JP2018152380A - Method for manufacturing package device chip - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、パッケージデバイスチップの製造方法に関する。 The present invention relates to a method for manufacturing a package device chip.
半導体ウエーハを個々のデバイスチップに分割する加工方法として、切削ブレードによる切削加工やパルスレーザー光線の照射によるアブレーション加工が知られている。個々に分割されたデバイスチップは、マザー基板等に固定され、ワイヤ等で配線され、モールド樹脂でパッケージされるのが一般的である。しかしながら、デバイスチップは、側面の微細なクラックなどにより、長時間稼働すると、クラックが伸展し破損する虞がある。このようなデバイスチップの破損を抑制するために、デバイスチップの側面をモールド樹脂で覆い、外的環境要因をデバイスチップに及ぼされなくするパッケージ手法が、開発された(例えば、特許文献1参照)。 As processing methods for dividing a semiconductor wafer into individual device chips, cutting processing with a cutting blade and ablation processing by irradiation with a pulsed laser beam are known. In general, the device chips divided individually are fixed to a mother substrate or the like, wired with wires or the like, and packaged with a mold resin. However, when the device chip is operated for a long time due to a minute crack on the side surface, the crack may extend and break. In order to suppress such damage to the device chip, a packaging method has been developed in which the side surface of the device chip is covered with a mold resin so that external environmental factors are not exerted on the device chip (for example, see Patent Document 1). .
特許文献1に示されたパッケージ手法は、まず、ウエーハの表面から分割予定ライン(ストリート)に沿って溝を形成し、溝とウエーハ表面にモールド樹脂を充填する。その後、特許文献1に示されたパッケージ手法は、ウエーハを裏面から溝のモールド樹脂が露出するまで薄化してウエーハのデバイスを分割する。特許文献1に示されたパッケージ手法は、最後に、ウエーハの表面から溝内のモールド樹脂を分割し個々のデバイスチップに分割する。前述したパッケージ手法において、デバイスチップに分割するために、切削加工ではなく、パルスレーザー光線の照射によるアブレーション加工を用いることが開発されている。アブレーション加工を用いることは、デバイスチップ同士の分割で用いられる切り代を非常に狭くして、分割予定ラインを非常に細く設計することができ、ウエーハ1枚当たりのデバイスチップの数を増やすことができるために有益である。 In the packaging method disclosed in Patent Document 1, first, grooves are formed along a planned dividing line (street) from the surface of the wafer, and a mold resin is filled into the grooves and the wafer surface. Thereafter, the packaging method disclosed in Patent Document 1 divides the wafer device by thinning the wafer from the back surface until the mold resin in the groove is exposed. In the packaging method disclosed in Patent Document 1, finally, the mold resin in the groove is divided from the surface of the wafer and divided into individual device chips. In the packaging method described above, in order to divide into device chips, it has been developed to use ablation processing by irradiation with a pulsed laser beam instead of cutting processing. By using ablation processing, the cutting allowance used for dividing the device chips can be made very narrow, the planned dividing line can be designed very thin, and the number of device chips per wafer can be increased. It is beneficial to be able to.
パルスレーザー光線の照射によるアブレーション加工は、モールド樹脂に非常に狭い貫通溝を形成するため、複数回パルスレーザー光線を走査し、狭い溝を徐々に深くする加工方法である。パルスレーザー光線の照射によるアブレーション加工は、加工時間を短縮するため、パルスレーザー光線の最小の走査回数で加工するため、突発的にモールド樹脂が厚くなっている箇所などがあると、その部分だけモールド樹脂を除去しきれず、貫通溝を適切に形成できずに盲穴状態となってしまう。このために、従来の加工方法では、アブレーション加工後のウエーハを1枚ずつオペレーターが確認し、貫通溝が盲穴状態となった領域付近のデバイスを不良チップとして、廃棄していた。このように、従来の加工方法では、貫通溝が盲穴状態となった領域近傍のデバイス自体に問題が無くても不良チップとして破棄するために、パッケージデバイスチップの歩留りが低下する傾向であった。 Ablation processing by irradiation with a pulsed laser beam is a processing method in which a narrow groove is gradually deepened by scanning a pulsed laser beam a plurality of times in order to form a very narrow through groove in the mold resin. Ablation processing by pulse laser beam irradiation is performed with the minimum number of scans of the pulse laser beam in order to shorten the processing time. If there is a part where the mold resin suddenly becomes thick, the mold resin is only applied to that part. It cannot be removed and the through groove cannot be formed properly, resulting in a blind hole. For this reason, in the conventional processing method, the operator confirms the wafer after ablation one by one, and discards the device in the vicinity of the region where the through groove is in a blind hole state as a defective chip. As described above, in the conventional processing method, the yield of the package device chip tends to decrease because it is discarded as a defective chip even if there is no problem in the device itself in the vicinity of the region where the through groove is in the blind hole state. .
本発明は、このような点に鑑みてなされたものであり、パッケージデバイスチップの歩留りの低下を抑制することができるパッケージデバイスチップの製造方法を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of these points, and an object of the present invention is to provide a method of manufacturing a package device chip that can suppress a decrease in the yield of the package device chip.
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明のパッケージデバイスチップの製造方法は、パッケージデバイスチップの製造方法であって、交差する複数の分割予定ラインに区画された複数の領域にデバイスが形成された表面を備えるウエーハの表面に、該分割予定ラインに沿った溝を形成する溝形成ステップと、該溝にモールド樹脂を充填するとともに該ウエーハの表面を該モールド樹脂で被覆し、パッケージウエーハを形成するモールドステップと、該パッケージウエーハの裏面にエキスパンドテープを貼着するテープ貼着ステップと、該テープ貼着ステップの後に、該パッケージウエーハ表面の外周部に被覆された該モールド樹脂を除去して、該モールド樹脂が充填された該溝を外周部で露出させるモールド樹脂除去ステップと、該溝に沿って形成する該パッケージウエーハの分割溝の位置を、外周部で露出した該溝に基づいて割り出すアライメントステップと、該アライメントステップで割り出した位置に基づいて、該モールド樹脂に対して吸収性を有する波長のレーザー光線を該溝に沿って照射し、該パッケージウエーハを分割する分割溝を形成する分割溝形成ステップと、該分割溝で完全切断された領域と切り残し部の残存で不完全切断となった領域とが両方確認される該パッケージウエーハに対し、該エキスパンドテープを拡張して該分割溝の切り残し部を該分割予定ラインに沿って破断し、該パッケージウエーハから該パッケージデバイスチップを得る破断ステップと、を備えることを特徴とする。 In order to solve the above-described problems and achieve the object, a manufacturing method of a package device chip according to the present invention is a manufacturing method of a package device chip, and includes a plurality of regions partitioned by a plurality of intersecting scheduled lines. A groove forming step for forming a groove along the line to be divided on the surface of the wafer including the surface on which the device is formed; and filling the groove with a mold resin and covering the surface of the wafer with the mold resin; A mold step for forming a package wafer; a tape attaching step for attaching an expanded tape to the back surface of the package wafer; and the mold resin coated on the outer peripheral portion of the surface of the package wafer after the tape attaching step. Mold resin removing step of removing and exposing the groove filled with the mold resin at the outer periphery An alignment step for determining the position of the dividing groove of the package wafer formed along the groove based on the groove exposed at the outer peripheral portion, and the mold resin based on the position determined in the alignment step. A split groove forming step for forming a split groove for splitting the package wafer by irradiating a laser beam having an absorptive wavelength along the groove, and a region completely cut by the split groove and a remaining uncut portion are not present. With respect to the package wafer where both the completely cut region is confirmed, the expanded tape is expanded and the uncut portion of the divided groove is broken along the planned dividing line, and the package device is removed from the package wafer. And a breaking step for obtaining a chip.
