JP2018148132A - Substrate processing apparatus and substrate processing method - Google Patents
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Abstract
Description
この発明は、基板を処理する基板処理装置および基板処理方法に関する。処理対象になる基板には、たとえば、半導体ウエハ、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、FED(Field Emission Display)用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板、太陽電池用基板などの基板が含まれる。 The present invention relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing method for processing a substrate. Examples of substrates to be processed include semiconductor wafers, liquid crystal display substrates, plasma display substrates, FED (Field Emission Display) substrates, optical disk substrates, magnetic disk substrates, magneto-optical disk substrates, and photomasks. Substrates such as substrates for substrates, ceramic substrates, and substrates for solar cells are included.
基板を1枚ずつ処理する枚葉式の基板処理装置は、鉛直方向に沿う回転軸線まわりに回転可能なスピンベースと、スピンベースに設けられ、基板を保持する保持ピンとを含む。このような基板処理装置を用いた基板処理では、処理液ノズルから吐出された処理液によって、回転状態の基板の上面を処理することができる。
しかし、基板処理中には、回転する構造物(スピンベースや保持ピン)の周囲に気流が発生し、基板処理中に発生した処理液のミスト(微小な液滴)が気流に乗って基板の下方に回り込み、基板の下面に処理液が付着することがある。そのため、基板の上面および周縁を伝って基板の下面に付着することを防止した場合であっても、基板の下面に処理液が付着するおそれがある。
A single-wafer type substrate processing apparatus that processes substrates one by one includes a spin base that can rotate around a rotation axis along the vertical direction, and a holding pin that is provided on the spin base and holds the substrate. In the substrate processing using such a substrate processing apparatus, the upper surface of the rotating substrate can be processed by the processing liquid discharged from the processing liquid nozzle.
However, during the substrate processing, an air flow is generated around the rotating structure (spin base and holding pin), and the mist (micro droplets) of the processing solution generated during the substrate processing rides on the air flow and moves on the substrate. The processing liquid may wrap around and adhere to the lower surface of the substrate. Therefore, even if it is a case where it adheres to the lower surface of a board | substrate along the upper surface and periphery of a board | substrate, there exists a possibility that a process liquid may adhere to the lower surface of a board | substrate.
そこで、下記特許文献1に記載の基板処理装置では、基板の下面とスピンベースとの間に保護ディスクを設けることによって、基板の下面を保護しながら基板の上面を処理する基板処理が提案されている。 Therefore, in the substrate processing apparatus described in Patent Document 1 below, substrate processing is proposed in which a protective disk is provided between the lower surface of the substrate and the spin base, thereby processing the upper surface of the substrate while protecting the lower surface of the substrate. Yes.
特許文献1に記載の基板処理装置では、保護ディスクをスピンベースから浮上させて基板の下面に接近させることによって、保護ディスクと基板の下面との間の空間への処理液のミストの進入を抑制することができる。しかし、保護ディスクを基板の下面に接近させた場合であっても、保護ディスクと基板との間には、隙間が設けられている。そのため、処理液のミストがその隙間を通って基板の下面に付着するおそれがある。 In the substrate processing apparatus described in Patent Document 1, the mist of the processing liquid is prevented from entering the space between the protective disk and the lower surface of the substrate by floating the protective disk from the spin base and approaching the lower surface of the substrate. can do. However, even when the protective disk is brought close to the lower surface of the substrate, a gap is provided between the protective disk and the substrate. Therefore, the mist of the processing liquid may adhere to the lower surface of the substrate through the gap.
そこで、この発明の1つの目的は、基板の下面を良好に保護することができる基板処理装置および基板処理方法を提供することである。 Accordingly, one object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus and a substrate processing method capable of satisfactorily protecting the lower surface of the substrate.
この発明は、鉛直方向に沿う回転軸線まわりに回転するベースと、前記ベースの回転方向に互いに間隔を隔てて前記ベースに設けられ、前記ベースよりも上方で前記基板の周縁部を保持する複数の保持ピンと、前記ベースと前記基板との間に配置され、前記基板から下方に離間した離間位置と、前記離間位置よりも前記基板に近接した近接位置との間で昇降可能であり、前記基板に下方から対向する対向部材と、前記対向部材に設けられ、前記対向部材が前記近接位置に位置する状態で、前記基板の下面と前記対向部材との間の空間への気流の進入を抑制する第1進入抑制部材とを含む、基板処理装置を提供する。 The present invention provides a base that rotates about a rotation axis along a vertical direction, and a plurality of bases that are provided in the base and spaced apart from each other in the rotational direction of the base, and that hold the peripheral edge of the substrate above the base. The holding pin is disposed between the base and the substrate and can be moved up and down between a separation position spaced downward from the substrate and a proximity position closer to the substrate than the separation position. A counter member facing from below, and a counter member provided on the counter member, wherein the counter member is positioned in the proximity position to suppress the inflow of airflow into the space between the lower surface of the substrate and the counter member. There is provided a substrate processing apparatus including an ingress suppression member.
この構成によれば、ベースは、複数の保持ピンに基板の周縁部を保持させた状態で回転軸線まわりに回転可能である。前述したように、回転する構造物の周囲には、気流が発生する。たとえば、基板の回転径方向の外方から基板の下面と対向部材との間に流れ込む気流が発生しやすい。対向部材を近接位置に位置させた状態では、基板の下面と対向部材との間の空間への気流の進入が第1進入抑制部材によって抑制されている。したがって、液体が気流に乗って基板の下面と対向部材との間の空間へ進入することも抑制することができる。よって、基板の下面を良好に保護することができる。 According to this configuration, the base can rotate around the rotation axis in a state where the peripheral edge of the substrate is held by the plurality of holding pins. As described above, an air flow is generated around the rotating structure. For example, an airflow that flows between the lower surface of the substrate and the opposing member tends to be generated from the outside in the rotation radial direction of the substrate. In a state in which the facing member is positioned at the close position, the first intrusion suppressing member suppresses the inflow of airflow into the space between the lower surface of the substrate and the facing member. Therefore, the liquid can also be prevented from entering the space between the lower surface of the substrate and the opposing member by riding on the airflow. Therefore, the lower surface of the substrate can be well protected.
なお、回転径方向とは、回転軸線に対する直交方向のことである。また、回転径方向の内方とは、回転径方向において回転軸線に向かう方向である。また、回転径方向の外方とは、回転径方向において回転軸線側とは反対側に向かう方向である。
この発明の一実施形態では、前記第1進入抑制部材が、前記対向部材に固定された第1固定部と、前記基板の回転径方向の外方に向かうにしたがって前記基板の下面に近づくように前記第1固定部から延び、前記基板の下面の周縁部に弾性的に接触する第1弾性接触部とを含む。
In addition, the rotation diameter direction is a direction orthogonal to the rotation axis. Further, the inner side in the rotational radial direction is a direction toward the rotational axis in the rotational radial direction. Further, the outward direction in the rotational radial direction is a direction toward the side opposite to the rotational axis side in the rotational radial direction.
In one embodiment of the present invention, the first entry suppression member is closer to the lower surface of the substrate as it goes outward in the rotational radial direction of the substrate and the first fixing portion fixed to the opposing member. A first elastic contact portion extending from the first fixed portion and elastically contacting a peripheral portion of the lower surface of the substrate.
この構成によれば、第1弾性接触部は、第1固定部から基板の回転径方向の外方に向かうにしたがって基板の下面に近づくように第1固定部から延びる。そのため、基板の下面と対向部材との間に回転径方向の外方に向かう気流が生じた際、その気流が第1弾性接触部と基板の下面との間に入り込みやすい。そして、この気流は、第1弾性接触部と基板の下面との間を通過するのに必要な幅を有する隙間が第1弾性接触部と基板の下面との間に形成されるように第1弾性接触部を弾性変形させる。そして、この気流は、その隙間を通って基板の下面と対向部材との間の空間から外部に排出される。そのため、基板の下面と対向部材との間の圧力が過剰に大きくなることを防ぐことができ、かつ、基板の下面と対向部材との間の空間への気流の進入を抑制することができる。 According to this configuration, the first elastic contact portion extends from the first fixing portion so as to approach the lower surface of the substrate as it goes outward from the first fixing portion in the rotation radial direction of the substrate. Therefore, when an air flow directed outward in the rotational radial direction is generated between the lower surface of the substrate and the opposing member, the air flow easily enters between the first elastic contact portion and the lower surface of the substrate. The airflow is first such that a gap having a width necessary to pass between the first elastic contact portion and the lower surface of the substrate is formed between the first elastic contact portion and the lower surface of the substrate. The elastic contact portion is elastically deformed. And this airflow is discharged | emitted outside from the space between the lower surface of a board | substrate and an opposing member through the clearance gap. Therefore, it is possible to prevent an excessive increase in pressure between the lower surface of the substrate and the opposing member, and it is possible to suppress the inflow of airflow into the space between the lower surface of the substrate and the opposing member.
