JP2018138882A - Pressure sensor and method for manufacturing the same - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、圧力センサ及びその製造方法に関する。 The present invention relates to a pressure sensor and a manufacturing method thereof.
従来より、圧力媒体の圧力を検出するセンサチップを備えたセンサデバイスが、例えば特許文献1で提案されている。センサチップは、一方の基板と他方の基板とが接合されて構成されている。他方の基板は、局所的に肉厚の薄くなったダイヤフラムを有し、ダイヤフラムに形成された圧電素子を有している。圧電素子は、4つのゲージ抵抗がブリッジ回路を構成するように形成されている。
Conventionally, for example,
また、一方の基板は、ダイヤフラムに対応する部分に圧電素子を気密封止するための凹部を有している。そして、各基板が接合されることで圧電素子が各基板で囲まれた空間に封止されている。 Moreover, one board | substrate has the recessed part for airtightly sealing a piezoelectric element in the part corresponding to a diaphragm. Each substrate is bonded to seal the piezoelectric element in a space surrounded by each substrate.
さらに、センサデバイスは、センサチップのうちダイヤフラムが形成された部分が露出するようにセンサチップの一部を封止したモールド樹脂部を備えている。すなわち、センサデバイスは、モールド樹脂部によるセンサデバイスの片持ち梁構造になっている。 Furthermore, the sensor device includes a mold resin portion in which a part of the sensor chip is sealed so that a portion of the sensor chip where the diaphragm is formed is exposed. That is, the sensor device has a cantilever structure of the sensor device by the mold resin portion.
上記のセンサデバイスにおいて、ブリッジ回路の温度特性を利用して圧力媒体の温度を検出することが可能である。また、センサチップの信号を処理する回路チップを備えた構成が考えられる。この場合、回路チップが金属フレームに実装されると共にセンサチップのうちダイヤフラム側とは反対側が金属フレームに固定され、センサチップの一部、回路チップ、及び金属フレームがモールド樹脂部に封止される。 In the above sensor device, it is possible to detect the temperature of the pressure medium using the temperature characteristics of the bridge circuit. Further, a configuration including a circuit chip for processing a sensor chip signal is conceivable. In this case, the circuit chip is mounted on the metal frame, and the side of the sensor chip opposite to the diaphragm side is fixed to the metal frame, and a part of the sensor chip, the circuit chip, and the metal frame are sealed in the mold resin portion. .
しかしながら、上記の構成では、センサデバイスの製造時にセンサチップの出力値を調整する調整工程において、回路チップにデータを記憶する際の回路チップの発熱によって、回路チップの熱が金属フレームやモールド樹脂部を介してセンサチップに伝わる。これにより、センサチップの温度は測定対象に自己昇温分の温度が加算された値、すなわちモールド樹脂部の内部温度と同一になる。このため、自己昇温分の温度を補正することができず、出力値の調整精度を確保することができない。 However, in the above configuration, in the adjustment process for adjusting the output value of the sensor chip at the time of manufacturing the sensor device, the heat of the circuit chip is generated due to the heat generated by the circuit chip when data is stored in the circuit chip. It is transmitted to the sensor chip via Thereby, the temperature of the sensor chip becomes the same as the value obtained by adding the temperature of the self-temperature rise to the measurement object, that is, the internal temperature of the mold resin portion. For this reason, the temperature for the self-temperature rise cannot be corrected, and the adjustment accuracy of the output value cannot be ensured.
なお、調整工程ではセンサチップの検出部の実温度を正確に測定することが必要であるが、センサチップへの接触での温度測定はセンサチップの破壊及び温度測定プローブへの熱逃げがあり、測定が困難である。赤外線検出での非接触で温度検出も考えられるが、検出精度が悪く、調整工程に適さない。 In addition, in the adjustment process, it is necessary to accurately measure the actual temperature of the detection part of the sensor chip, but temperature measurement in contact with the sensor chip involves destruction of the sensor chip and heat escape to the temperature measurement probe. Measurement is difficult. Although non-contact temperature detection with infrared detection is also conceivable, the detection accuracy is poor and is not suitable for the adjustment process.
また、センサデバイスに対して外部から熱を印加し、測定設定温度に向けて温度上昇させた場合、モールド樹脂部の熱容量の影響により、測定対象温度とセンサチップの温度とにずれが発生し、センサチップの温度が安定するまでに時間を要する。したがって、調整時間が掛かってしまう。 In addition, when heat is applied to the sensor device from the outside and the temperature is raised toward the measurement set temperature, a shift occurs between the measurement target temperature and the sensor chip temperature due to the heat capacity of the mold resin part, It takes time for the temperature of the sensor chip to stabilize. Therefore, it takes adjustment time.
