JP2018142630A - Wafer temporarily bonding wax and wafer temporarily bonding method - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、ウェーハを加工するためにサポート基板などに仮止めするためのワックス及びこのワックスを使用したウェーハの仮止め方法に関するものである。 The present invention relates to a wax for temporarily fixing to a support substrate or the like for processing a wafer and a method for temporarily fixing a wafer using this wax.
近年、各種デバイスの技術革新や軽薄短小化によってスマートフォンを始めとする通信機器の性能が大きく向上してきており、様々な機器がインターネットと繋がったり、センサーで制御されるようになっている。
こうしたことを可能にしているのは、ウェーハの薄化の加工技術や、印刷による回路形成技術などを利用した新しい基本設計技術に基づくアッセンブリやパッケイジングの進化がある。
In recent years, the performance of communication devices such as smartphones has greatly improved due to technological innovations and miniaturization of various devices, and various devices are connected to the Internet or controlled by sensors.
This is made possible by the evolution of assembly and packaging based on a new basic design technology using wafer thinning processing technology and printed circuit formation technology.
上記ウェーハの薄化加工においてはウェーハの裏面を研削するが、その際にウェーハの表面側をサポート基板に仮止めする必要がある。
こうした仮止めは、例えば、予め加熱しておいたサポート基板に棒状の固形ワックスを擦り付けるようにして溶かしながら全面に塗布し、これにウェーハを載せて接着することによって行われていた。この方法によれば、使用できるワックスの種類が豊富であり、また、溶剤を使用しないという利点があるが、作業の自動化が難しいという問題がある。
In the wafer thinning process, the back surface of the wafer is ground. At this time, it is necessary to temporarily fix the front surface side of the wafer to the support substrate.
Such temporary fixing is performed, for example, by applying a stick-shaped solid wax to a support substrate that has been heated in advance so that the wax is melted and applying it to the entire surface, and then placing the wafer on it and bonding it. According to this method, there are many types of waxes that can be used, and there is an advantage that no solvent is used, but there is a problem that it is difficult to automate the operation.
仮止め方法としてワックスを溶剤に溶かしたリキッドタイプのものを使用する場合には、スピンコートなどによってサポート基板に塗布することができるので、作業の自動化に対応することができるが、ワックスの厚みが薄い薄膜状であるので、ウェーハにバンプが形成されている場合には、これをうまく仮止めすることができないことが多い。 When using a liquid type solution in which wax is dissolved in a solvent as a temporary fixing method, it can be applied to the support substrate by spin coating or the like, which can correspond to automation of work, but the thickness of the wax is Since it is a thin thin film, if bumps are formed on the wafer, it cannot often be temporarily fixed.
そうしたことから、接着テープを使用して仮止めすることも行われている。このような接着テープを使用する場合には、接着剤の厚みをある程度の厚さを持ったものにすることができるので、上記バンプが比較的低い場合には対応できて、作業の自動化を可能とすることができる。 For this reason, temporary fixing using an adhesive tape is also performed. When using such an adhesive tape, the thickness of the adhesive can be set to a certain level, so it can be used when the bumps are relatively low and the work can be automated. It can be.
しかし、バンプが高くなると、バンプの凹凸が接着テープに転写されてしまい、そのまま裏面研削しようとすると真空チャックにより固定できないとか、さらにバンプの部分にのみ圧力がかかり、研削面のバンプ部分のみが深く削れてしまうなどの問題が生じていた。
こうしたことから、上記貼り付けした接着テープの上に、エポキシ系樹脂などを使用して溶融成型により樹脂層を形成することによって上記接着テープの凹凸面の上を覆い、先ず、この樹脂層を半導体ウェーハの裏面を基準にして平坦に研削し、その後に半導体ウェーハの裏面を研削してウェーハの薄化を行うようにするものが知られている。（特許文献１）
However, when bumps become high, bump bumps are transferred to the adhesive tape, and if it is attempted to grind the back as it is, it cannot be fixed by a vacuum chuck, or more pressure is applied only to the bumps and only the bumps on the grinding surface are deep. Problems such as scraping occurred.
