JP2018127424A - Novel imidazole derivative, and organic el element prepared therewith - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a novel imidazole derivative that emits light with high efficiency, and an organic EL element prepared therewith.SOLUTION: The present invention provides a benzoimidazophenanthridine compound represented by the following formula, and an imidazole derivative containing the same.SELECTED DRAWING: None

Description

本発明は、高い発光効率を有する新規イミダゾール誘導体、及びそれを用いた有機EL素子に関する。   The present invention relates to a novel imidazole derivative having high luminous efficiency and an organic EL device using the same.

有機EL(エレクトロニクス)素子では、一対の電極間に電圧を印加することにより、陽極から正孔が、陰極から電子が、発光材料として有機化合物を含む発光層にそれぞれ注入され、注入された電子及び正孔が再結合することによって、発光性の有機化合物中に励起子が形成され、励起された有機化合物から発光を得ることができる。   In an organic EL (electronics) element, by applying a voltage between a pair of electrodes, holes from the anode, electrons from the cathode, and a light-emitting layer containing an organic compound as a light-emitting material are injected. When holes recombine, excitons are formed in the light-emitting organic compound, and light emission can be obtained from the excited organic compound.

このような有機EL素子の実用性を向上させる手段の一つは、発光効率を上げることにある。有機化合物が形成する励起子には、一重項励起子(ES1)及び三重項励起子(ET1)があり、一重項励起子(ES1)からの蛍光発光と、三重項励起子(ET1)からのリン光発光とがあるが、素子におけるこれらの統計的な生成比率は、ES1:ET1=1:3であり、蛍光発光を用いる有機EL素子では内部量子効率25%が限界といわれる。そのため、電子からフォトンへの変換効率(内部量子効率)を向上させるべく、三重項励起状態を発光に変換することが可能なリン光発光材料が開発され、最近、このリン光発光を利用した有機EL素子が報告されている。 One means for improving the practicality of such an organic EL element is to increase the luminous efficiency. Excitons formed by organic compounds include singlet excitons (E S1 ) and triplet excitons (E T1 ). Fluorescence emission from singlet excitons (E S1 ) and triplet excitons (E Although there are a phosphorescence from T1), these statistical generation ratio in elements, E S1: E T1 = 1 : 3, and limit the internal quantum efficiency of 25% on an organic EL element using the fluorescent emission It is said. Therefore, in order to improve the conversion efficiency (internal quantum efficiency) from electrons to photons, a phosphorescent material capable of converting the triplet excited state into light emission has been developed. Recently, an organic material utilizing this phosphorescence emission has been developed. EL devices have been reported.

また、このような発光材料を有機EL素子のなかで利用するにあたっては、ホスト材料にドーパント材料をドーピングする方法が知られている。ドーピング法で形成された発光層では、ホストに注入された電荷から効率良く励起子を生成することができる。そして、生成された励起子の励起子エネルギーをドーパントに移動させ、ドーパントから高効率の発光を得ることができる。   In addition, when such a light emitting material is used in an organic EL element, a method of doping a host material with a dopant material is known. In the light emitting layer formed by the doping method, excitons can be efficiently generated from the charge injected into the host. And the exciton energy of the produced | generated exciton can be moved to a dopant, and highly efficient light emission can be obtained from a dopant.

ここで、ホストからリン光発光性のリン光ドーパントに分子間エネルギー移動を行うためには、ホストの三重項エネルギーEgHが、リン光ドーパントの三重項エネルギーEgDよりも大きいことが必要である。 Here, in order to perform intermolecular energy transfer from the host to the phosphorescent phosphorescent dopant, it is necessary that the triplet energy E gH of the host is larger than the triplet energy E gD of the phosphorescent dopant. .

三重項エネルギーEgHが有効に大きい材料としては、例えば、CBP(4,4’−ビス(N−カルバゾリル)ビフェニル)等が知られている。このような材料をホストとすれば、所定の発光波長(例えば、赤、緑)を有するリン光ドーパントに三重項励起子間でエネルギー移動させることで、高効率の発光素子が得られる。 For example, CBP (4,4′-bis (N-carbazolyl) biphenyl) is known as a material having a large triplet energy E gH . When such a material is used as a host, a highly efficient light-emitting element can be obtained by transferring energy between triplet excitons to a phosphorescent dopant having a predetermined emission wavelength (for example, red or green).

ところで、非特許文献1に記載された熱活性化遅延蛍光(TADF;thermally activated delayed fluorescence)材料は蛍光材料でありながら、リン光材料と同様、理論上100%の励起子生成確率を実現することが可能であり、高効率化に有用である。さらにIrやPtなどの貴金属が不要な分子設計につき、開発の低コスト化が可能である。したがって、このTADFを利用した発光材料を開発することにより、低コストでかつ、高効率の発光素子が得られると考えられる。   By the way, although the thermally activated delayed fluorescence (TADF) material described in Non-Patent Document 1 is a fluorescent material, it can theoretically realize an exciton generation probability of 100%, similarly to a phosphorescent material. It is possible to improve the efficiency. Furthermore, it is possible to reduce the development cost for molecular designs that do not require noble metals such as Ir and Pt. Therefore, it is considered that a light-emitting element with low cost and high efficiency can be obtained by developing a light-emitting material using this TADF.

特許文献1では、有機EL素子に用いる発光材料として、カルバゾール構造を含むピリジンカルボニトリル化合物がTADF材料になりうることが報告されている。
また、非特許文献2では、TADF材料として、カルバゾール/ピリジンジカルボニトリル誘導体を用いた青色の有機EL素子が記載され、外部量子効率21.2%と発光効率を示すことが報告されている。
Patent Document 1 reports that a pyridinecarbonitrile compound containing a carbazole structure can be a TADF material as a light-emitting material used in an organic EL element.
Non-Patent Document 2 describes a blue organic EL device using a carbazole / pyridinedicarbonitrile derivative as a TADF material, and reports that it has a luminous efficiency of 21.2%.

これらの有機EL素子では、従来の蛍光材料と比べて、理論外部量子効率が4倍ほど向上するが、遅延蛍光を高効率で得るためには、精密な分子設計が必要となるため、報告例は少ない。   In these organic EL devices, the theoretical external quantum efficiency is improved by about 4 times compared to conventional fluorescent materials, but in order to obtain delayed fluorescence with high efficiency, precise molecular design is required. There are few.

特開2015−172166号公報Japanese Patent Laying-Open No. 2015-172166

H. Uoyama, K. Goushi, K. Shizu, H. Nomura, C. Adachi, Nature 2012,492, 234.H. Uoyama, K. Goushi, K. Shizu, H. Nomura, C. Adachi, Nature 2012,492, 234. Wei Liu, Cai-Jun Zheng, Kai Wang, Zhan Chen, Dong-Yang Chen, Fan Li, Xue-Mei Ou, Yu-Ping Dong, and Xiao-Hong Zhang, Applied Materials & Interfaces 2015, 7, 18930Wei Liu, Cai-Jun Zheng, Kai Wang, Zhan Chen, Dong-Yang Chen, Fan Li, Xue-Mei Ou, Yu-Ping Dong, and Xiao-Hong Zhang, Applied Materials & Interfaces 2015, 7, 18930

本発明は、高効率に発光する新規イミダゾール誘導体、及びこれを用いた有機EL素子を提供することを課題とする。   An object of the present invention is to provide a novel imidazole derivative that emits light with high efficiency, and an organic EL device using the same.

本発明は以下の事項からなる。
本発明のイミダゾール誘導体は、下記一般式(1)で表されることを特徴とする。

Figure 2018127424
The present invention comprises the following items.
The imidazole derivative of the present invention is represented by the following general formula (1).
Figure 2018127424

一般式(1)中、R1〜R8及びR12〜R15はそれぞれ独立に、水素原子、脂肪族置換基又は芳香族置換基を表し、R1及びR2は互いに連結して環を形成してもよく、Xは−O−、−S−、−NR9−又は−CR1011−を表し、R9は水素原子、炭素原子数1〜20のアルキル基を表し、R10及びR11は、それぞれ独立に、芳香族置換基又は炭素原子数1〜20のアルキル基を表し、R10及びR11は互いに連結して環を形成してもよい。 In the general formula (1), R 1 to R 8 and R 12 to R 15 each independently represent a hydrogen atom, an aliphatic substituent or an aromatic substituent, and R 1 and R 2 are connected to each other to form a ring. it may be formed, X is -O -, - S -, - NR 9 - or -CR 10 R 11 - represents, R 9 represents a hydrogen atom, an alkyl group having a carbon number of 1 to 20, R 10 And R 11 each independently represents an aromatic substituent or an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, and R 10 and R 11 may be linked to each other to form a ring.

前記一般式(1)中、R1及びR2が水素原子であるか、又は、R1及びR2が互いに連結してフェニル基を形成しており、R3〜R15が水素原子又は炭素原子数1〜4の脂肪族炭化水素基であることが好ましい。 In the general formula (1), R 1 and R 2 are hydrogen atoms, or R 1 and R 2 are connected to each other to form a phenyl group, and R 3 to R 15 are hydrogen atoms or carbon atoms. It is preferably an aliphatic hydrocarbon group having 1 to 4 atoms.

