JP2018137084A - Organic el display device and method of manufacturing the same - Google Patents

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直樹 野畑
井東 道昌
Michimasa Ito
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an organic EL display device capable of suppressing emission unevenness and a method of manufacturing the same.SOLUTION: A method of manufacturing an organic EL display device 1 includes: preparing a first barrier film 10 on which a transparent electrode 14 is formed; forming a protective film 3 in a non-forming region 6 outside a forming region 5 where an auxiliary electrode 20 is formed on the transparent electrode 14; forming a precursor film 205 of the auxiliary electrode 20 at least in the forming region 5 and on the protective film 3; processing the precursor film 205 to form the auxiliary electrode 20 in the forming region 5; and removing the protective film 3.SELECTED DRAWING: Figure 2

Description

本発明は、有機EL表示装置及びその製造方法に関する。   The present invention relates to an organic EL display device and a manufacturing method thereof.

従来の技術として、透明電極膜、透明電極膜上に設けられた補助電極、正極コンタクト部、有機発光層及び負電極膜を備えた有機EL(Electro Luminescence)発光装置が知られている(例えば、特許文献1参照。)。   As a conventional technique, an organic EL (Electro Luminescence) light emitting device including a transparent electrode film, an auxiliary electrode provided on the transparent electrode film, a positive electrode contact portion, an organic light emitting layer, and a negative electrode film is known (for example, (See Patent Document 1).

この有機EL発光装置の補助電極は、金属材料で成膜後に、任意の形状にフォトエッチングを行って成形され、透明電極膜を介して正極コンタクト部と電気的に接続する。   The auxiliary electrode of the organic EL light emitting device is formed by performing photo-etching into an arbitrary shape after being formed with a metal material, and is electrically connected to the positive electrode contact portion through the transparent electrode film.

特開2016−26376号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2016-26376

しかし従来の有機EL発光装置は、エッチングによって透明電極膜の表面が浸食されて電極の平坦性が損なわれ、発光ムラが生じる可能性がある。   However, in the conventional organic EL light-emitting device, the surface of the transparent electrode film is eroded by etching, and the flatness of the electrode is impaired, and light emission unevenness may occur.

従って本発明の目的は、発光ムラを抑制することができる有機EL表示装置及びその製造方法を提供することにある。   Accordingly, an object of the present invention is to provide an organic EL display device capable of suppressing light emission unevenness and a method for manufacturing the same.

本発明の一態様は、透明電極が形成された基板を準備し、透明電極上において補助電極を形成する形成領域の外の非形成領域に保護膜を形成し、少なくとも形成領域及び保護膜上に補助電極の前駆体膜を形成し、前駆体膜を加工して形成領域に補助電極を形成し、保護膜を除去する有機EL表示装置の製造方法を提供する。   According to one embodiment of the present invention, a substrate on which a transparent electrode is formed is prepared, a protective film is formed on a non-formation region outside a formation region where an auxiliary electrode is formed over the transparent electrode, and at least on the formation region and the protection film Provided is a method for manufacturing an organic EL display device in which a precursor film of an auxiliary electrode is formed, the precursor film is processed to form an auxiliary electrode in a formation region, and a protective film is removed.

本発明によれば、発光ムラを抑制することができる。   According to the present invention, light emission unevenness can be suppressed.

図1は、実施の形態に係る有機EL表示装置の一例を示す要部断面図である。FIG. 1 is a cross-sectional view of an essential part showing an example of an organic EL display device according to an embodiment. 図2(a)〜図2(d)は、実施の形態に係る有機EL表示装置の製造方法の一例を示す概略図である。FIG. 2A to FIG. 2D are schematic views illustrating an example of a method for manufacturing an organic EL display device according to the embodiment.

(実施の形態の要約)
実施の形態に係る有機EL表示装置の製造方法は、透明電極が形成された基板を準備し、透明電極上において補助電極を形成する形成領域の外の非形成領域に保護膜を形成し、少なくとも形成領域及び保護膜上に補助電極の前駆体膜を形成し、前駆体膜を加工して形成領域に補助電極を形成し、保護膜を除去することを含んでいる。
(Summary of embodiment)
A method of manufacturing an organic EL display device according to an embodiment includes preparing a substrate on which a transparent electrode is formed, forming a protective film on a non-formation region outside a formation region on which an auxiliary electrode is formed on the transparent electrode, The method includes forming a precursor film of an auxiliary electrode on the formation region and the protective film, processing the precursor film to form an auxiliary electrode in the formation region, and removing the protective film.