For this reason, the resin layer is covered with the adhesive tape by forming a resin layer by melt molding using an epoxy resin on the bonded adhesive tape. It is known that the wafer is thinned by grinding it flat with respect to the back surface of the wafer and then grinding the back surface of the semiconductor wafer. (Patent Document 1)
しかしながら、上記した方法は溶融成型を行ったり、平坦にするために何度も研削を行ったりするものであるから、作業工程が増え、作業が複雑になることから、精度も落ちて行くこともあって、更なる改良が望まれていた。 However, the method described above involves melt molding or grinding many times to make it flat, which increases the number of work steps and complicates the work, so accuracy may also decline. Therefore, further improvement was desired.
本発明は、ウェーハの裏面を研削する薄化の加工などにおいて、上記したような複雑な手間を要することなく、ウェーハを確実に仮止めすることができるような仮止め用のワックスを得ようとするものである。
また、ウェーハにおけるバンプの有無に関係なく、また、形成されているバンプの高さにも関係なく、安定的に仮止めすることができ、これによってバンプに障害を与えることも無いものにしようとするものである。
The present invention seeks to obtain a temporary fixing wax that can securely fix a wafer without requiring the complicated work described above in the thinning process for grinding the back surface of the wafer. To do.
In addition, regardless of the presence or absence of bumps on the wafer, and regardless of the height of the bumps that are formed, it is possible to temporarily fix the bumps, thereby preventing the bumps from being damaged. To do.
本発明は、ウェーハを仮止めするために使用するワックスを、熱可塑性を有する樹脂としてタブレット状に形成し、ウェーハ仮止め用のワックスとするものである。
このタブレット状のワックスは、サポート基板とこれに対向するウェーハ面の間に介在させて、サポート基板側とウェーハ側を加熱し、加圧によりサポート基板とウェーハの間隔を狭めるようにして、溶融したタブレット状のワックスをバンプの間を埋めながらウェーハの表面に展延させて行き、ウェーハをサポート基板に確実に仮止めするようにする。
In the present invention, a wax used for temporarily fixing a wafer is formed into a tablet shape as a resin having thermoplasticity to provide a wax for temporarily fixing a wafer.
This tablet-like wax was interposed between the support substrate and the wafer surface opposite to the support substrate, heated the support substrate side and the wafer side, and melted so as to reduce the distance between the support substrate and the wafer by pressurization. A tablet-like wax is spread on the surface of the wafer while filling the space between the bumps, and the wafer is surely temporarily fixed to the support substrate.
本発明によれば、ウェーハの表面にバンプが形成されているか否かに関係なく、またバンプの高さにも影響されず、タブレット状のワックスから加熱によって溶融されたものが、加圧によってバンプのあるものではこれを埋めながら次第に展延されて行くようになり、その後に冷却されるワックスによってウェーハをサポート基板などに接着することができるので、こうした仮止め状態においてウェーハの裏面を研削することもできるようになり、簡単な操作によって確実にウェーハの薄化処理などを行うことができる。 According to the present invention, regardless of whether or not bumps are formed on the surface of the wafer and not affected by the height of the bumps, the one melted by heating from the tablet-like wax is bumped by pressurization. In some cases, the wafer is gradually spread while filling it, and then the wafer can be bonded to the support substrate etc. by the cooled wax, so that the back surface of the wafer is ground in such a temporarily fixed state. The wafer thinning process can be reliably performed by a simple operation.
本発明のワックスには熱可塑性を有する樹脂が使用されるが、例えば、テルペンフェノール樹脂、ロジンその他のアビエチン酸に代表される三員環化合物を主成分とする樹脂、これらの樹脂の誘導体、変性物などの他、接着して各種の加工処理を行った後で、再び剥してから、これを除去することができるような適宜の熱可塑性の樹脂が使用される。 Resin having thermoplasticity is used for the wax of the present invention. For example, terpene phenol resin, rosin and other resins mainly composed of three-membered ring compounds represented by abietic acid, derivatives of these resins, modification An appropriate thermoplastic resin that can be removed after being peeled again after being subjected to various processing treatments by bonding is used.