本発明の有機EL素子は、上記イミダゾール誘導体を用いたものであることを特徴とする。   The organic EL device of the present invention is characterized by using the imidazole derivative.

本発明のイミダゾール誘導体は、熱活性化遅延蛍光(TADF)を示し、かつ、従来の蛍光材料と比べて外部量子効率を4倍以上に向上させ、発光を高効率化することができる。前記イミダゾール誘導体は、第2世代のリン光材料と比べても同等の効率を示すため、有機EL素子に好適に用いることができる。   The imidazole derivative of the present invention exhibits thermally activated delayed fluorescence (TADF), and can improve the external quantum efficiency by a factor of 4 or more as compared with conventional fluorescent materials, thereby improving the light emission efficiency. Since the imidazole derivative exhibits the same efficiency as the second generation phosphorescent material, it can be suitably used for an organic EL device.

図1はAc−BIPの1HNMRスペクトルを表す。FIG. 1 represents the 1 HNMR spectrum of Ac-BIP. 図2はPXZ−BIPの1HNMRスペクトルを表す。FIG. 2 represents the 1 HNMR spectrum of PXZ-BIP. 図3はPXZ−IPの1HNMRスペクトルを表す。FIG. 3 represents the 1 HNMR spectrum of PXZ-IP. 図4は、Ac−BIP、PXZ−BIPおよびPXZ−IPのそれぞれのトルエン溶液(10-5M)の紫外・可視(UV−vis)吸収スペクトルを表す。FIG. 4 represents an ultraviolet-visible (UV-vis) absorption spectrum of each toluene solution (10 −5 M) of Ac-BIP, PXZ-BIP and PXZ-IP. 図5は、Ac−BIP、PXZ−BIPおよびPXZ−IPのそれぞれの単膜(neatfilm)の紫外・可視(UV−vis)吸収スペクトルを表す。FIG. 5 shows the ultraviolet-visible (UV-vis) absorption spectrum of each of the single films of Ac-BIP, PXZ-BIP and PXZ-IP. 図6は、Ac−BIP、PXZ−BIPおよびPXZ−IPのそれぞれの10wt%DPEPO共蒸着膜の紫外・可視(UV−vis)吸収スペクトルを表す。FIG. 6 shows UV-vis absorption spectra of 10 wt% DPEPO co-deposited films of Ac-BIP, PXZ-BIP and PXZ-IP. 図7は、300Kおよび5Kにおいて、ストリークカメラを用いて測定したAc−BIPのPL過渡スペクトルを表す。図7(a)はPLスペクトルを表し、図7(b)はPLが時間とともに減衰する様子を表す。蛍光スペクトル(Flu.)は10wt%DPEPO共蒸着膜にて測定し、リン光スペクトル(Phos.)は単膜にて測定した。FIG. 7 represents the PL-transient spectrum of Ac-BIP measured using a streak camera at 300K and 5K. Fig.7 (a) represents PL spectrum and FIG.7 (b) represents a mode that PL attenuate | damps with time. The fluorescence spectrum (Flu.) Was measured with a 10 wt% DPEPO co-deposited film, and the phosphorescence spectrum (Phos.) Was measured with a single film. 図8は、300Kおよび5Kにおいて、ストリークカメラを用いて測定したPXZ−BIPのPL過渡スペクトルを表す。図8(a)はPLスペクトルを表し、図8(b)はPL減衰曲線を表す。蛍光スペクトル(Flu.)およびはリン光スペクトル(Phos.)ともに、10wt%DPEPO共蒸着膜を用いて測定した。FIG. 8 represents the PL transient spectrum of PXZ-BIP measured with a streak camera at 300K and 5K. FIG. 8A shows a PL spectrum, and FIG. 8B shows a PL attenuation curve. Both the fluorescence spectrum (Flu.) And the phosphorescence spectrum (Phos.) Were measured using a 10 wt% DPEPO co-deposited film. 図9は、300Kおよび5Kにおいて、ストリークカメラを用いて測定したPXZ−IPのPL過渡スペクトルを表す。図9(a)はPLスペクトルを表し、図9(b)はPL減衰曲線を表す。蛍光スペクトル(Flu.)およびリン光スペクトル(Phos.)ともに、10wt%DPEPO共蒸着膜を用いて測定した。FIG. 9 represents the PL transient spectrum of PXZ-IP measured with a streak camera at 300K and 5K. FIG. 9A shows a PL spectrum, and FIG. 9B shows a PL attenuation curve. Both fluorescence spectrum (Flu.) And phosphorescence spectrum (Phos.) Were measured using a 10 wt% DPEPO co-deposited film. 図10はAc−BIP単膜のPYS測定結果を表す。FIG. 10 shows the PYS measurement results of the Ac-BIP single film. 図11はPXZ−BIP単膜のPYS測定結果を表す。FIG. 11 shows the PYS measurement results of the PXZ-BIP single film. 図12はPXZ−IP単膜のPYS測定結果を表す。FIG. 12 shows the PYS measurement results of the PXZ-IP single film. 図13は、Ac−BIP、PXZ−BIP、およびPXZ−IPのそれぞれを含むシングル発光層から形成されたデバイスに電流1mAを流したときのEL発光スペクトルを表す。FIG. 13 shows an EL emission spectrum when a current of 1 mA is passed through a device formed from a single light-emitting layer containing each of Ac-BIP, PXZ-BIP, and PXZ-IP. 図14(a)は、Ac−BIP、PXZ−BIP、およびPXZ−IPのそれぞれを含む、シングル発光層から形成されたデバイスの外部量子効率−輝度特性の関係を表し、図14(b)は、該デバイスの電流密度−電圧特性及び輝度−電圧特性の関係を表し、図14(c)は、該デバイスの電力効率−輝度特性の関係を表し、図14(c)は、該デバイスの電流効率−輝度特性の関係を表す。FIG. 14A shows the relationship between external quantum efficiency and luminance characteristics of a device formed from a single light-emitting layer including each of Ac-BIP, PXZ-BIP, and PXZ-IP, and FIG. FIG. 14C shows the relationship between the current density-voltage characteristic and the luminance-voltage characteristic of the device, FIG. 14C shows the relationship between the power efficiency-luminance characteristic of the device, and FIG. 14C shows the current of the device. This represents the relationship between efficiency and luminance characteristics. 図15は、PXZ−BIPを含むデバイスに電流1mAを流したときのELスペクトルを、シングル発光層とダブル発光層とで比較して表す。FIG. 15 shows EL spectra when a current of 1 mA is passed through a device including PXZ-BIP by comparing a single light emitting layer and a double light emitting layer. 図16(a)は、PXZ−BIPを含むデバイスの外部量子効率−輝度特性の関係を表し、図16(b)は、該デバイスの電流密度−電圧特性及び輝度−電圧特性の関係を表し、図16(c)は、該デバイスの電力効率−輝度特性の関係を表し、図16(d)は、該デバイスの電流効率−輝度特性の関係を表す。図16(a)〜(d)は、シングル発光層とダブル発光層とを比較して表す。FIG. 16A represents the relationship between external quantum efficiency and luminance characteristics of a device including PXZ-BIP, and FIG. 16B represents the relationship between current density-voltage characteristics and luminance-voltage characteristics of the device. FIG. 16C shows the relationship between the power efficiency and luminance characteristics of the device, and FIG. 16D shows the relationship between the current efficiency and luminance characteristics of the device. FIGS. 16A to 16D show a single light emitting layer and a double light emitting layer in comparison. 図17は有機EL素子の典型的な構成を示す。FIG. 17 shows a typical configuration of an organic EL element.

以下、本発明について、詳細に説明する。
[イミダゾール誘導体]
本発明のイミダゾール誘導体は、下記一般式(1)で表される。

Figure 2018127424
Hereinafter, the present invention will be described in detail.
[Imidazole derivatives]
The imidazole derivative of the present invention is represented by the following general formula (1).
Figure 2018127424

一般式(1)中、R1〜R8及びR12〜R15はそれぞれ独立に、水素原子、脂肪族置換基又は芳香族置換基を表し、R1及びR2は互いに連結して環を形成してもよく、Xは−O−、−S−、−NR9−又は−CR1011−を表し、R9は水素原子、炭素原子数1〜20のアルキル基を表し、R10及びR11は、それぞれ独立に、芳香族置換基又は炭素原子数1〜20のアルキル基を表し、R10及びR11は互いに連結して環を形成してもよい。 In the general formula (1), R 1 to R 8 and R 12 to R 15 each independently represent a hydrogen atom, an aliphatic substituent or an aromatic substituent, and R 1 and R 2 are connected to each other to form a ring. it may be formed, X is -O -, - S -, - NR 9 - or -CR 10 R 11 - represents, R 9 represents a hydrogen atom, an alkyl group having a carbon number of 1 to 20, R 10 And R 11 each independently represents an aromatic substituent or an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, and R 10 and R 11 may be linked to each other to form a ring.

