JP2018137319A - Manufacturing method of transparent substrate - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、透明基板の製造方法の技術に関し、より詳しくは、例えば薄板ガラスからなる透明基材を備える透明基板の製造工程において、各工程における当該透明基材の位置検出を行うための技術に関する。 The present invention relates to a technique for manufacturing a transparent substrate, and more particularly, to a technique for detecting the position of the transparent substrate in each step in the manufacturing process of a transparent substrate including a transparent substrate made of thin glass, for example. .
従来より、タッチパネルや液晶ディスプレイ等の電子機器分野においては、例えば薄板ガラス等の透明基材と、該透明基材の平面上に形成されるITO(酸化インジウム−スズ)膜からなる導電層とを備える透明基板が用いられている。
しかしながら、ITO膜は電極材料としては電気抵抗値が比較的高く、ディスプレイの大画面化などの理由による透明基板の大型化の要望に対応し難いことから、近年においては、ITO膜に替わって、導電性の優れた銅等の金属膜をその幅を細くして透明性を確保しつつパターン化した導電層を備える透明基板の需要が高まっている。
Conventionally, in the field of electronic devices such as a touch panel and a liquid crystal display, for example, a transparent base material such as thin glass and a conductive layer made of an ITO (indium tin oxide) film formed on a plane of the transparent base material A transparent substrate provided is used.
However, since the ITO film has a relatively high electrical resistance value as an electrode material, and it is difficult to meet the demand for an increase in the size of the transparent substrate for reasons such as an increase in the display screen, in recent years, instead of the ITO film, There is an increasing demand for a transparent substrate having a conductive layer patterned by reducing the width of a metal film such as copper having excellent conductivity while ensuring transparency.
ここで、このようなパターン化された金属膜からなる導電層を備える透明基板の製造工程においては、要求される品質が高精度であることから、製造過程の各工程において透明基材を所定の位置に精度よく停止させる(位置決めする)必要がある。
そこで、透明基材の高精度な位置決めを実現するための技術として、例えば、照射光を照射する投光部、および当該投光部からの照射光を検知する受光部からなるフォトインタラプタを用いた技術が、「特許文献1」によって開示されている。
具体的には、前記「特許文献1」においては、搬送状態にある透明基材の位置ズレを検出するための技術であって、搬送されてくる透明基材に対して照射光(光軸)が略直交するようにして、フォトインタラプタ(投受光手段)を配置しておき、透明基材の前端部が照射光を横切る瞬間、当該照射光が散乱することを利用し、受光部が検出した検出信号の急激な変化を検知することにより、透明基材の位置検出を行う技術が開示されている。
Here, in the manufacturing process of a transparent substrate provided with a conductive layer made of such a patterned metal film, the required quality is highly accurate. It is necessary to stop (position) accurately at the position.
Therefore, as a technique for realizing high-precision positioning of the transparent substrate, for example, a photo interrupter including a light projecting unit that irradiates irradiation light and a light receiving unit that detects irradiation light from the light projecting unit is used. The technique is disclosed by “
Specifically, in the above-mentioned “
しかしながら、前記「特許文献1」の技術を用いたとしても、例えば0.3mm以下の厚みを有する薄板ガラスのような透明基材では、当該透明基材の前端部が照射光を横切る瞬間、当該照射光が急激に散乱したとしても、受光部によって検出される検出信号の変化は微々たるものであり、当該検出信号の変化を検知するのは容易ではなく、透明基材の位置検出を行うのは困難であった。
However, even when the technique of “
本発明は、以上に示した現状の問題点を鑑みてなされたものであり、透明基材と、該透明基材の平面上に形成されるパターン化された導電層とを備える透明基板の製造方法であって、製造過程の各工程において、透明基材を所定の位置に精度よく容易に停止させることができる透明基板の製造方法を提供することを課題とする。 The present invention has been made in view of the present problems described above, and is a method for producing a transparent substrate comprising a transparent substrate and a patterned conductive layer formed on the plane of the transparent substrate. An object of the present invention is to provide a method for producing a transparent substrate, which can easily and accurately stop the transparent base material at a predetermined position in each step of the production process.
本発明の解決しようとする課題は以上の如くであり、次にこの課題を解決するための手段を説明する。 The problem to be solved by the present invention is as described above. Next, means for solving the problem will be described.
即ち、本発明に係る透明基板の製造方法は、透明基材と、該透明基材の平面上に形成されるパターン化された導電層とを備える透明基板の製造方法であって、前記透明基材と比べて光の透過率の低い膜層を前記透明基材の周縁部の少なくとも一部に形成することを特徴とする。 That is, the method for producing a transparent substrate according to the present invention is a method for producing a transparent substrate comprising a transparent substrate and a patterned conductive layer formed on the plane of the transparent substrate, A film layer having a light transmittance lower than that of the material is formed on at least a part of the peripheral edge of the transparent substrate.