本発明は上記点に鑑み、センサチップの出力値を調整する調整工程において、調整時間の短縮と調整精度との両立を図ることができる圧力センサの製造方法を提供することを第1の目的とする。また、当該製造方法によって得られた圧力センサを提供することを第2の目的とする。 In view of the above points, the first object of the present invention is to provide a pressure sensor manufacturing method capable of reducing both the adjustment time and the adjustment accuracy in the adjustment step of adjusting the output value of the sensor chip. To do. A second object is to provide a pressure sensor obtained by the manufacturing method.
発明者らは、センサチップの一部はモールド樹脂部に封止されていると共に、センサチップとモールド樹脂部との間の熱抵抗は低く、センサチップの温度はモールド樹脂部の温度と同一温度になる、という点に着目した。 The inventors have sealed a part of the sensor chip in the mold resin part, and the thermal resistance between the sensor chip and the mold resin part is low, and the temperature of the sensor chip is the same as the temperature of the mold resin part. We focused on the point of becoming.
そこで、上記目的を達成するため、請求項1に記載の発明では、圧力媒体の圧力が印加されるダイヤフラム(11)と、ダイヤフラムに形成された複数のゲージ抵抗(12)と、を有し、ダイヤフラムの歪みに応じた複数のゲージ抵抗の抵抗変化をセンサ信号として出力する板状のセンサチップ(10)と、センサチップからセンサ信号を入力し、予め設定された信号処理値に基づいてセンサ信号の信号処理を行う回路チップ(20)と、一面(31)を有する板状であり、センサチップのうちダイヤフラム側の一端部(18)とは反対側の他端部(19)と回路チップとが一面に実装された金属フレーム(30)と、センサチップのうちダイヤフラムが露出するように、センサチップの他端部、回路チップ、及び金属フレームを封止したモールド樹脂部(40)と、を備えた圧力センサの製造方法であって、以下の工程を含んでいる。
In order to achieve the above object, the invention according to
すなわち、センサチップの他端部及び回路チップが金属フレームに実装された状態でモールド樹脂部を形成すると共に、モールド樹脂部の中心部の温度を検出するための温度検出用プローブ(50)を設ける封止工程を行う。 That is, the mold resin portion is formed in a state where the other end portion of the sensor chip and the circuit chip are mounted on the metal frame, and a temperature detection probe (50) for detecting the temperature of the center portion of the mold resin portion is provided. A sealing process is performed.
封止工程の後、モールド樹脂部を基準温度に加熱した状態で温度検出用プローブによってモールド樹脂部の中心部の中心温度を検出すると共にセンサ信号を取得し、中心温度に基づいてセンサ信号の信号値を調整することにより信号処理値を調整し、調整後の信号処理値を回路チップに設定する調整工程を行う。 After the sealing step, the center temperature of the mold resin portion is detected by the temperature detection probe while the mold resin portion is heated to the reference temperature, and a sensor signal is obtained. Based on the center temperature, the sensor signal signal is obtained. The signal processing value is adjusted by adjusting the value, and an adjustment process for setting the adjusted signal processing value in the circuit chip is performed.
請求項11に記載の発明では、モールド樹脂部は、信号処理値を調整するための調整工程時にモールド樹脂部の中心部の温度を検出するための温度検出用プローブ(50)を配置する穴部(41)を有している。
In the invention according to
これによると、調整工程において、モールド樹脂部を基準温度に加熱した状態で温度検出用プローブによってモールド樹脂部の中心温度を検出している。このため、モールド樹脂部と同一温度のセンサチップの温度を間接的に精度良く検出することができる。したがって、センサ信号の信号値の調整精度を確保することができる。 According to this, in the adjustment step, the center temperature of the mold resin portion is detected by the temperature detection probe in a state where the mold resin portion is heated to the reference temperature. For this reason, the temperature of the sensor chip having the same temperature as that of the mold resin portion can be indirectly detected with high accuracy. Therefore, the adjustment accuracy of the signal value of the sensor signal can be ensured.