前記パッケージデバイスチップの製造方法において、該モールドステップの後で、該モールド樹脂除去ステップの前に、該パッケージウエーハのモールド面側に保護部材を貼着し、該パッケージウエーハの裏面を研削して薄化し、該モールド樹脂が充填された該溝を裏面に露出させる研削ステップを備えても良い。 In the manufacturing method of the package device chip, after the molding step and before the mold resin removing step, a protective member is attached to the mold surface side of the package wafer, and the back surface of the package wafer is ground and thinned. And a grinding step for exposing the groove filled with the mold resin to the back surface.
前記パッケージデバイスチップの製造方法において、該モールドステップの後で該テープ貼着ステップの前に、パッケージウエーハの裏面に該レーザー光線の波長が吸収される材料の補強フィルムを貼着する補強フィルム貼着ステップを備え、該分割溝形成ステップでは、該補強フィルムも該分割溝によって分割されても良い。 In the manufacturing method of the package device chip, a reinforcing film attaching step of attaching a reinforcing film made of a material capable of absorbing the wavelength of the laser beam to the back surface of the package wafer after the molding step and before the tape attaching step. In the divided groove forming step, the reinforcing film may also be divided by the divided grooves.
そこで、本願発明のパッケージデバイスチップの製造方法では、パッケージデバイスチップの歩留りの低下を抑制することができるという効果を奏する。 Therefore, the method for manufacturing a package device chip according to the present invention has an effect of suppressing a decrease in the yield of the package device chip.
本発明を実施するための形態(実施形態)につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本発明が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成は適宜組み合わせることが可能である。また、本発明の要旨を逸脱しない範囲で構成の種々の省略、置換又は変更を行うことができる。 DESCRIPTION OF EMBODIMENTS Embodiments (embodiments) for carrying out the present invention will be described in detail with reference to the drawings. The present invention is not limited by the contents described in the following embodiments. The constituent elements described below include those that can be easily assumed by those skilled in the art and those that are substantially the same. Furthermore, the structures described below can be combined as appropriate. Various omissions, substitutions, or changes in the configuration can be made without departing from the scope of the present invention.
〔実施形態1〕
実施形態1に係るパッケージデバイスチップの製造方法を説明する。図1(a)は、実施形態1に係るパッケージデバイスチップの製造方法の加工対象のウエーハの斜視図である。図1(b)は、図1(a)に示されたウエーハのデバイスの斜視図である。図2は、実施形態1に係るパッケージデバイスチップの製造方法の加工対象のパッケージウエーハの要部の断面図である。図3は、実施形態1に係るパッケージデバイスチップの製造方法により製造されるパッケージデバイスチップを示す斜視図である。図4は、実施形態1に係るパッケージデバイスチップの製造方法の流れを示すフローチャートである。
Embodiment 1
A method for manufacturing a package device chip according to the first embodiment will be described. FIG. 1A is a perspective view of a wafer to be processed in the method for manufacturing a package device chip according to the first embodiment. FIG. 1B is a perspective view of the wafer device shown in FIG. FIG. 2 is a cross-sectional view of a main part of a package wafer to be processed in the manufacturing method of the package device chip according to the first embodiment. FIG. 3 is a perspective view showing a package device chip manufactured by the method for manufacturing a package device chip according to the first embodiment. FIG. 4 is a flowchart showing a flow of the manufacturing method of the package device chip according to the first embodiment.
実施形態1に係るパッケージデバイスチップの製造方法は、被加工物である図2に示すパッケージウエーハ201の分割予定ライン202にアブレーション加工等を施して、図3に示すパッケージデバイスチップ203を製造する方法である。実施形態1に係るパッケージデバイスチップの製造方法によりパッケージデバイスチップ203に分割されるパッケージウエーハ201は、図1に示すウエーハ204により構成される。図1(a)に示すウエーハ204は、実施形態1ではシリコン、サファイア、ガリウムヒ素などを基板205とする円板状の半導体ウエーハや光デバイスウエーハである。ウエーハ204は、図1(a)に示すように、交差(実施形態1では、直交)する複数の分割予定ライン202によって区画された複数の領域にそれぞれデバイス206が形成されたデバイス領域207と、デバイス領域207を囲繞しかつデバイス206が形成されていない外周余剰領域208とを表面209に備える。デバイス206の表面には、図1(b)に示すように、複数の突起電極であるバンプ210が形成されている。
The manufacturing method of the package device chip according to the first embodiment is a method for manufacturing the
ウエーハ204は、図2に示すように、デバイス領域207の表面209、及び分割予定ライン202に沿って分割予定ライン202に形成された溝211がモールド樹脂212で覆われてパッケージウエーハ201に構成される。即ち、パッケージウエーハ201は、基板205の表面209に設けられたデバイス206上とデバイス206間の溝211とにモールド樹脂212が充填されている。パッケージウエーハ201は、分割予定ライン202に形成された溝211が分割されて、図3に示すパッケージデバイスチップ203に分割される。パッケージデバイスチップ203は、基板205の表面209上に設けられたデバイス206上と全ての側面213とがモールド樹脂212により被覆され、バンプ210がモールド樹脂212から突出して、バンプ210が露出している。
As shown in FIG. 2, the
なお、実施形態1において、パッケージウエーハ201の溝211の幅は、分割予定ライン202の幅よりも狭く、例えば30μmである。実施形態1において、パッケージウエーハ201の厚さ(仕上がり厚さともいう)は、デバイスに分割される半導体ウエーハよりも厚く、例えば、300μmである。実施形態1において、パッケージデバイスチップ203の平面形状は、切削ブレードを用いて半導体ウエーハから分割されるデバイスよりも大きく、例えば、一辺が3mmの四角形に形成されている。
In the first embodiment, the width of the
実施形態1に係るパッケージデバイスチップの製造方法(以下、単に製造方法と記す)は、図4に示すように、溝形成ステップST1と、モールドステップST2と、研削ステップST3と、テープ貼着ステップST4と、モールド樹脂除去ステップST5と、アライメントステップST6と、分割溝形成ステップST7と、完全切断確認ステップST8と、破断ステップST9とを備える。実施形態1に係る製造方法は、モールドステップST2を実施した後に研削ステップST3を実施するが、本発明は、モールド樹脂除去ステップST5の前に研削ステップST3を実施しても良い。 As shown in FIG. 4, the package device chip manufacturing method according to the first embodiment (hereinafter simply referred to as a manufacturing method) includes a groove forming step ST1, a molding step ST2, a grinding step ST3, and a tape attaching step ST4. And a mold resin removing step ST5, an alignment step ST6, a dividing groove forming step ST7, a complete cutting confirmation step ST8, and a breaking step ST9. Although the manufacturing method according to the first embodiment performs the grinding step ST3 after performing the molding step ST2, the present invention may perform the grinding step ST3 before the molding resin removal step ST5.