このような構成を有することにより、例えば前述したような、フォトインタラプタによって、前端部が照射光を横切る瞬間の検出信号の変化を検知することが困難な薄板ガラスからなる透明基材であっても、周縁部の一部に形成された膜層を利用すれば、他に別途大掛かりな検出装置等を設ける必要もなく、フォトインタラプタによって透明基材の位置を容易に検出することが可能であり、製造過程の各工程において、透明基材を所定の位置に精度よく容易に停止させることができる。 By having such a configuration, for example, as described above, even with a transparent substrate made of thin glass that is difficult to detect a change in detection signal at the moment when the front end crosses the irradiation light by a photo interrupter. In addition, if a film layer formed on a part of the peripheral portion is used, it is possible to easily detect the position of the transparent base material by using a photo interrupter without having to separately provide a large-scale detection device or the like. In each step of the manufacturing process, the transparent substrate can be easily stopped at a predetermined position with high accuracy.
また、本発明に係る透明基板の製造方法では、前記導電層および前記膜層は、ともに金属めっき層からなることを特徴とするのが好ましい。 In the method for producing a transparent substrate according to the present invention, it is preferable that the conductive layer and the film layer are both metal plating layers.
このような構成を有することにより、前記膜層を形成するための工程を、前記導電層を形成するための工程とは別に設けることなく、金属めっき層を形成する際に、同一の工程にて前記膜層を形成することができるため、経済的である。 By having such a configuration, when forming the metal plating layer without providing the step for forming the film layer separately from the step for forming the conductive layer, in the same step Since the film layer can be formed, it is economical.
また、本発明に係る透明基板の製造方法では、前記透明基材の表面に、前記金属めっき層を形成した後、前記導電層と前記膜層を残して前記金属めっき層を取り除くことを特徴とするのが好ましい。 In the method for producing a transparent substrate according to the present invention, the metal plating layer is formed on the surface of the transparent substrate, and then the metal plating layer is removed leaving the conductive layer and the film layer. It is preferable to do this.
このような構成を有することにより、前記膜層を形成するための工程を、前記導電層を形成するための工程とは別に設けることなく、同一の工程にて前記膜層を形成することができるため、経済的である。 By having such a configuration, the film layer can be formed in the same process without providing the process for forming the film layer separately from the process for forming the conductive layer. So it is economical.
また、本発明に係る透明基板の製造方法では、前記膜層において、前記透明基材の周縁部全体に形成された部分を維持することを特徴とするのが好ましい。 Moreover, in the manufacturing method of the transparent substrate which concerns on this invention, it is preferable to maintain the part formed in the whole peripheral part of the said transparent base material in the said film layer.
このような構成を有することにより、フォトインタラプタによって透明基材を検出する際の、当該透明基材における被検出箇所を、当該透明基材の周縁部に沿った任意の位置に計画することができるため、製造過程の各工程において、製造品種差や設備レイアウト上の制限をあまり受けずにフォトインタラプタを容易に設置することができる。
また、透明基材の周縁部全体に前記膜層が形成されるので、透明基材の端部に衝撃を受けても透明基板が破損しにくくなる。
By having such a configuration, it is possible to plan the detected location on the transparent base material at an arbitrary position along the peripheral edge of the transparent base material when the transparent base material is detected by the photo interrupter. Therefore, in each process of the manufacturing process, the photo interrupter can be easily installed without being greatly limited by the difference in manufacturing type and equipment layout.
Moreover, since the said film layer is formed in the whole peripheral part of a transparent base material, even if it receives an impact at the edge part of a transparent base material, it becomes difficult to damage a transparent substrate.
また、本発明に係る透明基板の製造方法において、前記透明基材は、0.3mm以下の厚みを有する薄板ガラスからなることを特徴とするのが好ましい。 In the method for producing a transparent substrate according to the present invention, it is preferable that the transparent base material is made of thin glass having a thickness of 0.3 mm or less.
このような構成からなる透明基板を製造する場合に、本発明はより一層効果的に透明基材を所定の位置に精度よく容易に停止させることができる。 When manufacturing a transparent substrate having such a configuration, the present invention can more effectively and easily stop the transparent base material at a predetermined position.
本発明の効果として、以下に示すような効果を奏する。
即ち、本発明に係る透明基板の製造方法によれば、製造過程の各工程において、透明基材を所定の位置に精度よく容易に停止させることができる。
As effects of the present invention, the following effects can be obtained.
That is, according to the manufacturing method of the transparent substrate which concerns on this invention, a transparent base material can be easily stopped to a predetermined position easily in each process of a manufacturing process.
次に、本発明を具現化する実施形態について、図1乃至図5を用いて説明する。 Next, an embodiment embodying the present invention will be described with reference to FIGS.
[製造工程S100のフロー]
先ず、本実施形態によって実現される製造工程S100の全体的なフローについて、図1を用いて説明する。
なお、本実施形態は、メタルメッシュ型タッチパネルの製造工程フローを例として示しているが、ディスプレイ、インターポーザや電磁シールド板など他の製品の製造工程にも適用できる。
[Flow of Manufacturing Process S100]
First, the overall flow of the manufacturing process S100 realized by the present embodiment will be described with reference to FIG.
In addition, although this embodiment has shown the manufacturing process flow of a metal mesh type touch panel as an example, it is applicable also to the manufacturing process of other products, such as a display, an interposer, and an electromagnetic shielding board.