上記ワックスの樹脂の除去は、仮止め状態によって行った加工処理の終了後に、樹脂の種類に応じてトルエンなどの芳香族炭化水素、アセトン、低級アルコールなどの極性溶剤、強酸又は強アルカリと過酸化水素の混合溶液である酸化性洗浄剤などを使用して除去することができる。また、上記したロジン系の樹脂では、アルカノールアミン、アミルアルコール、水溶性アミン類などの有機アルカリ、カセイソーダやカセイカリなどの無機アルカリ、珪酸塩や炭酸塩などの無機アルカリ塩などの水溶性溶液を使用して除去することができる。 The removal of the wax resin is carried out after completion of the processing performed in a temporarily fixed state, depending on the type of resin, aromatic hydrocarbons such as toluene, polar solvents such as acetone and lower alcohol, strong acids or strong alkalis and peroxides. It can be removed by using an oxidizing cleaning agent that is a mixed solution of hydrogen. In addition, the above rosin resins use water-soluble solutions such as organic alkalis such as alkanolamines, amyl alcohol, and water-soluble amines, inorganic alkalis such as caustic soda and caustic potash, and inorganic alkali salts such as silicates and carbonates. And can be removed.
このワックスは、タブレット状にされている。このタブレット状のワックスは溶融してから加圧されてウェーハの表面に展延し、サポート基板に貼り付けることができるような容量（重量）を有している。この場合、ウェーハの表面にバンプが無い場合には小さくて、軽いタブレットで良いが、バンプが形成されているものに対してはその高さに応じて容量を大きくするようにするとよい。
対応するバンプの高さには特に制限は無く、例えば、高さ５００μｍ程度のものに対しても適応することが可能である。
図１に示すものは、直径が約６インチ（１５ｃｍ）のウェーハの表面に高さ約８０μｍのバンプが形成されている半導体ウェーハに用いるもので、直径を２５ｍｍとし、重量を２.３ｇ、中心部の厚さを４.５ｍｍ程度としたタブレット状に形成している。
This wax is in the form of a tablet. The tablet-like wax has a capacity (weight) that can be melted and then pressurized, spread on the surface of the wafer, and attached to the support substrate. In this case, if there are no bumps on the surface of the wafer, a small and light tablet may be used. However, for the bumps formed, the capacity should be increased according to the height.
The height of the corresponding bump is not particularly limited, and can be applied to a height of about 500 μm, for example.
The one shown in FIG. 1 is used for a semiconductor wafer in which bumps having a height of about 80 μm are formed on the surface of a wafer having a diameter of about 6 inches (15 cm). The diameter is 25 mm, the weight is 2.3 g, the center The part is formed in a tablet shape with a thickness of about 4.5 mm.
このタブレット状のワックスは、例えば、打錠機などを使用してきちんとした形状に成形することもできるが、溶融して使用されるものなので特に形状に制限は無く任意の形状とすることができ、通常、溶融したワックスを滴下して気泡の入らないようにしてドロップ状に固化させれば充分であることが多い。 This tablet-like wax can be molded into a neat shape using, for example, a tableting machine, but since it is melted and used, there is no particular limitation on the shape and it can be made into any shape. Usually, it is often sufficient to melt the wax so that it does not enter bubbles and solidifies in a drop shape.
こうしたタブレット状のワックスを使用する場合、サポート基板とウェーハの間にタブレット状のワックスを介在させ、ワックスを溶融して加圧し、ウェーハの表面に展延させるようにしてから冷却すれば、ウェーハを仮止めすることができる。 When using such tablet-like wax, if the tablet-like wax is interposed between the support substrate and the wafer, the wax is melted and pressurized, spread on the surface of the wafer and then cooled, Can be temporarily fixed.
上記ウェーハの仮止めを、図２に示す一例に基づいて以下に詳しく述べる。
先ず、サポート基板２の上にタブレット状のワックス１を置き、ウェーハ３のバンプ４などのある表面をサポート基板２に対向するように位置させ、上記サポート基板２を加熱プレス板５によって加熱しながらタブレット状のワックスを溶融させる。
The temporary fixing of the wafer will be described in detail below based on an example shown in FIG.
