JP2018160314A - Method of manufacturing display device - Google Patents

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翔一朗 酒井
Shoichiro Sakai
翔一朗 酒井
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To suppress peeling failure from a substrate in manufacturing of a flexible display.SOLUTION: A method of manufacturing a display device includes the steps of: forming a through groove penetrating through a base material in a thickness direction by surrounding a display region on a laminate including a substrate and the base material having the display region formed on the substrate; and peeling the substrate from the base material by irradiating the laminate with laser beams in this order. When the laser beams are irradiated, in a region overlapping with the end of the laminate and not overlapping with the display region, a light shielding part for shielding the laser beams is formed and the through groove is arranged in a position closer to the display region side than the light shielding part.SELECTED DRAWING: Figure 5B

Description

本発明は、表示装置の製造方法に関する。   The present invention relates to a method for manufacturing a display device.

有機エレクトロルミネッセンス(EL)表示装置や液晶表示装置など、表示領域を備える表示装置において、近年、可撓性を有する基材を用いて、表示パネルを曲げることができるフレキシブルディスプレイの開発が進められている。   In display devices having a display region such as an organic electroluminescence (EL) display device and a liquid crystal display device, in recent years, development of a flexible display capable of bending a display panel using a flexible substrate has been advanced. Yes.

例えば、下記特許文献1および2に開示されるように、上記可撓性を有する基材は、ハンドリング性等の観点から、表示パネルの製造工程では基板(例えば、ガラス基板)に支持されているが、任意の適切なタイミングで基板から剥離される。   For example, as disclosed in Patent Documents 1 and 2 below, the flexible base material is supported by a substrate (for example, a glass substrate) in the manufacturing process of the display panel from the viewpoint of handling properties and the like. Is peeled from the substrate at any suitable timing.

特開2011−187446号公報JP 2011-187446 A 特開2014−120664号公報JP 2014-120664 A

しかし、基板からの剥離不良が生じ、例えば、表示パネルの表示不良の原因となる場合がある。   However, peeling failure from the substrate may occur, which may cause display failure of the display panel, for example.

本発明は、上記に鑑み、基板からの剥離不良が抑制された表示装置の製造方法の提供を目的とする。   In view of the above, an object of the present invention is to provide a method for manufacturing a display device in which poor peeling from a substrate is suppressed.

本発明に係る表示装置の製造方法は、基板と前記基板上に形成された表示領域を有する基材とを含む積層体に、前記表示領域を囲み、前記基材を厚み方向に貫通する貫通溝を形成すること、前記積層体にレーザー光を照射して、前記基材から前記基板を剥離すること、をこの順で含み、前記レーザー光の照射に際し、前記積層体の端部と重なり且つ前記表示領域とは重ならない領域に、前記レーザー光を遮光する遮光部を形成し、前記遮光部よりも前記表示領域側に前記貫通溝を配置する。   The display device manufacturing method according to the present invention includes a through-groove that surrounds the display region in a laminate including a substrate and a substrate having a display region formed on the substrate, and penetrates the substrate in the thickness direction. , Irradiating the laminated body with laser light and peeling the substrate from the base material in this order, and upon irradiation with the laser light, overlapping the end of the laminated body and the A light-shielding portion that shields the laser light is formed in a region that does not overlap the display region, and the through groove is disposed on the display region side of the light-shielding portion.

本発明の1つの実施形態に係る有機EL表示装置の概略の構成を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the structure of the outline of the organic electroluminescence display which concerns on one Embodiment of this invention. 図1に示す有機EL表示装置の表示パネルの一例を示す模式的な平面図である。FIG. 2 is a schematic plan view illustrating an example of a display panel of the organic EL display device illustrated in FIG. 1. 図2のIII−III断面の一例を示す図である。It is a figure which shows an example of the III-III cross section of FIG. 本発明の1つの実施形態における有機EL表示装置の製造方法について説明するための図である。It is a figure for demonstrating the manufacturing method of the organic electroluminescent display apparatus in one embodiment of this invention. 本発明の1つの実施形態における有機EL表示装置の製造方法について説明するための図である。It is a figure for demonstrating the manufacturing method of the organic electroluminescent display apparatus in one embodiment of this invention. 本発明の1つの実施形態における有機EL表示装置の製造方法について説明するための図である。It is a figure for demonstrating the manufacturing method of the organic electroluminescent display apparatus in one embodiment of this invention. 本発明の1つの実施形態におけるレーザー光照射時の表示パネルを基板側から見た平面図である。It is the top view which looked at the display panel at the time of laser beam irradiation in one embodiment of the present invention from the substrate side. 図5AのI−I断面の一例を示す図である。It is a figure which shows an example of the II cross section of FIG. 5A. 図5AのII−II断面の一例を示す図である。It is a figure which shows an example of the II-II cross section of FIG. 5A.

以下、本発明の実施形態について、図面を参照しつつ説明する。なお、開示はあくまで一例に過ぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に評される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して詳細な説明を適宜省略することがある。   Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. It should be noted that the disclosure is merely an example, and those skilled in the art can easily conceive of appropriate changes while maintaining the gist of the invention are naturally included in the scope of the present invention. In addition, the drawings may be schematically evaluated with respect to the width, thickness, shape, and the like of each part as compared with actual embodiments for clarity of explanation, but are merely examples, and are interpreted as the interpretation of the present invention. It is not intended to limit. In addition, in the present specification and each drawing, elements similar to those described above with reference to the previous drawings may be denoted by the same reference numerals and detailed description thereof may be omitted as appropriate.