この有機EL表示装置の製造方法は、補助電極を加工する際に、補助電極が形成されない非形成領域の透明電極を保護膜で保護しているので、この構成を採用しない場合と比べて、非形成領域に露出する透明電極の浸食が抑制され、発光ムラを抑制することができる。   In this method of manufacturing an organic EL display device, when the auxiliary electrode is processed, the transparent electrode in the non-formation region where the auxiliary electrode is not formed is protected with a protective film. Erosion of the transparent electrode exposed in the formation region is suppressed, and uneven light emission can be suppressed.

[実施の形態]
(有機EL表示装置1の概要)
図1は、実施の形態に係る有機EL表示装置の一例を示す要部断面図である。図2(a)〜図2(d)は、実施の形態に係る有機EL表示装置の製造方法の一例を示す概略図である。なお、以下に記載する実施の形態に係る各図において、図形間の比率は、実際の比率とは異なる場合がある。
[Embodiment]
(Outline of organic EL display device 1)
FIG. 1 is a cross-sectional view of an essential part showing an example of an organic EL display device according to an embodiment. FIG. 2A to FIG. 2D are schematic views illustrating an example of a method for manufacturing an organic EL display device according to the embodiment. Note that, in each drawing according to the embodiment described below, the ratio between figures may be different from the actual ratio.

この有機EL表示装置1は、例えば、柔軟性を有する材料によって形成され、曲げた状態で使用することができるようにフレキシブル性を有している。   The organic EL display device 1 is formed of, for example, a flexible material and has flexibility so that it can be used in a bent state.

有機EL表示装置1は、例えば、図1に示すように、基板としての第1のバリアフィルム10と、第1のバリアフィルム10上に設けられた第1の電極としての透明電極14と、透明電極14上に設けられた有機発光層16と、有機発光層16上に設けられた第2の電極としての上部電極18と、側面がテーパー形状を有して透明電極14上に設けられ、透明電極14と電気的に接続する補助電極20と、を備えて概略構成されている。   For example, as shown in FIG. 1, the organic EL display device 1 includes a first barrier film 10 as a substrate, a transparent electrode 14 as a first electrode provided on the first barrier film 10, and a transparent An organic light emitting layer 16 provided on the electrode 14, an upper electrode 18 as a second electrode provided on the organic light emitting layer 16, a side surface having a tapered shape, provided on the transparent electrode 14, and transparent An auxiliary electrode 20 electrically connected to the electrode 14 is schematically provided.

補助電極20は、有機発光層16を挟むように形成されている。上述の側面は、有機発光層16側の側面200であり、この側面200がテーパー形状となっている。この補助電極20は、例えば、複数形成されても良いし、有機発光層16を囲むように形成されても良い。   The auxiliary electrode 20 is formed so as to sandwich the organic light emitting layer 16. The above-described side surface is the side surface 200 on the organic light emitting layer 16 side, and this side surface 200 has a tapered shape. A plurality of auxiliary electrodes 20 may be formed, for example, or may be formed so as to surround the organic light emitting layer 16.

なお変形例として基板は、第1のバリアフィルム10に限定されず、例えば、光を透過する透明樹脂などであっても良い。   As a modification, the substrate is not limited to the first barrier film 10, and may be, for example, a transparent resin that transmits light.

(第1のバリアフィルム10及び第2のバリアフィルム12の構成)
第1のバリアフィルム10及び第2のバリアフィルム12は、例えば、外部からの液体や気体の侵入を抑制するガスバリア性を有するように構成されている。そして第1のバリアフィルム10及び第2のバリアフィルム12は、柔軟性に富んでいるので、有機EL表示装置1が高い柔軟性を有している。第1のバリアフィルム10及び第2のバリアフィルム12は、有機発光層16から出力された光を透過する同じ透明材料を用いて形成されている。
(Configuration of the first barrier film 10 and the second barrier film 12)
The 1st barrier film 10 and the 2nd barrier film 12 are comprised so that it may have gas barrier property which suppresses the penetration | invasion of the liquid and gas from the outside, for example. Since the first barrier film 10 and the second barrier film 12 are rich in flexibility, the organic EL display device 1 has high flexibility. The first barrier film 10 and the second barrier film 12 are formed using the same transparent material that transmits the light output from the organic light emitting layer 16.