この発明の一実施形態では、前記第1進入抑制部材が、多孔質材料によって形成されている。
この構成によれば、第1進入抑制部材は、多孔質材料によって形成されている。そのため、第1進入抑制部材は、気体から所定の値以上の圧力を受けることによって、その気体を通過させることができる。基板の下面と対向部材との間に回転径方向の外方に向かう気流が生じ、この気流に起因して第1進入抑制部材の周辺において基板の下面と対向部材との間の圧力が所定の値以上となることがある。この場合、基板の下面と対向部材との間の空間内の気体は、第1進入抑制部材を通過して外部に排出される。その一方で、第1進入抑制部材は、基板の下面と対向部材との間の空間への気流の進入を抑制できる。そのため、基板の下面と対向部材との間の圧力が過剰に大きくなることを防ぐことができ、かつ、基板の下面と対向部材との間の空間への気流の進入を抑制することができる。
In one Embodiment of this invention, the said 1st approach suppression member is formed with the porous material.
According to this structure, the 1st approach suppression member is formed with the porous material. Therefore, the 1st approach suppression member can let the gas pass by receiving the pressure more than a predetermined value from gas. An air flow directed outward in the radial direction is generated between the lower surface of the substrate and the opposing member. Due to this air flow, the pressure between the lower surface of the substrate and the opposing member around the first entry suppression member is a predetermined value. May be more than the value. In this case, the gas in the space between the lower surface of the substrate and the opposing member passes through the first entry suppressing member and is discharged to the outside. On the other hand, the first entry suppression member can suppress the entry of airflow into the space between the lower surface of the substrate and the opposing member. Therefore, it is possible to prevent an excessive increase in pressure between the lower surface of the substrate and the opposing member, and it is possible to suppress the inflow of airflow into the space between the lower surface of the substrate and the opposing member.
また、第1進入抑制部材は、多孔質材料によって形成されているため、液体を通過させにくい。したがって、外部から基板の下面と対向部材との間の空間への液体の進入を一層抑制することができる。
この発明の一実施形態では、前記基板処理装置は、前記保持ピンに設けられ、前記基板の下面の周縁部と前記保持ピンとの間から前記基板の下面の周縁部と前記対向部材との間の空間への気流の進入を抑制する第2進入抑制部材をさらに含む。
Moreover, since the 1st entrance suppression member is formed with the porous material, it is hard to let a liquid pass. Therefore, it is possible to further suppress the entry of the liquid from the outside into the space between the lower surface of the substrate and the opposing member.
In one embodiment of the present invention, the substrate processing apparatus is provided on the holding pin, and is between the peripheral edge on the lower surface of the substrate and the holding pin and between the peripheral edge on the lower surface of the substrate and the opposing member. It further includes a second entry suppression member that suppresses the entry of the airflow into the space.
この構成によれば、第2進入抑制部材は、基板の下面の周縁部と保持ピンとの間から基板の下面と対向部材との間の空間への気流の進入を抑制する。そのため、液体が気流に乗って基板の下面の周縁部と保持ピンとの間から基板の下面と対向部材との間の空間へ進入することを抑制することができる。
この発明の一実施形態では、前記第2進入抑制部材が、前記保持ピンに固定された第2固定部と、前記基板の回転径方向の外方に向かうにしたがって前記基板の下面に近づくように前記第2固定部から延び、前記基板の下面の周縁部に弾性的に接触する第2弾性接触部とを含む。
According to this configuration, the second entry suppressing member suppresses the inflow of airflow from between the peripheral edge portion of the lower surface of the substrate and the holding pin to the space between the lower surface of the substrate and the opposing member. Therefore, it is possible to suppress the liquid from entering the space between the peripheral portion of the lower surface of the substrate and the holding pin and entering the space between the lower surface of the substrate and the opposing member by riding on the airflow.
In one embodiment of the present invention, the second entry suppressing member is closer to the lower surface of the substrate as it goes outward in the rotational radial direction of the substrate and the second fixing portion fixed to the holding pin. A second elastic contact portion extending from the second fixing portion and elastically contacting a peripheral portion of the lower surface of the substrate.
この構成によれば、第2弾性接触部は、第2固定部から基板の回転径方向の外方に向かうにしたがって基板の下面に近づくように第2固定部から延びる。そのため、基板の下面と対向部材との間に回転径方向の外方に向かう気流が生じた際、その気流が第2弾性接触部と基板の下面との間に入り込みやすい。そして、この気流は、第2弾性接触部と基板の下面との間を通過するのに必要な幅を有する隙間が第2弾性接触部と基板の下面との間に形成されるように第2弾性接触部を弾性変形させる。そして、この気流は、その隙間を通って基板の下面と対向部材との間の空間から外部に排出される。そのため、基板の下面と対向部材との間の圧力が過剰に大きくなることを防ぐことができ、かつ、基板の下面の周縁部と保持ピンとの間から基板の下面と対向部材との間の空間への気流の進入を抑制することができる。 According to this configuration, the second elastic contact portion extends from the second fixing portion so as to approach the lower surface of the substrate as it goes outward from the second fixing portion in the rotation radial direction of the substrate. Therefore, when an air flow directed outward in the rotational radial direction is generated between the lower surface of the substrate and the opposing member, the air flow easily enters between the second elastic contact portion and the lower surface of the substrate. The airflow is secondly formed such that a gap having a width necessary to pass between the second elastic contact portion and the lower surface of the substrate is formed between the second elastic contact portion and the lower surface of the substrate. The elastic contact portion is elastically deformed. And this airflow is discharged | emitted outside from the space between the lower surface of a board | substrate and an opposing member through the clearance gap. Therefore, the pressure between the lower surface of the substrate and the opposing member can be prevented from becoming excessively large, and the space between the peripheral portion of the lower surface of the substrate and the holding pin and the space between the lower surface of the substrate and the opposing member can be prevented. It is possible to suppress the entry of the airflow into the.
この発明の一実施形態では、前記第2進入抑制部材が、多孔質材料によって形成されている。
この構成によれば、第2進入抑制部材は、多孔質材料によって形成されている。そのため、第2進入抑制部材は、気体から所定の値以上の圧力を受けることによって、その気体を通過させることができる。基板の下面と対向部材との間に回転径方向の外方に向かう気流が生じ、この気流に起因して第2進入抑制部材の周辺において基板の下面と対向部材との間の圧力が所定の値以上となることがある。この場合、基板の下面と対向部材との間の空間内の気体は、基板の下面と対向部材との間の空間から外部に排出される。その一方で、基板の下面と対向部材との間の空間に外部から気流が進入することを抑制できる。そのため、基板の下面と対向部材との間の圧力が過剰に大きくなることを防ぐことができ、かつ、基板の下面の周縁部と保持ピンとの間から基板の下面と対向部材との間の空間への気流の進入を抑制することができる。
In one Embodiment of this invention, the said 2nd approach suppression member is formed with the porous material.
According to this structure, the 2nd approach suppression member is formed with the porous material. Therefore, the 2nd approach suppression member can let the gas pass by receiving the pressure more than a predetermined value from gas. An airflow directed outward in the radial direction is generated between the lower surface of the substrate and the opposing member, and due to this airflow, the pressure between the lower surface of the substrate and the opposing member around the second entry suppression member is predetermined. May be more than the value. In this case, the gas in the space between the lower surface of the substrate and the counter member is discharged outside from the space between the lower surface of the substrate and the counter member. On the other hand, it is possible to suppress the airflow from entering the space between the lower surface of the substrate and the facing member. Therefore, the pressure between the lower surface of the substrate and the opposing member can be prevented from becoming excessively large, and the space between the peripheral portion of the lower surface of the substrate and the holding pin and the space between the lower surface of the substrate and the opposing member can be prevented. It is possible to suppress the entry of the airflow into the.
また、第2進入抑制部材は、多孔質材料によって形成されているため、液体を通過させにくい。したがって、外部から基板の下面と対向部材との間の空間への液体の進入を一層抑制することができる。
この発明の一実施形態では、前記第1進入抑制部材は、前記回転方向に隣り合う前記保持ピンの間の領域において、前記基板の下面と前記対向部材との間の空間への気流の進入を抑制する。そして、前記第2進入抑制部材は、各前記保持ピンの周囲において、前記基板の下面と前記対向部材との間の空間への気流の進入を抑制する。
Moreover, since the 2nd approach suppression member is formed with the porous material, it is hard to let a liquid pass. Therefore, it is possible to further suppress the entry of the liquid from the outside into the space between the lower surface of the substrate and the opposing member.