また、モールド樹脂部を加熱する測定温度設定時の過渡時、センサチップの温度変化途中においてもセンサチップの温度と同一のモールド樹脂部の温度を検出できる。このため、センサチップの温度が安定するまで待つ必要がなく、調整時間を短縮することができる。以上により、調整時間の短縮と調整精度との両立を図ることができる。 Further, at the time of transition when setting the measurement temperature for heating the mold resin portion, the temperature of the mold resin portion that is the same as the temperature of the sensor chip can be detected even during the temperature change of the sensor chip. For this reason, it is not necessary to wait until the temperature of the sensor chip is stabilized, and the adjustment time can be shortened. As described above, it is possible to achieve both reduction in adjustment time and adjustment accuracy.
なお、この欄及び特許請求の範囲で記載した各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すものである。 In addition, the code | symbol in the bracket | parenthesis of each means described in this column and the claim shows the correspondence with the specific means as described in embodiment mentioned later.
以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、図中、同一符号を付してある。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In the following embodiments, the same or equivalent parts are denoted by the same reference numerals in the drawings.
(第1実施形態)
以下、本発明の第1実施形態について図を参照して説明する。本実施形態に係る圧力センサは、例えば、車両のエンジン内へ取り入れられる吸入空気の圧力の検出等で使用される。図1に示されるように、圧力センサ1は、センサチップ10、回路チップ20、金属フレーム30、及びモールド樹脂部40を備えている。
(First embodiment)
Hereinafter, a first embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. The pressure sensor according to the present embodiment is used, for example, for detecting the pressure of intake air taken into a vehicle engine. As shown in FIG. 1, the
センサチップ10は、圧力媒体の圧力を検出する板状のセンサICとして構成されている。センサチップ10は、ダイヤフラム11、複数のゲージ抵抗12、第1基板13、及び第2基板14を有している。ダイヤフラム11は圧力媒体の圧力が印加されることで歪む薄肉層として構成されている。
The
複数のゲージ抵抗12は、ダイヤフラム11に形成されていると共に、ダイヤフラム11の歪みに応じて抵抗値が変化する素子である。各ゲージ抵抗12は、ホイートストンブリッジ回路を構成するように電気的に接続されている。これにより、各ゲージ抵抗12のピエゾ抵抗効果を利用して、ダイヤフラム11の歪みに応じた電圧を圧力として検出することができる。
The plurality of
また、各ゲージ抵抗12は温度によって抵抗値が変化する温度特性を有している。ブリッジ回路の温度は、センサチップ10の温度と同一になる。各ゲージ抵抗12は、例えば、ダイヤフラム11に対するイオン注入により形成された拡散抵抗である。各ゲージ抵抗12はダイヤフラム11の上に形成された薄膜抵抗として構成されていても良い。
Each
第1基板13は、ダイヤフラム11のうち各ゲージ抵抗12が設けられたセンシング領域に対応する開口部15を有する。第2基板14は、センシング領域に対応した部分が凹んだ凹部16を有する。第1基板13及び第2基板14は、半導体基板やガラス基板等で構成されている。第2基板14には、各ゲージ抵抗12に接続された図示しない配線部やパッド等が形成されている。
The 1st board |
そして、センサチップ10は、第1基板13及び第2基板14はダイヤフラム11を挟んだ積層体として構成されている。これにより、ダイヤフラム11のセンシング領域が第1基板13の開口部15に露出する。また、第2基板14の凹部16とダイヤフラム11とで密閉された空間部17は真空室になっている。なお、各ゲージ抵抗12はダイヤフラム11のうちの空間部17側に設けられている。センサチップ10は、ダイヤフラム11の歪みに応じた複数のゲージ抵抗12の抵抗変化をセンサ信号として出力する。
In the
なお、上記のセンサチップ10の構成は一例であり、他の構成でも良い。例えば、第1基板13にダイヤフラム11が形成され、第2基板14が第1基板13に積層される構成でも良い。
The configuration of the
回路チップ20は、メモリ等の半導体集積回路が形成されたICチップである。回路チップ20は、半導体基板等を用いて形成されている。回路チップ20は、センサチップ10からセンサ信号を入力し、予め設定された信号処理値に基づいてセンサ信号の信号処理を行う。信号処理値とは、センサ信号の信号値を増幅や演算等するための調整値である。回路チップ20は、図示しないボンディングワイヤによって電気的に接続されている。
The