(溝形成ステップ)
溝形成ステップST1は、ウエーハ204の表面209に分割予定ライン202に沿った溝211を形成するステップである。図5は、図4に示されたパッケージデバイスチップの製造方法の溝形成ステップに用いられる切削装置の概略の構成を示す斜視図である。図6(a)は、図4に示されたパッケージデバイスチップの製造方法の溝形成ステップ中のウエーハの要部の断面図である。図6(b)は、図4に示されたパッケージデバイスチップの製造方法の溝形成ステップ後のウエーハの要部の断面図である。図6(c)は、図4に示されたパッケージデバイスチップの製造方法の溝形成ステップ後のウエーハの斜視図である。
(Groove forming step)
The groove forming step ST1 is a step of forming the
溝形成ステップST1で形成される溝211の深さは、パッケージウエーハ201の仕上がり厚さ以上である。実施形態1において、溝形成ステップST1は、表面209の裏側の裏面214にダイシングテープ215を貼着し、ダイシングテープ215の外周に環状フレーム216を取り付けて、図5に示すように、ウエーハ204を環状フレーム216で支持する。
The depth of the
溝形成ステップST1は、切削装置100のチャックテーブル101の保持面102にウエーハ204の裏面214をダイシングテープ215を介して吸引保持して、図6(a)に示すように、切削装置100の切削ユニット103の切削ブレード104を用いて分割予定ライン202を切削する。溝形成ステップST1は、分割予定ライン202を切削して、図6(b)に示すように、ウエーハ204の表面209に分割予定ライン202に沿った溝211を形成する。
In the groove forming step ST1, the
溝形成ステップST1は、チャックテーブル101を図示しないX軸移動ユニットにより水平方向と平行なX軸方向に移動させ、切削ユニット103の切削ブレード104をY軸移動ユニット105により水平方向と平行でかつX軸方向と直交するY軸方向に移動させ、切削ユニット103の切削ブレード104をZ軸移動ユニット106により鉛直方向と平行なZ軸方向に移動させて、図6(c)に示すように、ウエーハ204の各分割予定ライン202の表面209に溝211を形成する。なお、本発明では、溝形成ステップST1は、レーザー光線を用いたアブレーション加工で溝211を形成しても良い。
In the groove forming step ST1, the chuck table 101 is moved in the X-axis direction parallel to the horizontal direction by an X-axis moving unit (not shown), and the
(モールドステップ)
モールドステップST2は、溝211にモールド樹脂212を充填するとともにウエーハ204の表面209をモールド樹脂212で被覆し、パッケージウエーハ201を形成するステップである。図7は、図4に示されたパッケージデバイスチップの製造方法のモールドステップ後のパッケージウエーハの斜視図である。図8は、図4に示されたパッケージデバイスチップの製造方法のモールドステップ後のパッケージウエーハの要部の断面図である。
(Mold step)
The mold step ST2 is a step of filling the
実施形態1において、モールドステップST2は、図示しない樹脂被覆装置の保持テーブルにウエーハ204の裏面214をダイシングテープ215を介して保持し、ウエーハ204の表面209を型枠で覆い、型枠中にモールド樹脂212を充填して、モールド樹脂212で表面209全体及び溝211を覆う。実施形態1において、モールド樹脂212として熱硬化性樹脂を用いる。モールドステップST2は、ウエーハ204の表面209全体及び溝211を覆ったモールド樹脂212を加熱して、硬化させる。また、実施形態1は、モールド樹脂212で表面209全体及び溝211を覆った際に、バンプ210が露出しているが、本発明は、硬化したモールド樹脂212に研磨加工を施して、バンプ210を確実に露出させるようにしても良い。
In the first embodiment, in the molding step ST2, the
(研削ステップ)
研削ステップST3は、モールドステップST2の後で、モールド樹脂除去ステップST5の前に、パッケージウエーハ201のモールド樹脂212により被覆されたモールド面217側に保護部材218を貼着し、パッケージウエーハ201の裏面214を研削して薄化し、モールド樹脂212が充填された溝211を裏面214に露出させるステップである。図9(a)は、図4に示されたパッケージデバイスチップの製造方法の研削ステップを示す側面図である。図9(b)は、図4に示されたパッケージデバイスチップの製造方法の研削ステップ後のパッケージウエーハの断面図である。
(Grinding step)
In the grinding step ST3, after the molding step ST2, and before the mold resin removal step ST5, a
研削ステップST3は、図9(a)に示すように、パッケージウエーハ201のモールド面217側に保護部材218を貼着し、ダイシングテープ215を裏面214から剥がした後、保護部材218を研削装置110のチャックテーブル111の保持面112に吸引保持し、パッケージウエーハ201の裏面214に研削砥石113を当接させて、チャックテーブル111及び研削砥石113を軸心回りに回転して、パッケージウエーハ201の裏面214に研削加工を施す。研削ステップST3は、図9(b)に示すように、パッケージウエーハ201の基板205を仕上がり厚さまで薄化して、溝211に充填されたモールド樹脂212が露出するまでパッケージウエーハ201を薄化する。
In the grinding step ST3, as shown in FIG. 9A, the
(テープ貼着ステップ)
テープ貼着ステップST4は、パッケージウエーハ201の裏面214に伸縮性を有するエキスパンドテープ219を貼着するステップである。図10は、図4に示されたパッケージデバイスチップの製造方法のテープ貼着ステップを示す斜視図である。
(Tape sticking step)
The tape sticking step ST4 is a step of sticking an
テープ貼着ステップST4は、図10に示すように、外周に環状フレーム220が貼着されたエキスパンドテープ219にパッケージウエーハ201の裏面214を貼着し、保護部材218をモールド面217から剥がす。
In the tape attaching step ST4, as shown in FIG. 10, the
(モールド樹脂除去ステップ)
モールド樹脂除去ステップST5は、テープ貼着ステップST4の後に、パッケージウエーハ201の表面109の外周部である外周余剰領域208に被覆されたモールド樹脂212を除去して、モールド樹脂212が充填された溝211を外周余剰領域208で露出させるステップである。図11(a)は、図4に示されたパッケージデバイスチップの製造方法のモールド樹脂除去ステップを示す斜視図である。図11(b)は、図4に示されたパッケージデバイスチップの製造方法のモールド樹脂除去ステップ後のパッケージウエーハの斜視図である。
(Mold resin removal step)
In the mold resin removal step ST5, after the tape adhering step ST4, the
実施形態1において、モールド樹脂除去ステップST5は、パッケージウエーハ201の外周余剰領域208の外周縁の全周に亘ってモールド樹脂212を除去する。実施形態1において、モールド樹脂除去ステップST5は、溝形成ステップST1と同様に、図11(a)に示すように、切削装置100のチャックテーブル101の保持面102にパッケージウエーハ201の裏面214をエキスパンドテープ219を介して吸引保持し、チャックテーブル101を回転駆動源107にZ軸方向と平行な軸心回りに回転させながら切削ブレード108を基板205に達するまで外周余剰領域208の外周縁上のモールド樹脂212に切り込ませて、外周余剰領域208の外周縁上にモールド樹脂212が充填された溝211を露出させる。モールド樹脂除去ステップST5は、図11(b)に示すように、パッケージウエーハ201の外周余剰領域208の外周縁のモールド樹脂212を除去する。なお、図10、図11(a)及び図11(b)は、バンプ210を省略している。
In the first embodiment, the mold resin removing step ST5 removes the
(アライメントステップ)