図1は、本発明の1つの実施形態に係る表示装置の概略の構成を、有機EL表示装置を例にして示す模式図である。有機EL表示装置2は、画像を表示する画素アレイ部4と、画素アレイ部4を駆動する駆動部とを備える。有機EL表示装置2は、基材として樹脂フィルムを用いたフレキシブルディスプレイであり、この樹脂フィルムで構成された基材の上に薄膜トランジスタ(TFT)や有機発光ダイオード(OLED)などの積層構造が形成される。なお、図1に示した概略図は一例であって、本実施形態はこれに限定されるものではない。   FIG. 1 is a schematic diagram showing a schematic configuration of a display device according to an embodiment of the present invention, using an organic EL display device as an example. The organic EL display device 2 includes a pixel array unit 4 that displays an image and a drive unit that drives the pixel array unit 4. The organic EL display device 2 is a flexible display using a resin film as a base material, and a laminated structure such as a thin film transistor (TFT) or an organic light emitting diode (OLED) is formed on the base material made of the resin film. The The schematic diagram shown in FIG. 1 is an example, and the present embodiment is not limited to this.

画素アレイ部4には、画素に対応してOLED6および画素回路8がマトリクス状に配置される。画素回路8は複数のTFT10,12やキャパシタ14で構成される。   In the pixel array unit 4, OLEDs 6 and pixel circuits 8 are arranged in a matrix corresponding to the pixels. The pixel circuit 8 includes a plurality of TFTs 10 and 12 and a capacitor 14.

上記駆動部は、走査線駆動回路20、映像線駆動回路22、駆動電源回路24および制御装置26を含み、画素回路8を駆動しOLED6の発光を制御する。   The drive unit includes a scanning line drive circuit 20, a video line drive circuit 22, a drive power supply circuit 24, and a control device 26, and drives the pixel circuit 8 to control light emission of the OLED 6.

走査線駆動回路20は、画素の水平方向の並び(画素行)ごとに設けられた走査信号線28に接続されている。走査線駆動回路20は、制御装置26から入力されるタイミング信号に応じて走査信号線28を順番に選択し、選択した走査信号線28に、点灯TFT10をオンする電圧を印加する。   The scanning line driving circuit 20 is connected to a scanning signal line 28 provided for each horizontal arrangement (pixel row) of pixels. The scanning line driving circuit 20 sequentially selects the scanning signal lines 28 according to the timing signal input from the control device 26, and applies a voltage for turning on the lighting TFT 10 to the selected scanning signal lines 28.

映像線駆動回路22は、画素の垂直方向の並び(画素列)ごとに設けられた映像信号線30に接続されている。映像線駆動回路22は、制御装置26から映像信号を入力され、走査線駆動回路20による走査信号線28の選択に合わせて、選択された画素行の映像信号に応じた電圧を各映像信号線30に出力する。当該電圧は、選択された画素行にて点灯TFT10を介してキャパシタ14に書き込まれる。駆動TFT12は、書き込まれた電圧に応じた電流をOLED6に供給し、これにより、選択された走査信号線28に対応する画素のOLED6が発光する。   The video line driving circuit 22 is connected to a video signal line 30 provided for each vertical arrangement (pixel column) of pixels. The video line driving circuit 22 receives a video signal from the control device 26, and in accordance with the selection of the scanning signal line 28 by the scanning line driving circuit 20, a voltage corresponding to the video signal of the selected pixel row is applied to each video signal line. Output to 30. The voltage is written into the capacitor 14 via the lighting TFT 10 in the selected pixel row. The driving TFT 12 supplies a current corresponding to the written voltage to the OLED 6, whereby the OLED 6 of the pixel corresponding to the selected scanning signal line 28 emits light.

駆動電源回路24は、画素列ごとに設けられた駆動電源線32に接続され、駆動電源線32および選択された画素行の駆動TFT12を介してOLED6に電流を供給する。   The drive power supply circuit 24 is connected to a drive power supply line 32 provided for each pixel column, and supplies a current to the OLED 6 through the drive power supply line 32 and the drive TFT 12 of the selected pixel row.

ここで、OLED6の下部電極は、駆動TFT12に接続される。一方、各OLED6の上部電極は、全画素のOLED6に共通の電極で構成される。下部電極を陽極(アノード)として構成する場合は、高電位が入力され、上部電極は陰極(カソード)となって低電位が入力される。下部電極を陰極(カソード)として構成する場合は、低電位が入力され、上部電極は陽極(アノード)となって高電位が入力される。   Here, the lower electrode of the OLED 6 is connected to the driving TFT 12. On the other hand, the upper electrode of each OLED 6 is configured by an electrode common to the OLED 6 of all pixels. When the lower electrode is configured as an anode (anode), a high potential is input, and the upper electrode is a cathode (cathode) and a low potential is input. When the lower electrode is configured as a cathode (cathode), a low potential is input, and the upper electrode is an anode (anode) and a high potential is input.

図2は、図1に示す有機EL表示装置の表示パネルの一例を示す模式的な平面図である。表示パネル40の表示領域42に、図1に示した画素アレイ部4が設けられ、上述したように画素アレイ部4にはOLED6が配列される。上述したようにOLED6を構成する上部電極は、各画素に共通に形成され、表示領域42全体を覆う。   FIG. 2 is a schematic plan view showing an example of the display panel of the organic EL display device shown in FIG. The pixel array unit 4 shown in FIG. 1 is provided in the display area 42 of the display panel 40, and the OLEDs 6 are arranged in the pixel array unit 4 as described above. As described above, the upper electrode constituting the OLED 6 is formed in common for each pixel and covers the entire display region 42.

矩形である表示パネル40の一辺には、部品実装領域46が設けられ、表示領域42につながる配線が配置される。部品実装領域46には、駆動部を構成するドライバIC48が搭載されたり、フレキシブルプリント基板(FPC)50が接続されたりする。FPC50は、制御装置26やその他の回路20,22,24等に接続されたり、その上にICを搭載されたりする。   A component mounting area 46 is provided on one side of the rectangular display panel 40, and wirings connected to the display area 42 are arranged. In the component mounting area 46, a driver IC 48 constituting a driving unit is mounted, or a flexible printed circuit board (FPC) 50 is connected. The FPC 50 is connected to the control device 26 and other circuits 20, 22, 24, etc., and an IC is mounted thereon.