脂肪族置換基には、炭素原子数1〜20の炭化水素基、具体的には、炭素原子数1〜20のアルキル基が挙げられる。メチル基、エチル基、プロピル基、2−プロピル基、ブチル基、イソブチル基、t−ブチル基が好ましく、R2の脂肪族置換基には、メチル基、エチル基、プロピル基、2−プロピル基、ブチル基、イソブチル基、t−ブチル基が好ましい。
また、前記脂肪族置換基及びアルキル基の水素原子の一部は、本発明の効果を損なわない範囲内で、窒素原子、酸素原子、硫黄原子などで置換されていてもよい。
芳香族置換基には、炭素原子数6〜22の芳香族置換基、具体的には、具体的には、フェニル基、ビフェニル基、ナフチル基、アントラセニル基、フェナントレニル基、トリフェニレニル基、及びターフェニル基等が挙げられる。このうち、フェニル基、ビフェニル基、ターフェニル基及びトリフェニレニル基が好ましい。上記芳香族置換基を構成する水素原子の一部は、本発明の効果を損なわない範囲内で、窒素原子、酸素原子、硫黄原子などで置換されていてもよい。
1及びR2と、R10及びR11とは、それぞれ互いに連結して、4〜6員環を形成してもよい。
The aliphatic substituent includes a hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms, specifically, an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms. Methyl group, ethyl group, propyl group, 2-propyl group, a butyl group, an isobutyl group, a t- butyl group are preferred, the aliphatic substituents of R 2, a methyl group, an ethyl group, a propyl group, 2-propyl group , A butyl group, an isobutyl group, and a t-butyl group are preferable.
In addition, a part of the hydrogen atoms of the aliphatic substituent and the alkyl group may be substituted with a nitrogen atom, an oxygen atom, a sulfur atom or the like within a range not impairing the effects of the present invention.
The aromatic substituent includes aromatic substituents having 6 to 22 carbon atoms, specifically, phenyl group, biphenyl group, naphthyl group, anthracenyl group, phenanthrenyl group, triphenylenyl group, and terphenyl. Groups and the like. Among these, a phenyl group, a biphenyl group, a terphenyl group, and a triphenylenyl group are preferable. A part of the hydrogen atoms constituting the aromatic substituent may be substituted with a nitrogen atom, an oxygen atom, a sulfur atom or the like within a range not impairing the effects of the present invention.
R 1 and R 2 and R 10 and R 11 may be connected to each other to form a 4- to 6-membered ring.

上記イミダゾール誘導体はπ共役系を有する。π共役系を持つ分子は可視領域に光吸収帯を有し、その多くが色素として機能しうることが知られている。さらに、このような分子に官能基を適宜付加して電子的性質を変えることで、エネルギーギャップを調節することができる。すなわち、本発明では、イミダゾール誘導体における、一重項励起状態(ES1)と三重項励起状態(ET1)とのエネルギーギャップをできるだけ小さくするよう分子設計することで、いったん三重項励起状態に移ったエネルギーを、再び一重項励起状態に戻すことが可能となり、効率の高い蛍光を取り出すことができる。 The imidazole derivative has a π-conjugated system. It is known that molecules having a π-conjugated system have a light absorption band in the visible region, and many of them can function as a dye. Furthermore, the energy gap can be adjusted by appropriately adding functional groups to such molecules to change the electronic properties. That is, in the present invention, the molecular design is performed so that the energy gap between the singlet excited state (E S1 ) and the triplet excited state (E T1 ) in the imidazole derivative is as small as possible, so that the triplet excited state is once shifted. Energy can be returned to the singlet excited state again, and highly efficient fluorescence can be extracted.

本発明のイミダゾール誘導体は、熱活性化遅延蛍光(TADF)分子であり、かつ、青色(430〜480nm)で発光する化合物である。
さらに、前記一般式(1)中、nが1又は2であるとき、上記イミダゾール誘導体は、安定的にπ共役系を維持できるため、長寿命の青色発光を示すことができる。
The imidazole derivative of the present invention is a thermally activated delayed fluorescence (TADF) molecule and a compound that emits light in blue (430 to 480 nm).
Furthermore, when n is 1 or 2 in the general formula (1), the imidazole derivative can stably maintain a π-conjugated system, and thus can exhibit long-life blue light emission.

上記一般式(1)で表されるイミダゾール誘導体は、以下の構造式で表される化合物であることが好ましい。

Figure 2018127424
Figure 2018127424
Figure 2018127424
Figure 2018127424
Figure 2018127424
Figure 2018127424
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Figure 2018127424
Figure 2018127424
そして、上記一般式(1)で表されるイミダゾール誘導体には、以下の化合物がより好ましい。 The imidazole derivative represented by the general formula (1) is preferably a compound represented by the following structural formula.
Figure 2018127424
Figure 2018127424
Figure 2018127424
Figure 2018127424
Figure 2018127424
Figure 2018127424
Figure 2018127424
Figure 2018127424
Figure 2018127424
The following compounds are more preferable for the imidazole derivative represented by the general formula (1).

Figure 2018127424
Figure 2018127424

[イミダゾール誘導体の製造方法]
本発明のイミダゾール誘導体は、例えば、以下に示す方法により製造することができる。Ac−BIPの製造方法を一例に示す。

Figure 2018127424
[Method for producing imidazole derivative]
The imidazole derivative of the present invention can be produced, for example, by the method shown below. A method for producing Ac-BIP is shown as an example.
Figure 2018127424

2−(4−クロロフェニル)ベンズイミダゾールと1,2−ジブロモベンゼンとを、Pd(II)及びXPhos配位子を用い、炭酸カリウム存在下、DMF中で加熱還流することにより、6−クロロベンゾ[4,5]イミダゾ[1,2−f]フェナントリジン(BIP)を得る。さらに、BIPと9,10−ジヒドロ−9,9−ジメチルアクリジンとを、Pd(II)及びP(t−Bu)3HBF4を用い、炭酸カリウム存在下、キシレン中で加熱還流することにより、収率58%でAc−BIPを得る。
ただし、上記一般式(1)で表されるイミダゾール誘導体は、上記した方法に限られず、種々の公知の方法で製造することができる。
2- (4-Chlorophenyl) benzimidazole and 1,2-dibromobenzene are heated to reflux in DMF in the presence of potassium carbonate using Pd (II) and XPhos ligands to give 6-chlorobenzo [4 , 5] imidazo [1,2-f] phenanthridine (BIP). Further, BIP and 9,10-dihydro-9,9-dimethylacridine are heated and refluxed in xylene in the presence of potassium carbonate using Pd (II) and P (t-Bu) 3 HBF 4 . Ac-BIP is obtained with a yield of 58%.
However, the imidazole derivative represented by the general formula (1) is not limited to the above-described method, and can be produced by various known methods.

[有機EL素子]
本発明の有機EL素子は、上記イミダゾール誘導体を用いたものである。
ここで、図17に上記有機EL素子の典型的な層構造を示す。
上記有機EL素子は、典型的には、基板1上に陽極2として、例えば、酸化インジウムスズ(ITO)等を成膜し、その上に正孔注入層3、正孔輸送層4、発光層5、電子輸送層6、電子注入層7及び陰極8がこの順に積層されてなる。
[Organic EL device]
The organic EL element of the present invention uses the imidazole derivative.
Here, FIG. 17 shows a typical layer structure of the organic EL element.
The organic EL element typically has, for example, an indium tin oxide (ITO) film formed on the substrate 1 as the anode 2, and a hole injection layer 3, a hole transport layer 4, and a light emitting layer thereon. 5, the electron transport layer 6, the electron injection layer 7, and the cathode 8 are laminated | stacked in this order.

基板1には、透明かつ平滑であって、少なくとも70%以上の全光線透過率を有するものが用いられ、具体的には、フレキシブルな透明基板である、数μm厚のガラス基板や特殊な透明プラスチック等が用いられる。   The substrate 1 is transparent and smooth and has a total light transmittance of at least 70%. Specifically, the substrate 1 is a flexible transparent substrate such as a glass substrate having a thickness of several μm or a special transparent substrate. Plastic or the like is used.

基板上に形成される、陽極2、正孔注入層3、正孔輸送層4、発光層5、電子輸送層6、電子注入層7、陰極8といった薄膜は、真空蒸着法又は塗布法で積層される。真空蒸着法を用いる場合、通常10-3Pa以下に減圧した雰囲気で、蒸着物を加熱して行う。各層の膜厚は、層の種類や使用する材料によって異なるが、通常、陽極2及び陰極8は100nm程度、発光層5を含む他の層は50nm未満である。なお、電子注入層7等は、例えば1nm以下の厚みで形成されることもある。 Thin films such as the anode 2, the hole injection layer 3, the hole transport layer 4, the light emitting layer 5, the electron transport layer 6, the electron injection layer 7 and the cathode 8 formed on the substrate are laminated by a vacuum deposition method or a coating method. Is done. When using a vacuum vapor deposition method, the deposited material is usually heated in an atmosphere reduced to 10 −3 Pa or lower. The thickness of each layer varies depending on the type of layer and the material used, but usually the anode 2 and the cathode 8 are about 100 nm, and the other layers including the light emitting layer 5 are less than 50 nm. The electron injection layer 7 or the like may be formed with a thickness of 1 nm or less, for example.

