子P1が噴射された溝M1の隣に位置する溝M1と高圧水噴射ノズル310及び噴射ノズル320とのY軸方向における位置合わせが、被加工物Wのパターン設計値に基づいて行われる。そして、図示しない加工送り手段が、被加工物Wを+X方向(復方向)へ加工送りし、高圧水Jの噴射が往方向と同様に溝M1に沿って膜W2に対して実施される。また、高圧水Jが噴射された被加工物Wの裏面W2b側に、固体の二酸化炭素粒子P1が同一の溝M1上を追いかけるように往方向と同様に噴射される。
順次同様にX軸方向に延びる全ての溝M1に沿って高圧水J及び固体の二酸化炭素粒子P1が膜W2に噴射され、膜W2が高圧水Jで分断された後に固体の二酸化炭素粒子P1により溝M1に対応する膜W2が除去される。さらに、保持テーブル30を90度回転させてから同様に高圧水J及び固体の二酸化炭素粒子P1の噴射を行うと、縦横全ての溝M1に沿って膜W2が高圧水Jで分断された後、固体の二酸化炭素粒子P1により溝M1に対応する膜W2が除去される。その結果、図9に示すように、被加工物WをデバイスD及び膜W2を備えた個々のチップCに分割することができる。
Next, the high pressure
Similarly, the high pressure water J and solid carbon dioxide particles P1 are sprayed onto the film W2 along all the grooves M1 extending in the X-axis direction in the same manner, and after the film W2 is divided by the high pressure water J, the solid carbon dioxide particles P1 The film W2 corresponding to the groove M1 is removed. Further, when the high pressure water J and the solid carbon dioxide particles P1 are sprayed in the same manner after rotating the holding table 30 by 90 degrees, the membrane W2 is divided by the high pressure water J along all the vertical and horizontal grooves M1, The film W2 corresponding to the groove M1 is removed by the solid carbon dioxide particles P1. As a result, as shown in FIG. 9, the workpiece W can be divided into individual chips C each including the device D and the film W2.
本発明に係る加工方法は、被加工物Wの表面W1aから分断予定ラインSに沿って溝M1を形成する溝形成ステップと、溝形成ステップを実施した後、被加工物Wの表面W1a側を保持して被加工物Wの裏面W2b側の膜W2を露出させる保持ステップと、保持ステップを実施した後、被加工物Wの裏面W2b側に高圧水Jを噴射して溝M1に沿って膜W2を分断し、少なくとも一部の溝M1を裏面W2b側に貫通させる高圧水噴射ステップと、高圧水Jが噴射された被加工物Wの裏面W2b側に固体の二酸化炭素粒子P1を噴射して溝M1に対応する膜W2を除去する固体二酸化炭素粒子噴射ステップと、を備えているため、レーザ加工装置を利用せず、また、切削ブレード110に膜W2による目詰まりを発生させることもなく、高圧水Jで膜W2を例えば溝M1に沿って1ラインずつ分断し、かつ高圧水Jの噴射によって膜W2のうちバリ状となった部分を固体の二酸化炭素粒子P1で溝M1に沿って1ラインずつ除去して被加工物WからチップCを作製することができる。
In the processing method according to the present invention, the groove forming step for forming the groove M1 along the planned division line S from the surface W1a of the workpiece W, and the surface W1a side of the workpiece W after the groove forming step are performed. After holding and exposing the film W2 on the back surface W2b side of the workpiece W, and carrying out the holding step, high pressure water J is sprayed on the back surface W2b side of the workpiece W and the film along the groove M1. A high-pressure water injection step for dividing W2 and penetrating at least a part of the groove M1 to the back surface W2b side, and injecting solid carbon dioxide particles P1 to the back surface W2b side of the workpiece W on which the high-pressure water J has been injected Since the solid carbon dioxide particle injection step for removing the film W2 corresponding to the groove M1 is provided, the laser processing apparatus is not used, and the
(実施形態2)
以下に、本発明に係る加工方法を実施して図1に示す被加工物WからデバイスDを備えるチップを作製する場合の、加工方法の各ステップについて説明していく。本発明に係る加工方法の実施形態2においては、本発明に係る加工方法の実施形態1と同様に、まず、(1−1)切削装置を用いる溝形成ステップ、又は(1−2)プラズマエッチング装置を用いる溝形成ステップのいずれかを実施して、図3に示すように、全ての分断予定ラインSに沿って膜W2に到らない深さの溝M1を被加工物Wに形成する。
(Embodiment 2)
Hereinafter, each step of the processing method in the case where the processing method according to the present invention is performed to produce a chip including the device D from the workpiece W shown in FIG. 1 will be described. In Embodiment 2 of the processing method according to the present invention, as in Embodiment 1 of the processing method according to the present invention, first, (1-1) a groove forming step using a cutting device, or (1-2) plasma etching. Any one of the groove forming steps using the apparatus is performed, and as shown in FIG. 3, a groove M1 having a depth that does not reach the film W2 along all the division lines S is formed in the workpiece W.