アライメントステップST6は、溝211に沿って形成するパッケージウエーハ201の図15に示す分割溝221の位置を、外周余剰領域208で露出した溝211に基づいて割り出すステップである。図12は、図4に示されたパッケージデバイスチップの製造方法のアライメントステップ及び分割溝形成ステップに用いられるレーザー加工装置の概略の構成を示す斜視図である。図13は、図4に示されたパッケージデバイスチップの製造方法のアライメントステップを示す斜視図である。図14は、図13に示されたパッケージウエーハの平面図である。
(Alignment step)
The alignment step ST6 is a step of determining the position of the dividing
アライメントステップST6は、モールド樹脂212が充填された溝211を外周余剰領域208で露出させたパッケージウエーハ201を図12に示すレーザー加工装置120のチャックテーブル121の保持面122で吸引保持し、環状フレーム220をクランプ部123でクランプする。
In the alignment step ST6, the
アライメントステップST6で、レーザー加工装置120の制御ユニット124は、チャックテーブル121を割り出し送り方向である水平方向と平行なY軸方向にY軸移動ユニット125に移動させて、複数の分割予定ライン202のうちの一つの分割予定ライン202の外周余剰領域208で露出した溝211に撮像ユニット126を対向させて、撮像ユニット126に撮像させる。アライメントステップST6で、レーザー加工装置120の制御ユニット124は、撮像ユニット126が撮像した分割予定ライン202に形成された溝211の画像に基づいて、レーザー加工装置120の回転駆動源127に軸心回りにチャックテーブル121を回転させて、図14に示すように、互いに直交する分割予定ライン202のうちの一方の分割予定ライン202に形成された溝211をX軸方向と平行にする。
In alignment step ST6, the
アライメントステップST6で、レーザー加工装置120の制御ユニット124は、図13に示すように、X軸移動ユニット128とY軸移動ユニット125によりパッケージウエーハ201の外周縁に沿ってチャックテーブル121と撮像ユニット126とを相対的に移動させて、パッケージウエーハ201の外周縁で露出した溝211を順次撮像する。また、実施形態1において、図14に示すように、アライメントステップST6では、制御ユニット124が撮像ユニット126にX軸方向と平行な一方の分割予定ライン202に形成されている溝211を撮像させた後、回転駆動源127にチャックテーブル121を軸心回りに90度回転させて、制御ユニット124が撮像ユニット126にX軸方向と平行な他方の分割予定ライン202に形成されている溝211を撮像させて、全ての溝211を撮像する。アライメントステップST6で、レーザー加工装置120の制御ユニット124は、撮像ユニット126が撮像した溝211の画像から溝211に形成する分割溝221の位置を割り出して、記憶する。なお、実施形態1において、制御ユニット124は、溝211の幅方向の中央を分割溝221の位置として割り出す。
In alignment step ST6, the
なお、制御ユニット124は、レーザー加工装置120の各構成要素を制御するコンピュータである。制御ユニット124は、CPU(central processing unit)のようなマイクロプロセッサを有する演算処理装置と、ROM(read only memory)又はRAM(random access memory)のようなメモリを有する記憶装置と、入出力インターフェース装置とを有する。制御ユニット124の演算処理装置は、記憶装置に記憶されているコンピュータプログラムに従って演算処理を実施して、レーザー加工装置120を制御するための制御信号を、入出力インターフェース装置を介してレーザー加工装置120の上述した構成要素に出力する。また、制御ユニット124は、加工動作の状態や画像などを表示する液晶表示装置などにより構成される図示しない表示手段や、オペレータが加工内容情報などを登録する際に用いる入力手段と接続されている。入力手段は、表示手段に設けられたタッチパネルと、キーボード等とのうち少なくとも一つにより構成される。なお、図13及び図14は、バンプ210を省略している。
The
(分割溝形成ステップ)
分割溝形成ステップST7は、アライメントステップST6で割り出した位置に基づいて、モールド樹脂212に対して吸収性を有する波長のレーザー光線222をレーザー光線照射ユニット129から溝211に沿って照射し、溝211に充填されたモールド樹脂212にパッケージウエーハ201を分割する分割溝221を形成するステップである。図15は、図4に示されたパッケージデバイスチップの製造方法の分割溝形成ステップ後のパッケージウエーハの一例を示す平面図である。図16は、図15中のXVI−XVI線に沿う断面図である。図17は、図15中のXVII−XVII線に沿う断面図である。
(Divided groove forming step)
In the split groove forming step ST7, the
レーザー光線照射ユニット129がチャックテーブル121の保持面122に保持されたパッケージウエーハ201の表面209に照射するレーザー光線222は、パッケージウエーハ201の溝211内に充填されたモールド樹脂212に対して吸収性を有する波長(例えば、355nm)でかつレーザーパワーが一定なパルス状のレーザー光線である。レーザー光線222の波長は、他にも532nmなども使用でき、モールド樹脂212が吸収する200nm〜1200nmの範囲内の波長であれば良い。
The
分割溝形成ステップST7で、レーザー加工装置120の制御ユニット124は、X軸移動ユニット128及びY軸移動ユニット125に、レーザー光線照射ユニット129とチャックテーブル121とをアライメントステップST6で割り出した位置に基づいて、各分割予定ライン202に沿って相対的に移動させて、レーザー光線照射ユニット129からレーザー光線222を溝211内に充填されたモールド樹脂212に照射する。分割溝形成ステップST7で、レーザー加工装置120の制御ユニット124は、X軸方向に沿って各分割予定ライン202に沿って相対的にレーザー光線照射ユニット129を複数回移動される間に、各分割予定ライン202の溝211内のモールド樹脂212にレーザー光線222を照射する。なお、各分割予定ライン202に沿って相対的にレーザー光線照射ユニット129を移動する回数は、該溝211のモールド樹脂212を分割する分割溝221を形成可能な最低限の回数である。
In the split groove forming step ST7, the
分割溝形成ステップST7で、レーザー加工装置120の制御ユニット124は、全ての分割予定ライン202の溝211内に充填されたモールド樹脂212にレーザー光線222を照射して、パッケージウエーハ201をアブレーション加工して、分割予定ライン202の溝211に充填されたモールド樹脂212に分割溝221を形成する。
In the split groove forming step ST7, the
分割溝形成ステップST7後のパッケージウエーハ201の分割予定ライン202の溝211内のモールド樹脂212に形成された大部分の分割溝221(以下、符号221−1で示す)は、図15及び図17に示すように、溝211内に充填されたモールド樹脂212を貫通している。しかしながら、各分割予定ライン202に沿って相対的にレーザー光線照射ユニット129を移動する回数が、分割溝221を形成可能な最低限の回数であるために、分割溝形成ステップST7後のパッケージウエーハ201に形成された一部分の分割溝221(以下、符号221−2で示す)は、図15及び図16に示すように、分割溝221の溝底にモールド樹脂212の切り残し部224が残存して、分割溝221が溝211内に充填されたモールド樹脂212を貫通していていないことがある。本明細書は、パッケージウエーハ201の分割溝221内のモールド樹脂212を貫通した領域を、分割溝221で完全切断された領域221−1といい、パッケージウエーハ201の分割溝221の溝底にモールド樹脂212が残存した領域を、不完全切断の領域221−2又は不完全切断となった領域221−2という。なお、図15は、分割予定ライン202に形成された分割溝221の完全切断された領域221−1を白地で示し、分割予定ライン202に形成された分割溝221の不完全切断となった領域221−2を平行斜線で示す。なお、図15は、バンプ210を省略している。
Most of the divided grooves 221 (hereinafter denoted by reference numeral 221-1) formed in the
(完全切断確認ステップ)
完全切断確認ステップST8は、分割溝221の溝底に切り残し部224が残存して、パッケージウエーハ201に不完全切断の領域221−2が発生しているか否かを確認するステップである。図18は、図4に示されたパッケージデバイスチップの製造方法の完全切断確認ステップを示す側面図である。
(Complete cutting confirmation step)
The complete cut confirmation step ST8 is a step for confirming whether or not the