First, the tablet-like wax 1 is placed on the support substrate 2, and a surface such as the bump 4 of the wafer 3 is positioned so as to face the support substrate 2, and the support substrate 2 is heated by the heating press plate 5. Melt the tablet-like wax.
また、加熱プレス板６によって加熱しながら加圧してサポート基板とウェーハの間隔を狭くすると、溶融されたワックスはバンプの間を通ってウェーハの周縁部へと展延されて行って表面に行き渡り、ウェーハとサポート基板は互いに平行面状に貼り合わされるので、加熱プレス板を外して冷却するとワックス１がしっかりと固まるから、ウェーハをサポート基板に仮止めすることができる。 Further, when the space between the support substrate and the wafer is narrowed by applying pressure while heating with the heating press plate 6, the melted wax is spread to the peripheral edge of the wafer through the bumps and spreads to the surface, Since the wafer and the support substrate are bonded to each other in parallel planes, the wax 1 is firmly solidified when the heating press plate is removed and cooled, so that the wafer can be temporarily fixed to the support substrate.
こうしてサポート基板に仮止めしたウェーハは、確実にサポート基板に保持された状態に保たれ、研削機７によってその裏面８を研削（バックグラインド）することによって薄化することができる。
薄化されたウェーハは、サポート基板に仮止めされた状態で、必要に応じてウェーハの裏面に蒸着膜を形成する裏面蒸着処理１１や、加熱源を用いたアニール処理１２、その他の処理など、ウェーハの用途によって適宜の処理を行うことができる。
The wafer temporarily fixed to the support substrate in this way is securely held on the support substrate, and can be thinned by grinding (back grind) its back surface 8 with the grinding machine 7.
The thinned wafer is temporarily fixed to the support substrate, and if necessary, a backside deposition process 11 for forming a deposited film on the backside of the wafer, an annealing process 12 using a heating source, and other processes, An appropriate process can be performed depending on the use of the wafer.
ウェーハを仮止めしてあるサポート基板は、サポート基板及びウェーハを加熱プレス板などによって加熱すると、ウェーハとサポート基板を仮止めしているワックスが再び溶融されて軟らかくなるので、ウェーハを横に滑らせるようにするとサポート基板から剥離する１３ことができるから、次の処理工程１４に送り出すことができる。 When the support substrate on which the wafer is temporarily fixed is heated by a heating press plate or the like, the wax temporarily fixing the wafer and the support substrate is melted again and becomes soft, so the wafer is slid sideways. If it does in this way, since it can peel 13 from a support substrate, it can send out to the following process process 14. FIG.
上記仮止めから剥したウェーハのワックスを除去する場合には、上記したようにこの仮止めワックスを溶解することができる溶剤を選択して、その溶剤中に浸漬し、適宜に超音波振動なども併用しながら洗浄すれば、きれいに除去することができる。
上記の例では、サポート基板が下部に、ウェーハが上部に位置する場合を示したが、これらの位置関係が逆になる場合でも同様に仮止め処理することができる。
また、上記タブレット状ワックスは１個に限らず複数個を使用して仮止め接着を行うこともできる。
When removing the wax on the wafer peeled off from the temporary fixing, select a solvent capable of dissolving the temporary fixing wax as described above and immerse it in the solvent, and appropriately apply ultrasonic vibration and the like. If it is washed together, it can be removed cleanly.
In the above example, the case where the support substrate is located at the lower part and the wafer is located at the upper part is shown.
In addition, the tablet-like wax is not limited to one, and a plurality of the waxes can be used for temporary fixing.
タブレット状ワックスの性状、性能を見るために、以下の試料を用意した。
（試料１）
軟化点が１０８℃のテルペンフェノール樹脂を含有するワックスで直径を２５ｍｍとし、重量を２.２〜２.３ｇとしたタブレット状のワックス。
（試料２）
軟化点が６８℃のロジン樹脂を含有するワックスで直径を２５ｍｍとし、重量を３.０ｇとしたタブレット状のワックス。
（試料３）
軟化点が７９℃のロジン樹脂を含有するワックスで直径を２１ｍｍとし、重量を０.７ｇとしたタブレット状のワックス。
In order to see the properties and performance of the tablet-like wax, the following samples were prepared.