金属フレーム30は、一面31を有する板状であり、センサチップ10及び回路チップ20を支持するためのアイランド部32を有する。アイランド部32は、センサチップ10のうちダイヤフラム11側の一端部18とは反対側の他端部19と回路チップ20とが一面31に実装される。本実施形態では、センサチップ10及び回路チップ20はアイランド部32に接着固定されている。
The
金属フレーム30は、金属板が所定の形状にプレス加工されて形成されている。なお、金属フレーム30は、アイランド部32から分離されていると共に、図示しないボンディングワイヤによって回路チップ20に電気的に接続されたターミナルも有している。
The
モールド樹脂部40は、センサチップ10のうちダイヤフラム11が露出するように、センサチップ10の他端部19、回路チップ20、及び金属フレーム30を樹脂材料で封止した封止部品である。モールド樹脂部40は、熱伝導性を良くするためにセラミックス等のフィラーが配合されている。
The
また、モールド樹脂部40は穴部41を有している。穴部41は、回路チップ20の信号処理値を調整するための調整工程時にモールド樹脂部40の中心部の温度を検出するための温度検出用プローブを配置する部分である。本実施形態では、穴部41は、金属フレーム30の一面31側であって、回路チップ20においてセンサチップ10とは反対側に設けられている。また、穴部41の底部にはアイランド部32が露出している。
The
以上が、本実施形態に係る圧力センサ1の全体構成である。センサチップ10は、圧力媒体の圧力に応じたセンサ信号を出力する。また、センサチップ10は、ブリッジ回路の温度特性を利用して、圧力媒体である測定対象の温度を検出する。回路チップ20は信号処理値に基づいてセンサ信号を処理し、外部装置に出力する。
The above is the overall configuration of the
次に、圧力センサ1の製造方法について説明する。まず、センサチップ10、回路チップ20、金属フレーム30を用意し、センサチップ10の他端部19及び回路チップ20を金属フレーム30のアイランド部32に実装する準備工程を行う。
Next, a method for manufacturing the
続いて、封止工程を行う。具体的には、図示しない金型を用意し、金属フレーム30を固定する。ここで、金型としてモールド樹脂部40の穴部41に対応した部分を持つものを用いる。
Subsequently, a sealing process is performed. Specifically, a mold (not shown) is prepared, and the
そして、樹脂材料を金型に流し込み、樹脂材料を硬化させる。これにより、センサチップ10の他端部19及び回路チップ20が金属フレーム30に実装された状態でモールド樹脂部40を形成する。また、モールド樹脂部40のうち、回路チップ20においてセンサチップ10とは反対側に穴部41を設ける。
Then, the resin material is poured into a mold, and the resin material is cured. Thus, the
続いて、回路チップ20に信号処理値を設定する調整工程を行う。このため、図2に示されるように、モールド樹脂部40の穴部41に、モールド樹脂部40の中心部の温度を検出するための温度検出用プローブ50を設ける。
Subsequently, an adjustment process for setting a signal processing value in the
温度検出用プローブ50は、小型な測温抵抗体あるいはサーミスタ式のものである。これにより、熱容量が小さく、モールド樹脂部40及び金属フレーム30への温度変化を少なくし、かつ、温度検出用プローブ50自体の温度安定までの時間短縮に有効である。
The
また、モールド樹脂部40をヒータ100で挟み、モールド樹脂部40を基準温度に加熱する。ヒータ100は測定温度設定用加熱装置である。モールド樹脂部40の温度とセンサチップ10の温度は温度変動の過渡においても一致しており、温度変化の過渡の途中で温度とセンサ出力の測定が可能になっている。金属フレーム30はセンサチップ10と接続固定されているため、よりセンサチップ10の温度が反映されている。つまり、温度検出用プローブ50によってセンサチップ10の温度を間接的に精度良く検出できる。
Further, the
したがって、モールド樹脂部40を加熱した状態で温度検出用プローブ50によってモールド樹脂部40の中心部の中心温度を検出する。穴部41に温度検出用プローブ50を配置しているので、ヒータ100の温度の影響が大きいモールド樹脂部40の表面と比較し、センサチップ10の温度を正確に測定できる。
Therefore, the center temperature of the center portion of the
また、各ゲージ抵抗12によって測定対象の温度を測定する。つまり、センサ信号を取得する。そして、センサ信号の信号値に含まれるセンサチップ10の自己昇温分を補正する。すなわち、モールド樹脂部40の中心温度に基づいてセンサ信号の信号値を調整することにより信号処理値を調整し、調整後の信号処理値を回路チップ20のメモリに書き込む。信号処理値はセンサ信号のゲインやオフセット等の調整値である。調整後、穴部41から温度検出用プローブ50を取り出し、圧力センサ1が完成する。
Further, the temperature of the measurement object is measured by each
以上説明したように、本実施形態では、温度検出用プローブ50によってモールド樹脂部40の中心温度を検出している。すなわち、各ゲージ抵抗12によって検出される測定対象の温度を基準にセンサ信号の信号値を調整するのではなく、センサチップ10と同一温度のモールド樹脂部40の温度(中心温度)を基準に信号値を調整している。このため、センサチップ10に外部から熱を印加し、基準温度に向けて温度上昇させた場合、モールド樹脂部40の熱容量の影響による、測定対象の温度とセンサチップ10の温度とにずれは発生しない。つまり、センサチップ10の自己昇温分の温度差が影響しない。したがって、センサ信号の信号値の調整精度を確保することができる。
As described above, in this embodiment, the center temperature of the