In one embodiment of the present invention, the first entry suppression member prevents an air flow from entering a space between the lower surface of the substrate and the opposing member in a region between the holding pins adjacent in the rotation direction. Suppress. And the said 2nd approach suppression member suppresses the approach of the airflow to the space between the lower surface of the said board | substrate and the said opposing member in the circumference | surroundings of each said holding pin.
この構成によれば、第1進入抑制部材は、回転方向に隣り合う保持ピンの間の領域において、基板の下面と対向部材との間の空間への気流の進入を抑制する。そして、第2進入抑制部材は、保持ピンの周囲において、基板の下面と対向部材との間の空間への気流の進入を抑制する。したがって、回転方向の比較的広い範囲(ほぼ全周)において、基板の下面と対向部材との間の空間への気流の進入を抑制することができる。 According to this configuration, the first entry suppressing member suppresses the entry of the airflow into the space between the lower surface of the substrate and the opposing member in the region between the holding pins adjacent in the rotation direction. And a 2nd approach suppression member suppresses approach of the air current to the space between the lower surface of a board | substrate and an opposing member in the circumference | surroundings of a holding pin. Therefore, in the relatively wide range (substantially the entire circumference) in the rotation direction, it is possible to suppress the inflow of airflow into the space between the lower surface of the substrate and the opposing member.
この発明の一実施形態では、前記基板処理装置が、前記対向部材と前記基板との間に気体を供給する気体供給ユニットをさらに含む。
この構成によれば、気体供給ユニットによって、対向部材と基板との間に気体が供給される。対向部材と基板との間に気体が供給されることによって、基板の下面と対向部材との間の空間から当該空間の外部へ向かう気流を発生させることができる。そのため、基板の下面と対向部材との間の空間への気流の進入を抑制することができる。
In one embodiment of the present invention, the substrate processing apparatus further includes a gas supply unit that supplies a gas between the counter member and the substrate.
According to this configuration, the gas is supplied between the facing member and the substrate by the gas supply unit. By supplying the gas between the facing member and the substrate, an air flow from the space between the lower surface of the substrate and the facing member toward the outside of the space can be generated. Therefore, it is possible to suppress the inflow of airflow into the space between the lower surface of the substrate and the opposing member.
鉛直方向に沿う回転軸線まわりの回転方向に互いに間隔を隔ててベースに設けられた複数の保持ピンに、前記ベースよりも上方で基板の周縁部を保持させる基板保持工程と、前記基板に下方から対向する対向部材に固定された弾性部材が前記基板の下面に接触するように、前記対向部材を基板に近接させる近接工程と、前記複数の保持ピンが前記基板の周縁部を保持し、かつ、弾性部材が前記基板の下面に接触した状態で、前記ベースを回転させることによって基板を回転させる基板回転工程と、回転状態の基板の上面に、基板を処理する処理液を供給する処理液供給工程とを含む、基板処理方法を提供する。 A substrate holding step of holding a peripheral portion of the substrate above the base by a plurality of holding pins provided on the base spaced apart from each other in the rotation direction around the rotation axis along the vertical direction; A proximity step in which the opposing member is brought close to the substrate so that an elastic member fixed to the opposing opposing member contacts the lower surface of the substrate; and the plurality of holding pins hold the peripheral edge of the substrate; and A substrate rotating step of rotating the substrate by rotating the base while the elastic member is in contact with the lower surface of the substrate, and a processing liquid supplying step of supplying a processing liquid for processing the substrate to the upper surface of the rotating substrate A substrate processing method is provided.
この方法によれば、弾性部材が基板の下面に接触した状態で、基板が回転される。前述したように、回転する構造物の周囲には、気流が発生する。たとえば、基板の回転径方向の外方から基板の下面と対向部材との間に流れ込む気流が発生しやすい。弾性部材を基板の下面に接触させることによって弾性部材と基板との間が塞がれるので、基板の下面と対向部材との間が塞がれる。そのため、基板の下面と対向部材との間の空間への気流の進入を抑制することができる。したがって、回転状態の基板を処理液で処理する場合であっても、処理液のミストが気流に乗って基板の下面と対向部材との間の空間へ進入することも抑制することができる。よって、基板の下面を良好に保護することができる。 According to this method, the substrate is rotated while the elastic member is in contact with the lower surface of the substrate. As described above, an air flow is generated around the rotating structure. For example, an airflow that flows between the lower surface of the substrate and the opposing member tends to be generated from the outside in the rotation radial direction of the substrate. By bringing the elastic member into contact with the lower surface of the substrate, the space between the elastic member and the substrate is closed, so that the space between the lower surface of the substrate and the opposing member is closed. Therefore, it is possible to suppress the inflow of airflow into the space between the lower surface of the substrate and the opposing member. Therefore, even when the rotating substrate is processed with the processing liquid, it is possible to prevent the mist of the processing liquid from entering the space between the lower surface of the substrate and the opposing member by riding on the airflow. Therefore, the lower surface of the substrate can be well protected.
以下では、この発明の実施の形態を添付図面を参照して詳細に説明する。
図1は、この発明の一実施形態に係る基板処理装置1の内部のレイアウトを説明するための図解的な平面図である。
基板処理装置1は、シリコンウエハなどの基板Wを一枚ずつ処理する枚葉式の装置である。この実施形態では、基板Wは、円板状の基板である。基板処理装置1は、薬液やリンス液などの処理液で基板Wを処理する複数の処理ユニット2と、処理ユニット2で処理される複数枚の基板Wを収容するキャリヤCが載置されるロードポートLPと、ロードポートLPと処理ユニット2との間で基板Wを搬送する搬送ロボットIRおよびCRと、基板処理装置1を制御する制御ユニット3とを含む。搬送ロボットIRは、キャリヤCと搬送ロボットCRとの間で基板Wを搬送する。搬送ロボットCRは、搬送ロボットIRと処理ユニット2との間で基板Wを搬送する。複数の処理ユニット2は、たとえば、同様の構成を有している。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
FIG. 1 is an illustrative plan view for explaining an internal layout of a substrate processing apparatus 1 according to an embodiment of the present invention.