(Sample 1)
A tablet-like wax having a softening point of 108 ° C. and containing terpene phenol resin, having a diameter of 25 mm and a weight of 2.2 to 2.3 g.
(Sample 2)
A tablet-like wax having a softening point of 68 ° C. containing a rosin resin and having a diameter of 25 mm and a weight of 3.0 g.
(Sample 3)
A tablet-like wax having a softening point of 79 ° C. and containing a rosin resin, having a diameter of 21 mm and a weight of 0.7 g.
上記各試料の性能を見るために、表１に示し下記する内容、条件で、以下の手順で仮止め作業を行った。
（実施例１）
（１）貼付装置の上部に位置する加熱プレス板に、直径６インチ（１５ｃｍ）で、高さ８０μｍのバンプ付きガリウム・ヒ素（ＧａＡｓ）のウェーハを、バンプが下面を向くようにして真空吸着させる。
（２）貼付装置の下部に位置する加熱プレス板に直径６インチ（１５ｃｍ）用の耐熱ガラス製のサポート基板を真空吸着させる。
（３）上部加熱プレス板と下部加熱プレス板を１３０℃の貼付温度になるまで昇温させる。
（４）試料１の重量２.２ｇのタブレット状ワックスをサポート基板の中央に置き、下部に位置する加熱プレス板によって加熱して溶融させる。
（５）上部加熱プレス板を下降させ、ウェーハをサポート基板側へ加圧して、溶融されたワックスをウェーハの表面に展延する。
（６）真空吸着を解除し、サポート基板に仮止めしたウェーハを室温まで冷却する。
In order to see the performance of each sample, a temporary fixing operation was performed according to the following procedure under the contents and conditions shown in Table 1 and described below.
Example 1
(1) A gallium arsenide (GaAs) wafer with a bump of 6 inches (15 cm) in diameter and 80 μm in height is vacuum-adsorbed on a heated press plate located on the upper part of the sticking device so that the bump faces the lower surface. .
(2) A support substrate made of heat-resistant glass for a diameter of 6 inches (15 cm) is vacuum-adsorbed to a heated press plate located at the lower part of the sticking device.
(3) The upper heating press plate and the lower heating press plate are heated up to a sticking temperature of 130 ° C.
(4) A tablet-like wax having a weight of 2.2 g of the sample 1 is placed in the center of the support substrate, and is heated and melted by a heated press plate located at the lower part.
(5) Lower the upper heating press plate, pressurize the wafer to the support substrate side, and spread the melted wax on the surface of the wafer.
(6) Release the vacuum suction, and cool the wafer temporarily fixed to the support substrate to room temperature.
（実施例２）
試料１の重量２.３ｇのタブレット状ワックスを使用し、貼付温度を１６０℃とし、その他は上記実施例１と同様にしてウェーハをサポート基板に仮止めした。
（実施例３）
試料２の重量３.０ｇのタブレット状ワックスを使用し、直径６インチ（１５ｃｍ）で、高さ６５μｍのバンプ付きタンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ３）のウェーハを、直径６インチ（１５ｃｍ）用のサファイアガラスのサポート基板に、貼付温度を８５℃とし、その他は上記実施例１と同様にしてウェーハをサポート基板に仮止めした。
（実施例４）
試料３の重量０.７ｇのタブレット状ワックスを使用し、直径６インチ（１５ｃｍ）でバンプの無い耐熱ガラスのウェーハを、直径６インチ（１５ｃｍ）用のセラミックのサポート基板に、貼付温度を１２０℃とし、その他は上記実施例１と同様にしてウェーハをサポート基板に仮止めした。
(Example 2)
A tablet-like wax having a weight of 2.3 g of Sample 1 was used, the application temperature was 160 ° C., and the wafer was temporarily fixed to the support substrate in the same manner as in Example 1 above.