実施形態1において、完全切断確認ステップST8は、図18に示すように、パッケージウエーハ201の裏面214側に光源225を配置し、表面209側に位置するオペレータが分割溝221を通して光源225の光を目視できるか否かで、パッケージウエーハ201に不完全切断の領域221−2が発生しているか否かを確認する。しかしながら、本発明では、パッケージウエーハ201を挟んで、光源225と図示しない撮像装置とを配置し、撮像装置が撮像した画像に画像処理を施して、パッケージウエーハ201に不完全切断の領域221−2が発生しているか否かを確認しても良い。また、本発明は、チャックテーブル121に光源225を内蔵させ、保持面122を透過性を有する材料で構成して、完全切断確認ステップST8において、光源225を点灯させて、オペレータの目視又は撮像装置が雑奏した画像でパッケージウエーハ201に不完全切断の領域221−2が発生しているか否かを確認しても良い。
In the first embodiment, in the complete cutting confirmation step ST8, as shown in FIG. 18, the
(破断ステップ)
破断ステップST9は、完全切断確認ステップST8で、分割溝221で完全切断された領域221−1と切り残し部224の残存で不完全切断となった領域221−2とが両方確認されたパッケージウエーハ201に対し、エキスパンドテープ219を拡張して分割溝221の切り残し部224を分割予定ライン202に沿って破断し、パッケージウエーハ201から該パッケージデバイスチップ203を得るステップである。図19は、図4に示されたパッケージデバイスチップの製造方法の破断ステップにおいて破断装置にパッケージウエーハを固定した状態を示す断面図である。図20は、図4に示されたパッケージデバイスチップの製造方法の破断ステップにより複数のパッケージデバイスチップに分割されたパッケージウエーハを示す断面図である。
(Breaking step)
The breaking step ST9 is a package wafer in which both the region 221-1 completely cut by the dividing
破断ステップST9は、パッケージウエーハ201を環状フレーム220で支持された状態のまま破断装置130に搬送し、環状フレーム220を破断装置130のクランプ部131に挟み込んで固定する。そして、破断ステップST9は、図19に示すように、破断装置130の押圧部材132をエキスパンドテープ219に当接させた後、図20に示すように、押圧部材132を上昇させて、エキスパンドテープ219を面方向に拡張させる。それにより、破断ステップST9は、パッケージウエーハ201に対して、エキスパンドテープ219の面方向すなわちパッケージウエーハ201の半径方向に向かう外力を付与し、完全切断された領域221−1のパッケージデバイスチップ203間の間隔を広げるとともに、不完全切断となった領域221−2の切り残し部224を分割予定ライン202に沿って破断し、パッケージウエーハ201から個々のパッケージデバイスチップ203を得る。
In the breaking step ST9, the
その後、分割されたパッケージデバイスチップ203は、エキスパンドテープ219に吸着されたまま次工程へと搬送される。また、完全切断確認ステップST8で不完全領域の領域221−2が確認されなかった、パッケージウエーハ201即ち完全切断された領域221−1のみを有するパッケージウエーハ201は、破断ステップST9が実施されることなく、次工程へと搬送されても良い。次工程において、エキスパンドテープ219から各パッケージデバイスチップ203を剥離させる際には、例えばバキュームパッドを用いて複数のパッケージデバイスチップ203を吸引すれば、複数のパッケージデバイスチップ203をエキスパンドテープ219から一括に剥離させることができる。
Thereafter, the divided
実施形態1に係る製造方法は、不完全切断となった領域221−2が発生したパッケージウエーハ201に対し、破断ステップST9でエキスパンドテープ219を拡張して、切り残し部224を分割予定ライン202に沿って破断する。このために、実施形態1に係る製造方法は、分割溝221の溝底に切り残し部224があっても、エキスパンドテープ219の拡張により切り残し部224を破断でき、確実に個々のパッケージデバイスチップ203に分割できるという効果を奏し、分割溝形成ステップST7で不完全切断となった領域221−2付近のパッケージデバイスチップ203を不良チップとして破棄することを抑制することができる。その結果、実施形態1に係る製造方法は、パッケージデバイスチップ203の歩留りの低下を抑制することができる、という効果を奏する。
In the manufacturing method according to the first embodiment, the expanded
また、実施形態1に係る製造方法は、モールドステップST2の後でかつモールド樹脂除去ステップST5の前に、パッケージウエーハ201の裏面214を研削して、溝211を裏面214に露出させる研削ステップST3を備える。このために、実施形態1に係る製造方法は、分割溝形成ステップST7でレーザー光線222を溝211内に充填されたモールド樹脂212に照射でき、分割溝221を所望の位置に形成することができる。
In addition, the manufacturing method according to the first embodiment includes a grinding step ST3 for grinding the
〔実施形態2〕
実施形態2に係るパッケージデバイスチップの製造方法を説明する。図21は、実施形態2に係るパッケージデバイスチップの製造方法により製造されるパッケージデバイスチップを示す斜視図である。図22は、実施形態2に係るパッケージデバイスチップの製造方法の流れを示すフローチャートである。図23は、図22に示されたパッケージデバイスチップの製造方法の補強フィルム貼着ステップを示す斜視図である。図24は、図22に示されたパッケージデバイスチップの製造方法のテープ貼着ステップを示す斜視図である。図25は、図22に示されたパッケージデバイスチップの製造方法の分割溝形成ステップ後のパッケージウエーハの断面の一例を示す断面図である。図26は、図25に示されたパッケージウエーハの破断ステップ後の断面図である。図21から図26は、実施形態1と同一部分に同一符号を付して説明を省略する。
[Embodiment 2]
A method for manufacturing a package device chip according to the second embodiment will be described. FIG. 21 is a perspective view illustrating a package device chip manufactured by the method for manufacturing a package device chip according to the second embodiment. FIG. 22 is a flowchart showing the flow of the manufacturing method of the package device chip according to the second embodiment. FIG. 23 is a perspective view showing a reinforcing film attaching step of the manufacturing method of the package device chip shown in FIG. FIG. 24 is a perspective view showing a tape attaching step of the manufacturing method of the package device chip shown in FIG. FIG. 25 is a cross-sectional view showing an example of a cross section of the package wafer after the division groove forming step of the manufacturing method of the package device chip shown in FIG. FIG. 26 is a cross-sectional view of the package wafer after the breaking step shown in FIG. In FIG. 21 to FIG. 26, the same parts as those of the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and description thereof is omitted.