図3は、図2のIII−III断面の一例を示す図である。表示パネル40は、樹脂フィルム(或いは、樹脂膜)で構成された基材70の上に、TFT72などが形成された回路層74、OLED6およびOLED6を封止する封止層106などが積層された構造を有する。基材70を構成する樹脂としては、例えば、ポリイミド系樹脂が用いられる。ポリイミドなどの樹脂材料を含む樹脂膜を塗布にて成膜し、基材70を形成してもよい。基材70は可撓性を有する。封止層106の上には保護膜114が積層される。封止層106の上に接着層を介してシート状、或いはフィルム状の保護膜114を貼り合わせてもよい。本実施形態においては、画素アレイ部4はトップエミッション型であり、OLED6で生じた光は、基材70側とは反対側(図3において上向き)に出射される。なお、有機EL表示装置2におけるカラー化方式をカラーフィルタ方式とする場合には、例えば、封止層106と保護膜114との間、または、図示しない対向基板側にカラーフィルタが配置される。このカラーフィルタに、OLED6にて生成した白色光を通すことで、例えば、赤(R)、緑(G)、青(B)の光を作る。   FIG. 3 is a diagram illustrating an example of a III-III cross section of FIG. 2. In the display panel 40, a circuit layer 74 formed with TFTs 72 and the like, an OLED 6 and a sealing layer 106 that seals the OLED 6 are laminated on a base material 70 made of a resin film (or resin film). It has a structure. As resin which comprises the base material 70, a polyimide-type resin is used, for example. The base material 70 may be formed by coating a resin film containing a resin material such as polyimide. The base material 70 has flexibility. A protective film 114 is laminated on the sealing layer 106. A sheet-like or film-like protective film 114 may be bonded to the sealing layer 106 via an adhesive layer. In the present embodiment, the pixel array unit 4 is a top emission type, and light generated by the OLED 6 is emitted to the side opposite to the base material 70 side (upward in FIG. 3). When the colorization method in the organic EL display device 2 is a color filter method, for example, a color filter is disposed between the sealing layer 106 and the protective film 114 or on the counter substrate side (not shown). For example, red (R), green (G), and blue (B) light is produced by passing white light generated by the OLED 6 through the color filter.

表示領域42の回路層74には、上述した画素回路8、走査信号線28、映像信号線30、駆動電源線32などが形成される。駆動部の少なくとも一部分は、基材70上に回路層74として表示領域42に隣接する領域に形成することができる。上述したように、駆動部を構成するドライバIC48やFPC50を、部品実装領域46にて、回路層74の配線116に接続することができる。   In the circuit layer 74 of the display area 42, the above-described pixel circuit 8, the scanning signal line 28, the video signal line 30, the drive power supply line 32, and the like are formed. At least a part of the drive unit can be formed as a circuit layer 74 on the substrate 70 in a region adjacent to the display region 42. As described above, the driver IC 48 and the FPC 50 constituting the driving unit can be connected to the wiring 116 of the circuit layer 74 in the component mounting region 46.

図3に示すように、基材70上には、無機絶縁材料で形成された下地層80が配置されている。無機絶縁材料としては、例えば、窒化シリコン(SiN)、酸化シリコン(SiO)およびこれらの複合体が用いられる。 As shown in FIG. 3, a base layer 80 made of an inorganic insulating material is disposed on the base material 70. As the inorganic insulating material, for example, silicon nitride (SiN y ), silicon oxide (SiO x ), and a composite thereof are used.

表示領域42においては、下地層80を介して、基材70上には、トップゲート型のTFT72のチャネル部およびソース・ドレイン部となる半導体領域82が形成されている。半導体領域82は、例えば、ポリシリコン(p−Si)で形成される。半導体領域82は、例えば、基材70上に半導体層(p−Si膜)を設け、この半導体層をパターニングし、回路層74で用いる箇所を選択的に残すことにより形成される。   In the display region 42, a semiconductor region 82 serving as a channel portion and a source / drain portion of the top gate TFT 72 is formed on the base material 70 through the base layer 80. The semiconductor region 82 is formed of, for example, polysilicon (p-Si). The semiconductor region 82 is formed by, for example, providing a semiconductor layer (p-Si film) on the base material 70, patterning the semiconductor layer, and selectively leaving a portion used in the circuit layer 74.

TFT72のチャネル部の上には、ゲート絶縁膜84を介してゲート電極86が配置されている。ゲート絶縁膜84は、代表的には、TEOSで形成される。ゲート電極86は、例えば、スパッタリング等で形成した金属膜をパターニングして形成される。ゲート電極86上には、ゲート電極86を覆うように層間絶縁層88が配置されている。層間絶縁層88は、例えば、上記無機絶縁材料で形成される。TFT72のソース・ドレイン部となる半導体領域82(p−Si)には、イオン注入により不純物が導入され、さらにそれらに電気的に接続されたソース電極90aおよびドレイン電極90bが形成され、TFT72が構成される。   A gate electrode 86 is disposed on the channel portion of the TFT 72 via a gate insulating film 84. The gate insulating film 84 is typically formed of TEOS. The gate electrode 86 is formed by patterning a metal film formed by sputtering or the like, for example. An interlayer insulating layer 88 is disposed on the gate electrode 86 so as to cover the gate electrode 86. The interlayer insulating layer 88 is formed of, for example, the above inorganic insulating material. Impurities are introduced into the semiconductor region 82 (p-Si) serving as the source / drain portion of the TFT 72 by ion implantation, and further, a source electrode 90a and a drain electrode 90b electrically connected thereto are formed, and the TFT 72 is configured. Is done.