(Example 3)
Using a tablet-like wax weighing 3.0 g of sample 2, a 6-inch (15 cm) diameter bumped lithium tantalate (LiTaO 3) wafer with a height of 65 μm was made of a sapphire glass for a 6-inch (15 cm) diameter. The wafer was temporarily fixed to the support substrate in the same manner as in Example 1 except that the application temperature was 85 ° C. on the support substrate.
(Example 4)
Using a tablet-like wax with a weight of 0.7 g of sample 3, a 6-inch (15 cm) diameter heat-resistant glass wafer without bumps is attached to a ceramic support substrate for 6-inch (15 cm) diameter at a bonding temperature of 120 ° C. Otherwise, the wafer was temporarily fixed to the support substrate in the same manner as in Example 1 above.
実施例１〜４の性状、性能を見るために、下記の試験を行った。
（試験１）
デジタルゲージを使用してワックスの厚さ（μｍ）を測定し、貼付精度（μｍ）を算出する。
〔貼付精度（μｍ）の算出方法〕
（１）：予めウェーハとサポート基板の厚さをデジタルゲージで計測する。
（２）：試料のタブレット状ワックスによりウェーハとサポート基板を貼り合せ、その総厚を計測する。
（３）：上記（２）から（１）を減算してワックス厚さを求める。
（４）：上記（３）のデータの内、ワックス厚さの最大値から最小値を減算した値を貼付精度（μｍ）とする。
In order to see the properties and performance of Examples 1 to 4, the following tests were conducted.
(Test 1)
The thickness (μm) of the wax is measured using a digital gauge, and the sticking accuracy (μm) is calculated.
[Calculation method of pasting accuracy (μm)]
(1): The thickness of the wafer and the support substrate is measured with a digital gauge in advance.
(2): The wafer and the support substrate are bonded together with the tablet-like wax of the sample, and the total thickness is measured.
(3): Subtract (1) from (2) above to obtain the wax thickness.
(4): The value obtained by subtracting the minimum value from the maximum value of the wax thickness among the data of (3) above is defined as the pasting accuracy (μm).
（試験２）
目視により気泡の混入状態を観察する。
(Test 2)
Observe the mixed state of bubbles by visual inspection.
（結果）
試験の結果を表２に示す。
(result)
The test results are shown in Table 2.
（考察）
実施例１では、試料１を使用して１３０℃の貼付温度によって貼付したもので、気泡などの発生も見られず、ワックスの厚さを８７〜１０３μｍとして８０μｍのバンプを覆うことができ、気泡の発生も見られず、貼付精度を１５μｍとして綺麗に貼り付けて仮止めすることができている。
実施例２のものは、試料１を使用して貼付温度を１６０℃としたもので、ワックスの厚さを８１〜９０μｍにして、貼付精度を９μｍと向上させることができているが、ワックスの外周にクラックが見られ、貼付温度がやや高かったと考えられる。
(Discussion)
In Example 1, the sample 1 was pasted at a pasting temperature of 130 ° C., no bubbles were observed, the wax thickness was 87 to 103 μm, and 80 μm bumps could be covered. Occurrence is not seen, and the pasting accuracy is 15 μm, and it can be pasted and temporarily fixed.
In Example 2, the sample 1 was used and the application temperature was set to 160 ° C., and the wax thickness was 81 to 90 μm and the application accuracy was improved to 9 μm. Cracks were seen on the outer periphery, and the pasting temperature was considered to be slightly higher.
実施例３では、試料２を使用して貼付温度を８５℃としたもので、ウェーハのバンプの高さに比べてワックスの厚さがやや厚いが良好であり、貼付温度をもう少し高めにすることによって、ワックスの厚さを減少させ、貼付精度を上げることができるものと考えられる。
実施例４は、試料３を使用してバンプの無い耐熱ガラスのウェーハを貼付温度を１２０℃とし貼付したもので、ワックスの厚さは極く薄くなっていて、タブレット状ワックスを用いて薄膜状の仮止めが可能であることが判る。また、貼付精度が高いので、貼付温度をもう少し低くすると気泡の発生も見られず一層良好な状態になるものと考えられる。
In Example 3, the sample 2 was used and the sticking temperature was 85 ° C., and the wax thickness was slightly thicker than the bump height of the wafer. Therefore, it is considered that the thickness of the wax can be reduced and the pasting accuracy can be increased.