第1のバリアフィルム10及び第2のバリアフィルム12は、例えば、芯材フィルムと、芯材フィルムに設けられたガスバリア層と、を有している。第1のバリアフィルム10及び第2のバリアフィルム12は、互いのガスバリア層が向き合うように貼り合わされる。   The first barrier film 10 and the second barrier film 12 include, for example, a core film and a gas barrier layer provided on the core film. The first barrier film 10 and the second barrier film 12 are bonded so that the gas barrier layers face each other.

芯材フィルムは、一例として、PET(polyethyleneterephtalate)やPEN(polyethylene naphthalate)などを用いてフィルム状に形成されている。   As an example, the core film is formed into a film shape using PET (polyethyleneterephtalate), PEN (polyethylene naphthalate), or the like.

ガスバリア層は、例えば、無機材料と有機材料とを交互に積層して形成されている。無機材料は、一例として、SiやAlの酸化物や窒化物、ZnやSnの酸化物などが用いられる。また有機材料は、一例として、エポキシ樹脂やシリコン樹脂などの熱硬化性樹脂材料が用いられる。   For example, the gas barrier layer is formed by alternately laminating inorganic materials and organic materials. As an example of the inorganic material, an oxide or nitride of Si or Al, an oxide of Zn or Sn, or the like is used. As an example of the organic material, a thermosetting resin material such as an epoxy resin or a silicon resin is used.

なお芯材フィルムやガスバリア層の厚みは、任意である。   In addition, the thickness of a core material film or a gas barrier layer is arbitrary.

(透明電極14及び上部電極18の構成)
透明電極14及び上部電極18は、一方が陽極であり、他方が陰極である。本実施の形態では、透明電極14が陽極、上部電極18が陰極であるものとする。透明電極14が光を透過するため、有機発光層16によって生成された光は、図1の紙面下側、つまり第1のバリアフィルム10及び透明電極14を介して外に出力される。陽極は、有機発光層16に正孔を注入するためのものである。また陰極は、有機発光層16に電子を注入するためのものである。
(Configuration of transparent electrode 14 and upper electrode 18)
One of the transparent electrode 14 and the upper electrode 18 is an anode, and the other is a cathode. In the present embodiment, it is assumed that the transparent electrode 14 is an anode and the upper electrode 18 is a cathode. Since the transparent electrode 14 transmits light, the light generated by the organic light emitting layer 16 is output to the lower side in FIG. 1, that is, through the first barrier film 10 and the transparent electrode 14. The anode is for injecting holes into the organic light emitting layer 16. The cathode is for injecting electrons into the organic light emitting layer 16.

透明電極14は、例えば、真空蒸着法やスパッタリング法などにより、有機発光層16から出力される光を透過するITO(スズドープ酸化インジウム:Indium Tin Oxide)などにより形成される。   The transparent electrode 14 is formed of ITO (Indium Tin Oxide) or the like that transmits light output from the organic light emitting layer 16 by, for example, vacuum deposition or sputtering.

上部電極18は、有機発光層16から出力される光の取り出し効率を高めるため、当該光を反射する材料で形成される。上部電極18は、例えば、真空蒸着法などにより、Al、AgやMgなどの金属材料やその合金材料を用いて形成される。なお上部電極18は、例えば、透明電極であるITOであっても良い。   The upper electrode 18 is formed of a material that reflects light in order to increase the extraction efficiency of light output from the organic light emitting layer 16. The upper electrode 18 is formed using a metal material such as Al, Ag, Mg, or an alloy material thereof, for example, by a vacuum deposition method or the like. The upper electrode 18 may be ITO, which is a transparent electrode, for example.

なお透明電極14及び上部電極18の厚みは、任意である。   The thickness of the transparent electrode 14 and the upper electrode 18 is arbitrary.

(有機発光層16の構成)
有機発光層16は、例えば、陽極(透明電極14)側から順に少なくとも正孔輸送層、発光層及び電子輸送層が積層される。正孔輸送層は、例えば、α−NPD(ジフェニルナフチルジアミン)やTPD(Triphenyl Diamine)などを用いて形成される。発光層は、例えば、アルミキノリノール錯体(Alq)やベリリウムキノリノール錯体(BeBq)などを用いて形成される。電子輸送層は、例えば、アルミキノリノール錯体などを用いて形成される。
(Configuration of the organic light emitting layer 16)
For example, the organic light emitting layer 16 is formed by laminating at least a hole transport layer, a light emitting layer, and an electron transport layer in order from the anode (transparent electrode 14) side. The hole transport layer is formed using, for example, α-NPD (diphenylnaphthyldiamine) or TPD (Triphenyl Diamine). The light emitting layer is formed using, for example, an aluminum quinolinol complex (Alq 3 ) or a beryllium quinolinol complex (BeBq 2 ). The electron transport layer is formed using, for example, an aluminum quinolinol complex.