陽極2には、仕事関数が大きく、また全光線透過率は通常80%以上であるものが用いられる。具体的には、陽極2から発光した光を透過させるため、ITOやZnO等の透明導電性セラミックス、PEDOT/PSSやポリアニリン等の透明導電性高分子、その他の透明導電性材料が用いられる。陽極2の膜厚は、通常10〜200nmである。   The anode 2 has a large work function and a total light transmittance of usually 80% or more. Specifically, in order to transmit light emitted from the anode 2, transparent conductive ceramics such as ITO and ZnO, transparent conductive polymers such as PEDOT / PSS and polyaniline, and other transparent conductive materials are used. The film thickness of the anode 2 is usually 10 to 200 nm.

発光層5には、有機EL素子で用いられる他の発光層と同様に、本発明の発光材料であるイミダゾール誘導体と共にホスト化合物を併用することが好ましい。ホスト化合物としては、蛍光及びTADFに基づく発光特性を損なわないものであれば、制限されないが、例えば、ビス[2−(ジフェニルホスフィノ)フェニル]エーテルオキシド(DPEPO)、3,6−ビス(ジフェニルホルホリル)−9−フェニルカルバゾール(PO9)、4,4’−ビス(N−カルバゾリル)−1,1’−ビフェニル(CBP)、トリス(4−カルバゾイル−9−イルフェニル)アミン(TCTA)、2,8−ビス(ジフェニルホスホリル)ジベンゾチオフェン(PPT)、アダマンタン・アントラセン(Ad−Ant)、ルブレン、及び2,2’−ビ(9,10−ジフェニルアントラセン)(TPBA)等が挙げられる。発光層5を構成する成分中、本発明の発光材料(イミダゾール誘導体)及びホスト化合物の含有率は、1〜50wt%、好ましくは5〜10wt%である。   In the light emitting layer 5, like the other light emitting layers used in the organic EL device, it is preferable to use a host compound together with the imidazole derivative which is the light emitting material of the present invention. The host compound is not limited as long as it does not impair the emission characteristics based on fluorescence and TADF. For example, bis [2- (diphenylphosphino) phenyl] ether oxide (DPEPO), 3,6-bis (diphenyl) Forphoryl) -9-phenylcarbazole (PO9), 4,4′-bis (N-carbazolyl) -1,1′-biphenyl (CBP), tris (4-carbazoyl-9-ylphenyl) amine (TCTA) 2,8-bis (diphenylphosphoryl) dibenzothiophene (PPT), adamantane anthracene (Ad-Ant), rubrene, and 2,2′-bi (9,10-diphenylanthracene) (TPBA). In the components constituting the light emitting layer 5, the content of the light emitting material (imidazole derivative) and the host compound of the present invention is 1 to 50 wt%, preferably 5 to 10 wt%.

陽極2から正孔を効率良く発光層に輸送するために陽極2と発光層5の間に正孔輸送層4が設けられる。正孔輸送層4を形成する正孔輸送材料には、例えば、4,4’−シクロヘキシリデンビス[N,N−ビス(4−メチルフェニル)ベンゼンアミン](TAPC)、N,N’−ジフェニル−N,N’−ジ(m−トリル)ベンジジン(TPD)、N,N’−ジ(1−ナフチル)−N,N’−ジフェニルベンジジン(α−NPD)、1,3−ジ(カルバゾリル−9−イル)ベンゼン)(mCP)及び4,4’,4’’−トリス[フェニル(m−トリル)アミノ]トリフェニルアミン等が挙げられる。正孔輸送層4の膜厚は、目的の設計に応じて適宜変更することができるが、通常、5〜100nmである。   In order to efficiently transport holes from the anode 2 to the light emitting layer, a hole transport layer 4 is provided between the anode 2 and the light emitting layer 5. Examples of the hole transport material forming the hole transport layer 4 include 4,4′-cyclohexylidenebis [N, N-bis (4-methylphenyl) benzeneamine] (TAPC), N, N′—. Diphenyl-N, N′-di (m-tolyl) benzidine (TPD), N, N′-di (1-naphthyl) -N, N′-diphenylbenzidine (α-NPD), 1,3-di (carbazolyl) -9-yl) benzene) (mCP) and 4,4 ′, 4 ″ -tris [phenyl (m-tolyl) amino] triphenylamine. Although the film thickness of the positive hole transport layer 4 can be suitably changed according to the target design, it is 5-100 nm normally.

陰極から電子を効率良く発光層に輸送するために陰極8と発光層5の間に電子輸送層6が設けられる。電子輸送層6を形成する電子輸送材料には、例えば、4,6−ビス(3,5−ジ(ピリジン−3−イル)フェニル)−2−メチルピリミジン(B3PymPm)、4,6−ビス(3,5−ジ(ピリジン−4−イル)フェニル)−2−フェニルピリミジン(B4PyPPm)、2−(4−ビフェニリル)−5−(p−t−ブチルフェニル)−1,3,4−オキサジアゾール(tBu−PBD)、1,3−ビス[5−(4−t−ブチルフェニル)−2−[1,3,4]オキサジアゾリル]ベンゼン(OXD−7)、3−(ビフェニル−4−イル)−5−(4−t−ブチルフェニル)−4−フェニル−4H−1,2,4−トリアゾール(TAZ)、バソクプロイン(BCP)、1,3,5−トリス(1−フェニル−1H−ベンズイミダゾール−2−イル)ベンゼン(TPBi)等が挙げられる。電子輸送層6の膜厚は、目的の設計に応じて適宜変更することができるが、通常、5〜100nmである。   An electron transport layer 6 is provided between the cathode 8 and the light emitting layer 5 in order to efficiently transport electrons from the cathode to the light emitting layer. Examples of the electron transport material forming the electron transport layer 6 include 4,6-bis (3,5-di (pyridin-3-yl) phenyl) -2-methylpyrimidine (B3PymPm), 4,6-bis ( 3,5-di (pyridin-4-yl) phenyl) -2-phenylpyrimidine (B4PyPPm), 2- (4-biphenylyl) -5- (pt-butylphenyl) -1,3,4-oxadi Azole (tBu-PBD), 1,3-bis [5- (4-t-butylphenyl) -2- [1,3,4] oxadiazolyl] benzene (OXD-7), 3- (biphenyl-4-yl) ) -5- (4-tert-butylphenyl) -4-phenyl-4H-1,2,4-triazole (TAZ), bathocuproine (BCP), 1,3,5-tris (1-phenyl-1H-benz Imidazole-2- Le) benzene (TPBi), and the like. Although the film thickness of the electron carrying layer 6 can be suitably changed according to the target design, it is 5-100 nm normally.

陰極8には、仕事関数が低く(4eV以下)、かつ、化学的に安定なものが用いられる。
具体的には、Al、MgAg合金、又は、AlLiやAlCa等のAlとアルカリ金属との合金等の陰極材料が用いられる。これらの陰極材料は、例えば、抵抗加熱蒸着法、電子ビーム蒸着法、スパッタリング法、又はイオンプレーティング法により成膜される。陰極の厚さは、通常10nm〜1μm、好ましくは50〜500nmである。
As the cathode 8, a cathode having a low work function (4 eV or less) and chemically stable is used.
Specifically, a cathode material such as Al, MgAg alloy, or an alloy of Al and an alkali metal such as AlLi or AlCa is used. These cathode materials are formed by, for example, resistance heating vapor deposition, electron beam vapor deposition, sputtering, or ion plating. The thickness of the cathode is usually 10 nm to 1 μm, preferably 50 to 500 nm.

上記正孔輸送層4又は電子輸送層6のうち、それぞれ、陽極2又は陰極8からの電荷注入効率を改善する機能を有し、有機EL素子の駆動電圧を下げる効果を発揮させる層として、正孔注入層3及び電子注入層7を設けてもよい。   Of the hole transport layer 4 and the electron transport layer 6, a layer having a function of improving the charge injection efficiency from the anode 2 or the cathode 8, respectively, and exhibiting an effect of lowering the driving voltage of the organic EL element, A hole injection layer 3 and an electron injection layer 7 may be provided.

正孔注入層3を形成する正孔注入材料には、例えば、銅フタロシアニン等のフタロシアニン錯体、4,4’,4”−トリス(3―メチルフェニルフェニルアミノ)トリフェニルアミン等の芳香族アミン誘導体、ヒドラゾン誘導体、カルバゾール誘導体、トリアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、アミノ基を有するオキサジアゾール誘導体、及びポリチオフェン等が挙げられる。正孔注入層3の膜厚は、通常5〜300nmである。   Examples of the hole injection material for forming the hole injection layer 3 include phthalocyanine complexes such as copper phthalocyanine, and aromatic amine derivatives such as 4,4 ′, 4 ″ -tris (3-methylphenylphenylamino) triphenylamine. , Hydrazone derivatives, carbazole derivatives, triazole derivatives, imidazole derivatives, oxadiazole derivatives having an amino group, polythiophene, etc. The thickness of the hole injection layer 3 is usually 5 to 300 nm.