実施形態2に係るパッケージデバイスチップの製造方法(以下、単に製造方向と記す)は、図21に示すパッケージデバイスチップ203−2を製造する方法である。図21に示すパッケージデバイスチップ203−2は、基板205の裏面214の全体に補強フィルム226が貼着されていること以外、実施形態1に示されたパッケージデバイスチップ203と構成が等しい。
The package device chip manufacturing method according to the second embodiment (hereinafter simply referred to as a manufacturing direction) is a method of manufacturing the package device chip 203-2 shown in FIG. The package device chip 203-2 illustrated in FIG. 21 has the same configuration as the
実施形態2に係る製造方法は、図22に示すように、研削ステップST3の実施後の補強フィルム貼着ステップST10を備え、テープ貼着ステップST4が実施形態1と異なること以外、実施形態1と等しい。 As shown in FIG. 22, the manufacturing method according to the second embodiment includes a reinforcing film adhering step ST10 after the grinding step ST3, and the tape adhering step ST4 is different from the first embodiment except for the first embodiment. equal.
補強フィルム貼着ステップST10は、モールドステップST2の後でテープ貼着ステップST4の前に、パッケージウエーハ201の裏面214にレーザー光線222の波長が吸収される材料の補強フィルム226を貼着するステップである。実施形態2において、補強フィルム貼着ステップST10は、研削ステップST3後に、図23に示すように、研削後のパッケージウエーハ201の裏面214に補強フィルム226を貼り付ける。補強フィルム226は、レーザー光線222を吸収する材料により構成され、パッケージデバイスチップ203の裏面214を保護するためのチップ裏面保護テープであり、パッケージウエーハ201と概ね同形に形成されている。
The reinforcing film attaching step ST10 is a step of attaching a reinforcing
具体的には、補強フィルム226は、特開2004−260190号公報に開示された保護膜形成層を備えるチップ裏面保護テープ等を用いると良い。なお、この保護膜形成層は、代表的には、エポキシ樹脂やフェノール樹脂等の熱硬化性成分(又は、紫外線硬化型樹脂等のエネルギー線硬化性成分)と、アクリル系ポリマー等のバインダーポリマー成分とで構成される。
Specifically, for the reinforcing
補強フィルム貼着ステップST10は、このように構成される補強フィルム226をパッケージウエーハ201の裏面214に貼り付けた後、補強フィルム226を硬化させる。例えば、ヒータを用いて130℃で補強フィルム226をベークし、熱硬化させる。これにより、パッケージウエーハ201の裏面214から補強フィルム226が剥離しないように固定される。この補強フィルム226により、研削後の薄いパッケージウエーハ201が補強される。
In the reinforcing film sticking step ST10, the reinforcing
補強フィルム貼着ステップST10後に、テープ貼着ステップST4は、図24に示すように、外周に環状フレーム220が貼着されたエキスパンドテープ219にパッケージウエーハ201の裏面214を補強フィルム226を介して貼着し、保護部材218を表面209から剥がす。
After the reinforcing film sticking step ST10, the tape sticking step ST4 sticks the
また、実施形態2に係る製造方法の分割溝形成ステップST7後のパッケージウエーハ201の分割予定ライン202に形成された分割溝221の完全切断された領域221−1は、分割溝221がモールド樹脂212及び補強フィルム226を貫通している。また、不完全切断となった領域221−2は、図25に示すように、分割溝221の溝底に補強フィルム226の切り残し部224−2が残存して、分割溝221が補強フィルム226を貫通していていないことがある。実施形態2に係る製造方法の破断ステップST9は、実施形態1と同様に、完全切断確認ステップST8で不完全切断となった領域221−2が確認されたパッケージウエーハ201に対し、破断装置130を用いて、エキスパンドテープ219を拡張して分割溝221の補強フィルム226の切り残し部224−2を、図26に示すように、分割予定ライン202に沿って破断する。こうして、実施形態2に係る製造方法のでは、破断ステップST9は、補強フィルム226も分割溝221によって(沿って)分割される。なお、図24は、バンプ210を省略している。
Further, in the completely cut region 221-1 of the dividing
実施形態2に係る製造方法は、実施形態1と同様に、分割溝221の溝底に切り残し部224−2があっても、エキスパンドテープ219の拡張により切り残し部224−2を破断でき、確実に個々のパッケージデバイスチップ203に分割でき、パッケージデバイスチップ203の歩留りの低下を抑制することができる、という効果を奏する。
In the manufacturing method according to the second embodiment, the uncut portion 224-2 can be broken by the expansion of the expanded
〔実施形態3〕
実施形態3に係るパッケージデバイスチップの製造方法を説明する。図27は、実施形態3に係るパッケージデバイスチップの製造方法の加工対象のウエーハの斜視図である。図27は、実施形態1と同一部分に同一符号を付して説明を省略する。
[Embodiment 3]
A method for manufacturing a package device chip according to the third embodiment will be described. FIG. 27 is a perspective view of a wafer to be processed in the package device chip manufacturing method according to the third embodiment. In FIG. 27, the same parts as those of the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and description thereof is omitted.