この有機発光層16は、例えば、塗布法や印刷法などによって形成される。この有機発光層16の厚みは、任意である。   The organic light emitting layer 16 is formed by, for example, a coating method or a printing method. The thickness of the organic light emitting layer 16 is arbitrary.

(補助電極20の構成)
有機EL表示装置1は、第1のバリアフィルム10の耐熱性の制約から十分に透明電極14を加熱結晶化、つまりアニールすることができないため、透明電極14が高抵抗な導電膜となる。透明電極14が高抵抗であると、有機EL表示装置1の消費電力が大きくなる。そこで補助電極20は、抵抗値を低減させるため、透明電極14に電気的に接続するように設けられている。
(Configuration of auxiliary electrode 20)
Since the organic EL display device 1 cannot sufficiently heat-crystallize, that is, anneal, the transparent electrode 14 due to the heat resistance limitation of the first barrier film 10, the transparent electrode 14 becomes a high-resistance conductive film. When the transparent electrode 14 has a high resistance, the power consumption of the organic EL display device 1 increases. Therefore, the auxiliary electrode 20 is provided so as to be electrically connected to the transparent electrode 14 in order to reduce the resistance value.

この補助電極20は、例えば、透明電極14よりも低い抵抗値を有する金属材料又は合金材料を用いて形成される。補助電極20は、例えば、Cr、Mo−Nd、Mo−Al−Mo(MAM:積層複合材)などが用いられる。   The auxiliary electrode 20 is formed using, for example, a metal material or an alloy material having a resistance value lower than that of the transparent electrode 14. As the auxiliary electrode 20, for example, Cr, Mo—Nd, Mo—Al—Mo (MAM: laminated composite material), or the like is used.

本実施の形態では、一例として、補助電極20の材料としてMAMが用いられる。このMAMは、非透明であるので、有機発光層16が形成される、つまり有機発光層16から出力される光の光路上に配置されないことが好ましい。そこで補助電極20は、有機発光層16の周囲の透明電極14上に形成される。   In the present embodiment, as an example, MAM is used as the material of the auxiliary electrode 20. Since this MAM is non-transparent, it is preferable that the organic light emitting layer 16 is formed, that is, it is not disposed on the optical path of the light output from the organic light emitting layer 16. Therefore, the auxiliary electrode 20 is formed on the transparent electrode 14 around the organic light emitting layer 16.

このMAMは、エッチングの際、強い腐食性のエッチング液が必要となる。従ってMAMをエッチングする際、透明電極の表面がこのエッチング液によって浸食されると、平坦性が損なわれる。そして透明電極の平坦性が損なわれると、有機発光層から出力された光が散乱して発光ムラの原因となる。また自身がエッチングされて透明電極を保護する犠牲層を透明電極上に設ける場合、犠牲層が透明電極14上に残留すると、透明電極14の抵抗均一性、透明性や平坦性が損なわれる。   This MAM requires a strong corrosive etchant during etching. Therefore, when the MAM is etched, if the surface of the transparent electrode is eroded by the etching solution, the flatness is impaired. And when the flatness of a transparent electrode is impaired, the light output from the organic light emitting layer is scattered and causes uneven light emission. In addition, when a sacrificial layer that protects the transparent electrode by etching itself is provided on the transparent electrode, if the sacrificial layer remains on the transparent electrode 14, resistance uniformity, transparency, and flatness of the transparent electrode 14 are impaired.

本実施の形態の有機EL表示装置1の製造方法では、後述するように、犠牲層を用いることなく、透明電極14を露出させずに補助電極20の前駆体膜をエッチングすることが可能となっている。   In the manufacturing method of the organic EL display device 1 of the present embodiment, as will be described later, the precursor film of the auxiliary electrode 20 can be etched without using the sacrificial layer and exposing the transparent electrode 14. ing.