TFT72上には、層間絶縁膜92が配置されている。層間絶縁膜92の表面には、配線94が配置される。配線94は、例えば、スパッタリング等で形成した金属膜をパターニングすることにより形成される。配線94を形成する金属膜と、ゲート電極86、ソース電極90aおよびドレイン電極90bの形成に用いた金属膜とで、例えば、配線116および図1に示した走査信号線28、映像信号線30、駆動電源線32を多層配線構造で形成することができる。この上に、平坦化膜96およびパッシベーション膜98が形成され、表示領域42において、パッシベーション膜98上にOLED6が形成されている。平坦化膜96は、例えば、樹脂材料で形成される。パッシベーション膜98は、例えば、SiN等の無機絶縁材料で形成される。 On the TFT 72, an interlayer insulating film 92 is disposed. A wiring 94 is disposed on the surface of the interlayer insulating film 92. For example, the wiring 94 is formed by patterning a metal film formed by sputtering or the like. The metal film forming the wiring 94 and the metal film used for forming the gate electrode 86, the source electrode 90a, and the drain electrode 90b include, for example, the wiring 116 and the scanning signal line 28, the video signal line 30, and the like shown in FIG. The drive power supply line 32 can be formed with a multilayer wiring structure. A planarizing film 96 and a passivation film 98 are formed thereon, and the OLED 6 is formed on the passivation film 98 in the display region 42. The planarizing film 96 is made of, for example, a resin material. The passivation film 98 is formed of an inorganic insulating material such as SiN y , for example.

OLED6は、下部電極100、有機材料層102および上部電極104を含む。有機材料層102は、具体的には、正孔輸送層、発光層、電子輸送層等を含む。OLED6は、代表的には、下部電極100、有機材料層102および上部電極104を基材70側からこの順に積層して形成される。本実施形態では、下部電極100がOLED6の陽極(アノード)であり、上部電極104が陰極(カソード)である。   The OLED 6 includes a lower electrode 100, an organic material layer 102, and an upper electrode 104. Specifically, the organic material layer 102 includes a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, and the like. The OLED 6 is typically formed by laminating the lower electrode 100, the organic material layer 102, and the upper electrode 104 in this order from the base material 70 side. In the present embodiment, the lower electrode 100 is the anode (anode) of the OLED 6 and the upper electrode 104 is the cathode (cathode).

図3に示すTFT72が、nチャネルを有した駆動TFT12であるとすると、下部電極100は、TFT72のソース電極90aに接続される。具体的には、上述した平坦化膜96の形成後、下部電極100をTFT72に接続するためのコンタクトホール110が形成され、例えば、平坦化膜96表面およびコンタクトホール110内に形成した導電体部をパターニングすることにより、TFT72に接続された下部電極100が画素ごとに形成される。下部電極は、例えば、ITO(Indium Tin Oxide)、IZO(Indium Zinc Oxide)等の透過性導電材料、Ag、Al等の金属で形成される。   If the TFT 72 shown in FIG. 3 is a driving TFT 12 having an n channel, the lower electrode 100 is connected to the source electrode 90 a of the TFT 72. Specifically, after the above-described planarization film 96 is formed, a contact hole 110 for connecting the lower electrode 100 to the TFT 72 is formed. For example, the surface of the planarization film 96 and the conductor portion formed in the contact hole 110. By patterning, the lower electrode 100 connected to the TFT 72 is formed for each pixel. The lower electrode is made of a transparent conductive material such as ITO (Indium Tin Oxide) or IZO (Indium Zinc Oxide), or a metal such as Ag or Al.

上記構造上には、画素を分離するリブ112が配置されている。例えば、下部電極100の形成後、画素境界にリブ112を形成し、リブ112で囲まれた画素の有効領域(下部電極100の露出する領域)に、有機材料層102および上部電極104が積層される。上部電極104は、例えば、MgとAgの極薄合金やITO、IZO等の透過性導電材料で形成される。   On the above structure, ribs 112 for separating pixels are arranged. For example, after the formation of the lower electrode 100, ribs 112 are formed at the pixel boundaries, and the organic material layer 102 and the upper electrode 104 are laminated in an effective area of the pixel surrounded by the ribs 112 (an area where the lower electrode 100 is exposed). The The upper electrode 104 is made of, for example, a very thin alloy of Mg and Ag, or a transparent conductive material such as ITO or IZO.

上部電極104上には、表示領域42全体を覆うように封止層106が配置されている。封止層106は、第1封止膜161、封止平坦化膜160および第2封止膜162をこの順で含む積層構造を有している。第1封止膜161および第2封止膜162は、無機材料(例えば、無機絶縁材料)で形成される。具体的には、化学気相成長(CVD)法によりSiN膜を成膜することにより形成される。封止平坦化膜160は、有機材料(例えば、硬化性樹脂組成物等の樹脂材料)を用いて形成される。一方、部品実装領域46では、封止層106は配置されていない。 A sealing layer 106 is disposed on the upper electrode 104 so as to cover the entire display region 42. The sealing layer 106 has a laminated structure including the first sealing film 161, the sealing planarization film 160, and the second sealing film 162 in this order. The first sealing film 161 and the second sealing film 162 are formed of an inorganic material (for example, an inorganic insulating material). Specifically, it is formed by forming a SiN y film by chemical vapor deposition (CVD). The sealing planarization film 160 is formed using an organic material (for example, a resin material such as a curable resin composition). On the other hand, the sealing layer 106 is not disposed in the component mounting region 46.

例えば、表示パネル40の表面の機械的な強度を確保するため、表示領域42の表面に保護膜114が積層される。一方、部品実装領域46にはICやFPCを接続し易くするため保護膜114を設けない。   For example, the protective film 114 is laminated on the surface of the display region 42 in order to ensure the mechanical strength of the surface of the display panel 40. On the other hand, the protective film 114 is not provided in the component mounting area 46 for easy connection of IC and FPC.

図4A〜図4Cおよび図5A〜図5Cを参照しながら、本発明の1つの実施形態における有機EL表示装置の製造方法について説明する。なお、図4A〜図4Cにおいては、図3の構造を基材70と上部構造層108と保護膜114との3層構造に簡略化して示している。図5A〜図5Cにおいては、上部構造層108および保護膜114は省略している。   With reference to FIGS. 4A to 4C and FIGS. 5A to 5C, a method for manufacturing an organic EL display device in one embodiment of the present invention will be described. 4A to 4C, the structure of FIG. 3 is simplified to a three-layer structure of the base material 70, the upper structure layer 108, and the protective film 114. 5A to 5C, the upper structural layer 108 and the protective film 114 are omitted.