電子注入層7を形成する電子輸送材料には、例えば、Ba、Ca、CaF、LiF、Li及びNaFが挙げられる。電子注入層7の膜厚は、通常3〜50nmである。   Examples of the electron transport material forming the electron injection layer 7 include Ba, Ca, CaF, LiF, Li, and NaF. The film thickness of the electron injection layer 7 is usually 3 to 50 nm.

その他、正孔阻止層、電子阻止層及び励起子阻止層等の層が、必要に応じてさらに形成される。   In addition, layers such as a hole blocking layer, an electron blocking layer, and an exciton blocking layer are further formed as necessary.

以下、本発明を実施例に基づいてさらに具体的に説明するが、本発明は下記実施例により制限されるものではない。   EXAMPLES Hereinafter, although this invention is demonstrated further more concretely based on an Example, this invention is not restrict | limited by the following Example.

[イミダゾール誘導体の合成]
生成物の精製及び同定に使用した機器は以下のとおりである。
(1)1H核磁気共鳴(NMR)装置
日本電子(株)製(400MHz)JNM−EX270FT−NMR型
(2)質量分析(MS)装置
日本電子(株)製JMS−K9[卓上GCQMS]及びWaters(株)製Zspray(SQ検出器2)
(3)昇華精製装置
温度斜傾型電気炉、形式:NPF80−500型、会社名:コスモ・テック(株)
サーマル定流量装置、形式:MC−1A、会社名:コフロック(株)
ロータリーポンプ、形式:GLD−136C、会社名:アルバック機工(株)
(4)元素分析装置
Perkin Elmer 2400II CHNS/O アナライザー
測定モード:CHNモード
(5)熱分析装置
(株)パーキンエルマージャパン製 TGAダイアモンド及びDSCDTA
[Synthesis of imidazole derivatives]
The equipment used for product purification and identification is as follows.
(1) 1 H nuclear magnetic resonance (NMR) apparatus JEOL Ltd. (400 MHz) JNM-EX270FT-NMR type (2) mass spectrometry (MS) apparatus JEOL Ltd. JMS-K9 [desktop GCQMS] and Zspray (SQ detector 2) manufactured by Waters
(3) Sublimation refining equipment Temperature gradient electric furnace, model: NPF80-500, company name: Cosmo Tech Co., Ltd.
Thermal constant flow rate device, model: MC-1A, company name: Coflock Co., Ltd.
Rotary pump, model: GLD-136C, company name: ULVAC Kiko Co., Ltd.
(4) Elemental analyzer Perkin Elmer 2400II CHNS / O analyzer Measurement mode: CHN mode (5) Thermal analyzer TGA diamond and DSCDTA manufactured by PerkinElmer Japan Co., Ltd.

[実施例1]Ac−BIPの合成

Figure 2018127424
[Example 1] Synthesis of Ac-BIP
Figure 2018127424

[ステップ 1]6-クロロ-ベンゾ[4,5]イミダゾ[1,2-f]フェナントリジン (BIP)の合成
温度計と還流管を付した50mLの4つ口フラスコに2-(4-クロロフェニル)ベンズイミダゾール (1.83g、8mmol)、K2CO3(20mL、24mmol)を加え、15分間窒素フローを行った。続いて、1,2-ジブロモベンゼン (20mL、41mmol)とDMF (70mL)を加え、1時間窒素バブリングを行い、その後Pd(OAc)2 (269mg、1.5mmol)、XPhos (1.14g、2.4mmol)を加え、140℃に加熱した。87時間後に反応を停止させ、酢酸エチルと水で分液し、無水硫酸ナトリウムで脱水し、乾燥させた。シリカゲルクロマトグラフィー(ヘキサン:酢酸エチル =10:2)にて精製し、メタノールにて分散洗浄を行い、白色固体0.6gを得た。ASAP-MS及び1HNMRより目的物を同定した。ASAP-MS: m/z=303.1[M+]
[Step 1] Synthesis of 6-chloro-benzo [4,5] imidazo [1,2-f] phenanthridine (BIP) In a 50 mL four-necked flask equipped with a thermometer and a reflux tube, add 2- (4- Chlorophenyl) benzimidazole (1.83 g, 8 mmol) and K 2 CO 3 (20 mL, 24 mmol) were added and a nitrogen flow was performed for 15 minutes. Subsequently, 1,2-dibromobenzene (20 mL, 41 mmol) and DMF (70 mL) were added, and nitrogen bubbling was performed for 1 hour, and then Pd (OAc) 2 (269 mg, 1.5 mmol), XPhos (1.14 g, 2.4 mmol) And heated to 140 ° C. After 87 hours, the reaction was stopped, liquid-separated with ethyl acetate and water, dehydrated with anhydrous sodium sulfate, and dried. The product was purified by silica gel chromatography (hexane: ethyl acetate = 10: 2) and dispersed and washed with methanol to obtain 0.6 g of a white solid. The target product was identified by ASAP-MS and 1 HNMR. ASAP-MS: m / z = 303.1 [M + ]

[ステップ 2]Ac-BIPの合成
温度計と還流管を付した25mLの4つ口フラスコに6-クロロ-ベンゾ[4,5]イミダゾ[1,2-f]フェナントリジン (BIP) (561mg、1.85mmol)、9,10-ジヒドロ-9,9-ジメチルアクリジン (464mg、2.22mmol)、K2CO3(767mg、5.55mmol)を入れ15分間窒素フローを行った。続いてキシレン(30mL)を投入し、1時間窒素バブリングを行い、Pd(OAc)2 (44.3mg、0.2mmol)、[(t Bu)3PH]BF4 (163.3mg、0.56mmol)を投入し、加熱還流した。20時間後、反応の進行が見られなくなったため、Pd(OAc)2 (44.3mg、0.2mmol)、[(t Bu)3PH]BF4 (163.3mg、0.56mmol)、キシレン (10mL)を追加した。42時間後、反応を停止させ、酢酸エチルで吸引ろ過し、分液(水:50mL×3、飽和食塩水:50mL×5)にて有機層を抽出した。有機層を無水硫酸ナトリウムで脱水し、溶液を濃縮した。シリカゲルクロマトグラフィー(トルエン : 酢酸エチル/10 :1)にて精製し、白色固体365mgを得た。
ASAP-MS、TGA/DSC測定、元素分析、及び1HNMRにて同定した。
結果を以下に示す。図1に1HNMRスペクトルを示す。
ASAP-MS : m/z = 476.4 [M+]
融点(Tm) 310℃
5%重量減衰温度(Td5) 393℃
元素分析:理論値 C,85.87%;H,5.30 %;N,8.84 %、
実測値 C,85.88%;H,5.01 %;N,8.81 %
[Step 2] Synthesis of Ac-BIP 6-Chloro-benzo [4,5] imidazo [1,2-f] phenanthridine (BIP) (561mg) in a 25mL 4-neck flask with thermometer and reflux tube , 1.85 mmol), 9,10-dihydro-9,9-dimethylacridine (464 mg, 2.22 mmol) and K 2 CO 3 (767 mg, 5.55 mmol) were added, and nitrogen flow was performed for 15 minutes. Subsequently, xylene (30 mL) was added, nitrogen bubbling was performed for 1 hour, and Pd (OAc) 2 (44.3 mg, 0.2 mmol) and [( t Bu) 3 PH] BF 4 (163.3 mg, 0.56 mmol) were added. And heated to reflux. After 20 hours, the progress of the reaction was not observed, so Pd (OAc) 2 (44.3 mg, 0.2 mmol), [( t Bu) 3 PH] BF 4 (163.3 mg, 0.56 mmol), and xylene (10 mL) were added. did. After 42 hours, the reaction was stopped, suction filtration was performed with ethyl acetate, and the organic layer was extracted with liquid separation (water: 50 mL × 3, saturated saline: 50 mL × 5). The organic layer was dried over anhydrous sodium sulfate and the solution was concentrated. Purification by silica gel chromatography (toluene: ethyl acetate / 10: 1) gave 365 mg of a white solid.
They were identified by ASAP-MS, TGA / DSC measurement, elemental analysis, and 1 HNMR.
The results are shown below. FIG. 1 shows the 1 HNMR spectrum.
ASAP-MS: m / z = 476.4 [M + ]
Melting point ( Tm ) 310 ℃
5% weight decay temperature (T d5 ) 393 ℃
Elemental analysis: Theoretical value C, 85.87%; H, 5.30%; N, 8.84%,
Found C, 85.88%; H, 5.01%; N, 8.81%