また、モールド樹脂部40を加熱する際、センサチップ10の温度が変化する途中においてもセンサチップ10の温度と同一のモールド樹脂部40の温度を検出可能になっている。このため、モールド樹脂部40の熱容量の影響によってセンサチップ10の温度が安定するまで時間を必要とせず、調整時間を短縮することができる。
Further, when the
したがって、圧力センサ1の調整工程において、調整時間の短縮と調整精度の両立を図ることができる。
Therefore, in the adjustment process of the
(第2実施形態)
本実施形態では、第1実施形態と異なる部分について説明する。本実施形態では、調整工程の後、図3に示されるように、別のモールド樹脂部60によって穴部41を埋める後工程を行う。これにより、圧力センサ1の耐環境性を向上させることができる。
(Second Embodiment)
In the present embodiment, parts different from the first embodiment will be described. In the present embodiment, after the adjustment process, as shown in FIG. 3, a post process for filling the
(第3実施形態)
本実施形態では、第1、第2実施形態と異なる部分について説明する。図4に示されるように、封止工程では、回路チップ20とセンサチップ10との間に穴部41を設ける。これにより、温度検出用プローブ50がセンサチップ10に近い位置に配置されるので、よりセンサチップ10の温度と近い温度を検出することができる。
(Third embodiment)
In the present embodiment, parts different from the first and second embodiments will be described. As shown in FIG. 4, in the sealing process, a
変形例として、図5に示されるように、穴部41の入口側の平面サイズが底部側の平面サイズよりも大きくなるように穴部41の壁面42をテーパ状に形成しても良い。つまり、穴部41の挿入口を広げた形状に形成する。これにより、温度検出用プローブ50を穴部41に容易に挿入することができる。また、穴部41に対する温度検出用プローブ50の位置合わせ時間を短縮することができ、さらなる調整時間の短縮が可能になる。
As a modification, as shown in FIG. 5, the
さらに、金属フレーム30が露出しない深さの穴部41を形成する。つまり、穴部41の底部にモールド樹脂部40を薄くした部分を残し、アイランド部32の保護を実施する。これにより、別のモールド樹脂部60を形成することなく耐環境性を向上させることができる。また、後工程が不要になるので、製造コストの低減が可能である。
Further, a
(第4実施形態)
本実施形態では、第1〜第3実施形態と異なる部分について説明する。本実施形態では、準備工程において、金属フレーム30として、アイランド部32に一体化されているダム部及びターミナルを有するものを用意する。ダム部は、例えば、モールド樹脂部40の形成時において各部品の位置決めに使用される部分である。
(Fourth embodiment)
In the present embodiment, parts different from the first to third embodiments will be described. In the present embodiment, in the preparation step, a
また、封止工程において、図6に示されるように、ターミナル33の一部及びダム部34を露出させるようにモールド樹脂部40を形成する。そして、調整工程では、モールド樹脂部40から露出したダム部34に温度検出用プローブ50を接触させ、この状態でモールド樹脂部40の中心部の中心温度を検出する。モールド樹脂部40の中心部の熱はアイランド部32からダム部34を介して温度検出用プローブ50に伝わる。
Further, in the sealing step, as shown in FIG. 6, the
調整工程の後、ダム部34を切断する。本実施形態では、穴部41の形成が不要になると共に、圧力センサ1の耐環境性を向上させることができる。
After the adjustment process, the
(第5実施形態)
本実施形態では、第1〜第4実施形態と異なる部分について説明する。本実施形態では、準備工程において、金属フレーム30として、アイランド部32から分離されていると共に回路チップ20に電気的に接続されるターミナル33と、を有するものを用意する。
(Fifth embodiment)
In the present embodiment, parts different from the first to fourth embodiments will be described. In the present embodiment, in the preparation step, a
また、封止工程では、図7に示されるように、ターミナル33の一部を露出させるようにモールド樹脂部40を形成する。そして、調整工程では、モールド樹脂部40から露出したターミナル33の一部に温度検出用プローブ50を接触させ、この状態でモールド樹脂部40の中心部の中心温度を検出する。モールド樹脂部40の中心部の熱はターミナル33を介して温度検出用プローブ50に伝わる。
In the sealing step, as shown in FIG. 7, the
本実施形態では、ダム部34が金属フレーム30に設けられていないため、調整工程での測定対象のハンドリングを向上させることができる。
In this embodiment, since the
(第6実施形態)
本実施形態では、第1〜第5実施形態と異なる部分について説明する。封止工程では、図8に示されるように、温度検出用プローブ50をモールド樹脂部40に封止する。また、調整工程では、信号処理値の調整後、温度検出用プローブ50の配線51を切断する。このような方法により、温度検出用プローブ50はモールド樹脂部40に接触しているので、モールド樹脂部40の中心温度をより正確に測定することができる。
(Sixth embodiment)
In the present embodiment, parts different from the first to fifth embodiments will be described. In the sealing step, the