補助電極20は、透明電極14上の後述する形成領域5に形成される。そして有機発光層16は、透明電極14上の後述する非形成領域6に形成される。なお補助電極20の厚みは、任意である。   The auxiliary electrode 20 is formed in the formation region 5 described later on the transparent electrode 14. The organic light emitting layer 16 is formed in a non-formation region 6 described later on the transparent electrode 14. The thickness of the auxiliary electrode 20 is arbitrary.

(絶縁膜22の構成)
絶縁膜22は、透明電極14と上部電極18とを絶縁すると共に有機発光層16への液体や気体の侵入を防止して有機発光層16を保護する。絶縁膜22は、例えば、ポリイミドなどの有機絶縁材料を用いて形成される場合、塗布法や印刷法が用いられ、二酸化シリコンや窒化シリコンなどである場合、スパッタ法やCVD(chemical vapor deposition)法などが用いられる。この絶縁膜22の厚みは、任意である。
(Configuration of insulating film 22)
The insulating film 22 protects the organic light emitting layer 16 by insulating the transparent electrode 14 from the upper electrode 18 and preventing liquid or gas from entering the organic light emitting layer 16. For example, when the insulating film 22 is formed using an organic insulating material such as polyimide, a coating method or a printing method is used. When the insulating film 22 is silicon dioxide or silicon nitride, for example, a sputtering method or a CVD (chemical vapor deposition) method Etc. are used. The thickness of the insulating film 22 is arbitrary.

この絶縁膜22は、例えば、図1に示すように、透明電極14上にも形成される。そして補助電極20と有機発光層16を絶縁するように形成されるので、補助電極20の側面200に応じた逆テーパー形状を有する側面220を備えている。また有機EL表示装置1が表示するキャラクタは、絶縁膜22のネガ形状となっている。   For example, as shown in FIG. 1, the insulating film 22 is also formed on the transparent electrode 14. Since the auxiliary electrode 20 and the organic light emitting layer 16 are formed to be insulated, a side surface 220 having a reverse taper shape corresponding to the side surface 200 of the auxiliary electrode 20 is provided. The character displayed by the organic EL display device 1 has a negative shape of the insulating film 22.

(接着層24の構成)
接着層24は、第1のバリアフィルム10と第2のバリアフィルム12とを貼り合せる際に用いた接着剤が硬化して形成された層である。この接着層24は、例えば、エポキシ系やアクリル系などの接着剤によって形成される。なお接着層24の厚みは、任意である。
(Configuration of adhesive layer 24)
The adhesive layer 24 is a layer formed by curing the adhesive used when bonding the first barrier film 10 and the second barrier film 12 together. The adhesive layer 24 is formed of, for example, an epoxy or acrylic adhesive. The thickness of the adhesive layer 24 is arbitrary.

以下に第1の実施の形態の有機EL表示装置1の製造方法の一例について図2(a)〜図2(d)を参照しながら、主に補助電極20の形成について説明する。   Hereinafter, the formation of the auxiliary electrode 20 will be mainly described with reference to FIGS. 2A to 2D for an example of a method for manufacturing the organic EL display device 1 of the first embodiment.

(有機EL表示装置1の製造方法)
有機EL表示装置1の製造方法は、透明電極14が形成された第1のバリアフィルム10を準備し、透明電極14上において補助電極20を形成する形成領域5の外の非形成領域6に保護膜3を形成し、少なくとも形成領域5及び保護膜3上に補助電極20の前駆体膜205を形成し、前駆体膜205を加工して形成領域5に補助電極20を形成し、保護膜3を除去することを含んでいる。
(Manufacturing method of the organic EL display device 1)
The manufacturing method of the organic EL display device 1 prepares the first barrier film 10 on which the transparent electrode 14 is formed, and protects the non-forming region 6 outside the forming region 5 on which the auxiliary electrode 20 is formed on the transparent electrode 14. The film 3 is formed, the precursor film 205 of the auxiliary electrode 20 is formed on at least the formation region 5 and the protective film 3, the precursor film 205 is processed to form the auxiliary electrode 20 in the formation region 5, and the protective film 3 Including removing.

まず透明電極14が形成された第1のバリアフィルム10を準備する。具体的には、真空蒸着法によって第1のバリアフィルム10上に透明電極14の前駆体膜を形成する。続いてフォトリソグラフィ法によって当該前駆体膜を所望の形状に加工する。   First, the first barrier film 10 on which the transparent electrode 14 is formed is prepared. Specifically, a precursor film of the transparent electrode 14 is formed on the first barrier film 10 by a vacuum deposition method. Subsequently, the precursor film is processed into a desired shape by photolithography.