[実施例2]PXZ−BIPの合成

Figure 2018127424
[Example 2] Synthesis of PXZ-BIP
Figure 2018127424

[ステップ 1]BIPの合成
実施例1のステップ1に記載した方法により合成した。
[ステップ 2]PXZ-BIPの合成
温度計と還流管を付した50mLの4つ口フラスコに6-クロロ-ベンゾ[4,5]イミダゾ[1,2-f]フェナントリジン (BIP) (910mg、3mmol)、フェノキサジン(659mg、3.6mmol)及びK2CO3 (1.24g、9mmol)を入れ40分間窒素フローを行った。続いてキシレン(30mL)を投入し1.4時間窒素バブリングを行い、Pd(OAc)2 (33.7mg、0.15mmol)、[(t Bu)3PH]BF4 (131mg、0.45mmol)を投入し、加熱還流した。20時間後、反応の進行が見られなくなったため、Pd(OAc)2 (44.3mg、0.2mmol)、[(t Bu)3PH]BF4 (163.3mg、0.56mmol)、及びキシレン(50mL)を追加した。15時間後、反応を停止させ、トルエンで吸引ろ過した後、水、飽和食塩水及びトルエンで分液し、有機層を無水硫酸ナトリウムで脱水し、溶液を濃縮した。シリカゲルクロマトグラフィー(トルエン : 酢酸エチル /40 :1)にて精製し、黄色固体460mgを得た。
ASAP-MS、TGA/DSC測定、元素分析、及び1HNMRにて同定した。
結果を以下に示す。図2に1HNMRスペクトルを示す。
ASAP-MS : m/z = 450.5 [M+]
融点(Tm) 313℃
5%重量減衰温度(Td5) 395℃
元素分析:理論値 C,82.83%;H,4.26 %;N,9.35 %、
実測値 C,82.67%;H,4.14 %;N,9.29 %
[Step 1] Synthesis of BIP The BIP was synthesized by the method described in Step 1 of Example 1.
[Step 2] Synthesis of PXZ-BIP 6-Chloro-benzo [4,5] imidazo [1,2-f] phenanthridine (BIP) (910mg) in a 50mL 4-neck flask equipped with a thermometer and a reflux tube 3 mmol), phenoxazine (659 mg, 3.6 mmol) and K 2 CO 3 (1.24 g, 9 mmol) were added, and nitrogen flow was performed for 40 minutes. Subsequently, xylene (30 mL) was added and nitrogen bubbling was performed for 1.4 hours. Pd (OAc) 2 (33.7 mg, 0.15 mmol) and [( t Bu) 3 PH] BF 4 (131 mg, 0.45 mmol) were added and heated. Refluxed. After 20 hours, since the progress of the reaction was not observed, Pd (OAc) 2 (44.3 mg, 0.2 mmol), [( t Bu) 3 PH] BF 4 (163.3 mg, 0.56 mmol), and xylene (50 mL) were added. Added. After 15 hours, the reaction was stopped, and suction filtration was performed with toluene, followed by liquid separation with water, saturated brine and toluene, the organic layer was dehydrated with anhydrous sodium sulfate, and the solution was concentrated. Purification by silica gel chromatography (toluene: ethyl acetate / 40: 1) gave 460 mg of a yellow solid.
They were identified by ASAP-MS, TGA / DSC measurement, elemental analysis, and 1 HNMR.
The results are shown below. FIG. 2 shows the 1 HNMR spectrum.
ASAP-MS: m / z = 450.5 [M + ]
Melting point ( Tm ) 313 ℃
5% weight decay temperature (T d5 ) 395 ° C
Elemental analysis: Theoretical value C, 82.83%; H, 4.26%; N, 9.35%
Measured value C, 82.67%; H, 4.14%; N, 9.29%

[実施例3]PXZ−IPの合成

Figure 2018127424
[Example 3] Synthesis of PXZ-IP
Figure 2018127424

[ステップ 1]2-(4-クロロフェニル)イミダゾールの合成
あらかじめ窒素フローした200mLの4つ口フラスコにメタノール (200mL)入れ、強めに窒素バブリングを10分間行った。ここに、4-クロロベンズアルデヒド(8.43g、60mmol)、酢酸アンモニウム (9.25g、120mmol)、L-プロリン (1.04g、9mmol)、及びグリオキサール (6.83mL、60mmol)を入れ、18時間攪拌した。反応停止後、メタノールを濃縮により除去し、酢酸エチルにて分散洗浄を行った。TLCから1スポット、ASAP-MSから目的物のピークのみが観測されたため、精製を終了して減圧乾燥し、白色固体3.6gを得た。ASAP-MS :m/z = 179.8 [M+]
[Step 1] Synthesis of 2- (4-chlorophenyl) imidazole Methanol (200 mL) was placed in a 200 mL four-necked flask that had previously been flowed with nitrogen, and nitrogen bubbling was performed for 10 minutes. 4-Chlorobenzaldehyde (8.43 g, 60 mmol), ammonium acetate (9.25 g, 120 mmol), L-proline (1.04 g, 9 mmol), and glyoxal (6.83 mL, 60 mmol) were added thereto and stirred for 18 hours. After stopping the reaction, methanol was removed by concentration, and dispersion washing was performed with ethyl acetate. Since one spot was observed from TLC and only the peak of the target product was observed from ASAP-MS, purification was completed and the residue was dried under reduced pressure to obtain 3.6 g of a white solid. ASAP-MS: m / z = 179.8 [M + ]

[ステップ 2]イミダゾフェナントリジン (IP)の合成
温度計と還流管を付した100mLの4つ口フラスコに2-(4-クロロフェニル)イミダゾール(3.00g、16.8mmol)、K2CO3(7.0g、50.4mmol)を入れ10分間窒素フローを行い、その後1,2-ジブロモベンゼン (10mL、84mmol)、DMF (50mL)を入れ1時間窒素バブリングをした。その後、Pd(OAc)2 (377mg、1.68mmol)、Xphos (1.6g、3.36mmol)を入れ、加熱還流した。216時間後、反応を停止し、酢酸エチルで吸引ろ過し、酢酸エチル、水及び飽和食塩水で分液後、有機層を無水硫酸ナトリウムで脱水し、溶液を濃縮して、黒色固体を得た。シリカゲルクロマトグラフィー(トルエン:酢酸エチル = 10:7)にて精製し、500mgの目的物を得た。ASAP—MS: m/z = 253.6 [M+]
[Step 2] Synthesis of imidazophenanthridine (IP) In a 100 mL four-necked flask equipped with a thermometer and a reflux tube, 2- (4-chlorophenyl) imidazole (3.00 g, 16.8 mmol), K 2 CO 3 (7.0 g, 50.4 mmol) was added, and a nitrogen flow was performed for 10 minutes. Then, 1,2-dibromobenzene (10 mL, 84 mmol) and DMF (50 mL) were added and nitrogen bubbling was performed for 1 hour. Thereafter, Pd (OAc) 2 (377 mg, 1.68 mmol) and Xphos (1.6 g, 3.36 mmol) were added and heated to reflux. After 216 hours, the reaction was stopped, suction filtration was performed with ethyl acetate, liquid separation was performed with ethyl acetate, water and saturated brine, the organic layer was dehydrated with anhydrous sodium sulfate, and the solution was concentrated to obtain a black solid. . Purification by silica gel chromatography (toluene: ethyl acetate = 10: 7) gave 500 mg of the desired product. ASAP — MS: m / z = 253.6 [M + ]

[ステップ 3]PXZ-IPの合成
温度計と還流管を付した50mLの4つ口フラスコにクロロイミダゾフェナントリジン(IP) (500mg、2mmol)、フェノキサジン (366mg、2mmol)、及びK2CO3(833mg、6mmol)を入れ、窒素フローを10分間行い、キシレン (10mL)を入れ、1時間窒素バブリングを行った。その後、Pd(OAc)2 (23mg、0.1mmol)、[(t Bu)3PH]BF4 (187mg、0.3mmol)を加え、加熱還流した。22時間後反応を停止させ、トルエンで吸引ろ過し、トルエン、水、飽和食塩水で分液抽出し、有機層を無水硫酸ナトリウムで脱水後、溶液を濃縮した。シリカゲルクロマトグラフィー(トルエン:酢酸エチル= 10:7)にて精製し、終夜減圧乾燥を行い、黒黄色固体521mgを得た。
ASAP-MS、TGA/DSC測定、元素分析、及び1HNMRにて同定した。
結果を以下に示す。図3に1HNMRスペクトルを示す。
ASAP-MS : m/z = 400.3 [M+]
融点(Tm) 249℃、
5%重量減衰温度(Td5) 360℃
元素分析:理論値 C,81.19%;H,4.29 %;N,10.52 %、
実測値 C,80.95%;H,4.08 %;N,10.50 %
[Step 3] Synthesis of PXZ-IP In a 50 mL four-necked flask equipped with a thermometer and a reflux tube, chloroimidazophenanthridine (IP) (500 mg, 2 mmol), phenoxazine (366 mg, 2 mmol), and K 2 CO 3 (833 mg, 6 mmol) was added, nitrogen flow was performed for 10 minutes, xylene (10 mL) was added, and nitrogen bubbling was performed for 1 hour. Then, Pd (OAc) 2 (23 mg, 0.1 mmol) and [( t Bu) 3 PH] BF 4 (187 mg, 0.3 mmol) were added and heated to reflux. After 22 hours, the reaction was stopped, suction filtration was performed with toluene, and separation and extraction were performed with toluene, water, and saturated saline. The organic layer was dehydrated with anhydrous sodium sulfate, and the solution was concentrated. The product was purified by silica gel chromatography (toluene: ethyl acetate = 10: 7) and dried under reduced pressure overnight to obtain 521 mg of a black yellow solid.
They were identified by ASAP-MS, TGA / DSC measurement, elemental analysis, and 1 HNMR.
The results are shown below. FIG. 3 shows the 1 HNMR spectrum.
ASAP-MS: m / z = 400.3 [M + ]
Melting point (T m ) 249 ° C,
5% weight decay temperature (T d5 ) 360 ° C
Elemental analysis: Theoretical value C, 81.19%; H, 4.29%; N, 10.52%,
Measured value C, 80.95%; H, 4.08%; N, 10.50%