実施形態3に係るパッケージデバイスチップの製造方法(以下、単に製造方法と記す)は、加工対象が図27に示すウエーハ204であり、モールドステップST2、研削ステップST3及びモールド樹脂除去ステップST5を実施することなく、テープ貼着ステップST4、溝形成ステップST1、アライメントステップST6、分割溝形成ステップST7、完全切断確認ステップST8、破断ステップST9を順に実施する。
In the manufacturing method of a package device chip according to the third embodiment (hereinafter simply referred to as a manufacturing method), the object to be processed is the
実施形態3に係る製造方法の加工対象のウエーハ204は、表面209に低誘電率絶縁体被膜(Low−k膜)が形成されたもの又はデバイス206がCMOS(Complementary MOS(Metal-Oxide-Semiconductor))などの撮像素子である。低誘電率絶縁体被膜は、SiOF又はBSG(SiOB)のような無機物系の膜とポリイミド系又はパリレン系等のポリマー膜である有機物系の膜とから構成されている。実施形態3に係る製造方法は、ウエーハ204の表面209にエキスパンドテープ219を貼着し、エキスパンドテープ219の外周に環状フレームを固定した後(テープ貼着ステップST4)、溝形成ステップST1において、表面209側に所定厚さの切代を残して溝211が裏面214側から分割予定ライン202に沿って切削される。
The
実施形態3に係る製造方法は、溝形成ステップST1の後、実施形態1と同様に分割予定ライン202を検出するアライメントステップST6を実施し、分割溝形成ステップST7において、レーザー加工装置120のX軸移動ユニット128によりチャックテーブル121が1回移動される間にレーザー光線照射ユニット129がウエーハ204の溝211内にウエーハ204に対して吸収性を有する波長のレーザー光線222を照射して、切代を切断して分割溝221を形成する。実施形態3に係る製造方法は、実施形態1と同様に、不完全切断となった領域221−2が確認されたウエーハ204に対して、破断ステップST9を行う。
In the manufacturing method according to the third embodiment, after the groove forming step ST1, the alignment step ST6 for detecting the division planned
実施形態3に係る製造方法は、実施形態1と同様に、分割溝221の溝底に切り残し部224があっても、エキスパンドテープ219の拡張により切り残し部を破断でき、確実に個々のデバイスチップに分割でき、デバイスチップの歩留りの低下を抑制することができる、という効果を奏する。
In the manufacturing method according to the third embodiment, as in the first embodiment, even if the
なお、実施形態1から実施形態3に係るパッケージデバイスチップの製造方法によれば、以下のウエーハの加工方法が得られる。
(付記1)
ウエーハの加工方法であって、
交差する複数の分割予定ラインに区画された複数の領域にデバイスが形成された表面を備えるウエーハの表面に、該分割予定ラインに沿った溝を形成する溝形成ステップと、
該溝にモールド樹脂を充填するとともに該ウエーハの表面を該モールド樹脂で被覆し、パッケージウエーハを形成するモールドステップと、
該パッケージウエーハの裏面にエキスパンドテープを貼着するテープ貼着ステップと、
該テープ貼着ステップの後に、該パッケージウエーハ表面の外周部に被覆された該モールド樹脂を除去して、該モールド樹脂が充填された該溝を外周部で露出させるモールド樹脂除去ステップと、
該溝に沿って形成する該パッケージウエーハの分割溝の位置を、外周部で露出した該溝に基づいて割り出すアライメントステップと、
該アライメントステップで割り出した位置に基づいて、該モールド樹脂に対して吸収性を有する波長のレーザー光線を該溝に沿って照射し、該パッケージウエーハを分割する分割溝を形成する分割溝形成ステップと、
該分割溝の溝底に切り残し部が残存して、該パッケージウエーハに不完全切断の領域が発生しているかを確認する完全切断確認ステップと、
該完全切断確認ステップで、該分割溝で完全切断された領域と該切り残し部の残存で不完全切断となった領域とが両方確認された該パッケージウエーハに対し、該エキスパンドテープを拡張して該分割溝の切り残し部を該分割予定ラインに沿って破断し、該パッケージウエーハから該パッケージデバイスチップを得る破断ステップと、を備えるウエーハの加工方法。
(付記2)
ウエーハの加工方法であって、
交差する複数の分割予定ラインに区画された複数の領域にデバイスが形成された表面を備えるウエーハに該分割予定ラインに沿った溝を形成する溝形成ステップと、
該ウエーハにエキスパンドテープを貼着するテープ貼着ステップと、
該溝に沿って形成する該ウエーハの分割溝の位置を露出した該溝に基づいて割り出すアライメントステップと、
該アライメントステップで割り出した位置に基づいて、吸収性を有する波長のレーザー光線を該溝に沿って照射し、該ウエーハを分割する分割溝を形成する分割溝形成ステップと、
該分割溝の溝底に切り残し部が残存して、該ウエーハに不完全切断の領域が発生しているかを確認する完全切断確認ステップと、
該完全切断確認ステップで、該分割溝で完全切断された領域と該切り残し部の残存で不完全切断となった領域とが両方確認された該ウエーハに対し、該エキスパンドテープを拡張して該分割溝の切り残し部を該分割予定ラインに沿って破断し、該ウエーハから該デバイスチップを得る破断ステップと、を備えるウエーハの加工方法。
In addition, according to the manufacturing method of the package device chip according to the first to third embodiments, the following wafer processing method can be obtained.
(Appendix 1)
Wafer processing method,
A groove forming step of forming a groove along the predetermined division line on the surface of the wafer including a surface in which devices are formed in a plurality of regions partitioned into a plurality of predetermined division lines intersecting;
A mold step of filling the groove with a mold resin and coating the surface of the wafer with the mold resin to form a package wafer;
A tape attaching step of attaching an expanded tape to the back surface of the package wafer;
After the tape sticking step, removing the mold resin coated on the outer peripheral portion of the surface of the package wafer, and exposing the groove filled with the mold resin at the outer peripheral portion; and
An alignment step of determining the position of the split groove of the package wafer formed along the groove based on the groove exposed at the outer periphery;
Based on the position determined in the alignment step, a split groove forming step for forming a split groove for splitting the package wafer by irradiating the mold resin with a laser beam having a wavelength that absorbs the mold resin;
A complete cutting confirmation step for confirming whether or not an uncut region is generated in the package wafer by leaving an uncut portion at the bottom of the divided groove;
In the complete cutting confirmation step, the expanded tape is expanded with respect to the package wafer in which both the area completely cut by the dividing groove and the area that has been cut incompletely due to the remaining uncut portion are confirmed. Breaking the uncut portion of the divided groove along the line to be divided, and obtaining the package device chip from the package wafer.
(Appendix 2)
Wafer processing method,
A groove forming step of forming a groove along the planned division line on a wafer having a surface on which a device is formed in a plurality of regions partitioned into a plurality of planned division lines intersecting;
A tape attaching step for attaching an expanded tape to the wafer;
An alignment step of determining the position of the dividing groove of the wafer formed along the groove based on the exposed groove;
Based on the position determined in the alignment step, a laser beam having an absorptive wavelength is irradiated along the groove, and a split groove forming step for forming a split groove for splitting the wafer;
A complete cutting confirmation step for confirming whether an incompletely cut region is generated on the wafer, with the uncut portion remaining on the groove bottom of the divided groove;
In the complete cutting confirmation step, the expanded tape is expanded to the wafer in which both the area completely cut by the dividing groove and the area that has been cut incompletely due to the remaining uncut portion are confirmed. A breakage step of breaking the uncut portion of the dividing groove along the line to be divided and obtaining the device chip from the wafer.