The substrate processing apparatus 1 is a single wafer processing apparatus that processes substrates W such as silicon wafers one by one. In this embodiment, the substrate W is a disk-shaped substrate. The substrate processing apparatus 1 has a load on which a plurality of
図2は、処理ユニット2の構成例を説明するための模式図である。
処理ユニット2は、一枚の基板Wを水平な姿勢で保持しながら基板Wの中央部を通る鉛直な回転軸線A1まわりに基板Wを回転させるスピンチャック5と、基板Wの上面に脱イオン水(Deionized Water:DIW)などの処理液を供給する処理液供給ユニット8と、基板Wの上面にブラシ31を擦り付けて基板Wの上面を洗浄する洗浄ユニット9と、基板Wに下方から対向し、基板処理中に発生した処理液のミストから基板Wの下面を保護する保護ディスク10とをさらに含む。保護ディスク10は、基板Wの少なくとも周縁部に下方から対向する対向部材の一例である。処理ユニット2は、基板Wの下面と保護ディスク10との間の空間Aに窒素(N2)ガスなどの気体を供給する気体供給ユニット11をさらに含む。
FIG. 2 is a schematic diagram for explaining a configuration example of the
The
処理ユニット2は、スピンチャック5を収容するチャンバ16(図1参照)をさらに含む。チャンバ16には、チャンバ16内に基板Wを搬入したり、チャンバ16内から基板Wを搬出したりするための出入口(図示せず)が形成されている。チャンバ16には、この出入口を開閉するシャッタユニット(図示せず)が備えられている。
スピンチャック5は、回転軸線A1まわりに回転可能なスピンベース21(ベース)と、スピンベース21よりも上方で基板Wの周縁部を保持する複数の保持ピン20と、スピンベース21の中央に結合された回転軸22と、回転軸22に回転力を与える電動モータ23とを含む。回転軸22は、回転軸線A1に沿って鉛直方向に延びている。回転軸22は、スピンベース21を貫通しており、スピンベース21よりも上方に上端を有する。スピンベース21は、水平方向に沿う円板形状を有している。複数の保持ピン20は、回転方向Sに間隔を空けてスピンベース21の上面の周縁部に設けられている(後述する図3も参照)。
The
The
複数の保持ピン20を開閉駆動するために、開閉ユニット25が備えられている。複数の保持ピン20は、開閉ユニット25によって閉状態にされることによって基板Wを保持(挟持)する。複数の保持ピン20は、開閉ユニット25によって開状態にされることによって基板Wに対する保持を解放する。
開閉ユニット25は、たとえば、リンク機構(図示せず)と、駆動源(図示せず)とを含む。当該駆動源は、たとえば、ボールねじ機構と、それに駆動力を与える電動モータとを含む。開閉ユニット25は、磁力によって、複数の保持ピン20を開閉させるように構成されていてもよい。この場合、開閉ユニット25は、たとえば、保持ピン20に取り付けられた第1磁石(図示せず)と、第1磁石に近接することによって第1磁石に反発力または吸引力を付与する第2磁石(図示せず)とを含む。第2磁石が第1磁石に付与する反発力または吸引力によって保持ピン20の開閉が切り替えられる。
In order to open and close the plurality of holding
The opening /
電動モータ23によって回転軸22が回転されることにより、スピンベース21が回転される。これにより、基板Wが回転軸線A1のまわりの回転方向Sに回転される。スピンチャック5は、基板Wを保持し鉛直方向に沿う回転軸線A1まわりに基板Wを回転させる基板保持回転ユニットに含まれる。
処理液供給ユニット8は、基板Wの上面にDIWなどの処理液を供給する処理液ノズル40と、処理液ノズル40に結合された処理液供給管41と、処理液供給管41に介装された処理液バルブ42とを含む。処理液供給管41には、処理液供給源から、処理液が供給されている。
When the
The processing
処理液ノズル40は、固定ノズルである。本実施形態とは異なり、処理液ノズル40は、水平方向および鉛直方向に移動可能な移動ノズルであってもよい。
処理液ノズル40から供給される処理液は、DIWに限られず、炭酸水、電解イオン水、オゾン水、希釈濃度(たとえば、10ppm〜100ppm程度)の塩酸水、還元水(水素水)であってもよい。
The
The treatment liquid supplied from the
洗浄ユニット9は、基板Wの上面を洗浄するためのブラシ31と、ブラシ31を支持するブラシアーム35と、ブラシアーム35を回動させる回動軸36と、回動軸36を駆動することによって、ブラシアーム35を水平方向および鉛直方向に移動させるアーム移動機構37とを含む。
ブラシ31は、ブラシ31の上方に配置されたブラシホルダ32に保持されている。ブラシホルダ32は、ブラシアーム35から下方に突出している。
The
The
ブラシ31は、PVA(ポリビニルアルコール)などの合成樹脂で作成された弾性変形可能なスポンジブラシである。ブラシ31は、ブラシホルダ32から下方に突出している。ブラシ31は、スポンジブラシに限らず、樹脂製の複数の繊維によって形成された毛束を備えるブラシであってもよい。
アーム移動機構37は、回動軸36を回動軸線A2まわりに回動させることによってブラシアーム35を水平に移動させるブラシ水平駆動機構(図示せず)と、回動軸36を鉛直に移動させることによってブラシアーム35を鉛直に移動させるブラシ鉛直駆動機構(図示せず)とを含む。ブラシ水平駆動機構は、たとえば、回動軸36を回動させる電動モータを含む。ブラシ鉛直駆動機構は、たとえば、ボールねじ機構と、当該ボールねじ機構を駆動する電動モータとを含む。
The
The
気体供給ユニット11は、基板Wの下面と保護ディスク10との間の空間Aに窒素ガスなどの気体を供給する気体ノズル50と、気体ノズル50に結合された気体供給管51と、気体供給管51に介装され、気体の流路を開閉する気体バルブ52とを含む。気体供給管51には、気体供給源から、窒素ガスなどの気体が供給されている。
気体供給源から気体供給管51に供給される気体としては、窒素ガスなどの不活性ガスが好ましい。不活性ガスとは、窒素ガスに限らず、基板Wの下面、および、下面に形成されたデバイスに対して不活性なガスのことである。不活性ガスの例としては、窒素ガス以外に、ヘリウムやアルゴンなどの希ガス類、ホーミングガス(窒素ガスと水素ガスとの混合ガス)が挙げられる。また、気体供給源から気体供給管51に供給される気体として空気を利用することも可能である。
The
The gas supplied from the gas supply source to the
気体ノズル50は、回転軸22に挿通されている。気体ノズル50の上端は、回転軸22の上端から露出されている。気体ノズル50の上端よりも上方には、気体ノズル50から吐出される気体を整流する整流部材54が設けられていてもよい。
保護ディスク10は、略円環状である。保護ディスク10には、回転軸22が挿通している。保護ディスク10は、保持ピン20によって保持された基板Wとスピンベース21との間に配置されている。保護ディスク10は、上下動可能である。
The
The
保護ディスク10には、保護ディスク昇降ユニット60が結合されている。保護ディスク10は、保護ディスク昇降ユニット60によって昇降されることによって、基板Wから下方に離間した離間位置と、当該離間位置よりも上方において基板Wの下面に近接した近接位置との間で移動可能である。保護ディスク昇降ユニット60は、対向部材を昇降させる対向部材昇降ユニットの一例である。
A protective disk lifting / lowering
保護ディスク昇降ユニット60は、たとえば、ボールねじ機構(図示せず)と、当該ボールねじ機構に駆動力を与える電動モータ(図示せず)とを含む。また、保護ディスク昇降ユニット60は、磁力によって保護ディスク10を昇降させるように構成されていてもよい。この場合、保護ディスク昇降ユニット60は、たとえば、保護ディスク10に取り付けられた第1磁石(図示せず)と、第1磁石に反発力を付与することで第1磁石とともに保護ディスク10を上昇させる第2磁石(図示せず)とによって構成される。
The protective disk lifting / lowering
保護ディスク10の下面には、回転軸線A1と平行に鉛直方向に延びたガイド軸61が結合されている。ガイド軸61は、基板Wの回転方向Sに等間隔を隔てて複数箇所に配置されている。ガイド軸61は、スピンベース21の対応箇所に設けられたリニア軸受62と結合されている。ガイド軸61は、このリニア軸受62によって案内されながら、鉛直方向、すなわち回転軸線A1に平行な方向へ移動可能である。また、保護ディスク10の下面に結合されたガイド軸61がリニア軸受62と結合されているため、保護ディスク10は、回転軸線A1まわりにスピンベース21と一体回転する。
A
ガイド軸61は、リニア軸受62を貫通している。ガイド軸61は、その下端に、外向きに突出したフランジ63を備えている。フランジ63がリニア軸受62の下端に当接することにより、ガイド軸61の上方への移動、すなわち保護ディスク10の上方への移動が規制される。すなわち、フランジ63は、保護ディスク10の上方への移動を規制する規制部材である。
The
図3は、スピンベース21の模式的な平面図である。図3では、説明の便宜上、基板Wを二点鎖線で示している。
図3を参照して、保護ディスク10は、平面視で基板Wとほぼ同じサイズの円形状であり、基板Wの周縁に対向している。保護ディスク10の周縁部において、保持ピン20に対応する部分には、保持ピン20の少なくとも一部が収容される切り欠き10aが設けられている。
FIG. 3 is a schematic plan view of the
Referring to FIG. 3, the
処理ユニット2は、基板Wの回転径方向の外方から、基板Wの下面と保護ディスク10との間の空間Aへ気流が進入するのを抑制(規制)する第1進入抑制部材12および第2進入抑制部材13をさらに含む。
なお、基板Wの回転径方向とは、回転軸線A1に対する直交方向のことである。基板Wの回転径方向の内方とは、基板Wの回転径方向において回転軸線A1側に向かう方向である。以下では、基板Wの回転径方向の内方を、単に、径方向内方という。また、基板Wの回転径方向の外方とは、基板Wの回転径方向において回転軸線A1側とは反対側に向かう方向である。以下では、基板Wの回転径方向の外方を、単に、径方向外方という。
The
Note that the rotational diameter direction of the substrate W is a direction orthogonal to the rotational axis A1. The inward direction of the substrate W in the radial direction is the direction toward the rotation axis A1 in the radial direction of the substrate W. Hereinafter, the inner side in the rotational radial direction of the substrate W is simply referred to as the radial inner side. Further, the outward direction of the substrate W in the radial direction is a direction toward the opposite side of the rotational axis A1 side in the radial direction of the substrate W. Hereinafter, the outer side in the rotational radial direction of the substrate W is simply referred to as a radially outer side.