(他の実施形態)
上記各実施形態で示されたモールド樹脂部40の構成や調整工程は一例であり、上記で示した構成に限定されることなく、本発明を実現できる他の構成とすることもできる。例えば、穴部41は、金属フレーム30の一面31とは反対側に設けられていても良い。
(Other embodiments)
The configuration and adjustment process of the
また、可能な限り、上記各実施形態を組み合わせて実施することができる。例えば、穴部41のテーパ形状や穴部41の底部にモールド樹脂部40の一部を残す構成を第1実施形態に係る穴部41に適用することができる。また、第6実施形態のように温度検出用プローブ50をモールド樹脂部40に埋める場合、センサチップ10と回路チップ20との間に埋めても良い。
Further, the above embodiments can be implemented in combination as much as possible. For example, the taper shape of the
10 センサチップ
11 ダイヤフラム
12 ゲージ抵抗
18 一端部
19 他端部
20 回路チップ
30 金属フレーム
31 一面
40 モールド樹脂部
50 温度検出用プローブ
DESCRIPTION OF
Claims (11)
前記センサチップから前記センサ信号を入力し、予め設定された信号処理値に基づいて前記センサ信号の信号処理を行う回路チップ(20)と、
一面(31)を有する板状であり、前記センサチップのうち前記ダイヤフラム側の一端部(18)とは反対側の他端部(19)と前記回路チップとが前記一面に実装された金属フレーム(30)と、
前記センサチップのうち前記ダイヤフラムが露出するように、前記センサチップの前記他端部、前記回路チップ、及び前記金属フレームを封止したモールド樹脂部(40)と、
を備えた圧力センサの製造方法であって、
前記センサチップの前記他端部及び前記回路チップが前記金属フレームに実装された状態で前記モールド樹脂部を形成すると共に、前記モールド樹脂部の中心部の温度を検出するための温度検出用プローブ(50)を設ける封止工程と、
前記封止工程の後、前記モールド樹脂部を基準温度に加熱した状態で前記温度検出用プローブによって前記モールド樹脂部の前記中心部の中心温度を検出すると共に前記センサ信号を取得し、前記中心温度に基づいて前記センサ信号の信号値を調整することにより前記信号処理値を調整し、調整後の前記信号処理値を前記回路チップに設定する調整工程と、
を含んでいる圧力センサの製造方法。 A diaphragm (11) to which pressure of a pressure medium is applied, and a plurality of gauge resistors (12) formed on the diaphragm, and detecting a change in resistance of the plurality of gauge resistors according to the strain of the diaphragm A plate-shaped sensor chip (10) that outputs a signal;
A circuit chip (20) for inputting the sensor signal from the sensor chip and performing signal processing of the sensor signal based on a preset signal processing value;
A metal frame having a plate-like shape having one surface (31), wherein the other end portion (19) of the sensor chip opposite to the one end portion (18) on the diaphragm side and the circuit chip are mounted on the one surface. (30),
A mold resin portion (40) that seals the other end of the sensor chip, the circuit chip, and the metal frame so that the diaphragm of the sensor chip is exposed;
A method of manufacturing a pressure sensor comprising:
A temperature detection probe for detecting the temperature of the center portion of the mold resin portion while forming the mold resin portion with the other end portion of the sensor chip and the circuit chip being mounted on the metal frame ( 50) a sealing step;
After the sealing step, the center temperature of the mold resin part is detected by the temperature detection probe in a state where the mold resin part is heated to a reference temperature, and the sensor signal is acquired, and the center temperature is obtained. Adjusting the signal processing value by adjusting the signal value of the sensor signal based on the adjustment, and setting the adjusted signal processing value in the circuit chip,
The manufacturing method of the pressure sensor containing this.