In Example 4, a heat-resistant glass wafer without bumps was attached using sample 3 at a sticking temperature of 120 ° C., and the thickness of the wax was extremely thin. It can be seen that temporary fixing is possible. Further, since the sticking accuracy is high, it is considered that when the sticking temperature is lowered a little, no bubbles are observed and a better state is obtained.
１ タブレット状ワックス
２ サポート基板
３ ウェーハ
４ ウェーハのバンプ
５、６ 加熱プレス板
７ 研削機
１１ 裏面蒸着処理
１２ アニール処理
１３ ウェーハの剥離処理
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Tablet-shaped wax 2 Support board 3 Wafer 4 Wafer bump 5, 6 Heat press board 7 Grinding machine 11 Back surface deposition process 12 Annealing process 13 Wafer peeling process
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Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110340801A (en) * | 2019-07-15 | 2019-10-18 | 浙江光特科技有限公司 | A kind of high step substrate wafer patch wax method |
| JP2020188248A (en) * | 2019-05-09 | 2020-11-19 | 株式会社ディスコ | Installation method of protective member, processing method of workpiece, workpiece with protective layer, and frame unit |
| JP2021077695A (en) * | 2019-11-06 | 2021-05-20 | 株式会社ディスコ | Formation method for protective member |
| TWI844741B (en) * | 2019-11-06 | 2024-06-11 | 日商迪思科股份有限公司 | Resin protective member forming device |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006090650A1 (en) * | 2005-02-23 | 2006-08-31 | Jsr Corporation | Method for processing wafer |
| JP2012009564A (en) * | 2010-06-23 | 2012-01-12 | Dowa Electronics Materials Co Ltd | Thickness reduction processing method for wafer and method of manufacturing semiconductor device |
| WO2012176737A1 (en) * | 2011-06-20 | 2012-12-27 | 株式会社スリーボンド | Temporary fixing composition |
| JP2013082017A (en) * | 2011-10-06 | 2013-05-09 | Kazuo Tanabe | Method for affixing wafer using solid adhesive and device for affixing |
-
2017
- 2017-02-28 JP JP2017036266A patent/JP2018142630A/en active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006090650A1 (en) * | 2005-02-23 | 2006-08-31 | Jsr Corporation | Method for processing wafer |
| JP2012009564A (en) * | 2010-06-23 | 2012-01-12 | Dowa Electronics Materials Co Ltd | Thickness reduction processing method for wafer and method of manufacturing semiconductor device |
| WO2012176737A1 (en) * | 2011-06-20 | 2012-12-27 | 株式会社スリーボンド | Temporary fixing composition |
| JP2013082017A (en) * | 2011-10-06 | 2013-05-09 | Kazuo Tanabe | Method for affixing wafer using solid adhesive and device for affixing |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2020188248A (en) * | 2019-05-09 | 2020-11-19 | 株式会社ディスコ | Installation method of protective member, processing method of workpiece, workpiece with protective layer, and frame unit |
| JP7362333B2 (en) | 2019-05-09 | 2023-10-17 | 株式会社ディスコ | How to install a protective member, how to process a workpiece, a workpiece with a protective layer, and a frame unit |
| CN110340801A (en) * | 2019-07-15 | 2019-10-18 | 浙江光特科技有限公司 | A kind of high step substrate wafer patch wax method |
| JP2021077695A (en) * | 2019-11-06 | 2021-05-20 | 株式会社ディスコ | Formation method for protective member |
| JP7396863B2 (en) | 2019-11-06 | 2023-12-12 | 株式会社ディスコ | Method of forming protective member |
| TWI844741B (en) * | 2019-11-06 | 2024-06-11 | 日商迪思科股份有限公司 | Resin protective member forming device |
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