本実施形態における製造工程S100は、透明基板の一例であるガラス基板G(図5(b)を参照)を、所謂フォトリソグラフィ法によって製造するための工程である。
製造工程S100は、主に経時的に行われる準備工程S101、下地層形成工程S102、銅層形成工程S103、レジスト層形成工程S104、露光・現像工程S105、エッチング工程S106、レジスト層剥離工程S107、黒化処理工程S108、および切断工程S109などにより構成される。
The manufacturing process S100 in the present embodiment is a process for manufacturing a glass substrate G (see FIG. 5B), which is an example of a transparent substrate, by a so-called photolithography method.
The manufacturing process S100 includes a preparatory process S101, an underlayer formation process S102, a copper layer formation process S103, a resist layer formation process S104, an exposure / development process S105, an etching process S106, a resist layer peeling process S107, which are mainly performed with time. It is constituted by a blackening treatment step S108, a cutting step S109, and the like.
準備工程S101は、透明基板の基部である透明基材を準備する工程であって、本実施形態においては、例えば厚みが0.3mm以下の薄板ガラス1(例えば、図2(a)を参照)が透明基材として準備される。
具体的には、本工程においては、ロール成形された長尺帯状の薄板ガラス1を、所定の外形サイズからなるシート状に切断する。
そして、切断された薄板ガラス1は、図示せぬ搬送手段によって次工程である下地層準備工程S102へと搬送される。
The preparation step S101 is a step of preparing a transparent base material that is a base portion of a transparent substrate, and in the present embodiment, for example, a
Specifically, in this step, the roll-shaped long strip-shaped
And the cut | disconnected
なお、薄板ガラス1は、厚みが0.05mm〜0.3mmであることが好ましく、0.1mm〜0.2mmであることがより好ましい。
また、透明基材を形成する材料については、特に限定されるものではなく、可視光を透過する絶縁体フィルム等であってもよい。
In addition, it is preferable that the
The material for forming the transparent substrate is not particularly limited, and may be an insulator film that transmits visible light.
下地層形成工程S102は、準備された薄板ガラス1の平面上にめっき下地となる導電性の薄膜層を形成する工程である。
具体的には、本工程においては、前述の準備工程S101より搬入された薄板ガラス1を脱脂して平面に付着した脂分を除去し、その後、当該薄板ガラス1に対して無電解ニッケルめっき処理を施し、平面全体に均一な黒色の導電性薄膜層2(例えば、図2中の(b)を参照)を形成する。
ここで、平面とは、薄板ガラス1の両主面1a・1bと両主面1a・1bに接続される端面1c(図2(a)を参照)とを指す。
これにより、導電性を有しない電気絶縁体である薄板ガラス1に対して導電性が付加されることとなり、後の銅層形成工程S103における電気めっき処理が可能となる。
The underlayer forming step S102 is a step of forming a conductive thin film layer that becomes a plating underlayer on the plane of the prepared
Specifically, in this step, the
Here, the plane refers to both
Thereby, electroconductivity is added with respect to the
その後、無電解ニッケルめっき処理が施された薄板ガラス1は、熱処理を施した後、図示せぬ搬送カセットに収納され、搬送手段によって次工程である銅層形成工程S103へと搬送される。
Thereafter, the
銅層形成工程S103は、薄板ガラス1に形成された導電性薄膜層2上に、導電層となる銅層3(例えば、図2(b)を参照)を形成する工程である。
具体的には、本工程においては、前述の下地層形成工程S102より搬入された薄板ガラス1を脱脂して導電性薄膜層2上に付着した脂分を除去し、その後、当該薄板ガラス1に対して電気めっき処理を施し、当該導電性薄膜層2上の全体に亘って均一な銅層3を形成する。
なお、下地層形成工程S102および銅層形成工程S103ではめっき法を用いているが、スパッタ法を適用することも可能である。端面1cに容易に成膜できること、短時間で成膜できること、膜欠陥が発生しにくいこと等の理由により、めっき法を用いることが好ましい。
Copper layer formation process S103 is a process of forming the copper layer 3 (for example, refer FIG.2 (b)) used as a conductive layer on the conductive
Specifically, in this step, the
Note that the plating method is used in the base layer forming step S102 and the copper layer forming step S103, but a sputtering method can also be applied. The plating method is preferably used because it can be easily formed on the
その後、電気めっき処理が施された薄板ガラス1は、防塵処理を施した後、図示せぬ搬送カセットに収納され、搬送手段によって次工程であるレジスト層形成工程S104へと搬送される。
Thereafter, the
レジスト層形成工程S104は、薄板ガラス1の導電性薄膜層2上に形成された銅層3上に、レジスト層4(例えば、図3(a)を参照)を形成する工程である。
具体的には、本工程においては、前述の銅層形成工程S103より搬入された薄板ガラス1を、純水等によって洗浄して銅層3上に付着した粉塵等を除去した後、当該銅層3上の平面全体に亘って感光性のレジストを塗布する。
The resist layer forming step S104 is a step of forming a resist layer 4 (see, for example, FIG. 3A) on the
Specifically, in this process, after the
その後、プリベークを行い、薄板ガラス1に塗布されたレジストを加熱して固化させることにより、当該薄板ガラス1と密着されたレジスト層4を形成する。
こうして、レジスト層4が形成された薄板ガラス1は、図示せぬ搬送手段によって次工程である露光・現像工程S105へと搬送される。
Thereafter, pre-baking is performed, and the resist applied to the
Thus, the
なお、レジスト層4を形成するレジスト材料としては、例えば東京応化工業製の液状フォトレジスト等が挙げられるが、このような塗布タイプに替わってシート状のドライフィルムやインクタイプのものを用いてもよい。
また、プリベーク時の加熱温度については、70℃〜150℃であることが好ましく、80℃〜120℃であることがより好ましい。
The resist material for forming the resist
Moreover, about the heating temperature at the time of prebaking, it is preferable that it is 70 to 150 degreeC, and it is more preferable that it is 80 to 120 degreeC.