なお透明電極14は、第1のバリアフィルム10の耐熱可能温度域内でアニールにより結晶化されていても良い。また透明電極14は、パターン加工されていても良い。   The transparent electrode 14 may be crystallized by annealing within the heat-resistant temperature range of the first barrier film 10. The transparent electrode 14 may be patterned.

次に図2(a)に示すように、透明電極14上において補助電極20を形成する形成領域5の外の非形成領域6に保護膜3を形成する。この非形成領域6は、保護膜3を形成する領域である。   Next, as shown in FIG. 2A, the protective film 3 is formed on the transparent electrode 14 in the non-formation region 6 outside the formation region 5 where the auxiliary electrode 20 is formed. This non-formation region 6 is a region where the protective film 3 is formed.

この保護膜3は、レジスト膜、又は補助電極20とエッチング耐性が異なる金属膜として形成される。具体的には、保護膜3は、透明電極14を被覆可能な材料であり、また透明電極14や補助電極20に影響を与えないで剥離又は溶解可能な材料で形成される。さらに保護膜3は、補助電極20の前駆体膜205が正常に被覆されなくても良く、また前駆体膜205との親和性、つまり高い密着度が必要ない。   The protective film 3 is formed as a resist film or a metal film having etching resistance different from that of the auxiliary electrode 20. Specifically, the protective film 3 is a material that can cover the transparent electrode 14, and is formed of a material that can be peeled or dissolved without affecting the transparent electrode 14 or the auxiliary electrode 20. Furthermore, the protective film 3 does not have to be covered with the precursor film 205 of the auxiliary electrode 20 normally, and does not require an affinity with the precursor film 205, that is, a high degree of adhesion.

本実施の形態の保護膜3は、透明電極14のエッチングマスクであるレジスト膜として形成される。そして保護膜3は、例えば、補助電極20の厚みの二倍以上の厚みを有することが好ましい。これは、補助電極20の前駆体膜205をエッチングする際、保護膜3の厚みが薄いと保護膜3と接する前駆体膜205の側面200がエッチングされる可能性があるからである。   The protective film 3 of the present embodiment is formed as a resist film that is an etching mask for the transparent electrode 14. For example, the protective film 3 preferably has a thickness that is twice or more the thickness of the auxiliary electrode 20. This is because when the precursor film 205 of the auxiliary electrode 20 is etched, the side surface 200 of the precursor film 205 in contact with the protective film 3 may be etched if the thickness of the protective film 3 is thin.

なお変形例として保護膜3は、透明電極14に被覆可能であり、補助電極20の前駆体膜205の加工に用いられるエッチング液に耐性があり、透明電極14や補助電極20に影響を与えないで剥離又は溶解可能な材料であれば、前駆体膜205のエッチングマスクの材料であることが好ましい。当該材料を用いた場合、保護膜3は、厚みが十分あるので、前駆体膜205の加工の際、エッチングによる透明電極14の露出を防止することができる。   As a modification, the protective film 3 can be coated on the transparent electrode 14, is resistant to the etching solution used for processing the precursor film 205 of the auxiliary electrode 20, and does not affect the transparent electrode 14 and the auxiliary electrode 20. If it is a material that can be peeled off or dissolved, it is preferable to use a material for the etching mask of the precursor film 205. When the material is used, the protective film 3 has a sufficient thickness, so that the transparent electrode 14 can be prevented from being exposed by etching when the precursor film 205 is processed.

また保護膜3は、非形成領域6側の側面30が逆テーパー形状となるように形成される。側面30の側面30が逆テーパー形状となることで、前駆体膜205の側面200のエッチングを抑制することができる。なお保護膜3の側面30が逆テーパー形状となるので、補助電極20の側面200がテーパー形状となる。また保護膜3は、逆テーパー形状が形成されることが望ましいが、保護膜3と補助電極20の前駆体膜205との密着性が高い場合、形成されなくても良い。   The protective film 3 is formed so that the side surface 30 on the non-formation region 6 side has an inversely tapered shape. Since the side surface 30 of the side surface 30 has an inversely tapered shape, etching of the side surface 200 of the precursor film 205 can be suppressed. Since the side surface 30 of the protective film 3 has a reverse taper shape, the side surface 200 of the auxiliary electrode 20 has a taper shape. The protective film 3 is desirably formed in a reverse taper shape, but may not be formed if the adhesion between the protective film 3 and the precursor film 205 of the auxiliary electrode 20 is high.