まず、図4Aに示すように、表示領域42、額縁領域44および部品実装領域46を有する基材70をガラス基板200(支持基板又は基板ともいう)上に形成する。具体的には、ガラス基板200上に、基材70の形成材料(例えば、樹脂組成物)を塗布し、必要に応じて加熱等の各種処理を施すことにより、所望の厚み(例えば、20μm程度)を有する基材70を形成する。基材70の形成材料の塗布方法としては、スピンコート法等の公知の方法が採用され得る。   First, as shown in FIG. 4A, a base material 70 having a display region 42, a frame region 44, and a component mounting region 46 is formed on a glass substrate 200 (also referred to as a support substrate or a substrate). Specifically, a desired thickness (for example, about 20 μm) is obtained by applying a forming material (for example, a resin composition) of the base material 70 on the glass substrate 200 and performing various treatments such as heating as necessary. ) Is formed. As a method for applying the forming material of the base material 70, a known method such as a spin coating method may be employed.

次に、図4B示すように、基材70上に、TFT72を含む回路層74と、平坦化膜96と、パッシベーション膜98と、OLED6と、封止層106とをこの順に形成して上部構造層108を形成後、上部構造層108上に粘着層(図示せず)を介して保護膜114(例えば、PETフィルム等の樹脂フィルム)を積層し、図4Cに示すように、基材70からガラス基板200を剥離する。図示例とは異なり、上部構造層108上に保護膜114を積層する前に、ガラス基板200を剥離してもよい。   Next, as shown in FIG. 4B, a circuit layer 74 including a TFT 72, a planarizing film 96, a passivation film 98, an OLED 6 and a sealing layer 106 are formed in this order on a base material 70 to form an upper structure. After forming the layer 108, a protective film 114 (for example, a resin film such as a PET film) is laminated on the upper structure layer 108 via an adhesive layer (not shown), and as shown in FIG. The glass substrate 200 is peeled off. Unlike the illustrated example, the glass substrate 200 may be peeled off before the protective film 114 is laminated on the upper structural layer 108.

ガラス基板200は、例えば、レーザー光を照射して(例えば、エキシマレーザーを用いて)ガラス基板200と基材70との密着性を低下させることにより剥離される。なお、レーザー光は、例えば、基板および/または基材の材質に応じて、適切な波長を有するレーザー光が選択される。   The glass substrate 200 is peeled off by, for example, irradiating laser light (for example, using an excimer laser) to reduce the adhesion between the glass substrate 200 and the base material 70. As the laser light, for example, a laser light having an appropriate wavelength is selected according to the material of the substrate and / or the base material.

図5Aはレーザー光照射時の表示パネルを基板側から見た平面図であり、図5Bは図5AのI−I断面の一例を示す図であり、図5Cは図5AのII−II断面の一例を示す図である。レーザー光を照射する際、基材70には、図5Bに示すように、予め、基材70を厚み方向に貫通する貫通溝70aが形成されている。貫通溝70aは、ガラス基板200の基材70と接する主面(第1主面)の一部を露出している。また、貫通溝70aは、図5Aの破線で示すように、表示領域42を囲むように、環状に形成されている。具体的には、部品実装領域46が設けられた矩形の基材70の一辺では、部品実装領域46に貫通溝70aが形成されている。部品実装領域46が設けられない基材70の3辺では、表示領域を囲む額縁領域44に貫通溝70aが形成されている。額縁領域44は、表示領域42を囲む領域であり、表示領域42と比較して、例えば、TFT72と、OLED6とを含まない点で異なっている。   FIG. 5A is a plan view of the display panel viewed from the substrate side during laser light irradiation, FIG. 5B is a diagram showing an example of the II cross section of FIG. 5A, and FIG. 5C is the II-II cross section of FIG. It is a figure which shows an example. When irradiating the laser beam, as shown in FIG. 5B, a through groove 70 a penetrating the base material 70 in the thickness direction is formed in the base material 70 in advance. The through groove 70 a exposes a part of the main surface (first main surface) that contacts the base material 70 of the glass substrate 200. Further, the through groove 70a is formed in an annular shape so as to surround the display region 42 as indicated by a broken line in FIG. 5A. Specifically, a through groove 70 a is formed in the component mounting region 46 on one side of the rectangular base material 70 provided with the component mounting region 46. On three sides of the base material 70 where the component mounting area 46 is not provided, a through groove 70a is formed in the frame area 44 surrounding the display area. The frame region 44 is a region surrounding the display region 42 and is different from the display region 42 in that, for example, the TFT 72 and the OLED 6 are not included.

本実施形態では、レーザー光を照射する際、図5Cに示すように、基材70(具体的には、基材70上に形成された上部構造層108)に対してFPC50を接合させている。基材70とFPC50との接合部は、貫通溝70aから表示領域42側に離間した位置に形成されている。FPC50は、代表的には、接着材料(具体的には、異方性導電材料を含有する接着材料)を用いて基材70に接合される。よって、ガラス基板200の確実な剥離性を確保する観点から、接着層120が貫通溝70aに入り込まないように貫通溝70aを形成する。具体的には、FPC50を圧着した際に、接着層120が広がって貫通溝70aに入り込まないような位置に貫通溝70aを形成する。即ち、図5Cに示すように、貫通溝70aと対向し、且つ貫通溝70aよりも表示領域42の側に位置する基材70の端部(第1端部)は、接着層120と接していない領域を備える。換言すれば、接着層120の貫通溝70aの側に位置する端部と、基材70の貫通溝70aと対向する端部(或いは、貫通溝70aに沿った辺)のとの間には、所定の間隙があり、貫通溝70aと接着層120の該端部とは互いに離間している。   In this embodiment, when the laser beam is irradiated, as shown in FIG. 5C, the FPC 50 is bonded to the base material 70 (specifically, the upper structure layer 108 formed on the base material 70). . The joint between the base material 70 and the FPC 50 is formed at a position spaced from the through groove 70a toward the display region 42 side. The FPC 50 is typically bonded to the base material 70 using an adhesive material (specifically, an adhesive material containing an anisotropic conductive material). Therefore, from the viewpoint of ensuring reliable peelability of the glass substrate 200, the through groove 70a is formed so that the adhesive layer 120 does not enter the through groove 70a. Specifically, when the FPC 50 is pressure-bonded, the through groove 70a is formed at a position where the adhesive layer 120 spreads and does not enter the through groove 70a. That is, as shown in FIG. 5C, the end portion (first end portion) of the base material 70 facing the through groove 70a and located on the display region 42 side with respect to the through groove 70a is in contact with the adhesive layer 120. With no area. In other words, between the end located on the side of the through groove 70a of the adhesive layer 120 and the end (or the side along the through groove 70a) facing the through groove 70a of the substrate 70, There is a predetermined gap, and the through groove 70a and the end of the adhesive layer 120 are separated from each other.