第1進入抑制部材12は、基板Wの下面の周縁部と保護ディスク10の周縁部との間から基板Wの下面と保護ディスク10との間の空間Aへの気流の進入を抑制する。第2進入抑制部材13は、基板Wの下面の周縁部と保持ピン20との間から基板Wの下面と保護ディスク10との間の空間Aへの気流の進入を抑制する。
第1進入抑制部材12および第2進入抑制部材13は、それぞれ複数設けられている。詳しくは、第1進入抑制部材12は、保護ディスク10において、回転方向Sに隣り合う保持ピン20の間の部分に1つずつ設けられている。各第1進入抑制部材12は、回転方向Sに隣り合う保持ピン20の間の領域において、基板Wの下面と保護ディスク10との間の空間Aへの気流の進入を抑制する。第2進入抑制部材13は、各保持ピン20に1つずつ設けられている。各第2進入抑制部材13は、対応する保持ピン20の周囲において、基板Wの下面と保護ディスク10との間の空間Aへの気流の進入を抑制する。
The first
A plurality of first
図4Aは、図3のIVA−IVA線に沿った断面の模式図である。図4Aでは、近接位置に位置する保護ディスク10を実線で示している。図4Aでは、離間位置に位置する保護ディスク10を二点鎖線で示している。
第1進入抑制部材12は、平面視で湾曲状の樹脂製のシートである(図3参照)。第1進入抑制部材12を構成する樹脂は、たとえば、合成樹脂である。合成樹脂としては、たとえば、PTFE(ポリテトラフルオロエチレン)、PFA(テトラフルオロエチレン・パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体)、PP(ポリプロピレン)、PE(ポリエチレン)などが挙げられる。第1進入抑制部材12は、弾性部材である。第1進入抑制部材12は、合成ゴムなどの弾性体であってもよい。
4A is a schematic diagram of a cross section taken along the line IVA-IVA of FIG. In FIG. 4A, the
The first
第1進入抑制部材12は、保護ディスク10に固定された第1固定部80と、基板Wの下面の周縁部に弾性的に接触する第1弾性接触部81とを一体に含む。第1弾性接触部81は、基板Wの下面においてデバイスが形成されている部分よりも径方向外方に接触している。詳しくは、第1弾性接触部81は、基板Wの下面の周縁部において径方向外方端と、径方向外方端よりも僅かに内方(2mm程度内方)との間の部分に接触している。
The first
第1弾性接触部81は、径方向外方に向かうにしたがって基板Wの下面に近づくように第1固定部80から延びている。鉛直方向における第1弾性接触部81と基板Wとの間の距離は、回転径方向の外方に向かうにしたがって小さくなる。保護ディスク10の上面の周縁部において回転方向Sに隣り合う保持ピン20の間の領域には、各第1弾性接触部81を下方から支持する支持突起82が形成されている。
The first
第1固定部80は、たとえば、樹脂製のねじ83によって保護ディスク10に固定されている。図4Bは、図4Aの第1固定部80の周辺の拡大図である。図4Bを参照して、ねじ83は、雄ねじ部が形成されたねじ軸83aと、ねじ軸83aの軸方向の一端から、当該軸方向に対して直交する方向に張り出した頭部83bとを含む。ねじ軸83aは、保護ディスク10に形成されたねじ孔84に挿通(螺合)されている。ねじ軸83aに形成された雄ねじ部がねじ孔84の内周面に形成された雌ねじ部と螺合している。第1固定部80には、ねじ軸83aが挿通される挿通孔85と、挿通孔85と連通し、頭部83bを収容する収容穴86とが形成されている。収容穴86の底部が頭部83bと保護ディスク10とに挟持されることによって、第1固定部80が保護ディスク10に固定される。
The
第1固定部80は、ねじ83によって保護ディスク10に固定された状態で保護ディスク10に密着している。そのため、保護ディスク10の位置にかかわらず、第1進入抑制部材12と保護ディスク10との間から基板Wの下面と保護ディスク10との間の空間Aへの気流Fの進入が抑制されている。
第1弾性接触部81は、保護ディスク10が離間位置にある状態では、基板Wの下面から離間している(図4Aの二点鎖線参照)。第1弾性接触部81は、保護ディスク10が近接位置に位置する状態で、基板Wの下面に密着する(図4Aの実線参照)。そのため、保護ディスク10が近接位置に位置する状態で、第1進入抑制部材12と基板Wの下面との間から基板Wの下面と保護ディスク10との間の空間Aへの気流Fの進入が抑制されている。
The
The first
このように、第1進入抑制部材12は、保護ディスク10が近接位置に位置する状態で、基板Wの下面と保護ディスク10との間の空間Aへの気流Fの進入を抑制する。
図5は、図3のV−V線に沿った断面の模式図である。
第2進入抑制部材13は、樹脂製のシートである。第2進入抑制部材13を構成する樹脂は、たとえば、合成樹脂である。合成樹脂としては、たとえば、PTFE、PFA、PP、PEなどが挙げられる。第2進入抑制部材13は、弾性部材である。第2進入抑制部材13は、ゴムなどの弾性体であってもよい。
As described above, the first
FIG. 5 is a schematic diagram of a cross section taken along line VV in FIG.
The second
保持ピン20は、基板Wに水平方向から挟持する挟持部20aと、略水平方向に延び、基板Wの下面に間隔を隔てて対向する対向部20bとを含む。
第2進入抑制部材13は、保持ピン20の対向部20bに固定された第2固定部90と、基板Wの下面の周縁部に弾性的に接触する第2弾性接触部91と、保護ディスク10が近接位置にある状態で、保護ディスク10の周縁部に上方から接触する保護ディスク接触部92とを一体に含む。第2弾性接触部91は、径方向外方に向かうにしたがって基板Wの下面に近づくように第2固定部90から延びている。鉛直方向における第2弾性接触部91と基板Wとの間の距離は、径方向外方に向かうにしたがって小さくなる。第2固定部90は、たとえば、樹脂製のねじ93によって保持ピン20の対向部20bに固定されることによって保持ピン20に固定されている。保持ピン20の対向部20bは、第2進入抑制部材13を介して、下方から基板Wを支持している。
The holding
The second
第2固定部90は、ねじ93によって対応する保持ピン20に固定された状態で当該保持ピン20に密着している。第2進入抑制部材13と保持ピン20との間から基板Wの下面と保護ディスク10との間の空間Aへの気流Fの進入が抑制されている。
第2弾性接触部91は、基板Wが複数の保持ピン20に保持された状態で、基板Wの下面に密着している。第2進入抑制部材13と基板Wの下面との間から基板Wの下面と保護ディスク10との間の空間Aへの気流Fの進入が抑制されている。
The second fixing portion 90 is in close contact with the holding
The second
保護ディスク接触部92は、第2弾性接触部91とは反対側(径方向内方)に第2固定部90から延びている。保護ディスク接触部92は、保護ディスク10が近接位置にある状態で、先端(径方向内方端)が上方に移動するように保護ディスク10によって押し上げられて弾性変形していてもよい。保護ディスク接触部92は、平面視で、保護ディスク10の上面において切り欠き10aの周りの部分10bと重なっている。
The protective
図6は、基板処理装置1の主要部の電気的構成を説明するためのブロック図である。制御ユニット3は、マイクロコンピュータを備えており、所定のプログラムに従って、基板処理装置1に備えられた制御対象を制御する。より具体的には、制御ユニット3は、プロセッサ(CPU)3Aと、プログラムが格納されたメモリ3Bとを含み、プロセッサ3Aがプログラムを実行することによって、基板処理のための様々な制御を実行するように構成されている。とくに、制御ユニット3は、搬送ロボットIR,CR、アーム移動機構37、電動モータ23、保護ディスク昇降ユニット60、開閉ユニット25およびバルブ類42,52などの動作を制御する。
FIG. 6 is a block diagram for explaining the electrical configuration of the main part of the substrate processing apparatus 1. The
図7は、基板処理装置1による基板処理の一例を説明するための流れ図であり、主として、制御ユニット3がプログラムを実行することによって実現される処理が示されている。
基板処理では、まず、未処理の基板Wが、搬送ロボットIR,CRによってキャリヤCから処理ユニット2に搬入され、スピンチャック5に渡される(ステップS1)。この後、基板Wは、搬送ロボットCRによって搬出されるまでの間、スピンベース21の上面から上方に間隔を空けて水平に保持される。開閉ユニット25が、複数の保持ピン20に基板Wの周縁を保持させる(基板保持工程、ステップS2)。このとき、基板Wは、デバイスが形成されたデバイス面を下方に向けた状態で、複数の保持ピン20に保持される。
FIG. 7 is a flowchart for explaining an example of substrate processing by the substrate processing apparatus 1, and mainly shows processing realized by the
In the substrate processing, first, an unprocessed substrate W is carried into the
次に、保護ディスク昇降ユニット60が、保護ディスク10を近接位置まで上昇させる(近接工程、ステップS3)。これにより、第1進入抑制部材12の第1弾性接触部81が基板Wの下面に接触する。次に、気体バルブ52が開かれる。これにより、保護ディスク10の上面と基板Wの下面との間の空間Aへの窒素ガスなどの気体の供給が開始される(ステップS4)。このときの気体の供給流量は、たとえば、100L/min〜200L/minである。複数の保持ピン20が基板Wの周縁部を保持し、かつ、第1進入抑制部材12が前記基板の下面に接触した状態で、電動モータ23が、スピンベース21を回転させる。これにより、保持ピン20に水平に保持された基板Wが回転する(基板回転工程、ステップS5)。このときの基板Wの回転速度は、たとえば、500rpmである。基板Wの回転速度は、500rpmに限られず、100rpm〜1000rpmの任意の回転速度であってもよい。である。そして、保護ディスク10の上面と基板Wの下面との間の空間Aへの気体の供給を継続した状態で、処理液バルブ42が開かれる。これにより、回転状態の基板Wの上面へのDIWなどの処理液の供給が開始される(処理液供給工程、ステップS6)。