(2)保持ステップ
(1−1)切削装置1を用いる溝形成ステップ、又は(1−2)プラズマエッチング装置9を用いる溝形成ステップのいずれかを実施した後に、図5に示すように、被加工物Wの表面W1aに保護テープT3が貼着され、また、被加工物Wの裏面W2bから図2に示すダイシングテープT1又は図4に示す保護部材T2が剥離される。
(2) Holding step (1-1) After performing either the groove forming step using the cutting apparatus 1 or (1-2) the groove forming step using the
図10に示すように、被加工物Wの外径よりも大径に形成されている保護テープT3は、リングフレームF2に貼着されており、被加工物WはリングフレームF2によりハンドリングが可能な状態になる。そして、図10に示すように、保護テープT3を介してリングフレームF2によって支持された状態の被加工物Wを噴射装置4に搬送する。噴射装置4は、例えば、被加工物Wを保持する保持テーブル40と、保持テーブル40を回転させる回転手段42と、上端側に円形の開口を備えた有底円筒状のケーシング44とを備えている。
As shown in FIG. 10, the protective tape T3 formed to have a larger diameter than the outer diameter of the workpiece W is adhered to the ring frame F2, and the workpiece W can be handled by the ring frame F2. It becomes a state. And as shown in FIG. 10, the to-be-processed object W of the state supported by the ring frame F2 is conveyed to the injection apparatus 4 via the protective tape T3. The injection device 4 includes, for example, a holding table 40 that holds the workpiece W, a rotating
保持テーブル40は、例えば、その外形が円形状であり、ポーラス部材等からなり吸引源に連通する保持面40aを備えている。保持テーブル40の周囲には、リングフレームF2を固定する固定クランプ401が例えば4つ(図示の例においては、2つのみ図示している)均等に配設されている。保持テーブル40は上下動可能となっており、被加工物Wが載置される際には、上昇して被加工物Wの搬入・搬出高さ位置に位置付けられ、また、吸引保持した被加工物Wに噴射物が噴射される際には、ケーシング44内における噴射高さ位置に位置付けられる。
For example, the holding table 40 has a circular outer shape and includes a holding
保持テーブル40の下側に配設された回転手段42は、保持テーブル40の底面側に上端が固定され鉛直方向の軸心周りに回転可能なスピンドル420と、モータ等で構成されスピンドル420の下端側に連結する回転駆動源421とを少なくとも備えている。回転駆動源421がスピンドル420を回転させることで、スピンドル420に固定された保持テーブル40も回転する。
The rotating means 42 disposed on the lower side of the holding table 40 includes a
保持テーブル40は、ケーシング44の内部空間に収容されている。ケーシング44は、保持テーブル40を囲繞する外側壁440と、外側壁440の下部に一体的に連接し中央にスピンドル420が挿通される開口を有する底板441と、底板441の開口の内周縁から立設する内側壁442とから構成されており、底板441に一端が固定された脚部443により支持されている。保持テーブル40の下面とケーシング44の内側壁442の上端面との間には、スピンドル420に挿嵌されスピンドル420と底板441の開口との隙間に異物を入り込ませないようにする円形状のカバー部材444が配設されている。
The holding table 40 is accommodated in the internal space of the