付記1及び付記2の加工方法は、分割溝の溝底に切り残し部があっても、エキスパンドテープの拡張により切り残し部を破断でき、確実に個々のパッケージデバイスチップ又はデバイスチップに分割でき、パッケージデバイスチップ又はバイスチップの歩留りの低下を抑制することができる、という効果を奏する。 In the processing methods of Supplementary Note 1 and Supplementary Note 2, even if there are uncut portions at the bottom of the divided grooves, the uncut portions can be broken by expanding the expanded tape, and can be divided into individual package device chips or device chips reliably. There is an effect that a decrease in the yield of the package device chip or the vice chip can be suppressed.
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。即ち、本発明の骨子を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。 The present invention is not limited to the above embodiment. That is, various modifications can be made without departing from the scope of the present invention.
201 パッケージウエーハ(被加工物)
202 分割予定ライン
203,203−2 パッケージデバイスチップ
204 ウエーハ(被加工物)
205 基板
206 デバイス
207 デバイス領域
208 外周余剰領域(外周部)
209 表面
211 溝
212 モールド樹脂
213 側面
214 裏面
217 モールド面
218 保護部材
219 エキスパンドテープ
221 分割溝
221−1 完全切断された領域
221−2 不完全切断の領域、不完全切断となった領域
222 レーザー光線
224,224−2 切り残し部
226 補強フィルム
ST1 溝形成ステップ
ST2 モールドステップ
ST3 研削ステップ
ST4 テープ貼着ステップ
ST5 モールド樹脂除去ステップ
ST6 アライメントステップ
ST7 分割溝形成ステップ
ST8 完全切断確認ステップ
ST9 破断ステップ
ST10 補強フィルム貼着ステップ
201 Package wafer (workpiece)
202 Scheduled division lines 203, 203-2
205
209
Claims (4)
交差する複数の分割予定ラインに区画された複数の領域にデバイスが形成された表面を備えるウエーハの表面に、該分割予定ラインに沿った溝を形成する溝形成ステップと、
該溝にモールド樹脂を充填するとともに該ウエーハの表面を該モールド樹脂で被覆し、パッケージウエーハを形成するモールドステップと、
該パッケージウエーハの裏面にエキスパンドテープを貼着するテープ貼着ステップと、
該テープ貼着ステップの後に、該パッケージウエーハ表面の外周部に被覆された該モールド樹脂を除去して、該モールド樹脂が充填された該溝を外周部で露出させるモールド樹脂除去ステップと、
該溝に沿って形成する該パッケージウエーハの分割溝の位置を、外周部で露出した該溝に基づいて割り出すアライメントステップと、
該アライメントステップで割り出した位置に基づいて、該モールド樹脂に対して吸収性を有する波長のレーザー光線を該溝に沿って照射し、該パッケージウエーハを分割する分割溝を形成する分割溝形成ステップと、
該分割溝で完全切断された領域と切り残し部の残存で不完全切断となった領域とが両方確認される該パッケージウエーハに対し、該エキスパンドテープを拡張して該分割溝の切り残し部を該分割予定ラインに沿って破断し、該パッケージウエーハから該パッケージデバイスチップを得る破断ステップと、を備えるパッケージデバイスチップの製造方法。 A method for manufacturing a package device chip, comprising:
A groove forming step of forming a groove along the predetermined division line on the surface of the wafer including a surface in which devices are formed in a plurality of regions partitioned into a plurality of predetermined division lines intersecting;
A mold step of filling the groove with a mold resin and coating the surface of the wafer with the mold resin to form a package wafer;
A tape attaching step of attaching an expanded tape to the back surface of the package wafer;
After the tape sticking step, removing the mold resin coated on the outer peripheral portion of the surface of the package wafer, and exposing the groove filled with the mold resin at the outer peripheral portion; and
An alignment step of determining the position of the split groove of the package wafer formed along the groove based on the groove exposed at the outer periphery;
Based on the position determined in the alignment step, a split groove forming step for forming a split groove for splitting the package wafer by irradiating the mold resin with a laser beam having a wavelength that absorbs the mold resin;
For the package wafer in which both the region completely cut by the dividing groove and the region which has been cut incompletely due to the remaining of the uncut portion are confirmed, the expanded tape is expanded to leave the uncut portion of the dividing groove. A breakage step of breaking along the division line to obtain the package device chip from the package wafer.
該分割溝形成ステップでは、該補強フィルムも該分割溝によって分割される請求項1に記載のパッケージデバイスチップの製造方法。 A step of attaching a reinforcing film made of a material that absorbs the wavelength of the laser beam on the back surface of the package wafer after the molding step and before the tape attaching step;
The method for manufacturing a package device chip according to claim 1, wherein in the dividing groove forming step, the reinforcing film is also divided by the dividing grooves.
交差する複数の分割予定ラインに区画された複数の領域にデバイスが形成された表面を備えるウエーハに該分割予定ラインに沿った溝を形成する溝形成ステップと、
該ウエーハの表面にエキスパンドテープを貼着するテープ貼着ステップと、
該溝に沿って形成する該ウエーハの分割溝の位置を露出した該溝に基づいて割り出すアライメントステップと、
該アライメントステップで割り出した位置に基づいて、吸収性を有する波長のレーザー光線を該溝に沿って照射し、該ウエーハを分割する分割溝を形成する分割溝形成ステップと、
該分割溝の溝底に切り残し部が残存して、該ウエーハに不完全切断の領域が発生しているかを確認する完全切断確認ステップと、
該完全切断確認ステップで、該分割溝で完全切断された領域と該切り残し部の残存で不完全切断となった領域とが両方確認された該ウエーハに対し、該エキスパンドテープを拡張して該分割溝の切り残し部を該分割予定ラインに沿って破断し、該ウエーハから該デバイスチップを得る破断ステップと、を備えるデバイスチップの製造方法。 A device chip manufacturing method comprising:
A groove forming step of forming a groove along the planned division line on a wafer having a surface on which a device is formed in a plurality of regions partitioned into a plurality of planned division lines intersecting;
A tape sticking step for sticking an expanded tape to the surface of the wafer;
An alignment step of determining the position of the dividing groove of the wafer formed along the groove based on the exposed groove;
Based on the position determined in the alignment step, a laser beam having an absorptive wavelength is irradiated along the groove, and a split groove forming step for forming a split groove for splitting the wafer;
A complete cutting confirmation step for confirming whether an incompletely cut region is generated on the wafer, with the uncut portion remaining on the groove bottom of the divided groove;
In the complete cutting confirmation step, the expanded tape is expanded to the wafer in which both the area completely cut by the dividing groove and the area that has been cut incompletely due to the remaining uncut portion are confirmed. A breakage step of breaking the uncut portion of the divided groove along the planned dividing line, and obtaining the device chip from the wafer.
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