次に図2(b)に示すように、少なくとも形成領域5及び保護膜3上に補助電極20の前駆体膜205を形成する。具体的には、スパッタリング法により、MAMの膜である前駆体膜205を、形成領域5の透明電極14、保護膜3、及び第1のバリアフィルム10上に形成する。   Next, as shown in FIG. 2B, a precursor film 205 of the auxiliary electrode 20 is formed at least on the formation region 5 and the protective film 3. Specifically, a precursor film 205 that is a MAM film is formed on the transparent electrode 14, the protective film 3, and the first barrier film 10 in the formation region 5 by sputtering.

次に図2(c)に示すように、前駆体膜205を加工して形成領域5に補助電極20を形成する。具体的には、フォトリソグラフィ法により、形成領域5にレジスト膜を形成し、エッチング法により、非形成領域6や第1のバリアフィルム10上の前駆体膜205を除去する。   Next, as shown in FIG. 2C, the precursor film 205 is processed to form the auxiliary electrode 20 in the formation region 5. Specifically, a resist film is formed in the formation region 5 by a photolithography method, and the precursor film 205 on the non-formation region 6 and the first barrier film 10 is removed by an etching method.

なお保護膜3が金属膜である場合、上述のように、前駆体膜205をエッチングする際に使用されるエッチング液に対して耐性がある膜とされる。そして補助電極20は、保護膜3をエッチングする際に使用されるエッチング液に対して耐性がある膜とされる。   When the protective film 3 is a metal film, as described above, the protective film 3 is a film that is resistant to an etching solution used when the precursor film 205 is etched. The auxiliary electrode 20 is a film that is resistant to an etchant used when the protective film 3 is etched.

次に図2(d)に示すように、保護膜3を除去する。なお変形例として保護膜3の除去は、保護膜3が前駆体膜205のエッチングマスクと同じ材料である場合、補助電極20を加工する際に用いたエッチングマスクの除去と共に行われても良い。   Next, as shown in FIG. 2D, the protective film 3 is removed. As a modification, the protective film 3 may be removed together with the removal of the etching mask used when the auxiliary electrode 20 is processed when the protective film 3 is made of the same material as the etching mask of the precursor film 205.

次に絶縁膜22、有機発光層16及び上部電極18を形成した第1のバリアフィルム10と第2のバリアフィルム12とを接着剤によって貼り合わせて有機EL表示装置1を得る。   Next, the 1st barrier film 10 and the 2nd barrier film 12 in which the insulating film 22, the organic light emitting layer 16, and the upper electrode 18 were formed are bonded together with an adhesive agent, and the organic EL display device 1 is obtained.

(実施の形態の効果)
本実施の形態に係る有機EL表示装置1は、発光ムラを抑制することができる。具体的には、有機EL表示装置1の製造方法は、補助電極20を加工する際に、補助電極20が形成されない非形成領域6の透明電極14を保護膜3で保護しているので、この構成を採用しない場合と比べて、非形成領域6に露出する透明電極14の浸食が抑制され、発光ムラを抑制することができる。
(Effect of embodiment)
The organic EL display device 1 according to the present embodiment can suppress uneven light emission. Specifically, in the method of manufacturing the organic EL display device 1, when the auxiliary electrode 20 is processed, the transparent electrode 14 in the non-formation region 6 where the auxiliary electrode 20 is not formed is protected by the protective film 3. Compared with the case where the configuration is not adopted, the erosion of the transparent electrode 14 exposed in the non-formation region 6 is suppressed, and uneven light emission can be suppressed.

有機EL表示装置1の製造方法は、保護膜3の厚みを補助電極20の厚みの2倍以上といているので、前駆体膜205のエッチングの際のオーバーエッチングによって保護膜3がエッチングされることによる透明電極14の浸食を防止することができる。   In the manufacturing method of the organic EL display device 1, the thickness of the protective film 3 is twice or more the thickness of the auxiliary electrode 20, so that the protective film 3 is etched by overetching when the precursor film 205 is etched. The erosion of the transparent electrode 14 due to can be prevented.

有機EL表示装置1の製造方法は、保護膜3の側面30を逆テーパー形状となっているので、補助電極20の前駆体膜205を加工する際に、補助電極20の側面200の浸食を抑制することができる。   In the manufacturing method of the organic EL display device 1, since the side surface 30 of the protective film 3 has an inversely tapered shape, erosion of the side surface 200 of the auxiliary electrode 20 is suppressed when the precursor film 205 of the auxiliary electrode 20 is processed. can do.