貫通溝70aの形成のタイミングは、レーザー光照射によるガラス基板200の剥離前であれば、特に限定されない。例えば、封止層106の形成後で保護膜114を積層する前または後に、貫通溝70aを形成する。貫通溝70aは、例えば、レーザー加工(切断、アブレーション)による除去により形成される。貫通溝70aの幅は、例えば、30μm〜40μmである。   The timing of forming the through groove 70a is not particularly limited as long as it is before peeling of the glass substrate 200 by laser light irradiation. For example, the through groove 70 a is formed after the sealing layer 106 is formed and before or after the protective film 114 is stacked. The through groove 70a is formed by, for example, removal by laser processing (cutting, ablation). The width of the through groove 70a is, for example, 30 μm to 40 μm.

図5A〜図5Cに示すように、レーザー光を照射する際、ガラス基板200の端部を覆うようにマスク300が配置され、ガラス基板200および基材70の端部にはレーザー光を遮光する遮光部が形成されている。マスク300は枠状であってもよい。遮光部は、表示領域42とは重ならない。具体的には、貫通溝70aは、形成される遮光部よりも内側(表示領域42側)に配置される。マスク300は、レーザー光を遮光し得る、任意の適切な材料から形成される。具体例としては、マスク300として金属板(例えば、アルミ板)が用いられる。図示例では、マスク300を配置して遮光部を形成しているが、例えば、ガラス基板200および基材70を含む積層体の、レーザー光が照射される側の主面の端部に蒸着等により金属層を形成することにより遮光部を形成してもよい。基材70をガラス基板200上に配置する前に、ガラス基板200のレーザー光が照射される側の主面の、端部を含む外周全体に、予め枠状の金属層を形成しておいてもよい。   As shown in FIGS. 5A to 5C, when irradiating laser light, a mask 300 is disposed so as to cover the end portion of the glass substrate 200, and the laser light is shielded from the end portions of the glass substrate 200 and the base material 70. A light shielding portion is formed. The mask 300 may have a frame shape. The light shielding portion does not overlap the display area 42. Specifically, the through groove 70a is arranged on the inner side (display area 42 side) than the light-shielding portion to be formed. The mask 300 is formed of any appropriate material that can shield laser light. As a specific example, a metal plate (for example, an aluminum plate) is used as the mask 300. In the illustrated example, the mask 300 is disposed to form the light shielding portion. For example, vapor deposition or the like is performed on the end portion of the main surface on the laser beam irradiation side of the laminate including the glass substrate 200 and the base material 70. The light shielding portion may be formed by forming a metal layer. Before placing the base material 70 on the glass substrate 200, a frame-shaped metal layer is formed in advance on the entire outer periphery including the end of the main surface of the glass substrate 200 on the side irradiated with the laser light. Also good.

レーザー光照射は、レーザー光源を所定の方向へスキャンさせることにより行う。具体的には、表示領域の長辺に対応したレーザー光源を、図5Aに示す矢印の方向に沿ってスキャンさせる。好ましくは、図5Bの矢印で示すように、ガラス基板200側からレーザー光を照射する。   Laser light irradiation is performed by scanning a laser light source in a predetermined direction. Specifically, the laser light source corresponding to the long side of the display area is scanned along the direction of the arrow shown in FIG. 5A. Preferably, as shown by the arrow in FIG. 5B, laser light is irradiated from the glass substrate 200 side.

レーザー光照射後、マスク300で遮光された端部を残し、貫通溝70aの内側において(貫通溝70aを剥離端として)、基材70からガラス基板200を剥離する。こうして、ガラス基板200および基材70の端部(特に、ガラス基板200の端面200a)では、マスク300の遮光部によってレーザー光が遮光されるので、レーザー光がガラス基板200および基材70の端部に当たらず、異物の発生を抑制することができる。その結果、ガラス基板200の優れた剥離性を実現し得る。具体的には、レーザー光がガラス基板200および基材70を含む積層体の端部に当たると、例えば、ガラス基板200および基材70の端部(特に、ガラス基板200の端面200a)から異物(カレット等)が発生、飛散し、上記積層体(特に、ガラス基板200)表面に付着する。このように、異物(特に、15μm以上の異物)が付着した状態でレーザー光が照射されると、異物の存在する部分において、レーザー光がガラス基板200と基材70との界面まで到達せず、両者の密着性が十分に低下しないおそれがある。その結果、ガラス基板200を剥離する際に、異物の存在する部分において、基板200と基材70とが分離せずに、例えば、密着性の低い有機材料層102の層間に隙間が生じ、得られる表示パネルの表示不良につながるおそれがある。このような不具合は、上記積層体(特に、ガラス基板200)の端部に遮光部を形成することで、良好に抑制される。   After the laser light irradiation, the glass substrate 200 is peeled from the base material 70 while leaving the end portion shielded by the mask 300 and inside the through groove 70a (with the through groove 70a as a peeling end). Thus, the laser light is shielded by the light shielding portion of the mask 300 at the end portions of the glass substrate 200 and the base material 70 (particularly, the end surface 200a of the glass substrate 200). The occurrence of foreign matter can be suppressed without hitting the part. As a result, excellent peelability of the glass substrate 200 can be realized. Specifically, when the laser light hits an end portion of a laminate including the glass substrate 200 and the base material 70, for example, foreign matter (particularly from the end surface 200a of the glass substrate 200) from the end portion of the glass substrate 200 and the base material 70 ( Cullet, etc.) are generated and scattered, and adhere to the surface of the laminate (particularly, the glass substrate 200). As described above, when the laser beam is irradiated in a state where foreign matter (particularly, a foreign matter of 15 μm or more) is attached, the laser light does not reach the interface between the glass substrate 200 and the base material 70 in the portion where the foreign matter exists. There is a possibility that the adhesion between the two is not sufficiently lowered. As a result, when the glass substrate 200 is peeled off, the substrate 200 and the base material 70 are not separated at the portion where the foreign matter exists, for example, a gap is generated between the layers of the organic material layer 102 with low adhesion. May cause display failure of the display panel. Such a malfunction is satisfactorily suppressed by forming a light-shielding portion at the end of the laminate (particularly the glass substrate 200).