Next, the protection disk lifting / lowering
そして、スクラブ洗浄が実行される(ステップS7)。具体的には、アーム移動機構37が、ブラシアーム35を移動させて、基板Wの上面にブラシ31を押し付ける。基板Wは、回転されているので、ブラシ31は、基板Wの上面に擦り付けられる。
アーム移動機構37は、ブラシ31をスピンチャック5の上方からその側方へと退避させる。そして、処理液バルブ42を閉じて、処理液ノズル40からの処理液の供給を停止させる(ステップS8)。さらに、電動モータ23は、スピンベース21の回転を加速させる(ステップS9)。これにより、基板Wの上面および周端面の液滴を遠心力によって振り切ることにより基板Wを乾燥させるスピンドライ処理が実行される。このスピンドライ処理のときの基板Wの回転速度は、たとえば1500rpm〜3000rpmである。このようにして、基板Wから処理液が除去され、基板Wが乾燥する。そして、基板Wの高速回転が開始されてから所定時間が経過すると、電動モータ23が、スピンベース21による基板Wの回転を停止させる(ステップS10)。
Then, scrub cleaning is performed (step S7). Specifically, the
The
そして、気体バルブ52が閉じられ、基板Wの下面と保護ディスク10の上面との間の空間Aへの不活性ガスの供給が停止される(ステップS11)。そして、保護ディスク昇降ユニット60が保護ディスク10を離間位置まで下降させる(ステップS12)。そして、開閉ユニット25が複数の保持ピン20を開状態にすることによって、複数の保持ピン20による保持から基板Wが解放される(ステップS13)。
Then, the
そして、搬送ロボットCRが、処理ユニット2に進入して、スピンチャック5から処理済みの基板Wをすくい取って、処理ユニット2外へと搬出する(ステップS14)。その基板Wは、搬送ロボットCRから搬送ロボットIRへと渡され、搬送ロボットIRによって、キャリヤCに収納される。
本実施形態によれば、スピンベース21は、複数の保持ピン20に基板Wの周縁部を保持させた状態で回転軸線A1まわりに回転可能である。ここで、回転する構造物の周囲には、気流が発生する。たとえば、基板Wの径方向外方から基板Wの下面と保護ディスク10との間に流れ込む気流Fが発生しやすい(図4A参照)。保護ディスク10を近接位置に位置させた状態では、基板Wの下面の周縁部と保護ディスク10との間の空間Aへの気流Fの進入が第1進入抑制部材12によって抑制されている。詳しくは、第1進入抑制部材12を基板Wの下面に弾性的に接触させることによって、第1進入抑制部材12と基板Wの下面とが密着する。一方、第1進入抑制部材12と保護ディスク10とは密着している。そのため、基板Wの下面と保護ディスク10との間が塞がれる。したがって、回転状態の基板Wを処理液で処理する場合であっても、液体(基板処理によって発生した処理液のミストなど)が気流Fに乗って基板Wの下面と保護ディスク10との間の空間Aへ進入することも抑制することができる。よって、基板Wの下面を良好に保護することができる。
Then, the transfer robot CR enters the
According to the present embodiment, the
また、本実施形態によれば、気体供給ユニット11によって、保護ディスク10と基板Wとの間の空間Aに気体が供給される。保護ディスク10と基板Wとの間の空間Aに気体が供給されることによって、基板Wと保護ディスク10との間の空間Aから当該空間Aの外部へ向かう気流(図4A参照)を発生させることができる。そのため、基板Wの下面と保護ディスク10との間の空間Aへの気流Fの進入を抑制することができる。
Further, according to the present embodiment, the gas is supplied to the space A between the
なお、基板Wの下面と保護ディスク10との間に発生する径方向外方に向かう気流(図4A参照)は、気体供給ユニット11による気体の供給による押出力だけでなく、基板Wの回転の際の遠心力にも起因する。
また、本実施形態によれば、第1弾性接触部81は、第1固定部80から径方向外方に向かうにしたがって基板Wの下面に近づくように第1固定部80から延びる。そのため、基板Wの下面と保護ディスク10との間に発生した径方向外方に向かう気流が、第1弾性接触部81と基板Wの下面との間に入り込みやすい。そして、この気流は、第1弾性接触部81と基板Wの下面との間を通過するのに必要な幅を有する隙間が第1弾性接触部81と基板Wの下面との間に形成されるように第1弾性接触部81を弾性変形させる。そして、この気流は、その隙間を通って基板Wの下面と保護ディスク10との間の空間Aから外部に排出される。そのため、基板Wの下面と保護ディスク10との間の圧力が過剰に大きくなることを防ぐことができ、かつ、基板Wの下面と保護ディスク10との間の空間Aへの気流Fの進入を抑制することができる。
Note that the radially outward airflow (see FIG. 4A) generated between the lower surface of the substrate W and the
In addition, according to the present embodiment, the first
また、径方向外方へ向かう気流が第1弾性接触部81と基板Wの下面との間を通過するため、基板Wの下面を伝って基板Wの下面と保護ディスク10との間の空間Aに液体が進入することを抑制することができる。
また、本実施形態によれば、第2進入抑制部材13は、基板Wの下面の周縁部と保持ピン20の間から基板Wの下面の周縁部と保護ディスク10との間の空間Aへの気流Fの進入を抑制する。詳しくは、第2進入抑制部材13を基板Wの下面に弾性的に接触させることによって、第2進入抑制部材13と基板Wの下面とが密着する。一方、第2進入抑制部材13と保持ピン20とは密着している。そのため、基板Wの下面と保護ディスク10との間が塞がれる。そのため、液体(基板処理によって発生した処理液のミストなど)が気流Fに乗って基板Wの下面の周縁部と保持ピン20との間から基板Wの下面と保護ディスク10との間の空間Aへ進入することを抑制することができる。
In addition, since the air flow directed outward in the radial direction passes between the first
In addition, according to the present embodiment, the second
また、本実施形態によれば、第2弾性接触部91は、第2固定部90から径方向外方に向かうにしたがって基板Wの下面に近づくように第2固定部90から延びる。そのため、基板Wの下面と保護ディスク10との間で径方向外方へ向かう気流は、第2弾性接触部91と基板Wの下面との間に入り込みやすい。そして、この気流は、第2弾性接触部91と基板Wの下面との間を通過するのに必要な幅を有する隙間が第2弾性接触部91と基板Wの下面との間に形成されるように第2弾性接触部91を弾性変形させる。そして、この気流は、その隙間を通って基板Wの下面と保護ディスク10との間の空間Aから外部に排出される。そのため、基板Wの下面と保護ディスク10との間の圧力が過剰に大きくなることを防ぐことができ、かつ、基板Wの下面の周縁部と保持ピン20との間から基板Wの下面と保護ディスク10との間の空間Aへの気流Fの進入を抑制することができる。
Further, according to the present embodiment, the second
また、径方向外方へ向かう気流が第2弾性接触部91と基板Wの下面との間を通過するため、保持ピン20の周囲において、基板Wの下面を伝って基板Wの下面と保護ディスク10との間の空間Aに液体が進入することを抑制することができる。
また、本実施形態によれば、第1進入抑制部材12は、回転方向Sに隣り合う保持ピン20の間の領域において、基板Wの下面と保護ディスク10との間の空間Aへの気流Fの進入を抑制する。そして、第2進入抑制部材13は、保持ピン20の周囲において、基板Wの下面と保護ディスク10との間の空間Aへの気流Fの進入を抑制する。したがって、回転方向Sの比較的広い範囲(ほぼ全周)において、基板Wの下面と保護ディスク10との間の空間Aへの気流の進入を抑制することができる。
In addition, since the air flow toward the outside in the radial direction passes between the second
In addition, according to the present embodiment, the first
また、本実施形態によれば、ねじ83の頭部83bが収容穴86に収容されている。そのため、基板Wの下面と保護ディスク10との間で径方向外方に向かう気流を阻害することなく、ねじ83によって、第1進入抑制部材12を保護ディスク10に固定することができる。
また、上述の実施形態とは異なり、気体供給ユニット11から気体を供給しない場合も有り得る。また、上述の実施形態とは異なり、処理ユニット2に気体供給ユニット11が設けられていない場合も有り得る。これらの場合、基板処理において、気体の供給(ステップS3)および気体の供給の停止(ステップS10)が行われない。これらの場合でも、基板Wの下面と保護ディスク10との間の気体は、基板Wの回転の際の遠心力に起因して径方向外方に移動する。そのため、第1弾性接触部81を弾性変形させて、基板Wの下面と保護ディスク10との間の空間Aから外部に排出される。これにより、基板Wの下面と保護ディスク10との間の圧力が、外部の圧力よりも低くなり、負圧状態となる。そのため、第1弾性接触部81が基板の下面に一層密着する。したがって、基板Wの下面と保護ディスク10との間の空間Aへの気流Fの進入を一層抑制することができる。
Further, according to the present embodiment, the
In addition, unlike the above-described embodiment, there is a case where no gas is supplied from the