露光・現像工程S105は、所定のパターンが形成されたフォトマスク(図示せず)を介して、薄板ガラス1の銅層3上に形成されたレジスト層4を露光し(露光工程)、当該パターンに従ってレジスト層4の一部を除去する(現像工程)工程である。
具体的には、本工程においては、前述のレジスト層形成工程S104より搬入された薄板ガラス1に対して、前記フォトマスクを介して紫外線等の光を所定時間照射し、その後、前記薄板ガラス1を現像液に浸漬する。
これにより、レジスト層4において、前記パターンに従って紫外線等の光によって露光された部分(感光部4a。図3(b)を参照)は、現像液によって溶解し除去される。
In the exposure / development step S105, the resist
Specifically, in this step, the
As a result, a portion of the resist
その後、感光部4aが完全に溶解された状態において、薄板ガラス1を現像液より取出し、純水等によって当該薄板ガラス1を洗い流す(リンスする)。
そして、ポストベークを行い、加熱によって薄板ガラス1に付着する水滴等を除去するとともに、レジスト層4における感光部4a以外の部分と薄板ガラス1との結着状態をより強固なものとする。
これにより、銅層3において、後のエッチング工程S106によって除去される部分は、完全に外部に露出された状態となる一方、除去されずに維持される部分は、レジスト層4によって保護された状態となる。
Thereafter, in a state where the
Then, post-baking is performed to remove water droplets and the like adhering to the
As a result, in the
その後、レジスト層4の一部(即ち、感光部4a)が除去された薄板ガラス1は、図示せぬ搬送カセットに収納され、搬送手段によって次工程であるエッチング工程S106へと搬送される。
Thereafter, the
なお、現像液の種類としては、例えば炭酸ナトリウム水溶液、水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液、および水酸化カリウム水溶液などが挙げられる。
また、ポストベーク時の加熱温度については、100℃〜200℃であることが好ましい。
In addition, as a kind of developing solution, sodium carbonate aqueous solution, tetramethylammonium hydroxide aqueous solution, potassium hydroxide aqueous solution etc. are mentioned, for example.
Moreover, about the heating temperature at the time of post-baking, it is preferable that it is 100 to 200 degreeC.
エッチング工程S106は、レジスト層4の一部を除去することにより外部に露出された銅層3の部分(露出部3a。図4(a)を参照)を、エッチングによって除去する工程である。
具体的には、本工程においては、前述の露光・現像工程S105より搬入された薄板ガラス1を、エッチング液に浸漬する。
これにより、銅層3の露出部3a、即ちレジスト層4における感光部4aと同範囲の部分は、エッチング溶液によって溶解し除去される。
換言すると、銅層3は、前述したフォトマスクの形状に従いパターン化される。
The etching step S106 is a step of removing a portion of the
Specifically, in this step, the
Thereby, the exposed
In other words, the
その後、露出部3aが完全に溶解された状態において、薄板ガラス1をエッチング液より取出し、純水等によって当該薄板ガラス1を洗浄した後、熱風等を吹き付けて乾燥させる。
こうして、銅層3の一部(即ち、露出部3a)が除去された薄板ガラス1は、図示せぬ搬送カセットに収納され、搬送手段によって次工程であるレジスト層剥離工程S107へと搬送される。
Thereafter, in a state where the exposed
Thus, the
なお、エッチング液の種類としては、例えばフッ酸水溶液、硝酸水溶液、塩酸水溶液、塩化第二鉄水溶液、シュウ酸水溶液、およびこれらの混合溶液等が挙げられる。
また、エッチングの方法としては、本実施形態に示されるような、エッチング液に浸漬するウエットエッチングに限定されることはなく、例えば、ブラシ、刷毛、ローラー、およびスプレー等によってエッチング液を所定箇所に塗布する方法や、フッ素含有化合物(例えば、四フッ化炭素)等のプラズマ中においてエッチングするドライエッチング法を用いてもよい。
Examples of the etchant include hydrofluoric acid aqueous solution, nitric acid aqueous solution, hydrochloric acid aqueous solution, ferric chloride aqueous solution, oxalic acid aqueous solution, and a mixed solution thereof.
The etching method is not limited to wet etching immersed in an etching solution as shown in the present embodiment. For example, the etching solution is applied to a predetermined place by a brush, a brush, a roller, a spray, or the like. You may use the method of apply | coating, and the dry etching method of etching in plasma, such as a fluorine-containing compound (for example, carbon tetrafluoride).