本発明は、上記実施形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。例えば、上記実施形態で示した構成と実質的に同一の構成、同一の作用効果を奏する構成または同一の目的を達成することができる構成で置き換えることができる。例えば、上記実施形態のように、個々のパネル(個片)に分割された後に基板を剥離するのではなく、個片化前に基材から基板を剥離する形態を採用してもよい。具体的には、基板と複数のパネルに対応する表示領域を有する基材とを含む積層体に対して、複数の表示領域を囲むように基材に貫通溝を形成した後に、貫通溝で囲まれた領域にレーザー光を照射して基板を剥離する形態を採用してもよい。   The present invention is not limited to the above embodiment, and various modifications can be made. For example, it can be replaced with a configuration that is substantially the same as the configuration shown in the above embodiment, a configuration that exhibits the same operational effects, or a configuration that can achieve the same purpose. For example, the form which peels a board | substrate from a base material before individualization may be employ | adopted instead of peeling a board | substrate after dividing | segmenting into each panel (piece | piece) like the said embodiment. Specifically, for a laminate including a substrate and a base material having a display area corresponding to a plurality of panels, a through groove is formed in the base material so as to surround the plurality of display areas, and then surrounded by the through groove. A form in which the substrate is peeled off by irradiating the region with laser light may be employed.

2 有機EL表示装置、4 画素アレイ部、6 OLED、8 画素回路、10 点灯TFT、12 駆動TFT、14 キャパシタ、20 走査線駆動回路、22 映像線駆動回路、24 駆動電源回路、26 制御装置、28 走査信号線、30 映像信号線、32 駆動電源線、40 表示パネル、42 表示領域、44 額縁領域、46 部品実装領域、48 ドライバIC、50 FPC、70 基材、70a 貫通溝、72 TFT、74 回路層、80 下地層、82 半導体領域、84 ゲート絶縁膜、86 ゲート電極、88 層間絶縁層、90a ソース電極、90b ドレイン電極、92 層間絶縁膜、94 配線、96 平坦化膜、98 パッシベーション膜、100 下部電極、102 有機材料層、104 上部電極、106 封止層、108 上部構造層、110 コンタクトホール、112 リブ、114 保護膜、116 配線、200 ガラス基板、300 マスク。   2 organic EL display device, 4 pixel array unit, 6 OLED, 8 pixel circuit, 10 lighting TFT, 12 driving TFT, 14 capacitor, 20 scanning line driving circuit, 22 video line driving circuit, 24 driving power supply circuit, 26 control device, 28 scanning signal lines, 30 video signal lines, 32 drive power supply lines, 40 display panel, 42 display area, 44 frame area, 46 component mounting area, 48 driver IC, 50 FPC, 70 base material, 70a through groove, 72 TFT, 74 circuit layer, 80 underlayer, 82 semiconductor region, 84 gate insulating film, 86 gate electrode, 88 interlayer insulating layer, 90a source electrode, 90b drain electrode, 92 interlayer insulating film, 94 wiring, 96 planarization film, 98 passivation film , 100 Lower electrode, 102 Organic material layer, 104 Upper electrode, 106 Sealing layer, 1 8 upper structural layer, 110 a contact hole, 112 rib, 114 protective film, 116 wiring, 200 a glass substrate, 300 a mask.

Claims (17)