ケーシング44内には、保持面40aで吸引保持された被加工物Wの膜W2に高圧水を噴射することができる高圧水噴射ノズル45と、膜W2に粉末状のドライアイス(固体の二酸化炭素粒子)をエア圧力で噴射することができる固体二酸化炭素粒子噴射ノズル46とが配設されている。高圧水噴射ノズル45及び固体二酸化炭素粒子噴射ノズル46は、各々ケーシング44の底板441から立設しており、外形が側面視略L字状となっている。高圧水噴射ノズル45の先端部分に形成された噴射口450及び固体二酸化炭素粒子噴射ノズル46の先端部分に形成された噴射口460は、それぞれ保持テーブル40の保持面40aに向かって開口している。高圧水噴射ノズル45及び固体二酸化炭素粒子噴射ノズル46は、それぞれZ軸方向の軸心周りに旋回可能となっており、保持テーブル40の上方から退避位置までそれぞれの噴射口450、噴射口460を移動することができる。
In the
高圧水噴射ノズル45は、高圧水噴射ノズル45に向けて高圧水を供給する高圧水供給源47に配管47a及び図示しないロータリージョイントを介して連通している。
固体二酸化炭素粒子噴射ノズル46は、配管48a及び図示しないロータリージョイント等を介して、液体の二酸化炭素が蓄えられた二酸化炭素供給源48に接続されている。また、固体二酸化炭素粒子噴射ノズル46は、配管49a及び図示しないロータリージョイント等を介して、圧縮されたエア(圧縮エア)を蓄えたエア供給源49に接続されている。
The high-pressure
The solid carbon dioxide
リングフレームF2によって支持されている被加工物Wが、保護テープT3側を下にして保持テーブル40の保持面40a上に載置されることで、被加工物Wの裏面W2b側の膜W2が上方に向かって露出した状態となる。そして図示しない吸引源が生み出す吸引力が保持面40aに伝達されることで、保持テーブル40により被加工物Wの表面W1a側が吸引保持される。また、各固定クランプ401によりリングフレームF2が固定される。
The workpiece W supported by the ring frame F2 is placed on the holding
(3)高圧水噴射ステップ
次いで、高圧水噴射ノズル45から高圧水を噴射して溝M1に沿って膜W2を分断し、少なくとも一部の溝M1を裏面W2b側に貫通させる。まず、被加工物Wを保持した保持テーブル40がケーシング44内における作業高さ位置まで下降する。また、高圧水噴射ノズル45が旋回移動し、その噴射口450が被加工物Wの膜W2の中央上方に位置付けられる。
(3) High-pressure water injection step Next, high-pressure water is injected from the high-pressure
次いで、高圧水供給源47が高圧水を高圧水噴射ノズル45に供給する。膜W2の溝M1に対応する領域は下方から板状物W1によって支えられていないため、図10に示すように、噴射口450から下方に向かって噴射された高圧水Jが膜W2に衝突することで、膜W2は溝M1に沿って破られ分断されバリ状になる。また、溝M1が、被加工物Wの裏面W2b側に貫通した状態になる。高圧水Jの圧力は、例えば、板状物W1が破損したりチップが飛散したりしない圧力(例えば、100MPa〜300MPa)である。
Next, the high pressure
高圧水を噴射する高圧水噴射ノズル45が、被加工物Wの上方をZ軸方向の軸心周りに所定角度で往復するように旋回移動する。さらに、回転駆動源421がスピンドル420を+Z方向側から見て例えば反時計周り方向に向かって回転させることによって、保持テーブル40が同方向に回転し、被加工物Wの膜W2の全面に高圧水噴射ノズル45から高圧水Jが噴射される。なお、高圧水Jによる溝M1に沿った膜W2の分断によって、溝M1各々の全体が裏面W2b側に貫通していなくてもよく、少なくとも各溝M1の一部が裏面W2b側に貫通していればよい。すなわち、膜W2に、溝M1に沿って分断起点が形成されている箇所や、溝M1に沿って引き延ばされて薄くなり分断されやすくなっている箇所があってもよい。
A high-pressure
被加工物Wの膜W2に対する高圧水Jの噴射を所定時間行った後、高圧水噴射ノズル45に対する高圧水の供給を停止し、高圧水噴射ノズル45を旋回移動させて被加工物Wの上方から退避させる。
After the high-pressure water J is sprayed onto the film W2 of the workpiece W for a predetermined time, the supply of high-pressure water to the high-pressure