レジスト層剥離工程S107は、銅層3上に残存するレジスト層4を除去し、当該銅層3における露出部3a以外の部分(残存部3b。図4(b)を参照)を外部に露出させる工程である。
具体的には、本工程においては、前述のエッチング工程S106より搬入された薄板ガラス1を、レジスト剥離液に浸漬する。
これにより、残存するレジスト層4は、レジスト剥離液によって溶解し除去されることとなり、銅層3の残存部3b、即ち当該銅層3において前述したフォトマスクによってパターニングされた部分が、外部に露出された状態となる。
In the resist layer peeling step S107, the resist
Specifically, in this step, the
As a result, the remaining resist
その後、レジスト層4が完全に溶解された状態において、薄板ガラス1をレジスト剥離液より取出し、純水等によって当該薄板ガラス1を洗浄した後、熱風等を吹き付けて乾燥させる。
こうして、残存部3bが完全に外部に露出された薄板ガラス1は、図示せぬ搬送カセットに収納され、搬送手段によって次工程である黒化処理工程S108へと搬送される。
Thereafter, in a state where the resist
In this way, the
なお、レジスト剥離液の種類としては、例えば水酸化ナトリウム水溶液などが挙げられる。 In addition, as a kind of resist stripping solution, sodium hydroxide aqueous solution etc. are mentioned, for example.
黒化処理工程S108は、外部に露出された銅層3の残存部3b上に黒化処理を施す工程である。
具体的には、本工程においては、前述のレジスト層剥離工程S107より搬入された薄板ガラス1を脱脂して銅層3の残存部3b上に付着した脂分を除去し、その後、薄板ガラス1に対して電気めっき処理を施し、当該残存部3b上にクロム等の黒色めっき層5を形成する。
これにより、銅層3の残存部3bに対して金属特有の光沢を隠蔽することが可能となり、例えば、最終製品としてのガラス基板Gが、タッチパネルや液晶ディスプレイ等に用いられた場合であっても、外光等の不要光が当該ガラス基板Gに反射して、透視画像のコントラストが低下するようなこともない。
The blackening treatment step S108 is a step of performing blackening treatment on the remaining
Specifically, in this step, the
Thereby, it becomes possible to conceal the gloss peculiar to the metal from the remaining
その後、黒色めっき層5が形成された薄板ガラス1を、純水等によって洗浄した後、熱風等を吹き付けて乾燥させる。
こうして、黒化処理が施された薄板ガラス1は、図示せぬ搬送カセットに収納され、搬送手段によって次工程である切断工程S109へと搬送される。
Thereafter, the
In this way, the
なお、黒化処理の手法としては、例えば亜塩素酸ナトリウム、水酸化ナトリウムおよびリン酸三ナトリウム等の水溶液を用いて酸化処理を行い、CuO膜を形成することとしてもよい。 As a blackening treatment method, for example, an oxidation treatment may be performed using an aqueous solution of sodium chlorite, sodium hydroxide, trisodium phosphate, or the like to form a CuO film.
切断工程S109は、黒化処理が施された薄板ガラス1を所定の外形サイズに切断し、最終製品としてのガラス基板Gを得る工程である。
具体的には、本工程においては、前述の黒化処理工程S108より搬入された薄板ガラス1を、例えば図示せぬ切断装置の作業台上にて吸着保持し、超音波カッター等を用いて所定の外形サイズに切断した後、純水等によって洗浄する。
こうして、薄板ガラス1と、当該薄板ガラス1の平面上に形成されるパターン化された銅層3とを備えるガラス基板G・G・・・が、一枚の薄板ガラス1より、所定の外形サイズにて複数製造される。
The cutting step S109 is a step of obtaining the glass substrate G as a final product by cutting the
Specifically, in this step, the
Thus, a glass substrate GG including the
そして、製造されたガラス基板Gは、その後、図示せぬ搬送カセットに収納されて別の製造工程へと送られ、電気動作確認や他の基板との貼り合わせが行われることとなる。 The manufactured glass substrate G is then housed in a transport cassette (not shown) and sent to another manufacturing process, where electrical operation confirmation and bonding with another substrate are performed.