また、本実施形態によれば、第2進入抑制部材13は、保護ディスク10が近接位置にある状態で、保護ディスク10の周縁部に上方から接触する保護ディスク接触部92を含む。そのため、保護ディスク10と各保持ピン20との間から、基板Wの下面と保護ディスク10との間の空間Aに進入する気流が、基板Wの下面と保護ディスク10との間に流れ込むまでの通り道を塞ぐことができる。したがって、保護ディスク10と保持ピン20との間から基板Wの下面と保護ディスク10との間の空間Aに流れ込む気流の発生を抑制することができる。言い換えると、空間Aへの気流の進入を抑制することができる。
In addition, according to the present embodiment, the second
保護ディスク10が近接位置にある状態で、先端(径方向内方端)が上方に移動するように保護ディスク接触部92が弾性変形する構成であれば、保護ディスク10と保持ピン20との間から基板Wの下面と保護ディスク10との間の空間Aに流れ込む気流の発生を一層抑制することができる。
図8は、本実施形態の第1変形例に係る第1進入抑制部材12Pの周辺の模式図である。図8では、今まで説明した部材と同じ部材には同じ参照符号を付して、その説明を省略する。
If the protective
FIG. 8 is a schematic diagram of the periphery of the first
図8を参照して、第1変形例に係る第1進入抑制部材12Pは、本実施形態とは異なり、スポンジ状の多孔質材料によって形成されている。多孔質材料としては、フッ素樹脂、PVA、PP、PEなどが挙げられる。第1進入抑制部材12Pは、保護ディスク10に固定された第1固定部87と、保護ディスク10が近接位置に位置する状態で基板Wの下面の周縁部および保護ディスク10の上面の周縁部に接触する第1接触部88と、第1固定部87および第1接触部88を連結する第1連結部89とを一体に含む。第1固定部87は、本実施形態の第1進入抑制部材12の第1固定部80(図4A参照)と同様にねじ83によって保護ディスク10に固定されている。
Referring to FIG. 8, unlike the present embodiment, the first
第1変形例によれば、第1進入抑制部材12Pは、多孔質材料によって形成されている。そのため、第1進入抑制部材12Pは、気体から所定の値以上の圧力を受けることによって、その気体を通過させることができる。基板Wの下面と保護ディスク10との間の空間Aに径方向外方に向かう気流が生じ、この気流に起因して第1進入抑制部材12Pの周辺において基板Wの下面と保護ディスク10との間の空間Aの圧力が所定の値以上となることがある。この場合、基板Wの下面と保護ディスク10との間の空間A内の気体は、第1進入抑制部材12Pを通過して外部に排出される。その一方で、第1進入抑制部材12Pよりも径方向外方の空間には、空間Aとは異なり気体供給ユニット11や遠心力によって積極的に気体が供給されることがない。そのため、第1進入抑制部材12Pよりも径方向外方の空間は、空間Aにおける第1進入抑制部材12Pの周辺の部分と比較して圧力が上昇しにくい。したがって、第1進入抑制部材12Pは、径方向外方から基板Wの下面と保護ディスク10との間の空間Aへの気流Fの進入を抑制できる。よって、基板Wの下面と保護ディスク10との間の圧力が過剰に大きくなることを防ぐことができ、かつ、基板Wの下面と保護ディスク10との間の空間Aへの気流Fの進入を抑制することができる。
According to the first modification, the first
また、第1進入抑制部材12Pは、多孔質材料によって形成されているため、処理液のミストを通過させにくい。したがって、外部から基板Wの下面と保護ディスク10との間の空間Aへの液体の進入を一層抑制することができる。
図9は、本実施形態の第2変形例に係る保持ピン20の周辺の模式図である。図9では、今まで説明した部材と同じ部材には同じ参照符号を付して、その説明を省略する。
Moreover, since the 1st
FIG. 9 is a schematic view of the periphery of the holding
図9を参照して、第2変形例に係る第2進入抑制部材13Pは、本実施形態とは異なり、スポンジ状の多孔質材料によって形成されている。多孔質材料としては、フッ素樹脂、PVA、PP、PEなどが挙げられる。
第2進入抑制部材13Pは、保持ピン20の対向部20bに固定された第2固定部97と、基板Wの下面の周縁部および対向部20bに接触する第2接触部98と、第2固定部97および第2接触部98を連結する第2連結部99と、保護ディスク10が近接位置にある状態で、保護ディスク10の周縁部に上方から接触する保護ディスク接触部96とを一体に含む。第2固定部97は、本実施形態の第2進入抑制部材13Pの第2固定部90(図5参照)と同様にねじ93によって対向部20bに固定されている。
Referring to FIG. 9, unlike the present embodiment, the second
The second
保護ディスク接触部96は、第2連結部99とは反対側に第2固定部97から延びている。保護ディスク接触部96は、平面視で、保護ディスク10の上面において切り欠き10aの周りの部分10bと重なっている。
第2変形例によれば、第2進入抑制部材13Pは、多孔質材料によって形成されているため、気体を通過させることができる。そのため、第2進入抑制部材13Pは、気体から所定の圧力を受けることによって、その気体を通過させることができる。基板Wの下面と保護ディスク10との間に径方向外方に向かう気流が生じ、この気流に起因して、第2進入抑制部材13Pの周辺において基板Wの下面と保護ディスク10との間の圧力が所定の値以上となることがある。この場合、基板Wの下面と保護ディスク10との間の空間A内の気体は、基板Wの下面と保護ディスク10との間の空間Aから外部に排出される。その一方で、第2進入抑制部材13Pよりも径方向外方の空間は、空間Aとは異なり気体供給ユニット11や遠心力によって積極的に気体が供給されることがない。そのため、第2進入抑制部材13Pよりも径方向外方の空間は、空間Aにおける第2進入抑制部材13Pの周辺の部分と比較して圧力が上昇しにくい。したがって、基板Wの下面と保護ディスク10との間の空間Aに外部から気流Fが進入することを抑制できる。よって、基板Wの下面と保護ディスク10との間の圧力が過剰に大きくなることを防ぐことができ、かつ、基板Wの下面の周縁部と保持ピン20との間から基板Wの下面と保護ディスク10との間の空間Aへの気流Fの進入を抑制することができる。
The protective disk contact part 96 extends from the second fixing part 97 on the side opposite to the second connecting
According to the 2nd modification, since the 2nd
また、第2進入抑制部材13Pは、多孔質材料によって形成されているため、処理液のミストを通過させにくい。したがって、外部から基板Wの下面と保護ディスク10との間の空間Aへの液体の進入を一層抑制することができる。
また、第2進入抑制部材13Pは、保護ディスク10が近接位置にある状態で、保護ディスク10の周縁部に上方から接触する保護ディスク接触部92を含む。そのため、保護ディスク10と各保持ピン20との間から、基板Wの下面と保護ディスク10との間の空間Aに進入する気流が、基板Wの下面と保護ディスク10との間に流れ込むまでの通り道を塞ぐことができる。したがって、保護ディスク10と保持ピン20との間から基板Wの下面と保護ディスク10との間の空間Aに流れ込む気流の発生を抑制することができる。言い換えると、空間Aへの気流の進入を抑制することができる。
Moreover, since the 2nd
The second
図10は、本実施形態の第3変形例に係る保持ピン20の周辺の模式図である。図10では、今まで説明した部材と同じ部材には同じ参照符号を付して、その説明を省略する。
図10を参照して、第3変形例に係る第2進入抑制部材13Qの第2固定部90は、本実施形態とは異なり、基板Wと保護ディスク10との間で略水平に延びる延設部材15に固定されている。延設部材15は、上方から保護ディスク10に対向している。
FIG. 10 is a schematic diagram of the periphery of the holding
Referring to FIG. 10, unlike the present embodiment, the second fixing portion 90 of the second
延設部材15は、平面視で略半円弧状である。延設部材15は、平面視で、保護ディスク10の上面において切り欠き10aの周りの部分10bと重なっている。第3変形例では、保持ピン20の対向部20bは、水平方向に対して傾斜しており、下方から基板Wに当接し基板Wを支持している。延設部材15は、対向部20bの下端に連結され、対向部20bとほぼ同じ角度で水平方向に対して傾斜する傾斜部15aを含む。第3変形例の第2固定部90は、延設部材15の傾斜部15aに固定されている。第3変形例の第2固定部90は、延設部材15を介して保持ピン20に固定されている。
The extending
第3変形例に係る第2進入抑制部材13Qは、本実施形態と同様に樹脂製のシートである。第2進入抑制部材13Qは、第3変形例とは異なり、第2変形例に係る第2進入抑制部材13P(図9参照)と同様にスポンジ状の多孔質材料によって形成されていてもよい。
また、図10に示すように、保護ディスク10が近接位置にある状態で、延設部材15の下面が保護ディスク10の上面(の周縁部)に接触するように構成されていれば、保護ディスク10と各保持ピン20との間から、基板Wの下面と保護ディスク10との間の空間Aへの気流の進入を抑制することができる。
The second
Further, as shown in FIG. 10, if the lower surface of the extending
この発明は、以上に説明した実施形態に限定されるものではなく、さらに他の形態で実施することができる。
たとえば、上述の実施形態とは異なり、処理液ノズル40は、処理液の液滴を気体とともに基板Wの上面に噴射する二流体ノズルであってもよい。この場合、処理液ノズル40には、処理液ノズル40に窒素ガスなどの気体を供給する気体供給管が連結されており、当該気体供給管には、処理液ノズル40への気体の供給の有無を切り替える気体バルブが介装されている。そして、処理液ノズル40へは、気体供給管を介して気体供給源から気体が供給される。
The present invention is not limited to the embodiments described above, and can be implemented in other forms.