(4)固体二酸化炭素粒子噴射ステップ
次いで、図11に示すように、固体二酸化炭素粒子噴射ノズル46が旋回移動し、その噴射口460が被加工物Wの膜W2の中央上方に位置付けられる。二酸化炭素供給源48が液体の二酸化炭素を、エア供給源49がエアをそれぞれ固体二酸化炭素粒子噴射ノズル46に供給する。液体の二酸化炭素とエアとが固体二酸化炭素粒子噴射ノズル46内で高圧で混合され噴射口460から噴射物として大気中に噴射されると、極めて微細な粉末状のドライアイス(固体の二酸化炭素粒子)P1が発生する。
(4) Solid Carbon Dioxide Particle Injection Step Next, as shown in FIG. 11, the solid carbon dioxide
さらに、固体の二酸化炭素粒子P1を噴射する固体二酸化炭素粒子噴射ノズル46が、回転する被加工物Wの上方をZ軸方向の軸心周りに所定角度で往復するように旋回移動することで、被加工物Wの膜W2の全面に固体二酸化炭素粒子噴射ノズル46から固体の二酸化炭素粒子P1が噴射される。固体の二酸化炭素粒子P1は、被加工物Wの膜W2に衝突すると二酸化炭素ガスへと昇華する。この気体膨張に伴って発生するエネルギーが、高圧水J噴射後の膜W2のバリ状になった部分(膜W2のうちチップCからはみ出る部分)に加わることで、膜W2は溝M1上から吹き飛ばされてチップCから除去される。また、膜W2の溝M1に沿って分断起点が形成されている箇所及び溝M1に沿って引き延ばされて薄くなり分断されやすくなっている箇所も、固体の二酸化炭素粒子P1の気化膨張によって分断され、さらに溝M1上から吹き飛ばされてチップCから除去される。被加工物Wの膜W2に対する固体の二酸化炭素粒子P1の噴射を所定時間行うことで、図9に示すように、被加工物WをデバイスD及び膜W2を備えた個々のチップCに分割することができる。
Furthermore, the solid carbon dioxide
本発明に係る加工方法の実施形態2では、レーザ加工装置を利用せず、また、切削ブレード110に膜W2による目詰まりを発生させることもなく、また、例えば、被加工物Wの上方を所定角度で往復するように旋回移動する高圧水噴射ノズル45から高圧水Jを噴射して膜W2を溝M1に沿って分断し、さらに、被加工物Wの上方を所定角度で往復するように旋回移動する固体二酸化炭素粒子噴射ノズル46から固体の二酸化炭素粒子P1を噴射して膜W2のうちバリ状となった部分を除去して、被加工物WからチップCを作製することができる。また、膜W2の厚さ等の加工条件に応じて、高圧水Jの噴射時間及び固体の二酸化炭素粒子P1の噴射時間の好適な時間をそれぞれ決定し、高圧水Jの噴射時間と固体の二酸化炭素粒子P1の噴射時間とに長短を設けることができる。
In Embodiment 2 of the processing method according to the present invention, the laser processing apparatus is not used, the clogging due to the film W2 is not generated in the
W:被加工物 W1:板状物 W1a:被加工物の表面 S:分断予定ライン D:デバイス W1b:板状物の裏面 W2:膜 W2a:膜の表面 W2b:被加工物の裏面
T1:ダイシングテープ F1:環状フレーム M1:溝
1:切削装置 10:チャックテーブル 10a:保持面 100:固定クランプ
11:切削手段 110:切削ブレード 111:スピンドル
9:プラズマエッチング装置
90:静電チャック 90a:静電チャックの保持面 900:支持部材 901:電極
91:ガス噴出ヘッド 910:ガス拡散空間 911:ガス導入口
912:ガス吐出口
92:チャンバ 920:搬入出口 921:ゲートバルブ
93:ガス供給部 94,94a:整合器 95,95a:高周波電源,バイアス高周波電源 96:排気口 97:排気装置 R:レジスト膜 T2:保護部材
3:噴射装置 30:保持テーブル 30a:保持面 300:固定クランプ
31:高圧水噴射手段 310:高圧水噴射ノズル 310a:噴射口 311:高圧水供給源 311a:配管
32:固体二酸化炭素粒子噴射手段 320:噴射ノズル 320a:噴射口 321:二酸化炭素供給源 321a:配管 322:エア供給源 322a:配管
39:溝検出手段 390:ノッチ検出部 F2:リングフレーム T3:保護テープ