[各工程における製造途中の薄板ガラス1の状態]
次に、製造工程S100に基づきガラス基板Gを製造する場合の、各工程における製造途中の薄板ガラス1の状態について、図2乃至図5を用いて説明する。
[State of
Next, the state of the
先ず始めに、図2(a)に示すように、ロール成形された薄板ガラス1は、準備工程S101にて矩形シート状に切断され、下地層形成工程S102へと送られる。
下地層形成工程S102に送られた薄板ガラス1は無電解めっき処理を施され、その平面全体(本実施形態においては、主面1a・1bおよび端面1c)において導電性薄膜層2が形成される。
そして、導電性薄膜層2が形成された薄板ガラス1は、図示せぬ搬送カセットに収納され、銅層形成工程S103へと送られる。
First, as shown in FIG. 2A, the roll-formed
The
And the
ここで、薄板ガラス1を搬送カセットに収納する場合においては、所定の停止位置精度に基づき、当該搬送カセットに対して薄板ガラス1の位置決めを行う必要がある。
一方、前述したように、透明基材である薄板ガラス1には、既に平面全体に亘って、当該薄板ガラス1に比べて光に対する透過率の低い導電性薄膜層2が形成されている。
Here, when the
On the other hand, as described above, the
このようなことから、本実施形態においては、例えば、照射光を照射する投光部、および当該投光部からの照射光を検知する受光部からなるフォトインタラプタ(図示せず)によって薄板ガラス1の位置を容易に検出し、搬送カセットに対して当該薄板ガラス1を所定の位置にて精度よく停止させることとしている。
For this reason, in the present embodiment, for example, the
銅層形成工程S103に送られた薄板ガラス1は電気めっき処理を施され、図2(b)に示すように、その平面全体(即ち、導電性薄膜層2上の平面全体)において銅層3が形成される。
そして、銅層3が形成された薄板ガラス1は、図示せぬ搬送カセットに収納され、レジスト層形成工程S104へと送られる。
The
And the
ここで、前述した導電性薄膜層2と同様に、銅層3についても薄板ガラス1に比べて光に対する透過率が低いことから、フォトインタラプタを用いて薄板ガラス1の位置を容易に検出することが可能である。
Here, similarly to the conductive
このようなことから、本実施形態においては、銅層形成工程S103にて薄板ガラス1を搬送カセットに収納する場合、フォトインタラプタによって薄板ガラス1の位置を容易に検出し、搬送カセットに対して当該薄板ガラス1を所定の位置にて精度よく停止させることとしている。
For this reason, in the present embodiment, when the
レジスト層形成工程S104に送られた薄板ガラス1は、例えばスピンコーター等の装置を用いてレジストを塗布され、図3(a)に示すように、その平面全体(即ち、銅層3上の平面全体)においてレジスト層4が形成される。
そして、レジスト層4が形成された薄板ガラス1は、プリベークによって加熱処理が施される。
The
And the
ここで、プリベークを行う場合においては、所定の停止位置精度に基づき、薄板ガラス1の位置決めを行う必要がある。
一方、前述したように、薄板ガラス1の銅層3上には、既に平面全体に亘って、当該薄板ガラス1に比べて光に対する透過率の低いレジスト層4が形成されている。
Here, when performing prebaking, it is necessary to position the
On the other hand, as described above, the resist
このようなことから、本実施形態においては、フォトインタラプタ(図示せず)によって薄板ガラス1の位置を容易に検出し、当該薄板ガラス1を所定の位置にて精度よく停止させることとしている。
For this reason, in the present embodiment, the position of the
レジスト層4が形成された薄板ガラス1は、その後、図示せぬ搬送手段によって露光・現像工程S105へと搬送される。
そして、露光・現像工程S105に送られた薄板ガラス1は、フォトマスクを介して紫外線等の光を露光された後、ポストベークによって加熱処理を施されることにより、図3(b)に示すように、レジスト層4の一部(感光部4a)を除去される。
その後、レジスト層4の一部が除去された薄板ガラス1は、図示せぬ搬送カセットに収納され、エッチング工程S106へと送られる。
The
Then, the
Thereafter, the
ここで、紫外線等の光の露光やポストベークを行う場合、および搬送カセットに収納する場合においては、所定の停止位置精度に基づき、その都度薄板ガラス1の位置決めを行う必要がある。
一方、本工程(露光・現像工程S105)にてレジスト層4の一部を除去する場合、従来においては、最終的に導電層として必要となる部分(即ち、薄板ガラス1の中央部において、最終製品であるガラス基板Gに相当する部分)を除くすべての領域のレジスト層4を除去していたところ、本実施形態においては、少なくとも、薄板ガラス1の周縁部の一部(本実施形態においては、周縁部全体)について、レジスト層4を意図的に残すこととしている(図3(b)中におけるレジスト層4の周縁部4bを参照)。
Here, when performing exposure of light such as ultraviolet rays or post baking, and when storing in a transport cassette, it is necessary to position the
On the other hand, in the case where a part of the resist
このようなことから、本実施形態においては、フォトインタラプタ(図示せず)によって、レジスト層4の周縁部4bにおける任意の箇所を検出することで、薄板ガラス1の位置を容易に把握することが可能であり、当該薄板ガラス1を所定の位置にて精度よく停止させることができる。
For this reason, in the present embodiment, the position of the
エッチング工程S106に送られた薄板ガラス1は、ウエットエッチングを施された後、洗浄処理、乾燥処理と順に施されることにより、図4(a)に示すように、銅層3の一部(感光部4a)が除去される。