For example, unlike the above-described embodiment, the processing
また、上述の実施形態とは異なり、洗浄ユニット9が設けられておらず、代わりに薬液を供給する薬液供給ユニットが設けられていてもよい。薬液供給ユニットは、基板Wの上面に薬液を供給する薬液供給ノズルを含んでいる。薬液供給ノズルから供給される薬液としては、HF(フッ化水素水)、SPM(硫酸過酸化水素水混合液)、SC1(アンモニア過酸化水素水混合液)、SC2(塩酸過酸化水素水混合液)などが挙げられる。薬液供給ノズルは、二流体ノズルであってもよい。この構成の基板処理装置による基板処理では、薬液供給ユニットから供給される薬液によって基板Wの上面が処理された後、処理液供給ユニット8から供給されるDIWなどによって基板Wの上面がリンスされる。そして、上述した実施形態における基板処理と同様に、基板Wがスピンドライによって乾燥される。
Moreover, unlike the above-mentioned embodiment, the washing | cleaning
また、第1進入抑制部材12,12Pおよび第2進入抑制部材13,13P,13Qによって、基板Wの下面が回転方向Sの全周に亘って気流の進入が規制されている場合、上述の実施形態とは異なり、基板Wの下面と保護ディスク10との間の空間Aの気体を排除する気体排除ユニットが設けられていてもよい。
また、保護ディスク10は、基板Wの周縁部に必ずしも対向している必要はなく、平面視で基板Wよりも小さい円形状であってもよい。この場合であっても、第1弾性接触部81および第2弾性接触部91は、基板Wの下面の周縁部において径方向外方端と、径方向外方端よりも僅かに内方(2mm程度内方)との間の部分に接触していることが好ましい。
Further, when the lower surface of the substrate W is restricted from entering the airflow over the entire circumference in the rotation direction S by the first
Further, the
その他、特許請求の範囲に記載した範囲で種々の変更を行うことができる。 In addition, various changes can be made within the scope described in the claims.
1 :基板処理装置
10 :保護ディスク(対向部材)
12 :第1進入抑制部材(弾性部材)
12P :第1進入抑制部材(弾性部材)
13 :第2進入抑制部材
13P :第2進入抑制部材
13Q :第2進入抑制部材
20 :保持ピン
21 :スピンベース(ベース)
80 :第1固定部
81 :第1弾性接触部
90 :第2固定部
91 :第2弾性接触部
A :空間
A1 :回転軸線
F :気流
S :回転方向
W :基板
1: Substrate processing apparatus 10: Protection disk (opposing member)
12: 1st approach suppression member (elastic member)
12P: 1st approach suppression member (elastic member)
13: 2nd
80: 1st fixed part 81: 1st elastic contact part 90: 2nd fixed part 91: 2nd elastic contact part A: Space A1: Rotation axis F: Airflow S: Rotation direction W: Substrate
Claims (9)
前記ベースの回転方向に互いに間隔を隔てて前記ベースに設けられ、前記ベースよりも上方で前記基板の周縁部を保持する複数の保持ピンと、
前記ベースと前記基板との間に配置され、前記基板から下方に離間した離間位置と、前記離間位置よりも前記基板に近接した近接位置との間で昇降可能であり、前記基板に下方から対向する対向部材と、
前記対向部材に設けられ、前記対向部材が前記近接位置に位置する状態で、前記基板の下面と前記対向部材との間の空間への気流の進入を抑制する第1進入抑制部材とを含む、基板処理装置。 A base that rotates about a rotation axis along the vertical direction;
A plurality of holding pins provided on the base and spaced apart from each other in the rotation direction of the base, and holding a peripheral edge of the substrate above the base;
It is disposed between the base and the substrate, and can be moved up and down between a spaced position spaced downward from the substrate and a close position closer to the substrate than the spaced position, and faces the substrate from below. An opposing member,
A first entry suppression member that is provided in the opposing member and suppresses the ingress of airflow into the space between the lower surface of the substrate and the opposing member in a state where the opposing member is located at the proximity position; Substrate processing equipment.
前記第2進入抑制部材は、各前記保持ピンの周囲において、前記基板の下面と前記対向部材との間の空間への気流の進入を抑制する、請求項4〜6のいずれか一項に記載の基板処理装置。 The first entry suppression member suppresses the entry of airflow into the space between the lower surface of the substrate and the opposing member in a region between the holding pins adjacent in the rotation direction,
The said 2nd approach suppression member suppresses the approach of the airflow to the space between the lower surface of the said board | substrate and the said opposing member in the circumference | surroundings of each said holding pin. Substrate processing equipment.
前記基板に下方から対向する対向部材に固定された弾性部材が前記基板の下面に接触するように、前記対向部材を基板に近接させる近接工程と、
前記複数の保持ピンが前記基板の周縁部を保持し、かつ、前記弾性部材が前記基板の下面に接触した状態で、前記ベースを回転させることによって基板を回転させる基板回転工程と、
回転状態の基板の上面に、基板を処理する処理液を供給する処理液供給工程とを含む、基板処理方法。 A substrate holding step of holding a peripheral portion of the substrate above the base on a plurality of holding pins provided on the base at intervals in a rotation direction around a rotation axis along the vertical direction;
A proximity step of bringing the facing member close to the substrate so that an elastic member fixed to the facing member facing the substrate from below is in contact with the lower surface of the substrate;
A substrate rotating step of rotating the substrate by rotating the base in a state where the plurality of holding pins hold the peripheral edge of the substrate and the elastic member is in contact with the lower surface of the substrate;
A substrate processing method comprising: a processing liquid supply step of supplying a processing liquid for processing a substrate on an upper surface of a rotating substrate.
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JP2004140155A (en) * | 2002-10-17 | 2004-05-13 | Tokyo Electron Ltd | Liquid processor |
JP2012199408A (en) * | 2011-03-22 | 2012-10-18 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | Substrate processing device |
JP2013069773A (en) * | 2011-09-21 | 2013-04-18 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | Substrate processing apparatus |
JP2013229552A (en) * | 2011-12-19 | 2013-11-07 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | Substrate holding rotary device, substrate processing apparatus including the same, and substrate processing method |
JP2015002328A (en) * | 2013-06-18 | 2015-01-05 | 株式会社Screenホールディングス | Substrate holding rotary device, substrate processing apparatus including the same, and substrate processing method |
JP2016132056A (en) * | 2015-01-19 | 2016-07-25 | 株式会社ディスコ | Holding method of plate-like work |
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---|---|---|---|---|
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US10037902B2 (en) * | 2015-03-27 | 2018-07-31 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Substrate processing device and substrate processing method |
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Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004140155A (en) * | 2002-10-17 | 2004-05-13 | Tokyo Electron Ltd | Liquid processor |
JP2012199408A (en) * | 2011-03-22 | 2012-10-18 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | Substrate processing device |
JP2013069773A (en) * | 2011-09-21 | 2013-04-18 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | Substrate processing apparatus |
JP2013229552A (en) * | 2011-12-19 | 2013-11-07 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | Substrate holding rotary device, substrate processing apparatus including the same, and substrate processing method |
JP2015002328A (en) * | 2013-06-18 | 2015-01-05 | 株式会社Screenホールディングス | Substrate holding rotary device, substrate processing apparatus including the same, and substrate processing method |
JP2016132056A (en) * | 2015-01-19 | 2016-07-25 | 株式会社ディスコ | Holding method of plate-like work |
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