以上、本発明のいくつかの実施の形態及び変形例を説明したが、これらの実施の形態及び変形例は、一例に過ぎず、特許請求の範囲に係る発明を限定するものではない。これら新規な実施の形態及び変形例は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更などを行うことができる。また、これら実施の形態及び変形例の中で説明した特徴の組合せの全てが発明の課題を解決するための手段に必須であるとは限らない。さらに、これら実施の形態及び変形例は、発明の範囲及び要旨に含まれると共に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。   As mentioned above, although some embodiment and modification of this invention were demonstrated, these embodiment and modification are only examples, and do not limit the invention based on a claim. These novel embodiments and modifications can be implemented in various other forms, and various omissions, replacements, changes, and the like can be made without departing from the scope of the present invention. In addition, not all combinations of features described in these embodiments and modifications are necessarily essential to the means for solving the problems of the invention. Further, these embodiments and modifications are included in the scope and gist of the invention, and are included in the invention described in the claims and the equivalents thereof.

1…有機EL表示装置、3…保護膜、5…形成領域、6…非形成領域、10…第1のバリアフィルム、12…第2のバリアフィルム、14…透明電極、16…有機発光層、18…上部電極、20…補助電極、22…絶縁膜、24…接着層、30…側面、200…側面、205…前駆体膜、220…側面 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Organic EL display device, 3 ... Protective film, 5 ... Formation area | region, 6 ... Non-formation area | region, 10 ... 1st barrier film, 12 ... 2nd barrier film, 14 ... Transparent electrode, 16 ... Organic light emitting layer, DESCRIPTION OF SYMBOLS 18 ... Upper electrode, 20 ... Auxiliary electrode, 22 ... Insulating film, 24 ... Adhesive layer, 30 ... Side surface, 200 ... Side surface, 205 ... Precursor film, 220 ... Side surface

Claims (5)

透明電極が形成された基板を準備し、
前記透明電極上において補助電極を形成する形成領域の外の非形成領域に保護膜を形成し、
少なくとも前記形成領域及び前記保護膜上に前記補助電極の前駆体膜を形成し、
前記前駆体膜を加工して前記形成領域に前記補助電極を形成し、
前記保護膜を除去する、
有機EL表示装置の製造方法。
Prepare a substrate on which a transparent electrode is formed,
Forming a protective film in a non-formation region outside the formation region for forming the auxiliary electrode on the transparent electrode;
Forming a precursor film of the auxiliary electrode on at least the formation region and the protective film;
Processing the precursor film to form the auxiliary electrode in the formation region;
Removing the protective film,
A method for manufacturing an organic EL display device.
前記保護膜は、前記補助電極の厚みの二倍以上の厚みを有する、
請求項1に記載の有機EL表示装置の製造方法。
The protective film has a thickness that is twice or more the thickness of the auxiliary electrode.
The manufacturing method of the organic electroluminescent display apparatus of Claim 1.
前記保護膜は、前記非形成領域側の側面が逆テーパー形状となるように形成される、
請求項1又は2に記載の有機EL表示装置の製造方法。
The protective film is formed so that the side surface on the non-formation region side has an inversely tapered shape,
The manufacturing method of the organic electroluminescent display apparatus of Claim 1 or 2.
前記保護膜は、レジスト膜、又は前記補助電極とエッチング耐性が異なる金属膜である、
請求項1乃至3のいずれか1項に記載の有機EL表示装置の製造方法。
The protective film is a resist film or a metal film having etching resistance different from that of the auxiliary electrode.
The manufacturing method of the organic electroluminescence display of any one of Claims 1 thru | or 3.
基板と、
前記基板上に設けられた第1の電極と、
前記第1の電極上に設けられた有機発光層と、
前記有機発光層上に設けられた第2の電極と、
前記有機発光層側の側面がテーパー形状を有して前記第1の電極上に設けられ、前記第1の電極と電気的に接続する補助電極と、
を備えた有機EL表示装置。
A substrate,
A first electrode provided on the substrate;
An organic light emitting layer provided on the first electrode;
A second electrode provided on the organic light emitting layer;
A side electrode on the organic light emitting layer side having a tapered shape, provided on the first electrode, and an auxiliary electrode electrically connected to the first electrode;
An organic EL display device.
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