その後、銅層3の一部が除去された薄板ガラス1は、図示せぬ搬送カセットに収納され、レジスト層剥離工程S107へと送られる。
The
Thereafter, the
ここで、ウエットエッチング、洗浄処理、乾燥処理を行う場合、および搬送カセットに収納する場合においては、所定の停止位置精度に基づき、その都度薄板ガラス1の位置決めを行う必要がある。
一方、本実施形態においては、前述したように、薄板ガラス1の周縁部にレジスト層4の一部(周縁部4b)が意図的に残されていることから、本工程(エッチング工程S106)によって薄板ガラス1の周縁部に形成された銅層3の一部(図4(a)中における銅層3の周縁部3cを参照)が除去されることはなく、前記レジスト層4の周縁部4bとともに維持されることとなる。
Here, in the case of performing wet etching, cleaning processing, drying processing, and storing in a transport cassette, it is necessary to position the
On the other hand, in the present embodiment, as described above, a part of the resist layer 4 (
このようなことから、本実施形態においては、フォトインタラプタ(図示せず)によって、銅層3の周縁部3cとともに維持される、レジスト層4の周縁部4bにおける任意の箇所を検出することで、薄板ガラス1の位置を容易に把握することが可能であり、当該薄板ガラス1を所定の位置にて精度よく停止させることができる。
For this reason, in the present embodiment, a photo interrupter (not shown) detects an arbitrary location in the
レジスト層剥離工程S107に送られた薄板ガラス1は、レジスト剥離液に浸漬され剥離処理を施された後、洗浄処理、乾燥処理と順に施されることにより、図4(b)に示すように、残存する全てのレジスト層4が除去される。
その後、レジスト層4が除去された薄板ガラス1は、図示せぬ搬送カセットに収納され、黒化処理工程S108へと送られる。
As shown in FIG. 4B, the
Thereafter, the
ここで、レジスト層4の剥離処理、洗浄処理、乾燥処理を行う場合、および搬送カセットに収納する場合においては、所定の停止位置精度に基づき、その都度薄板ガラス1の位置決めを行う必要がある。
一方、本実施形態においては、本工程(レジスト層剥離工程S107)によって残存する全てのレジスト層4が除去されたとしても、薄板ガラス1の周縁部には、依然として銅層3の一部(周縁部3c)が維持されることとなる。
Here, when performing the peeling process of the resist
On the other hand, in this embodiment, even if all the remaining resist
このようなことから、本実施形態においては、フォトインタラプタ(図示せず)によって、銅層3の周縁部3cにおける任意の箇所を検出することで、薄板ガラス1の位置を容易に把握することが可能であり、当該薄板ガラス1を所定の位置にて精度よく停止させることができる。
For this reason, in the present embodiment, the position of the
黒化処理工程S108に送られた薄板ガラス1は、脱脂処理、黒化処理、洗浄処理、乾燥処理と順に施されることにより、図5(a)に示すように、銅層3の残存部3b上において黒色めっき層5が形成される。
その後、黒色めっき層5が形成された薄板ガラス1は、図示せぬ搬送カセットに収納され、切断工程S109へと送られる。
The
Then, the
ここで、脱脂処理、黒化処理、洗浄処理、乾燥処理を行う場合、および搬送カセットに収納する場合においては、所定の停止位置精度に基づき、その都度薄板ガラス1の位置決めを行う必要がある。
一方、本実施形態においては、前述したように、薄板ガラス1の周縁部に銅層3の周縁部3cが維持されていることから、当該周縁部3c上においても、薄板ガラス1に比べて光に対する透過率の低い黒色めっき層5を形成することができる。
Here, when performing a degreasing process, a blackening process, a cleaning process, a drying process, and when storing in a conveyance cassette, it is necessary to position the
On the other hand, in the present embodiment, as described above, the
このようなことから、本実施形態においては、フォトインタラプタ(図示せず)によって、周縁部の黒色めっき層5における任意の箇所を検出することで、薄板ガラス1の位置を容易に把握することが可能であり、当該薄板ガラス1を所定の位置にて精度よく停止させることができる。
For this reason, in the present embodiment, the position of the
切断工程S109に送られた薄板ガラス1は、図示せぬ切断装置によって仮想の切断線Lに沿って切断処理された後、洗浄処理、乾燥処理と順に施されることにより、図5(b)に示すように、複数のガラス基板G・G・・・に分断される。
その後、分断された複数のガラス基板G・G・・・は、図示せぬ搬送カセットに収納され、前述したように、電気動作確認や他の基板との貼り合わせが行われる別の製造工程へと送られる。
The
After that, the plurality of divided glass substrates G, G,... Are housed in a transport cassette (not shown), and as described above, to another manufacturing process in which electrical operation confirmation and bonding with other substrates are performed. Sent.