[光学特性評価]
光学特性評価に用いた機器及び測定条件は以下のとおりである。
(1)紫外・可視(UV−vis)分光光度計
(株)島津製作所製 UV−3150
測定条件;スキャンスピード 中速、測定範囲 200〜800nm サンプリングピッチ 0.5nm、スリット幅 0.5nm
(2)フォトルミネッセンス(PL)測定装置
(株)堀場製作所製Fluoro MAX−2
常温(300K)及び低温(5K)において、PLスペクトル、及び、ストリークカメラ(浜松ホトニクス(株)製C4334)を用いた時間分解PLスペクトル(PL過渡スペクトル)を測定した。
(3)光電子収量分光(PYS)装置
住友重機械工業(株)製イオン化ポテンシャル測定装置
イオン化ポテンシャル測定装置を用いて、真空中でイオン化ポテンシャル(Ip)の測定を行った。
なお、電子親和力(E)は、UV−vis吸収スペクトルの吸収端よりエネルギーギャップ(E)を見積もることによって算出した。
[Optical characteristics evaluation]
The equipment and measurement conditions used for the optical property evaluation are as follows.
(1) Ultraviolet / visible (UV-vis) spectrophotometer UV-3150 manufactured by Shimadzu Corporation
Measurement conditions: medium scan speed, measurement range 200 to 800 nm, sampling pitch 0.5 nm, slit width 0.5 nm
(2) Photoluminescence (PL) measuring device Fluoro MAX-2 manufactured by HORIBA, Ltd.
A PL spectrum and a time-resolved PL spectrum (PL transient spectrum) using a streak camera (C4334 manufactured by Hamamatsu Photonics Co., Ltd.) were measured at normal temperature (300K) and low temperature (5K).
(3) Photoelectron Yield Spectroscopy (PYS) Device Ionization Potential Measurement Device manufactured by Sumitomo Heavy Industries, Ltd. Ionization potential (Ip) was measured in vacuum using an ionization potential measurement device.
The electron affinity (E a ) was calculated by estimating the energy gap (E g ) from the absorption edge of the UV-vis absorption spectrum.

[実施例4]
実施例1〜3で合成したAc−BIP、PXZ−BIP、及びPXZ−IPのそれぞれのトルエン溶液(10-5M)を調製し、吸収(UV−vis)・発光(PL)スペクトルを測定した。結果を図4に示す。
また、Ac−BIP、PXZ−BIP、及びPXZ−IPそれぞれの単膜(neatfilm)、及び、それぞれをDPEPOに10wtドープした10wt:DPEPO膜を作製し、吸収(UV−vis)・発光(PL)スペクトルを測定した。結果を図5及び6に示す。
UV−vis吸収スペクトルの結果から、前記イミダゾール誘導体のいずれも、これらのπ共役系に由来するピークが観測された。特にフェノキサジン骨格を有するPXZ−BIP、及びPXZ−IPでは、9,10−ジヒドロ−9,9−ジメチルアクリジン骨格を有するAc−BIPに比べてλmaxが長波長側に観測された。
PLスペクトルの結果から、単膜では発光波長がλmax=440〜540nmの青色〜緑色発光を示した。DPEPOドープ膜では、イミダゾール誘導体が分散しているため、凝集によるレッドシフトがみられず、λmax=440〜540nmの青色〜緑色発光を示した。
[Example 4]
Toluene solutions (10 −5 M) of Ac-BIP, PXZ-BIP, and PXZ-IP synthesized in Examples 1 to 3 were prepared, and absorption (UV-vis) and emission (PL) spectra were measured. . The results are shown in FIG.
In addition, a single film (neatfilm) of Ac-BIP, PXZ-BIP, and PXZ-IP, and a 10 wt: DPEPO film obtained by doping 10 wt% of each into DPEPO are prepared, and absorption (UV-vis) / luminescence (PL) The spectrum was measured. The results are shown in FIGS.
From the results of UV-vis absorption spectra, peaks derived from these π-conjugated systems were observed for all of the imidazole derivatives. In particular, in PXZ-BIP and PXZ-IP having a phenoxazine skeleton, λ max was observed on the longer wavelength side compared to Ac-BIP having a 9,10-dihydro-9,9-dimethylacridine skeleton.
From the results of the PL spectrum, the single film showed blue to green emission with an emission wavelength of λ max = 440 to 540 nm. In the DPEPO-doped film, since the imidazole derivative was dispersed, no red shift due to aggregation was observed, and blue to green light emission of λ max = 440 to 540 nm was exhibited.

[実施例5]
実施例1〜3で合成したAc−BIP、PXZ−BIP、及びPXZ−IPのそれぞれについて、低温(5K)における蛍光・リン光スペクトル、及び常温(300K)における時間分解PLスペクトル(PL過渡スペクトル)をストリークカメラを用いて測定した。結果を図7(a)(b)に示す。
なお、Ac−BIPの蛍光スペクトルはDPEPOドープ膜を用いて測定できたが、リン光スペクトルは、強度が低く測定不能であった。そのため、リン光スペクトルのみ単膜にて測定した。
PXZ−BIP及びPXZ−IPでは、蛍光及びリン光とも、DPEPOドープ膜を用いて測定した。結果をそれぞれ図8(a)(b)及び図9(a)(b)に示す。
[Example 5]
For each of Ac-BIP, PXZ-BIP, and PXZ-IP synthesized in Examples 1 to 3, fluorescence / phosphorescence spectrum at low temperature (5K) and time-resolved PL spectrum (PL transient spectrum) at room temperature (300K) Was measured using a streak camera. The results are shown in FIGS. 7 (a) and 7 (b).
In addition, although the fluorescence spectrum of Ac-BIP was able to be measured using the DPEPO dope film | membrane, the intensity | strength was low and the phosphorescence spectrum was unmeasurable. Therefore, only the phosphorescence spectrum was measured with a single film.
In PXZ-BIP and PXZ-IP, both fluorescence and phosphorescence were measured using a DPEPO-doped film. The results are shown in FIGS. 8A and 8B and FIGS. 9A and 9B, respectively.

Figure 2018127424
Figure 2018127424

[実施例6]
Ac−BIP、PXZ−BIP及びPXZ−IPの固体薄膜(単膜)に対し、光電子収量分光法(PYS)により、それぞれのイオン化ポテンシャルを測定した。PYSの結果を図10〜12に示す。
PYSの結果から、Ac−BIP、PXZ−BIP及びPXZ−IPのイオン化ポテンシャル(Ip)を算出した。表2にそれぞれのIp、電子親和力(Ea)、及びEgを示す。なお、Ipは光電子収量の立ち上がりから、Egは固体薄膜(単膜)のUV−vis吸収スペクトルの吸収端から算出した。
[Example 6]
The respective ionization potentials of the solid thin films (single film) of Ac-BIP, PXZ-BIP, and PXZ-IP were measured by photoelectron yield spectroscopy (PYS). The results of PYS are shown in FIGS.
From the PYS results, the ionization potentials (I p) of Ac-BIP, PXZ-BIP and PXZ-IP were calculated. Table 2 shows I p , electron affinity (E a) , and E g , respectively. I p was calculated from the rise of the photoelectron yield, and E g was calculated from the absorption edge of the UV-vis absorption spectrum of the solid thin film (single film).

Figure 2018127424
Figure 2018127424

なお、図10〜12中の5eV付近の光電子収量のプロットの不連続性はすべてのサンプルで検出されることから、装置由来であると考えられる。
[有機EL素子の作製及び評価]
有機EL素子の発光特性の評価に用いた機器は以下のとおりである。
装置;(株)浜松ホトニクス製 PHOTONIC MULTI−CHANNEL ANALYZER PMA−1
In addition, since the discontinuity of the plot of the photoelectron yield of 5 eV vicinity in FIGS. 10-12 is detected by all the samples, it is thought that it originates in an apparatus.
[Production and Evaluation of Organic EL Element]
The equipment used for the evaluation of the light emission characteristics of the organic EL element is as follows.
Equipment: PHOTONIC MULTI-CHANNEL ANALYZER PMA-1 manufactured by Hamamatsu Photonics Co., Ltd.