前記調整工程では、前記モールド樹脂部から露出した前記ダム部に前記温度検出用プローブを接触させた状態で前記モールド樹脂部の前記中心部の中心温度を検出する請求項1に記載の圧力センサの製造方法。 In the sealing step, as the metal frame, the other end portion of the sensor chip and the island portion (32) on which the circuit chip is mounted, and a dam portion (34) integrated with the island portion, Preparing the mold resin portion so as to expose the dam portion,
2. The pressure sensor according to claim 1, wherein in the adjustment step, the center temperature of the center portion of the mold resin portion is detected in a state where the temperature detection probe is in contact with the dam portion exposed from the mold resin portion. Production method.
前記調整工程では、前記モールド樹脂部から露出した前記ターミナルの一部に前記温度検出用プローブを接触させた状態で前記モールド樹脂部の前記中心部の中心温度を検出する請求項1に記載の圧力センサの製造方法。 In the sealing step, as the metal frame, the other end portion of the sensor chip and an island portion (32) on which the circuit chip is mounted are separated from the island portion and electrically connected to the circuit chip. A terminal having a terminal (33) to be connected, and forming the mold resin portion so as to expose a part of the terminal;
2. The pressure according to claim 1, wherein in the adjustment step, the center temperature of the center portion of the mold resin portion is detected in a state where the temperature detection probe is in contact with a part of the terminal exposed from the mold resin portion. Sensor manufacturing method.
前記調整工程では、前記信号処理値の調整後、前記温度検出用プローブの配線(51)を切断する請求項1に記載の圧力センサの製造方法。 In the sealing step, the temperature detection probe is sealed in the mold resin portion,
The pressure sensor manufacturing method according to claim 1, wherein, in the adjustment step, the temperature detection probe wiring (51) is cut after the signal processing value is adjusted.
前記センサチップから前記センサ信号を入力し、予め設定された信号処理値に基づいて前記センサ信号の信号処理を行う回路チップ(20)と、
一面(31)を有する板状であり、前記センサチップのうち前記ダイヤフラム側の一端部(18)とは反対側の他端部(19)と前記回路チップとが前記一面に実装された金属フレーム(30)と、
前記センサチップのうち前記ダイヤフラムが露出するように、前記センサチップの前記他端部、前記回路チップ、及び前記金属フレームを樹脂材料で封止したモールド樹脂部(40)と、
を備え、
前記モールド樹脂部は、前記信号処理値を調整するための調整工程時に前記モールド樹脂部の中心部の温度を検出するための温度検出用プローブ(50)を配置する穴部(41)を有している圧力センサ。 A diaphragm (11) to which pressure of a pressure medium is applied, and a plurality of gauge resistors (12) formed on the diaphragm, and detecting a change in resistance of the plurality of gauge resistors according to the strain of the diaphragm A plate-shaped sensor chip (10) that outputs a signal;
A circuit chip (20) for inputting the sensor signal from the sensor chip and performing signal processing of the sensor signal based on a preset signal processing value;
A metal frame having a plate-like shape having one surface (31), wherein the other end portion (19) of the sensor chip opposite to the one end portion (18) on the diaphragm side and the circuit chip are mounted on the one surface. (30),
A mold resin portion (40) in which the other end portion of the sensor chip, the circuit chip, and the metal frame are sealed with a resin material so that the diaphragm of the sensor chip is exposed;
With
The mold resin portion has a hole (41) in which a temperature detection probe (50) for detecting the temperature of the center portion of the mold resin portion is arranged during an adjustment process for adjusting the signal processing value. Pressure sensor.
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