ここで、薄板ガラス1に対して切断処理を行う場合においては、所定の停止位置精度に基づき、前記切断装置に対して薄板ガラス1の位置決めを行う必要がある。
一方、本実施形態においては、前述したように、未だ切断処理の行われていない状態(即ち、前述した黒化処理工程S108を終えた直後の状態)であれば、薄板ガラス1の周縁部に、黒化処理を施された銅層3の周縁部3cが未だ維持されている。
Here, when performing the cutting process with respect to the
On the other hand, in the present embodiment, as described above, if the cutting process has not yet been performed (that is, the state immediately after finishing the blackening process step S108 described above), the peripheral edge of the
このようなことから、本実施形態においては、フォトインタラプタ(図示せず)によって、銅層3の周縁部3c上に形成された、黒色めっき層5における任意の箇所を検出することで、薄板ガラス1の位置を容易に把握することが可能であり、前記切断装置に対して当該薄板ガラス1を所定の位置にて精度よく停止させることができる。
For this reason, in this embodiment, a thin glass sheet is detected by detecting an arbitrary position in the
以上のように、本実施形態の製造工程S100は、薄板ガラス1と比べて光の透過率の低い導電性薄膜層2、銅層3、レジスト層4、または黒色めっき層5などからなる膜層を、薄板ガラス1の周縁部の少なくとも一部に形成された部分を維持することとしている。
As described above, the manufacturing process S100 of the present embodiment is a film layer composed of the conductive
その結果、例えば、フォトインタラプタによって、前端部が照射光を横切る瞬間の検出信号の変化を検知することが困難な薄板ガラス1であっても、周縁部の一部に形成されたこれらの膜層(導電性薄膜層2、銅層3、レジスト層4、または黒色めっき層5)を利用すれば、他に別途大掛かりな検出装置等を設ける必要もなく、フォトインタラプタによって薄板ガラス1の位置を容易に検出することが可能であり、製造過程の各工程において、薄板ガラス1を所定の位置に精度よく容易に停止させることができる。
As a result, for example, even if the
また、本実施形態の製造工程S100においては、前述したように、導電層および膜層が、少なくとも導電性薄膜層2、銅層3、または黒色めっき層5からなる金属めっき層により構成されることとしている。
Moreover, in manufacturing process S100 of this embodiment, as above-mentioned, a conductive layer and a film layer are comprised by the metal plating layer which consists of the electroconductive
このような構成を有することにより、前記膜層を形成するための工程を、前記導電層を形成するための工程とは別に設けることなく、これらの金属めっき層を形成する際に、同一の工程にて前記膜層を形成することができるため、経済的である。 By having such a configuration, the process for forming the film layer is not provided separately from the process for forming the conductive layer, and the same process is performed when these metal plating layers are formed. It is economical because the film layer can be formed at.
また、本実施形態の製造工程S100においては、主に下地層形成工程S102および銅層形成工程S103にて実施されるように、薄板ガラス1の平面全体に、前記金属めっき層を形成した後、エッチング工程S106において、前記導電層と前記膜層を残して前記金属めっき層を取り除く構成となっている。
Moreover, in the manufacturing process S100 of the present embodiment, after the metal plating layer is formed on the entire flat surface of the
このような構成を有することにより、前記膜層を形成するための工程を、前記導電層を形成するための工程とは別に設けることなく、同一の工程にて前記膜層を形成することができるため、経済的である。 By having such a configuration, the film layer can be formed in the same process without providing the process for forming the film layer separately from the process for forming the conductive layer. So it is economical.
さらに、本実施形態の製造工程S100では、前記膜層を、特に前記薄板ガラス1の周縁部全体に形成することとしている。
Furthermore, in the manufacturing process S100 of the present embodiment, the film layer is formed on the entire peripheral edge of the
このような構成を有することにより、例えば、フォトインタラプタによって薄板ガラス1を検出する際の、当該薄板ガラス1における被検出箇所を、当該薄板ガラス1の周縁部に沿った任意の位置に計画することができるため、製造過程の各工程において、設備レイアウト上の制限をあまり受けずにフォトインタラプタを容易に設置することができる。
また、薄板ガラス1の周縁部全体に前記膜層が形成されるので、薄板ガラス1の端部に衝撃を受けても透明基板が破損しにくくなる。
By having such a configuration, for example, the detection location in the
Moreover, since the said film layer is formed in the whole peripheral part of the
1 薄板ガラス(透明基材)
2 導電性薄膜層(金属めっき層)
3 銅層(導電層)
4 レジスト層
5 黒色めっき層(金属めっき層)
G ガラス基板(透明基板)
1 Thin glass (transparent substrate)
2 Conductive thin film layer (metal plating layer)
3 Copper layer (conductive layer)
4 Resist
G Glass substrate (transparent substrate)
Claims (5)
該透明基材の平面上に形成されるパターン化された導電層と
を備える透明基板の製造方法であって、
前記透明基材と比べて光の透過率の低い膜層を前記透明基材の周縁部の少なくとも一部に形成する、
ことを特徴とする透明基板の製造方法。 A transparent substrate;
A method for producing a transparent substrate comprising a patterned conductive layer formed on a plane of the transparent substrate,
A film layer having a low light transmittance compared to the transparent substrate is formed on at least a part of the peripheral edge of the transparent substrate.
A method for producing a transparent substrate.
ことを特徴とする、請求項1に記載の透明基板の製造方法。 The conductive layer and the film layer are both metal plating layers.
The method for producing a transparent substrate according to claim 1, wherein:
ことを特徴とする、請求項2に記載の透明基板の製造方法。 After forming the metal plating layer on the surface of the transparent substrate, remove the metal plating layer leaving the conductive layer and the film layer,
The method for producing a transparent substrate according to claim 2, wherein:
前記透明基材の周縁部全体に形成する、
ことを特徴とする、請求項1〜請求項3の何れか一項に記載の透明基板の製造方法。 The membrane layer,
Forming the entire periphery of the transparent substrate;
The manufacturing method of the transparent substrate as described in any one of Claims 1-3 characterized by the above-mentioned.
ことを特徴とする、請求項1〜請求項4の何れか一項に記載の透明基板の製造方法。
The transparent substrate is made of thin glass having a thickness of 0.3 mm or less,
The manufacturing method of the transparent substrate as described in any one of Claims 1-4 characterized by the above-mentioned.
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