基板と前記基板上に形成された表示領域を有する基材とを含む積層体に、前記表示領域を囲み、前記基材を厚み方向に貫通する貫通溝を形成すること、
前記積層体にレーザー光を照射して、前記基材から前記基板を剥離すること、をこの順で含み、
前記レーザー光の照射に際し、前記積層体の端部と重なり且つ前記表示領域とは重ならない領域に、前記レーザー光を遮光する遮光部を形成し、前記遮光部よりも前記表示領域側に前記貫通溝を配置する、
表示装置の製造方法。
Forming a through groove that surrounds the display region and penetrates the base material in a thickness direction in a laminate including a substrate and a base material having a display region formed on the substrate;
Irradiating the laminate with a laser beam and peeling the substrate from the base material in this order,
Upon irradiation with the laser light, a light-shielding portion that shields the laser light is formed in a region that overlaps an end portion of the stacked body and does not overlap the display region, and the penetrating portion is closer to the display region than the light-shielding portion. Place the groove,
Manufacturing method of display device.
前記積層体の前記端部を覆うようにマスクを配置して前記遮光部を形成する、請求項1に記載の表示装置の製造方法。   The method for manufacturing a display device according to claim 1, wherein a mask is disposed so as to cover the end portion of the stacked body to form the light shielding portion. 前記積層体の前記基板側から前記レーザー光を照射する、請求項1または2に記載の表示装置の製造方法。   The method for manufacturing a display device according to claim 1, wherein the laser beam is irradiated from the substrate side of the laminate. 前記基板は、前記レーザー光が照射される主面を有し、
前記主面の端部を含む、前記主面の外周全体に、前記遮光部を枠状に形成する、請求項1に記載の表示装置の製造方法。
The substrate has a main surface irradiated with the laser beam,
The manufacturing method of the display device according to claim 1, wherein the light shielding portion is formed in a frame shape on the entire outer periphery of the main surface including an end portion of the main surface.
前記基材は部品を接着材料によって接合する接合部を有し、
前記接合部から前記表示領域とは反対側に離間した位置に、前記貫通溝を形成する、請求項1から4のいずれかに記載の表示装置の製造方法。
The base has a joint for joining parts with an adhesive material;
5. The method for manufacturing a display device according to claim 1, wherein the through groove is formed at a position separated from the joint portion on a side opposite to the display region.
前記基材の前記基板とは反対側に、回路層と、下部電極と上部電極とに挟持される有機材料層と、前記表示領域を覆う封止層とをこの順に形成した後に、前記貫通溝を形成する、請求項1から5のいずれかに記載の表示装置の製造方法。   After forming the circuit layer, the organic material layer sandwiched between the lower electrode and the upper electrode, and the sealing layer covering the display area in this order on the opposite side of the substrate from the substrate, the through groove The manufacturing method of the display apparatus in any one of Claim 1 to 5 which forms. 前記基板はガラス基板である、請求項1から6のいずれかに記載の表示装置の製造方法。   The method for manufacturing a display device according to claim 1, wherein the substrate is a glass substrate. 前記基材はポリイミドを含み、可撓性を有する、請求項1から7のいずれかに記載の表示装置の製造方法。   The method for manufacturing a display device according to claim 1, wherein the base material includes polyimide and has flexibility. 前記遮光部は金属からなる、請求項1から8のいずれかに記載の表示装置の製造方法。   The method for manufacturing a display device according to claim 1, wherein the light shielding portion is made of metal. 支持基板の上に樹脂を含む基材を形成する基材形成工程と、
前記基材の上に、複数の画素を備える表示領域を形成する表示領域形成工程と、
前記基材の前記表示領域の外側に、前記基材を貫通し、前記支持基板の前記基材と接する第1主面の一部を露出する貫通溝を形成する貫通溝形成工程と、
前記支持基板の前記第1主面とは反対側の第2主面に、前記第2主面の端部と重なり且つ前記表示領域とは重ならない遮光部を配置する遮光部配置工程と、
前記第2主面へレーザー光を照射し、前記基材と前記支持基板とを剥離する剥離工程と、を有する表示装置の製造方法。
A base material forming step of forming a base material containing a resin on the support substrate;
On the base material, a display region forming step of forming a display region including a plurality of pixels,
A through groove forming step of forming a through groove that penetrates the base material and exposes a part of the first main surface that contacts the base material of the support substrate, outside the display region of the base material;
A light shielding part arrangement step of arranging a light shielding part that overlaps an end of the second main surface and does not overlap the display area on a second main surface opposite to the first main surface of the support substrate;
A method for manufacturing a display device, comprising: a peeling step of irradiating the second main surface with laser light to peel the base material and the support substrate.
前記遮光部は、前記貫通溝とは重ならない、請求項10に記載の表示装置の製造方法。   The method for manufacturing a display device according to claim 10, wherein the light shielding portion does not overlap the through groove. 前記遮光部は前記レーザー光を遮光し、
前記レーザー光は、前記第2主面の前記端部へ照射されない、請求項10または請求項11に記載の表示装置の製造方法。
The light shielding portion shields the laser light,
The method for manufacturing a display device according to claim 10, wherein the laser light is not irradiated to the end portion of the second main surface.
前記基材は、前記貫通溝よりも前記表示領域の側に位置する第1の部分と、前記貫通溝よりも前記表示領域とは反対の側に位置する第2の部分と、を有し、
前記剥離工程は、前記第1の部分と前記支持基板とを剥離する、請求項10から12のいずれかに記載の表示装置の製造方法。
The base material has a first part located on the display area side with respect to the through groove, and a second part located on the side opposite to the display area with respect to the through groove,
The method for manufacturing a display device according to claim 10, wherein in the peeling step, the first portion and the support substrate are peeled off.
前記貫通溝は、線状の部分を含み、
前記第1の部分は、前記線状の部分と対向する第1端部と、前記第1端部に含まれ且つ前記線状の部分に沿った第1辺とを備え、
前記第1端部に、接着材料を介してフレキシブルプリント基板を接着する接着工程を有し、
前記接着層の前記線状の部分の側に位置する端部と、前記第1辺とは、互いに離間している、請求項10から13のいずれかに記載の表示装置の製造方法。
The through groove includes a linear portion,
The first portion includes a first end facing the linear portion, and a first side included in the first end and along the linear portion,
The first end portion has a bonding step of bonding a flexible printed circuit board through an adhesive material,
The method for manufacturing a display device according to claim 10, wherein an end portion of the adhesive layer located on the linear portion side and the first side are separated from each other.
前記遮光部は枠状であり、
前記貫通溝は、表示領域を囲う環状である、請求項10から14のいずれかに記載の表示装置の製造方法。
The light-shielding part is frame-shaped,
The method for manufacturing a display device according to claim 10, wherein the through groove has an annular shape surrounding the display area.
前記遮光部は、前記第2主面の上に配置されたマスクである、請求項10から15のいずれかに記載の表示装置の製造方法。   The method for manufacturing a display device according to claim 10, wherein the light shielding part is a mask disposed on the second main surface. 前記遮光部は、前記第2主面の上に形成された金属層である、請求項10から15のいずれかに記載の表示装置の製造方法。   The method for manufacturing a display device according to claim 10, wherein the light shielding portion is a metal layer formed on the second main surface.
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CN111986561A (en) * 2019-05-24 2020-11-24 三星显示有限公司 Method for manufacturing display device

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111986561A (en) * 2019-05-24 2020-11-24 三星显示有限公司 Method for manufacturing display device
CN110504296A (en) * 2019-09-06 2019-11-26 云谷(固安)科技有限公司 The preparation method and flexible display screen of flexible display screen
CN110504296B (en) * 2019-09-06 2021-09-14 云谷(固安)科技有限公司 Preparation method of flexible display screen and flexible display screen

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