[実施例7]シングル発光層を有する素子
Ac−BIP、PXZ−BIP及びPXZ−IPについて、以下に示す構造の素子を作製した。
[ITO (130nm) / トリフェニルアミン含有ポリマー : 4-イソプロピル-4’-メチルジフェニルヨードニウムテトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボレート(PPBI) (20 nm) / ジ[4-(N,N-ジトリルアミノ)フェニル] シクロヘキサン(TAPC) (20 nm) / N,N-ジカルバゾイル-3,5-ベンゼン (mCP) (5 nm) / 10wt% ゲスト : ビス[2-(ジフェニルホスフィノ)ジフェニル]エーテルオキシド (DPEPO) (20 nm) / 3,3”,5,5’-テトラ(3-ピリジル)-1,1’;3’,1”-ターフェニル B3PyPB (50 nm) / LiF (0.5 nm) / Al(100 nm)]
なお、上記した素子構造中の「ゲスト」は、Ac−BIP、PXZ−BIP又はPXZ−IPに該当する。また、素子の作製に使用したTAPC、mCP、DPEPO及びB3PyPBの構造式は、以下のとおりである。
[Example 7] Element having a single light emitting layer For Ac-BIP, PXZ-BIP, and PXZ-IP, elements having the following structures were prepared.
[ITO (130 nm) / Triphenylamine-containing polymer: 4-isopropyl-4'-methyldiphenyliodonium tetrakis (pentafluorophenyl) borate (PPBI) (20 nm) / di [4- (N, N-ditolylamino) phenyl] Cyclohexane (TAPC) (20 nm) / N, N-dicarbazoyl-3,5-benzene (mCP) (5 nm) / 10 wt% Guest: Bis [2- (diphenylphosphino) diphenyl] ether oxide (DPEPO) (20 nm) / 3,3 ”, 5,5'-tetra (3-pyridyl) -1,1 ';3',1" -terphenyl B3PyPB (50 nm) / LiF (0.5 nm) / Al (100 nm) ]
Note that “guest” in the above-described element structure corresponds to Ac-BIP, PXZ-BIP, or PXZ-IP. Further, the structural formulas of TAPC, mCP, DPEPO, and B3PyPB used for manufacturing the element are as follows.

Figure 2018127424
Figure 2018127424

上記したシングル発光層を有する素子の発光効率を測定した。EL発光スペクトルを図13及び図14(a)〜(d)に示す。
表3に素子特性を示す。
The luminous efficiency of the element having the above single light emitting layer was measured. EL emission spectra are shown in FIGS. 13 and 14 (a) to (d).
Table 3 shows the element characteristics.

Figure 2018127424
λEL=440〜485nmにドーパント由来の発光が確認された(図13)。Ac-BIPに比べ、より強い電子供与性部位を有するPXZ-BIPでは長波長化し、電子受容性部位のπ共役の拡張の抑制をしたPXZ-IPではLUMO準位が浅くなったためPXZ-BIPに比べ短波長化した。
Figure 2018127424
Luminescence derived from the dopant was confirmed at λ EL = 440 to 485 nm (FIG. 13). Compared to Ac-BIP, the PXZ-BIP with a stronger electron donating site has a longer wavelength, and the PXZ-IP with suppressed π-conjugate expansion of the electron accepting site has a shallow LUMO level. Compared to a shorter wavelength.

[実施例8]ダブル発光層を有する素子
PXZ−BIPについてダブル発光層の素子を作製した。
以下に示す構造で素子を作製し、実施例7のシングル発光層の素子と比較した。
[ITO (130nm ) / トリフェニルアミン含有ポリマー: 4-イソプロピル-4’-メチルジフェニルインドニウムテトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボレート (PPBI) (20 nm) / ジ[4-(N,N-ジトリルアミノ)フェニル]シクロヘキサン(TAPC) (20 nm) / 10wt% ゲスト : N,N-ジカルバゾイル-3,5-ベンゼン (mCP) (10 nm) / 10wt% ゲスト : ビス[2-(ジフェニルホスフィノ)フェニル]エーテルオキシド (DPEPO) (10 nm) /3,3”,5,5’-テトラ(3-ピリジル)-1,1’;3’,1”-ターフェニル B3PyPB (50 nm) / LiF (0.5 nm) / Al(100 nm)]
なお、上記した素子構造中の「ゲスト」は、PXZ−BIPに該当する。
上記したダブル発光層を有する素子の発光効率を測定した。EL発光スペクトルを図15及び図16(a)〜(d)に示す。
表4に素子特性を示す。
[Example 8] Element having a double light-emitting layer An element having a double light-emitting layer was produced for PXZ-BIP.
An element having the structure shown below was manufactured and compared with the element of the single light emitting layer of Example 7.
[ITO (130 nm) / Triphenylamine-containing polymer: 4-isopropyl-4'-methyldiphenylindoniumtetrakis (pentafluorophenyl) borate (PPBI) (20 nm) / di [4- (N, N-ditolylamino) phenyl ] Cyclohexane (TAPC) (20 nm) / 10 wt% Guest: N, N-Dicarbazoyl-3,5-benzene (mCP) (10 nm) / 10 wt% Guest: Bis [2- (diphenylphosphino) phenyl] ether oxide (DPEPO) (10 nm) / 3,3 ”, 5,5'-tetra (3-pyridyl) -1,1 ';3',1" -terphenyl B3PyPB (50 nm) / LiF (0.5 nm) / Al (100 nm)]
Note that “guest” in the element structure described above corresponds to PXZ-BIP.
The luminous efficiency of the element having the above-described double light emitting layer was measured. The EL emission spectra are shown in FIGS. 15 and 16 (a) to (d).
Table 4 shows the element characteristics.

Figure 2018127424
シングル発光層、ダブル発光層のいずれを有する素子も、λEL=480〜500nmにドーパント由来の発光が確認された(図15)。発光層の構成によらず、本デバイス構造では、キャリアと励起子の閉じ込めが十分可能であるため、周辺材料からの発光は見られなかったと考えられる。
Figure 2018127424
In the device having both the single light emitting layer and the double light emitting layer, light emission derived from the dopant was confirmed at λ EL = 480 to 500 nm (FIG. 15). Regardless of the structure of the light-emitting layer, in this device structure, it is considered that light emission from peripheral materials was not observed because carriers and excitons can be sufficiently confined.

1 基板
2 陽極
3 正孔注入層
4 正孔輸送層
5 発光層
6 電子輸送層
7 電子注入層
8 陰極
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Substrate 2 Anode 3 Hole injection layer 4 Hole transport layer 5 Light emitting layer 6 Electron transport layer 7 Electron injection layer 8 Cathode

Claims (3)

下記一般式(1)で表されるイミダゾール誘導体。
Figure 2018127424
(一般式(1)中、R1〜R8及びR12〜R15はそれぞれ独立に、水素原子、脂肪族置換基又は芳香族置換基を表し、R1及びR2は互いに連結して環を形成してもよく、Xは−O−、−S−、−NR9−又は−CR1011−を表し、R9は水素原子、炭素原子数1〜20のアルキル基を表し、R10及びR11は、それぞれ独立に、芳香族置換基又は炭素原子数1〜20のアルキル基を表し、R10及びR11は互いに連結して環を形成してもよい。)
Imidazole derivatives represented by the following general formula (1).
Figure 2018127424
(In the general formula (1), R 1 to R 8 and R 12 to R 15 each independently represent a hydrogen atom, an aliphatic substituent or an aromatic substituent, and R 1 and R 2 are linked to each other to form a ring. X represents —O—, —S—, —NR 9 — or —CR 10 R 11 —, R 9 represents a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, R 10 and R 11 each independently represents an aromatic substituent or an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, and R 10 and R 11 may be linked to each other to form a ring.
前記一般式(1)中、R1及びR2が水素原子であるか、又は、R1及びR2が互いに連結してフェニル基を形成しており、R3〜R8及びR12〜R15がそれぞれ独立に、水素原子又は炭素原子数1〜20の脂肪族炭化水素基であり、R9、R10及びR11がそれぞれ独立に、芳香族置換基である、請求項1に記載のイミダゾール誘導体。 In the general formula (1), R 1 and R 2 are hydrogen atoms, or R 1 and R 2 are connected to each other to form a phenyl group, R 3 to R 8 and R 12 to R 2. Each of 15 is independently a hydrogen atom or an aliphatic hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms, and R 9 , R 10, and R 11 are each independently an aromatic substituent. Imidazole derivatives. 請求項1又は2に記載のイミダゾール誘導体を用いた有機EL素子。   An organic EL device using the imidazole derivative according to claim 1.
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