4:噴射装置 40:保持テーブル 40a:保持面 401:固定クランプ
42:回転手段 420:スピンドル 421:回転駆動源
44:ケーシング 440:外側壁 441:底板 442:内側壁 443:脚部
444:カバー部材 45:高圧水噴射ノズル 47:高圧水供給源 47a:配管
46:固体二酸化炭素粒子噴射ノズル 48:二酸化炭素供給源 48a:配管
49:エア供給源 49a:配管
W: Work piece W1: Plate-like object W1a: Surface of the work piece S: Line to be cut D: Device W1b: Back face of the plate-like object W2: Film W2a: Surface of the film W2b: Back face of the work piece
T1: Dicing tape F1: Annular frame M1: Groove 1: Cutting device 10: Chuck table 10a: Holding surface 100: Fixed clamp 11: Cutting means 110: Cutting blade 111: Spindle 9: Plasma etching device 90:
92: Chamber 920: Loading / unloading port 921: Gate valve 93:
32: Solid carbon dioxide particle injection means 320:
444: Cover member 45: High pressure water injection nozzle 47: High pressure
Claims (1)
被加工物の表面から該分断予定ラインに沿って溝を形成する溝形成ステップと、
該溝形成ステップを実施した後、被加工物の表面側を保持して被加工物の裏面側の該膜を露出させる保持ステップと、
該保持ステップを実施した後、被加工物の該裏面側に高圧水を噴射して該溝に沿って該膜を分断し、少なくとも一部の該溝を該裏面側に貫通させる高圧水噴射ステップと、
高圧水が噴射された被加工物の該裏面側に固体の二酸化炭素粒子を噴射して該溝に対応する該膜を除去する固体二酸化炭素粒子噴射ステップと、を備えた加工方法。 A processing method of a workpiece in which a film is formed on the back surface of a plate-like object, and a plurality of scheduled cutting lines are set,
A groove forming step of forming a groove along the line to be cut from the surface of the workpiece;
After performing the groove forming step, holding the surface side of the workpiece and exposing the film on the back side of the workpiece; and
After carrying out the holding step, a high-pressure water injection step for injecting high-pressure water onto the back surface side of the workpiece to divide the film along the groove and penetrating at least a part of the groove to the back surface side. When,
A solid carbon dioxide particle injecting step of injecting solid carbon dioxide particles onto the back surface side of the workpiece on which high-pressure water has been injected to remove the film corresponding to the grooves.
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